JP2014071231A - 表示装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】歩留りが高く安定性の高い表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の製造方法は、金属層が設けられたキャリア基板の前記金属層上にベース基板を形成し、前記ベース基板上に表示素子層を形成し、前記キャリア基板の前記金属層と反対側からレーザ光を照射して、前記ベース基板を前記金属層から剥離させる。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、表示装置の製造方法に関する。
プラスチック等の高分子材料からベースフィルム上に表示素子層を形成した、可撓性を有し、曲面形状にも加工可能な表示装置がある。このような表示装置においては、変形しやすいプラスチックなどで形成されたベース基板をプロセス中で扱うために、キャリア基板上にベース基板を形成し、プロセス最終段階でキャリア基板とベース基板とを剥離する。したがって、ベース基板へのダメージが少なく、また安価な装置で剥離する技術が求められている。
米国特許出願公開第２０１０／０３２２３１７０号明細書
本発明の実施形態は、歩留りが高く安定性の高い表示装置の製造方法を提供する。
実施形態の表示装置の製造方法は、金属層が設けられたキャリア基板の前記金属層上にベース基板を形成し、前記ベース基板上に表示素子層を形成し、前記キャリア基板の前記金属層と反対側からレーザ光を照射して、前記ベース基板を前記金属層から剥離させる。
第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を例示する工程断面図である。 第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を例示する工程断面図である。 ベース基板の剥離を説明する模式図であり、（ａ）は、断面図、（ｂ）は（ａ）の破線Ａで囲んだ部分の拡大図である。 ベース基板が剥離された状態を表す模式図である。 第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を例示する工程断面図である。 第３の実施形態における金属層を例示する平面図である。 表示装置を個片化する際の課題を例示する工程断面図である。 第４の実施形態における金属層を例示する平面図である。 第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を例示する工程断面図である。 第６の実施形態に係る表示装置の製造方法を例示する工程断面図である。
以下、実施形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の形状や縦横の寸法の関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１の実施形態）
図１および図２は、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を例示する工程断面図である。
本実施形態の表示装置の製造方法は、ベース基板上に形成された表示素子層を有する表示装置、例えばシートデバイスの製造方法である。
図１（ａ）に表したように、金属層２が設けられたキャリア基板１を準備する。
キャリア基板１は、例えばガラスであり、表示装置を形成するための一時的な支持基板として機能する。なお、キャリア基板１は、適度な強度と、後の工程で使用するレーザ光の波長に対して透過性を有すればよく、キャリア基板１の厚さは、特に限定されない。
金属層２は、例えば、少なくともチタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、タンタル（Ｔａ）のいずれかを含む金属で、例えば厚さ５０ｎｍ〜２００ｎｍに形成される。なお、金属層２は、後の工程で使用するレーザ光の波長に対して吸収率が高く、比較的融点が高く、熱容量の大きい材料で形成されていればよい。また、金属層２におけるレーザ光の吸収量が、キャリア基板１におけるレーザ光の吸収量よりも大きければよい。なお、金属層２は、レーザ光が反対側に透過して、後の工程で形成される表示素子の破壊を生じない材料および膜厚であればよく、例示した金属に限定されない。
次に、図１（ｂ）に表したように、金属層２上にベース基板３を形成する。ベース基板３は、例えばプラスチック等の高分子材料で形成され、表示装置の基板として機能する。ベース基板３は、例えば厚さ１０μｍ〜７０μｍに形成され、可撓性を有し、曲面形状にも加工可能に形成される。ベース基板３は、変形しやすいため、キャリア基板１上に設けられた金属層２上に形成される。
ベース基板３は、金属層２とベース基板３との密着力（接着力）が、キャリア基板１と金属層２との密着力をよりも小さくなるように形成される。また、同時にベース基板３は、金属層２とベース基板３との密着力が、この後に表示素子層４を形成するプロセスにおける温度範囲内で、キャリア基板１と金属層２との境界面および金属層２とベース基板３との境界面のそれぞれで発生する熱応力よりも大きくなるように形成される。
次に、図１（ｃ）に表したように、ベース基板３上に表示素子層４を形成する。表示素子層４は、例えば発光素子として有機ＥＬ（Organic Light Emitting Diode:OLED）と駆動素子とを含む層である。また、表示素子層４は、薄型に形成できればよく、例えば光学層として液晶分子と偏光板とを含む液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）でもよい。なお、表示素子層４は、一般のプロセスで形成されるが、例えば有機ＥＬ素子を含む場合は、有機ＥＬ素子が水分を嫌悪するため湿式エッチングを使用できず、ドライエッチングを用いて形成される。
次に、図１（ｄ）に表したように、キャリア基板１の金属層２と反対側からレーザ光ＩＬを照射して、ベース基板３を金属層２から剥離させる。
レーザ光ＩＬの波長は、キャリア基板１に対して高い透過率を有し、キャリア基板１よりも金属層２でより多く吸収される波長である。すなわち、レーザ光ＩＬの波長は、キャリア基板１におけるレーザ光ＩＬの吸収量よりも金属層２におけるレーザ光ＩＬの吸収量の方が大きくなるような波長である。レーザ光ＩＬの波長は、例えば３５０ｎｍ〜１０６４ｎｍであり、好ましくは８００ｎｍ〜１μｍの近赤外、また７００ｎｍ〜９００ｎｍ近傍の半導体レーザで発振可能な波長である。
また、レーザ光ＩＬは、金属層２上の剥離させようとする領域に短時間照射される。レーザ光ＩＬは、例えばＱスイッチレーザなどによるパルスレーザ光である。また、レーザ光ＩＬは、例えばファイバレーザや半導体レーザなどの連続出力光を、パルス状に照射させてもよく、また、レーザ光ＩＬを金属層２上で走査させることにより見かけ上短時間照射が行われるようにしてもよい。
レーザ光ＩＬが長時間照射されると、金属層２およびベース基板３だけでなく、表示素子層４も加熱されることになり、表示性能に悪影響を与える可能性がある。そこで、本実施形態においては、レーザ光ＩＬは、ベース基板３を剥離させようとする領域に短時間照射される。
レーザ光ＩＬのビーム形状は、例えば円形のスポット状であるが、特に限定はなく、例えば線状や矩形のビーム形状の場合は、処理の均一性を向上させることができる。
キャリア基板１を透過したレーザ光ＩＬは金属層２で吸収され、金属層２に含まれる金属が加熱される。このとき金属層２の急激な熱膨張によって発生する衝撃的な熱応力、または衝撃弾性波、または単純に温度上昇による金属層２とベース基板３との境界面の密着強度低下といったメカニズムにより、金属層２とベース基板３との境界面で剥離が発生する。
発明者は、レーザ光ＩＬのピークパワーまたはエネルギー密度が高すぎる場合は、金属層２が溶融・凝集またはクラック発生に至るが、適正条件では金属層２にダメージを与えることなく、ベース基板３を金属層２から剥離できることを見出した。
図３は、ベース基板の剥離を説明する模式図であり、（ａ）は、断面図、（ｂ）は（ａ）の破線Ａで囲んだ部分の拡大図である。
なお、図３（ｂ）においては、レーザ光ＩＬの強度分布を一点鎖線で模式的に表し、また、金属層２とベース基板３との境界面において、最大エネルギー密度ＯＰが照射されている中心部をＰ、レーザ光ＩＬのエネルギー密度が急変する境界部をＱ、Ｒで表している。
ベース基板３を剥離させようとする領域に、キャリア基板１の金属層２と反対側からレーザ光ＩＬを照射すると、金属層２とベース基板３との間で、温度勾配が生じる。例えば、図３（ｂ）に表したように、レーザ光ＩＬの中心部Ｐの近傍よりも、レーザ光ＩＬのエネルギー密度が急変する境界部Ｑ、Ｒにおいて、金属層２とベース基板３との間の温度勾配が大きくなる。その結果、境界部Ｑ、Ｒ近傍において、ベース基板３は金属層２から剥離する。
したがって、ベース基板３を剥離させようとする領域に応じて、レーザ光ＩＬを走査することにより、ベース基板３を任意の領域で金属層２から剥離させることができる。
図４は、ベース基板が剥離された状態を表す模式図である。
なお、図４においては、ベース基板３としてポリイミドフィルムを用いた場合を例示した２０倍の写真である。ベース基板３の一部が金属層２から剥離され、剥離されたベース基板３が金属層２に反射して、イメージ（虚像）１３として写っている。ベース基板３は、略正方形状に剥離され、１辺で金属層２と接続している。なお、レーザ光ＩＬは、波長１．０６μｍのＹＡＧレーザ光である。
このように、適正条件では金属層２にダメージを与えることなく、ベース基板３を金属層２から剥離させることができる。したがって、剥離後のキャリア基板１は、金属層２にダメージがないため、再利用することができる（図２（ａ））。
次に、図２（ｂ）に表したように、必要に応じて、ベース基板３と表示素子層４とに後工程を行う。例えば、表示素子層４が、ＬＣＤの場合は、ベース基板３の下面に偏光板５を設ける。また、例えば位相差フィルムなどの光学補償板を設ける（図示せず）。
次に、図２（ｃ）に表したように、必要に応じて、切断線（ダイシングライン）ＣＴに沿ってベース基板３と表示素子層４とを切断し、個片化することにより、表示装置６が得られる（図２（ｄ））。なお、キャリア基板１上に複数の表示装置が形成されていなかった場合は、切断線ＣＴに沿った個片化は不要である。
一般に、レーザ加熱により犠牲層またはプラスチック基板表面での温度上昇によるアブレーションを発生させて、プラスチック基板を剥離させる方法がある。しかし、この方法では、犠牲層とガラス界面で剥離するため、剥離された表示素子層とプラスチック基板側の残渣を例えばエッチング等で除去する必要があり、工程が増える。
一方、例えば、プラスチック基板とガラス基板とが接した構造で、アブレーションを用いず熱応力により境界面を剥離させることが可能であれば、上記のような残渣を除去する工程を増やす必要はない。しかし、発明者らの実験においては、例えばベース基板としてポリイミドを用いた場合では、アブレーションが生じる閾値以下のフルエンス（エネルギー密度）であっても、ポリイミドから構成ガスが優先的に脱離していると推定される現象が観察され、剥離時には、ポリイミド表面の除去または熱変質を発生させていることがわかった。
また上記のレーザ加熱によりアブレーションを発生させる方法や、アブレーションを用いず熱応力によりプラスチック基板とガラス基板とを剥離させる方法においては、エキシマレーザを想定している。そのため、レーザ光のガラスの透過率が３０％程度と低く、エネルギー利用効率が悪く、また装置コストが高くなる。
これに対して、本実施形態においては、ベース基板３は、金属層２とベース基板３との密着力（接着力）が、キャリア基板１と金属層２との密着力よりも小さくなるように形成される。その結果、レーザ光を照射して、ベース基板を金属層から剥離させることができる。このとき、ベース基板側に金属層の残渣を残さないため、残渣を除去する工程が不要である。またベース基板側に熱変質等のダメージを与えないため、表示装置の表示性能に悪影響を与えることもない。さらに、金属層にダメージを与えないため、キャリア基板を再利用することができる。
また、本実施形態においては、ベース基板は、金属層とベース基板との密着力が、この後に表示素子層を形成するプロセスにおける温度範囲内で、キャリア基板と金属層との境界面および金属層とベース基板との境界面のそれぞれで発生する熱応力よりも大きくなるように形成される。その結果、プロセス中にベース基板が剥離することなく表示装置を製造することができる。
また、本実施形態においては、レーザ光は、キャリア基板を透過して、金属層を加熱する加熱源となればよいため、実質的に３５０ｎｍ〜１０６４ｎｍの範囲の波長のレーザ光源を用いることができる。また、例えば１．０６４μｍを含む８００ｎｍ〜１μｍ台の近赤外レーザ、７００ｎｍ〜９００ｎｍ台の半導体レーザを用いることができる。その結果、エキシマレーザを用いる場合と比較して、装置コストを低減することができる。
（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を例示する工程断面図である。
本実施形態の表示装置の製造方法は、ベース基板上に形成された表示素子層を有する表示装置の製造方法であり、第１の実施形態の製造方法と比較して、表示装置を個片化する構成が異なる。
本実施形態の製造方法においては、図１（ｃ）に表した、表示素子層４を形成する工程までは、第１の実施形態と同様なので説明を省略する。
次工程から説明する。
図５（ａ）に表したように、切断線ＣＴに沿って、キャリア基板１と金属層２とベース基板３と表示素子層４とを切断し、個片化する。
次に、図５（ｂ）に表したように、個片化したキャリア基板１の金属層２と反対側からレーザ光ＩＬを照射して、ベース基板３を金属層２から剥離させる。その結果、個片化された表示装置７が得られる。
次に、図示を省略するが、必要に応じて、ベース基板３と表示素子層４とに後工程を行う。例えば、表示素子層４が、ＬＣＤの場合は、ベース基板３の下面に偏光板５を設ける。また、例えば位相差フィルムなどの光学補償板を設ける。
本実施形態においては、キャリア基板１を切断するため、キャリア基板１の再利用ができない点を除いて、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
ところで、第１の実施形態および第２の実施形態においては、キャリア基板１上に金属層２が設けられていることにより、以下（１）〜（３）のように新たな課題が発生する可能性がある。
（１）表示素子層４の形成時（図１（ｂ））に行われるフォトリソグラフィ工程（Photo-Engraving Process:ＰＥＰ）において、表示素子層４内に形成されたアラインメントマークを透過検出により読み取ることができない。
（２）個片化（図５（ａ））時に、切断線ＣＴがキャリア基板１側から見えない。
（３）紫外線（ＵＶ）キュアリングによりベース基板３を表示素子層４側で貼り合わせる場合において、金属層２が遮光作用をもつため、キャリア基板１の外側からＵＶ硬化材にＵＶ光が入らない。
次に、これらの課題（１）〜（３）を解決した実施形態について説明する。
（第３の実施形態）
図６は、第３の実施形態における金属層を例示する平面図である。
本実施形態は、上記の課題（１）を解決するもので、第１の実施形態と比較して、キャリア基板１に設けられた金属層２に、位置合わせをするための透過マークを、金属層２上の所定位置に形成する点が異なる。キャリア基板１および金属層２については、第１の実施形態におけるものと同様である。
本実施形態の表示装置の製造方法は、図１および図２に表した第１の実施形態の表示装置の製造方法において、金属層２が設けられたキャリア基板１を準備する際に（図１（ａ））、キャリア基板１上の所定位置に金属層２の一部を除去した透過マーク８を形成する。また、金属層２の一部を除去した透過マーク８が形成されたキャリア基板１を準備してもよい。透過マーク８は、表示素子層４を形成するフォトリソグラフィ工程において、位置決め用のアラインメントマークとして用いられる。
透過マーク８は、表示素子層４において各素子が形成される素子形成領域以外の、例えば切断線ＣＴ上またはその近傍に形成された場合、ベース基板３を金属層２から剥離する際に影響を与えない。なお、本具体例においては、透過マーク８は、クロスマークで構成されているが、位置決め用のアラインメントマークとして用いることができれば、透過マーク８は、任意の形状および構成とすることができる。
次の金属層２上にベース基板３を形成する工程およびそれ以降の工程は、第１の実施形態におけるものと同様に行われる（図１（ｂ）〜（ｄ）、図２（ａ）〜（ｄ））。なお、表示装置を個片化する構成は、第２の実施形態における構成を用いることもできる。
このように、本実施形態においては、第１および第２の実施形態の効果の他に、キャリア基板１上に金属層２の一部を除去した透過マーク８が形成されているため、表示素子層４の形成時に行われるフォトリソグラフィ工程における全てのプロセスにおいて、位置決めが容易になる。
図７は、表示装置を個片化する際の課題を例示する工程断面図である。
図７に表したように、上記の課題（２）は、個片化時に、金属層２があるため切断線ＣＴがキャリア基板１側から見えないことである。例えば、第２の実施形態のように、個片化が、ベース基板３を金属層２から剥離する前に行われる場合（図５（ｃ））は、キャリア基板１側から個片化する際に、切断線ＣＴが見えないことになる。
なお、第１の実施形態のように、個片化が、ベース基板３を金属層２から剥離した後に行われる場合（図２（ｃ））は、金属層２があることは問題とはならない。
（第４の実施形態）
図８は、第４の実施形態における金属層を例示する平面図である。
本実施形態は、上記の課題（２）を解決するもので、第２の実施形態と比較して、キャリア基板１に設けられた金属層２に、切断部９が形成される点が異なる。
本実施形態の表示装置の製造方法は、図１および図２に表した第１の実施形態の表示装置の製造方法における、金属層２が設けられたキャリア基板１を準備する際に（図１（ａ））、キャリア基板１上の金属層２の一部を除去した、切断部９が形成される。また、切断部９が形成されたキャリア基板１を準備してもよい。
切断部９は、後工程において表示装置を個片化する際の切断線ＣＴと平面視で重なり、キャリア基板１側から、切断線ＣＴが見えるように形成され、個片化する際の切断線ＣＴの指標となる。
次の金属層２上にベース基板３を形成する工程およびそれ以降の工程は、第２の実施形態におけるものと同様に行われる（図１（ｂ）〜（ｃ）、図５（ａ）〜（ｃ））。
本実施形態においては、第１および第２の実施形態の効果の他に、仮想的な切断線ＣＴの指標となるように、キャリア基板１上の金属層２の一部を除去した切断部９が設けられているため、キャリア基板１側から個片化することが容易になる。
（第５の実施形態）
図９は、第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を例示する工程断面図である。
本実施形態は、上記の課題（２）を解決するもので、第２の実施形態と比較して、個片化する構成が異なる。
図９に表したように、本実施形態においては、個片化する際に、表示素子層４の切断線ＣＴから、レーザ光ＩＵＶを照射して、ベース基板３および金属層２の一部を除去して、切断部１０を形成する。切断部１０は、切断線ＣＴにおいて、ベース基板３および金属層２を完全に切断して、キャリア基板１にまで達するように形成され、個片化する際の切断線ＣＴの指標となる。なお、レーザ光ＩＵＶは、例えば紫外線のパルスレーザ光である。
次に、切断部１０に沿って、個片化する。この後の工程は、第２の実施形態におけるものと同様に行われる（図５（ｂ）、（ｃ））。
本実施形態においても、第１および第２の実施形態の効果の他に、仮想的な切断線ＣＴの指標となるように、ベース基板３および金属層２の一部を除去した切断部１０が設けられているため、キャリア基板１側から個片化することが容易になる。
（第６の実施形態）
図１０は、第６の実施形態に係る表示装置の製造方法を例示する工程断面図である。
上記の課題（３）は、例えばＬＣＤの製造時において、ベース基板上の各画素に駆動素子が形成されたアレー基板（第１の積層体）と、ベース基板上の各画素にカラーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板（第２の積層体）と、を貼り合わせる場合などに生じる課題である。
本実施形態は、この課題（３）を解決するものであり、第１の実施形態と比較して、キャリア基板１上に、金属層２の一部が除去された透過部１２が設けられている点と、キャリア基板１側からレーザ光ＩＬを照射して、ベース基板３を金属層２から剥離する（図１（ｄ））前に、ベース基板３の貼り合わせを行う点とが異なる。
第１の実施形態のキャリア基板１、金属層２、ベース基板３上に表示素子層４を形成する工程により、キャリア基板１、金属層２、ベース基板３および表示素子層４を積層した第１の積層体１４が得られる。なお、表示素子層４は、例えば、各画素に形成された駆動素子を有している。
同様の工程において、表示素子層４の替わりにカラーフィルタ４ａを形成することにより、キャリア基板１、金属層２、ベース基板３およびカラーフィルタ４ａを積層した第２の積層体１４ａが得られる。なお、カラーフィルタ４ａは、各画素のサブ画素に対応した赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各着色層を有している。
また、上記のとおり、キャリア基板１上には、金属層２の一部が除去された透過部１２が設けられ、またキャリア基板１ａ上には、金属層２ａの一部が除去された透過部１２ａが設けられている。透過部１２および透過部１２ａは、第４の実施形態における金属層２と同様の工程により、ベース基板３上の表示素子層４が設けられていない部分んである接続部１５と重なるように形成されている。また、透過部１２ａは、ベース基板３ａ上のカラーフィルタ４ａが設けられていない部分である接続部１５ａと重なるように形成されている。
次に、図１０（ａ）に表したように、第１の積層体１４の表示素子層４側と、第２の積層体１４ａのカラーフィルタ４ａ側とを、接続層１１により貼り合わせる。接続層１１は、例えばＵＶ硬化樹脂であり、接続部１５と接続部１５ａとを固着する。
また、ベース基板３の貼り合わせ、すなわち第１の積層体１４と第２の積層体１４ａとの貼り合わせは、透過部１２および透過部１２ａの少なくともいずれかから、例えば紫外線のレーザ光ＩＵＶを照射して、接続層１１を硬化することにより行われる。例えば液晶ディスプレイの場合は、表示素子層４とカラーフィルタ４ａとの間に、液晶を注入するための空間が形成される。
次に、図示を省略するが、表示素子層４が有機ＥＬの場合は、表示素子層４とカラーフィルタ４ａとの間に、例えば有機ＥＬの劣化を防止するための不活性ガス等が封止される。
次に、キャリア基板１側からレーザ光ＩＬを照射して、ベース基板３を金属層２から剥離させ、キャリア基板１ａ側からレーザ光ＩＬを照射して、ベース基板３ａを金属層２ａから剥離させる。
次に、図１０（ｂ）に表したように、接続層１１を通る切断線ＣＴで個片化する。
このように、本実施形態においては、第１および第２の実施形態の効果の他に、キャリア基板１、１ａ上に金属層２、２ａの一部が除去された透過部１２、１２ａが設けられているため、例えば紫外線硬化樹脂などの接続層１１を紫外線硬化させることにより、第１の積層体１４と第２の積層体１４ａとを貼り合わせることができる。
なお、本具体例においては、ＬＣＤの製造方法を例として説明したが、本実施形態は、紫外線（ＵＶ）キュアリングによりベース基板３を表示素子層４側で貼り合わせる場合に適用することができる。
また、図示を省略したが、ベース基板３の下面、すなわちベース基板３の表示素子層４と反対側に、偏光板５を設けることができる。また、個片化は、第２の実施形態のように、金属層２、２ａを剥離する前に行うこともできる。また、第３〜第６の実施形態を適宜組合せることもできる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１、１ａ…キャリア基板、 ２、２ａ…金属層、 ３、３ａ…ベース基板、 ４…表示素子層、 ４ａ…カラーフィルタ、 ５…偏光板、 ６、７、１６…表示装置、 ８…透過マーク、 ９、１０…切断部、 １１…接続層、 １２、１２ａ…透過部、 １３…イメージ（虚像）、 １４…第１の積層体、 １４ａ…第２の積層体、 １５、１５ａ…接続部
米国特許出願公開第２０１０／０３２３１７０号明細書

Claims (10)

  1. 金属層が設けられたキャリア基板の前記金属層上にベース基板を形成し、
    前記ベース基板上に表示素子層を形成し、
    前記キャリア基板の前記金属層と反対側からレーザ光を照射して、前記ベース基板を前記金属層から剥離させる表示装置の製造方法。
  2. 前記レーザ光は、前記キャリア基板よりも前記金属層で多く吸収される請求項１記載の表示装置の製造方法。
  3. 前記金属層と前記キャリア基板との密着力は、前記金属層と前記ベース基板との密着力よりも大きい請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
  4. 前記ベース基板を前記金属層から剥離した後に、前記ベース基板と前記表示素子層とを個片化する請求項１〜３のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
  5. 前記キャリア基板を前記剥離後に再利用する請求項１〜４のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
  6. 前記ベース基板を前記金属層から剥離する前に、前記ベース基板と前記表示素子層とを含む表示装置を個片化する請求項１〜３のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
  7. 前記キャリア基板上には、前記金属層の一部が除去された切断部が設けられている請求項６記載の表示装置の製造方法。
  8. 前記表示装置を個片化する前に、前記表示素子層側からレーザ光を照射して、前記ベース基板および前記金属層を除去して前記キャリア基板まで達する切断部を形成する請求項６または７に記載の表示装置の製造方法。
  9. 前記キャリア基板上には、前記金属層の一部が除去された透過部が設けられ、
    前記キャリア基板の前記金属層と反対側から前記透過部を介して照射されるレーザ光により、前記キャリア基板上に設けられた接続層を硬化させてベース基板を貼り合わせる請求項６〜８のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
  10. 前記キャリア基板上には、前記金属層の一部を除去した、位置合わせのための透過マークが設けられている請求項１〜９のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
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