JP2019039983A - 表示装置形成用中間体、表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ガラス基材の厚みにムラがあったとしても、樹脂基材からガラス基材を確実に剥離するとともに、樹脂基材が透明であっても、樹脂基材からガラス基材を確実に剥離することが可能な、表示装置形成用中間体、表示装置および表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】表示装置形成用中間体２０Ａは、表示装置を形成するためのものである。この表示装置形成用基板１０は、ガラス基材１１と、ガラス基材１１上に積層され、レーザー光を吸収することにより分解される剥離層１２と、剥離層１２上に積層され、剥離層１２を透過したレーザー光を反射可能な金属層１３と、金属層１３上に配置された樹脂基材２２とを備えている。樹脂基材２２は、透明である。【選択図】図２

Description

本発明は、表示装置形成用中間体、表示装置および表示装置の製造方法に関する。

従来から、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を発光素子として、発光素子から放射される光を表示光として利用する表示装置（有機ＥＬ表示装置）や、液晶層を利用する表示装置（液晶表示装置）が開発されている。このような表示装置は、その用途を、テレビやデスクトップモニターのみならず、携帯用ノートパソコン、携帯電話、携帯用ゲーム機、電子リーダー、電子ブックなどの携帯型電子機器にまで広く拡大していることから、さらなる軽量化、小型化、及び薄型化が求められている。また、近年、このような表示装置、とりわけ、いわゆるボトムエミッション型の表示装置（有機ＥＬ表示装置）に対して、光取り出し効率を向上させるために透明性が求められている。さらに、表示装置を透明なディスプレイに用いることも提案されており、この場合においても透明性が求められている。

このような状況において、表示装置を構成する表示装置部材としては、これまで主として用いられてきたガラス製の支持基板に代わり、可撓性を有するフィルムよりなるフレキシブル基板を用いた表示装置部材が提案されている。表示装置部材において、ガラス製の支持基板の代わりに、樹脂基材等のフレキシブル基板を用いることにより、表示装置をフレキシブルにすることも可能となる。

このようなフレキシブルな表示装置を作製する場合、ガラス基材上に剥離層（光熱交換膜）と樹脂基材（ＰＩ層）とをこの順に形成し、樹脂基材上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を形成した後に、剥離層にレーザー光を照射して樹脂基材からガラス基材を剥離させている（例えば特許文献１）。

特開２０１５−１３８８９５号公報

しかしながら、ガラス基材の厚みが、面内で不均一であったり、ガラス基材毎にばらついていたりする場合がある。このようなガラス基材に厚みムラが存在すると、レーザー光の焦点が剥離層からずれる場合があり、剥離層に照射されるレーザー光の照射量が変化する場合がある。この場合、レーザー光の照射量が少なくなると、ガラス基材を剥離する際に、樹脂基材や有機ＥＬ素子等が破れるという問題点が有り、またレーザー光の照射量が大きくなると、樹脂基材が焼け焦げることにより樹脂基材に煤が発生するという問題点があった。

また、表示装置の透明性を向上させるために樹脂基材を透明にした場合、レーザー光が樹脂基材に吸収されることなく、樹脂基材を透過する。この場合、レーザー光による樹脂基材の一部分の分解が困難となり、樹脂基材からガラス基材を剥離することが困難である。

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、ガラス基材の厚みにムラがあったとしても、樹脂基材からガラス基材を確実に剥離するとともに、樹脂基材が透明であっても、樹脂基材からガラス基材を確実に剥離することが可能な、表示装置形成用中間体、表示装置および表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、表示装置を形成するための表示装置形成用中間体であって、ガラス基材と、前記ガラス基材上に積層され、レーザー光を吸収することにより分解される剥離層と、前記剥離層上に積層され、前記剥離層を透過した前記レーザー光を反射可能な金属層と、前記金属層上に配置された樹脂基材とを備え、前記樹脂基材は、透明であることを特徴とする表示装置形成用中間体である。

本発明は、前記樹脂基材の前記レーザー光の主波長に対する透過率が１％以上であることを特徴とする表示装置形成用中間体である。

本発明は、前記金属層は、モリブデン合金を含むことを特徴とする表示装置形成用中間体である。

本発明は、前記金属層の厚みは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることを特徴とする表示装置形成用中間体である。

本発明は、前記剥離層は、ポリイミドを含むことを特徴とする表示装置形成用中間体である。

本発明は、前記剥離層の厚みは、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることを特徴とする表示装置形成用中間体である。

本発明は、支持基材と、前記支持基材上に配置された樹脂基材と、前記樹脂基材上に配置された薄膜トランジスタと、前記樹脂基材上に配置され、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子上に配置され、前記有機ＥＬ素子を封止する封止樹脂とを備え、前記樹脂基材は、透明であることを特徴とする表示装置である。

本発明は、前記樹脂基材の、前記表示装置を作製する際に用いられるレーザー光の主波長に対する透過率が１％以上であることを特徴とする表示装置である。

本発明は、第１偏光板と、前記第１偏光板上に配置された第１樹脂基材と、前記第１樹脂基材上に積層されたカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層上に積層された第１配向層と、前記第１配向層上に配置された液晶層と、前記液晶層上に積層された第２配向層と、前記第２配向層上に配置された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に配置された第２樹脂基材と、前記第２樹脂基材上に配置された第２偏光板と、前記第２偏光板上に配置された光源とを備え、前記第１樹脂基材及び前記第２樹脂基材は、透明であることを特徴とする表示装置である。

本発明は、前記第１樹脂基材及び前記第２樹脂基材の前記表示装置を作製する際に用いられるレーザー光の主波長に対する透過率が１％以上であることを特徴とする表示装置である。

本発明は、表示装置の製造方法であって、ガラス基材と、前記ガラス基材上に積層され、レーザー光を吸収することにより分解される剥離層と、前記剥離層上に積層され、前記剥離層を透過した前記レーザー光を反射可能な金属層とを有する表示装置形成用基板を準備する工程と、前記表示装置形成用基板の前記金属層上に樹脂基材を配置する工程と、前記樹脂基材上に薄膜トランジスタを配置する工程と、前記樹脂基材上に、前記薄膜トランジスタに電気的に接続される有機ＥＬ素子を配置する工程と、前記有機ＥＬ素子を封止樹脂によって封止する工程と、前記封止樹脂上に、前記表示装置を仮支持する仮支持基材を配置する工程と、前記ガラス基材側から前記剥離層に向けてレーザー光を照射することにより前記ガラス基材を前記金属層から剥離する工程と、前記樹脂基材から前記金属層を除去する工程と、前記金属層が除去された前記樹脂基材上に、前記表示装置を支持する支持基材を配置する工程と、前記仮支持基材を前記封止樹脂から剥離する工程とを備え、前記樹脂基材は、透明であることを特徴とする表示装置の製造方法である。

本発明は、前記樹脂基材の前記レーザー光の主波長に対する透過率が１％以上であることを特徴とする表示装置の製造方法である。

本発明は、第１ガラス基材と、前記第１ガラス基材上に積層され、レーザー光を吸収することにより分解される第１剥離層と、前記第１剥離層上に積層され、前記第１剥離層を透過した前記レーザー光を反射可能な第１金属層と、前記第１金属層上に配置された第１樹脂基材と、前記第１樹脂基材上に配置されたカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層上に配置された第１配向層とを有する第１中間製品を準備する工程と、第２ガラス基材と、前記第２ガラス基材上に積層され、前記レーザー光を吸収することにより分解される第２剥離層と、前記第２剥離層上に積層され、前記第２剥離層を透過した前記レーザー光を反射可能な第２金属層と、前記第２金属層上に設けられた第２樹脂基材と、前記第２樹脂基材上に配置された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に配置された第２配向層とを有する第２中間製品を準備する工程と、前記第１中間製品の前記第１配向層と前記第２中間製品の前記第２配向層との間に液晶層を設ける工程と、前記第１ガラス基材側から前記第１剥離層に向けて前記レーザー光を照射することにより、前記第１ガラス基材を前記第１金属層から剥離する工程と、前記第１樹脂基材から前記第１金属層を除去する工程と、前記第１金属層が除去された前記第１樹脂基材上に、前記第１偏光板を配置する工程と、前記第２ガラス基材側から前記第２剥離層に向けて前記レーザー光を照射することにより、前記第２ガラス基材を前記第２金属層から剥離する工程と、前記第２樹脂基材から前記第２金属層を除去する工程と、前記第２金属層が除去された前記第２樹脂基材上に、第２偏光板を配置する工程と、前記第２偏光板上に光源を配置する工程とを備え、前記第１樹脂基材及び前記第２樹脂基材は、透明であることを特徴とする表示装置の製造方法である。

本発明は、前記第１樹脂基材及び前記第２樹脂基材の前記レーザー光の主波長に対する透過率が１％以上であることを特徴とする表示装置の製造方法である。

本発明によれば、ガラス基材の厚みにムラがあったとしても、樹脂基材からガラス基材を確実に剥離するとともに、樹脂基材が透明であっても、樹脂基材からガラス基材を確実に剥離することができる。

図１は、本発明の一実施の形態による表示装置を作製するための表示装置形成用基板を示す断面図である。 図２は、本発明の一実施の形態による表示装置形成用中間体を示す断面図である。 図３は、本発明の一実施の形態による表示装置を示す断面図である。 図４（ａ）−（ｃ）は、本発明の一実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法を示す断面図である。 図５（ａ）−（ｅ）は、本発明の一実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。 図６（ａ）−（ｃ）は、本発明の一実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。 図７（ａ）−（ｃ）は、表示装置の製造方法を示す断面図である。 図８（ａ）−（ｂ）は、表示装置の製造方法を示す断面図である。 図９（ａ）は、変形例による表示装置を作製するためのカラーフィルタ層側中間製品を示す断面図であり、図９（ｂ）は、変形例による表示装置を作製するための薄膜トランジスタ側中間製品を示す断面図である。 図１０は、表示装置形成用基板の変形例を示す断面図である。 図１１は、表示装置の変形例を示す断面図である。 図１２（ａ）−（ｃ）は、表示装置の製造方法の変形例を示す断面図である。 図１３（ａ）−（ｃ）は、表示装置の製造方法の変形例を示す断面図である。 図１４は、実施例において、樹脂基材の黄色度の違いによるレーザー光の透過率を説明する図である。

以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図８を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

（表示装置形成用基板の構成）
まず、図１により、本実施の形態による表示装置を作製するための表示装置形成用基板の概略について説明する。図１は、本実施の形態による表示装置を作製するための表示装置形成用基板を示す断面図である。

図１に示す表示装置形成用基板１０は、後述する表示装置２０（図３参照）を作製するためのものである。この表示装置形成用基板１０は、ガラス基材１１と、ガラス基材１１上に積層された剥離層１２と、剥離層１２上に積層され、剥離層１２を透過したレーザー光を反射可能な金属層１３とを備えている。

このうちガラス基材１１は、表示装置形成用基板１０の全体を支持するものであり、平坦な板状の部材からなる。ガラス基材１１としては、レーザー光が透過可能な材料を用い、例えば、無アルカリガラス、石英ガラス、パイレックス（登録商標）等の透明なガラス類を用いることができる。ガラス基材１１の厚みｔ_１は、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、１５０μｍ以上９００μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。なお、ガラス基材１１のガラスサイズは任意であり、例えば、Ｇ６サイズ（１８００ｍｍ×１５００ｍｍ）のガラス基材１１を用いることができる。

剥離層１２は、ガラス基材１１上に直接形成された平坦な層（接着層）からなる。剥離層１２は、後述する表示装置形成用基板１０の製造工程において、ガラス基材１１と金属層１３とを接着させるとともに、その後の表示装置２０の製造工程において、ガラス基材１１を金属層１３から剥離させるものである。

剥離層１２には、レーザー光を吸収することにより発熱し、分解され、密着力が低下又は消失するものが用いられる。また、剥離層１２には、ガラス基材１１の材料との密着性が良好なものが用いられる。剥離層１２としては、例えば、エキシマレーザーなどの特定波長（例えば２４８ｎｍまたは３０８ｎｍ）のレーザー光を吸収するような特性を有するアモルファスシリコンやポリイミド等の剥離材料（例えばBrewer Science, Inc.社製BREWER BONDシリーズ、宇部興産（株）製ＵＰＩＡシリーズ（製品名）、ユニチカ（株）製Ｕイミドシリーズ（製品名）、ＪＳＲ（株）製オプトマーＡＬシリーズ（製品名）、東京応化工業（株）製ＴＺＮＲ−Ａシリーズ（製品名））を用いることができる。とりわけ、剥離層１２は、ポリイミドを含んでいることが好ましい。これにより、剥離層１２がレーザー光を効率良く吸収することができる。また、剥離層１２の厚みｔ_２は、例えば、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。剥離層１２の厚みｔ_２を５０ｎｍ以上とすることにより、表示装置形成用基板１０を製造する際に、ガラス基材１１と金属層１３との密着性を高めることができる。また、剥離層１２の厚みｔ_２を１５０ｎｍ以下とすることより、剥離層１２のコストを低減させることができる。

この剥離層１２は、後述するように、ガラス基材１１上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法または熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により塗布形成されたものを乾燥させたものである。このような塗布層からなる剥離層１２は、全体として平坦性を高めることが可能となり、寸法精度の高い剥離層１２を形成することが可能となる。なお、本実施の形態においては、剥離層１２は、スピン法によりガラス基材１１上にポリイミドの前駆体を塗布し、乾燥させることにより形成されている。

金属層１３は、表示装置形成用基板１０上に形成される、後述する樹脂基材２２を保護するためのものである。具体的には、金属層１３は、後述する表示装置２０の製造工程において、樹脂基材２２と剥離層１２とを分離すると共に、剥離層１２をレーザー光によって改質する際、剥離層１２で吸収されずに剥離層１２を透過したレーザー光を反射させることにより、レーザー光から樹脂基材２２を保護する役割を果たす。すなわち金属層１３は、レーザー光を反射させることにより、樹脂基材２２にダメージを与えず剥離層１２を改質させる。剥離層１２の改質に用いられるレーザーとしては、エキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、３０８ｎｍ）やＹＡＧレーザー（波長３４３ｎｍ、３５５ｎｍ、５３２ｎｍ、１０６４ｎｍ）、ＣＯ_２レーザー（波長１０６４０ｎｍ）が挙げられる。このため金属層１３は、剥離層１２の改質に用いられるレーザーに対する反射性を有することが好ましい。特に、エキシマレーザーまたはＹＡＧレーザー、ＣＯ_２レーザーに対する反射性を有することが好ましい。また、金属層１３は、表示装置２０の製造工程において、剥離層１２を改質する際、剥離層１２側からのガスを遮蔽し、樹脂基材２２内に熱拡散が生じたりすることを防止する役割を果たす。このため、金属層１３は、上述したレーザー光の反射性や、剥離層１２側からのガスの遮蔽性、剥離層１２との密着性が良好なもの、または耐酸化性、耐湿性若しくは耐酸性が良好なものが用いられる。

このような金属層１３は、後述するように、剥離層１２上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成されたものである。金属層１３は、例えば、レーザー光の反射率が６０％以上の層とすることができる。金属層１３の材質としては、例えば、クロム、ニッケル、モリブデン、チタン、アルミニウム、銀、パラジウム、銅、タングステン又はこれらのうち少なくとも１つを含む合金等の金属材料を挙げることができる。とりわけ、金属層１３は、モリブデン合金を含んでいることが好ましく、これにより、剥離層１２を透過したレーザー光を効率良く反射することができる。具体的には、金属層１３は、モリブデン、ニッケル及びチタンを含む合金、あるいはモリブデン及びニオブを含む合金からなることが好ましい。また、金属層１３の厚みｔ_３は、レーザー光の反射率が６０％以上となるように適宜設定することができ、例えば、３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下程度が好ましい。金属層１３の厚みｔ_３を３０ｎｍ以上とすることにより、レーザー光を確実に反射させることができる。また、金属層１３の厚みｔ_３を１５０ｎｍ以下とすることより、金属層１３のコストを低減させることができる。なお、モリブデン合金はレーザー光の反射率が高いとともに、厚みによる反射率の差が小さい。これにより、金属層１３がモリブデン合金からなっている場合、金属層１３の厚みにかかわらずレーザー光の反射率を高めることができ、金属層１３の厚みを薄くすることができる。このため、金属層１３のコストを低減させることができる。また、モリブデン合金はポリイミドとの密着性が良好であるため、金属層１３がモリブデン合金からなっており、剥離層１２がポリイミドからなっている場合、表示装置形成用基板１０を製造する際に、剥離層１２と金属層１３との密着性を高めることができる。

なお、本実施の形態において、図１に示すように、剥離層１２および金属層１３は、ガラス基材１１の全域を覆っているが、これに限られるものではなく、金属層１３が後述する樹脂基材２２の全域を覆うことができれば、剥離層１２の周縁部１２ｅおよび金属層１３の周縁部１３ｅは、ガラス基材１１の周縁部１１ｅよりも内側に引っ込んでいても良い。すなわち、剥離層１２の平面形状は、全周にわたってガラス基材１１の平面形状よりも小さくなっていても良い。

（表示装置形成用中間体の構成）
次に、図２により、本実施の形態による表示装置形成用中間体の概略について説明する。図２は、本実施の形態による表示装置形成用中間体を示す断面図である。

図２に示す表示装置形成用中間体２０Ａは、後述する表示装置２０（図３参照）を作製するためのものである。この表示装置形成用中間体２０Ａは、上述した表示装置形成用基板１０と、表示装置形成用基板１０を構成する金属層１３上に配置された樹脂基材２２と、を備えている。

このうち表示装置形成用基板１０は、上述した表示装置形成用基板１０と同様であり、ここでは、詳細な説明を省略する。

樹脂基材２２は、後述する表示装置２０の製造工程において、後述する薄膜トランジスタ２３、有機ＥＬ素子２４等を支持するものであり、金属層１３上に直接形成された可撓性を有する平坦な層からなる。樹脂基材２２は、後述するように、金属層１３上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法または熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により塗布形成されたものである。樹脂基材２２には、上述したガラス基材１１よりも可撓性を有し、耐熱性に優れた材質が用いられることが好ましい。また、本実施の形態において、樹脂基材２２は透明である。ここで、本明細書中、「透明」とは、黄色度（イエローインデックス、ＹＩ）が、ＹＩ値８以下であることをいう。このように、ＹＩ値を８以下とすることにより、樹脂基材２２の透明性を向上させ、表示装置２０の透明性を向上させることができる。この場合、表示装置２０がいわゆるボトムエミッション型であっても表示装置２０の光取り出し効率を向上させることができる。また、表示装置２０の透明性を向上させることができるため、表示装置２０を透明なディスプレイに用いることもできる。なお、樹脂基材２２の黄色度は、ＪＩＳ Ｋ７３７３：２００６の条件に準拠した測定方法により、測定することができる。具体的には、Ｖ−７１００（日本分光（株）社製）を用いて、ＸＹＺ表色系における試験片の三刺激値を測定し、以下の式により、黄色度（ＹＩ）を算出することができる。
ＹＩ＝１００（１．２９８５Ｘ−１．１３３５Ｚ）／Ｙ
（ここで、Ｘ、Ｙ及びＺは、ＸＹＺ表色系における試験片の三刺激値）
このような樹脂基材２２としては、例えば、透明のポリイミド（例えば三菱ガス化学社製ネオプリム（製品名））などを用いることができる。このような樹脂基材２２は、レーザー光を透過可能であり、レーザー光の主波長（例えば、３０８ｎｍ、３４３ｎｍまたは３５５ｎｍ、以下、単に主波長と記す）に対する透過率が１％以上とすることができる。これにより、後述するように、可視光領域における樹脂基材２２の透明性を向上させることができる。樹脂基材２２の厚みは、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。

（表示装置の構成）
次に、図３により、本実施の形態による表示装置の概略について説明する。図３は、本実施の形態による表示装置を示す断面図である。この表示装置２０は、上述した表示装置形成用基板１０上に樹脂基材２２を形成後、樹脂基材２２上に後述する有機ＥＬ素子２４等を配置するとともに、後述する封止樹脂２５によって封止したものである。この際、表示装置２０は、後述するように、有機ＥＬ素子２４等を樹脂基材２２上に複数配置し、ガラス基材１１、剥離層１２および金属層１３を除去した後、個々の有機ＥＬ素子２４毎に切断して個片化することにより形成される（図５乃至図８参照）。

図３に示す表示装置２０は、支持基材２１と、支持基材２１上に配置された樹脂基材２２と、樹脂基材２２上に配置された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２３と、樹脂基材２２上に配置された有機ＥＬ素子２４と、有機ＥＬ素子２４上に配置された封止樹脂（ＴＦＥ）２５とを備えている。

このうち支持基材２１は、表示装置２０の全体を支持するものであり、可撓性を有するフィルムからなる。この支持基材２１は、後述するように、接着剤により金属層１３に貼り付けられている。また、支持基材２１は透明であることが好ましい。この場合、支持基材２１の黄色度は、ＹＩ値が８以下とすることができる。支持基材２１としては、例えばポリエチレンテレフタレートを用いることができる。支持基材２１の厚みは、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、５０μｍ以上２５０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。

樹脂基材２２は、上述した表示装置形成用中間体２０Ａを構成するものである。樹脂基材２２の構成は、上述した表示装置形成用中間体２０Ａの樹脂基材２２と同様であり、ここでは、詳細な説明を省略する。

薄膜トランジスタ２３は、有機ＥＬ素子２４を駆動するためのものであり、有機ＥＬ素子２４の後述する第１電極２６および第２電極２８に印加される電圧を制御するようになっている。

有機ＥＬ素子２４は、薄膜トランジスタ２３に電気的に接続されている。図３に示すように、有機ＥＬ素子２４は、樹脂基材２２上に配置された第１電極（反射電極）２６と、第１電極２６上に配置された有機発光層２７と、有機発光層２７上に配置された第２電極（透明電極）２８とを有している。ここでは、第１電極２６が陽極を構成し、第２電極２８が陰極を構成する例について説明する。しかしながら、第１電極２６および第２電極２８の極性が特に限られることはない。

第１電極２６は、後述するように、樹脂基材２２上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成されたものである。第１電極２６の材質としては、効率良く正孔を注入できる材質を用いることが好ましい。第１電極２６の材質としては、例えば、アルミニウム、クロム、モリブデン、タングステン、銅、銀または金およびそれらの合金等の金属材料を挙げることができる。

有機発光層２７は、後述するように、第１電極２６上に蒸着法、ノズルから塗布液を塗布するノズル塗布法、インクジェット等の印刷法により形成されたものである。有機発光層２７としては、所定の電圧を印加することにより白色光を発光するよう構成された蛍光性有機物質を含有するものが好ましく、例えば、キノリノール錯体、オキサゾール錯体、各種レーザー色素、ポリパラフェニレンビニレン等が挙げられる。

第２電極２８は、後述するように、有機発光層２７上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成されたものである。第２電極２８の材質としては、電子を注入しやすく、かつ光透過性の良好な材質を用いることが好ましい。第２電極２８の材質としては、例えば酸化リチウム、炭酸セシウム等が挙げられる。

有機ＥＬ素子２４において発光した光は、樹脂基材２２が位置する側とは反対の側へ取り出される。すなわち、有機ＥＬ素子２４からの光は、封止樹脂２５の上方から取り出される。このように本実施の形態における表示装置２０は、いわゆるトップエミッション型の表示装置となっている。

封止樹脂２５は、有機ＥＬ素子２４を封止し、有機ＥＬ素子２４を保護するためのものである。封止樹脂２５は、後述するように、樹脂基材２２、薄膜トランジスタ２３、第１電極２６および第２電極２８上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法または熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により塗布形成されたものである。封止樹脂２５には、上述したガラス基材１１よりも可撓性を有した材質を用いることが好ましい。封止樹脂２５としては、例えば、シリコーン樹脂やアクリル系樹脂を用いることができる。封止樹脂２５の厚み（図３における樹脂基材２２の上面から封止樹脂２５の上面までの距離）は、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、１μｍ以上５０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。

なお、本実施の形態において、図３に示すように、表示装置２０がトップエミッション型である例を示したが、これに限られるものではなく、表示装置２０がいわゆるボトムエミッション型であってもよい。本実施の形態においては、上述したように、樹脂基材２２が透明であるため、ボトムエミッション型の表示装置２０であっても光取り出し効率を向上させることができる。

（表示装置形成用基板の製造方法）
次に、図４（ａ）−（ｃ）により、本実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法について説明する。図４（ａ）−（ｃ）は、本実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法を示す断面図である。

まず、図４（ａ）に示すように、平坦な板状の部材からなるガラス基材１１を準備する。このとき、例えば、Ｇ６サイズ（１８００ｍｍ×１５００ｍｍ）のガラス基材１１を準備する。このガラス基材１１としては、例えば、無アルカリガラス、石英ガラス、パイレックス（登録商標）類を用いることができる。

次に、図４（ｂ）に示すように、ガラス基材１１上に剥離層１２を直接積層して形成する。剥離層１２としては、上述したように、レーザー光を吸収することにより発熱し、分解され、密着力が低下または消失するものが用いられる。例えば、剥離層１２としては、エキシマレーザーなどの特定波長（例えば波長３０８ｎｍ）を吸収するような特性を有するアモルファスシリコンやポリイミド等の剥離材料などを用いることができる。とりわけ、剥離層１２は、ポリイミドを含んでいることが好ましい。

剥離層１２は、例えばダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により形成される。このため、ガラス基材１１上に発泡型の接着フィルム、テープ等を貼着する場合と比べて、フィルム、テープ等にうねりや接着剤等の厚みムラが生じるおそれがなく、剥離層１２の平坦性を高めることができる。このようにして、ガラス基材１１上に剥離層１２が形成される。なお、本実施の形態においては、剥離層１２は、例えば、ガラス基材１１の回転速度を２５００ｒｐｍに設定し、スピン法によりガラス基材１１上にポリイミドの前駆体を塗布した後に、減圧乾燥装置（ＶＣＤ）を用いて２５Ｐａの減圧条件で乾燥させ、３００℃、５分間の条件で焼成させることにより形成される。

続いて、図４（ｃ）に示すように、剥離層１２上に金属層１３を積層する。金属層１３は、後工程で表示装置形成用基板１０上に形成される樹脂基材２２を保護するためのものである。金属層１３としては、レーザー光の反射性や剥離層１２側からのガスの遮蔽性が良好なものが用いられる。金属層１３は、例えばクロム、モリブデン、チタン、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、パラジウム、タングステン又はこれらのうち少なくとも１つを含む合金等の金属材料からなっていても良い。とりわけ、金属層１３は、モリブデン合金を含んでいることが好ましい。具体的には、金属層１３は、モリブデン、ニッケル及びチタンを含む合金、あるいはモリブデン及びニオブを含む合金からなることが好ましい。金属層１３は、剥離層１２上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成される。このため、薄膜状の金属層１３を均一かつ平坦に形成することができる。

このようにして、図１に示す表示装置形成用基板１０が得られる。

（表示装置の製造方法）
次に、図５（ａ）−（ｅ）、図６（ａ）−（ｃ）、図７（ａ）−（ｃ）及び図８（ａ）−（ｂ）により、本実施の形態による表示装置の製造方法について説明する。図５（ａ）−（ｅ）、図６（ａ）−（ｃ）、図７（ａ）−（ｃ）及び図８（ａ）−（ｂ）は、本実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。

まず、例えば図４（ａ）−（ｃ）に示す方法により、表示装置形成用基板１０を作製する（図５（ａ））。

次に、表示装置形成用基板１０の金属層１３上に樹脂基材２２を配置する（図５（ｂ））。樹脂基材２２には、ガラス基材１１よりも可撓性を有し、耐熱性に優れたものが用いられても良い。また、樹脂基材２２は透明であるものが用いられる。また、樹脂基材２２は、レーザー光を透過可能であり、レーザー光の主波長に対する透過率が１％以上であることが好ましい。例えば、樹脂基材２２としては、透明のポリイミドを用いることができる。樹脂基材２２は、金属層１３上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法または熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により形成される。このようにして、表示装置形成用中間体２０Ａが作製される。

次いで、樹脂基材２２上に薄膜トランジスタ２３を配置する（図５（ｃ））。このとき、樹脂基材２２上には、図示はしないが、各々が各表示装置２０に対応する複数の薄膜トランジスタ２３が配置される。このようにして表示装置２０の第１中間体２０ａが形成される。なお、複数の薄膜トランジスタ２３が樹脂基材２２上に配置された後、切断装置（図示せず）によって、表示装置２０の第１中間体２０ａは、平面視で、例えば半分の大きさに切断される。

次に、樹脂基材２２上に有機ＥＬ素子２４を配置する（図５（ｄ））。このとき、樹脂基材２２上には、図示はしないが、各々が各表示装置２０に対応する複数の有機ＥＬ素子２４が配置される。各々の有機ＥＬ素子２４は、樹脂基材２２上に配置された第１電極２６と、第１電極２６上に配置された有機発光層２７と、有機発光層２７上に配置された第２電極２８とを有している。この場合、まず、樹脂基材２２上に第１電極２６を形成する。第１電極２６には、効率良く正孔を注入できる材料が用いられる。例えば、第１電極２６としては、アルミニウム、クロム、モリブデン、タングステン、銅、銀または金およびそれらの合金等の金属材料を用いることができる。第１電極２６は、樹脂基材２２上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成される。この際、有機ＥＬ素子２４の第１電極２６が薄膜トランジスタ２３に電気的に接続される。

次いで、第１電極２６上に有機発光層２７を形成する。有機発光層２７には、所定の電圧を印加することにより白色光を発光するよう構成された蛍光性有機物質を含有するものが用いられる。例えば、有機発光層２７としては、キノリノール錯体、オキサゾール錯体、各種レーザー色素、ポリパラフェニレンビニレン等を用いることができる。有機発光層２７は、第１電極２６上に蒸着法、ノズルから塗布液を塗布するノズル塗布法、インクジェット等の印刷法により形成される。

次に、有機発光層２７上に第２電極２８を形成する。第２電極２８には、電子を注入しやすく、かつ光透過性の良好な材料が用いられる。例えば、第２電極２８としては、酸化リチウム、炭酸セシウム等を用いることができる。第２電極２８は、有機発光層２７上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成される。このようにして、樹脂基材２２上に有機ＥＬ素子２４が配置される。

次いで、樹脂基材２２上に配置された有機ＥＬ素子２４を封止樹脂２５によって封止する（図５（ｅ））。封止樹脂２５には、上述したガラス基材１１よりも可撓性を有する材料が用いられても良い。例えば、封止樹脂２５としては、シリコーン樹脂やアクリル系樹脂が用いられる。封止樹脂２５は、樹脂基材２２、薄膜トランジスタ２３、第１電極２６および第２電極２８上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法または熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により形成される。このようにして、有機ＥＬ素子２４が封止樹脂２５によって覆われる。

次に、封止樹脂２５上に仮支持基材２９を配置する（図６（ａ））。仮支持基材２９は、表示装置２０の製造工程において作製された表示装置２０の第１中間体２０ａを仮支持するものである。仮支持基材２９には、可撓性を有するフィルムが用いられる。例えば、仮支持基材２９としては、ポリエチレンテレフタレートからなるフィルムを用いることができる。仮支持基材２９は、接着剤により封止樹脂２５上に貼り付けられても良い。仮支持基材２９の厚みは、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、５０μｍ以上２５０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。このようにして、仮支持基材２９が配置された表示装置２０の第２中間体２０ｂが作製される。

続いて、作製された表示装置２０の第２中間体２０ｂを反転させ、ガラス基材１１を金属層１３から剥離する。このとき、ガラス基材１１側からエキシマレーザー（波長２４８ｎｍまたは３０８ｎｍ）やＹＡＧレーザー等のレーザー光Ｌを照射する（図６（ｂ））。レーザー光Ｌは、図示しないレーザー光照射装置から照射され、レーザー光Ｌが第２中間体２０ｂの面内に均一に走査される。このように照射されたレーザー光Ｌは、透明なガラス基材１１を透過して剥離層１２に到達する。上述したように、剥離層１２は、改質されることにより密着力が低下又は消失する。このため、レーザー光Ｌによって改質されることにより、剥離層１２の密着力が低下又は消失し、ガラス基材１１は、金属層１３から剥離する（図６（ｃ））。

一方、剥離層１２の面のうちガラス基材１１の反対側の面には、金属層１３が設けられている。このため、剥離層１２を透過したレーザー光Ｌは、金属層１３によって反射されて、ガラス基材１１側に戻される。したがって、レーザー光Ｌが樹脂基材２２まで達することがなく、剥離層１２を透過したレーザー光Ｌが樹脂基材２２に悪影響を及ぼすことはない。また、レーザー光Ｌが樹脂基材２２まで達することがないため、樹脂基材２２が透明であっても剥離層１２を改質することができる。なお、金属層１３は、樹脂基材２２に密着した状態を維持する。

次いで、ガラス基材１１を金属層１３から剥離した後、樹脂基材２２から金属層１３を除去する（図７（ａ））。この場合、例えば、金属層１３上に付着した剥離層１２の残渣を酸化プラズマまたは酸化ソルベントストリッピング（オゾンプラズマ、ピラニア洗浄、ＲＣＡ洗浄）などで除去した後、エッチング液として苛性カリ−過酸化水素水等を用いた選択エッチング法により、樹脂基材２２から金属層１３を除去する。なお、この際、金属層１３を所望の形状にパターニングすることにより、金属層１３の一部を樹脂基材２２上に残していても良い。

次いで、金属層１３が除去された樹脂基材２２上に、表示装置２０を支持する支持基材２１を配置する（図７（ｂ））。支持基材２１には、上述したガラス基材１１よりも可撓性を有するフィルムが用いられる。また、支持基材２１は透明であるものが用いられても良い。この場合、支持基材２１の黄色度は、ＹＩ値が８以下であることが好ましい。例えば、支持基材２１としては、ポリエチレンテレフタレートからなるフィルムを用いることができる。支持基材２１は、接着剤により樹脂基材２２に貼り付けられても良い。このようにして、表示装置２０の第２中間体２０ｂが支持基材２１に支持される。

次に、表示装置２０の第２中間体２０ｂを反転させる（図７（ｃ））。

その後、仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離する（図８（ａ））。なお、仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離した後、切断装置（図示せず）によって、表示装置２０の第２中間体２０ｂは個々の表示装置２０毎に切断され個片化される（図８（ｂ））。

以上の一連の工程により、図３に示す表示装置２０を得ることができる（図８（ｂ））。

このように、本実施の形態によれば、剥離層１２はレーザー光Ｌを吸収することにより分解され、金属層１３が剥離層１２を透過したレーザー光Ｌを反射可能になっている。これにより、表示装置２０の製造工程において、ガラス基材１１を金属層１３から確実に剥離することができるとともに、剥離層１２をレーザー光Ｌによって加熱する際、レーザー光Ｌから樹脂基材２２を保護することができる。この結果、樹脂基材２２や有機ＥＬ素子等の破れまたは樹脂基材２２に煤が発生することを抑制することができる。すなわち、ガラス基材１１の厚みにムラがあることを考慮して、レーザー光Ｌの焦点が確実に剥離層１２に達するように設定しておくことができる。この場合、ガラス基材１１の厚みのムラにより、レーザー光Ｌの焦点が樹脂基材２２側にずれたとしても、金属層１３によってレーザー光Ｌが反射される。この結果、樹脂基材２２が金属層１３により保護され、樹脂基材２２にレーザー光Ｌが到達する不具合が防止される。

また、レーザー光Ｌの焦点が剥離層１２に確実に達するので、有機ＥＬ素子２４等の破損しやすい素子を破損することなく剥離層１２を分解し、ガラス基材１１を確実に除去することができる。

また、本実施の形態によれば、樹脂基材２２が透明である。これにより、表示装置２０の透明性を向上させることができる。このため、表示装置２０がいわゆるボトムエミッション型の表示装置２０であっても光取り出し効率を向上させることができる。また、表示装置２０の透明性を向上させることができるため、表示装置２０を透明なディスプレイに用いることもできる。

また、本実施の形態によれば、樹脂基材２２は、レーザー光Ｌを透過可能であり、レーザー光Ｌの主波長に対する透過率が１％以上である。これにより、樹脂基材２２の透明性を向上させることができる。なお、このようにレーザー光Ｌの主波長に対する透過率の違いにより、透明性を向上させることができることは、後述する実施例によって説明する。

また、金属層１３が剥離層１２を透過したレーザー光Ｌを確実に反射するので、樹脂基材２２が透明であっても、ガラス基材１１を確実に除去することができる。すなわち、仮に樹脂基材２２を透明にし、金属層１３を設けないとした場合、レーザー光Ｌが樹脂基材２２を透過し、樹脂基材２２がレーザー光Ｌを吸収することができなくなる。この場合、ガラス基材１１と樹脂基材２２との密着性を低下させることができなくなり、樹脂基材２２からガラス基材１１を剥離することが困難になる。一方、本実施の形態のように、剥離層１２上に金属層１３を設けた場合、樹脂基材２２が透明であっても、金属層１３が剥離層１２を透過したレーザー光Ｌを確実に反射することができる。このため、樹脂基材２２が透明であっても（樹脂基材２２の黄色度の値に関わらず）、剥離層１２を効果的に加熱することができ、レーザー光Ｌにより剥離層１２を分解することができる。この結果、樹脂基材２２からガラス基材１１を容易に剥離することができる。

また、本実施の形態によれば、金属層１３がモリブデン合金を含んでいることにより、剥離層１２を透過したレーザー光Ｌを効率良く反射させることができる。また、モリブデン合金を含んでいる金属層１３は、剥離層１２側からのガスの遮蔽性が良好であるため、表示装置２０の製造工程において、剥離層１２を改質する際、剥離層１２側からのガスを遮蔽し、樹脂基材２２内に熱拡散が生じることを防止することができる。さらに、モリブデン合金からなる金属層１３は、金属層１３の耐酸化性、耐湿性および耐酸性を向上させることができる。

さらに、剥離層１２がポリイミドを含んでいることにより、剥離層１２がレーザー光Ｌを効率良く吸収することができる。このため、ガラス基材１１を金属層１３から効率良く剥離することができる。また、ポリイミドからなる剥離層１２はレーザー光Ｌを効率良く吸収することができるため、剥離層１２の厚みｔ_２を薄くすることができ、剥離層１２のコストを低減させることができる。さらに、ポリイミドは耐熱性に優れているため、剥離層１２がポリイミドからなることにより、薄膜トランジスタ２３を設ける際の熱に対して、剥離層１２に耐熱性を付与することができる。このため、薄膜トランジスタ２３を樹脂基材２２上に設ける際にガラス基材１１が金属層１３から剥離する等の不具合を抑制することができる。

（変形例）
次に、本実施の形態の変形例について説明する。図９乃至図１１は、表示装置の変形例を示す概略図であり、図１２及び図１３は、表示装置の製造方法の変形例を示す概略図である。図９乃至図１３に示す変形例は、主として有機ＥＬ素子２４に代えて液晶層９４を用いる点が異なるものである。図９乃至図１３において、図１乃至図８に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

すなわち図１乃至図８において、有機ＥＬ素子２４を含む表示装置２０を例にとって説明した。しかしながら、これに限らず、表示装置２０として液晶表示装置が用いられても良い。図９（ａ）は、このような液晶表示装置を作製するためのカラーフィルタ層側中間製品を示しており、図９（ｂ）は、このような液晶表示装置を作製するための薄膜トランジスタ側中間製品を示している。以下、このような中間製品について説明する。

（カラーフィルタ層側中間製品の構成）
まず、図９（ａ）により、本実施の形態による表示装置を作製するためのカラーフィルタ層側中間製品の概略について説明する。図９（ａ）は、本実施の形態による表示装置を作製するためのカラーフィルタ層側中間製品を示す断面図である。

図９（ａ）に示すように、カラーフィルタ層側中間製品（第１中間製品）８０Ａは、第１ガラス基材（ガラス基材）８１と、第１ガラス基材８１上に積層され、レーザー光Ｌを吸収することにより分解される第１剥離層（剥離層）８２と、第１剥離層８２上に積層され、第１剥離層８２を透過したレーザー光Ｌを反射可能な第１金属層（金属層）８３と、第１金属層８３上に設けられた第１樹脂基材（樹脂基材）８４とを有している。また、第１金属層８３上にカラーフィルタ層８５が設けられ、カラーフィルタ層８５上に第１配向層８６が設けられている。なお、第１ガラス基材８１、第１剥離層８２、第１金属層８３及び第１樹脂基材８４は、それぞれ上述した有機ＥＬ用の表示装置形成用基板１０のガラス基材１１、剥離層１２及び金属層１３並びに表示装置形成用中間体２０Ａの樹脂基材２２と略同様の構成を有していても良い。

カラーフィルタ層８５は、後述する光源からの光のうち所望の波長の光のみを取り出すため、または光源からの光の色純度を向上させるためのものである。カラーフィルタ層８５の厚みは、例えば、１．０μｍ以上６．０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。

また、第１配向層８６は、後述する液晶層の液晶を配向させる機能を有するものである。第１配向層８６を構成する材料としては、液晶を配向させることができるものであれば特に限定されるものではない。このような第１配向層８６としては、液晶を第１配向層８６上において第１配向層８６の表面に対して平行方向に移行させる平行配向膜や、液晶を第１配向層８６上において第１配向層８６の表面に対して垂直に配向させる垂直配向膜を挙げることができる。また、第１配向層８６の厚みは、例えば、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。

（薄膜トランジスタ側中間製品の構成）
次に、図９（ｂ）により、本実施の形態による表示装置を作製するための薄膜トランジスタ側中間製品の概略について説明する。図９（ｂ）は、本実施の形態による表示装置を作製するための薄膜トランジスタ側中間製品を示す断面図である。

図９（ｂ）に示すように、薄膜トランジスタ側中間製品（第２中間製品）８０Ｂは、第２ガラス基材（ガラス基材）８７と、第２ガラス基材８７上に積層され、レーザー光Ｌを吸収することにより分解される第２剥離層（剥離層）８８と、第２剥離層８８上に積層され、第２剥離層８８を透過したレーザー光Ｌを反射可能な第２金属層（金属層）８９と、第２金属層８９上に設けられた第２樹脂基材（樹脂基材）９１とを有している。また、第２樹脂基材９１上に薄膜トランジスタ９２が設けられ、薄膜トランジスタ９２上に第２配向層９３が設けられている。なお、第２ガラス基材８７、第２剥離層８８、第２金属層８９、第２樹脂基材９１及び薄膜トランジスタ９２は、それぞれ上述した有機ＥＬ用の表示装置形成用基板１０のガラス基材１１、剥離層１２及び金属層１３、表示装置形成用中間体２０Ａの樹脂基材２２並びに表示装置２０の薄膜トランジスタ２３と略同様の構成を有していても良い。また、第２配向層９３は、上述した第１配向層８６と同様であり、ここでは詳細な説明は省略する。

（表示装置形成用基板の構成）
次に、図１０により、本実施の形態による表示装置を作製するための表示装置形成用基板の概略について説明する。図１０は、本実施の形態による表示装置を作製するための表示装置形成用基板を示す断面図である。

図１０に示すように、表示装置形成用基板（フレキシブルＬＣＤセル）１００は、第１偏光板９５と、第１偏光板９５上に配置された第１樹脂基材８４と、第１樹脂基材８４上に積層されたカラーフィルタ層８５と、カラーフィルタ層８５上に積層された第１配向層８６と、第１配向層８６上に配置された液晶層９４とを備えている。また、表示装置形成用基板１００は、液晶層９４上に積層された第２配向層９３と、第２配向層９３上に配置された薄膜トランジスタ９２と、薄膜トランジスタ９２上に配置された第２樹脂基材９１と、第２樹脂基材９１上に配置された第２偏光板９６とを備えている。このうち、第１樹脂基材８４、カラーフィルタ層８５及び第１配向層８６は、上述したカラーフィルタ層側中間製品８０Ａを構成するものである。第１樹脂基材８４、カラーフィルタ層８５及び第１配向層８６の構成は、上述したカラーフィルタ層側中間製品８０Ａの第１樹脂基材８４、カラーフィルタ層８５及び第１配向層８６と同様であり、ここでは、詳細な説明を省略する。また、第２配向層９３、薄膜トランジスタ９２及び第２樹脂基材９１は、上述した薄膜トランジスタ側中間製品８０Ｂを構成するものである。第２配向層９３、薄膜トランジスタ９２及び第２樹脂基材９１の構成は、上述した薄膜トランジスタ側中間製品８０Ｂの第２配向層９３、薄膜トランジスタ９２及び第２樹脂基材９１と同様であり、ここでは、詳細な説明を省略する。すなわち、第１樹脂基材８４および第２樹脂基材９１は、樹脂基材２２と同様に、それぞれ透明な樹脂基材からなる。このような第１樹脂基材８４および第２樹脂基材９１は、レーザー光Ｌを透過可能であり、レーザー光Ｌの主波長に対する透過率が１％以上である。

第１偏光板９５は、入射した光を直交する２つの偏光成分に分解し、一方の方向に振動する偏光成分を透過させ、当該一方の方向に直交する他方の方向に振動する偏光成分を吸収する役割を果たす。

液晶層９４は、第１配向層８６と第２配向層９３との間に挟持されている。この液晶層９４は、後述するように、カラーフィルタ層側中間製品８０Ａ及び薄膜トランジスタ側中間製品８０Ｂのうちの、いずれか一方の中間製品８０Ａ、８０Ｂ上に、ＵＶ硬化樹脂及び／又は熱硬化剤を含むシール材（図示せず）を塗布するとともに、液晶を滴下し、他方の中間製品８０Ｂ、８０Ａを貼り合せ、紫外線及び／又は熱によりシール材を硬化させることにより、得ることができる。

第２偏光板９６は、上述した第１偏光板９５と同様であり、ここでは詳細な説明は省略する。

（表示装置の構成）
次に、図１１により、本実施の形態による表示装置の概略について説明する。図１１は、本実施の形態による表示装置を示す断面図である。

図１１に示すように、表示装置１１０は、表示装置形成用基板１００の第２偏光板９６上に、光を照射する光源１１１を設けたものである。この光源１１１は公知の光源を利用することができる。

（表示装置形成用基板の製造方法）
次に、図１２（ａ）−（ｃ）及び図１３（ａ）−（ｃ）により、本実施の形態による表示装置形成用基板及び表示装置の製造方法について説明する。図１２（ａ）−（ｃ）及び図１３（ａ）−（ｃ）は、本実施の形態による表示装置形成用基板及び表示装置の製造方法を示す断面図である。

まず、図９（ａ）−（ｂ）に示すカラーフィルタ層側中間製品（第１中間製品）８０Ａおよび薄膜トランジスタ側中間製品（第２中間製品）８０Ｂをそれぞれ準備する。

次に、カラーフィルタ層側中間製品８０Ａの第１配向層８６と薄膜トランジスタ側中間製品８０Ｂの第２配向層９３との間に液晶層９４を設ける。この場合、減圧下において、まず、カラーフィルタ層側中間製品８０Ａ及び薄膜トランジスタ側中間製品８０Ｂのうちの、いずれか一方の中間製品８０Ａ、８０Ｂ上に、ＵＶ硬化樹脂及び／又は熱硬化剤を含むシール材（図示せず）を塗布し、さらに液晶を滴下する。その後、他方の中間製品８０Ｂ、８０Ａを貼り合せ、紫外線及び／又は熱によりシール材を硬化させる。これにより、カラーフィルタ層側中間製品８０Ａと、薄膜トランジスタ側中間製品８０Ｂと、カラーフィルタ層側中間製品８０Ａと薄膜トランジスタ側中間製品８０Ｂとの間に挟持された液晶層９４とを有する第１中間体９０ａが得られる（図１２（ａ）参照）。

続いて、図１２（ｂ）に示すように、図示しない光照射装置を用いて、第１中間体９０ａの第１ガラス基材８１側から第１剥離層８２に向けてレーザー光Ｌを照射することにより、第１剥離層８２を分解し、第１ガラス基材８１を第１金属層８３から剥離する。その後、第１樹脂基材８４上に残存する第１剥離層８２及び第１金属層８３を除去する。

次いで、図１２（ｃ）に示すように、第１剥離層８２及び第１金属層８３が除去された第１樹脂基材８４上に、第１偏光板９５を貼り合わせることにより、第２中間体９０ｂが得られる。

次に、図１３（ａ）に示すように、上述した光照射装置を用いて、第２中間体９０ｂの第２ガラス基材８７側から第２剥離層８８に向けてレーザー光Ｌを照射することにより、第２剥離層８８を分解し、第２ガラス基材８７を第２金属層８９から剥離する。その後、第２樹脂基材９１上に残存する第２剥離層８８及び第２金属層８９を除去する。

次いで、図１３（ｂ）に示すように、第２剥離層８８及び第２金属層８９が除去された第２樹脂基材９１上に、第２偏光板９６を貼り合わせる。これにより、第１偏光板９５と、第１樹脂基材８４と、カラーフィルタ層８５と、第１配向層８６と、液晶層９４と、第２配向層９３と、薄膜トランジスタ９２と、第２樹脂基材９１と、第２偏光板９６とが順次積層された液晶表示装置用の表示装置形成用基板１００（フレキシブルＬＣＤセル）が得られる。

次に、図１３（ｃ）に示すように、表示装置形成用基板１００の第２偏光板９６上に、光を照射する光源１１１を設ける。このようにして、表示装置１１０が得られる。

このように、本変形例においては、第１ガラス基材８１及び第２ガラス基材８７を、第１金属層８３及び第２金属層８９からそれぞれ確実に剥離することができるとともに、第１剥離層８２及び第２剥離層８８をレーザー光Ｌによってそれぞれ加熱する際、レーザー光Ｌから第１樹脂基材８４及び第２樹脂基材９１を保護することができる。この結果、第１樹脂基材８４、第２樹脂基材９１または液晶層９４等に破れが生じたり、第１樹脂基材８４及び第２樹脂基材９１に煤が発生したりする不具合を防止することができる。これにより、第１ガラス基材８１及び第２ガラス基材８７の厚みのムラにより、レーザー光Ｌの焦点が第１樹脂基材８４及び第２樹脂基材９１側にずれたとしても、第１金属層８３及び第２金属層８９によってレーザー光Ｌが反射される。この結果、第１樹脂基材８４及び第２樹脂基材９１が第１金属層８３及び第２金属層８９により保護され、第１樹脂基材８４及び第２樹脂基材９１にレーザー光Ｌが到達する不具合が防止される。

また、本変形例においては、第１樹脂基材８４及び第２樹脂基材９１が透明である。これにより、表示装置１１０の透明性を向上させることができる。このため、表示装置１１０を透明なディスプレイに用いることもできる。

また、第１金属層８３及び第２金属層８９が第１剥離層８２及び第２剥離層８８を透過したレーザー光Ｌを確実に反射するので、第１樹脂基材８４及び第２樹脂基材９１が透明であっても、第１剥離層８２及び第２剥離層８８を効果的に加熱することができ、第１ガラス基材８１及び第２ガラス基材８７を確実に除去することができる。

次に、図１４を用いて、上述した本実施の形態の作用について、具体的に説明する。図１４は、樹脂基材の可視光領域における黄色度の違いによるレーザー光の透過率を説明する図である。

（実施例１）
図２に示す構成からなる表示装置形成用中間体を使用して、図３に示す構成からなる、表示装置２０（実施例１）を作製した。この場合、ガラス基材１１は無アクリルガラスを使用した。剥離層１２は、剥離材料（Brewer Science, Inc.社製BREWER BOND７０１（製品名））を使用した。剥離層１２は、ガラス基材１１の回転速度を２５００ｒｐｍに設定し、スピン法により剥離材料をガラス基材１１上に塗布した後に、減圧乾燥装置（ＶＣＤ）を用いて２５Ｐａの減圧条件で乾燥させ、３００℃、５分間の条件で焼成させることにより形成した。金属層１３は、日立金属（株）製Ｍｏ合金ターゲット（ＭＴＤ）（製品名）を使用し、スパッタリング法により剥離層１２上に成膜した。金属層１３の厚みは１００ｎｍとした。また、樹脂基材２２は、三菱ガス化学社製、ネオプリム（製品名）を使用した。このとき、樹脂基材２２の可視光領域における黄色度は、ＹＩ値３．７であった。また、樹脂基材２２のレーザー光に対する透過率を測定した結果、波長３０８ｎｍのレーザー光に対する透過率が、２２．４２％であり、波長３４３ｎｍのレーザー光に対する透過率が、５５．３９％であり、波長３５５ｎｍのレーザー光に対する透過率が、６３．８２％であった。この結果を図１４の実線に示す。

表示装置２０の製造工程において、ガラス基材１１側から剥離層１２に向けてレーザー光を照射した。このとき、レーザー光を波長３０８ｎｍのエキシマレーザー、波長３４３ｎｍのＹＡＧレーザー、および波長３５５ｎｍのＹＡＧレーザーとし、それぞれのレーザー光ごとにガラス基材１１を金属層１３から剥離した際に、樹脂基材２２や有機ＥＬ素子２４等に破れが発生しているか否かを観察し、外観評価を行った。また、表示装置２０の透明性についても外観評価を行った。この結果を表１に示す。

（実施例２）
樹脂基材２２の可視光領域における黄色度が、ＹＩ値７．６であったこと、樹脂基材２２のレーザー光に対する透過率を測定した結果、波長３０８ｎｍのレーザー光に対する透過率が、０．９７３％であり、波長３４３ｎｍのレーザー光に対する透過率が、１０．７０％であり、波長３５５ｎｍのレーザー光に対する透過率が、１６．０６％であったこと、以外は、上述した実施例１と同様にして、表示装置２０（実施例２）を作製した。樹脂基材２２のレーザー光に対する透過率を測定した結果を図１４の一点鎖線に示す。

この表示装置２０の製造工程において、上述した実施例１と同様に、ガラス基材１１を金属層１３から剥離した際に、樹脂基材２２や有機ＥＬ素子２４等に破れが発生しているか否かを観察し、外観評価を行った。また、表示装置２０の透明性についても外観評価を行った。この結果を表１に示す。

（比較例１）
樹脂基材の可視光領域における黄色度が、ＹＩ値１７．２であったこと、樹脂基材のレーザー光に対する透過率を測定した結果、波長３０８ｎｍ、３４３ｎｍ及び３５５ｎｍのレーザー光に対する透過率が、それぞれ０％であったこと、以外は、上述した実施例１と同様にして、表示装置（比較例１）を作製した。樹脂基材のレーザー光に対する透過率を測定した結果を図１４の二点鎖線に示す。

この表示装置の製造工程において、上述した実施例１と同様に、ガラス基材を金属層から剥離した際に樹脂基材や有機ＥＬ素子等に破れが発生しているか否かを観察し、外観評価を行った。また、表示装置の透明性についても外観評価を行った。この結果を表１に示す。

（比較例２）
表示装置形成用中間体が剥離層１２および金属層１３を有していないこと、以外は、上述した実施例１と同様にして、表示装置（比較例２）を作製した。この表示装置の製造工程において、上述した実施例１と同様に、ガラス基材を金属層から剥離した際に樹脂基材や有機ＥＬ素子等に破れが発生しているか否かを観察し、外観評価を行った。また、表示装置の透明性についても外観評価を行った。この結果を表１に示す。

（比較例３）
表示装置形成用中間体が剥離層１２および金属層１３を有していないこと、以外は、上述した実施例２と同様にして、表示装置（比較例３）を作製した。この表示装置の製造工程において、上述した実施例２と同様に、ガラス基材を金属層から剥離した際に樹脂基材や有機ＥＬ素子等に破れが発生しているか否かを観察し、外観評価を行った。また、表示装置の透明性についても外観評価を行った。この結果を表１に示す。

（比較例４）
表示装置形成用中間体が剥離層１２および金属層１３を有していないこと、以外は、上述した実施例３と同様にして、表示装置（比較例４）を作製した。この表示装置の製造工程において、上述した実施例３と同様に、ガラス基材を金属層から剥離した際に樹脂基材や有機ＥＬ素子等に破れが発生しているか否かを観察し、外観評価を行った。また、表示装置の透明性についても外観評価を行った。この結果を表１に示す。

この結果、比較例１による表示装置においては、レーザー光の波長がいずれの場合においても、樹脂基材や有機ＥＬ素子等に破れが発生していなかったが、樹脂基材の可視光領域における黄色度が、ＹＩ値１７．２であり、表示装置の透明性が低かった。これに対して実施例１による表示装置２０においては、レーザー光の波長がいずれの場合においても、樹脂基材や有機ＥＬ素子等に破れが発生していなく、かつ、樹脂基材２２の可視光領域における黄色度が、ＹＩ値３．７であり、表示装置２０の透明性が高かった。また、実施例２による表示装置２０においては、レーザー光の波長がいずれの場合においても、樹脂基材や有機ＥＬ素子等に破れが発生していなく、かつ、樹脂基材２２の可視光領域における黄色度が、ＹＩ値７．６であり、表示装置２０の透明性が高かった。

このように、実施例１および実施例２においては、ガラス基材１１を確実に剥離することができるとともに、樹脂基材２２の可視光領域における黄色度を低下させることができることが分かった。このため、樹脂基材２２の透明性を向上させることができ、表示装置２０の透明性を向上させることができることが分かった。

また、比較例２による表示装置においては、レーザー光の波長が３０８ｎｍの場合において、樹脂基材や有機ＥＬ素子等に破れが発生していた。これに対して実施例１および実施例２による表示装置２０は、レーザー光の波長が３０８の場合において、樹脂基材や有機ＥＬ素子等に破れが発生していなかった。また、比較例２および比較例３による表示装置においては、レーザー光の波長が３４３ｎｍの場合において、樹脂基材や有機ＥＬ素子等に破れが発生していた。これに対して実施例１および実施例２による表示装置２０は、レーザー光の波長が３０８の場合において、樹脂基材や有機ＥＬ素子等に破れが発生していなかった。さらに、比較例２および比較例３による表示装置においては、レーザー光の波長が３５５ｎｍの場合において、樹脂基材や有機ＥＬ素子等に破れが発生していた。これに対して実施例１および実施例２による表示装置２０は、レーザー光の波長が３０８の場合において、樹脂基材や有機ＥＬ素子等に破れが発生していなかった。

このように、実施例１および実施例２による表示装置２０は、樹脂基材２２のレーザー光に対する透過率が１％以上の場合においてもガラス基材１１を確実に剥離することができ、明らかに樹脂基材２２への悪影響を抑制できることが分かった。

このように、実施例１および実施例２においては、樹脂基材２２のレーザー光に対する透過率が１％以上の場合においてもガラス基材１１を確実に剥離することができる。このため、上述したように樹脂基材２２の透明性を向上させることができ、表示装置２０の透明性を向上させることができる。具体的には、図１４に示すように、樹脂基材２２が、レーザー光の主波長に対する透過率が１％以上の場合、樹脂基材２２の可視光領域における黄色度を低くすることができる。ここで、上述したように、図１４の実線は、実施例１および比較例２に使用した樹脂基材のレーザー光に対する透過率であって、樹脂基材の可視光領域における黄色度が、ＹＩ値３．７の場合のレーザー光の透過率を示している。また、図１４の一点鎖線は、実施例２および比較例３に使用した樹脂基材のレーザー光に対する透過率であって、樹脂基材の可視光領域における黄色度が、ＹＩ値７．６の場合のレーザー光に対する透過率を示している。さらに、図１４の二点鎖線は、比較例１および比較例４に使用した樹脂基材のレーザー光に対する透過率であって、樹脂基材の可視光領域における黄色度が、ＹＩ値１７．２の場合のレーザー光に対する透過率を示している。このように、レーザー光の主波長に対する透過率が１％以上（図１４に示す実線および一点鎖線）の場合、樹脂基材２２の可視光領域における黄色度を低くすることができるため、樹脂基材２２の透明性を向上させ、表示装置２０の透明性を向上させることができる。この場合、表示装置２０がいわゆるボトムエミッション型であっても表示装置２０の光取り出し効率を向上させることができる。また、表示装置２０の透明性を向上させることができるため、表示装置２０を透明なディスプレイに用いることもできる。

上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

１１ ガラス基材
１２ 剥離層
１３ 金属層
２０ 表示装置
２０Ａ 表示装置形成用中間体
２１ 支持基材
２２ 樹脂基材
２３ 薄膜トランジスタ
２４ 有機ＥＬ素子
２５ 封止樹脂
２９ 仮支持基材
８０Ａ カラーフィルタ層側中間製品
８０Ｂ 薄膜トランジスタ側中間製品
８１ 第１ガラス基材
８２ 第１剥離層
８３ 第１金属層
８４ 第１樹脂基材
８５ カラーフィルタ層
８６ 第１配向層
８７ 第２ガラス基材
８８ 第２剥離層
８９ 第２金属層
９１ 第２樹脂基材
９２ 薄膜トランジスタ
９３ 第２配向層
９４ 液晶層
９５ 第１偏光板
９６ 第２偏光板
１１０ 表示装置
１１１ 光源

Claims (14)

1. 表示装置を形成するための表示装置形成用中間体であって、
   ガラス基材と、
   前記ガラス基材上に積層され、レーザー光を吸収することにより分解される剥離層と、
   前記剥離層上に積層され、前記剥離層を透過した前記レーザー光を反射可能な金属層と、
   前記金属層上に配置された樹脂基材とを備え、
   前記樹脂基材は、透明であることを特徴とする表示装置形成用中間体。
2. 前記樹脂基材の前記レーザー光の主波長に対する透過率が１％以上であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置形成用中間体。
3. 前記金属層は、モリブデン合金を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置形成用中間体。
4. 前記金属層の厚みは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置形成用中間体。
5. 前記剥離層は、ポリイミドを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置形成用中間体。
6. 前記剥離層の厚みは、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示装置形成用中間体。
7. 支持基材と、
   前記支持基材上に配置された樹脂基材と、
   前記樹脂基材上に配置された薄膜トランジスタと、
   前記樹脂基材上に配置され、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された有機ＥＬ素子と、
   前記有機ＥＬ素子上に配置され、前記有機ＥＬ素子を封止する封止樹脂とを備え、
   前記樹脂基材は、透明であることを特徴とする表示装置。
8. 前記樹脂基材の、前記表示装置を作製する際に用いられるレーザー光の主波長に対する透過率が１％以上であることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
9. 第１偏光板と、
   前記第１偏光板上に配置された第１樹脂基材と、
   前記第１樹脂基材上に積層されたカラーフィルタ層と、
   前記カラーフィルタ層上に積層された第１配向層と、
   前記第１配向層上に配置された液晶層と、
   前記液晶層上に積層された第２配向層と、
   前記第２配向層上に配置された薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタ上に配置された第２樹脂基材と、
   前記第２樹脂基材上に配置された第２偏光板と、
   前記第２偏光板上に配置された光源とを備え、
   前記第１樹脂基材及び前記第２樹脂基材は、透明であることを特徴とする表示装置。
10. 前記第１樹脂基材及び前記第２樹脂基材の、前記表示装置を作製する際に用いられるレーザー光の主波長に対する透過率が１％以上であることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
11. 表示装置の製造方法であって、
    ガラス基材と、前記ガラス基材上に積層され、レーザー光を吸収することにより分解される剥離層と、前記剥離層上に積層され、前記剥離層を透過した前記レーザー光を反射可能な金属層とを有する表示装置形成用基板を準備する工程と、
    前記表示装置形成用基板の前記金属層上に樹脂基材を配置する工程と、
    前記樹脂基材上に薄膜トランジスタを配置する工程と、
    前記樹脂基材上に、前記薄膜トランジスタに電気的に接続される有機ＥＬ素子を配置する工程と、
    前記有機ＥＬ素子を封止樹脂によって封止する工程と、
    前記封止樹脂上に、前記表示装置を仮支持する仮支持基材を配置する工程と、
    前記ガラス基材側から前記剥離層に向けてレーザー光を照射することにより前記ガラス基材を前記金属層から剥離する工程と、
    前記樹脂基材から前記金属層を除去する工程と、
    前記金属層が除去された前記樹脂基材上に、前記表示装置を支持する支持基材を配置する工程と、
    前記仮支持基材を前記封止樹脂から剥離する工程とを備え、
    前記樹脂基材は、透明であることを特徴とする表示装置の製造方法。
12. 前記樹脂基材の前記レーザー光の主波長に対する透過率が１％以上であることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
13. 第１ガラス基材と、前記第１ガラス基材上に積層され、レーザー光を吸収することにより分解される第１剥離層と、前記第１剥離層上に積層され、前記第１剥離層を透過した前記レーザー光を反射可能な第１金属層と、前記第１金属層上に配置された第１樹脂基材と、前記第１樹脂基材上に配置されたカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層上に配置された第１配向層とを有する第１中間製品を準備する工程と、
    第２ガラス基材と、前記第２ガラス基材上に積層され、前記レーザー光を吸収することにより分解される第２剥離層と、前記第２剥離層上に積層され、前記第２剥離層を透過した前記レーザー光を反射可能な第２金属層と、前記第２金属層上に設けられた第２樹脂基材と、前記第２樹脂基材上に配置された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に配置された第２配向層とを有する第２中間製品を準備する工程と、
    前記第１中間製品の前記第１配向層と前記第２中間製品の前記第２配向層との間に液晶層を設ける工程と、
    前記第１ガラス基材側から前記第１剥離層に向けて前記レーザー光を照射することにより、前記第１ガラス基材を前記第１金属層から剥離する工程と、
    前記第１樹脂基材から前記第１金属層を除去する工程と、
    前記第１金属層が除去された前記第１樹脂基材上に、前記第１偏光板を配置する工程と、
    前記第２ガラス基材側から前記第２剥離層に向けて前記レーザー光を照射することにより、前記第２ガラス基材を前記第２金属層から剥離する工程と、
    前記第２樹脂基材から前記第２金属層を除去する工程と、
    前記第２金属層が除去された前記第２樹脂基材上に、第２偏光板を配置する工程と、
    前記第２偏光板上に光源を配置する工程とを備え、
    前記第１樹脂基材及び前記第２樹脂基材は、透明であることを特徴とする表示装置の製造方法。
14. 前記第１樹脂基材及び前記第２樹脂基材の前記レーザー光の主波長に対する透過率が１％以上であることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。

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