JP2017211420A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
表示装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017211420A JP2017211420A JP2016102474A JP2016102474A JP2017211420A JP 2017211420 A JP2017211420 A JP 2017211420A JP 2016102474 A JP2016102474 A JP 2016102474A JP 2016102474 A JP2016102474 A JP 2016102474A JP 2017211420 A JP2017211420 A JP 2017211420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display device
- intermediate layer
- substrate
- layer
- terminal portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 164
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 25
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 17
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 16
- 238000004347 surface barrier Methods 0.000 claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 137
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 18
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 5
- -1 for example Polymers 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical group C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
Abstract
【課題】フレキシブル基板を有する表示装置の製造において、材料費と製造工程を低減して、製造原価を抑えたフレキシブル表示装置の製造を可能にする。
【解決手段】湾曲可能な基板１００の上に表示領域ＤＡと端子部ＴＡが形成され、前記表示領域ＤＡには、アレイ層５０が形成され、前記アレイ層５０と前記端子部ＴＡの間に、所定の幅で中間層１６０が形成されており、前記中間層１６０は、前記アレイ層５０と前記端子部ＴＡには重畳していないことを特徴とする表示装置。
【選択図】図２５
【解決手段】湾曲可能な基板１００の上に表示領域ＤＡと端子部ＴＡが形成され、前記表示領域ＤＡには、アレイ層５０が形成され、前記アレイ層５０と前記端子部ＴＡの間に、所定の幅で中間層１６０が形成されており、前記中間層１６０は、前記アレイ層５０と前記端子部ＴＡには重畳していないことを特徴とする表示装置。
【選択図】図２５
Description
本発明は表示装置に係り、特に基板を湾曲させることができるフレキシブル表示装置に関する。
有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置は表示装置を薄くすることによって、フレキシブルに湾曲させて使用することができる。この場合、素子を形成する基板を薄いガラスあるいは薄い樹脂によって形成する。有機ＥＬ表示装置は、バックライトを使用しないので、薄型化にはより有利である。反射型液晶表示装置についても同様である。
フレキシブル表示装置を形成するためには、基板を薄くしなければならない。しかし、基板を薄くすると、製造プロセスを通すことが困難になる。そこで、製造プロセスにおいては、比較的厚いガラス等のキャリア基板を用い、マザー基板完成後、キャリア基板を除去し、代わりにフレキシブルな、薄い基板で貼りかえることが行われている。
特許文献１には、ガラス基板と透明な樹脂基板の間に金属等の熱交換層を配置し、この熱交換層をフラッシュランプで加熱することによって、キャリアガラスと透明樹脂基板を分離する構成が記載されている。
特許文献２には、支持体、すなわち、キャリア基板とフレキシブル基板との間に金属等の剥離層を配置し、この剥離層を電磁誘導によって加熱し、支持体とフレキシブル基板を分離する構成が記載されている。
特許文献３には、ガラス基板の上に金属酸化物とフレキシブル基板となるポリイミド系樹脂の積層物を形成し、赤外線を照射することによって、金属酸化物を加熱させてフレキシブル基板とガラス基板を分離する構成が記載されている。
特許文献４には、樹脂とフィラーからなる熱伝導性樹脂を支持体に塗布し、この熱伝導性樹脂の上にデバイス層を形成し、その後、支持体と熱伝導性樹脂を剥離する構成が記載されている。
上記先行技術文献に記載の発明は、すべて、製造工程においては、キャリア基板を使用し、その後、マザー基板が完成した後、キャリア基板を剥離し、製品基板に貼りかえるものである。キャリア基板はマザー基板の状態において剥離される場合もあるし、個々の表示セルに分離した状態で剥離する場合もある。
このような製造方法においては、キャリア基板は使用後破棄される。したがって、キャリア基板の材料費が無駄になる。さらに、キャリア基板の剥離工程、製品基板を貼りつける工程等が必要であり、その分、製造コストが押し上げられる。
本発明の課題は、キャリア基板を使用せず、製造工程においても製品基板を使用することを可能にし、フレキシブル表示装置の製造コストを低減することである。
本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。
（１）湾曲可能な基板の上に表示領域と端子部が形成され、前記表示領域には、アレイ層が形成され、前記アレイ層と前記端子部の間に、所定の幅で中間層が形成されており、前記中間層は、前記アレイ層と前記端子部には重畳していないことを特徴とする表示装置。
（２）前記表示領域には光学シートが貼り付けられ、前記光学シートと前記中間層はオーバーラップしていることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（３）フレキシブル表示装置の製造方法であって、支持基板の上にフレキシブル基板を形成し、前記フレキシブル基板の上に表示領域と端子部を形成し、前記表示領域にアレイ層を形成し、前記端子部に中間層を形成し、前記アレイ層と前記中間層を覆って光学シートを貼り付け、前記光学シートを前記表示領域と前記端子部との境界において切断し、前記端子部に形成された前記中間層をアブレージョンすることによって、前記端子部を覆う前記光学シートを除去することを特徴とするフレキシブル表示装置の製造方法。
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。以下の説明では、主として有機ＥＬ表示装置を例にとって説明するが、液晶表示装置についても適用することができる。
図１は本発明が適用されるフレキシブル基板１００を有する有機ＥＬ表示装置の平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ断面図である。図１および図２において、フレキシブル基板１００の上にＴＦＴや有機ＥＬ層等を含むアレイ層５０が形成され、これを偏光板２００が覆っている。なお、アレイ層５０は表示領域に含まれている。
図１および図２において、フレキシブル基板１００が偏光板２００に覆われていない部分は端子部１５０となっている。端子部１５０にはアレイ層５０から配線が引き出され、端子部１５０に搭載されたドライバＩＣ３１０に接続している。ドライバＩＣ３１０からの配線は、端子部１５０の端部において、フレキシブル配線基板３００と接続している。フレキシブル配線基板３００からは、有機ＥＬ表示装置へ電源、信号等が供給される。
フレキシブル基板１００は厚さ１０μｍ乃至２０μｍの樹脂、例えばポリイミドで形成されている。したがって、フレキシブルに湾曲させることができる。一方、このようなフレキシブル基板１００は機械的に弱く、また、表示装置として形状が安定しない。そのために、フレキシブル基板１００の下側に支持基板１０を配置している。支持基板１０はガラスでもよいし、樹脂でもよい。
支持基板の厚さは０．１ｍｍ乃至０．５ｍｍ程度であるが、本発明においては、フレキシブル基板１００おおびアレイ層５０を最初から支持基板１０に形成するので、アレイ層５０を形成する製造ラインを通過することができる厚さとする必要がある。なお、有機ＥＬ表示装置は個々に製造したのでは、効率が悪いので、複数の有機ＥＬ表示装置をマザー基板に形成し、その後、個々の有機ＥＬセルに分離することが行われている。したがって、本発明における支持基板は、当初は大判のマザー支持基板である。
図３は、図２の表示領域の断面図である。図３はトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。図３において、厚さ１０μｍ乃至２０μｍのフレキシブル基板１００はポリイミドで形成されている。なお、フレキシブル基板１００は、ポリイミドに限らず、他の樹脂あるいはガラスでもよい。図３において、フレキシブル基板１００を樹脂で形成する場合は、支持基板１０の上にスリットコーター等で例えばポリイミドを塗布し、焼成して形成する。支持基板１０はガラスでもよいし、樹脂フィルムでもよい。
フレキシブル基板１００の上には、基板側バリア層１０１が形成されている。バリア層１０１の目的は、主に、ポリイミド側からの水分の遮断である。基板側バリア層１０１は、ＳｉＯおよびＳｉＮの積層体で形成されている。基板側バリア層１０１は、例えば、基板側から、厚さ５０ｎｍのＳｉＯ、厚さ５０ｎｍのＳｉＮ、厚さ３００ｎｍのＳｉＯの３層で形成されている場合もある。なお、ＳｉＯはＳｉＯｘの場合を含み、ＳｉＮはＳｉＮｘの場合を含んでいる。基板側バリア層１０１の上には半導体層１０２が形成されている。半導体層１０２は当初はＣＶＤによってａ−Ｓｉを形成し、これをエキシマレーザによってＰｏｌｙ−Ｓｉに変換したものである。
半導体層１０２を覆ってＣＶＤを用いたＴＥＯＳ（テトラエトシキシラン）によるＳｉＯによってゲート絶縁膜１０３を形成する。ゲート絶縁膜１０３の上にゲート電極１０４を形成する。その後、イオンインプランテーションによって、半導体層１０２に対しゲート電極１０４に対応する以外の部分を導電層とする。半導体層１０２において、ゲート電極１０４に対応する部分がチャンネル部１０２１になる。
ゲート電極１０４を覆って層間絶縁膜１０５をＣＶＤによるＳｉＮによって形成する。その後、層間絶縁膜１０５およびゲート絶縁膜１０３にスルーホールを形成し、ドレイン電極１０６およびソース電極１０７を接続する。図３において、ドレイン電極１０６、ソース電極１０７、層間絶縁膜１０５を覆って有機パッシベーション膜１０８を形成する。有機パッシベーション膜１０８は平坦化膜を兼ねているので、２乃至３μｍと、厚く形成される。有機パッシベーション膜１０８は例えばアクリル樹脂によって形成する。
有機パッシベーション膜１０８の上に、反射電極１１０を形成し、その上に陽極となる下部電極１１０をＩＴＯ等の透明導電膜によって形成する。反射電極１０９は反射率の高いＡｌ合金によって形成する。反射電極１０９は、ＴＦＴのソース電極１０７と、有機パッシベーション膜１０８に形成されたスルーホールを介して接続する。
下部電極１１０の周辺にはアクリル等によるバンク１１１が形成される。バンク１１１を形成する目的は、次に形成される発光層を含む有機ＥＬ層１１２や上部電極１１３が段切れによって導通不良となることを防ぐことである。バンク１１１は、アクリル樹脂等の透明樹脂を全面にコートし、下部電極１１０に対応する部分に有機ＥＬ層からの光を取り出すホールを形成することによって形成される。
図３において、下部電極１１０の上に有機ＥＬ層１１２が形成される。有機ＥＬ層１１２は、例えば電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層等で形成される。有機ＥＬ層１１２の上には、カソードとしての上部導電層１１３が形成される。上部導電層１１３は、透明導電膜であるＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等によって形成されるほか、銀等の金属の薄膜で形成される場合もある。
その後、上部電極１１３側からの水分の侵入を防止するために、上部電極１１３の上に表面バリア層１１４を、ＣＶＤを用いてＳｉＮによって形成する。有機ＥＬ層１１２は熱に弱いために、表面バリア層１１４を形成するためのＣＶＤは１００℃程度の低温ＣＶＤによって形成される。
トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、反射電極１１０が存在しているために、画面は、外光を反射してコントラストが低下する。これを防止するために、表面に偏光板２００を配置して、外光による反射を防止している。偏光板２００は、一方の面に粘着材２０１を有しており、表面バリア層１１４に圧着することによって、有機ＥＬ表示装置に接着させている。粘着材２０１の厚さは３０μｍ程度であり、偏光板２００の厚さは１００μｍ程度である。図１及び図２に示すように、偏光板２００および粘着材２０１は、アレイ層周辺をも覆うように形成されている。
図３において、フレキシブル基板１００は１０乃至２０μｍのポリイミドで形成されているので、機械的に弱く、また、フレキシブル表示装置の形状が安定しない。そこで、フレキシブル表示装置の形状を安定させるために支持基板１０を配置している。支持基板１０の材料、厚さ、形状は、フレキシブル表示装置の用途等によって種々の構成を選択することができる。しかし、本発明においては、マザー支持基板を、フレキシブル基板、アレイ層等を形成するための工程を通過させることができる厚さ、あるいは、材料とする必要がある。
有機ＥＬ表示装置は1個1個製造したのでは効率が悪いので、マザー基板に多数の有機ＥＬセルを形成し、マザー基板が完成後1個1個の有機ＥＬセルに分離する。図４はマザー基板４００の例を示す平面図である。図４において、７×５＝３５個の有機ＥＬセル４１０が配置され、マザー基板４００が完成した後、分離線４２０において個々の有機ＥＬセル４１０に分離され、有機ＥＬ表示装置が形成される。
図５は、本発明を使用しない場合の図４のＢ−Ｂ断面図である。図５では、図を複雑化させないために、有機ＥＬセル４１０が４個配列している場合を記載している。図１において、第１キャリア基板２０の上にポリイミド等の樹脂によるフレキシブル基板１００が形成され、その上に各有機ＥＬセル毎にアレイ層５０が形成されている。すなわち、第１キャリア基板２０は、フレキシブル基板１００およびアレイ層５０を形成するプロセスを通過できるものであることが必要である。アレイ層５０を覆って第２キャリア基板３０が形成されている。第２キャリア基板３０は、プロセス中において、アレイ層５０等を保護するためのもので、樹脂フィルムで形成される場合が多い。
図５のようなマザー基板４００が完成すると、図５に示す分離線４２０に沿って、各有機ＥＬセル４１０は、マザー基板４００から分離される。図６は、図５に示すマザー基板４００から、分離線４２０に沿って、有機ＥＬセル４１０が分離された状態を示す断面図である。図６において、第１キャリア基板２０の上にフレキシブル基板１００が形成され、その上にアレイ層５０が形成されている。フレキシブル基板１００及びアレイ層５０を覆って第２キャリア基板３０が貼り付けられている。
その後、図７に示すように、まず、第２キャリア基板３０を剥離する。第２キャリア基板３０は、剥離しやすいように、弱粘着性の粘着材によって、アレイ層等に貼り付けられているものなので、アレイ層５０を傷つけず、容易に剥離することができる。
第２キャリア基板３０を剥離した後、図８に示すように、アレイ層５０に偏光板２００が貼り付けられる。偏光板２００は製品に貼り付けられるものなので、剥がれないように、強い接着力を有する粘着材によって貼り付けられる。その後、図９に示すように、第１キャリア基板２０を剥離する。第１キャリア基板２０とポリイミド等で形成されたフレキシブル基板１００との剥離は、例えば、第１キャリア基板２０とフレキシブル基板１００との界面にフォーカスしたレーザービームをスキャンする、レーザーアブレージョンによって行われる。
その後、図１０に示すように、支持基板１０をフレキシブル基板１００の下面に接着する。支持基板１０は、製品に付いていくものなので、支持基板１０とフレキシブル基板１００を接着する粘着材は強力な接着力を有するものが使用される。
以上のような方式では、プロセスを通すために使用される第１キャリア基板２０および第２キャリア基板３０は、破棄されるので、この材料は無駄になる。また、第１キャリア基板２０を剥離した後に支持基板１０を貼り付ける工程、第２キャリア基板３０を剥離した後に偏光板２００を貼り付ける工程が必要になり、これは、製造原価を押し上げる。
このようなプロセスを省略する手段として、最初から第１キャリア基板２０の代わりに支持基板１０を、また、第２キャリア基板３０の代わりに偏光板２００を貼り付けておくことが考えられる。しかし、この方法は、図１１乃至図１３で説明するような問題点を有している。
図１１は、この方法におけるマザー基板４００の平面図である。図１１における有機ＥＬセル４１０の配置は図４と同じである。しかし、図１１では、第１キャリア基板の代わりに大判のマザー支持基板が、第２キャリア基板の代わりに、大判のマザー偏光板が上下に存在している。また、マザー基板が完成した後、分離線４２０に沿って有機ＥＬセル４１０がマザー基板から分離することも図４と同じであるが、図１１では、端子部から、偏光板を除去する必要があるので、ハーフカット線４２１が点線で記載されている。
図１２は、図１１のＣ−Ｃ断面図である。図１２における有機ＥＬセル４１０の配置は図５と同様であるが、フレキシブル基板１００の下側に支持基板１０が、アレイ層５０の上側に偏光板４００が配置している点が異なっている。さらに、有機ＥＬセル毎の分離線４２０に加えて、端子部から偏光板２００を除去するためのハーフカット線４２１が形成されている。なお、このハーフカット線４２１に沿う切り込みは有機ＥＬセルがマザー基板から分離した後行っても良い。
図１３は、マザー基板から分離された有機ＥＬセルの断面図である。図１３において、フレキシブル基板１００の下には支持基板１０が配置し、アレイ層５０の上には偏光板２００が接着している。支持基板１０はフレキシブル基板１００と強い接着力で接着し、かつ、偏光板２００はアレイ層５０および端子部と強い接着力で接着している。ハーフカット線４２１は、端子部から偏光板を除去するためのものである。
しかし、偏光板２００は端子部と強い接着力で接着しているので、ハーフカット線４２１に添って偏光板に切り込みを入れても、偏光板２００を端子部から剥離することができない。つまり、ハーフカット４２１を入れても、図１３のＡ領域において、偏光板２００の接着力が強いために、この部分の偏光板２００を剥離することができない。
本発明は、このような問題を解決するものである。図１４は本発明におけるマザー基板４００である。図１４において、有機ＥＬセル４１０の配置は図４あるいは図１１と同様である。ただし、図１４においては、各有機ＥＬセル４１０の端子部の偏光板２００との界面に端子用樹脂が形成されている。
図１５は図１４のＤ−Ｄ断面図である。図１５の有機ＥＬセル４１０の配置は図１２と同様である。フレキシブル基板１００の下側に支持基板１０が、また、アレイ層５０の上側に偏光板２００が配置している。ただし、有機ＥＬセル４１０の端子部と偏光板２００との界面には、端子部用中間層が形成されている。各有機ＥＬセル４１０は分離線４２０に沿ってマザー基板から分離され、また、端子部とアレイ層との境界にハーフカット線４２１が形成されている。
有機ＥＬセル４１０をマザー基板から分離する方法は、レーザービームを用いてもよいし、機械刃を用いてもよい。また、端子部から偏光板２００を除去するためのハーフカット４２１もレーザービームをもちいてもよいし、機械刃を用いても良い。また、ハーフカット４２１はマザー基板の状態で行ってもよいし、各有機ＥＬセルに分離した状態でおこなっても良い。
図１６は、各有機ＥＬセルに分離した状態で、レーザービームＬＢによって、ハーフカット４２１を形成している例である。偏光板２００がポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）によって形成されている場合、レーザービームＬＢは、９０００〜１００００ｎｍのスペクトルを持つＣＯ２レーザが好ましい。
しかし、図１６のようにハーフカット４２１を形成しても、偏光板２００の接着力が強いために、端子部から偏光板２００は除去できない。本発明の特徴は端子部に端子部用中間層を形成し、図１７に示すように、端子部用中間層と偏光板２００との界面に焦点を当てたレーザービームＬＡを照射し、端子部をスキャンする。そうすると、端子部用中間層がレーザービームＬＢによって蒸発し、いわゆるレーザーアブレージョンによって、図１８に示すように、端子部の偏光板２００を剥離することが出来る。
端子部用中間層としては、偏光板２００を形成する樹脂を透過する波長に吸収を持つ材料であることが好ましい。偏光板２００を形成する樹脂が例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）である場合、端子部用中間層としては、例えばポリイミドを使用することができる。ＰＥＴは例えば３５５ｎｍの波長を比較的透過する。３５５ｎｍに吸収を持つポリイミドとしては、例えばＰＭＤＡ／ＯＤＡがある。
端子部用中間層は、フレキソ印刷あるいはインクジェット等を用いて端子部に塗布することができる。端子部用中間層の厚さは、例えば、１００ｎｍ〜１０μｍ、より好ましくは、５００ｎｍ〜２μｍ程度である。３５５ｎｍに吸収を持つ端子部用中間層をレーザーアブレージョンするには、例えば、ＹＡＧの第３高調波レーザー（波長３５５ｎｍ）を用いることができる。
図１８のようにしてレーザーアブレージョンによって端子部から偏光板２００を除去した後の端子部には端子部用中間層の残渣が存在している。この残渣を除去しないと、端子部にドライバＩＣ、フレキシブル配線基板等の接続ができない。ところで、有機ＥＬ表示装置が完成した後、偏光板２００の表面に傷がつかないように、図１９に示すように、偏光板２００の表面に、微粘着材を有する表面保護フィルム２１０が貼り付けられる。このような表面保護フィルム２１０はＰＥＴあるいはＰＰ（ポリプロピレン）等を基材とし、微粘着材としてアクリル樹脂を配置したものであり、厚さは２５乃至５０μｍである。
そこで、図１９に示すように、この微粘着保護フィルム２１０をマスクにして、ドライエッチングあるいはプラズマアッシャーＰＡをかけることによって、ポリイミドの残渣を取り除くことができる。図１９におけるＰＡは有機ＥＬ表示装置の表面にこのようなプラズマアッシャーをかけていることを示している。このようなプラズマアッシャーＰＡとしては酸素プラズマアッシャーを用いることができる。
そうすると、図２０に示すように、有機ＥＬ表示装置の端子部が清浄化され、ドライバＩＣの接続やフレキシブル配線基板の接続が可能になる。なお、表面保護フィルム２１０はポリイミドの残渣に比べてはるかに厚いので、プラズマアッシャーをかけても、表面保護フィルム２１０の外観はほとんど変化しない。
図２１乃至図２５は、以上で説明した、端子部から偏光板を剥離するプロセスを示す詳細断面図である。図２１において、支持基板１０の上にフレキシブル基板１００であるポリイミドが厚さ１０乃至２０μｍで形成されている。本発明では、支持基板１０は剥離せず、そのまま製品用の支持基板として使用することができる。フレキシブル基板１００の上には、図３で説明した基板側バリア層１０１が形成されている。基板側バリア層１０１の上には、配線層１３０が形成されているが、この配線層１３０は、図３におけるゲート電極、ドレイン電極等と同様な層に形成された配線の総称で、表示領域ＤＡから端子部ＴＡに延在している。
表示領域ＤＡにはアレイ層５０が形成されているが、この層は、図３における有機ＥＬ層等の総称である。アレイ層５０を覆って、図３で説明したバンクを形成する有機膜と同じ有機膜１１１が形成されている。そして、有機膜１１１および配線層５０を覆って表面バリア層１１４が形成されている。表面バリア層１１４は、表示領域ＤＡのみでなく、端子部ＴＡにも延在して配線層１３０を保護している。
本発明の特徴は、端子部において表面バリア層１１４を覆って、端子部用中間層が例えばポリイミドで形成されている点である。表面バリア層１１４および端子部用中間層を覆って偏光板２００が粘着材２０１を介して接着している。図２において、ハーフカット線４２１に沿ってレーザービームＬＢを照射し、偏光板２００および端子部用中間層を切断する。図２１において、このハーフカット線４２１より左側が表示領域ＤＡであり、右側が端子部ＴＡである。
端子部用中間層は本発明の目的からは、端子部ＴＡのみに形成されていればよいが、レーザービームによるハーフカットと端子部用中間層の端部を完全に一致させるのは不可能なので、端子部用中間層をハーフカット線４２１よりもやや表示領域ＤＡ側にｒｍだけはみ出して形成する。ｒｍは例えば５０乃至１００μｍである。こうすることによって、レーザービームＬＢによるハーフカット４２１あるいはレーザーアブレージョン時に、レーザービームの照射位置のばらつきに起因して、上層バリア１１４や電極層１３０等が損傷を受けることを防止することができる。
図２２は、レーザービームによってハーフカットした後、端子部ＴＡにおいて、端子部用中間層をレーザービームＬＡでスキャンしてレーザーアブレージョンを行っている状態を示す断面図である。図２２において、ハーフカット４２１は実線で描かれており、偏光板２００はすでにハーフカットされていることを示している。
図２３は、レーザーアブレージョンによって、端子部ＴＡにおける偏光板２００が除去された状態を示す断面図である。端子部用中間層はレーザーアブレージョンによっては完全に取りきれず、端子部用中間層の一部は端子部ＴＡに表面が荒れた状態になって残っている。
その後、図２３の状態の有機ＥＬセルの表示領域の偏光板２００の上に微粘着性の保護フィルム２１０を貼り付ける。その後、図２４に示すように、有機ＥＬセルの表面にプラズマアッシャーＰＡをかけ、端子部用中間層の残渣を除去する。
図２５はこのようにして形成された製品の端子部付近の断面図である。図２５において、端子部用中間層がｒｍの範囲で、偏光板２００の下で、表面バリア層１１４の上に残っている。これによって、製造ばらつきに起因してレーザーアブレージョン時に表面バリア層１１４等がレーザービームによる損傷を受けることを防止することができる。
ところで、端子部用中間層を厚く形成する必要がある場合、端子部用中間層がアレイ層５０領域に流れ込むと表示品質を劣化させる。図２６は、端子部用中間層がアレイ層５０領域に流れこまないようにするための土手状のリブ１７０を形成した例である。このリブ１７０は、端子部と表示領域の境界に沿って土手状に形成される。リブ１７０の材料としては、例えば、アクリル樹脂を用いることができる。
その後の端子用樹脂の形成、レーザービームによるハーフカット。レーザーアブレージョンによる偏光板の剥離、端子部用樹脂の残渣の除去等は、図２１乃至図２４で説明したのと同様である。図２７は本実施形態による製品における端子部付近の断面図である。図２７において、端子部用中間層とリブ１７０がｒｍの範囲で、偏光板２００の下で、表面バリア層１１４の上に残っている。これによって、レーザービーム照射位置のばらつきに起因して、レーザーアブレージョン時に表面バリア層１１４等が損傷を受けることを防止することができる。
以上で説明した本発明では、支持基板１０としては、マザー基板として使用されたものが製品として使用されるものである。マザー基板において、製造ラインを通すためには、支持基板の厚さが０．５ｍｍ程度のガラスである必要があるような場合があり、一方、製品の支持基板としては、０．２ｍｍ以下であるような場合がある。このような場合は、マザー基板が完成後、マザー基板の状態において、支持基板を研磨して必要な薄さに形成することができる。
以上の説明では、表示領域を覆って偏光板が配置されている場合を説明した。しかし、反射防止のためには、偏光板には限らず、透過率の低い光学シートを貼り付けても良い。すなわち、外光の反射光は、光学シートを２回通過するが、発光素子からの光は、光学シートを１回通過するだけなので、光学シートの光透過率を低くすることによって、外光によるコントラストの劣化を防止することができる。本発明は、このような構成の場合にも適用することができる。この場合にも、光学シートによる光の吸収波長範囲と端子部用樹脂の光の吸収波長範囲は異ならせた方が良い。
また、以上で説明した本発明では、最終製品が支持基板を含むとして説明したが、フレキシブル表示装置の用途としては、必ずしも支持基板を必要としない場合もある。この場合は、最終工程において、レーザーアブレージョン等によって、樹脂で形成されたフレキシブル基板から、支持基板を剥離すればよい。
以上は、主として有機ＥＬ表示装置について説明した。一方、液晶表示装置でも、厚さを薄くすることによってフレキシブルな表示装置とすることができる。フレキシブルな液晶表示装置を形成する場合にも、以上で説明した本発明を適用することができる。
１０…支持基板、 ２０…第１キャリア基板、 ３０…第２キャリア基板、 ５０…アレイ層、 １００…フレキシブル基板、 １０１…基板側バリア層、 １０２…半導体層、 １０３…ゲート絶縁膜、 １０４…ゲート電極、 １０５…層間絶縁膜、 １０６…ドレイン電極、 １０７…ソース電極、 １０８…有機パッシベーション膜、 １０９…反射電極、 １１０…下部電極、 １１１…バンク、 １１２…有機ＥＬ層、 １１３…上部電極、 １１４…表面バリア層、 １３０…配線層、 １５０…端子部、 １６０…中間層、 １７０…リブ、 ２００…偏光板、 ２０１…偏光板用粘着材、 ２１０…表面保護フィルム、 ３００…フレキシブル配線基板、 ３１０…ドライバＩＣ、 ４００…マザー基板、 ４１０…有機ＥＬセル、 ４２０…分離線、 ４２１…ハーフカット線、 ＬＢ…ハーフカット用レーザービーム、 ＬＡ…アブレージョン用レーザービーム、 ＤＡ…表示領域、 ＴＡ…端子部、 ｒｍ…端子部用樹脂はみ出し範囲
Claims (20)
- 湾曲可能な基板の上に表示領域と端子部が形成され、
前記表示領域には、アレイ層が形成され、
前記アレイ層と前記端子部の間に、所定の幅で中間層が形成されており、
前記中間層は、前記アレイ層と前記端子部には重畳していないことを特徴とする表示装置。 - 前記表示領域には光学シートが貼り付けられ、前記光学シートと前記中間層はオーバーラップしていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記光学シートと前記中間層は異なる材料であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記光学シートと前記中間層は、光の吸収波長が異なることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記中間層はポリイミドであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記光学シートはＰＥＴで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記光学シートは偏光板であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 湾曲可能な基板は樹脂シートによって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記樹脂シートはポリイミドで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記中間層は、前記表示領域に形成された無機膜で形成された表面バリア層の上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記中間層と前記アレイ層との間には、土手状のリブが形成され、前記リブは前記中間層と接触していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- および前記中間層は前記光学シートと
前記表示領域には光学シートが貼り付けられ、前記光学シートと前記中間層及び前記土手状リブはオーバーラップしていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 前記湾曲可能な基板の背面には支持基板が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記支持基板はガラスであることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
- 前記表示装置は有機ＥＬ表示装置であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- フレキシブル表示装置の製造方法であって、
支持基板の上にフレキシブル基板を形成し、
前記フレキシブル基板の上に表示領域と端子部を形成し、
前記表示領域にアレイ層を形成し、
前記端子部に中間層を形成し、
前記アレイ層と前記中間層を覆って光学シートを貼り付け、
前記光学シートを前記表示領域と前記端子部との境界において切断し、
前記端子部に形成された前記中間層をアブレージョンすることによって、前記端子部を覆う前記光学シートを除去することを特徴とするフレキシブル表示装置の製造方法。 - 前記端子部に残った前記中間層の残渣をプラズマアッシャーまたはドライエッチングによって除去することを特徴とする請求項１７に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。
- フレキシブル表示装置の製造方法であって、
支持基板の上にフレキシブル基板を形成し、
前記フレキシブル基板の上に表示領域と端子部を形成し、
前記表示領域にアレイ層を形成し、
前記アレイ層と前記端子部との間に土手状にリブを形成し、
前記リブをストッパーとして、前記端子部に樹脂を塗布し、焼成して中間層とし、
前記アレイ層と前記中間層を覆って光学シートを貼り付け、
前記光学シートを前記表示領域と前記端子部との境界において切断し、
前記端子部に形成された前記中間層をアブレージョンすることによって、前記端子部を覆う前記光学シートを除去することを特徴とするフレキシブル表示装置の製造方法。 - 前記端子部に残った前記中間層の残渣をプラズマアッシャーまたはドライエッチングによって除去することを特徴とする請求項１９に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016102474A JP2017211420A (ja) | 2016-05-23 | 2016-05-23 | 表示装置及びその製造方法 |
| US15/478,347 US20170338441A1 (en) | 2016-05-23 | 2017-04-04 | Display device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016102474A JP2017211420A (ja) | 2016-05-23 | 2016-05-23 | 表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017211420A true JP2017211420A (ja) | 2017-11-30 |
Family
ID=60331066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016102474A Pending JP2017211420A (ja) | 2016-05-23 | 2016-05-23 | 表示装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20170338441A1 (ja) |
| JP (1) | JP2017211420A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020197678A (ja) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| US11450834B2 (en) | 2018-02-27 | 2022-09-20 | Japan Display Inc. | Display device including an adhesive bonded polarization plate |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108666352A (zh) * | 2018-05-14 | 2018-10-16 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板母板、显示面板及其制作方法 |
| CN108877519B (zh) * | 2018-06-26 | 2020-10-23 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示装置 |
| KR20200021577A (ko) * | 2018-08-20 | 2020-03-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102608963B1 (ko) * | 2019-03-19 | 2023-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| EP3785897B1 (en) | 2019-08-29 | 2021-12-29 | SHPP Global Technologies B.V. | Transparent, flexible, impact resistant, multilayer film comprising polycarbonate copolymers |
| CN110556059A (zh) * | 2019-09-03 | 2019-12-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示装置及提升其稳定性的方法 |
-
2016
- 2016-05-23 JP JP2016102474A patent/JP2017211420A/ja active Pending
-
2017
- 2017-04-04 US US15/478,347 patent/US20170338441A1/en not_active Abandoned
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11450834B2 (en) | 2018-02-27 | 2022-09-20 | Japan Display Inc. | Display device including an adhesive bonded polarization plate |
| US11963380B2 (en) | 2018-02-27 | 2024-04-16 | Japan Display Inc. | Display device including an adhesive bonded polarization plate |
| JP2020197678A (ja) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| JP7373104B2 (ja) | 2019-06-05 | 2023-11-02 | ＪＤＩ Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ 合同会社 | 表示装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20170338441A1 (en) | 2017-11-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2017211420A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| US8557067B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence panel | |
| US9887384B2 (en) | Method for producing flexible display device, and flexible display device | |
| US9356084B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
| KR101888447B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법 | |
| US10818855B2 (en) | Method of manufacturing an organic light emitting diode display | |
| JP2014048619A (ja) | フレキシブルデバイスの製造方法 | |
| JP2017187705A (ja) | 表示装置 | |
| JP2017191283A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| JP5887245B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| TW201521196A (zh) | 顯示裝置之製造方法及系統 | |
| JP2014149517A (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| KR102017086B1 (ko) | 도너 기판 및 도너 기판을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| WO2018179168A1 (ja) | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置、成膜装置 | |
| JP2017208254A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| KR102336684B1 (ko) | 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법 | |
| JP2018098085A (ja) | 表示装置 | |
| CN110506306B (zh) | 显示装置、显示装置的制造方法、显示装置制造设备 | |
| US10170530B2 (en) | Display device including first and second substrates, one including a pad electrode | |
| CN110021626B (zh) | 可折叠显示装置和制造可折叠显示装置的方法 | |
| JP2011107432A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
| US20190326513A1 (en) | Manufacturing method for el device | |
| US11551975B2 (en) | Method for manufacturing electronic device | |
| JP2018101017A (ja) | 表示装置形成用基板、表示装置および表示装置の製造方法 | |
| JP6885099B2 (ja) | 表示装置の製造方法および光照射装置 |