JP2011107432A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザー光を用いてスクライブラインを形成する工程を用いる場合、導電性を備えた端子部分と平面的に重なるガラス板をレーザースクライブすると同時に、当該ガラス板を透過して、端子部分にもレーザー光が照射される。スクライブ用のレーザー光の強度は、ガラス板に損傷を与えるべく高い光強度を備えており、端子部分が損傷を与えてしまうという課題がある。
【解決手段】レーザー光Ｌが照射されるＣＦ基板１６と、電極端子３０を備える素子基板１との間にシール層としての第２封止層２２を形成してレーザースクライブを行う。電極端子３０には、第２封止層２２で吸収されることで減衰したレーザー光が照射される。そのため、電極端子３０が受ける損傷を抑えてレーザースクライブすることが可能となる。
【選択図】図４

Description

本発明は、電気光学装置の製造方法に関する。

可撓性を備えた電気光学装置として、総厚３００μｍ以下程度の電気光学装置が開発されてきている。電気光学装置は、外部からの信号や電力の供給を受けて動作するため、外部回路と信号や電力の伝達を行う、導電性を備えた端子が露出した構造を取ることが好適である。端子を露出させるためには、端子を備えたガラス基板と対向するガラス基板をスクライブ（溝形成）し、ブレーク（割る）した後に、端子を露出させる工程が用いられてきている。薄型ガラス板をスクライブする場合、機械的にスクライブを行うと、ガラス基板がスクライブラインと異なる方向に割れる、あるいは欠ける、という不良が発生してしまう。そのため、レーザー光を用いてスクライブラインを描画し、ブレークする（スクライブラインの描画と共にブレークしても良い）技術が知られている。

図９は、レーザー光Ｌを用いてスクライブラインを形成する工程を説明するための模式断面図である。この場合、導電性を備えた電極端子３０と平面的に重なるＣＦ基板１６をレーザースクライブすると同時に、ＣＦ基板１６を透過して、電極端子３０にもレーザー光Ｌが照射される。スクライブ用のレーザー光Ｌの強度は、ガラス板に損傷を与えるべく高い光強度を備えており、電極端子３０に損傷を与えてしまうという課題がある。そこで、特許文献１に示すように、端子部分に絶縁物を堆積して後、金属を堆積し、端子部分へレーザー光が照射されることによる損傷を抑制する製造方法が開示されている。

特開２００４−９４１７３号公報

しかしながら、特許文献１におけるレーザー光の進入を抑制する抑制膜としては、パターニングされた絶縁膜と、パターニングされた金属膜（光反射を行う膜）を必要とする。この場合、絶縁膜の成膜を行った後フォトリソグラフィ工程を行い、部分的に絶縁膜を
形成する工程が必要となる。加えて、金属膜の成膜を行った後フォトリソグラフィ工程を行い、絶縁膜と重ねて部分的に金属膜を形成する工程も必要となる。従って、製造工程が増加する。そのため製造工程の増加に伴う不良率の上昇、工程増加に伴うコストの増加、仕掛かり中の製品が増えることによる在庫の増加等の課題が発生する。さらに、このように工程を増やして形成した絶縁膜や金属膜は、製品の特性向上にはなんら機能しないという課題がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例にかかる電気光学装置の製造方法は、平面形状を備えた第１ガラス板を用意する工程と、平面視で表示領域を前記第１ガラス板の内側に形成し、前記表示領域の外側に電極端子を形成する工程と、前記電極端子を覆うシール層を形成する工程と、前記第１ガラス板と前記シール層を介して対向する位置に第２ガラス板を貼り合わせる工程と、前記第２ガラス板側からレーザー光を照射し、前記シール層と平面視で重なる領域にある前記第２ガラス板にスクライブラインを形成すると共に、前記第２ガラス板を通過した前記レーザー光の少なくとも一部を前記シール層に吸収させる工程と、前記第２ガラス板に形成された前記スクライブラインに沿って、前記表示領域の外側に位置する前記第２ガラス板を除去する工程と、平面視で露出した前記シール層の少なくとも一部を除去し、前記電極端子を露出させる工程と、を備えることを特徴とする。
これによれば、第１ガラス板が備える電極端子に与える損傷を抑えた状態で、第２ガラス板にレーザー光を用いてスクライブラインを形成することが可能となる。シール層はレーザー光の少なくとも一部を吸収し減衰させるため、電極端子は減衰したレーザー光を受けることとなり、レーザー光による損傷を抑制することが可能となる。加えて、シール層は気密層としての機能も有するため、水分や酸素の透過を抑えることが可能となり、電気光学装置の信頼性を向上させることが可能となる。

［適用例２］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法であって、前記シール層は紫外線硬化樹脂であり、前記シール層の除去は、平面視で露出した前記シール層の少なくとも一部に紫外線を照射し、脆性化させることで行うことを特徴とする。
上記した適用例によれば、紫外線の照射により脆性化した領域は容易に除去できる。また、紫外線の照射は光学的な制御で行えるため、精密に位置合わせを行うことができる。そのため、微細化に対応することが可能となる。

［適用例３］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法であって、前記シール層は熱硬化樹脂であり、前記シール層の除去は熱エネルギーを局部的に加えて脆性化させることで行うことを特徴とする。
上記した適用例によれば、熱エネルギーを局部的に加える手段として赤外線レーザー等を用いることができる。この場合、赤外線の照射は光学的な制御で行えるため、精密に位置合わせを行うことができる。そのため、微細化に対応することが可能となる。

［適用例４］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法であって、前記シール層は機械的に除去することを特徴とする。
上記した適用例によれば、紫外線や熱に対して影響を受けない物質でシール層を形成することが可能となり、より気密性が高いシール層を形成することが可能となる。例えば、水分や酸素の透過を抑えることが可能となり、電気光学装置の信頼性を向上させることが可能となる。

［適用例５］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法であって、前記シール層の形成は、紫外線硬化樹脂に紫外線よりも弱い強度で紫外線を照射し、硬化させることで行うことを特徴とする。
上記した適用例によれば、容易に塗布できる物質を用いて塗布し、硬化させることでシール層を形成するため、シール層の形成を容易に行うことが可能となる。

［適用例６］本適用例にかかる電気光学装置の製造方法は、平面形状を備えた第１ガラス板を用意する工程と、平面視で表示領域を前記第１ガラス板の内側に形成し、前記表示領域の外側に電極端子を形成する工程と、前記電極端子が備える、各々の電極の一部を露出させてシール層を形成する工程と、前記第１ガラス板と前記シール層を介して対向する位置に第２ガラス板を貼り合わせる工程と、前記第２ガラス板側から前記シール層と平面視で重なる領域にレーザー光を照射し、前記第２ガラス板にスクライブラインを形成すると共に、前記第２ガラス板を通過した前記レーザー光の少なくとも一部を前記シール層に吸収させる工程と、前記第２ガラス板に形成された前記スクライブラインに沿って、前記表示領域の外側に位置する前記第２ガラス板を除去する工程と、を備えることを特徴とする。
これによれば、第１ガラス板が備える電極端子に与える損傷を抑えた状態で、第２ガラス板にレーザー光を用いてスクライブラインを形成することが可能となる。また、電極端子が露出した状態でシール層を形成するため、電極端子を露出させる工程を省くことが可能となる。そのため、シール層に剥離可能な樹脂を用いる必要がなくなる。そのため、剥離し難い、耐久性や酸素、水分の阻止性能に優れた樹脂を用いることが可能となり、より信頼性が高い電気光学装置の製造方法を提供することが可能となる。

電気光学装置の構造を示す斜視図。 図１に示す斜視図のｆ−ｆ線断面図。 図２の表示パネルにおけるｄ部の拡大図。 （ａ），（ｂ）は、表示パネルを製造するための工程断面図。 （ａ），（ｂ）は表示パネルを製造するための工程断面図。 表示パネルを製造するための工程を示す斜視図。 （ａ），（ｂ）は、第２の実施形態を説明するための工程断面図。 （ａ），（ｂ）は、第２の実施形態を説明するための工程断面図。 背景技術を示すための模式断面図。

（第１の実施形態：電気光学装置の構成−１）
以下、電気光学装置の構成について図面を用いて説明する。図１は電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構造を示す斜視図、図２は、図１に示す斜視図のｆ−ｆ線断面図である。ここでは、フラットパネルディスプレイとして有機ＥＬ装置１００を用いた例について説明する。なお、有機ＥＬ装置１００以外の応用に対しても対応可能であり、例えば液晶装置や電子ペーパーに対しても対応可能である。また、有機ＥＬ装置１００を用いた照明等の用途にも転用することが可能である。特に無影灯や、光の照射パターンを調整可能な光源として好適である。また、第１ガラス板としての素子基板１と第２ガラス板としてのＣＦ（カラーフィルター）基板１６に挟まれる、後述する図３に示す有機ＥＬ層８も含んでいる。

ここで、図２に示すように、ＣＦ基板１６から素子基板１に向かう方向を第１方向とし、素子基板１からＣＦ基板１６に向かう方向を第２方向として説明を続ける。素子基板１の第１方向側には、接着層２６ａが備えられている。そして、接着層２６ａの第１方向側には、炭素繊維を含む樹脂等を用いた放熱層２７が備えられている。素子基板１と放熱層２７とは、接着層２６ａにより素子基板１と固着されている。

また、放熱層２７の第１方向側には、接着層２６ｂが備えられている。そして、接着層２６ｂの第１方向側には、保護フィルム２８ａが備えられている。保護フィルム２８ａは、接着層２６ｂにより放熱層２７と固着されている。また、ＣＦ基板１６の第２方向側には、接着層２６ｃが備えられている。そして、接着層２６ｃの第２方向側には、保護フィルム２８ｂが備えられている。保護フィルム２８ｂは、接着層２６ｃにより固着されている。換言すれば、保護フィルム２８ａ，２８ｂによってラミネートされた構造を備えている。

有機ＥＬ装置１００が備える表示パネル１８は、素子基板１と、ＣＦ基板１６を備えている。また表示パネル１８全面を覆うように配置された接着層２６ａ〜２６ｃには、素子基板１、ＣＦ基板１６、および保護フィルム２８ａ，２８ｂとの接着性、柔軟性、透明性（光取り出し性）、フレキシブル基板２０のモールド性（絶縁性と耐熱性）等の条件を満たす機能が必要となる。

これらの機能を満たすため、接着層２６ａ〜２６ｃの材料として、耐水性（低吸水率）や絶縁性、柔軟性、透明性、低温溶着性を有するポリエチレンや、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等をベースとした樹脂を用いている。また、保護フィルム２８ａ，２８ｂに用いる樹脂には、透明性と耐水性が重視される。具体的にはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）や、ポリカーボネート等を用いることが好適である。

図１に示すように、表示パネル１８は、マトリックス状に配置された複数の画素を含む表示領域Ｖを備えている。そして、表示領域Ｖの外側には、額縁３５を備えている。また、柔軟性を確保するために、表示パネル１８を構成する、素子基板１、ＣＦ基板１６の厚さは、それぞれ１０μｍ以上１２０μｍ以下に設定されている。表示領域Ｖには、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色画素が周期的に配置されており、各画素が出射する表示光によりフルカラーの画像が表示される。

なお、カラー表示を行う表示パネルに限定するものではなく、モノクロ表示を行う表示パネルであっても良い。また、照明等の光源としても適用可能である。本実施形態では、表示領域Ｖは、一辺が、この一辺と端で接続される２辺よりも長い（図１の場合では図面の横方向が長い）長方形をなしており、図１を含む各図においては、当該横方向をＸ軸方向とし、横方向よりも短い縦方向をＹ軸方向と定義している。また、表示パネル１８の厚さ方向をＺ軸方向としている。また、表示領域Ｖ側の面を表面、その反対側の面を裏面という。また、表示領域Ｖは正方形でも良い。

ここで、図２に示すように、表示パネル１８は、素子基板１と、ＣＦ基板１６とから構成されており、その一端には、素子基板１の一辺がＣＦ基板１６から張出した張出し領域が形成されている。この張出し領域には、フレキシブル基板２０が接続されている。なお、フレキシブル基板２０とは、フレキシブルプリント回路基板の別称である。また、フレキシブル基板２０には、駆動用ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）２１が実装され、その端部には外部機器と接続するための複数の電極端子３０（図３参照）が形成されている。

フレキシブル基板２０の表面には、接着層２６ｃが備えられ、接着層２６ｃを介して保護フィルム２８ｂ、が貼り付けられている。そして、フレキシブル基板２０の裏面には、接着層２６ａを介して放熱層２７が貼り付けられている。そして、放熱層２７と重ねて接着層２６ｂが備えられ、保護フィルム２８ａが貼り付けられている。

（電気光学装置の構成−２）
続けて、有機ＥＬ装置を用いた例について封止層近傍の構成について説明する。図３は、図２の表示パネル１８におけるｄ部の拡大図である。以下、表示パネル１８のｄ部について説明を行う。表示パネル１８は、素子基板１、素子層２、駆動トランジスター３、平坦化層４、反射層５、画素電極６、隔壁７、電気光学層としての有機ＥＬ層８、共通電極９、電極保護層１０、緩衝層１１、ガスバリア層１２、充填材１３、ＣＦ層１４、第１封止層１５、第２封止層２２、ＣＦ基板１６等を含んでいる。

また、素子基板１とＣＦ基板１６とに挟持された部位のことを機能層１７という。換言すれば、素子層２からＣＦ層１４までの積層構造を機能層１７という。素子基板１は、透明な無機ガラスから構成されている。本実施形態では、好適例として、無アルカリガラスを用いている。素子層２には、各画素をアクティブ駆動するための画素回路を備えている。画素回路は、画素を選択するための選択トランジスターとなるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や、有機ＥＬ層８に電流を流すための駆動トランジスター３等を備えている。なお、本実施形態では、第１封止層１５近傍まで表示に寄与するよう記載しているが、状況により、フォトリソグラフ工程等の均一性を確保するため、第１封止層１５近傍はダミーエリアとし、表示に用いない場合もある。本実施形態では、表示に寄与する場合を想定している。

素子層２の上層（Ｚ軸（−）方向）には、例えば、アクリル樹脂などからなる絶縁層である平坦化層４が形成されている。平坦化層４の上層には、画素ごとに区画されて、反射層５と、画素電極６とがこの順番で積層されている。反射層５は、例えば、アルミニウム等を用いた反射層であり、有機ＥＬ層８から素子基板１側に向かう光を反射して、表示に寄与する光にする。画素電極６は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）や、ＺｎＯ等の透明電極から構成されており、画素ごとに素子層２の駆動トランジスター３のドレイン端子と平坦化層４を貫通するコンタクトホールにより接続されている。隔壁７は、光硬化性の黒色樹脂などから構成され、平面的に各画素を格子状に区画している。なお、素子層２における駆動トランジスター３を含む画素回路は、光による誤動作を防止するために、平面的に隔壁７と重なるように配置されている。

有機ＥＬ層８は、画素電極６、および隔壁７を覆うよう配置されている。また、図３においては一層の構成となっているが、実際は、それぞれが有機物の薄膜からなる正孔輸送層、発光層、電子注入層などから構成されており、画素電極６上にこの順番に積層されている。正孔輸送層は、芳香族ジアミン（ＴＰＡＢ２Ｍｅ−ＴＰＤ，α−ＮＰＤ）などの昇華性の材料から構成されている。発光層は、赤、緑、青の３色を組み合わせて形成される白色光を放射する多層からなる有機発光材料薄膜から構成されている。電子注入層は、ＬｉＦ（フッ化リチウム）などから構成されている。共通電極９は、ＭｇＡｇなどの金属を、光を透過するようにごく薄く成膜した金属薄膜層である。さらに、抵抗を下げるため、ＺｎＯなどの金属酸化物やＴｉＮなどの金属窒化物層など透明導電膜を積層しても良い。

電極保護層１０は、ＳｉＯ₂や、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ_xＮ_yなどの透明、かつ、高密度で、水分を遮断する機能を有する材質から構成されている。緩衝層１１は、熱硬化性のエポキシ樹脂などの透明な有機緩衝層である。ガスバリア層１２は、ＳｉＯ₂や、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ_xＮ_yなどの透明、かつ、高密度で、水分を遮断する機能を有する封止層であり、有機ＥＬ層８への水分の浸入を防止する機能を担う。充填材１３は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂などからなる透明な接着層であり、ガスバリア層１２とＣＦ層１４との間の凹凸面に充填されるとともに、両者を接着する。また、外部から、有機ＥＬ層８への水分の浸入を防ぐ機能も果たす。

ＣＦ基板１６は、素子基板１と同様な無機ガラスから構成されており、有機ＥＬ層８側（Ｚ軸（＋）側）には、ＣＦ層１４が形成されている。ＣＦ層１４には、赤色カラーフィルター１４ｒ、緑色カラーフィルター１４ｇ、青色カラーフィルター１４ｂが画素配置と同様に配置されている。詳しくは、各色のカラーフィルターは、それぞれが対応する画素電極６と重なるように配置されており、各カラーフィルター間には、ハッチングで示した遮光部が形成されている。遮光部は、平面的に隔壁７と重なるように格子状に形成されており、光学的には、ブラックマトリックスの機能を果たす。

このように構成された各画素からは、カラーフィルターの色調に対応した表示光が出射される。例えば、赤色画素の場合、有機ＥＬ層８で放射された白色光は、赤色カラーフィルター１４ｒによって赤色光が選択されて、赤色の表示光としてＣＦ基板１６から出射される。また、緑色、青色の画素においても同様である。これにより、表示領域Ｖでは、ＣＦ基板１６から出射される複数のカラー画素からの表示光によりフルカラーの画像が表示されることになる。

ここで、表示パネル１８の構成は、トップエミッション型に限定するものではなく、２枚のガラス基板間に、電気光学層を挟持した構成であれば良い。例えば、有機ＥＬ層８が発する光を素子基板１側から出射するボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置であっても良い。また、無機ＥＬを光源として備えた無機ＥＬ表示装置であっても良い。また、透過型や反射型の液晶装置を用いても良い。加えて、電子ペーパーとも称される表示装置を用いても良い。さらに、蛍光灯等を代替する照明用に用いても良い。

また、素子基板１の一辺がＣＦ基板１６から張出した張出し領域には、電極端子３０を介してフレキシブル基板２０が接続されている。フレキシブル基板２０は、例えば、ポリイミドフィルムの基材に銅箔などの配線パターンが形成され、当該パターン上に、ドライバーＩＣ等が実装された柔軟性を有する基板であり、素子基板１に形成された透明電極との間で、異方性導電接着フィルムなどにより、電気的な接続が取られている。ここで、電極端子３０を介して素子基板１とフレキシブル基板２０との導通を取るためには、フレキシブル基板２０実装前にＣＦ基板１６が取り去られ、かつ電極端子３０が露出していることが好ましい。

（電気光学装置の製造方法）
以下、図面を用いて、表示パネル１８を形成するための製造方法について説明する。図４（ａ）、（ｂ）、図５（ａ）、（ｂ）は、表示パネルを製造するための工程断面図、図６は、表示パネルを製造する工程を示す斜視図である。

まず、平面形状を備えた第１ガラス板としての素子基板１を用意する。次に、素子層２、駆動トランジスター３、平坦化層４、反射層５、画素電極６、隔壁７、有機ＥＬ層８、共通電極９、電極保護層１０、緩衝層１１、ガスバリア層１２、までを表示領域Ｖ内部に形成する。そしてこの工程の前、後、あるいは途中で、平面的に額縁３５（図１参照）内に位置する電極端子３０を形成しておく。一方、ＣＦ層１４が形成された第２ガラス板としてのＣＦ基板１６を用意する。そうして、第１封止層１５、シール層としての第２封止層２２を形成しておく。第２封止層２２は、例えば紫外線硬化樹脂（例えば積水化学工業株式会社製の自己剥離ペースト：商品名未定）をディスペンス法等を用いて塗布した後、脆性発生を起こさない強度（例えば３００ｍＪ／ｃｍ²程度）の紫外光（ＹＡＧ第３高調波レーザー等）を照射して固化させたものを用いることができる。そして、充填材１３を挟持するように素子基板１とＣＦ基板１６とを貼り合わせる。ここまでの工程を終えたものを図４（ａ）に示す。ここで、第２封止層２２には、通常の紫外線硬化樹脂や、熱硬化樹脂を用いても良い。また、シール状の樹脂を素子基板１とＣＦ基板１６とのいずれかに貼り付けて後、封止しても良い。

次に、ＣＦ基板１６側から例えば炭酸ガスレーザー（波長１０．６μｍ）光等のレーザー光Ｌを光学系３３により絞った後ＣＦ基板１６に照射してレーザースクライブを行う。この工程を行っている状態の工程断面図を図４（ｂ）に示す。そして斜視図を図６に示す。レーザースクライブを行う場合に、レーザー光ＬはＣＦ基板１６に照射され、ＣＦ基板１６を通過した後、第２封止層２２を介して素子基板１に形成された電極端子３０に照射される。そのため、第２封止層２２に吸収され、減衰した状態でレーザー光Ｌは電極端子３０に到達することとなり、電極端子３０が受けるレーザー光起因の損傷を低減することが可能となる。ここで、レーザー光Ｌは点状に収束し、走査するように照射する。走査条件としては、レーザー光強度３０Ｗ、走査速度１００ｍｍ／ｓｅｃ程度の条件を用いることが好ましい。

次に、スクライブ工程を通したＣＦ基板１６の破片を除去する。レーザースクライブ条件により、ＣＦ基板１６はスクライブラインに沿って割れている場合や、スクライブラインが入った状態で保持されている場合がある。保持されている場合には、力を少し掛けるだけで割れるので、割った（ブレーキング）後除去する。ここまでの工程を終えたものを図５（ａ）に示す。

次に、紫外線や赤外線（加熱）を用い、ＣＦ基板１６から露出した状態にある第２封止層２２を硬化（脆性化）させて除去する。第２封止層２２を上記した樹脂を用いて形成する場合、脆性発生を起こす強度（例えば３０００ｍＪ／ｃｍ²程度）の紫外線、または加熱を行うことで脆性化する。この工程を行う際に接着界面にＮ₂ガスが発生するため隙間が空き、容易に剥離することが可能となる。また、使用する樹脂によっては、機械的に力を掛けて剥離する工程を用いることも好適である。特に、通常の紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、２液硬化樹脂等を用いた場合には、機械的剥離は有効な手段となる。ここまでの工程を終えたものを図５（ｂ）に示す。

次に、フレキシブル基板２０を電極端子３０と重ねて実装することで、電極端子３０が受ける損傷を抑えて、表示領域Ｖ内部と外部との間を電気的に接続することが可能となる。ここまでの工程を終えることで図３に示す構造が形成される。この場合、第２封止層２２によっても気密封止がなされるため、気密性に優れた構造を形成することが可能となる。また、この場合、第１封止層１５は必須のものではなく、省略可能である。ここで、第２封止層２２は額縁３５中に形成されるため、紫外線が照射されることはない。そのため、高い信頼性を保って動作させることが可能となる。

また、液晶装置や電子ペーパー等を用いる構成についても対応可能であり、例えば液晶装置に対応させるためには、第１封止層１５により液晶を保持させることで対応可能となる。同様に、複数のマイクロカプセル、複数のマイクロカプセルを保持するバインダーを第１封止層１５の内側に形成することで対応可能である。ここで、第１封止層１５を省略して、第２封止層２２の内側に液晶やバインダーを封入しても良い。

（第２の実施形態：電気光学装置の別の製造方法）
次に、別の電気光学装置の製造方法について説明する。図７（ａ）、（ｂ）および図８（ａ）、（ｂ）は、本実施形態を説明するための工程断面図である。上記した実施形態との主な相違点は、第２封止層２２は電極端子３０の一部を露出させるように形成されていることである。この場合、レーザースクライブ後に第２封止層２２を硬化（脆性化）させて除去する工程を省略することが可能となる。

まず、平面形状を備えた第１ガラス板としての素子基板１に素子層２、駆動トランジスター３、平坦化層４、反射層５、画素電極６、隔壁７、有機ＥＬ層８、共通電極９、電極保護層１０、緩衝層１１、ガスバリア層１２、までを表示領域Ｖ内部に形成する。そして、平面的に額縁３５内に、電極端子３０を形成しておく。一方、ＣＦ層１４が形成された第２ガラス板としてのＣＦ基板１６を用意する。そうして、第１封止層１５、第２封止層２２を形成しておく。第２封止層２２は、紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂に加え、紫外線や熱に対してあまり影響を受けないエポキシ樹脂やアクリル樹脂等を用いることができる。また、シール状の樹脂を素子基板１とＣＦ基板１６とのいずれかに貼り付けて後、封止しても良い。ここまでの工程を終えたものを図７（ａ）に示す。

次に、ＣＦ基板１６側から例えば炭酸ガスレーザー（波長１０．６μｍ）等を用いてレーザースクライブを行う。この工程を行っている状態の工程断面図を図７（ｂ）に示す。レーザースクライブを行う場合に、レーザー光ＬはＣＦ基板１６に照射され、ＣＦ基板１６を通過した後、第２封止層２２を介して素子基板１に形成された電極端子３０に照射される。そのため、第２封止層２２に吸収され、減衰した状態でレーザー光は電極端子３０に到達することとなり、電極端子３０が受けるレーザー光起因の損傷を低減することが可能となる。ここで、レーザー光Ｌは点状に収束し、走査するように照射する。走査条件としては、レーザー光強度３０Ｗ、走査速度１００ｍｍ／ｓｅｃ程度の条件を用いることが好ましい。

次に、スクライブ工程を通したＣＦ基板１６の破片を除去する。レーザースクライブ条件により、ＣＦ基板１６は割れている場合や、スクライブラインが入った状態で保持されている場合があるが、保持されている場合には、力を少し掛けるだけで割れるので、割った後除去する。ここまでの工程を終えたものを図８（ａ）に示す。

次に、フレキシブル基板２０を電極端子３０と重ねて実装することで、電極端子３０が受ける損傷を抑えて、表示領域Ｖ内部と外部との間を電気的に接続することが可能となる。ここまでの工程を終えたものを図８（ｂ）に示す。この場合、第２封止層２２によっても気密封止がなされるため、気密性に優れた構造を形成することが可能となる。また、この場合、第１封止層１５は必須のものではなく、省略可能である。さらには、紫外線や熱に対して反応しない樹脂を用いることができるため、例えば気密性、信頼性に優れたＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の樹脂を用いることが可能となる。この場合においても、上記した実施形態同様、液晶装置や電子ペーパー等を用いる構成について対応可能である。

１…第１ガラス板としての素子基板、２…素子層、３…駆動トランジスター、４…平坦化層、５…反射層、６…画素電極、７…隔壁、８…有機ＥＬ層、９…共通電極、１０…電極保護層、１１…緩衝層、１２…ガスバリア層、１３…充填材、１４…ＣＦ層、１４ｂ…青色カラーフィルター、１４ｇ…緑色カラーフィルター、１４ｒ…赤色カラーフィルター、１５…第１封止層、１６…第２ガラス板としてのＣＦ基板、１７…機能層、１８…表示パネル、２０…フレキシブル基板、２１…駆動用ＩＣ、２２…シール層としての第２封止層、２６ａ…接着層、２６ｂ…接着層、２６ｃ…接着層、２７…放熱層、２８ａ…保護フィルム、２８ｂ…保護フィルム、３０…電極端子、３３…光学系、３５…額縁、１００…有機ＥＬ装置、Ｌ…レーザー光。

Claims (6)

1. 平面形状を備えた第１ガラス板を用意する工程と、
   平面視で表示領域を前記第１ガラス板の内側に形成し、前記表示領域の外側に電極端子を形成する工程と、
   前記電極端子を覆うシール層を形成する工程と、
   前記第１ガラス板と前記シール層を介して対向する位置に第２ガラス板を貼り合わせる工程と、
   前記第２ガラス板側からレーザー光を照射し、前記シール層と平面視で重なる領域にある前記第２ガラス板にスクライブラインを形成すると共に、前記第２ガラス板を通過した前記レーザー光の少なくとも一部を前記シール層に吸収させる工程と、
   前記第２ガラス板に形成された前記スクライブラインに沿って、前記表示領域の外側に位置する前記第２ガラス板を除去する工程と、
   平面視で露出した前記シール層の少なくとも一部を除去し、前記電極端子を露出させる工程と、
   を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、前記シール層は紫外線硬化樹脂であり、前記シール層の除去は、平面視で露出した前記シール層の少なくとも一部に紫外線を照射し、脆性化させることで行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
3. 請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、前記シール層は熱硬化樹脂であり、前記シール層の除去は熱エネルギーを局部的に加えて脆性化させることで行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
4. 請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、前記シール層は機械的に除去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
5. 請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、前記シール層の形成は、紫外線硬化樹脂に紫外線よりも弱い強度で紫外線を照射し、硬化させることで行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. 平面形状を備えた第１ガラス板を用意する工程と、
   平面視で表示領域を前記第１ガラス板の内側に形成し、前記表示領域の外側に電極端子を形成する工程と、
   前記電極端子が備える、各々の電極の一部を露出させてシール層を形成する工程と、
   前記第１ガラス板と前記シール層を介して対向する位置に第２ガラス板を貼り合わせる工程と、
   前記第２ガラス板側から前記シール層と平面視で重なる領域にレーザー光を照射し、前記第２ガラス板にスクライブラインを形成すると共に、前記第２ガラス板を通過した前記レーザー光の少なくとも一部を前記シール層に吸収させる工程と、
   前記第２ガラス板に形成された前記スクライブラインに沿って、前記表示領域の外側に位置する前記第２ガラス板を除去する工程と、
   を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

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