JP2014149517A - 表示装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】生産性を向上することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１表示素子部及び第１延在部と、第２表示素子部及び第２延在部と、を形成した第１基板を用意し、第１表示素子部と対向する位置の第１剥離補助層と、第２表示素子部と対向し第１剥離補助層から離間した第２剥離補助層と、第１延在部及び第２延在部と対向する位置の犠牲層と、第１剥離補助層の上に位置する第１カラーフィルタ層と、第２剥離補助層の上に位置する第２カラーフィルタ層と、を形成した第２基板を用意し、第１表示素子部と第１カラーフィルタ層とを接着するとともに第２表示素子部と第２カラーフィルタ層とを接着し且つ第１延在部及び第２延在部と犠牲層とが対向した状態で第１基板と第２基板とを貼り合わせ、第２基板に向けてレーザー光を照射して犠牲層で当該レーザー光を遮光する一方で第１剥離補助層及び第２剥離補助層から第２支持基板を剥離する表示装置の製造方法。
【選択図】図６

Description

本発明の実施形態は、表示装置の製造方法に関する。
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置や液晶表示装置などの平面表示装置は、各種分野で利用されている。近年、携帯電話やＰＤＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）などの携帯情報端末機器では、より薄く且つより軽い表示装置への要求が高まっている。例えば、より薄型化及び軽量化を実現する方法として、ガラス基板の代わりにポリイミドなど比較的耐熱性が高い樹脂層をガラス基板上に形成し、樹脂層上にＴＦＴなどを形成した後にセル化を行い、最終的にガラス基板から樹脂層を剥離することでシートディスプレイを製造する技術が提案されている。
しかしながら、このようなプロセスでは、マザーガラス基板を用いて多数のパネルを一括して組み立てた後に、単個のパネルに切り離す際に、貼り合わせた双方のマザーガラス基板とともに樹脂層を割断する必要があり、パネルに対して画像を表示するのに必要な信号供給源を実装する電極の取り出しが困難となる。このため、生産性の向上が求められている。
特開２０１２−２７１７７号公報
本実施形態の目的は、生産性を向上することが可能な表示装置の製造方法を提供することにある。
本実施形態によれば、
第１支持基板の上の第１領域に位置する第１表示素子を含む第１表示素子部及び第１実装部を含む第１延在部と、前記第１支持基板の上の前記第１領域に隣接した第２領域に位置する第２表示素子を含む第２表示素子部及び第２実装部を含む第２延在部と、を形成した第１基板を用意し、第２支持基板の上において、前記第１表示素子部と対向する位置の第１剥離補助層と、前記第２表示素子部と対向し前記第１剥離補助層から離間した第２剥離補助層と、前記第１延在部及び前記第２延在部と対向する位置の犠牲層と、前記第１剥離補助層の上に位置する第１カラーフィルタ層と、前記第２剥離補助層の上に位置する第２カラーフィルタ層と、を形成した第２基板を用意し、前記第１表示素子部と前記第１カラーフィルタ層とを接着するとともに前記第２表示素子部と前記第２カラーフィルタ層とを接着し、且つ、前記第１延在部及び前記第２延在部と前記犠牲層とが対向した状態で前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせ、前記第２基板に向けてレーザー光を照射して、前記犠牲層で当該レーザー光を遮光する一方で前記第１剥離補助層及び前記第２剥離補助層から前記第２支持基板を剥離する、表示装置の製造方法が提供される。
図１Ａは、本実施形態の表示装置１の表示素子部１２０を含む断面構造を概略的に示す図である。 図１Ｂは、本実施形態の表示装置１の延在部ＡＲＥを含む断面構造を概略的に示す図である。 図１Ｃは、本実施形態の表示装置１の延在部ＡＲＥを含む他の断面構造を概略的に示す図である。 図２は、本実施形態の表示装置１の製造方法を説明するための図であり、第１マザー基板Ｍ１を用意する工程を説明するための図である。 図３は、本実施形態の表示装置１の製造方法を説明するための図であり、第２マザー基板Ｍ１を用意する工程を説明するための図である。 図４は、図３に示した第２マザー基板Ｍ２の概略平面図である。 図５は、本実施形態の表示装置１の製造方法を説明するための図であり、第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを貼り合わせる工程を説明するための図である。 図６は、本実施形態の表示装置１の製造方法を説明するための図であり、第２マザー基板Ｍ２の支持基板２００を剥離する工程を説明するための図である。 図７は、本実施形態の表示装置１の製造方法を説明するための図であり、第１マザー基板Ｍ１を割断する工程を説明するための図である。 図８は、本実施形態の表示装置１の製造方法を説明するための図であり、割断されたチップＣ１に信号供給源３００を実装する工程を説明するための図である。 図９は、本実施形態の表示装置１の製造方法を説明するための図であり、第１マザー基板Ｍ１の支持基板１００を剥離する工程を説明するための図である。 図１０は、本実施形態の表示装置１の他の製造方法を説明するための図であり、第１マザー基板Ｍ１を用意する工程を説明するための図である。 図１１は、本実施形態の表示装置１の他の製造方法を説明するための図であり、第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを貼り合わせる工程を説明するための図である。 図１２は、本実施形態の表示装置１の他の製造方法を説明するための図であり、第２マザー基板Ｍ２の支持基板２００を剥離する工程を説明するための図である。 図１３は、本実施形態の表示装置１の他の製造方法を説明するための図であり、第１マザー基板Ｍ１の支持基板１００を剥離する工程を説明するための図である。 図１４は、本実施形態の表示装置１の他の製造方法を説明するための図であり、第２マザー基板Ｍ２を用意する工程を説明するための図である。 図１５は、本実施形態の表示装置１の他の製造方法を説明するための図であり、第２マザー基板Ｍ２の支持基板２００を剥離する工程を説明するための図である。
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したもの同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
図１Ａは、本実施形態の表示装置１の表示素子部１２０を含む断面構造を概略的に示す図である。ここでは、シート状の表示装置１の一例として、有機ＥＬ表示装置について説明する。
図示した表示装置１は、アクティブマトリクス駆動方式を採用したものであり、アレイ基板ＡＲと、対向基板ＣＴとを備えている。アレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０を用いて形成されている。アレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０の内面１０Ａ側に、スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３などを備えている。
第１絶縁基板１０は、樹脂基板であり、例えば、ポリイミド（ＰＩ）を主成分とする材料によって形成されている。この第１絶縁基板１０は、例えば、５乃至３０μｍの厚さを有している。第１絶縁基板１０を形成する材料としては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアラミドなど耐熱性が高い樹脂材料を用いることが望ましい。なお、第１絶縁基板１０は、透明であっても良いし、不透明であっても良い。
第１絶縁基板１０の内面１０Ａは、第１絶縁膜１１によって覆われている。この第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０からのイオン性の不純物の浸入や、第１絶縁基板１０を介した水分などの浸入を抑制する内面バリア膜として機能する。このような第１絶縁膜１１は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）やシリコン酸化物（ＳｉＯ）やシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機系材料によって形成され、単層もしくは積層体によって構成されている。なお、第１絶縁膜１１は、バリア性能を満たし且つ透明性が確保できる他の材料で形成されていても良い。また、第１絶縁基板１０の内面１０Ａ側に位置する他の絶縁膜が内面バリア膜として機能する場合には、この第１絶縁膜１１を省略しても良い。
スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３は、第１絶縁膜１１の上に形成されている。これらのスイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３は、例えば、それぞれ半導体層ＳＣを備えた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３は、いずれも同一構造であるが、ここでは、スイッチング素子ＳＷ１に着目してその構造をより具体的に説明する。
図示した例では、スイッチング素子ＳＷ１は、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であっても良い。半導体層ＳＣは、例えば、アモルファスシリコンやポリシリコンであっても良いが、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）の少なくとも１つを含む酸化物によって形成された酸化物半導体であっても良い。酸化物半導体は、アモルファスシリコンやポリシリコンよりも低温プロセスでの形成が可能である。特に、ＩＧＺＯなどの酸化物半導体は、アモルファスシリコン半導体層を具備する薄膜トランジスタを製造してきた製造装置をそのまま使用することも可能となるため、製造設備の投資コストを抑える点でも好ましい。
半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１の上に形成され、第２絶縁膜１２によって覆われている。第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。第２絶縁膜１２の上には、スイッチング素子ＳＷ１のゲート電極ＷＧが形成されている。ゲート電極ＷＧは、第３絶縁膜１３によって覆われている。第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。
第３絶縁膜１３の上には、スイッチング素子ＳＷ１のソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤが形成されている。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、それぞれ半導体層ＳＣにコンタクトしている。これらのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第４絶縁膜１４によって覆われている。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３の上にも配置されている。
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、第４絶縁膜１４の上に形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１はスイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続されている。
これらの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の発光色はいずれも白色である。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、いずれも対向基板ＣＴの側に向かって光を放射するトップエミッションタイプとして構成されている。このような有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、いずれも同一構造である。
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、第４絶縁膜１４の上に形成された陽極ＰＥ１を備えている。この陽極ＰＥ１は、スイッチング素子ＳＷ１のドレイン電極ＷＤとコンタクトし、スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。同様に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続された陽極ＰＥ２を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続された陽極ＰＥ３を備えている。これらの陽極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されても良いし、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、あるいはこれらの合金などの金属材料によって形成されても良いし、これらの積層体であっても良い。トップエミッションタイプの場合、陽極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、反射性の高い金属材料によって形成されることが望ましい。
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、さらに、有機発光層ＯＲＧ及び陰極ＣＥを備えている。有機発光層ＯＲＧは、陽極ＰＥ１乃至ＰＥ３の上にそれぞれ位置している。また、有機発光層ＯＲＧは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に亘って途切れることなく連続的に形成されている。陰極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧの上に位置している。また、陰極ＣＥは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に亘って途切れることなく連続的に形成されている。このような陰極ＣＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料や半透過性の導電材料などによって形成されている。
つまり、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、陽極ＰＥ１、有機発光層ＯＲＧ、及び、陰極ＣＥによって構成されている。同様に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は、陽極ＰＥ２、有機発光層ＯＲＧ、及び、陰極ＣＥによって構成され、また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、陽極ＰＥ３、有機発光層ＯＲＧ、及び、陰極ＣＥによって構成されている。なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３において、陽極ＰＥ１乃至ＰＥ３の各々と有機発光層ＯＲＧとの間には、さらに、ホール注入層やホール輸送層が介在していても良いし、また、有機発光層ＯＲＧと陰極ＣＥとの間には、さらに、電子注入層や電子輸送層が介在していても良い。
図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、それぞれリブ１５によって区画されている。リブ１５は、第４絶縁膜１４の上に形成され、陽極ＰＥ１乃至ＰＥ３のそれぞれのエッジをカバーしている。なお、このリブ１５については、詳述しないが、例えば、第４絶縁膜１４の上において格子状またはストライプ状に形成されている。このようなリブ１５は、有機発光層ＯＲＧによって覆われている。つまり、有機発光層ＯＲＧは、陽極ＰＥ１乃至ＰＥ３の上のみならず、リブ１５の上にも延在している。
また、図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、透明な封止膜５０によって封止されている。この封止膜５０は、少なくともその表面が透明な無機系材料（例えば、シリコン窒化物やシリコン酸化物など）によってカバーされた構成である。例えば、封止膜５０は、無機系材料からなる薄膜の単層構造であっても良いし、無機系材料からなる薄膜の積層体であっても良いし、無機系材料からなる無機膜と有機系材料からなる有機膜とを交互に積層した積層体であっても良い。このような封止膜５０は、水分、酸素、水素などの汚染物質から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を保護するバリア膜として機能する。
表示素子部１２０は、アレイ基板ＡＲのうち、複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが並んだ領域に相当し、実質的に画像を表示する表示領域である。
対向基板ＣＴは、透明な第２絶縁基板３０を用いて形成されている。対向基板ＣＴは、第２絶縁基板３０の内面３０Ａ側に、ブラックマトリクスＢＭ、第１カラーフィルタ３１、第２カラーフィルタ３２、及び、第３カラーフィルタ３２などを備えている。
第２絶縁基板３０は、透明な樹脂基板であり、例えば、ポリイミド（ＰＩ）を主成分とする材料によって形成されている。この第２絶縁基板３０は、例えば、５乃至３０μｍの厚さを有している。第２絶縁基板３０を形成する材料としては、第１絶縁基板１０と同様の材料が適用できる。特に、この第２絶縁基板３０は、トップエミッションタイプの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３から出射された光が透過するため、透明性の高い材料（上記した材料の中ではポリイミド）で形成されることが望ましい。
ブラックマトリクスＢＭは、内面３０Ａに形成され、リブ１５の上方に位置している。このブラックマトリクスＢＭは、例えば、格子状またはストライプ状に形成されている。第１カラーフィルタ３１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と対向し、白色のうちの青色波長の光を透過する青色カラーフィルタである。第２カラーフィルタ３２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と対向し、白色のうちの緑色波長の光を透過する緑色カラーフィルタである。第３カラーフィルタ３３は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と対向し、白色のうちの赤色波長の光を透過する赤色カラーフィルタである。第１カラーフィルタ３１と第２カラーフィルタ３２との境界、第２カラーフィルタ３２と第３カラーフィルタ３３との境界、及び、第１カラーフィルタ３１と第３カラーフィルタ３３との境界は、ブラックマトリクスＢＭと重なり、リブ１５の上方に位置している。
このようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、透明な接着剤４０によって接着されている。つまり、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と第１カラーフィルタ３１との間、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と第２カラーフィルタ３２との間、及び、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と第３カラーフィルタ３３との間には、それぞれ接着剤４０が介在している。図示した例では、陰極と接着剤４０との間には、さらに、封止膜５０が介在している。
このような表示装置１によれば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３のそれぞれが発光した際、それぞれの放射光（白色光）は、第１カラーフィルタ３１、第２カラーフィルタ３２、または第３カラーフィルタ３３を介して外部に出射される。このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１から放射された白色光のうち、青色波長の光が第１カラーフィルタＣＦ１を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２から放射された白色光のうち、緑色波長の光が第２カラーフィルタＣＦ２を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３から放射された白色光のうち、赤色波長の光が第３カラーフィルタＣＦ３を透過する。これにより、カラー表示が実現される。
図１Ｂは、本実施形態の表示装置１の延在部ＡＲＥを含む断面構造を概略的に示す図である。
延在部ＡＲＥは、アレイ基板ＡＲのうち、対向基板ＣＴの基板端部ＣＴＥよりも外側に延在した部分に相当する。図示した例では、延在部ＡＲＥは、表示素子部１２０から延在した第１絶縁基板１０の上に、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４を積層した構成であるが、図示した例に限らない。
延在部ＡＲＥには、実装部１３０が形成されている。この実装部１３０は、表示素子部１２０に対して表示に必要な信号を供給する信号供給源を実装するために端子などからなるものである。このような実装部１３０に実装される信号供給源としては、駆動ＩＣチップやフレキシブルプリント回路基板などが含まれる。なお、延在部ＡＲＥには、図示していないが、ゲート電極やソース電極、陽極などと同一層に形成された各種配線、各種回路などが形成されている。実装部１３０の各端子は、これらの各種配線や各種回路に電気的に接続されている。
アレイ基板ＡＲにおいて、封止膜５０は、表示素子部１２０をカバーしており、延在部ＡＲＥを露出している。つまり、封止膜５０は、実装部１３０を覆っていない。このため、封止膜５０は、信号供給源を実装部１３０に実装する際の妨げにならない。このように封止膜５０は、基板端部ＣＴＥの位置付近で途切れているが、その端面は封止膜５０を構成する無機膜によって覆われている。つまり、封止膜５０が有機膜を含む構成であったとしても、その端面は無機膜によって覆われ、端面から有機膜が露出して外気（あるいは外気に含まれる水分）に曝されることを抑制している。
対向基板ＣＴについては、詳細を省略するが、第２絶縁基板３０の内面３０Ａは、周辺遮光層ＳＨによって覆われている。この周辺遮光層ＳＨは、表示素子部１２０の最外周に位置している。このような周辺遮光層ＳＨは、ブラックマトリクスＢＭと同一材料によって一体的に形成されている。このような対向基板ＣＴは、アレイ基板ＡＲと接着剤４０によって接着されている。
図１Ｃは、本実施形態の表示装置１の延在部ＡＲＥを含む他の断面構造を概略的に示す図である。
図１Ｃに示した例は、図１Ｂに示した例と比較して、周辺遮光層ＳＨが第２絶縁基板３０の内面３０Ａのみならず端面３０Ｅも覆っている点で相違している。なお、他の構成は、図１Ｂに示した例と同一である。このような周辺遮光層ＳＨは、ブラックマトリクスＢＭと同一材料によって一体的に形成されている。
次に、本実施形態における表示装置１の製造方法の一例について説明する。
まず、図２に示すように、第１マザー基板Ｍ１を用意する。すなわち、無アルカリガラスなどからなる支持基板（ガラス基板）１００の上に、ポリイミド前駆体化合物をスリットコーター等の成膜装置を用いて５〜３０μｍ（一例として１０μｍ）の厚さで成膜した後に、加熱処理することによって硬化させ、透明な剥離補助層１１０を形成する。この剥離補助層１１０は、上記の第１絶縁基板（樹脂基板）１０に相当する。図示した例では、剥離補助層１１０は、支持基板１００の上の第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び、第３領域Ａ３に亘り、途切れることなく連続的に延在している。
そして、剥離補助層１１０の上の第１領域Ａ１に位置する表示素子部１２１及び延在部ＡＲＥ１と、剥離補助層１１０の上の第２領域Ａ２に位置する表示素子部１２２及び延在部ＡＲＥ２と、剥離補助層１１０の上の第３領域Ａ３に位置する表示素子部１２３及び延在部ＡＲＥ３と、をそれぞれ形成する。表示素子部１２１及び延在部ＡＲＥ１を含む第１領域Ａ１、表示素子部１２２及び延在部ＡＲＥ２を含む第２領域Ａ２、及び、表示素子部１２３及び延在部ＡＲＥ３を含む第３領域Ａ３は、互いに隣接しているが、後に第１マザー基板Ｍ１を割断する際のマージンを確保して、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び、第３領域Ａ３のそれぞれの間に隙間を設けることが望ましい。
表示素子部１２１乃至１２３のそれぞれは、上記した表示素子部１２０と同一構造であり、それぞれマトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子からなる。また、延在部ＡＲＥ１乃至ＡＲＥ３のそれぞれは、上記した延在部ＡＲＥと同一構造である。図示した例では、延在部ＡＲＥ１は実装部１３１を含み、延在部ＡＲＥ２は実装部１３２を含み、延在部ＡＲＥ３は実装部１３３を含んでいる。
表示素子部１２１乃至１２３は、それぞれ以下のようにして形成される。すなわち、剥離補助層１１０の上に第１絶縁膜１１を形成し、第１絶縁膜１１の上にスイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４などを形成する。同時に、各種配線も形成する。配線は、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などの配線材料を用いて形成されている。そして、第４絶縁膜１４の上に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を形成する。すなわち、第４絶縁膜１４の上に、陽極ＰＥ１乃至ＰＥ３を形成した後にリブ１５を形成し、そして、有機発光層ＯＲＧ、及び、陰極ＣＥを順次形成する。その後、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の上に封止膜５０を形成する。なお、ここでは各表示素子部１２１乃至１２３の詳細な構造の図示を省略している。
続いて、図３及び図４に示すように、第２マザー基板Ｍ２を用意する。すなわち、無アルカリガラスなどからなる支持基板（ガラス基板）２００の内面２００Ａに、ポリイミド前駆体化合物をスリットコーター等の成膜装置を用いて５〜３０μｍ（一例として１０μｍ）の厚さで成膜した後に、加熱処理することによって硬化させ、その後にフォトリソグラフィプロセスを用いてパターニングすることにより、透明な剥離補助層２１１乃至２１３を形成する。これらの剥離補助層２１１乃至２１３は、それぞれ上記の第２絶縁基板（樹脂基板）３０に相当する。剥離補助層２１１は、第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを貼り合わせた際に、第１領域Ａ１の表示素子部１２１と対向する位置に形成されている。同様に、剥離補助層２１２は第２領域Ａ２の表示素子部１２２と対向する位置に形成され、剥離補助層２１３は第３領域Ａ３の表示素子部１２３と対向する位置に形成されている。これらの剥離補助層２１１乃至２１３は、互いに離間している。つまり、剥離補助層２１１乃至２１３のそれぞれは、支持基板２００の内面２００Ａに島状に形成されている。換言すると、剥離補助層２１１乃至２１３のそれぞれは、最終製品である有機ＥＬ表示装置の第２絶縁基板３０と同一の外形サイズとなるようにパターニングされている。要するに、延在部ＡＲＥ１乃至ＡＲＥ３と対向する位置には、いずれの剥離補助層も延在していない。
また、支持基板２００の内面２００Ａには、犠牲層２１０を形成する。すなわち、犠牲層２１０は、図３に示した断面図においては、剥離補助層２１１と剥離補助層２１２との間、剥離補助層２１２と剥離補助層２１３との間、剥離補助層２１１と剥離補助層２１３との間などに位置している。つまり、犠牲層２１０は、第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを貼り合わせた際に、延在部ＡＲＥ１乃至ＡＲＥ３と対向する位置にそれぞれ形成されている。図４に示した平面図においては、犠牲層２１０は、格子状に形成され、剥離補助層２１１乃至２１３のそれぞれの周囲を取り囲むように形成されている。このような犠牲層２１０は、ポリイミドを主成分とし、色素材料を分散した材料によって形成された着色層に相当する。
ここで犠牲層２１０に適用可能な色素材料について、必要な特性を説明する。後述するように、剥離補助層２１１乃至２１３を支持基板２００から剥離する際に、レーザー光が照射される。ポリイミドは、照射されたレーザー光のエネルギーを吸収しやすい特性を有している。犠牲層２１０に含まれる色素材料は、当該レーザー光のエネルギー吸収効率が透明な剥離補助層２１１乃至２１３よりも高い材料が選択される。一例として、犠牲層２１０は、黒色樹脂層である。すなわち、犠牲層２１０は、ポリイミドを母材とし、黒色色素を分散した黒色の樹脂材料によって形成される。
このような犠牲層２１０の膜厚は、剥離補助層２１１乃至２１３の膜厚よりも薄く、数μｍ程度である。一例として、犠牲層２１０の膜厚は、１乃至２μｍ程度である。
図３及び図４に示した例では、支持基板２００の内面２００Ａの略全体は、透明な剥離補助層２１１乃至２１３及び着色された犠牲層２１０によって覆われている。なお、犠牲層２１０は、少なくともアレイ基板ＡＲの延在部ＡＲＥ１乃至ＡＲＥ３と対向する領域に形成されていれば良い。また、犠牲層２１０は、剥離補助層２１１乃至２１３を形成する以前に形成しても良いし、剥離補助層２１１乃至２１３を形成した後に形成しても良い。
そして、剥離補助層２１１の上に位置するカラーフィルタ層２２１と、剥離補助層２１２の上に位置するカラーフィルタ層２２２と、剥離補助層２１３の上に位置するカラーフィルタ層２２３と、をそれぞれ形成する。カラーフィルタ層２２１乃至２２３は、いずれも同一構造であり、それぞれ第１カラーフィルタ（青色カラーフィルタ）３１、第２カラーフィルタ（緑色カラーフィルタ）３２、及び、第３カラーフィルタ（赤色カラーフィルタ）３３、ブラックマトリクスＢＭ、周辺遮光層ＳＨなどを含んでいる。ブラックマトリクスＢＭ及び周辺遮光層ＳＨは、剥離補助層２１１乃至２１３の上にそれぞれ形成されている。剥離補助層２１１乃至２１３を形成した後に犠牲層２１０を形成する場合には、犠牲層２１０は、ブラックマトリクスＢＭ及び周辺遮光層ＳＨと同一材料によって同時に形成することが可能である。図示した例では、第１カラーフィルタ３１、第２カラーフィルタ３２、第３カラーフィルタ３３は、いずれもストライプ状に形成され、この順に繰り返し並んでいる。カラーフィルタ層２２１乃至２２３のそれぞれの表面には、接着剤４０が塗布されている。
なお、犠牲層２１０は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の遮光性の金属材料によって形成されても良い。このような犠牲層２１０は、上記の金属材料を用いて、ブラックマトリクスＢＭ及び周辺遮光層ＳＨと同一材料によって同時に形成されても良い。犠牲層２１０は、着色樹脂材料で形成する場合と同様に、照射されたレーザーの光のエネルギーを吸収しやすい特性を有していても良いし、その表面でレーザー光を反射しやすい特性を有していても良い。エネルギーを吸収しやすい特性を有する金属材料にて犠牲層２１０を形成する場合、エネルギー吸収に伴う熱破壊を生じないことが好ましい。
このような犠牲層２１０の膜厚は、レーザー光のエネルギーを十分に吸収又は好適に反射できる程度の膜厚とすれば良く、例として５０ｎｍ乃至５００ｎｍ程度、好ましくは１００ｎｍ乃至２００ｎｍ程度である。
続いて、図５に示すように、第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを貼り合わせる。なお、図５以降については、カラーフィルタ層２２１乃至２２３のそれぞれについて、ブラックマトリクス及び周辺遮光層の図示を省略する。表示素子部１２１とカラーフィルタ層２２１とを接着剤４０により接着し、表示素子部１２２とカラーフィルタ層２２２とを接着剤４０により接着し、表示素子部１２３とカラーフィルタ層２２３とを接着剤４０により接着する。このとき、延在部ＡＲＥ１乃至ＡＲＥ３は、犠牲層２１０と対向している。
続いて、図６に示すように、第２マザー基板Ｍ２について、剥離補助層２１１乃至２１３から支持基板２００を剥離し、支持基板２００を除去する。すなわち、第２マザー基板Ｍ２について、支持基板２００の外面２００Ｂの側から支持基板２００の略全面に亘ってレーザー光を照射する。このとき、照射するレーザー光の光源としては、支持基板２００と剥離補助層２１１乃至２１３との界面において局所的なエネルギーの吸収を示す光源（レーザー装置）や熱源（電磁波照射装置）を用いることができ、ここでは、ＴＦＴのポリシリコンを製造する工程で用いられるエキシマレーザー装置を用いた。
このようなレーザー光の照射により、犠牲層２１０においては、レーザー光は遮光される（あるいは吸収される）一方で、剥離補助層２１１乃至２１３においては、レーザー光は適度に吸収され、熱エネルギーとなって剥離補助層２１１乃至２１３と支持基板２００との界面付近で、剥離補助層の一部が気化するなどして、支持基板２００と剥離補助層２１１乃至２１３とがそれぞれ分離する。これにより、第１マザー基板Ｍ１の上に、接着剤４０によって接着されたカラーフィルタ層２２１乃至２２３、及び、剥離補助層２１１乃至２１３が転写される。このような手法は、レーザーアブレーションなどと称されている。
なお、犠牲層２１０は、図示した例のように、支持基板２００の内面２００Ａに付着した状態で剥離補助層２１１乃至２１３と分離され、支持基板２００とともに除去される場合もあるし、レーザー光を吸収した際に気化して消失する場合もあるし、剥離補助層２１１乃至２１３とともに第１マザー基板Ｍ１の上（実装部１３０の上）に残る場合もあり得る。
続いて、図７に示すように、第１マザー基板Ｍ１を割断する。図示した例では、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間（より厳密には、実装部１３１と表示素子部１２２との間）、及び、第２領域Ａ２と第３領域Ａ３との間（より厳密には、実装部１３２と表示素子部１２３との間）でそれぞれ第１マザー基板Ｍ１を割断する。このとき、支持基板１００及び剥離補助層１１０を一括して割断する。このような第１マザー基板Ｍ１の割断は、例えば、ＣＷ（Continuous Wave）炭酸ガスレーザーを照射することで行った。
これにより、それぞれ分離されたチップＣ１乃至Ｃ３が得られる。チップＣ１には、表示素子部１２１と、実装部１３１を含む延在部ＡＲＥ１とが含まれる。チップＣ２には、表示素子部１２２と、実装部１３２を含む延在部ＡＲＥ２とが含まれる。チップＣ３には、表示素子部１２３と、実装部１３３を含む延在部ＡＲＥ３とが含まれる。
続いて、図８に示すように、分離したチップＣ１について、実装部１３１に信号供給源３００を実装する。このとき、支持基板１００が残っているため、信号供給源３００を実装する際に印加される押圧力に対して、チップＣ１の支持強度を十分に確保することができる。図示しないが、チップＣ２の実装部１３２及びチップＣ３の実装部１３３にもそれぞれ信号供給源を実装する。
続いて、図９に示すように、各チップについて、剥離補助層１１０から支持基板１００を剥離し、支持基板１００を除去する。詳述しないが、図６に示したレーザーアブレーションと同様に、支持基板１００の外面の側から剥離補助層１１０に向けてレーザー光を照射し、支持基板１００と剥離補助層１１０とを分離する。このときの光源としては、図６で説明したのと同様に、エキシマレーザーを用いた。
これにより、本実施形態の表示装置１が製造される。
上記の本実施形態によれば、第２マザー基板Ｍ２において、剥離補助層２１１乃至２１３のそれぞれは、最終製品である有機ＥＬ表示装置の第２絶縁基板３０と同一サイズに予めパターニングされている。このような剥離補助層２１１乃至２１３の上に、カラーフィルタ層２２１乃至２２３を形成した第２マザー基板Ｍ２と、ＴＦＴアレイ構造を有する第１マザー基板Ｍ１と貼り合わせた後に、第２マザー基板Ｍ２から支持基板２００を剥離することで、第２マザー基板Ｍ２の割断工程を省略することが可能となる。このため、実装部１３１乃至１３３の上方の位置での割断処理を回避することができる。
特に、剥離補助層２１１乃至２１３を形成するに際して、カラーフィルタプロセスやＴＦＴアレイプロセスにおいて適用可能なフォトリソグラフィ技術を用いることで、トムソン刃による穴あけ加工と比較して、数百倍以上の精細度と精度で剥離補助層２１１乃至２１３のパターニングを行うことが可能となる。
また、第１絶縁基板１０は、耐熱性に優れたポリイミドなどの樹脂材料によって形成されているため、その上に形成するＴＦＴアレイ（各種絶縁膜やスイッチング素子、配線などを含む）や有機ＥＬ素子の寸法精度を保つことが可能となる。同様に、第２絶縁基板３０も、耐熱性に優れたポリイミドなどの樹脂材料によって形成されているため、その上に形成するカラーフィルタなどの寸法精度を保つことが可能となる。このため、表示素子部とカラーフィルタ層との貼り合せ精度の低下を抑制することが可能となる。
特に、５〜３０μｍの厚さの第１絶縁基板１０を用いた構成では、ＴＦＴアレイを製造するに際して、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルの生産ラインで使用されている装置類を殆ど改造することなく利用することができるため、生産コストの低下が可能となるとともに、液晶表示パネルの量産技術の踏襲など生産性の確保が容易となる。
また、第１絶縁基板１０及び第２絶縁基板３０として樹脂基板を適用した構成であるため、ガラス基板を適用した表示装置と比較して、薄型化及び軽量化が可能であるとともに、柔軟性が高く、形状の自由度が高い。また、樹脂基板は、比較的高い吸湿性を有しているが、第１絶縁基板１０の内面１０Ａは内面バリア膜である第１絶縁膜１１によって覆われているため、第１絶縁基板１０として樹脂基板を適用した構成であっても、第１絶縁基板１０を介した水分の侵入を抑制することが可能となる。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、透明な封止膜５０によって封止されているため、第２絶縁基板３０の側からの水分の進入も抑制することが可能となる。これにより、有機発光層ＯＲＧの水分による劣化を抑制することができ、ダークスポットの発生による表示品位の低下を抑制することが可能となる。
加えて、本実施形態によれば、第２マザー基板Ｍ２において、剥離補助層２１１乃至２１３のそれぞれが表示素子部１２１乃至１２３と対向するように予め分断されている一方で、延在部ＡＲＥ１乃至ＡＲＥ３と対向する位置には、犠牲層２１０が配置されている。このため、剥離補助層２１１乃至２１３から支持基板２００を剥離する際に第２マザー基板Ｍ２に向けて照射されるレーザー光は、剥離補助層２１１乃至２１３で適度に吸収されて支持基板２００から分離される一方で、犠牲層２１０で当該レーザー光を遮光（あるいは吸収）する。これにより、犠牲層２１０と対向する延在部ＡＲＥ１乃至ＡＲＥ３へのレーザー光の到達を抑制することが可能となる。これにより、支持基板２００の剥離用のレーザー光による延在部ＡＲＥ１乃至ＡＲＥ３へのダメージ（例えば、ポリイミドなどのレーザー光を吸収しやすい樹脂基板からなる第１絶縁基板１０のアブレーションを起点とした配線や回路の破壊）を抑制することが可能となる。
したがって、薄型化及び軽量化が可能な表示装置の生産性を簡便な手法で向上することが可能となる。
なお、犠牲層２１０が第１マザー基板Ｍ１に残ったとしても、剥離補助層２１１乃至２１３と比較して極めて薄い膜であるため、製造過程で容易に除去できるし、ドライエッチングによって除去しても良い。例えば、アレイ基板ＡＲが封止膜５０を備える構成においては、封止膜５０のうちの無機膜が表示素子部のみならず延在部にも延在している構成では、実装部に信号供給源を実装する前に、実装部の端子を露出するためのドライエッチングを行う。第２絶縁基板あるいは剥離補助層２１１乃至２１３が過度に除去されないような条件でドライエッチングを行うことにより、犠牲層２１０を除去するとともに実装部を覆っている無機膜も除去することが可能となる。
次に、本実施形態における表示装置１の他の製造方法について簡単に説明する。なお、上記の製造方法と重複する説明は省略する。
まず、図１０に示すように、第１マザー基板Ｍ１を用意する。すなわち、支持基板（ガラス基板）１００の上に、剥離補助層１１１乃至１１３を形成する。剥離補助層１１１乃至１１３の形成方法については、剥離補助層２１１乃至２１３の形成方法と同様であり、例えば、ポリイミドを主成分する材料を成膜した後にフォトリソグラフィプロセスを用いてパターニングすることによって形成されている。これらの剥離補助層１１１乃至１１３は、それぞれ上記の第１絶縁基板（樹脂基板）１０に相当する。剥離補助層１１１乃至１１３は、それぞれ第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び、第３領域Ａ３に形成されており、互いに離間している。つまり、剥離補助層１１１乃至１１３のそれぞれは、支持基板１００の上に島状に形成されている。換言すると、剥離補助層１１１乃至１１３のそれぞれは、最終製品である有機ＥＬ表示装置の第１絶縁基板１０と同一の外形サイズとなるようにパターニングされている。
そして、剥離補助層１１１の上に表示素子部１２１及び延在部ＡＲＥ１を形成し、剥離補助層１１２の上に表示素子部１２２及び延在部ＡＲＥ２を形成し、剥離補助層１１３の上に表示素子部１２３及び延在部ＡＲＥ３を形成する。表示素子部１２１乃至１２３のそれぞれは、上記した表示素子部１２０と同一構造であり、説明を省略する。延在部ＡＲＥ１は実装部１３１を含み、延在部ＡＲＥ２は実装部１３２を含み、延在部ＡＲＥ３は実装部１３３を含んでいる。
一方で、図３及び図４に示したのと同一構成の第２マザー基板Ｍ２を用意する。
続いて、図１１に示すように、第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを貼り合わせる。すなわち、表示素子部１２１とカラーフィルタ層２２１とを接着剤４０により接着し、表示素子部１２２とカラーフィルタ層２２２とを接着剤４０により接着し、表示素子部１２３とカラーフィルタ層２２３とを接着剤４０により接着する。このとき、延在部ＡＲＥ１乃至ＡＲＥ３は、犠牲層２１０と対向している。
続いて、図６に示したレーザーアブレーションなどの技術を用いて、図１２に示すように、第２マザー基板Ｍ２について、剥離補助層２１１乃至２１３から支持基板２００を剥離し、支持基板２００を除去する。そして、実装部１３１に信号供給源３０１を実装し、実装部１３２に信号供給源３０２を実装し、実装部１３３に信号供給源３０３を実装する。
続いて、図６に示したレーザーアブレーションなどの技術を用いて、図１３に示すように、第１マザー基板Ｍ１について、剥離補助層１１１乃至１１３から支持基板１００を剥離し、支持基板１００を除去する。すなわち、支持基板１００の外面の側から剥離補助層１１１乃至１１３に向けてレーザー光を照射し、支持基板１００と剥離補助層１１１乃至１１３とをそれぞれ分離する。
これにより、本実施形態の表示装置１が製造される。
このような製造方法においては、上記した製造方法と比較して、第１マザー基板Ｍ１を割断する工程が不要となる。このため、より生産性を向上することが可能となる。
次に、本実施形態における表示装置１の他の製造方法について簡単に説明する。なお、上記の製造方法と重複する説明は省略する。以下の製造方法は、図１Ｃに示した断面構造を有する表示装置１の製造方法の一例である。
まず、図２に示したのと同一構成の第１マザー基板Ｍ１を用意する。以下の説明では、第１マザー基板Ｍ１として図２に示した構成を適用した場合について説明するが、図１０に示したのと同一構成の第１マザー基板Ｍ１を用意しても良い。
一方で、図１４に示すように、第２マザー基板Ｍ２を用意する。すなわち、支持基板２００の内面２００Ａに、剥離補助層２１１乃至２１３を形成した後に、犠牲層２１０及び周辺遮光層ＳＨを形成する。また、犠牲層２１０及び周辺遮光層ＳＨは、ブラックマトリクスＢＭと同一材料によって同時に形成することが可能である。犠牲層２１０は、支持基板２００の内面２００Ａに形成され、剥離補助層２１１と剥離補助層２１２との間、剥離補助層２１２と剥離補助層２１３との間、剥離補助層２１１と剥離補助層２１３との間などに位置している。周辺遮光層ＳＨは、剥離補助層２１１の端面２１１Ｅ、剥離補助層２１２の端面２１２Ｅ、剥離補助層２１３の端面２１３Ｅをそれぞれ覆うように形成されている。このような周辺遮光層ＳＨは、犠牲層２１０に繋がっている。カラーフィルタ層２２１乃至２２３については、図３に示した例と同一構成である。
続いて、図５に示したのと同様にして、第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを貼り合わせる。
続いて、図１５に示すように、第２マザー基板Ｍ２について、剥離補助層２１１乃至２１３から支持基板２００を剥離し、支持基板２００を除去する。すなわち、第２マザー基板Ｍ２について、支持基板２００の外面２００Ｂの側から支持基板２００の略全面に亘ってレーザー光を照射する。このようなレーザー光の照射により、支持基板２００と剥離補助層２１１乃至２１３とがそれぞれ分離する。
なお、犠牲層２１０は、図示した例のように、支持基板２００の内面２００Ａに付着した状態で剥離補助層２１１乃至２１３及び周辺遮光層ＳＨと分離され、支持基板２００とともに除去される。
続いて、図７乃至図９に示したのと同様の工程、あるいは、図１２乃至図１３に示したのと同様の工程を経て、本実施形態の表示装置１が製造される。
このような製造方法によれば、犠牲層２１０及び周辺遮光層ＳＨを一体的に形成するパターニングの際に、犠牲層２１０及び周辺遮光層ＳＨが剥離補助層２１１乃至２１３のそれぞれに対して位置ズレが生じたとしても、剥離補助層２１１乃至２１３と犠牲層２１０との間に隙間を生じないようにすることができる。
剥離補助層２１１乃至２１３と犠牲層２１０との間に隙間が生ずると、支持基板２００を剥離する際に照射されるレーザー光がその隙間を通過して第１マザー基板Ｍ１に直接照射されてしまい、第１マザー基板Ｍ１に形成されている配線層等にダメージを与えてしまう虞がある。これに対して、前述のように製造方法を適用した場合には、別途の製造工程を追加することなく、隙間の形成を防止することができる。このため、支持基板２００を剥離する際のレーザー光を確実に遮蔽することが可能となり、第１マザー基板Ｍ１の配線層等をレーザー光から保護することが可能となる。
また、周辺遮光層ＳＨと一体形成された犠牲層２１０を上述した好適な膜厚で形成することにより、支持基板２００と剥離補助層２１１乃至２１３との剥離力によって、剥離補助層の端面を覆う周辺遮光層ＳＨと支持基板２００の内面２００Ａを覆う犠牲層２１０とが断裂する。このため、周辺遮光層ＳＨと犠牲層２１０とを分断する別工程を追加する必要は無い。
以上説明したように、本実施形態によれば、生産性を向上することが可能な表示装置の製造方法を提供することができる。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
上記の本実施形態では、表示装置の一例として、有機ＥＬ表示装置について説明したが、表示装置の他の例としては液晶表示装置であっても良い。この場合、表示素子部は、陽極の代わりにスイッチング素子に接続された画素電極と、陰極の代わりの共通電極と、有機発光層の代わりに液晶分子を含む液晶層と、を備えて構成され、画素電極と対向電極との間の電界によって液晶分子をスイッチングすることで液晶層を通過する光を変調するものとなる。接着剤４０の代わりに閉ループ状のシール材を適用し、第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを貼り合わせる前に液晶材料をシール材で囲まれた内側に滴下する手法などを適用することが可能である。
また、上記の実施形態では、支持基板１００と剥離補助層１１０との剥離や、支持基板１００と剥離補助層１１１乃至１１３との剥離、支持基板２００と剥離補助層２１１乃至２１３との剥離には、上記のようなレーザーアブレーション技術を適用したが、サーマルラピッドアニール技術などの他の技術も適用可能である。
また、上記の実施形態では、犠牲層２１０は、支持基板２００の剥離用のレーザー光に対する光吸収性が良好な材料、例えば、ブラックマトリクスＢＭと同一材料を用いて形成した場合について説明したが、この例に限らず、犠牲層２１０は、第１カラーフィルタ３１、第２カラーフィルタ３２、第３カラーフィルタ３３などと同一材料を用いて同時に形成しても良い。また、犠牲層２１０は、ポリイミドを主成分とする材料に限らず、ポリアミドイミド、ポリアラミドなどを主成分とする材料を用いて形成しても良い。
また、犠牲層２１０及び周辺遮光層ＳＨが一体的に形成された場合、犠牲層２１０及び周辺遮光層ＳＨは、ブラックマトリクスＢＭと同一材料によって同時に形成しても良いし、ブラックマトリクスＢＭとは別工程で形成しても良い。犠牲層２１０及び周辺遮光層ＳＨは、ブラックマトリクスＢＭとは別工程で形成される場合、第１乃至第３カラーフィルタ３１乃至３３を形成する前に形成しても良いし、第１乃至第３カラーフィルタ３１乃至３３を形成した後に形成しても良い。
１…表示装置 ＡＲ…アレイ基板 ＣＴ…対向基板
ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３…有機ＥＬ素子
１０…絶縁基板 ３０…絶縁基板
３１…第１カラーフィルタ ３２…第２カラーフィルタ ３３…第３カラーフィルタ
４０…接着剤 ５０…封止膜
Ｍ１…第１マザー基板 １００…ガラス基板 １１０（１１１乃至１１３）…剥離補助層 １２１乃至１２３…表示素子部
Ｍ２…第２マザー基板 ２００…ガラス基板 ２１０…犠牲層 ２１１乃至２１３…剥離補助層 ２２１乃至２２３…カラーフィルタ層

Claims (11)

  1. 第１支持基板の上の第１領域に位置する第１表示素子を含む第１表示素子部及び第１実装部を含む第１延在部と、前記第１支持基板の上の前記第１領域に隣接した第２領域に位置する第２表示素子を含む第２表示素子部及び第２実装部を含む第２延在部と、を形成した第１基板を用意し、
    第２支持基板の上において、前記第１表示素子部と対向する位置の第１剥離補助層と、前記第２表示素子部と対向し前記第１剥離補助層から離間した第２剥離補助層と、前記第１延在部及び前記第２延在部と対向する位置の犠牲層と、前記第１剥離補助層の上に位置する第１カラーフィルタ層と、前記第２剥離補助層の上に位置する第２カラーフィルタ層と、を形成した第２基板を用意し、
    前記第１表示素子部と前記第１カラーフィルタ層とを接着するとともに前記第２表示素子部と前記第２カラーフィルタ層とを接着し、且つ、前記第１延在部及び前記第２延在部と前記犠牲層とが対向した状態で前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせ、
    前記第２基板に向けてレーザー光を照射して、前記犠牲層で当該レーザー光を遮光する一方で前記第１剥離補助層及び前記第２剥離補助層から前記第２支持基板を剥離する、表示装置の製造方法。
  2. 前記第１剥離補助層及び前記第２剥離補助層はポリイミドを主成分とする材料によって形成し、前記犠牲層はポリイミドを主成分とし前記第１剥離補助層及び前記第２剥離補助層よりも前記レーザー光のエネルギー吸収効率が高い色素材料を分散した材料によって形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  3. 前記第１カラーフィルタ層及び前記第２カラーフィルタ層は、それぞれ赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタ、及び、ブラックマトリクスを含み、
    前記犠牲層は前記ブラックマトリクスと同一材料によって同時に形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  4. 前記犠牲層の膜厚は、前記第１剥離補助層及び前記第２剥離補助層の膜厚よりも薄い、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  5. 前記第１基板を用意する工程では、前記第１支持基板の上の前記第１領域及び前記第２領域に亘って連続的に延在した第３剥離補助層を形成した後に、前記第３剥離補助層の上の前記第１領域に前記第１表示素子部及び前記第１延在部を形成するとともに前記第２領域に前記第２表示素子部及び前記第２延在部を形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  6. さらに、前記第２支持基板を剥離した後に、前記第１領域と前記第２領域との間で前記第１基板を割断し、
    割断した前記第１領域及び前記第２領域のそれぞれについて、前記第１基板に向けてレーザー光を照射して前記第３剥離補助層から前記第１支持基板を剥離する、請求項５に記載の表示装置の製造方法。
  7. 前記第１基板を用意する工程では、前記第１支持基板の上に第３剥離補助層及び前記第３剥離補助層から離間した第４剥離補助層を形成した後に、前記第３剥離補助層の上に前記第１表示素子部及び前記第１実装部を形成するとともに前記第４剥離補助層の上に前記第２表示素子部及び前記第２実装部を形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  8. さらに、前記第１基板に向けてレーザー光を照射して前記第３剥離補助層及び前記第４剥離補助層から前記第１支持基板を剥離する、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
  9. 前記犠牲層は、金属材料によって形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  10. 前記犠牲層の膜厚は、５０ｎｍ乃至５００ｎｍである、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
  11. 前記犠牲層は、前記第１剥離補助層の端面を覆う第１周辺遮光層及び前記第２剥離補助層の端面を覆う第２周辺遮光層と同一材料によって同時に形成し、前記第１周辺遮光層及び前記第２周辺遮光層のそれぞれと繋がっている、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
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