JP6019997B2 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

Description

本開示は、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して発光する表示装置およびこれを備えた電子機器に関する。

有機ＥＬ素子等の自発光素子を用いた表示装置では、一対の基板の一方に発光素子を設け、他方に遮光性のブラックマトリクスを設けている。このような従来のフルカラー表示装置においては、単色の発光素子の混色によって白色または中間色の表示がなされる。但し、従来の表示装置では、各色の視野角特性が異なるとホワイトバランスが崩れ、白色または中間色に視野角による色度変化が生じるという問題があった。また、各発光素子の単色光も隣接する発光素子からの混色によって視野角による色度変化が生じていた。

そこで、発光素子の発光領域端から遮光膜の開口までの表示面内方向の離間距離を色ごとに異ならせることにより各色の視野角特性の差を小さくし、白色または中間色の視野角による色度変化を抑制する表示装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

また、カラーフィルタを備えた表示装置では、発光素子とカラーフィルタとの間を封止する樹脂層の厚みに依存した隙間（ギャップ）が生じる。このギャップによる隣接するカラーフィルタからの色漏れによって輝度バランスが崩れると共に、単色色度が変化し、広視野角における色差（色ずれ）が生じるという問題があった。

この問題を解決するために、例えばカラーフィルタの下部に所定の厚みを有する樹脂層を設けることにより隣接するカラーフィルタからの色漏れを防止し、広視野角化する手法が開示されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２０１１−４０３５２号公報 特開２００６−７３２１９号公報

しかしながら、上記特許文献１，２の手法は画素寸法の大きな表示装置を前提としているため、画素寸法の小さい（例えば１０μｍ以下）、より高精細な表示装置では隣接画素からの混色の抑制は十分ではなく、広視野角化に対する効果は小さかった。

本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、画素寸法に関わらず高い視野角特性を有する表示装置および電子機器を提供することにある。

本技術の表示装置は、画素ごとに少なくとも異なる色の発光層を含む発光素子が形成された第１基板と、第１基板と対向配置された第２基板とを備えたものであり、第２基板は、発光素子に対応する位置に開口部および開口部の間に遮光部を有する遮光膜と、画素毎に異なる色が配置されると共に、第１基板に面する遮光膜上に色境界を有する色要素とを有し、表示面内方向における遮光部の中心位置と色要素の色境界位置とは一致しない。

本技術の電子機器は、上記表示装置を備えたものである。

本技術の表示装置および電子機器では、遮光部の中心位置に対する色要素の遮光部上に形成された色境界位置を表示面内方向にずらして設けることにより、隣接画素からの混色が適宜、色要素または遮光部によって抑制される。

本技術の表示装置および電子機器によれば、遮光部の中心位置に対する色要素の遮光部上に形成された色境界の位置を表示面内方向にずらして設けるようにしたので、遮光部だけでなく色要素によっても遮光することが可能となる。よって、各画素においてそれぞれ適した遮光を選択して行うことができ、隣接画素からの混色抑制を行うことが可能となる。即ち、画素寸法に関係なく混色開始角度を最適化し、視野角特性を向上させることが可能となる。

本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す平面図である。 図１に示した表示装置の一つの画素を拡大して表す平面図（Ａ）および断面図（Ｂ）である。 図２（Ｂ）に示した画素における遮光経路の模式図である。 図１に示した表示装置の一つの画素構成の他の例を表した断面図である。 図１に示した表示装置の一つの画素構成の他の例を表した平面図（Ａ）および断面図（Ｂ）である。 図１に示した表示装置の構成を表す図である。 図６に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図７に示した発光素子の構成の一例を表す断面図である。 図７に示した有機ＥＬ素子の構成の他の例を表す断面図である。 変形例１に係る画素の構成を表す断面図である。 変形例２に係る画素の構成を表す断面図である。 変形例３に係る画素の構成を表す断面図である。 変形例４に係る画素の構成を表す平面図（Ａ）および断面図（Ｂ）である。 上記実施の形態等の画素を用いた表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 適用例２の外観を表す斜視図である。 適用例２の表側から見た外観を表す斜視図である。 適用例２の裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 適用例５の閉じた状態の正面図、左側面図、右側面図、上面図および下面図である。 適用例５の開いた状態の正面図および側面図である。 比較例および本開示の実施例における遮光経路の変化を表す模式図である。

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（ＲＧＢの３色を備えた表示装置）
１−１．原理説明
１−２．全体構成
２．変形例
変形例１（色要素の膜厚を調整した画素の例）
変形例２（発光領域幅を調整した画素の例）
変形例３（開口幅を調整した画素の例）
変形例４（発光領域幅および開口幅を調整した画素の例）
３．適用例（電子機器の例）
４．実施例

＜１．実施の形態＞
図１は、本開示の一実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の平面構成の一例を表したものである。この表示装置１は、テレビジョン装置などに用いられるものであり、表示領域１１０に複数の画素２を例えば行列状（マトリクス状）に配置した構成を有している。各画素２は、例えば、赤色の単色光を発生する赤色発光素子１０Ｒと、緑色の単色光を発生する緑色発光素子１０Ｇと、青色の単色光を発生する青色発光素子１０Ｂとを有している。発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば後述する有機ＥＬ素子のほか、無機ＥＬ素子，半導体レーザ，ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などにより構成されている。

図２（Ａ）は、図１に示した一つの画素２の平面構成を拡大して表したものである。画素２は、ここでは赤画素２Ｒ，緑画素２Ｇおよび青画素２Ｂの３色の副画素から構成されている。各副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにはそれぞれ対応する発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられている。発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは各々発光領域を有しており、隣り合う発光領域の境界にはブラックマトリクスとしての遮光膜２２の遮光部２２Ｂが位置している。また、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ上には、対応する色の色要素２３（２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ）がそれぞれ設けられている。

発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光領域は、例えば縦長の矩形であり、表示面内垂直方向（Ｙ軸方向）の寸法（以下、長さ）が表示面内水平方向（Ｘ軸方向）の寸法（以下、幅）よりも大きい。各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応する発光領域の大きさは発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの大きさに比例する。本実施の形態では発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの大きさは互いに等しい。なお、ここにいう矩形とは、下層の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の入り具合によって幾何学的に完全な矩形に限らず、下層のＴＦＴ等に対応する切欠き等を有しているような略矩形といえるものも含まれる。また、表示面内とは、図２Ａにおいては紙面に対して平行な面内（ＸＹ平面内）をいう。

遮光膜２２は、図２（Ａ）に示したように各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０ＢのＹ軸方向に対応する位置に開口部２２Ａを、開口部２２Ａの間に遮光部２２Ｂ（２２ＲＧ，２２ＲＢ，２２ＧＢ）を有する。遮光膜２２は、開口部２２Ａによって各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出し、遮光部２２Ｂによって発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収（遮光）して色純度を改善するものである。遮光膜２２は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、クロムと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂Ｏ₃）とを交互に積層したものが挙げられる。

色要素２３は、一般的にカラーフィルタと称されるものであり、遮光膜２２と同様に各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光の取り出しおよび外光の吸収による色純度を改善するものである。色要素２３は、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ上に、例えば各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色に対応する色の色要素２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂがそれぞれ設けられている。色要素２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂは、例えば矩形形状で隙間なく配置されている。色要素２３は、例えば顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することによって目的とする赤，緑あるいは青等の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。

図２（Ｂ）は画素２の図２（Ａ）のＩ−Ｉ線（一点破線）における断面構成を表したものである。発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは第１基板１１に設けられ、遮光膜２２および色要素２３は第２基板２１に設けられている。第１基板１１および第２基板２１は、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂等により構成されている。第１基板１１と第２基板２１とは、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，遮光膜２２および色要素２３を内側にして対向配置され、両者の間には必要に応じて樹脂等よりなる中間層３０が設けられている。

（１−１．原理説明）
本実施の形態では、自画素における隣接画素からの混色は、上述した遮光部２２Ｂ（２２ＲＧ，２２ＲＢ，２２ＧＢ）または色要素２３によって防いでいる。具体的には、色要素２３の色境界の位置を副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂごとに設定することにより隣接画素への混色開始角度および視野角特性を改善する。

遮光膜２２および色要素２３は、第２基板２１上に遮光膜２２，色要素２３の順に形成される。その工程において第２基板２１に設けられた遮光膜２２上に複数色（ここでは赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の３色）の色要素２３（２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ）を配置する場合には、その色境界の位置が隣接する副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの混色開始角度を決定する。この特徴を活かし、本実施の形態では、色要素２３の色境界を遮光部２２Ｂの位置に制限されることなく副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂごとに設定する。具体的には、遮光部２２Ｂの中心位置（Ｃ）と色要素２３の色境界の位置をＸ軸方向の面内方向にずらして配置することにより、「発光素子端と色要素端」および「発光素子端と遮光部端」の２つの経路で混色開始角度を決定する。この２つの経路によって隣接する副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂからの発光光を遮光することにより画素寸法に関わらず、視野角特性を向上させることが可能となる。ここで発光素子端とは、行列状に配置された発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの長さ方向の端部のことである。色要素端および遮光部端についても同様である。

色要素２３の端部による遮光原理は、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂからの光が２種類の色要素２３を透過できないことにある。なお、各副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの開口幅は遮光部２２によって決まるため色要素２３の幅を変更しても各副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの発光効率が変わることはない。

「発光素子端と色要素端」（以下、色要素遮光Ｓ_CF）または「発光素子端と遮光部端」（以下、遮光部遮光Ｓ_BM）となる条件は下記式（１），（２）に示したように右辺および左辺の大小関係によって決定される。具体的には右辺が大きい場合（式（１））の場合には色要素遮光に、左辺が大きい場合（式（２））には遮光部遮光となる。

Ｌ_CF：発光素子端から色要素境界までの距離
Ｌ_BM：発光素子端から隣接画素の遮光部端までの距離
Ｄ_G：セルギャップ（保護膜膜厚と樹脂層膜厚との和（中間層膜厚））
Ｄ_CF：色要素膜厚

式（１）は隣接する副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂからの光を色要素２３の色境界によって遮光する場合の条件式であり、式（２）は遮光部２２Ｂによって遮光する場合の条件式である。換言すると、式（１）は色要素２３の色境界が混色開始角度となり、式（２）は遮光部２２Ｂの端部が混色開始角度となる。上記式（１），（２）の右辺と左辺の値が近い場合（例えば、式（２）のＬ_CF値をＬ_BM値に近づけることによって符号が変わる場合）には、自画素と隣接画素との間における遮光経路を変えることができる。以下に、各副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおける色要素遮光および遮光部遮光の最適化条件について述べる。

自画素と隣接画素との間における遮光経路は以下のように使い分けることが好ましい。自画素の色要素２３の透過光波長よりも隣接画素の色要素２３の波長が短い場合には、隣接画素からの混色を色要素２３の端部によって遮光することが好ましい。一方、自画素の色要素２３の透過光波長よりも隣接画素の色要素２３の波長が長い場合には、隣接画素からの混色を遮光部２２Ｂによって遮光することが好ましい。これは、色要素２３の透過光波長が長い方の副画素における遮光を遮光部２２Ｂによって行う場合には、回折角度の波長依存によって混入した光は低角に抜け、単色色度視野角が悪化するためである。

一方、隣接画素の色要素２３の透過光波長（発光素子１０の発光波長）が短い場合には、自画素への混色光の遮光は色要素２３の端部によって行うことが好ましい。即ち、色要素２３の色境界を自画素寄りに設けることにより、隣接画素からの混色を効果的に防ぐことが可能となる。

図３は本実施の形態における画素２の断面構成および各副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ間における遮光経路を模式的に表したものである。なお、第１基板１１および第２基板２１は省略している。具体的には、赤色発光素子１０Ｒ，緑色発光素子１０Ｇおよび青色発光素子１０Ｂのうち、最も発光波長の短い青色発光素子１０Ｂ上の色要素２３Ｂの幅を広くする。即ち、青画素２Ｂから隣接画素２Ｒ，２Ｇへの混色光は色要素２３Ｂの端部によって遮光される。また、隣接画素２Ｒ，２Ｇから青画素２Ｂへの混色光は遮光部２２Ｂによって遮光される。

なお、図３からわかるように、色要素２３の端部によって遮光している側の遮光部２２Ｂ（例えば赤画素３Ｒ上の遮光部２２Ｂ）は遮光に寄与していない。このため、色要素遮光によって遮光されている副画素における遮光部２２Ｂは不要となる。よって、図４に示した画素３のように、遮光部２２Ｂ、具体的には赤画素３Ｒ上の遮光部２２ＲＢ，２２ＲＧおよび緑画素３Ｇの青画素３Ｂ側の遮光部２２ＧＢは色要素２３の色境界上まで削除しても構わない。これにより、赤画素３Ｒおよび緑画素３Ｇの開口率が向上すると共に、発光効率が向上する。また、長寿命化も可能となる。

また、本実施の形態では画素２の構成を赤画素２Ｒ，緑画素２Ｇおよび青画素２Ｂの３色としたがこれに限らず、例えば図５（Ａ），（Ｂ）に示した画素４のように白画素４Ｗを加えた４色としてもよい。その場合には、図５（Ｂ）に示したように、白画素４Ｗ上の白色要素２３Ｗの幅は狭く、即ち、隣接画素の発光色に関わらず色要素２３の色境界を自画素（白画素４Ｗ）寄りに設けることが好ましい。また、白画素４Ｗから隣接画素への混色光の遮光は色要素２３による遮光が不可能であるため、必ず遮光部遮光となる。

（１−２．全体構成）
図６は、表示装置１の一例を表すものである。この表示装置１は、上述したように発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとして有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬテレビジョン装置などとして用いられるものであり、例えば、表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０を有している。

表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が設けられている。図７は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する下部電極１４の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。即ち、この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタにより構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。

画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（副画素）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。

図８は発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの断面構成を表したものである。発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、第１基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１、平坦化絶縁膜１３、陽極としての下部電極１４、電極間絶縁膜１５、後述する発光層１６Ｃを含む有機層１６、および陰極としての上部電極１７がこの順に積層された発光素子である。駆動トランジスタＴｒ１は、平坦化絶縁膜１３に設けられた接続孔１３Ａを介して下部電極１４に電気的に接続されている。

このような発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、保護層３１により被覆され、更にこの保護層３１上に樹脂層３２を間にして第２基板２１が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。保護層３１は、窒化ケイ素（ＳｉＮ_x），酸化ケイ素または金属酸化物などにより構成されている。樹脂層３２は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂により構成されている。なお、保護層３１および樹脂層３２により、上述した中間層３０が構成されている。

平坦化絶縁膜１３は、画素駆動回路１４０が形成された第１基板１１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔１３Ａが設けられるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化絶縁膜１３の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料が挙げられる。

下部電極１４は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。特に、下部電極１４が陽極として使われる場合には、下部電極１４は正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましい。このような下部電極１４としては、例えば、積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。下部電極１４の表面には、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電膜が設けられていてもよい。なお、アルミニウム（Ａｌ）合金のように、反射率が高くても、表面の酸化皮膜の存在や、仕事関数が大きくないことによる正孔注入障壁が問題となる材料においても、適切な正孔注入層を設けることによって下部電極１４として使用することが可能である。

電極間絶縁膜１５は、下部電極１４と上部電極１７との絶縁性を確保すると共に発光領域を所望の形状にするためのものであり、例えば感光性樹脂により構成されている。電極間絶縁膜１５は下部電極１４の周囲のみに設けられており、下部電極１４のうち電極間絶縁膜１５から露出した領域が発光領域となっている。なお、有機層１６および上部電極１７は、電極間絶縁膜１５の上にも設けられているが、発光が生じるのは発光領域だけである。

有機層１６は、例えば、下部電極１４の側から順に、正孔注入層１６Ａ，正孔輸送層１６Ｂ，発光層１６Ｃ，電子輸送層１６Ｄおよび電子注入層１６Ｅを積層した構成を有する。これらのうち発光層１６Ｃ以外の層は必要に応じて設ければよい。有機層１６は、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層１６Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層１６Ｂは、発光層１６Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１６Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１６Ｄは、発光層１６Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層１６Ｅは、電子注入効率を高めるためのものである。

発光素子１０Ｒの正孔注入層１６Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、化１または化２に示したヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。発光素子１０Ｒの正孔輸送層１６Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。発光素子１０Ｒの発光層１６Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したものにより構成されている。発光素子１０Ｒの電子輸送層１６Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ により構成されている。発光素子１０Ｒの電子注入層１６Ｅは、例えば、厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ₂Ｏなどにより構成されている。

（化１において、Ｒ¹〜Ｒ⁶それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲｍ（ｍ＝１〜６）は環状構造を通じて互いに結合してもよい。また、Ｘ¹〜Ｘ⁶はそれぞれ独立に炭素もしくは窒素原子である。）

具体的には、発光素子１０Ｒの正孔注入層１６Ａは、化２に示した材料により構成されていることが好ましい。

発光素子１０Ｇの正孔注入層１６Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、化１または化２に示したヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。発光素子１０Ｇの正孔輸送層１６Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。発光素子１０Ｇの発光層１６Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３にクマリン６（Coumarin６）を１体積％混合したものにより構成されている。発光素子１０Ｇの電子輸送層１６Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３により構成されている。発光素子１０Ｇの電子注入層１６Ｅは、例えば、厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ２ Ｏなどにより構成されている。

発光素子１０Ｂの正孔注入層１６Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、化１または化２に示したヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。発光素子１０Ｂの正孔輸送層１６Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。発光素子１０Ｂの発光層１６Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、スピロ６Φ（spiro６Φ）により構成されている。発光素子１０Ｂの電子輸送層１６Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ₃により構成されている。発光素子１０Ｇの電子注入層１６Ｅは、例えば、厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ₂Ｏなどにより構成されている。

上部電極１７は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ）またはナトリウム（Ｎａ）の合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるマグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、上部電極１７の材料は、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）でもよい。

上部電極１７は、また、半透過性反射層としての機能を兼ねている。即ち、発光素子１０Ｒは共振器構造ＭＣ１を有し、この共振器構造ＭＣ１により発光層１６Ｃで発生した光を下部電極１４と上部電極１７との間で共振させるようになっている。この共振器構造ＭＣ１は、下部電極１４と有機層１６との界面を反射面Ｐ１、中間層１８と電子注入層１６Ｅとの界面を半透過反射面Ｐ２とし、有機層１６を共振部として、発光層１６Ｃで発生した光を共振させて半透過反射面Ｐ２の側から取り出すものである。このように共振器構造ＭＣ１を有するようにすれば、発光層１６Ｃで発生した光が多重干渉を起こし、半透過反射面Ｐ２の側から取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し、ピーク強度を高めることができる。即ち、正面方向における光放射強度を高め、発光の色純度を向上させることができる。また、第２基板２１側から入射した外光についても多重干渉により減衰させることができ、カラーフィルタ２３との組合せにより発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂおよび図５に示した白色発光素子１０Ｗにおける外光の反射率を極めて小さくすることができる。

そのためには、反射面Ｐ１と半透過反射面Ｐ２との間の光学的距離Ｌ１は数２を満たすようにすることが好ましい。

（数２）

（２Ｌ１）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ

（式中、Ｌ１は反射面Ｐ１と半透過反射面Ｐ２との間の光学的距離、ｍは次数（０または自然数）、Φは反射面Ｐ１で生じる反射光の位相シフトΦ１と半透過反射面Ｐ２で生じる反射光の位相シフトΦ２との和（Φ＝Φ１＋Φ２）（ｒａｄ）、λは半透過反射面Ｐ２の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長をそれぞれ表す。なお、数２においてＬ１およびλは単位が共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。）

反射面Ｐ１と半透過反射面Ｐ２との間には、取り出し発光強度が極大となる位置（共振面）が存在する。この共振面はｍ＋１箇所あり、ｍ＝１以上の条件においては、最も反射面Ｐ１寄りの共振面に発光面がある場合が最も発光スペクトルの半値幅が広くなるものである。

なお、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、図９に示したように、半透過反射面Ｐ２を有さず、発光層１６Ｃで発生した光を反射面Ｐ１において反射させ、この反射光と発光層１６Ｃで発生する光との間で干渉を生じさせるものでもよい。

この場合、発光層１６Ｃは、反射光と発光層１６Ｃで発生した光とが干渉により互いに強め合う位置（干渉位置）を含んでいることが好ましい。また、反射面Ｐ１と干渉位置との間の光学的距離Ｌ１は数５を満たすようにすることが好ましい。

（数３）

（２Ｌ１）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ

（式中、Ｌ１は反射面Ｐ１と干渉位置との間の光学的距離、ｍは次数（０または自然数）、Φは反射面Ｐ１で生じる反射光の位相シフトΦ（ｒａｄ）、λは発光層１６Ｃで発生した光が上部電極１７側から放出される際のスペクトルのピーク波長をそれぞれ表す。なお、数１においてＬ１およびλは単位が共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。）

このような共振器構造ＭＣ１を有する、または発光層１６Ｃで発生した光と反射面Ｐ１における反射光との干渉を利用する発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、次数ｍが大きくなるほど、輝度や色度の視野角依存性、即ち正面方向から見た場合と斜め方向から見た場合とでの輝度や色度の変化が大きくなる傾向がある。一般のテレビジョン装置等の用途に有機ＥＬ表示装置を用いることを想定した場合、視野角による輝度低下および色度変化は小さい方が望ましい。

視野角特性のみを考慮するとｍ＝０の条件が理想的である。しかしながら、この条件では有機層１６の厚みが薄くなるので、発光特性への影響や下部電極１４と上部電極１７との短絡発生のおそれが生じる。そのため、例えばｍ＝１の条件を用いることにより、輝度や色度の視野角依存性が大きくなることを回避すると共に、発光特性の低下や短絡発生を抑えるようにしている。例えば下部電極１４がアルミニウム合金、上部電極１７がＭｇ−Ａｇ合金によりそれぞれ構成されている場合、ｍ＝０では青色の発光素子１０Ｂの有機層１６の厚みは８０ｎｍ程度となるが、ｍ＝１では１９０ｎｍ程度になるので短絡発生が抑えられる。

また、共振器構造ＭＣ１の共振器効果、または干渉効果は、発光色毎に異なる光学条件となるため、視野角特性も発光色毎に異なることが通常である。フルカラー表示装置においては、白色または中間色は単色光の混色で表示させるため、単色の視野角特性が色毎に異なることによってホワイトバランスが崩れ、白色または中間色が視野角による色度変化を生じることとなる。

この表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。

まず、上述した材料よりなる第１基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成したのち、全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化絶縁膜１３を形成し、露光および現像により平坦化絶縁膜１３を所定の形状にパターニングすると共に接続孔１３Ａを形成し、焼成する。

次いで、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる下部電極１４を形成し、ウェットエッチングにより下部電極１４を選択的に除去して発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに分離する。

続いて、第１基板１１の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により発光領域に対応して開口部を設け、焼成することにより、電極間絶縁膜１５を形成する。

そののち、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる有機層１６の正孔注入層１６Ａ，正孔輸送層１６Ｂ，発光層１６Ｃおよび電子輸送層１６Ｄを形成する。

有機層１６を形成したのち、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる上部電極１７を成膜する。これにより、図８または図９に示したような発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。

続いて、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法により、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護層３１を形成する。

また、例えば、上述した材料よりなる第２基板２１の上に、遮光膜２２の材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより遮光膜２２（図８では省略）を形成する。続いて、遮光膜２２と同様にして、色要素２３を順次形成する。

そののち、保護層３１の上に、樹脂層３２を形成し、この樹脂層３２を間にして第２基板２１を貼り合わせる。以上により、図６ないし図９に示した表示装置１が完成する。

この表示装置１では、各画素２に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。即ち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、下部電極１４（反射面Ｐ１）と上部電極１７（半透過反射面Ｐ２）との間で多重反射し、または、下部電極１４（反射面Ｐ１）における反射光と発光層１６Ｃで発生した光とが干渉により強め合い、上部電極１７，カラーフィルタ２３および第２基板２１を透過して取り出される。

［作用、効果］
本実施の形態では、遮光部２２Ｂの配置位置に関わらず、色要素２３の色幅、即ち色境界の位置を自画素および隣接画素における発光波長の関係によって副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂごとに決定するようにした。これにより、遮光部遮光Ｓ_BMまたは色要素遮光Ｓ_CFの２つの遮光経路によって隣接画素からの混色を防ぐことが可能となり、各副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂごとに適した経路が選択される。よって、画素寸法に関わらず混色開始角度を広角化でき、単色視野角を拡大することが可能となる。また、色要素２３の色境界の位置を最適化することにより、回折による低角側の混色悪化を最小限に低減することが可能となる。

更に、隣接画素からの混色を色要素２３によって防ぐ場合には自画素上の遮光部２２Ｂは不要となるため、不要な遮光部２２Ｂを削除してもよい。これにより、開口率が向上すると共に、視野角が拡大される。更に、開口率の向上によって発光効率が向上する。また、輝度劣化の抑制、即ち長寿命化が可能となる。

次に、上記実施の形態に係る変形例について説明する。以下では、上記実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。

＜２．変形例＞
（変形例１）
図１０は変形例１に係る表示装置を構成する画素５の断面構成を表したものである。この画素５は色要素４３（４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂ）の膜厚を副画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂによって変更した点が上記実施の形態とは異なる。具体的には、隣接画素への混色を色要素遮光Ｓ_CFによって防いでいる画素（ここでは緑画素５Ｒおよび青画素５Ｂ）の色要素４３Ｇ，４３Ｂの膜厚を厚く（例えば赤色要素２３Ｒよりも０．５μｍ厚膜化）する。これにより、混色開始角度が更に大きくなり、視野角をより広角化することが可能となる。なお、色要素４３を厚膜化させるほど混色開始角度は広角化するが、第１基板１１と第２基板２１とを貼り合わせる際に接触しない範囲であることが好ましく、例えば最大で樹脂層３２の膜厚分とすることが望ましい。但し、第１層１１および第２層２１の貼り合わせ後に行う樹脂の注入（樹脂層３２の形成）における不良、また、貼り合わせ時における第１基板１１への応力の発生等の問題から、より好ましくは厚膜化した副画素における樹脂層３２の膜厚が約０．５μｍとなるものとする。

（変形例２）
図１１は変形例２に係る表示装置を構成する画素６の断面構成を表したものである。この画素６は発光領域幅（発光素子５０のＸ軸方向の幅）を発光素子５０（５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ）ごとに変えた点が上記実施の形態および変形例１とは異なる。具体的には、青画素６Ｂに設けられた青色発光素子５０Ｂの形成領域Ｌ_BをＸ軸方向に広げる。これは、青色発光光は回折に波長依存があるため他の副画素（６Ｒ，６Ｇ）と比較して青画素６Ｂの視野角特性が狭く、これによる白色ラスタでの視野角色つきを改善するためである。

これにより、上記実施の形態における効果に加えて、隣接画素からの混色開始角度を保持したまま青画素６Ｂの視野角が拡大されると共に、発光効率が向上するという効果を奏する。また、発光寿命も向上する。

（変形例３）
図１２は変形例３に係る表示装置を構成する画素７の平面構成を表したものである。この画素７は、遮光膜５２の開口部５２ＡのＸ軸方向の開口幅を画素７Ｒ，７Ｇ，７Ｇごとに変えた点が上記実施の形態および変形例１，２とは異なる。具体的には、青画素７Ｂと緑画素７Ｒとの間においては、遮光部５２ＧＢの緑画素７Ｇ側の端部と緑色発光素子１０Ｇの端部との距離をより広くすることが好ましい。赤画素７Ｒと青画素７Ｂとの間においては、遮光部５２ＲＢの赤画素７Ｒ側の端部と赤色発光素子１０Ｒの端部との距離をより広くすることが好ましい。赤画素７Ｒと緑画素７Ｇとの間においては、遮光部５２ＲＧの赤画素７Ｒ側の端部と赤色発光素子１０Ｒの端部との距離をより広くすることが好ましい。これにより、隣接画素からの混色を防ぎつつ、開口率を向上させることが可能となる。

（変形例４）
図１３（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ変形例４に係る表示装置を構成する画素８の平面構成（図１３（Ａ））および断面構成（図１３（Ｂ））を表したものである。この画素８は変形例２および変形例３を組み合わせたものである。即ち、画素８Ｒ，８Ｇ，８Ｂごとに発光領域幅Ｌ_R，Ｌ_G，Ｌ_Bおよび遮光膜６２の開口部６２Ａの開口幅を決定したものである。

例えば、隣接画素の色要素６３の透過光波長（発光素子１０の発光波長）が長い場合には、自画素への混色光の遮光は遮光部６２Ｂによって行うことが好ましい。即ち、遮光部６２Ｂの中心位置（Ｃ）を自画素寄りに設けることにより、隣接画素からの混色を防ぐと共に、隣接画素の開口幅を広くすることができる。具体的には、例えば青画素８Ｂと、その隣接画素８Ｒ，２Ｇ間に設けられた遮光部６２ＲＢ，６２ＧＢの中心位置（Ｃ）は青色発光素子５０Ｂ寄りに設ける。これにより、隣接する画素（ここでは赤画素８Ｒおよび緑画素８Ｇ）からの混色光の遮光幅が広く、即ち隣接画素からの混色開始角度（θ）が大きくなる。

このように自画素および隣接画素の発光色の関係から遮光膜６２の開口部６２Ａの開口幅および遮光部６２Ｂの配置位置、色要素６３の色境界位置並びに発光領域幅Ｌ_R，Ｌ_G，Ｌ_Bを設定することにより、混色開始角度が大きくなり視野角特性が向上する。また、開口率を向上させることが可能となる。

＜３．適用例＞
上記実施の形態および変形例１〜４において説明した画素２〜８を備えた表示装置は、例えば次に示したような、画像（あるいは映像）表示を行う、あらゆる分野の電子機器に搭載することができる。

図１４は、スマートフォンの外観を表している。このスマートフォンは、例えば、表示部１１０（表示装置１）および非表示部（筐体）１２０と、操作部１３０とを備えている。操作部１３０は、（Ａ）に示したように非表示部１２０の前面に設けられていてもよいし、（Ｂ）に示したように上面に設けられていてもよい。

図１５はテレビジョン装置の外観構成を表している。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル２１０およびフィルターガラス２２０を含む映像表示画面部２００（表示装置１）を備えている。

図１６Ａ，１６Ｂは、デジタルスチルカメラの外観構成を表しており、それぞれ前面および後面を示している。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部３１０と、表示部３２０（表示装置１）と、メニュースイッチ３３０と、シャッターボタン３４０とを備えている。

図１７は、ノート型のパーソナルコンピュータの外観構成を表している。このパーソナルコンピュータは、例えば、本体４１０と、文字等の入力操作用のキーボード４２０と、画像を表示する表示部４３０（表示装置１）とを備えている。

図１８は、ビデオカメラの外観構成を表している。このビデオカメラは、例えば、本体部５１０と、その本体部５１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５２０と、撮影時のスタート／ストップスイッチ５３０と、表示部５４０（表示装置１）とを備えている。

図１９Ａ，１９Ｂは、携帯電話機の外観構成を表している。図１９Ａは、それぞれ携帯電話機を閉じた状態の正面、左側面、右側面、上面および下面を示している。図１９Ｂは、それぞれ携帯電話機を開いた状態の正面および側面を示している。この携帯電話機は、例えば、上側筐体６１０と下側筐体６２０とが連結部（ヒンジ部）６２０により連結されたものであり、ディスプレイ６４０（表示装置１）と、サブディスプレイ６５０と、ピクチャーライト６６０と、カメラ６７０とを備えている。

＜４．実施例＞
以下、具体的な数値を用いた実施例について説明する。

（実施例１）
図２０（Ａ），（Ｂ）は青画素２Ｂから赤画素２Ｒへの混色光の遮光手段を関連技術（比較例）の遮光部２２Ｂによる遮光（図２０（Ａ））から本実施の形態のように色要素２３による遮光（図２０（Ｂ））に変更した際の混色開始角度の改善を表したものである。図２０（Ａ）における青画素２Ｂと赤画素２Ｒとの間における青色発光素子１０Ｂの端部と、色境界との距離（Ｌ_CF），赤画素２Ｒ側の遮光部端との距離（Ｌ_BM），青色発光素子１０Ｂの上端から樹脂層３２の上端までの膜厚（Ｄ_G）および色要素２３の膜厚（Ｄ_CF）は以下の通りである。
Ｌ_CF：０．９μｍ
Ｌ_BM：１．５μｍ
Ｄ_G：４μｍ
Ｄ_CF：２μｍ

上記各数値を条件式に代入すると式（２）を満たし遮光部遮光Ｓ_BMであることがわかる。そこで、Ｌ_CFを０．９μｍから１．４μｍ、色要素境界を遮光部２２Ｂの中心位置から０．５μｍ赤画素２Ｒ側へずらすと式（１）を満たすようになる。即ち色要素遮光Ｓ_CFとなり、図２０（Ｂ）に示したように混色開始角度は広角化する。具体的には１４°から１９°となり５°広角化する。

ここで、赤画素２Ｒについてはもともと遮光部遮光によって混色を防いでいるため色要素２３の色境界位置をずらしたことによる不利益はない。

（実施例２）
実施例２では、実施例１に示した基本構造を基（実験例１）に各画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおける色要素２３の色境界位置，膜厚および遮光部２２Ｂの後退量を下記値にそれぞれ変化させた実験例２〜８について実験した。表１は、実験例１〜８における色要素２３の色境界位置、膜厚および遮光部２２Ｂの後退量をまとめたものである。表２は、各実験例１〜８における赤画素２Ｒ，緑画素２Ｇ，青画素２Ｂの視野角の変化をまとめたものである。なお、ここで遮光部２２Ｂの後退量とは遮光部２２の中心位置を隣接画素側へ移動させることである。また、＋方向は観測点を左に傾けたものであり、−方向は観測点を右に傾けたものである。遮光部２２Ｂを後退させた実験例６〜８の例における（）内の数値は、遮光部２２Ｂの後退による自画素の視野角特性の広角化による混色に対する単色色度変化の改善を表したものでる。
（色要素境界）
Ｌ_CF：０．９μｍ→１．２μｍ（色境界を隣接画素側へ０．３μｍ移動）
（色要素膜厚）
Ｄ_G：４μｍ→３．５μｍ
Ｄ_CF：２μｍ→２．５μｍ（色要素を０．５μｍ厚膜化）
（遮光部後退量）
Ｌ_BM：１．２μｍ（赤画素２Ｒ上の遮光部２２ＲＧ，２２ＲＢおよび緑画素２Ｇの青画素２Ｂ側遮光部２２ＲＢ）

表２に示したように、色要素２３の色境界を副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂごとに設定することによって視野角が広角化された。また、遮光部２２Ｂの中心位置を副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂごとに設定し、色要素２３の色境界位置および遮光部２３の配設位置を最適化することによりさらに視野角が広角化されることがわかった。更に色要素２３の膜厚を調整することにより、より効果的に視野角特性を向上させることが可能であることがわかった。また、実験例６〜８から、遮光部２２Ｂを後退させることにより、混色開始角度を維持しつつ自画素における視野角が広がり、混色による単色色度変化が抑制されることがわかった。

なお、中間層３０の膜厚（Ｄ_G）が小さく、色要素２３の膜厚（Ｄ_CF）の膜厚が大きくなると、上記実施の形態等において説明した構造による混色開始角度の広角化はさらに大きくなる。例えば、第１基板１１に直接色要素（カラーフィルタ）を塗布するオンチップカラーフィルタ（ＯＣＣＦ）構造を有する表示装置では顕著となる。

以上、実施の形態および変形例１〜４を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

更に、上記実施の形態等において説明した各層は必ずしも全て設ける必要はなく、適宜省略してもよい。また、上記実施の形態等において説明した層以外の層を追加しても構わない。例えば、青色発光素子１０Ｂの電荷輸送層１７と青色発光層１４Ｂとの間に、特開２０１１−２３３８５５号公報に記載の共通正孔輸送層のように正孔輸送能を有する材料を用いた層を１層あるいは複数層追加してもよい。このような層を追加することにより、青色発光素子１０Ｂの発光効率および寿命特性が向上する。

なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）画素ごとに少なくとも発光層を含む発光素子が形成された第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板とを備え、前記第２基板は、前記発光素子に対応する位置に開口部および前記開口部の間に遮光部を有する遮光膜と、複数色が配置された色要素とを有し、表示面内方向における前記遮光部の中心位置と前記色要素の色境界位置とは一致しない表示装置。
（２）前記遮光部の中心位置は隣接する前記画素ごとに異なる、前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記色要素の幅は各画素ごとに異なる、前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記色要素の色境界は隣接する前記発光素子の発光端間の中心とは互いに異なる、前記（１）乃至（３）のいずれかに記載の表示装置。
（５）隣接する前記画素間における前記色要素の色境界は、より長波長な発光光を示す画素側に設けられている、前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の表示装置。
（６）赤画素、緑画素および青画素を有し、前記緑画素と青画素との間の前記色要素の色境界は前記緑画素側に設けられている、前記（５）に記載の表示装置。
（７）前記赤画素と青画素との間の前記色要素の色境界は前記赤画素側に設けられている、前記（６）に記載の表示装置。
（８）前記赤画素と緑画素との間の前記色要素の色境界は前記赤画素側に設けられている、前記（６）に記載の表示装置。
（９）白画素と該白画素以外の単画素を有し、前記白画素と該白画素以外の単画素との間の前記色要素の色境界は前記白画素側に設けられている、前記（１）乃至（８）のいずれかに記載の表示装置。
（１０）前記色要素の膜厚は色ごとに異なる、前記（１）乃至（９）のいずれかに記載の表示装置。
（１１）表示装置を備え、前記表示装置は、画素ごとに少なくとも発光層を含む発光素子が形成された第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板とを備え、前記第２基板は、前記発光素子に対応する位置に開口部および前記開口部の間に遮光部を有する遮光膜と、複数色が配置された色要素とを有し、表示面内方向における前記遮光部の中心位置と前記色要素の色境界位置とは一致しない電子機器。

１…表示装置、２〜８…画素、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…発光素子、１１…第１基板、１２・・・平坦化絶縁膜、１４…下部電極、１５…電極間絶縁膜、１６…有機層、１６Ａ…正孔注入層、１６Ｂ…正孔輸送層、１６Ｃ…発光層、１６Ｄ…電子輸送層、１６Ｅ…電子注入層、１７…上部電極、２１…第２基板、２２…遮光膜、２２Ａ…開口部、２２Ｂ…遮光部、２３…色要素、２２Ｒ…赤色要素、２２Ｇ…緑色要素、２２Ｂ…青色要素、３０…中間層、３１…保護膜、３２…樹脂層。

Claims (11)

1. 画素ごとに少なくとも異なる色の発光層を含む発光素子が形成された第１基板と、
   前記第１基板と対向配置された第２基板とを備え、
   前記第２基板は、
   前記発光素子に対応する位置に開口部および前記開口部の間に遮光部を有する遮光膜と、
   前記画素毎に異なる色が配置されると共に、前記第１基板に面する前記遮光膜上に色境界を有する色要素とを有し、
   表示面内方向における前記遮光部の中心位置と前記色要素の色境界位置とは一致しない
   表示装置。
2. 前記遮光部の中心位置は隣接する前記画素ごとに異なる、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記色要素の幅は各画素ごとに異なる、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記色要素の色境界は隣接する前記発光素子の発光端間の中心とは一致しない、請求項１に記載の表示装置。
5. 隣接する前記画素間における前記色要素の色境界は、より長波長な発光光を示す画素側に設けられている、請求項１に記載の表示装置。
6. 赤画素、緑画素および青画素を有し、前記緑画素と青画素との間の前記色要素の色境界は前記緑画素側に設けられている、請求項５に記載の表示装置。
7. 前記赤画素と青画素との間の前記色要素の色境界は前記赤画素側に設けられている、請求項６に記載の表示装置。
8. 前記赤画素と緑画素との間の前記色要素の色境界は前記赤画素側に設けられている、請求項６に記載の表示装置。
9. 白画素と該白画素以外の単画素を有し、前記白画素と該白画素以外の単画素との間の前記色要素の色境界は前記白画素側に設けられている、請求項１に記載の表示装置。
10. 前記色要素の膜厚は色ごとに異なる、請求項１に記載の表示装置。
11. 表示装置を備え、
    前記表示装置は、
    画素ごとに少なくとも発光層を含む発光素子が形成された第１基板と、
    前記第１基板と対向配置された第２基板とを備え、
    前記第２基板は、
    前記発光素子に対応する位置に開口部および前記開口部の間に遮光部を有する遮光膜と、
    前記画素毎に異なる色が配置されると共に、前記第１基板に面する前記遮光膜上に色境界を有する色要素とを有し、
    表示面内方向における前記遮光部の中心位置と前記色要素の色境界位置とは一致しない
    電子機器。

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