JP2006049800A - 薄膜デバイスの供給体、薄膜デバイスの供給体の製造方法、転写方法、半導体装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents

薄膜デバイスの供給体、薄膜デバイスの供給体の製造方法、転写方法、半導体装置の製造方法及び電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】 本発明は簡便に被転写層を柔軟性又は可撓性を有する転写体に剥離転写する技術を提供することを目的としている。また、本発明はこのような剥離転写技術を利用して半導体装置を製造する方法及びそれにより製造される電子機器を提供することを目的としている。
【解決手段】 基板上に形成された被転写層を柔軟性又は可撓性を有する転写体に転写する方法であって、基板上に被転写層を形成する第１工程と、基板上に形成された被転写層を、固定具に固定した柔軟性又は可撓性を有する転写体に接合する第２工程と、基板から転写体に被転写層を剥離転写する第３工程と、を含む被転写層の転写方法によって上記課題を解決する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、薄膜素子の転写技術に関し、詳しくは、転写体が柔軟性又は可撓性を有する場合にも容易に剥離転写することが可能な転写方法、半導体装置の製造方法及び電子機器に関する。
近年、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄膜ダイオード（ＴＦＤ）等の薄膜素子を備えた薄膜デバイスの製造に関し、薄膜素子を、それ自身が製造される製造元基板から、例えば可撓性を備えたフレキシブル基板に転写することにより、軽量で耐衝撃性に優れ、可撓性を有する薄膜デバイスを製造するための技術が検討されている。
例えば、本出願人は、製造元基板上に製造された薄膜素子を転写先基板であるフレキシブル基板等に転写する方法として、製造元基板上に剥離層を介して薄膜素子を製造し、これを転写先基板に接着してから剥離層に照射光を実施して剥離を生ぜしめ、製造元基板を薄膜素子から離脱させる転写方法を開発し、既に特許出願している（特開平１０−１２５９３１号公報）。
また、本出願人は、薄膜素子を仮転写基板（一次転写体）に一次転写し、これを更に転写先基板（二次転写体）に二次転写するという転写方法を開発し、既に特許出願している（特開平１１−２６７３３号公報、特開２００１−１８９４６０号公報）。
これらの転写方法によれば、製造に高温プロセスや厳密な加工精度を必要とする薄膜素子を、耐熱性や形状安定性に優れ、薄膜素子の製造に適した製造元基板上に製造した後に、例えば樹脂基板のような、軽量で柔軟性を有する基板上に転写することによって、フレキシブル薄膜デバイスを製造することが可能となる。
特開平１０−１２５９３１号公報 特開平１１−２６７３３号公報 特開２００１−１８９４６０号公報
しかしながら、前述した従来の転写技術を用いて製造されたフレキシブル薄膜デバイスは、軽量で柔軟性に優れる反面、形状が不安定であるために取り扱いが困難であるという欠点があった。すなわち、基板が柔軟であるが故に、従来のガラスやシリコンウェハーを取り扱うのと同じ方法では、基板の保持や運搬時に落下等のミスを生じ易い。特に、数平方ミリメートルから数平方センチメートル程度の比較的小さな面積に分割された薄膜デバイスを大量に製造する場合においては、１つ１つの薄膜デバイスを個別に取り扱い、検査や実装工程を速やかに実施するのが非常に困難である。
また、フィルムのような柔らかい転写体に被転写層を転写する場合には、剥離がし難しい。仮転写基板（一次転写体）として硬い転写体を用いた場合であっても、最終的に転写する転写先基板（二次転写体）がフィルム等の柔軟性又は可撓性のある材料から構成されていると、未だ一次転写体を被転写層が接合された二次転写体から分離し難いという問題があった。
また、一次転写体をエッチング等で除去可能な材料で構成する場合にも、材料の選択が複雑となる等の問題があった。
よって、本発明は、形状不安定性を持つ薄膜デバイスであっても、製造や出荷の取り扱いを容易にする薄膜デバイスの供給体、および、その製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、さらに簡便に、被転写層を柔軟性又は可撓性を有する転写体に剥離転写する技術を提供することを目的としている。
また、本発明は、このような剥離・転写技術を利用して半導体装置を製造する方法及びそれにより製造される電子機器を提供することを目的としている。
上記目的を達成するため本発明の薄膜デバイスの供給体は、支持基板上に仮固定用接着層を介して薄膜デバイスが固定された構造を備えたことを特徴とする。
かかる構成によれば、薄膜デバイスが固定された支持基板を介して薄膜デバイスを間接的に取り扱うことが可能となる。
ここで、支持基板には、ガラスや石英、シリコンウェハー等の、硬質で形状安定性に優れた基板が含まれる。これらの基板は、半導体や液晶ディスプレイの製造工程においてごく一般的に用いられているので、その取り扱いも非常に容易である。
上記支持基板には剥離層が形成されることが好ましく、また、上記支持基板は透光性基板であることが好ましい。それにより、上記支持基板を介して剥離層もしくは仮固定用接着層に剥離を生じさせ、あるいは接着力を消滅（減少）させる光エネルギの付与が可能となる。
上記薄膜デバイスは可撓性を有するフレキシブル基板上に薄膜素子層が搭載された構造を備えることが好ましい。それにより、可撓性の薄膜デバイスが支持基板によってサポートされるので転写対象の薄膜（薄膜装置）の取り扱いが容易になる。
上記仮固定用接着層は、薄膜デバイスを一時的に支持基板に固定する機能と必要に応じて薄膜デバイスを取り外すことができる機能とを備える。この接着層の性状としては、液状やペースト状の前駆体を熱硬化や光硬化等の手段を用いて硬化させることによって接着力を発揮するものでも良く、粘着シートのように粘着力によって薄膜デバイスを支持基板に固定するものでも良い。
また、本発明の薄膜デバイスの供給体は、支持基板上に形成された剥離層及び仮固定用接着層を介して薄膜デバイスが固定された構造を備えたことを特徴とする。
かかる構成によれば、仮固定用接着層の接着力の制御が困難で、仮固定用接着層で薄膜デバイスを支持基板から取り外すことが困難であった場合であっても、剥離層も薄膜デバイスの取り外しに利用することができ、薄膜デバイスの剥離が容易となる。それにより、仮固定用接着層として利用可能な材料の選択範囲を広げることができる。上述のように、薄膜デバイスは可撓性を有するフレキシブル基板上に薄膜素子層が搭載された構造とすることができる。
また、本発明の薄膜デバイスの供給体の製造方法は、支持基板上に薄膜デバイスを剥離転写可能に担う薄膜デバイスの供給体の製造方法において、製造元基板の表面に製造された上記薄膜素子層に第１の仮固定用接着層を介して仮固定基板を固定する工程と、上記薄膜素子層から上記製造元基板を取り除く工程と、上記薄膜素子層の上記製造元基板が取り除かれた面に永久接着層を介してフレキシブル基板を接着する工程と、上記フレキシブル基板の上記薄膜素子が接着された面と反対の面に第２の仮固定用接着層を介して支持基板を固定する工程と、上記薄膜素子から上記仮固定基板を取り除く工程と、を含む。
上記薄膜素子層から上記製造元基板を取り除く工程は、上記製造元基板として透光性基板を用い、この基板の表面に予め形成された剥離層に対して該基板の裏面側から照射光を実施し、上記剥離層に界面剥離および／または層内剥離を生ぜしめるものであることが好ましい。また、同工程は上記製造元基板を研削および／またはエッチングして除去するものであっても良い。
上記薄膜素子から上記仮固定基板を取り除く工程は、上記第１の仮固定用接着層に光照射または加熱を施し、この接着層の接着力を著しく減少または消失させることにより、上記仮固定基板を取り除くものであることが好ましい。また、同工程は上記仮固定基板に予め形成された剥離層に対して光照射を実施し、この剥離層に界面剥離および／または層内剥離を生じさせるものであっても良い。また、同工程は上記第１の仮固定用接着層を溶媒に溶解させる工程であっても良い。
上記仮固定基板はガラスや石英（石英ガラス）のような基板で透光性を示しているとなおよい。
また、上述した本発明において、各剥離層はレーザ光線などの光照射によって原子間力または分子間力の結合力が消失または減少し、剥離（アブレーション）を生ずる材料で構成されることが好ましい。
また、本発明の薄膜デバイスの供給体の製造方法は、更に、上記薄膜素子層を上記支持基板、上記仮固定基板及び上記製造元基板のいずれかに固定した後に、該薄膜素子層を複数の領域に分割する工程を備えたことを特徴とする。
上記薄膜素子層を複数の領域に分割する工程は、上記薄膜素子層の上記複数の領域の境界部に溝部を形成する工程と、上記フレキシブル基板を上記複数の領域の境界部において分割する工程と、を含むことが好ましい。
上記フレキシブル基板を上記複数の領域の境界部において分割するための該フレキシブル基板被加工領域の幅は、上記薄膜素子層の複数の薄膜素子や薄膜回路の領域の境界部に形成された溝部の幅よりも小さいことが好ましい。
また、本発明の電子機器は、上述した記載の薄膜デバイスの供給体から供給される薄膜デバイスを搭載して構成される。
また、上記課題を解決するために本発明の被転写層の転写方法は、基板上に形成された被転写層を柔軟性又は可撓性を有する転写体に転写する方法であって、上記基板上に被転写層を形成する第１工程と、上記基板に形成された前記被転写層を、固定具に固定した柔軟性又は可撓性を有する転写体に接合する第２工程と、上記基板から上記転写体に上記被転写層を剥離転写する第３工程と、を含む。
これによれば、柔軟性又は可撓性を有する転写体を固定具に固定することにより、剥離する際に基板と転写体とに一様に力をかけることが可能となるので、簡便に基板を、被転写層が接合された転写体から剥離することが可能となる。この被転写層の転写方法は、例えば、薄膜半導体装置の製造、シート状の電気光学装置の製造方法、電子機器の製造法等に使用される。
本発明の他の態様は、基板上に形成された被転写層を柔軟性又は可撓性を有する転写体に転写する方法であって、上記基板上に被転写層を形成する第１工程と、上記基板を、上記被転写層を一次転写体に接合する第２工程と、上記基板から上記一次転写体に上記被転写層を剥離転写する第３工程と、上記一次転写体に転写された前記被転写層を、固定具に固定した柔軟性又は可撓性を有する二次転写体に接合する第４工程と、上記一次転写体から上記二次転写体に上記被転写層を剥離転写する第５工程と、を含む転写方法を提供するものである。
これによれば、転写を二回する際において、最終的（二回目）に転写されることになる二次転写体が柔軟性又は可撓性を有するものである場合にも、二次転写体を固定具に固定することにより、簡便に一次転写体を、被転写層が接合された二次転写体から剥離することが可能となる。
本発明のさらなる他の態様は、基板上に形成された被転写層を柔軟性又は可撓性を有する転写体に転写する方法であって、上記基板上に被転写層を形成する第１工程と、上記基板を、上記被転写層を介して固定具に固定した柔軟性又は可撓性を有する一次転写体に接合する第２工程と、上記基板から上記一次転写体に上記被転写層を剥離転写する第３工程と、上記一次転写体に転写された前記被転写層を、固定具に固定した柔軟性又は可撓性を有する二次転写体に接合する第４工程と、上記一次転写体から上記二次転写体に上記被転写層を剥離転写する第５工程と、を含む被転写層の転写方法を提供するものである。
これによれば、一時的に被転写層を転写する一次転写体と、最終的な転写体となる二次転写体の両方が柔軟性又は可撓性を有するものである場合にも、一次転写体と二次転写体の双方に固定具を固定することにより、簡便に被転写層の転写が可能となる。
上記固定具としては、例えば、補助基板が用いられる。
上記被転写層としては、例えば薄膜トランジスタ等の薄膜デバイスが挙げられる。
本発明の他の態様は、上記転写方法を利用した半導体装置の製造方法を提供するものである。これによれば、上記転写方法を利用しているので、簡便に剥離転写を行うことが可能となり、半導体装置の生産性を向上させることが可能となる。よって、半導体装置の価格を低減することが可能となる。
本発明の他の態様は、上記製造方法により得られる半導体装置を用いた電子機器である。これによれば、安価な電子機器を提供し得る。
本発明の実施例では、可撓性基板を用いた電気光学装置などの電子機器の製造工程において剥離転写法によってＴＦＴ（薄膜トランジスタ）回路などが形成された薄膜素子層を可撓性基板に転写する。この際に、取り扱い難い可撓性基板に機械強度の高い支持基板（あるいは固定具）を貼り合わせて支持することによって工程中における可撓性基板の撓みなどを回避し、剥離転写の精度向上や剥離薄膜の取り扱いの容易化を図る。
（実施例１）
図１は、本発明の第１の実施例の薄膜デバイスの供給体を示している。同図に示すように、この実施例の薄膜デバイスの供給体は、支持基板１０の片面（上面）に第１の仮固定用接着層２０を介して薄膜デバイス３０を形成している。
支持基板１０は薄膜デバイスを安定に載置するものであり、石英ガラスの他、ソーダガラス、コーニング７０５９（商品名）、日本電気硝子ＯＡ−２（商品名）等の耐熱性ガラス等のガラスや、シリコンウェハー等が使用される。これ等基板は硬質で形状安定性に優れた特徴を有する。
支持基板１０は、その裏面９側から仮固定接着層２０に光エネルギ（あるいは熱）を付与するために、透光性の基板であることが望ましい。
仮固定用接着層２０は、光照射または加熱によって接着力を著しく減少または消失する特徴を有することが望ましい。
仮固定用接着層２０の性状としては、液状やペースト状の前駆体を熱硬化、光硬化等の手段を用いて硬化させることによって接着力を発揮するものを用いることができる。粘着シートのように粘着力によって薄膜デバイスを支持基板に固定するものであってもよい。
この仮固定用接着層２０は種々の形成目的で形成される。例えば、製造時または使用時において後述の薄膜素子（あるいは薄膜素子層）３５を物理的または化学的に保護する保護膜、導電層、照射光７０の遮光層または反射層、薄膜素子３５へのまたは薄膜素子３５からの成分の移行を阻止するバリア層としての機能のうち、少なくとも1つを発揮するものが挙げられる。
薄膜デバイス３０は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、ダイオード、発光素子、光素子、各種検出素子、キャパシタ、抵抗、インダクタ、配線、電極、絶縁体、等によって構成されて一定の機能を発揮する薄膜回路や薄膜装置、既述の薄膜素子単体などが該当する。
このような構成とすることによって、所要の物理的・機械的強度を有する支持基板１０を介して薄膜デバイス３０を間接的に取り扱うことが可能となる。
薄膜デバイス３０は、例えば、支持基板１０に載置された状態で図示しない転写対象体（転写先基板）に永久接着剤で接着された後に、レーザ光照射などによって転写対象領域の仮固定接着層２０の接着力を消滅させることによって支持基板１０から剥離され、転写対象体に移動（剥離転写）可能となる。
（実施例２）
図２は、本発明の第２の実施例を示している。同図において図１と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。
この実施例の薄膜デバイスの供給体では、支持基板１０は第１の剥離層１５を有している。この剥離層１５の上面（支持基板１０に接していない面）に仮固定用接着層２０を介して薄膜デバイス３０が形成されている。すなわち、支持基板１０と薄膜デバイス３０間には剥離層１５及び仮固定用接着層２０が介在している。後述のように、剥離層１５としては非晶質シリコン層などを使用することが可能である。剥離層１５は、例えば、レーザ光によってエネルギを付与されると、原子、分子間の結合力を失う。その結果、剥離層１５内、剥離層１５と支持基板１０との界面１６、剥離層１５と仮皇帝用接着層２０との界面１４等に剥離（破壊）が生じる。
このような、仮固定用接着層２０に加えて剥離層１５を支持基板１０と薄膜デバイス３０間に介在させる構成によれば、仮固定用接着層２０の接着力の制御が困難で仮固定用接着層２０で薄膜デバイスを支持基板１０から取り外す（剥離転写）ことが困難であるときに、剥離層１５も薄膜デバイスの取り外しに利用することができ、薄膜デバイスの移動が容易となる。
（実施例３）
図３は、本発明の第３の実施例を示している。同図において図１と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。
この実施例の薄膜デバイスの供給体では、薄膜デバイス３０は剥離層１５及び仮固定用接着層２０を介して支持基板に固定されている。そして、薄膜デバイス３０はフレキシブル基板２５及びその上に形成された薄膜素子層３５等によって構成されている。薄膜デバイス３０は図示しない接着層（後述の永久接着層３４（図４参照））を介してフレキシブル基板２５に接合される。すなわち、薄膜デバイスの供給体は、支持基板１０、剥離層１５、仮固定用接着層２０、フレキシブル基板２５、（永久接着層３４）及び薄膜素子層３５を積層して構成されている。
フレキシブル基板２５としては機械的特性として可撓性、弾性を有するものである。好ましくはある程度の剛性(強度)を有することが望ましい。このように可撓性を有するフレキシブル基板２５を利用すれば、剛性の高いガラス基板等のものでは得られないような優れた特性が実現可能である。
このようなフレキシブル基板２５の材料としては各種合成樹脂が好ましい。合成樹脂としては熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれでもよく、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレンープロピレン共重合体、エチレンー酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニレン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーネート、ポリー（４―メチルベンテンー1）、アイオノマー、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリルースチレン共重合体（AS樹脂）、ブタジエンースチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、２層以上の積層体として）用いることができる。
また、このフレキシブル基板２５は透光性を有していることが望ましい。
また、フレキシブル基板２５の厚みはフレキシブル基板２５、永久接着層３３の強度、薄膜素子３５の厚みに選択されるが、例えば、２０μｍ〜５００μｍ程度にすることが好ましい。
（実施例４）
次に、本発明の薄膜デバイスの供給体の製造方法について、図４（ａ）乃至同図（ｅ−３）を参照して説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、例えば、１０００℃程度に耐える石英ガラスなどの透光性耐熱基板を製造元基板２７とする。
製造元基板２７には、石英ガラスの他、ソーダガラス、コーニング７０５９（商品名）、日本電気硝子ＯＡ−２（商品名）等の耐熱性ガラス等を使用可能である。製造元基板２７の厚さには大きな制限要素はないが、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍから１．５ｍｍであることがより好ましい。製造元基板２７の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると製造元基板２７の透過率が低い場合に照射光の減衰を招く。ただし、製造元基板２７の照射光の透過率が高い場合には、上記上限値を越えてその厚みを厚くすることができる。
この製造元基板２７上に剥離層２８が形成される。剥離層２８は、例えば、ＣＶＤ法によって非晶質シリコン層を製造元基板２７上に堆積することによって形成される。
この剥離層の上に薄膜素子層３５が形成される。薄膜素子層３５は、シリコン層の堆積、結晶化、パターニング、絶縁膜の形成、イオン注入、熱処理、配線・電極形成等の知られている薄膜半導体装置の製造プロセスを用いて形成される。
この薄膜素子層３５の上に第１の仮固定用接着層４０を形成する。仮固定用接着層４０を構成する接着層の好適な例としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の各種硬化型接着剤が挙げられる。接着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等いかなるものでも良い。また、仮固定用接着層４０は粘着シートのようなものでも良い。
また、仮固定用接着層４０は、光照射または加熱を施されることにより、仮固定用接着層４０の接着力を著しく減少または消失することが望ましい。または、仮固定用接着層４０に溶解性の接着剤を使用した場合には水中に浸すことにより仮固定用接着層４０のみを溶解させることができ物であることが望ましい。水溶性接着剤を使用した場合には水中に浸すことにより仮固定用接着層４０のみを溶解させることができる。
次に、上述した仮固定用接着層４０の上に剥離層４５を表面に形成した仮固定用基板５０を貼り合わせる。仮固定用基板５０は既述した支持基板１０と同様の材質のガラス等の基板が使用される。剥離層４５は図示しない剥離層１５と同様の別途工程によって仮固定用基板５０上に形成される。
次に、図４（ｂ）に示すように、製造元基板２７側から光照射７０を行って剥離層２８と薄膜素子層３５との間で剥離を生じさせる。図示の例では、剥離層２８の界面２６と薄膜素子３５の界面３４との間で剥離が生じている。なお、薄膜素子層３５の下地には予め保護層を形成しておくことができる。
図４（ｃ）に示すように、薄膜素子層３５の剥離面３４に永久接着層３３を塗布してフレキシブル基板２５を接着する。
次に、図４（ｄ）に示すように、フレキシブル基板２５に第２の仮固定用接着層２０を塗布して支持基板１０を貼り合わせる。なお、支持基板１０には予め剥離層１５（図３参照）を形成しておくことができる。
このようにして、支持基板１０上に、仮固定用接着層２０、フレキシブル基板２５、永久接着層３３、薄膜素子層３５、仮固定用接着層４０、剥離層４５及び仮固定用基板５０が積層された中間構造体が得られる。ここで、中間構造体の支持基板１０乃至薄膜素子層３５が図１、図２及び図３に示した薄膜デバイスの供給体に対応する部分となっている。
次に、上記中間構造体から薄膜デバイス供給体部分を分離する。図４（ｅ−１）乃至同図（ｅ−３）は、それぞれ分離の態様を示している。
図４（ｅ−１）は、第１の分離態様を示している。この例では、仮固定基板５０の上方から、レーザなどの高エネルギーを有する照射光７０を仮固定用接着層４０に与えている。それにより、仮固定用接着層４０の結合力を消滅させて中間構造体から支持基板１０乃至薄膜素子層３５からなる薄膜デバイスの供給体を分離させ、薄膜デバイスの供給体を得ている。
図４（ｅ−２）は、第２の分離態様を示している。この例では、仮固定基板５０の上方から、レーザなどの高エネルギーを有する照射光７０を剥離層４５に与えている。それにより、剥離層４５の結合力を消滅させて中間構造体から支持基板１０乃至仮固定接着層４０からなる薄膜デバイスの供給体を分離させ、薄膜デバイスの供給体を得ている。
図４（ｅ−３）は、第３の分離態様を示している。この例では、仮固定用接着層４０を溶媒に溶ける溶解性の接着剤、好ましくは水溶性の接着剤で構成しておき、溶媒によって仮固定用接着層４０を除去する。それにより、中間構造体から支持基板１０乃至薄膜素子層３５からなる薄膜デバイスの供給体を分離させ、薄膜デバイスの供給体を得ている。
このようにして、薄膜デバイスの供給体が製造されるが、本発明の薄膜デバイスの供給体は上述の製造方法によって製造された物に限定されるものではない。
上述した製造行程における要素技術について説明を補足する。
剥離層１５、２８及び４５は照射光７０を吸収し、それにより、隣接層との境界面あるいは剥離層中に剥離を生じるような性質を有するものが望ましい。
また、照射光７０の照射によって、剥離層１５、２８及び４５に含有される気体が放出され、放出された気体が界面に空隙を生ぜしめることにより、各剥離層の形状変化をもたらすようにすることもできる。この場合、照射光７０の照射回数および/または気体元素の含有量により、照射光７０を照射した後の剥離層１５、２８及び４５の粗さを制御することが可能である。
このような剥離層１５、２８及び４５の組成としては例えば非晶質シリコンが挙げられる。上記気体元素としては後述のように水素が挙げられる。
非晶質シリコンは、レーザなどの高エネルギーを有する光の照射により瞬間的に溶融し、再び凝固する際にポリシリコンに変化する。非晶質シリコンが結晶化する際、結晶粒界が形成されるため、剥離層１５、２８及び４５には結晶粒界に起因する起伏が生じる。さらに結晶化した剥離層１５、２８及び４５に対して繰り返し照射光７０を照射した場合、結晶粒界と結晶粒内では溶融・凝固の形態が異なるため、剥離層１５、２８及び４５の粗さは増大する。
また、この非晶質シリコンには水素が含有されていても良い。この場合、水素の含有量は２ａｔ％以上程度であることが好ましく、２〜２０ａｔ％程度であるのがより好ましい。このように水素が所定量含有されていると、照射光の照射により水素が放出され、放出された水素が界面に空隙を生ぜしめ、剥離層１５、２８及び４５に起伏を形成する。更に、照射光を繰り返し照射した場合、含有される水素が徐々に放出され、界面の粗さが増大する場合がる。この場合水素含有量に応じた回数の照射を受けることで、水素が完全に放出されると、その後は照射光を繰り返し照射しても変化は生じない。
また、剥離層１５、２８及び４５の組成として、例えばポリシリコンを挙げることもできる。
ポリシリコンは上記非晶質シリコンを同様に、高エネルギーを有する光の照射により瞬間的に溶融し再び凝固する。このとき、結晶粒界と結晶粒内では溶融・凝固の形態が異なるため、照射光７０を繰り返し照射することにより剥離層１５、２８及び４５の粗さを増大せしめることができる。
剥離層１５、２８及び４５の組成としてポリシリコンを採用することの利点は、非晶質シリコンがポリシリコンに相転移する境界温度をＴthとしたとき、上記ＴmaxをＴth以上の温度に設定することができる点である。換言すれば、薄膜素子層３５を形成する際のプロセス温度の幅を広げることができる。
例えば、薄膜素子３５として薄膜トランジスタを形成する場合、形成方法として低温プロセスのみならず高温プロセスを適用することが可能となる。
剥離層１５、２８及び４５の厚さは、各剥離層の組成、層構成、形成方法等の諸条件により異なるが、照射光７０を吸収するのに十分な厚さを有することが望ましい。各剥離層の厚さが小さすぎると、各剥離層で吸収されずに透過した照射光７０が薄膜素子層３５に損傷を与える場合がある。また、各剥離層の膜厚が大きすぎると剥離層界面にまで光エネルギが伝わらず、照射光を照射しても界面には何ら変化をもたらさない場合がある。
例えば、剥離層が非晶質でシリコンであり、照射光がエキシマレーザＸｅＣｌ（波長３０８ｎｍ）である場合、剥離層１５、２８及び４５の厚さは２５ｎｍ以上であること好ましく、５０〜２００ｎｍであることがより好ましい。
剥離層１５、２８及び４５は、照射光７０が各剥離層を透過して薄膜素子３５に到達し、該薄膜素子３５に影響を及ぼすことを防ぐ目的で、遮光層及び/または反射層を含んでいてもよい。
照射光７０の光源としては、レーザ光が好適に用いられる。レーザ光の種類は、ルビーレーザ、ＹＡＧレーザ、ガラスレーザ等の固体レーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ等の気体レーザ、ＺｎＳ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ等を発光源として用いた半導体レーザ等、いかなる種類のものであっても構わない。特に、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザは高出力で均一なエネルギー密度分布を得易いために好ましい。
また、レーザ発振の形態は、連続発振、パルス発振のいずれの形態でも構わず、更にビーム形状に関しても、スポット照射、ライン照射等いかなる形状でも構わない。
製造元基板２７、剥離層１５、剥離層２８、剥離層４５、薄膜素子３５の組成および特性に応じて、照射光７０の光源としてハロゲンランプなどから発せられる可視光、赤外線、紫外線、マイクロ波等を用いることもできる。
（実施例５）
図５は、本発明の実施例に係る薄膜デバイスの供給体の他の製造方法を示している。この製造方法では、上述した製造工程（図４参照）に加えて薄膜デバイス３０を支持基板１０、仮固定基板５０、製造元基板２７の少なくとも１つに固定した状態で複数の領域に分割する工程を更に含んでいる。図５では、薄膜デバイス３０を支持基板１０に固定したものを分割する例で示している。薄膜デバイス３０を複数の領域に分割する工程は、例えば、製造元基板２７の表面に製造された薄膜素子層３５の複数の領域の境界部６０に溝部６１を形成する工程と、フレキシブル基板２５を、上記複数の領域の境界部において分割する工程を含んで実施される。
支持基板１０等に薄膜デバイス３０を固定することによって、薄膜デバイスの分割及び分割した薄膜デバイスの取り扱いが容易となる。
図６は、上記薄膜デバイスの供給体の製造方法の分割を更に説明するものである。上記フレキシブル基板２５の分割に際し、フレキシブル基板２５の分割のための該基板２５の被加工領域６０ａの幅は、上記薄膜素子層３５の複数の領域の境界部６０に形成された溝部６１の幅よりも小さく設定される。
本発明は、薄膜素子の転写により薄膜デバイスを製造する方法に係わっており、特に、改良形状不安定性を持つフレキシブル薄膜デバイスを大量に製造する際に有利な製造方法に関するものである。様々な電子デバイスが薄膜化またはフレキシブル化していくなかでこの発明は様々な分野の薄膜デバイスを製造する際に使用される。また、薄膜デバイスは後述の電気光学装置及び電子機器等に使用される。
（実施例６）
以下、各図を参照して本発明の第６の実施例について説明する。
本実施形態では、被転写層を最終転写体に一回転写する場合を半導体装置の製造方法を例に採り説明する。ここで、最終転写体とは、最終的に半導体装置を構成することになる転写体をいう。
図７は、第一の実施形態の被転写層の転写方法の一例を説明するための図である。
図７（Ａ）に示すように、基板１１０の一方の面に第１分離層１１２を介して被転写層１１４を形成する。
まず、基板１１０上に第１分離層１１２を形成する。
基板１１０は、例えば、後の工程で照射される照射光１２３を透過し得る透光性を有する材料から構成されることが好ましい。また、基板１１０は、第１分離層１１２及び被転写層１１４を形成する際の最高温度をTmaxとしたときに、歪点がTmax以上の材料で構成されていることが好ましい。
第１分離層１１２は、照射される光（例：照射光１２３）を吸収し、その層内および／または界面において剥離（以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う）を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、光の照射により、第１分離層１１２を構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離および／または界面剥離に至るものがよい。
さらに、光の照射により、第１分離層１１２から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。すなわち、第１分離層１１２に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、第１分離層１１２が光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。
このような第１分離層１１２としては、例えば、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）が挙げられる。また、第１分離層１１２は多層膜から構成されていてもよい。多層膜は、例えば非晶質シリコン膜とその上に形成されたＡｌ等の金属膜とからなるものとすることができる。その他、上記性状を有するセラミックス，金属，有機高分子材料などを用いることも可能である。
第１分離層１１２の形成方法は、特に限定されず、膜組成や膜厚等の諸条件に応じて適宜選択される。たとえば、ＣＶＤ、スパッタリング等の各種気相成膜法、各種メッキ法、スピンコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェットコーティング法、粉末ジェット法等が挙げられ、これらのうちの２以上を組み合わせて形成することもできる。
なお、図７（Ａ）には示されないが、基板１１０及び第１分離層１２の性状に応じて、両者の密着性の向上等を目的とした中間層を基板１１０と第１分離層１１２の間に設けても良い。この中間層は、例えば製造時または使用時において被転写層を物理的または化学的に保護する保護層、絶縁層、被転写層へのまたは被転写層からの成分の移行（マイグレーション）を阻止するバリア層、反射層としての機能のうち少なくとも一つを発揮するものである。
次に、第１分離層１１２上に、被転写層としての薄膜デバイス（例：薄膜トランジスタ）１１４を形成する。また、この際必要に応じて、外部との電気的接続に必要な接続端子、配線等を形成する。
次に、図７（Ｂ）に示すように、薄膜デバイス１１４上に接着層１３０を介して最終的に半導体装置を構成することになる最終転写体３２を接合する。
本発明で用いられる、最終転写体１３２は、柔軟性又は可撓性を有するものである。このような最終転写体１３２は、基板であっても、シート又はフィルムであってもよく、構成する材料も特に限定されない。最終転写体１３２を構成する材料としては、樹脂であってもガラス材料であってもよい。
接着層１３０を構成する接着剤としては永久接着剤が用いられ、その好適な例としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、光硬化型接着剤（例：紫外線硬化型接着剤）、嫌気硬化型接着剤等が挙げられる。接着剤の組成は、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系のいずれであってもよい。
次に、図７（Ｃ）に示すように、最終転写体１３２の強度を補強するための固定具１３６を、仮固定用の接着層１３４を介して最終転写体３２に接合する。
固定具１３６は、後の工程で最終転写体３２と基板１１０とを分離容易とするためのものである。固定具１３６としては、最終転写体３２の強度を補強し得るものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ガラス又は樹脂等からなる剛性のある基板等が用いられる。
また、作業台等を固定具３６として利用してもよく、直接作業台等に固定するものであってもよい。固定具１３６を固定するための接着層１３４を構成する材料としては、後に除去可能なものであることを要する。このような接着剤としては、特定の光により脆化する接着剤、特定溶剤に溶解する接着剤等が挙げられる。具体的には、例えば、アクリル樹脂系の水溶性接着剤が用いられる。
なお、ここで固定具１３６は、接着層１３４を介して接合したが、他の方法によるものであってもよい。具体的には、例えば、真空吸着により固定するものであってもよい。
次に、図７（Ｄ）及び図７（Ｅ）に示すように、基板１１０の裏面１１１側から第１分離層１１２に光１２３を照射することにより、基板１１０を被転写層１１４から分離する。この照射光１２３は、基板１１０を透過し、第１分離層１１２に照射される。これにより、第１分離層１１２に層内剥離及び／又は界面剥離が生じる。第１分離層１１２の層内剥離及び／又は界面剥離が生じる原理は、第１分離層１１２の構成材料にアブレーションが生じること、また、第１分離層１１２に含まれるガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものであると推定される。
ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（第１分離層１１２の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、第１分離層１１２の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、前記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。
照射光２３の光源としては、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線等のいかなるものであってもよい。このような中でも、アブレーションを生じさせ易いという観点から、レーザ光が好適に用いられる。レーザ光の種類は、気体レーザ、固体レーザ（半導体レーザ）等のいずれでもよく、中でも、エキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ2レーザ、ＣＯレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が好ましく、さらにエキシマレーザが好ましい。
次に、図７（Ｅ）に示すように、基板１１０と最終転写体１３２を分離する。例えば基板１１０と最終転写体１３２に、双方を離間させる方向に力を加えることによって、基板１１０を最終転写体１３２から取り外す。前記光照射によって、転写すべき被転写層１１４と基板１１０とを接合する強度は弱まっているため、容易に剥離転写がなされる。
なお、図７（Ｅ）においては、第１分離層１１２が基板１１０側に付着する場合を示したが、第１分離層１１２内又は第１分離層１１２と基板１１０との間で剥離が生じる場合もある。この場合には、被転写層１１４に第１分離層１１２が付着して残るが、この被転写層１１４に付着した第１分離層１１２は、洗浄、エッチング、アッシング等により除去することが可能である。
次に、図７（Ｆ）に示すように、接着層１３４を除去することにより、固定具１３６を取り外す。接着層１３４が水溶性接着剤から構成される場合には、水洗等により除去することが可能である。このように接着層１３４を洗い流すことにより、固定具１３６を分離することが可能となる。このようにして、柔軟性又は可撓性を有する最終転写体１３２に被転写層１１４が設けられた半導体装置を得ることが可能となる。
なお、接着層１３４が、水溶性接着剤以外の材料から構成されている場合、例えば、光照射等により分解可能な接着剤から構成されている場合には、適当な光を照射することにより接着層１３４を除去することが可能となる。
本実施形態によれば、柔軟性又は可撓性を有する最終転写体１３２を固定具１３６により固定することにより、基板１１０を最終転写体１３２側から取除く際に、基板１１０と最終転写体１３２に一様の力をかけることが可能となるので、容易に基板１１０と最終転写体１３２とを分離することが可能となる。このように、本実施形態によれば、固定具１３６を装着するという簡便な方法により、剥離転写を容易にすることが可能となるので、生産性を向上することが可能となり、得られる半導体装置のコスト低減にも寄与することが可能となる。
なお、上記例において、固定具１３６は光照射前に取付けたが、固定具１３６は基板１１０を最終転写体１３２から分離する際に取付けていればよく、固定具１３６を取付ける順序は特に限定されない。
（実施例７）
本実施形態では、被転写層を一時的に一次転写体に転写した後、さらに最終的な製品を構成することになる最終転写体（二次転写体）へ二回転写する場合を例に採り説明する。
図８及び図９は、第二の実施形態の被転写層の転写方法を説明するための図である。なお、図８及び図９において、図７と同じ要素については、同一符号を付してその説明を省略する。
図８（Ａ）に示すように、基板１１０の一方の面に第１分離層１１２を介して被転写層１１４を形成する。次に、図８（Ｂ）に示すように、被転写層１１４上に、接着層１１６及び第２分離層１１８を介して、一次転写体１２０を接合する。一次転写体１２０としては、特に限定するものではないが、ガラス、樹脂等の基板が用いられる。接着層１１６は、第２分離層１１８と被転写層１１４を接着させるために使用されるものであり、また、後に一次転写体１２０を剥離する際に除去容易なものであることが好ましい。このような接着層１１６を構成する接着剤としては、例えば、アクリル樹脂系の水溶性接着剤が用いられる。また、第２分離層１１８としては、第１分離層１１２と同様のものが用いられる。
次に、図８（Ｃ）に示すように、基板１１０の裏面側１１１から第１分離層１１２に照射光１２３を照射して、第１分離層１１２に層内剥離及び／又は界面剥離を生じさせる。その後、一次転写体１２０側と基板１１０側に、双方を離間させる方向に力を加えることによって、基板１１０を一次転写体１２０から取り外し、被転写層１１４を一次転写体１２０側に転写する。
次に、図８（Ｄ）に示すように、被転写層１１４の基板１１０を除去した側の面に、柔軟性又は可撓性を有する二次転写体１２６を接着層１２４を介して接合する。
次に、図９（Ａ）に示すように、二次転写体１２６に、二次転写体１２６の強度を補強するために、固定具１３６を仮固定用の接着層１３４を介して接合する。
次に、図９（Ｂ）及び図９（Ｃ）に示すように、一次転写体１２０側から第２分離層１１８に照射光１３１を照射し、一次転写体１２０を接着層１１６が付着した被転写層１１４から剥離する。
次に、図９（Ｄ）に示すように、接着層１１６、接着層１３４及び固定具１３６を除去する。接着層１１６及び接着層１３４が水溶性接着剤から構成される場合には、水洗等により除去することが可能である。また、接着層１３４を洗い流すことにより、固定具１３６を取り外すことが可能となる。このようにして、半導体装置を得ることが可能となる。
なお、接着層１１６及び接着層１２８が、水溶性接着剤以外の材料から構成されている場合、例えば、光照射等により分解可能な接着剤から構成されている場合には、適当な光を照射することにより接着層１１６及び接着層１３４を除去することが可能となる。
本実施形態のように、固定具１３６を用いることで、一次転写体１２０及び二次転写体１３２に二回転写を行う場合にも、一次転写体１２０側と二次転写体１３２側に一様の力をかけることができるので、容易に引き離すことが可能となる。よって、作業性が向上するので、生産効率を上げることが可能となり、半導体装置のコストを削減することが可能となる。
また、上記例においては、二次転写体１３２が柔軟性又は可撓性を有する材料で構成する場合について説明したが、一次転写体１２０及び二次転写体１３２の双方が柔軟性又は可撓性を有する材料で構成されている場合にも本発明の方法は利用し得る。柔軟性又は可撓性を有する一次転写体１２０と二次転写体１３２とを分離する際に、固定具１３６を一次転写体１２０と二次転写体１３２の双方に取付けることにより、一次転写体１２０及び二次転写体１３２を容易に引き離すことが可能となる。
（電気光学装置及び電子機器）
上記方法により製造された半導体装置は、電気光学装置又は電子機器等に好適に用いられる。本発明の電気光学装置及び電子機器の具体例を図１０及び図１１を参照しながら説明する。図１０及び図１１は、電気光学装置６００（例：有機ＥＬ表示装置）を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。
図１１（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話８３０はアンテナ部８３１、音声出力部８３２、音声入力部８３３、操作部８３４、および本発明の電気光学装置６００を備えている。図１０（Ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ８４０は受像部８４１、操作部８４２、音声入力部８４３、および電気光学装置６００を備えている。図１０（Ｃ）は携帯型パーソナルコンピュータ（いわゆるＰＤＡ）への適用例であり、当該コンピュータ８５０はカメラ部８５１、操作部８５２、および電気光学装置６００を備えている。図１０（Ｄ）はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ８６０はバンド８６１、光学系収納部８６２および電気光学装置６００を備えている。
図１１（Ａ）はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン９００は電気光学装置６００を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に電気光学装置６００を適用し得る。図１１（Ｂ）はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン９１０は電気光学装置６００を備えている。
なお、上記例では、電気光学装置の一例として有機ＥＬ表示装置を挙げたが、これに限定されるものではなく、他の種々の電気光学素子（例えば、プラズマ発光素子、電気泳動素子、液晶素子など）を用いて構成される電気光学装置の製造方法に適用することも可能である。また、本発明の適用範囲は、電気光学装置及びその製造方法に限定されるものでもなく、転写技術を用いて形成される各種装置に広く適用することが可能である。また、電気光学装置は、上述した例に限らず、例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳など各種の電子機器に適用可能である。
図１は、本発明の第１の実施例の形態を説明する製造工程断面図である。 図２は、本発明の実施例の形態を説明する製造工程断面図である。 図３は、本発明の実施例の形態を説明する製造工程断面図である。 図４は、本発明の実施例の形態を説明する工程図である。 図５は、本発明の実施例の形態を説明する製造工程断面図である。 図６は、本発明の実施例の形態を説明する製造工程断面図である。 図７は、第二の実施形態の被転写層の転写方法の一例を説明するための図である。 図８は、第三の実施形態の被転写層の転写方法を説明するための図である。 図９は、第三の実施形態の被転写層の転写方法を説明するための図である。 図１０は、電気光学装置（例：有機ＥＬ表示装置）を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。 図１１は、電気光学装置（例：有機ＥＬ表示装置）を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。
符号の説明
９・・・支持基板裏面、１０・・・支持基板、１４・・・支持基板と接する第一の剥離層界面、１５・・・第一の剥離層、１６・・・第一の仮固定用接着層と接する第一の剥離層界面、２０・・・第一の仮固定用接着層、２５・・・フレキシブル基板、２６・・・薄膜素子を接する第二の剥離層界面、２７・・・製造元基板、２８・・・第二の剥離層、２９・・・製造元基板と接する第二の剥離層界面、３０・・・薄膜デバイス、３３・・・永久接着層、３４・・・製造元基板が取り除かれた面、３５・・・薄膜素子、４０・・・第二の仮固定用接着層、４４・・・第二の仮固定用接着層を接する第三の剥離層界面、４５・・・第三の剥離層、４６・・・仮固定基板と接する第三の剥離層界面、５０・・・仮固定用基板、６０・・・境界部、６１・・・溝部、７０・・・照射光、１１０・・・基板、１１１・・・裏面１２・・・第１分離層、１１４・・・被転写層、１１６・・・接着層、１１８・・・第２分離層、１２０・・・一次転写体、１２３・・・照射光、１２４・・・接着層、１２６・・・二次転写体、１２８・・・接着層、１３０・・・接着層、１３１・・・照射光、１３２・・・最終転写体（二次転写体）、１３４・・・接着層、１３６・・・固定具、６００・・・電気光学装置、８３０・・・携帯電話、８３１・・・アンテナ部、８３２・・・音声出力部、８３３・・・音声入力部、８３４・・・操作部、８４０・・・ビデオカメラ、８４１・・・受像部、８４２・・・操作部、８４３・・・音声入力部、８５０・・・コンピュータ、８５１・・・カメラ部、８５２・・・操作部、８６０・・・ヘッドマウントディスプレイ、８６１・・・バンド、８６２・・・光学系収納部、９００・・・テレビジョン、９１０・・・ロールアップ式テレビジョン

Claims (25)

  1. 支持基板上に仮固定用接着層を介して薄膜デバイスが固定された構造を備えたことを特徴とする、薄膜デバイスの供給体。
  2. 前記支持基板は、剥離層を備えたことを特徴とする、請求項１記載の薄膜デバイスの供給体。
  3. 前記薄膜デバイスは、可撓性を有するフレキシブル基板上に薄膜素子が搭載された構造を備えたことを特徴とする、請求項１または２に記載の薄膜デバイスの供給体。
  4. 前記仮固定用接着層は、光照射または加熱によって接着力を著しく減少または消失することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載の薄膜デバイスの供給体。
  5. 前記剥離層は、光照射によって界面剥離および／または層内剥離を生じることを特徴とする、請求項２乃至４のいずれかに記載の薄膜デバイスの供給体。
  6. 前記支持基板は、透光性を備えていることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載の薄膜デバイスの供給体。
  7. 前記薄膜デバイスは、複数の領域に分割されていることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれかに記載の薄膜デバイスの供給体。
  8. 前記光照射または加熱は、前記薄膜デバイスの分割された領域のうち選択された領域のみに対して実施されることを特徴とする、請求項４に記載の薄膜デバイスの供給体。
  9. 支持基板上に薄膜デバイスを剥離転写可能に担う薄膜デバイスの供給体の製造方法であって、
    製造元基板の表面に製造された薄膜素子層に第１の仮固定用接着層を介して仮固定基板を固定する工程と、
    前記薄膜素子層から前記製造元基板を取り除く工程と、
    前記薄膜素子層の前記製造元基板が取り除かれた面に永久接着層を介してフレキシブル基板を接着する工程と、
    前記フレキシブル基板の前記薄膜素子層が接着された面と反対の面に第２の仮固定用接着層を介して支持基板を固定する工程と、
    前記薄膜素子から前記仮固定基板を取り除く工程と、
    を備える薄膜デバイスの供給体の製造方法。
  10. 前記薄膜素子層から前記製造元基板を取り除く工程は、
    前記製造元基板として透光性基板を用い、この基板の表面に予め形成された剥離層に対して該基板の裏面側から光照射を実施し、前記剥離層に界面剥離および／または層内剥離を生ぜしめるものであることを特徴とする、請求項９に記載の薄膜デバイスの供給体の製造方法。
  11. 前記薄膜素子層から前記製造元基板を取り除く工程は、
    前記製造元基板を研削および／またはエッチングするものであることを特徴とする、請求項９に記載の薄膜デバイスの供給体の製造方法。
  12. 前記薄膜素子層から前記仮固定基板を取り除く工程は、
    前記第１の仮固定用接着層に光照射または加熱を施し、この接着層の接着力を減少または消失させるものであることを特徴とする、請求項９に記載の薄膜デバイスの供給体の製造方法。
  13. 前記薄膜素子層から前記仮固定基板を取り除く工程は、
    前記仮固定基板に予め形成された剥離層に対して光照射を実施し、この剥離層に界面剥離および／または層内剥離を生じさせるものであることを特徴とする、請求項９に記載の薄膜デバイスの供給体の製造方法。
  14. 前記薄膜素子層から前記仮固定基板を取り除く工程は、
    前記第１の仮固定用接着層を溶媒に溶解させるものであることを特徴とする、請求項９に記載の薄膜デバイスの供給体の製造方法。
  15. 更に、前記薄膜素子層を前記支持基板、前記仮固定基板及び前記製造元基板のいずれかに固定した後に、該薄膜素子層を複数の領域に分割する工程を備えたことを特徴とする、請求項９乃至１４のいずれかに記載の薄膜デバイスの供給体の製造方法。
  16. 前記薄膜素子層を複数の領域に分割する工程は、
    前記薄膜素子層の前記複数の領域の境界部に溝部を形成する工程と、
    前記フレキシブル基板を前記複数の領域の境界部において分割する工程と、
    を含むことを特徴とする、請求項１５に記載の薄膜デバイスの供給体の製造方法。
  17. 前記フレキシブル基板を前記複数の領域の境界部において分割する工程は、
    前記フレキシブル基板の被加工領域の幅を前記薄膜素子層の領域の境界部に形成される溝部の幅よりも小さくなるように形成することを特徴とする、請求項１６に記載の薄膜デバイスの供給体の製造方法。
  18. 請求項１乃至８のいずれかに記載の薄膜デバイスの供給体から供給される薄膜デバイスを搭載した、電子機器。
  19. 基板上に形成された被転写層を柔軟性又は可撓性を有する転写体に転写する方法であって、
    前記基板上に被転写層を形成する第１工程と、
    前記基板上に形成された前記被転写層を、固定具に固定された柔軟性又は可撓性を有する転写体に接合する第２工程と、
    前記基板から前記転写体に前記被転写層を剥離転写する第３工程と、
    を含むことを特徴とする被転写層の転写方法。
  20. 基板上に形成された被転写層を柔軟性又は可撓性を有する転写体に転写する方法であって、
    前記基板上に被転写層を形成する第１工程と、
    前記基板を、前記被転写層を一次転写体に接合する第２工程と、
    前記基板から前記一次転写体に前記被転写層を剥離転写する第３工程と、
    前記一次転写体に転写された前記被転写層を、固定具に固定した柔軟性又は可撓性を有する二次転写体に接合する第４工程と、
    前記一次転写体から前記二次転写体に前記被転写層を剥離転写する第５工程と、
    を含むことを特徴とする被転写層の転写方法。
  21. 基板上に形成された被転写層を柔軟性又は可撓性を有する転写体に転写する方法であって、
    前記基板上に被転写層を形成する第１工程と、
    前記基板を、前記被転写層を介して固定具に固定した柔軟性又は可撓性を有する一次転写体に接合する第２工程と、
    前記基板から前記一次転写体に前記被転写層を剥離転写する第３工程と、
    前記一次転写体に転写された前記被転写層を、固定具に固定した柔軟性又は可撓性を有する二次転写体に接合する第４工程と、
    前記一次転写体から前記二次転写体に前記被転写層を剥離転写する第５工程と、
    を含むことを特徴とする被転写層の転写方法。
  22. 前記固定具が補助基板である、請求項１９乃至２１のいずれかに記載の転写方法。
  23. 前記被転写層が薄膜デバイスである、請求項１９乃至２１のいずれかに記載の転写方法。
  24. 請求項１９乃至２１のいずれかに記載の転写方法を利用したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  25. 請求項２４に記載の製造方法により得られる半導体装置を用いたことを特徴とする電子機器。
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