JP2003318372A - 電子装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents
電子装置の製造方法及び製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜回路や薄膜素子の基板間転写を自動的に
行える製造装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 レーザビ(101a)を発生するレーザ装置(1
01)と、レーザビームのビームスポットの形状を整える
マスク基板を含むマスク手段(102)と、転写対象体を担
う第１の基板(301)を載置する第１のステージ(300)と、
転写対象体が転写されるべき第２の基板(201)を載置す
る第２のステージ(200)と、転写対象体又は第２の基板
上の被転写位置に接着剤を塗布する接着剤塗布手段(50
0)と、第１及び第２のステージの各動作を制御する制御
手段(700)と、を含み、制御手段(700)は、少なくとも第
１及び第２のステージのいずれかを移動してマスク基
板、第１及び第２の基板相互間の位置を合わせ、第１及
び第２の基板を密着し、レーザビームを上記転写対象体
に照射させ、第１及び第２の基板を離間して転写対象体
を第１の基板から第２の基板に転写する。
行える製造装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 レーザビ(101a)を発生するレーザ装置(1
01)と、レーザビームのビームスポットの形状を整える
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転写対象体が転写されるべき第２の基板(201)を載置す
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手段(700)と、を含み、制御手段(700)は、少なくとも第
１及び第２のステージのいずれかを移動してマスク基
板、第１及び第２の基板相互間の位置を合わせ、第１及
び第２の基板を密着し、レーザビームを上記転写対象体
に照射させ、第１及び第２の基板を離間して転写対象体
を第１の基板から第２の基板に転写する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、１の基板から他の
基板に電子デバイスを転写する基板間転写技術を使用し
て電子装置を製造する製造装置及び製造方法に関する。
基板に電子デバイスを転写する基板間転写技術を使用し
て電子装置を製造する製造装置及び製造方法に関する。
【０００２】
【背景の技術】元の基板から他の基板に電子デバイスを
転写する技術が提案されている。例えば、石英基板上に
低温ポリシリコンＴＦＴ（薄膜トランジスタ）プロセス
で製造されたＴＦＴ−ＬＣＤ（液晶表示器）をプラスチ
ック基板上に転写し、耐熱温度の低い、フィルム状のブ
ラスチック基板にＬＣＤを組立てることを容易にしよう
とするものである。例えば、特開平１１−１４２８７８
号公報には、ＴＦＴ素子を選択転写する表示用トランジ
スタアレイパネルの形成方法が開示されている。このよ
うな、薄膜電子デバイスの転写技術は、理論的には、薄
膜回路（装置）のみならず、薄膜素子単位でも転写する
ことが可能である。
転写する技術が提案されている。例えば、石英基板上に
低温ポリシリコンＴＦＴ（薄膜トランジスタ）プロセス
で製造されたＴＦＴ−ＬＣＤ（液晶表示器）をプラスチ
ック基板上に転写し、耐熱温度の低い、フィルム状のブ
ラスチック基板にＬＣＤを組立てることを容易にしよう
とするものである。例えば、特開平１１−１４２８７８
号公報には、ＴＦＴ素子を選択転写する表示用トランジ
スタアレイパネルの形成方法が開示されている。このよ
うな、薄膜電子デバイスの転写技術は、理論的には、薄
膜回路（装置）のみならず、薄膜素子単位でも転写する
ことが可能である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄膜回
路や薄膜素子の基板間転写を実用化するためには、基板
間転写を自動的に行える製造装置が必要である。
路や薄膜素子の基板間転写を実用化するためには、基板
間転写を自動的に行える製造装置が必要である。
【０００４】また、基板間転写において、基板が有機フ
ィルム基板等のフレキシブルな材料であったり、転写元
と転写先の基板の材料が異なっていると、張り合わせる
際の位置合わせ精度を確保することが困難である。すな
わち、有機フィルム基板はうねりや反りを生じ易く、基
板相互間を精度良く位置合わせすることが難しい。
ィルム基板等のフレキシブルな材料であったり、転写元
と転写先の基板の材料が異なっていると、張り合わせる
際の位置合わせ精度を確保することが困難である。すな
わち、有機フィルム基板はうねりや反りを生じ易く、基
板相互間を精度良く位置合わせすることが難しい。
【０００５】また、大型の液晶表示装置などを製造する
場合には、大型のガラス基板の上に素子や回路を形成す
るが、大型の基板を取り扱うには製造プロセスの各装置
を大型化する必要がある。これは、設備コストの上昇要
因となる。
場合には、大型のガラス基板の上に素子や回路を形成す
るが、大型の基板を取り扱うには製造プロセスの各装置
を大型化する必要がある。これは、設備コストの上昇要
因となる。
【０００６】よって、本発明は薄膜回路や薄膜素子の基
板間転写を自動的に行える製造装置を提供することを目
的とする。
板間転写を自動的に行える製造装置を提供することを目
的とする。
【０００７】また、本発明は薄膜回路や薄膜素子の薄膜
基板間転写を精度良く行える製造装置を提供することを
目的とする。
基板間転写を精度良く行える製造装置を提供することを
目的とする。
【０００８】また、本発明は従来の製造設備を用いて、
液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置などの大型の電気光学
装置の製造を可能とする製造装置を提供することを目的
とする。
液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置などの大型の電気光学
装置の製造を可能とする製造装置を提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の電子装置の製造装置は、レーザビームを発
生するレーザ装置と、上記レーザビームのビームスポッ
トの形状を整えるマスク基板を含むマスク手段と、転写
対象体を担う第１の基板を載置する第１のステージと、
上記転写対象体が転写されるべき第２の基板を載置する
第２のステージと、上記転写対象体又は上記第２の基板
上の被転写位置に接着剤を塗布する接着剤塗布手段と、
少なくとも上記第１及び第２のステージの各動作を制御
する制御手段と、を含み、上記制御手段は、少なくとも
上記第１及び第２のステージのいずれかを移動して上記
マスク基板、上記第１及び第２の基板相互間の位置を合
わせ、上記第１及び第２の基板を密着し、上記レーザビ
ームを上記転写対象体に照射させ、上記第１及び第２の
基板を離間して上記転写対象体を上記第１の基板から第
２の基板に転写する。
め、本発明の電子装置の製造装置は、レーザビームを発
生するレーザ装置と、上記レーザビームのビームスポッ
トの形状を整えるマスク基板を含むマスク手段と、転写
対象体を担う第１の基板を載置する第１のステージと、
上記転写対象体が転写されるべき第２の基板を載置する
第２のステージと、上記転写対象体又は上記第２の基板
上の被転写位置に接着剤を塗布する接着剤塗布手段と、
少なくとも上記第１及び第２のステージの各動作を制御
する制御手段と、を含み、上記制御手段は、少なくとも
上記第１及び第２のステージのいずれかを移動して上記
マスク基板、上記第１及び第２の基板相互間の位置を合
わせ、上記第１及び第２の基板を密着し、上記レーザビ
ームを上記転写対象体に照射させ、上記第１及び第２の
基板を離間して上記転写対象体を上記第１の基板から第
２の基板に転写する。
【００１０】かかる構成とすることによって、薄膜素子
や薄膜回路の基板間転写を自動的に行う装置を提供する
ことが可能となる。
や薄膜回路の基板間転写を自動的に行う装置を提供する
ことが可能となる。
【００１１】更に、各基板をステージに搬送する基板搬
送手段を備えることにより、製造工程や組立工程の連続
性が確保される。なお、ステージ自体に基板の搬送機能
を持たせることとしても良い。
送手段を備えることにより、製造工程や組立工程の連続
性が確保される。なお、ステージ自体に基板の搬送機能
を持たせることとしても良い。
【００１２】好ましくは、上記基板相互間の位置合わせ
は、予め、上記マスク基板、上記第１及び第２の基板に
それぞれアライメントマークを形成しておき、検出手段
で各アライメントマークの整列状態を検出し、この結果
に基づいて少なくとも上記第１及び第２のステージのい
ずれかを移動することによって行う。それにより、第１
の基板の転写対象体と第２の基板の被転写位置とを合わ
せることが可能となる。
は、予め、上記マスク基板、上記第１及び第２の基板に
それぞれアライメントマークを形成しておき、検出手段
で各アライメントマークの整列状態を検出し、この結果
に基づいて少なくとも上記第１及び第２のステージのい
ずれかを移動することによって行う。それにより、第１
の基板の転写対象体と第２の基板の被転写位置とを合わ
せることが可能となる。
【００１３】好ましくは、上記検出手段はＣＣＤカメラ
であり、各アライメントマークの重なり状態を観察する
ことによって上記整列状態を検出可能とする。
であり、各アライメントマークの重なり状態を観察する
ことによって上記整列状態を検出可能とする。
【００１４】好ましくは、上記基板相互間の位置合わせ
は、上記マスク基板のアライメントマークに上記第２の
基板のアライメントマークを合わせ、この第２の基板の
アライメントマークに上記第１の基板のアライメントマ
ークを合わせることによって行う。
は、上記マスク基板のアライメントマークに上記第２の
基板のアライメントマークを合わせ、この第２の基板の
アライメントマークに上記第１の基板のアライメントマ
ークを合わせることによって行う。
【００１５】好ましくは、上記基板相互間の位置合わせ
は、上記マスク基板のアライメントマークに上記第１の
基板のアライメントマークを合わせ、この第１の基板の
アライメントマークに上記第２の基板のアライメントマ
ークを合わせることによって行う。
は、上記マスク基板のアライメントマークに上記第１の
基板のアライメントマークを合わせ、この第１の基板の
アライメントマークに上記第２の基板のアライメントマ
ークを合わせることによって行う。
【００１６】好ましくは、上記基板相互間の位置合わせ
は、上記マスク基板のアライメントマークに上記第１の
基板のアライメントマークを合わせ、上記マスク基板の
アライメントマークに上記第２の基板のアライメントマ
ークを合わせることによって行う。
は、上記マスク基板のアライメントマークに上記第１の
基板のアライメントマークを合わせ、上記マスク基板の
アライメントマークに上記第２の基板のアライメントマ
ークを合わせることによって行う。
【００１７】好ましくは、上記第１の基板には、各転写
対象体毎にアライメントマークを形成する。それによ
り、各転写対象体を個別的に第２の基板の所定位置に転
写することが可能となる。
対象体毎にアライメントマークを形成する。それによ
り、各転写対象体を個別的に第２の基板の所定位置に転
写することが可能となる。
【００１８】好ましくは、上記第２の基板には、予め定
められた領域毎に前記アライメントマークが形成され
る。それにより、第２の基板をステップ移動して複数の
領域に転写対象体を貼り付けることが可能となり、生産
性が向上する。
められた領域毎に前記アライメントマークが形成され
る。それにより、第２の基板をステップ移動して複数の
領域に転写対象体を貼り付けることが可能となり、生産
性が向上する。
【００１９】好ましくは、上記マスク基板は、上記レー
ザビームのスポット径よりも狭い透過窓が形成された透
過窓基板を含み、この基板の上記透過窓の大きさが異な
るものを予め複数用意して、上記転写対象体の形状に対
応して該透過窓基板を適宜に選択可能としている。それ
により、転写対象体の大きさが異なる複数の種類を転写
可能とする。
ザビームのスポット径よりも狭い透過窓が形成された透
過窓基板を含み、この基板の上記透過窓の大きさが異な
るものを予め複数用意して、上記転写対象体の形状に対
応して該透過窓基板を適宜に選択可能としている。それ
により、転写対象体の大きさが異なる複数の種類を転写
可能とする。
【００２０】好ましくは、上記マスク基板は、上記レー
ザビームを複数に分岐する回折格子基板を含む。それに
より、同時に複数の領域を照射して複数の転写対象体を
転写可能とする。
ザビームを複数に分岐する回折格子基板を含む。それに
より、同時に複数の領域を照射して複数の転写対象体を
転写可能とする。
【００２１】好ましくは、上記マスク基板は、上記レー
ザビームを複数に分岐する回折格子と、この分岐された
複数のビームに対応する複数の透過窓を形成した透過窓
基板と、を含む。それにより、サイズの異なる転写対象
体を複数同時に転写することを可能とする。
ザビームを複数に分岐する回折格子と、この分岐された
複数のビームに対応する複数の透過窓を形成した透過窓
基板と、を含む。それにより、サイズの異なる転写対象
体を複数同時に転写することを可能とする。
【００２２】好ましくは、１つのレーザビームを光ファ
イバによって複数に分岐し、あるいは複数のレーザ光源
から複数の光ファイバで導出される複数のレーザビーム
と、複数の透過窓を形成した透過窓基板と、を使用す
る。それにより、複数の転写対象体を選択的に転写する
ことが可能となる。
イバによって複数に分岐し、あるいは複数のレーザ光源
から複数の光ファイバで導出される複数のレーザビーム
と、複数の透過窓を形成した透過窓基板と、を使用す
る。それにより、複数の転写対象体を選択的に転写する
ことが可能となる。
【００２３】好ましくは、上記第２のステージ側に、上
記第２の基板のうねりや傾斜を減らすためのうねり抑制
手段を設ける。それにより、第２の基板を平坦に保つこ
とが可能となり、反りの生じやすいフィルム基板の使用
が容易となる。
記第２の基板のうねりや傾斜を減らすためのうねり抑制
手段を設ける。それにより、第２の基板を平坦に保つこ
とが可能となり、反りの生じやすいフィルム基板の使用
が容易となる。
【００２４】好ましくは、上記うねり抑制手段は、上記
第２のステージの基板の載置面に配置された圧力を検出
する複数の圧力センサと、上記第２のステージの基板の
載置面に配置された複数の微小伸縮体と、上記複数のセ
ンサの各出力に基づいて上記複数の微小伸縮体の伸縮を
制御するうねり補正手段と、を含む。それにより、自動
的に基板の反りやうねりを抑制する。
第２のステージの基板の載置面に配置された圧力を検出
する複数の圧力センサと、上記第２のステージの基板の
載置面に配置された複数の微小伸縮体と、上記複数のセ
ンサの各出力に基づいて上記複数の微小伸縮体の伸縮を
制御するうねり補正手段と、を含む。それにより、自動
的に基板の反りやうねりを抑制する。
【００２５】好ましくは、上記圧力センサ及び上記微小
伸縮体がピエゾ素子によって構成される。
伸縮体がピエゾ素子によって構成される。
【００２６】好ましくは、１つのピエゾ素子を上記圧力
センサ及び上記微小伸縮体として使用する。これによ
り、小型化を図り易くなる。
センサ及び上記微小伸縮体として使用する。これによ
り、小型化を図り易くなる。
【００２７】好ましくは、上記転写対象は薄膜素子又は
薄膜回路を含む。それにより、薄膜素子単位の転写や、
薄膜回路単位の転写が行われ、電子装置の製造が容易と
なる。特に、大型の電気光学装置（液晶表示装置、有機
ＥＬ表示装置など）の製造を行い易くなる。
薄膜回路を含む。それにより、薄膜素子単位の転写や、
薄膜回路単位の転写が行われ、電子装置の製造が容易と
なる。特に、大型の電気光学装置（液晶表示装置、有機
ＥＬ表示装置など）の製造を行い易くなる。
【００２８】好ましくは、上記第１の基板は、ガラス等
の透光性基板である。
の透光性基板である。
【００２９】好ましくは、上記第２の基板は配線が形成
された基板である。
された基板である。
【００３０】好ましくは、基板温度はステージに配置さ
れたヒータや温度センサによって所定値にコントロール
される。
れたヒータや温度センサによって所定値にコントロール
される。
【００３１】好ましくは、上記電子装置は、半導体装
置、電気光学装置、又はＩＣカードを含む。
置、電気光学装置、又はＩＣカードを含む。
【００３２】本発明の電子装置の製造方法は、第１の基
板に形成された転写対象体を剥離して第２の基板に転写
する剥離転写技術を使用して電子装置を製造する製造方
法において、透過窓を有するマスク基板、上記第１及び
第２の基板のうちのいずれか１つを位置合わせの基準基
板として選択する過程と、当該基準基板に形成されたア
ライメントマークと他の２つの基板に形成された各アラ
イメントマークとが整列するように各基板の位置を調整
する過程と、上記転写対象体部分に接着剤を介して上記
第１及び第２の基板を貼り合わせる過程と、上記転写対
象体に上記マスク基板を介してレーザを照射して上記転
写対象体を上記第１の基板から剥離する過程と、上記第
１及び第２の基板を離間して上記転写対象体を上記第１
の基板側に移す過程と、を含む。
板に形成された転写対象体を剥離して第２の基板に転写
する剥離転写技術を使用して電子装置を製造する製造方
法において、透過窓を有するマスク基板、上記第１及び
第２の基板のうちのいずれか１つを位置合わせの基準基
板として選択する過程と、当該基準基板に形成されたア
ライメントマークと他の２つの基板に形成された各アラ
イメントマークとが整列するように各基板の位置を調整
する過程と、上記転写対象体部分に接着剤を介して上記
第１及び第２の基板を貼り合わせる過程と、上記転写対
象体に上記マスク基板を介してレーザを照射して上記転
写対象体を上記第１の基板から剥離する過程と、上記第
１及び第２の基板を離間して上記転写対象体を上記第１
の基板側に移す過程と、を含む。
【００３３】かかる構成とすることによって、第１の基
板の所定の位置に配置された転写対象体を第２の基板に
選定された被転写位置に正確に移動することが可能とな
る。
板の所定の位置に配置された転写対象体を第２の基板に
選定された被転写位置に正確に移動することが可能とな
る。
【００３４】また、本発明の電子装置の製造方法は、第
１の基板に形成された転写対象体を剥離して第２の基板
に転写する剥離転写を使用して電子装置を製造する製造
方法において、上記転写対象体の外形に対応した透過窓
を有するマスク基板に形成されたアライメントマークに
上記第２の基板に形成されたアライメントマークを合わ
せる過程と、上記第２の基板のアライメントマークに上
記第１の基板に形成されたアライメントマークを合わせ
る過程と、上記転写対象体部分に接着剤を介して上記第
１及び第２の基板を貼り合わせる過程と、上記転写対象
体に上記マスク基板を介してレーザを照射して上記転写
対象体を上記第１の基板から剥離する過程と、上記第１
及び第２の基板を離間して上記転写対象体を上記第１の
基板側に移す過程と、を含む。
１の基板に形成された転写対象体を剥離して第２の基板
に転写する剥離転写を使用して電子装置を製造する製造
方法において、上記転写対象体の外形に対応した透過窓
を有するマスク基板に形成されたアライメントマークに
上記第２の基板に形成されたアライメントマークを合わ
せる過程と、上記第２の基板のアライメントマークに上
記第１の基板に形成されたアライメントマークを合わせ
る過程と、上記転写対象体部分に接着剤を介して上記第
１及び第２の基板を貼り合わせる過程と、上記転写対象
体に上記マスク基板を介してレーザを照射して上記転写
対象体を上記第１の基板から剥離する過程と、上記第１
及び第２の基板を離間して上記転写対象体を上記第１の
基板側に移す過程と、を含む。
【００３５】かかる構成とすることによって、第２の基
板のアライメントマークに第１の基板のアライメントマ
ークを逐次合わせて第２の基板の所定の領域内に第１の
基板の転写対象体の複数転写を比較的に短時間で行うこ
とが可能となる。
板のアライメントマークに第１の基板のアライメントマ
ークを逐次合わせて第２の基板の所定の領域内に第１の
基板の転写対象体の複数転写を比較的に短時間で行うこ
とが可能となる。
【００３６】また、本発明の電子装置の製造方法は、第
１の基板に形成された転写対象体を剥離して第２の基板
に転写する剥離転写を使用して電子装置を製造する製造
方法において、上記転写対象体の外形に対応した透過窓
を有するマスク基板に形成されたアライメントマークに
上記第１の基板に形成されたアライメントマークを合わ
せる過程と、上記第１の基板のアライメントマークに上
記第２の基板に形成されたアライメントマークを合わせ
る過程と、上記転写対象体部分に接着剤を介して上記第
１及び第２の基板を貼り合わせる過程と、上記転写対象
体に上記マスク基板を介してレーザを照射して上記転写
対象体を上記第１の基板から剥離する過程と、上記第１
及び第２の基板を離間して上記転写対象体を上記第１の
基板側に移す過程と、を含む。
１の基板に形成された転写対象体を剥離して第２の基板
に転写する剥離転写を使用して電子装置を製造する製造
方法において、上記転写対象体の外形に対応した透過窓
を有するマスク基板に形成されたアライメントマークに
上記第１の基板に形成されたアライメントマークを合わ
せる過程と、上記第１の基板のアライメントマークに上
記第２の基板に形成されたアライメントマークを合わせ
る過程と、上記転写対象体部分に接着剤を介して上記第
１及び第２の基板を貼り合わせる過程と、上記転写対象
体に上記マスク基板を介してレーザを照射して上記転写
対象体を上記第１の基板から剥離する過程と、上記第１
及び第２の基板を離間して上記転写対象体を上記第１の
基板側に移す過程と、を含む。
【００３７】かかる構成としても、第１の基板の転写対
象体を第２の基板の被転写位置に転写することが可能で
ある。
象体を第２の基板の被転写位置に転写することが可能で
ある。
【００３８】また、本発明の電子装置の製造方法は、第
１の基板に形成された転写対象体を剥離して第２の基板
に転写する剥離転写を使用して電子装置を製造する製造
方法において、上記転写対象体の外形に対応した透過窓
を有するマスク基板に形成されたアライメントマークに
上記第１の基板に形成されたアライメントマークを合わ
せる過程と、上記マスク基板のアライメントマークに上
記第２の基板に形成されたアライメントマークを合わせ
る過程と、上記転写対象体部分に接着剤を介して上記第
１及び第２の基板を貼り合わせる過程と、上記転写対象
体に上記マスク基板を介してレーザを照射して上記転写
対象体を上記第１の基板から剥離する過程と、上記第１
及び第２の基板を離間して上記転写対象体を上記第１の
基板側に移す過程と、を含む。
１の基板に形成された転写対象体を剥離して第２の基板
に転写する剥離転写を使用して電子装置を製造する製造
方法において、上記転写対象体の外形に対応した透過窓
を有するマスク基板に形成されたアライメントマークに
上記第１の基板に形成されたアライメントマークを合わ
せる過程と、上記マスク基板のアライメントマークに上
記第２の基板に形成されたアライメントマークを合わせ
る過程と、上記転写対象体部分に接着剤を介して上記第
１及び第２の基板を貼り合わせる過程と、上記転写対象
体に上記マスク基板を介してレーザを照射して上記転写
対象体を上記第１の基板から剥離する過程と、上記第１
及び第２の基板を離間して上記転写対象体を上記第１の
基板側に移す過程と、を含む。
【００３９】かかる構成とすることによって、より精度
の良い位置合わせが可能となる。
の良い位置合わせが可能となる。
【００４０】好ましくは、上記マスク基板は、上記レー
ザビームを複数に分岐する手段と、分岐した複数のレー
ザビームをそれぞれ通過させる複数の窓とを含む。それ
により、同時に複数の領域に転写対象体を転写すること
が可能となる。
ザビームを複数に分岐する手段と、分岐した複数のレー
ザビームをそれぞれ通過させる複数の窓とを含む。それ
により、同時に複数の領域に転写対象体を転写すること
が可能となる。
【００４１】好ましくは、上記分岐する手段は、回折格
子又は複数本の光ファイバを含む。更に、上記複数本の
光ファイバと光スイッチとを組み合わせることによって
任意の領域、あいるは任意の複数の領域にレーザビーム
を照射することが可能となる。それにより、複数の領域
のうち選択された１つ又は複数の領域の転写対象体を同
時に転写することが可能となる。
子又は複数本の光ファイバを含む。更に、上記複数本の
光ファイバと光スイッチとを組み合わせることによって
任意の領域、あいるは任意の複数の領域にレーザビーム
を照射することが可能となる。それにより、複数の領域
のうち選択された１つ又は複数の領域の転写対象体を同
時に転写することが可能となる。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ説明する。
て図面を参照しつつ説明する。
【００４３】図１は、本発明に係る基板間転写技術によ
って電子装置を組み立てる電子装置の製造装置を概略的
に説明する説明図である。
って電子装置を組み立てる電子装置の製造装置を概略的
に説明する説明図である。
【００４４】同図に示すように、製造装置１は、大別し
て、剥離転写のレーザを出力する光学系ユニット１０
０、転写先基板を載置するＡステージ２００、転写元基
板を載置するＢステージ３００、各ステージに基板を搬
送する基板搬送装置４００、いずれかの基板に接着剤を
部分的に塗布する接着剤塗布装置５００、転写元基板と
転写先基板の位置合わせを行うアライメント調整のため
のマークを検出するＣＣＤカメラ６０１ａ、６０１ｂ、
６０２ａ、６０２ｂ、製造プロセスを制御するコンピュ
ータシステムからなる制御装置７００等を含んで構成さ
れる。
て、剥離転写のレーザを出力する光学系ユニット１０
０、転写先基板を載置するＡステージ２００、転写元基
板を載置するＢステージ３００、各ステージに基板を搬
送する基板搬送装置４００、いずれかの基板に接着剤を
部分的に塗布する接着剤塗布装置５００、転写元基板と
転写先基板の位置合わせを行うアライメント調整のため
のマークを検出するＣＣＤカメラ６０１ａ、６０１ｂ、
６０２ａ、６０２ｂ、製造プロセスを制御するコンピュ
ータシステムからなる制御装置７００等を含んで構成さ
れる。
【００４５】光学系ユニット１００は、図示しないフレ
ームに固定されており、剥離転写を行うためのレーザ１
０１ａを発生するレーザ光源１０１、通過するレーザ１
０１ａのスポット形状を画定する交換可能なマスク１０
２、主として、マスク１０１と後述の転写元基板３０１
とのアライメント調整を行うための、上側ＣＣＤカメラ
６０１ａ、６０１ｂを備えている。
ームに固定されており、剥離転写を行うためのレーザ１
０１ａを発生するレーザ光源１０１、通過するレーザ１
０１ａのスポット形状を画定する交換可能なマスク１０
２、主として、マスク１０１と後述の転写元基板３０１
とのアライメント調整を行うための、上側ＣＣＤカメラ
６０１ａ、６０１ｂを備えている。
【００４６】図２に示すように、マスク１０２には、レ
ーザビーム１０１ａのスポット形状を基板の転写領域の
形状に合致するように整える基板に形成された貫通口１
０２ａを有している。この基板の適当な２箇所にアライ
メントマーク１０３ａ、１０３ｂが設けられている。後
述するように、マスク１０２は、図示の例に限られず、
種々のタイプのものを使用可能である。
ーザビーム１０１ａのスポット形状を基板の転写領域の
形状に合致するように整える基板に形成された貫通口１
０２ａを有している。この基板の適当な２箇所にアライ
メントマーク１０３ａ、１０３ｂが設けられている。後
述するように、マスク１０２は、図示の例に限られず、
種々のタイプのものを使用可能である。
【００４７】Ａステージ２００は、基板搬送装置４００
によって運ばれた転写先基板２０１をベッドの上面に載
置し、固定する。例えば、バキュームによる負圧によっ
て転写先基板２０１を基板面に密着させることによって
固定し、バキュームの圧力を０又は正圧に切り替える変
えることによって転写先基板２０１の固定を解除する。
Ａステージ２００内には、基板温度を一定に保つための
ヒータ２０５及びＡステージの温度を検出する温度セン
サ２０４（図５参照）が配置されている。また、Ａステ
ージ２００は、パルスモータなどの各種のアクチェータ
を内蔵しており、図示のＸ軸方向（左右方向）、Ｙ軸方
向（奥手前方向）、Ｚ軸方向（上下方向）、Ｚ軸回りの
回転角度θ方向に移動可能である。Ａステージ２００
は、制御装置７００によって位置、姿勢、動作等が制御
される。転写先基板２０１には、２箇所にアライメント
マーク２０２ａ、２０２ｂが形成されている。転写先基
板２０１は、可撓性のあるフィルム状の樹脂基板や、切
り出されてＩＣカードとなるプラスチック基板等であ
る。
によって運ばれた転写先基板２０１をベッドの上面に載
置し、固定する。例えば、バキュームによる負圧によっ
て転写先基板２０１を基板面に密着させることによって
固定し、バキュームの圧力を０又は正圧に切り替える変
えることによって転写先基板２０１の固定を解除する。
Ａステージ２００内には、基板温度を一定に保つための
ヒータ２０５及びＡステージの温度を検出する温度セン
サ２０４（図５参照）が配置されている。また、Ａステ
ージ２００は、パルスモータなどの各種のアクチェータ
を内蔵しており、図示のＸ軸方向（左右方向）、Ｙ軸方
向（奥手前方向）、Ｚ軸方向（上下方向）、Ｚ軸回りの
回転角度θ方向に移動可能である。Ａステージ２００
は、制御装置７００によって位置、姿勢、動作等が制御
される。転写先基板２０１には、２箇所にアライメント
マーク２０２ａ、２０２ｂが形成されている。転写先基
板２０１は、可撓性のあるフィルム状の樹脂基板や、切
り出されてＩＣカードとなるプラスチック基板等であ
る。
【００４８】図３に示すように、Ａステージ２００の転
写先基板２０１の載置面には、転写先基板２０１の撓み
や凹凸を検出し、これを修正するためのセンサアレイ２
０３が配列されている。センサアレイ２０３の各単位素
子は圧力（重量）の検出と微小な伸縮とを行う。これに
限定されるものではないが、例えば、単位素子は圧電素
子によって構成されて各部分の印加重量を電気信号に変
換して検出し、該圧電素子に印加電圧を加えることによ
って所要の部分に上下方向の微小な伸縮を生じさせる。
それにより、Ａステージ２００に載置した可撓性の転写
先基板２０１の撓みや歪みを調整（除去）することを可
能とする。
写先基板２０１の載置面には、転写先基板２０１の撓み
や凹凸を検出し、これを修正するためのセンサアレイ２
０３が配列されている。センサアレイ２０３の各単位素
子は圧力（重量）の検出と微小な伸縮とを行う。これに
限定されるものではないが、例えば、単位素子は圧電素
子によって構成されて各部分の印加重量を電気信号に変
換して検出し、該圧電素子に印加電圧を加えることによ
って所要の部分に上下方向の微小な伸縮を生じさせる。
それにより、Ａステージ２００に載置した可撓性の転写
先基板２０１の撓みや歪みを調整（除去）することを可
能とする。
【００４９】Ｂステージ３００は、そのベッドの下面に
基板搬送装置４００によって運ばれる転写元基板３０１
を載置し、固定する。例えば、バキュームによる負圧に
よって転写元基板３０１を載置面に密着させることによ
って固定し、バキュームの圧力を０又は正圧に切り替え
る変えることによって転写元基板３０１の固定を解除す
る。基板搬送装置４００は、パルスモータなどの各種の
アクチェータを内蔵しており、図示のＸ軸方向（左右方
向）、Ｙ軸方向（奥手前方向）、Ｚ軸（上下方向）回り
の回転角度θ方向に移動可能である。基板搬送装置４０
０は制御装置７００によって動作が制御される。また、
Ｂステージ３００内には、基板温度を一定に保つための
ヒータ３０５及びＢステージの温度を検出する温度セン
サ３０４（図５参照）が配置されている。転写元基板３
０１には、２箇所にアライメントマーク３０２ａ、３０
２ｂが形成されている。転写元基板２０１は、例えば、
ガラス基板であり、転写すべき薄膜素子、薄膜回路、薄
膜装置（薄膜センサ、液晶表示器、有機ＥＬ表示器等）
が形成されている。
基板搬送装置４００によって運ばれる転写元基板３０１
を載置し、固定する。例えば、バキュームによる負圧に
よって転写元基板３０１を載置面に密着させることによ
って固定し、バキュームの圧力を０又は正圧に切り替え
る変えることによって転写元基板３０１の固定を解除す
る。基板搬送装置４００は、パルスモータなどの各種の
アクチェータを内蔵しており、図示のＸ軸方向（左右方
向）、Ｙ軸方向（奥手前方向）、Ｚ軸（上下方向）回り
の回転角度θ方向に移動可能である。基板搬送装置４０
０は制御装置７００によって動作が制御される。また、
Ｂステージ３００内には、基板温度を一定に保つための
ヒータ３０５及びＢステージの温度を検出する温度セン
サ３０４（図５参照）が配置されている。転写元基板３
０１には、２箇所にアライメントマーク３０２ａ、３０
２ｂが形成されている。転写元基板２０１は、例えば、
ガラス基板であり、転写すべき薄膜素子、薄膜回路、薄
膜装置（薄膜センサ、液晶表示器、有機ＥＬ表示器等）
が形成されている。
【００５０】Ａステージの下部の図示しないフレームに
は、下側ＣＣＤカメラ６０２ａ、６０２ｂが設けられて
いる。カメラ６０２ａ、６０２ｂは、主に、転写先基板
２０１と転写元基板３０１とのアライメント調整に使用
される。
は、下側ＣＣＤカメラ６０２ａ、６０２ｂが設けられて
いる。カメラ６０２ａ、６０２ｂは、主に、転写先基板
２０１と転写元基板３０１とのアライメント調整に使用
される。
【００５１】図４は、各基板に設けられたアライメント
マークの例を示している。図示の例では、Ａステージの
ステップ動作によって転写先基板２０１の各領域に薄膜
素子や回路の転写位置を順次転写するようにしている。
同図（ａ）は、転写元基板３０１の例を示しており、薄
膜素子、薄膜回路などの転写対象３０１ａ１，…，３０
１ａｎにそれぞれ対応する位置にアライメントマーク３
０２ａ１，…，３０２ａｎ、３０２ｂ１，…，３０２ｂ
ｎが設けられている。同図（ｂ）は、転写先基板２０１
の例を示しており、被転写位置２０１ａ１，…，２０１
ａｎに対応してアライメントマーク２０２ａ１，…，２
０２ａｎ、２０２ｂ１，…，２０２ｂｎが設けられてい
る。従って、Ａステージ２００及びＢステージ３００を
適宜に移動して、転写元基板３０１のアライメントマー
ク３０２ａ１及び３０２ｂ１と、転写先基板２０１のア
ライメントマーク２０２ａ１及び２０２ｂ１とを合わせ
れば、転写対象３０１ａ１が被転写位置２０１ａ１に位
置する。転写元基板３０１のアライメントマーク３０２
ａ２及び３０２ｂ２と、転写先基板２０１のアライメン
トマーク２０２ａ２及び２０２ｂ２とを合わせれば、転
写対象３０１ａ２が被転写位置２０１ａ２に位置する。
同様に、転写元基板３０１のアライメントマーク３０２
ａｎ及び３０２ｂｎと、転写先基板２０１のアライメン
トマーク２０２ａｎ及び２０２ｂｎとを合わせれば、転
写対象３０１ａｎが被転写位置２０１ａｎに位置する。
後述するように、アライメントマークの配置はこの例に
限られない。同一領域内に複数の転写対象を転写する場
合など、目的に応じて種々の配置態様がある。
マークの例を示している。図示の例では、Ａステージの
ステップ動作によって転写先基板２０１の各領域に薄膜
素子や回路の転写位置を順次転写するようにしている。
同図（ａ）は、転写元基板３０１の例を示しており、薄
膜素子、薄膜回路などの転写対象３０１ａ１，…，３０
１ａｎにそれぞれ対応する位置にアライメントマーク３
０２ａ１，…，３０２ａｎ、３０２ｂ１，…，３０２ｂ
ｎが設けられている。同図（ｂ）は、転写先基板２０１
の例を示しており、被転写位置２０１ａ１，…，２０１
ａｎに対応してアライメントマーク２０２ａ１，…，２
０２ａｎ、２０２ｂ１，…，２０２ｂｎが設けられてい
る。従って、Ａステージ２００及びＢステージ３００を
適宜に移動して、転写元基板３０１のアライメントマー
ク３０２ａ１及び３０２ｂ１と、転写先基板２０１のア
ライメントマーク２０２ａ１及び２０２ｂ１とを合わせ
れば、転写対象３０１ａ１が被転写位置２０１ａ１に位
置する。転写元基板３０１のアライメントマーク３０２
ａ２及び３０２ｂ２と、転写先基板２０１のアライメン
トマーク２０２ａ２及び２０２ｂ２とを合わせれば、転
写対象３０１ａ２が被転写位置２０１ａ２に位置する。
同様に、転写元基板３０１のアライメントマーク３０２
ａｎ及び３０２ｂｎと、転写先基板２０１のアライメン
トマーク２０２ａｎ及び２０２ｂｎとを合わせれば、転
写対象３０１ａｎが被転写位置２０１ａｎに位置する。
後述するように、アライメントマークの配置はこの例に
限られない。同一領域内に複数の転写対象を転写する場
合など、目的に応じて種々の配置態様がある。
【００５２】接着剤塗布装置５００は、いずれかの基
板、例えば、転写元基板３０１の転写対象となる薄膜素
子、薄膜回路の領域に接着剤を塗布する。なお、転写先
基板２０１の転写領域に接着剤を塗布することとしても
良い。この接着剤の塗布のために、基板３０１（又は２
０１）を基板搬送装置４００により搬送し、あるいはＢ
ステージ３００（又はＡステージ２００）の移動によっ
て接着剤塗布装置５００の位置に搬送する。なお、接着
剤塗布装置５００が移動して対象基板の転写あるいは被
転写位置に接着剤を塗布することとしても良い。
板、例えば、転写元基板３０１の転写対象となる薄膜素
子、薄膜回路の領域に接着剤を塗布する。なお、転写先
基板２０１の転写領域に接着剤を塗布することとしても
良い。この接着剤の塗布のために、基板３０１（又は２
０１）を基板搬送装置４００により搬送し、あるいはＢ
ステージ３００（又はＡステージ２００）の移動によっ
て接着剤塗布装置５００の位置に搬送する。なお、接着
剤塗布装置５００が移動して対象基板の転写あるいは被
転写位置に接着剤を塗布することとしても良い。
【００５３】図５に示すように、制御装置７００は、Ｃ
ＣＤカメラ６０１ａ、６０１ｂ、６０２ａ及び６０２ｂ
の各画像出力をパターン認識処理してその結果をＲＡＭ
７０５の所定エリアに書き込むカメラインタフェース７
０１、圧力センサアレイ２０３の出力をデータ化してＲ
ＡＭの所定エリアに書き込むアレイインタフェース７０
２、Ａステージ２００に配置された温度センサ２０４及
びＢステージ３００に配置された温度センサ３０４の各
出力をデータ化してＲＡＭの所定エリアに書き込む温度
センサインタフェース７０８を備えている。なお、温度
センサは各ステージに複数個設けることが出来る。ＣＰ
Ｕ７０６はＲＯＭ７０３に記録さている制御プログラム
を実行して各種制御や他の装置とのプロセス情報の交換
等を行う。例えば、ＣＰＵ７０６は、後述のように、各
ＣＣＤカメラのマーカ読取り出力に基づいて情報処理を
行い、出力インタフェース７０４の駆動回路を制御して
Ａステージ２００内及びＢステージ３００内の各アクチ
ェータを動作させて各ステージの位置や姿態を制御し、
基板間のアライメント調整を行う。また、ＣＰＵ７０６
は通信インタフェース７０７を介して製造プロセスの段
階に応じて基板搬送装置４００に基板の搬入、移動、搬
出を行わさせる。また、ＣＰＵ７０６は通信インタフェ
ース７０７を介して接着剤塗布装置５００に基板への接
着剤の塗布を行わせる。また、ＣＰＵ７０６は、各ステ
ージに配置された温度センサ２０４及び３０４の各出力
に基づいてヒータ駆動部７０９を制御し、各ステージが
それぞれに定められた基準温度に保たれるように温度制
御を行う。
ＣＤカメラ６０１ａ、６０１ｂ、６０２ａ及び６０２ｂ
の各画像出力をパターン認識処理してその結果をＲＡＭ
７０５の所定エリアに書き込むカメラインタフェース７
０１、圧力センサアレイ２０３の出力をデータ化してＲ
ＡＭの所定エリアに書き込むアレイインタフェース７０
２、Ａステージ２００に配置された温度センサ２０４及
びＢステージ３００に配置された温度センサ３０４の各
出力をデータ化してＲＡＭの所定エリアに書き込む温度
センサインタフェース７０８を備えている。なお、温度
センサは各ステージに複数個設けることが出来る。ＣＰ
Ｕ７０６はＲＯＭ７０３に記録さている制御プログラム
を実行して各種制御や他の装置とのプロセス情報の交換
等を行う。例えば、ＣＰＵ７０６は、後述のように、各
ＣＣＤカメラのマーカ読取り出力に基づいて情報処理を
行い、出力インタフェース７０４の駆動回路を制御して
Ａステージ２００内及びＢステージ３００内の各アクチ
ェータを動作させて各ステージの位置や姿態を制御し、
基板間のアライメント調整を行う。また、ＣＰＵ７０６
は通信インタフェース７０７を介して製造プロセスの段
階に応じて基板搬送装置４００に基板の搬入、移動、搬
出を行わさせる。また、ＣＰＵ７０６は通信インタフェ
ース７０７を介して接着剤塗布装置５００に基板への接
着剤の塗布を行わせる。また、ＣＰＵ７０６は、各ステ
ージに配置された温度センサ２０４及び３０４の各出力
に基づいてヒータ駆動部７０９を制御し、各ステージが
それぞれに定められた基準温度に保たれるように温度制
御を行う。
【００５４】次に、図６乃至図１８を参照して製造装置
１による薄膜素子あるいは薄膜回路の基板間転写プロセ
スについて説明する。各図において図１と同一若しくは
対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は
省略する。
１による薄膜素子あるいは薄膜回路の基板間転写プロセ
スについて説明する。各図において図１と同一若しくは
対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は
省略する。
【００５５】（１） マスクセット
まず、ＣＰＵ７０６は、図６に示すように、プロセス情
報として使用するマスク１０２、転写先基板２０１、転
写元基板３０１の情報を受け、該当するマスク１０２を
図示しないマスク搬送装置によって予め用意された複数
のマスクの中から選択して光学ユニット１００にセット
する。マスク１０２は、前述のように、レーザビーム１
０１ａの照射位置とビームスポットの形状を設定する。
報として使用するマスク１０２、転写先基板２０１、転
写元基板３０１の情報を受け、該当するマスク１０２を
図示しないマスク搬送装置によって予め用意された複数
のマスクの中から選択して光学ユニット１００にセット
する。マスク１０２は、前述のように、レーザビーム１
０１ａの照射位置とビームスポットの形状を設定する。
【００５６】（２） 転写先基板セット／アライメント
調整 図７に示すように、ＣＰＵ７０６は、基板搬送装置４０
０に指令して転写先基板２０１をＡステージ２００の所
定位置に搬送させ、Ａステージ２００上に負圧によって
固定させる。上方に配置されたＣＣＤカメラ６０１ａ及
び６０１ｂをマスク１０２のアライメントマーク１０３
ａ、１０３ｂの位置に正対するように移動させる。ある
いは予めＣＣＤカメラ６０１ａ及び６０１ｂとマスク１
０２のアライメントマーク１０３ａ、１０３ｂの位置が
合うように、ＣＣＤカメラ６０１ａ及び６０１ｂの位置
を決めておく。ＣＣＤカメラ６０１ａ及び６０１ｂによ
って、マスク１０２のアライメントマーク１０３ａ、１
０３ｂと、転写先基板２０１のアライメントマーク２０
２ａ、２０２ｂとを読取りる。ＣＰＵ７０６は、マスク
１０２のアライメントマーク１０３ａ及び１０３ｂに転
写先基板２０１のアライメントマーク２０２ａ及び２０
２ｂがそれぞれ正しく重なるようにＡステージ２００の
位置（Ｘ，Ｙ，θ）を調整する。それにより、マスク
（レーザ照射による転写位置）１０２と転写先基板２０
１間のアライメントを調整する。
調整 図７に示すように、ＣＰＵ７０６は、基板搬送装置４０
０に指令して転写先基板２０１をＡステージ２００の所
定位置に搬送させ、Ａステージ２００上に負圧によって
固定させる。上方に配置されたＣＣＤカメラ６０１ａ及
び６０１ｂをマスク１０２のアライメントマーク１０３
ａ、１０３ｂの位置に正対するように移動させる。ある
いは予めＣＣＤカメラ６０１ａ及び６０１ｂとマスク１
０２のアライメントマーク１０３ａ、１０３ｂの位置が
合うように、ＣＣＤカメラ６０１ａ及び６０１ｂの位置
を決めておく。ＣＣＤカメラ６０１ａ及び６０１ｂによ
って、マスク１０２のアライメントマーク１０３ａ、１
０３ｂと、転写先基板２０１のアライメントマーク２０
２ａ、２０２ｂとを読取りる。ＣＰＵ７０６は、マスク
１０２のアライメントマーク１０３ａ及び１０３ｂに転
写先基板２０１のアライメントマーク２０２ａ及び２０
２ｂがそれぞれ正しく重なるようにＡステージ２００の
位置（Ｘ，Ｙ，θ）を調整する。それにより、マスク
（レーザ照射による転写位置）１０２と転写先基板２０
１間のアライメントを調整する。
【００５７】（３） 転写元基板接着剤塗布
図８に示すように、基板搬送装置４００で転写元基板３
０１を接着剤塗布装置３０１に搬送し、転写対象となる
薄膜素子あるいは薄膜回路の部分に接着剤を塗布する。
０１を接着剤塗布装置３０１に搬送し、転写対象となる
薄膜素子あるいは薄膜回路の部分に接着剤を塗布する。
【００５８】（４） 転写元基板／転写先基板アライメ
ント調整 図９に示すように、接着剤を塗布した転写元基板３０１
を基板搬送装置４００によってＢステージ３００に搬送
し、その下面に負圧によって固定する。下方のＣＣＤカ
メラ６０２ａ及び６０２ｂを転写先基板２０１のアライ
メントマーク位置に正対させ、転写先基板２０１のアラ
イメントマーク２０２ａ及び２０２ｂと転写元基板３０
１のアライメントマーク３０２ａ及び３０２ｂとが正確
に重なるように、Ｂステージの位置（Ｘ，Ｙ，θ）を調
整する。これにより、マスク１０２と、転写先基板２０
１と、転写元基板３０１のアライメントが調整される。
ント調整 図９に示すように、接着剤を塗布した転写元基板３０１
を基板搬送装置４００によってＢステージ３００に搬送
し、その下面に負圧によって固定する。下方のＣＣＤカ
メラ６０２ａ及び６０２ｂを転写先基板２０１のアライ
メントマーク位置に正対させ、転写先基板２０１のアラ
イメントマーク２０２ａ及び２０２ｂと転写元基板３０
１のアライメントマーク３０２ａ及び３０２ｂとが正確
に重なるように、Ｂステージの位置（Ｘ，Ｙ，θ）を調
整する。これにより、マスク１０２と、転写先基板２０
１と、転写元基板３０１のアライメントが調整される。
【００５９】（５） 歪み／傾斜検出調整
更に、必要により、図１０に示す、転写先基板２０１に
歪み及び傾き調整を行う。これは、撓みやすい基板の場
合に効果的である。
歪み及び傾き調整を行う。これは、撓みやすい基板の場
合に効果的である。
【００６０】ＣＰＵ７０６は、転写先基板２０１を載置
しているセンサアレイ２０３の各位置の検出素子の出力
によって圧力（重力）分布を求め、転写先基板の２０１
の撓み、傾斜などを判別する。ＣＰＵ７０６は、この結
果に基づいて撓み、傾斜を補償するようにアレイ２０３
の素子を駆動し、Ａステージ２００の表面の微小な凹凸
をコントロールして転写先基板２０１を平坦に保つ。
しているセンサアレイ２０３の各位置の検出素子の出力
によって圧力（重力）分布を求め、転写先基板の２０１
の撓み、傾斜などを判別する。ＣＰＵ７０６は、この結
果に基づいて撓み、傾斜を補償するようにアレイ２０３
の素子を駆動し、Ａステージ２００の表面の微小な凹凸
をコントロールして転写先基板２０１を平坦に保つ。
【００６１】（６） 基板張り合わせ／レーザ照射
図１１に示すように、ＣＰＵ７０６は、Ａステージ２０
０を上昇させて転写先基板２０１と転写元基板３０１と
を一部接着剤を介して密着させる。密着力は、センサ２
０３等で検出され適切な挟持力に保たれる。ＣＰＵ７０
６は、レーザ光源を作動させ、マスク１０２を介して転
写対象の薄膜素子又は薄膜回路の領域のみを（ガラス）
基板３０１の背面から照射する。これにより、照射領域
では、転写膜にレーザアブレーションが生じて剥離が生
じる。
０を上昇させて転写先基板２０１と転写元基板３０１と
を一部接着剤を介して密着させる。密着力は、センサ２
０３等で検出され適切な挟持力に保たれる。ＣＰＵ７０
６は、レーザ光源を作動させ、マスク１０２を介して転
写対象の薄膜素子又は薄膜回路の領域のみを（ガラス）
基板３０１の背面から照射する。これにより、照射領域
では、転写膜にレーザアブレーションが生じて剥離が生
じる。
【００６２】（７） 剥離転写
図１２に示すように、ＣＰＵ７０６は、接着剤が硬化す
る所定時間を経過した後にＡステージ２００を下降させ
て、転写対象の薄膜素子又は薄膜回路の領域を転写元基
板３０１から剥離して転写先基板２０１側に転写（移
動）させる。
る所定時間を経過した後にＡステージ２００を下降させ
て、転写対象の薄膜素子又は薄膜回路の領域を転写元基
板３０１から剥離して転写先基板２０１側に転写（移
動）させる。
【００６３】このようにして、第１回目の剥離転写が完
了する。
了する。
【００６４】（８） 転写元基板接着剤塗布
次に、ＣＰＵ７０６は、第２回目の剥離転写を行うべ
く、図１３に示すように、基板搬送装置４００に転写元
基板３０１を接着剤塗布装置５００の位置に搬送させ
る。接着剤塗布装置５００に転写元基板３０１の次の転
写対象の薄膜素子あるいは薄膜回路の領域に接着剤を塗
布させる。
く、図１３に示すように、基板搬送装置４００に転写元
基板３０１を接着剤塗布装置５００の位置に搬送させ
る。接着剤塗布装置５００に転写元基板３０１の次の転
写対象の薄膜素子あるいは薄膜回路の領域に接着剤を塗
布させる。
【００６５】（９） 転写先基板のステップ
図１４に示すように、ＣＰＵ７０６は、Ａステージ２０
０を１ステップ移動し、次の転写体対象領域がレーザ照
射位置に位置するようにする。このため、転写先基板２
０１の使用アライメントマークの位置を次の領域のアラ
イメントマーク２０２ａ２及び２０２ｂ２へと切り替え
る。Ａステージ２００を移動して、ＣＣＤカメラ６０２
ａ及び６０２ｂで観察しながらマスク１０２のアライメ
ントマーク１０３ａ及び１０３ｂに転写先基板のアライ
メントマーク２０２ａ２及び２０２ｂ２を合わせる。こ
の操作によって転写先基板２０１は次の領域の転写位置
に移動する。
０を１ステップ移動し、次の転写体対象領域がレーザ照
射位置に位置するようにする。このため、転写先基板２
０１の使用アライメントマークの位置を次の領域のアラ
イメントマーク２０２ａ２及び２０２ｂ２へと切り替え
る。Ａステージ２００を移動して、ＣＣＤカメラ６０２
ａ及び６０２ｂで観察しながらマスク１０２のアライメ
ントマーク１０３ａ及び１０３ｂに転写先基板のアライ
メントマーク２０２ａ２及び２０２ｂ２を合わせる。こ
の操作によって転写先基板２０１は次の領域の転写位置
に移動する。
【００６６】（１０） 転写元基板／転写先基板アライ
メント調整 図１５に示すように、ＣＰＵ７０６は、基板搬送装置４
００に接着剤が塗布された転写元基板３０１を搬送さ
せ、Ｂステージ３００の下面に載置させる。
メント調整 図１５に示すように、ＣＰＵ７０６は、基板搬送装置４
００に接着剤が塗布された転写元基板３０１を搬送さ
せ、Ｂステージ３００の下面に載置させる。
【００６７】ＣＣＤカメラ６０２ａ及び６０２ｂによっ
て転写先基板２０１のアライメントマーク２０２ａ２及
び２０２ｂ２と転写元基板３０１のアライメントマーク
３０２ａ２及び３０２ｂ２とを観察し、Ｂステージ３０
０の位置を調整してアライメントマークに２０２ａ２及
び２０２ｂ２にアライメントマーク３０２ａ２及び３０
２ｂ２を合わせる。それにより、マスク１０２のレーザ
照射位置１０２ａ、転写先基板２０１の被転写位置２０
１ａ２及び転写元基板３０１の転写対象３０１ａ２がＺ
軸方向において一致する。
て転写先基板２０１のアライメントマーク２０２ａ２及
び２０２ｂ２と転写元基板３０１のアライメントマーク
３０２ａ２及び３０２ｂ２とを観察し、Ｂステージ３０
０の位置を調整してアライメントマークに２０２ａ２及
び２０２ｂ２にアライメントマーク３０２ａ２及び３０
２ｂ２を合わせる。それにより、マスク１０２のレーザ
照射位置１０２ａ、転写先基板２０１の被転写位置２０
１ａ２及び転写元基板３０１の転写対象３０１ａ２がＺ
軸方向において一致する。
【００６８】（１１） 歪み・傾き検出／調整
更に、必要により、図１６に示すように、転写先基板２
０１の歪み及び傾き調整を行う。これは、撓みやすいフ
ィルム基板の場合に効果的である。ＣＰＵ７０６は、転
写先基板２０１を載置しているセンサアレイ２０３の各
位置の検出素子の出力によって圧力（重力）分布を求
め、転写先基板の２０１の撓み、傾斜などを判別する。
ＣＰＵ７０６は、この結果に基づいて基板の撓み、傾斜
を補償するようにアレイ２０３の素子を駆動し、Ａステ
ージ２００の表面の微小な凹凸をコントロールして転写
先基板２０１を平坦に保つ。
０１の歪み及び傾き調整を行う。これは、撓みやすいフ
ィルム基板の場合に効果的である。ＣＰＵ７０６は、転
写先基板２０１を載置しているセンサアレイ２０３の各
位置の検出素子の出力によって圧力（重力）分布を求
め、転写先基板の２０１の撓み、傾斜などを判別する。
ＣＰＵ７０６は、この結果に基づいて基板の撓み、傾斜
を補償するようにアレイ２０３の素子を駆動し、Ａステ
ージ２００の表面の微小な凹凸をコントロールして転写
先基板２０１を平坦に保つ。
【００６９】（１２） 基板張り合わせ／レーザ照射
図１７に示すように、ＣＰＵ７０６は、Ａステージ２０
０を上昇させて転写先基板２０１と転写元基板３０１と
を一部接着剤を介して密着させる。密着力は、センサ２
０３等で検出され適切な挟持力に保たれる。ＣＰＵ７０
６は、レーザ光源１０１を作動させ、マスク１０２を介
して転写対象３０１ａ２の薄膜素子又は薄膜回路の領域
のみを（ガラス）基板３０１の背面から照射する。これ
により、基板３０１の照射領域では、転写膜にレーザア
ブレーションが生じて剥離が生じる。
０を上昇させて転写先基板２０１と転写元基板３０１と
を一部接着剤を介して密着させる。密着力は、センサ２
０３等で検出され適切な挟持力に保たれる。ＣＰＵ７０
６は、レーザ光源１０１を作動させ、マスク１０２を介
して転写対象３０１ａ２の薄膜素子又は薄膜回路の領域
のみを（ガラス）基板３０１の背面から照射する。これ
により、基板３０１の照射領域では、転写膜にレーザア
ブレーションが生じて剥離が生じる。
【００７０】（１３） 剥離転写
図１８に示すように、ＣＰＵ７０６は、接着剤が硬化す
る所定時間を経過した後にＡステージ２００を下降させ
て、転写対象３０１ａ２の薄膜素子又は薄膜回路の領域
を転写元基板３０１から剥離して転写先基板２０１側の
被転写位置２０１ａ２に転写（移動）させる。
る所定時間を経過した後にＡステージ２００を下降させ
て、転写対象３０１ａ２の薄膜素子又は薄膜回路の領域
を転写元基板３０１から剥離して転写先基板２０１側の
被転写位置２０１ａ２に転写（移動）させる。
【００７１】このようにして、第２回目の剥離転写が完
了する。
了する。
【００７２】（１４） ｎ回転写
以下、同様に、上記（８）乃至（１３）の工程を繰り返
して薄膜素子あるいは薄膜回路の基板間転写を所要の回
数繰り返し、転写先基板２０１の定められた各位置に転
写元基板３０１に形成された薄膜素子や薄膜回路を逐次
転写する。
して薄膜素子あるいは薄膜回路の基板間転写を所要の回
数繰り返し、転写先基板２０１の定められた各位置に転
写元基板３０１に形成された薄膜素子や薄膜回路を逐次
転写する。
【００７３】（１５） 基板のアンロード
転写が終了した転写先基板２０１は、基板搬送装置４０
０によって次工程に搬送される。次工程以降では、転写
した薄膜素子や薄膜回路のボンディング、パッケージ、
切り出しなどが行われ、例えば、ＩＣカードが組み立て
られる。転写が終了した転写元基板３０１も基板搬送装
置４００によって回収容器に搬送される。転写元基板３
０１、例えば、石英ガラス基板は再使用される。
０によって次工程に搬送される。次工程以降では、転写
した薄膜素子や薄膜回路のボンディング、パッケージ、
切り出しなどが行われ、例えば、ＩＣカードが組み立て
られる。転写が終了した転写元基板３０１も基板搬送装
置４００によって回収容器に搬送される。転写元基板３
０１、例えば、石英ガラス基板は再使用される。
【００７４】このように、上述した実施の形態によれ
ば、素子回路と配線回路とを同一基板に形成することな
く、製造工程中の熱工程等の部分を含む工程を別途の基
板にて製造し、後に高温に耐えない基板に張り合わせる
工程を自動的に組立装置で行うことが出来る。
ば、素子回路と配線回路とを同一基板に形成することな
く、製造工程中の熱工程等の部分を含む工程を別途の基
板にて製造し、後に高温に耐えない基板に張り合わせる
工程を自動的に組立装置で行うことが出来る。
【００７５】また、パターンの描画線幅などの設計ルー
ルが別個である薄膜回路を別々の基板に形成し、これを
剥離転写して１つの基板に自動的に組み立てることが可
能となって具合がよい。例えば、転写先基板のパターン
よりも、より狭い線幅で形成した薄膜回路を転写先基板
に形成することが可能となる。
ルが別個である薄膜回路を別々の基板に形成し、これを
剥離転写して１つの基板に自動的に組み立てることが可
能となって具合がよい。例えば、転写先基板のパターン
よりも、より狭い線幅で形成した薄膜回路を転写先基板
に形成することが可能となる。
【００７６】レーザ装置及び張り合わせ装置にて微細な
パーツ転写・張り付けが可能となることから、フレキシ
ブルな材料等への高精度な位置合わせが容易に可能とな
る。
パーツ転写・張り付けが可能となることから、フレキシ
ブルな材料等への高精度な位置合わせが容易に可能とな
る。
【００７７】また、転写と張り合わせとを複数回繰り返
すことにより、基板の大型化への対応も可能である。
すことにより、基板の大型化への対応も可能である。
【００７８】図１９乃至図２１は、光学系の構成例を示
している。図１９（ａ）は、上述した実施例に使用され
るマスク穴が１つの例を示している。レーザビーム１０
１ａのスポット形状をマスク穴の形状によって整形し、
転写対象の薄膜素子や薄膜回路の外形に合ったレーザビ
ームを得ている。
している。図１９（ａ）は、上述した実施例に使用され
るマスク穴が１つの例を示している。レーザビーム１０
１ａのスポット形状をマスク穴の形状によって整形し、
転写対象の薄膜素子や薄膜回路の外形に合ったレーザビ
ームを得ている。
【００７９】図１９（ｂ）は、回折格子マスク１０２ａ
を用いて１つのビーム１０１ａを複数に分けて転写元基
板３０１を照射する。これにより、予め複数の転写対象
の領域に接着剤を塗布しておき、同時に複数の領域を照
射して転写元基板３０１から転写先基板２０１に複数の
薄膜素子や薄膜回路を剥離転写することが可能となる。
を用いて１つのビーム１０１ａを複数に分けて転写元基
板３０１を照射する。これにより、予め複数の転写対象
の領域に接着剤を塗布しておき、同時に複数の領域を照
射して転写元基板３０１から転写先基板２０１に複数の
薄膜素子や薄膜回路を剥離転写することが可能となる。
【００８０】図２０は、１つのビーム１０１ａを回折格
子マスク１０２ｃで複数に分岐し、アレイ状の各ビーム
を複数の穴が形成されたマスク１０２を介して転写元基
板３０１に照射する。それにより、より正確に各ビーム
のスポット形状を整形し、同時に複数の領域を転写元基
板３０１から転写先基板２０１に剥離転写することが可
能となる。
子マスク１０２ｃで複数に分岐し、アレイ状の各ビーム
を複数の穴が形成されたマスク１０２を介して転写元基
板３０１に照射する。それにより、より正確に各ビーム
のスポット形状を整形し、同時に複数の領域を転写元基
板３０１から転写先基板２０１に剥離転写することが可
能となる。
【００８１】このようにマスクを使うことによって、微
小スポットサイズ（μｍ）からビーム原型サイズ（ｍ
ｍ）までを一台のレーザ装置で得ることが可能となる。
また、マスクを複数枚持つことによってビームスポット
の形状をマスクを交換することで自由に選択できる。ま
た、ブロック照射の位置や照射ブロック数をマスクで選
定でき、具合がよい。
小スポットサイズ（μｍ）からビーム原型サイズ（ｍ
ｍ）までを一台のレーザ装置で得ることが可能となる。
また、マスクを複数枚持つことによってビームスポット
の形状をマスクを交換することで自由に選択できる。ま
た、ブロック照射の位置や照射ブロック数をマスクで選
定でき、具合がよい。
【００８２】図２１は、レーザ光源１０１から複数の光
ファイバでレーザ光を導出している。各光ファイバには
図示しない光スイッチなどによって個別に導光可能にな
されている。光ファイバの先端部でマスク１０２によっ
てビームスポットの形状を整形し、複数の領域を照射し
ている。なお、図示の例では、光ファイバの複数本で複
数の転写対象の領域を照射しているが、複数本のファイ
バを１つの転写対象の領域の外囲形状に合うように束ね
て１つの箇所全体を照射するようにしても良い。また、
光ファィバの先端部に微小レンズ等の光学系を配置して
も良い。光ファイバに選択的に導光して任意の部分、あ
るいは任意の複数部分を同時に照射するようにしても良
い。
ファイバでレーザ光を導出している。各光ファイバには
図示しない光スイッチなどによって個別に導光可能にな
されている。光ファイバの先端部でマスク１０２によっ
てビームスポットの形状を整形し、複数の領域を照射し
ている。なお、図示の例では、光ファイバの複数本で複
数の転写対象の領域を照射しているが、複数本のファイ
バを１つの転写対象の領域の外囲形状に合うように束ね
て１つの箇所全体を照射するようにしても良い。また、
光ファィバの先端部に微小レンズ等の光学系を配置して
も良い。光ファイバに選択的に導光して任意の部分、あ
るいは任意の複数部分を同時に照射するようにしても良
い。
【００８３】図２２は、アライメントマークの他の配置
例を示している。転写先基板２０１のある領域、例え
ば、ＩＣカードや表示器の１個分に相当する１つの領域
内に複数の薄膜素子や薄膜回路を貼り付ける例を示して
いる。
例を示している。転写先基板２０１のある領域、例え
ば、ＩＣカードや表示器の１個分に相当する１つの領域
内に複数の薄膜素子や薄膜回路を貼り付ける例を示して
いる。
【００８４】同図（ａ）に示すように、転写元基板３０
１に転写対象３０１ａ１〜３０１ａ ３が形成されてい
る。この転写対象３０１ａ１〜３０１ａ３にそれぞれ対
応してアライメントマーク３０２ａ１〜３０２ａ３及び
３０２ｂ１〜３０２ｂ３が配置されている。この例で
は、各転写対象は、その転写されるべき位置に対応して
各アライメントマークからの配置位置が定められてい
る。
１に転写対象３０１ａ１〜３０１ａ ３が形成されてい
る。この転写対象３０１ａ１〜３０１ａ３にそれぞれ対
応してアライメントマーク３０２ａ１〜３０２ａ３及び
３０２ｂ１〜３０２ｂ３が配置されている。この例で
は、各転写対象は、その転写されるべき位置に対応して
各アライメントマークからの配置位置が定められてい
る。
【００８５】また、同図（ｂ）に示すように、転写先基
板２０１には、アライメントマーク２０２ａ及び２０２
ｂが形成されている。
板２０１には、アライメントマーク２０２ａ及び２０２
ｂが形成されている。
【００８６】次に、これ等のアライメントマークの使用
例について説明すると、まず、マスク１０２のアライメ
ントマーク１０３ａ及び１０３ｂと、転写先基板２０１
のアライメントマーク２０２ａ及び２０２ｂとのアライ
メント調整をＡステージ２００を移動して行う。次に、
転写元基板３０１の転写対象３０１ａ１に接着剤を塗布
し、Ｂステージ３００を移動して転写先基板２０１のア
ライメントマーク２０２ａ及び２０２ｂに転写元基板３
０１のアライメントマーク３０２ａ１及び３０２ｂ１を
合わせる。Ａステージ２００を上昇して張り合わせ、レ
ーザ１０１ａを照射して転写対象３０１ａ１を転写元基
板３０１から剥離可能とする。この際、マスクは図２１
に示すような、複数の領域を選択的に照射できものを使
用すると都合がよい。Ａステージ２００を下降して転写
先基板２０１の所定位置に剥離転写する。次に、転写元
基板３０１の転写対象３０１ａ２に接着剤を塗布する。
転写先基板２０１のアライメントマーク２０２ａ及び２
０２ｂにＢステージ３００を移動して転写元基板３０１
のアライメントマーク３０２ａ２及び３０２ｂ２を合わ
せる。Ａステージ２００を上昇して転写先基板２０１及
び転写元基板３０１張り合わせ、レーザ１０１ａを照射
して転写対象３０１ａ２を剥離可能とし、Ａステージ２
００を下降して転写先基板２０１の所定位置に剥離転写
する。また、転写元基板３０１の転写対象３０１ａ３に
接着剤を塗布する。転写先基板２０１のアライメントマ
ーク２０２ａ及び２０２ｂにＢステージ３００を移動し
て転写元基板３０１のアライメントマーク３０２ａ３及
び３０２ｂ３を合わせる。Ａステージ２００を上昇して
転写先基板２０１及び転写元基板３０１張り合わせ、レ
ーザ１０１ａを照射して転写対象３０１ａ３を剥離可能
とし、Ａステージ２００を下降して転写先基板２０１の
所定位置に剥離転写する。
例について説明すると、まず、マスク１０２のアライメ
ントマーク１０３ａ及び１０３ｂと、転写先基板２０１
のアライメントマーク２０２ａ及び２０２ｂとのアライ
メント調整をＡステージ２００を移動して行う。次に、
転写元基板３０１の転写対象３０１ａ１に接着剤を塗布
し、Ｂステージ３００を移動して転写先基板２０１のア
ライメントマーク２０２ａ及び２０２ｂに転写元基板３
０１のアライメントマーク３０２ａ１及び３０２ｂ１を
合わせる。Ａステージ２００を上昇して張り合わせ、レ
ーザ１０１ａを照射して転写対象３０１ａ１を転写元基
板３０１から剥離可能とする。この際、マスクは図２１
に示すような、複数の領域を選択的に照射できものを使
用すると都合がよい。Ａステージ２００を下降して転写
先基板２０１の所定位置に剥離転写する。次に、転写元
基板３０１の転写対象３０１ａ２に接着剤を塗布する。
転写先基板２０１のアライメントマーク２０２ａ及び２
０２ｂにＢステージ３００を移動して転写元基板３０１
のアライメントマーク３０２ａ２及び３０２ｂ２を合わ
せる。Ａステージ２００を上昇して転写先基板２０１及
び転写元基板３０１張り合わせ、レーザ１０１ａを照射
して転写対象３０１ａ２を剥離可能とし、Ａステージ２
００を下降して転写先基板２０１の所定位置に剥離転写
する。また、転写元基板３０１の転写対象３０１ａ３に
接着剤を塗布する。転写先基板２０１のアライメントマ
ーク２０２ａ及び２０２ｂにＢステージ３００を移動し
て転写元基板３０１のアライメントマーク３０２ａ３及
び３０２ｂ３を合わせる。Ａステージ２００を上昇して
転写先基板２０１及び転写元基板３０１張り合わせ、レ
ーザ１０１ａを照射して転写対象３０１ａ３を剥離可能
とし、Ａステージ２００を下降して転写先基板２０１の
所定位置に剥離転写する。
【００８７】なお、図１９に示すようなマスク１０２
の、穴位置の異なるものを複数用意し、転写対象位置の
変更に対応してマスク１０２を逐次交換し、このマスク
１０２のアライメントマークに転写先基板２０１のアラ
イメントマークを合わせることとしても良い。また、レ
ーザ光源１０１を移動する等してレーザビーム１０１ａ
の照射位置もマスク穴位置の変更に対応して調整するこ
ととしても良い。
の、穴位置の異なるものを複数用意し、転写対象位置の
変更に対応してマスク１０２を逐次交換し、このマスク
１０２のアライメントマークに転写先基板２０１のアラ
イメントマークを合わせることとしても良い。また、レ
ーザ光源１０１を移動する等してレーザビーム１０１ａ
の照射位置もマスク穴位置の変更に対応して調整するこ
ととしても良い。
【００８８】このようにして、転写先基板２０１の１つ
の領域内に複数の薄膜素子や薄膜回路を組み立てること
が可能となる。
の領域内に複数の薄膜素子や薄膜回路を組み立てること
が可能となる。
【００８９】図２３は、アライメントマークの他の配置
例を示している。この例では、転写先基板２０１の複数
の領域に領域、例えば、ＩＣカードや表示器の複数個分
に相当する複数の領域内にそれぞれ複数の薄膜素子や薄
膜回路を貼り付ける。
例を示している。この例では、転写先基板２０１の複数
の領域に領域、例えば、ＩＣカードや表示器の複数個分
に相当する複数の領域内にそれぞれ複数の薄膜素子や薄
膜回路を貼り付ける。
【００９０】同図（ａ）に示すように、転写元基板３０
１に転写対象３０１ａ１，３０１ａ ２，３０１ａ３，…
が形成されている。この転写対象３０１ａ１，３０１ａ
２，３０１ａ３，…にそれぞれ対応してアライメントマ
ーク３０２ａ１，３０２ａ２，…及び３０２ｂ１，３０
２ｂ２，…が配置されている。この例では、各転写対象
は、その転写されるべき位置に対応して各アライメント
マークからの配置位置が定められている。また、転写対
象３０１ａｎは、転写先基板２０１の対応する領域Ｄｎ
毎にグループ化されており、同一あるいは異なる種類の
薄膜素子や薄膜回路が形成されている。
１に転写対象３０１ａ１，３０１ａ ２，３０１ａ３，…
が形成されている。この転写対象３０１ａ１，３０１ａ
２，３０１ａ３，…にそれぞれ対応してアライメントマ
ーク３０２ａ１，３０２ａ２，…及び３０２ｂ１，３０
２ｂ２，…が配置されている。この例では、各転写対象
は、その転写されるべき位置に対応して各アライメント
マークからの配置位置が定められている。また、転写対
象３０１ａｎは、転写先基板２０１の対応する領域Ｄｎ
毎にグループ化されており、同一あるいは異なる種類の
薄膜素子や薄膜回路が形成されている。
【００９１】また、同図（ｂ）に示すように、転写先基
板２０１には、ＩＣカードや表示器などをそれぞれに組
み立てるべき複数の領域Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，…が形成さ
れている。各領域Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，…毎にアライメン
トマーク２０２ａ１，２０２ａ２，２０２ａ３，…及び
２０２ａ１，２０２ａ２，２０２ａ３，…が形成されて
いる。この各領域毎のアライメントマークは、転写先基
板２０１（あるいはＡステージ２００）をステップ移動
するために使用される。
板２０１には、ＩＣカードや表示器などをそれぞれに組
み立てるべき複数の領域Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，…が形成さ
れている。各領域Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，…毎にアライメン
トマーク２０２ａ１，２０２ａ２，２０２ａ３，…及び
２０２ａ１，２０２ａ２，２０２ａ３，…が形成されて
いる。この各領域毎のアライメントマークは、転写先基
板２０１（あるいはＡステージ２００）をステップ移動
するために使用される。
【００９２】次に、これ等のアライメントマークの使用
例について説明すると、まず、第１の転写を行うため
に、Ａステージ２００を移動して、マスク１０２のアラ
イメントマーク１０３ａ及び１０３ｂと転写先基板２０
１のアライメントマーク２０２ａ１及び２０２ｂ１との
アライメント調整を行う。次に、転写元基板３０１の転
写対象３０１ａ１に接着剤を塗布し、Ｂステージ３００
を移動して転写先基板２０１のアライメントマーク２０
２ａ１及び２０２ｂ１に転写元基板３０１のアライメン
トマーク３０２ａ１及び３０２ｂ１を合わせる。Ａステ
ージ２００を上昇して張り合わせ、レーザ１０１ａを照
射して転写対象３０１ａ１を転写元基板３０１から剥離
可能とする。この際、マスクは図２１に示すような、複
数の領域を選択的に照射できるものを使用すると都合が
よい。Ａステージ２００を下降して転写先基板２０１の
所定位置に剥離転写する。
例について説明すると、まず、第１の転写を行うため
に、Ａステージ２００を移動して、マスク１０２のアラ
イメントマーク１０３ａ及び１０３ｂと転写先基板２０
１のアライメントマーク２０２ａ１及び２０２ｂ１との
アライメント調整を行う。次に、転写元基板３０１の転
写対象３０１ａ１に接着剤を塗布し、Ｂステージ３００
を移動して転写先基板２０１のアライメントマーク２０
２ａ１及び２０２ｂ１に転写元基板３０１のアライメン
トマーク３０２ａ１及び３０２ｂ１を合わせる。Ａステ
ージ２００を上昇して張り合わせ、レーザ１０１ａを照
射して転写対象３０１ａ１を転写元基板３０１から剥離
可能とする。この際、マスクは図２１に示すような、複
数の領域を選択的に照射できるものを使用すると都合が
よい。Ａステージ２００を下降して転写先基板２０１の
所定位置に剥離転写する。
【００９３】第２の転写のために、転写元基板３０１の
転写対象３０１ａ２に接着剤を塗布する。転写先基板２
０１のアライメントマーク２０２ａ１及び２０２ｂ１に
Ｂステージ３００を移動して転写元基板３０１のアライ
メントマーク３０２ａ２及び３０２ｂ２を合わせる。Ａ
ステージ２００を上昇して転写先基板２０１及び転写元
基板３０１張り合わせ、レーザ１０１ａを照射して転写
対象３０１ａ２を剥離可能とし、Ａステージ２００を下
降して転写先基板２０１の所定位置に剥離転写する。
転写対象３０１ａ２に接着剤を塗布する。転写先基板２
０１のアライメントマーク２０２ａ１及び２０２ｂ１に
Ｂステージ３００を移動して転写元基板３０１のアライ
メントマーク３０２ａ２及び３０２ｂ２を合わせる。Ａ
ステージ２００を上昇して転写先基板２０１及び転写元
基板３０１張り合わせ、レーザ１０１ａを照射して転写
対象３０１ａ２を剥離可能とし、Ａステージ２００を下
降して転写先基板２０１の所定位置に剥離転写する。
【００９４】第３の転写のために、転写元基板３０１の
転写対象３０１ａ３に接着剤を塗布する。転写先基板２
０１のアライメントマーク２０２ａ１及び２０２ｂ１に
Ｂステージ３００を移動して転写元基板３０１のアライ
メントマーク３０２ａ３及び３０２ｂ３を合わせる。Ａ
ステージ２００を上昇して転写先基板２０１及び転写元
基板３０１張り合わせ、レーザ１０１ａを照射して転写
対象３０１ａ３を剥離可能とし、Ａステージ２００を下
降して転写先基板２０１の所定位置に剥離転写する。
転写対象３０１ａ３に接着剤を塗布する。転写先基板２
０１のアライメントマーク２０２ａ１及び２０２ｂ１に
Ｂステージ３００を移動して転写元基板３０１のアライ
メントマーク３０２ａ３及び３０２ｂ３を合わせる。Ａ
ステージ２００を上昇して転写先基板２０１及び転写元
基板３０１張り合わせ、レーザ１０１ａを照射して転写
対象３０１ａ３を剥離可能とし、Ａステージ２００を下
降して転写先基板２０１の所定位置に剥離転写する。
【００９５】次に、転写先基板２０１の転写対象領域を
Ｄ１からＤ２とするために、ステップ移動を行う。この
ため、Ａステージ２００を移動してマスク１０２のアラ
イメントマーク１０３ａ及び１０３ｂに転写先基板２０
１のアライメントマーク２０２ａ２及び２０２ｂ２を合
わせる。この転写領域Ｄ２に上述した第１乃至第３の転
写と同様に転写元基板３０１を移動して、転写対象３０
１ａ４，３０１ａ５，３０１ａ６を剥離転写する。
Ｄ１からＤ２とするために、ステップ移動を行う。この
ため、Ａステージ２００を移動してマスク１０２のアラ
イメントマーク１０３ａ及び１０３ｂに転写先基板２０
１のアライメントマーク２０２ａ２及び２０２ｂ２を合
わせる。この転写領域Ｄ２に上述した第１乃至第３の転
写と同様に転写元基板３０１を移動して、転写対象３０
１ａ４，３０１ａ５，３０１ａ６を剥離転写する。
【００９６】このような剥離転写の組立操作を各領域Ｄ
１，Ｄ２，Ｄ３，…について行い、組立が完了した転写
先基板基板はＡステージ２００から次工程に搬送され
る。また、転写対象３０１ａ１，３０１ａ２，３０１ａ
３，…が転写され終えたときには、基板３０１が交換さ
れる。
１，Ｄ２，Ｄ３，…について行い、組立が完了した転写
先基板基板はＡステージ２００から次工程に搬送され
る。また、転写対象３０１ａ１，３０１ａ２，３０１ａ
３，…が転写され終えたときには、基板３０１が交換さ
れる。
【００９７】なお、このステップ転写の実施例において
も、図１９に示すようなマスク１０２の、穴位置の異な
るものを複数用意し、転写対象位置の変更に対応してマ
スク１０２を逐次交換し、このマスク１０２のアライメ
ントマークに転写先基板２０１のアライメントマークを
合わせることとしても良い。また、レーザ光源１０１を
移動する等してレーザビーム１０１ａの照射位置もマス
ク穴位置の変更に対応して調整することとしても良い。
も、図１９に示すようなマスク１０２の、穴位置の異な
るものを複数用意し、転写対象位置の変更に対応してマ
スク１０２を逐次交換し、このマスク１０２のアライメ
ントマークに転写先基板２０１のアライメントマークを
合わせることとしても良い。また、レーザ光源１０１を
移動する等してレーザビーム１０１ａの照射位置もマス
ク穴位置の変更に対応して調整することとしても良い。
【００９８】図２４は、転写先基板２０１に薄膜素子
（３０１ａ１）や薄膜回路（３０１ａ ２）を転写した状
態を示している。転写先基板２０１には、配線が形成さ
れており、この配線に薄膜素子や薄膜回路が接続され
る。接続には、ワイヤボンディングや、図示しない接続
基板を介して接続することが出来る。例えば、ＩＣカー
ドの場合には、転写先基板２０１はフィルム状の薄膜基
板であり、この両側を、異方性導電膜を介して接続回路
が印刷配線された２枚のプラスチック板で貼り合わせ
る。
（３０１ａ１）や薄膜回路（３０１ａ ２）を転写した状
態を示している。転写先基板２０１には、配線が形成さ
れており、この配線に薄膜素子や薄膜回路が接続され
る。接続には、ワイヤボンディングや、図示しない接続
基板を介して接続することが出来る。例えば、ＩＣカー
ドの場合には、転写先基板２０１はフィルム状の薄膜基
板であり、この両側を、異方性導電膜を介して接続回路
が印刷配線された２枚のプラスチック板で貼り合わせ
る。
【００９９】図２５は、大型の転写先基板２０１、例え
ば、ガラス基板に薄膜回路３０１ａ １〜３０１ａｎをタ
イルを貼るように貼り付けてマトリクス状に配列して大
型の電子装置を製造する例を示している。大型の電子装
置としては、液晶表示装置や有機ＥＬ装置などの電気光
学装置が該当する。なお、電子装置装置はメモリやゲー
トアレイであっても良い。電気光学装置である場合の各
薄膜回路は、表示素子アレイのユニットに相当する。薄
膜回路相互間は薄膜回路同士の一部の領域３０１ｄを重
畳することにより接続可能である。また、薄膜回路群の
上に更に形成される配線膜３０１ｅを介して隣接する薄
膜回路同士をブリッジ状の配線で接続すること等によっ
ても接続可能である。
ば、ガラス基板に薄膜回路３０１ａ １〜３０１ａｎをタ
イルを貼るように貼り付けてマトリクス状に配列して大
型の電子装置を製造する例を示している。大型の電子装
置としては、液晶表示装置や有機ＥＬ装置などの電気光
学装置が該当する。なお、電子装置装置はメモリやゲー
トアレイであっても良い。電気光学装置である場合の各
薄膜回路は、表示素子アレイのユニットに相当する。薄
膜回路相互間は薄膜回路同士の一部の領域３０１ｄを重
畳することにより接続可能である。また、薄膜回路群の
上に更に形成される配線膜３０１ｅを介して隣接する薄
膜回路同士をブリッジ状の配線で接続すること等によっ
ても接続可能である。
【０１００】このようにして、転写先基板２０１の複数
の領域内に複数の薄膜素子や薄膜回路を組み立てること
が可能となる。
の領域内に複数の薄膜素子や薄膜回路を組み立てること
が可能となる。
【０１０１】（応用例）上記製造装置における、他の動
作態様について説明する。
作態様について説明する。
【０１０２】まず、上述した実施例では、基板相互間の
アライメント調整を、マスク１０２の基準位置に転写先
基板２０１の基準位置を合せ、この転写先基板２０１の
基準位置に転写元基板３０１の基準位置を合せることに
より行っている。これを、マスク１０２の基準位置に転
写先基板２０１の基準位置を合わせ、マスク１０２の基
準位置に転写元基板３０１の基準位置も合わせるように
しても良い。この場合には、より精度の高い位置合わせ
が可能となる。
アライメント調整を、マスク１０２の基準位置に転写先
基板２０１の基準位置を合せ、この転写先基板２０１の
基準位置に転写元基板３０１の基準位置を合せることに
より行っている。これを、マスク１０２の基準位置に転
写先基板２０１の基準位置を合わせ、マスク１０２の基
準位置に転写元基板３０１の基準位置も合わせるように
しても良い。この場合には、より精度の高い位置合わせ
が可能となる。
【０１０３】また、上述した実施例のステップ動作で
は、転写先基板２０１の転写先の対象領域Ｄｎを変える
度に、マスク１０２と転写先基板２０１とのアライメン
ト調整を行って高精度に転写先基板２０１の位置を合わ
せている。これを、最初回の剥離転写プロセスでのみ当
該アライメント調整を行い、次回以降はＡステージの機
械的な精度に依存してステップ動作を行うこととして、
アライメント調整に要する時間を短縮することが可能で
ある。
は、転写先基板２０１の転写先の対象領域Ｄｎを変える
度に、マスク１０２と転写先基板２０１とのアライメン
ト調整を行って高精度に転写先基板２０１の位置を合わ
せている。これを、最初回の剥離転写プロセスでのみ当
該アライメント調整を行い、次回以降はＡステージの機
械的な精度に依存してステップ動作を行うこととして、
アライメント調整に要する時間を短縮することが可能で
ある。
【０１０４】また、上述した実施例では、ＣＣＤカメラ
によるアライメントマークの観察方向は、上方に配置さ
れて基準面側（マスク１０２側）から基板側を見るＣＣ
Ｄカメラ６０１ａ及び６０１ｂと、下方に配置されて基
板側から基準面側を見るＣＣＤカメラ６０２ａ及び６０
２ｂと、を使用して両側から観察している。これを、い
ずれか一方の側に配置されたＣＣＤカメラによって片側
からだけで観察することとしても良い。
によるアライメントマークの観察方向は、上方に配置さ
れて基準面側（マスク１０２側）から基板側を見るＣＣ
Ｄカメラ６０１ａ及び６０１ｂと、下方に配置されて基
板側から基準面側を見るＣＣＤカメラ６０２ａ及び６０
２ｂと、を使用して両側から観察している。これを、い
ずれか一方の側に配置されたＣＣＤカメラによって片側
からだけで観察することとしても良い。
【０１０５】また、上述した実施例では、転写対象３０
１ａｎ毎あるいは被転写対象領域Ｄ ｎ毎に異なるアライ
メントマークを使用している。これを、同一アライメン
トマークを使用し、該当ステージの移動精度によって該
当場所の位置出しを行うこととしても良い。
１ａｎ毎あるいは被転写対象領域Ｄ ｎ毎に異なるアライ
メントマークを使用している。これを、同一アライメン
トマークを使用し、該当ステージの移動精度によって該
当場所の位置出しを行うこととしても良い。
【０１０６】また、上述した実施例では、アライメント
マークを基板に形成している。これを、基板のパターン
（例えば、回路パターン）を使用することとして、基板
の機能に基づく薄膜回路等のパターンとは別個にアライ
メントマークを設けないようにすることも可能である。
マークを基板に形成している。これを、基板のパターン
（例えば、回路パターン）を使用することとして、基板
の機能に基づく薄膜回路等のパターンとは別個にアライ
メントマークを設けないようにすることも可能である。
【０１０７】また、上述した実施例では、マスク、転写
先基板、転写元基板のパターンはアライメントマークを
基準に配置されている。各回の転写（各転写対象）毎
に、あるいは各領域毎にアライメントマークを使用し
て、１つの領域内での複数回の転写と、複数の領域内の
各々について複数回の転写とを可能にしている。
先基板、転写元基板のパターンはアライメントマークを
基準に配置されている。各回の転写（各転写対象）毎
に、あるいは各領域毎にアライメントマークを使用し
て、１つの領域内での複数回の転写と、複数の領域内の
各々について複数回の転写とを可能にしている。
【０１０８】また、上述した実施例では、転写元基板３
０１を基板搬送装置４００によって接着剤塗布装置５０
０の位置に搬送して当該基板の転写対象領域に接着剤を
塗布し、Ｂステージ３００に搬送している。これを、基
板搬送装置４００によって転写先基板２０１を接着剤塗
布装置５００の位置に搬送して転写先基板２０１の被転
写領域に接着剤を塗布し、Ａステージ２００に搬送する
こととしても良い。接着剤塗布装置５００が移動して転
写先基板２０１又は転写元基板３０１の該当位置に接着
剤を塗布することとしても良い。更に、接着剤を吐出す
る接着剤塗布装置５００のノズル位置を固定し、基板を
載置したＡ又はＢステージを移動させて所要の位置に接
着剤を塗布することとしても良い。
０１を基板搬送装置４００によって接着剤塗布装置５０
０の位置に搬送して当該基板の転写対象領域に接着剤を
塗布し、Ｂステージ３００に搬送している。これを、基
板搬送装置４００によって転写先基板２０１を接着剤塗
布装置５００の位置に搬送して転写先基板２０１の被転
写領域に接着剤を塗布し、Ａステージ２００に搬送する
こととしても良い。接着剤塗布装置５００が移動して転
写先基板２０１又は転写元基板３０１の該当位置に接着
剤を塗布することとしても良い。更に、接着剤を吐出す
る接着剤塗布装置５００のノズル位置を固定し、基板を
載置したＡ又はＢステージを移動させて所要の位置に接
着剤を塗布することとしても良い。
【０１０９】また、上述した実施例では、Ａステージ２
００にマトリクス状に配置されたピエゾ素子をドライバ
を切り替えることによってセンサ又は駆動体として使用
している。これを、ピエゾ素子等によるセンサと駆動体
とを別々に設け、センサで検出しながら駆動体を駆動し
て調整するようにしても良い。なお、ピエゾ素子に限定
されるものではない。
００にマトリクス状に配置されたピエゾ素子をドライバ
を切り替えることによってセンサ又は駆動体として使用
している。これを、ピエゾ素子等によるセンサと駆動体
とを別々に設け、センサで検出しながら駆動体を駆動し
て調整するようにしても良い。なお、ピエゾ素子に限定
されるものではない。
【０１１０】また、上述したように、光学系のマスク１
０２は、開口位置が転写位置に対応した複数の種類のマ
スクから適切なものをその都度選択することが可能であ
る。回折マスクによってレーザビームを分岐し、アレイ
状のスポットを形成することが可能である。光ファイバ
ケーブルと光スイッチとによってレーザ光を所望の場所
に導き、複数の領域の全部又は一部にレーザ光を選択的
に照射することも可能である。
０２は、開口位置が転写位置に対応した複数の種類のマ
スクから適切なものをその都度選択することが可能であ
る。回折マスクによってレーザビームを分岐し、アレイ
状のスポットを形成することが可能である。光ファイバ
ケーブルと光スイッチとによってレーザ光を所望の場所
に導き、複数の領域の全部又は一部にレーザ光を選択的
に照射することも可能である。
【０１１１】このように、本発明の電子装置の製造方法
及び製造装置によれば、基板間の薄膜素子や薄膜回路の
転写を自動化することが可能となる。上述した実施例や
応用例は用途に応じて適宜に組み合わせて用いられるも
のであり、本発明は実施例に限定されるものではない。
及び製造装置によれば、基板間の薄膜素子や薄膜回路の
転写を自動化することが可能となる。上述した実施例や
応用例は用途に応じて適宜に組み合わせて用いられるも
のであり、本発明は実施例に限定されるものではない。
【０１１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子装置
の製造方法及び製造装置によれば、１つの基板に形成さ
れた薄膜素子や薄膜回路を他の基板に転写して電子装置
を組み立てることが可能であるので、大型の基板に他の
基板で製造した薄膜素子や薄膜回路を複数並べることが
出来、大型の電子装置、例えば、大型の液晶表示パネル
や有機ＥＬ表示器を、相対的に小型の製造装置を用いて
製造することが可能となる。また、許容プロセス温度や
描画幅等の条件が異なるプロセスで別々に製造した薄膜
素子や薄膜回路を組み合わせて電子装置を組み立てるこ
とが可能となる。
の製造方法及び製造装置によれば、１つの基板に形成さ
れた薄膜素子や薄膜回路を他の基板に転写して電子装置
を組み立てることが可能であるので、大型の基板に他の
基板で製造した薄膜素子や薄膜回路を複数並べることが
出来、大型の電子装置、例えば、大型の液晶表示パネル
や有機ＥＬ表示器を、相対的に小型の製造装置を用いて
製造することが可能となる。また、許容プロセス温度や
描画幅等の条件が異なるプロセスで別々に製造した薄膜
素子や薄膜回路を組み合わせて電子装置を組み立てるこ
とが可能となる。
【図１】図１は、本発明の電子装置の製造装置を概略的
に説明する説明図である。
に説明する説明図である。
【図２】図２は、電子装置の製造装置に使用されるマス
クの例を説明する説明図である。
クの例を説明する説明図である。
【図３】図３は、Ａステージの例を説明する説明図であ
る。
る。
【図４】図４は、アライメント調整を説明する説明図で
あり、同図（ａ）は転写元基板を、同図（ｂ）は転写先
基板の例を説明している。
あり、同図（ａ）は転写元基板を、同図（ｂ）は転写先
基板の例を説明している。
【図５】図５は、電子装置の製造装置の制御系を説明す
るブロック図である。
るブロック図である。
【図６】図６は、製造工程のマスクセットを説明する説
明図である。
明図である。
【図７】図７は、製造工程の転写先基板のローデイング
とアライメント調整を説明する説明図である。
とアライメント調整を説明する説明図である。
【図８】図８は、製造工程の転写元基板の接着剤塗布を
説明する説明図である。
説明する説明図である。
【図９】図９は、製造工程の転写元基板のアライメント
調整を説明する説明図である。
調整を説明する説明図である。
【図１０】図１０は、製造工程の転写先基板の傾斜・撓
みの検出／調整を説明する説明図である。
みの検出／調整を説明する説明図である。
【図１１】図１１は、製造工程の転写元基板と転写先基
板と張り合わせ／レーザ照射を説明する説明図である。
板と張り合わせ／レーザ照射を説明する説明図である。
【図１２】図１２は、製造工程の剥離転写を説明する説
明図である。
明図である。
【図１３】図１３は、製造工程の転写元基板接着剤塗布
を説明する説明図である。
を説明する説明図である。
【図１４】図１４は、製造工程の転写先基板のアライメ
ント調整を説明する説明図である。
ント調整を説明する説明図である。
【図１５】図１５は、製造工程の転写元基板のアライメ
ント調整を説明する説明図である。
ント調整を説明する説明図である。
【図１６】図１６は、製造工程の転写先基板の傾斜・撓
みの検出／調整を説明する説明図である。
みの検出／調整を説明する説明図である。
【図１７】図１７は、製造工程の転写元基板と転写先基
板と張り合わせ／レーザ照射を説明する説明図である。
板と張り合わせ／レーザ照射を説明する説明図である。
【図１８】図１８は、、製造工程の剥離転写を説明する
説明図である。
説明図である。
【図１９】図１９（ａ）は、レーザビームの照射領域を
選択する選択マスクの例を説明する説明図である。図１
９（ｂ）は、レーザビームを回折格子マスクでアレイ状
に分岐する例を説明する説明図である。
選択する選択マスクの例を説明する説明図である。図１
９（ｂ）は、レーザビームを回折格子マスクでアレイ状
に分岐する例を説明する説明図である。
【図２０】図２０は、レーザビームを回折格子マスクで
アレイ状に分岐した後、領域選択マスクの穴形状でビー
ムスポット形状を整形する例を説明する説明図である。
アレイ状に分岐した後、領域選択マスクの穴形状でビー
ムスポット形状を整形する例を説明する説明図である。
【図２１】図２１は、光ファイバでレーザビームを導出
し、複数の領域に選択的に照射可能とする例を説明する
説明図である。
し、複数の領域に選択的に照射可能とする例を説明する
説明図である。
【図２２】図２２は、転写先基板の同一領域に複数の転
写対象を転写する場合のアライメントマーク配置例を説
明する説明図である。
写対象を転写する場合のアライメントマーク配置例を説
明する説明図である。
【図２３】図２３は、転写先基板の複数の領域にそれぞ
れ複数の転写対象を転写する場合のアライメントマーク
配置例を説明する説明図である。
れ複数の転写対象を転写する場合のアライメントマーク
配置例を説明する説明図である。
【図２４】図２４は、転写先基板への薄膜素子や薄膜回
路の転写例を説明する説明図である。
路の転写例を説明する説明図である。
【図２５】図２５は、転写先基板への薄膜回路の他の転
写例を説明する説明図である。
写例を説明する説明図である。
１０１ レーザ光源
１０１ａ レーザビーム
１０２ マスク
２００ Ａステージ
２０１ 転写先基板
３００ Ｂステージ
３０１ 転写元基板
４００ 基板搬送装置
５００ 接着剤塗布装置
７００ 制御装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｈ０５Ｂ 33/10
33/14 33/14 Ａ
// Ｂ２３Ｋ 101:36 Ｂ２３Ｋ 101:36
(72)発明者 宮沢 和加雄
長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ
ーエプソン株式会社内
(72)発明者 土橋 福美
長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ
ーエプソン株式会社内
Ｆターム(参考） 2H088 FA16 FA17 FA18 FA30 HA08
MA20
2H092 JA24 MA02 MA22 NA27 NA29
3K007 AB18 BA06 DB03 FA01
4E068 AA00 CA14 CB02 CC02 CD03
CD10 CE08 DA09
5G435 AA17 BB05 BB12 CC09 KK05
KK10
Claims (28)
- 【請求項１】レーザビームを発生するレーザ装置と、 前記レーザビームのビームスポットの形状を整えるマス
ク基板を含むマスク手段と、 転写対象体を担う第１の基板を載置する第１のステージ
と、 前記転写対象体が転写されるべき第２の基板を載置する
第２のステージと、 前記転写対象体又は前記第２の基板上の被転写位置に接
着剤を塗布する接着剤塗布手段と、 少なくとも前記第１及び第２のステージの各動作を制御
する制御手段と、を含み、 前記制御手段は、少なくとも前記第１及び第２のステー
ジのいずれかを移動して前記マスク基板、前記第１及び
第２の基板相互間の位置を合わせ、前記第１及び第２の
基板を密着し、前記レーザビームを前記転写対象体に照
射させ、前記第１及び第２の基板を離間して前記転写対
象体を前記第１の基板から第２の基板に転写する、電子
装置の製造装置。 - 【請求項２】更に、各基板をステージに搬送する基板搬
送手段を備える、請求項１に記載の電子装置の製造装
置。 - 【請求項３】前記基板相互間の位置合わせは、予め、前
記マスク基板、前記第１及び第２の基板にそれぞれアラ
イメントマークを形成しておき、検出手段で各アライメ
ントマークの整列状態を検出し、この結果に基づいて少
なくとも前記第１及び第２のステージのいずれかを移動
することによって行う、請求項１又は２に記載の電子装
置の製造装置。 - 【請求項４】前記検出手段はＣＣＤカメラであり、各ア
ライメントマークの重なり状態を観察することによって
前記整列状態を検出可能とする、請求項３記載の電子装
置の製造装置。 - 【請求項５】前記基板相互間の位置合わせは、前記マス
ク基板のアライメントマークに前記第２の基板のアライ
メントマークを合わせ、この第２の基板のアライメント
マークに前記第１の基板のアライメントマークを合わせ
ることによって行う、請求項１乃至４のいずれかに記載
の電子装置の製造装置。 - 【請求項６】前記基板相互間の位置合わせは、前記マス
ク基板のアライメントマークに前記第１の基板のアライ
メントマークを合わせ、この第１の基板のアライメント
マークに前記第２の基板のアライメントマークを合わせ
ることによって行う、請求項１乃至５のいずれかに記載
の電子装置の製造装置。 - 【請求項７】前記基板相互間の位置合わせは、前記マス
ク基板のアライメントマークに前記第１の基板のアライ
メントマークを合わせ、前記マスク基板のアライメント
マークに前記第２の基板のアライメントマークを合わせ
ることによって行う、請求項１乃至５のいずれかに記載
の電子装置の製造装置。 - 【請求項８】前記第１の基板には、各転写対象体毎にア
ライメントマークが形成される、請求項１乃至７のいず
れかに記載の電子装置の製造装置。 - 【請求項９】前記第２の基板には、予め定められた領域
毎に前記アライメントマークが形成される、請求項１乃
至８のいずれかに記載の電子装置の製造装置。 - 【請求項１０】前記マスク基板は、前記レーザビームの
スポット径よりも狭い透過窓が形成された透過窓基板を
含み、この基板の前記透過窓の大きさが異なるものを予
め複数用意して、前記転写対象体の形状に対応して該透
過窓基板を適宜に選択可能とした、請求項１乃至９のい
ずれかに記載の電子装置の製造装置。 - 【請求項１１】前記マスク基板は、前記レーザビームを
複数に分岐する回折格子基板を含む、請求項１乃至１０
のいずれかに記載の電子装置の製造装置。 - 【請求項１２】前記マスク基板は、前記レーザビームを
複数に分岐する回折格子と、この分岐された複数のビー
ムに対応する複数の透過窓を形成した透過窓基板と、を
含む、請求項１乃至１０のいずれかに記載の電子装置の
製造装置。 - 【請求項１３】前記レーザビームを光ファイバによっ
て、１つのレーザビームを光ファイバによって複数に分
岐し、あるいは複数のレーザ光源から複数の光ファイバ
で導出される複数のレーザビームと、複数の透過窓を形
成した透過窓基板と、を使用する１乃至１０のいずれか
に記載の電子装置の製造装置。 - 【請求項１４】前記第２のステージ側に、前記第２の基
板のうねりや傾斜を減らすためのうねり抑制手段を設け
た、１乃至１３のいずれかに記載の電子装置の製造装
置。 - 【請求項１５】前記うねり抑制手段は、前記第２のステ
ージの基板の載置面に配置された圧力を検出する複数の
圧力センサと、前記第２のステージの基板の載置面に配
置された複数の微小伸縮体と、前記複数のセンサの各出
力に基づいて前記複数の微小伸縮体の伸縮を制御するう
ねり補正手段と、を含む、請求項１４記載の電子装置の
製造装置。 - 【請求項１６】前記圧力センサ及び前記微小伸縮体がピ
エゾ素子によって構成される、請求項１５記載の電子装
置の製造装置。 - 【請求項１７】１つのピエゾ素子を前記圧力センサ及び
前記微小伸縮体として使用する、請求項１５又は１６に
記載の電子装置の製造方法。 - 【請求項１８】前記転写対象は薄膜素子又は薄膜回路を
含む請求項１乃至１７のいずれかに記載の電子装置の製
造装置。 - 【請求項１９】前記第１の基板は、ガラス等の透光性基
板である、請求項１乃至１８のいずれかに記載の電子装
置の製造装置。 - 【請求項２０】前記第２の基板は配線が形成された基板
である、請求項１乃至１９のいずれかに記載の電子装置
の製造装置。 - 【請求項２１】少なくとも前記第１及び第２のステージ
に該ステージの温度をコントロールする温度調整手段を
設けた、請求項１乃至２０のいずれかに記載の電子装置
の製造装置。 - 【請求項２２】前記電子装置は、少なくとも半導体装置
及び電気光学装置のいずれかを含む、請求項１乃至２１
のいずれかに記載の電子装置の製造装置。 - 【請求項２３】第１の基板に形成された転写対象体を剥
離して第２の基板に転写する剥離転写を使用して電子装
置を製造する製造方法であって、 透過窓を有するマスク基板、前記第１及び第２の基板の
うちのいずれか１つをを位置合わせの基準基板として選
択する過程と、 当該基準基板に形成されたアライメントマークと他の２
つの基板に形成された各アライメントマークとが整列す
るように各基板の位置を調整する過程と、 前記転写対象体部分に接着剤を介して前記第１及び第２
の基板を貼り合わせる過程と、 前記転写対象体に前記マスク基板を介してレーザを照射
して前記転写対象体を前記第１の基板から剥離する過程
と、 前記第１及び第２の基板を離間して前記転写対象体を前
記第１の基板側に移す過程と、 を含む電子装置の製造方法。 - 【請求項２４】第１の基板に形成された転写対象体を剥
離して第２の基板に転写する剥離転写を使用して電子装
置を製造する製造方法であって、 前記転写対象体の外形に対応した透過窓を有するマスク
基板に形成されたアライメントマークに前記第２の基板
に形成されたアライメントマークを合わせる過程と、 前記第２の基板のアライメントマークに前記第１の基板
に形成されたアライメントマークを合わせる過程と、 前記転写対象体部分に接着剤を介して前記第１及び第２
の基板を貼り合わせる過程と、 前記転写対象体に前記マスク基板を介してレーザを照射
して前記転写対象体を前記第１の基板から剥離する過程
と、 前記第１及び第２の基板を離間して前記転写対象体を前
記第１の基板側に移す過程と、 を含む電子装置の製造方法。 - 【請求項２５】第１の基板に形成された転写対象体を剥
離して第２の基板に転写する剥離転写を使用して電子装
置を製造する製造方法であって、 前記転写対象体の外形に対応した透過窓を有するマスク
基板に形成されたアライメントマークに前記第１の基板
に形成されたアライメントマークを合わせる過程と、 前記第１の基板のアライメントマークに前記第２の基板
に形成されたアライメントマークを合わせる過程と、 前記転写対象体部分に接着剤を介して前記第１及び第２
の基板を貼り合わせる過程と、 前記転写対象体に前記マスク基板を介してレーザを照射
して前記転写対象体を前記第１の基板から剥離する過程
と、 前記第１及び第２の基板を離間して前記転写対象体を前
記第１の基板側に移す過程と、 を含む電子装置の製造方法。 - 【請求項２６】第１の基板に形成された転写対象体を剥
離して第２の基板に転写する剥離転写を使用して電子装
置を製造する製造方法であって、 前記転写対象体の外形に対応した透過窓を有するマスク
基板に形成されたアライメントマークに前記第１の基板
に形成されたアライメントマークを合わせる過程と、 前記マスク基板のアライメントマークに前記第２の基板
に形成されたアライメントマークを合わせる過程と、 前記転写対象体部分に接着剤を介して前記第１及び第２
の基板を貼り合わせる過程と、 前記転写対象体に前記マスク基板を介してレーザを照射
して前記転写対象体を前記第１の基板から剥離する過程
と、 前記第１及び第２の基板を離間して前記転写対象体を前
記第１の基板側に移す過程と、 を含む電子装置の製造方法。 - 【請求項２７】前記マスク基板は、前記レーザビームを
複数に分岐する手段と、分岐した複数のレーザビームを
それぞれ通過させる複数の窓とを含む、請求項２３乃至
２６のいずれかに記載の電子装置の製造方法。 - 【請求項２８】前記分岐する手段は、回折格子又は複数
本の光ファイバを含む、請求項２７に記載の電子装置の
製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2002124866A JP4411575B2 (ja) | 2002-04-25 | 2002-04-25 | 電子装置の製造装置 |
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| US10/420,882 US7127810B2 (en) | 2002-04-25 | 2003-04-23 | Method of manufacturing electronic device including aligning first substrate, second substrate and mask, and transferring object from first substrate to second substrate, including irradiating object on first substrate with light through mask |
| KR10-2003-0026072A KR100496726B1 (ko) | 2002-04-25 | 2003-04-24 | 전자 장치의 제조 방법 및 제조 장치 |
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