JP5833045B2 - パターン形成方法及びパターン形成装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、パターン形成方法及びパターン形成装置に関する。

微細なパターンを形成するパターン形成方法の１つとして、転写するパターンの凹凸形状が設けられた原版（モールド）を用いるインプリント法が注目されている。インプリント法では、パターンの形状を転写する対象の基板の上に例えば光硬化型の樹脂を塗布し、この樹脂にモールドの凹凸パターンを接触させる。この状態で樹脂を硬化させた後、モールドを樹脂から剥離することで、樹脂にモールドの凹凸パターンの形状が転写される。１つの基台に複数の転写領域（ショット領域）が設けられたモールド（いわゆるマルチショット用のモールド）を用いたインプリント法では、各ショット領域に対応したインプリントにおいてモールドの交換の手間が省けるというメリットがある。パターン形成方法においては、先に形成したパターンをモールドによって潰さないことが重要である。

特開２００８−２９６５７９号公報

本発明の実施形態は、先に形成したパターンをモールドによって潰すことなく的確にパターンを形成するパターン形成方法及びパターン形成装置を提供する。

実施形態に係るパターン形成方法は、第１パターン領域と、前記第１パターン領域と並ぶ第２パターン領域と、を有するモールドを用いて対象物の複数のショット領域にパターンの形状を転写するパターン形成方法である。
前記第１パターン領域を用いて前記パターンの形状を転写する場合、前記第１パターン領域から前記第２パターン領域に向かう第１方向に順に前記複数のパターン領域のそれぞれに前記パターンの形状を転写する。
前記第２パターン領域を用いて前記パターンの形状を転写する場合、前記第２パターン領域から前記第１パターン領域に向かう第２方向に順に前記複数のパターン領域のそれぞれに前記パターンの形状を転写する。

図１は、第１の実施形態に係るパターン形成方法を例示するフローチャートである。 図２（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係るパターン形成方法で用いるモールドを例示する模式図である。 図３（ａ）〜（ｃ）は、モールドを用いたパターン形成方法を例示する模式的断面図である。 図４（ａ）〜図４（ｄ）は、パターン形成方法の具体例を示す模式的断面図である。 図５（ａ）〜図５（ｄ）は、パターン形成方法の具体例を示す模式的断面図である。 図６（ａ）〜（ｄ）は、参考例に係るパターン形成方法を例示する模式的断面図である。 図７は、パターンの第１の形成順序を例示する模式的平面図である。 図８は、パターンの第１の形成順序を例示する模式的平面図である。 図９は、パターンの第１の形成順序を例示する模式的平面図である。 図１０は、パターンの第１の形成順序を例示する模式的平面図である。 図１１は、パターンの第２の形成順序を例示する模式的平面図である。 図１２は、パターンの第２の形成順序を例示する模式的平面図である。 図１３は、パターンの第２の形成順序を例示する模式的平面図である。 図１４は、パターンの第２の形成順序を例示する模式的平面図である。 図１５は、パターン領域の他の配置について例示する模式的平面図である。 図１６は、パターン領域の他の配置について例示する模式的平面図である。 図１７は、第２の実施形態に係るパターン形成装置の構成を例示する模式図である。 図１８は、コンピュータのハードウェア構成を例示する図である。

以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るパターン形成方法を例示するフローチャートである。
図２（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係るパターン形成方法で用いるモールドを例示する模式図である。
図２（ａ）には、モールド１００の模式的平面図が表される。図２（ｂ）には、図２（ａ）に表したＡ−Ａ断面図が表される。図２（ｃ）には、凹凸パターンｐ１の部分を拡大した模式的断面図が表される。

図１に表したように、第１の実施形態に係るパターン形成方法は、基板を用意する工程（ステップＳ１０１）と、モールドを用意する工程（ステップＳ１０２）と、ショット領域を選択する工程（ステップＳ１０３）と、樹脂を塗布する工程（ステップＳ１０４）と、モールドを接触させる工程（ステップＳ１０５）と、樹脂を硬化させる工程（ステップＳ１０６）と、モールドを引き離す工程（ステップＳ１０７）と、モールドまたは基板を移動させる工程（ステップＳ１０８）と、を含む。

ここで、本実施形態で使用するモールド１００について説明する。
図２（ａ）及び（ｂ）に表したように、モールド１００は、ガラス等の基台１０１に設けられた第１パターン領域Ｒ１と、第１パターン領域Ｒ１と並ぶ第２パターン領域Ｒ２と、を有する。図２（ａ）に表した例では、第１パターン領域Ｒ１及び第２パターン領域Ｒ２のほか、第３パターン領域Ｒ３及び第４パターン領域Ｒ４を有する。

第３パターン領域Ｒ３は、第１パターン領域Ｒ１と並ぶ。第１パターン領域Ｒ１と第３パターン領域Ｒ３とを結ぶ線は、第１パターン領域Ｒ１と第２パターン領域Ｒ２とを結ぶ線と直交する。

第４パターン領域Ｒ４は、第２パターン領域Ｒ２と並ぶ。第２パターン領域Ｒ２と第４パターン領域Ｒ４とを結ぶ線は、第２ターン領域Ｒ１と第１パターン領域Ｒ１とを結ぶ線と直交する。すなわち、モールド１００は、２×２に配置された複数のパターン領域を有する。

図２（ｃ）に表したように、第１パターン領域Ｒ１には凹凸パターンｐ１が設けられ、第２パターン領域Ｒ２には凹凸パターンｐ２が設けられ、第３パターン領域Ｒ３には凹凸パターンｐ３が設けられ、第４パターン領域Ｒ４には凹凸パターンｐ４が設けられる。凹凸パターンｐ１、ｐ２、ｐ３及びｐ４のそれぞれは、基台１０１から突出する台座１０２の表面に設けられる。凹凸パターンｐ１、ｐ２、ｐ３及びｐ４の形状は、互いに異なっていてもよいし、全て同じでもよい。

また、凹凸パターンｐ１の形状は、凹凸パターンｐ２、ｐ３及びｐ４の一部と同じでもよい。凹凸パターンｐ２の形状は、凹凸パターンｐ１、ｐ３及びｐ４の一部と同じでもよい。凹凸パターンｐ３の形状は、凹凸パターンｐ１、ｐ２及びｐ４の一部と同じでもよい。凹凸パターンｐ４の形状は、凹凸パターンｐ１、ｐ２及びｐ３の一部と同じでもよい。

モールド１００において、第１パターン領域Ｒ１によるパターンの形状の転写は、第２パターン領域Ｒ２によるパターンの形状の転写とは同時に行われない。このため、互いに隣り合う第１パターン領域Ｒ１と第２パターン領域Ｒ２との間隔は、互いに隣り合う２つのショット領域の間隔と異なっていてもよい。また、互いに隣り合う第３パターン領域Ｒ３と第４パターン領域Ｒ４との間隔は、互いに隣り合う２つのショット領域の間隔と異なっていてもよい。また、互いに隣り合う第１パターン領域Ｒ１と第３パターン領域Ｒ３との間隔は、互いに隣り合う２つのショット領域の間隔と異なっていてもよい。また、互いに隣り合う第２パターン領域Ｒ２と第４パターン領域Ｒ４との間隔は、互いに隣り合う２つのショット領域の間隔と異なっていてもよい。

例えば、モールド１００の第１パターン領域Ｒ１においては、基板等の対象物の第１層に凹凸パターンｐ１の形状を転写する。第２パターン領域Ｒ２においては、第１層の上の第２層に凹凸パターンｐ２の形状を転写する。第３パターン領域Ｒ３においては、第２層の上の第３層に凹凸パターンｐ３の形状を転写する。第４パターン領域Ｒ４においては、第３層の上の第４層に凹凸パターンｐ４の形状を転写する。

本実施形態に係るパターン形成方法では、モールド１００の第１パターン領域Ｒ１を用いて凹凸パターンｐ１の形状を対象物に転写する場合、第１パターン領域Ｒ１から第２パターン領域Ｒ２に向かう第１方向Ｄ１に順に複数のショット領域のそれぞれに凹凸パターンｐ１の形状を転写する。

一方、モールド１００の第２パターン領域Ｒ２を用いて凹凸パターンｐ１の形状を対象物に転写する場合、第２パターン領域Ｒ２から第１パターン領域Ｒ１に向かう第２方向Ｄ２に順に複数のショット領域のそれぞれに凹凸パターンｐ１の形状を転写する。

このような順に複数のパターン領域のそれぞれにパターンの形状を転写すると、先に形成したパターンをモールド１００で踏みつぶすことなく、的確にパターンが形成される。

図３（ａ）〜（ｃ）は、モールドを用いたパターン形成方法を例示する模式的断面図である。
図３（ａ）〜（ｃ）には、図２に表したモールド１００を用いたパターン形成方法が表される。ここでは、第１パターン領域Ｒ１を用いて基板Ｓの第１ショット領域ＳＲ１にパターンの形状を転写する例を表している。

先ず、図３（ａ）に表したように、基板Ｓの第１ショット領域ＳＲ１に樹脂１５を塗布する（図１のステップＳ１０４）。樹脂１５としては、例えば紫外線の照射によって硬化する光硬化型樹脂が用いられる。次に、モールド１００を基板Ｓの上に配置し、モールド１００と基板Ｓとの位置合わせを行う。

次に、図３（ｂ）に表したように、モールド１００と基板Ｓとを相対的に近づけて、第１パターン領域Ｒ１の凹凸パターンｐ１を樹脂１５に接触させる（図１のステップＳ１０５）。この状態で、必要に応じてモールド１００の外周に応力を与え、モールド１００を位置合わせする。次に、樹脂１５に例えば紫外線を照射して、樹脂１５を硬化させる（図１のステップＳ１０６）。

次に、図３（ｃ）に表したように、モールド１００を樹脂１５から引き離す（図１のステップＳ１０７）。これにより、第１パターン領域Ｒ１の凹凸パターンｐ１の形状が樹脂１５に転写される。基板Ｓ上の第１ショット領域ＳＲ１には、凹凸パターンｐ１の形状が樹脂１５に転写されたパターンｐ１０が形成される。

以下の説明において、パターンｐを形成することには、図３（ａ）〜（ｃ）に表した工程（図１のステップＳ１０４〜ステップＳ１０７）が含まれるものとする。

次に、本実施形態に係るパターン形成方法の具体例について説明する。
図４（ａ）〜図５（ｄ）は、パターン形成方法の具体例を示す模式的断面図である。
図４（ａ）〜図５（ｄ）には、第１パターン領域Ｒ１及び第２パターン領域Ｒ２を用いてパターンｐ１０及びｐ２０を形成する例が表される。

先ず、図４（ａ）に表したように、基板Ｓ及びモールド１００を用意する（図１のステップＳ１０１〜ステップＳ１０２）。次に、モールド１００のパターン領域の選択を行う（図１のステップＳ１０３）。本具体例では、先ず第１パターン領域Ｒ１を選択する。そして、第１パターン領域Ｒ１の凹凸パターンｐ１の形状を基板Ｓの第１ショット領域ＳＲ１に転写し、パターンｐ１０を形成する（図１のステップＳ１０４〜ステップＳ１０７）。

次に、図４（ｂ）に表したように、第１パターン領域Ｒ１を用いてパターンｐ１０を形成する領域を、第１方向Ｄ１に移動させる。パターンｐ１０を形成する領域を移動させるには、モールド１００を第１方向Ｄ１に移動させる。また、モールド１００を固定して基板Ｓを第１方向Ｄ１と反対の方向に移動させてもよい。また、モールド１００と基板Ｓとを互いに反対方向に移動させてもよい。本具体例では、モールド１００を第１方向Ｄ１に移動させる。モールド１００を移動した後、第１方向Ｄ１に第１ショット領域ＳＲ１と隣り合う第２ショット領域ＳＲ２にパターンｐ１０を形成する。第２ショット領域ＳＲ２へパターンｐ１０を形成する際、先にパターンｐ１０を形成した第１ショット領域ＳＲ１のパターンｐ１０を、モールド１００の第２パターン領域Ｒ２によって踏みつぶすことはない。

次に、図４（ｃ）に表したように、第１パターン領域Ｒ１を用いてパターンｐ１０を形成する領域を、第１方向Ｄ１に移動させる。本具体例では、モールド１００を第１方向Ｄ１に移動させる。モールド１００を移動した後、第１方向Ｄ１に第２ショット領域ＳＲ２と隣り合う第３ショット領域ＳＲ３にパターンｐ１０を形成する。第３ショット領域ＳＲ３へパターンｐ１０を形成する際、先にパターンｐ１０を形成した第１ショット領域ＳＲ１のパターンｐ１０及び第２ショット領域ＳＲ２のパターンｐ１０を、モールド１００の第２パターン領域Ｒ２によって踏みつぶすことはない。

次に、図４（ｄ）に表したように、第１パターン領域Ｒ１を用いてパターンｐ１０を形成する領域を、第１方向Ｄ１に移動させる。本具体例では、モールド１００を第１方向Ｄ１に移動させる。モールド１００を移動した後、第１方向Ｄ１に第３ショット領域ＳＲ３と隣り合う第４ショット領域ＳＲ４にパターンｐ１０を形成する。第４ショット領域ＳＲ４へパターンｐ１０を形成する際、先にパターンｐ１０を形成した第１ショット領域ＳＲ１のパターンｐ１０、第２ショット領域ＳＲ２のパターンｐ１０及び第３ショット領域ＳＲ３のパターンｐ１０を、モールド１００の第２パターン領域Ｒ２によって踏みつぶすことはない。

図４（ａ）〜（ｄ）に表した例では、基板Ｓ上の第１ショット領域ＳＲ１〜第４ショット領域ＳＲ４の４つのショット領域にパターンｐ１０を形成したが、さらに多くのショット領域にパターンｐ１０を形成する場合も同様である。これにより、基板Ｓ上の第１層Ｌ１のパターンｐ１０が形成される。

次に、図５（ａ）に表したように、第１層Ｌ１のパターンｐ１０を絶縁膜５０で覆う。次に、モールド１００の第２パターン領域Ｒ２を選択する（図１のステップＳ１０３）。そして、第２パターン領域Ｒ２の凹凸パターンｐ２の形状を基板Ｓの第４ショット領域ＳＲ４に転写し、パターンｐ２０を形成する（図１のステップＳ１０４〜ステップＳ１０７）。

次に、図５（ｂ）に表したように、第２パターン領域Ｒ２を用いてパターンｐ２０を形成する領域を、第２方向Ｄ２に移動させる。パターンｐ２０を形成する領域を移動させるには、モールド１００を第２方向Ｄ２に移動させる。また、モールド１００を固定して基板Ｓを第２方向Ｄ２と反対の方向に移動させてもよい。また、モールド１００と基板Ｓとを互いに反対方向に移動させてもよい。本具体例では、モールド１００を第２方向Ｄ２に移動させる。モールド１００を移動した後、第２方向Ｄ２に第４ショット領域ＳＲ４と隣り合う第３ショット領域ＳＲ３にパターンｐ２０を形成する。第３ショット領域ＳＲ３へパターンｐ２０を形成する際、先にパターンｐ２０を形成した第４ショット領域ＳＲ４のパターンｐ２０を、モールド１００の第１パターン領域Ｒ１によって踏みつぶすことはない。

次に、図５（ｃ）に表したように、第２パターン領域Ｒ２を用いてパターンｐ２０を形成する領域を、第２方向Ｄ２に移動させる。本具体例では、モールド１００を第２方向Ｄ２に移動させる。モールド１００を移動した後、第２方向Ｄ２に第３ショット領域ＳＲ３と隣り合う第２ショット領域ＳＲ２にパターンｐ２０を形成する。第２ショット領域ＳＲ２へパターンｐ２０を形成する際、先にパターンｐ２０を形成した第４ショット領域ＳＲ４のパターンｐ２０及び第３ショット領域ＳＲ３のパターンｐ２０を、モールド１００の第１パターン領域Ｒ１によって踏みつぶすことはない。

次に、図５（ｄ）に表したように、第２パターン領域Ｒ２を用いてパターンｐ２０を形成する領域を、第２方向Ｄ２に移動させる。本具体例では、モールド１００を第２方向Ｄ２に移動させる。モールド１００を移動した後、第２方向Ｄ２に第２ショット領域ＳＲ２と隣り合う第１ショット領域ＳＲ１にパターンｐ２０を形成する。第１ショット領域ＳＲ１へパターンｐ２０を形成する際、先にパターンｐ２０を形成した第４ショット領域ＳＲ４のパターンｐ２０、第３ショット領域ＳＲ３のパターンｐ２０及び第２ショット領域ＳＲ２のパターンｐ２０を、モールド１００の第１パターン領域Ｒ１によって踏みつぶすことはない。

図５（ａ）〜（ｄ）に表した例では、基板Ｓ上の第１ショット領域ＳＲ１〜第４ショット領域ＳＲ４の４つのショット領域にパターンｐ２０を形成したが、さらに多くのショット領域にパターンｐ２０を形成する場合も同様である。これにより、第１層Ｌ１の上に大２層Ｌ２のパターンｐ２０が形成される。

ここで、参考例について説明する。
図６（ａ）〜（ｄ）は、参考例に係るパターン形成方法を例示する模式的断面図である。
図６（ａ）〜（ｄ）には、パターンｐ２０を形成する順番を図５（ａ）〜（ｄ）に表した第２方向Ｄ２とは反対の第１方向Ｄ１にした場合が表されている。

先ず、図６（ａ）に表したように、第２パターン領域Ｒ２の凹凸パターンｐ２の形状を基板Ｓの第１ショット領域ＳＲ１に転写し、パターンｐ２０を形成する。次に、図６（ｂ）に表したように、第２パターン領域Ｒ２を用いてパターンｐ２０を形成する領域を、第２方向Ｄ２とは反対の第１方向Ｄ１に移動させる。そして、第２ショット領域ＳＲ２にパターンｐ２０を形成する。この際、モールド１００の第１パターン領域Ｒ１が、先にパターンｐ２０を形成した第１ショット領域ＳＲ１のパターンｐと接触する。このため、モールド１００の第１パターン領域Ｒ１によって第１ショット領域ＳＲ１のパターンｐが踏みつぶされることになる。

次に、図６（ｃ）に表したように、第２パターン領域Ｒ２を用いてパターンｐ２０を形成する領域を、第１方向Ｄ１に移動させる。そして、第３ショット領域ＳＲ３にパターンｐ２０を形成する。この際、モールド１００の第１パターン領域Ｒ１が、先にパターンｐ２０を形成した第２ショット領域ＳＲ２のパターンｐと接触する。このため、モールド１００の第１パターン領域Ｒ１によって第２ショット領域ＳＲ２のパターンｐが踏みつぶされることになる。

次に、図６（ｄ）に表したように、第２パターン領域Ｒ２を用いてパターンｐ２０を形成する領域を、第１方向Ｄ１に移動させる。そして、第４ショット領域ＳＲ４にパターンｐ２０を形成する。この際、モールド１００の第１パターン領域Ｒ１が、先にパターンｐ２０を形成した第３ショット領域ＳＲ３のパターンｐと接触する。このため、モールド１００の第１パターン領域Ｒ１によって第３ショット領域ＳＲ３のパターンｐが踏みつぶされることになる。

このように、第２パターン領域Ｒ２を用いてパターンｐ２０を形成する場合、パターンｐ２０を形成する方向を第１パターン領域Ｒ１から第２パターン領域Ｒ２に向かう第１方向Ｄ１にすると、先に形成したパターンｐ２０を第１パターン領域Ｒ１によって踏みつぶしてしまうことになる。

このような踏み潰しは、第１パターン領域Ｒ１を用いてパターンｐ１０を形成する場合も同様である。第１パターン領域Ｒ１を用いてパターンｐ１０を形成する場合には、パターンｐ１０を形成する方向を第２パターン領域Ｒ２から第１パターン領域Ｒ１に向かう第２方向Ｄ２にすると、先に形成したパターンｐ１０を第２パターン領域Ｒ２によって踏みつぶしてしまうことになる。

これに対し、本実施形態では、第１パターン領域Ｒ１を用いてパターンｐ１０を形成する場合には、パターンｐ１０を形成する方向を第１方向Ｄ１にする。また、第２パターン領域Ｒ２を用いてパターンｐ２０を形成する場合には、パターンｐ２０を形成する方向を第２方向Ｄ２にする。これにより、先に形成したパターンを踏みつぶすことがなくなる。

図７〜図１０は、パターンの第１の形成順序を例示する模式的平面図である。
図７〜図１０には、第１パターン領域Ｒ１〜第４パターン領域Ｒ４を有するモールド１００を用いた場合のパターンの第１の形成順序が例示されている。パターンを形成する対象は、例えばウェーハＷである。ウェーハＷには、行列状に複数のショット領域が配置されている。説明の便宜上、ウェーハＷには、１行目から８行目及び１列目から１１列目にそれぞれ配置されたショット領域が設けられているものとする。ｎ行目、ｍ列に配置されたショット領域については、ショット領域ＳＲ（ｎ，ｍ）と表示する。ここで、複数のショット領域を総称してショット領域ＳＲと言う。１つのショット領域ＳＲは、例えば１つのチップの領域に対応している。

第１パターン領域Ｒ１は、ショット領域ＳＲの例えば第１層にパターンを形成するための領域である。第２パターン領域Ｒ２は、ショット領域ＳＲの例えば第２層（第１層の１つ上の層）にパターンを形成するための領域である。第３パターン領域Ｒ３は、ショット領域ＳＲの例えば第３層（第２層の１つ上の層）にパターンを形成するための領域である。第４パターン領域Ｒ４は、ショット領域ＳＲの例えば第４層（第３層の１つ上の層）にパターンを形成するための領域である。

図７には、モールド１００の第１パターン領域Ｒ１を用いてパターンを形成する場合の方向が表されている。第１パターン領域Ｒ１は、第１パターン領域Ｒ１〜第４パターン領域Ｒ４の配置のうち、右下に位置する。第１パターン領域Ｒ１を用いる場合、ウェーハＷの最も下の列で、最も右の行に位置するショット領域ＳＲ（１，４）からパターン形成を開始する。

パターンを形成する方向は、第１パターン領域Ｒ１から第２パターン領域Ｒ２に向かう第１方向Ｄ１である。ショット領域ＳＲ（１，４）にパターンを形成した後は、第１方向Ｄ１にショット領域ＳＲ（１，４）と隣り合うショット領域ＳＲ（１，５）、ＳＲ（１，６）、…、ＳＲ（１，８）の順に行う。ショット領域ＳＲ（１，４）〜ＳＲ（１，８）までパターンを形成した後は、１つ上の行の最も右の列のショット領域ＳＲ（２，２）にパターンを形成する。ショット領域ＳＲ（２，１）にパターンを形成した後は、第１方向Ｄ１にショット領域ＳＲ（２，２）と隣り合うショット領域ＳＲ（２，２）、ＳＲ（２，３）、…、ＳＲ（２，８）、ＳＲ（２，９）の順に行う。

以降、同様に、順次上の行の複数のショット領域ＳＲについて、第１方向Ｄ１に順にパターンを形成していく。これにより、先に形成されたパターンが、第２パターン領域Ｒ２、第３パターン領域Ｒ３及び第４パターン領域Ｒ４によって踏みつぶされることがなくなる。

図８には、モールド１００の第２パターン領域Ｒ２を用いてパターンを形成する場合の方向が表されている。第２パターン領域Ｒ２は、第１パターン領域Ｒ１〜第４パターン領域Ｒ４の配置のうち、左下に位置する。第２パターン領域Ｒ２を用いる場合、ウェーハＷの最も下の列で、最も左の行に位置するショット領域ＳＲ（１，８）からパターン形成を開始する。

パターンを形成する方向は、第２パターン領域Ｒ２から第１パターン領域Ｒ１に向かう第２方向Ｄ２である。ショット領域ＳＲ（１，８）にパターンを形成した後は、第２方向Ｄ２にショット領域ＳＲ（１，８）と隣り合うショット領域ＳＲ（１，７）、ＳＲ（１，６）、…、ＳＲ（１，４）の順に行う。ショット領域ＳＲ（１，８）〜ＳＲ（１，４）までパターンを形成した後は、１つ上の行の最も左の列のショット領域ＳＲ（２，１０）にパターンを形成する。ショット領域ＳＲ（２，１０）にパターンを形成した後は、第２方向Ｄ２にショット領域ＳＲ（２，１０）と隣り合うショット領域ＳＲ（２，９）、…、ＳＲ（２，２）の順に行う。

以降、同様に、順次上の行の複数のショット領域ＳＲについて、第２方向Ｄ２に順番にパターンを形成していく。これにより、先に形成されたパターンが、第１パターン領域Ｒ１、第３パターン領域Ｒ３及び第４パターン領域Ｒ４によって踏みつぶされることがなくなる。

図９には、モールド１００の第３パターン領域Ｒ３を用いてパターンを形成する場合の方向が表されている。第３パターン領域Ｒ３は、第１パターン領域Ｒ１〜第４パターン領域Ｒ４の配置のうち、右上に位置する。第３パターン領域Ｒ３を用いる場合、ウェーハＷの最も上の列で、最も右の行に位置するショット領域ＳＲ（８，４）からパターン形成を開始する。

パターンを形成する方向は、第３パターン領域Ｒ３から第４パターン領域Ｒ４に向かう第１方向Ｄ１である。ショット領域ＳＲ（８，４）にパターンを形成した後は、第１方向Ｄ１にショット領域ＳＲ（８，４）と隣り合うショット領域ＳＲ（８，５）、ＳＲ（８，６）、…、ＳＲ（８，８）の順に行う。ショット領域ＳＲ（８，４）〜ＳＲ（８，８）までパターンを形成した後は、１つ下の行の最も右の列のショット領域ＳＲ（７，２）にパターンを形成する。ショット領域ＳＲ（７，２）にパターンを形成した後は、第１方向Ｄ１にショット領域ＳＲ（７，２）と隣り合うショット領域ＳＲ（７，３）、ＳＲ（７，４）、…、ＳＲ（７，８）、ＳＲ（７，９）、ＳＲ（７，１０）の順に行う。

以降、同様に、順次下の行の複数のショット領域ＳＲについて、第１方向Ｄ１に順番にパターンを形成していく。これにより、先に形成されたパターンが、第１パターン領域Ｒ１、第２パターン領域Ｒ２及び第４パターン領域Ｒ４によって踏みつぶされることがなくなる。

図１０には、モールド１００の第４パターン領域Ｒ４を用いてパターンを形成する場合の方向が表されている。第４パターン領域Ｒ４は、第１パターン領域Ｒ１〜第４パターン領域Ｒ４の配置のうち、左上に位置する。第４パターン領域Ｒ４を用いる場合、ウェーハＷの最も上の列で、最も左の行に位置するショット領域ＳＲ（８，８）からパターン形成を開始する。

パターンを形成する方向は、第４パターン領域Ｒ４から第３パターン領域Ｒ３に向かう第２方向Ｄ２である。ショット領域ＳＲ（８，８）にパターンを形成した後は、第２方向Ｄ２にショット領域ＳＲ（８，８）と隣り合うショット領域ＳＲ（８，７）、ＳＲ（８，６）、…、ＳＲ（８，４）の順に行う。ショット領域ＳＲ（８，８）〜ＳＲ（８，４）までパターンを形成した後は、１つ下の行の最も左の列のショット領域ＳＲ（７，１０）にパターンを形成する。ショット領域ＳＲ（７，１０）にパターンを形成した後は、第２方向Ｄ２にショット領域ＳＲ（７，１０）と隣り合うショット領域ＳＲ（７，９）、…、ＳＲ（７，２）の順に行う。

以降、同様に、順次下の行の複数のショット領域ＳＲについて、第２方向Ｄ２に順番にパターンを形成していく。これにより、先に形成されたパターンが、第１パターン領域Ｒ１、第２パターン領域Ｒ２及び第３パターン領域Ｒ３によって踏みつぶされることがなくなる。

図１１〜図１４は、パターンの第２の形成順序を例示する模式的平面図である。
図１１〜図１４には、第１パターン領域Ｒ１〜第４パターン領域Ｒ４を有するモールド１００を用いた場合のパターンの第２の形成順序が例示されている。

図１１には、モールド１００の第１パターン領域Ｒ１を用いてパターンを形成する場合の方向が表されている。第１パターン領域Ｒ１を用いる場合、ウェーハＷの最も右の行で、最も下の列に位置するショット領域ＳＲ（３，１）からパターン形成を開始する。

パターンを形成する方向は、第１パターン領域Ｒ１から第３パターン領域Ｒ３に向かう第４方向Ｄ４である。ショット領域ＳＲ（３，１）にパターンを形成した後は、第４方向Ｄ４にショット領域ＳＲ（３，１）と隣り合うショット領域ＳＲ（４，１）、ＳＲ（５，１）、ＳＲ（６，１）の順に行う。ショット領域ＳＲ（３，１）〜ＳＲ（６，１）までパターンを形成した後は、１つ左の列の最も下の行のショット領域ＳＲ（２，２）にパターンを形成する。ショット領域ＳＲ（２，２）にパターンを形成した後は、第４方向Ｄ４にショット領域ＳＲ（２，２）と隣り合うショット領域ＳＲ（３，２）、ＳＲ（４，２）、…、ＳＲ（６，２）、ＳＲ（７，２）の順に行う。

以降、同様に、順次左の列の複数のショット領域ＳＲについて、第４方向Ｄ４に順にパターンを形成していく。これにより、先に形成されたパターンが、第２パターン領域Ｒ２、第３パターン領域Ｒ３及び第４パターン領域Ｒ４によって踏みつぶされることがなくなる。

図１２には、モールド１００の第２パターン領域Ｒ２を用いてパターンを形成する場合の方向が表されている。第２パターン領域Ｒ２を用いる場合、ウェーハＷの最も左の行で、最も下の列に位置するショット領域ＳＲ（３，１１）からパターン形成を開始する。

パターンを形成する方向は、第２パターン領域Ｒ２から第４パターン領域Ｒ４に向かう第４方向Ｄ４である。ショット領域ＳＲ（３，１１）にパターンを形成した後は、第４方向Ｄ４にショット領域ＳＲ（３，１１）と隣り合うショット領域ＳＲ（４，１１）、ＳＲ（５，１１）、ＳＲ（６，１１）の順に行う。ショット領域ＳＲ（３，１１）〜ＳＲ（６，１１）までパターンを形成した後は、１つ右の列の最も下の行のショット領域ＳＲ（２，１０）にパターンを形成する。ショット領域ＳＲ（２，１０）にパターンを形成した後は、第４方向Ｄ４にショット領域ＳＲ（２，１０）と隣り合うショット領域ＳＲ（３，１０）、ＳＲ（４，１０）、…、ＳＲ（６，１０）、ＳＲ（７，１０）の順に行う。

以降、同様に、順次右の列の複数のショット領域ＳＲについて、第４方向Ｄ４に順にパターンを形成していく。これにより、先に形成されたパターンが、第１パターン領域Ｒ１、第３パターン領域Ｒ３及び第４パターン領域Ｒ４によって踏みつぶされることがなくなる。

図１３には、モールド１００の第３パターン領域Ｒ３を用いてパターンを形成する場合の方向が表されている。第３パターン領域Ｒ３を用いる場合、ウェーハＷの最も右の行で、最も上の列に位置するショット領域ＳＲ（６，１）からパターン形成を開始する。

パターンを形成する方向は、第３パターン領域Ｒ３から第１パターン領域Ｒ１に向かう第３方向Ｄ３である。ショット領域ＳＲ（６，１）にパターンを形成した後は、第４方向Ｄ４にショット領域ＳＲ（６，１）と隣り合うショット領域ＳＲ（５，１）、ＳＲ（４，１）、ＳＲ（３，１）の順に行う。ショット領域ＳＲ（６，１）〜ＳＲ（３，１）までパターンを形成した後は、１つ左の列の最も上の行のショット領域ＳＲ（７，２）にパターンを形成する。ショット領域ＳＲ（７，２）にパターンを形成した後は、第３方向Ｄ３にショット領域ＳＲ（７，２）と隣り合うショット領域ＳＲ（６，２）、ＳＲ（５，２）、…、ＳＲ（３，２）、ＳＲ（２，２）の順に行う。

以降、同様に、順次左の列の複数のショット領域ＳＲについて、第３方向Ｄ３に順にパターンを形成していく。これにより、先に形成されたパターンが、第１パターン領域Ｒ１、第２パターン領域Ｒ２及び第４パターン領域Ｒ４によって踏みつぶされることがなくなる。

図１４には、モールド１００の第４パターン領域Ｒ４を用いてパターンを形成する場合の方向が表されている。第４パターン領域Ｒ４を用いる場合、ウェーハＷの最も左の行で、最も上の列に位置するショット領域ＳＲ（６，１１）からパターン形成を開始する。

パターンを形成する方向は、第４パターン領域Ｒ４から第２パターン領域Ｒ２に向かう第４方向Ｄ４である。ショット領域ＳＲ（６，１１）にパターンを形成した後は、第４方向Ｄ４にショット領域ＳＲ（６，１１）と隣り合うショット領域ＳＲ（５，１１）、ＳＲ（４，１１）、ＳＲ（３，１１）の順に行う。ショット領域ＳＲ（６，１１）〜ＳＲ（３，１１）までパターンを形成した後は、１つ右の列の最も上の行のショット領域ＳＲ（７，１０）にパターンを形成する。ショット領域ＳＲ（７，１０）にパターンを形成した後は、第４方向Ｄ４にショット領域ＳＲ（７，１０）と隣り合うショット領域ＳＲ（６，１０）、ＳＲ（５，１０）、…、ＳＲ（３，１０）、ＳＲ（２，１０）の順に行う。

以降、同様に、順次右の列の複数のショット領域ＳＲについて、第４方向Ｄ４に順にパターンを形成していく。これにより、先に形成されたパターンが、第１パターン領域Ｒ１、第２パターン領域Ｒ２及び第３パターン領域Ｒ３によって踏みつぶされることがなくなる。

図１５及び図１６は、パターン領域の他の配置について例示する模式的平面図である。
図１５に表したモールド１００Ｂは、第１パターン領域Ｒ１、第２パターン領域Ｒ２及び第３パターン領域Ｒ３を有する。モールド１００Ｂには第４パターン領域Ｒ４は設けられていない。第２パターン領域Ｒ２は、第１パターン領域Ｒ１と並ぶ。第３パターン領域Ｒ３は、第１パターン領域Ｒ１と並ぶ。第１パターン領域Ｒ１と第３パターン領域Ｒ３とを結ぶ線は、第１パターン領域Ｒ１と第２パターン領域Ｒ２とを結ぶ線と直交する。

モールド１００Ｂの第１パターン領域Ｒ１を用いてパターンを形成する場合、第１パターン領域Ｒ１から第２パターン領域Ｒ２に向かう第１方向Ｄ１に順に複数のショット領域のそれぞれにパターンを形成する。

モールド１００Ｂの第１パターン領域Ｒ１を用いてパターンを形成する場合、第１パターン領域Ｒ１から第３パターン領域Ｒ３に向かう第３方向Ｄ３に順に複数のショット領域のそれぞれにパターンを形成してもよい。

モールド１００Ｂの第２パターン領域Ｒ２を用いてパターンを形成する場合、第２パターン領域Ｒ２から第１パターン領域Ｒ１に向かう第２方向Ｄ２に順に複数のショット領域のそれぞれにパターンを形成する。

モールド１００Ｂの第３パターン領域Ｒ３を用いてパターンを形成する場合、第３パターン領域Ｒ３から第１パターン領域Ｒ１に向かう第４方向Ｄ４に順に複数のショット領域のそれぞれにパターンを形成する。

このような順に複数のパターン領域のそれぞれにパターンの形状を転写すると、先に形成したパターンをモールド１００Ｂで踏みつぶすことなく、的確にパターンが形成される。

図１６に表したモールド１００Ｃは、第１パターン領域Ｒ１及び第２パターン領域Ｒ２を有する。モールド１００Ｃには第３パターン領域Ｒ３及び第４パターン領域Ｒ４は設けられていない。第２パターン領域Ｒ２は、第１パターン領域Ｒ１と並ぶ。

モールド１００Ｃの第１パターン領域Ｒ１を用いてパターンを形成する場合、第１パターン領域Ｒ１から第２パターン領域Ｒ２に向かう第１方向Ｄ１に順に複数のショット領域のそれぞれにパターンを形成する。

モールド１００Ｂの第２パターン領域Ｒ２を用いてパターンを形成する場合、第２パターン領域Ｒ２から第１パターン領域Ｒ１に向かう第２方向Ｄ２に順に複数のショット領域のそれぞれにパターンを形成する。

このような順に複数のパターン領域のそれぞれにパターンの形状を転写すると、先に形成したパターンをモールド１００Ｃで踏みつぶすことなく、的確にパターンが形成される。

上記に説明したモールド１００、１００Ｂ及び１００Ｃにおいて、複数のパターン領域のそれぞれの凹凸パターンの形状を全て同じにしてもよい。複数のパターン領域のそれぞれの凹凸パターンの形状を全て同じにした場合、複数のパターン領域のうち１つのパターン領域を用いてショット領域にパターンを形成する。選択した１つのパターン領域の凹凸パターンが破損等した場合、他のパターン領域の凹凸パターンを用いてパターンを形成する。これにより、モールドを交換することなく、長期間にわたり同じパターンを形成することができるようになる。

例えば、通常、１枚の原版（マザーモールド）からレプリカモールドを作製する場合、マザーモールド内の１つの凹凸パターンが破損しただけでもマザーモールドを破棄しなければならない。上記のように、マザーモールドに複数のパターン領域を設け、各パターン領域に同じ凹凸パターンを形成しておくことで、１つのパターン領域の凹凸パターンが破損しても、他のパターン領域を用いてレプリカモールドを作製することができる。

（第２の実施形態）
図１７は、第２の実施形態に係るパターン形成装置の構成を例示する模式図である。
図１７に表したように、パターン形成装置１１０は、モールド保持部２と、基板保持部５と、アライメント部９と、塗布部１４と、駆動部８と、発光部１２と、制御部２１と、を備える。パターン形成装置１１０は、さらに、アライメントセンサ７と、加圧部１０と、を備える。実施形態に係るパターン形成装置１１０は、モールド１００の凹凸パターンの形状を基板Ｓ上の樹脂に転写するインプリント装置である。

基板Ｓは、対象物の一例である。対象物にはパターンの形状が転写される。基板Ｓは、例えば半導体基板やガラス基板である。基板Ｓには下地パターンが形成される。基板Ｓは、下地パターン上に形成された膜を含んでいてもよい。膜としては、絶縁膜、金属膜（導電膜）及び半導体膜の少なくともいずれかである。パターン転写時には、基板Ｓの上に樹脂が塗布される。

基板保持部（第２保持部）５は、ステージ定盤１３の上に移動可能に設けられる。基板保持部５は、ステージ定盤１３の上面１３ａに沿った２軸に沿ってそれぞれ移動可能に設けられる。ここで、ステージ定盤１３の上面１３ａに沿った２軸を、Ｘ軸及びＹ軸とする。基板保持部５は、Ｘ軸及びＹ軸と直交するＺ軸にも移動可能に設けられる。基板保持部５には、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸のそれぞれを中心として回転可能に設けられていることが望ましい。

基板保持部５には基準マーク台６が設けられる。基準マーク台６の上には装置の基準位置となる基準マーク（不図示）が設置される。基準マークは例えば回折格子で構成される。基準マークは、アライメントセンサ７の校正及びモールド１の位置決め（姿勢制御・調整）に利用される。基準マークは、基板保持部５上の原点である。基板保持部５の上に載置される基板ＳのＸ，Ｙ座標は、基準マーク台６を原点とした座標になる。

モールド保持部（第１保持部）２は、モールド１００を固定する。モールド保持部２は、モールド１００の周縁部分を例えば真空吸着によって保持する。ここでは、モールド１００は、石英や蛍石など紫外線（ＵＶ光）を透過する材料で形成される。モールド１００に形成された凹凸からなる転写パターンは、デバイスパターンに対応したパターンと、モールド１００と基板Ｓとの位置合わせ時に使用されるアライメントマークに対応したパターンとを含む。モールド保持部２はモールド１００を装置基準に位置決めするように動作する。モールド保持部２は、ベース部１１に取り付けられる。

ベース部１１には、アライメント部９及び加圧部１０（アクチュエータ）が取り付けられる。アライメント部９は、モールド１００の位置（姿勢）を微調整する調整機構を有する。アライメント部９は、モールド１００の位置（姿勢）を微調整することにより、モールド１００と基板Ｓとの相対的な位置を補正する。アライメント部９は、例えば制御部２１から指示を受けて基板Ｓとモールド１００との位置合わせ及びモールド１００の位置の微調整を行う。

加圧部１０は、モールド１００の側面に応力を与えてモールド１００を歪ませる。矩形のモールド１００の場合、加圧部１０は、モールド１００の４つの側面から中心に向けてモールド１００を加圧する。これにより、モールド１００の位置合わせを行う。また、加圧部１０は、モールド１００を押圧するバランスによってモールド１００を変形させる。加圧部１０は、例えば制御部２１から指示を受けてモールド１００を所定の応力で加圧する。

アライメントセンサ７は、モールド１００に設けられた第２アライメントマークと、基板Ｓに設けられた第１アライメントマークとを検出する。アライメントセンサ７は、例えば光学カメラを有する。光学カメラによって取り込んだ画像信号から第１アライメントマークと第２アライメントマークとの相対的な位置ずれ量が求められる。

アライメントセンサ７は、基準マーク台６上の基準マークに対するモールド１００の位置ずれ、及び基板Ｓを基準としたモールド１００の位置ずれを検出する。アライメントセンサ７で検出した第１アライメントマーク及び第２アライメントマークの位置（例えば、Ｘ，Ｙ座標）は、制御部２１に送られる。アライメントセンサ７は固定式でも移動式でもよい。

制御部２１は、アライメントセンサ７で検出した第１アライメントマーク及び第２アライメントマークの位置情報に基づき、位置ずれ量を演算する。アライメント部９は、制御部２１から送られた信号によって基板Ｓとモールド１００とのアライメント調整を行う。

制御部２１は、光源１２を制御する。インプリント法によるパターンの形成では、基板Ｓの上に樹脂１５を塗布した後、モールド１の凹凸パターンを樹脂１５に接触させた状態で発光部１２から樹脂１５に光を照射する。制御部２１は、この光の照射タイミングや照射量を制御する。

発光部１２は、例えば紫外線光を放出する。発光部１２は、例えばモールド１の直上に設置される。なお、発光部１２の位置はモールド１の直上に限られない。発光部１２がモールド１の直上以外の位置に配置されている場合には、ミラー等の光学部材を用いて光路を設定し、発光部１２から放出した光をモールド１の直上からモールド１に向けて照射するように構成すればよい。

塗布部１４は基板Ｓ上に樹脂１５を塗布する。塗布部１４はノズルを有し、このノズルから樹脂１５を基板Ｓの上に滴下する。

駆動部８は、モールド保持部２及び基板保持部５を駆動する。駆動部８は、モールド保持部２及び基板保持部５の少なくともいずれかを駆動して、モールド１００と基板Ｓとの相対的な位置関係を変化させる。

パターン形成装置１１０の制御部２１は、モールド１００の凹凸パターンを樹脂１５に接触させた状態で樹脂１５に向けて照射する光を制御する。制御部２１は、先に説明した順番で複数のショット領域にパターンを形成するように駆動部８及び発光部１２等を制御する。すなわち、制御部２１は、図１に表したステップＳ１０１〜ステップＳ１０８の処理を実行する。

パターン形成装置１１０によれば、先に形成したパターンをモールド１００によって潰さないように的確なパターン形成が行われる。

（第３の実施形態）
上記説明した第１の実施形態に係るパターン形成方法は、コンピュータによって実行されるプログラム（パターン形成プログラム）として実現可能である。
図１８は、コンピュータのハードウェア構成を例示する図である。
コンピュータ２００は、中央演算部２０１、入力部２０２、出力部２０３、記憶部２０４を含む。入力部２０２は、記録媒体Ｍに記録された情報を読み取る機能を含む。アライメントプログラムは、中央演算部２０１で実行される。

パターン形成プログラムは、図１に表したステップＳ１０１〜ステップＳ１０８の処理をコンピュータ２００に実行させる。

（第４の実施形態）
パターン形成プログラムは、コンピュータ読取可能な記録媒体に記録されていてもよい。記録媒体Ｍは、図１に表したステップＳ１０１〜ステップＳ１０８の処理をコンピュータ２００に読み取り可能な形式によって記憶している。記録媒体Ｍは、ネットワークに接続されたサーバ等の記憶装置であってもよい。また、パターン形成プログラムは、ネットワークを介して配信されてもよい。

以上説明したように、実施形態に係るパターン形成方法及びパターン形成装置によれば、先に形成したパターンをモールドによって潰すことなく的確にパターンを形成することができる。

なお、上記に本実施形態を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１００，１００Ｂ，１００Ｃ…モールド、１０１…基台、１０２…台座、１１０…パターン形成装置、２００…コンピュータ、２０１…中央演算部、２０２…入力部、２０３…出力部、２０４…記憶部、Ｄ１…第１方向、Ｄ２…第２方向、Ｄ３…第３方向、Ｄ４…第４方向、Ｌ１…第１層、Ｌ２…第２層、Ｒ１…第１パターン領域、Ｒ２…第２パターン領域、Ｒ３…第３パターン領域、Ｒ４…第４パターン領域、Ｓ…基板、ＳＲ…ショット領域、ＳＲ１…第１ショット領域、ＳＲ２…第２ショット領域、ＳＲ３…第３ショット領域、ＳＲ４…第４ショット領域、Ｗ…ウェーハ、ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４…凹凸パターン、ｐ１０，ｐ２０…パターン

Claims (8)

1. 第１パターン領域と、前記第１パターン領域と並び前記第１パターン領域に設けられたパターン形状とは異なるパターン形状を有する第２パターン領域と、前記第１パターン領域から前記第２パターン領域に向かう第１方向と直交する方向に前記第１パターン領域と並ぶ第３パターン領域と、前記第１方向と直交する方向に前記第２パターン領域と並ぶ第４パターン領域と、を有するモールドを用いて、対象物の複数のショット領域であって、前記複数のショット領域のうち互いに隣り合う２つの前記ショット領域の間隔が、前記第１パターン領域、前記第２パターン領域、前記第３パターン領域及び前記第４パターン領域のうち互いに隣り合う２つのパターン領域の間隔とは異なる複数のショット領域にパターンの形状を転写するパターン形成方法であって、
   前記第１パターン領域を用いて前記対象物の第１層に前記パターンの形状を転写する場合、前記第１方向に順に前記複数のパターン領域のそれぞれに前記パターンの形状を転写し、
   前記第２パターン領域を用いて前記第１層の上の第２層に前記パターンの形状を転写する場合、前記第２パターン領域から前記第１パターン領域に向かう第２方向に順に前記複数のパターン領域のそれぞれに前記パターンの形状を転写し、
   前記第３パターン領域を用いて前記第２層の上の第３層に前記パターンの形状を転写する場合、前記第３パターン領域から前記第１パターン領域に向かう第３方向に順に前記複数のパターン領域のそれぞれに前記パターンの形状を転写し、
   前記第４パターン領域を用いて前記第３層の上の第４層に前記パターンの形状を転写する場合、前記第４パターン領域から前記第２パターン領域に向かう第４方向に順に前記複数のパターン領域のそれぞれに前記パターンの形状を転写するパターン形成方法。
2. 第１パターン領域と、前記第１パターン領域と並ぶ第２パターン領域と、を有するモールドを用いて対象物の複数のショット領域にパターンの形状を転写するパターン形成方法であって、
   前記第１パターン領域を用いて前記パターンの形状を転写する場合、前記第１パターン領域から前記第２パターン領域に向かう第１方向に順に前記複数のショット領域のそれぞれに前記パターンの形状を転写し、
   前記第２パターン領域を用いて前記パターンの形状を転写する場合、前記第２パターン領域から前記第１パターン領域に向かう第２方向に順に前記複数のショット領域のそれぞれに前記パターンの形状を転写するパターン形成方法。
3. 前記第１パターン領域に設けられた前記パターンの形状は、前記第２パターン領域に設けられた前記パターンの形状とは異なる請求項２記載のパターン形成方法。
4. 前記第１パターン領域に設けられた前記パターンの形状は、前記第２パターン領域に設けられた前記パターンの形状と同じである請求項２記載のパターン形成方法。
5. 前記複数のショット領域のうち隣り合う２つの前記ショット領域の間隔は、前記第１パターン領域と前記第２パターン領域との間隔とは異なる請求項２〜４のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
6. 前記モールドは、
   前記第１方向と直交する方向に前記第１パターン領域と並ぶ第３パターン領域と、
   前記第１方向と直交する方向に前記第２パターン領域と並び、前記第３パターン領域と並ぶ第４パターン領域と、をさらに備え、
   前記第３パターン領域を用いて前記パターンの形状を転写する場合、前記第３パターン領域から前記第１パターン領域に向かう第３方向に順に前記複数のパターン領域のそれぞれに前記パターンの形状を転写し、
   前記第４パターン領域を用いて前記パターンの形状を転写する場合、前記第４パターン領域から前記第２パターン領域に向かう第４方向に順に前記複数のパターン領域のそれぞれに前記パターンの形状を転写する請求項２〜５のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
7. 前記第１パターン領域を用いて前記対象物の第１層に前記パターンの形状を転写し、
   前記第２パターン領域を用いて前記第１層の上の第２層に前記パターンの形状を転写し、
   前記第３パターン領域を用いて前記第２層の上の第３層に前記パターンの形状を転写し、
   前記第４パターン領域を用いて前記第３層の上の第４層に前記パターンの形状を転写する請求項６記載のパターン形成方法。
8. 第１パターン領域と、前記第１パターン領域と並ぶ第２パターン領域と、を有するモールドを保持する第１保持部と、
   対象物を保持する第２保持部と、
   前記第１保持部及び前記第２保持部の少なくともいずれかを駆動する駆動部と、
   前記対象物の上に樹脂を塗布する塗布部と、
   前記樹脂に前記モールドを接触させた状態で前記樹脂に光を照射する発光部と、
   前記駆動部及び前記発光部を制御する制御部であって、
   前記モールドを用いて前記対象物の複数のショット領域にパターンの形状を転写するにあたり、
   前記第１パターン領域を用いて前記パターンの形状を転写する場合、前記第１パターン領域から前記第２パターン領域に向かう第１方向に順に前記複数のショット領域のそれぞれに前記パターンの形状を転写し、
   前記第２パターン領域を用いて前記パターンの形状を転写する場合、前記第２パターン領域から前記第１パターン領域に向かう第２方向に順に前記複数のショット領域のそれぞれに前記パターンの形状を転写する制御を行う制御部と、
   を備えたパターン形成装置。

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