KR100793358B1 - 유기전계발광소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 소자기판을 제공하는 단계; 상기 소자기판 상부와 이격된 위치에 기재필름, 상기 기재필름 상에 광-열 변환층 및 전사층을 포함한 도너기판을 상기 전사층이 상기 소자기판을 향하도록 배치하는 단계; 상기 도너기판 상부와 이격된 위치에 패터닝된 마스크를 배치하는 단계; 및 상기 마스크 전체 표면에 레이저 빔을 조사하여 상기 도너기판의 전사층을 상기 소자기판 상으로 전사함으로써, 상기 소자기판 상에 전사층 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
패터닝, 전사층, 도너기판, 소자기판, 전사층 패턴
Description
도 1은 종래의 LITI 공정에 사용되는 도너기판의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 도너기판을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10, 100. 도너기판 15, 115. 기재필름
20, 120. 광-열 변환층 25, 125. 중간층
30, 130. 완충막 35, 135. 전사층
40, 140. 소자기판 45, 145. 하부전극
50, 150. 화소정의막 60, 170. 레이저 빔
137. 전사층 패턴 160. 마스크
165. 개구부
본 발명은 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 소자기판의 피전사 부위의 토폴로지(topology)에 부합되도록 패터닝된 마스크를 도너기판 상에 배치시키고 상기 마스크를 통하여 도너기판에 레이저 빔을 조사하여 줌으로써, 소자기판 상에 한번의 레이저 빔의 조사에 의해 다량의 전사층 패턴을 형성할 수 있는 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 평판표시소자인 유기전계발광소자는 하부전극과 상부전극 그리고 상기 하부전극과 상부전극 사이에 개재된 유기막을 포함한다. 상기 유기막은 적어도 발광층을 포함하며, 상기 발광층 외에도 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층을 더욱 포함할 수 있다. 이러한 유기전계발광소자는 상기 유기막 특히, 상기 발광층을 이루는 물질에 따라서 고분자 유기전계발광소자와 저분자 유기전계발광소자로 나뉘어진다.
이러한 유기전계발광소자에 있어 풀칼라 유기전계발광소자를 구현하기 위해서는 상기 발광층을 패터닝해야 하는데, 상기 발광층을 패터닝하기 위한 방법으로 저분자 유기전계발광소자의 경우 미세패턴 마스크(fine metal mask)를 사용하는 방법이 있고, 고분자 유기전계발광소자의 경우 잉크-젯 프린팅(ink-jet printing) 또는 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging; 이하 LITI라 한다)이 있다. 이 중에서 상기 LITI는 상기 유기막을 미세하게 패터닝할 수 있는 장점이 있을 뿐 아니라, 상기 잉크-젯 프린팅이 습식공정인데 반해 상기 LITI는 건식공정이라는 장점이 있다.
이러한 LITI에 의한 고분자 유기막의 패턴 형성 방법은 적어도 광원, 유기전계발광소자의 기판 즉, 소자기판 그리고 도너기판을 필요로 하는데, 상기 도너기판은 기재필름, 광-열 변환층 및 유기막으로 이루어진 전사층으로 구성된다. 상기 소자기판 상에 유기막을 패터닝하는 것은 상기 광원에서 나온 빛이 상기 도너기판의 광-열 변환층에 흡수되어 열에너지로 변환되고, 상기 열에너지에 의해 상기 전사층을 이루는 유기막이 상기 소자기판 상으로 전사되면서 수행된다. 이는 한국특허출원 제 1998-51844호 및 미국 특허 제 5,998,085호, 6,214,520호 및 6,114,088호에 게시되어 있다.
그러나, 도 1에 도시된 바와 같이 종래의 LITI 공정에 사용되는 도너기판(10)은 기재필름(15) 상에 평탄한 다층의 유기 필름, 즉 광-열 변환층(20), 중간층(25), 완충막(30) 및 전사층(35)이 적층되어 있고, 상기 도너기판(10)을 전사하려고하는 소자기판(10) 상에 배열시키고 상기 도너기판(10) 상의 일정 영역에 레이저 빔(60)을 조사하여 소자기판(40) 상의 소정 영역에 전사층 패턴을 형성하는데(예를 들면, 화소정의막(50) 사이의 하부전극(45) 상에 형성할 수 있다.), 상기한 종래의 방법은 전사하려고 하는 영역에 부분적으로 많은 수의 레이저 빔을 조사하여 전사층 패턴을 형성하므로, 대면적의 소자기판(40)에 전사할 경우에는 공정 시간이 오래 걸려서 효율 및 양산 비용이 증가하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 소자기판의 피전사 부위의 토폴로지(topology)와 부합되도록 패터닝된 마스크를 도너기판 상에 배치시키고 상기 마스크를 통하여 도너기판 상에 레이저 빔을 조사하여 줌으로써, 한번의 레이저 빔의 조사에 의해 소자기판 상에 다량의 전사층 패턴을 형성하여 생산 효율 증가 및 공정 비용을 감소시킬 수 있는 유기전계발광소자를 얻는것에 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 유기전계발광소자는,
소자기판을 제공하는 단계; 상기 소자기판 상부와 이격된 위치에 기재필름, 상기 기재필름 상에 광-열 변환층 및 전사층을 포함한 도너기판을 상기 전사층이 상기 소자기판을 향하도록 배치하는 단계; 상기 도너기판 상부와 이격된 위치에 패터닝된 마스크를 배치하는 단계; 및 상기 마스크 전체 표면에 레이저 빔을 조사하여 상기 도너기판의 전사층을 상기 소자기판 상으로 전사함으로써, 상기 소자기판 상에 전사층 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
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이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부하는 도면을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위한 예로서 제공되어 지는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명되어 지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되게 표현될 수도 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 도너기판을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2를 참고하면, 본 발명에 따른 유기전계발광소자는 먼저 기재필름(115)을 제공한다. 상기 기재필름(115)은 투명성 고분자로 이루어져 있는데, 상기 투명성 고분자는 폴레에틸렌 테레프탈레이트와 같은 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리스티렌 등을 사용한다. 그 중에서 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름을 주로 사용한다. 상기 기재필름(115)은 지지필름으로서의 광학적 성질과 충분한 기계적 안정성을 가져야 한다. 상기 기재필름(115)의 두께는 10 내지 500㎛인 것이 바람직하다.
이어서, 상기 기재필름(115) 상에 광-열 변환층(Light-To-Heat Conversion layer; LTHC)(120)을 형성한다. 상기 광-열 변환층(120)은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하여 상기 빛의 일부를 열로 변환시키는 층으로, 광학밀도(optical density)를 가져야 하고 광흡수성 물질을 포함한다. 상기 광-열 변환층(120)은 예를 들어, 알루미늄 산화물 또는 알루미늄 황화물을 상기 광흡수성 물질로 포함하는 금속막, 카본 블랙, 흑연이나 적외선 염료를 상기 광흡수성 물질로 포함하는 고분자 유기막이 있다. 이때, 상기 금속막의 경우는 진공 증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링을 이용하여 100 내지 5,000Å 두께로 형성하는 것이 바람직하며, 상기 유기막의 경우는 일반적인 필름코팅 방법인 롤 코팅(roll coating), 그라비 아(gravure), 압출(extrusion), 스핀(spin) 또는 나이프(knife) 코팅 방법을 이용하여 0.1 내지 10㎛ 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
이어서, 상기 광-열 변환층(120) 상에 중간층(125)을 형성할 수 있다. 상기 중간층(125)은 상기 광-열 변환층(120)에 포함된 상기 광흡수성 물질 예를 들어, 카본 블랙이 후속하는 공정에서 형성되는 전사층(135)을 오염시키는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 중간층(125)은 아크릴 수지(acrylic resin) 또는 알키드 수지(alkyd resin)로 형성할 수 있다. 상기 중간층(125)의 형성은 용매 코팅 등의 일반적인 코팅과정과 자외선 경화과정 등의 경화과정을 거쳐 수행되며, 1 내지 2㎛의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
이어서, 상기 광-열 변환층(120) 상에 또는 상기 중간층(125)이 형성된 경우는 상기 중간층(125) 상에 완충막(130)을 형성할 수 있다. 상기 완충막(130)은 상기 전사과정에 있어, 상기 소자기판(140)에 대해 완충역할을 하여 패터닝 불량을 줄일 수 있다. 상기 완충막(130)은 스핀코팅, 롤코팅, 딥코팅, 그라비아 코팅, 증착 등과 같은 방법으로 형성되며, 그 두께는 1um 내지 20um의 범위 내에서 형성하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 상기 완충막(130)은 5um 이하의 두께를 갖도록 형성한다. 상기 완충막(130)의 두께가 1um 이하로 형성되는 경우에는 완충역할을 하지 못하여 패터닝 불량을 야기할 수 있으며, 상기 도너기판(100)으로부터 상기 전사층(135)을 전사 받는 소자기판(140)의 피전사 부위가 평탄화된 경우는 상기 완충막(130)의 두께는 20um 이하로 형성하는 것이 바람직하나, 상기 피전사 부위가 평탄화되지 않고 리세스된 경우는 패터닝 불량을 방지하기 위해 상기 리세스 된 피전사 부위의 모서리 부분까지 도너기판(100)이 밀착되어야 하므로, 상기 완충막(130)은 5um 이하의 두께를 갖도록 형성한다.
상기 완충막(130)은 실리콘 고분자(silicone polymer)로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 실리콘 고분자는 분자내 실록산 결합(Si-O)을 갖는 폴리머로 내열성, 화학적 안정성 등이 우수한 물질이다. 상기 완충막(130)을 실리콘 고분자로 형성하는 것은 상기 광-열 변환층(120) 또는 상기 중간층(125) 상에 액상 실리콘 고분자를 스핀코팅, 롤코팅, 딥코팅, 그라비아코팅과 같은 코팅법으로 코팅한 후, 경화하는 과정을 거쳐 실시할 수 있다. 상기 경화는 자외선경화 또는 촉매경화 등을 사용하여 실시한다.
이어서, 상기 완충막(130) 상에 전사층(135)을 형성한다.
상기 전사층(135)은 전자주입층, 전자수송층, 발광층, 정공수송층 및 정공주입층 등의 유기막들로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막으로 형성할 수 있다. 바람직하게는 상기 유기막들은 각각 저분자 물질을 포함하는 유기막들이다. 상기 저분자 물질을 포함하는 유기막은 일반적으로 접착력이 양호하지 않으므로, 상기 완충막(130)의 도입으로 인해 전사특성 개선의 정도가 클 수 있기 때문이다. 또한, 상기 저분자 물질 중에는 열적 안정성이 낮은 경우가 있어 상기 저분자 물질을 포함하는 전사층(135)의 경우, LITI에 의한 전사과정에서 상기 광-열변환층(120)에서 발생되는 열에 의해 상기 전사층(135)이 손상되는 현상이 있을 수 있으나, 상기 완충막(130)은 상기 열을 조절할 수 있으므로 이러한 열손상을 방지할 수 있다.
상기 전사층(135)은 전자주입층, 전자수송층, 발광층, 정공수송층 및 정공주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막으로 형성할 수 있다. 상기 전자주입층, 전자수송층, 발광층, 정공수송층 및 정공주입층 등은 일반적으로 사용되는 재료이면 모두 가능하다. 바람직하게는 상기 발광층으로는 적색발광재료인 Alq3(호스트)/DCJTB(형광도판트), Alq3(호스트)/DCM(형광도판트), CBP(호스트)/PtOEP(인광 유기금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있으며, 녹색발광재료인 Alq3, Alq3(호스트)/C545t(도판트), CBP(호스트)/IrPPy(인광 유기금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자 등의 고분자물질을 사용할 수 있다. 또한, 청색발광재료인 DPVBi, 스피로-DPVBi, 스피로-6P, 디스틸벤제(DSB), 디스티릴아릴렌(DSA) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자 등의 고분자물질을 사용할 수 있다. 상기 정공주입층으로는 CuPc, TNATA, TCTA, TDAPB와 같은 저분자와 PANI, PEDOT와 같은 고분자물질을 사용할 수 있으며, 정공수송층으로는 아릴아민계 저분자, 히드라존계 저분자, 스틸벤계 저분자 스타버스트계 저분자로 NPB, TPD, s-TAD, MTADATA 등의 저분자와 카바졸계 고분자, 아릴아민계 고분자, 페릴렌계 및 피롤계 고분자로 PVK와 같은 고분자물질을 사용할 수 있다. 상기 전자수송층으로는 PBD, TAZ, spiro-PBD와 같은 고분자와 Alq3, BAlq, SAlq와 같은 저분자 물질을 사용할 수 있다. 또한 상기 전자주입층으로는 Alq3, 갈륨 혼합물(Ga complex), PBD와 같은 저분자 물질이나 옥사디아졸계 고분자 물질을 사용할 수 있다.
상기 전사층(135)의 형성은 일반적인 코팅 방법인 압출, 스핀, 나이프 코팅 방법, 진공 증착법, CVD 등의 방법을 이용하여 100 내지 50,000 Å 두께로 코팅한다.
이로써, 상기 기재필름(115) 상에 상기 광-열 변환층(120), 중간층(125) 및 완충막(130)을 차례로 형성하게 되는데, 이를 도너기판(100)으로 정의한다.
계속해서, 상기 도너기판(100)의 기재필름(115)과 이격된 위치의 상부에 마스크(160)를 배치한다.
상기 마스크(160)는 소자기판(도 3의 140)의 피전사 부위의 토폴로지(topology)(예를 들면, 상기 도너기판의 전사층에 형성되어 있는 유기막들이 전사되는 소자기판의 패턴)에 부합되도록 패터닝 되어 있다. 즉, 소자기판(140) 상의 전사층 패턴(도 3의 137)을 형성하려고 하는 영역과 대응되는 마스크(160) 상에는 패터닝된 개구부(165)가 형성되어 있고, 상기 개구부(165)를 통해 패터닝된 마스크(160) 상에 위치한 레이저 빔(170)이 마스크(160) 전체 표면에 조사되며, 상기 마스크(160) 전체에 조사된 레이저 빔(170)이 도너기판(100)에 형성되어 있는 전사층(135)을 소자기판(140) 상으로 전사시켜 전사층 패턴(도 3의 137)을 형성한다. 상기 레이저 빔(170)에서 빔 사이즈는 레이저 조사장치의 렌즈를 통해 조절되며 패터닝하려는 전사층에 도달되는 초기 빔의 파워(power)를 1W/cm2으로 하여 상기 마스크(160) 상에 조사한다. 예를 들면, 레이저 빔(170)의 빔 사이즈가 50cm2의 면적이라면 초기빔의 파워를 50W로 한다. 상기와 같은 레이저 빔(170)을 이용하여 상기 전사층이 포함된 도너기판의 표면에 0.1 내지 5W의 에너지를 전달하여 유기전계발 광소자를 형성한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3을 참고하면, 하부전극(145)이 형성된 소자기판(145)을 제공한다. 한편, 기재필름(115) 상에 광-열 변환층(120), 중간층(125), 완충막(130) 및 유기막인 전사층(135)을 차례로 적층하여 형성된 도너기판(100)을 상기 소자기판(140) 상에 위치시키고, 상기 도너기판(100) 상에 소자기판(140)의 피전사 부위의 토폴로지(topology)에 부합되도록 패터닝된 마스크(160)를 준비한다.
이어서, 상기 도너기판(100)을 상기 소자기판(140)으로부터 이격된 위치에 상기 전사층(135)이 상기 소자기판(140)을 향하도록 배치하고 상기 도너기판(100)의 기재필름(115) 상의 이격된 위치에 소자기판(140)과 얼라인하여 마스크(160)를 배치하며 상기 도너기판(100) 상에 위치한 패터닝된 마스크(160)의 전체 표면에 레이저 빔(170)을 조사하여 상기 전사층(135)의 소정 영역을 상기 하부전극(145) 상으로 한번에 전사함으로써, 상기 소자기판(140)의 하부전극(145) 상에 형성된 화소정의막(150) 사이로 상기 전사층(1350)의 필름을 전사시켜 전사층 패턴(137)을 형성한다.
상기 전사층 패턴(137)은 전자주입층, 전자수송층, 발광층, 정공수송층 및 정공주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 단층막 또는 2종 이상의 다층막으로 형성될 수 있다. 상기 하부전극(145)은 애노드 전극이고, 상기 도너기판(100)을 사용하여 상기 하부전극(145) 상에 전계발광성 전사층 패턴(137) 즉, 발광층을 형성하는 경우에는 상기 발광층을 형성하기 전에 상기 하부전극(145) 상에 정공주입층 및/또는 정공전달층을 스핀 코팅 또는 진공증착을 사용하여 형성할 수 있다. 이어서, 상기 발광층 상에 전자전달층 및/또는 전자주입층을 LITI, 진공증착 또는 스핀코팅을 사용하여 형성할 수 있다. 이어서, 상기 전자전달층 및/또는 전자주입층 상에 캐소드 전극인 공통전극(미도시)을 형성함으로써 유기전계발광소자를 완성한다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따르면, 소자기판의 피전사 부위의 토폴로지(topology)와 부합되도록 패터닝된 마스크를 이용하여 도너기판에 레이저 빔을 조사하여 줌으로써, 소자기판 상에 한번의 레이저 빔의 조사에 의해 다량의 전사층 패턴을 형성하여 생산 효율 증가 및 공정 비용을 감소시킬 수 있다.
Claims (7)
- 소자기판을 제공하는 단계;상기 소자기판 상부와 이격된 위치에 기재필름, 상기 기재필름 상에 광-열 변환층 및 전사층을 포함한 도너기판을 상기 전사층이 상기 소자기판을 향하도록 배치하는 단계;상기 도너기판 상부와 이격된 위치에 패터닝된 마스크를 배치하는 단계; 및상기 마스크 전체 표면에 레이저 빔을 조사하여 상기 도너기판의 전사층을 상기 소자기판 상으로 전사함으로써, 상기 소자기판 상에 전사층 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 패터닝된 마스크는 소자기판의 피전사 부위의 토폴로지와 부합되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 전사층 패턴은 전자주입층, 전자수송층, 발광층, 정공수송층 및 정공주입층 등의 유기막들로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 단층막 또는 2종 이상의 다 층막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 3항에 있어서,상기 유기막들은 각각 저분자 물질을 포함하는 유기막들인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 도너기판의 광-열 변환층과 전사층 사이에는 중간층을 더욱 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 5항에 있어서,상기 도너기판의 광-열 변환층과 중간층 사이에는 완충막을 더욱 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 레이저 빔은 0.1 내지 5W로 상기 전사층이 포함된 도너기판의 표면에 조사하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
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Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| JP2003318372A (ja) | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | 電子装置の製造方法及び製造装置 |
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| KR20060044251A (ko) * | 2004-11-11 | 2006-05-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 열전사 장치와 그를 이용한 레이저 열전사 방법 |
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Patent Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| JP2003318372A (ja) | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | 電子装置の製造方法及び製造装置 |
| KR20060019451A (ko) * | 2004-08-27 | 2006-03-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사용 도너 기판 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자의 제조 방법 |
| KR20060039790A (ko) * | 2004-11-03 | 2006-05-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 열전사 장치, 레이저 열전사 방법, 및 그를 이용한유기전계발광표시장치의 제조방법 |
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