KR100782468B1 - 레이저 조사장치 및 그를 이용한 유기전계발광소자의제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 레이저빔의 이용효율을 높일 수 있는 레이저 조사장치 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 광원장치; 상기 광원장치 하부에 위치하는 시준렌즈(collimation lens); 및 상기 시준렌즈 하부에 위치하는 비대칭 마이크로 렌즈 어레이(asymmetrical microlens array)를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 제 1 전극이 형성된 기판을 제공하고; 기재층, 상기 기재층 상에 광-열변환층 및 상기 광-열변환층 상에 전사층을 차례로 적층하여 제조한 레이저 전사용 도너기판을 제공하고; 상기 전사층이 상기 기판과 대향하도록 서로 이격되어 배치하고; 광원장치, 상기 광원장치 하부에 위치하는 시준렌즈, 및 상기 시준렌즈 하부에 위치하는 비대칭 마이크로 렌즈 어레이를 포함하는 레이저 조사장치를 이용하여 상기 기재층의 일부 영역에 레이저를 조사하여 상기 전사층의 전사를 수행하여 상기 기판 상에 유기막층 패턴을 형성하는 것을 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
레이저 조사장치, 비대칭 마이크로 렌즈 어레이, 유기전계발광소자
Description
도 1 은 종래 기술에 따른 레이저 조사장치를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 모식도.
도 2a 는 본 발명의 일실시 예에 따른 레이저 조사장치를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 모식도.
도 2b 는 본 발명에 의한 레이저 조사장치의 비대칭 마이크로 렌즈와 화소의 관계를 설명한 단면도.
<도면부호에 대한 간단한 설명>
100, 200: 레이저 조사장치 110,210: 광원장치
120: 마스크 130: 프로젝션 렌즈
140,240: 레이저 150,250: 도너기판
151,251: 기재층 152,252: 광-열변환층
153,253: 전사층 161,261: 기판
162,262: 제 1 전극 220: 시준렌즈
230: 비대칭 마이크로 렌즈 어레이 230a: 비대칭 마이크로 렌즈
본 발명은 레이저 조사장치 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 레이저 조사장치에서 패터닝 하고자 하는 화소를 정의하는 비대칭 마이크로 렌즈 어레이를 포함하는 레이저 조사장치 및 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 평판표시소자인 유기전계발광소자는 애노드 전극과 캐소드 전극 그리고 상기 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 개재된 유기막층을 포함한다. 상기 유기막층은 적어도 유기발광층을 포함한다. 이러한 유기전계발광소자는 상기 유기발광층을 이루는 물질에 따라서 고분자 유기전계발광소자와 저분자 유기전계발광소자로 나누어진다.
이러한 유기전계발광소자에 있어 풀칼라화를 구현하기 위해서는 R, G, B의 삼원색을 나타내는 각각의 발광층을 패터닝해야 한다. 여기서, 상기 발광층을 패터닝하기 위한 방법으로 저분자 유기전계발광소자의 경우 새도우 마스크(shadowmask)를 사용하는 방법이 있고, 고분자 유기전계발광소자의 경우 잉크젯 프린팅(ink jet printing) 또는 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging; 이하 LITI라 한다.)이 있다. 이중에서 상기 LITI는 상기 유기막층을 미세하게 패터닝할 수 있고, 대면적에 사용할 수 있으며 고해상도에 유리하다는 장점이 있을 뿐만 아니라, 상기 잉크젯 프린팅이 습식 공정인데 반해 이는 건식 공정이라는 장점이 있다.
도 1 은 종래의 레이저 조사장치를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명한 모식도이다.
도 1을 참조하면, 제 1 전극(162)이 형성된 기판(161)이 제공된다. 상기 제 1 전극(162)과 상기 기판(161) 사이에는 박막트랜지스터 및 캐패시터 등이 포함될 수도 있다.
이어서, 상기 기판(161) 상에 도너기판(150)이 라미네이션되어 있다. 상기 도너기판(150)은 기재층(151), 광-열변환층(152), 전사층(153)을 포함한다.
상기 광-열변환층(152)과 상기 전사층(153) 사이에는 가스생성층(미도시)이 더욱 포함될 수도 있다.
한편, 상기 기판(161) 및 상기 도너기판(150)과는 별도로 레이저
조사장치(100)가 제공된다. 상기 레이저 조사장치(100)는 광원장치(110), 패터닝되어 있는 마스크(120) 및 프로젝션 렌즈(130)를 포함하고 있다.
이어서, 상기 광원장치(110)에서 발생한 레이저빔(140)은 패터닝 되어 있는 상기 마스크(120)를 통과하고, 상기 통과한 레이저빔(140)은 상기 프로젝션 렌즈(130)에 의해 굴절되어 상기 기재층(151)의 일부 영역에 조사된다.
상기 기재층(151)의 일부 영역에 조사된 상기 레이저빔(140)은 상기 광-열변환층(152)에서 흡수되어 열에너지로 변환된다. 흡수된 열에너지에 의해 상기 광-열변환층(152)은 상기 전사층(153)을 상기 기판(161)상에 밀착시킨다. 밀착된 상기 전사층(153)의 결합이 끊어지면서 상기 전사층(153)은 상기 기판(161) 상으로 전사 된다.
그러나 종래의 레이저 조사장치의 마스크는 단위화소의 패턴사이즈 및 모델에 따라 마스크를 교체해야 하는 번거로움이 있고, 이로 인하여 공정시간 및 제작비용이 증가하는 문제점이 있다. 또한 종래의 레이저 조사장치의 마스크로 인하여 레이저 빔 손실을 유발하여 레이저빔의 효율이 저하되는 문제점이 있고, 레이저 파워가 올라갈 경우 마스크가 휘어지는 문제점이 있다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로 레이저빔을 효율적으로 이용하면서 공정시간을 단축할 수 있고, 제조비용이 저렴한 레이저 조사장치 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 레이저빔의 이용효율을 높일 수 있는 광원장치; 상기 광원장치 하부에 위치하는 시준렌즈(collimation lens); 및 상기 시준렌즈 하부에 위치하는 비대칭 마이크로 렌즈 어레이(asymmetrical microlens array)를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 제 1 전극이 형성된 기판을 제공하고; 기재층, 상기 기재층 상에 광-열변환층 및 상기 광-열변환층 상에 전사층을 차례로 적층하여 제조한 레이저 전사용 도너기판을 제공하고; 상기 전사층이 상기 기판과 대향하도록 서로 이격되어 배치하고; 광원장치, 상기 광원장치 하부에 위치하는 시준렌즈, 및 상기 시준렌즈 하부에 위치하는 비대칭 마이크로 렌즈 어레이를 포함하는 레이저 조사장치를 이용하여 상기 기재층의 일부 영역에 레이저를 조사하여 상기 전사층의 전사를 수행하여 상기 기판 상에 유기막층 패턴을 형성하는 것을 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 도면들에 있어서, 층이 다른 층 또는 기판 “상”에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 2a는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 레이저 조사장치 및 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하는 모식도이다.
도 2a를 참조하면, 제 1 전극(262)이 형성되어 있는 기판(261)을 제공한다. 상기 기판(261)과 상기 제 1 전극(262) 사이에는 박막트랜지스터, 절연막 및 캐패시터 등이 포함 될 수도 있다.
한편, 상기 기판(261)과는 별도로 레이저 전사용 도너기판(250)을 제공한다. 상기 도너기판(250)은 기재층(251), 상기 기재층(251) 상에 광-열변환층(252) 및 상기 광-열변환층(252) 상에 전사층(253)이 적층되어 있는 구조이다.
또한, 상기 광-열변환층(252)과 상기 전사층(253) 사이에는 가스생성층(미도 시)이 더욱 포함될 수도 있다.
상기 기재층(251)은 상기 광-열변환층(252)에 빛을 전달하기 위하여 투명성을 가져야 하며, 적당한 광학적 성질과 충분한 기계적 안정성을 가진 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리스틸렌으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자 물질이거나 유리로 이루어질 수 있다. 더욱 바람직하게는 상기 기재층(251)은 폴리에틸렌테레프탈레이트일 수 있다. 상기 기재층(251)의 역할은 지지기판으로서의 역할을 수행하며 복합적인 다중계도 사용 가능하다.
상기 광-열변환층(252)은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하여 상기 빛의 일부분을 열로 변환시키는 층이며, 빛을 흡수하기 위한 광흡수성 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 광-열변환층(252)은 Al, Ag 및 이들의 산화물 및 황화물로 이루어진 금속막이거나 카본 블랙, 흑연 또는 적외선 염료를 포함하는 고분자로 이루어진 유기막으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 금속막은 진공 증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링을 이용하여 형성할 수 있으며, 상기 유기막은 통상적인 필름 코팅 방법으로서, 그라비아(Gravure), 압출(extrusion), 스핀(spin) 및 나이프(knife) 코팅방법 중에 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.
상기 가스생성층(미도시)은 광 또는 열을 흡수하면 분해반응을 일으켜 질소 가스나 수소 가스 등을 방출함으로서 전사에너지를 제공하는 역할을 수행하며, 사질산펜타에리트리트(PETN), 트리니트로톨루엔(TNT)등으로 선택된 물질로 이루어진다.
상기 전사층(253)은 정공주입층, 정공수송층, 유기발광층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막으로 이루어질 수 있다.
상기 정공주입층은 유기전계발광소자의 유기발광층에 정공주입을 용이하게 하며 소자의 수명을 증가시킬 수 있는 역할을 한다. 상기 정공주입층은 아릴 아민계 화합물 및 스타버스터형 아민류등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐아미노)트리페닐아미노(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[4-(3-메틸페닐아미노)페닐]벤젠(m-MTDATB) 및 프타로시아닌 구리(CuPc)등으로 이루어질 수 있다.
상기 정공수송층은 아릴렌 디아민 유도체, 스타버스트형 화합물, 스피로기를 갖는 비페닐디아민유도체 및 사다리형 화합물등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 N,N-디페닐-N,N'-비스(4-메틸페닐)-1,1'-바이페닐-4,4’-디아민(TPD)이거나 4,4'-비스[N-(1-나프릴)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)일 수 있다.
상기 유기발광층은 적색발광재료인 Alq3(호스트)/DCJTB(형광도펀트), Alq3(호스트)/DCM(형광도펀트), CBP(호스트)/PtOEP(인광 유기금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있으며, 녹색발광재료인 Alq3, Alq3(호스트)/C545t(도펀트), CBP(호스트)/IrPPY(인광 유기물 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있다. 또한, 청색발광재료인 DPVBi, 스피로-DPVBi, 스피로-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA)등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있다.
상기 정공억제층은 유기발광층내에서 전자이동도보다 정공이동도가 큰 경우 정공이 전자주입층으로 이동하는 것을 방지하는 역할을 한다. 여기 상기 정공억제층은 2-비페닐-4-일-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥시디아졸(PBD), spiro-PBD 및 3-(4'-t-부틸페닐)-4-페닐-5-(4’-비페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ)로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
상기 전자수송층은 전자가 잘 수용할 수 있는 금속화합물로 이루어지며, 캐소드 전극으로부터 공급된 전자를 안정하게 수송할 수 있는 특성이 우수한 8-하이드로퀴놀린 알루미늄염(Alq3)으로 이루어질 수 있다.
상기 전자주입층은 1,3,4-옥시디아졸 유도체, 1,2,4-트리아졸 유도체 및 LiF로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 이와 같은 유기막은 압출, 스핀, 나이프 코팅방법, 진공 증착법, CVD등의 방법에 의해 형성될 수 있다.
상기 도너기판(250)은 상기한 층들뿐만 아니라 다양한 용도를 갖는 층들을 더욱 포함할 수 있으며, 그 용도에 따라서 적층 구조를 변경하여 사용할 수 있다.
이어서, 상기 기판(261)의 화소영역과 상기 도너기판의 전사층(253)이 서로 대향하도록 서로 이격되어 배치한 후, 균일하게 라미네이션(lamination)한다.
상기 라미네이션은 롤러, 기체 가압 또는 크라운 프레스를 사용하여 가압함으로써 이루어진다. 상기 라미네이션은 중앙에서 외곽으로 나가는 방향으로 진행할 수 있다. 또한, 상기 라미네이션은 단방향으로 진행할 수 있다.
상기 라미네이션을 중앙에서 외곽으로 나가는 방향으로 할 경우, 상기 도너기판(250)과 상기 기판(261) 사이의 버블이 효과적으로 방지 될 수 있으므로, 중앙에서 외곽으로 나가는 방향으로 라미네이션을 하는 것이 더욱 바람직하다.
한편, 상기 기판(261) 및 상기 도너기판(250)과는 별도로 레이저 조사장치(200)를 제공한다. 상기 레이저 조사장치(200)는 광원장치(210), 시준렌즈(collimation lens: 220) 및 비대칭 마이크로 렌즈 어레이(asymmetrical microlens array: 230)를 포함한다.
상기 광원장치(210)는 상기 전사층(253)을 상기 도너기판(250)으로부터 분리하여 상기 기판(261)상에 전사시켜 소정의 패턴을 형성하는데 필요한 레이저빔(240)을 발생시킨다.
상기 시준렌즈(220)는 상기 광원장치(210)에서 출사된 레이저빔을 평행화하는 역할을 하며, 상기 광원장치(210)와 상기 비대칭 마이크로 렌즈 어레이(230) 사이를 상하로 이동할 수도 있다.
상기 비대칭 마이크로 렌즈 어레이(230)는 상기 시준렌즈(220)를 통과한 평행한 레이저빔으로부터 복수의 빔을 형성하고, 각 빔마다 초점을 결상시키는 광학 수단이기 때문에 종래의 마스크 패턴에 의해 차단되어 손실되었던 레이저빔을 이용할 수 있어 레이저빔의 이용 효율을 높일 수 있다. 또한, 패터닝하고자 하는 화소를 정의하는 역할을 한다
상기 비대칭 마이크로 렌즈 어레이(230)는 복수의 비대칭 마이크로 렌즈(230a)의 조합으로 이루어져 있다. 이로 인하여, 상기 레이저 조사장치(200)는 동시에 동일색의 복수의 화소를 패턴할 수 있는 멀티 스캔 방식을 수행하여 유기전계발광소자를 제조할 수 있다.
상기 비대칭 마이크로 렌즈 어레이(230)는 상기 시준렌즈(220)와 상기 도너기판(250) 사이를 상하로 이동 가능하기 때문에 상기 비대칭 마이크로 렌즈(230a)의 초점 거리를 조절할 수 있으므로 화소영역의 패턴너비를 자유자재로 조절할 수 있다.
상기 비대칭 마이크로 렌즈 어레이(230)는 투명성 재질인 유리 또는 플라스틱으로 구성되는 것이 바람직하며, 대칭 마이크로 렌즈 어레이와 비교하여 화소사이의 간격을 넓힐 수 있는 장점이 있다. 그러면, R(레드), G(그린), B(블루) 각 화소 사이의 간격이 일정 간격을 유지하므로 R, G, B 화소가 서로 분리되지 않는 패턴의 미스-얼라인을 방지할 수 있고, 이로 인해 화소 사이의 간격을 정밀하게 조절할 수 있으므로 소자의 너비를 콤팩트하게 제조할 수 있다.
도 2b는 본 발명에 의한 레이저 조사장치의 비대칭 마이크로 렌즈와 화소사이의 관계를 설명한 단면도이다.
도 2b를 참조하면, 상기 비대칭 마이크로 렌즈(230a)의 피치를 P1, 상기 비대칭 마이크로 렌즈(230a)의 너비를 S1, 상기 비대칭 마이크로 렌즈(230a)의 초점거리를 f1, 상기 비대칭 마이크로 렌즈(230a)와 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 중의 어느 하나를 나타내는 서브 화소까지의 거리를 d, 상기 서브 화소의 너비를 S2, 상기 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)으로 구성되는 단위 화소의 너비를 P2로 표기한다.
여기서, 상기 비대칭 마이크로 렌즈(230a)의 초점거리(f1)의 범위는 10~300 ㎜ 이다. 상기 초점거리(f1)가 10㎜ 이하이면 패터닝이 실시 될 때 기판과 렌즈 사이에 도너기판 외에 기타 부수적인 장치가 들어갈 수 없는 공간을 확보할 수 없고 스캔을 할 때 이격 공간이 없어 작동이 원활하지 않을 수 있다. 또한, 300㎜이상이면 장치의 크기가 너무 커지는 문제점이 발생한다.
상기 비대칭 마이크로 렌즈(230a)와 화소와의 거리(d)는 20/3~200㎜ 이다. 상기 비대칭 마이크로 렌즈(230a)와 화소와의 거리(d)한정의 이유는 상기 비대칭 마이크로 렌즈의 초점거리(f1)의 범위한정의 이유와 동일하다.
상기 화소를 대략 50~300ppi(pixel per inch)로 제작한다고 하면, 단위화소의 너비(P2)는 60~500㎛ 이다. 또한 상기 비대칭 마이크로 렌즈(230a)의 피치(P1)는 단위화소(P2)의 너비와 같다. 상기 레드(R), 그린(G) 및 블루(B) 중 어느 하나를 나타내는 서브화소(S2)의 너비는 20~500/3㎛이다.
이어서, 이를 간단한 수식으로 정리하면, 한 픽셀 당 R, G, B 3개의 칼라를 패터닝해야 하므로,
P2:S2= 3:1 <----(1)
삼각형의 정리를 이용하면
f1:f1-d=3:1 <----(2)
f1:f1-d=S1:S2 <----(3)
(2)식에서 d=2×f1/3 <----(4)
(3)식에서 P1 과 S1는 같으므로
(f1-d)×P1=f1×S2 <----(5)
윗식에 (4)을 대입하면
S2=P1/3 <----(6) 으로 식이 주어진다.
(실시 예)
17인치 UXGA를 제작할 때, 픽셀수는 1600×1200 이다. 픽셀 피치는 72×216 ㎛가 된다. 이때 레이저 조사장치를 설계해보면 다음과 같다.
f1을 20㎝ 로 한다면, S2는 72㎛이다.
(6)식을 도입하면, P1은 216㎛, d는 13.34㎝ 이다.
이어서, 도 2a를 다시 참조하면, 상기 레이저 조사장치(200)의 광원장치(210)에서 발생한 레이저빔(240)은 상기 시준렌즈(220)를 통과함으로서 평행화되고, 상기 평행화된 레이저빔(240)은 상기 비대칭 마이크로 렌즈(230a)를 통과한다. 상기 비대칭 마이크로 렌즈(230a)를 통과한 레이저빔(240)은 화소영역을 정의할 수 있도록 패터닝됨으로서 자동적으로 상기 비대칭 마이크로 렌즈(230a)에 의해 화소 영역의 패턴 너비가 조절된다. 상기 패터닝된 레이저빔(240)은 상기 기재층(251)의 일부 영역을 조사하여 상기 전사층(253)을 상기 기판(261) 상에 전사를 수행하여 유기막층 패턴(미도시)을 형성한다.
여기서, 상기 레이저 조사장치(200)를 이용하여 유기막층 패턴을 형성하는 전사 공정은 N2 분위기에서 이루어질 수 있다. 이는 대기 중에 존재하는 산소에 의해 상기 유기막층 패턴의 산화를 방지하기 위함이다. 여기서 N2 분위기를 조성하기 에 많은 시간과 비용을 투자해야 하므로, 상기 유기막층이 산소나 수분의 영향을 미치지 않는 조건을 고려하여 O2 및 H2O가 각각 100ppm이하의 분위기가 조성될 때까지 N2를 충전하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 전사 공정은 진공 분위기에서 이루어질 수 있는데, 상기 도너기판(250)을 상기 기판(261) 전면에 라미네이션하는 공정시 상기 도너기판(250)과 상기 기판(261) 사이의 기포 발생을 억제할 수 있는 효과가 있다.
이상에서와 같이, 본 발명은 비대칭 마이크로 렌즈 어레이를 구비한 레이저 조사장치를 이용하여 유기전계발광소자를 제조함으로써 공정시간 단축의 효과 및 제조비용 절감의 효과가 있다. 따라서 본 발명은 유기전계발광소자의 신뢰성을 확보할 수 있음은 물론 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
본 발명을 특정의 바람직한 실시 예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 그에 한정되는 것이 아니고, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있을 것이다.
이상에서와 같이, 본 발명은 비대칭 마이크로 렌즈 어레이를 구비한 레이저 조사장치를 이용하여 유기전계발광소자를 제조함으로써 공정시간 단축의 효과 및 제조비용 절감의 효과가 있다. 따라서 본 발명은 유기전계발광소자의 신뢰성을 확보할 수 있음은 물론 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
Claims (15)
- 광원장치;상기 광원장치 하부에 위치하는 시준렌즈(collimation lens); 및상기 시준렌즈 하부에 위치하는 비대칭 마이크로 렌즈 어레이(asymmetrical microlens array)를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 비대칭 마이크로 렌즈 어레이는 투명성 재질로 이루어진 복수의 비대칭 마이크로 렌즈의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 비대칭 마이크로 렌즈 어레이는 상하로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 비대칭 마이크로 렌즈의 초점거리는 10~300㎜ 인 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 비대칭 마이크로 렌즈의 피치는 60~500㎛ 인 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 투명성 재질은 유리 또는 투명성 플라스틱인 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.
- 제 1 전극이 형성된 기판을 제공하고;기재층, 상기 기재층 상에 광-열변환층 및 상기 광-열변환층 상에 전사층을 차례로 적층하여 제조한 레이저 전사용 도너기판을 제공하고;상기 전사층이 상기 기판과 대향하도록 서로 이격되어 배치하고;광원장치, 상기 광원장치 하부에 위치하는 시준렌즈, 및 상기 시준렌즈 하부에 위치하는 비대칭 마이크로 렌즈 어레이를 포함하는 레이저 조사장치를 이용하여 상기 기재층의 일부 영역에 레이저를 조사하여 상기 전사층의 전사를 수행하여 상기 기판 상에 유기막층 패턴을 형성하는 것을 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 레이저 전사용 도너기판은 상기 광-열변환층과 상기 전사층 사이에 가스생성층을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 비대칭 마이크로 렌즈 어레이는 투명성 재질로 이루어진 복수의 비대칭 마이크로 렌즈의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 비대칭 마이크로 렌즈 어레이는 상기 시준렌즈와 상기 도너기판 사이를 상하로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 비대칭 마이크로 렌즈의 초점거리는 10~300㎜ 인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 비대칭 마이크로 렌즈의 피치는 60~500㎛ 인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 비대칭 마이크로 렌즈와 상기 도너기판과의 거리는 20/3~200㎜인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 유기막층 패턴의 너비는 20~500/3㎛ 인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 레이저 조사장치는 멀티 스캔 방식을 수행하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8405909B2 (en) * | 2008-05-09 | 2013-03-26 | Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. | Deposition donor substrate and deposition method using the same |
| JP6299449B2 (ja) * | 2014-06-10 | 2018-03-28 | コニカミノルタ株式会社 | 光書込装置、および位置補正方法 |
| US11888289B2 (en) * | 2020-03-30 | 2024-01-30 | Namuga, Co., Ltd. | Light source module allowing differential control according to distance to subject and method for controlling the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030038483A (ko) * | 2001-11-09 | 2003-05-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 레이저 조사장치, 레이저 조사방법 및 반도체장치의제작방법 |
| KR20060026788A (ko) * | 2004-09-21 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 조사 장치 및 그를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조 방법 |
| KR20060027742A (ko) * | 2004-09-23 | 2006-03-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 조사 장치 및 그를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조 방법 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3147481B2 (ja) * | 1992-04-21 | 2001-03-19 | 松下電器産業株式会社 | ガラス製回折格子の成形用金型及びその製造方法及びガラス製回折格子の製造方法 |
| US6271957B1 (en) * | 1998-05-29 | 2001-08-07 | Affymetrix, Inc. | Methods involving direct write optical lithography |
| US6317263B1 (en) * | 1999-06-18 | 2001-11-13 | 3M Innovative Properties Company | Projection screen using dispersing lens array for asymmetric viewing angle |
| US6751009B2 (en) * | 2002-04-30 | 2004-06-15 | The Boeing Company | Acousto-micro-optic deflector |
| WO2004047239A2 (en) * | 2002-11-20 | 2004-06-03 | Mems Optical, Inc. | Laser diode bar integrator/reimager |
| US6936809B2 (en) * | 2003-03-17 | 2005-08-30 | Nokia Corporation | Method and device for lateral adjustment of image |
| JP2005070631A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Seiko Epson Corp | スクリーン及びプロジェクタ |
| US7375892B2 (en) * | 2003-10-09 | 2008-05-20 | Micron Technology, Inc. | Ellipsoidal gapless microlens array and method of fabrication |
| US7221514B2 (en) * | 2005-04-15 | 2007-05-22 | Asml Netherlands B.V. | Variable lens and exposure system |
| US20070013889A1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby having an increase in depth of focus |
-
2006
- 2006-05-22 KR KR1020060045887A patent/KR100782468B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-05-21 US US11/751,294 patent/US20070267629A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030038483A (ko) * | 2001-11-09 | 2003-05-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 레이저 조사장치, 레이저 조사방법 및 반도체장치의제작방법 |
| KR20060026788A (ko) * | 2004-09-21 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 조사 장치 및 그를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조 방법 |
| KR20060027742A (ko) * | 2004-09-23 | 2006-03-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 조사 장치 및 그를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| KR20070112677A (ko) | 2007-11-27 |
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