KR20140065147A - 도너 기판 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조 방법 - Google Patents

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KR20140065147A
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Abstract

본 발명은 지지층과, 지지층 상에 형성된 광열 변환층과, 광열 변환층 상에 소정의 패턴으로 형성된 전사층을 포함하는 도너 기판과, 이를 이용하여 기판 상의 소정 영역에 복수의 전극이 소정 간격으로 형성된 억셉터 기판 상에 도너 기판의 전사층을 전사하는 유기 발광 소자의 제조 방법이 제시된다.

Description

도너 기판 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조 방법{Donor substrate and method of manufacturing an organic light emitting device using the same}
본 발명은 유기 발광 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 도너 기판 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 소자는 애노드 전극, 캐소드 전극, 그리고 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 개재된 유기막들을 포함한다. 유기막들은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층을 포함한다. 한편, 발광층을 패터닝하여 풀칼라(full color) 유기 발광 소자를 구현할 수 있다. 발광층을 패터닝하기 위해 미세 패턴 마스크를 이용하거나, 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 또는 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging; 이하, LITI라 한다)을 이용할 수 있다. 이 중에서 LITI는 유기막을 미세하게 패터닝할 수 있는 장점이 있다.
LITI는 광원에서 나오는 레이저를 이용하여 패턴 형성 물질을 대상 기판으로 전사시켜 패턴을 형성한다. 이를 위해서는 도너 기판, 광원, 그리고 억셉터 기판이 필요하다. 도너 기판은 지지층 상에 형성된 광열 변환층 및 전사층으로 구성된다. 이러한 도너 기판이 억셉터 기판과 얼라인된 후 광원으로부터 지지층 상의 소정 영역에 국부적으로 레이저가 조사된다. 레이저는 광열 변환층에서 열로 변환되고, 열은 전사층과 광열 변환층 사이의 접착력을 변화시켜 전사층이 억셉터 기판 상으로 전사되어 유기막이 형성된다. 여기서, 전사층은 적색, 녹색 및 청색에 해당하는 유기막이 지지층 상의 전체 영역에 형성된다. 즉, 적색, 녹색 및 청색 전사층이 각각 형성된 복수의 도너 기판을 이용하게 된다. 따라서, 적색 도너 기판을 이용하여 적색 화소 영역을 형성하고, 녹색 도너 기판을 이용하여 녹색 화소 영역을 형성하며, 청색 도너 기판을 이용하여 청색 화소 영역을 각각 형성한다.
한편, 전사 특성을 좌우하는 인자는 도 1에 도시된 바와 같이 지지층(11)과 전사층(13)과의 제 1 접착력(A11), 전사층(13) 끼리의 점착력(A12), 그리고 전사층(13)와 억셉터 기판(20)과의 제 2 접착력(A13)이다. 전사 공정에서 전사층(13)에 작용하는 3개의 결합력을 최적화하지 않으면, 전사 과정 중 불량이 발생할 수 있다. 즉, 제 1 접착력(A11)이 점착력(A12)과 제 2 접착력(A13)의 합보다 크고, 점착력(A12)과 제 2 접착력(A13)의 합이 점착력(A12)보다 크면(A11>A12+A13>A12) 정상 전사될 수 있다. 그러나, 제 1 접착력(A11)이 점착력(A12)과 제 2 접착력(A13)의 합보다 작고, 점착력(A12)과 제 2 접착력(A13)의 합이 점착력(A12)보다 크면(A11<A12+A13>A12) 레이저 조사 이외의 부위가 전사될 수 있다. 또한, 제 1 접착력(A11)이 점착력(A12)과 제 2 접착력(A13)의 합보다 크고, 점착력(A12)과 제 2 접착력(A13)의 합이 점착력(A12)보다 작으면(A11>A12+A13<A12) 레이저 조사 부위가 전사되지 않게 된다.
또한, 지지층(11) 상에서 국부적으로 레이저를 조사하기 위해 하나의 광원을 이용하여 복수의 레이저를 만들어 이용하거나 복수의 광원을 이용하여 복수의 레이저를 이용할 수 있다. 그런데, 복수의 레이저는 각각 렌즈를 통과하여 조사되는데, 이때 각 레이저의 균일도, 세기 등을 동일하게 제어해야 한다. 그렇지 않을 경우 전사된 각각의 발광층이 물리적 화학적 특성이 달라지게 되어 불량 발생 확률이 높아지게 된다.
본 발명은 전사 공정에서 발생하는 불량을 방지할 수 있는 도너 기판 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 소정의 패턴으로 형성된 전사층을 이용함으로써 전사 공정에서 발생하는 불량을 방지할 수 있는 도너 기판 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 하나의 광원을 균일하게 조사하여 전사층을 전사할 수 있는 도너 기판 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따른 도너 기판은 지지층: 상기 지지층 상에 형성된 광열 변환층; 및 상기 광열 변환층 상에 소정의 패턴으로 형성된 전사층을 포함한다.
상기 지지층은 광 투과도가 85% 이상의 유리 또는 필름으로 형성된다.
상기 전사층은 적어도 일 화소 전극의 폭과 적어도 상기 일 화소 전극 사이의 간격으로 형성된다.
상기 광열 변환층은 상기 전사층과 동일 패턴으로 형성된다.
상기 광열 변환층과 상기 전사층 사이에 형성된 버퍼층을 더 포함한다.
상기 전사층은 적어도 하나의 유기막으로 형성된다.
본 발명의 다른 양태에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법은 지지층 상에 광열 변환층 및 소정 패턴의 전사층이 형성된 도너 기판이 마련되는 단계; 기판 상의 소정 영역에 복수의 전극이 소정 간격으로 형성된 억셉터 기판이 마련되는 단계; 상기 도너 기판의 상기 전사층과 상기 억셉터 기판의 상기 전극이 마주보도록 얼라인하는 단계; 및 상기 도너 기판 상으로 광을 조사하여 상기 전사층이 상기 전극 상으로 전사되도록 하는 단계를 포함한다.
상기 전극은 복수의 화소 영역에 각각 형성되며, 인접한 상기 화소 영역 사이에 소정 간격 이격되어 형성된다.
상기 전사층은 적어도 일 화소 전극의 폭과 적어도 상기 일 화소 전극 사이의 간격으로 형성된다.
상기 광열 변환층은 상기 전사층과 동일 패턴으로 형성된다.
상기 전사층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 각각 형성하기 위한 물질의 적어도 하나로 형성된다.
상기 광은 상기 도너 기판 상에 전체적으로 균일한 에너지 밀도로 조사된다.
본 발명의 실시 예들의 도너 기판은 전사층이 소정의 폭 및 간격을 갖는 소정의 패턴으로 형성되는데, 예를 들어 일 화소 영역의 폭과 일 화소 영역 사이의 간격으로 형성될 수 있다.
본 발명에 의하면, 전사층이 광열 변환층 상의 전체 영역에 형성되는 경우의 종래 기술에 비해 전사 공정의 불량 발생을 방지할 수 있다. 즉, 종래의 경우 전사층의 결합력에 의해 원하는 영역이 전사되지 않거나 원하지 않는 영역이 전사되는 경우가 발생하였으나, 본 발명은 전사층을 소정 패턴으로 형성함으로써 접착력 인자를 줄임으로써 불량 발생을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 도너 기판의 지지층으로 유리 기판을 이용할 수 있으며, 그에 따라 전사 공정을 완료한 후 유리 기판을 지지층으로 재활용할 수 있어 생산비를 절감할 수도 있다.
도 1은 종래의 도너 기판에 레이저를 조사하여 전사층을 패터닝할 때의 전사 메카니즘을 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 도너 기판의 단면도.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 도너 기판의 단면도.
도 4는 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 도너 기판의 단면도.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 도너 기판의 전사 방법을 설명하기 위한 단면도.
도 8은 본 발명이 적용되는 유기 발광 소자의 일 화소의 등가 회로도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 도너 기판의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 도너 기판은 지지층(110)과, 지지층(110) 상에 형성된 광열 변환층(120)과, 광열 변환층(120) 상에 형성된 소정 패턴의 전사층(130)을 포함할 수 있다.
지지층(110)은 기계적/열적 안정성을 가지며 약 85% 이상의 광 투과도를 갖는 물질로 제작될 수 있는데, 예를 들어 유리, 투명 필름 등을 이용할 수 있다. 지지층(110)으로 유리를 이용할 경우 전사 공정을 완료한 후 재사용할 수 있어 생산비를 줄일 수 있다. 지지층(110)으로 이용되는 투명 필름으로는 폴리에스테르 필름, 예를 들어 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 필름과 같은 광 투과율이 높은 범용 고분자 필름을 이용할 수 있다. 또한, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리스티렌 등을 이용할 수 있다. 그리고, 지지층(110)은 광열 변환층(120)에 이용되는 유기 바인더 물질에 따라 지지층(110)과 광열 변환층(120)의 계면에서의 접착력을 조절할 수 있는 임의의 더미층(미도시)을 더 형성할 수 있다. 즉, 지지층(110)과 광열 변환층(120) 사이에 더미층을 형성할 수 있다. 지지층(110)과 더미층은 지지층(110)과 더미층 사이의 부착성을 향상시키고 지지층(110)과 더미층 사이의 온도 전달을 제어하며, 광열 변환층(120)으로의 광 전달을 제어하도록 선택될 수 있다. 이러한 지지층(110)은 예를 들어 10㎛∼500㎛ 두께로 제작할 수 있다.
광열 변환층(120)은 지지층(110)을 통해 조사되는 적외선, 가시광선 및 자외선 중 선택된 적어도 어느 하나의 광을 흡수하여 열로 변환시킨다. 광열 변환층(120)은 광을 흡수하여 열을 발생시킬 수 있는 재료를 이용하여 형성할 수 있는데, 카본 블랙, 금속, 흑연, 적외선 색소 및 안료로부터 선택되는 광흡수성 물질과 자외선이나 열에 의해 경화가 가능한 유기 바인더를 포함할 수 있다. 즉, 광열 변환층(120)은 광흡수성 물질과 유기 바인더의 혼합 물질로 형성할 수 있다. 여기서, 광흡수재로 이용되는 금속은 알루미늄 산화물, 알루미늄 황화물을 포함할 수 있다. 이러한 광열 변환층(120)은 롤코팅(roll coating), 그라비아(gravure), 압출(extrusion), 스핀(spin) 및 나이프(knife) 코팅 방법을 이용하여 0.1㎛∼10㎛ 두께로 형성할 수 있다.
전사층(130)은 광열 변환층(120) 상에 소정의 패턴으로 형성되는데, 예를 들어 소정의 폭 및 간격을 갖는 라인 형상의 패턴으로 형성된다. 즉, 전사층(130)은 일 화소 영역의 폭과 동일한 폭으로 형성될 수 있고, 일 화소 영역 사이의 간격으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색 화소 영역이 반복되어 형성되는 경우 전사층(130)은 적색 화소 영역에 대응되는 영역에 형성되고, 녹색 및 청색 화소 영역에 대응되는 영역에는 형성되지 않을 수 있다. 즉, 적색, 녹색 및 청색의 전사층(130)이 서로 다른 도너 기판에 각각 형성될 수 있다. 그러나, 전사층(130)은 두 화소 영역의 폭으로 형성되고 하나의 화소 영역의 간격으로 형성될 수도 있고, 세 화소 영역의 폭으로 형성될 수도 있다. 즉, 일 도너 기판에 적어도 두 컬러의 전사층(130)이 형성될 수 있는데, 이는 각 화소 영역 사이에 소정의 간격이 마련되므로 가능할 수 있다. 이러한 전사층(130)은 전사 물질을 전체 상부에 형성한 후 레이저를 이용하거나 사진 및 식각 공정으로 부분적으로 제거함으로써 소정 패턴으로 형성할 수 있고, 잉크 프린트 또는 잉크젯 방식으로 소정 패턴으로 직접 형성할 수도 있다. 이렇게 전사층(130)이 광열 변환층(120) 상에 소정의 패턴으로 형성됨으로써 종래의 광열 변환층(120) 상의 전체 영역에 형성되는 경우에 비해 전사 과정 중 발생되는 불량을 줄일 수 있다. 즉, 국부적인 레이저 조사에 의해 전사층(130)을 전사하는 종래의 경우 전사층(130)의 결합력에 의해 원하는 영역이 전사되지 않거나 원하지 않는 영역이 전사되는 경우가 발생하였으나, 본 발명은 전사층(130)을 소정 패턴으로 형성하여 전사 특성을 좌우하는 인자를 줄임으로써 불량이 발생되지 않는다. 한편, 전사층(130)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 주입층, 전자 수송층 등의 유기막의 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 즉, 억셉터 기판 상의 유기 발광층의 일부를 전사층(130)으로 전사하여 형성할 수도 있고, 유기 발광층의 전부를 전사층(130)으로 전사하여 형성할 수도 있다. 여기서, 전사층(130)으로 발광층을 포함하도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 전사층(130)은 발광층 물질만을 형성하거나, 정공 주입층, 정공 수송층 및 발광층 물질을 적층하여 형성하거나, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층 물질을 적층하여 형성할 수 잇다. 이러한 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 주입층, 전자 수송층 등의 유기막들은 유기 발광 소자에 적용되는 일반적인 재료이면 모두 가능하다. 예를 들어, 정공 주입층으로는 CuPc, TNATA, TCTA 또는 TDAPB와 같은 저분자와 PANI, PEDOT와 같은 고분자 물질을 이용할 수 있으며, 정공 수송층으로는 아릴아민계 저분자, 히드라존계 저분자, 스틸벤계 저분자, 스타버스트계 저분자로 NPB, TPD, s-TAD 또는 MTADATA 등의 저분자와 카바졸계 고분자, 아릴아민계 고분자, 페릴렌계 및 피롤계 고분자로 PVK와 같은 고분자 물질을 이용할 수 있다. 또한, 발광층으로는 적색 발광 재료인 Alq3(호스트)/DCJTB(형광 도펀트), Alq3(호스트)/DCM(형광 도펀트) 또는 CBP(호스트)/PtOEP(인광 유기 금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자 등의 고분자 물질을 이용할 수 있으며, 녹색 발광 재료인 Alq3, Alq3(호스트)/C545t(도펀트) 또는 CBP(호스트)/IrPPy(인광 유기금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자 등의 고분자 물질을 이용할 수 있고, 청색 발광 재료인 DPVBi, 스피로-DPVBi, 스피로-6P, 디스틸벤제(DSB) 또는 디스티릴아릴렌(DSA) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자 등의 고분자 물질을 이용할 수 있다. 그리고, 전자 수송층으로는 PBD, TAZ, 스피로(spiro)-PBD와 같은 고분자와 Alq3, BAlq, SAlq와 같은 저분자 물질을 이용할 수 있고, 전자 주입층으로는 Alq3, 갈륨 혼합물(Ga complex), PBD와 같은 저분자 물질이나 옥사디아졸계 고분자 물질을 이용할 수 있다. 한편, 전사층(130)을 소정 패턴으로 형성하기 위해 유기막을 형성한 후 레이저를 이용하여 가공하거나, 사진 및 식각 공정으로 패터닝할 수도 있고, 잉크 프린트 또는 잉크젯 방식으로 형성할 수도 있다.
또한, 본 발명에 따른 도너 기판은 지지층(110), 광열 변환층(120) 및 전사층(130) 이외에 적어도 하나의 층이 더 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이 지지층(110)과, 지지층(110) 상에 형성된 광열 변환층(120)과, 광열 변환층(120) 상에 형성된 중간층(140)과, 중간층(140) 상에 형성된 버퍼층(150)과, 버퍼층(150) 상에 형성된 소정 패턴의 전사층(130)을 포함하여 도너 기판을 구현할 수 있다.
중간층(140)은 광열 변환층(120)에 포함된 광흡수성 물질, 예를 들어 카본 블랙이 후속하는 공정에서 형성되는 전사층(130)을 오염시키는 것을 방지하기 위해 형성한다. 중간층(140)은 아크릴 수지(acrylic resin) 또는 알키드 수지(alkyd resin)로 형성할 수 있으며, 용매 코팅 등의 일반적인 코팅 과정과 자외선 경화 과정 등의 경화 과정을 거쳐 형성될 수 있다.
버퍼층(150)은 전사층(130)으로 형성된 유기막 등의 전사 물질의 손상을 방지하고, 전사층(130)과 도너 기판의 접착력을 효과적으로 조절하기 위해 형성된다. 즉, 버퍼층(150)은 도너 기판에 형성된 광열 변환층(120) 또는 중간층(140)이 형성된 경우에는 중간층(140)과의 접착력을 개선하기 위해 형성된다. 또한, 버퍼층(150)을 형성함으로써 유기 전계 발광 소자의 콘트라스트(contrast)를 개선할 수 있다. 이러한 버퍼층(150)은 폴리머, 금속, 금속 산화물 등의 유기 또는 무기물로 형성할 수 있다. 또한, 버퍼층(150)은 수소화된 실리콘(hydrogenated silicon; Si-H), 실리콘(Si) 또는 산화철(FexOy) 등으로 형성할 수 있다. 금속의 경우 진공 증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링을 이용하여 형성할 수 있으며, 유기막의 경우에는 압출, 스핀 및 나이프 코팅 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시 예들은 광열 변환층(120)이 지지층(110) 전체 상부에 형성되었으나, 도 4에 도시된 바와 같이 광열 변환층(120)은 소정의 패턴으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 광열 변환층(120)은 전사층(130)과 동일한 패턴으로 형성될 수 있다. 여기서, 광열 변환층(120)은 전사층(130)과 동일한 폭 및 간격으로 형성될 수 있으나, 광열 변환층(120)이 전사층(130)보다 넓거나 좁은은 폭으로 형성될 수도 있다. 광열 변환층(120)을 전사층(130)과 동일 패턴으로 형성하기 위해 레이저를 이용하거나 사진 및 식각 공정으로 전사층(130)과 광열 변환층(120)을 동시에 부분적으로 제거하거나 각각 제거할 수 있고, 잉크 프린트 또는 잉크젯 방식으로 소정 패턴으로 직접 형성할 수도 있다.
상기한 바와 같이 본 발명의 실시 예들에 따른 도너 기판은 전사층(130)이 광열 변환층(120) 상에 소정의 패턴, 예를 들어 일 화소 영역의 패턴으로 형성됨으로써 종래의 광열 변환층(120) 상의 전체 영역에 형성되는 경우에 비해 전사 과정에서 발생되는 불량을 줄일 수 있다. 즉, 국부적인 레이저 조사에 의해 전사층(130)을 전사하는 종래의 경우 전사층(130)의 결합력에 의해 원하는 영역이 전사되지 않거나 원하지 않는 영역이 전사되는 경우가 발생하였으나, 본 발명은 전사층(130)을 소정 패턴으로 형성함으로써 접착력 인자를 줄임으로써 불량이 발생되지 않는다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 도너 기판을 이용한 유기 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 또한, 도 8은 본 발명이 적용되는 유기 발광 소자의 일 화소의 등가 회도도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 투명한 유리 또는 플라스틱 재질로 제작되는 기판(210) 상에 박막 트랜지스터(thin film transistor: TFT) 어레이(220), 제 1 전극(230), 뱅크 패턴(240), 정공 주입층(240) 및 정공 수송층(250)이 형성된 억셉터 기판(200)이 제공된다. TFT 어레이(220)는 도 8에 도시된 바와 같이 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT), 스토리지 캐패시터(Cst), 전원 전압 공급원(Vdd) 및 그라운드 전원 공급원(Vss)을 포함할 수 있다. 또한, 스위칭 TFT 및 구동 TFT(ST, DT)는 N형 MOSFET로 구현되거나 P형 MOSFET으로 구현될 수 있다. 도 8에 도시된 화소의 등가 회로는 2개의 박막 트랜지스터와 하나의 캐패시터로 이루어진 일 예로서, 본 발명의 TFT 어레이 구조가 이에 한정되는 것은 아니다. TFT 어레이(210)는 TFT 어레이를 외부 환경으로부터 보호하기 위한 패시베이션층(passivation layer), TFT들(ST, DT)로 인해 발생되는 단차를 없애기 위한 오버코트층, 오버코트층으로부터의 아웃 개싱(Out-Gasing)을 차폐하기 위한 버퍼층을 더 포함할 수 있다. 또한, TFT 어레이(220)가 형성된 억셉터 기판(200) 상에 제 1 전극(230)이 형성된다. 제 1 전극(230)은 도시되지 않은 버퍼층, 오버코트층 및 패시베이션층 등을 관통하여 구동 TFT(DT)의 일측 전극에 연결된다. 제 1 전극(230)은 구동 TFT(DT)와의 접속 구조에 따라 반사막을 갖는 애노드 전극 또는 캐소드 전극일 수 있다. 즉, 도 8에 도시된 바와 같이 제 1 전극(230)은 구동 TFT(DT)의 소스 전극(S)에 접속되는 애노드 전극일 수 있다. 그러나, 제 1 전극(230)은 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(D)에 접속되는 애노드 전극일 수도 있고, 제 1 전극(230)은 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(D)에 접속되는 캐소드 전극일 수도 있다. 제 1 전극(230)은 ITO 또는 IZO 등의 산화물을 포함하는 투명 도전체로서, 불투명 금속 재질을 갖는 반사막 상에서 화소 단위로 패터닝될 수 있다. 그리고, 뱅크 패턴(240)은 화소들 사이의 경계 영역에 형성되어 화소들의 개구 영역을 확정한다. 즉, 뱅크 패턴(240)은 소정 간격으로 형성된 제 1 전극(230) 사이에 형성된다. 또한, 뱅크 패턴(240)을 포함한 억셉터 기판(200)의 전체 상부에 예를 들어 열 증착(thermal evaporation) 방법을 이용하여 정공 주입층(250) 및 정공 수송층(260)이 형성된다.
도 6에 도시된 바와 같이, 지지층(110) 상에 광열 변환층(120) 및 전사층(130)이 적층된 도너 기판(100)이 마련된다. 여기서, 전사층(130)은 소정의 패턴으로 형성되는데, 예를 들어 일 화소 영역의 폭과 적어도 하나의 화소 영역의 간격으로 형성될 수 있다. 예컨데, 적색 발광층 물질로 전사층(130)을 형성하여 적색 도너 기판을 제작할 수 있고, 녹색 및 청색 발광층 물질을 각각 전사층(130)으로 형성하여 녹색 및 청색 도너 기판을 각각 형성할 수 있다. 이때, 전사층(130)은 일 화소 영역의 폭으로 형성되고, 두 화소 영역의 간격으로 형성될 수 있다. 한편, 도너 기판(100)은 억셉터 기판(200)의 크기와 동일하거나 클 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 소정 패턴의 전사층(130)이 형성된 도너 기판(100)과 제 1 전극(230) 및 정공 관련층(250, 260)이 형성된 억셉트 기판(200)을 얼라인 및 합착한다. 즉, 도너 기판(100)의 전사층(130)이 억셉트 기판(200)의 뱅크 패턴(240) 사이의 화소 영역에 대응되도록 얼라인한 후 합착한다. 이러한 얼라인 및 합착 과정은 수분 및 산소로부터 유기 발광 재료를 보호하기 위해 진공 또는 불활성 기체(Ar, N2 등) 분위기에서 이루어질 수 있다. 또한, 합착은 기계적 가압에 의해 이루어질 수도 있다. 이어서, 도너 기판(100) 상부로부터 레이저(300)를 조사하여 전사층(130)이 억셉트 기판(300)의 화소 영역에 전사되도록 한다. 이때, 레이저는 도너 기판(100)의 전체 영역에 동일한 에너지 밀도로 조사되며, 예를 들어 100㎚∼1700㎚의 파장으로 조사될 수 있다. 따라서, 도너 기판(100)의 전사층(130)이 억셉트 기판(200) 상에 전사되어 유기막 패턴, 즉 발광층(270)이 형성된다.
이후, 도너 기판(100)과 억셉터 기판(200)을 분리한 후 억셉터 기판(200) 상에 전자 수송층(미도시) 및 전자 주입층(미도시)을 형성하고 제 2 전극(미도시)을 형성할 수 있다.
한편, 상기 실시 예는 억셉터 기판(200) 상에 정공 주입층(250) 및 정공 수송층(260)을 형성한 후 도너 기판(100)의 전사층(130)을 전사하여 발광층(270)을 형성하였으나, 전사층(130)으로 정공 주입층 물질, 정공 수송층 물질 및 발광층 물질을 적층하여 전사층(130)을 전사함으로써 정공 주입층(250), 정공 수송층(260) 및 발광층(270)을 형성할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
110 : 지지층 120 : 광열 변환층
130 : 전사층 140 : 중간층
150 : 버퍼층

Claims (12)

  1. 지지층:
    상기 지지층 상에 형성된 광열 변환층; 및
    상기 광열 변환층 상에 소정의 패턴으로 형성된 전사층을 포함하는 도너 기판.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 지지층은 광 투과도가 85% 이상의 유리 또는 필름으로 형성된 도너 기판.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 전사층은 적어도 일 화소 전극의 폭과 적어도 상기 일 화소 전극 사이의 간격으로 형성된 도너 기판.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 광열 변환층은 상기 전사층과 동일 패턴으로 형성된 도너 기판.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 광열 변환층과 상기 전사층 사이에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 도너 기판.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 전사층은 적어도 하나의 유기막으로 형성된 도너 기판.
  7. 지지층 상에 광열 변환층 및 소정 패턴의 전사층이 형성된 도너 기판이 마련되는 단계;
    기판 상의 소정 영역에 복수의 전극이 소정 간격으로 형성된 억셉터 기판이 마련되는 단계;
    상기 도너 기판의 상기 전사층과 상기 억셉터 기판의 상기 전극이 마주보도록 얼라인하는 단계; 및
    상기 도너 기판 상으로 광을 조사하여 상기 전사층이 상기 전극 상으로 전사되도록 하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 전극은 복수의 화소 영역에 각각 형성되며, 인접한 상기 화소 영역 사이에 소정 간격 이격되어 형성된 유기 발광 소자의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 전사층은 적어도 일 화소 전극의 폭과 적어도 상기 일 화소 전극 사이의 간격으로 형성된 유기 발광 소자의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 광열 변환층은 상기 전사층과 동일 패턴으로 형성된 유기 발광 소자의 제조 방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 전사층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 각각 형성하기 위한 물질의 적어도 하나로 형성된 유기 발광 소자의 제조 방법.
  12. 제 7 항에 있어서, 상기 광은 상기 도너 기판 상에 전체적으로 균일한 에너지 밀도로 조사되는 유기 발광 소자의 제조 방법.
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