具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型,而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。
本实用新型实施例提供了一种转移设备。图1为本实用新型实施例提供的一种转移设备的立体结构示意图,图2为沿图1中A-A的剖面结构示意图。参见图1和图2,转移设备包括:转移基板100和驱动阵列基板200。转移基板100与目标基板300相对设置,转移基板100靠近目标基板300的表面101用于放置待转移的部件(例如,芯片110),且待转移的部件呈阵列排布。即,在待转移的部件的转移过程中,需要先将呈阵列排布的待转移的部件放置在转移基板100靠近目标基板300的表面101。驱动阵列基板200上设置有驱动执行部210,驱动执行部210呈阵列排布,且驱动执行部210用于驱动对应的待转移的部件从转移基板100分离,转移至目标基板300。
其中,待转移的部件是指需要进行大批量转移的部件,例如尺寸在1um-5mm范围内的部件。示例性地,待转移的部件包括芯片、其他电路或半导体器件、用于转移的辅助部件等。下面以待转移的部件为芯片为例进行说明,但不作为对本发明的限定。芯片110例如可以是发光器件芯片,具体地,芯片110可以是Micro LED芯片或MINI LED芯片,对大批量的发光器件芯片110进行转移,最终可以形成显示装置。转移基板100又可以称作过渡承载板或临时承载板,用于按照待转移的芯片尺寸对芯片110进行预先排列。一般而言,转移基板100上所放置的芯片110的位置和方向可以是不精确的,甚至是杂乱无章的。目标基板300又可以称作目标承载板,即芯片110的转移目标位置是目标承载板上的位置。驱动阵列基板200是指设置有呈阵列排布的驱动执行部210(即驱动阵列)的基板。驱动阵列基板200可以位于转移基板100远离目标基板300的一侧(如图1和图2所示);也可以位于转移基板100的另一侧,在实际应用中可以根据需要进行设定。采用本实用新型实施例提供的转移设备,能够使转移到目标承载板上的芯片110的位置精度高于转移基板100上的芯片位置精度。可选地,转移基板100、目标基板300和驱动阵列基板200上均设置有高精度的对位标记(Mark),以实现各基板的准确对位,从而有利于提高芯片110的转移精度,例如,对位标记的精度范围可以为1μm~5mm。
示例性地,采用该转移设备进行芯片转移的方法为:提供目标基板300;提供转移基板100,在转移基板100的一侧101设置呈阵列排布的待转移的芯片110,并将转移基板100与目标基板300对位;提供驱动阵列基板200,将驱动阵列基板200放置于转移基板100远离目标基板300的一侧,与目标基板300对位并保持相对静止;驱动至少部分驱动执行部210,以使对应的芯片110从转移基板100分离,转移到目标基板300上(打件)。其中,被转移的芯片110满足转移精度。与驱动执行部210对应的芯片110是指在转移基板100对位完成后,与驱动执行部210正对的芯片110,例如,图1中从左数第一个驱动执行部210与从左数第一个芯片110对应;若此时从左数第一个芯片110满足转移精度,驱动执行部210能够驱动该芯片110从转移基板100分离,转移到目标基板300上。
由此可见,本实用新型实施例通过在转移设备中设置驱动阵列基板200,并在驱动阵列基板200上设置驱动执行部210,以驱动对应的芯片110从转移基板100分离。这样设置,可以在一次转移的过程中,仅转移满足转移精度的芯片110,其他不满足转移精度的芯片110可以经过再次对位进行转移。与现有的大批量转移技术相比,本实用新型实施例实现了对待转移的芯片110的准确控制和转移,从而提高了转移精度和转移良率。
在本实用新型实施例中,驱动执行部210的设置方式有多种,只要能驱动芯片110从转移基板100上分离的实施方式均在本实用新型的保护范围内。下面就其中的几种进行说明,但不作为对本实用新型的限定。
继续参见图1和图2,在本实用新型的一种实施方式中,可选地,驱动执行部210包括驱动电路211和能量触发部件212;驱动电路211包括开关器件,开关器件用于响应控制信号而导通,将驱动信号传输至能量触发部件212;能量触发部件212响应驱动信号,产生能量触发,以驱动对应的芯片110从转移基板100分离。
其中,开关器件包括三极管或场效应管等半导体器件。图3为本实用新型实施例提供的一种场效应管的结构示意图。参见图3,在本实用新型的一种实施方式中,可选地,场效应管包括门极Gate、源极Source和漏极Drain,示例性地,门极Gate接入控制信号,源极Source接入驱动信号,漏极Drain与能量触发部件212连接。当场效应管的门极Gate接收到控制信号时,源极Source和漏极Drain导通,将驱动信号传输至能量触发部件212。开关器件可以是单独设置的三极管或场效应管,也可以是半导体器件的组合,例如互补金属氧化物半导体(CMOS)等,在实际需求中可以根据需要进行设置。开关器件的制作形态可以为薄膜晶体管(TFT),以减薄驱动阵列基板200的厚度,减小转移设备的尺寸。示例性地,薄膜晶体管或场效应管阵列可以利用半导体制程直接在驱动阵列基板200的衬底上制作。
能量触发部件212包括电磁器件、热源器件、光器件、机械器件和化学器件和静电器件中的至少一种。其中,电磁器件例如可以是电磁线圈,在驱动信号的驱动下可以产生电磁变化;相应地,可以设置芯片110自身存在磁力,在电磁变化时,能够从转移基板100分离。热源器件例如可以是电阻丝,在驱动信号的驱动可以产生热能变化;相应地,可以设置芯片110与转移基板100通过熔点较低的粘结胶粘合在一起,在温度升高后,粘结胶熔化,芯片110能够从转移基板100分离。光器件例如可以是激光源,在驱动信号的驱动下可以产生激光;相应地,可以设置芯片110与转移基板100通过光激发性物质与转移基板100固定,在受到激光照射后,光激发性物质发生物质状态变化而释放芯片110。机械器件例如可以是超声波发生器件、记忆金属或压电陶瓷等,在驱动信号的驱动下可以发生形变;相应地,芯片110在外力作用下与转移基板100分离。化学器件例如可以是电化学器件,在驱动信号的驱动下,电化学器件发生化学变化,从而产生热能变化或物质状态变化等。能量触发部件212可以包括上述器件中的一种、两种或多种,本领域技术人员可以理解,若能量触发部件212包括上述器件中的两种或多种,需要相应地设置两种或多种驱动电路。
由此可见,本实用新型实施例设置驱动执行部210包括驱动电路211和与驱动电路211一一对应的能量触发部件212,通过驱动电路211来驱动相应的能量触发部件212工作,进而驱使相应的芯片110与转移基板100分离,进一步提升了芯片110定位精度和转移精度。
示例性地,可以采用半导体制程将能量触发部件212直接制作在驱动阵列基板200上;也可以单独制作能量触发部件212,然后通过键合或者导电介质方式将能量触发部件212和驱动阵列基板200连接。
在上述各实施例中,可以设置芯片110自身在能量触发部件212的作用下与转移基板100分离,还可以设置辅助部在能量触发部件212的作用下发生能量变化,下面进行具体说明。
图4为本实用新型实施例提供的一种转移基板和辅助部连接的结构示意图。参见图4,在本实用新型的一种实施方式中,可选地,辅助部120设置于所述转移基板100靠近所述目标基板300的表面101;辅助部120与芯片110一一对应,用于夹持芯片110,以及辅助部120在能量触发部件212的作用下释放芯片110。示例性地,若能量触发部件212为电磁器件,在驱动信号的驱动下可以产生电磁变化;相应地,辅助部120存在磁力,与转移基板100贴合,并能够夹持芯片110使芯片110与转移基板100贴合;在电磁变化时,辅助部120从转移基板100分离,进而使得芯片110从基板分离。若能量触发部件212为热源器件,在驱动信号的驱动可以产生热能变化;相应地,辅助部120与转移基板100通过熔点较低的粘结胶粘合在一起,并能够夹持芯片110使芯片110与转移基板100贴合;在温度升高后,粘结胶熔化,辅助部120从转移基板100分离,进而使得芯片110从转移基板100分离。或者,能量触发部件212为热源器件,在驱动信号的驱动可以产生热能变化;相应地,辅助部120为热熔物质,且与转移基板100固定,并能够夹持芯片110使芯片110与转移基板100贴合;在温度升高后,辅助部120熔化,从而释放芯片110使得芯片110从转移基板100分离。若能量触发部件212为光器件,在驱动信号的驱动下可以产生激光;相应地,辅助部120与转移基板100通过光激发性物质与转移基板100固定,并能够夹持芯片110使芯片110与转移基板100贴合;在受到激光照射后,光激发性物质发生物质状态变化,辅助部120从转移基板100分离,进而使得芯片110从转移基板100分离。或者,能量触发部件212为发光器件,在驱动信号的驱动下可以产生激光;相应地,辅助部120为光激发性物质,且与转移基板100固定,并能够夹持芯片110使芯片110与转移基板100贴合;在受到激光照射后,辅助部120发生物质状态变化,从而释放芯片110使得芯片110从转移基板100分离。
在上述各实施例的基础上,可选的,辅助部120还可以作为对位标记,协助完成芯片110与目标基板300的对位,以提高芯片110的对位精度。
需要说明的是,夹持芯片110的辅助部120可以在最终产品上保留或者去除,在实际应用中可以根据需要进行设定。
图5为本实用新型实施例提供的另一种转移基板和辅助部连接的结构示意图。参见图5,在本实用新型的一种实施方式中,可选地,辅助部120设置于所述转移基板100靠近所述目标基板300的表面101;辅助部120与芯片110一一对应,设置于芯片110和转移基板100之间;辅助部120用于在能量触发部件212的作用下与转移基板100分离,以释放芯片110。示例性地,芯片110与辅助部120通过锡膏或导电粘结剂等粘接在一起。
示例性地,若能量触发部件212为电磁器件,在驱动信号的驱动下可以产生电磁变化;相应地,辅助部120存在磁力,与转移基板100贴合;在电磁变化时,辅助部120从转移基板100分离,进而使得芯片110从基板分离。若能量触发部件212为热源器件,在驱动信号的驱动可以产生热能变化;相应地,辅助部120与转移基板100通过熔点较低的粘结胶粘合在一起;在温度升高后,粘结胶熔化,辅助部120从转移基板100分离,进而使得芯片110从转移基板100分离。若能量触发部件212为光器件,在驱动信号的驱动下可以产生激光;相应地,辅助部120与转移基板100通过光激发性物质与转移基板100固定;在受到激光照射后,光激发性物质发生物质状态变化,辅助部120从转移基板100分离,进而使得芯片110从转移基板100分离。
图6为本实用新型实施例提供的一种驱动阵列基板的结构示意图。参见图6,在本实用新型的一种实施方式中,可选地,驱动阵列基板200为主动式驱动阵列,驱动阵列基板200还包括门极选通模块220和源极选通模块230。门极选通模块220与驱动阵列基板200上的开关器件(驱动电路211)连接;门极选通模块220用于逐行导通开关器件,或者用于同时导通至少部分行的开关器件。源极选通模块230与驱动阵列基板200上的开关器件连接;源极选通模块230用于同时通过开关器件向至少部分列的能量触发部件212发送驱动信号。
其中,门极选通模块220的驱动方式为逐行导通开关器件,还是同时导通至少部分行的开关器件,可以根据实际需要进行选择。源极选通模块230的驱动方式为同时通过开关器件向部分列的能量触发部件212发送驱动信号,还是向全部列的能量触发部件212发送驱动信号,可以根据实际需要进行选择。
示例性地,可以采用行/列扫描的方式对驱动阵列基板200上的驱动执行部210进行扫描,此时,门极选通模块220逐行控制开关器件的导通和断开,同时,该时序下,对应列的驱动信号由源极选通模块230输出,连接对应开关器件的源极写入,从而驱动能量触发部件212执行打件动作,使对应的芯片110进行转移动作。例如,位于第一行第一列、第二行第二列、第三行第三列、第四行第四列、第五行第五列和第六行第六列的芯片110符合转移精度,当门极选通模块220扫描第一行开关器件时,源极选通模块230向第一列的开关器件写入驱动信号;当门极选通模块220扫描第二行开关器件时,源极选通模块230向第二列的开关器件写入驱动信号;……以此类推,直至门极选通模块220扫描至第六行开关器件,源极选通模块230向第六列的开关器件写入驱动信号。
示例性地,还可以采用面扫描的方式对驱动阵列基板200上的驱动执行部210进行扫描,此时,门极选通模块220同时控制多行开关器件的导通和断开,同时,该时序下,对应列的驱动信号由源极选通模块230输出,连接对应开关器件的源极写入,从而驱动能量触发部件212执行打件动作,使对应的芯片110进行转移动作。例如,位于第一行的前三列、第二行的前三列、第三行的前三列和第四行的前三列的芯片110符合转移精度,门极选通模块220同时扫描前四行的开关器件,且源极选通模块230同时向前三列的开关器件写入驱动信号。
本实用新型实施例采用主动式驱动阵列,可以实现行/列扫描或面扫描的扫描方式,使得扫描打件得以快速执行,提高了转移效率、稳定性,以及简化了操作难度。
需要说明的是,图6中示例性地示出了,行沿第一方向X延伸,列沿第二方向Y延伸,第一方向X和第二方向Y交叉。这并非对本实用新型的限定,在其他实施例中,还可以使行、列方向对调,例如,行沿第二方向Y延伸,列沿第一方向X延伸。
图7为本实用新型实施例提供的另一种转移设备的结构示意图。参见图7,在本实用新型的一种实施方式中,可选地,转移设备还包括光学测量装置400、数据处理装置500和阵列驱动装置600。光学测量装置400用于测量转移基板100或目标基板300包含的信息;数据处理装置500与光学测量装置400连接;数据处理装置500用于根据光学测量装置400测量的信息,确定转移基板100上需要转移的芯片110的数量和位置;阵列驱动装置600,与数据处理装置500连接;阵列驱动装置600用于根据需要转移的芯片110的数量和位置,驱动对应的驱动执行部210工作。
其中,光学测量装置400例如可以是自动光学检测装置(AOI),或者是X射线(XRay)测量装置。测量的转移基板100的信息例如可以是转移基板100上的芯片110的位置、转移基板100上芯片110的形状、转移基板100上芯片110的裂纹、转移基板100上芯片110的方向、转移基板100上的对位标记位置、转移基板100上的对位标记形状、转移基板100上的对位标记方向、转移基板100上的芯片110的位置、转移基板100上的芯片形状、转移基板100上的芯片裂纹或转移基板100上的芯片110方向等。测量的目标基板300的位置信息例如可以是目标基板300上的对位标记位置、目标基板300上的对位标记形状、目标基板300上的对位标记方向、目标基板300上的焊盘位置、目标基板300上的焊盘形状或目标基板300上的焊盘方向等。因此,光学测量装置400检测到的对位标记可以是一个对位点,也可以是对位点阵列。光学测量装置400检测的信息可以用来进行对位,也可以用来确定芯片110是否满足对位要求。
数据处理装置500例如可以是微处理器、单片机或数字信号处理器(DSP)等具备数据处理功能的芯片110。具体地,数据处理装置500能够对转移基板100上芯片110的位置、转移基板100上的对位标记位置、转移基板100上的对位标记形状或转移基板100上的对位标记方向等位置信息进行处理和计算,能够得到转移基板100的位置,以及转移基板100上各芯片110的位置。以及,数据处理装置500能够对目标基板300上的对位标记位置、目标基板300上的对位标记形状、目标基板300上的对位标记方向、目标基板300上的焊盘位置、目标基板300上的焊盘形状或目标基板300上的焊盘方向等进行处理和计算,能够得到目标基板300的位置,以及目标基板300上各芯片110需要精确放置的位置。数据处理装置500能够对转移基板100上的芯片形状或转移基板100上的芯片裂纹等进行处理和计算,从而得到不良芯片110的数量和位置。数据处理装置500结合以上信息,确定转移基板100和目标基板300是否对位,以及确定各芯片110是否满足转移精度,从而确定转移基板100上需要转移的芯片110的数量和位置。
阵列驱动装置600例如可以是时序控制器等芯片,阵列驱动装置600根据需要转移的芯片110的数量和位置,生成时序控制信号等信号,以确定门极选通模块220和源极选通模块230的驱动方式,从而驱动对应的驱动执行部210工作,进行打件。在其他实施方式中,还可以设置阵列驱动装置600能够根据待转移芯片110的大小,控制源极选通模块230生成驱动信号的大小,以提升芯片110转移的稳定性和可靠性。其中,阵列驱动装置600可以设置于驱动阵列基板200上,也可以独立设置于驱动阵列基板200之外,在实际应用中可以根据需要进行设定。
需要说明的是,在上述各实施例中,数据处理装置500和阵列驱动装置600可以是分开设置的芯片110,也可以集成在同一芯片110中,在实际应用中可以根据需要进行设定。
还需要说明的是,在上述各实施例中,示例性地示出了采用光学检测装置来检测目标基板300和转移基板100的位置,并非对本实用新型的限定。在其他实施例中,还可以不设置光学检测装置,需要转移的芯片110的数量和位置还可以是预先存储的,在实际应用中可以根据需要进行设定。
图8为本实用新型实施例提供的又一种转移设备的结构示意图。参见图8,转移设备还包括运动装置700,运动装置700用于驱动转移基板100运动,以使转移基板100与目标基板300进行对位。示例性地,驱动阵列基板200和目标基板300保持静止,且对位准确,只需通过运动装置700调整转移基板100的位置即可。本实用新型实施例设置只有转移基板100进行位移对位,有利于降低转移设备的制作成本。
图9为本实用新型实施例提供的又一种转移设备的结构示意图。参见图9,转移设备包括运动装置700,运动装置700用于控制驱动阵列基板200、转移基板100和目标基板300进行位移。其中,运动装置700例如可以是机械臂等能够控制基板进行位移的装置。示例性地,运动装置700能够驱动阵列基板200和目标基板300保持相对静止,转移基板100与目标基板300在位移过程中进行对位。例如,通过计算运动提前量来进行动态打件,从而有利于进一步提升转移精度。
继续参见图9,在上述各实施例中,可选地,目标基板300为另一个转移基板100、背光驱动背板或显示驱动背板。其中,若目标基板300为另一个转移基板100,可以重复多次芯片110转移的动作,且每进行一次转移,芯片110的精度更高。这样,每次转移动作可以有更多数量的芯片110满足转移精度,从而有利于提升转移效率。目标基板300例如可以为玻璃基板或石英基板等,有利于提升目标基板300的尺寸稳定性、热稳定性和化学稳定性,从而提升转移精度。
若目标基板300为背光驱动背板,此时,芯片110为背光芯片,在将芯片110全部转移到背光驱动背板之后,还需要采用热压、UV固化和回流焊等方式将芯片110与背光驱动背板上的焊盘焊接,以形成显示装置中的背光源。若目标基板300为显示驱动背板,此时,芯片110为显示芯片,在将芯片110全部转移到显示驱动背板之后,还需要采用热压、UV固化和回流焊等方式将芯片110与显示驱动背板上的焊盘焊接,以形成显示装置中的像素。其中,背光驱动背板或显示驱动背板等驱动背板上设置有驱动线路,当转移基板100与驱动背板进行对位转移时,转移基板100和驱动背板还可以起到支撑、保护芯片110,保护驱动背板上的线路的作用。驱动背板例如可以采用聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等柔性材料做衬底,以实现柔性显示。驱动背板中的电路膜层可以采用有机薄膜晶体管(OTFT)或有机场效应管(OMOS)等。驱动背板可以为玻璃基板或石英基板上刻有驱动线路、或者为柔性印刷电路板(FPC)、印刷电路板(PCB)等。
需要说明的是,在上述各实施例中,示例性地示出了,驱动阵列基板200的驱动执行部210的排布密度与目标基板300的芯片110排布密度相同,即驱动执行部210与芯片110一一对应,这并非对本实用新型的限定。在其他实施方式中,还可以设置驱动阵列基板200的驱动执行部210的排布密度与目标基板300的芯片110排布密度不同。图10为本实用新型实施例提供的又一种转移设备的结构示意图。参见图10,可选地,驱动阵列基板200的驱动执行部210的排布密度为目标基板300的芯片110排布密度的1/n,n为正整数,这样设置,减少了驱动执行部210的设置数量,从而有利于降低制作成本。图10中示例性地示出了n=2的情况,这样,可以在一次转移的过程中,转移1/2数量的芯片110,在下一次转移的过程中,转移剩下的1/2数量的芯片110。
综上所述,本实用新型实施例通过在转移设备中设置驱动阵列基板200,并在驱动阵列基板200上设置驱动执行部210,以驱动对应的芯片110从转移基板100分离。这样设置,可以在一次转移的过程中,仅转移满足转移精度的芯片110,其他不满足转移精度的芯片110可以经过再次对位进行转移。与现有的大批量转移技术相比,本实用新型实施例实现了对待转移的芯片110的准确控制和转移,从而提高了转移精度和转移良率。进一步地,通过采用主动式驱动阵列,可以实现行/列扫描或面扫描,从而提升了大批量转移的效率。进一步地,通过设置光学测量装置400,可以提升对位精度,从而进一步提升了转移精度。进一步地,通过设置运动装置700,可以使得驱动阵列基板200和目标基板300保持相对静止,转移基板100与目标基板300进行对位,使得转移基板100和目标基板300能够在位移过程中进行对位,进一步提升了转移精度。
下面对采用本实用新型实施例提供的转移设备的转移方法进行说明。图11为本实用新型实施例提供的一种转移方法的流程示意图,图12为本实用新型实施例提供的一种转移方法在各步骤中的示意图。参见图11和图12,转移方法包括以下步骤:
S110、提供目标基板300。
其中,目标基板300又可以称作目标承载板,即芯片110的转移目标位置是目标基板300上的位置。
S120、提供转移基板100,将转移基板100与目标基板300对位;转移基板100的一侧101设置有待转移的芯片110,且芯片110呈阵列排布。
其中,转移基板100又可以称作过渡承载板或临时承载板,用于按照待转移的芯片110尺寸对芯片110进行预先排列。一般而言,转移基板100上所放置的芯片110的位置和方向可以是不精确的,甚至是杂乱无章的。
S130、提供驱动阵列基板200,将驱动阵列基板200放置于转移基板100远离目标基板300的一侧,与目标基板300对位并保持相对静止。
其中,驱动阵列基板200上设置有驱动执行部210,驱动执行部210呈阵列排布,例如,驱动执行部210与芯片110一一对应。可选地,驱动执行部210包括驱动电路211和能量触发部件212;驱动电路211包括开关器件,开关器件用于响应控制信号而导通,将驱动信号传输至能量触发部件212;能量触发部件212响应驱动信号,产生能量触发,以驱动对应的芯片110从转移基板100分离。开关器件包括三极管或场效应管等半导体器件,能量触发部件212包括电磁器件、热源器件、光器件、机械器件和化学器件和静电器件中的至少一种。
可选地,驱动阵列基板200与目标基板300同步位移,保持相对静止,这样,转移基板100与目标基板300在位移过程中进行对位。例如,通过计算运动提前量来进行动态打件,从而有利于进一步提升转移精度。或者,驱动阵列基板200与目标基板300均静止,两者保持绝对静止。
S140、驱动全部驱动执行部210,以使对应的芯片110从转移基板100分离,转移到目标基板300上。
其中,由于全部芯片110均满足转移精度,因此,将全部芯片110转移到目标基板300上。可选地,确定转移基板100上的芯片位置是否满足转移要求的方法是:将转移基板100上的芯片位置和目标基板300上的预设位置或芯片焊脚的位置进行比较(例如作差),判断两位置是否完全重叠或部分重叠,若完全重叠,则满足转移要求;若部分重叠,则将重叠最小区域与设定阈值进行比较,确定是否在满足阈值要求。
需要说明的是,在上述实施例中,S120和S130的执行顺序可以互换。
在S110-S140中,通过驱动全部驱动执行部210,实现了一次性将转移基板100上的所有芯片110进行转移,这并非对本实用新型的限定。在其他实施例中,还可以设置通过驱动部分驱动执行部210,实现在至少两次芯片110转移(打件)步骤中对转移基板100上的所有芯片110进行转移。图13为本实用新型实施例提供的另一种转移方法在各步骤中的示意图。参见图13,转移方法包括以下步骤:
S210、提供目标基板300。
S220、提供转移基板100,将转移基板100与目标基板300对位;转移基板100的一侧设置有待转移的芯片110,且芯片110呈阵列排布。
其中,示例性地,转移基板100与目标基板300对位后平行设置,为了清楚表示芯片110被转移的数量,图13中示出了转移基板100与目标基板300的视角不同。
S230、提供驱动阵列基板200,将驱动阵列基板200放置于转移基板100远离目标基板300的一侧。
S240、驱动部分驱动执行部210,以使对应的芯片110从转移基板100分离,转移到目标基板300上。
其中,转移基板100上只有部分芯片110满足转移精度,通过对应的驱动执行部210,将满足转移精度的这些芯片110进行转移,完成第一次打件动作。
S250、将转移基板100与目标基板300再次对位,驱动剩余驱动执行部210,以使对应的芯片110从转移基板100分离,转移到目标基板300上。
其中,将转移基板100与目标基板300再次对位,以使剩余的芯片110能够满足对位精度。示例性地,剩余的全部芯片110满足转移精度,通过对应的驱动执行部210,将剩余的全部芯片110进行转移,完成第二次打件动作。
图12和图13中示例性地示出了采用一次、两次打件动作即可将全部的芯片110由转移基板100上转移到目标基板300上,并非对本实用新型的限定,在实际应用中,可以根据需要设定一次转移过程中的打件次数。
由上述步骤可以看出,本实用新型实施例通过采用驱动阵列基板200上的驱动执行部210进行打件动作,使得对应的芯片110从转移基板100分离。这样设置,可以在一次转移的过程中,仅转移满足转移精度的芯片110,其他不满足转移精度的芯片110可以经过再次对位进行转移。与现有的大批量转移技术相比,本实用新型实施例实现了对待转移的芯片110的准确控制和转移,从而提高了转移精度和转移良率。
在上述各实施例中,在S140、S240和S250中,确定需要驱动的驱动执行部210采用的方法有多种,下面就其中的几种进行说明。
在本实用新型的一种实施方式中,可选地,确定需要驱动的驱动执行部210采用的方法包括以下步骤:
首先,采用光学测量装置对转移基板100和目标基板300的位置进行测量,得到转移信息。
其中,光学测量装置例如可以是自动光学检测装置(AOI),或者是X射线(X Ray)测量装置。转移信息包括以下至少一种:转移基板100上的芯片110的位置、转移基板100上的芯片形状、转移基板100上的芯片裂纹、转移基板100上的芯片110方向、转移基板100上的对位标记位置、转移基板100上的对位标记形状、转移基板100上的对位标记方向;目标基板300上的对位标记位置、目标基板300上的对位标记形状、目标基板300上的对位标记方向、目标基板300上的焊盘位置、目标基板300上的焊盘形状和目标基板300上的焊盘方向。
然后,数据处理装置根据转移信息进行处理,确定转移基板100上的芯片位置是否满足转移精度,得到数量信息和位置信息。
其中,数据处理装置例如可以是微处理器、单片机或数字信号处理器(DSP)等具备数据处理功能的芯片110。具体地,数据处理装置能够对转移基板100上的芯片110的位置、转移基板100上的对位标记位置、转移基板100上的对位标记形状或转移基板100上的对位标记方向等位置信息进行处理和计算,能够得到转移基板100的位置,以及转移基板100上各芯片110的位置。以及,数据处理装置能够对目标基板300上的对位标记位置、目标基板300上的对位标记形状、目标基板300上的对位标记方向、目标基板300上的焊盘位置、目标基板300上的焊盘形状或目标基板300上的焊盘方向等进行处理和计算,能够得到目标基板300的位置,以及目标基板300上各芯片110需要精确放置的位置。数据处理装置能够对转移基板100上的芯片形状或转移基板100上的芯片裂纹等进行处理和计算,从而得到不良芯片110的数量和位置。数据处理装置结合以上信息,确定转移基板100和目标基板300是否对位,以及确定各芯片110是否满足转移精度,从而确定转移基板100上需要转移的芯片110的数量和位置。
最后,阵列驱动装置根据数量信息和位置信息,驱动对应的驱动执行部210工作。
其中,示例性地,驱动阵列基板200采用主动式驱动阵列,包括门极选通模块和源极选通模块。阵列驱动装置例如可以是时序控制器等芯片,阵列驱动装置根据需要转移的芯片110的数量和位置,生成时序控制信号等信号,以确定门极选通模块和源极选通模块的驱动方式,可以实现行/列扫描或面扫描的扫描方式,驱动对应的驱动执行部210工作,使得扫描打件得以快速执行,提高了转移效率、稳定性,以及简化了操作难度。
在本实用新型的另一种实施方式中,可选地,确定需要驱动的驱动执行部210采用的方法包括以下步骤:
首先,获取预先存储的需要转移的芯片数量信息和位置信息。
然后,阵列驱动装置根据数量信息和位置信息,驱动对应的驱动执行部210工作。其中,阵列驱动装置的驱动方式与前述实施例类似,不再赘述。
在上述各实施例中,可选地,转移芯片110的步骤执行一次,即目标基板300为驱动背板。其中,驱动背板可以是背光驱动背板或显示驱动背板,若目标基板300为背光驱动背板,此时,芯片110为背光芯片,在将芯片110全部转移到背光驱动背板之后,还需要采用热压、UV固化和回流焊等方式将芯片110与背光驱动背板上的焊盘焊接,以形成显示装置中的背光源。若目标基板300为显示驱动背板,此时,芯片110为显示芯片,在将芯片110全部转移到显示驱动背板之后,还需要采用热压、UV固化和回流焊等方式将芯片110与显示驱动背板上的焊盘焊接,以形成显示装置中的像素。
在上述各实施例中,可选地,转移芯片110的步骤重复执行至少两次,在后执行的步骤中的转移精度高于在先执行的步骤中的转移精度;其中,在转移到驱动背板之前,目标基板300为另一个转移基板100。具体地,图14为本实用新型实施例提供的又一种转移方法在各步骤中的示意图。参见图14,转移方法包括以下步骤:
S300、目标基板300为另一个转移基板,将满足第一转移精度的芯片110由一个转移基板100转移至另一个转移基板(目标基板300)。
S400、目标基板300为驱动背板,将S300中的目标基板300作为转移基板100,并将满足第二转移精度的芯片110由转移基板100转移至驱动背板。其中,第二转移精度高于第一转移精度。
本实用新型实施例将所有的芯片110转移至少两次,且在后执行的转移步骤的转移精度高于在先执行的步骤中的转移精度,有利于在一次打件的过程中,转移更多数量的芯片110,从而有利于减少打件的总次数,以提升大批量转移的精度。
需要说明的是,在上述各实施例中,示例性地示出了,在驱动阵列基板200的驱动执行部210的排布密度与目标基板300的芯片110排布密度相同,即驱动执行部210与芯片110一一对应的情况下的转移方法,这并非对本实用新型的限定。在其他实施方式中,还可以设置驱动阵列基板200的驱动执行部210的排布密度与目标基板300的芯片110排布密度不同,这样设置,减少了驱动执行部210的设置数量,从而有利于降低制作成本。在这种情况下,图15为本实用新型实施例提供的又一种转移方法在各步骤中的示意图。参见图15,在本实用新型的一种实施方式中,示例性地,驱动阵列基板200的驱动执行部210的排布密度为目标基板300的芯片110排布密度的1/n,n为正整数。以n=2为例,转移方法包括以下步骤:
S510、将驱动阵列基板200与目标基板300进行首次对位。
其中,驱动阵列基板200上的驱动执行部210对应目标基板300上一半的芯片位置。
S520、在驱动执行部210的作用下,将其对应的满足转移精度的芯片110由转移基板100转移至目标基板300。
S530、将驱动阵列基板200与目标基板300进行二次对位。
其中,驱动阵列基板200上的驱动执行部210对应目标基板300上剩下一半的芯片位置。
S540、在驱动执行部210的作用下,将剩余的满足转移精度的芯片110由转移基板100转移至目标基板300。
通过S510-S540,完成了全部芯片110的转移,且与驱动执行部210与芯片110一一对应的情况下的转移精度相同。
综上所述,本实用新型实施例提供的转移方法,通过采用不同的目标基板300,可以对转移基板100上的芯片110进行一次大批量转移,也可以进行多次大批量转移;每一次的大批量转移,可以一次打件完成,也可以分为多次进行对位打件,转移精度和转移效率均较高。
本实用新型实施例还提供了一种显示装置,该显示装置可以是装配有Mini LED背光源的LCD显示装置、装配有Micro LED背光源的LCD显示装置、Mini LED显示装置或MicroLED显示装置。显示装置包括:驱动背板和设置于驱动背板上的显示芯片(例如,Mini LED芯片或Micro LED芯片),其中,显示芯片采用如本实用新型任意实施例所提供的转移设备转移至驱动背板上。
其中,驱动背板例如可以采用聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等柔性材料做衬底,以实现柔性显示。驱动背板中的电路膜层可以采用有机薄膜晶体管(OTFT)或有机场效应管(OMOS)等。驱动背板可以为玻璃基板或石英基板上刻有驱动线路、或者为柔性印刷电路板(FPC)、印刷电路板(PCB)等。
注意,上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本实用新型不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明,但是本实用新型不仅仅限于以上实施例,在不脱离本实用新型构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。