JP2004349543A - 積層体の剥離方法、薄膜装置の製造法、薄膜装置、電子機器 - Google Patents
積層体の剥離方法、薄膜装置の製造法、薄膜装置、電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004349543A JP2004349543A JP2003146178A JP2003146178A JP2004349543A JP 2004349543 A JP2004349543 A JP 2004349543A JP 2003146178 A JP2003146178 A JP 2003146178A JP 2003146178 A JP2003146178 A JP 2003146178A JP 2004349543 A JP2004349543 A JP 2004349543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- irradiation
- laser
- layer
- release layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【解決手段】基板(1)上に剥離層(2)を介して複数の膜を積層して積層体(4)を形成する工程(図1)と、上記剥離層に光を照射して該剥離層の結合力を減少させる工程と、上記積層体から上記基板を剥離する工程(図2)と、を含む基板の剥離方法において、上記剥離層への光照射を、矩形状または有限の幅を持つライン状の各照射領域の外周部同士を互いに重ね合わせてレーザ照射を繰り返すことによって行い、当該外周部がレーザ強度プロファイルの立上がり部又は立下がり部で2回以上照射される(図5)。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜積層体の剥離方法、特に、第1の基板に形成した微細構造体や薄膜回路のような積層体を剥離し、これを第2の基板に転写する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
出願人は高温半導体プロセスを含む半導体製造技術によって一定の電気的あるいは機械的役割を果たす機能性薄膜や薄膜回路層等の積層体を第1の基板上に剥離層を介して製造した後、この剥離層を破壊して該基板から積層体を第2の基板等に貼り付けることによって薄膜装置や電気光学装置を製造する転写技術を提案している。例えば、特開平10−125929号公報、特開平10−125930号公報、特開平10−125931号公報に剥離転写技術が紹介されている。
【0003】
このような剥離転写技術を使用して、例えば、高温プロセスで製造した薄膜トランジスタ等の薄膜回路層をプラスチック基板に転写することによって高性能の薄膜表示装置をより安価に製造することが可能となった。
【0004】
【特許文献1】
特開平10−125929号公報
【特許文献2】
特開平10−125930号公報
【特許文献3】
特開平10−125931号公報
【発明が解決しようとする課題】
上述した剥離転写技術では、耐熱性の第1の基板上に剥離層(あるいは分離層)を介して微細構造体や薄膜回路なとの積層体を形成する。これを第2の基板に貼り付けた後に剥離層にエネルギを付与して界面剥離または層内剥離を生ぜしめ、第1の基板を分離して積層体を第2の基板側に移動する。上記剥離層に対するエネルギの付与に際しては、レーザ照射によって所要の剥離層の溶融・再結晶化、あるいはアブレーションを生ぜしめている。
【0005】
上記積層体の被転写領域の面積が、1回のレーザ照射によって照射可能な面積よりも大きい場合には、上記被転写領域の全面積がレーザ照射を受けるように、レーザ照射を複数回実施する必要がある。しかしながら、照射するレーザ光の強度がある分布を持つ場合、必ずしも所望のエネルギで全面積をカバーすることができない場合がある。例えば、レーザ照射領域の周辺部では、エネルギが急激に低下する領域が必ず存在するため、この領域では意図したエネルギ、すなわち、上記剥離層の界面剥離または層内剥離を生ぜしめる最適な条件とは異なるエネルギが付与されてしまう。したがって、このような箇所においては、最適な剥離条件が実現されないため、剥離不良を生じてしまう虞がある。
【0006】
よって、本発明はレーザ照射条件のばらつきによる積層体の破壊やダメージを回避して剥離層に剥離を生ぜしめる積層体の剥離方法を提供することを目的とする。
【0007】
また、本発明は基板に剥離層を介して形成された積層体のレーザ照射条件のばらつきによる破壊やダメージを回避して積層体を基板間で転写することにより、薄膜装置を製造する薄膜装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
また、本発明は改良された剥離転写技術を使用した製造方法によって製造される薄膜装置、電子機器を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明の剥離方法は、基板上に剥離層を介して複数の膜を積層して積層体を形成する工程と、上記剥離層に光を照射して該剥離層の結合力を減少させる工程と、上記積層体から上記基板を剥離する工程と、を含む基板の剥離方法において、上記剥離層への光照射を、矩形状または有限の幅を持つライン状の各照射領域の外周部同士を互いに重ね合わせてレーザ照射を繰り返すことによって行い、当該外周部がレーザ強度プロファイルの立上がり部又は立下がり部で2回以上照射されることを特徴とする。
【0010】
かかる構成とすることによって、余分のレーザ照射を減らす共に剥離に必要限度のエネルギでレーザ照射を行う。それにより、欠陥のない剥離や積層体へのダメージの回避を可能とする。
【0011】
好ましくは、上記剥離層が、シリコン層またはアモルファスシリコン層を含んで構成され、上記各照射領域に上記剥離層にレーザアブレーションを生ぜしめる閾値Eabを越えるレーザエネルギ照射を行うように上記レーザ照射領域の重ね合わせ幅を設定する。それにより、レーザ照射後の基板の引き剥がし力を十分に小さくすることが可能となる。
【0012】
好ましくは、上記剥離層が、シリコン層またはアモルファスシリコン層を含んで構成され、上記各照射領域に上記剥離層に結晶化を生ぜしめる閾値Ecrを越える照射を行うように上記レーザ照射領域の重ね合わせ幅を設定する。それにより、レーザ照射後の基板を剥離することが容易となる。
【0013】
好ましくは、上記剥離層が、シリコン層またはアモルファスシリコン層を含んで構成され、上記各照射領域に上記剥離層に結晶化を生ぜしめる閾値Ecrを越え、レーザアブレーションを生ぜしめる閾値Eabを越えないレーザエネルギ照射を行うように上記レーザ照射領域の重ね合わせ幅を設定する。それにより、基板剥離を容易にすると共に、積層体へのレーザによるダメージを回避可能となる。
【0014】
好ましくは、上記レーザ照射の断面強度分布は台形状である。それにより、レーザ照射範囲全体的を均一な照射レベルで行うことが可能となって具合がよい。
【0015】
また、本発明の薄膜装置の製造方法は、第1の基板に剥離層を介して微細構造体又は薄膜回路を含む積層体を形成する工程と、上記第1の基板に第2の基板を接合する工程と、上記第1の基板を介して上記剥離層に光を照射して該剥離層の結合力を減少し、上記第1の基板を分離する工程と、を含む薄膜装置の製造方法において、上記剥離層への光照射を、矩形状または有限の幅を持つライン状の各照射領域の外周部同士を互いに重ね合わせてレーザ照射を繰り返すことによって行い、当該外周部がレーザ強度プロファイルの立上がり部又は立下がり部で2回以上照射される。
【0016】
かかる構成とすることによって、余分のレーザ照射を減らすと共に剥離に必要限度のエネルギでレーザ照射を行い、欠陥のない剥離や積層体へのダメージの回避を可能とする。
【0017】
好ましくは、上記剥離層が、シリコン層またはアモルファスシリコン層を含んで構成され、上記各照射領域に上記剥離層にレーザアブレーションを生ぜしめる閾値Eabを越えるレーザエネルギ照射を行うように前記レーザ照射領域の重ね合わせ幅を設定する。それにより、レーザ照射後の基板の引き剥がし力を十分に小さくすることが可能となる。
【0018】
好ましくは、上記剥離層が、シリコン層またはアモルファスシリコン層を含んで構成され、上記各照射領域に上記剥離層に結晶化を生ぜしめる閾値Ecrを越える照射を行うように前記レーザ照射領域の重ね合わせ幅を設定する。それにより、レーザ照射後の基板を剥離することが容易となる。
【0019】
好ましくは、上記剥離層が、シリコン層またはアモルファスシリコン層を含んで構成され、上記各照射領域に上記剥離層に結晶化を生ぜしめる閾値Ecrを越え、レーザアブレーションを生ぜしめる閾値Eabを越えないレーザエネルギ照射を行うように前記レーザ照射領域の重ね合わせ幅を設定する。それにより、基板剥離を容易にすると共に、積層体へのレーザによるダメージを回避可能となる。
【0020】
好ましくは、上記レーザ照射の断面強度分布は台形状である。それにより、レーザ照射範囲全体的を均一な照射レベルで行うことが可能となって具合がよい。
【0021】
また、本発明の薄膜装置は上述した薄膜装置の製造方法によって製造される。
【0022】
また、本発明の電子機器は、上述した薄膜装置の製造方法によって製造された薄膜装置を含む。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
【0024】
まず、剥離転写技術の概略について説明する。図1乃至図3は剥離転写技術を使用して第1の基板に形成した薄膜回路を第2の基板に移動する例を説明するものである。
【0025】
図1(a)に示すように、適度な厚さの透明な基板1の片面11に剥離層2を形成する。基板1は石英ガラスやソーダガラス等の耐熱性材料、例えば、半導体装置製造のプロセス温度である350〜1000℃程度に耐えられるものが望ましい。剥離層2は、レーザなどのエネルギ照射を受けることによって剥離する特性を有する膜である。例えば、非晶質シリコン、金属膜、セラミック、有機膜などが挙げられる。積層体が半導体薄膜回路で有る場合には、シリコン層に不純物を侵入させない点で非晶質シリコンは好ましい。非晶質シリコンは、例えば、モノシラン(SiH4)やジシラン(Si2H6)を材料ガスとしてLP(低圧)CVD法やPE(プラズマ)CVD法によって堆積することによって得ることができる。このCVDプロセスにおいて非晶質シリコン膜中には、適量の水素(ガス成分)を含有させる。水素を適量含有させると、レーザ照射により水素が放出され、剥離層2に内圧が発生し、それが上下の薄膜を剥離する力ともなる。
【0026】
次に、同図(b)に示すように、剥離層2の上に下地保護層3を形成する。下地保護層3は、剥離層2から積層体4への不純物の移動を防止する。また、後述の剥離層破壊の際に積層体4に破壊やダメージが及ぶことを防止する。下地保護層3は、例えば、酸化シリコン層(SiO2)である。酸化シリコン層はシランと酸素を材料ガスとしてECR−CVD法によって成膜することができる。
【0027】
同図(c)に示すように、剥離層2の上に複数の膜からなる積層体4を形成する。積層体4は、具体的には、微細構造体(あるいは機能性薄膜)や薄膜回路等が該当する。例えば、薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード、その他の薄膜半導体デバイス、電極(例:ITO、メサ膜のような透明電極)、太陽電池やイメージセンサ等に用いられる光電変換素子、スイッチング素子、メモリー、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー(ピエゾ薄膜セラミックス)、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体等の記録媒体、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクター、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、ダイクロイックミラー、偏光素子等の光学薄膜、半導体薄膜、超伝導薄膜(例:YBCO薄膜)、磁性薄膜 、金属多層薄膜、金属セラミック多層薄膜、金属半導体多層薄膜、セラミック半導体多層薄膜、有機薄膜と他の物質の多層薄膜等が挙げられる。 なお、積層体4は単層構造でもよい。更には、上記薄膜トランジスタ等のように、所定のパターンニングが施されたものであってもよい。
【0028】
図1(d)に示すように、積層体4の上に後に除去可能な仮接着層5を塗布する。この接着層5を介して基板1に仮転写基板6を接着(接合)する。仮接着剤として、例えば、水溶性接着剤を使用することができる。仮転写基板6としては、ガラス板、プラスチック板、金属板等を使用することが可能である。
【0029】
図2(a)に示すように、基板1の背面12側からレーザ10を照射して剥離層2にレーザアブレーションを生じさせる。アブレーションは、照射光を吸収した固体材料(剥離層2の構成材料)が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出される状態であり、主に、剥離層2の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散(気化)等の相変化を生じる現象として現れる。また、相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。
【0030】
レーザは、例えば、波長が308nm、照射時間が20ナノ秒程度のエキシマレーザを使用する。レーザビームの照射形状は、例えばスポット状又はライン状である。レーザの照射態様については後述する。例えば、非晶質シリコンは強いレーザ照射を受けることによってアブレーションやガスを発生する。これが剥離層内の結合力を低下させ、隣接膜を押し広げる力となって剥離を生じ易くさせる。レーザ照射によって剥離層を破壊した後、基板1と仮転写基板6とを引き剥がす。
【0031】
図2(b)及び同図(c)は、剥離状態の例を示している。同図(b)は層内剥離を示している。剥離が剥離層2内で生じている。同図(c)は界面剥離を示している。界面剥離は剥離層2と隣接する膜3との界面や剥離層2と基板1との界面で剥離が生じる。このようにして、基板1が分離されて基板1側から仮転写基板6に積層体4が移動する。
【0032】
次に、図3(a)に示すように、下地層3の下部に残った剥離層をエッチング、研磨、アッシング等の方法またはこれらを組み合わせた方法により除去する。
【0033】
同図(b)に示すように、下地層3又は最終基板8に非水溶性の永久接着剤7を塗布し、接着剤7を介して仮転写基板6と最終基板8とを貼り合わせる。最終基板8は、例えばプラスチック基板を使用することができる。
【0034】
次に、貼り合わせた基板を水洗して接着剤層5を除去して仮転写基板6を分離する。それにより、図3(c)に示すように、最終基板に積層体4が再度移動する。
【0035】
このようにして、石英ガラス等の基板1を使用して形成された積層体4をプラスチック等の最終基板8に転写することができる。
【0036】
次に、剥離の際のレーザの照射態様について説明する。
【0037】
図4(a)は、モノシラン(SiH4)を材料ガスとしてPE(プラズマ)CVD法によって堆積された膜厚50nmの非晶質シリコン層と、膜厚100nmの非晶質シリコン層にレーザを照射した場合の相変化の実験例を示している。実験例ではCVDプロセス条件の設定等によって非晶質シリコン膜に5〜10原子%の水素を含めている。レーザは、上述した、波長が308nm、照射時間が20ナノ秒のエキシマレーザを使用する。
【0038】
膜厚50nmの非晶質シリコン層は照射レーザのエネルギ密度が300mJ/cm2以下では、非晶質のままである。照射レーザのエネルギ密度が300mJ/cm2〜約400mJ/cm2の範囲内では非晶質シリコンは溶融して結晶化する。更に、照射レーザのエネルギ密度が約400mJ/cm2を越えるとアブレーションが発生する。
【0039】
また、100nmの膜厚の非晶質シリコン層も照射レーザのエネルギ密度が300mJ/cm2以下では、非晶質のままである。照射レーザのエネルギ密度が300mJ/cm2〜約450mJ/cm2の範囲内では非晶質シリコンは溶融して結晶化する。更に、照射レーザのエネルギ密度が約450mJ/cm2を越えるとアブレーションが発生する。
【0040】
第1の基板に非晶質シリコン層からなる剥離層を介して積層体を形成し、第2の基板と貼り合わせた後に結晶化領域のレーザエネルギを照射し、第1の基板と第2の基板とを引き剥がした場合、剥離層は第1の基板側に残る傾向がある。また、アブレーション領域のレーザエネルギを照射して第1の基板と第2の基板とを引き剥がした場合、剥離層は積層体側に残る傾向がある。
【0041】
図4(b)は、膜厚100nmの剥離層2に照射するレーザの強度プロファイルの例を示している。同図において縦軸はレーザ強度を示している。縦軸に示されるレーザの強度Ecrは照射後の非晶質シリコンに結晶化を生じさせる閾値レベル(300mJ/cm2)である。強度Eabは照射後の非晶質シリコンにアブレーションを生じさせる閾値レベル(約450mJ/cm2)である。横軸はレーザ走査方向のレーザスポット位置を示している。レーザスポットは、例えば、10×10mmの矩形状とすることができる。この例では、レーザの強度プロファイルは照射領域の一方の外縁から急激に立ち上がり、平坦なピーク値を経て他方の外縁で急激に立ち下がる台形状の特性を示している。なお、レーザスポットはラインビームであっても良く、例えば、378×0.1mmのような線状のものであっても良い。
【0042】
図5は、エキシマレーザで剥離層全面を走査してレーザ照射する第1のレーザ照射態様を示している。
【0043】
この例では、剥離層の全ての領域で閾値Eab以上のエネルギ照射を受けるようにしている。このため、各レーザショットのピーク強度を非晶質シリコンにアブレーションを生じさせる閾値Eabを越えるレベルであって、積層体にダメージを与えないレベルに設定し、各レーザショットの隣接する照射領域のエッジ部分同士を少し重ね合わせている。レーザの強度プロファイルの立ち下がり部分と立ち上がり部分を重ね合わせた当該重畳部分の強度が閾値Eabを越えるように設定して剥離層が全ての照射領域でEab以上の照射エネルギを受けるようにしている。従って、レーザスポットによる各照射領域の外周部同士を互いに重ね合わせてレーザ照射が繰り返され、照射領域の外周部がレーザ強度プロファイルの立上がり部又は立下がり部で2回照射される。
【0044】
図6は、図5の照射パターンで剥離層にレーザ照射を行った場合の、基板1を引き剥がした場合の剥離層2の残留の様子を示している。閾値Eabを越えるレーザ照射を行った場合には、積層膜4の下地層3側に剥離層2が残る。
【0045】
図7(a)は、エキシマレーザで剥離層全面を走査してレーザ照射する第2のレーザ照射態様を示している。
【0046】
この例では、剥離層の全ての領域で少なくとも閾値Ecr以上のエネルギ照射を受けるようにしている。このため、各レーザショットのピーク強度を非晶質シリコンにアブレーションを生じさせる閾値Eabを越えるレベルであって、積層体にダメージを与えないレベルに設定し、各レーザショットの隣接する照射領域のエッジ部分同士を少し重ね合わせている。レーザの強度プロファイルの立ち下がり部分と立ち上がり部分を重ね合わせた当該重畳部分の強度が閾値Ecrを越えるように設定して剥離層が全ての照射領域でEcr以上の照射エネルギを受けるようにしている。
【0047】
図7(b)は、図7(a)の照射パターンで剥離層にレーザ照射を行って基板1を引き剥がした場合の剥離層2の残留の様子を示している。閾値Eabを上回るレーザ照射を行った部分では、積層膜4の下地層3側に剥離層2が残る。閾値Eabを下回るレーザ照射を行った部分では、基板1側に剥離層2が残る。このように、レーザ照射条件の差異によって剥離層の残留形態が異なっても、剥離層のみに破壊が生じるために、積層膜はダメージを受けることなく転写することが可能となる。
【0048】
図8は、エキシマレーザで剥離層全面を走査してレーザ照射する第3のレーザ照射態様を示している。
【0049】
この例では、剥離層の全ての領域で少なくとも閾値Ecr以上のエネルギ照射を受けるようにしている。このため、各レーザショットのピーク強度を非晶質シリコンにアブレーションを生じさせる閾値Eabを越えないレベルであって、閾値Ecr以上のレベルに設定し、各レーザショットの隣接する照射領域同士を一部重ね合わせ(パターンI)、あるいは隣接する照射領域のエッジ部分同士を少し重ね合わせている(パターンII)。レーザの強度プロファイルの立ち下がり部分と立ち上がり部分を重ね合わせた当該重畳部分の強度が閾値Ecrを越えるように設定して剥離層が全ての照射領域でEcr以上の照射エネルギを受けるようにしている。
【0050】
上述したように、下地層3に残留した剥離層(シリコン)2、あるいは基板1に残留した剥離層2はエッチングなどによって除去される。
【0051】
図9は、図8の照射パターンで剥離層にレーザ照射を行って基板1を引き剥がした場合の剥離層2の残留の様子を示している。閾値Eabを下回るレーザ照射を行っているので、基板1側に剥離層2が残る。
【0052】
図10は比較例を示している。アブレーションを生ずる閾値Eabを越えるレーザ照射を照射領域を重ねて繰り返した場合には積層体4へのダメージが生じ得る。また、最初のレーザ照射によって水素ガスが発生して内圧となり、剥離を促進するが2回目以降の照射を同じ場所に重ねて行ってもガス発生の効果は少ない。
【0053】
これに対して上述した実施例では、閾値Eabを越えるレーザ照射は照射領域のエッジ部のみが少し重なるようになされる(図5)。閾値Eabを越えないレーザ照射は照射領域のエッジ部が少し重なるようになされると共に、当該重なり部分のレーザ強度は閾値Ecrを超えるようになされる(図8)。従って、実施例のレーザ照射態様によれば、積層体への影響が少なく、照射回数も少なくて済む。
【0054】
上述した積層体を基板間に転写する製造方法により得られた薄膜装置は、例えば、電気光学装置である液晶表示装置の表示パネルとして、あるいは有機EL表示装置の表示パネル等として利用することができる。
【0055】
図11は、アクティブマトリクス方式で駆動する有機EL表示装置100の画素領域の回路構成図であり、当該表示パネルは本発明の製造方法で製造される。各画素は、電界発光効果により発光可能な発光層OLED、それを駆動するための電流を記憶する保持容量C、薄膜トランジスタT1及びT2を備えて構成されている。走査線ドライバ102からは、選択信号線Vselが各画素に供給されている。データ線ドライバ103からは、信号線Vsig及び電源線Vddが各画素に供給されている。選択信号線Vselと信号線Vsigを制御することにより、各画素に対する電流プログラムが行われ、発光部OLEDによる発光が制御される。
【0056】
本発明の製造方法により得られた薄膜回路は電気光学装置を備える各種の電子機器に適用可能である。図12に電気光学装置を適用可能な電子機器の例を挙げる。
【0057】
同図(a)は、携帯電話への適用例であり、携帯電話230は、アンテナ部231、音声出力部232、音声入力部233、操作部234、及び本発明の薄膜装置(有機EL表示装置)100を備えている。このように本発明の薄膜装置100を携帯電話230の表示部として利用可能である。
【0058】
同図(b)は、ビデオカメラへの適用例であり、ビデオカメラ240は、受像部241、操作部242、音声入力部243、及び本発明の薄膜装置100を備えている。このように本発明の薄膜装置100は、ファインダや表示部として利用可能である。
【0059】
同図(c)は、携帯型パーソナルコンピュータへの適用例であり、コンピュータ250は、カメラ部251、操作部252、及び本発明の薄膜装置100を備えている。このように本発明の電気光学装置は、表示部として利用可能である。
【0060】
同図(d)は、ヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、ヘッドマウントディスプレイ260は、バンド261、光学系収納部262及び本発明の薄膜装置100を備えている。このように本発明の電気光学装置は画像表示源として利用可能である。
【0061】
同図(e)は、リア型プロジェクタへの適用例であり、プロジェクタ270は、筐体271に、光源272、合成光学系273、ミラー274、ミラー275、スクリーン276、及び本発明の薄膜装置100を備えている。このように本発明の薄膜装置は画像表示源として利用可能である。
【0062】
同図(f)は、フロント型プロジェクタへの適用例であり、プロジェクタ280は、筐体282に光学系281及び本発明の薄膜装置100を備え、画像をスクリーン283に表示可能になっている。このように本発明の薄膜装置は画像表示源として利用可能である。
【0063】
上記例に限らず本発明の薄膜装置100は、薄膜回路や微細構造体を備える電子機器、例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型TV、DSP装置、PDA、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。
【0064】
以上説明したように、剥離層に剥離を生じさせるためのレーザの照射態様を適切に設定することによって剥離を容易にし、積層体へのレーザ照射の影響の防止とレーザ照射工程の短時間化を図ることが可能となって具合がよい。また、この剥離方法を使用して第1の基板に形成した薄膜回路装置等の積層体を第2の基板に転写する際に、レーザ照射条件を最適化することによってレーザ照射後に基板を引き剥がす力を適切に設定することが可能となり、基板剥離の際に積層体を構成する成膜間の剥がれや破壊強度の弱い膜の壊れを回避することが可能となって具合がよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(a)乃至同(d)は、剥離転写工程を説明する工程図である。
【図2】図2(a)乃至同(c)は、剥離転写工程を説明する工程図である。
【図3】図3(a)乃至同(c)は、剥離転写工程を説明する工程図である。
【図4】図4(a)はレーザビーム強度による非晶質シリコンの相変化を説明する説明図である。図4(b)はレーザビームの強度プロファィルの例を説明する説明図である。
【図5】図5は、剥離層へのレーザ照射態様の第1の例を説明する説明図である。
【図6】図6は、第1の例における基板の剥離例を説明する説明図である。
【図7】図7(a)は、剥離層へのレーザ照射態様の第2の例を説明する説明図であり、図7(b)は、第2の例における基板の剥離例を説明する説明図である。
【図8】図8は、剥離層へのレーザ照射態様の第3の例を説明する説明図である。
【図9】図9は、第3の例における基板の剥離例を説明する説明図である。
【図10】図10は、比較例のレーザ照射態様を説明する説明図である。
【図11】図11は、剥離法を使用して製造される薄膜装置である有機EL表示装置(電気光学装置)の例を説明する説明図である。
【図12】図12は、剥離法を使用して製造された薄膜装置を使用した電子機器の例を説明する説明図である。
【符号の説明】
1…基板、2…剥離層、3…下地層、4…積層体、5…仮接着層、6…仮転写基板、7…永久接着層、8…最終基板
Claims (12)
- 基板上に剥離層を介して複数の膜を積層して積層体を形成する工程と、
前記剥離層に光を照射して該剥離層の結合力を減少させる工程と、
前記積層体から前記基板を剥離する工程と、を含む基板の剥離方法であって、
前記剥離層への光照射を、矩形状または有限の幅を持つライン状の各照射領域の外周部同士を互いに重ね合わせてレーザ照射を繰り返すことによって行い、当該外周部がレーザ強度プロファイルの立上がり部又は立下がり部で2回以上照射されることを特徴とする剥離方法。 - 前記剥離層が、シリコン層またはアモルファスシリコン層を含んで構成され、
前記各照射領域に前記剥離層にレーザアブレーションを生ぜしめる閾値Eabを越えるレーザエネルギ照射を行うように前記レーザ照射領域の重ね合わせ幅を設定することを特徴とする、請求項1記載の剥離方法。 - 前記剥離層が、シリコン層またはアモルファスシリコン層を含んで構成され、
前記各照射領域に前記剥離層に結晶化を生ぜしめる閾値Ecrを越える照射を行うように前記レーザ照射領域の重ね合わせ幅を設定することを特徴とする、請求項1記載の剥離方法。 - 前記剥離層が、シリコン層またはアモルファスシリコン層を含んで構成され、
前記各照射領域に前記剥離層に結晶化を生ぜしめる閾値Ecrを越え、レーザアブレーションを生ぜしめる閾値Eabを越えないレーザエネルギ照射を行うように前記レーザ照射領域の重ね合わせ幅を設定することを特徴とする、請求項1記載の剥離方法。 - 前記レーザ照射の断面強度分布は台形状である請求項1乃至4のいずれかに記載の剥離方法。
- 第1の基板に剥離層を介して微細構造体又は薄膜回路を含む積層体を形成する工程と、
前記第1の基板に第2の基板を接合する工程と、
前記第1の基板を介して前記剥離層に光を照射して該剥離層の結合力を減少し、前記第1の基板を分離する工程と、を含む薄膜装置の製造方法であって、
前記剥離層への光照射を、矩形状または有限の幅を持つライン上の各照射領域の外周部同士を互いに重ね合わせてレーザ照射を繰り返すことによって行い、当該外周部がレーザ強度プロファイルの立上がり部又は立下がり部で2回以上照射されることを特徴とする薄膜装置の製造方法。 - 前記剥離層が、シリコン層またはアモルファスシリコン層を含んで構成され、
前記各照射領域に前記剥離層にレーザアブレーションを生ぜしめる閾値Eabを越えるレーザエネルギ照射を行うように前記レーザ照射領域の重ね合わせ幅を設定することを特徴とする、請求項6記載の薄膜装置の製造方法。 - 前記剥離層が、シリコン層またはアモルファスシリコン層を含んで構成され、
前記各照射領域に前記剥離層に結晶化を生ぜしめる閾値Ecrを越える照射を行うように前記レーザ照射領域の重ね合わせ幅を設定することを特徴とする、請求項6記載の薄膜装置の製造方法。 - 前記剥離層が、シリコン層またはアモルファスシリコン層を含んで構成され、
前記各照射領域に前記剥離層に結晶化を生ぜしめる閾値Ecrを越え、レーザアブレーションを生ぜしめる閾値Eabを越えないレーザエネルギ照射を行うように前記レーザ照射領域の重ね合わせ幅を設定することを特徴とする、請求項6記載の薄膜装置の製造方法。 - 前記レーザ照射の断面強度分布は台形状である請求項6乃至9のいずれかに記載の薄膜装置の製造方法。
- 請求項6乃至10のいずれかに記載された薄膜装置の製造方法によって製造された薄膜装置。
- 請求項6乃至10のいずれかに記載された薄膜装置の製造方法によって製造された薄膜装置を含む電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003146178A JP2004349543A (ja) | 2003-05-23 | 2003-05-23 | 積層体の剥離方法、薄膜装置の製造法、薄膜装置、電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003146178A JP2004349543A (ja) | 2003-05-23 | 2003-05-23 | 積層体の剥離方法、薄膜装置の製造法、薄膜装置、電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004349543A true JP2004349543A (ja) | 2004-12-09 |
Family
ID=33533107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003146178A Pending JP2004349543A (ja) | 2003-05-23 | 2003-05-23 | 積層体の剥離方法、薄膜装置の製造法、薄膜装置、電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004349543A (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007013127A (ja) * | 2005-06-01 | 2007-01-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 集積回路装置、集積回路装置の作製方法 |
WO2008047928A1 (en) * | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2008124448A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2008244188A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Seiko Epson Corp | 薄膜層の剥離方法、薄膜デバイスの転写方法 |
JP2010129598A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Toshiba Corp | 発光装置及びその製造方法 |
WO2013008540A1 (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-17 | 東京応化工業株式会社 | 積層体、分離方法、及び製造方法 |
US8362485B2 (en) | 2005-06-01 | 2013-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Integrated circuit device and method for manufacturing integrated circuit device |
KR20180075477A (ko) * | 2015-11-02 | 2018-07-04 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 기판을 접합 및 분리하기 위한 방법 |
KR20190057067A (ko) * | 2016-10-07 | 2019-05-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유리 기판의 세정 방법, 반도체 장치의 제작 방법, 및 유리 기판 |
KR20190104062A (ko) * | 2017-02-16 | 2019-09-05 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 박리 기판 제조 방법 |
KR20190137088A (ko) * | 2017-04-03 | 2019-12-10 | 쓰리디-마이크로막 아게 | 층 구조를 갖는 마이크로전자 컴포넌트들을 생성하기 위한 방법 및 제조 시스템 |
US10553822B2 (en) | 2017-03-31 | 2020-02-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device, display device production method, and display device production device |
US10811642B2 (en) | 2017-09-27 | 2020-10-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of display device and manufacturing apparatus of display device |
US11551975B2 (en) | 2018-09-28 | 2023-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing electronic device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1126734A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの転写方法,薄膜デバイス,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
JP2000216088A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Sony Corp | 半導体薄膜形成方法及びレ―ザ照射装置 |
JP2001044133A (ja) * | 1999-08-02 | 2001-02-16 | Sharp Corp | レーザ照射方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2003142666A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-05-16 | Seiko Epson Corp | 素子の転写方法、素子の製造方法、集積回路、回路基板、電気光学装置、icカード、及び電子機器 |
-
2003
- 2003-05-23 JP JP2003146178A patent/JP2004349543A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1126734A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの転写方法,薄膜デバイス,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
JP2000216088A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Sony Corp | 半導体薄膜形成方法及びレ―ザ照射装置 |
JP2001044133A (ja) * | 1999-08-02 | 2001-02-16 | Sharp Corp | レーザ照射方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2003142666A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-05-16 | Seiko Epson Corp | 素子の転写方法、素子の製造方法、集積回路、回路基板、電気光学装置、icカード、及び電子機器 |
Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007013127A (ja) * | 2005-06-01 | 2007-01-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 集積回路装置、集積回路装置の作製方法 |
US8362485B2 (en) | 2005-06-01 | 2013-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Integrated circuit device and method for manufacturing integrated circuit device |
JP2013042180A (ja) * | 2005-06-01 | 2013-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 集積回路装置の作製方法 |
WO2008047928A1 (en) * | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2008124448A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2008244188A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Seiko Epson Corp | 薄膜層の剥離方法、薄膜デバイスの転写方法 |
JP2010129598A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Toshiba Corp | 発光装置及びその製造方法 |
US8198647B2 (en) | 2008-11-25 | 2012-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting apparatus |
WO2013008540A1 (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-17 | 東京応化工業株式会社 | 積層体、分離方法、及び製造方法 |
JP2013022731A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-02-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 積層体、分離方法、及び製造方法 |
JP7193339B2 (ja) | 2015-11-02 | 2022-12-20 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 基板を結合および剥離させる方法 |
KR20180075477A (ko) * | 2015-11-02 | 2018-07-04 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 기판을 접합 및 분리하기 위한 방법 |
JP2019501790A (ja) * | 2015-11-02 | 2019-01-24 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 基板を結合および剥離させる方法 |
JP7469444B2 (ja) | 2015-11-02 | 2024-04-16 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 基板を結合および剥離させる方法 |
KR102653627B1 (ko) | 2015-11-02 | 2024-04-01 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 기판을 접합 및 분리하기 위한 방법 |
CN108352351A (zh) * | 2015-11-02 | 2018-07-31 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 用于接合和分开衬底的方法 |
CN108352351B (zh) * | 2015-11-02 | 2023-03-31 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 用于接合和分开衬底的方法 |
US11637009B2 (en) | 2016-10-07 | 2023-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Cleaning method of glass substrate, manufacturing method of semiconductor device, and glass substrate |
KR102554691B1 (ko) | 2016-10-07 | 2023-07-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유리 기판의 세정 방법, 반도체 장치의 제작 방법, 및 유리 기판 |
KR20190057067A (ko) * | 2016-10-07 | 2019-05-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유리 기판의 세정 방법, 반도체 장치의 제작 방법, 및 유리 기판 |
JP2020145449A (ja) * | 2016-10-07 | 2020-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
JP2020145448A (ja) * | 2016-10-07 | 2020-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
KR20230044561A (ko) * | 2016-10-07 | 2023-04-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유리 기판의 세정 방법, 반도체 장치의 제작 방법, 및 유리 기판 |
KR102515871B1 (ko) * | 2016-10-07 | 2023-03-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유리 기판의 세정 방법, 반도체 장치의 제작 방법, 및 유리 기판 |
KR102202497B1 (ko) | 2017-02-16 | 2021-01-14 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 박리 기판 제조 방법 |
KR20190104062A (ko) * | 2017-02-16 | 2019-09-05 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 박리 기판 제조 방법 |
US10553822B2 (en) | 2017-03-31 | 2020-02-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device, display device production method, and display device production device |
KR20190137088A (ko) * | 2017-04-03 | 2019-12-10 | 쓰리디-마이크로막 아게 | 층 구조를 갖는 마이크로전자 컴포넌트들을 생성하기 위한 방법 및 제조 시스템 |
KR102584665B1 (ko) | 2017-04-03 | 2023-10-05 | 쓰리디-마이크로막 아게 | 층 구조를 갖는 마이크로전자 컴포넌트들을 생성하기 위한 방법 및 제조 시스템 |
US10811642B2 (en) | 2017-09-27 | 2020-10-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of display device and manufacturing apparatus of display device |
US11551975B2 (en) | 2018-09-28 | 2023-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing electronic device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6814832B2 (en) | Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance | |
JP6253617B2 (ja) | 発光装置および電子機器 | |
CN100413092C (zh) | 薄膜器件的供给体及其制造方法、转印方法 | |
TW564471B (en) | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device | |
TWI236135B (en) | Method of manufacturing optoelectronic apparatus, optoelectronic apparatus, transferring chip, transferring source substrate, and electronic machine | |
JP5252877B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
CN100403490C (zh) | 半导体器件的制造方法、集成电路、电光装置和电子仪器 | |
WO1999001899A1 (fr) | Procede de transfert de dispositifs a couches minces, dispositif a couches minces, dispositif a circuit integre a couches minces, substrat de matrice active, affichage a cristaux liquides et appareil electronique | |
JP2004349543A (ja) | 積層体の剥離方法、薄膜装置の製造法、薄膜装置、電子機器 | |
KR20080008968A (ko) | 반도체 장치의 제작방법 | |
JPH10125931A (ja) | 薄膜素子の転写方法,薄膜素子,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 | |
JP2003163337A (ja) | 剥離方法および半導体装置の作製方法 | |
WO1999044242A1 (en) | Method of detaching thin-film device, method of transferring thin-film device, thin-film device, active matrix substrate, and liquid crystal display | |
TW200409183A (en) | Semiconductor apparatus and fabrication method of the same | |
JPH1174533A (ja) | 薄膜デバイスの転写方法,薄膜デバイス,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 | |
JP3809710B2 (ja) | 薄膜素子の転写方法 | |
JP2006313827A (ja) | 薄膜デバイスの製造方法、電子機器 | |
JP5726110B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
JP4378672B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
JP2006128679A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2004349539A (ja) | 積層体の剥離方法、積層体の製造方法、電気光学装置及び電子機器 | |
JP5196212B2 (ja) | 薄膜デバイスの製造方法 | |
JP2004349541A (ja) | 剥離方法、薄膜装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 | |
JP5255793B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2006319128A (ja) | 積層体の製造方法、電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20060518 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20100727 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100729 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100927 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110506 |