JPWO2019167131A1 - フレキシブルoledデバイスの製造方法及び支持基板 - Google Patents
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Abstract
Description
図1A及び図1Bを参照する。本実施形態におけるフレキシブルOLEDデバイスの製造方法では、まず、図1A及び図1Bに例示される積層構造体100を用意する。図1Aは、積層構造体100の平面図であり、図1Bは、図1Aに示される積層構造体100のB−B線断面図である。図1A及び図1Bには、参考のため、互いに直交するX軸、Y軸、及びZ軸を有するXYZ座標系が示されている。
図2A及び図2Bを参照して、本開示の実施形態における支持基板の製造方法を説明する。図2A及び図2Bは、本開示の実施形態における支持基板200の製造方法を示す工程断面図である。
樹脂膜30の表面30x上にパーティクルまたは凸部などの研磨対象(ターゲット)が存在する場合、研磨装置によってターゲットを研磨し平坦化してもよい。パーティクルなどの異物の検出は、例えばイメージセンサによって取得した画像を処理することによって可能である。研磨処理後、樹脂膜30の表面30xに対する平坦化処理を行ってもよい。平坦化処理は、平坦性を向上させる膜(平坦化膜)を樹脂膜30の表面30xに形成する工程を含む。平坦化膜は樹脂から形成されている必要はない。
次に、樹脂膜30上にガスバリア膜(不図示)を形成してもよい。ガスバリア膜は、種々の構造を有し得る。ガスバリア膜の例は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜などの膜である。ガスバリア膜の他の例は、有機材料層及び無機材料層が積層された多層膜であり得る。このガスバリア膜は、機能層領域20を覆う後述のガスバリア膜から区別するため、「下層ガスバリア膜」と呼んでもよい。また、機能層領域20を覆うガスバリア膜は、「上層ガスバリア膜」と呼ぶことができる。下層ガスバリア膜は、例えばSi3N4から形成され得る。Si3N4の線膨張係数は約3ppm/Kである。本開示のある実施形態によれば、リリース層12の熱膨張係数がベース10の線膨張係数と樹脂膜30の線膨張係数との間にあるため、Si3N4から形成された下層ガスバリア層にクラックが生じる問題を回避できる。
次に、TFT層20A及びOLED層20Bなどを含む機能層領域20、ならびに上層ガスバリア膜40を形成する工程を説明する。
上記の機能層領域20を形成した後、図3Cに示されるように、機能層領域20の全体をガスバリア膜(上層ガスバリア膜)40によって覆う。上層ガスバリア膜40の典型例は、無機材料層と有機材料層とが積層された多層膜である。なお、上層ガスバリア膜40と機能層領域20との間、または上層ガスバリア膜40の更に上層に、粘着膜、タッチスクリーンを構成する他の機能層、偏光膜などの要素が配置されていてもよい。上層ガスバリア膜40の形成は、薄膜封止(Thin Film Encapsulation:TFE)技術によって行うことができる。封止信頼性の観点から、薄膜封止構造のWVTR(Water Vapor Transmission Rate)は、典型的には1×10-4g/m2/day以下であることが求められている。本開示の実施形態によれば、この基準を達成している。上層ガスバリア膜40の厚さは例えば1.5μm以下である。
次に図3Dを参照する。図3Dに示されるように、積層構造体100の上面に保護シート50を張り付ける。保護シート50は、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)やポリ塩化ビニル(PVC)などの材料から形成され得る。前述したように、保護シート50の典型例は、離型剤の塗布層を表面に有するラミネート構造を有している。保護シート50の厚さは、例えば50μm以上150μm以下であり得る。
本実施形態のフレキシブルOLEDデバイスの製造方法では、積層構造体100を用意する工程を実行した後、樹脂膜30の中間領域30iと複数のフレキシブル基板領域30dのそれぞれとを分割する工程を行う。分割を行う工程は、LLO工程の前に行う必要はなく、LLO工程の後に行ってもよい。
図7Aは、不図示の製造装置(剥離装置)におけるステージ212が積層構造体100を支持する直前の状態を模式的に示す図である。本実施形態におけるステージ212は、吸着のための多数の孔を表面に有する吸着ステージである。吸着ステージの構成は、この例に限定されず、積層構造体を支持する静電チャックまたは他の固定装置を備えていてもよい。積層構造体100は、積層構造体100の第2の表面100bがステージ212の表面212Sに対向するように配置され、ステージ212に密着している。
図9Aは、剥離光の照射後、積層構造体100がステージ212に接触している状態を記載している。この状態を維持したまま、ステージ212からベース10までの距離を拡大する。このとき、本実施形態におけるステージ212は積層構造体100のOLEDデバイス部分を吸着している。
Claims (13)
- ベースと、TFT層及びOLED層を含む機能層領域と、前記ベースと前記機能層領域との間に位置して前記機能層領域を支持するフレキシブルフィルムと、前記フレキシブルフィルムと前記ベースとの間に位置して前記ベースに固着しているリリース層とを備える積層構造体を用意する工程、及び
前記ベースを透過する紫外レーザ光で前記リリース層を照射して前記リリース層から前記フレキシブルフィルムを剥離する工程と、
を含み、
前記リリース層はアルミニウム及びシリコンの合金から形成されている、フレキシブルOLEDデバイスの製造方法。 - 前記合金に含まれるシリコンの重量比率は、4%以上20%以下である、請求項1に記載の製造方法。
- 前記リリース層の線膨張係数は、前記フレキシブルフィルムの線膨張係数の30%以上500%以下である、請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記リリース層の厚さは、100nm以上5000nm以下である、請求項1から3のいずれかに記載の製造方法。
- 前記紫外レーザ光の波長は、300nm以上360nm以下である、請求項1から4のいずれかに記載の製造方法。
- 前記フレキシブルフィルムの厚さは、5μm以上20μm以下である、請求項1から5のいずれかに記載の製造方法。
- 前記積層構造体を用意する工程は、
シリコンを含有するアルミニウムターゲットをスパッタすることによって前記ベース上に前記リリース層を形成する工程と、
前記リリース層上に前記フレキシブルフィルムを形成する工程と、
を含む、請求項1から6のいずれかに記載の製造方法。 - 前記リリース層から前記フレキシブルフィルムを剥離した後、前記ベースから前記リリース層を除去して回収する工程を含む、請求項1から7のいずれかに記載の製造方法。
- フレキシブルOLEDデバイスの支持基板であって、
アルミニウム及びシリコンの合金から形成されたリリース層と、
紫外線を透過する材料から形成されたベースであって、前記リリース層を支持しているベースと、
を備える支持基板。 - 前記リリース層を覆い、前記紫外線を透過する材料から形成されたフレキシブルフィルムを更に備える、請求項9に記載の支持基板。
- 前記合金に含まれるシリコンの重量比率は、4%以上20%以下である、請求項9または10に記載の支持基板。
- 前記リリース層の線膨張係数は、前記フレキシブルフィルムの線膨張係数の30%以上500%以下である、請求項9から11のいずれかに記載の支持基板。
- 前記リリース層の厚さは、100nm以上5000nm以下である、請求項9から12のいずれかに記載の支持基板。
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