JP6387208B1 - フレキシブルoledデバイスの製造方法および製造装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1Aおよび図1Bを参照する。本実施形態におけるフレキシブルOLEDデバイスの製造方法では、まず、図1Aおよび図1Bに例示される積層構造体100を用意する。図1Aは、積層構造体100の平面図であり、図1Bは、図1Aに示される積層構造体100のB−B線断面図である。図1Aおよび図1Bには、参考のため、互い直交するX軸、Y軸、およびZ軸を有するXYZ座標系が示されている。
本実施形態のフレキシブルOLEDデバイスの製造方法によれば、上記の積層構造体100を用意する工程を実行した後、樹脂膜30の中間領域30iと複数のフレキシブル基板領域30dのそれぞれとを分割する工程を行う。
樹脂膜30の中間領域30iと複数のフレキシブル基板領域30dのそれぞれとを分割した後、剥離光照射装置により、樹脂膜30のフレキシブル基板領域30dとガラスベース10との界面をレーザ光で照射する工程を行う。
図11Aは、剥離光の照射後、積層構造体100がステージ210に接触した状態を記載している。この状態を維持したまま、ステージ210からガラスベース10までの距離を拡大する。このとき、本実施形態におけるステージ210は積層構造体100のOLEDデバイス部分を吸着している。
図13は、ステージ210に吸着された状態にある積層構造体100の第1部分110(OLEDデバイス1000)と、ステージ210から離れた位置にある第2部分120(ガラスベース10と付着物)とを示す斜視図である。積層構造体100のうち、OLEDデバイス1000を構成しない不要な部分がガラスベース10に付着している。
以下、図2の分割を行う前における積層構造体100の構成をより詳しく説明する。
樹脂膜30の表面30x上にパーティクルまたは凸部などの研磨対象(ターゲット)が存在する場合、研磨装置によってターゲットを研磨し平坦化してもよい。パーティクルにどの異物の検出は、例えばイメージセンサによって取得した画像を処理することによって可能である。研磨処理後、樹脂膜30の表面30xに対する平坦化処理を行ってもよい。平坦化処理は、平坦性を向上させる膜(平坦化膜)を樹脂膜30の表面30xに形成する工程を含む。平坦化膜は樹脂から形成されている必要はない。
次に、樹脂膜30上にガスバリア膜を形成してもよい。ガスバリア膜は、種々の構造を有し得る。ガスバリア膜の例は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜などの膜である。ガスバリア膜の他の例は、有機材料層および無機材料層が積層された多層膜であり得る。このガスバリア膜は、機能層領域20を覆う後述のガスバリア膜から区別するため、「下層ガスバリア膜」と呼んでもよい。また、機能層領域20を覆うガスバリア膜は、「上層ガスバリア膜」と呼ぶことができる。
以下、TFT層20AおよびOLED層20Bなどを含む機能層領域20、ならびに上層ガスバリア膜40を形成する工程を説明する。
上記の機能層を形成した後、図19Cに示されるように、機能層領域20の全体をガスバリア膜(上層ガスバリア膜)40によって覆う。上層ガスバリア膜40の典型例は、無機材料層と有機材料層とが積層された多層膜である。なお、上層ガスバリア膜40と機能層領域20との間、または上層ガスバリア膜40の更に上層に、粘着膜、タッチスクリーンを構成する他の機能層、偏光膜などの要素が配置されていてもよい。上層ガスバリア膜40の形成は、薄膜封止(Thin Film Encapsulation:TFE)技術によって行うことができる。封止信頼性の観点から、薄膜封止構造のWVTR(Water Vapor Transmission Rate)は、典型的には1×10-4g/m2/day以下であることが求められている。本開示の実施形態によれば、この基準を達成している。上層ガスバリア膜40の厚さは例えば1.5μm以下である。
次に図19Dを参照する。図19Dに示されるように、積層構造体100の上面に保護シート50を張り付ける。保護シート50は、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)やポリ塩化ビニル(PVC)などの材料から形成され得る。前述したように、保護シート50の典型例は、離型剤の塗布層を表面に有するラミネート構造を有している。保護シート50の厚さは、例えば50μm以上200μm以下であり得る。
Claims (6)
- 第1の表面と第2の表面とを有する積層構造体であって、
前記第1の表面を規定するガラスベース;
それぞれがTFT層およびOLED層を含む複数の機能層領域;
前記ガラスベースと前記複数の機能層領域との間に位置して前記ガラスベースに固着している合成樹脂フィルムであって、前記複数の機能層領域をそれぞれ支持している複数のフレキシブル基板領域と、前記複数のフレキシブル基板領域を囲む中間領域とを含む合成樹脂フィルム;および、
前記複数の機能層領域を覆い、前記第2の表面を規定する保護シート;
を備える積層構造体を用意する工程と、
前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記複数のフレキシブル基板領域のそれぞれとを分割する工程と、
前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面をレーザ光で照射する工程と、
前記積層構造体の前記第2の表面をステージに接触させた状態で、前記ステージから前記ガラスベースまでの距離を拡大することにより、前記積層構造体を第1部分と第2部分とに分離する工程と、
を含み、
前記積層構造体の前記第1部分は、前記ステージに接触した複数のOLEDデバイスを含み、前記複数のOLEDデバイスは、それぞれ、前記複数の機能層領域を有し、かつ、前記合成樹脂フィルムの前記複数のフレキシブル基板領域を有しており、
前記積層構造体の前記第2部分は、前記ガラスベースと、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域とを含み、
前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面を前記レーザ光で照射する工程は、
前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の少なくとも一部に対する前記レーザ光の照射強度を、前記合成樹脂フィルムの前記複数のフレキシブル基板領域と前記ガラスベースとの前記界面に対する前記レーザ光の照射強度よりも低下させる工程を含み、
前記レーザ光は、前記ガラスベースの外縁に平行な第1の方向に延びるラインビームであり、
前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面を前記レーザ光で照射する工程は、前記レーザ光による前記界面上の照射領域を、前記第1の方向に交差する第2の方向に移動させることによって実行され、
前記積層構造体を前記第1部分と前記第2部分とに分離する工程を行った後、前記ステージに接触した前記複数のOLEDデバイスのそれぞれに対して、順次または同時に、処理を実行する工程を更に含み、
前記処理は、前記複数のOLEDデバイスのそれぞれに対して、同時または順次に、誘電体および/または導電体のフィルムを貼ること、クリーニングまたはエッチングを行うこと、光学部品および/または電子部品を実装することのいずれか含む、フレキシブルOLEDデバイスの製造方法。 - 前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部は、前記ガラスベースの前記外縁に沿って延びる2本の平行なストライプ領域を含む、請求項1に記載の製造方法。
- 前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部は、前記ストライプ領域に平行な少なくとも1本の中間ストライプ領域を含む、請求項2に記載の製造方法。
- 前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部は、前記中間領域の幅の50%以上の幅を有する、請求項1から3のいずれかに記載の製造方法。
- 前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部は、1mm以上の幅を有する、請求項1から4のいずれかに記載の製造方法。
- 前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部における前記レーザ光の照射強度と、前記合成樹脂フィルムの前記複数のフレキシブル基板領域と前記ガラスベースとの前記界面に対する前記レーザ光の照射強度との差異は、50mJ/cm2以上である、請求項1から5のいずれかに記載の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2018163338A1 (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-13 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機elデバイスの製造方法および成膜装置 |
US11114650B2 (en) * | 2017-10-26 | 2021-09-07 | Sakai Display Products Corporation | Method and apparatus for producing flexible OLED device including lift-off light irradiation |
CN111226503A (zh) | 2017-10-26 | 2020-06-02 | 堺显示器制品株式会社 | 柔性oled器件的制造方法以及制造装置 |
CN112136361A (zh) * | 2018-05-09 | 2020-12-25 | 堺显示器制品株式会社 | 柔性发光器件的制造方法以及制造装置 |
CN112136362A (zh) * | 2018-05-09 | 2020-12-25 | 堺显示器制品株式会社 | 柔性发光器件的制造方法以及制造装置 |
CN108962952B (zh) * | 2018-07-17 | 2021-02-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN112099612A (zh) * | 2020-09-18 | 2020-12-18 | 联想(北京)有限公司 | 一种服务器主板、服务器及供电控制方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014048619A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-17 | Panasonic Corp | フレキシブルデバイスの製造方法 |
JP2015173088A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-10-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 積層体の加工装置および加工方法 |
JP2015195106A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置及びその製造方法 |
WO2015190418A1 (ja) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスフィルムの製造方法、及びこのガラスフィルムを含む電子デバイスの製造方法 |
JP2017063064A (ja) * | 2012-03-05 | 2017-03-30 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 有機発光装置の製造方法、無機膜転写用基板及び有機発光装置 |
WO2017154235A1 (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 可撓性電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7351300B2 (en) * | 2001-08-22 | 2008-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and method of manufacturing semiconductor device |
KR100944886B1 (ko) * | 2001-10-30 | 2010-03-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
JP5225024B2 (ja) | 2008-10-30 | 2013-07-03 | 京セラ株式会社 | 吸着盤および真空吸着装置 |
JP5977532B2 (ja) * | 2012-02-20 | 2016-08-24 | 東京応化工業株式会社 | 支持体分離方法及び支持体分離装置 |
JP6275405B2 (ja) | 2013-07-10 | 2018-02-07 | 旭化成株式会社 | 多孔質積層体、吸着緩衝材、及び吸着方法 |
CN114538771A (zh) * | 2015-07-03 | 2022-05-27 | Agc株式会社 | 载体基板、层叠体、电子器件的制造方法 |
KR102288354B1 (ko) * | 2015-08-10 | 2021-08-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법 |
-
2017
- 2017-10-26 JP JP2018511766A patent/JP6387208B1/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-10-26 US US16/080,501 patent/US10516001B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-10-26 WO PCT/JP2017/038785 patent/WO2019082357A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017063064A (ja) * | 2012-03-05 | 2017-03-30 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 有機発光装置の製造方法、無機膜転写用基板及び有機発光装置 |
JP2014048619A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-17 | Panasonic Corp | フレキシブルデバイスの製造方法 |
JP2015173088A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-10-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 積層体の加工装置および加工方法 |
JP2015195106A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置及びその製造方法 |
WO2015190418A1 (ja) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスフィルムの製造方法、及びこのガラスフィルムを含む電子デバイスの製造方法 |
WO2017154235A1 (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 可撓性電子デバイスの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109256489A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 自发光型显示屏及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190148462A1 (en) | 2019-05-16 |
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US10516001B2 (en) | 2019-12-24 |
WO2019082357A1 (ja) | 2019-05-02 |
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