JP6334078B1 - フレキシブルoledデバイスの製造方法および製造装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1Aおよび図1Bを参照する。本実施形態におけるフレキシブルOLEDデバイスの製造方法では、まず、図1Aおよび図1Bに例示される積層構造体100を用意する。図1Aは、積層構造体100の平面図であり、図1Bは、図1Aに示される積層構造体100のB−B線断面図である。図1Aおよび図1Bには、参考のため、互い直交するX軸、Y軸、およびZ軸を有するXYZ座標系が示されている。
本実施形態のフレキシブルOLEDデバイスの製造方法によれば、上記の積層構造体100を用意する工程を実行した後、樹脂膜30の中間領域30iと複数のフレキシブル基板領域30dのそれぞれとを分割する工程を行う。
樹脂膜30の中間領域30iと複数のフレキシブル基板領域30dのそれぞれとを分割した後、剥離光照射装置により、樹脂膜30のフレキシブル基板領域30dとガラスベース10との界面をレーザ光で照射する工程を行う。
本実施形態における剥離光照射装置は、剥離光216を出射するラインビーム光源を備えている。ラインビーム光源は、レーザ装置と、配列された複数のレーザ光源を備えている。レーザ光源の典型例は、半導体レーザ素子(レーザダイオード)である。本開示では、剥離光照射装置を「レーザリフトオフ(LLO)装置」と呼ぶ。
図6は、ラインビーム光源214に用いられ得る半導体レーザ素子の基本構成を模式的に示す斜視図である。図6に示されている半導体レーザ素子300は、レーザ光を出射する発光領域(エミッタ)324を含む端面(ファセット)326aを持つ半導体積層構造322を有している。この例における半導体積層構造322は、半導体基板320上に支持されており、p側クラッド層322a、活性層322b、およびn側クラッド層322cを含んでいる。半導体積層構造322の上面326bには、ストライプ状のp側電極312が設けられている。半導体基板320の裏面には、n側電極316が設けられている。p側電極312からn側電極316に向かって、閾値を超える大きさの電流が活性層322bの所定領域を流れることにより、レーザ発振が生じる。半導体積層構造322の端面326aは、不図示の反射膜によって覆われている。レーザ光は、発光領域324から反射膜を介して外部に出射される。
図7Aを参照する。ラインビーム光源214は、複数の半導体レーザ素子300と、これらの半導体レーザ素子300を支持する複数の支持体214Aとを備える。半導体レーザ素子300および支持体214Aは、筐体214Bの内部に収容されている。支持体214Aは、熱伝導率の高い良導体、例えば銅などの金属や窒化アルミニウムなどのセラミック材料から好適に形成される。筐体214Bが例えば不図示の透光性カバーによって塞がれることにより、筐体214Bの内部は大気雰囲気から遮蔽され得る。筐体214Bの内部は、例えば、半導体レーザ素子300にとって不活性なガスによって充填される。各半導体レーザ素子300には、不図示の配線(メタルワイヤまたはメタルリボンなど)を介して給電が行われる。動作時における半導体レーザ素子300の昇温を抑制するため、ペルチェ素子などの熱電冷却素子(不図示)を半導体レーザ素子300の近傍に配置してもよい。支持体214Aには、水冷のための内部チャネル、および空冷のためのフィンが設けられてもよい。
図16Aは、剥離光の照射後、積層構造体100がステージ210に接触した状態を記載している。この状態を維持したまま、ステージ210からガラスベース10までの距離を拡大する。このとき、本実施形態におけるステージ210は積層構造体100のOLEDデバイス部分を吸着している。
図18は、ステージ210に吸着された状態にある積層構造体100の第1部分110(OLEDデバイス1000)と、ステージ210から離れた位置にある第2部分120(ガラスベース10と付着物)とを示す斜視図である。積層構造体100のうち、OLEDデバイス1000を構成しない不要な部分がガラスベース10に付着している。
以下、図2の分割を行う前における積層構造体100の構成をより詳しく説明する。
樹脂膜30の表面30x上にパーティクルまたは凸部などの研磨対象(ターゲット)が存在する場合、研磨装置によってターゲットを研磨し平坦化してもよい。パーティクルにどの異物の検出は、例えばイメージセンサによって取得した画像を処理することによって可能である。研磨処理後、樹脂膜30の表面30xに対する平坦化処理を行ってもよい。平坦化処理は、平坦性を向上させる膜(平坦化膜)を樹脂膜30の表面30xに形成する工程を含む。平坦化膜は樹脂から形成されている必要はない。
次に、樹脂膜30上にガスバリア膜を形成してもよい。ガスバリア膜は、種々の構造を有し得る。ガスバリア膜の例は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜などの膜である。ガスバリア膜の他の例は、有機材料層および無機材料層が積層された多層膜であり得る。このガスバリア膜は、機能層領域20を覆う後述のガスバリア膜から区別するため、「下層ガスバリア膜」と呼んでもよい。また、機能層領域20を覆うガスバリア膜は、「上層ガスバリア膜」と呼ぶことができる。
以下、TFT層20AおよびOLED層20Bなどを含む機能層領域20、ならびに上層ガスバリア膜40を形成する工程を説明する。
上記の機能層を形成した後、図24Cに示されるように、機能層領域20の全体をガスバリア膜(上層ガスバリア膜)40によって覆う。上層ガスバリア膜40の典型例は、無機材料層と有機材料層とが積層された多層膜である。なお、上層ガスバリア膜40と機能層領域20との間、または上層ガスバリア膜40の更に上層に、粘着膜、タッチスクリーンを構成する他の機能層、偏光膜などの要素が配置されていてもよい。上層ガスバリア膜40の形成は、薄膜封止(Thin Film Encapsulation:TFE)技術によって行うことができる。封止信頼性の観点から、薄膜封止構造のWVTR(Water Vapor Transmission Rate)は、典型的には1×10-4g/m2/day以下であることが求められている。本開示の実施形態によれば、この基準を達成している。上層ガスバリア膜40の厚さは例えば1.5μm以下である。
次に図24Dを参照する。図24Dに示されるように、積層構造体100の上面に保護シート50を張り付ける。保護シート50は、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)やポリ塩化ビニル(PVC)などの材料から形成され得る。前述したように、保護シート50の典型例は、離型剤の塗布層を表面に有するラミネート構造を有している。保護シート50の厚さは、例えば50μm以上200μm以下であり得る。
Claims (15)
- 第1の表面と第2の表面とを有する積層構造体であって、
前記第1の表面を規定するガラスベース;
TFT層およびOLED層を含む機能層領域;
前記ガラスベースと前記機能層領域との間に位置して前記ガラスベースに固着している合成樹脂フィルムであって、前記機能層領域を支持しているフレキシブル基板領域と、前記フレキシブル基板領域を囲む中間領域とを含む合成樹脂フィルム;および、
前記機能層領域を覆い、前記第2の表面を規定する保護シート;
を備える積層構造体を用意する工程と、
前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記フレキシブル基板領域とを分割する工程と、
前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面をレーザ光で照射する工程と、
前記積層構造体の前記第2の表面をステージに接触させた状態で、前記ステージから前記ガラスベースまでの距離を拡大することにより、前記積層構造体を第1部分と第2部分とに分離する工程と、
を含み、
前記積層構造体の前記第1部分は、前記ステージに接触したOLEDデバイスを含み、前記OLEDデバイスは、前記機能層領域と前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域とを有しており、
前記積層構造体の前記第2部分は、前記ガラスベースと、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域とを含み、
前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面を前記レーザ光で照射する工程は、
配列された複数のレーザ光源から前記レーザ光を形成し、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の少なくとも一部に対する前記レーザ光の照射強度を、前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域と前記ガラスベースとの前記界面に対する前記レーザ光の照射強度よりも低下させる工程を含む、フレキシブルOLEDデバイスの製造方法。 - 前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域の個数、および、
前記積層構造体の前記第1部分に含まれる前記OLEDデバイスの個数は、いずれも複数である、請求項1に記載の製造方法。 - 前記複数のレーザ光源は、それぞれ、複数の半導体レーザ素子であり、
前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面を前記レーザ光で照射する工程は、前記複数の半導体レーザ素子のそれぞれを流れる駆動電流を変調することにより、前記レーザ光の照射強度を時間的および/または空間的に変調することを含む、請求項1または2に記載の製造方法。 - 前記複数の半導体レーザ素子は、1列または複数列に並べられており、
前記レーザ光の照射強度は、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面において、4個以上のピークを有する、請求項3に記載の製造方法。 - 前記レーザ光は、前記ガラスベースの外縁に平行な第1の方向に延びるラインビームであり、
前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面を前記レーザ光で照射する工程は、前記レーザ光による前記界面上の照射領域を、前記第1の方向に交差する第2の方向に移動させることによって実行される、請求項1から4のいずれかに記載の製造方法。 - 前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部は、前記第1の方向に沿って延びる複数本の平行なストライプ領域を含む、請求項5に記載の製造方法。
- 前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部は、前記第2の方向に沿って延びる複数本の平行なストライプ領域を含む、請求項5または6に記載の製造方法。
- 前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部は、前記中間領域の幅の50%以上の幅を有する、請求項1から7のいずれかに記載の製造方法。
- 前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部は、1mm以上の幅を有する、請求項1から8のいずれかに記載の製造方法。
- 前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部における前記レーザ光の照射強度と、前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域と前記ガラスベースとの前記界面に対する前記レーザ光の照射強度との差異は、50mJ/cm2以上である、請求項1から9のいずれかに記載の製造方法。
- 前記積層構造体を前記第1部分と前記第2部分とに分離する工程を行った後、
前記ステージに接触した前記OLEDデバイスに対して、処理を実行する工程を更に含む、請求項1から10のいずれかに記載の製造方法。 - 第1の表面と第2の表面とを有する積層構造体であって、
前記第1の表面を規定するガラスベース;
TFT層およびOLED層を含む機能層領域;
前記ガラスベースと前記機能層領域との間に位置して前記ガラスベースに固着している合成樹脂フィルムであって、前記機能層領域を支持しているフレキシブル基板領域と、前記フレキシブル基板領域を囲む中間領域とを含む合成樹脂フィルム;および、
前記機能層領域を覆い、前記第2の表面を規定する保護シート;
を備え、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記フレキシブル基板領域とが分割されている、積層構造体を支持するステージと、
前記ステージに支持されている前記積層構造体における前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面をレーザ光で照射する剥離光照射装置と、
を備え、
前記剥離光照射装置は、
前記レーザ光を形成する、配列された複数のレーザ光源を有しており、
前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の少なくとも一部に対する前記レーザ光の照射強度を、前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域と前記ガラスベースとの前記界面に対する前記レーザ光の照射強度よりも低下させる、
フレキシブルOLEDデバイスの製造装置。 - 前記複数のレーザ光源は、それぞれ、複数の半導体レーザ素子であり、
前記剥離光照射装置は、前記複数の半導体レーザ素子のそれぞれを流れる駆動電流を変調することにより、前記レーザ光の照射強度を時間的および/または空間的に変調するレーザ駆動回路を有する、請求項12に記載の製造装置。 - 前記複数の半導体レーザ素子は、1列または複数列に並べられており、
前記レーザ光の照射強度は、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面において、4個以上のピークを有する、請求項13に記載の製造装置。 - 前記ステージが前記積層構造体の前記第2の表面に接触した状態で、前記ステージから前記ガラスベースまでの距離を拡大することにより、前記積層構造体を第1部分と第2部分とに分離する駆動装置を更に備え、
前記積層構造体の前記第1部分は、前記ステージに接触したOLEDデバイスを含み、前記OLEDデバイスは、前記機能層領域と前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域とを有しており、
前記積層構造体の前記第2部分は、前記ガラスベースと、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域とを含む、請求項12から14のいずれかに記載の製造装置。
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Cited By (5)
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---|---|---|---|---|
WO2019215833A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置 |
WO2019215830A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置 |
WO2019215834A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置 |
WO2019215832A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置 |
WO2019215835A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置 |
Families Citing this family (2)
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---|---|---|---|---|
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CN109638157B (zh) * | 2018-12-14 | 2023-05-12 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示面板母版、柔性显示面板及制备方法和显示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014048619A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-17 | Panasonic Corp | フレキシブルデバイスの製造方法 |
JP2014067671A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 有機elパネル製造装置および有機elパネル製造方法 |
WO2016200991A1 (en) * | 2015-06-09 | 2016-12-15 | Royole Corporation | Manufacturing apparatus for flexible electronics |
JP2017040924A (ja) * | 2013-12-02 | 2017-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 加工装置 |
JP2017183717A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法、および剥離装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5225024B2 (ja) | 1973-08-02 | 1977-07-05 | ||
JP2004055771A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Nec Lcd Technologies Ltd | 半導体薄膜の製造方法及びレーザ照射装置 |
US7708649B2 (en) * | 2006-05-08 | 2010-05-04 | Maraschiello Victor A | Method and apparatus for golf swing alignment |
JP5225024B2 (ja) | 2008-10-30 | 2013-07-03 | 京セラ株式会社 | 吸着盤および真空吸着装置 |
US9991090B2 (en) * | 2012-11-15 | 2018-06-05 | Fei Company | Dual laser beam system used with an electron microscope and FIB |
JP6275405B2 (ja) | 2013-07-10 | 2018-02-07 | 旭化成株式会社 | 多孔質積層体、吸着緩衝材、及び吸着方法 |
WO2015029806A1 (en) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Processing apparatus and processing method of stack |
JP6260869B2 (ja) * | 2014-06-13 | 2018-01-17 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスフィルムの製造方法、及びこのガラスフィルムを含む電子デバイスの製造方法 |
WO2019082357A1 (ja) | 2017-10-26 | 2019-05-02 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブルoledデバイスの製造方法および製造装置 |
JP6334079B1 (ja) * | 2017-10-26 | 2018-05-30 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブルoledデバイスの製造方法および製造装置 |
JP6333502B1 (ja) * | 2017-11-17 | 2018-05-30 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブルoledデバイスの製造方法および製造装置 |
-
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2020
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014048619A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-17 | Panasonic Corp | フレキシブルデバイスの製造方法 |
JP2014067671A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 有機elパネル製造装置および有機elパネル製造方法 |
JP2017040924A (ja) * | 2013-12-02 | 2017-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 加工装置 |
WO2016200991A1 (en) * | 2015-06-09 | 2016-12-15 | Royole Corporation | Manufacturing apparatus for flexible electronics |
JP2017183717A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法、および剥離装置 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019215833A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置 |
WO2019215830A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置 |
WO2019215834A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置 |
WO2019215832A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置 |
WO2019215835A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置 |
JPWO2019215832A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2020-05-28 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置 |
JPWO2019215835A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2020-05-28 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置 |
US10991919B2 (en) | 2018-05-09 | 2021-04-27 | Sakai Display Products Corporation | Method and apparatus for manufacturing flexible light emitting device |
US11088122B2 (en) | 2018-05-09 | 2021-08-10 | Sakai Display Products Corporation | Method and device for manufacturing flexible light emission device |
US11101258B2 (en) | 2018-05-09 | 2021-08-24 | Sakai Display Products Corporation | Method and apparatus for manufacturing flexible light-emitting device |
US11158804B2 (en) | 2018-05-09 | 2021-10-26 | Sakai Display Products Corporation | Method and apparatus for manufacturing flexible light emitting device |
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