WO2019215834A1

WO2019215834A1 - フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置

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Publication number: WO2019215834A1
Application number: PCT/JP2018/017903
Authority: WO
Inventors: 克彦岸本
Original assignee: 堺ディスプレイプロダクト株式会社
Priority date: 2018-05-09
Filing date: 2018-05-09
Publication date: 2019-11-14
Also published as: US10991919B2; US20210074876A1; JP6674592B1; JPWO2019215834A1; US20210210736A1; CN112136361A

Abstract

本開示のフレキシブル発光デバイスの製造方法によれば、積層構造体（１００）の樹脂膜（３０）の中間領域（３０ｉ）とフレキシブル基板領域（３０ｄ）とを分割した後、フレキシブル基板領域（３０ｄ）とガラスベース（１０）との界面を剥離光で照射する。積層構造体（１００）をステージ（２１０）に接触させた状態で、積層構造体（１００）を第１部分（１１０）と第２部分（１２０）とに分離する。第１部分（１１０）は、ステージ（２１０）に接触した複数の発光デバイス（１０００）を含み、発光デバイス（１０００）は、複数の機能層領域（２０）とフレキシブル基板領域（３０ｄ）を有する。第２部分（１２０）は、ガラスベース（１０）と中間領域（３０ｉ）とを含む。剥離光で照射する工程は、配列された複数の光源から前記剥離光を形成し、前記複数の光源の出力を前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域の形状に応じて時間的および空間的に変調し、中間領域（３０ｉ）とガラスベース（１０）との界面の少なくとも一部に対する剥離光の照射強度を、フレキシブル基板領域（３０ｄ）とガラスベース（１０）との界面に対する剥離光の照射強度よりも低下させる工程を含む。

Description

フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置

　本開示は、フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置に関する。

　フレキシブルディスプレイの典型例は、ポリイミドなどの合成樹脂から形成されたフィルム（以下、「樹脂膜」と称する）と、樹脂膜に支持されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）およびＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）などの素子を備えている。樹脂膜はフレキシブル基板として機能する。ＯＬＥＤを構成する有機半導体層は水蒸気によって劣化しやすいため、フレキシブルディスプレイは、ガスバリア膜（封止用フィルム）によって封止されている。

　上記のフレキシブルディスプレイの製造は、樹脂膜が上面に形成されたガラスベースを用いて行われる。ガラスベースは、製造工程中、樹脂膜の形状を平面状に維持する支持体（キャリア）として機能する。樹脂膜上にＴＦＴ素子およびＯＬＥＤなどの発光素子、およびガスバリア膜などが形成されることにより、ガラスベースに支持された状態でフレキシブルディスプレイの構造が実現する。その後、フレキシブルディスプレイはガラスベースから剥離され、柔軟性を獲得する。ＴＦＴ素子およびＯＬＥＤなどの発光素子が配列された部分を全体として「機能層領域」と呼ぶことができる。

　従来技術によれば、複数のフレキシブルディスプレイを含むシート状の構造物をガラスベースから剥離した後、このシート状の構造物に対して光学部品などの実装が行われる。その後、シート状の構造物から複数のフレキシブルデバイスが分割される。この分割は、例えばレーザビームの照射によって行われる。

　特許文献１は、個々のフレキシブルディスプレイをガラスベース（支持基板）から剥離するため、個々のフレキシブルディスプレイとガラスベースとの界面をレーザ光で照射する方法を開示している。特許文献１に開示されている方法によれば、剥離光照射の後、個々のフレキシブルディスプレイが分割され、それぞれのフレキシブルディスプレイがガラスベースから剥がされる。

特開２０１４－４８６１９号公報

　従来の製造方法によれば、複数のフレキシブルディスプレイを含むシート状の構造物に例えば封止フィルム、偏光板および／または放熱シートなどの高価な部品を実装した後、レーザビームの照射による分割を行うため、レーザビームの照射によって分割される不要部分、すなわち最終的にディスプレイを構成しない部分は全くの無駄になる。また、ガラスベースから剥離された後、剛性を有しない複数のフレキシブルディスプレイをハンドリングすることが難しいという課題もある。

　このような課題は、発光素子としてＯＬＥＤを有するフレキシブルディスプレイに限定されず、発光素子として無機半導体材料から形成されたマイクロＬＥＤ（μＬＥＤ）を有するフレキシブル発光デバイスの製造に際しても発生し得る。

　本開示は、上記の課題を解決することができる、フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置を提供する。

　本開示のフレキシブル発光デバイスの製造方法は、例示的な実施形態において、第１の表面と第２の表面とを有する積層構造体であって、前記第１の表面を規定するガラスベース；ＴＦＴ層および発光素子層を含む機能層領域；前記ガラスベースと前記機能層領域との間に位置して前記ガラスベースに固着している合成樹脂フィルムであって、前記機能層領域を支持しているフレキシブル基板領域と、前記フレキシブル基板領域を囲む中間領域とを含む合成樹脂フィルム；および、前記機能層領域を覆い、前記第２の表面を規定する保護シート；を備える積層構造体を用意する工程と、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記フレキシブル基板領域とを分割する工程と、前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面を剥離光で照射する工程と、前記積層構造体の前記第２の表面をステージに接触させた状態で、前記ステージから前記ガラスベースまでの距離を拡大することにより、前記積層構造体を第１部分と第２部分とに分離する工程と、を含み、前記積層構造体の前記第１部分は、前記ステージに接触した発光デバイスを含み、前記発光デバイスは、前記機能層領域と前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域とを有しており、前記積層構造体の前記第２部分は、前記ガラスベースと、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域とを含み、前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面を前記剥離光で照射する工程は、配列された複数の光源から前記剥離光を形成し、前記複数の光源の出力を前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域の形状に応じて時間的および空間的に変調し、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の少なくとも一部に対する前記剥離光の照射強度を、前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域と前記ガラスベースとの前記界面に対する前記剥離光の照射強度よりも低下させる工程を含む。

　ある実施形態において、前記剥離光は、非コヒーレント光である。

　ある実施形態において、前記発光素子層は、配列された複数のマイクロＬＥＤを含み、前記剥離光は、レーザ光である。

　ある実施形態において、前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域の前記形状は、前記第１の表面に垂直な方向から視たとき、切り欠き、突出部、および／または曲線状の輪郭を有している。

　ある実施形態において、前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域の個数、および、前記積層構造体の前記第１部分に含まれる前記発光デバイスの個数は、いずれも複数である。

　ある実施形態において、前記複数の光源は、それぞれ、複数の発光ダイオード素子であり、前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面を前記剥離光で照射する工程は、前記複数の発光ダイオード素子のそれぞれを流れる駆動電流を変調することにより、前記剥離光の照射強度を時間的および／または空間的に変調することを含む。

　ある実施形態において、前記複数の発光ダイオード素子は、１列または複数列に並べられている。

　ある実施形態において、前記複数の発光ダイオード素子の配列ピッチは、３ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲にある。

　ある実施形態において、前記剥離光は、前記ガラスベースの外縁に平行な第１の方向に延びるラインビームであり、前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面を前記剥離光で照射する工程は、前記剥離光による前記界面上の照射領域を、前記第１の方向に交差する第２の方向に移動させることによって実行される。

　ある実施形態において、前記剥離光は、前記ガラスベースの外縁に平行な第１の方向、および前記第１の方向に交差する第２の方向に延びる面状光であり、前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面を前記剥離光で照射する工程は、前記剥離光による前記界面上の照射領域を静止または移動させることによって実行される。

　ある実施形態において、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部は、前記第１の方向に沿って延びる複数本の平行なストライプ領域を含み、前記複数本の平行なストライプ領域のいずれかは、幅広部および／または幅狭部を有している。

　ある実施形態において、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部は、前記第２の方向に沿って延びる複数本の平行なストライプ領域を含み、前記複数本の平行なストライプ領域のいずれかは、幅広部および／または幅狭部を有している。

　ある実施形態において、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部は、前記中間領域の幅の５０％以上の幅を有する。

　ある実施形態において、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部は、１ｍｍ以上の幅を有する。

　ある実施形態において、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部における前記剥離光の照射強度と、前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域と前記ガラスベースとの前記界面に対する前記剥離光の照射強度との差異は、５０ｍＪ／ｃｍ²以上である。

　ある実施形態において、前記積層構造体を前記第１部分と前記第２部分とに分離する工程を行った後、前記ステージに接触した前記発光デバイスに対して、処理を実行する工程を更に含む。

　本開示のフレキシブル発光デバイスの製造方法は、例示的な実施形態において、第１の表面と第２の表面とを有する積層構造体であって、前記第１の表面を規定するガラスベース；ＴＦＴ層および発光素子層を含む機能層領域；前記ガラスベースと前記機能層領域との間に位置して前記ガラスベースに固着している合成樹脂フィルムであって、前記機能層領域を支持しているフレキシブル基板領域と、前記フレキシブル基板領域を囲む中間領域とを含む合成樹脂フィルム；および、前記機能層領域を覆い、前記第２の表面を規定する保護シート；を備え、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記フレキシブル基板領域とが分割されている、積層構造体を支持するステージと、
　前記ステージに支持されている前記積層構造体における前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面を剥離光で照射する剥離光照射装置と、を備え、前記剥離光照射装置は、前記剥離光を形成する、配列された複数の光源を有しており、前記複数の光源の出力を前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域の形状に応じて時間的および空間的に変調し、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の少なくとも一部に対する前記剥離光の照射強度を、前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域と前記ガラスベースとの前記界面に対する前記剥離光の照射強度よりも低下させる。

　ある実施形態において、前記複数の光源のそれぞれは、非コヒーレント光源である。

　ある実施形態において、前記発光素子層は、配列された複数のマイクロＬＥＤを含み、前記複数の光源は、それぞれ、半導体レーザ素子である。

　ある実施形態において、前記複数の光源は、それぞれ、複数の発光ダイオード素子であり、前記剥離光照射装置は、前記複数の発光ダイオード素子のそれぞれを流れる駆動電流を変調することにより、前記剥離光の照射強度を時間的および／または空間的に変調する駆動回路を有する。

　雨前記ステージが前記積層構造体の前記第２の表面に接触した状態で、前記ステージから前記ガラスベースまでの距離を拡大することにより、前記積層構造体を第１部分と第２部分とに分離する駆動装置を更に備え、前記積層構造体の前記第１部分は、前記ステージに接触した発光デバイスを含み、前記発光デバイスは、前記機能層領域と前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域とを有しており、前記積層構造体の前記第２部分は、前記ガラスベースと、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域とを含む。

　本開示の剥離光照射装置は、例示的な実施形態において、ガラスベースと前記ガラスベース上の合成樹脂フィルムとの界面を剥離光で照射する剥離光照射装置であって、それぞれが紫外光を放射して前記剥離光を形成する複数の発光ダイオードと、前記複数の発光ダイオードを駆動する駆動回路と、前記駆動回路を制御することにより、前記剥離光の照射強度を時間的および／または空間的に変調するコントローラとを備える。

　本発明の実施形態によれば、前記の課題を解決する、フレキシブル発光デバイスの新しい製造方法が提供される。

本開示によるフレキシブル発光デバイスの製造方法に用いられる積層構造体の構成例を示す平面図である。図１Ａに示される積層構造体のＢ－Ｂ線断面図である。積層構造体における樹脂膜の構成例を示す平面図である。積層構造体における樹脂膜の他の構成例を示す平面図である。積層構造体の他の例を示す断面図である。積層構造体の更に他の例を示す断面図である。積層構造体の分割位置を模式的に示す断面図である。ステージが積層構造体を支持する直前の状態を模式的に示す図である。ステージが積層構造体を支持している状態を模式的に示す図である。剥離光によって積層構造体のガラスベースと樹脂膜との界面を照射している状態を模式的に示す図である。剥離光照射装置のレーザ光源から出射されたレーザ光（剥離光）で積層構造体を照射する様子を模式的に示す斜視図である。剥離光照射装置における信号、データ、および指令の流れを模式的に示すブロック図である。ラインビーム光源に用いられ得る半導体レーザ素子の基本構成を模式的に示す斜視図である。ラインビーム光源の構成例と走査中における半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の光強度分布の例を模式的に示す図である。ラインビーム光源の構成例と走査中における半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の光強度分布の他の例を模式的に示す図である。ラインビーム光源の他の構成例を模式的に示す斜視図である。剥離光の照射強度のＹ軸方向分布の例を模式的に示す図である。剥離光の照射強度のＹ軸方向分布の他の例を模式的に示す図である。剥離光の照射強度のＹ軸方向分布の更に他の例を模式的に示す図である。剥離光の照射強度のＹ軸方向分布の更に他の例を模式的に示す図である。剥離光の照射強度のＸ軸方向（走査方向）分布の例を模式的に示す図である。剥離光の照射強度のＸ軸方向分布の他の例を模式的に示す図である。剥離光の照射強度のＸ軸方向分布の更に他の例を模式的に示す図である。剥離光の照射強度のＸ軸方向分布の更に他の例を模式的に示す図である。剥離光の照射後に積層構造体を第１部分と第２部分とに分離する前の状態を模式的に示す断面図である。積層構造体を第１部分と第２部分とに分離した状態を模式的に示す断面図である。剥離装置で積層構造体から分離されたガラスベースを示す斜視図である。ステージからガラスベースが除去される状態を示す斜視図である。ステージからガラスベースが除去された状態を示す斜視図である。ステージからガラスベースが除去された状態を示す断面図である。ステージから離れたフレキシブル発光デバイスを示す断面図である。ステージに接触した複数の発光デバイスに固着された他の保護シートを示す断面図である。複数の発光デバイスにそれぞれ実装される複数の部品を載せたキャリアシートを示す断面図である。本開示の実施形態におけるフレキシブル発光デバイスの製造方法を示す工程断面図である。本開示の実施形態におけるフレキシブル発光デバイスの製造方法を示す工程断面図である。本開示の実施形態におけるフレキシブル発光デバイスの製造方法を示す工程断面図である。本開示の実施形態におけるフレキシブル発光デバイスの製造方法を示す工程断面図である。フレキシブル発光デバイスにおける１個のサブ画素の等価回路図である。製造工程の途中段階における積層構造体の斜視図である。Ｙ軸方向に配列された１列の発光ダイオード素子を備えるラインビーム光源２１４の上面を模式的に示す図である。図２７Ａに示されるラインビーム光源のＢ－Ｂ線断面である。積層構造体１００に対するラインビーム光源の移動方向を示す図である。Ｙ軸方向に配列された複数列の発光ダイオード素子を備えるラインビーム光源２１４の上面を模式的に示す図である。図２８Ａに示されるラインビーム光源のＢ－Ｂ線断面である。積層構造体に対するラインビーム光源の移動方向を示す図である。図２８Ａのラインビーム光源が形成しつつある照射領域を模式的に示平面図である。ラインビーム光源の走査中に、個々の発光ダイオードを流れる電流を時間的に変調することによって形成された照射領域の例を示す平面図である。多数の発光ダイオード素子がマトリックス状に配列された面光源の例を模式的に示す上面図である。多数の発光ダイオード素子がマトリックス状に配列された面光源の他の例を模式的に示す上面図である。

　図面を参照しながら、本開示によるフレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置の実施形態を説明する。「発光デバイス」の例は、ディスプレイおよび照明装置を含む。以下の説明において、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。本発明者らは、当業者が本開示を十分に理解するために添付図面および以下の説明を提供する。これらによって特許請求の範囲に記載の主題を限定することを意図しない。

　＜積層構造体＞
　図１Ａおよび図１Ｂを参照する。本実施形態におけるフレキシブル発光デバイスの製造方法では、まず、図１Ａおよび図１Ｂに例示される積層構造体１００を用意する。図１Ａは、積層構造体１００の平面図であり、図１Ｂは、図１Ａに示される積層構造体１００のＢ－Ｂ線断面図である。図１Ａおよび図１Ｂには、参考のため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を有するＸＹＺ座標系が示されている。

　積層構造体１００は、ガラスベース（マザー基板またはキャリア）１０と、それぞれがＴＦＴ層２０Ａおよび発光素子層２０Ｂを含む複数の機能層領域２０と、ガラスベース１０と複数の機能層領域２０との間に位置してガラスベース１０に固着している合成樹脂フィルム（以下、単に「樹脂膜」と称する）３０と、複数の機能層領域２０を覆う保護シート５０を備えている。積層構造体１００は、更に、複数の機能層領域２０と保護シート５０との間において、機能層領域２０の全体を覆うガスバリア膜４０を備えている。積層構造体１００は、バッファ層などの図示されていない他の層を有していてもよい。

　本実施形態における発光素子層２０Ｂは、例えば、２次元的に配列された複数のＯＬＥＤ素子を有している。本開示における「発光素子層」は、発光素子の２次元アレイを意味する。個々の発光素子は、ＯＬＥＤ素子に限定されず、マイクロＬＥＤ素子であってもよい。また、本実施形態におけるフレキシブル発光デバイスの典型例は、「フレキシブルディスプレイ」であるが、「フレキシブル照明装置」であってもよい。

　積層構造体１００の第１の表面１００ａはガラスベース１０によって規定され、第２の表面１００ｂは保護シート５０によって規定されている。ガラスベース１０および保護シート５０は、製造工程中に一時的に用いられる部材であり、最終的なフレキシブル発光デバイスを構成する要素ではない。

　図示されている樹脂膜３０は、複数の機能層領域２０をそれぞれ支持している複数のフレキシブル基板領域３０ｄと、個々のフレキシブル基板領域３０ｄを囲む中間領域３０ｉとを含む。フレキシブル基板領域３０ｄと中間領域３０ｉは、連続した１枚の樹脂膜３０の異なる部分にすぎず、物理的に区別される必要はない。言い換えると、樹脂膜３０のうち、各機能層領域２０の真下に位置している部分がフレキシブル基板領域３０ｄであり、その他の部分が中間領域３０ｉである。

　複数の機能層領域２０のそれぞれは、最終的にフレキシブル発光デバイスのパネル（例えば「ディスプレイパネル」）を構成する。言い換えると、積層構造体１００は、分割前の複数のフレキシブル発光デバイスを１枚のガラスベース１０が支持している構造を有している。各機能層領域２０は、例えば厚さ（Ｚ軸方向サイズ）が数十μｍ、長さ（Ｘ軸方向サイズ）が１２ｃｍ程度、幅（Ｙ軸方向サイズ）が７ｃｍ程度のサイズを持つ形状を有している。これらのサイズは、必要な表示画面または発光面領域の大きさに応じて任意の大きさに設定され得る。

　次に図１Ｃを参照して、本実施形態におけるフレキシブル基板領域３０ｄおよび中間領域３０ｉの構成例をより詳しく説明する。図１Ｃは、本実施形態における樹脂膜３０におけるフレキシブル基板領域３０ｄおよび中間領域３０ｉのレイアウトの例を示す平面図である。

　図示されている例において、個々のフレキシブル基板領域３０ｄの形状は、切り欠き３０Ｕ、突出部３０Ｖ、および曲線状輪郭部分３０Ｗを有している。フレキシブル基板領域３０ｄの形状は、図１Ａに示されるフレキシブル発光デバイスの形状に整合している。本実施形態におけるフレキシブル発光デバイスは、単純な矩形とは異なる形状を有している。この形状は、例えば、ディスプレイ装置として狭額縁のフレキシブル発光デバイスが搭載されるスマ－トフォン、タブレット端末、テレビジョンセットなどの電子機器の設計に応じている。より詳細には、このような電子機器には、ディスプレイ装置とは別に、カメラ、スピーカ、物理的スイッチなどの部品が実装され得る。図１Ｃに示されるフレキシブル基板領域３０ｄの切り欠き３０Ｕは、このような部品が配置される領域に設けられ得る。

　なお、複数のフレキシブル基板領域３０ｄは、対応するフレキシブル発光デバイスの配置に対応して、行および列状に、２次元的に配列されている。中間領域３０ｉは、直交する複数のストライプから構成され、格子パターンを形成している。ストライプは、フレキシブル基板領域３０ｄの凹凸形状に応じた幅広部分および幅狭部分を含み得る。本実施形態における各ストライプの幅は、例えば１～１０ｍｍ程度である。樹脂膜３０のフレキシブル基板領域３０ｄは、最終製品の形態において、個々のフレキシブル発光デバイスの「フレキシブル基板」として機能する。これに対して、樹脂膜３０の中間領域３０ｉは、最終製品を構成する要素ではない。

　本開示の実施形態において、積層構造体１００の構成は、図示されている例に限定されない。１枚のガラスベース１０に支持されている機能層領域２０の個数（発光デバイスの個数）は、複数である必要はなく、単数であってもよい。機能層領域２０が単数である場合、樹脂膜３０の中間領域３０ｉは、１個の機能層領域２０の周りを囲む単純なフレームパターンを形成する。

　図１Ｄは、１枚のガラスベース１０に支持されている発光デバイスの個数が１個である場合の樹脂膜３０の構成例を示す平面図である。この例におけるフレキシブル基板領域３０ｄの形状は、切り欠き３０Ｕおよび突出部３０Ｖを有している。このフレキシブル基板領域３０ｄの形状は、大型のテレビまたはモニタに用いられ得るフレキシブル発光デバイスの形状に整合している。フレキシブル基板領域３０ｄの切り欠き３０Ｕは、カメラ、スピーカ、物理的スイッチなどの部品が実装される領域に設けられ得る。この例の１個のフレキシブル発光デバイスは、例えば１．５ｍ×０．９ｍのサイズを有するガラスベース１０上に形成され得る。

　各図面に記載されている各要素のサイズまたは比率は、わかりやすさの観点から決定されており、実際のサイズまたは比率を必ずしも反映していない。

　本開示の製造方法に用いられ得る積層構造体１００は、図１Ａおよび図１Ｂに示される例に限定されない。図１Ｅおよび図１Ｆは、それぞれ、積層構造体１００の他の例を示す断面図である。図１Ｅに示される例において、保護シート５０は、樹脂膜３０の全体を覆い、樹脂膜３０よりも外側に拡がっている。図１Ｆに示される例において、保護シート５０は、樹脂膜３０の全体を覆い、かつ、ガラスベース１０よりも外側に拡がっている。後述するように、積層構造体１００からガラスベース１０が隔離された後、積層構造体１００は、剛性を有しないフレキシブルな薄いシート状の構造物になる。保護シート５０は、ガラスベース１０の剥離を行う工程、および、剥離後の工程において、機能層領域２０が外部の装置または器具などに衝突したり、接触したりしたとき、機能層領域２０を衝撃および摩擦などから保護する役割を果たす。保護シート５０は、最終的に積層構造体１００から剥がし取られるため、保護シート５０の典型例は、接着力が比較的小さな接着層（離型剤の塗布層）を表面に有するラミネート構造を有している。積層構造体１００のより詳細な説明は、後述する。

　＜発光デバイスの分割＞
　本実施形態のフレキシブル発光デバイスの製造方法によれば、上記の積層構造体１００を用意する工程を実行した後、樹脂膜３０の中間領域３０ｉと複数のフレキシブル基板領域３０ｄのそれぞれとを分割する工程を行う。

　図２は、樹脂膜３０の中間領域３０ｉと複数のフレキシブル基板領域３０ｄのそれぞれとを分割する位置を模式的に示す断面図である。照射位置は、個々のフレキシブル基板領域３０ｄの外周に沿っている。図２において、矢印で示される位置を切断用のレーザビームで照射し、積層構造体１００のうちでガラスベース１０以外の部分を複数の発光デバイス（例えばディスプレイパネル）１０００とその他の不要部分とに切断する。切断により、個々の発光デバイス１０００と、その周囲との間に数十μｍから数百μｍの隙間が形成される。このような切断は、レーザビームの照射に代えて、固定刃や回転刃を有するカッターによって行うことも可能である。ただし、図１Ｃに示したように、フレキシブル基板領域３０ｄの外周は複雑な凹凸および湾曲を有しているため、レーザビームの照射によって切断することが望ましい。切断後も、発光デバイス１０００およびその他の不要部分は、ガラスベース１０に固着されている。

　レーザビームによって切断を行う場合、レーザビームの波長は、赤外、可視光、紫外のいずれの領域にあってもよい。ガラスベース１０に及ぶ切断の影響を小さくすると言う観点からは、波長が緑から紫外域に含まれるレーザビームが望ましい。例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ装置によれば、２次高調波（波長５３２ｎｍ）、または３次高調波（波長３４３ｎｍまたは３５５ｎｍ）を利用して切断を行うことができる。その場合、レーザ出力を１～３ワットに調整して毎秒５００ｍｍ程度の速度で走査すれば、ガラスベース１０に損傷を与えることなく、ガラスベース１０に支持されている積層物を発光デバイスと不要部分とに切断（分割）することができる。

　本開示の実施形態によれば、上記の切断を行うタイミングが従来技術に比べて早い。樹脂膜３０がガラスベース１０に固着した状態で切断が実行されるため、隣接する発光デバイス１０００の間隔が狭くても、高い正確度および精度で切断の位置合わせが可能になる。このため、隣接する発光デバイス１０００の間隔を短縮して、最終的に不要になる無駄な部分を少なくできる。また、従来技術では、ガラスベース１０から剥離した後、樹脂膜３０の表面（剥離表面）の全体を覆うように、偏光板、放熱シート、および／または電磁シールドなどが張り付けられることがある。そのような場合、切断により、偏光板、放熱シート、および／または電磁シールドも発光デバイス１０００を覆う部分と、その他の不要な部分とに分割される。不要な部分は無駄に廃棄されることになる。これに対して、本開示の製造方法によれば、後に説明するように、このような無駄の発生を抑制できる。

　＜剥離光照射＞
　樹脂膜３０の中間領域３０ｉと複数のフレキシブル基板領域３０ｄのそれぞれとを分割した後、剥離光照射装置により、樹脂膜３０のフレキシブル基板領域３０ｄとガラスベース１０との界面を剥離光で照射する工程を行う。

　図３Ａは、ステージ２１０が積層構造体１００を支持する直前の状態を模式的に示す図である。本実施形態におけるステージ２１０は、吸着のための多数の孔を表面に有する吸着ステージである。積層構造体１００は、積層構造体１００の第２の表面１００ｂがステージ２１０の表面２１０Ｓに対向するように配置され、ステージ２１０によって支持される。

　図３Ｂは、ステージ２１０が積層構造体１００を支持している状態を模式的に示す図である。ステージ２１０と積層構造体１００との配置関係は、図示される例に限定されない。例えば、積層構造体１００の上下が反転し、ステージ２１０が積層構造体１００の下方に位置していてもよい。

　図３Ｂに示される例において、積層構造体１００は、ステージ２１０の表面２１０Ｓに接しており、ステージ２１０は積層構造体１００を吸着している。

　次に、図３Ｃに示されるように、樹脂膜３０とガラスベース１０との界面を剥離光２１６で照射する。図３Ｃは、図の紙面に垂直な方向に延びるライン状に成形された剥離光２１６によって積層構造体１００のガラスベース１０と樹脂膜３０との界面を照射している状態を模式的に示す図である。樹脂膜３０の一部は、ガラスベース１０と樹脂膜３０との界面において、剥離光２１６を吸収して分解（消失）する。剥離光２１６で上記の界面をスキャンすることにより、樹脂膜３０のガラスベース１０に対する固着の程度を低下させる。剥離光２１６の波長は、典型的には紫外域にある。剥離光２１６の波長は、剥離光２１６がガラスベース１０には、ほとんど吸収されず、できるだけ樹脂膜３０によって吸収されるように選択される。ガラスベース１０の光吸収率は、例えば波長が３４３～３５５ｎｍの領域では１０％程度だが、３０８ｎｍでは３０～６０％に上昇し得る。

　以下、本実施形態における剥離光の照射を詳しく説明する。

　＜剥離光照射装置１＞
　本実施形態における剥離光照射装置は、剥離光２１６を出射するラインビーム光源を備えている。ラインビーム光源は、レーザ装置と、配列された複数のレーザ光源を備えている。本実施形態におけるレーザ光源の典型例は、半導体レーザ素子（レーザダイオード、ＬＤともいう）である。これに対して、従来の剥離光照射装置の典型例は、エキシマレーザなどのガスレーザ装置、またはＹＡＧレーザなどの固体レーザ装置と、それらのレーザ装置から出射されたスポットビーム状のレーザ光をラインビーム状に成形するレンズやプリズムなどから構成された光学系とを組み合わせたものである。本開示では、剥離光照射装置を単に「剥離装置」と呼ぶ。なお、従来の剥離装置では、１ｍ以上のライン長さを有するラインビームを得ようとすると、レーザ光を成形する光学系が巨大になりすぎて製造が困難になること、およびそれに伴いラインビームの品質（均一性）の低下が不可避であることから、Ｇ６Ｈ基板サイズ（１８００ｍｍ×７５０ｍｍの短辺側）程度に対応するラインビーム（ビーム長さが７５０ｍｍ程度まで）が限界であった。

　図４は、本実施形態における剥離装置２２０のラインビーム光源２１４から出射されたラインビーム（剥離光２１６）で積層構造体１００を照射する様子を模式的に示す斜視図である。わかりやすさのため、ステージ２１０、積層構造体１００、およびラインビーム光源２１４は、図のＺ軸方向に離れた状態で図示されている。剥離光２１６の照射時、積層構造体１００の第２の表面１００ｂはステージ２１０に接している。このように配列された複数のレーザ光源を使用することにより、ラインビーム状の剥離光のライン長さを容易に１ｍ以上とすることができ、従来の剥離装置では対応できなかったＧ８基板（２４００ｍｍ×２２００ｍｍ）やそれ以上の超大型基板への対応も可能となる。

　図４に例示される剥離装置２２０は、積層構造体１００におけるラインビームの照射位置をラインビームに交差する方向（走査方向）に移動させるようにラインビーム光源２１４を移動させる移動装置２３０を備えている。図示されている移動装置２３０は、支持台２７０と、ラインビーム光源２１４の移動を案内するガイドレール２４６とを備えている。移動装置２３０は、例えばモータなどのアクチュエータを備えており、ラインビーム光源２１４を移動させることができる。モータは、直流モータ、３相交流モータ、ステッピングモータなどの回転電気機械であってもよいし、リニアモータまたは超音波モータであってもよい。超音波モータを使用した場合、その他のモータと比べて高精度な位置決めが可能になる。また、静止時の保持力が大きく、無通電で保持できるため、静止時の発熱が少ない。

　次に図５を参照する。図５は、剥離装置２２０における信号、データ、および指令の流れを模式的に示すブロック図である。

　コントローラ２６０は、典型的にはコンピュータである。コントローラ２６０の一部または全部は、汎用的または専用的なコンピュータシステムであり得る。コンピュータシステムとは、ＯＳ（オペレーティングシステム）および、必要に応じて周辺機器等のハードウェアを含むものとする。コントローラ２６０は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体であるメモリ２７４に接続されている。メモリ２７４には、剥離装置２２０の動作を規定するプログラムが格納されている。

　図５では、簡単のため、単数のメモリが記載されているが、現実のメモリ２７４は、複数の同一または異なる種類の記録装置であり得る。メモリ２７４の一部は、不揮発性メモリであり、他の一部はランダムアクセスメモリであってもよい。メモリ２７４の一部または全体は、着脱容易な光ディスクおよび固体記録素子であってもよいし、ネット積層構造体上にあるクラウド型の記憶装置であってもよい。

　コントローラ２６０は、温度センサおよびイメージセンサなどのセンサ２７６に接続されている。このようなセンサ２７６によって、積層構造体１００上におけるラインビームの照射位置を検知したり、照射によって積層構造体１００上に現れた物理的または化学的変化を観察したりすることができる。

　コントローラ２６０は、メモリ２７４に保持されているプログラムに従い、必要に応じてセンサ２７６の出力に基づいて、適切な指令をレーザ駆動回路（ＬＤ駆動回路）２８０および移動装置駆動回路２９０に対して発する。ＬＤ駆動回路２８０は、コントローラ２６０の指令に従って、ラインビーム光源２１４から出るラインビームの照射強度を調整する。移動装置駆動回路２９０は、コントローラ２６０の指令に従って、移動装置２３０の動作を調整する。

　移動装置駆動回路２９０により、例えばモータの回転角度および回転速度が制御され、ラインビーム光源２１４とステージ２１０との相互配置関係が調節される。この例では、簡単のため、固定されたステージ２１０に対してラインビーム光源２１４がＸ軸方向に移動するが、本実施形態における剥離装置は、この例に限定されない。ステージ２１０が移動し、ラインビーム光源２１４が固定されていてもよい。また、ステージ２１０およびラインビーム光源２１４の両方が、同一または異なる方向に移動してもよい。ステージ２１０が重量の大きな積層構造体１００を支えて移動する場合、例えばエアースライダなどの軸受が用いられ得る。

　ラインビーム光源２１４は、配列された複数の半導体レーザ素子を備えており、各半導体レーザ素子はＬＤ駆動回路２８０に接続されている。ＬＤ駆動回路２８０は、後述するモニタ用フォトダイオードから出力された電気信号を受け取り、半導体レーザ素子の光出力を所定レベルに調整する。

　＜半導体レーザ素子＞
　図６は、ラインビーム光源２１４に用いられ得る半導体レーザ素子の基本構成を模式的に示す斜視図である。図６に示されている半導体レーザ素子３００は、レーザ光を出射する発光領域（エミッタ）３２４を含む端面（ファセット）３２６ａを持つ半導体積層構造３２２を有している。この例における半導体積層構造３２２は、半導体基板３２０上に支持されており、ｐ側クラッド層３２２ａ、活性層３２２ｂ、およびｎ側クラッド層３２２ｃを含んでいる。半導体積層構造３２２の上面３２６ｂには、ストライプ状のｐ側電極３１２が設けられている。半導体基板３２０の裏面には、ｎ側電極３１６が設けられている。ｐ側電極３１２からｎ側電極３１６に向かって、閾値を超える大きさの電流が活性層３２２ｂの所定領域を流れることにより、レーザ発振が生じる。半導体積層構造３２２の端面３２６ａは、不図示の反射膜によって覆われている。レーザ光は、発光領域３２４から反射膜を介して外部に出射される。

　一般に、発光領域３２４のＹ軸方向サイズＥｙは、Ｘ軸方向サイズＥｘよりも小さい。このため、発光領域３２４から出射されたレーザ光は、回折効果により、Ｙ軸方向に広がる。本開示の実施形態では、この回折効果を利用してラインビームの形成を行うことができる。なお、発光領域３２４の前面にレンズ、回折素子、スリットなどの光学素子を配置して、レーザ光のビーム成形を行ってもよい。

　半導体レーザ素子３００は、発振波長および光出力に応じて、種々の半導体材料から形成され、多様な構造およびサイズを有し得る。紫外領域に属する波長（例えば３００～３５０ｎｍ）を持つレーザ光が必要な場合、半導体レーザ素子３００の半導体積層構造３２２は、ＡｌＧａＮ系またはＩｎＡｌＧａＮ系の窒化物半導体から好適に形成され得る。半導体レーザ素子３００の発振波長は、例えば２００ｎｍ～３５０ｎｍの範囲内に設定され得る。ｐ側クラッド層３２２ａにリッジストライプを設けて水平横方向の光閉じ込めを行ってもよい。活性層３２２ｂは、１個または複数の量子井戸構造を含んでいてもよい。半導体積層構造３２２は、光ガイド層、バッファ層、およびコンタクト層などの他の半導体層を含んでいてもよい。基板３２０がサファイア基板である場合、ｎ側電極３１６は、基板３２０に対してｐ側電極３１２が設けられる側に配置される。

　図６に示される構成は、半導体レーザ素子３００の構成の典型的な一例にすぎず、説明を簡単にするため、単純化されている。この単純化された構成の例は、本開示の実施形態をなんら限定するものではない。面発光型の半導体レーザ素子を用いてラインビームを形成することも可能である。なお、他の図面では、簡単のため、ｎ側電極３１６などの構成要素の記載を省略する場合がある。

　＜ラインビーム光源の構成例＞
　図７Ａを参照する。ラインビーム光源２１４は、複数の半導体レーザ素子３００と、これらの半導体レーザ素子３００を支持する複数の支持体２１４Ａとを備える。半導体レーザ素子３００および支持体２１４Ａは、筐体２１４Ｂの内部に収容されている。支持体２１４Ａは、熱伝導率の高い良導体、例えば銅などの金属や窒化アルミニウムなどのセラミック材料から好適に形成される。筐体２１４Ｂが例えば不図示の透光性カバーによって塞がれることにより、筐体２１４Ｂの内部は大気雰囲気から遮蔽され得る。筐体２１４Ｂの内部は、例えば、半導体レーザ素子３００にとって不活性なガスによって充填される。各半導体レーザ素子３００には、不図示の配線（メタルワイヤまたはメタルリボンなど）を介して給電が行われる。動作時における半導体レーザ素子３００の昇温を抑制するため、ペルチェ素子などの熱電冷却素子（不図示）を半導体レーザ素子３００の近傍に配置してもよい。支持体２１４Ａには、水冷のための内部チャネル、および空冷のためのフィンが設けられてもよい。

　各半導体レーザ素子３００の出射側における端面３２６ａとは反対の側に位置する端面３２６ｃの近傍には、不図示のフォトダイオードが配置されている。この端面３２６ｃは相対的に高い反射率を持つ反射膜によって覆われているが、半導体レーザ素子３００の内部で発振しているレーザ光の一部は、端面３２６ｃから外部に漏れ出てくる。この漏れ出たレーザ光をフォトダイオードで検出することにより、端面３２６ａから出射されるレーザ光の強度をモニタすることができる。フォトダイオードの出力は、前述したように、パワーコントロールに利用される。

　図７Ａの例において、Ｙ軸に平行な同一ラインに沿って１１個の半導体レーザ素子３００が配列されている。半導体レーザ素子３００の個数は、この例に限定されず、１０個以下であってもよいし、１２個以上であってもよい。大面積領域を照射するための長いラインビームを形成したり、照射強度の空間分布を高い分解能で変調したりするためには、５０個または１００個を超える半導体レーザ素子３００が同一ライン状に配列され得る。各半導体レーザ素子３００は、図６の半導体レーザ素子３００と同様の構成を持ち得る。半導体レーザ素子３００のそれぞれの発光領域３２４から出射されたレーザ光（剥離光２１６）は、この同一ラインに平行に拡がってラインビームを形成する。

　図７Ａには、ＸＹ平面に平行な矩形の走査面ＳＣと、レーザ光（剥離光２１６）が走査面ＳＣ上に形成する照射領域２１８とが模式的に示されている。走査面ＳＣは、積層構造体１００における樹脂膜３０とガラスベース１０との界面に相当する。

　図７Ａには、参考のため、ある時刻における照射領域２１８における照射強度ＩＳのＸ軸方向分布と、Ｙ軸方向分布とが示されている。照射強度ＩＳのＸ軸方向分布は、狭く、単峰性を示す。これに対して、照射強度ＩＳのＹ軸方向分布は、１１個の半導体レーザ素子３００からそれぞれ出射されたレーザ光が重畳してライン状に延びているため、１１個のピークを有している。

　前述したように、個々の半導体レーザ素子３００から出射されたレーザ光は、回折効果によって所定の方向（この例ではＹ軸方向）に広がる傾向がある。この性質は、Ｙ軸方向に延びるラインビームを形成するために適している。一方、Ｘ軸方向への拡がりを抑制して、単位面積あたりの照射エネルギ（照射強度：単位はジュール／ｃｍ²）を高めるために、シリンドリカルレンズなどの光学素子を用いてもよい。そのような光学素子を用いてレーザ光をＸ軸方向にフォーカスすると、走査面ＳＣ上の照射領域２１８の幅（Ｘ軸方向サイズ）を例えば０．２ｍｍ程度またはそれ以下に狭くすることができる。

　ラインビームの照射強度を高めるには、半導体レーザ素子３００の配列ピッチを縮小して、半導体レーザ素子３００の個数密度を高めることが好ましい。例えば、１ｍｍ～５ｍｍ間隔（配列ピッチ:隣接する光源の中心間距離）で１００個またはそれ以上の個数の半導体レーザ素子３００を直線上に配列してもよい。このように高密度で配列された半導体レーザ素子３００を用いる場合、半導体レーザ素子３００から走査面ＳＣまでの距離を例えば１０ｍｍにすると、例えば１ｍｍ～５ｍｍの高い空間分解能で照射強度を変調することが可能になる。高い空間分解能を実現するため、個々の半導体レーザ素子３００から出射されたレーザ光の断面が広がらないようにする光学素子（コリメートまたは集束のための光学系）をレーザ光の光路上に配置しても良い。

　次に図７Ｂを参照する。図７Ｂは、ラインビーム光源２１４を図７Ａに示される位置からＸ軸の正方向に並進移動させた状態を示している。照射領域２１８も、ラインビーム光源２１４の移動に伴って並進移動している。なお、図７Ｂの状態において、各半導体レーザ素子３００の出力は図７Ａの状態に比べて低下させている。各半導体レーザ素子３００の出力は、同じタイミングで増減される必要はない。言い換えると、ラインビームの走査中において、照射強度ＩＳのＸ軸方向分布のみならず、Ｙ軸方向分布をも様々に変化させることができる。

　このように配列された複数の半導体レーザ素子３００を用いることにより、照射領域２１８の位置に応じて半導体レーザ素子３００の出力を時間的および／または空間的に変調することができる。このため、走査面ＳＣ上の照射強度の分布を制御することができる。

　図８は、複数の半導体レーザ素子３００を備えるラインビーム光源２１４の他の構成例を示す斜視図である。この例において、２列の半導体レーザ素子３００は、スタッガパターン（千鳥配列）を有している。２列の中心間距離を短縮することにより、全体として１本のラインビームを形成することも可能である。更に、第１の列に属する半導体レーザ素子３００の光軸と、第２の列に属する半導体レーザ素子３００の光軸とが積層構造体１００上で交差するように半導体レーザ素子３００の方位を調整すれば、実質的に１本のラインビームを形成することができる。

　本開示の実施形態における「ラインビーム光源」によれば、剥離光の照射領域が１本のラインである必要はなく、走査方向に交差する方向に照射領域が連続または不連続に分布しておればよい。言い換えると、ラインビーム光源がラインに沿って配列された複数の光源を備えていればよい。また、そのようなラインの本数は単数に限られず、２本またはそれ以上の本数であってもよい。

　次に図９を参照する。図９は、剥離光２１６の照射強度のＹ軸方向分布の例を模式的に示す図である。図９におけるグラフの横軸は、照射領域のＹ軸座標値を示し、縦軸は照射強度を示している。照射強度の単位は、単位面積あたりのエネルギ密度（例えば［ｍＪ／ｃｍ²］）によって示される。図９のグラフでは、照射強度の具体的な数値は記載されていない。照射強度は、例えば０ｍＪ／ｃｍ²以上５００ｍＪ／ｃｍ²以下の範囲内における値を示す。

　図９におけるグラフ中の破線で示された曲線は、照射強度のＹ軸方向の分布Ｉ（Ｙ）を示している。照射強度のＹ軸方向分布Ｉ（Ｙ）は、ラインビーム光源２１４が有する複数の半導体レーザ素子３００（図７Ａなど）から出射されたレーザ光の光強度分布の重ね合わせによって規定される。個々の半導体レーザ素子３００から出射されたレーザ光の光強度分布は、レンズなどの光学素子を用いて成形され得る。図示されている光強度分布は、単なる一つの例にすぎない。なお、図９中における一点鎖線の直線は、剥離に必要な照射強度の閾値レベルＴｈを示している。閾値レベルＴｈは、例えば２５０～３００ｍＪ／ｃｍ²である。この閾値レベルＴｈよりも低い照射強度の剥離光が照射された領域では、樹脂膜３０による剥離光の吸収量が不充分になるため、その領域の樹脂膜３０はガラスベース１０から剥離しないで固着した状態を維持する。

　図９におけるグラフの上方には、参考のため、ＹＺ面に平行な積層構造体１００の断面が示されている。ガラスベース１０は位置Ｙ０から位置Ｙ５まで広がっている。左側の発光デバイス１０００は、位置Ｙ１から位置Ｙ２までの領域にあり、右側の発光デバイス１０００は位置Ｙ３から位置Ｙ４までの領域にある。言い換えると、樹脂膜３０のフレキシブル基板領域３０ｄは、位置Ｙ１から位置Ｙ２までの領域と、位置Ｙ３から位置Ｙ４までの領域に相当する。一方、樹脂膜３０の中間領域３０ｉは、位置Ｙ０から位置Ｙ１までの領域、位置Ｙ２から位置Ｙ３までの領域、および、位置Ｙ４から位置Ｙ５までの領域に相当する。

　図９の例において、剥離光の照射強度分布Ｉ（Ｙ）は、位置Ｙ１から位置Ｙ２までの領域、および位置Ｙ３から位置Ｙ４までの領域において、閾値レベルＴｈを超えている。言い換えると、樹脂膜３０のフレキシブル基板領域３０ｄとガラスベース１０との界面は、閾値レベルＴｈを超える照射強度の剥離光で照射される。一方、位置Ｙ０から位置Ｙ１までの領域、位置Ｙ２から位置Ｙ３までの領域、および位置Ｙ４から位置Ｙ５までの領域のそれぞれは、剥離光の照射強度分布Ｉ（Ｙ）は閾値レベルＴｈよりも低い部分を含んでいる。

　スキャン中に剥離光の照射強度分布Ｉ（Ｙ）が示す最低値は、典型的には０ｍＪ／ｃｍ²であるが、閾値レベルＴｈよりも低ければ、０ｍＪ／ｃｍ²を超える値であってもよい。

　なお、非晶質半導体をラインビーム状のレーザ光照射によって加熱して結晶化する場合、結晶性を均一化するため、照射強度分布は一様であることが望まれる。これに対して、本実施形態における剥離を行う場合、剥離が必要な界面における剥離光の照射強度が閾値レベルＴｈを超えていれば、ラインビームの照射強度に一様性は必要ない。

　図９の例において、剥離光の照射強度分布Ｉ（Ｙ）は、多数のピークを有しているが、本開示の実施形態は、このような例に限定されない。例えば図１０に示される例のように、剥離光の照射強度分布Ｉ（Ｙ）の一部が直線的であってもよい。図１０の例では、ラインビーム光源２１４の個々の半導体レーザ素子３００（図７Ａなど）から出力されるレーザ光の光強度分布は、それぞれの光軸中心で平坦な「トップハット」型である。上述のように、剥離が必要な界面における剥離光の照射強度が閾値レベルＴｈを超えていれば、ラインビームの照射強度に一様性は必要ない。このため、複数の半導体レーザ素子３００の光出力は、相互に異なっていてもよい。

　本実施形態では、照射強度分布Ｉ（Ｙ）のうち、樹脂膜３０の中間領域３０ｉとガラスベース１０との界面に対するレーザ光の照射強度を、樹脂膜３０のフレキシブル基板領域３０ｄとガラスベース１０との界面に対するレーザ光の照射強度よりも低下させる。

　図１１は、図９に示されるＹ軸方向分布Ｉ（Ｙ）とは、異なる断面におけるＹ軸方向分布Ｉ（Ｙ）の例を示している。この断面は、図１Ｃに示されるフレキシブル基板領域３０ｄの突出部３０Ｖおよび切り欠き３０Ｕを横切る断面である。

　図１１に示される断面において、２個の発光デバイス１０００のそれぞれの中央は、樹脂膜３０の中間領域３０ｉとともにガラスベース１０から剥離されずにガラスベース１０に固着するべき部分を含んでいる。

　図１１の例では、ラインビーム光源２１４を構成する一部の半導体レーザ素子の出力を低下させることにより、樹脂膜３０の中間領域３０ｉとガラスベース１０との界面において、Ｙ軸方向分布Ｉ（Ｙ）を局所的に閾値レベルＴｈよりも低下させている。照射強度が閾値レベルＴｈよりも低い部分のうち、フレキシブル基板領域３０ｄの切り欠き３０Ｕに対応する部分が、ストライプ状の「低照射領域」における「幅広部」を形成する。

　図１２は、図１１の断面と同じ断面におけるＹ軸方向分布Ｉ（Ｙ）の他の例を示している。図１２のＹ軸方向分布Ｉ（Ｙ）は、２７個以上の半導体レーザ素子が配列されたラインビーム光源２１４によって実現され得る。この例において、個々の半導体レーザ素子から放射されたレーザ光は、図１１の例に比べて、より高い空間分解能で変化するＹ軸方向分布Ｉ（Ｙ）を実現できる。なお、樹脂膜３０の中間領域３０ｉとガラスベース１０との界面では、照射強度はゼロであってもよい。

　本開示の実施形態によれば、ラインビーム光源２１４が複数のレーザ光源を備えているため、個々のレーザ光源の出力を調整することにより、ラインビームにおける照射強度を空間的および時間的に変調できる。このため、積層構造体１００が有する発光デバイス１０００の形状、サイズ、および配置に応じた照射強度の空間分布を容易に実現できる。より具体的には、ラインビームにおける照射強度の空間的分布を走査中に時間的に変化させることにより、例えば図１Ｃまたは図１Ｄに示されるような形状を有するフレキシブル基板領域３０ｄに対して、剥離に必要な照射強度で剥離光を照射するとともに、樹脂膜３０の中間領域３０ｉに対しては、剥離を生じさせない照射強度で剥離光を照射することができる。また、対象とする積層構造体１００の種別または設計が変更された場合にも柔軟な対応が可能になる。

　剥離光の照射強度を剥離に必要なレベルよりも低くする領域は、樹脂膜３０の中間領域３０ｉの全体である必要はない。樹脂膜３０の中間領域３０ｉの一部がガラスベース１０に固着していれば、積層構造体１００の不要な部分の全体をガラスベース１０に残すことができる。本開示の実施形態によれば、積層構造体１００の不要な部分を、その形状に応じた広い範囲においてガラスベース１０に残すことが容易になる。

　なお、レーザ光源の典型例は、半導体レーザ素子であるが、本開示の実施形態は、この例に限定されない。半導体レーザ素子を用いる場合、小型軽量のラインビーム光源を実現できる利点がある。しかし、積層構造体１００を移動させて走査を行う場合、複数のレーザ光源のそれぞれが半導体レーザ素子に比べて大きなレーザ装置であっても問題ない。レーザ光源の発振波長が樹脂膜の剥離に適した範囲から外れている場合、波長変換素子により、高調波に変換して使用してもよい。

　次に図１３を参照する。図１３は、剥離光２１６の照射強度のＸ軸方向（走査方向）分布の例を模式的に示す図である。図１３におけるグラフの横軸は、照射位置のＸ軸座標値を示し、縦軸は照射強度を示している。図１３におけるグラフ中の実線は、照射強度のＸ軸方向の分布Ｉ（Ｘ）を示している。一点鎖線の直線は、剥離に必要な照射強度の閾値レベルＴｈを示している。

　図１３におけるグラフの上方には、参考のため、ＸＺ面に平行な積層構造体１００の断面が示されている。この断面は、図９の断面に直交する関係にある。ガラスベース１０は位置Ｘ０から位置Ｘ５まで広がっている。図中の左側の発光デバイス１０００は、位置Ｘ１から位置Ｘ２までの領域にあり、右側の発光デバイス１０００は位置Ｘ３から位置Ｘ４までの領域にある。言い換えると、樹脂膜３０のフレキシブル基板領域３０ｄは、位置Ｘ１から位置Ｘ２までの領域と、位置Ｘ３から位置Ｘ４までの領域に相当する。一方、樹脂膜３０の中間領域３０ｉは、位置Ｘ０から位置Ｘ１までの領域（幅：Ｗ１）、位置Ｘ２から位置Ｘ３までの領域（幅：Ｗ３）、および、位置Ｘ４から位置Ｘ５までの領域（幅：Ｗ３）に相当する。なお、図１３における樹脂膜３０の左端に位置する中間領域３０ｉ（幅：Ｗ１）には、照射強度が閾値レベルＴｈよりも低い領域（幅：Ｓ１）が形成されている。一方、図１３における樹脂膜３０の右端に位置する中間領域３０ｉの（幅：Ｗ２）には、照射強度が閾値レベルＴｈよりも低い他の領域（幅：Ｓ２）が形成されている。ここで、Ｗ１＞Ｓ１、および、Ｗ２＞Ｓ２が成立している。幅Ｓ１は幅Ｗ１の５０％以上、幅Ｓ２は幅Ｗ２の５０％以上であることが好ましい。

　照射強度のＸ軸方向分布Ｉ（Ｘ）は、剥離光のスキャン全体（総和または積分値）を示している。例えば剥離光の照射位置（ラインビームの中心線の位置）が位置Ｘ０から位置Ｘ１まで移動している時、位置Ｘ１から位置Ｘ５までの領域は剥離光で照射されておらず、その時の位置Ｘ１から位置Ｘ５までの領域における剥離光の照射強度は当然にゼロである。

　剥離光２１６のライン幅（短軸寸法、Ｘ軸方向サイズ）は、例えば０．２ｍｍ程度であり得る。この寸法は、ある時刻における、樹脂膜３０とガラスベース１０との界面における照射領域の大きさを規定する。剥離光２１６は、パルス状または連続波として照射され得る。パルス状の照射は、例えば毎秒２００回程度の周波数（１秒間のショット数）で行われ得る。パルス状の剥離光２１６を用いる場合、連続する２回のショットで照射領域が部分的に重なるように走査速度が決定される。例えば、剥離光２１６のライン幅（短軸寸法、Ｘ軸方向サイズ）が０．２ｍｍの場合において、照射位置がＸ軸方向に沿って毎秒２０ｍｍ移動するとき、毎秒１００回未満のショット数であれば、各ショット間に隙間が発生し得る。従って、毎秒１００回を超えるショット数が必要になる。

　照射位置の位置決め精度は、ラインビーム光源２１４の機械的な送り精度に依存する。剥離光２１６のライン幅（短軸寸法、Ｘ軸方向サイズ）が例えば４０μｍである場合、ラインビーム光源２１４を２０μｍ単位でステップ的に移動させると、連続する２回のショットによる照射領域のオーバーラップ量を５０％にすることができる。ラインビーム光源２１４を３０μｍ単位でステップ的に移動させると、連続する２回のショットによる照射領域のオーバーラップ量を７５％にすることができる。照射領域のオーバーラップ量を制御すれば、レーザ光源の出力そのものを変調することなく、照射強度を変化させることも可能になる。

　剥離光の照射位置をステップ送りする場合、「ラインビーム光源２１４のステップ移動」と「剥離光のパルス照射」とを繰り返すことができる。この場合、剥離光の照射は、ステージ２１０に対するラインビーム光源２１４の相対的な移動が停止しているときに実行され得る。停止している物体をレーザ光で照射することは、移動している物体をレーザ光で照射することに比べて、照射強度を目標値に調整することが容易である。例えば、停止位置における照射パルスの回数または照射時間を増減することにより、照射強度を調整することができる。また、本開示の実施形態によれば、光源に半導体レーザ素子を用いるため、半導体レーザ素子の発振状態を調整して照射強度を制御しやすい利点もある。

　照射位置の移動速度（走査速度）が所定値に固定されているとき、毎秒のショット数を増減することにより、照射強度を変調することができる。逆に、毎秒のショット数が固定されているとき、照射位置の移動速度（走査速度）を増減することにより、照射強度を変調することができる。他のパラメータ、例えばラインビーム光源２１４から積層構造体１００までの光学距離などを変化させることにより、照射強度を変調することも可能である。なお、ラインビーム光源２１４とガラスベース１０との間にメカニカルシャッタを配置し、このシャッタによって剥離光の光路を遮断しても低照射領域を形成することが可能である。

　図１３からわかるように、この例では、樹脂膜３０の中間領域３０ｉとガラスベース１０との界面の少なくとも一部に対する剥離光の照射強度が、樹脂膜３０のフレキシブル基板領域３０ｄとガラスベース１０との界面に対する剥離光の照射強度よりも低下している。この「少なくとも一部」の領域を「低照射領域」または「非剥離領域」と呼んでもよい。図１３の例において、低照射領域は、ガラスベース１０の外縁に沿って延びる２本の平行なストライプ領域（幅Ｓ１の領域と幅Ｓ２の領域）を含んでいる。２本のストライプ領域は、それぞれ、図５Ａおよび図５Ｄに示される弱い剥離光２１６の照射によって形成され得る。この２本のストライプ領域では、剥離光２１６の照射強度が閾値レベルＴｈよりも低いため、樹脂膜３０の中間領域３０ｉがガラスベース１０に固着したままになる。

　図９および図１１を参照して説明したように、本開示の実施形態では、剥離光の照射位置をＸ軸に沿って移動させるとき（スキャン時）において、照射強度のＹ軸方向の分布を変化させる。このため、「低照射利用域」を規定するストライプ領域のいずれかは、樹脂膜３０の中間領域３０ｉに応じた幅広部および／または幅狭部を有し得る。このように「低照射利用域」の形状およびサイズを樹脂膜３０の中間領域３０ｉの形状およびサイズに整合させることにより、樹脂膜３０の中間領域３０ｉとガラスベース１０との間の固着の程度を全体として向上させることが可能になる。なお、「低照射利用域」が樹脂膜３０の中間領域３０ｉからはみ出してフレキシブル基板領域３０ｄに拡がることは望ましくない。

　図１４は、剥離光２１６のスキャンの途中において、照射強度を一時的に閾値レベルＴｈよりも低くする例を示している。具体的には、位置Ｘ２から位置Ｘ３までの領域の一部（幅：Ｓ３）で、照射強度が閾値レベルＴｈよりも低下している。この例において、樹脂膜３０の中間領域３０ｉとガラスベース１０との界面の「低照射領域」は、２本のストライプ領域に加えて、これらに平行な１本の中間ストライプ領域（幅：Ｓ３）を含んでいる。これらのストライプ領域の幅Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、いずれも、例えば１ｍｍ以上、ある例においては３ｍｍ以上である。

　図１３および図１４の例では、Ｘ軸の方向に沿って２個の発光デバイス１０００が配列されている。Ｎを３以上の整数として、Ｎ個の発光デバイス１０００がＸ軸の方向に沿って配列されている場合、隣り合う２個の発光デバイス１０００に挟まれる中間領域３０ｉが形成するストライプの総数はＮ－１個である。Ｎ－１個のストライプの全てに低照射領域を設ける必要はない。また、１本のストライプを構成する中間領域３０ｉについて複数の低照射領域を設けてもよい。

　図１３および図１４の例では、幅Ｓ１の低照射領域、および幅Ｓ２の低照射領域は、いずれも、樹脂膜３０の外縁に達しているが、本開示の実施形態は、この例に限定されない。例えば図１５Ａおよび図１５Ｂに示すように、低照射領域の形態は多様であり得る。図１５Ａおよび図１５Ｂは、それぞれ、剥離光の照射強度のＸ軸方向分布の更に他の例を模式的に示す図である。これらの図には、図１３の左側に位置する発光デバイス１０００を囲む中間領域３０ｉとガラスベース１０との界面における照射強度の変調パターンが例示されている。

　図１５Ａに示される例において、樹脂膜３０の外縁に沿って延びるストライプ状の低照射領域（幅：Ｓ１）は、樹脂膜３０の外縁に達していない。剥離光の照射強度は、剥離光がガラスベース１０を照射する前から閾値レベルＴｈを超えていてもよい。また、図１５Ａに示される位置Ｘ１から位置Ｘ３までの領域におけるように、照射強度は徐々に変化してもよい。照射強度が徐々に変化する場合、「低照射領域」の幅（走査方向のサイズ）は、照射強度が閾値レベルＴｈよりも低い領域の幅と定義することができる。

　図１５Ｂに示される例において、低照射領域は、相対的に幅の狭い複数本のストライプによって構成されている。このような低照射領域は、例えば、パルス状の剥離光を照射するとき、連続するショット間で照射領域が重なり合わないようにすれば実現できる。

　なお、照射強度を相対的に低下させることにより、樹脂膜３０の中間領域３０ｉの少なくとも一部をガラスベース１０に固着させるには、「その少なくとも一部」における照射強度を閾値レベルＴｈよりも低くすることが望ましい。しかしながら、閾値レベルＴｈよりも低くしない場合でも、剥離するべき領域における照射強度よりも低い照射強度を実現すことにより、中間領域３０ｉはガラスベース１０に残りやすくなる。剥離するべき領域における照射強度と低照射領域における照射強度の差が５０ｍＪ／ｃｍ²以上あれば、充分な効果が得られる。

　本実施形態では、剥離光は、ガラスベース１０の外縁に平行な方向（第１の方向）に延びるラインビームであり、走査方向は第１の方向に直交する第２の方向である。しかし、第１の方向と第２の方向とは直交している必要はなく、交差していればよい。

　上記の例では、図４を参照しながら説明したように、固定されたステージ２１０に対してラインビーム光源２１４の位置を移動させることによって剥離光の照射位置を移動（スキャン）させている。しかし、本発明の実施形態は、この例に限定されない。ラインビーム光源２１４を固定し、ステージ２１０を移動させることによって剥離光のスキャンを行ってもよい。また、ラインビーム光源２１４およびステージ２１０の両方を移動させることによって剥離光のスキャンを行ってもよい。

　＜剥離光照射装置２＞
　上記の実施形態における剥離光照射装置が備える複数の光源は、それぞれ、複数の半導体レーザ素子であるが、本開示の剥離光照射装置は、この例に限定されない。剥離光は、レーザ光源のようなコヒーレント光源の代わりに、非コヒーレント光源から放射されてもよい。以下、複数の発光ダイオード素子から放射された剥離光で合成樹脂膜とガラスベースとの界面を照射する例を説明する。

　剥離光を放射する光源として、発光ダイオード素子は、半導体レーザ素子よりも低コストで入手することが可能であり、また、アイセーフティの観点からは、装置設計や取り扱いについて、より容易となる。紫外光を放射する発光ダイオード（ＵＶ－ＬＥＤ）素子は、例えば縦３．５ｍｍ×横３．５ｍｍ×厚さ１．２ｍｍのサイズを有している。複数の発光ダイオード素子は、１列または複数列に並べられて使用され得る。この場合も、複数の発光ダイオード素子を配列させて使用することにより、従来の剥離装置では対応できなかったＧ８基板（２４００ｍｍ×２２００ｍｍ）やそれ以上の超大型基板への対応が可能となる。

　発光ダイオード素子も、前述した半導体レーザ素子と同様に、駆動電流の大きさを調整することにより、その発光強度が制御される。従って、複数の発光ダイオード素子を１次元または２次元的に配列した状態において、個々の発光ダイオード素子を流れる駆動電流を変調することにより、剥離光の照射強度を時間的および／または空間的に変調することができる。

　発光ダイオード素子の配列ピッチは、例えば３ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲にある。発光ダイオード素子から放射される光は、レーザ光とは異なり、インコヒーレント（非コヒーレント）光である。発光ダイオード素子から放射される光の波長は、例えば３００ｎｍ以上３８０ｎｍ以下の範囲にある。配列された複数の発光ダイオード素子のそれぞれから放射された剥離光の照射強度は、１００ｍＪ／ｃｍ²以上３００ｍＪ／ｃｍ²以下の範囲にある。

　個々の発光ダイオード素子から放射された光は、Ｚ軸方向を中心として拡がる。この光は、Ｚ軸からの傾きである放射角度θに依存した相対放射強度の分布（指向性）を示す。ある例において、発光ダイオード素子の相対放射強度は、θ＝４５°で約７５％、θ＝６５°で約５０％であり得る。発光ダイオード素子の指向性は、レンズおよび／またはリフレクタを配置することにより、調節され得る。

　市販されている発光ダイオード素子によれば、例えば電圧：３．８５ボルト、電流：１０００ミリアンペアの駆動条件で波長３６５ｎｍの紫外光を１４５０ミリワットの出力で放射することができる。

　図２７Ａ、図２７Ｂおよび図２７Ｃを参照しながら、複数の発光ダイオード素子が配列されたラインビーム光源の例を説明する。

　図２７Ａは、Ｙ軸方向に配列された複数の発光ダイオード素子４００を備えるラインビーム光源２１４の上面を模式的に示している。図２７Ｂは、図２７Ａに示されるラインビーム光源２１４のＢ－Ｂ線断面である。図２７Ｂには、積層構造体１００も記載されている。図２７Ｃは、積層構造体１００に対するラインビーム光源２１４の移動方向を示す図である。

　図２７Ａに示されるように、ラインビーム光源２１４は駆動回路２８０Ａに接続され得る。駆動回路２８０Ａは、個々の発光ダイオード素子４００を流れる電流の大きさを変調することができる。駆動回路２８０Ａは、コントローラ２６０に接続され得る。コントローラ２６０は、駆動回路２８０Ａの動作を制御することにより、ラインビーム光源２１４から放射される剥離光の照射強度を時間的および／または空間的に変調する。

　この例において、発光ダイオード素子４００から放射された紫外光は、単位面積あたりの照射エネルギ（照射強度：単位はジュール／ｃｍ²）を高めるために、シリンドリカルレンズ４１０を通って積層構造体１００のガラスベース１０に入射する。紫外光はＸ軸方向にフォーカスされるため、剥離が生じる界面（剥離面）における照射領域の幅（Ｘ軸方向サイズ）を例えば０．２ｍｍ程度またはそれ以下に狭くすることができる。シリンドリカルレンズ４１０は、Ｘ軸方向におけるフォーカスは行わないため、照射領域のＹ軸方向サイズは短縮されない。

　剥離光の照射強度を更に高めるためには、発光ダイオード素子４００の配列ピッチを縮小して発光ダイオード素子４００の個数密度を高めればよい。例えば、個々の発光ダイオード素子４００のサイズが前述した大きさを有する場合、３．５ｍｍ～１０ｍｍ間隔（配列ピッチ:隣接する光源の中心間距離）で数１０個または１００個以上の個数の発光ダイオード素子４００を配列してもよい。より小さな発光ダイオード素子４００を用いる場合は、例えば２ｍｍ～１０ｍｍ間隔で配置することも可能である。発光ダイオード素子４００の配列ピッチは５ｍｍ以下であることが好ましい。

　指向性の高い発光ダイオード素子４００を高密度で配列する場合、発光ダイオード素子４００から剥離面までの距離を例えば１．５～５ｍｍにすると、シリンドリカルレンズなどの光学素子が無くとも、２ｍｍ～１０ｍｍの空間分解能で照射強度を変調することも可能になる。

　図２７Ｃに示すように積層構造体１００に対してラインビーム光源２１４を移動させながら、個々の発光ダイオードを流れる電流を変調する。その結果、配列された複数の半導体レーザ素子３００を有するラインビーム光源２１４を用いる実施形態と同様の剥離光照射を実現することができる。

　ラインビーム光源２１４の空間分解能を高めるため、発光ダイオード素子４００を複数列に並べてもよい。

　図２８Ａは、Ｙ軸方向に配列された複数列の発光ダイオード素子４００を備えるラインビーム光源２１４の上面を模式的に示している。図２８Ｂは、図２８Ａに示されるラインビーム光源２１４のＢ－Ｂ線断面である。図２８Ｂには、積層構造体１００も記載されている。図２８Ｃは、積層構造体１００に対するラインビーム光源２１４の移動方向を示す図である。

　このラインビーム光源２１４も駆動回路２８０Ａに接続され得る。コントローラ２６０は、駆動回路２８０Ａの動作を制御することにより、ラインビーム光源２１４から放射される剥離光を時間的および／または空間的に変調する。

　この例のラインビーム光源２１４は、それぞれがＹ軸方向に延びる５列の発光ダイオード素子４００を備えている。Ｙ軸方向における５列の発光ダイオード素子４００の位置は、それぞれ、異なる。配列ピッチをＰとするとき、発光ダイオード列の位置は、隣接する列の間で、Ｙ軸方向にＰ／５ずつシフトしている。

　このラインビーム光源２１４は、個々の発光ダイオード素子４００による照射領域の一辺がＰ／５程度に長さになるように集光するレンズシート４２０を有している。このようなレンズシート４２０を透過した紫外光は、剥離面にドット状の照射領域を形成し得る。

　図２８Ｃに示すように積層構造体１００に対してラインビーム光源２１４を移動させると、複数の照射領域がオーバーラップするため、剥離面の全体を紫外光で照射することが可能になる。また、積層構造体１００に対してラインビーム光源２１４を移動させながら、個々の発光ダイオードを流れる電流を変調することにより、空間的および時間的な変調を実行することができる。

　図２８Ｄは、図２８Ａのラインビーム光源２１４が形成しつつある照射領域２１８を模式的に示す図である。ラインビーム光源２１４の走査中に、一部の発光ダイオード素子４００を消灯することにより、発光ダイオード素子４００のサイズよりも小さな幅で非照射領域を形成することができる。

　図２８Ｅは、ラインビーム光源２１４の走査中に、個々の発光ダイオード素子４００を流れる電流を時間的に変調することによって形成された照射領域２１８の例を示している。照射領域および非照射領域のパターンが高い空間分解能で形成され得ることがわかる。

　このように、図２８Ａに例示される発光ダイオード素子４００の配列によれば、図２７Ａに例示されている発光ダイオード素子４００の配列による場合に比べて、より空間分解能の高い変調が可能になる。

　剥離光の照射は、積層構造体１００に対して複数の光源を静止させた状態で行ってもよい。

　図２９は、多数の発光ダイオード素子４００がマトリックス状に配列された面光源２１５の例を模式的に示す上面図である。縦、横の発光ダイオードの配列個数は、使用する基板サイズに応じて任意に設定すればよく、この場合もＧ８サイズやそれ以上の超大型基板に対応する剥離装置の実現が可能となる。また、この例における面光源２１５を用いると、ディスプレイと同様にして様々なパターンの輝度分布を形成することができる。面光源２１５も前述の駆動回路２８０Ａに接続され、駆動回路２８０Ａはコントローラ２６０に接続され得る。

　積層構造体１００および面光源２１５を共に静止した状態で剥離光照射を行う場合、光スキャンのための精密な駆動装置が不要になる。また、従来の固定されたラインビーム光源に対して積層構造体１００を移動させながら剥離光照射を行う場合は、積層構造体１００の移動のために積層構造体１００の少なくとも２倍の面積を持つエリアが必要であった。しかし、本開示の実施形態によれば、そのような積層構造体１００の移動に必要な余分のエリアが不要になり、装置の設置面積が半減する利点がある。

　図３０は、多数の発光ダイオード素子４００がマトリックス状に配列された面光源２１５の他の例を模式的に示す上面図である。この例における面光源２１５は、剥離光の照射領域にあわせて発光ダイオード素子４００の配置が決定されている。

　なお、図２９および図３０に示されている面光源２１５を用いる場合、積層構造体１００に対して面光源２１５を静止させて剥離光照射を行う必要はない。積層構造体１００に対する面光源２１５の相対位置をシフトさせながら剥離光の照射を行っても良い。静止した状態では、面光源２１５から放射された光が剥離面上でドットまたはライン状の照射領域を形成する場合でも、積層構造体１００に対する面光源２１５の相対位置をシフトさせることにより、照射強度の空間的な分布形状を変化させことが可能である。積層構造体１００に対する面光源２１５の相対位置のシフト量は、発光ダイオード素子の配列ピッチ未満であってもよいし、配列ピッチ以上であってもよい。

　また、剥離するべき面内を複数の領域に区分し、ステッパによる順次露光と同様に、各領域を剥離光のフラッシュで照射してもよい。

　このように発光ダイオード素子を用いることにより、比較的に高価な半導体レーザ素子を用いるよりも多数の光源を用いて剥離光照射を実行することが低コストで可能になる。また、個々の発光ダイオード素子から剥離光を放射する時間を長くすることも容易であるため、各発光ダイオード素子の光出力が小さくても、照射時間を調整することにより、剥離に必要な照射エネルギを達成できる。さらには、レーザ光を使用しないため、人間の眼に対する安全性（アイセーフ）の面でも有利である。

　＜リフトオフ＞
　図１６Ａは、剥離光の照射後、積層構造体１００がステージ２１０に接触した状態を記載している。この状態を維持したまま、ステージ２１０からガラスベース１０までの距離を拡大する。このとき、本実施形態におけるステージ２１０は積層構造体１００の発光デバイス部分を吸着している。

　不図示の駆動装置がガラスベース１０を保持してガラスベース１０の全体を矢印Ｌの方向に移動させることにより、剥離（リフトオフ）が実行される。ガラスベース１０は、不図示の吸着ステージによって吸着した状態で吸着ステージとともに移動し得る。ガラスベース１０の移動の方向は、積層構造体１００の第１の表面１００ａに垂直である必要はなく、傾斜していてもよい。ガラスベース１０の移動は直線運動である必要はなく、回転運動であってもよい。また、ガラスベース１０が不図示の保持装置または他のステージによって固定され、ステージ２１０が図の上方に移動してもよい。

　図１６Ｂは、こうして分離された積層構造体１００の第１部分１１０と第２部分１２０とを示す断面図である。図１７は、積層構造体１００の第２部分１２０を示す斜視図である。図１７では、ガイドレール２４６などの記載は省略しているし、中間領域３０ｉの形状も簡略化して凹凸の記載を省略している。積層構造体１００の第１部分１１０は、ステージ２１０に接触した複数の発光デバイス１０００を含む。各発光デバイス１０００は、機能層領域２０と、樹脂膜３０の複数のフレキシブル基板領域３０ｄとを有している。これに対して、積層構造体１００の第２部分１２０は、ガラスベース１０と、樹脂膜３０の中間領域３０ｉとを有している。樹脂膜３０の中間領域３０ｉは、少なくとも一部の低照射領域において、ガラスベース１０に固着している。このため、樹脂膜３０の中間領域３０ｉの全体がガラスベース１０に付着して状態でステージ２１０から離れていく。

　図１７の例では、剥離光の照射プロセスと剥離プロセスの両方が、ステージ２１０を備える剥離装置２２０によって実行されている。本開示の実施形態は、このような例に限定されない。剥離光の照射プロセスは、ステージ２１０を備える剥離装置によって実行し、剥離プロセスは、ステージ２１０とは異なる他のステージを備える他の装置を用いて実行してもよい。この場合、剥離光の照射後に、積層構造体１００をステージ２１０から不図示の他のステージに移動させる必要がある。同一のステージを用いて剥離光の照射プロセスと剥離プロセスの両方を実行すれば、ステージ間で積層構造体を移動させる工程を省くことができる。

　上述のように、本実施形態において積層構造体１００を第１部分１１０と第２部分１２０とに分離する工程は、ステージ２１０が積層構造体１００の第２の表面１００ｂを吸着している状態で実行される。この分離工程で重要な点は、積層構造体１００のうち、発光デバイス１０００を構成しない不要な部分がガラスベース１０とともにステージ２１０から離れることにある。本実施形態では、図２に示される切断工程、すなわち、積層構造体１００のうちでガラスベース１０以外の部分を複数の発光デバイス１０００とその他の不要部分とに切断する工程を剥離光の照射前に行う。このように切断工程を剥離光照射工程の前に行うことが、図１６Ｂおよび図１７に示される分離を実現するために有効である。また、発光デバイス１０００を構成しない不要な部分をガラスベース１０に残すため、その不要な部分の一部はガラスベース１０に固着するように剥離光の照射強度を変調している。

　＜剥離後の工程＞
　図１８は、ステージ２１０に吸着された状態にある積層構造体１００の第１部分１１０（発光デバイス１０００）と、ステージ２１０から離れた位置にある第２部分１２０（ガラスベース１０と付着物）とを示す斜視図である。積層構造体１００のうち、発光デバイス１０００を構成しない不要な部分がガラスベース１０に付着している。

　図１９は、ステージ２１０に吸着された状態にある積層構造体１００の第１部分１１０を示す斜視図である。ステージ２１０に支持された積層構造体１００の第１部分１１０は、行および列状に配列された複数の発光デバイス１０００である。図１９の例においては、樹脂膜３０のうち、フレキシブル基板領域３０ｄの表面（剥離表面）３０ｓが露出している。

　本実施形態によれば、発光デバイス１０００と、そのフレキシブル基板として機能する樹脂膜３０のフレキシブル基板領域３０ｄとが、図１Ａなどに示されるような複雑な平面形状を有していても、発光デバイス１０００をその他の不要な部分から適切に分離することができる。これは、前述したように、剥離光のスキャンを行うときに剥離光の照射強度の空間分布を時間的に変化させることにより、樹脂膜３０のフレキシブル基板領域３０ｄに対して選択的に剥離に必要な照射強度を与えることによって実現される。その結果、樹脂膜３０の中間領域３０ｉも、その全体がガラスベース１０に固着した状態を維持できる。

　図２０は、ステージ２１０が発光デバイス１０００を吸着している状態を示す断面図である。この断面は、ＺＸ面に平行な断面である。図２０のＺ軸の方向は、図１８および図１９のＺ軸の方向から反転している。

　ステージ２１０に接触した複数の発光デバイス１０００のそれぞれに対しては、順次または同時に、様々な処理を実行することができる。

　発光デバイス１０００に対する「処理」は、複数の発光デバイス１０００のそれぞれに、誘電体および／または導電体のフィルムを貼ること、クリーニングまたはエッチングを行うこと、ならびに、光学部品および／または電子部品を実装することを含み得る。具体的には、個々の発光デバイス１０００のフレキシブル基板領域３０ｄに対して、例えば、偏光板、封止フィルム、タッチパネル、放熱シート、電磁シールド、ドライバ集積回路などの部品が実装され得る。シート状の部品には、光学的、電気的、または磁気的な機能を発光デバイス１０００に付加し得る機能性フィルムが含まれる。

　複数の発光デバイス１０００がステージ２１０に吸着した状態で支持されているため、各発光デバイス１０００に対する様々な処理が効率的に実行できる。

　ガラスベース１０から剥離された樹脂膜３０の表面３０ｓは、活性であるため、表面３０ｓを保護膜で覆ったり、疎水化の表面処理を行ったりした後、その上に各種の部品を実装してもよい。

　図２１は、シート状の部品（機能性フィルム）６０が実装された後、発光デバイス１０００がステージ２１０から取り外された状態を模式的に示す断面図である。

　従来技術によれば、発光デバイス１０００を分割する前に樹脂膜をガラスベースから剥離するため、その後の処理を行うときには、多数の発光デバイス１０００が一枚の樹脂膜に固着した状態にある。そのため、個々の発光デバイス１０００に対して効率的な処理を実行することが困難である。また、シート状の部品を取り付けた後に、発光デバイス１０００を分割する場合、シート状部品のうち、隣接する２個の発光デバイス１０００の中間領域に位置する部分は無駄になる。

　これに対して、本開示の実施形態によれば、ガラスベース１０から剥離した後も多数の発光デバイス１０００がステージ２１０上に整然と配列されているため、個々の発光デバイス１０００に対して、順次または同時に、様々な処理を効率的に実行することが可能になる。

　積層構造体１００を第１部分１１０と第２部分１２０とに分離する工程を行った後、図２２に示すように、ステージ２１０に接触した複数の発光デバイス１０００に他の保護シート（第２の保護シート）７０を固着する工程を更に実行してもよい。第２の保護シート７０は、ガラスベース１０から剥離した樹脂膜３０のフレキシブル基板領域３０ｄの表面を一時的に保護する機能を発揮し得る。第２の保護シート７０は、前述の保護シート５０と同様のラミネート構造を有し得る。保護シート５０を第１の保護シート５０と呼ぶことができる。

　第２の保護シート７０は、ステージ２１０に接触した複数の発光デバイス１０００のそれぞれに対して上記の様々な処理を実行した後、複数の発光デバイス１０００に固着されてもよい。

　第２の保護シート７０を付着した後、発光デバイス１０００に対するステージ２１０による吸着を停止すると、第２の保護シート７０に固着された状態にある複数の発光デバイス１０００をステージ２１０から離すことができる。その後、第２の保護シート７０は、複数の発光デバイス１０００のキャリアとして機能し得る。これは、ステージ２１０から第２の保護シート７０への発光デバイス１０００の転写である。第２の保護シート７０に固着された状態にある複数の発光デバイス１０００のそれぞれに対して、順次または同時に、様々な処理を実行してもよい。

　図２３は、複数の発光デバイス１０００にそれぞれ実装される複数の部品（機能性フィルム）８０を載せたキャリアシート９０を示す断面図である。このようなキャリアシート９０を矢印Ｕの方向に移動させることにより、各部品８０を発光デバイス１０００に取り付けることが可能である。部品８０の上面は、発光デバイス１０００に強く付着する接着層を有している。一方、キャリアシート９０と部品８０との間は、比較的弱く付着している。このようなキャリアシート９０を用いることにより、部品８０の一括的な「転写」が可能になる。このような転写は、複数の発光デバイス１０００がステージ２１０に規則的に配置された状態で支持されているため、容易に実現する。

　以下、図２の分割を行う前における積層構造体１００の構成をより詳しく説明する。

　まず、図２４Ａを参照する。図２４Ａは、表面に樹脂膜３０が形成されたガラスベース１０を示す断面図である。ガラスベース１０は、プロセス用の支持基板であり、その厚さは、例えば０．３～０．７ｍｍ程度であり得る。

　本実施形態における樹脂膜３０は、例えば厚さ５μｍ以上１００μｍ以下のポリイミド膜である。ポリイミド膜は、前駆体であるポリアミド酸またはポリイミド溶液から形成され得る。ポリアミド酸の膜をガラスベース１０の表面に形成した後に熱イミド化を行ってもよいし、ポリイミドを溶融または有機溶媒に溶解したポリイミド溶液からガラスベース１０の表面に膜を形成してもよい。ポリイミド溶液は、公知のポリイミドを任意の有機溶媒に溶解して得ることができる。ポリイミド溶液をガラスベース１０の表面１０ｓに塗布した後、乾燥することによってポリイミド膜が形成され得る。

　ポリイミド膜は、発光デバイスがボトムエミッション型のフレキシブルディプレイの場合、可視光領域の全体で高い透過率を実現することが好ましい。ポリイミド膜の透明度は、例えばＪＩＳＫ７１０５－１９８１に従った全光線透過率によって表現され得る。全光線透過率は８０％以上、または８５％以上に設定され得る。一方、トップエミッション型のフレキシブルディスプレイの場合には透過率の影響は受けない。

　樹脂膜３０は、ポリイミド以外の合成樹脂から形成された膜であってもよい。ただし、本開示の実施形態では、薄膜トランジスタを形成する工程において、例えば３５０℃以上の熱処理を行うため、この熱処理によって劣化しない材料から樹脂膜３０は形成される。

　樹脂膜３０は、複数の合成樹脂層の積層体であってもよい。本実施形態のある態様では、フレキシブルディスプレイの構造物をガラスベース１０から剥離するとき、ガラスベース１０を透過する紫外線レーザ光を樹脂膜３０に照射するレーザリフトオフが行われる。樹脂膜３０の一部は、ガラスベース１０との界面において、このような紫外線レーザ光を吸収して分解（消失）する必要がある。また、例えば、ある波長帯域のレーザ光を吸収してガスを発生する犠牲層（金属または非晶質シリコンから形成された薄層）をガラスベース１０と樹脂膜３０との間に配置しておけば、そのレーザ光の照射により、樹脂膜３０をガラスベース１０から容易に剥離することができる。犠牲層を設けると、アッシュの生成が抑制されるという効果も得られる。

　＜研磨処理＞
　樹脂膜３０の表面３０ｘ上にパーティクルまたは凸部などの研磨対象（ターゲット）が存在する場合、研磨装置によってターゲットを研磨し平坦化してもよい。パーティクルにどの異物の検出は、例えばイメージセンサによって取得した画像を処理することによって可能である。研磨処理後、樹脂膜３０の表面３０ｘに対する平坦化処理を行ってもよい。平坦化処理は、平坦性を向上させる膜（平坦化膜）を樹脂膜３０の表面３０ｘに形成する工程を含む。平坦化膜は樹脂から形成されている必要はない。

　＜下層ガスバリア膜＞
　次に、樹脂膜３０上にガスバリア膜を形成してもよい。ガスバリア膜は、種々の構造を有し得る。ガスバリア膜の例は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜などの膜である。ガスバリア膜の他の例は、有機材料層および無機材料層が積層された多層膜であり得る。このガスバリア膜は、機能層領域２０を覆う後述のガスバリア膜から区別するため、「下層ガスバリア膜」と呼んでもよい。また、機能層領域２０を覆うガスバリア膜は、「上層ガスバリア膜」と呼ぶことができる。

　＜機能層領域＞
　以下、ＴＦＴ層２０Ａおよび発光素子層２０Ｂなどを含む機能層領域２０、ならびに上層ガスバリア膜４０を形成する工程を説明する。

　まず、図２４Ｂに示されるように、複数の機能層領域２０をガラスベース１０上に形成する。ガラスベース１０と機能層領域２０との間には、ガラスベース１０に固着している樹脂膜３０が位置している。

　機能層領域２０は、より詳細には、下層に位置するＴＦＴ層２０Ａと、上層に位置する発光素子層２０Ｂとを含んでいる。ＴＦＴ層２０Ａおよび発光素子層２０Ｂは、公知の方法によって順次形成される。発光デバイスがディスプレイの場合、ＴＦＴ層２０Ａは、アクティブマトリクスを実現するＴＦＴアレイの回路を含む。発光素子層２０Ｂは、各々が独立して駆動され得る発光素子（ＯＬＥＤ素子および／またはマイクロＬＥＤ素子）のアレイを含む。

　マイクロＬＥＤ素子のチップサイズは、例えば、１００μｍ×１００μｍよりも小さい。マイクロＬＥＤ素子は、放射する光の色または波長に応じて異なる無機半導体材料から形成され得る。同一の半導体チップが組成の異なる複数の半導体積層構造を含み、それぞれの半導体積層構造から異なるＲ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）の光が放射されてもよい。また、周知のように、紫外光を放射する半導体チップ、または青色光を放射する半導体チップと、種々の蛍光体材料とを組み合せることにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの光を放射させてもよい。

　ＴＦＴ層２０Ａの厚さは例えば４μｍ程度であり、ＯＬＥＤ素子を含む発光素子層２０Ｂの厚さは、例えば１μｍである。マイクロＬＥＤ素子を含む発光素子層２０Ｂの厚さは、例えば１０μｍ以上であり得る。

　図２５は、発光デバイスの一例であるディスプレイにおけるサブ画素の基本的な等価回路図である。ディスプレイの１個の画素は、例えばＲ、Ｇ、Ｂなどの異なる色のサブ画素によって構成され得る。図２５に示される例は、選択用ＴＦＴ素子Ｔｒ１、駆動用ＴＦＴ素子Ｔｒ２、保持容量ＣＨ、および発光素子ＥＬを有している。選択用ＴＦＴ素子Ｔｒ１は、データラインＤＬと選択ラインＳＬとに接続されている。データラインＤＬは、表示されるべき映像を規定するデータ信号を運ぶ配線である。データラインＤＬは選択用ＴＦＴ素子Ｔｒ１を介して駆動用ＴＦＴ素子Ｔｒ２のゲートに電気的に接続される。選択ラインＳＬは、選択用ＴＦＴ素子Ｔｒ１のオン／オフを制御する信号を運ぶ配線である。駆動用ＴＦＴ素子Ｔｒ２は、パワーラインＰＬと発光素子ＥＬとの間の導通状態を制御する。駆動用ＴＦＴ素子Ｔｒ２がオンすれば、発光素子ＥＬを介してパワーラインＰＬから接地ラインＧＬに電流が流れる。この電流が発光素子ＥＬを発光させる。選択用ＴＦＴ素子Ｔｒ１がオフしても、保持容量ＣＨにより、駆動用ＴＦＴ素子Ｔｒ２のオン状態は維持される。

　ＴＦＴ層２０Ａは、選択用ＴＦＴ素子Ｔｒ１、駆動用ＴＦＴ素子Ｔｒ２、データラインＤＬ、および選択ラインＳＬなどを含む。発光素子層２０Ｂは発光素子ＥＬを含む。発光素子層２０Ｂが形成される前、ＴＦＴ層２０Ａの上面は、ＴＦＴアレイおよび各種配線を覆う層間絶縁膜によって平坦化されている。発光素子層２０Ｂを支持し、発光素子層２０Ｂのアクティブマトリクス駆動を実現する構造体は、「バックプレーン」と称される。

　図２５に示される回路要素および配線の一部は、ＴＦＴ層２０Ａおよび発光素子層２０Ｂのいずれかに含まれ得る。また、図２５に示されている配線は、不図示のドライバ回路に接続される。

　本開示の実施形態において、ＴＦＴ層２０Ａおよび発光素子層２０Ｂの具体的な構成は多様であり得る。これらの構成は、本開示の内容を制限しない。ＴＦＴ層２０Ａに含まれるＴＦＴ素子の構成は、ボトムゲート型であってもよいし、トップゲート型であってもよい。また、発光素子層２０Ｂに含まれる発光素子の発光は、ボトムエミション型であってもよいし、トップエミション型であってもよい。発光素子の具体的構成も任意である。

　ＴＦＴ素子を構成する半導体層の材料は、例えば、結晶質のシリコン、非晶質のシリコン、酸化物半導体を含む。本開示の実施形態では、ＴＦＴ素子の性能を高めるために、ＴＦＴ層２０Ａを形成する工程の一部が３５０℃以上の熱処理工程を含む。

　＜上層ガスバリア膜＞
　上記の機能層を形成した後、図２４Ｃに示されるように、機能層領域２０の全体をガスバリア膜（上層ガスバリア膜）４０によって覆う。上層ガスバリア膜４０の典型例は、無機材料層と有機材料層とが積層された多層膜である。なお、上層ガスバリア膜４０と機能層領域２０との間、または上層ガスバリア膜４０の更に上層に、粘着膜、タッチスクリーンを構成する他の機能層、偏光膜などの要素が配置されていてもよい。上層ガスバリア膜４０の形成は、薄膜封止（Thin Film Encapsulation：ＴＦＥ）技術によって行うことができる。発光素子層２０ＢがＯＬＥＤ素子を含む場合、封止信頼性の観点から、薄膜封止構造のＷＶＴＲ（Water Vapor Transmission Rate）は、典型的には１×１０^-4ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下であることが求められている。本開示の実施形態によれば、この基準を達成している。上層ガスバリア膜４０の厚さは例えば１．５μｍ以下である。　

　図２６は、上層ガスバリア膜４０が形成された段階における積層構造体１００の上面側を模式的に示す斜視図である。１個の積層構造体１００は、ガラスベース１０に支持された複数の発光デバイス１０００を含んでいる。図２６に示される例において、１個の積層構造体１００は、図１Ａに示される例よりも多くの機能層領域２０を含んでいる。前述したように、１枚のガラスベース１０に支持される機能層領域２０の個数は任意である。

　＜保護シート＞
　次に図２４Ｄを参照する。図２４Ｄに示されるように、積層構造体１００の上面に保護シート５０を張り付ける。保護シート５０は、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）などの材料から形成され得る。前述したように、保護シート５０の典型例は、離型剤の塗布層を表面に有するラミネート構造を有している。保護シート５０の厚さは、例えば５０μｍ以上２００μｍ以下であり得る。

　こうして作製された積層構造体１００を用意した後、前述の製造装置（剥離装置２２０）を用いて本開示による製造方法を実行することができる。

　本発明の実施形態は、新しいフレキシブル発光デバイスの製造方法を提供する。フレキシブル発光デバイスは、スマートフォン、タブレット端末、車載用ディスプレイ、および中小型から大型のテレビジョン装置に広く適用され得る。また、フレキシブル発光デバイスは、照明装置としても利用され得る。

　１０・・・ガラスベース、２０・・・機能層領域、２０Ａ・・・ＴＦＴ層、２０Ｂ・・・発光素子層、３０・・・樹脂膜、３０ｄ・・・樹脂膜のフレキシブル基板領域、３０ｉ・・・樹脂膜の中間領域、４０・・・ガスバリア膜、５０・・・保護シート、１００・・・積層構造体、２１０・・・ステージ、２２０・・・剥離光照射装置（剥離装置）、２６０・・・コントローラ、３００・・・半導体レーザ素子、１０００・・・発光デバイス

Claims

　第１の表面と第２の表面とを有する積層構造体であって、
　前記第１の表面を規定するガラスベース；
　ＴＦＴ層および発光素子層を含む機能層領域；
　前記ガラスベースと前記機能層領域との間に位置して前記ガラスベースに固着している合成樹脂フィルムであって、前記機能層領域を支持しているフレキシブル基板領域と、前記フレキシブル基板領域を囲む中間領域とを含む合成樹脂フィルム；および、
　前記機能層領域を覆い、前記第２の表面を規定する保護シート；
を備える積層構造体を用意する工程と、
　前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記フレキシブル基板領域とを分割する工程と、
　前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面を剥離光で照射する工程と、
　前記積層構造体の前記第２の表面をステージに接触させた状態で、前記ステージから前記ガラスベースまでの距離を拡大することにより、前記積層構造体を第１部分と第２部分とに分離する工程と、
を含み、
　前記積層構造体の前記第１部分は、前記ステージに接触した発光デバイスを含み、前記発光デバイスは、前記機能層領域と前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域とを有しており、
　前記積層構造体の前記第２部分は、前記ガラスベースと、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域とを含み、
　前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面を前記剥離光で照射する工程は、
　配列された複数の光源から前記剥離光を形成し、前記複数の光源の出力を前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域の形状に応じて時間的および空間的に変調し、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の少なくとも一部に対する前記剥離光の照射強度を、前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域と前記ガラスベースとの前記界面に対する前記剥離光の照射強度よりも低下させる工程を含む、フレキシブル発光デバイスの製造方法。
　前記剥離光は、非コヒーレント光である、請求項１に記載の製造方法。
　前記発光素子層は、配列された複数のマイクロＬＥＤを含み、
　前記剥離光は、レーザ光である、請求項１に記載の製造方法。
　前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域の前記形状は、前記第１の表面に垂直な方向から視たとき、切り欠き、突出部、および／または曲線状の輪郭を有している、請求項１から３のいずれかに記載の製造方法。
　前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域の個数、および、
　前記積層構造体の前記第１部分に含まれる前記発光デバイスの個数は、いずれも複数である、請求項１から４のいずれかに記載の製造方法。
　前記複数の光源は、それぞれ、複数の発光ダイオード素子であり、
　前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面を前記剥離光で照射する工程は、前記複数の発光ダイオード素子のそれぞれを流れる駆動電流を変調することにより、前記剥離光の照射強度を時間的および／または空間的に変調することを含む、請求項１または２に記載の製造方法。
　前記複数の発光ダイオード素子は、１列または複数列に並べられている、請求項６に記載の製造方法。
　前記複数の発光ダイオード素子の配列ピッチは、３ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲にある、請求項７に記載の製造方法。
　前記剥離光は、前記ガラスベースの外縁に平行な第１の方向に延びるラインビームであり、
　前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面を前記剥離光で照射する工程は、前記剥離光による前記界面上の照射領域を、前記第１の方向に交差する第２の方向に移動させることによって実行される、請求項１から８のいずれかに記載の製造方法。
　前記剥離光は、前記ガラスベースの外縁に平行な第１の方向、および前記第１の方向に交差する第２の方向に延びる面状光であり、
　前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面を前記剥離光で照射する工程は、前記剥離光による前記界面上の照射領域を静止または移動させることによって実行される、請求項１から９のいずれかに記載の製造方法。
　前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部は、前記第１の方向に沿って延びる複数本の平行なストライプ領域を含み、
　前記複数本の平行なストライプ領域のいずれかは、幅広部および／または幅狭部を有している、請求項９または１０に記載の製造方法。
　前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部は、前記第２の方向に沿って延びる複数本の平行なストライプ領域を含み、
　前記複数本の平行なストライプ領域のいずれかは、幅広部および／または幅狭部を有している、請求項９から１１のいずれかに記載の製造方法。
　前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部は、前記中間領域の幅の５０％以上の幅を有する、請求項１から１２のいずれかに記載の製造方法。
　前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部は、１ｍｍ以上の幅を有する、請求項１から１３のいずれかに記載の製造方法。
　前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の前記少なくとも一部における前記剥離光の照射強度と、前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域と前記ガラスベースとの前記界面に対する前記剥離光の照射強度との差異は、５０ｍＪ／ｃｍ²以上である、請求項１から１４のいずれかに記載の製造方法。
　前記積層構造体を前記第１部分と前記第２部分とに分離する工程を行った後、
　前記ステージに接触した前記発光デバイスに対して、処理を実行する工程を更に含む、請求項１から１５のいずれかに記載の製造方法。
　第１の表面と第２の表面とを有する積層構造体であって、
　前記第１の表面を規定するガラスベース；
　ＴＦＴ層および発光素子層を含む機能層領域；
　前記ガラスベースと前記機能層領域との間に位置して前記ガラスベースに固着している合成樹脂フィルムであって、前記機能層領域を支持しているフレキシブル基板領域と、前記フレキシブル基板領域を囲む中間領域とを含む合成樹脂フィルム；および、
　前記機能層領域を覆い、前記第２の表面を規定する保護シート；
を備え、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記フレキシブル基板領域とが分割されている、積層構造体を支持するステージと、
　前記ステージに支持されている前記積層構造体における前記合成樹脂フィルムと前記ガラスベースとの界面を剥離光で照射する剥離光照射装置と、
を備え、
　前記剥離光照射装置は、
　前記剥離光を形成する、配列された複数の光源を有しており、
　前記複数の光源の出力を前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域の形状に応じて時間的および空間的に変調し、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域と前記ガラスベースとの界面の少なくとも一部に対する前記剥離光の照射強度を、前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域と前記ガラスベースとの前記界面に対する前記剥離光の照射強度よりも低下させる、
フレキシブル発光デバイスの製造装置。
　前記複数の光源のそれぞれは、非コヒーレント光源である、請求項１７に記載の製造装置。
　前記発光素子層は、配列された複数のマイクロＬＥＤを含み、
　前記複数の光源は、それぞれ、半導体レーザ素子である、請求項１７に記載の製造装置。
　前記複数の光源は、それぞれ、複数の発光ダイオード素子であり、
　前記剥離光照射装置は、前記複数の発光ダイオード素子のそれぞれを流れる駆動電流を変調することにより、前記剥離光の照射強度を時間的および／または空間的に変調する駆動回路を有する、請求項１７または１８に記載の製造装置。
　前記複数の発光ダイオード素子は、１列または複数列に並べられている、請求項２０に記載の製造装置。
　前記複数の発光ダイオード素子の配列ピッチは、３ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲にある、請求項２１に記載の製造装置。
　前記ステージが前記積層構造体の前記第２の表面に接触した状態で、前記ステージから前記ガラスベースまでの距離を拡大することにより、前記積層構造体を第１部分と第２部分とに分離する駆動装置を更に備え、
　前記積層構造体の前記第１部分は、前記ステージに接触した発光デバイスを含み、前記発光デバイスは、前記機能層領域と前記合成樹脂フィルムの前記フレキシブル基板領域とを有しており、
　前記積層構造体の前記第２部分は、前記ガラスベースと、前記合成樹脂フィルムの前記中間領域とを含む、請求項１７から２２のいずれかに記載の製造装置。
　ガラスベースと前記ガラスベース上の合成樹脂フィルムとの界面を剥離光で照射する剥離光照射装置であって、
　それぞれが紫外光を放射して前記剥離光を形成する複数の発光ダイオードと、
　前記複数の発光ダイオードを駆動する駆動回路と、
　前記駆動回路を制御することにより、前記剥離光の照射強度を時間的および／または空間的に変調するコントローラと、
を備える剥離光照射装置。