JP2002134272A - エレクトロルミネセンス素子及びその作製方法 - Google Patents

エレクトロルミネセンス素子及びその作製方法

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JP2002134272A JP2000324882A JP2000324882A JP2002134272A JP 2002134272 A JP2002134272 A JP 2002134272A JP 2000324882 A JP2000324882 A JP 2000324882A JP 2000324882 A JP2000324882 A JP 2000324882A JP 2002134272 A JP2002134272 A JP 2002134272A
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Akihiko Kanemoto
明彦 金本
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Ricoh Co Ltd
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Ricoh Co Ltd
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    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＥＬ素子の作製に転写法によるパターン作成
技術を応用し、耐熱温度が低いプラスチック基板上に形
成する透明電極の抵抗値を小さくする。 【構成】 第一の基板（１）上に剥離層（２）を設ける
工程と、該剥離層上に透明電極３とその対向電極６、発
光層５などを成膜してＥＬ素子部分を形成する工程と、
該ＥＬ素子部分上に接着層８を形成し、前記ＥＬ素子部
分を第二の基板９に転写する工程と、第二の基板９に転
写された前記ＥＬ素子部分上にバリヤ層１０を設ける工
程とによって作製されるＥＬ素子。第一の基板は、１４
０〜１６０℃程度の耐熱性を有するため、透明電極材料
３を結晶化することが可能で、比抵抗を２×１０−４Ω
ｃｍ以下の低抵抗とすることが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
センス素子（以下、ＥＬ素子という）及びＥＬ素子の作
成方法に関し、さらに詳しくは、ＥＬ素子の作製に転写
法によるパターン作成技術を応用し、耐熱温度が低いプ
ラスチック基板上に形成する透明電極の抵抗値を小さく
することが可能なＥＬ素子及びＥＬ素子の作製方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬ素子は、液晶素子に続く表示方式の
一つとして大きな期待を集めている。特に、カラー表示
においてはバックライトを必要としないため、表示装置
の厚さや消費電力の点で優れ、かつ液晶素子のように視
認性に大きな視角依存性を持たないために見やすい表示
が可能である。
【０００３】ＥＬ素子は、携帯用途のカラー表示装置と
しては液晶にも優る可能性を持っており、ＥＬ素子の基
板をプラスチック化し薄型で割れ難いという携帯性の良
さをさらに高めることが望まれている。しかしながら、
プラスチック基板上の透明電極（例えばＩＴＯ）の抵抗
値は、プラスチック基板の耐熱性の限界からあまり小さ
くすることはできず、電流駆動型素子であるＥＬ素子は
この点で液晶素子（ＬＣＤ）に劣る可能性があった。
【０００４】また、プラスチック基板は水や酸素を透過
しやすくバリヤ性が低いために、プラスチック基板を用
いてＥＬ素子を作ったのでは、ダークスポットなどの不
良の発生が多発し、耐久性の点で十分なものは作製でき
なかった。
【０００５】特開平５−１４２４１４号公報には、転写
法によって液晶用カラーフィルタのパターンを作製する
技術が開示されており、この方法によれば平坦性に優れ
たカラーフィルタを安価に作製できることが知られてい
る。そして、転写法によるパターン作製では前記メリッ
トの他に、転写される側の基板（以下、第二の基板と呼
ぶ）として高耐熱性の材質を用いる必要はなく、携帯用
途として優れているプラスチック基板を用いて各種のＥ
Ｌ素子などを作製することが可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＥＬ素子においては、
その駆動方法が液晶素子とは異なり電流駆動であるため
透明電極の抵抗値を十分に下げる必要があるが、プラス
チック基板上に直接透明電極を成膜する場合には基板の
耐熱温度が低いという制約により、低抵抗値の透明電極
を成膜することは不可能であった。つまり第一の基板を
ガラスのような耐熱基板とし、この上で低抵抗の透明電
極を成膜、パターニングして第二の基板に転写すれば、
非耐熱性である第二の基板上に低抵抗の透明電極を形成
することが可能となる。
【０００７】また、プラスチック基板のバリヤ性を増す
ためには、ポリビニルアルコール系、ポリ弗化ビニリデ
ン系樹脂などが使われており、液晶用途としては実績も
あるが、本発明においては特に有機ＥＬ素子用のガスバ
リヤ層としては、ＳｉＯｘ，ＳｉＮｘ，ＭｇＦ２，Ｉｎ
２Ｏ３など無機系バリヤ材料が良好であることを確認し
た。また無機系バリヤ材料は、これを数ミクロン以上の
厚膜として成膜した場合、脆くてクラックを生じやすい
ために、本発明ではバリヤ層を転写しない構成とした。
【０００８】したがって、本発明の目的は、ＥＬ素子の
作製に転写法によるパターン作成技術を応用し、耐熱温
度が低いプラスチック基板上に形成する透明電極の抵抗
値を小さくすることが可能なＥＬ素子及びその作製方法
を提供することである。
【０００９】また、本発明の目的は、水や酸素を透過し
やすいプラスチック基板を用いるにもかかわらずバリヤ
性高く、不良の発生が少なく、耐久性に優れたＥＬ素子
及びその作製方法を提供することである。
【００１０】また、本発明の目的は、ＥＬ素子の全作製
工程の最高プロセス温度を低くして、良好な特性で安価
なＥＬ素子及びその作製方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を達成するためになされたものであって、その第１の技
術手段は、第一の基板上に剥離層を設け、該剥離層上に
透明電極、発光層、対向電極などを成膜してＥＬ素子部
分とし、該ＥＬ素子部分上に接着層を形成して前記ＥＬ
素子部分を第二の基板に転写し、該第二の基板に転写さ
れた前記ＥＬ素子部分上にバリヤ層を設けたＥＬ素子で
あることを特徴とする。
【００１２】第２の技術手段は、第１の技術手段のＥＬ
素子において、前記第一の基板は１４０〜１６０℃程度
の耐熱性を有し、前記透明電極材料は結晶化され、比抵
抗が２×１０−４Ωｃｍ以下であることを特徴とする。
【００１３】第３の技術手段は、第１または第２の技術
手段のＥＬ素子において、前記第二の基板の耐熱温度は
１４０〜１６０℃以下であることを特徴とする。
【００１４】第４の技術手段は、第１乃至第３の技術手
段のＥＬ素子において、前記バリヤ層の外側にハードコ
ート層を配置したことを特徴とする。
【００１５】第５の技術手段は、第１乃至第４の技術手
段のＥＬ素子において、前記バリヤ層がＳｉＯｘ，Ｓｉ
Ｎｘ，ＭｇＦ２，Ｉｎ２Ｏ３，のいずれか、またはこれ
らの組み合わせから形成したことを特徴とする。
【００１６】第６の技術手段は、第４または第５の技術
手段のＥＬ素子において、前記ハードコート層がアクリ
ル系，エポキシ系，アクリルエポキシ系，フェノキシ
系，イミド系，アミド系樹脂のいずれか、またはこれら
の組み合わせから形成したことを特徴とする。
【００１７】第７の技術手段は、第一の基板上に剥離層
を設ける工程と、該剥離層上に透明電極、発光層、対向
電極などを成膜してＥＬ素子部分を形成する工程と、該
ＥＬ素子部分上に接着層を形成し、前記ＥＬ素子部分を
第二の基板に転写する工程と、該第二の基板に転写され
た前記ＥＬ素子部分上にバリヤ層を設ける工程とからな
るＥＬ素子の作製方法であることを特徴とする。
【００１８】第８の技術手段は、第７の技術手段のＥＬ
素子の作製方法において、前記第一の基板は１４０〜１
６０℃程度の耐熱性を有し、全作製工程中の最高プロセ
ス温度を１４０〜１６０℃程度として前記透明電極材料
を結晶化させ、前記透明電極の比抵抗を２×１０−４Ω
ｃｍ以下とすることを特徴とする。
【００１９】第９の技術手段は、第７または第８の技術
手段のＥＬ素子の作製方法において、前記第二の基板の
耐熱温度は１４０〜１６０℃以下であることを特徴とす
る。
【００２０】第１０の技術手段は、第７乃至第９の技術
手段のＥＬ素子の作製方法において、前記バリヤ層の外
側にハードコート層を配置することを特徴とする。
【００２１】第１１の技術手段は、第７乃至第１０の技
術手段のＥＬ素子の作製方法において、前記バリヤ層が
ＳｉＯｘ，ＳｉＮｘ，ＭｇＦ２，Ｉｎ２Ｏ３，のいずれ
か、またはこれらの組み合わせから形成することを特徴
とする。
【００２２】第１２の技術手段は、第１０または第１１
の技術手段のＥＬ素子の作製方法において、前記ハード
コート層がアクリル系，エポキシ系，アクリルエポキシ
系，フェノキシ系，イミド系，アミド系樹脂のいずれ
か、またはこれらの組み合わせから形成することを特徴
とする。
【００２３】第１３の技術手段は、高分子材料からなる
基板上に透明電極、発光層、対向電極などを成膜してＥ
Ｌ素子部分を形成する全作製工程中の最高プロセス温度
が１４０〜１６０℃以下であるＥＬ素子において、前記
透明電極の比抵抗が４×１０ −４Ωｃｍ以下であること
を特徴とする。
【００２４】第１４の技術手段は、高分子材料からなる
基板上に透明電極、発光層、対向電極などを成膜してＥ
Ｌ素子部分を形成するＥＬ素子の作製方法において、全
作製工程中の最高プロセス温度が１４０〜１６０℃以下
であることを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
〜７に基づいて説明する。 （実施例１）図１は、本発明の実施例１のＥＬ素子の中
間製品を示す模式的断面図である。第一の基板１として
十分な耐熱性を有するガラス基板を用い、第一の基板１
の上に剥離層２を形成する。次に、剥離層２上に透明電
極３を成膜し、この上にホール輸送層４，発光層５，対
向電極６，保護膜７を順次形成しＥＬ素子部分とし、さ
らにこのＥＬ素子部分上に接着層８を設ける。図１に示
す構成のＥＬ素子では保護膜７が透明電極３、ホール輸
送層４、発光層５、対向電極６の側方を覆い、保護する
ように形成され、また有機薄膜に接する構成となってい
るが、材料により好ましくない場合は、実施例４として
後述するように両者が接しない構成とすることができ
る。
【００２６】図２は、図１に示すＥＬ素子の中間製品を
もとに完成させたＥＬ素子を示す模式的断面図である。
図１に示すＥＬ素子の中間製品をもとに、図２に示すよ
うに接着層８によって第二の基板９にＥＬ素子の中間製
品を転写し、第一の基板１上の剥離層２からＥＬ素子部
分、すなわち透明電極３、ホール輸送層４、発光層５、
対向電極６、保護層７からなる部分を剥離する。次に、
剥離された透明電極３上にバリヤ層１０を設ける。な
お、発光素子部の構成は以上のような構成に限られるも
のではなく、ホール注入層，電子輸送層，電子注入層が
含まれていても良い。
【００２７】図２に示すような実施例１のＥＬ素子で
は、保護膜７もバリヤ性を有することが好ましい。ま
た、第二の基板９が高分子からなるフィルムやシートで
ある場合、これらの基板にもバリヤ層が含まれることが
好ましい。これら高分子からなる基板の例としては、耐
熱性と光学的平面性を兼ね備えたポリエチレンテレフタ
レート，ポリエチレンナフタレート，ポリカーボネー
ト，ポリエーテルスルホン，ポリイミド，ポリアリレー
ト等が挙げられる。
【００２８】一般に有機薄膜層は加熱に弱いため、ＥＬ
素子の発光層や電荷輸送層が有機化合物である場合、透
明電極以外の成膜ではそれほど基板を加熱することはで
きない。したがって、転写するパターンを作る側の基板
（第一の基板）の耐熱温度は、透明電極の成膜時に既に
第一の基板面に成膜されている剥離層材料で決まる。
【００２９】剥離層２は接着層８などの各種層の形成時
は安定であり、第一の基板１とＥＬ素子部分との接着機
能を有しており、分離の際には、光，熱などのエネルギ
ー、またはアルカリ，酸，有機溶媒などの化学的作用な
どによって分離機能が発現するものである。これらの作
用によって、剥離層２を構成する物質の原子間、分子間
の結合力が消失、または減少したり、気体が放出される
などして分離効果が発現されて、層内剥離、または界面
剥離に至るものが望ましい。これらの材料としては、ア
モルファスシリコン，酸化けい素，酸化チタンなどの各
種金属酸化物、ポリエチレン，ポリイミド，ポリエステ
ル，ポリメチルメタクリレートなどの各種ポリマー材
料、Ａｌ，Ｌｉ，Ｍｎ，Ｉｎ，Ｔｉなどの金属、または
合金などが挙げられる。
【００３０】これらを用いた剥離層の形成方法は、材
料，膜厚にもよるが、ＣＶＤ，蒸着，スパッタリングな
どの気相成膜法、電気メッキ，無電解メッキなどのメッ
キ法、スピンコート，スプレー塗布，浸漬塗布などの塗
布法などが挙げられるが、特に限定されるものではな
い。剥離層の膜厚は、剥離方法や用いる材料にもよる
が、１０ｎｍ〜１０μｍ程度が好ましく、できるだけ均
一であることが好ましい。
【００３１】剥離層２の耐熱温度は透明電極３の性質を
左右する。第一の基板１がガラスのような耐熱性を持っ
ている場合は、剥離層２の耐熱温度１４０〜１６０℃以
上であることが好ましい。代表的な透明電極材料である
ＩＴＯは、その成膜温度や処理温度が１４０〜１６０℃
以下である場合、結晶性の充分高い膜を得ることが不可
能で、その比抵抗は２×１０−４Ωｃｍ以下にすること
は困難である。逆に剥離層２の耐熱温度がこれより高け
れば、ガラスと同じ程度の体積抵抗値を持ったＩＴＯを
成膜することが可能となり好ましい。
【００３２】ただし、ＥＬ素子全体のサイズが小さい場
合や、アクティブ素子でＥＬ素子を駆動する場合は、透
明電極の抵抗値がガラスと同程度に低い必要がなく、Ｉ
ＴＯはアモルファス状のものでも使用することができ
る。ただし、このときＩＴＯを１４０〜１６０℃以上に
熱するとＩＴＯが結晶化し、表面に凹凸を生じることが
ある。したがって、アモルファス状のＩＴＯを成膜した
後の工程でこのような加熱を行うのは好ましくなく、素
子破壊の原因となる。
【００３３】透明電極３として用いることのできる材料
としては、Ｉｎ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＺｎＯ，ＣｄＯ，Ｔ
ｉＯ２，Ｉｎ２Ｏ２−Ｓｎ，ＳｎＯ２−Ｓｂなどの酸化
物半導体薄膜、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔなどの金属薄膜、Ｔｉ
Ｎ，ＺｒＮなどの導電性窒化物薄膜等公知のものが用い
られ、特に酸化物半導体薄膜でＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化
スズが好ましい。その製法については、たとえば、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、
ＣＶＤ法等の物理的方法、印刷法、塗布法、化学蒸着法
などの化学的方法が挙げられる。
【００３４】次に、接着層８としては、反応硬化型接着
剤，熱硬化型接着剤，光硬化型接着剤などが挙げられ
る。これらの構成材料としてはエポキシ系，アクリル
系，シリコーン系等いかなるものでも構わない。これら
の接着層の形成方法は、主に塗布法が適しているが特に
限定されるものではない。
【００３５】（実施例２）図３は、本発明の実施例２の
ＥＬ素子の中間製品を示す模式的断面図、図４は、図３
の中間製品をもとにして作製されたＥＬ素子を示す模式
的断面図である。石英基板２１（５０×５０ｍｍ，厚さ
１.０ｍｍ）上に剥離層２２としてポリイミドをスピン
コート法にて２００ｎｍ塗布した。石英基板２１の温度
を２００℃に保ち、この上に透明導電膜２３としてＩＴ
Ｏをスパッタリング法にて形成した。同じ条件でＩＴＯ
を成膜したときの比抵抗は１×１０−４Ωｃｍであっ
た。さらに、ＩＴＯ２３の上にホール輸送層２４とし
て、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３メチル
フェニル）−１、１’ビフェニル−４、４’−ジアミン
（以下、ＴＰＤという）を６０ｎｍ蒸着した。次に、発
光層２５としてジシアノメチレンピラン系化合物（以
下、ＣＭＰという）とクマリン系化合物を５０ｎｍ共蒸
着した。ＣＭＰとクマリン系化合物の重量比は１：８で
あった。次に、電子輸送層２６として、アルミニウムキ
ノレート（以下、Ａｌｑという）を２５ｎｍ蒸着し、そ
の上に銀とマグネシウムからなる対向電極２７を１５０
ｎｍ共蒸着した。
【００３６】対向電極２７の上に、保護層２８としてＳ
ｉＯｘを成膜した。次に、保護層２８の上に紫外線硬化
型の接着層２９を塗布し、高分子材料からなる第二の基
板３０を、気泡が入らないように積層して、第二の基板
３０側から紫外線を照射して接着層２９を硬化させ、Ｅ
Ｌ素子部分、すなわち透明電極２３、ホール輸送層２
４、発光層２５、電子輸送層２６、対向電極２７、保護
層２８を第二の基板３０に転写した。転写後、ＩＴＯ２
３の上を覆うようにバリヤ層３１としてＳｉＯｘを２μ
ｍ成膜した。
【００３７】このようにして作製したＥＬ素子は、基板
３０が高分子材料からなるためにガラス基板を用いた第
１実施例の作成方法によって作成したＥＬ素子よりもは
るかに軽く、携帯用として非常に好ましいものであっ
た。高分子基板の厚さが０.１５ｍｍのときと、ガラス
基板の厚みが０.５ｍｍのときでは、その重さの比は
１：６程度であった。実際に種々の商品としてアセンブ
ルする際には、ガラス基板が割れないように、しかもし
っかりと固定する必要があるための部材を用いる必要が
あるために、この重さの違いはさらに大きくなる。
【００３８】（比較例１）なお、実施例２において、図
３の剥離層２２とＩＴＯ２３の間に予めＳｉＯｘを２μ
ｍ成膜し、実施例２と同様に第二の基板３０に転写した
ところ、転写後のＳｉＯｘ層には多数のクラックが発生
し、ＥＬ素子は初期からほとんど発光しなかった。
【００３９】（実施例３）図４に示す実施例２のＥＬ素
子の完成品では、ＥＬ素子の最外表面がＳｉＯｘになっ
ている。ＳｉＯｘが最外表面にある場合は、他の突起物
との接触などによって表面に傷が入る場合がある。この
場合バリヤ性は著しく劣化するので、図５に示したよう
に最外表面には有機ハードコート層３２を設けるのが好
ましい。
【００４０】（実施例４）図６は、実施例１または実施
例２のＥＬ素子とは異なる実施例４のＥＬ素子を示す図
である。実施例４のＥＬ素子は、ガラス基板４１の上に
剥離層４２、透明電極４３、ホール輸送層４４、発光層
４５、対向電極４６を成膜した後、接着剤５０を用いて
封止材４８を透明電極４３の外周部分上に貼り合わせて
いる。対向電極４６と封止材４８の間には間隙４７が形
成されており、封止材４８とホール輸送層４４、発光層
４５の有機機能性材料が接触しない構成となっている。
間隙４７には乾燥窒素が封入されており、間隙を維持す
るために液晶表示素子などに用いられるスペーサを介在
させる。これ以後の工程は、既述と同様の方法で高分子
からなる第二の基板にＥＬ素子部分を転写した。このよ
うにして作製したＥＬ素子は、軽く、しかも信頼性に優
れたものであった。
【００４１】（実施例５）図７は、転写を行わずに高分
子材料からなる基板上にＥＬ素子部分を作製する実施例
５のＥＬ素子を示す図である。ポリカーボネート基板６
１の温度を１００℃以下に保って、ＩＴＯのスパッタリ
ングにより透明電極６２を成膜した。このときのＩＴＯ
の比抵抗は５×１０− ４Ωｃｍであった。この程度の比
抵抗のＩＴＯを成膜するには高温加熱を必要とせず、し
かも短時間内で成膜を終えることが可能であるため、コ
スト上有利である。
【００４２】その後、順次ホール輸送層６３，発光層６
４，対向電極６５，保護層６６を成膜した。これらの成
膜には１４０℃以上の加熱は必要としないので、本実施
例のＥＬ素子は全て１４０℃以下の工程で作製すること
が可能である。このようにして作製したＥＬ素子は、安
価で軽く、携帯用途には非常に好ましいものであった。
【００４３】（比較例２）なお、図７に示す実施例５に
おいて保護膜６６を加熱硬化型のエポキシ樹脂とし、１
５０℃で１時間の加熱処理を行い、比較例２とした。作
製した比較例２のＥＬ素子は、当初から発光しなかった
ため解析、分析を行ったところ、透明電極６２が結晶化
してその表面に凹凸を生じ、ホール輸送層６３，発光層
６４を突き破って対向電極６５と接触してショートして
いることがわかった。
【００４４】
【発明の効果】以上の記載から明らかなように、本発明
によれば次のような効果を奏する。ＥＬ素子の作製に転
写法を採用することによって、多様な基板上にＥＬ素子
を作製することが可能となり、しかも信頼性に優れたＥ
Ｌ素子を提供することが可能となった。（請求項１、請
求項７）
【００４５】第一の基板は１４０〜１６０℃程度の耐熱
性を有し、透明導電膜を１４０〜１６０℃程度で製膜で
きるため、前記透明電極材料は結晶化され、低抵抗とす
ることができるので、輝度や信頼性の点で優れたＥＬ素
子を提供することが可能となった。（請求項２、請求項
８）
【００４６】第２の基板の耐熱温度が１４０〜１６０℃
以下であるため、高分子材料を基板としてもＥＬ素子が
作製可能で、携帯用途に極めて好適なＥＬ素子を提供す
ることが可能となった。（請求項３、請求項９）
【００４７】バリヤ層の外側にハードコート層を備えて
いるので、バリヤ層のみを持つＥＬ素子よりも更に信頼
性に優れたＥＬ素子を提供することが可能となった。
（請求項４、請求項１０）
【００４８】バリヤ性が良好で信頼性に優れたＥＬ素子
を提供することが可能となった。（請求項５、請求項１
１）
【００４９】信頼性に優れたＥＬ素子を提供することが
可能となった。（請求項６、請求項１２）
【００５０】ＥＬ素子を作製する全工程中のプロセス温
度が１４０〜１６０℃以下であるために、アモルファス
状のＩＴＯを使用しても良好な特性のＥＬ素子を作製す
ることが可能となり、安価なＥＬ素子を提供することが
可能となった。（請求項１３、請求項１４）
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例１のＥＬ素子の中間製品を示
す断面図である。
【図２】 図１に示すＥＬ素子の中間製品をもとに完成
させたＥＬ素子を示す断面図である。
【図３】 本発明の実施例２のＥＬ素子の中間製品を示
す断面図である。
【図４】 図３に示すＥＬ素子の中間製品をもとに完成
させたＥＬ素子を示す断面図である。
【図５】 最外表面に有機ハードコート層を設けたＥＬ
素子を示す断面図である。
【図６】 本発明の実施例４のＥＬ素子を示す断面図で
ある。
【図７】 本発明の実施例５のＥＬ素子を示す断面図で
ある。
【符号の説明】
１…第一の基板（ガラス基板）、２…剥離層、３…透明
電極、４…ホール輸送層、５…発光層、６…対向電極、
７…保護層、８…接着層、９…第二の基板、１０…バリ
ヤ層、２１…第一の基板（石英基板）、２２…剥離層
（ポリイミド）、２３…透明電極（ＩＴＯ）、２４…ホ
ール輸送層（ＴＰＤ）、２５…発光層、２６…電子輸送
層（Ａｌｑ）、２７…対向電極、２８…保護層、２９…
接着層、３０…第二の基板、３１…バリヤ層、３２…ハ
ードコート層、４１…第一の基板（ガラス基板）、４２
…剥離層、４３…透明電極、４４…ホール輸送層、４５
…発光層、４６…対向電極、４７…間隙、４８…封止
材、４９…接着層、５０…接着材、６１…ポリカーボネ
ート基板、６２…透明電極、６３…ホール輸送層、６４
…発光層、６５…対向電極、６６…保護層。

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第一の基板上に剥離層を設け、該剥離層
    上に透明電極、発光層、対向電極などを成膜してエレク
    トロルミネセンス素子部分（以下、ＥＬ素子部分とい
    う）とし、該ＥＬ素子部分上に接着層を形成して前記Ｅ
    Ｌ素子部分を第二の基板に転写し、該第二の基板に転写
    された前記ＥＬ素子部分上にバリヤ層を設けたことを特
    徴とするエレクトロルミネセンス素子（以下、ＥＬ素子
    という）。
  2. 【請求項２】 請求項１記載のＥＬ素子において、前記
    第一の基板は１４０〜１６０℃程度の耐熱性を有し、前
    記透明電極材料は結晶化され、比抵抗が２×１０−４Ω
    ｃｍ以下であることを特徴とするＥＬ素子。
  3. 【請求項３】 請求項１または２記載のＥＬ素子におい
    て、前記第二の基板の耐熱温度は１４０〜１６０℃以下
    であることを特徴とするＥＬ素子。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至３いずれか記載のＥＬ素子
    において、前記バリヤ層の外側にハードコート層を配置
    したことを特徴とするＥＬ素子。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至４いずれか記載のＥＬ素子
    において、前記バリヤ層がＳｉＯｘ，ＳｉＮｘ，ＭｇＦ
    ２，Ｉｎ２Ｏ３，のいずれか、またはこれらの組み合わ
    せから形成したことを特徴とするＥＬ素子。
  6. 【請求項６】 請求項４または５記載のＥＬ素子におい
    て、前記ハードコート層がアクリル系，エポキシ系，ア
    クリルエポキシ系，フェノキシ系，イミド系，アミド系
    樹脂のいずれか、またはこれらの組み合わせから形成し
    たことを特徴とするＥＬ素子。
  7. 【請求項７】 第一の基板上に剥離層を設ける工程と、
    該剥離層上に透明電極、発光層、対向電極などを成膜し
    てＥＬ素子部分を形成する工程と、該ＥＬ素子部分上に
    接着層を形成し、前記ＥＬ素子部分を第二の基板に転写
    する工程と、該第二の基板に転写された前記ＥＬ素子部
    分上にバリヤ層を設ける工程とからなることを特徴とす
    るＥＬ素子の作製方法。
  8. 【請求項８】 請求項７記載のＥＬ素子の作製方法にお
    いて、前記第一の基板は１４０〜１６０℃程度の耐熱性
    を有し、全作製工程中の最高プロセス温度を１４０〜１
    ６０℃程度として前記透明電極材料を結晶化させ、前記
    透明電極の比抵抗を２×１０−４Ωｃｍ以下とすること
    を特徴とするＥＬ素子の作製方法。
  9. 【請求項９】 前記第二の基板の耐熱温度は、１４０〜
    １６０℃以下であることを特徴とする請求項７または８
    記載のＥＬ素子の作製方法。
  10. 【請求項１０】 請求項７乃至９いずれか記載のＥＬ素
    子の作製方法において、前記バリヤ層の外側にハードコ
    ート層を配置することを特徴とするＥＬ素子の作製方
    法。
  11. 【請求項１１】 請求項７乃至１０いずれか記載のＥＬ
    素子の作製方法において、前記バリヤ層がＳｉＯｘ，Ｓ
    ｉＮｘ，ＭｇＦ２，Ｉｎ２Ｏ３，のいずれか、またはこ
    れらの組み合わせから形成することを特徴とするＥＬ素
    子の作製方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１０または１１記載のＥＬ素子
    の作製方法において、前記ハードコート層がアクリル
    系，エポキシ系，アクリルエポキシ系，フェノキシ系，
    イミド系，アミド系樹脂のいずれか、またはこれらの組
    み合わせから形成することを特徴とするＥＬ素子の作製
    方法。
  13. 【請求項１３】 高分子材料からなる基板上に透明電
    極、発光層、対向電極などを成膜してＥＬ素子部分を形
    成する全作製工程中の最高プロセス温度が１４０〜１６
    ０℃以下であるＥＬ素子において、前記透明電極の比抵
    抗が４×１０− ４Ωｃｍ以下であることを特徴とするＥ
    Ｌ素子。
  14. 【請求項１４】 高分子材料からなる基板上に透明電
    極、発光層、対向電極などを成膜してＥＬ素子部分を形
    成するＥＬ素子の作製方法において、全作製工程中の最
    高プロセス温度が１４０〜１６０℃以下であることを特
    徴とするＥＬ素子の作製方法。
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