JP2000150150A - 発光素子の製造方法 - Google Patents
発光素子の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スループットを向上した発光素子の製造方法
を提供する。 【解決手段】 支持体１５の上に、カソード電極１１，
電子輸送層１２，発光層１３，正孔輸送層１４を、この
順序で、メタルマスクを用いない真空蒸着法にて積層す
る。続いて、基板１０の上にアノード電極１０１，層間
絶縁膜１０２を印刷により形成する。続いて、支持体１
５と基板１０とを、それぞれの表部に形成した膜が対向
する方向に貼り合わせ、サーマルヘッド２１を用いてパ
ターンとして必要な箇所に熱を加えることにより、基板
１０のアノード電極１０１，層間絶縁膜１０２の上に、
正孔輸送層１４，発光層１３，電子輸送層１２，カソー
ド電極１１を、この順序通りに転写して、有機ＥＬ発光
部１を作製する。すなわち、メタルマスクを真空中にて
用いないため、高精度な位置合わせを行う必要はないた
め、生産装置一つあたりの単位時間あたりの生産量、す
なわちスループットは従来と比べて大幅に向上する。
を提供する。 【解決手段】 支持体１５の上に、カソード電極１１，
電子輸送層１２，発光層１３，正孔輸送層１４を、この
順序で、メタルマスクを用いない真空蒸着法にて積層す
る。続いて、基板１０の上にアノード電極１０１，層間
絶縁膜１０２を印刷により形成する。続いて、支持体１
５と基板１０とを、それぞれの表部に形成した膜が対向
する方向に貼り合わせ、サーマルヘッド２１を用いてパ
ターンとして必要な箇所に熱を加えることにより、基板
１０のアノード電極１０１，層間絶縁膜１０２の上に、
正孔輸送層１４，発光層１３，電子輸送層１２，カソー
ド電極１１を、この順序通りに転写して、有機ＥＬ発光
部１を作製する。すなわち、メタルマスクを真空中にて
用いないため、高精度な位置合わせを行う必要はないた
め、生産装置一つあたりの単位時間あたりの生産量、す
なわちスループットは従来と比べて大幅に向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば有機エレク
トロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と記載）
の製造に好適な、発光素子の製造方法に関する。
トロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と記載）
の製造に好適な、発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】所定の光を発光する発光素子の中には、
電圧を印加することにより内部に電子と正孔が再結合し
て発光する有機エレクトロルミネッセンス層（以下、有
機ＥＬ層と記載）と、有機ＥＬ層を挟むアノード電極並
びにカソード電極とを有する有機ＥＬ素子がある。有機
ＥＬ層は、例えば正孔輸送層、電子輸送層等の複数の有
機材料からなる薄膜で構成され、無機ＥＬ層より薄く成
膜することができるので、素子自体を薄くかつ軽量にす
ることができる。
電圧を印加することにより内部に電子と正孔が再結合し
て発光する有機エレクトロルミネッセンス層（以下、有
機ＥＬ層と記載）と、有機ＥＬ層を挟むアノード電極並
びにカソード電極とを有する有機ＥＬ素子がある。有機
ＥＬ層は、例えば正孔輸送層、電子輸送層等の複数の有
機材料からなる薄膜で構成され、無機ＥＬ層より薄く成
膜することができるので、素子自体を薄くかつ軽量にす
ることができる。
【０００３】これらの各構成要素を形成する一般的な方
法は、メタルマスクを併用した真空蒸着法である。すな
わち、アノード電極をパターン形成した基板に、正孔輸
送層と、電子輸送層とを同じパターンに形成し、さら
に、カソード電極を別のパターンに形成する。また、特
開平９−１６７６８４号に開示された方法によれば、予
めインクシート上に正孔輸送層の材料，有機ＥＬ層の材
料，電子輸送層の材料をそれぞれ別個に形成し、これら
各材料を、予めアノード電極をパターン形成した基板
に、順次昇華転写した後に、カソード電極をメタルマス
クを用いた真空蒸着法により形成することにより、有機
ＥＬ素子の発光部を形成する。さらに、特開平９−７７
６３号に開示された方法によれば、アノード電極と正孔
輸送層を一方の基板上に形成し、有機ＥＬ層と電子輸送
層を他方の基板上に形成し、前記一方の基板と前記他方
の基板とを貼り合わせることにより、有機ＥＬ素子の発
光部を形成する。
法は、メタルマスクを併用した真空蒸着法である。すな
わち、アノード電極をパターン形成した基板に、正孔輸
送層と、電子輸送層とを同じパターンに形成し、さら
に、カソード電極を別のパターンに形成する。また、特
開平９−１６７６８４号に開示された方法によれば、予
めインクシート上に正孔輸送層の材料，有機ＥＬ層の材
料，電子輸送層の材料をそれぞれ別個に形成し、これら
各材料を、予めアノード電極をパターン形成した基板
に、順次昇華転写した後に、カソード電極をメタルマス
クを用いた真空蒸着法により形成することにより、有機
ＥＬ素子の発光部を形成する。さらに、特開平９−７７
６３号に開示された方法によれば、アノード電極と正孔
輸送層を一方の基板上に形成し、有機ＥＬ層と電子輸送
層を他方の基板上に形成し、前記一方の基板と前記他方
の基板とを貼り合わせることにより、有機ＥＬ素子の発
光部を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した方法
を用いて前記複数の薄膜を所定のパターンに形成するに
は、真空中においてメタルマスクを用いる必要があっ
た。すなわち、通常の真空蒸着法においては、有機ＥＬ
層や正孔輸送層、電子輸送層、カソード電極を形成する
際に、基板にメタルマスクを用いる必要があった。ま
た、特開平９−１６７６８４や特開平９−７７６３にお
いても、アノード電極およびカソード電極の双方を形成
する際にはメタルマスクを用いる必要があった。このた
め、従来の方法においては、一つの層を所定のパターン
に形成する度に、メタルマスクの位置合わせや基板の移
動を高精度に行う必要があり、スループットが低かっ
た。さらに、これらの各層の積層工程では、積層する度
に、通常減圧された炉内に蒸着装置が配置された蒸着炉
から減圧炉を介し次の蒸着炉に基板を移送して行われ
る。したがって、各層の成膜毎に一旦減圧炉に基板を移
送しなければならずスループットが低いという問題があ
った。従って、生産装置一つあたりの単位時間あたりの
生産量、すなわちスループットを上げてコストを削減す
ることが困難であった。
を用いて前記複数の薄膜を所定のパターンに形成するに
は、真空中においてメタルマスクを用いる必要があっ
た。すなわち、通常の真空蒸着法においては、有機ＥＬ
層や正孔輸送層、電子輸送層、カソード電極を形成する
際に、基板にメタルマスクを用いる必要があった。ま
た、特開平９−１６７６８４や特開平９−７７６３にお
いても、アノード電極およびカソード電極の双方を形成
する際にはメタルマスクを用いる必要があった。このた
め、従来の方法においては、一つの層を所定のパターン
に形成する度に、メタルマスクの位置合わせや基板の移
動を高精度に行う必要があり、スループットが低かっ
た。さらに、これらの各層の積層工程では、積層する度
に、通常減圧された炉内に蒸着装置が配置された蒸着炉
から減圧炉を介し次の蒸着炉に基板を移送して行われ
る。したがって、各層の成膜毎に一旦減圧炉に基板を移
送しなければならずスループットが低いという問題があ
った。従って、生産装置一つあたりの単位時間あたりの
生産量、すなわちスループットを上げてコストを削減す
ることが困難であった。
【０００５】本発明は、上記問題点を解決するためのも
のであり、スループットの良好な発光素子の製造方法を
提供することを目的とする。
のであり、スループットの良好な発光素子の製造方法を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１記載の発明は、基板上に第１層と第２層を
有する複数の層により構成される発光部を有する発光素
子の製造方法において、内部に前記発光部の複数の層の
うちの第１層を蒸着する第１蒸着装置及び前記発光部の
複数の層のうちの第２層を蒸着する第２蒸着装置を配置
し、前記第１蒸着装置及び第２蒸着装置の上方に支持体
を配置した蒸着炉を設け、前記支持体の下面に前記第１
蒸着装置により前記第１層を蒸着する第１層形成工程
と、前記第１層が形成された前記支持体を移動する移動
工程と、前記第１層が形成された前記支持体の移動後又
は移動中に、引き続き前記支持体の下面に前記第１層を
連続して蒸着する第１層連続形成工程と、第１層連続形
成工程中に、前記第１層形成工程で形成された前記第１
層に前記第２蒸着装置により第２層を蒸着する第２層形
成工程と、を含むことを特徴とする。
め、請求項１記載の発明は、基板上に第１層と第２層を
有する複数の層により構成される発光部を有する発光素
子の製造方法において、内部に前記発光部の複数の層の
うちの第１層を蒸着する第１蒸着装置及び前記発光部の
複数の層のうちの第２層を蒸着する第２蒸着装置を配置
し、前記第１蒸着装置及び第２蒸着装置の上方に支持体
を配置した蒸着炉を設け、前記支持体の下面に前記第１
蒸着装置により前記第１層を蒸着する第１層形成工程
と、前記第１層が形成された前記支持体を移動する移動
工程と、前記第１層が形成された前記支持体の移動後又
は移動中に、引き続き前記支持体の下面に前記第１層を
連続して蒸着する第１層連続形成工程と、第１層連続形
成工程中に、前記第１層形成工程で形成された前記第１
層に前記第２蒸着装置により第２層を蒸着する第２層形
成工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】この請求項１に記載の発明によれば、発光
素子の発光部を構成する複数の層のうち、第１層及び第
２層を蒸着炉内で支持体に連続して形成することができ
るので、各層の蒸着工程毎に、蒸着工程の前工程である
減圧炉での減圧工程を行わなくて良い。従って、発光素
子の製造において、スループットを高くできる。
素子の発光部を構成する複数の層のうち、第１層及び第
２層を蒸着炉内で支持体に連続して形成することができ
るので、各層の蒸着工程毎に、蒸着工程の前工程である
減圧炉での減圧工程を行わなくて良い。従って、発光素
子の製造において、スループットを高くできる。
【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
光素子の製造方法において、前記複数の層のうちの前記
第１層及び第２層が形成された支持体を、前記複数の層
のうちの他の層を積層した基板と、前記第１層及び第２
層が前記他の層の上に積層するように重ねた後に、前記
支持体の所定箇所を押圧することにより、前記第１層及
び第２層の所定箇所を前記他の層の上に転写する工程を
含むことを特徴とする。
光素子の製造方法において、前記複数の層のうちの前記
第１層及び第２層が形成された支持体を、前記複数の層
のうちの他の層を積層した基板と、前記第１層及び第２
層が前記他の層の上に積層するように重ねた後に、前記
支持体の所定箇所を押圧することにより、前記第１層及
び第２層の所定箇所を前記他の層の上に転写する工程を
含むことを特徴とする。
【０００９】ここで、前記他の層としては、単層であっ
ても複層であってもよい。
ても複層であってもよい。
【００１０】この請求項２記載の発明によれば、前記第
１層及び第２層は、前記支持体の上にパターンを有さな
い膜として連続して積層されることができるため、メタ
ルマスクを用いない真空プロセスにて製造することがで
きる。また、前記第１層及び第２層は、パターンとして
必要な箇所を押圧することにより、ある程度パターンを
形成して前記基板の他の層の上に積層することができ
る。従って、発光素子の製造工程において、メタルマス
クを用いる回数は減少するため、高精度な位置合わせを
行う回数は減少も減少する。従って、生産装置一つあた
りの単位時間あたりの生産量、すなわちスループットは
従来と比べて大幅に向上するため、発光素子の製造コス
トは下がる。また、転写工程では、例えばサーマルヘッ
ドで前記支持体への加熱圧着する場合は、該サーマルヘ
ッドの形状に合わせて基板上に第１及び第２層をパター
ニングできる。また、この場合、前記支持体のサーマル
ヘッドとの接触面に耐熱潤滑層を設けると、熱が前記支
持体に与える影響は緩和されるため、前記所定箇所への
加熱は容易となる。さらに、例えば液晶表示装置のバッ
クライトなど、微細構造を有さない発光素子の発光部を
作製する場合は、前記他の層は印刷によって作製可能で
あるため、メタルマスクを全く用いずに発光部を作製す
ることもできる。
１層及び第２層は、前記支持体の上にパターンを有さな
い膜として連続して積層されることができるため、メタ
ルマスクを用いない真空プロセスにて製造することがで
きる。また、前記第１層及び第２層は、パターンとして
必要な箇所を押圧することにより、ある程度パターンを
形成して前記基板の他の層の上に積層することができ
る。従って、発光素子の製造工程において、メタルマス
クを用いる回数は減少するため、高精度な位置合わせを
行う回数は減少も減少する。従って、生産装置一つあた
りの単位時間あたりの生産量、すなわちスループットは
従来と比べて大幅に向上するため、発光素子の製造コス
トは下がる。また、転写工程では、例えばサーマルヘッ
ドで前記支持体への加熱圧着する場合は、該サーマルヘ
ッドの形状に合わせて基板上に第１及び第２層をパター
ニングできる。また、この場合、前記支持体のサーマル
ヘッドとの接触面に耐熱潤滑層を設けると、熱が前記支
持体に与える影響は緩和されるため、前記所定箇所への
加熱は容易となる。さらに、例えば液晶表示装置のバッ
クライトなど、微細構造を有さない発光素子の発光部を
作製する場合は、前記他の層は印刷によって作製可能で
あるため、メタルマスクを全く用いずに発光部を作製す
ることもできる。
【００１１】また、請求項３記載の発明は、請求項２に
記載の発光素子の製造方法において、前記第１層及び第
２層は、それぞれカソード電極及び発光層を含んでお
り、前記他の層は、アノード電極を含むこと、を特徴と
する。
記載の発光素子の製造方法において、前記第１層及び第
２層は、それぞれカソード電極及び発光層を含んでお
り、前記他の層は、アノード電極を含むこと、を特徴と
する。
【００１２】この請求項３記載の発明によれば、例えば
支持体に可撓性を有するＰＥＴフィルムを用いロール状
に巻くと、炉内でこの支持体の占有体積を抑えることが
できる。一方有機ＥＬ素子に適用されるアノード電極は
一般に可撓性が低い金属酸化物からなる透明電極であ
り、抵抗が高いため、ある程度の厚さが要求されるので
ロール状に巻くことは好ましくない。したがって、アノ
ード電極は他の層として基板上に設け、支持体と接合す
ることでロール状に巻かれる必要はなくなり高い歩留ま
りで製造することができる。
支持体に可撓性を有するＰＥＴフィルムを用いロール状
に巻くと、炉内でこの支持体の占有体積を抑えることが
できる。一方有機ＥＬ素子に適用されるアノード電極は
一般に可撓性が低い金属酸化物からなる透明電極であ
り、抵抗が高いため、ある程度の厚さが要求されるので
ロール状に巻くことは好ましくない。したがって、アノ
ード電極は他の層として基板上に設け、支持体と接合す
ることでロール状に巻かれる必要はなくなり高い歩留ま
りで製造することができる。
【００１３】また、請求項４記載の発明は、請求項２ま
たは請求項３に記載の発光素子の製造方法において、前
記他の層は、接着樹脂を含む層間絶縁膜であることを特
徴とする。
たは請求項３に記載の発光素子の製造方法において、前
記他の層は、接着樹脂を含む層間絶縁膜であることを特
徴とする。
【００１４】ここで、前記接着樹脂としては、熱軟化性
樹脂が好適である。
樹脂が好適である。
【００１５】この請求項４記載の発明によれば、前記支
持体と前記基板とを貼り合わせる際に、例えば加圧や加
熱などにより前記接着樹脂は接着性を発揮するので、前
記第１層及び第２層と前記他の層および前記基板とは該
接着樹脂により接着される。従って、より確実に前記他
の層は前記第１層及び第２層上に接合される。
持体と前記基板とを貼り合わせる際に、例えば加圧や加
熱などにより前記接着樹脂は接着性を発揮するので、前
記第１層及び第２層と前記他の層および前記基板とは該
接着樹脂により接着される。従って、より確実に前記他
の層は前記第１層及び第２層上に接合される。
【００１６】また、請求項５記載の発明は、請求項１〜
請求項４のいずれかに記載の発光素子の製造方法におい
て、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素
子であることを特徴とする。
請求項４のいずれかに記載の発光素子の製造方法におい
て、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素
子であることを特徴とする。
【００１７】この請求項５記載の発明によれば、有機Ｅ
Ｌ素子の製造方法において、一つの装置あたりのスルー
プットは向上するので、有機ＥＬ素子の製造コストは下
がる。
Ｌ素子の製造方法において、一つの装置あたりのスルー
プットは向上するので、有機ＥＬ素子の製造コストは下
がる。
【００１８】また、請求項６記載の発明は、請求項１〜
請求項５のいずれかに記載の発光素子の製造方法におい
て、前記移動工程は、前記支持体が巻かれた第１ロール
と、前記支持体を巻き取る第２ロールと、を回転して前
記支持体を移動することを特徴とする。
請求項５のいずれかに記載の発光素子の製造方法におい
て、前記移動工程は、前記支持体が巻かれた第１ロール
と、前記支持体を巻き取る第２ロールと、を回転して前
記支持体を移動することを特徴とする。
【００１９】この請求項６に記載の発明によれば、蒸着
炉内における支持体及び第１層及び第２層が形成された
支持体の専有体積を最小限にすることができる。ここ
で、前記支持体としては、例えばロール状に巻くことが
可能なＰＥＴフィルムが好適である。
炉内における支持体及び第１層及び第２層が形成された
支持体の専有体積を最小限にすることができる。ここ
で、前記支持体としては、例えばロール状に巻くことが
可能なＰＥＴフィルムが好適である。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図を参照して、本発明の実
施の形態例である有機ＥＬ発光部１の製造方法につい
て、図１〜図３を用いて詳細に説明する。ここで、有機
ＥＬ発光部１は、例えばバックライトなどに用いられる
ラフパターンとする。図１は、支持体１５の一面に、カ
ソード電極１１（第１層），電子輸送層１２（第２
層），発光層１３，正孔輸送層１４を形成する薄膜連続
形成装置２（蒸着炉）の構成および動作を説明する概略
図である。ここで、カソード電極１１，電子輸送層１
２，発光層１３は、それぞれ、単層である場合と複数の
層から形成される場合とがある。図２は、支持体１５の
表部に形成された、カソード電極１１，電子輸送層１
２，発光層１３，正孔輸送層１４を、アノード電極１０
１（他の層）及び層間絶縁膜１０２（他の層）を有する
基板１０の上に転写する方法を説明する概略図である。
図３は、有機ＥＬ発光部１の積層構造を説明する概略図
である。
施の形態例である有機ＥＬ発光部１の製造方法につい
て、図１〜図３を用いて詳細に説明する。ここで、有機
ＥＬ発光部１は、例えばバックライトなどに用いられる
ラフパターンとする。図１は、支持体１５の一面に、カ
ソード電極１１（第１層），電子輸送層１２（第２
層），発光層１３，正孔輸送層１４を形成する薄膜連続
形成装置２（蒸着炉）の構成および動作を説明する概略
図である。ここで、カソード電極１１，電子輸送層１
２，発光層１３は、それぞれ、単層である場合と複数の
層から形成される場合とがある。図２は、支持体１５の
表部に形成された、カソード電極１１，電子輸送層１
２，発光層１３，正孔輸送層１４を、アノード電極１０
１（他の層）及び層間絶縁膜１０２（他の層）を有する
基板１０の上に転写する方法を説明する概略図である。
図３は、有機ＥＬ発光部１の積層構造を説明する概略図
である。
【００２１】まず、薄膜連続形成装置２の構成につい
て、図１を用いて説明する。図１に示すように、連続薄
膜形成装置２は、減圧された真空チャンバー１００の中
に、カソード電極蒸着装置１１１と、電子輸送層蒸着装
置１２１と、発光層蒸着装置１３１と、正孔輸送層蒸着
装置１４１と、ロール状に巻かれた支持体１５をカソー
ド電極蒸着装置１１１，電子輸送層蒸着装置１２１，発
光層蒸着装置１３１，正孔輸送層蒸着装置１４１上に支
持するとともに所定方向に移動させるロール１６，１６
と、を設けた構成とする。なお、カソード電極蒸着装置
１１１と電子輸送層蒸着装置１２１の間と、電子輸送層
蒸着装置１２１と発光層蒸着装置１３１の間と、発光層
蒸着装置１３１と正孔輸送層蒸着装置１４１との間に
は、それぞれの蒸着源の侵入を防ぐための隔壁１７，１
７，１７が、それぞれ設けられる。さらに、真空チャン
バー１００は配管（図示省略）を介して真空排気系（図
示省略）に接続されている。
て、図１を用いて説明する。図１に示すように、連続薄
膜形成装置２は、減圧された真空チャンバー１００の中
に、カソード電極蒸着装置１１１と、電子輸送層蒸着装
置１２１と、発光層蒸着装置１３１と、正孔輸送層蒸着
装置１４１と、ロール状に巻かれた支持体１５をカソー
ド電極蒸着装置１１１，電子輸送層蒸着装置１２１，発
光層蒸着装置１３１，正孔輸送層蒸着装置１４１上に支
持するとともに所定方向に移動させるロール１６，１６
と、を設けた構成とする。なお、カソード電極蒸着装置
１１１と電子輸送層蒸着装置１２１の間と、電子輸送層
蒸着装置１２１と発光層蒸着装置１３１の間と、発光層
蒸着装置１３１と正孔輸送層蒸着装置１４１との間に
は、それぞれの蒸着源の侵入を防ぐための隔壁１７，１
７，１７が、それぞれ設けられる。さらに、真空チャン
バー１００は配管（図示省略）を介して真空排気系（図
示省略）に接続されている。
【００２２】カソード電極蒸着装置１１１は、カソード
電極１１を構成するカソード電極材料を適量入れること
ができ、上方に開口部を有する坩堝と、カソード電極材
料を蒸発させるために坩堝を所定の温度に加熱すること
ができる加熱手段と、により構成される。すなわち、通
常の真空蒸着に用いられる薄膜源と概略同じ構成であ
る。カソード電極蒸着装置１１１の坩堝内にはカソード
電極材料がＡｌ−Ｌｉ合金が入れられている。カソード
電極材料としては他に、例えばＡｌ−Ｌｉ合金の他にＭ
ｇ、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、Ａｌが適用可能な場合もあ
る。
電極１１を構成するカソード電極材料を適量入れること
ができ、上方に開口部を有する坩堝と、カソード電極材
料を蒸発させるために坩堝を所定の温度に加熱すること
ができる加熱手段と、により構成される。すなわち、通
常の真空蒸着に用いられる薄膜源と概略同じ構成であ
る。カソード電極蒸着装置１１１の坩堝内にはカソード
電極材料がＡｌ−Ｌｉ合金が入れられている。カソード
電極材料としては他に、例えばＡｌ−Ｌｉ合金の他にＭ
ｇ、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、Ａｌが適用可能な場合もあ
る。
【００２３】同様に、電子輸送層蒸着装置１２１は、電
子輸送層１２を構成する電子輸送層材料を適量入れるこ
とができ、上方に開口部を有する坩堝と、電子輸送層材
料を蒸発させるために坩堝を所定の温度に加熱すること
ができる加熱手段と、により構成される。電子輸送層蒸
着装置１２１の坩堝内にはトリス(8-キノリノレート)ア
ルミニウム錯体（以下、Ａｌｑ３）が入れられている。
子輸送層１２を構成する電子輸送層材料を適量入れるこ
とができ、上方に開口部を有する坩堝と、電子輸送層材
料を蒸発させるために坩堝を所定の温度に加熱すること
ができる加熱手段と、により構成される。電子輸送層蒸
着装置１２１の坩堝内にはトリス(8-キノリノレート)ア
ルミニウム錯体（以下、Ａｌｑ３）が入れられている。
【００２４】発光層蒸着装置１３１は、発光層１３を構
成する発光層材料を適量入れることができ、上方に開口
部を有する坩堝と、発光層材料を蒸発させるために坩堝
を所定の温度に加熱することができる加熱手段と、によ
り構成される。発光層蒸着装置１３１の坩堝内には4,4'
-ビス(2,2-ジフェニルビニレン)ビフェニル（以下、Ｄ
ＰＶＢｉ）９６ｗｔ％と4,4'-ビス(2-カルバゾールビニ
レン)ビフェニル（以下、ＢＣｚＶＢｉ）４ｗｔ％の混
合物が入れられている。
成する発光層材料を適量入れることができ、上方に開口
部を有する坩堝と、発光層材料を蒸発させるために坩堝
を所定の温度に加熱することができる加熱手段と、によ
り構成される。発光層蒸着装置１３１の坩堝内には4,4'
-ビス(2,2-ジフェニルビニレン)ビフェニル（以下、Ｄ
ＰＶＢｉ）９６ｗｔ％と4,4'-ビス(2-カルバゾールビニ
レン)ビフェニル（以下、ＢＣｚＶＢｉ）４ｗｔ％の混
合物が入れられている。
【００２５】正孔輸送層蒸着装置１４１は、正孔輸送層
１４を構成する正孔輸送層材料を適量入れることがで
き、上方に開口部を有する坩堝と、正孔輸送層材料を蒸
発させるために坩堝を所定の温度に加熱することができ
る加熱手段と、により構成される。正孔輸送層蒸着装置
１４１の坩堝内にはN,N'-ジ(α-ナフチル)-N,N'-ジフェ
ニル-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミン（以下、α−ＮＰ
Ｄ）が入れられている。
１４を構成する正孔輸送層材料を適量入れることがで
き、上方に開口部を有する坩堝と、正孔輸送層材料を蒸
発させるために坩堝を所定の温度に加熱することができ
る加熱手段と、により構成される。正孔輸送層蒸着装置
１４１の坩堝内にはN,N'-ジ(α-ナフチル)-N,N'-ジフェ
ニル-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミン（以下、α−ＮＰ
Ｄ）が入れられている。
【００２６】ロール１６は、真空チャンバー１００外部
に設けられたモータなどの駆動源（図示省略）から伝達
される動力により、ロール状に巻かれた支持体１５をカ
ソード電極蒸着装置１１１，電子輸送層蒸着装置１２
１，発光層蒸着装置１３１，正孔輸送層蒸着装置１４１
の上方にさらした後に再びロール状に巻き取る。
に設けられたモータなどの駆動源（図示省略）から伝達
される動力により、ロール状に巻かれた支持体１５をカ
ソード電極蒸着装置１１１，電子輸送層蒸着装置１２
１，発光層蒸着装置１３１，正孔輸送層蒸着装置１４１
の上方にさらした後に再びロール状に巻き取る。
【００２７】次に、有機ＥＬ発光部１の製造方法につい
て、順を追って説明する。なお、ここで用いる支持体１
５としては、裏面に耐熱滑性層１５ａを有するＰＥＴ
（polyethylene terephthalate）フィルムが、好適に用
いられる。
て、順を追って説明する。なお、ここで用いる支持体１
５としては、裏面に耐熱滑性層１５ａを有するＰＥＴ
（polyethylene terephthalate）フィルムが、好適に用
いられる。
【００２８】まず、以下のように、薄膜連続形成装置２
を用いて、支持体１５の、先端部と終端部を除いた表面
全面に、カソード電極１１，電子輸送層１２，発光層１
３，正孔輸送層１４を連続的に積層させる。
を用いて、支持体１５の、先端部と終端部を除いた表面
全面に、カソード電極１１，電子輸送層１２，発光層１
３，正孔輸送層１４を連続的に積層させる。
【００２９】すなわち、ロール１６を用いて、支持体１
５を図１の矢印に示す方向に動かす。このため、支持体
１５は、下面をカソード電極蒸着装置１１１，電子輸送
層蒸着装置１２１，発光層蒸着装置１３１，正孔輸送層
蒸着装置１４１に、この順序の通りにさらされる。
５を図１の矢印に示す方向に動かす。このため、支持体
１５は、下面をカソード電極蒸着装置１１１，電子輸送
層蒸着装置１２１，発光層蒸着装置１３１，正孔輸送層
蒸着装置１４１に、この順序の通りにさらされる。
【００３０】ここで、支持体１５のうち、下方にカソー
ド電極蒸着装置１１１が配置される箇所には、カソード
電極蒸着装置１１１より蒸発したカソード電極材料を表
面にそれぞれ捕捉する。従って、支持体１５の表部には
カソード電極１１が一定厚さほど堆積する。蒸着の間、
支持体１５はロール１６、１６により図１中の矢印方向
に進行しても良いし、停止していてもよい。
ド電極蒸着装置１１１が配置される箇所には、カソード
電極蒸着装置１１１より蒸発したカソード電極材料を表
面にそれぞれ捕捉する。従って、支持体１５の表部には
カソード電極１１が一定厚さほど堆積する。蒸着の間、
支持体１５はロール１６、１６により図１中の矢印方向
に進行しても良いし、停止していてもよい。
【００３１】この間、支持体１５のうち、カソード電極
蒸着装置１１１により既にカソード電極１１が蒸着され
た箇所は、電子輸送層蒸着装置１２１上に位置し、電子
輸送層蒸着装置１２１上から蒸発した電子輸送層材料を
カソード電極１１の表面にそれぞれ捕捉し、電子輸送層
１２が所定の厚さに堆積する。
蒸着装置１１１により既にカソード電極１１が蒸着され
た箇所は、電子輸送層蒸着装置１２１上に位置し、電子
輸送層蒸着装置１２１上から蒸発した電子輸送層材料を
カソード電極１１の表面にそれぞれ捕捉し、電子輸送層
１２が所定の厚さに堆積する。
【００３２】またこの間、支持体１５のうち、電子輸送
層蒸着装置１２１により既に電子輸送層１２が蒸着され
た箇所は、発光層蒸着装置１３１上に位置し、発光層蒸
着装置１３１から蒸発した発光層材料を電子輸送層１２
の表面にそれぞれ捕捉し、発光層１３が所定の厚さに堆
積する。
層蒸着装置１２１により既に電子輸送層１２が蒸着され
た箇所は、発光層蒸着装置１３１上に位置し、発光層蒸
着装置１３１から蒸発した発光層材料を電子輸送層１２
の表面にそれぞれ捕捉し、発光層１３が所定の厚さに堆
積する。
【００３３】さらにこの間、支持体１５のうち、発光層
蒸着装置１３１により既に発光層１３が蒸着された箇所
は、正孔輸送層蒸着装置１４１上に位置し、正孔輸送層
蒸着装置１４１から蒸発した発光層材料を発光層１３の
表面にそれぞれ捕捉し、正孔輸送層１４が所定の厚さに
堆積する。
蒸着装置１３１により既に発光層１３が蒸着された箇所
は、正孔輸送層蒸着装置１４１上に位置し、正孔輸送層
蒸着装置１４１から蒸発した発光層材料を発光層１３の
表面にそれぞれ捕捉し、正孔輸送層１４が所定の厚さに
堆積する。
【００３４】上述した工程によりカソード電極蒸着装置
１１１，電子輸送層蒸着装置１２１，発光層蒸着装置１
３１，及び正孔輸送層蒸着装置１４１が、それぞれカソ
ード電極１１，電子輸送層１２，発光層１３，正孔輸送
層１４をそれぞれ所定の厚さに成膜し終えれば、ロール
１６、１６により支持体１５は矢印方向に移動し、支持
体１５には、カソード電極１１，電子輸送層１２，発光
層１３，及び正孔輸送層１４が連続して成膜される。
１１１，電子輸送層蒸着装置１２１，発光層蒸着装置１
３１，及び正孔輸送層蒸着装置１４１が、それぞれカソ
ード電極１１，電子輸送層１２，発光層１３，正孔輸送
層１４をそれぞれ所定の厚さに成膜し終えれば、ロール
１６、１６により支持体１５は矢印方向に移動し、支持
体１５には、カソード電極１１，電子輸送層１２，発光
層１３，及び正孔輸送層１４が連続して成膜される。
【００３５】このように、１つの支持体１５に連続して
カソード電極蒸着装置１１１，電子輸送層蒸着装置１２
１，発光層蒸着装置１３１，及び正孔輸送層蒸着装置１
４１で同時に蒸着することにより、従来のように各蒸着
装置で、別々の期間に蒸着する製造方法に比べてスルー
プットを向上することができる。
カソード電極蒸着装置１１１，電子輸送層蒸着装置１２
１，発光層蒸着装置１３１，及び正孔輸送層蒸着装置１
４１で同時に蒸着することにより、従来のように各蒸着
装置で、別々の期間に蒸着する製造方法に比べてスルー
プットを向上することができる。
【００３６】本実施形態では、支持体１５が、カソード
電極蒸着装置１１１，電子輸送層蒸着装置１２１，発光
層蒸着装置１３１，及び正孔輸送層蒸着装置１４１の上
方をロール１６、１６により移動する速度は同じである
ため、蒸着の間に支持体１５を移動している場合は、蒸
着する材料の蒸着速度に応じてカソード電極蒸着装置１
１１，電子輸送層蒸着装置１２１，発光層蒸着装置１３
１，正孔輸送層蒸着装置１４１のそれぞれの蒸着面の矢
印方向の距離を設定すればよい。例えばカソード電極蒸
着装置１１１がカソード電極１１を所定の膜厚にするた
めの蒸着速度が、電子輸送層蒸着装置１２１が電子輸送
層１２を所定の膜厚にするための蒸着速度の半分の場合
は、カソード電極蒸着装置１１１の支持体１５への蒸着
面の矢印方向の距離を電子輸送層蒸着装置１２１の支持
体１５への蒸着面の矢印方向の距離の二倍にすれば、カ
ソード電極１１及び電子輸送層１２をそれぞれ最適の厚
さに成膜することができる。
電極蒸着装置１１１，電子輸送層蒸着装置１２１，発光
層蒸着装置１３１，及び正孔輸送層蒸着装置１４１の上
方をロール１６、１６により移動する速度は同じである
ため、蒸着の間に支持体１５を移動している場合は、蒸
着する材料の蒸着速度に応じてカソード電極蒸着装置１
１１，電子輸送層蒸着装置１２１，発光層蒸着装置１３
１，正孔輸送層蒸着装置１４１のそれぞれの蒸着面の矢
印方向の距離を設定すればよい。例えばカソード電極蒸
着装置１１１がカソード電極１１を所定の膜厚にするた
めの蒸着速度が、電子輸送層蒸着装置１２１が電子輸送
層１２を所定の膜厚にするための蒸着速度の半分の場合
は、カソード電極蒸着装置１１１の支持体１５への蒸着
面の矢印方向の距離を電子輸送層蒸着装置１２１の支持
体１５への蒸着面の矢印方向の距離の二倍にすれば、カ
ソード電極１１及び電子輸送層１２をそれぞれ最適の厚
さに成膜することができる。
【００３７】なお、基板１０の通過速度はすべての箇所
で一定であるため、カソード電極蒸着装置１１１，電子
輸送層蒸着装置１２１，発光層蒸着装置１３１，正孔輸
送層蒸着装置１４１の各加熱手段の出力を調節すること
により坩堝の厚さを制御してカソード電極１１，電子輸
送層１２，発光層１３，正孔輸送層１４はそれぞれ所定
の厚さに堆積してもよい。
で一定であるため、カソード電極蒸着装置１１１，電子
輸送層蒸着装置１２１，発光層蒸着装置１３１，正孔輸
送層蒸着装置１４１の各加熱手段の出力を調節すること
により坩堝の厚さを制御してカソード電極１１，電子輸
送層１２，発光層１３，正孔輸送層１４はそれぞれ所定
の厚さに堆積してもよい。
【００３８】次に、以下の方法に従って、支持体１５上
の各層を基板１０上に転写する。
の各層を基板１０上に転写する。
【００３９】すなわち、ＰＥＴなどから作製される基板
１０には予め、ＩＴＯ（Indium TinOxide）やIn2O3(Zn
O)ｘ（ｘ＞０）等の可視光に対して十分な透過性を示す
材料からなっていて所定のパターンを有するアノード電
極１０１と、熱軟化性樹脂などの樹脂粒を分散させた絶
縁物質からなっていてアノード電極１０１の周縁部上を
覆うとともにその一部は基板１０と接する層間絶縁膜１
０２と、を設ける。ここで、有機ＥＬ発光部１を液晶表
示装置のバックライトに適用する場合は面発光でよいの
で、有機ＥＬ発光部１はラフパターンになり、アノード
電極１０１と層間絶縁膜１０２とは、メタルマスクを用
いた真空プロセスではなく、印刷により形成してもよ
い。また、層間絶縁膜１０２は、アノード電極１０１と
カソード電極１１とが短絡することを防ぐための層でも
あるため、図３（Ｂ）に示すように、後にサーマルヘッ
ド２１により該層間絶縁膜１０２の上に転写されるカソ
ード電極１１，電子輸送層１２，発光層１３，正孔輸送
層１４より大きく形成される。さらに、層間絶縁膜１０
２には、アノード電極１０１をリード線などの外部端子
と接続するためのアノード電極取り出し孔１０２ａを設
ける。
１０には予め、ＩＴＯ（Indium TinOxide）やIn2O3(Zn
O)ｘ（ｘ＞０）等の可視光に対して十分な透過性を示す
材料からなっていて所定のパターンを有するアノード電
極１０１と、熱軟化性樹脂などの樹脂粒を分散させた絶
縁物質からなっていてアノード電極１０１の周縁部上を
覆うとともにその一部は基板１０と接する層間絶縁膜１
０２と、を設ける。ここで、有機ＥＬ発光部１を液晶表
示装置のバックライトに適用する場合は面発光でよいの
で、有機ＥＬ発光部１はラフパターンになり、アノード
電極１０１と層間絶縁膜１０２とは、メタルマスクを用
いた真空プロセスではなく、印刷により形成してもよ
い。また、層間絶縁膜１０２は、アノード電極１０１と
カソード電極１１とが短絡することを防ぐための層でも
あるため、図３（Ｂ）に示すように、後にサーマルヘッ
ド２１により該層間絶縁膜１０２の上に転写されるカソ
ード電極１１，電子輸送層１２，発光層１３，正孔輸送
層１４より大きく形成される。さらに、層間絶縁膜１０
２には、アノード電極１０１をリード線などの外部端子
と接続するためのアノード電極取り出し孔１０２ａを設
ける。
【００４０】次に、支持体１５と基板１０とを、それぞ
れの上にすでに形成した各層が対向するように配置す
る。次に、支持体１５と基板１０の所定箇所を、サーマ
ルヘッド２１とローラー２２との間に挟む。ここで、支
持体１５およびカソード電極１１はサーマルヘッド２１
によって加熱されるため、相互に解離しやすくなる。ま
た、正孔輸送層１４と層間絶縁膜１０２とは、サーマル
ヘッド２１とローラー２２との間で圧接されるため、層
間絶縁膜１０２中の樹脂粒により接着される。なお、耐
熱滑性層１５ａの存在により、支持体１５はサーマルヘ
ッド２１には付着しない。従って、カソード電極１１，
電子輸送層１２，発光層１３，正孔輸送層１４は、サー
マルヘッド２１により加熱された部分のみ基板１０上に
転写される。以上の工程により、有機ＥＬ発光部１は完
成する。
れの上にすでに形成した各層が対向するように配置す
る。次に、支持体１５と基板１０の所定箇所を、サーマ
ルヘッド２１とローラー２２との間に挟む。ここで、支
持体１５およびカソード電極１１はサーマルヘッド２１
によって加熱されるため、相互に解離しやすくなる。ま
た、正孔輸送層１４と層間絶縁膜１０２とは、サーマル
ヘッド２１とローラー２２との間で圧接されるため、層
間絶縁膜１０２中の樹脂粒により接着される。なお、耐
熱滑性層１５ａの存在により、支持体１５はサーマルヘ
ッド２１には付着しない。従って、カソード電極１１，
電子輸送層１２，発光層１３，正孔輸送層１４は、サー
マルヘッド２１により加熱された部分のみ基板１０上に
転写される。以上の工程により、有機ＥＬ発光部１は完
成する。
【００４１】この結果、図３に示すように、有機ＥＬ発
光部１は、同図（Ｃ）に示す基板１０上に、同図（Ｂ）
に示す、アノード電極１０１と、層間絶縁膜１０２と、
同図（Ａ）に示す支持体１５からサーマルヘッド２１に
より加熱されて転写された正孔輸送層１４，発光層１
３，電子輸送層１２，カソード電極１１と、を積層した
構造となる。
光部１は、同図（Ｃ）に示す基板１０上に、同図（Ｂ）
に示す、アノード電極１０１と、層間絶縁膜１０２と、
同図（Ａ）に示す支持体１５からサーマルヘッド２１に
より加熱されて転写された正孔輸送層１４，発光層１
３，電子輸送層１２，カソード電極１１と、を積層した
構造となる。
【００４２】以上より、本発明の実施の形態例によれ
ば、支持体１５の上に、カソード電極１１，電子輸送層
１２，発光層１３，正孔輸送層１４を、この順序で、メ
タルマスクを用いない真空蒸着法にて積層する。別途、
基板１０の上にアノード電極１０１，層間絶縁膜１０２
を印刷により形成する。続いて、支持体１５と基板１０
とを、それぞれの表部に形成した膜が対向する方向に貼
り合わせ、サーマルヘッド２１を用いてパターンとして
必要な箇所に熱を加えることにより、基板１０のアノー
ド電極１０１，層間絶縁膜１０２の上に、正孔輸送層１
４，発光層１３，電子輸送層１２，カソード電極１１
を、この順序通りに転写して、有機ＥＬ発光部１を作製
する。すなわち、有機ＥＬ発光部１の作製工程におい
て、メタルマスクを真空中にて用いないため、高精度な
位置合わせを行う必要はなく、従って、生産装置一つあ
たりの単位時間あたりの生産量、すなわちスループット
は従来と比べて大幅に向上するため、有機ＥＬ素子の製
造コストは下がる。
ば、支持体１５の上に、カソード電極１１，電子輸送層
１２，発光層１３，正孔輸送層１４を、この順序で、メ
タルマスクを用いない真空蒸着法にて積層する。別途、
基板１０の上にアノード電極１０１，層間絶縁膜１０２
を印刷により形成する。続いて、支持体１５と基板１０
とを、それぞれの表部に形成した膜が対向する方向に貼
り合わせ、サーマルヘッド２１を用いてパターンとして
必要な箇所に熱を加えることにより、基板１０のアノー
ド電極１０１，層間絶縁膜１０２の上に、正孔輸送層１
４，発光層１３，電子輸送層１２，カソード電極１１
を、この順序通りに転写して、有機ＥＬ発光部１を作製
する。すなわち、有機ＥＬ発光部１の作製工程におい
て、メタルマスクを真空中にて用いないため、高精度な
位置合わせを行う必要はなく、従って、生産装置一つあ
たりの単位時間あたりの生産量、すなわちスループット
は従来と比べて大幅に向上するため、有機ＥＬ素子の製
造コストは下がる。
【００４３】さらに、層間絶縁膜１０２を設けたので、
正孔輸送層１４，発光層１３，電子輸送層１２，カソー
ド電極１１の転写位置が多少ずれても、アノード電極１
０１とカソード電極１１とは短絡しない。また、サーマ
ルヘッド２１に微細パターン加工を施すことにより、微
細な構造を有する有機ＥＬ発光部の作製できる。さら
に、バックライトの形状によっては、層間絶縁膜１０２
を所定のパターンに形成することにより、アノード電極
１０１を所定のパターンに形成する必要はなくなる場合
もある。また、曲げると割れる可能性のあるＩＴＯなど
を材料として用いるアノード電極１０１は、巻き取る必
要のない基板１０上に堆積したので、支持体１５を巻き
取る際にアノード電極１０１が割れる可能性もない。
正孔輸送層１４，発光層１３，電子輸送層１２，カソー
ド電極１１の転写位置が多少ずれても、アノード電極１
０１とカソード電極１１とは短絡しない。また、サーマ
ルヘッド２１に微細パターン加工を施すことにより、微
細な構造を有する有機ＥＬ発光部の作製できる。さら
に、バックライトの形状によっては、層間絶縁膜１０２
を所定のパターンに形成することにより、アノード電極
１０１を所定のパターンに形成する必要はなくなる場合
もある。また、曲げると割れる可能性のあるＩＴＯなど
を材料として用いるアノード電極１０１は、巻き取る必
要のない基板１０上に堆積したので、支持体１５を巻き
取る際にアノード電極１０１が割れる可能性もない。
【００４４】なお、本発明は、上述した実施の形態例に
限定されるものではなく、転写時の層間絶縁膜１０２と
正孔輸送層１４との密着性を高めるために、正孔輸送層
１４の上に、さらに熱接着性層を設けたり、あるいは転
写直後にラミネートフィルムを介して再度圧着してもよ
い。また、正孔輸送層１４，発光層１３，電子輸送層１
２，カソード電極１１を十分正確に転写できる場合は、
層間絶縁膜１０２を設ける必要はない。この場合は、ア
ノード電極１０１の周縁部をなだらかなテーパーを有す
るように加工するほうが好ましい。さらに、発光素子は
有機ＥＬを用いた素子に限定する必要はなく、当然、積
層構造を有する他の発光素子に適用することも可能であ
る。
限定されるものではなく、転写時の層間絶縁膜１０２と
正孔輸送層１４との密着性を高めるために、正孔輸送層
１４の上に、さらに熱接着性層を設けたり、あるいは転
写直後にラミネートフィルムを介して再度圧着してもよ
い。また、正孔輸送層１４，発光層１３，電子輸送層１
２，カソード電極１１を十分正確に転写できる場合は、
層間絶縁膜１０２を設ける必要はない。この場合は、ア
ノード電極１０１の周縁部をなだらかなテーパーを有す
るように加工するほうが好ましい。さらに、発光素子は
有機ＥＬを用いた素子に限定する必要はなく、当然、積
層構造を有する他の発光素子に適用することも可能であ
る。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、有機ＥＬ素子の製造方
法において、スループットは向上するので、有機ＥＬ素
子の製造コストを下げることができる。
法において、スループットは向上するので、有機ＥＬ素
子の製造コストを下げることができる。
【図１】本発明の実施の形態例の一部である、支持体１
５の表部に、カソード電極１１，電子輸送層１２，発光
層１３，正孔輸送層１４を形成する、薄膜連続形成装置
２の構成および動作を説明する概略図である。
５の表部に、カソード電極１１，電子輸送層１２，発光
層１３，正孔輸送層１４を形成する、薄膜連続形成装置
２の構成および動作を説明する概略図である。
【図２】支持体１５上の各層を、基板１０上に転写する
方法を説明する概略図である。
方法を説明する概略図である。
【図３】有機ＥＬ発光部１の積層構造を説明する概略図
である。
である。
１ 有機ＥＬ発光部
（発光部） ２ 薄膜連続形成装置
（蒸着炉） １０ 基板 １１ カソード電極（第
１層） １２ 電子輸送層（第２
層） １３ 発光層 １４ 正孔輸送層 １５ 支持体 １６ ロール ２１ サーマルヘッド ２２ ローラー １００ 真空チャンバー １０１ アノード電極（他
の層） １０２ 層間絶縁膜（他の
層） １１１ カソード電極蒸着
装置（第１蒸着装置） １２１ 電子輸送層蒸着装
置（第２蒸着装置） １３１ 発光層蒸着装置 １４１ 正孔輸送層蒸着装
置
（発光部） ２ 薄膜連続形成装置
（蒸着炉） １０ 基板 １１ カソード電極（第
１層） １２ 電子輸送層（第２
層） １３ 発光層 １４ 正孔輸送層 １５ 支持体 １６ ロール ２１ サーマルヘッド ２２ ローラー １００ 真空チャンバー １０１ アノード電極（他
の層） １０２ 層間絶縁膜（他の
層） １１１ カソード電極蒸着
装置（第１蒸着装置） １２１ 電子輸送層蒸着装
置（第２蒸着装置） １３１ 発光層蒸着装置 １４１ 正孔輸送層蒸着装
置
Claims (6)
- 【請求項１】基板上に第１層と第２層を有する複数の層
により構成される発光部を有する発光素子の製造方法に
おいて、 内部に前記発光部の複数の層のうちの第１層を蒸着する
第１蒸着装置及び前記発光部の複数の層のうちの第２層
を蒸着する第２蒸着装置を配置し、前記第１蒸着装置及
び第２蒸着装置の上方に支持体を配置した蒸着炉を設
け、 前記支持体の下面に前記第１蒸着装置により前記第１層
を蒸着する第１層形成工程と、 前記第１層が形成された前記支持体を移動する移動工程
と、 前記第１層が形成された前記支持体の移動後又は移動中
に、引き続き前記支持体の下面に前記第１層を連続して
蒸着する第１層連続形成工程と、 第１層連続形成工程中に、前記第１層形成工程で形成さ
れた前記第１層に前記第２蒸着装置により第２層を蒸着
する第２層形成工程と、 を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 【請求項２】前記複数の層のうちの前記第１層及び第２
層が形成された支持体を、前記複数の層のうちの他の層
を積層した基板と、前記第１層及び第２層が前記他の層
の上に積層するように重ねた後に、 前記支持体の所定箇所を押圧することにより、前記第１
層及び第２層の所定箇所を前記他の層の上に転写する工
程を含むこと、 を特徴とする請求項１記載の発光素子の製造方法。 - 【請求項３】前記第１層及び第２層は、それぞれカソー
ド電極及び発光層を含んでおり、 前記他の層は、アノード電極を含むこと、 を特徴とする請求項２に記載の発光素子の製造方法。 - 【請求項４】前記他の層は、接着樹脂を含む層間絶縁膜
であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載
の発光素子の製造方法。 - 【請求項５】前記発光素子は、有機エレクトロルミネッ
センス素子であることを特徴とする請求項１〜請求項４
のいずれかに記載の発光素子の製造方法。 - 【請求項６】前記移動工程は、前記支持体が巻かれた第
１ロールと、前記支持体を巻き取る第２ロールと、を回
転して前記支持体を移動することを特徴とする請求項１
〜請求項５のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32542098A JP4288732B2 (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 発光素子を製造するための転写体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32542098A JP4288732B2 (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 発光素子を製造するための転写体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150150A true JP2000150150A (ja) | 2000-05-30 |
| JP4288732B2 JP4288732B2 (ja) | 2009-07-01 |
Family
ID=18176662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32542098A Expired - Lifetime JP4288732B2 (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 発光素子を製造するための転写体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4288732B2 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001005194A1 (fr) * | 1999-07-07 | 2001-01-18 | Sony Corporation | Procede et appareil de fabrication d'afficheur electroluminescent organique souple |
| KR20020008352A (ko) * | 2000-07-22 | 2002-01-30 | 이영춘 | 박막형 전계 발광 표시소자 |
| JP2002158089A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法 |
| JP2002190387A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子製造用の転写材料およびエレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
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| JP2019186185A (ja) * | 2018-03-31 | 2019-10-24 | チェン ファ コーティング テクノロジー，インコーポレイテッド | 熱転写フィルムの利用による有機発光ダイオードの連続的準備方法 |
-
1998
- 1998-11-16 JP JP32542098A patent/JP4288732B2/ja not_active Expired - Lifetime
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