JP2002158089A - 有機エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法Info
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- JP2002158089A JP2002158089A JP2000354053A JP2000354053A JP2002158089A JP 2002158089 A JP2002158089 A JP 2002158089A JP 2000354053 A JP2000354053 A JP 2000354053A JP 2000354053 A JP2000354053 A JP 2000354053A JP 2002158089 A JP2002158089 A JP 2002158089A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】容易にパターンニングすることができ、接合面
の接着性を改善すると同時に、生産性の良い有機ＥＬ表
示素子の製造方法を提供する。 【解決手段】基材１上に、第一電極層２と第一有機ＥＬ
層を順次形成し、一方で支持体８上に、第二電極層６と
第二有機ＥＬ層を順次形成する。次に、基材１と支持体
８を、それぞれの上にすでに形成した第一の接合層と第
二の接合層が対向するように配置し、支持体の所定箇所
を、サーマルヘッド９などで熱圧押し、支持体８上に形
成した第二電極層６、第二有機ＥＬ層を、基材上に形成
した第一電極層２、第一有機ＥＬ層上に転写パターニン
グする。
の接着性を改善すると同時に、生産性の良い有機ＥＬ表
示素子の製造方法を提供する。 【解決手段】基材１上に、第一電極層２と第一有機ＥＬ
層を順次形成し、一方で支持体８上に、第二電極層６と
第二有機ＥＬ層を順次形成する。次に、基材１と支持体
８を、それぞれの上にすでに形成した第一の接合層と第
二の接合層が対向するように配置し、支持体の所定箇所
を、サーマルヘッド９などで熱圧押し、支持体８上に形
成した第二電極層６、第二有機ＥＬ層を、基材上に形成
した第一電極層２、第一有機ＥＬ層上に転写パターニン
グする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を用い
た有機エレクトロルミネッセンス表示素子に関する。
た有機エレクトロルミネッセンス表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光層が有機化合物から構成される有機
エレクトロルミネッセンス表示素子（以下、有機ＥＬ表
示素子）は、低電圧駆動の大面積表示素子を実現するも
のとして注目されている。Ｔａｎｇらは素子の高効率化
のため、キャリア輸送性の異なる有機化合物を積層し、
ホールと電子がそれぞれ陽極層、陰極層よりバランスよ
く注入される構造とし、しかも有機エレクトロルミネッ
センス層（以下有機ＥＬ層）の膜厚を２０００Å以下と
することで、１０Ｖ以下の印加電圧で１０００ｃｄ／ｍ
２と高輝度、高効率を得ることに成功した。（Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，５１，９１
３（１９８７）．）
エレクトロルミネッセンス表示素子（以下、有機ＥＬ表
示素子）は、低電圧駆動の大面積表示素子を実現するも
のとして注目されている。Ｔａｎｇらは素子の高効率化
のため、キャリア輸送性の異なる有機化合物を積層し、
ホールと電子がそれぞれ陽極層、陰極層よりバランスよ
く注入される構造とし、しかも有機エレクトロルミネッ
センス層（以下有機ＥＬ層）の膜厚を２０００Å以下と
することで、１０Ｖ以下の印加電圧で１０００ｃｄ／ｍ
２と高輝度、高効率を得ることに成功した。（Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，５１，９１
３（１９８７）．）
【０００３】一般的な素子構造はガラスなどの透光性絶
縁基板上に形成したＩＴＯ（酸化インジウムスズ）など
の陽極層となる透明電極上に有機発光層を真空蒸着法や
溶液からの塗布により形成し、その上部に陰極層を真空
蒸着法等で形成する。陽極層あるいは陰極層、あるいは
その両方をパターンニングすることにより、所定の発光
パターンを得ることが可能である。
縁基板上に形成したＩＴＯ（酸化インジウムスズ）など
の陽極層となる透明電極上に有機発光層を真空蒸着法や
溶液からの塗布により形成し、その上部に陰極層を真空
蒸着法等で形成する。陽極層あるいは陰極層、あるいは
その両方をパターンニングすることにより、所定の発光
パターンを得ることが可能である。
【０００４】陽極層のパターンニングの一般的な方法
は、フォトリソグラフィー法及びウェットエッチング法
や、ドライエッチング法などがある。これらのパターン
ニング法は、特に問題はない。しかし、陰極層のパター
ンニングの一般的な方法に、メタルマスクを併用した真
空蒸着法があげられる。すなわち、陽極層をパターンニ
ングした基板に、正孔輸送層と有機発光層とを同じパタ
ーンに形成し、さらに、陰極層を別のパターンに形成す
る。
は、フォトリソグラフィー法及びウェットエッチング法
や、ドライエッチング法などがある。これらのパターン
ニング法は、特に問題はない。しかし、陰極層のパター
ンニングの一般的な方法に、メタルマスクを併用した真
空蒸着法があげられる。すなわち、陽極層をパターンニ
ングした基板に、正孔輸送層と有機発光層とを同じパタ
ーンに形成し、さらに、陰極層を別のパターンに形成す
る。
【０００５】しかし、前述した方法を用いてパターンニ
ングするには、真空中においてメタルマスクを用いる必
要があった。すなわち、通常の真空蒸着法においては、
有機発光層や正孔輸送層、電子輸送層、陰極層を形成す
る際に、メタルマスクを用いる必要があった。このた
め、従来の方法においては、一つの層を所定のパターン
に形成する度に、メタルマスクの位置合わせ基板の移動
を高精度に行う必要があり、生産性が悪いという問題が
ある。
ングするには、真空中においてメタルマスクを用いる必
要があった。すなわち、通常の真空蒸着法においては、
有機発光層や正孔輸送層、電子輸送層、陰極層を形成す
る際に、メタルマスクを用いる必要があった。このた
め、従来の方法においては、一つの層を所定のパターン
に形成する度に、メタルマスクの位置合わせ基板の移動
を高精度に行う必要があり、生産性が悪いという問題が
ある。
【０００６】この問題を解決する方法として、特開２０
００−１５０１５０号公報等に記載されているように、
支持体の表部に形成された、陰極層、電子輸送層、有機
発光層、正孔輸送層を、陽極層および層間絶縁膜を有す
る基板の上に転写する技術が開示されている。
００−１５０１５０号公報等に記載されているように、
支持体の表部に形成された、陰極層、電子輸送層、有機
発光層、正孔輸送層を、陽極層および層間絶縁膜を有す
る基板の上に転写する技術が開示されている。
【０００７】これらは支持体の表部に形成された、陰極
層、電子輸送層、有機発光層、正孔輸送層を、陽極層お
よび層間絶縁膜を有する基板の上に転写することにより
形成される。しかし転写の際、接合面が有機層と無機層
の間であり、異なる物性を持つ層間であるため、熱膨張
率やガラス転移温度等の特性が異なり、その結果接合面
の接着性が悪いという問題がある。このため、電圧を印
加すると接合面が剥離したり、発光不良が生じるという
問題がある。
層、電子輸送層、有機発光層、正孔輸送層を、陽極層お
よび層間絶縁膜を有する基板の上に転写することにより
形成される。しかし転写の際、接合面が有機層と無機層
の間であり、異なる物性を持つ層間であるため、熱膨張
率やガラス転移温度等の特性が異なり、その結果接合面
の接着性が悪いという問題がある。このため、電圧を印
加すると接合面が剥離したり、発光不良が生じるという
問題がある。
【発明が解決しようとしている課題】本発明は、これら
の問題点を解決するためになされたものであり、容易に
パターンニングすることができ、接合面の接着性を改善
すると同時に、生産性の良い有機ＥＬ表示素子の製造方
法を提供する。
の問題点を解決するためになされたものであり、容易に
パターンニングすることができ、接合面の接着性を改善
すると同時に、生産性の良い有機ＥＬ表示素子の製造方
法を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基材
上に、第一電極層と有機エレクトロルミネッセンス層と
第二電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス表示
素子の製造方法において、前記基材上に前記第一電極層
と前記有機エレクトロルミネッセンス層のうち第一の接
合層までからなる第一有機エレクトロルミネッセンス層
を順次積層形成する工程、支持体上に剥離層と前記第二
電極層と前記有機エレクトロルミネッセンス層のうち前
記第二電極層に隣接する層から第二の接合層までからな
る第二有機エレクトロルミネッセンス層を順次積層形成
する工程、前記第一の接合層と前記第二の接合層とを対
向密着させて前記支持体の所定箇所を加熱押圧すること
により前記第二電極層と前記第二有機エレクトロルミネ
ッセンス層の所定箇所を前記第一電極層および前記第一
有機エレクトロルミネッセンス層を有する基材上に転写
する工程、とからなることを特徴とした有機エレクトロ
ルミネッセンス表示素子の製造方法である。
上に、第一電極層と有機エレクトロルミネッセンス層と
第二電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス表示
素子の製造方法において、前記基材上に前記第一電極層
と前記有機エレクトロルミネッセンス層のうち第一の接
合層までからなる第一有機エレクトロルミネッセンス層
を順次積層形成する工程、支持体上に剥離層と前記第二
電極層と前記有機エレクトロルミネッセンス層のうち前
記第二電極層に隣接する層から第二の接合層までからな
る第二有機エレクトロルミネッセンス層を順次積層形成
する工程、前記第一の接合層と前記第二の接合層とを対
向密着させて前記支持体の所定箇所を加熱押圧すること
により前記第二電極層と前記第二有機エレクトロルミネ
ッセンス層の所定箇所を前記第一電極層および前記第一
有機エレクトロルミネッセンス層を有する基材上に転写
する工程、とからなることを特徴とした有機エレクトロ
ルミネッセンス表示素子の製造方法である。
【０００９】また、請求項２の発明は、前記第一の接合
層と前記第二の接合層が、同一材料からなることを特徴
とした請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表
示素子の製造方法である。
層と前記第二の接合層が、同一材料からなることを特徴
とした請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表
示素子の製造方法である。
【００１０】また、請求項３の発明は、前記有機エレク
トロルミネッセンス層は、塗布法により形成されること
を特徴とした請求項１〜２記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス表示素子の製造方法である。
トロルミネッセンス層は、塗布法により形成されること
を特徴とした請求項１〜２記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス表示素子の製造方法である。
【００１１】また、請求項４の発明は、前記第一電極層
が陽極層、前記第二電極層が陰極層であることを特徴と
した請求項１〜３記載の有機エレクトロルミネッセンス
表示素子の製造方法である。
が陽極層、前記第二電極層が陰極層であることを特徴と
した請求項１〜３記載の有機エレクトロルミネッセンス
表示素子の製造方法である。
【００１２】また、請求項５の発明は、請求項１〜４の
いずれかに記載の製造方法により製造することを特徴と
する有機エレクトロルミネッセンス表示素子である。
いずれかに記載の製造方法により製造することを特徴と
する有機エレクトロルミネッセンス表示素子である。
【００１３】
【発明実施の形態】以下、本発明の具体的構成について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１４】本発明における基材としては、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリア
ミド、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルサルフ
ォン、エポキシ樹脂やポリプロピレン、ポリカーボネー
トなどのプラスチック製のプレートやフィルム、または
ガラス基板、石英基板等が使用できる。
ンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリア
ミド、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルサルフ
ォン、エポキシ樹脂やポリプロピレン、ポリカーボネー
トなどのプラスチック製のプレートやフィルム、または
ガラス基板、石英基板等が使用できる。
【００１５】本発明における陽極層の材料としては、Ｉ
ＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複
合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の透明電極材
料が使用できる。
ＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複
合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の透明電極材
料が使用できる。
【００１６】なお、抵抗を下げるために陽極層には銅、
クロム、アルミニウム、チタン等の金属もしくはこれら
の積層物を補助電極として部分的に併設させることがで
きる。
クロム、アルミニウム、チタン等の金属もしくはこれら
の積層物を補助電極として部分的に併設させることがで
きる。
【００１７】本発明における有機エレクトロルミネッセ
ンス層は、蛍光物質を含む単層構造、あるいは多層構造
で形成することができる。多層構造で形成する場合の有
機エレクトロルミネッセンス層の構成例は、正孔輸送層
／電子輸送性発光層または正孔輸送性発光層／電子輸送
層からなる２層構成や正孔輸送層／有機発光層／電子輸
送層からなる３層構成等がある。さらにより多層で形成
することも可能である。
ンス層は、蛍光物質を含む単層構造、あるいは多層構造
で形成することができる。多層構造で形成する場合の有
機エレクトロルミネッセンス層の構成例は、正孔輸送層
／電子輸送性発光層または正孔輸送性発光層／電子輸送
層からなる２層構成や正孔輸送層／有機発光層／電子輸
送層からなる３層構成等がある。さらにより多層で形成
することも可能である。
【００１８】正孔輸送層材料の例としては、銅フタロシ
アニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン等の金
属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キナ
クリドン化合物、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルア
ミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−
ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−
ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフフェニル−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族アミン系低分子
正孔輸送層や、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビ
ニルカルバゾール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチ
オフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物などの
高分子化合物を用いることができる。
アニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン等の金
属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キナ
クリドン化合物、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルア
ミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−
ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−
ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフフェニル−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族アミン系低分子
正孔輸送層や、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビ
ニルカルバゾール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチ
オフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物などの
高分子化合物を用いることができる。
【００１９】有機発光材料の例としては、９，１０−ジ
アリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリ
レン、ルブレン、１，１，４，４−テトラフェニルブタ
ジエン、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯
体、トリス（４−メチル−８キノリノラート）アルミニ
ウム錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリ
ス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリ
ノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５
−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビ
ス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリ
ノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラー
ト］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ
−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）
フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−キノリ
ノラート）スカンジウム錯体、ビス〔８−（パラ−トシ
ル）アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、
１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、
ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，５−ジ
ヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン
系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンス
ロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系
蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光
体、ナフタルイミド系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置
換ピロロピロール系蛍光体等が挙げられ、これらを単
独、またはポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、
ポリビニルカルバゾールなどの高分子中に溶解させたも
のや、ポリアリールビニレン系やポリフルオレン系等の
高分子蛍光体を用いることができる。
アリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリ
レン、ルブレン、１，１，４，４−テトラフェニルブタ
ジエン、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯
体、トリス（４−メチル−８キノリノラート）アルミニ
ウム錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリ
ス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリ
ノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５
−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビ
ス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリ
ノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラー
ト］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ
−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）
フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−キノリ
ノラート）スカンジウム錯体、ビス〔８−（パラ−トシ
ル）アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、
１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、
ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，５−ジ
ヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン
系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンス
ロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系
蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光
体、ナフタルイミド系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置
換ピロロピロール系蛍光体等が挙げられ、これらを単
独、またはポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、
ポリビニルカルバゾールなどの高分子中に溶解させたも
のや、ポリアリールビニレン系やポリフルオレン系等の
高分子蛍光体を用いることができる。
【００２０】電子輸送材料の例としては、２−（４−ビ
フィニルイル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−
１，３，４−オキサジアゾール、及びオキサジアゾール
誘導体やビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリノ
ラート）ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等が挙げ
られる。
フィニルイル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−
１，３，４−オキサジアゾール、及びオキサジアゾール
誘導体やビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリノ
ラート）ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等が挙げ
られる。
【００２１】陰極層の材料としては電子注入効率の高い
物質を用いる。具体的にはＢａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙ
ｂ等の金属単体を用いたり、有機ＥＬ層と接する界面に
Ｌｉや酸化Ｌｉ、ＬｉＦ等の化合物を１ｎｍ程度挟ん
で、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層して用い
る。または電子注入効率と安定性を両立させるため、低
仕事関数であるＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、
Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ等の金属１種以上と、安定
なＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属元素との合金系が用いられ
る。具体的にはＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金
が使用できる。
物質を用いる。具体的にはＢａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙ
ｂ等の金属単体を用いたり、有機ＥＬ層と接する界面に
Ｌｉや酸化Ｌｉ、ＬｉＦ等の化合物を１ｎｍ程度挟ん
で、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層して用い
る。または電子注入効率と安定性を両立させるため、低
仕事関数であるＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、
Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ等の金属１種以上と、安定
なＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属元素との合金系が用いられ
る。具体的にはＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金
が使用できる。
【００２２】本発明における支持体としては、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィ
ンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポ
リメチルメタクリレート、ポリカーボネートなどのプラ
スチックフィルムなどを用いることができる。
レンテレフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィ
ンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポ
リメチルメタクリレート、ポリカーボネートなどのプラ
スチックフィルムなどを用いることができる。
【００２３】本発明における有機ＥＬ表示素子の製造方
法は、まず基材上に材料に応じて、抵抗加熱法、電子ビ
ーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、
スパッタリング法等により陽極層を形成する。その後、
必要に応じてフォトリソグラフィー法及びウェットエッ
チング法や、ドライエッチング法などの既存の手段で陽
極層のパターンニングを行ったり、ＵＶ処理、プラズマ
処理などにより表面の活性化を行ってもよい。また、フ
ォトリソグラフィー法及びウェットエッチング法や、ド
ライエッチング法などの既存の手段の代わりにニトロセ
ルロース、ポリアミド、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アクリル樹脂、ウ
レタン樹脂、などを絶縁層として印刷し、パターンニン
グを行っても良い。
法は、まず基材上に材料に応じて、抵抗加熱法、電子ビ
ーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、
スパッタリング法等により陽極層を形成する。その後、
必要に応じてフォトリソグラフィー法及びウェットエッ
チング法や、ドライエッチング法などの既存の手段で陽
極層のパターンニングを行ったり、ＵＶ処理、プラズマ
処理などにより表面の活性化を行ってもよい。また、フ
ォトリソグラフィー法及びウェットエッチング法や、ド
ライエッチング法などの既存の手段の代わりにニトロセ
ルロース、ポリアミド、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アクリル樹脂、ウ
レタン樹脂、などを絶縁層として印刷し、パターンニン
グを行っても良い。
【００２４】次に、第一有機ＥＬ層を形成する。基材が
ガラス等のプレートの場合は、スピンコート、ロールコ
ート、スプレーコート、スロットコート、フレキソ、オ
フセット、凹版オフセット等の塗布方法を用いることが
できる。基材として巻き取りフィルムを用いる場合に
は、フレキソ、グラビア、グラビアオフセット、マイク
ログラビア、ダイコート、ロールコートなどの各種塗布
方法を用いることができる。第一有機ＥＬ層の膜厚は、
素子構造によるが０．００１から５μｍ、好ましくは
０．０１から０．１５μｍが好適である。
ガラス等のプレートの場合は、スピンコート、ロールコ
ート、スプレーコート、スロットコート、フレキソ、オ
フセット、凹版オフセット等の塗布方法を用いることが
できる。基材として巻き取りフィルムを用いる場合に
は、フレキソ、グラビア、グラビアオフセット、マイク
ログラビア、ダイコート、ロールコートなどの各種塗布
方法を用いることができる。第一有機ＥＬ層の膜厚は、
素子構造によるが０．００１から５μｍ、好ましくは
０．０１から０．１５μｍが好適である。
【００２５】一方で、支持体上に陰極層を、材料に応じ
て、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法
などを用いて形成する。陰極層の厚さは、０．０１から
１μｍ程度、好ましくは０．１５から０．３μｍ が好
適である。なお、陰極層を形成する前に、弱シリコン系
離型材からなる剥離層を形成することができる。
て、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法
などを用いて形成する。陰極層の厚さは、０．０１から
１μｍ程度、好ましくは０．１５から０．３μｍ が好
適である。なお、陰極層を形成する前に、弱シリコン系
離型材からなる剥離層を形成することができる。
【００２６】次に、第二有機ＥＬ層を形成する。第二有
機ＥＬ層の形成方法は、フレキソ、グラビア、グラビア
オフセット、マイクログラビア、ダイコート、ロールコ
ートなどの各種塗布方法を用いることができる。第二有
機ＥＬ層の膜厚は、素子構造によるが０．１から５μ
ｍ、好ましくは０．３から０．５μｍが好適である。
機ＥＬ層の形成方法は、フレキソ、グラビア、グラビア
オフセット、マイクログラビア、ダイコート、ロールコ
ートなどの各種塗布方法を用いることができる。第二有
機ＥＬ層の膜厚は、素子構造によるが０．１から５μ
ｍ、好ましくは０．３から０．５μｍが好適である。
【００２７】また、有機ＥＬ層を２層以上の複数層とす
る場合には、各層を構成する材料の溶解性を鑑み、例え
ば、水溶性と油溶性の樹脂を選択するなどの溶解性の差
を利用したり、コーティングから乾燥までの時間を短く
して、実質的に下層に影響を与えないように塗布条件を
選定しても良い。
る場合には、各層を構成する材料の溶解性を鑑み、例え
ば、水溶性と油溶性の樹脂を選択するなどの溶解性の差
を利用したり、コーティングから乾燥までの時間を短く
して、実質的に下層に影響を与えないように塗布条件を
選定しても良い。
【００２８】次に、基材と支持体を、それぞれの上にす
でに形成した第一の接合層と第二の接合層が対向密着す
るように配置する。次に、支持体の所定箇所を、サーマ
ルヘッドなどで熱圧押し、支持体上に形成した陰極層、
第二有機ＥＬ層を、基材上に形成した陽極層、第一有機
ＥＬ層上に転写する。ここで、陰極層、第二有機ＥＬ層
は、サーマルヘッドにより熱圧押された部分のみ転写さ
れる。
でに形成した第一の接合層と第二の接合層が対向密着す
るように配置する。次に、支持体の所定箇所を、サーマ
ルヘッドなどで熱圧押し、支持体上に形成した陰極層、
第二有機ＥＬ層を、基材上に形成した陽極層、第一有機
ＥＬ層上に転写する。ここで、陰極層、第二有機ＥＬ層
は、サーマルヘッドにより熱圧押された部分のみ転写さ
れる。
【００２９】ここで第一の接合層と第二の接合層は、そ
れぞれ第一有機ＥＬ層、第二有機ＥＬ層とからなり、第
一の接合層と第二の接合層が接着することにより有機Ｅ
Ｌ表示素子が形成される。また第一の接合層と第二の接
合層は、異なる材料で形成しても、同一材料で形成して
もよい。第一の接合層と第二の接合層を異なる材料で形
成しても有機層同士で熱膨張率やガラス転移温度等の特
性が類似しているため効果は得られるが、同一材料で形
成すると、前記熱膨張率やガラス転移温度等の特性を合
わせることができ、親和性も良好である。このため、第
一有機ＥＬ層と第二有機ＥＬ層の接着性を向上すること
ができることから、第一の接合層と第二の接合層は同一
材料であることが最も好ましい。
れぞれ第一有機ＥＬ層、第二有機ＥＬ層とからなり、第
一の接合層と第二の接合層が接着することにより有機Ｅ
Ｌ表示素子が形成される。また第一の接合層と第二の接
合層は、異なる材料で形成しても、同一材料で形成して
もよい。第一の接合層と第二の接合層を異なる材料で形
成しても有機層同士で熱膨張率やガラス転移温度等の特
性が類似しているため効果は得られるが、同一材料で形
成すると、前記熱膨張率やガラス転移温度等の特性を合
わせることができ、親和性も良好である。このため、第
一有機ＥＬ層と第二有機ＥＬ層の接着性を向上すること
ができることから、第一の接合層と第二の接合層は同一
材料であることが最も好ましい。
【００３０】最後に、有機発光層及び電子注入電極の大
気中の水分、酸素による劣化を抑制するため、有機ＥＬ
表示素子を封止することができる。具体的には、ガラス
や石英または、金属等からなる封止ケース等を、Ａｒ、
Ｈｅ、Ｎ2等の不活性ガスからなる封止ガス及びゼオラ
イト、活性アルミ、シリカゲル、水素化カルシウム、水
素化アルミニウムリチウム等の乾燥剤を封入した後に、
透光性絶縁基板上に密着固定して外部と遮断することが
できる。また、三フッ化塩化エチレン等からなる防湿フ
ィルムやナイロン６等からなる吸湿フィルムや金属泊等
をラミネート法等を用いて有機ＥＬ表示素子に貼り合わ
せ、封止することもできる。以上の工程により、有機Ｅ
Ｌ表示素子は完成する。
気中の水分、酸素による劣化を抑制するため、有機ＥＬ
表示素子を封止することができる。具体的には、ガラス
や石英または、金属等からなる封止ケース等を、Ａｒ、
Ｈｅ、Ｎ2等の不活性ガスからなる封止ガス及びゼオラ
イト、活性アルミ、シリカゲル、水素化カルシウム、水
素化アルミニウムリチウム等の乾燥剤を封入した後に、
透光性絶縁基板上に密着固定して外部と遮断することが
できる。また、三フッ化塩化エチレン等からなる防湿フ
ィルムやナイロン６等からなる吸湿フィルムや金属泊等
をラミネート法等を用いて有機ＥＬ表示素子に貼り合わ
せ、封止することもできる。以上の工程により、有機Ｅ
Ｌ表示素子は完成する。
【００３１】以下に詳細な実施例を示すが、これに限定
されるものではない。
されるものではない。
【実施例】［実施例１］本発明の実施例を図１に従って
説明する。まず、ポリエチレンテレフタレートフィルム
からなる基材１上にスパッタリング法で陽極層２として
ＩＴＯ膜を形成した。
説明する。まず、ポリエチレンテレフタレートフィルム
からなる基材１上にスパッタリング法で陽極層２として
ＩＴＯ膜を形成した。
【００３２】次に、正孔輸送層３としてポリ（３，４−
エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン
酸との混合物をマイクログラビアにて膜厚２０ｎｍで塗
布した後、第一有機発光層４としてポリ［２−メトキシ
−５−（２’−エチル−ヘキシロキシ）−１，４−フェ
ニレン ビニレン］（以下、ＭＥＨ−ＰＰＶという。）
をマイクログラビアにて膜厚４５ｎｍで塗布した。ここ
で、上記第一有機発光層４が、第一の接合層になる。
エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン
酸との混合物をマイクログラビアにて膜厚２０ｎｍで塗
布した後、第一有機発光層４としてポリ［２−メトキシ
−５−（２’−エチル−ヘキシロキシ）−１，４−フェ
ニレン ビニレン］（以下、ＭＥＨ−ＰＰＶという。）
をマイクログラビアにて膜厚４５ｎｍで塗布した。ここ
で、上記第一有機発光層４が、第一の接合層になる。
【００３３】一方で、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムからなる支持体８上に、剥離層７として信越化学社
製Ｘ６２―９８０に信越化学社製キャタリストＰＳ８０
を５％添加した混合溶液を、マイクログラビアにて膜厚
０．１μｍで形成し、その後陰極層６としてＡｇ、Ｃａ
を順に２００ｎｍ、６ｎｍの膜厚で真空蒸着した。
ルムからなる支持体８上に、剥離層７として信越化学社
製Ｘ６２―９８０に信越化学社製キャタリストＰＳ８０
を５％添加した混合溶液を、マイクログラビアにて膜厚
０．１μｍで形成し、その後陰極層６としてＡｇ、Ｃａ
を順に２００ｎｍ、６ｎｍの膜厚で真空蒸着した。
【００３４】次に、第二有機ＥＬ層となる第二有機発光
層５として、第一有機発光層４と同一材料であるＭＥＨ
−ＰＰＶをマイクログラビアにて膜厚４５ｎｍで塗布し
た。ここで、第二有機発光層５が第二の接合層になる。
層５として、第一有機発光層４と同一材料であるＭＥＨ
−ＰＰＶをマイクログラビアにて膜厚４５ｎｍで塗布し
た。ここで、第二有機発光層５が第二の接合層になる。
【００３５】次に、第一の接合層と第二の接合層を対向
させて配置し、支持体８の所定箇所を、サーマルヘッド
９で熱圧押し、基材１に形成された陽極層２、正孔輸送
層３、第一発光層４上に転写した。ここで、陰極層６、
第二発光層５は、サーマルヘッドにより熱圧押された部
分のみ転写される。最後に、ポリエチレンテレフタレー
ト、ナイロン、Ａｌ、未延伸ポリプロピレン、ＡＴ１５
５０を積層したフィルムを、熱圧着し有機ＥＬ表示素子
を封止した。
させて配置し、支持体８の所定箇所を、サーマルヘッド
９で熱圧押し、基材１に形成された陽極層２、正孔輸送
層３、第一発光層４上に転写した。ここで、陰極層６、
第二発光層５は、サーマルヘッドにより熱圧押された部
分のみ転写される。最後に、ポリエチレンテレフタレー
ト、ナイロン、Ａｌ、未延伸ポリプロピレン、ＡＴ１５
５０を積層したフィルムを、熱圧着し有機ＥＬ表示素子
を封止した。
【００３６】この製造方法で得られた有機ＥＬ表示素子
に、５Ｖの電圧を印加したところ、所定箇所に７０ｃｄ
／ｍ2の均一な発光が観察された。
に、５Ｖの電圧を印加したところ、所定箇所に７０ｃｄ
／ｍ2の均一な発光が観察された。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、基材上に第一電極層、
第一有機ＥＬ層を形成し、剥離性を有する支持体上に第
二電極層、第二有機ＥＬ層を形成した後、同一材料であ
る第一の接合層と第二の接合層間でサーマルヘッドなど
により所定箇所、熱圧押する工程により、容易にパター
ンニングすることができ、接合面の接着性を改善するこ
とができると同時に、生産性の良い、有機ＥＬ表示素子
の製造方法を提供することができる。
第一有機ＥＬ層を形成し、剥離性を有する支持体上に第
二電極層、第二有機ＥＬ層を形成した後、同一材料であ
る第一の接合層と第二の接合層間でサーマルヘッドなど
により所定箇所、熱圧押する工程により、容易にパター
ンニングすることができ、接合面の接着性を改善するこ
とができると同時に、生産性の良い、有機ＥＬ表示素子
の製造方法を提供することができる。
【００３８】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示素子の製造方法の一例を
説明する概略図である。
説明する概略図である。
１ 基材 ２ 第一電極層（陽極層） ３ 正孔輸送層 ４ 第一有機発光層（第一の接合層） ４’ 第一有機エレクトロルミネッセンス層 ５ 第二有機発光層（第二の接合層） ５’ 第二有機エレクトロルミネッセンス層 ６ 第二電極層（陰極層） ７ 剥離層 ８ 支持体 ９ サーマルヘッド
Claims (5)
- 【請求項１】基材上に、第一電極層と有機エレクトロル
ミネッセンス層と第二電極層を有する有機エレクトロル
ミネッセンス表示素子の製造方法において、前記基材上
に前記第一電極層と前記有機エレクトロルミネッセンス
層のうち第一の接合層までからなる第一有機エレクトロ
ルミネッセンス層を順次積層形成する工程、剥離性を有
する支持体上に前記第二電極層と前記有機エレクトロル
ミネッセンス層のうち前記第二電極層に隣接する層から
第二の接合層までからなる第二有機エレクトロルミネッ
センス層を順次積層形成する工程、前記第一の接合層と
前記第二の接合層とを対向密着させて前記支持体の所定
箇所を加熱押圧することにより前記第二電極層と前記第
二有機エレクトロルミネッセンス層の所定箇所を前記第
一電極層および前記第一有機エレクトロルミネッセンス
層を有する基材上に転写する工程、を含むことを特徴と
した有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方
法。 - 【請求項２】前記第一の接合層と前記第二の接合層が、
同一材料からなることを特徴とした請求項１記載の有機
エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法。 - 【請求項３】前記有機エレクトロルミネッセンス層は、
塗布法により形成されることを特徴とした請求項１〜２
記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方
法。 - 【請求項４】前記第一電極層が陽極層、前記第二電極層
が陰極層であることを特徴とした請求項１〜３記載の有
機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法。 - 【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法
により製造することを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000354053A JP2002158089A (ja) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000354053A JP2002158089A (ja) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002158089A true JP2002158089A (ja) | 2002-05-31 |
Family
ID=18826712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000354053A Pending JP2002158089A (ja) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002158089A (ja) |
Cited By (4)
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| JP2006216948A (ja) * | 2005-02-05 | 2006-08-17 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
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-
2000
- 2000-11-21 JP JP2000354053A patent/JP2002158089A/ja active Pending
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