JP2000077192A - 有機エレクトロルミネッセンスパネルとその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンスパネルとその製造方法Info
- Publication number
- JP2000077192A JP2000077192A JP10246829A JP24682998A JP2000077192A JP 2000077192 A JP2000077192 A JP 2000077192A JP 10246829 A JP10246829 A JP 10246829A JP 24682998 A JP24682998 A JP 24682998A JP 2000077192 A JP2000077192 A JP 2000077192A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- substrate
- organic electroluminescent
- metal electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 16
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 陽極と陰極との近接や接触に起因する発光輝
度の低下や有機ＥＬ素子の破壊を防止する。 【解決手段】 透明基板10上に透明電極11を形成し、透
明電極上に有機エレクトロルミネッセンス層12のうち第
１の接合層までを積層形成し、第２の基板20上に金属電
極21を形成し、金属電極上に、第１の接合層と同一材料
からなる第２の接合層までの残りの有機エレクトロルミ
ネッセンス層12を積層形成し、第１及び第２の接合層と
を対向させてこの層のガラス転移温度近傍で加熱して互
いに接合させて透明基板と第２の基板とを貼り合わせ、
有機ＥＬ素子を作製する。
度の低下や有機ＥＬ素子の破壊を防止する。 【解決手段】 透明基板10上に透明電極11を形成し、透
明電極上に有機エレクトロルミネッセンス層12のうち第
１の接合層までを積層形成し、第２の基板20上に金属電
極21を形成し、金属電極上に、第１の接合層と同一材料
からなる第２の接合層までの残りの有機エレクトロルミ
ネッセンス層12を積層形成し、第１及び第２の接合層と
を対向させてこの層のガラス転移温度近傍で加熱して互
いに接合させて透明基板と第２の基板とを貼り合わせ、
有機ＥＬ素子を作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流の注入によっ
て発光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス
（以下、ＥＬと称す）を利用し、かかる有機ＥＬ材料か
らなる発光層を備えた有機ＥＬパネル及びその製造方法
に関する。
て発光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス
（以下、ＥＬと称す）を利用し、かかる有機ＥＬ材料か
らなる発光層を備えた有機ＥＬパネル及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来技術】一般に、有機材料を用いたディスプレイパ
ネルを構成する各有機ＥＬ素子１は、例えば図１に示す
ように、表示面としてのガラス基板２に、順次、透明電
極としてのＩＴＯ３、発光層を含む複数の有機ＥＬ層
４、金属電極５を、蒸着を利用して積層した構成を採っ
ている。また、有機ＥＬ層４として、発光層の他に、ホ
ール注入層や、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層
等が適宜設けられる。
ネルを構成する各有機ＥＬ素子１は、例えば図１に示す
ように、表示面としてのガラス基板２に、順次、透明電
極としてのＩＴＯ３、発光層を含む複数の有機ＥＬ層
４、金属電極５を、蒸着を利用して積層した構成を採っ
ている。また、有機ＥＬ層４として、発光層の他に、ホ
ール注入層や、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層
等が適宜設けられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の有機ＥＬ素子１は、ガラス基板２に各層を順次蒸着
等により形成するために、図２に示すように、各層の蒸
着時に、例えばＩＴＯ３上にゴミ６等が存在すると、ゴ
ミ６によってその周縁部には蒸着粒子が蒸着しにくいの
で、周縁部は、有機ＥＬ層４の膜厚が他の領域に比べて
薄くなる傾向がある。その結果、ゴミ６の近傍ではＩＴ
Ｏ３と金属電極５とが近接して、リーク電流が生じ、発
光輝度が低下することがある。また、場合によっては、
ＩＴＯ３と金属電極５とが接触して短絡が生じ、素子１
の破壊につながることもある。
成の有機ＥＬ素子１は、ガラス基板２に各層を順次蒸着
等により形成するために、図２に示すように、各層の蒸
着時に、例えばＩＴＯ３上にゴミ６等が存在すると、ゴ
ミ６によってその周縁部には蒸着粒子が蒸着しにくいの
で、周縁部は、有機ＥＬ層４の膜厚が他の領域に比べて
薄くなる傾向がある。その結果、ゴミ６の近傍ではＩＴ
Ｏ３と金属電極５とが近接して、リーク電流が生じ、発
光輝度が低下することがある。また、場合によっては、
ＩＴＯ３と金属電極５とが接触して短絡が生じ、素子１
の破壊につながることもある。
【０００４】このため、各層の蒸着前にＩＴＯに付着し
たゴミを除去しなければならないが、これを完全に行う
ことは困難であった。本発明の目的は、上記問題点に鑑
みて、透明電極と金属電極との間のリーク電流の発生を
抑制した有機ＥＬパネルとその製造方法を提供すること
である。
たゴミを除去しなければならないが、これを完全に行う
ことは困難であった。本発明の目的は、上記問題点に鑑
みて、透明電極と金属電極との間のリーク電流の発生を
抑制した有機ＥＬパネルとその製造方法を提供すること
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による有機エレク
トロルミネッセンスパネルは、透過性を呈する第１の基
板に順次、透明電極と、発光層を含む有機エレクトロル
ミネッセンス層と、金属電極とが積層されてなる有機エ
レクトロルミネッセンスパネルであって、前記金属電極
は、第２の基板に形成されて前記有機エレクトロルミネ
ッセンス層と接合されていることを特徴とするものであ
る。
トロルミネッセンスパネルは、透過性を呈する第１の基
板に順次、透明電極と、発光層を含む有機エレクトロル
ミネッセンス層と、金属電極とが積層されてなる有機エ
レクトロルミネッセンスパネルであって、前記金属電極
は、第２の基板に形成されて前記有機エレクトロルミネ
ッセンス層と接合されていることを特徴とするものであ
る。
【０００６】本発明による有機エレクトロルミネッセン
スパネルの製造方法は、一対の電極間に発光層を含む複
数の有機エレクトロルミネッセンス層が所定の順序で配
列挟持された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製
造方法であって、透過性を呈する第１の基板上に透明電
極を形成する透明電極形成工程と、前記透明電極上に前
記複数の有機エレクトロルミネッセンス層のうち所定材
料からなる第１の接合層までを積層形成する第１の有機
エレクトロルミネッセンス層形成工程と、第２の基板上
に金属電極を形成する金属電極形成工程と、前記金属電
極上に前記複数の有機エレクトロルミネッセンス層のう
ち前記金属電極に隣接する層から前記第１の接合層と同
一材料からなる第２の接合層までを積層形成する第２の
有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、前記第１
の接合層と前記第２の接合層とを対向させて接合する接
合工程と、からなることを特徴とするものである。
スパネルの製造方法は、一対の電極間に発光層を含む複
数の有機エレクトロルミネッセンス層が所定の順序で配
列挟持された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製
造方法であって、透過性を呈する第１の基板上に透明電
極を形成する透明電極形成工程と、前記透明電極上に前
記複数の有機エレクトロルミネッセンス層のうち所定材
料からなる第１の接合層までを積層形成する第１の有機
エレクトロルミネッセンス層形成工程と、第２の基板上
に金属電極を形成する金属電極形成工程と、前記金属電
極上に前記複数の有機エレクトロルミネッセンス層のう
ち前記金属電極に隣接する層から前記第１の接合層と同
一材料からなる第２の接合層までを積層形成する第２の
有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、前記第１
の接合層と前記第２の接合層とを対向させて接合する接
合工程と、からなることを特徴とするものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明による有機ＥＬディスプレ
イ及びその製造方法の実施形態を図３乃至図６を参照し
ながら説明する。尚、実施形態は、互いに交差する複数
本の透明電極と金属電極徒の交差領域が単位画素となる
ドットマトリックスディスプレイの場合を例として説明
する。
イ及びその製造方法の実施形態を図３乃至図６を参照し
ながら説明する。尚、実施形態は、互いに交差する複数
本の透明電極と金属電極徒の交差領域が単位画素となる
ドットマトリックスディスプレイの場合を例として説明
する。
【０００８】最初に、本発明による有機ＥＬ素子の製造
方法について説明する。まず、図３（a）に示すよう
に、第１の基板であるガラスなどの透明基板１０の一面
にスパッタリング法等によりＩＴＯを成膜し、その後パ
ターニングすることで、所定間隔で平行配列された複数
本の透明電極１１を形成する。次に、その上に、図３
（b）に示すように、有機ＥＬ層１２を蒸着などにより
形成する。有機ＥＬ層１２として、例えば、最初にＣｕ
−Ｐｃを蒸着してホール注入層１３を形成し、次に、Ｎ
ＰＢを蒸着してホール輸送層１４（図示せず）を形成す
る。このホール輸送層１４を構成する有機材料は、他の
有機ＥＬ層１２を構成する有機材料のうちでガラス転移
温度が最も低い材料が用いられ、後述する第１の基板１
０と第２の基板２０とを接合する際の第１の接合層とな
る。なお、ホール輸送層１４は、ガラス転移温度につい
ての条件を満たすものであれば、ＮＰＢに代えて、ＭＴ
ＤＡＴＡ，ＴＰＤの蒸着により形成することもできる。
方法について説明する。まず、図３（a）に示すよう
に、第１の基板であるガラスなどの透明基板１０の一面
にスパッタリング法等によりＩＴＯを成膜し、その後パ
ターニングすることで、所定間隔で平行配列された複数
本の透明電極１１を形成する。次に、その上に、図３
（b）に示すように、有機ＥＬ層１２を蒸着などにより
形成する。有機ＥＬ層１２として、例えば、最初にＣｕ
−Ｐｃを蒸着してホール注入層１３を形成し、次に、Ｎ
ＰＢを蒸着してホール輸送層１４（図示せず）を形成す
る。このホール輸送層１４を構成する有機材料は、他の
有機ＥＬ層１２を構成する有機材料のうちでガラス転移
温度が最も低い材料が用いられ、後述する第１の基板１
０と第２の基板２０とを接合する際の第１の接合層とな
る。なお、ホール輸送層１４は、ガラス転移温度につい
ての条件を満たすものであれば、ＮＰＢに代えて、ＭＴ
ＤＡＴＡ，ＴＰＤの蒸着により形成することもできる。
【０００９】一方、図４（a）に示すように、ガラスま
たはセラミックなどの適宜の材料からなる第２の基板２
０に、互いに平行に所定間隔でＡｌまたはＡｌ−Ｌｉな
どからなる金属電極２１を、マスク蒸着または蒸着及び
その後のパターニング処理などにより形成する。次に、
金属電極２１の形成時に表面に酸化膜が形成された場合
はかかる酸化膜を除去した後で、その上に、有機ＥＬ層
１２を蒸着などにより形成する。有機ＥＬ層１２とし
て、例えば、最初にＡｌｑ3を蒸着して発光層１５（図
示せず）を形成し、さらにその上にＮＰＢを蒸着してホ
ール輸送層１４’（図示せず）を形成する。このホール
輸送層１４’は、第１の基板１０と第２の基板２０を接
合する際の第２の接合層となるものであり、第１の基板
１０側に形成したホール輸送層１４と同一材料で形成さ
れる。尚、第２の基板２０と有機ＥＬ層１２との間に電
子注入層としてＬｉ０2を成膜しても良い。
たはセラミックなどの適宜の材料からなる第２の基板２
０に、互いに平行に所定間隔でＡｌまたはＡｌ−Ｌｉな
どからなる金属電極２１を、マスク蒸着または蒸着及び
その後のパターニング処理などにより形成する。次に、
金属電極２１の形成時に表面に酸化膜が形成された場合
はかかる酸化膜を除去した後で、その上に、有機ＥＬ層
１２を蒸着などにより形成する。有機ＥＬ層１２とし
て、例えば、最初にＡｌｑ3を蒸着して発光層１５（図
示せず）を形成し、さらにその上にＮＰＢを蒸着してホ
ール輸送層１４’（図示せず）を形成する。このホール
輸送層１４’は、第１の基板１０と第２の基板２０を接
合する際の第２の接合層となるものであり、第１の基板
１０側に形成したホール輸送層１４と同一材料で形成さ
れる。尚、第２の基板２０と有機ＥＬ層１２との間に電
子注入層としてＬｉ０2を成膜しても良い。
【００１０】次に、図５に示すように、各基板１０，２
０の有機ＥＬ層１２を互いに対向させて透明電極１１と
金属電極２１とが互いに直交するように重ね合わせると
ともに各基板１０，２０に形成されたホール輸送層１
４，１４’を互いに接触せしめ、次にＮＰＢのガラス転
移温度近傍で加熱すると２つのホール輸送層１４，１
４’が一体となって第１の基板１０と第２の基板２０と
が貼り合わせられ、図６に示す断面を有する有機ＥＬデ
ィスプレイパネル２２が作製される。尚、図６におい
て、点線はホール輸送層１４，１４’の接合面を示して
いる。
０の有機ＥＬ層１２を互いに対向させて透明電極１１と
金属電極２１とが互いに直交するように重ね合わせると
ともに各基板１０，２０に形成されたホール輸送層１
４，１４’を互いに接触せしめ、次にＮＰＢのガラス転
移温度近傍で加熱すると２つのホール輸送層１４，１
４’が一体となって第１の基板１０と第２の基板２０と
が貼り合わせられ、図６に示す断面を有する有機ＥＬデ
ィスプレイパネル２２が作製される。尚、図６におい
て、点線はホール輸送層１４，１４’の接合面を示して
いる。
【００１１】このように、順に積層される複数の有機Ｅ
Ｌ層１２のうち、ガラス転移温度が最も低い層を接合層
１４，１４’として２つに分け、一方を第１の基板１０
に形成し、他方を第２の基板２０に形成し、２つの基板
１０，２０を有機ＥＬ層１２を互いに対向させて接合層
のガラス低温度近傍で加熱して貼り合わせることによっ
て、有機ＥＬパネルが作製される。
Ｌ層１２のうち、ガラス転移温度が最も低い層を接合層
１４，１４’として２つに分け、一方を第１の基板１０
に形成し、他方を第２の基板２０に形成し、２つの基板
１０，２０を有機ＥＬ層１２を互いに対向させて接合層
のガラス低温度近傍で加熱して貼り合わせることによっ
て、有機ＥＬパネルが作製される。
【００１２】次に、本発明の作用及び効果について説明
する。例えば、有機ＥＬパネルの製造中に、図７（a）
に示すように、透明電極１１の形成後にゴミ２５が付着
したと仮定する。透明電極１１の上に蒸着形成される接
合層までの有機ＥＬ層１２は、ゴミ２５の近傍領域で
は、ゴミの影響を被りその膜厚が他の領域よりも薄く形
成されたり、有機ＥＬ層１２が形成されないことがあ
る。一方、第２の基板２０側でも、同様に、金属電極２
１の形成後にゴミ２６が付着した場合、ゴミ２６の近傍
領域では、ゴミの影響を被りその膜厚が他の領域よりも
薄く形成されたり、有機ＥＬ層１２が形成されないこと
がある。
する。例えば、有機ＥＬパネルの製造中に、図７（a）
に示すように、透明電極１１の形成後にゴミ２５が付着
したと仮定する。透明電極１１の上に蒸着形成される接
合層までの有機ＥＬ層１２は、ゴミ２５の近傍領域で
は、ゴミの影響を被りその膜厚が他の領域よりも薄く形
成されたり、有機ＥＬ層１２が形成されないことがあ
る。一方、第２の基板２０側でも、同様に、金属電極２
１の形成後にゴミ２６が付着した場合、ゴミ２６の近傍
領域では、ゴミの影響を被りその膜厚が他の領域よりも
薄く形成されたり、有機ＥＬ層１２が形成されないこと
がある。
【００１３】しかし、透明基板１０と第２基板２０と互
いに貼り合わせるとき、図７（b）に示すように、一方
の基板にゴミが付着していても、貼り合わせにより他方
の基板の対向する位置にゴミがなければ、透明電極１１
と金属電極２１との間には必ず有機ＥＬ層１２が存在す
ることになり、付着したゴミの影響は、１枚の基板に全
ての有機ＥＬ層を積層した従来の有機ＥＬ素子に比べて
抑制することができる。
いに貼り合わせるとき、図７（b）に示すように、一方
の基板にゴミが付着していても、貼り合わせにより他方
の基板の対向する位置にゴミがなければ、透明電極１１
と金属電極２１との間には必ず有機ＥＬ層１２が存在す
ることになり、付着したゴミの影響は、１枚の基板に全
ての有機ＥＬ層を積層した従来の有機ＥＬ素子に比べて
抑制することができる。
【００１４】また、金属電極２１は、最初に第２の基板
上２０に直接形成されてから、その上に有機ＥＬ層１２
が形成され、透明電極１１を有する透明基板１０と接合
されるので、金属電極２１は、透明電極１１に対する距
離を基板１０，２０のいずれの領域においても一定に保
持することができる。従って、上記２点から、有機ＥＬ
パネルの透明電極１１と金属電極２１とは、必ず一定距
離を介して離れるとともに間に所定の厚みの有機ＥＬ層
１２が介在するので、製造時のゴミによる透明電極１１
と金属電極２１との近接や接触を回避することができ
る。このように、透明電極１１にゴミが付着した場合に
おいても、透明電極１１と金属電極２１との間でリーク
電流の発生を防止でき、有機ＥＬパネルの発光輝度の低
下やパネルを構成する各素子の破壊を防止できる。
上２０に直接形成されてから、その上に有機ＥＬ層１２
が形成され、透明電極１１を有する透明基板１０と接合
されるので、金属電極２１は、透明電極１１に対する距
離を基板１０，２０のいずれの領域においても一定に保
持することができる。従って、上記２点から、有機ＥＬ
パネルの透明電極１１と金属電極２１とは、必ず一定距
離を介して離れるとともに間に所定の厚みの有機ＥＬ層
１２が介在するので、製造時のゴミによる透明電極１１
と金属電極２１との近接や接触を回避することができ
る。このように、透明電極１１にゴミが付着した場合に
おいても、透明電極１１と金属電極２１との間でリーク
電流の発生を防止でき、有機ＥＬパネルの発光輝度の低
下やパネルを構成する各素子の破壊を防止できる。
【００１５】また、２枚の基板の接合層として、複数の
有機ＥＬ層１２のうち、ガラス転移温度が最も低い層を
選択し、さらに２枚の基板の接合時の加熱温度を接合層
のガラス転移温度近傍としているので、接合時の加熱の
際に、接合層以外の他の有機ＥＬ層１２の温度は、各々
のガラス転移温度以下に留まるため、材料特性、成膜状
態等に変化が生じることなく、故に、加熱による素子特
性の変化を抑制することができる。
有機ＥＬ層１２のうち、ガラス転移温度が最も低い層を
選択し、さらに２枚の基板の接合時の加熱温度を接合層
のガラス転移温度近傍としているので、接合時の加熱の
際に、接合層以外の他の有機ＥＬ層１２の温度は、各々
のガラス転移温度以下に留まるため、材料特性、成膜状
態等に変化が生じることなく、故に、加熱による素子特
性の変化を抑制することができる。
【００１６】また、作成された有機ＥＬディスプレイパ
ネル２２は、金属電極２１が第２の基板２０に対して接
合される構成を採るために、従来に比べて外部応力に対
して強固なディスプレイパネルとすることができる。な
お、図６に示す上記実施例においては、ホール輸送層１
４のガラス転移温度が、有機ＥＬ層のうちで最も低かっ
たのでこれを接合層として２枚の基板１０，２０を貼り
合わせたが、この構成に限らず、有機ＥＬ材料の選択に
よって、発光層またはホール注入層などのホール輸送層
を除く層のガラス転移温度が最低となる場合は、かかる
層を接合層として、２枚の基板を貼り合わせることがで
きる。
ネル２２は、金属電極２１が第２の基板２０に対して接
合される構成を採るために、従来に比べて外部応力に対
して強固なディスプレイパネルとすることができる。な
お、図６に示す上記実施例においては、ホール輸送層１
４のガラス転移温度が、有機ＥＬ層のうちで最も低かっ
たのでこれを接合層として２枚の基板１０，２０を貼り
合わせたが、この構成に限らず、有機ＥＬ材料の選択に
よって、発光層またはホール注入層などのホール輸送層
を除く層のガラス転移温度が最低となる場合は、かかる
層を接合層として、２枚の基板を貼り合わせることがで
きる。
【００１７】また、上記実施例においては、複数の有機
ＥＬ層のうちガラス転移温度が最低となる材料からなる
層を接合層としたが、これに限ることなく、例えば、複
数の有機ＥＬ層１２のガラス転移温度に大差がない場合
は、ガラス転移温度にとらわれることなく適宜接合層を
選択することが可能である。また、発光層や電子注入
層、ホール注入層として、上記実施例の有機ＥＬ材料に
限らず、適宜の有機ＥＬ材料を用いることができる。
ＥＬ層のうちガラス転移温度が最低となる材料からなる
層を接合層としたが、これに限ることなく、例えば、複
数の有機ＥＬ層１２のガラス転移温度に大差がない場合
は、ガラス転移温度にとらわれることなく適宜接合層を
選択することが可能である。また、発光層や電子注入
層、ホール注入層として、上記実施例の有機ＥＬ材料に
限らず、適宜の有機ＥＬ材料を用いることができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、透明電極が透明基板に
形成され、金属電極が第２の基板に形成されるので、従
来に比べて外部応力に強いディスプレイパネルを作製す
ることができる。また、本発明によれば、透明基板に透
明電極を形成しさらに第１の接合層までの有機ＥＬ層を
形成し、第２の基板に金属電極を形成しさらに第１の接
合層と同一材料からなる第２の接合層までの有機ＥＬ層
を形成し、第１及び第２の接合層を対向させて接合する
ことで有機ＥＬパネルを製造しているので、透明電極と
金属電極との近接または接触によるリーク電流発生等を
防ぐことができる。
形成され、金属電極が第２の基板に形成されるので、従
来に比べて外部応力に強いディスプレイパネルを作製す
ることができる。また、本発明によれば、透明基板に透
明電極を形成しさらに第１の接合層までの有機ＥＬ層を
形成し、第２の基板に金属電極を形成しさらに第１の接
合層と同一材料からなる第２の接合層までの有機ＥＬ層
を形成し、第１及び第２の接合層を対向させて接合する
ことで有機ＥＬパネルを製造しているので、透明電極と
金属電極との近接または接触によるリーク電流発生等を
防ぐことができる。
【図１】従来の有機ＥＬパネルを示す断面図である。
【図２】製造過程における図１に示す構成の有機ＥＬパ
ネルを示す断面図である。
ネルを示す断面図である。
【図３】本発明による有機ＥＬパネルの製造工程の一部
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図４】本発明による有機ＥＬパネルの製造工程の一部
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図５】本発明による有機ＥＬパネルを示す斜視図であ
る。
る。
【図６】図５に示す有機ＥＬパネルにおける１つの有機
ＥＬ素子の断面図である。
ＥＬ素子の断面図である。
【図７】基板にゴミが付着した場合の本発明による有機
ＥＬパネルの製造工程の一部を説明する図である。
ＥＬパネルの製造工程の一部を説明する図である。
１０ 第１の基板 １１ 透明電極 １２ 有機エレクトロルミネッセンス層 ２０ 第２の基板 ２１ 金属電極
Claims (5)
- 【請求項１】 透過性を呈する第１の基板に順次、透明
電極と、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層
と、金属電極とが積層されてなる有機エレクトロルミネ
ッセンスパネルであって、前記金属電極は、第２の基板
に形成されて前記有機エレクトロルミネッセンス層と接
合されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッ
センスパネル。 - 【請求項２】 一対の電極間に発光層を含む複数の有機
エレクトロルミネッセンス層が所定の順序で配列挟持さ
れた有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法で
あって、 透過性を呈する第１の基板上に透明電極を形成する透明
電極形成工程と、 前記透明電極上に前記複数の有機エレクトロルミネッセ
ンス層のうち所定材料からなる第１の接合層までを積層
形成する第１の有機エレクトロルミネッセンス層形成工
程と、 第２の基板上に金属電極を形成する金属電極形成工程
と、 前記金属電極上に前記複数の有機エレクトロルミネッセ
ンス層のうち前記金属電極に隣接する層から前記第１の
接合層と同一材料からなる第２の接合層までを積層形成
する第２の有機エレクトロルミネッセンス層形成工程
と、 前記第１の接合層と前記第２の接合層とを対向させて接
合する接合工程と、 からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
スパネルの製造方法。 - 【請求項３】 前記第１及び第２の接合層は、前記有機
エレクトロルミネッセンス層のうち最低のガラス転移温
度を有することを特徴とする請求項２記載の有機エレク
トロルミネッセンスパネルの製造方法。 - 【請求項４】 前記接合工程は、前記第１及び第２の接
合層を互いに接触させた後、前記所定材料のガラス転移
温度近傍で加熱することを特徴とする請求項３記載の有
機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。 - 【請求項５】 前記有機エレクトロルミネッセンス層及
び金属電極は、蒸着により形成されることを特徴とする
請求項２または請求項１記載の有機エレクトロルミネッ
センスパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24682998A JP3644830B2 (ja) | 1998-09-01 | 1998-09-01 | 有機エレクトロルミネッセンスパネルとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24682998A JP3644830B2 (ja) | 1998-09-01 | 1998-09-01 | 有機エレクトロルミネッセンスパネルとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077192A true JP2000077192A (ja) | 2000-03-14 |
| JP3644830B2 JP3644830B2 (ja) | 2005-05-11 |
Family
ID=17154323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24682998A Expired - Lifetime JP3644830B2 (ja) | 1998-09-01 | 1998-09-01 | 有機エレクトロルミネッセンスパネルとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3644830B2 (ja) |
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002158089A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法 |
| JP2010525520A (ja) * | 2007-04-20 | 2010-07-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 真空積層と組み合わされた蒸着法による有機発光ダイオードの作成 |
| WO2013018661A1 (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| EP2555275A3 (en) * | 2011-08-03 | 2013-06-26 | Ignis Innovation Inc. | Organic light emitting diode and method of manufacturing |
| US8743096B2 (en) | 2006-04-19 | 2014-06-03 | Ignis Innovation, Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
| US8890220B2 (en) | 2001-02-16 | 2014-11-18 | Ignis Innovation, Inc. | Pixel driver circuit and pixel circuit having control circuit coupled to supply voltage |
| USRE45291E1 (en) | 2004-06-29 | 2014-12-16 | Ignis Innovation Inc. | Voltage-programming scheme for current-driven AMOLED displays |
| US9070775B2 (en) | 2011-08-03 | 2015-06-30 | Ignis Innovations Inc. | Thin film transistor |
| US9134825B2 (en) | 2011-05-17 | 2015-09-15 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for display systems with dynamic power control |
| US9153172B2 (en) | 2004-12-07 | 2015-10-06 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming and driving active matrix light emitting device pixel having a controllable supply voltage |
| US9373645B2 (en) | 2005-01-28 | 2016-06-21 | Ignis Innovation Inc. | Voltage programmed pixel circuit, display system and driving method thereof |
| US9385169B2 (en) | 2011-11-29 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
| US9472138B2 (en) | 2003-09-23 | 2016-10-18 | Ignis Innovation Inc. | Pixel driver circuit with load-balance in current mirror circuit |
| US9502653B2 (en) | 2013-12-25 | 2016-11-22 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
| US9606607B2 (en) | 2011-05-17 | 2017-03-28 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for display systems with dynamic power control |
| WO2017073409A1 (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-04 | 住友化学株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US9818376B2 (en) | 2009-11-12 | 2017-11-14 | Ignis Innovation Inc. | Stable fast programming scheme for displays |
| US9842889B2 (en) | 2014-11-28 | 2017-12-12 | Ignis Innovation Inc. | High pixel density array architecture |
| US9934725B2 (en) | 2013-03-08 | 2018-04-03 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
| US9952698B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-24 | Ignis Innovation Inc. | Dynamic adjustment of touch resolutions on an AMOLED display |
| US10089924B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
| US10163996B2 (en) | 2003-02-24 | 2018-12-25 | Ignis Innovation Inc. | Pixel having an organic light emitting diode and method of fabricating the pixel |
| US10176752B2 (en) | 2014-03-24 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | Integrated gate driver |
| US10204540B2 (en) | 2015-10-26 | 2019-02-12 | Ignis Innovation Inc. | High density pixel pattern |
| US10373554B2 (en) | 2015-07-24 | 2019-08-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
| US10410579B2 (en) | 2015-07-24 | 2019-09-10 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods of hybrid calibration of bias current |
| US10586491B2 (en) | 2016-12-06 | 2020-03-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for mitigation of hysteresis |
| US10657895B2 (en) | 2015-07-24 | 2020-05-19 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
| US10714018B2 (en) | 2017-05-17 | 2020-07-14 | Ignis Innovation Inc. | System and method for loading image correction data for displays |
| US10971078B2 (en) | 2018-02-12 | 2021-04-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixel measurement through data line |
| US10997901B2 (en) | 2014-02-28 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Display system |
| US11025899B2 (en) | 2017-08-11 | 2021-06-01 | Ignis Innovation Inc. | Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices |
-
1998
- 1998-09-01 JP JP24682998A patent/JP3644830B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002158089A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法 |
| US8890220B2 (en) | 2001-02-16 | 2014-11-18 | Ignis Innovation, Inc. | Pixel driver circuit and pixel circuit having control circuit coupled to supply voltage |
| US10163996B2 (en) | 2003-02-24 | 2018-12-25 | Ignis Innovation Inc. | Pixel having an organic light emitting diode and method of fabricating the pixel |
| US9472138B2 (en) | 2003-09-23 | 2016-10-18 | Ignis Innovation Inc. | Pixel driver circuit with load-balance in current mirror circuit |
| US10089929B2 (en) | 2003-09-23 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Pixel driver circuit with load-balance in current mirror circuit |
| USRE47257E1 (en) | 2004-06-29 | 2019-02-26 | Ignis Innovation Inc. | Voltage-programming scheme for current-driven AMOLED displays |
| USRE45291E1 (en) | 2004-06-29 | 2014-12-16 | Ignis Innovation Inc. | Voltage-programming scheme for current-driven AMOLED displays |
| US9153172B2 (en) | 2004-12-07 | 2015-10-06 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming and driving active matrix light emitting device pixel having a controllable supply voltage |
| US9373645B2 (en) | 2005-01-28 | 2016-06-21 | Ignis Innovation Inc. | Voltage programmed pixel circuit, display system and driving method thereof |
| US9728135B2 (en) | 2005-01-28 | 2017-08-08 | Ignis Innovation Inc. | Voltage programmed pixel circuit, display system and driving method thereof |
| US10453397B2 (en) | 2006-04-19 | 2019-10-22 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
| US10127860B2 (en) | 2006-04-19 | 2018-11-13 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
| US9633597B2 (en) | 2006-04-19 | 2017-04-25 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
| US8743096B2 (en) | 2006-04-19 | 2014-06-03 | Ignis Innovation, Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
| JP2010525520A (ja) * | 2007-04-20 | 2010-07-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 真空積層と組み合わされた蒸着法による有機発光ダイオードの作成 |
| US10685627B2 (en) | 2009-11-12 | 2020-06-16 | Ignis Innovation Inc. | Stable fast programming scheme for displays |
| US9818376B2 (en) | 2009-11-12 | 2017-11-14 | Ignis Innovation Inc. | Stable fast programming scheme for displays |
| US9606607B2 (en) | 2011-05-17 | 2017-03-28 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for display systems with dynamic power control |
| US9134825B2 (en) | 2011-05-17 | 2015-09-15 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for display systems with dynamic power control |
| US10249237B2 (en) | 2011-05-17 | 2019-04-02 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for display systems with dynamic power control |
| WO2013018661A1 (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| EP2555275A3 (en) * | 2011-08-03 | 2013-06-26 | Ignis Innovation Inc. | Organic light emitting diode and method of manufacturing |
| US8901579B2 (en) | 2011-08-03 | 2014-12-02 | Ignis Innovation Inc. | Organic light emitting diode and method of manufacturing |
| US9224954B2 (en) | 2011-08-03 | 2015-12-29 | Ignis Innovation Inc. | Organic light emitting diode and method of manufacturing |
| US9070775B2 (en) | 2011-08-03 | 2015-06-30 | Ignis Innovations Inc. | Thin film transistor |
| US10380944B2 (en) | 2011-11-29 | 2019-08-13 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
| US9818806B2 (en) | 2011-11-29 | 2017-11-14 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
| US10089924B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
| US10079269B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-09-18 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
| US10453904B2 (en) | 2011-11-29 | 2019-10-22 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
| US9385169B2 (en) | 2011-11-29 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
| US9934725B2 (en) | 2013-03-08 | 2018-04-03 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
| US9952698B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-24 | Ignis Innovation Inc. | Dynamic adjustment of touch resolutions on an AMOLED display |
| US9831462B2 (en) | 2013-12-25 | 2017-11-28 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
| US9502653B2 (en) | 2013-12-25 | 2016-11-22 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
| US10997901B2 (en) | 2014-02-28 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Display system |
| US10176752B2 (en) | 2014-03-24 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | Integrated gate driver |
| US10170522B2 (en) | 2014-11-28 | 2019-01-01 | Ignis Innovations Inc. | High pixel density array architecture |
| US9842889B2 (en) | 2014-11-28 | 2017-12-12 | Ignis Innovation Inc. | High pixel density array architecture |
| US10410579B2 (en) | 2015-07-24 | 2019-09-10 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods of hybrid calibration of bias current |
| US10657895B2 (en) | 2015-07-24 | 2020-05-19 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
| US10373554B2 (en) | 2015-07-24 | 2019-08-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
| US10204540B2 (en) | 2015-10-26 | 2019-02-12 | Ignis Innovation Inc. | High density pixel pattern |
| WO2017073409A1 (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-04 | 住友化学株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US10586491B2 (en) | 2016-12-06 | 2020-03-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for mitigation of hysteresis |
| US10714018B2 (en) | 2017-05-17 | 2020-07-14 | Ignis Innovation Inc. | System and method for loading image correction data for displays |
| US11025899B2 (en) | 2017-08-11 | 2021-06-01 | Ignis Innovation Inc. | Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices |
| US11792387B2 (en) | 2017-08-11 | 2023-10-17 | Ignis Innovation Inc. | Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices |
| US10971078B2 (en) | 2018-02-12 | 2021-04-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixel measurement through data line |
| US11847976B2 (en) | 2018-02-12 | 2023-12-19 | Ignis Innovation Inc. | Pixel measurement through data line |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3644830B2 (ja) | 2005-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3644830B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネルとその製造方法 | |
| JP4684640B2 (ja) | 有機電界発光表示装置の製造方法 | |
| US5399936A (en) | Organic electroluminescent device | |
| US20060273712A1 (en) | Organic electroluminescence display apparatus | |
| JP2002231443A (ja) | 表示装置 | |
| JP2001076886A (ja) | 透明タッチスイッチ付き有機ｅｌデバイスとその製造方法 | |
| JP2003092192A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 | |
| JP4512436B2 (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| JP3736179B2 (ja) | 有機薄膜発光素子 | |
| JP2845233B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JP2002252082A (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
| JPH11224778A (ja) | エレクトロルミネッセンス光源 | |
| JP4284971B2 (ja) | 有機ｅｌパネルの製造方法 | |
| JP2009187774A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子 | |
| JP2008108680A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2002313585A (ja) | 有機ｌｅｄ発光素子およびその製造方法 | |
| JPH1140368A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2008218470A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| JP3999606B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 | |
| JP2002151255A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JPH10172764A (ja) | 有機電界発光装置の製造方法 | |
| JP2001160487A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2002083692A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR100648713B1 (ko) | 유기 전계 발광소자 및 그의 제조 방법 | |
| KR100711877B1 (ko) | 발광표시장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040901 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040906 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041104 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050131 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050201 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120210 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |