JPH1140368A - 有機ｅｌ素子 - Google Patents
有機ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH1140368A JPH1140368A JP9192587A JP19258797A JPH1140368A JP H1140368 A JPH1140368 A JP H1140368A JP 9192587 A JP9192587 A JP 9192587A JP 19258797 A JP19258797 A JP 19258797A JP H1140368 A JPH1140368 A JP H1140368A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lower electrode
- transparent
- wiring material
- substrate
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 112
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 74
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims 8
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 tris (8-quinolinol) aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Abstract
(57)【要約】
【課題】 下部電極、有機化合物薄膜、上部電極で構成
される有機ＥＬ素子において、非発光領域を低減するこ
となく透明電極として構成される下部電極の低抵抗化を
図る。 【解決手段】 基板１に形成した溝２内に埋め込まれた
透明な第１の配線材料３と、この第１の配線材料３を含
む基板１の表面上に形成された透明な第２の配線材料４
とで下部電極５が形成される。この下部電極５上に有機
化合物薄膜６、上部電極７が形成される。下部電極５が
透明な第１及び第２の配線材料３，４で形成されるの
て、表示不可能な非発光領域を増大させることなく下部
電極５の低抵抗化が実現できる。また、第１の配線材料
３が基板の表面上に突出しないため、表面が平坦で、基
板との段差が小さい透明な下部電極５が形成される。
される有機ＥＬ素子において、非発光領域を低減するこ
となく透明電極として構成される下部電極の低抵抗化を
図る。 【解決手段】 基板１に形成した溝２内に埋め込まれた
透明な第１の配線材料３と、この第１の配線材料３を含
む基板１の表面上に形成された透明な第２の配線材料４
とで下部電極５が形成される。この下部電極５上に有機
化合物薄膜６、上部電極７が形成される。下部電極５が
透明な第１及び第２の配線材料３，４で形成されるの
て、表示不可能な非発光領域を増大させることなく下部
電極５の低抵抗化が実現できる。また、第１の配線材料
３が基板の表面上に突出しないため、表面が平坦で、基
板との段差が小さい透明な下部電極５が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬ素子に関
し、特にドットマトリックスで文字や図形を表示するの
に用いられる有機ＥＬ素子に関するものである。
し、特にドットマトリックスで文字や図形を表示するの
に用いられる有機ＥＬ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のドットマトリックス表示の有機Ｅ
Ｌ素子として、例えば特開平２−６６８７３号公報に記
載されている技術を図６に示す。図６（ａ）はその平面
図、（ｂ）は概略斜視図であり、基板１１上に形成され
た一方向のストライプ（縞）状の下部電極１２と、その
上に形成された有機化合物薄膜１３と、その上に直交す
る方向に形成されたストライプ状の上部電極１４により
構成され、これら下部電極１２と上部電極１４の重なっ
た矩形の画素セルがマトリックス状に配列されている。
Ｌ素子として、例えば特開平２−６６８７３号公報に記
載されている技術を図６に示す。図６（ａ）はその平面
図、（ｂ）は概略斜視図であり、基板１１上に形成され
た一方向のストライプ（縞）状の下部電極１２と、その
上に形成された有機化合物薄膜１３と、その上に直交す
る方向に形成されたストライプ状の上部電極１４により
構成され、これら下部電極１２と上部電極１４の重なっ
た矩形の画素セルがマトリックス状に配列されている。
【０００３】ところで、このような有機ＥＬ素子では、
消費電力を低減し、かつ発光むら等の特性を向上させる
ためには、下部電極を構成している透明電極の低抵抗化
が必要となる。このような透明電極の低抵抗化を図る技
術として、エレクトロクロミック素子に適用された特開
昭６３−１５８５２８号公報に記載の技術がある。この
技術は、図７に示すように、基板上に基板２１に溝２２
を形成し、この溝２２の中に導電性材料の低抵抗導電層
２３を形成し、その上に透明電極２４を形成している。
そして、このような基板２１を所要の間隔で対向配置す
るとともに、それぞれの透明電極２４間に、電解質２
５、エレクトロクロミック物質層２６を形成し、シール
材２７で封止している。この技術では、透明電極２４と
並列に接続される低抵抗導電層２３によって透明電極２
４の低抵抗化が実現できる。
消費電力を低減し、かつ発光むら等の特性を向上させる
ためには、下部電極を構成している透明電極の低抵抗化
が必要となる。このような透明電極の低抵抗化を図る技
術として、エレクトロクロミック素子に適用された特開
昭６３−１５８５２８号公報に記載の技術がある。この
技術は、図７に示すように、基板上に基板２１に溝２２
を形成し、この溝２２の中に導電性材料の低抵抗導電層
２３を形成し、その上に透明電極２４を形成している。
そして、このような基板２１を所要の間隔で対向配置す
るとともに、それぞれの透明電極２４間に、電解質２
５、エレクトロクロミック物質層２６を形成し、シール
材２７で封止している。この技術では、透明電極２４と
並列に接続される低抵抗導電層２３によって透明電極２
４の低抵抗化が実現できる。
【０００４】また、他の技術として、無機のＥＬ素子に
適用された特開平８−１８０９７４号公報に記載の技術
がある。図８（ａ）はその平面図、（ｂ）はＢ−Ｂ線断
面図であり、基板３１上に第１補助電極３２、第１透明
電極３３、第１絶縁膜３４、発光層３５、第２絶縁膜３
６、第２透明電極３７が形成された構造において、透明
電極３７に沿った領域に低抵抗補助電極３８を設けてい
る。この技術でも低抵抗補助電極３８によって透明電極
３７の低抵抗化が実現できる。
適用された特開平８−１８０９７４号公報に記載の技術
がある。図８（ａ）はその平面図、（ｂ）はＢ−Ｂ線断
面図であり、基板３１上に第１補助電極３２、第１透明
電極３３、第１絶縁膜３４、発光層３５、第２絶縁膜３
６、第２透明電極３７が形成された構造において、透明
電極３７に沿った領域に低抵抗補助電極３８を設けてい
る。この技術でも低抵抗補助電極３８によって透明電極
３７の低抵抗化が実現できる。
【０００５】また、同様な技術として、特開平８−１８
０９７４号公報に記載された技術では、図９（ａ）に平
面図、（ｂ）にＣ−Ｃ線断面図を示すように、透明電極
３７に沿った領域に形成される低抵抗補助電極３８を、
非発光領域に延設し、かつ非発光領域において透明電極
３７と低抵抗補助電極３８とを電気接続したものであ
る。この技術でも、低抵抗補助電極３８によって透明電
極３７の低抵抗化が実現できる。
０９７４号公報に記載された技術では、図９（ａ）に平
面図、（ｂ）にＣ−Ｃ線断面図を示すように、透明電極
３７に沿った領域に形成される低抵抗補助電極３８を、
非発光領域に延設し、かつ非発光領域において透明電極
３７と低抵抗補助電極３８とを電気接続したものであ
る。この技術でも、低抵抗補助電極３８によって透明電
極３７の低抵抗化が実現できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の技術
では、図７や図８の構成では、透明電極を低抵抗化する
ために設けられた低抵抗導電層や低抵抗補助電極が金属
や銀ペースト等の不透明な材料で形成されているため、
これらが存在する領域では発光層で発光された光が出射
されなくなるため、発光領域が狭くなるという問題があ
る。また、図９の構成では低抵抗補助電極が透明電極の
外側に配置されているので、発光領域が狭められること
はないが、補助電極を隣接する画素セルの透明電極との
間に電気的に絶縁するための間隔が必要となるために、
補助電極がない場合に比べ画素セル間の非発光領域が増
大し、ＥＬ素子全体として見た場合に発光領域が低減さ
れることは避けられない。
では、図７や図８の構成では、透明電極を低抵抗化する
ために設けられた低抵抗導電層や低抵抗補助電極が金属
や銀ペースト等の不透明な材料で形成されているため、
これらが存在する領域では発光層で発光された光が出射
されなくなるため、発光領域が狭くなるという問題があ
る。また、図９の構成では低抵抗補助電極が透明電極の
外側に配置されているので、発光領域が狭められること
はないが、補助電極を隣接する画素セルの透明電極との
間に電気的に絶縁するための間隔が必要となるために、
補助電極がない場合に比べ画素セル間の非発光領域が増
大し、ＥＬ素子全体として見た場合に発光領域が低減さ
れることは避けられない。
【０００７】
【発明の目的】本発明の目的は、低抵抗化を図る一方で
発光領域を増大させることが可能な有機ＥＬ素子及びそ
の製造方法を提供することにある。
発光領域を増大させることが可能な有機ＥＬ素子及びそ
の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明な絶縁性
基板と、前記基板の表面に形成される透明電極からなる
下部電極と、前記下部電極上に形成される有機化合物薄
膜と、前記有機化合物薄膜上に前記下部電極と対向して
形成される上部電極とを備える有機ＥＬ素子において、
前記下部電極が、前記基板の表面に形成された溝内に埋
め込まれた透明な第１の配線材料と、この第１の配線材
料を含む平面領域において前記基板の表面上に形成され
た透明な第２の配線材料とで構成される。あるいは、下
部電極が、前記基板の表面に形成された溝内の両側面に
形成された低抵抗導電体と、この低抵抗導電体で挟まれ
る領域の前記溝内に埋め込まれた透明な第１の配線材料
と、前記溝を覆う平面領域において前記基板の表面上に
形成された透明な第２の配線材料とで構成される。
基板と、前記基板の表面に形成される透明電極からなる
下部電極と、前記下部電極上に形成される有機化合物薄
膜と、前記有機化合物薄膜上に前記下部電極と対向して
形成される上部電極とを備える有機ＥＬ素子において、
前記下部電極が、前記基板の表面に形成された溝内に埋
め込まれた透明な第１の配線材料と、この第１の配線材
料を含む平面領域において前記基板の表面上に形成され
た透明な第２の配線材料とで構成される。あるいは、下
部電極が、前記基板の表面に形成された溝内の両側面に
形成された低抵抗導電体と、この低抵抗導電体で挟まれ
る領域の前記溝内に埋め込まれた透明な第１の配線材料
と、前記溝を覆う平面領域において前記基板の表面上に
形成された透明な第２の配線材料とで構成される。
【０００９】また、本発明の製造方法は、下部電極を形
成する工程として、透明な絶縁性の基板に溝を形成する
工程と、前記溝内に透明な第１の配線材料を埋め込む工
程と、前記溝を覆う前記基板の表面に透明な第２の配線
材料を形成し、前記第１の配線材料とで下部電極を形成
する工程を備えている。あるいは、透明な絶縁性の基板
に溝を形成する工程と、前記溝内の両側面に低抵抗導電
体を形成する工程と、前記低抵抗導電体で挟まれた前記
溝内に透明な第１の配線材料を埋め込む工程と、前記溝
を覆う前記基板の表面に透明な第２の配線材料を形成
し、前記第１の配線材料とで下部電極を形成する工程と
を備えている。
成する工程として、透明な絶縁性の基板に溝を形成する
工程と、前記溝内に透明な第１の配線材料を埋め込む工
程と、前記溝を覆う前記基板の表面に透明な第２の配線
材料を形成し、前記第１の配線材料とで下部電極を形成
する工程を備えている。あるいは、透明な絶縁性の基板
に溝を形成する工程と、前記溝内の両側面に低抵抗導電
体を形成する工程と、前記低抵抗導電体で挟まれた前記
溝内に透明な第１の配線材料を埋め込む工程と、前記溝
を覆う前記基板の表面に透明な第２の配線材料を形成
し、前記第１の配線材料とで下部電極を形成する工程と
を備えている。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の第１の実施形態を示
す、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＡ−Ａ線断面図
である。図１（ａ）に示すようにガラスや樹脂のような
透明な絶縁物からなる基板１の表面に、後述する下部電
極の形成位置に沿って一方向に延びる複数本の溝２が平
行に形成され、この溝２に透明な第１の配線材料３が埋
め込まれる。この第１の配線材料３としてはインジウム
錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ3 ）等の金属酸化
物が用いられる。そして、前記第１の配線材料３が形成
された領域、ここでは隣接する２本の第１の配線材料３
を含む領域の前記基板１の表面上に、前記溝２と同じ方
向に延びる複数本の薄膜の透明な第２の配線材料４が形
成される。この第２の配線材料４は前記第１の配線材料
３と同じでよい。これにより、前記第１の配線材料３と
第２の配線材料４とが一体化され、下部電極５が形成さ
れる。また、前記下部電極５上に有機化合物薄膜６が形
成される。この薄膜は単層または積層構造をし、ＥＬ発
光現象を示す材料膜であり、真空蒸着法やスピンコート
法により形成される。ここでは、下層の正孔輸送層６Ａ
と上層の発光層及び電子輸送層６Ｂの積層構造として形
成されている。さらに、この有機化合物薄膜６の上に、
前記下部電極５と直交する方向に、導電性金属からなる
複数本の上部電極７が形成される。この上部電極７の材
料としては仕事関数の小さい金属の合金、マグネシウム
・銀やマグネシウム・インジウムなどが用いられる。こ
こではマグネシウム層７Ａと銀層７Ｂの２層に構成して
いる。
参照して説明する。図１は本発明の第１の実施形態を示
す、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＡ−Ａ線断面図
である。図１（ａ）に示すようにガラスや樹脂のような
透明な絶縁物からなる基板１の表面に、後述する下部電
極の形成位置に沿って一方向に延びる複数本の溝２が平
行に形成され、この溝２に透明な第１の配線材料３が埋
め込まれる。この第１の配線材料３としてはインジウム
錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ3 ）等の金属酸化
物が用いられる。そして、前記第１の配線材料３が形成
された領域、ここでは隣接する２本の第１の配線材料３
を含む領域の前記基板１の表面上に、前記溝２と同じ方
向に延びる複数本の薄膜の透明な第２の配線材料４が形
成される。この第２の配線材料４は前記第１の配線材料
３と同じでよい。これにより、前記第１の配線材料３と
第２の配線材料４とが一体化され、下部電極５が形成さ
れる。また、前記下部電極５上に有機化合物薄膜６が形
成される。この薄膜は単層または積層構造をし、ＥＬ発
光現象を示す材料膜であり、真空蒸着法やスピンコート
法により形成される。ここでは、下層の正孔輸送層６Ａ
と上層の発光層及び電子輸送層６Ｂの積層構造として形
成されている。さらに、この有機化合物薄膜６の上に、
前記下部電極５と直交する方向に、導電性金属からなる
複数本の上部電極７が形成される。この上部電極７の材
料としては仕事関数の小さい金属の合金、マグネシウム
・銀やマグネシウム・インジウムなどが用いられる。こ
こではマグネシウム層７Ａと銀層７Ｂの２層に構成して
いる。
【００１１】図２及び図３は前記第１の実施形態の製造
方法を工程順に示す断面図である。先ず、図２（ａ）に
示すように、透明な絶縁性の基板１の表面に所定のレジ
スト１１を形成し、このレジスト１１をマスクにして前
記基板１の表面を浅くエッチングし、図２（ｂ），
（ｃ）のように、基板１の表面に平行な複数本の溝２を
形成する。次いで、図２（ｄ）に示すように、前記基板
１の全面に透明な第１の配線材料３を成膜する。材料は
ＩＴＯ、ＳｎＯ3 等でスパッタ法や蒸着法等により形成
する。そして、図２（ｅ）に示すように、前記基板１の
表面が露出するまで前記第１の配線材料３を研磨するこ
とにより、前記溝２内に透明な第１の配線材料３を埋め
込む。このときの研磨剤としてはアルミナ等を用いる。
方法を工程順に示す断面図である。先ず、図２（ａ）に
示すように、透明な絶縁性の基板１の表面に所定のレジ
スト１１を形成し、このレジスト１１をマスクにして前
記基板１の表面を浅くエッチングし、図２（ｂ），
（ｃ）のように、基板１の表面に平行な複数本の溝２を
形成する。次いで、図２（ｄ）に示すように、前記基板
１の全面に透明な第１の配線材料３を成膜する。材料は
ＩＴＯ、ＳｎＯ3 等でスパッタ法や蒸着法等により形成
する。そして、図２（ｅ）に示すように、前記基板１の
表面が露出するまで前記第１の配線材料３を研磨するこ
とにより、前記溝２内に透明な第１の配線材料３を埋め
込む。このときの研磨剤としてはアルミナ等を用いる。
【００１２】次いで、図３（ａ）に示すように、前記基
板１上に透明な第２の配線材料４を成膜する。この第２
の配線材料４は前記第１の配線材料３と同じものが用い
られる。しかる上で、図３（ｂ），（ｃ）に示すよう
に、前記第２の配線材料４をレジスト１２を利用したエ
ッチングによりパターニングし、前記第２の配線材料３
上にわたって延長される下部電極５を形成する。その
後、図３（ｄ）に示すように、前記下部電極５を含む前
記基板１上に正孔輸送層６Ａと発光層及び電子輸送層６
Ｂを積層して有機化合物薄膜６を形成し、さらに図３
（ｅ）に示すように、前記下部電極５と直交方向に延び
る複数本の上部電極７を形成する。この上部電極７の形
成方法としても、全面に導電性金属膜、ここではマグネ
シウム層７Ａと銀層７Ｂを積層し、これをフォトリソグ
ラフィ技術によりパターニングする方法が採用できる。
板１上に透明な第２の配線材料４を成膜する。この第２
の配線材料４は前記第１の配線材料３と同じものが用い
られる。しかる上で、図３（ｂ），（ｃ）に示すよう
に、前記第２の配線材料４をレジスト１２を利用したエ
ッチングによりパターニングし、前記第２の配線材料３
上にわたって延長される下部電極５を形成する。その
後、図３（ｄ）に示すように、前記下部電極５を含む前
記基板１上に正孔輸送層６Ａと発光層及び電子輸送層６
Ｂを積層して有機化合物薄膜６を形成し、さらに図３
（ｅ）に示すように、前記下部電極５と直交方向に延び
る複数本の上部電極７を形成する。この上部電極７の形
成方法としても、全面に導電性金属膜、ここではマグネ
シウム層７Ａと銀層７Ｂを積層し、これをフォトリソグ
ラフィ技術によりパターニングする方法が採用できる。
【００１３】このように構成される第１の実施形態の有
機ＥＬでは、下部電極５が、基板１表面に形成された溝
２内の第１の配線材料３と、その上の基板１の表面に形
成された第２の配線材料４とで構成されるため、下部電
極５の全体の抵抗が低下される。その一方で、第１の配
線材料３は第２の配線材料４と同様な透明電極で形成さ
れているため、第１の配線材料３が非発光領域となるこ
とはなく、発光領域が低減されることもない。また、第
１の配線材料３は溝２内に埋め込まれているので、第２
の配線材料４は平坦に形成でき、フォトリソグラフィ技
術等における高精度のパターニングが可能となる。
機ＥＬでは、下部電極５が、基板１表面に形成された溝
２内の第１の配線材料３と、その上の基板１の表面に形
成された第２の配線材料４とで構成されるため、下部電
極５の全体の抵抗が低下される。その一方で、第１の配
線材料３は第２の配線材料４と同様な透明電極で形成さ
れているため、第１の配線材料３が非発光領域となるこ
とはなく、発光領域が低減されることもない。また、第
１の配線材料３は溝２内に埋め込まれているので、第２
の配線材料４は平坦に形成でき、フォトリソグラフィ技
術等における高精度のパターニングが可能となる。
【００１４】図４は第２の本発明の第２の実施形態の断
面図である。同図のように、透明な絶縁性の基板１の表
面に一方向に延びる複数本の幅広の溝２が平行に形成さ
れ、この溝２の両側の内面に側壁として低抵抗導電体か
らなる低抵抗配線材料８が形成される。この低抵抗配線
材料８はタングステン、タンタル、クロム等の金属や合
金が用いられる。また、前記溝２の内部の前記低抵抗配
線材料８で挟さまる領域に透明な第１の配線材料３が埋
め込まれる。そして、前記各溝２を含む前記基板１の表
面上に薄膜の透明な第２の配線材料４が形成される。こ
れら低抵抗配線材料８と透明な第１の配線材料３と透明
な第２の配線材料４とで下部電極５が形成される。さら
に、この下部電極５上に有機化合物薄膜６と上部電極７
が形成される。ここでも、有機化合物薄膜６は、下層の
正孔輸送層６Ａと上層の発光層及び電子輸送層６Ｂの積
層構造として形成されている。
面図である。同図のように、透明な絶縁性の基板１の表
面に一方向に延びる複数本の幅広の溝２が平行に形成さ
れ、この溝２の両側の内面に側壁として低抵抗導電体か
らなる低抵抗配線材料８が形成される。この低抵抗配線
材料８はタングステン、タンタル、クロム等の金属や合
金が用いられる。また、前記溝２の内部の前記低抵抗配
線材料８で挟さまる領域に透明な第１の配線材料３が埋
め込まれる。そして、前記各溝２を含む前記基板１の表
面上に薄膜の透明な第２の配線材料４が形成される。こ
れら低抵抗配線材料８と透明な第１の配線材料３と透明
な第２の配線材料４とで下部電極５が形成される。さら
に、この下部電極５上に有機化合物薄膜６と上部電極７
が形成される。ここでも、有機化合物薄膜６は、下層の
正孔輸送層６Ａと上層の発光層及び電子輸送層６Ｂの積
層構造として形成されている。
【００１５】図５は前記第２の実施形態の製造方法を工
程順に示す断面図である。先ず、図５（ａ）に示すよう
に、図２（ａ）〜（ｃ）と同様の工程によって透明な絶
縁性の基板１の表面を浅くエッチングし、一方向に延び
る複数本の幅広の溝２を形成する。次いで、図５（ｂ）
に示すように、前記基板１の全面に低抵抗導電体からな
る低抵抗配線材料８を全面に形成し、その上で図５
（ｃ）に示すように、前記基板１の表面が露出するまで
前記低抵抗配線材料８を研磨することにより、前記溝２
内の両側面に前記低抵抗配線材料８からなる側壁を形成
する。
程順に示す断面図である。先ず、図５（ａ）に示すよう
に、図２（ａ）〜（ｃ）と同様の工程によって透明な絶
縁性の基板１の表面を浅くエッチングし、一方向に延び
る複数本の幅広の溝２を形成する。次いで、図５（ｂ）
に示すように、前記基板１の全面に低抵抗導電体からな
る低抵抗配線材料８を全面に形成し、その上で図５
（ｃ）に示すように、前記基板１の表面が露出するまで
前記低抵抗配線材料８を研磨することにより、前記溝２
内の両側面に前記低抵抗配線材料８からなる側壁を形成
する。
【００１６】次いで、図５（ｄ）に示すように、前記基
板１上に透明な第１の配線材料３を成膜する。しかる上
で、図５（ｅ）に示すように、前記第１の配線材料３を
前記基板１の表面が露出するまで研磨することにより、
前記溝２内に前記第１の配線材料３を埋め込む。さら
に、全面に透明な第２の配線材料４を形成した後、これ
をレジストパターンを利用したエッチングによりパター
ニングし、図５（ｆ）のように、前記第１の配線材料３
と、その上にわたって延長される第２の配線材料４から
なる下部電極５を形成する。その後、図５（ｇ）に示す
ように、前記下部電極５を含む前記基板１上に積層構造
の有機化合物薄膜６を形成し、さらに前記下部電極５と
直交方向に延びる複数本の上部電極７を形成する。
板１上に透明な第１の配線材料３を成膜する。しかる上
で、図５（ｅ）に示すように、前記第１の配線材料３を
前記基板１の表面が露出するまで研磨することにより、
前記溝２内に前記第１の配線材料３を埋め込む。さら
に、全面に透明な第２の配線材料４を形成した後、これ
をレジストパターンを利用したエッチングによりパター
ニングし、図５（ｆ）のように、前記第１の配線材料３
と、その上にわたって延長される第２の配線材料４から
なる下部電極５を形成する。その後、図５（ｇ）に示す
ように、前記下部電極５を含む前記基板１上に積層構造
の有機化合物薄膜６を形成し、さらに前記下部電極５と
直交方向に延びる複数本の上部電極７を形成する。
【００１７】この第２の実施形態の有機ＥＬにおいて
は、下部電極５が、基板１表面に形成された溝２内の第
１の配線材料３及び低抵抗導電体８と、その上の基板１
の表面に形成された第２の配線材料４とで構成されるた
め、これら第１の配線材料３と低抵抗導電体８によって
下部電極５の全体の抵抗が低下される。その一方で、第
１の配線材料３は第２の配線材料４と同様な透明電極で
形成されているため、第１の配線材料３が非発光領域と
なることはなく、発光領域が低減されることもない。ま
た、第１の配線材料３は溝２内に埋め込まれているの
で、第２の配線材料４は平坦に形成でき、フォトリソグ
ラフィ技術等における高精度のパターニングが可能とな
る。また、この第２の実施形態では、溝２の両側面に形
成されている低抵抗導電体８によって低抵抗化がさらに
促進される。なお、この低抵抗導電体８が存在するため
に、若干の非発光領域は存在することになるが、その平
面面積は少ないため、発光領域に与える影響は少ない。
は、下部電極５が、基板１表面に形成された溝２内の第
１の配線材料３及び低抵抗導電体８と、その上の基板１
の表面に形成された第２の配線材料４とで構成されるた
め、これら第１の配線材料３と低抵抗導電体８によって
下部電極５の全体の抵抗が低下される。その一方で、第
１の配線材料３は第２の配線材料４と同様な透明電極で
形成されているため、第１の配線材料３が非発光領域と
なることはなく、発光領域が低減されることもない。ま
た、第１の配線材料３は溝２内に埋め込まれているの
で、第２の配線材料４は平坦に形成でき、フォトリソグ
ラフィ技術等における高精度のパターニングが可能とな
る。また、この第２の実施形態では、溝２の両側面に形
成されている低抵抗導電体８によって低抵抗化がさらに
促進される。なお、この低抵抗導電体８が存在するため
に、若干の非発光領域は存在することになるが、その平
面面積は少ないため、発光領域に与える影響は少ない。
【００１８】
【実施例】前記第１の実施形態の実施例を図２、図３を
再度参照して説明する。２０ｃｍ×２０ｃｍ，厚さ０．
７ｍｍのガラスからなる透明な絶縁性基板１の上でリソ
グラフィ技術により、図２（ａ）に示すようにレジスト
１１のパターン形成を行う。緩衝フッ酸水溶液により基
板１をエッチングし、図２（ｂ）に示すように、溝２を
幅１０μｍ、深さ１μｍ、間隔１５０μｍで形成する。
次に、図２（ｃ）に示すように、レジスト１１を除去
し、図２（ｄ）に示すように、スパッタ法によりＩＴＯ
からなる厚さ１．２μｍの透明な第１の配線材料３を成
膜する。そして、これをアルミナ研磨剤を用いて表面を
機械的湿式研磨し、図２（ｅ）に示すように、溝２の内
部にＩＴＯからなる透明な第１配線材料３を埋め込む。
研磨方法は機械的湿式研磨に限らず、ダイヤモンド粒子
を研磨剤とし塩化第二鉄をＩＴＯをエッチングに用いた
化学的機械的研磨等の方法も適用できる。
再度参照して説明する。２０ｃｍ×２０ｃｍ，厚さ０．
７ｍｍのガラスからなる透明な絶縁性基板１の上でリソ
グラフィ技術により、図２（ａ）に示すようにレジスト
１１のパターン形成を行う。緩衝フッ酸水溶液により基
板１をエッチングし、図２（ｂ）に示すように、溝２を
幅１０μｍ、深さ１μｍ、間隔１５０μｍで形成する。
次に、図２（ｃ）に示すように、レジスト１１を除去
し、図２（ｄ）に示すように、スパッタ法によりＩＴＯ
からなる厚さ１．２μｍの透明な第１の配線材料３を成
膜する。そして、これをアルミナ研磨剤を用いて表面を
機械的湿式研磨し、図２（ｅ）に示すように、溝２の内
部にＩＴＯからなる透明な第１配線材料３を埋め込む。
研磨方法は機械的湿式研磨に限らず、ダイヤモンド粒子
を研磨剤とし塩化第二鉄をＩＴＯをエッチングに用いた
化学的機械的研磨等の方法も適用できる。
【００１９】次に、図３（ａ）に示すように、スパッタ
法によりＩＴＯからなる厚さ０．１５μｍの透明な第２
の配線材料４を成膜する。リソグラフィ技術により、図
３（ｂ）に示すようにレジスト１２のパターン形成を行
う。レジスト１２をマスクに透明な第２の配線材料４を
エッチングし、レジスト１２を除去し、図３（ｃ）に示
すようにＩＴＯからなる透明な第１の配線材料３とＩＴ
Ｏからなる透明な第２の配線材料４とにより下部電極５
を幅２００μｍで形成する。次に、図３（ｄ）に示すよ
うに、真空蒸着により積層構造の有機化合物薄膜６を堆
積する。ここでは、正孔輸送層６Ａとしてジアミン誘導
体ＴＰＤを５０ｎｍ、発光層及び電子輸送層６Ｂとして
トリス（８−キノリノール）アルミニウムＡｌｑ3 を５
０ｎｍ蒸着する。次に図３（ｅ）に示すように、マグネ
シウムとインジウムを共蒸着し、原子比１０：１の合金
からなる厚さ２００ｎｍの上部電極７を形成する。
法によりＩＴＯからなる厚さ０．１５μｍの透明な第２
の配線材料４を成膜する。リソグラフィ技術により、図
３（ｂ）に示すようにレジスト１２のパターン形成を行
う。レジスト１２をマスクに透明な第２の配線材料４を
エッチングし、レジスト１２を除去し、図３（ｃ）に示
すようにＩＴＯからなる透明な第１の配線材料３とＩＴ
Ｏからなる透明な第２の配線材料４とにより下部電極５
を幅２００μｍで形成する。次に、図３（ｄ）に示すよ
うに、真空蒸着により積層構造の有機化合物薄膜６を堆
積する。ここでは、正孔輸送層６Ａとしてジアミン誘導
体ＴＰＤを５０ｎｍ、発光層及び電子輸送層６Ｂとして
トリス（８−キノリノール）アルミニウムＡｌｑ3 を５
０ｎｍ蒸着する。次に図３（ｅ）に示すように、マグネ
シウムとインジウムを共蒸着し、原子比１０：１の合金
からなる厚さ２００ｎｍの上部電極７を形成する。
【００２０】この第１の実施例では下部電極の幅２００
μｍ全部を発光領域にできる。因みに、従来の透明でな
い導電性材料を溝に埋め込んだ場合は幅２００μｍの中
で溝の幅２０μｍの部分は非発光領域として表示不可能
な領域となる。
μｍ全部を発光領域にできる。因みに、従来の透明でな
い導電性材料を溝に埋め込んだ場合は幅２００μｍの中
で溝の幅２０μｍの部分は非発光領域として表示不可能
な領域となる。
【００２１】次に、前記第２の実施形態の実施例を図
４，図５を参照して説明する。前記第１の実施例と同様
にリソグラフィ技術とエッチングにより図５（ａ）に示
すように、基板１に溝２を形成する。ただしエッチング
は異方性ドライエッチングにより溝の側壁を垂直に形成
する。次に、図５（ｂ）に示すように化学気相成長によ
りタングステンからなる厚さ５００ｎｍの低抵抗導電体
８Ａを成膜する。次、に異方性ドライエッチングにより
溝の側壁以外のタングステンからなる低抵抗導電体を除
去し溝の側壁の低抵抗導電体からなる低抵抗配線材料８
を図５（ｃ）に示すように形成する。
４，図５を参照して説明する。前記第１の実施例と同様
にリソグラフィ技術とエッチングにより図５（ａ）に示
すように、基板１に溝２を形成する。ただしエッチング
は異方性ドライエッチングにより溝の側壁を垂直に形成
する。次に、図５（ｂ）に示すように化学気相成長によ
りタングステンからなる厚さ５００ｎｍの低抵抗導電体
８Ａを成膜する。次、に異方性ドライエッチングにより
溝の側壁以外のタングステンからなる低抵抗導電体を除
去し溝の側壁の低抵抗導電体からなる低抵抗配線材料８
を図５（ｃ）に示すように形成する。
【００２２】次いで、図５（ｄ）に示すように、スパッ
タ法によりＩＴＯからなる透明な第１の配線材料３を成
膜し、表面を研磨し図５（ｅ）に示すように、溝２の内
部にＩＴＯからなる透明な第１の配線材料３を埋め込
む。次に図５（ｆ）に示すように、ＩＴＯからなる透明
な第２の配線材料４を形成し下部電極５を形成する。５
０ｎｍのＴＰＤと５０ｎｍのＡｌｑ3 と２００ｎｍのマ
グネシウム・インジウム合金を蒸着し図５（ｇ）に示す
ように有機化合物６と上部電極７を形成する。
タ法によりＩＴＯからなる透明な第１の配線材料３を成
膜し、表面を研磨し図５（ｅ）に示すように、溝２の内
部にＩＴＯからなる透明な第１の配線材料３を埋め込
む。次に図５（ｆ）に示すように、ＩＴＯからなる透明
な第２の配線材料４を形成し下部電極５を形成する。５
０ｎｍのＴＰＤと５０ｎｍのＡｌｑ3 と２００ｎｍのマ
グネシウム・インジウム合金を蒸着し図５（ｇ）に示す
ように有機化合物６と上部電極７を形成する。
【００２３】この第２の実施例では下部電極５の幅を２
００μｍとした時、溝２の側壁の低抵抗導電体８の厚さ
の合計２μｍが表示不可能な領域となる。しかしなが
ら、前記した従来技術の表示不可能な領域が２０μｍで
あることと比較すれば、非発光領域の低減は極めて僅か
である。
００μｍとした時、溝２の側壁の低抵抗導電体８の厚さ
の合計２μｍが表示不可能な領域となる。しかしなが
ら、前記した従来技術の表示不可能な領域が２０μｍで
あることと比較すれば、非発光領域の低減は極めて僅か
である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、基板に形
成した溝内に埋め込まれた透明な第１の配線材料と、こ
の第１の配線材料を含む基板の表面上に形成された透明
な第２の配線材料とで下部電極が構成されているのて、
表示不可能な非発光領域を増大させることなく下部電極
の低抵抗化が実現できる。また、第１の配線材料が基板
の表面上に突出しないため、表面が平坦で、基板との段
差が小さい透明な下部電極を形成できる。また、溝内の
両側面に低抵抗導電体が形成されているので、非発光領
域を大幅に増大することなく、下部電極の低抵抗化をさ
らに進めることができる。
成した溝内に埋め込まれた透明な第１の配線材料と、こ
の第１の配線材料を含む基板の表面上に形成された透明
な第２の配線材料とで下部電極が構成されているのて、
表示不可能な非発光領域を増大させることなく下部電極
の低抵抗化が実現できる。また、第１の配線材料が基板
の表面上に突出しないため、表面が平坦で、基板との段
差が小さい透明な下部電極を形成できる。また、溝内の
両側面に低抵抗導電体が形成されているので、非発光領
域を大幅に増大することなく、下部電極の低抵抗化をさ
らに進めることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ素子の平面
図とＡＡ線断面図である。
図とＡＡ線断面図である。
【図２】図１の有機ＥＬ素子の製造方法を工程順に示す
断面図のその１である。
断面図のその１である。
【図３】図１の有機ＥＬ素子の製造方法を工程順に示す
断面図のその２である。
断面図のその２である。
【図４】本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ素子の断面
図である。
図である。
【図５】図４の有機ＥＬ素子の製造方法を工程順に示す
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明の対象となる有機ＥＬ素子の概念構成を
示す平面図と斜視図である。
示す平面図と斜視図である。
【図７】下部電極の低抵抗化を図った従来のＥＬ素子の
一例の断面図である。
一例の断面図である。
【図８】下部電極の低抵抗化を図った従来のＥＬ素子の
他の例の平面図とＢＢ線断面図である。
他の例の平面図とＢＢ線断面図である。
【図９】下部電極の低抵抗化を図った従来のＥＬ素子の
更に他の例の平面図とＣＣ線断面図である。
更に他の例の平面図とＣＣ線断面図である。
１ 基板 ２ 溝 ３ 透明な第１の配線材料 ４ 透明な第２の配線材料 ５ 下部電極 ６ 有機化合物薄膜 ６Ａ 正孔輸送層 ６Ｂ 発光層電子輸送層 ７ 上部電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年１０月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明な絶縁性
基板と、前記基板の表面に形成される透明電極からなる
下部電極と、前記下部電極上に形成される有機化合物薄
膜と、前記有機化合物薄膜上に前記下部電極と対向して
形成される上部電極とを備える有機ＥＬ素子において、
前記下部電極が、前記基板の表面に形成された平行な複
数本の溝内に埋め込まれた透明な第１の配線材料と、こ
の第１の配線材料を含む平面領域において前記基板の表
面上に形成された透明な第２の配線材料とで構成され
る。あるいは、下部電極が、前記基板の表面に形成され
た溝内の両側面に形成された低抵抗導電体と、この低抵
抗導電体で挟まれる領域の前記溝内に埋め込まれた透明
な第１の配線材料と、前記溝を覆う平面領域において前
記基板の表面上に形成された透明な第２の配線材料とで
構成される。
基板と、前記基板の表面に形成される透明電極からなる
下部電極と、前記下部電極上に形成される有機化合物薄
膜と、前記有機化合物薄膜上に前記下部電極と対向して
形成される上部電極とを備える有機ＥＬ素子において、
前記下部電極が、前記基板の表面に形成された平行な複
数本の溝内に埋め込まれた透明な第１の配線材料と、こ
の第１の配線材料を含む平面領域において前記基板の表
面上に形成された透明な第２の配線材料とで構成され
る。あるいは、下部電極が、前記基板の表面に形成され
た溝内の両側面に形成された低抵抗導電体と、この低抵
抗導電体で挟まれる領域の前記溝内に埋め込まれた透明
な第１の配線材料と、前記溝を覆う平面領域において前
記基板の表面上に形成された透明な第２の配線材料とで
構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】また、本発明の製造方法は、下部電極を形
成する工程として、透明な絶縁性の基板に平行な複数本
の溝を形成する工程と、前記各溝内に透明な第１の配線
材料を埋め込む工程と、前記複数本の溝を覆う前記基板
の表面に透明な第２の配線材料を形成し、前記第１の配
線材料とで下部電極を形成する工程を備えている。ある
いは、透明な絶縁性の基板に溝を形成する工程と、前記
溝内の両側面に低抵抗導電体を形成する工程と、前記低
抵抗導電体で挟まれた前記溝内に透明な第１の配線材料
を埋め込む工程と、前記溝を覆う前記基板の表面に透明
な第２の配線材料を形成し、前記第１の配線材料とで下
部電極を形成する工程とを備えている。
成する工程として、透明な絶縁性の基板に平行な複数本
の溝を形成する工程と、前記各溝内に透明な第１の配線
材料を埋め込む工程と、前記複数本の溝を覆う前記基板
の表面に透明な第２の配線材料を形成し、前記第１の配
線材料とで下部電極を形成する工程を備えている。ある
いは、透明な絶縁性の基板に溝を形成する工程と、前記
溝内の両側面に低抵抗導電体を形成する工程と、前記低
抵抗導電体で挟まれた前記溝内に透明な第１の配線材料
を埋め込む工程と、前記溝を覆う前記基板の表面に透明
な第２の配線材料を形成し、前記第１の配線材料とで下
部電極を形成する工程とを備えている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、基板に形
成した平行な複数本の溝内に埋め込まれた透明な第１の
配線材料と、この第１の配線材料を含む基板の表面上に
形成された透明な第２の配線材料とで下部電極が構成さ
れているのて、表示不可能な非発光領域を増大させるこ
となく下部電極の低抵抗化が実現できる。また、第１の
配線材料が基板の表面上に突出しないため、表面が平坦
で、基板との段差が小さい透明な下部電極を形成でき
る。また、溝内の両側面に低抵抗導電体が形成されてい
るので、非発光領域を大幅に増大することなく、下部電
極の低抵抗化をさらに進めることができる。さらに、第
１の配線材料を複数本の溝内に形成することにより、１
本の第１の配線材料において断線が生じた場合でも、他
の第１の配線材料によって導通が確保できる。
成した平行な複数本の溝内に埋め込まれた透明な第１の
配線材料と、この第１の配線材料を含む基板の表面上に
形成された透明な第２の配線材料とで下部電極が構成さ
れているのて、表示不可能な非発光領域を増大させるこ
となく下部電極の低抵抗化が実現できる。また、第１の
配線材料が基板の表面上に突出しないため、表面が平坦
で、基板との段差が小さい透明な下部電極を形成でき
る。また、溝内の両側面に低抵抗導電体が形成されてい
るので、非発光領域を大幅に増大することなく、下部電
極の低抵抗化をさらに進めることができる。さらに、第
１の配線材料を複数本の溝内に形成することにより、１
本の第１の配線材料において断線が生じた場合でも、他
の第１の配線材料によって導通が確保できる。
Claims (5)
- 【請求項１】 透明な絶縁性基板と、前記基板の表面に
形成される透明電極からなる下部電極と、前記下部電極
上に形成される有機化合物薄膜と、前記有機化合物薄膜
上に前記下部電極と対向して形成される上部電極とを備
える有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子におい
て、前記下部電極は、前記基板の表面に形成された溝内
に埋め込まれた透明な第１の配線材料と、この第１の配
線材料を含む平面領域において前記基板の表面上に形成
された透明な第２の配線材料とで構成されることを特徴
とする有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 透明な絶縁性基板と、前記基板の表面に
形成される透明電極からなる下部電極と、前記下部電極
上に形成される有機化合物薄膜と、前記有機化合物薄膜
上に前記下部電極と対向して形成される上部電極とを備
える有機ＥＬ素子において、前記下部電極は、前記基板
の表面に形成された溝内の両側面に形成された低抵抗導
電体と、この低抵抗導電体で挟まれる領域の前記溝内に
埋め込まれた透明な第１の配線材料と、前記溝を覆う平
面領域において前記基板の表面上に形成された透明な第
２の配線材料とで構成されることを特徴とする有機ＥＬ
素子。 - 【請求項３】 前記下部電極を構成する第１及び第２の
配線材料は一方向に延長される複数本の平行な電極とし
て構成され、前記上部電極は前記下部電極に直交する方
向に延長される複数本の平行な電極として構成され、前
記下部電極と上部電極とが交差する部分がマトリクス状
に配置される請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項４】 透明な絶縁性の基板に溝を形成する工程
と、前記溝内に透明な第１の配線材料を埋め込む工程
と、前記溝を覆う前記基板の表面に透明な第２の配線材
料を形成し、前記第１の配線材料とで下部電極を形成す
る工程と、前記基板の表面上に有機化合物薄膜を形成す
る工程と、少なくとも前記下部電極に対向する領域に上
部電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１
または３に記載した有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項５】 透明な絶縁性の基板に溝を形成する工程
と、前記溝内の両側面に低抵抗導電体を形成する工程
と、前記低抵抗導電体で挟まれた前記溝内に透明な第１
の配線材料を埋め込む工程と、前記溝を覆う前記基板の
表面に透明な第２の配線材料を形成し、前記第１の配線
材料とで下部電極を形成する工程と、前記基板の表面上
に有機化合物薄膜を形成する工程と、少なくとも前記下
部電極に対向する領域に上部電極を形成する工程を含む
ことを特徴とする請求項２または３に記載した有機ＥＬ
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9192587A JP2914355B2 (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 有機ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9192587A JP2914355B2 (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 有機ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140368A true JPH1140368A (ja) | 1999-02-12 |
| JP2914355B2 JP2914355B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=16293768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9192587A Expired - Fee Related JP2914355B2 (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 有機ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2914355B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000060907A1 (fr) | 1999-04-02 | 2000-10-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Ecran electroluminescent organique et son procede de fabrication |
| JP2008277202A (ja) * | 2007-05-03 | 2008-11-13 | Aitesu:Kk | 多層基板およびその製造方法 |
| JP2010272466A (ja) * | 2009-05-25 | 2010-12-02 | Fujifilm Corp | 透明導電体及びその製造方法 |
| JP2011504640A (ja) * | 2007-11-22 | 2011-02-10 | サン−ゴバン グラス フランス | 電極を支持している基材、該基材を含む有機エレクトロルミネセントデバイス及びその製造 |
| US8278722B2 (en) | 2003-11-27 | 2012-10-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Flat panel display device |
| JP2014102547A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 導電パターン形成基板および静電容量式センサーシート並びにその製造方法 |
| EP3188274A1 (en) * | 2015-12-29 | 2017-07-05 | LG Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of fabricating the same |
-
1997
- 1997-07-17 JP JP9192587A patent/JP2914355B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2261982A3 (en) * | 1999-04-02 | 2011-07-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of producing the same |
| EP1182910A1 (en) * | 1999-04-02 | 2002-02-27 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of producing the same |
| EP1182910A4 (en) * | 1999-04-02 | 2006-10-18 | Idemitsu Kosan Co | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT SCREEN AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| WO2000060907A1 (fr) | 1999-04-02 | 2000-10-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Ecran electroluminescent organique et son procede de fabrication |
| US8278722B2 (en) | 2003-11-27 | 2012-10-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Flat panel display device |
| JP2008277202A (ja) * | 2007-05-03 | 2008-11-13 | Aitesu:Kk | 多層基板およびその製造方法 |
| WO2008139934A1 (ja) * | 2007-05-03 | 2008-11-20 | International Test And Engineering Services Co., Ltd. | 多層基板およびその製造方法 |
| JP2011504640A (ja) * | 2007-11-22 | 2011-02-10 | サン−ゴバン グラス フランス | 電極を支持している基材、該基材を含む有機エレクトロルミネセントデバイス及びその製造 |
| JP2015149293A (ja) * | 2007-11-22 | 2015-08-20 | サン−ゴバン グラス フランス | 電極を支持している基材、該基材を含む有機エレクトロルミネセントデバイス及びその製造 |
| JP2010272466A (ja) * | 2009-05-25 | 2010-12-02 | Fujifilm Corp | 透明導電体及びその製造方法 |
| JP2014102547A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 導電パターン形成基板および静電容量式センサーシート並びにその製造方法 |
| EP3188274A1 (en) * | 2015-12-29 | 2017-07-05 | LG Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of fabricating the same |
| US10050098B2 (en) | 2015-12-29 | 2018-08-14 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device including substrate having plurality of trenches and method of fabricating the same |
| US10504985B2 (en) | 2015-12-29 | 2019-12-10 | Lg Display Co., Ltd. | Method of fabricating organic light-emitting display device including substrate having plurality of trenches |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2914355B2 (ja) | 1999-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3644830B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネルとその製造方法 | |
| JP3641963B2 (ja) | 有機ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JP2000082588A (ja) | 有機発光素子およびその製造方法 | |
| JPH05307997A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2000100577A (ja) | 光学的素子及びその製造方法 | |
| JP2000231985A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2000091083A (ja) | 有機ｅｌディスプレイ | |
| US6781293B2 (en) | Organic EL device with high contrast ratio and method for manufacturing the same | |
| JP2001076886A (ja) | 透明タッチスイッチ付き有機ｅｌデバイスとその製造方法 | |
| US6570323B1 (en) | Organic thin-film light-emitting device | |
| JP2005056846A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
| JP2003092192A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 | |
| KR100813833B1 (ko) | 전자 발광 소자와 그 제조방법 | |
| JP2914355B2 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| US5936344A (en) | Organic electroluminescent element | |
| KR100304488B1 (ko) | 유기 전계발광소자 | |
| JP2002008871A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル | |
| JP3517099B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| US20070235767A1 (en) | Light emitting device and method for manufacturing the same | |
| US6552364B2 (en) | Organic light emitting devices | |
| JP3999606B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 | |
| JP2009259510A (ja) | 固体装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、およびそれらの製造方法 | |
| JP2001223079A (ja) | 有機ｅｌ表示素子 | |
| JP2003092190A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 | |
| JP2004200027A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 10 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 10 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 10 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100416 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110416 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120416 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 14 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 14 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140416 Year of fee payment: 15 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |