JP2000100577A

JP2000100577A - 光学的素子及びその製造方法

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Publication number: JP2000100577A
Application number: JP10271738A
Authority: JP
Inventors: Nobutoshi Asai; 伸利浅井; Yoshinari Matsuda; 良成松田; Ryota Kotake; 良太小竹; Yoshio Suzuki; 芳男鈴木
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-09-25
Filing date: 1998-09-25
Publication date: 2000-04-07
Anticipated expiration: 2018-09-25
Also published as: US20020153829A1; US6448710B1; US6533631B2; US20020039872A1; JP4269195B2; KR100697754B1; KR20000023402A

Abstract

(57)【要約】【課題】ディスプレイとして画像パネルをすき間なく
平面状に配置することができると共に、有機層等の成膜
時に既成膜面を損傷されない光学的素子及びその製造方
法を提供すること。【解決手段】ガラス基板１１上にストライプ状に形成
した透明電極１２上の非画素領域に、金属バンプ１３を
設けてこの有機ＥＬ素子の背面に導出する。これによ
り、この金属バンプ１３が有機層等の成膜時には、蒸着
マスクとなって既成膜面へのマスクの接触を防止し、金
属電極１５と共に導出する有機ＥＬ素子の背面で実装部
品３０等と接続させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、間隔を置
くことなく画像パネルの接続が可能な光学的素子及びそ
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、フラットな電子ディスプレイとし
て、有機発光材料を用いた電界発光素子（以下、有機Ｅ
Ｌ（エレクトロルミネセンス）素子と称することがあ
る。）が、自発光で高速応答性と共に視野角依存性のな
いディスプレイとして広く用いられている。

【０００３】図１５は、従来の電界発光素子１０Ａの一
例を示す。この有機ＥＬ素子１０Ａは、透明基板（例え
ばガラス基板）６上に、ＩＴＯ（Indium tin oxide) 透
明電極５、ホール輸送層４、発光層３、電子輸送層２、
陰極（例えばアルミニウム電極）１を例えば真空蒸着法
で順次製膜したダブルヘテロ型である。

【０００４】そして、陰極である透明電極５と陰極（以
下、金属電極と称することがある。）１との間に直流電
圧７を選択的に印加することによって、透明電極５から
注入されたキャリアとしてのホールがホール輸送層４を
経て、また陰極１から注入された電子が電子輸送層２を
経て移動し、電子−ホールの再結合が生じ、ここから所
定波長の発光８が生じ、透明基板６の側から観察でき
る。

【０００５】図１６は、有機発光材料を用いた別の従来
例を示すものであって、正孔輸送層材料又は電子輸送材
料が発光材料を兼ねており、この場合は、発光層３を省
略し、電子輸送層２に上記の如き発光物質を含有させ、
電子輸送層２とホール輸送層４との界面から所定波長の
発光８が生じるように構成したシングルヘテロ型の有機
ＥＬ素子１０Ｂを示すものである。

【０００６】図１７〜１９は、上記した図１５、図１６
の如き基本的な形態を備えた上で、更に別の要素を付加
した例を示す。これらの図において、図１５、図１６に
おける電子輸送層２、発光層３及びホール輸送層４を総
合して有機層９として示す。

【０００７】まず、図１７は上記した基本形態であり、
この場合は有機層９における発光が金属電極１で反射さ
れる領域が発光領域３６となる。

【０００８】次に、図１８は、金属電極１が有機層９全
体を覆うように形成され、有機層９の周縁と透明電極５
との間が絶縁層３２で絶縁されており、この分発光領域
３６が図１７の場合に比べて狭くなるが、有機層９の周
縁部分の劣化を防止することができる。

【０００９】また、図１９は、上記図１８の構造におけ
る透明基板６上部の積層体を保護層２１で覆ったもので
あり、これにより有機ＥＬ素子（特に金属電極）の酸化
を防ぎ耐久性を高めることができる。

【００１０】図２０は、上記した有機ＥＬ素子の具体例
を示す。即ち、各有機層（ホール輸送層４、発光層３又
は電子輸送層２）の積層体を陰極１と陽極５との間に配
するが、これらの電極をマトリックス状に交差させてス
トライプ状に設け、輝度信号回路３３、シフトレジスタ
内臓の制御回路３４によって時系列に信号電圧を印加
し、多数の交差位置（画素）にてそれぞれ発光させるよ
うに構成されている。

【００１１】従って、このような構成により、ディスプ
レイとしては勿論、画像再生装置としても使用可能とな
る。なお、上記のストライプパターンをＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の各色毎に配し、フルカラー又はマル
チカラー用として構成することができる。

【００１２】そして、このような有機ＥＬ素子を初めと
する平面発光素子にドライバー回路などを接続する方法
は、図２０に示すように、画像表示領域の外縁側までロ
ウおよびコラム電極を引き出し、例えば、ＦＰＣ（フレ
キシブルプリントサーキット）等を異方性導電接着剤等
で接着する方法が採られてきた。

【００１３】このため、ディスプレイ上において複数の
有機ＥＬ素子を平面状に接続した場合、図２１に示すよ
うに、配線用スペースとして、各有機ＥＬ素子間に所定
の間隔Ｄが不可欠となる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな接続方法では、この有機ＥＬ素子間の間隔が障害と
なり、タイルを敷きつめたようなタイリングディスプレ
イ等で複数の画像パネルを繋ぎ目なく接続することがで
きないため、一つの連続した画像を鮮明に形成すること
ができないという問題がある。

【００１５】本発明者は、この解決策として、有機ＥＬ
素子の裏側にハードコーティングを施し、電極部分でハ
ードコート層に穴をあけて、電極を露出させて、導電性
塗料を穴を覆うように印刷することによって電極を引き
出し、ハードコート層の上に配線した後に、ドライバー
ＩＣを載せる方法を既に提案しているが、なお改善の余
地があることが分った。

【００１６】一方、有機ＥＬ素子の発光画素を２次元状
に配列した単純マトリクスディスプレイを製造する際に
は、背面電極層をライン状にパターン形成しなければな
らない。また、さらにフルカラーにするには、発光層を
パターン形成する必要がある。

【００１７】一般に有機ＥＬ素子は溶媒に弱いため、レ
ジストを用いたリソグラフィは難しい。従って、複雑な
工程を要するマスク蒸着がパターン形成に用いられてい
るが、パターンが微細なほど、マスクをより接近させ、
マスク裏への蒸着物質の回り込みを少なくする必要があ
る。

【００１８】しかし、マスクを基板に接触させると、既
に成膜されている有機ＥＬ層を傷つけたり、汚染するた
め、基板とマスクの間に高さが定まったスペーサが存在
することが望まれていた。このように画像内にスペーサ
がなく、外端部にスペーサをいれた場合、マスク及び基
板をできるだけ平面に保つ必要がある。特に薄いマスク
についてはテンションを加える機構などが必要である。

【００１９】そこで本発明の目的は、例えば、光学的素
子間がすき間のない間隔で配置されて実装部品等の接続
が可能であり、かつ有機層の成膜時に蒸着マスクにより
既成膜面が損傷されない光学的素子及びその製造方法を
提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、基体上
に配した電極上に、光学的動作領域を含む積層体が設け
られ、この積層体上が絶縁層で覆われている光学的素子
において、前記電極上の非光学的動作領域にて、前記積
層体面より高い導電性の突起が、前記絶縁層に形成され
たスルーホールに前記絶縁層の上面とほぼ同一若しくは
それ以下の深さレベルまで埋め込まれ、前記突起の露出
部が前記絶縁層上に電気的に導出されている光学的素子
に係るものである。

【００２１】本発明によれば、電極上の非光学的動作領
域に設けた導電性の突起が絶縁層上に電気的に導出され
ているので、これに実装する電子部品の如き実装部品と
の配線を上記突起の導出部で行うことができる。その結
果、光学的素子（例えば有機ＥＬ素子）の平面状の接続
を素子間の間隔を設けずに行うことができる。また、前
記突起の露出部から絶縁層上に電気的に導出する際、絶
縁層に形成したスルーホールに埋め込まれた突起が絶縁
層と同一若しくはそれ以下の深さレベルとなっているの
で、例えば導電体の被着性が良く、配線が形成し易く実
装部品の装着が安定する。更に、この突起が積層体面よ
り高く形成されるので、光学的動作領域の積層体の成膜
時に、この突起が、例えば、蒸着マスクのスペーサを兼
ねるため、マスクによる既成膜面の損傷を防ぐことがで
きる。

【００２２】また、本発明は、基体上に配した電極上
に、光学的動作領域を含む積層体が設けられ、この積層
体上が絶縁層で覆われている光学的素子を製造するに際
し、前記電極上の非光学的動作領域に、前記積層体面よ
りも高い導電性の突起を形成する工程と、前記突起をス
ペーサとして用い、このスペーサ上にマスクを配して、
前記積層体の構成層を成膜する工程と、を行う、光学的
素子の製造方法（以下、製造方法と称する。）に係るも
のである。

【００２３】本発明によれば、前記した光学的素子の再
現性良い製造方法を提供することができると共に、積層
体面より高い導電性突起を設けるので、この突起を介し
て電子部品の如き実装部品との配線の接続部を導出でき
る。その結果、実装部品との接続のための穴形成プロセ
スを省くことができ、生産性が向上する。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を、添付した図面を参照しながら製造工程の順に説明
するが、本発明が以下に述べる実施の形態に限定される
ものでないことは勿論である。

【００２５】上記した光学的素子及び製造方法において
は、図１〜図３に示すように、前記突起が、前記電極上
に設けられた金属バンプからなり、そして、この金属パ
ンプ上にこれを覆う導電層が被着され、更にこの導電層
上に導電パターンが形成されていることが望ましい。こ
の金属バンプの材料としては、例えばニッケル、銀ペー
スト、カーボンペースト等を用いることができる。

【００２６】この場合、所定パターンの第１のマスクを
用いて前記基体上に前記電極を成膜し、しかる後に物理
蒸着法又はめっき法により前記突起を前記電極上の前記
非光学的動作領域に所定パターンに形成した後、所定パ
ターンの第２のマスクを前記突起上に配して前記積層体
のうち少なくとも前記電極に対向した対向電極を物理蒸
着法によって成膜することが望ましい。

【００２７】図１は、有機ＥＬ素子の製造過程における
概略平面図を示し、例えば、画素ピッチが１ｍｍ、発光
画素サイズが０．７ｍｍ角となるディスプレイ用の単純
マトリクス型単色有機ＥＬ素子であり、約１ｍｍ厚のガ
ラス基板１１上に幅０．７ｍｍのストライプ状のＩＴＯ
透明電極（厚さ２００ｎｍ）１２を１ｍｍピッチで形成
し、この透明電極１２上において、発光画素１４を形成
しない領域に０．１×０．６ｍｍのサイズ、２０μｍの
厚さの金属バンプ１３を真空成膜法又はめっき法等によ
り形成する。

【００２８】図２は、図１におけるII−II線断面図、図
３は、同じくIII − III線断面図である。

【００２９】また、これ以外にも例えば、図１に仮想線
で示すように、透明電極１２上に絶縁層を設け、この絶
縁層に０．７ｍｍ²の開口部を形成し、発光画素１４Ａ
としてもよい。その場合は絶縁層の外縁部を透明電極１
２の幅や発光画素サイズより少し広くする。このよう
に、絶縁膜の窓には発光画素（即ち電極交差部）のエッ
ジが露出しないため、エッジでの電流集中による劣化や
電極間のショート（短絡）を防止できる。そして、金属
パンプ１３を形成する位置にも絶縁膜の窓を設け、透明
電極１２と金属バンプ１３とが導通するようにする。こ
の金属バンプ１３の位置は発光画素から離れているた
め、有機ＥＬ層に傷がついてもよく、また、対向電極を
形成しない領域であるので、蒸着時のスペーサとしても
機能するバンプを形成できる位置である。バンプの平面
形状はこれに限らず任意に行うことができる。

【００３０】このように、ガラス基板１１に単色の有機
ＥＬ素子を形成する場合は、有機ＥＬ膜の形成には蒸着
マスクを用いる必要はなく、画面全体に連続する膜を形
成してもよい。しかし、マスクを用いて蒸着してもよ
く、画素毎に分離した構造にしてもよい。有機ＥＬ層と
しては、例えば、緑単色であればホール輸送層として例
えばＣｕＰＣ（銅フタロシアニン）を２５ｎｍ、ｍ−Ｍ
ＴＤＡＴＡ（トリス（３−メチルフェニルフェニルアミ
ノ）トリフェニルアミン）を１５ｎｍ、発光層としてα
−ＮＰＤ（α−ナフチルフェニルジアミン）を３０ｎ
ｍ、電子輸送層としてＡｌｑ₃（８−ヒドロキシキノリ
ンアルミニウム）を５０ｎｍ積層する。使用できる有機
材料はこれに限らず、膜厚も前述の値に限定されない
が、前述の厚さが高効率発光には望ましい。

【００３１】但し、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）発光
の有機ＥＬ素子をストライプ状に形成するには、マスク
を用いた蒸着が必要であり、この場合は、対向電極はス
トライプ状マスクを使った一回の蒸着や、ドット状のマ
スクを用い、マスクをずらしながら複数回蒸着して透明
電極１２のパターンとは直交する方向にライン状のパタ
ーン蒸着を行ってもよい。

【００３２】そして、マスクの下への蒸着物質の廻り込
みを防ぐために、蒸着マスクはできるだけ基板に接近さ
せる方がよい。そこで、蒸着マスクの材料としては、
鉄、ニッケル、コバルト等の強磁性体を含む合金、特
に、熱膨張率がガラスに近いコバール合金が望ましい。

【００３３】また、マスクの弾性は、１ｍｍで２０μｍ
もたわむほどには柔らかくなく、ガラス基板が多少反っ
ていても、磁力による吸着で基板形状に追従するよう
に、硬すぎることのないものがよく、薄膜としては５０
〜２００μｍ程度が望ましい。マスクの厚みは画素のサ
イズにも依存し、蒸着パターンが微細なほど薄くする必
要がある。

【００３４】基板のホルダーには磁石が設置されてお
り、ガラス基板を介して、磁力でマスクを吸引しガラス
基板に密着させる。マスクはガラス基板の金属バンプの
上面でのみ接触するので、発光画素領域はマスクに接触
せず保護される。

【００３５】対向電極は陰極にするのが一般的であり、
そのため、仕事関数の小さい金属を含む材料を真空成膜
する。この際に、蒸着金属はＬｉ：Ａｌ合金、ＭｇＡｇ
合金等が電流の注入効率が高く、低電圧で明るい発光が
得られる。その他、ＭｇＩｎやＡｌ単独でもよい。ま
た、金属と有機層の間に０．５〜１ｎｍ程度の誘電体
層、例えばＬｉＦ、Ｌｉ₂Ｏ、ＣａＦ₂、ＣａＯなどア
ルカリ、アルカリ土類金属の弗化物、酸化物等を挿入し
てもよい。

【００３６】図４は、金属バンプ１３を形成後に、マス
クを用いず画面全体に有機層を成膜し、次に、対向電極
を形成するためにマスク１８をかけた状態を示す概略平
面図である。

【００３７】図５は、図４におけるV −V 線断面図であ
り、ガラス基板１１上に透明電極１２がストライプ状に
形成された画面全体に有機層１９が成膜され、そこに形
成した金属バンプ１３をスペーサとしてマスク１７がか
けられ、マスクの開口部１８から金属電極（カソード）
１５が形成された状態を示している。上記したようにこ
の金属バンプ１３の高さ（厚さ）は２０μｍであり、有
機層１９及び金属電極１５の合計の厚さ１μｍ以下より
は十分な高さを有しているので、マスク１７で既成膜部
分を傷つけることがない。

【００３８】対向電極としての金属電極１５を形成後、
図６に示すように、保護膜２１、更にハードコート層２
２を全面に形成する。保護膜２１の材料としては、ガー
ボンやａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）、ＳｉＮ、Ｓ
ｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＴｉＯ₂などの絶縁性の
スパッタ膜やＣＶＤ（化学的気相成長法）膜を形成して
もよい。これらは、電極のエッジや欠陥から水等が侵入
して非発光領域（ダークスポット）が形成されるのを制
御することができる。ハードコート層２２の材料として
は、比較的低温条件で硬化するのが望ましく、例えば、
ポリエステル系レジンであるアサヒ化学研究所製の商品
名（ＣＲ−１８Ｇ−ＫＦ）を用いることができる。この
材料は１００℃、２０分の乾燥条件で硬化させることが
できる。このハードコート剤のスクリーン印刷の際に
も、金属バンプ１３は有機ＥＬ素子表面を保護するスペ
ーサの役割をする。

【００３９】次いで図７に示すように、各金属バンプ１
３及び各金属電極１５上の保護膜２１及びハードコート
層２２を、レーザ加工によってスルーホール２３、２７
を形成する。このように、対向電極の形成後において、
全面に絶縁層を成膜し、この成膜によって金属バンプ１
３上が露出しなくなった場合は、この成膜の一部分を除
去して、前記突起の上面を露出させることが望ましい。

【００４０】しかし、ハードコート層２２をスクリーン
印刷の際に厚みが１０〜２０μｍとなるように塗布すれ
ば、金属バンプ１３上のハードコート層２２の膜厚は数
μｍ程度となる。従って、金属バンプ１３が高いとハー
ドコート層２２が薄く形成されるので、加工に要するレ
ーザパワーや時間が少なくて済み、生産性が向上する。

【００４１】次いで、図８に示すように、金属バンプ１
３の上面を露出させた後に、表面を研磨処理して平坦化
することが望ましい。しかし、この場合、金属バンプ１
３が十分にハードコート層２２の表面から突き出ていれ
ば、この機械研磨でも金属バンプ１３を露出することが
できる。

【００４２】次いで、図９に示すように、前工程におい
て平坦化した露出部を含む全面に、これを覆うように、
金属（例えば、金、銅、ニッケル、アルミニウム）から
なる導電層２４を被着し、更にこの導電層２４上に導電
パターンを形成することが望ましい。これにより、図１
０に示すように、金属バンプ１３上に導電パターン２５
が形成され、金属電極１５上には導電パターン２６が形
成される。但し、この場合、表面を研磨処理しないで図
７の状態の上に導電層２４を設けて導電パターンを形成
してもよく、これにより導電層２４の被着性が良くな
る。

【００４３】このように、本実施の形態における光学的
素子としての有機ＥＬ素子は、対向電極である金属電極
１５もスルーホールに被着された導電層２４を介してハ
ードコート層２２上に電気的に導出されていることが望
ましい。

【００４４】次いで、図１１に示すように、導電パター
ン２５、２６上に、導電性ペースト２８、２９を塗布
し、ドライバーＩＣと接続するための配線や接点をハー
ドコート膜上に形成する。

【００４５】この上で、図１２に示すように、金属バン
プ１３及び金属電極１５が、ハードコート層２２上に実
装される電子部品３０と接続し、更にドライバー素子と
接続することによって単純マトリクスが構成されている
ことが望ましい。この場合電子部品３０のリード端子３
１を導電ペーストからなる接点２８、２９に接続する。

【００４６】従って、本実施の形態の有機ＥＬ素子は、
光学的に透明な基体上に、光学的に透明な電極からなる
第１の電極と、有機ホール輸送層、有機発光層及び／又
は有機電子輸送層と、金属電極からなる第２の電極とが
積層されていることが望ましい。

【００４７】これにより、有機電界発光素子としての良
好な有機ＥＬ素子を構成することができる。

【００４８】図１３は、上記の如く作製した有機ＥＬ素
子３５に電子部品３０を実装した状態の概略を示す有機
ＥＬ素子の背面図である。この図においては、有機ＥＬ
素子３５の背面のハードコート層上に導出された導電ペ
ーストからなる金属バンプの接点２８、金属電極の接点
２９を黒丸及び白丸で表示したが、実際にはこのような
接点２８、２９が多数形成される。しかし、理解容易の
ために、これらを簡略図示し、電子部品３０を含めて模
式的に示している。

【００４９】図示の如く、本実施の形態における有機Ｅ
Ｌ素子３５への電子部品３０の実装は、アノード側の透
明電極１２は金属バンプ１３を介し、カソード側の金属
電極１５は導電パターン２６を介し、それぞれが有機Ｅ
Ｌ素子３５の背面に導出されるので、電子部品３０を有
機ＥＬ素子３５の背面で接続することができる。

【００５０】また、透明電極１２を複数のブロックに分
割し、各ブロック毎に接続して駆動させることも可能で
ある。

【００５１】従って、従来のように、有機ＥＬ素子３５
の画面領域の外側までロウ及びコラム電極を引き出して
配線する必要がない。その結果、図１４に示すように、
有機ＥＬ素子３５同士をすき間なく接触し合うように、
平面状に並べてディスプレイの画面を形成することがで
きる。

【００５２】しかも、図７〜図１１の工程において、金
属バンプ１３の露出部からハードコート層２２上に電気
的に導出する際に、金属バンプ１３がハードコート層２
２と同一若しくはそれ以下の深さレベルになっているの
で、導電層２４の被着性が良く、配線が形成し易く、電
子部品３０の実装が安定する。

【００５３】以上、本実施の形態を説明したが、本実施
の形態は本発明の技術的思想に基づき種々変形すること
ができる。

【００５４】例えば、上記した実施の形態では、金属バ
ンプ１３を非発光領域に多数形成したが、極端には１個
でもスペーサとしては機能し得るが、実装部品との接続
機能も含めれば、複数の金属バンプ１３によって要所に
×型又は四角形等に形成しておけばスペーサとしても安
定性が保たれ、実装部品との接続性も保つことができ
る。また、上述の導電ペーストからなる配線ペースト２
８は種々のパターンに形成可能である。実装部品の接続
は、上述したリード方式以外にもフェイスダウン型の如
きリードレス方式も可能である。

【００５５】また、金属バンプの材料としては、実施の
形態以外の適宜の材料であってもよく、この形状やサイ
ズも適宜であってよい。

【００５６】また、実施の形態に示した有機ＥＬ素子に
おける金属バンプ以外の各部の構成材料や形状等も適宜
に実施することができる。

【００５７】また、上記の実施の形態は単純マトリクス
型有機ＥＬ素子以外にもアクティブマトリクス型有機Ｅ
Ｌ素子等の自発光型発光素子に適用できる他、自発光型
以外のＥＣＤ（エレクトロクロミック表示素子）ＬＣＤ
（液晶表示素子）等、調光素子一般に適用することがで
きる。

【００５８】本実施の形態によれば、透明電極１２上の
非発光領域に金属バンプ１３を設け、しかも、この金属
バンプ１３をカソードの金属電極１５よりも高く形成す
るので、金属バンプ１３がスペーサとして機能し、有機
ＥＬ素子をマスク蒸着する際や、その後のハードコート
層のスクリーン印刷の際に発光画素領域に傷がつくのを
防ぐことができる。

【００５９】また、スクリーン印刷したハードコート層
は、金属バンプ上の厚みが薄く形成されるので、配線す
るために電極を露出させる穴形成プロセスに要する時間
と穴形成のエネルギーを減少することができ、生産性が
向上すると共に、金属バンプ１３をハードコート層２２
の厚みよりも十分厚くすることで、金属バンプ１３の露
出方法として、レーザーによる穴形成よりも簡単で生産
性の高い研磨法を用いることができる。更に、レーザー
加工に伴う穴形成の際のＩＴＯのアブレーションの心配
もない。

【００６０】

【発明の作用効果】上述した如く、本発明は、基体上に
配した電極上に、光学的動作領域を含む積層体が設けら
れ、この積層体上が絶縁層で覆われている光学的素子に
おいて、前記電極上の非光学的動作領域にて、前記積層
体面より高い導電性の突起が、前記絶縁層に形成された
スルーホールに前記絶縁層の上面とほぼ同一若しくはそ
れ以下の深さレベルまで埋め込まれ、前記突起の露出部
が前記絶縁層上に電気的に導出されているので、この光
学的素子に実装する電子部品の如き実装部品との配線を
上記突起の導出部で行うことができる。その結果、光学
的素子（例えば有機ＥＬ素子）の平面状の接続を素子間
の間隔を設けずに行うことができる。また、光学的動作
領域の積層体の成膜時に、この突起が、例えば、蒸着マ
スクのスペーサを兼ねるため、マスクによる既成膜面の
損傷を防ぐことができる。また、導出部形成時に、例え
ば導電体の被着性が良く、配線が形成し易いので実装部
品が安定すると共に、例えば、導出部形成を研磨等で行
え、レーザー加工に比べて工数が削減され、生産性を向
上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態による有機ＥＬ素子の製造
過程の概略平面図である。

【図２】図１におけるII−II線断面図である。

【図３】図１におけるIII −III 線断面図である。

【図４】同、製造工程の一例を示す概略平面図である。

【図５】図４におけるV −V 線断面図である。

【図６】同、他の製造工程を示す概略断面図である。

【図７】同、他の製造工程を示す概略断面図である。

【図８】同、他の製造工程を示す概略断面図である。

【図９】同、他の製造工程を示す概略断面図である。

【図１０】同、他の製造工程を示す概略断面図である。

【図１１】同、他の製造工程を示す概略断面図である。

【図１２】同、更に他の製造工程を示す概略断面図であ
る。

【図１３】同、有機ＥＬ素子の背面における実装部品と
の接合状態を示す概略図である。

【図１４】同、有機ＥＬ素子のディスプレイへの設置状
態を示す平面図である。

【図１５】従来例による有機ＥＬ素子の一例を示す概略
図である。

【図１６】同、従来例による有機ＥＬ素子の他の一例を
示す概略図である。

【図１７】同、従来例による有機ＥＬ素子の他の一例を
示す概略図である。

【図１８】同、従来例による有機ＥＬ素子の他の一例を
示す概略図である。

【図１９】同、従来例による有機ＥＬ素子の更に他の一
例を示す概略図である。

【図２０】同、有機ＥＬ素子の具体例を示す概略斜視図
である。

【図２１】同、有機ＥＬ素子のディスプレイへの設置状
態を示す平面図である。

【符号の説明】

１１…ガラス基板、１２…ＩＴＯ電極、１３…金属バン
プ、１４、１４Ａ…画素、１５…金属電極、１７…マス
ク、１８…開口部、１９…有機層、２１…保護層、２２
…ハードコート層、２３、２７…スルーホール、２４…
導電層、２５、２６…導電パターン、２８、２９…導電
性ペースト、３０…電子部品、３１…リード端子、３２
…絶縁層、３５有機ＥＬ素子、Ｄ…間隔、Ｌ…レーザー
光

フロントページの続き (72)発明者小竹良太東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者鈴木芳男東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB03 AB18 BA06 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体上に配した電極上に、光学的動作領
域を含む積層体が設けられ、この積層体上が絶縁層で覆
われている光学的素子において、前記電極上の非光学的
動作領域にて、前記積層体面より高い導電性の突起が、
前記絶縁層に形成されたスルーホールに前記絶縁層の上
面とほぼ同一若しくはそれ以下の深さレベルまで埋め込
まれ、前記突起の露出部が前記絶縁層上に電気的に導出
されている光学素子。
【請求項２】前記突起が、前記電極上に設けられた金
属バンプからなり、この金属パンプ上にこれを覆う導電
層が被着され、更にこの導電層上に導電パターンが形成
されている、請求項１に記載した光学的素子。
【請求項３】前記突起が前記絶縁層上に実装される電
子部品と接続されている、請求項１に記載した光学的素
子。
【請求項４】前記突起が前記電極と前記絶縁層上のド
ライド素子とを接続し、これによって前記積層体からな
る単純マトリクス型発光素子が構成されている、請求項
３に記載した光学的素子。
【請求項５】前記光学的動作領域上に前記電極に対向
して設けられた対向電極も、前記絶縁層に形成されたス
ルーホールに被着された導電層を介して前記絶縁層上に
電気的に導出されている、請求項１に記載した光学的素
子。
【請求項６】前記対向電極が、前記絶縁層上に実装さ
れる電子部品と接続されている、請求項５に記載した光
学的素子。
【請求項７】前記対向電極が、単純マトリクス型発光
素子を構成する前記積層体と前記絶縁層上のドライバー
素子とを接続している、請求項６に記載した光学的素
子。
【請求項８】光学的に透明な基体上に、光学的に透明
な電極からなる第１の電極と、有機ホール輸送層、有機
発光層及び／又は有機電子輸送層と、金属電極からなる
第２の電極とが積層されている、請求項１に記載した光
学的素子。
【請求項９】有機電界発光素子として構成されてい
る、請求項８に記載した光学的素子。
【請求項１０】基体上に配した電極上に、光学的動作
領域を含む積層体が設けられ、この積層体上が絶縁層で
覆われている光学的素子を製造するに際し、前記電極上の非光学的動作領域に、前記積層体面よりも
高い導電性の突起を形成する工程と、前記突起をスペーサとして用い、このスペーサ上にマス
クを配して、前記積層体の構成層を成膜する工程と、を
行う、光学的素子の製造方法。
【請求項１１】所定パターンの第１のマスクを用いて
前記基体上に前記電極を成膜し、しかる後に物理蒸着法
又はめっき法により前記突起を前記電極上の前記非光学
的動作領域に所定パターンに形成した後、所定パターン
の第２のマスクを前記突起上に配して前記積層体のうち
少なくとも前記電極に対向した対向電極を物理蒸着法に
よって成膜する、請求項１０に記載した光学的素子の製
造方法。
【請求項１２】前記対向電極の形成後において、全面
に絶縁層を成膜し、必要あればこの成膜の一部分を除去
して、前記突起の上面を露出させる、請求項１０に記載
した光学的素子の製造方法。
【請求項１３】前記突起の上面を露出させた後に、表
面を研磨処理して平坦化する、請求項１２に記載した光
学的素子の製造方法。
【請求項１４】金属バンプとしての前記突起の露出部
にこれを覆う導電層を被着し、更にこの導電層上に導電
パターンを形成する、請求項１３に記載した光学的素子
の製造方法。
【請求項１５】前記絶縁層を、保護層及びハードコー
ト層をこの順に成膜して形成する、請求項１２に記載し
た光学的素子の製造方法。
【請求項１６】前記突起を前記絶縁層に形成されたス
ルーホールに前記絶縁層の上面とほぼ同一若しくはそれ
以下の深さレベルまで埋め込み、前記絶縁層上に電気的
に導出する、請求項１２に記載した光学的素子の製造方
法。
【請求項１７】前記突起を前記絶縁層上に実装される
電子部品と接続する、請求項１２に記載した光学的素子
の製造方法。
【請求項１８】前記突起によって、前記電極と前記絶
縁層上のドライバー素子とを接続し、これによって前記
積層体からなる単純マトリクス型発光素子を構成する、
請求項１７に記載した光学的素子の製造方法。
【請求項１９】前記光学的動作領域上に前記電極に対
向して設けられた対向電極も、前記絶縁層に形成された
スルーホールに被着された導電層を介して前記絶縁層上
に電気的に導出する、請求項１０に記載した光学的素子
の製造方法。
【請求項２０】前記対向電極を、前記絶縁層上に実装
される電子部品と接続する、請求項１９に記載した光学
的素子の製造方法。
【請求項２１】前記対向電極を、単純マトリクス型発
光素子を構成する前記積層体と前記絶縁層上のドライバ
ー素子とに接続する、請求項２０に記載した光学的素子
の製造方法。
【請求項２２】光学的に透明な基体上に、透明電極か
らなる第１の電極と、有機ホール輸送層、有機発光層及
び／又は有機電子輸送層と、金属電極からなる第２の電
極とを積層する、請求項１０に記載した光学的素子の製
造方法。
【請求項２３】有機電界発光素子として構成する、請
求項２２に記載した光学的素子の製造方法。