JP4707271B2 - エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4707271B2 JP4707271B2 JP2001198927A JP2001198927A JP4707271B2 JP 4707271 B2 JP4707271 B2 JP 4707271B2 JP 2001198927 A JP2001198927 A JP 2001198927A JP 2001198927 A JP2001198927 A JP 2001198927A JP 4707271 B2 JP4707271 B2 JP 4707271B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- substrate
- glass substrate
- manufacturing
- electroluminescent element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 177
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 117
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 3
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- -1 3-methylphenylphenylamino Chemical group 0.000 description 1
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-UHFFFAOYSA-N b2738 Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1C=CC1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はエレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）表示装置の製造方法に係り、詳しくはマスクを介して基板面にＥＬ素子が形成されるＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＥＬ素子を用いた表示装置が注目されてきている。
このＥＬ素子は、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の透明電極からなる陽極、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphenyllamino)biphenyl）や(4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine)などからなるホール輸送層、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ２（１０−ベンゾ［ｈ］キノリノールーベリリウム錯体）などからなる発光層、Ｂｅｂｑ２などからなる電子輸送層、マグネシウム・インジウム合金などからなる電極（陰極）が順次積層形成された構造を有している。そして、このＥＬ素子では、上記電極間に所要の電圧が印加されることで、陽極から注入されたホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子が生じるとともに、この励起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出されて所要の発光が得られる。
【０００３】
また、このＥＬ素子を用いた表示装置、すなわちＥＬ表示装置は、これがカラー画像の表示装置として構成される場合、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）の３原色に各々対応して発光するＥＬ素子が例えばマトリクス状に配置されたドットマトリクスの表示装置として構成される。そして、こうしたドットマトリクスからなるＥＬ素子を駆動する方式としては、単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。
【０００４】
このうち、単純マトリクス方式は、表示パネル上にマトリクス状に配置されて各ドットを形成するＥＬ素子を走査信号に同期して外部から直接駆動する方式であり、ＥＬ素子だけで表示装置の表示パネルが構成されている。
【０００５】
また、アクティブマトリクス方式は、マトリクス状に配置されて各ドットを形成するＥＬ素子に画素駆動素子（アクティブエレメント）を設け、その画素駆動素子を走査信号によってオン・オフ状態が切り替わるスイッチとして機能させる。そして、オン状態にある画素駆動素子を介してデータ信号（表示信号、ビデオ信号）をＥＬ素子の陽極に伝達し、そのデータ信号をＥＬ素子に書き込むことで、ＥＬ素子の駆動が行われる。
【０００６】
一方、こうした表示装置に用いられるＥＬ素子の形成に際しては、真空蒸着法がよく用いられる。この真空蒸着法によるＥＬ素子の形成には、
（１）真空のチャンバ内において、基板のうちのＥＬ素子を形成する部分以外の部分をマスクするとともに、同マスクされた基板面を鉛直下方に向けて配置する工程
（２）同基板の下方から上記発光層を形成する材料等、ＥＬ素子を構成する材料を加熱して蒸発させることで、同基板面にそれら材料を蒸着形成する工程
といった、基本的には２つの工程が用いられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記態様にて基板面にＥＬ素子を形成するためには、基板とマスクとの位置合わせを極めて高精度にて行う必要がある。ただし、この位置合わせに際して、ＥＬ素子を形成する基板面を下面としてこれを支持する際、同基板面のほとんどがＥＬ素子等の形成される表示パネル領域であるために、この面を直接載置することはできない。すなわち、表示パネル領域以外の基板端部を適宜のサポートハンド等にて支持する必要がある。しかし、このような態様で基板を支持した場合には、自ずと基板の中央部にたわみが生じ易くなる。このため、基板をマスク側に移動させる際には、基板の中央部が先にマスクに接触することになり、その状態で上記位置合わせのための基板とマスクとの相対移動が行われるようになるような場合には、基板膜面に傷が発生する等、同位置合わせを適切に行うことができなくなることがある。
【０００８】
なお、位置合わせ精度の観点、あるいは蒸着精度の観点からも、上記基板とマスクとは極力近接した状態におかれることが望ましく、そうした意味からも上記問題は深刻である。
【０００９】
また、上記真空蒸着法に限らず、他の方法を用いてＥＬ素子の形成が行われる場合であれ、上記基板とマスクとの正確な位置合わせが必要とされる場合には、基板のたわみに起因して位置合わせが困難となるこうした実情も概ね共通したものとなっている。
【００１０】
本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、マスクを介してエレクトロルミネッセンス素子を形成するに際し、マスクと基板との位置合わせをより好適に行うことのできるエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、基板と該基板の下方に配置されたマスクとを位置合わせし、エレクトロルミネッセンス素子材料を前記マスクを介して前記基板に付着形成するエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記マスクを保持台上に配置されたマスクフレームに予め固定するとともに、それら保持台及びマスクフレームの少なくとも一方には前記基板を支持するための複数のピンを形成しておき、前記基板の３つ以上の辺についてそれら各辺を辺支持手段によって支持しつつ、前記各辺を支持した基板を更に同ピンにより支持した状態で前記位置合わせを行うことをその要旨とする。
【００１２】
請求項２記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記マスクはマスクフレームに固定され、前記辺支持手段は対応するマスクフレーム間より短く、前記辺支持手段が前記マスクフレームに接触しないように前記基板を載置することをその要旨とする。
【００１３】
請求項３記載の発明は、基板とマスクとを位置合わせし、エレクトロルミネッセンス素子材料を前記マスクを介して前記基板に付着形成するエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記マスクはマスクフレームに固定され、対応する前記基板の辺より短い辺を有する複数の支持部を有する辺支持手段によって、前記対応する基板の辺をそれぞれ支持しつつ、前記辺支持手段が前記マスクフレームに接触しないように前記基板を載置して前記位置合わせを行うことをその要旨とする。
【００１４】
請求項４記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記辺支持手段は対応する前記基板の辺を等分した点を支持することをその要旨とする。また、請求項５記載の発明は、請求項３または４に記載の発明において、前記辺支持手段は対応するマスクフレーム間より短いことをその要旨とする。
【００１５】
請求項６記載の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の発明において、前記位置合わせ後は、前記辺支持手段を除去し、前記基板を前記マスク及び前記マスクを固定するマスクフレームの少なくとも一方にて支持した状態で前記エレクトロルミネッセンス素子材料の付着形成を行うことをその要旨とする。また、請求項７記載の発明は、請求項１〜６のいずれかに記載の発明において、前記辺支持手段として、前記基板との接触部が各対向する辺間で対称性の保たれるものを用いることをその要旨とする。
【００１６】
請求項８記載の発明は、請求項１〜７のいずれかに記載の発明において、少なくとも前記位置合わせを真空容器内にて行うことをその要旨とする。請求項９記載の発明は、請求項１〜８のいずれかに記載の発明において、前記各辺を支持した基板の上面を更に静電吸着にて支持した状態で前記位置合わせを行うことをその要旨とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明にかかるＥＬ表示装置の製造方法をアクティブマトリクス方式のカラーＥＬ表示装置の製造方法に具体化した第１の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００１８】
図１は、本実施形態の製造対象となるＥＬ表示装置のＥＬ素子（本実施形態では有機ＥＬ素子：図中ＥＬと表記）とその周辺部についての平面図である。同図１に示されるように、このＥＬ表示装置は、大きくは、ＥＬ素子によって形成される表示ドットと、これら表示ドットの各々に対して設けられる能動素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを備えている。
【００１９】
具体的には、図１に示されるように、ＥＬ素子の駆動制御を行なうための信号線として、ゲート信号線ＧＬ及びドレイン信号線ＤＬがマトリクス状に形成されている。そして、これら各信号線の交差部に対応してＥＬ素子（表示ドット）が形成されている。なお、このＥＬ表示装置においては、カラー画像表示を可能とすべく、各表示ドットが各原色Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかに対応して形成されている。
【００２０】
また、これら各ＥＬ素子の駆動制御を各別に行なうための素子として、次のものが形成されている。まず、上記各信号線の交差部付近に、ゲート信号線ＧＬと接続され、同ゲート信号線ＧＬの活性により能動とされるスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ａが形成されている。このＴＦＴａのソースＳａは、クロム（Ｃｒ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなる容量電極ＣＥと接続されており、同ＴＦＴａが能動とされることで容量電極ＣＥにドレイン信号線ＤＬからの電圧が印加される。
【００２１】
この容量電極ＣＥは、ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ｂのゲートＧｂに接続されている。また、ＴＦＴｂのソースＳ２はＥＬ素子の陽極である透明電極１１に接続され、同ＴＦＴｂのドレインＤｂは、ＥＬ素子に電流を供給する電流源となる駆動電源線ＩＬと接続されている。これにより、上記容量電極ＣＥからゲートＧｂへの電圧の印加によって、駆動電源線ＩＬからの電流がＥＬ素子に供給されるようになる。
【００２２】
一方、上記容量電極ＣＥとの間で電荷を蓄積すべく、保持容量電極線ＣＬが形成されている。この保持容量電極線ＣＬ及び容量電極ＣＥ間の保持容量により、上記ＴＦＴｂのゲートＧｂに印加される電圧が保持される。
【００２３】
図２は、図１の一部断面図である。特に、図２（ａ）はＤ−Ｄ線に沿った断面を、また図２（ｂ）はＥ−Ｅ線に沿った断面をそれぞれ示している。同図２に示されるように、上記ＥＬ表示装置は、ガラス基板１上に、薄膜トランジスタ、ＥＬ素子を順次積層形成したものである。
【００２４】
ここで、上記容量電極ＣＥへの充電制御を行なうスイッチングトランジスタとしてのＴＦＴａは、図２（ａ）に示されるような態様にて形成されている。すなわち、上記ガラス基板１上にポリシリコン層２が形成されている。同ポリシリコン層２には、上記ソースＳａ及びドレインＤａの他、チャネルＣａや、チャネルＣａの両側に形成された低濃度領域（Lightly Doped Drain）ＬＤＤ、更には上記保持容量電極ＣＥが形成されている。そして、これらポリシリコン層２及び保持容量電極ＣＥ上には、ゲート絶縁膜３及び、クロム（Ｃｒ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなる上記ゲート信号線ＧＬやゲート電極Ｇａ、保持容量電極線ＣＬが形成されている。そして、これらの上面に、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の順に積層された層間絶縁膜４が形成されている。更に、同層間絶縁膜４は上記ドレインＤａに対応して開口され、同開口部にアルミニウム等の導電物が充填されることで、同ドレインＤａが上記ドレイン信号線ＤＬと電気的にコンタクトがとられている。更に、これらドレイン信号線ＤＬや上記層間絶縁膜４上には、例えば有機樹脂からなり、表面を平坦にする平坦化絶縁膜５が形成されている。
【００２５】
一方、ＥＬ素子を駆動する上記ＴＦＴｂは、図２（ｂ）に示されるような態様にて形成されている。すなわち、上記ガラス基板１上には、先の図２（ａ）に示したものと同等のポリシリコン層２が形成されている。このポリシリコン層２には、ＴＦＴｂのチャネルＣｂやソースＳ２、ドレインＤｂが形成されている。そして、このポリシリコン層２上には、先の図２（ａ）に示したものと同等のゲート絶縁膜３が形成されているとともに、同ゲート絶縁膜３のうちチャネルＣｂ上方には、クロム（Ｃｒ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなるゲートＧｂが形成されている。これらゲートＧｂ及びゲート絶縁膜３上には、先の図２（ａ）に示したものと同等の層間絶縁膜４、平坦化絶縁膜５が順次積層形成されている。なお、層間絶縁膜４のうち、上記ドレインＤｂに対応した部分が開口され、同開口部にアルミニウム等の導電物が充填されることで、同ドレインＤｂと上記駆動電源線ＩＬとの電気的なコンタクトがとられている。また、層間絶縁膜４及び平坦化絶縁膜５のうち、上記ソースＳ２に対応した部分が開口され、同開口部にアルミニウム等の導電物が充填されることで、同ソースＳ２とＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極１１の電気的なコンタクトがとられている。この透明電極１１は、ＥＬ素子の陽極をなすものである。
【００２６】
上記ＥＬ素子は、次のものが順次積層形成されてなる。
ａ．透明電極１１
ｂ．ホール輸送層１２：ＮＢＰからなる
ｃ．発光層１３：レッド（Ｒ）…ホスト材料（Ａｌｑ3）に赤色のドーパント（ＤＣＪＴＢ）をドープしたもの。
【００２７】
グリーン（Ｇ）…ホスト材料（Ａｌｑ3）に緑色のドーパント（Ｃｏｕｍａｒｉｎ ６）をドープしたもの。
ブルー（Ｂ）…ホスト材料（ＢＡｌｑ）に青色のドーパント（Perylene）をドープしたもの。
ｄ．電子輸送層１４：Ａｌｑ3からなる
ｅ．電子注入層１５：フッ化リチウム（ＬｉＦ）からなる
ｆ．電極（陰極）１６：アルミニウム（Ａｌ）からなる
なお、ここで、上記略称にて記載した材料の正式名称は以下のとおりである。
・「ＮＢＰ」…Ｎ，Ｎ‘−Ｄi（(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine）
・「Ａｌｑ3」…Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum
・「ＤＣＪＴＢ」…(2-(1,1-Dimethylethyl)-6-(2-(2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl)-4H-pyran-4-ylidene)propanedinitrile。
【００２８】
・「Ｃｏｕｍａｒｉｎ ６」…3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin。
・「ＢＡｌｑ」…(1,1'-Bisphenyl-4-Olato)bis(2-methyl-8-quinolinplate-N1,08)Aluminum。
【００２９】
これらホール輸送層１２や、電子輸送層１４、電子注入層１５、電極１６は、図２（ａ）に示した領域においても共通して形成されている。ただし、発光層１３については、透明電極１１に対応して島状に形成されているために、図２（ａ）に示す領域には形成されていない。なお、図２において平坦化絶縁膜５上には、絶縁膜１０が形成されている。
【００３０】
次に、本実施形態にかかるＥＬ表示装置の製造方法について説明する。
図３に、本実施形態にかかるＥＬ表示装置の製造手順を示す。同図３に示されるように、この一連の製造手順においては、まず上記ガラス基板１上にＴＦＴ及び透明電極１１を形成し（ステップ１００）、更に、ホール輸送層１２、１３を形成する（ステップ１１０）。
【００３１】
こうしてホール輸送層１２、１３が形成された上記ガラス基板１は、同ホール輸送層１２、１３の形成された面を鉛直下方にして、真空チャンバ内へ挿入される（ステップ１２０）。同チャンバ内には、図４に示す態様にて、予め上記発光層１４の形状に合わせて開口（図示略）された例えばニッケル（Ｎｉ）からなるマスク３０が配置されている。詳しくは、このマスク３０は、保持台３４上に配置されたマスクフレーム３１によって固定されている。
【００３２】
そして、真空チャンバ内に上記ホール輸送層１２、１３の形成されたガラス基板１が挿入されると、同ガラス基板１と、その下方に位置するマスク３０との位置合わせが行われる。すなわち、同図４に示すＣＣＤ（Charge Coupled Device ）カメラ３２等により、マスク３０内に形成されているアラインメントマーク３０ａ及びガラス基板１に形成されているアラインメントマーク１ａの各位置をモニタしつつ、それらアラインメントマーク３０ａ、１ａが合致するように、ガラス基板１とマスク３０との位置合わせが行われる（図３、ステップ１３０）。この図４に示すアラインメントマーク３０ａ及び１ａは見やすくするために大きく表されているが、実際には縦５０μｍ、横５０μｍの十字型をしている。
【００３３】
なお、実際には、上記工程は、カラー表示装置としての各原色Ｒ、Ｇ、Ｂに対応して各別に行われる。すなわち、ホール輸送層１３，１４の形成されたガラス基板１は、上記各原色Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する発光層１４を形成するための各別の真空チャンバへと順に挿入される。そして、これら各真空チャンバには、上記マスクと３０として、上記透明電極（陽極）１１のうち、所定の原色の発光に用いられる透明電極（陽極）１１に対応した部分のみが開口されたマスクが備えられている。すなわち、各真空チャンバ内には、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかの色に対応したマスクが備えられている。これにより、各チャンバにおいて、各原色に対応した発光層をそれぞれ所定の位置に形成することができる。
【００３４】
図５（ａ）に、マスク３０に対して位置合わせされたガラス基板１（図中、破線で表記）の配置態様を示す。このマスク３０は、本実施形態では、多数の表示パネルを一枚のガラス基板から形成すべく構成されている。詳しくは、本実施形態におけるマスク３０は、同図５（ａ）に例示されるように１６枚の表示パネルを同時に形成すべく、１６個のパネル形成部３０ｐを備えている。そして、これら１６個のパネル形成部３０ｐは、各４個のパネル形成部３０ｐが備えられた４つのマスク３０によって形成される。そして、これら各パネル形成部３０ｐは、図５（ｂ）に示されるように、該当する原色の発光に用いられる上記透明電極１１に応じて開口部３０ｈが形成されている。
【００３５】
図５（ａ）に示す態様にてマスク３０とガラス基板１との位置合わせが行われると、ガラス基板１は、マスクフレーム３１等によって支持される。そして、先の図４において、保持台３４の下方に配置された蒸着源（ソース）４０から、上記発光層１４の材料を加熱して蒸発させることで、上記マスクの開口部を介してガラス基板１表面に同材料を蒸着させる（図３、ステップ１４０）。
【００３６】
このマスク３０を介した発光層の形成態様を、図６に模式的に示す。同図６に示すように、各透明電極（陽極）１１のうち、各チャンバ内で該当する原色に対応した透明電極の形成領域以外がマスク３０で覆われる。そして、該当する原色に対応したＥＬ材料（有機ＥＬ材料）は、ソース４０内で加熱され、気化されてマスク３０の開口部３０ｈを介してガラス基板１（正確にはそのホール輸送層１３）上に蒸着形成される。
【００３７】
こうして、各チャンバ内で対応する原色の発光層が蒸着形成されたガラス基板１は、これら発光層形成用真空のチャンバから取り出され、別の真空チャンバ内で上記電子輸送層１５や電極（陰極）１６が形成される（図２、ステップ１５０）。なお、実際には、これら電子輸送層１５や電極（陰極）１６の形成は、各別の真空チャンバ内で行なわれる。
【００３８】
ところで、上記態様にて真空チャンバ内で上記ガラス基板１とマスク３０との位置合わせを行う際には、ガラス基板１及びマスクにたわみが生じる等の問題があることは前述したとおりである。特に、本実施形態のように複数の表示パネルを同時に形成すべく大型のガラス基板１を用いる場合には、同ガラス基板１のたわみも大きくなりがちである。
【００３９】
以下、このガラス基板のサイズや支持態様と同ガラス基板に生じるたわみとの関係を図７に基づいて説明する。
図７（ａ）に各ガラス基板のサイズ及びその支持態様と同ガラス基板に生じるたわみとの関係を示す。同図７（ａ）に示すケース１は、図７（ｂ）に示す支持態様にて長さＫのガラス基板を支持した場合のたわみ量を、同ガラス基板の材質別に示したデータである。これに対して、ケース２では、同図７（ｂ）の支持態様にて長さＬ（Ｌ＞Ｋ）のガラスを支持した場合のたわみ量を、同ガラス基板の材質別に示したデータである。一方、ケース３は、図７（ｃ）に示す支持態様にて長さＫのガラス基板を支持した場合のたわみ量を、同ガラス基板の材質別に示したデータである。
【００４０】
図７（ａ）から明らかなように、ガラス基板を点支持する（図７（ｃ））よりも線支持する（図７（ｂ））方がたわみを抑制することができる。更に、同図７（ａ）によれば、ガラス基板の長さが短いほどたわみを抑制することができることがわかる。ちなみに、重力加速度をｇ、ポアッソン比をσ、ガラスの密度をρ、ガラスのヤング率をＥ、ガラスの厚みをｔとすると、図７（ｂ）に示す態様にてガラス基板を支持した場合のたわみｎは、下式（ｃ１）で表される。
ｎ＝Ｋ4ｇρ（１−σ2）／６．４Ｅｔ2 …（ｃ１）
上式（ｃ１）からわかるように、ガラス基板の長さが長くなるほど、たわみ量が飛躍的に増大することがわかる。
【００４１】
そこで、本実施形態においては、図８に示す態様にてガラス基板１の４辺を辺支持部材５０で支持することで、ガラス基板１に生じるたわみを抑制するようにする。すなわち、ガラス基板１の支持されていない辺の長さが長くなるほどたわみが増大することから、ガラス基板１の４辺を辺支持することで、ガラス基板１の長さの増大によるたわみの増大を抑制する。
【００４２】
また、この４辺の支持は、ガラス基板１と辺支持部材５０との接触部が、ガラス基板１の面に対して、すなわち各対向する辺間で対称性を保つ態様にて行う。
これにより、ガラス基板１に生じるたわみを抑制する。
【００４３】
更に、本実施形態では、各辺支持部材５０によって、マスク３０と対向するガラス基板１の面の端辺を線支持する。このように、辺支持部材５０によってガラス基板１をその各辺に沿って線支持することで、ガラス基板１の表示領域に同辺支持部材５０が接触することなく、ガラス基板１を支持することができる。
【００４４】
詳しくは、同図７に示されるように、この辺支持部材５０はＬ字型をしており、ガラス基板１の下方、換言すれば、ホール輸送層１２、１３の形成された側の面をこの辺支持部材５０に載置することで、同ガラス基板１を支持する。
【００４５】
そして、これら各辺支持部材５０の長さは、ガラス基板１の各辺の長さよりも短く設定する。具体的には、辺支持部材５０のうちガラス基板１を載置する部分の長さを、ガラス基板１の外周に対応するマスクフレーム３１のうち隣接する２つのマスクフレーム３１間の長さよりも短く設定する。これにより、先の図５（ａ）に示したマスクフレーム３１と辺支持部材５０との干渉を避けることができる。すなわち、ガラス基板１とマスク３０との位置合わせが終了した後、辺支持部材５０は取り除かれる。この辺支持部材５０の長さを上記のようにすることで、図５（ａ）に一点鎖線で示す位置にて、辺支持部材５０によるガラス基板１の支持が実現されるとともに、同辺支持部材５０の除去もマスクフレーム３１と接触することなく容易に行うことができる。
【００４６】
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。
（１）ガラス基板１の４辺を辺支持部材５０によって支持しつつ、同ガラス基板１及びマスク３０の位置合わせを行った。これにより、ガラス基板１に生じるたわみを更に好適に抑制することができるとともに、ガラス基板１の蒸着面がマスク３０によって損傷することを防止できる。
【００４７】
なお、上記実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
・辺支持部材５０によってガラス基板１を支持したまま、同ガラス基板１へのＥＬ材料の蒸着形成を行ってもよい。この場合、マスクフレーム３１の形状は任意である。
【００４８】
（第２の実施形態）
以下、本発明にかかるＥＬ表示装置の製造方法をアクティブマトリクス方式のカラーＥＬ表示装置の製造方法に具体化した第２の実施形態について、上記第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
【００４９】
この第２の実施形態では、先の第１の実施形態によるガラス基板１とマスク３０との位置合わせに際し、更に以下の基板支持手法を併用する。
すなわち、本実施形態では、図５（ａ）に併せて示すように、マスクフレーム３１に樹脂及び金属等からなる複数のピン３３を設ける。このピン３３は、図９に示されるように、ガラス基板１との当接面が球面となっており、ガラス基板１とマスク３０との位置合わせに際し、この球面となっている当接面を通じてガラス基板１を支持する。これにより、位置合わせに際し、ガラス基板１に損傷を与えることなくそのたわみを抑制する。
【００５０】
詳しくは、このピン３３は、ガラス基板１面の中央部等、上記支持手段５０によって支持されない部分を少なくとも支持することができるよう配置される。また、このピン３３は、ガラス基板１の面に対して対称性を保つ態様にて配置される。
【００５１】
また、本実施形態では、ピン３３は、例えば下部にバネ（板バネを含む）を備えた伸縮可能な構成とする。これにより、ガラス基板１の自重によってピン３３は収縮するために、ガラス基板１を的確に支持することができる。更に、ピン３３をマスクフレーム３１の高さまで収縮することができるようにする。これにより、位置合わせ終了後、ガラス基板１の自重又は外部からの力によってピン３３をマスク３０の高さまで収縮させることができる。また、これに代えて、ピン３３の収縮によっても同ピン３３の高さがマスク３０の高さよりも高くなるように設定するなら、マスクとガラス基板との間にギャップを保つことができる。
【００５２】
以上説明した本実施形態によれば、先の第１の実施形態の上記（１）の効果に加えて更に以下の効果が得られるようになる。
（２）ガラス基板１をピン３３によって支持しつつ位置合わせを行うことで、位置合わせに際し、ガラス基板１に生じるたわみをいっそう好適に抑制することができる。
【００５３】
（３）ピン３３を鉛直方向に伸縮可能な構成とした。これにより、ガラス基板１とマスク３０との位置合わせを行った後、ガラス基板１のマスク３０等による支持を円滑に行なうことや、ガラス基板１を同ピン３３によって支持することでマスク３０とガラス基板１とのギャップを保つことができる。
【００５４】
なお、上記第２の実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
・ピン３３の配置態様は上記のものに限らない。要は、表示領域以外の領域においてガラス基板１を支持することのできる配置であればよい。また、マスクフレーム３１上にピンを設ける代わりに、マスクフレーム３１の保持台３４にピンを形成するなどしてもよい。
【００５５】
・ピン３３の構成は、上記のように必ずしも伸縮可能な構成でなくてもよい。
この場合、同ピン３３によってガラス基板１を支持しつつ、位置合わせやＥＬ材料の蒸着形成を行う。
【００５６】
（第３の実施形態）
以下、本発明にかかるＥＬ表示装置の製造方法をアクティブマトリクス方式のカラーＥＬ表示装置の製造方法に具体化した第３の実施形態について、上記第２の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
【００５７】
この第３の実施形態では、先の第２の実施形態によるガラス基板１とマスク３０との位置合わせに際し、更に以下の基板支持手法を併用する。
すなわち、本実施形態では、ガラス基板１の位置合わせに際して、同ガラス基板１の上面を静電吸着にて支持するようにする。すなわち、真空チャンバ内ではガラス基板１の上面を大気圧よりも低い圧力を利用して吸着するなどして支持することはできない。そこで、ガラス基板１の上面を静電吸着にて支持することで、真空チャンバ内においてもガラス基板１を吸着支持することを可能とする。
【００５８】
図１０に、この静電吸着の原理を示す。同図１０に示されるように、本実施形態で用いる静電吸着装置６０は、セラミック等からなる吸着部６１内に備えられた一対の電極６２，６３にバッテリ６４の陽極及び陰極をそれぞれ接続した装置である。この静電吸着装置６０によりガラス基板１を吸着支持することで、ガラス基板１によって生じるたわみを更に抑制することができる。
【００５９】
ここで、図１１を参照して、本実施形態におけるガラス基板１とマスク３０との位置合わせ手順について総括する。
この一連の手順においては、真空チャンバ内へガラス基板１が挿入されると（ステップ２００）、上記静電吸着装置６０及び支持部材５０によってガラス基板１を支持しつつ、これをマスク３０側へ移動させる（ステップ２１０）。そして、ガラス基板１がピン３３と接触した後、同ガラス基板１とマスク３０との位置合わせを行う（ステップ２２０）。そして、位置合わせが終了すると、静電吸着装置６０及び支持部材５０によってガラス基板１を支持しつつ、同ガラス基板１を下降させる。そして、ガラス基板１がマスク３０によって支持されるかピン３３によって支持された状態で、静電吸着装置６０及び支持部材５０を除去する（ステップ２３０）。こうして、マスク３０に対して位置合わせされ、且つガラス基板１に対してＥＬ材料を蒸着形成する（ステップ２４０）。
【００６０】
以上説明した本実施形態によれば、先の第１の実施形態の上記（１）の効果、及び先の第２の実施形態の上記（２）、（３）の効果に加えて更に以下の効果が得られるようになる。
【００６１】
（４）ガラス基板１の上面を静電吸着にて吸着支持した。これにより、ガラス基板１とマスク３０との位置合わせに際し、ガラス基板１に生じるたわみを好適に抑制することができ、ひいてはガラス基板１とマスク３０との位置合わせを適切に行うことができる。
【００６２】
なお、この第３の実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
・本実施形態においては、第２の実施形態によるガラス基板１とマスク３０との位置合わせに際し、更に静電吸着を併用することとしたが、第１の実施形態によるガラス基板１とマスク３０との位置合わせに際し、更に静電吸着を併用するようにしてもよい。
【００６３】
（その他の実施形態）
その他、上記各実施形態に共通して変更可能な要素としては以下のものがある。
【００６４】
・多数の表示パネルのためのマスクの配置態様は、図５に例示したように４分割されたマスクによるものに限らない。このマスクの変更に際しては、マスクフレームの形状もマスクを固定することができる態様にて適宜変更すればよい。
【００６５】
・必ずしも多数の表示パネルを同時に形成するものにも限らない。
・ガラス基板１の４辺の支持態様に関しては、上記辺支持部材５０によるものに限らない。例えば、図１２に示すように、各辺を等間隔に３等分した２つの等分点を支持する支持部材を用いてもよい。これによっても、ガラス基板の辺の長さが長くなった場合に、４辺を支持することで、たわみを抑制することはできる。更に、４辺の支持態様は、同図１２に例示するものにも限らない。ただし、各辺の支持態様は対称性が保たれるようにすることが望ましい。
【００６６】
・４辺支持の代わりに、少なくとも３辺を支持するようにしてもよい。
・また、マスクフレーム３１の構成も図５（ａ）に例示したものに限らない。
マスク３０を固定しつつ、支持部材５０等との干渉を排除することのできる形状であればいかなる形状のものであってもよい。
【００６７】
・真空蒸着法に限らず、ガラス基板等のＥＬ素子形成基板とマスクとの位置合わせを行う際にガラス基板に生じるたわみの抑制のために本発明は有効である。
・マスクによるＲ、Ｇ、Ｂの各領域毎のＥＬ素子の形成は、発光層の形成に限らない。例えば、ホール輸送層や電子輸送層についても、Ｒ、Ｇ、Ｂでその成膜量を変更したい場合等においては、上記各実施形態での発光層の形成工程によるようにマスクを介して形成することは有効である。したがって本発明は、その際のマスクと基板との位置合わせにも有効に適用することができる。
【００６８】
・アクティブマトリクス方式のＥＬ表示装置に限らず、単純マトリクス方式等、任意のＥＬ表示装置の製造に関して本発明は有効である。
・その他、ＥＬ素子材料は、上記実施形態において例示したものに限らず、ＥＬ表示装置として実現可能な任意のＥＬ素子材料を用いることができる。更に、マスク等の素材についても、上記実施形態で例示したものには限らない。
【００６９】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、辺支持手段により基板の少なくとも３辺を支持した状態にてマスクと基板との位置合わせが行われる。したがって、この位置合わせに際して、基板に生じるたわみを抑制することができ、ひいては位置合わせを好適に行うことができる。
【００７０】
請求項２記載の発明によれば、辺支持手段と基板との接触部においては、各対向する辺間の対象性が保たれるため、基板に生じるたわみをいっそう抑制することができる。
【００７１】
請求項３記載の発明によれば、辺支持手段として簡易な構成を有するものを用いることができる。
請求項４記載の発明によれば、マスクフレーム又はマスクにて基板を支持することで、エレクトロルミネッセンス材料の付着形成を簡易に行うことができる。
【００７２】
請求項５記載の発明によれば、辺支持手段に加えてピンにより基板が支持された状態で位置合わせを行うことで、同位置合わせをいっそう好適に行うことができる。
【００７３】
請求項６記載の発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子の付着形成を真空蒸着法によって行う場合であれ、同蒸着形成を速やかに行うことができる。
請求項７記載の発明によれば、真空容器内においても好適に基板をその上面から支持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】アクティブマトリクス方式のＥＬ表示装置を上方から見た平面図。
【図２】アクティブマトリクス方式のＥＬ表示装置についてその一部断面構造を示す断面図。
【図３】本発明にかかるＥＬ表示装置の製造方法の第１の実施形態について、その製造手順を示すフローチャート。
【図４】同実施形態における真空チャンバ内でのマスクとガラス基板との位置合わせ態様を示す斜視図。
【図５】同実施形態でのマスクとガラス基板との配置態様を示す平面図。
【図６】同実施形態におけるＥＬ素子の蒸着形成態様を模式的に示す側面図。
【図７】ガラス基板のサイズ及び支持態様と同ガラス基板に生じるたわみとの関係を説明する図。
【図８】同実施形態におけるガラス基板の支持態様を示す斜視図。
【図９】本発明にかかるＥＬ表示装置の製造方法の第２の実施形態におけるガラス基板の支持態様を示す断面図。
【図１０】本発明にかかるＥＬ表示装置の製造方法の第３の実施形態におけるガラス基板の支持態様を模式的に示す断面図。
【図１１】同実施形態のＥＬ素子の蒸着形成手順を示すフローチャート。
【図１２】上記各実施形態の変形例としてのガラス基板の支持態様を示す平面図。
【符号の説明】
１…ガラス基板１ａ…アラインメントマーク、２…ポリシリコン層、Ｃａ，Ｃｂ…チャネル、Ｄａ、Ｄｂ…ドレイン、Ｓａ，Ｓｂ…ソース、３…ゲート絶縁膜、Ｇａ、Ｇｂ…ゲート電極、４…層間絶縁膜、５…平坦化絶縁膜、１１…透明電極、１２，１３…ホール輸送層、１４…発光層、１５…電子輸送層、１６…電極、３０…マスク、３０ａ…アラインメントマーク、３０ｈ…開口部、３０ｐ…パネル形成部、３１…マスクフレーム、３２…ＣＣＤカメラ、３３…ピン、４０…ソース、５０…支持部材、６０…静電吸着装置、６１…吸着部、６２，６３…電極、６４…バッテリ。
【発明の属する技術分野】
本発明はエレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）表示装置の製造方法に係り、詳しくはマスクを介して基板面にＥＬ素子が形成されるＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＥＬ素子を用いた表示装置が注目されてきている。
このＥＬ素子は、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の透明電極からなる陽極、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphenyllamino)biphenyl）や(4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine)などからなるホール輸送層、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ２（１０−ベンゾ［ｈ］キノリノールーベリリウム錯体）などからなる発光層、Ｂｅｂｑ２などからなる電子輸送層、マグネシウム・インジウム合金などからなる電極（陰極）が順次積層形成された構造を有している。そして、このＥＬ素子では、上記電極間に所要の電圧が印加されることで、陽極から注入されたホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子が生じるとともに、この励起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出されて所要の発光が得られる。
【０００３】
また、このＥＬ素子を用いた表示装置、すなわちＥＬ表示装置は、これがカラー画像の表示装置として構成される場合、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）の３原色に各々対応して発光するＥＬ素子が例えばマトリクス状に配置されたドットマトリクスの表示装置として構成される。そして、こうしたドットマトリクスからなるＥＬ素子を駆動する方式としては、単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。
【０００４】
このうち、単純マトリクス方式は、表示パネル上にマトリクス状に配置されて各ドットを形成するＥＬ素子を走査信号に同期して外部から直接駆動する方式であり、ＥＬ素子だけで表示装置の表示パネルが構成されている。
【０００５】
また、アクティブマトリクス方式は、マトリクス状に配置されて各ドットを形成するＥＬ素子に画素駆動素子（アクティブエレメント）を設け、その画素駆動素子を走査信号によってオン・オフ状態が切り替わるスイッチとして機能させる。そして、オン状態にある画素駆動素子を介してデータ信号（表示信号、ビデオ信号）をＥＬ素子の陽極に伝達し、そのデータ信号をＥＬ素子に書き込むことで、ＥＬ素子の駆動が行われる。
【０００６】
一方、こうした表示装置に用いられるＥＬ素子の形成に際しては、真空蒸着法がよく用いられる。この真空蒸着法によるＥＬ素子の形成には、
（１）真空のチャンバ内において、基板のうちのＥＬ素子を形成する部分以外の部分をマスクするとともに、同マスクされた基板面を鉛直下方に向けて配置する工程
（２）同基板の下方から上記発光層を形成する材料等、ＥＬ素子を構成する材料を加熱して蒸発させることで、同基板面にそれら材料を蒸着形成する工程
といった、基本的には２つの工程が用いられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記態様にて基板面にＥＬ素子を形成するためには、基板とマスクとの位置合わせを極めて高精度にて行う必要がある。ただし、この位置合わせに際して、ＥＬ素子を形成する基板面を下面としてこれを支持する際、同基板面のほとんどがＥＬ素子等の形成される表示パネル領域であるために、この面を直接載置することはできない。すなわち、表示パネル領域以外の基板端部を適宜のサポートハンド等にて支持する必要がある。しかし、このような態様で基板を支持した場合には、自ずと基板の中央部にたわみが生じ易くなる。このため、基板をマスク側に移動させる際には、基板の中央部が先にマスクに接触することになり、その状態で上記位置合わせのための基板とマスクとの相対移動が行われるようになるような場合には、基板膜面に傷が発生する等、同位置合わせを適切に行うことができなくなることがある。
【０００８】
なお、位置合わせ精度の観点、あるいは蒸着精度の観点からも、上記基板とマスクとは極力近接した状態におかれることが望ましく、そうした意味からも上記問題は深刻である。
【０００９】
また、上記真空蒸着法に限らず、他の方法を用いてＥＬ素子の形成が行われる場合であれ、上記基板とマスクとの正確な位置合わせが必要とされる場合には、基板のたわみに起因して位置合わせが困難となるこうした実情も概ね共通したものとなっている。
【００１０】
本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、マスクを介してエレクトロルミネッセンス素子を形成するに際し、マスクと基板との位置合わせをより好適に行うことのできるエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、基板と該基板の下方に配置されたマスクとを位置合わせし、エレクトロルミネッセンス素子材料を前記マスクを介して前記基板に付着形成するエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記マスクを保持台上に配置されたマスクフレームに予め固定するとともに、それら保持台及びマスクフレームの少なくとも一方には前記基板を支持するための複数のピンを形成しておき、前記基板の３つ以上の辺についてそれら各辺を辺支持手段によって支持しつつ、前記各辺を支持した基板を更に同ピンにより支持した状態で前記位置合わせを行うことをその要旨とする。
【００１２】
請求項２記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記マスクはマスクフレームに固定され、前記辺支持手段は対応するマスクフレーム間より短く、前記辺支持手段が前記マスクフレームに接触しないように前記基板を載置することをその要旨とする。
【００１３】
請求項３記載の発明は、基板とマスクとを位置合わせし、エレクトロルミネッセンス素子材料を前記マスクを介して前記基板に付着形成するエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記マスクはマスクフレームに固定され、対応する前記基板の辺より短い辺を有する複数の支持部を有する辺支持手段によって、前記対応する基板の辺をそれぞれ支持しつつ、前記辺支持手段が前記マスクフレームに接触しないように前記基板を載置して前記位置合わせを行うことをその要旨とする。
【００１４】
請求項４記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記辺支持手段は対応する前記基板の辺を等分した点を支持することをその要旨とする。また、請求項５記載の発明は、請求項３または４に記載の発明において、前記辺支持手段は対応するマスクフレーム間より短いことをその要旨とする。
【００１５】
請求項６記載の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の発明において、前記位置合わせ後は、前記辺支持手段を除去し、前記基板を前記マスク及び前記マスクを固定するマスクフレームの少なくとも一方にて支持した状態で前記エレクトロルミネッセンス素子材料の付着形成を行うことをその要旨とする。また、請求項７記載の発明は、請求項１〜６のいずれかに記載の発明において、前記辺支持手段として、前記基板との接触部が各対向する辺間で対称性の保たれるものを用いることをその要旨とする。
【００１６】
請求項８記載の発明は、請求項１〜７のいずれかに記載の発明において、少なくとも前記位置合わせを真空容器内にて行うことをその要旨とする。請求項９記載の発明は、請求項１〜８のいずれかに記載の発明において、前記各辺を支持した基板の上面を更に静電吸着にて支持した状態で前記位置合わせを行うことをその要旨とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明にかかるＥＬ表示装置の製造方法をアクティブマトリクス方式のカラーＥＬ表示装置の製造方法に具体化した第１の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００１８】
図１は、本実施形態の製造対象となるＥＬ表示装置のＥＬ素子（本実施形態では有機ＥＬ素子：図中ＥＬと表記）とその周辺部についての平面図である。同図１に示されるように、このＥＬ表示装置は、大きくは、ＥＬ素子によって形成される表示ドットと、これら表示ドットの各々に対して設けられる能動素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを備えている。
【００１９】
具体的には、図１に示されるように、ＥＬ素子の駆動制御を行なうための信号線として、ゲート信号線ＧＬ及びドレイン信号線ＤＬがマトリクス状に形成されている。そして、これら各信号線の交差部に対応してＥＬ素子（表示ドット）が形成されている。なお、このＥＬ表示装置においては、カラー画像表示を可能とすべく、各表示ドットが各原色Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかに対応して形成されている。
【００２０】
また、これら各ＥＬ素子の駆動制御を各別に行なうための素子として、次のものが形成されている。まず、上記各信号線の交差部付近に、ゲート信号線ＧＬと接続され、同ゲート信号線ＧＬの活性により能動とされるスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ａが形成されている。このＴＦＴａのソースＳａは、クロム（Ｃｒ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなる容量電極ＣＥと接続されており、同ＴＦＴａが能動とされることで容量電極ＣＥにドレイン信号線ＤＬからの電圧が印加される。
【００２１】
この容量電極ＣＥは、ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ｂのゲートＧｂに接続されている。また、ＴＦＴｂのソースＳ２はＥＬ素子の陽極である透明電極１１に接続され、同ＴＦＴｂのドレインＤｂは、ＥＬ素子に電流を供給する電流源となる駆動電源線ＩＬと接続されている。これにより、上記容量電極ＣＥからゲートＧｂへの電圧の印加によって、駆動電源線ＩＬからの電流がＥＬ素子に供給されるようになる。
【００２２】
一方、上記容量電極ＣＥとの間で電荷を蓄積すべく、保持容量電極線ＣＬが形成されている。この保持容量電極線ＣＬ及び容量電極ＣＥ間の保持容量により、上記ＴＦＴｂのゲートＧｂに印加される電圧が保持される。
【００２３】
図２は、図１の一部断面図である。特に、図２（ａ）はＤ−Ｄ線に沿った断面を、また図２（ｂ）はＥ−Ｅ線に沿った断面をそれぞれ示している。同図２に示されるように、上記ＥＬ表示装置は、ガラス基板１上に、薄膜トランジスタ、ＥＬ素子を順次積層形成したものである。
【００２４】
ここで、上記容量電極ＣＥへの充電制御を行なうスイッチングトランジスタとしてのＴＦＴａは、図２（ａ）に示されるような態様にて形成されている。すなわち、上記ガラス基板１上にポリシリコン層２が形成されている。同ポリシリコン層２には、上記ソースＳａ及びドレインＤａの他、チャネルＣａや、チャネルＣａの両側に形成された低濃度領域（Lightly Doped Drain）ＬＤＤ、更には上記保持容量電極ＣＥが形成されている。そして、これらポリシリコン層２及び保持容量電極ＣＥ上には、ゲート絶縁膜３及び、クロム（Ｃｒ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなる上記ゲート信号線ＧＬやゲート電極Ｇａ、保持容量電極線ＣＬが形成されている。そして、これらの上面に、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の順に積層された層間絶縁膜４が形成されている。更に、同層間絶縁膜４は上記ドレインＤａに対応して開口され、同開口部にアルミニウム等の導電物が充填されることで、同ドレインＤａが上記ドレイン信号線ＤＬと電気的にコンタクトがとられている。更に、これらドレイン信号線ＤＬや上記層間絶縁膜４上には、例えば有機樹脂からなり、表面を平坦にする平坦化絶縁膜５が形成されている。
【００２５】
一方、ＥＬ素子を駆動する上記ＴＦＴｂは、図２（ｂ）に示されるような態様にて形成されている。すなわち、上記ガラス基板１上には、先の図２（ａ）に示したものと同等のポリシリコン層２が形成されている。このポリシリコン層２には、ＴＦＴｂのチャネルＣｂやソースＳ２、ドレインＤｂが形成されている。そして、このポリシリコン層２上には、先の図２（ａ）に示したものと同等のゲート絶縁膜３が形成されているとともに、同ゲート絶縁膜３のうちチャネルＣｂ上方には、クロム（Ｃｒ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなるゲートＧｂが形成されている。これらゲートＧｂ及びゲート絶縁膜３上には、先の図２（ａ）に示したものと同等の層間絶縁膜４、平坦化絶縁膜５が順次積層形成されている。なお、層間絶縁膜４のうち、上記ドレインＤｂに対応した部分が開口され、同開口部にアルミニウム等の導電物が充填されることで、同ドレインＤｂと上記駆動電源線ＩＬとの電気的なコンタクトがとられている。また、層間絶縁膜４及び平坦化絶縁膜５のうち、上記ソースＳ２に対応した部分が開口され、同開口部にアルミニウム等の導電物が充填されることで、同ソースＳ２とＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極１１の電気的なコンタクトがとられている。この透明電極１１は、ＥＬ素子の陽極をなすものである。
【００２６】
上記ＥＬ素子は、次のものが順次積層形成されてなる。
ａ．透明電極１１
ｂ．ホール輸送層１２：ＮＢＰからなる
ｃ．発光層１３：レッド（Ｒ）…ホスト材料（Ａｌｑ3）に赤色のドーパント（ＤＣＪＴＢ）をドープしたもの。
【００２７】
グリーン（Ｇ）…ホスト材料（Ａｌｑ3）に緑色のドーパント（Ｃｏｕｍａｒｉｎ ６）をドープしたもの。
ブルー（Ｂ）…ホスト材料（ＢＡｌｑ）に青色のドーパント（Perylene）をドープしたもの。
ｄ．電子輸送層１４：Ａｌｑ3からなる
ｅ．電子注入層１５：フッ化リチウム（ＬｉＦ）からなる
ｆ．電極（陰極）１６：アルミニウム（Ａｌ）からなる
なお、ここで、上記略称にて記載した材料の正式名称は以下のとおりである。
・「ＮＢＰ」…Ｎ，Ｎ‘−Ｄi（(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine）
・「Ａｌｑ3」…Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum
・「ＤＣＪＴＢ」…(2-(1,1-Dimethylethyl)-6-(2-(2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl)-4H-pyran-4-ylidene)propanedinitrile。
【００２８】
・「Ｃｏｕｍａｒｉｎ ６」…3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin。
・「ＢＡｌｑ」…(1,1'-Bisphenyl-4-Olato)bis(2-methyl-8-quinolinplate-N1,08)Aluminum。
【００２９】
これらホール輸送層１２や、電子輸送層１４、電子注入層１５、電極１６は、図２（ａ）に示した領域においても共通して形成されている。ただし、発光層１３については、透明電極１１に対応して島状に形成されているために、図２（ａ）に示す領域には形成されていない。なお、図２において平坦化絶縁膜５上には、絶縁膜１０が形成されている。
【００３０】
次に、本実施形態にかかるＥＬ表示装置の製造方法について説明する。
図３に、本実施形態にかかるＥＬ表示装置の製造手順を示す。同図３に示されるように、この一連の製造手順においては、まず上記ガラス基板１上にＴＦＴ及び透明電極１１を形成し（ステップ１００）、更に、ホール輸送層１２、１３を形成する（ステップ１１０）。
【００３１】
こうしてホール輸送層１２、１３が形成された上記ガラス基板１は、同ホール輸送層１２、１３の形成された面を鉛直下方にして、真空チャンバ内へ挿入される（ステップ１２０）。同チャンバ内には、図４に示す態様にて、予め上記発光層１４の形状に合わせて開口（図示略）された例えばニッケル（Ｎｉ）からなるマスク３０が配置されている。詳しくは、このマスク３０は、保持台３４上に配置されたマスクフレーム３１によって固定されている。
【００３２】
そして、真空チャンバ内に上記ホール輸送層１２、１３の形成されたガラス基板１が挿入されると、同ガラス基板１と、その下方に位置するマスク３０との位置合わせが行われる。すなわち、同図４に示すＣＣＤ（Charge Coupled Device ）カメラ３２等により、マスク３０内に形成されているアラインメントマーク３０ａ及びガラス基板１に形成されているアラインメントマーク１ａの各位置をモニタしつつ、それらアラインメントマーク３０ａ、１ａが合致するように、ガラス基板１とマスク３０との位置合わせが行われる（図３、ステップ１３０）。この図４に示すアラインメントマーク３０ａ及び１ａは見やすくするために大きく表されているが、実際には縦５０μｍ、横５０μｍの十字型をしている。
【００３３】
なお、実際には、上記工程は、カラー表示装置としての各原色Ｒ、Ｇ、Ｂに対応して各別に行われる。すなわち、ホール輸送層１３，１４の形成されたガラス基板１は、上記各原色Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する発光層１４を形成するための各別の真空チャンバへと順に挿入される。そして、これら各真空チャンバには、上記マスクと３０として、上記透明電極（陽極）１１のうち、所定の原色の発光に用いられる透明電極（陽極）１１に対応した部分のみが開口されたマスクが備えられている。すなわち、各真空チャンバ内には、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかの色に対応したマスクが備えられている。これにより、各チャンバにおいて、各原色に対応した発光層をそれぞれ所定の位置に形成することができる。
【００３４】
図５（ａ）に、マスク３０に対して位置合わせされたガラス基板１（図中、破線で表記）の配置態様を示す。このマスク３０は、本実施形態では、多数の表示パネルを一枚のガラス基板から形成すべく構成されている。詳しくは、本実施形態におけるマスク３０は、同図５（ａ）に例示されるように１６枚の表示パネルを同時に形成すべく、１６個のパネル形成部３０ｐを備えている。そして、これら１６個のパネル形成部３０ｐは、各４個のパネル形成部３０ｐが備えられた４つのマスク３０によって形成される。そして、これら各パネル形成部３０ｐは、図５（ｂ）に示されるように、該当する原色の発光に用いられる上記透明電極１１に応じて開口部３０ｈが形成されている。
【００３５】
図５（ａ）に示す態様にてマスク３０とガラス基板１との位置合わせが行われると、ガラス基板１は、マスクフレーム３１等によって支持される。そして、先の図４において、保持台３４の下方に配置された蒸着源（ソース）４０から、上記発光層１４の材料を加熱して蒸発させることで、上記マスクの開口部を介してガラス基板１表面に同材料を蒸着させる（図３、ステップ１４０）。
【００３６】
このマスク３０を介した発光層の形成態様を、図６に模式的に示す。同図６に示すように、各透明電極（陽極）１１のうち、各チャンバ内で該当する原色に対応した透明電極の形成領域以外がマスク３０で覆われる。そして、該当する原色に対応したＥＬ材料（有機ＥＬ材料）は、ソース４０内で加熱され、気化されてマスク３０の開口部３０ｈを介してガラス基板１（正確にはそのホール輸送層１３）上に蒸着形成される。
【００３７】
こうして、各チャンバ内で対応する原色の発光層が蒸着形成されたガラス基板１は、これら発光層形成用真空のチャンバから取り出され、別の真空チャンバ内で上記電子輸送層１５や電極（陰極）１６が形成される（図２、ステップ１５０）。なお、実際には、これら電子輸送層１５や電極（陰極）１６の形成は、各別の真空チャンバ内で行なわれる。
【００３８】
ところで、上記態様にて真空チャンバ内で上記ガラス基板１とマスク３０との位置合わせを行う際には、ガラス基板１及びマスクにたわみが生じる等の問題があることは前述したとおりである。特に、本実施形態のように複数の表示パネルを同時に形成すべく大型のガラス基板１を用いる場合には、同ガラス基板１のたわみも大きくなりがちである。
【００３９】
以下、このガラス基板のサイズや支持態様と同ガラス基板に生じるたわみとの関係を図７に基づいて説明する。
図７（ａ）に各ガラス基板のサイズ及びその支持態様と同ガラス基板に生じるたわみとの関係を示す。同図７（ａ）に示すケース１は、図７（ｂ）に示す支持態様にて長さＫのガラス基板を支持した場合のたわみ量を、同ガラス基板の材質別に示したデータである。これに対して、ケース２では、同図７（ｂ）の支持態様にて長さＬ（Ｌ＞Ｋ）のガラスを支持した場合のたわみ量を、同ガラス基板の材質別に示したデータである。一方、ケース３は、図７（ｃ）に示す支持態様にて長さＫのガラス基板を支持した場合のたわみ量を、同ガラス基板の材質別に示したデータである。
【００４０】
図７（ａ）から明らかなように、ガラス基板を点支持する（図７（ｃ））よりも線支持する（図７（ｂ））方がたわみを抑制することができる。更に、同図７（ａ）によれば、ガラス基板の長さが短いほどたわみを抑制することができることがわかる。ちなみに、重力加速度をｇ、ポアッソン比をσ、ガラスの密度をρ、ガラスのヤング率をＥ、ガラスの厚みをｔとすると、図７（ｂ）に示す態様にてガラス基板を支持した場合のたわみｎは、下式（ｃ１）で表される。
ｎ＝Ｋ4ｇρ（１−σ2）／６．４Ｅｔ2 …（ｃ１）
上式（ｃ１）からわかるように、ガラス基板の長さが長くなるほど、たわみ量が飛躍的に増大することがわかる。
【００４１】
そこで、本実施形態においては、図８に示す態様にてガラス基板１の４辺を辺支持部材５０で支持することで、ガラス基板１に生じるたわみを抑制するようにする。すなわち、ガラス基板１の支持されていない辺の長さが長くなるほどたわみが増大することから、ガラス基板１の４辺を辺支持することで、ガラス基板１の長さの増大によるたわみの増大を抑制する。
【００４２】
また、この４辺の支持は、ガラス基板１と辺支持部材５０との接触部が、ガラス基板１の面に対して、すなわち各対向する辺間で対称性を保つ態様にて行う。
これにより、ガラス基板１に生じるたわみを抑制する。
【００４３】
更に、本実施形態では、各辺支持部材５０によって、マスク３０と対向するガラス基板１の面の端辺を線支持する。このように、辺支持部材５０によってガラス基板１をその各辺に沿って線支持することで、ガラス基板１の表示領域に同辺支持部材５０が接触することなく、ガラス基板１を支持することができる。
【００４４】
詳しくは、同図７に示されるように、この辺支持部材５０はＬ字型をしており、ガラス基板１の下方、換言すれば、ホール輸送層１２、１３の形成された側の面をこの辺支持部材５０に載置することで、同ガラス基板１を支持する。
【００４５】
そして、これら各辺支持部材５０の長さは、ガラス基板１の各辺の長さよりも短く設定する。具体的には、辺支持部材５０のうちガラス基板１を載置する部分の長さを、ガラス基板１の外周に対応するマスクフレーム３１のうち隣接する２つのマスクフレーム３１間の長さよりも短く設定する。これにより、先の図５（ａ）に示したマスクフレーム３１と辺支持部材５０との干渉を避けることができる。すなわち、ガラス基板１とマスク３０との位置合わせが終了した後、辺支持部材５０は取り除かれる。この辺支持部材５０の長さを上記のようにすることで、図５（ａ）に一点鎖線で示す位置にて、辺支持部材５０によるガラス基板１の支持が実現されるとともに、同辺支持部材５０の除去もマスクフレーム３１と接触することなく容易に行うことができる。
【００４６】
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。
（１）ガラス基板１の４辺を辺支持部材５０によって支持しつつ、同ガラス基板１及びマスク３０の位置合わせを行った。これにより、ガラス基板１に生じるたわみを更に好適に抑制することができるとともに、ガラス基板１の蒸着面がマスク３０によって損傷することを防止できる。
【００４７】
なお、上記実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
・辺支持部材５０によってガラス基板１を支持したまま、同ガラス基板１へのＥＬ材料の蒸着形成を行ってもよい。この場合、マスクフレーム３１の形状は任意である。
【００４８】
（第２の実施形態）
以下、本発明にかかるＥＬ表示装置の製造方法をアクティブマトリクス方式のカラーＥＬ表示装置の製造方法に具体化した第２の実施形態について、上記第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
【００４９】
この第２の実施形態では、先の第１の実施形態によるガラス基板１とマスク３０との位置合わせに際し、更に以下の基板支持手法を併用する。
すなわち、本実施形態では、図５（ａ）に併せて示すように、マスクフレーム３１に樹脂及び金属等からなる複数のピン３３を設ける。このピン３３は、図９に示されるように、ガラス基板１との当接面が球面となっており、ガラス基板１とマスク３０との位置合わせに際し、この球面となっている当接面を通じてガラス基板１を支持する。これにより、位置合わせに際し、ガラス基板１に損傷を与えることなくそのたわみを抑制する。
【００５０】
詳しくは、このピン３３は、ガラス基板１面の中央部等、上記支持手段５０によって支持されない部分を少なくとも支持することができるよう配置される。また、このピン３３は、ガラス基板１の面に対して対称性を保つ態様にて配置される。
【００５１】
また、本実施形態では、ピン３３は、例えば下部にバネ（板バネを含む）を備えた伸縮可能な構成とする。これにより、ガラス基板１の自重によってピン３３は収縮するために、ガラス基板１を的確に支持することができる。更に、ピン３３をマスクフレーム３１の高さまで収縮することができるようにする。これにより、位置合わせ終了後、ガラス基板１の自重又は外部からの力によってピン３３をマスク３０の高さまで収縮させることができる。また、これに代えて、ピン３３の収縮によっても同ピン３３の高さがマスク３０の高さよりも高くなるように設定するなら、マスクとガラス基板との間にギャップを保つことができる。
【００５２】
以上説明した本実施形態によれば、先の第１の実施形態の上記（１）の効果に加えて更に以下の効果が得られるようになる。
（２）ガラス基板１をピン３３によって支持しつつ位置合わせを行うことで、位置合わせに際し、ガラス基板１に生じるたわみをいっそう好適に抑制することができる。
【００５３】
（３）ピン３３を鉛直方向に伸縮可能な構成とした。これにより、ガラス基板１とマスク３０との位置合わせを行った後、ガラス基板１のマスク３０等による支持を円滑に行なうことや、ガラス基板１を同ピン３３によって支持することでマスク３０とガラス基板１とのギャップを保つことができる。
【００５４】
なお、上記第２の実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
・ピン３３の配置態様は上記のものに限らない。要は、表示領域以外の領域においてガラス基板１を支持することのできる配置であればよい。また、マスクフレーム３１上にピンを設ける代わりに、マスクフレーム３１の保持台３４にピンを形成するなどしてもよい。
【００５５】
・ピン３３の構成は、上記のように必ずしも伸縮可能な構成でなくてもよい。
この場合、同ピン３３によってガラス基板１を支持しつつ、位置合わせやＥＬ材料の蒸着形成を行う。
【００５６】
（第３の実施形態）
以下、本発明にかかるＥＬ表示装置の製造方法をアクティブマトリクス方式のカラーＥＬ表示装置の製造方法に具体化した第３の実施形態について、上記第２の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
【００５７】
この第３の実施形態では、先の第２の実施形態によるガラス基板１とマスク３０との位置合わせに際し、更に以下の基板支持手法を併用する。
すなわち、本実施形態では、ガラス基板１の位置合わせに際して、同ガラス基板１の上面を静電吸着にて支持するようにする。すなわち、真空チャンバ内ではガラス基板１の上面を大気圧よりも低い圧力を利用して吸着するなどして支持することはできない。そこで、ガラス基板１の上面を静電吸着にて支持することで、真空チャンバ内においてもガラス基板１を吸着支持することを可能とする。
【００５８】
図１０に、この静電吸着の原理を示す。同図１０に示されるように、本実施形態で用いる静電吸着装置６０は、セラミック等からなる吸着部６１内に備えられた一対の電極６２，６３にバッテリ６４の陽極及び陰極をそれぞれ接続した装置である。この静電吸着装置６０によりガラス基板１を吸着支持することで、ガラス基板１によって生じるたわみを更に抑制することができる。
【００５９】
ここで、図１１を参照して、本実施形態におけるガラス基板１とマスク３０との位置合わせ手順について総括する。
この一連の手順においては、真空チャンバ内へガラス基板１が挿入されると（ステップ２００）、上記静電吸着装置６０及び支持部材５０によってガラス基板１を支持しつつ、これをマスク３０側へ移動させる（ステップ２１０）。そして、ガラス基板１がピン３３と接触した後、同ガラス基板１とマスク３０との位置合わせを行う（ステップ２２０）。そして、位置合わせが終了すると、静電吸着装置６０及び支持部材５０によってガラス基板１を支持しつつ、同ガラス基板１を下降させる。そして、ガラス基板１がマスク３０によって支持されるかピン３３によって支持された状態で、静電吸着装置６０及び支持部材５０を除去する（ステップ２３０）。こうして、マスク３０に対して位置合わせされ、且つガラス基板１に対してＥＬ材料を蒸着形成する（ステップ２４０）。
【００６０】
以上説明した本実施形態によれば、先の第１の実施形態の上記（１）の効果、及び先の第２の実施形態の上記（２）、（３）の効果に加えて更に以下の効果が得られるようになる。
【００６１】
（４）ガラス基板１の上面を静電吸着にて吸着支持した。これにより、ガラス基板１とマスク３０との位置合わせに際し、ガラス基板１に生じるたわみを好適に抑制することができ、ひいてはガラス基板１とマスク３０との位置合わせを適切に行うことができる。
【００６２】
なお、この第３の実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
・本実施形態においては、第２の実施形態によるガラス基板１とマスク３０との位置合わせに際し、更に静電吸着を併用することとしたが、第１の実施形態によるガラス基板１とマスク３０との位置合わせに際し、更に静電吸着を併用するようにしてもよい。
【００６３】
（その他の実施形態）
その他、上記各実施形態に共通して変更可能な要素としては以下のものがある。
【００６４】
・多数の表示パネルのためのマスクの配置態様は、図５に例示したように４分割されたマスクによるものに限らない。このマスクの変更に際しては、マスクフレームの形状もマスクを固定することができる態様にて適宜変更すればよい。
【００６５】
・必ずしも多数の表示パネルを同時に形成するものにも限らない。
・ガラス基板１の４辺の支持態様に関しては、上記辺支持部材５０によるものに限らない。例えば、図１２に示すように、各辺を等間隔に３等分した２つの等分点を支持する支持部材を用いてもよい。これによっても、ガラス基板の辺の長さが長くなった場合に、４辺を支持することで、たわみを抑制することはできる。更に、４辺の支持態様は、同図１２に例示するものにも限らない。ただし、各辺の支持態様は対称性が保たれるようにすることが望ましい。
【００６６】
・４辺支持の代わりに、少なくとも３辺を支持するようにしてもよい。
・また、マスクフレーム３１の構成も図５（ａ）に例示したものに限らない。
マスク３０を固定しつつ、支持部材５０等との干渉を排除することのできる形状であればいかなる形状のものであってもよい。
【００６７】
・真空蒸着法に限らず、ガラス基板等のＥＬ素子形成基板とマスクとの位置合わせを行う際にガラス基板に生じるたわみの抑制のために本発明は有効である。
・マスクによるＲ、Ｇ、Ｂの各領域毎のＥＬ素子の形成は、発光層の形成に限らない。例えば、ホール輸送層や電子輸送層についても、Ｒ、Ｇ、Ｂでその成膜量を変更したい場合等においては、上記各実施形態での発光層の形成工程によるようにマスクを介して形成することは有効である。したがって本発明は、その際のマスクと基板との位置合わせにも有効に適用することができる。
【００６８】
・アクティブマトリクス方式のＥＬ表示装置に限らず、単純マトリクス方式等、任意のＥＬ表示装置の製造に関して本発明は有効である。
・その他、ＥＬ素子材料は、上記実施形態において例示したものに限らず、ＥＬ表示装置として実現可能な任意のＥＬ素子材料を用いることができる。更に、マスク等の素材についても、上記実施形態で例示したものには限らない。
【００６９】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、辺支持手段により基板の少なくとも３辺を支持した状態にてマスクと基板との位置合わせが行われる。したがって、この位置合わせに際して、基板に生じるたわみを抑制することができ、ひいては位置合わせを好適に行うことができる。
【００７０】
請求項２記載の発明によれば、辺支持手段と基板との接触部においては、各対向する辺間の対象性が保たれるため、基板に生じるたわみをいっそう抑制することができる。
【００７１】
請求項３記載の発明によれば、辺支持手段として簡易な構成を有するものを用いることができる。
請求項４記載の発明によれば、マスクフレーム又はマスクにて基板を支持することで、エレクトロルミネッセンス材料の付着形成を簡易に行うことができる。
【００７２】
請求項５記載の発明によれば、辺支持手段に加えてピンにより基板が支持された状態で位置合わせを行うことで、同位置合わせをいっそう好適に行うことができる。
【００７３】
請求項６記載の発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子の付着形成を真空蒸着法によって行う場合であれ、同蒸着形成を速やかに行うことができる。
請求項７記載の発明によれば、真空容器内においても好適に基板をその上面から支持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】アクティブマトリクス方式のＥＬ表示装置を上方から見た平面図。
【図２】アクティブマトリクス方式のＥＬ表示装置についてその一部断面構造を示す断面図。
【図３】本発明にかかるＥＬ表示装置の製造方法の第１の実施形態について、その製造手順を示すフローチャート。
【図４】同実施形態における真空チャンバ内でのマスクとガラス基板との位置合わせ態様を示す斜視図。
【図５】同実施形態でのマスクとガラス基板との配置態様を示す平面図。
【図６】同実施形態におけるＥＬ素子の蒸着形成態様を模式的に示す側面図。
【図７】ガラス基板のサイズ及び支持態様と同ガラス基板に生じるたわみとの関係を説明する図。
【図８】同実施形態におけるガラス基板の支持態様を示す斜視図。
【図９】本発明にかかるＥＬ表示装置の製造方法の第２の実施形態におけるガラス基板の支持態様を示す断面図。
【図１０】本発明にかかるＥＬ表示装置の製造方法の第３の実施形態におけるガラス基板の支持態様を模式的に示す断面図。
【図１１】同実施形態のＥＬ素子の蒸着形成手順を示すフローチャート。
【図１２】上記各実施形態の変形例としてのガラス基板の支持態様を示す平面図。
【符号の説明】
１…ガラス基板１ａ…アラインメントマーク、２…ポリシリコン層、Ｃａ，Ｃｂ…チャネル、Ｄａ、Ｄｂ…ドレイン、Ｓａ，Ｓｂ…ソース、３…ゲート絶縁膜、Ｇａ、Ｇｂ…ゲート電極、４…層間絶縁膜、５…平坦化絶縁膜、１１…透明電極、１２，１３…ホール輸送層、１４…発光層、１５…電子輸送層、１６…電極、３０…マスク、３０ａ…アラインメントマーク、３０ｈ…開口部、３０ｐ…パネル形成部、３１…マスクフレーム、３２…ＣＣＤカメラ、３３…ピン、４０…ソース、５０…支持部材、６０…静電吸着装置、６１…吸着部、６２，６３…電極、６４…バッテリ。
Claims (9)
- 基板と該基板の下方に配置されたマスクとを位置合わせし、エレクトロルミネッセンス素子材料を前記マスクを介して前記基板に付着形成するエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記マスクを保持台上に配置されたマスクフレームに予め固定するとともに、それら保持台及びマスクフレームの少なくとも一方には前記基板を支持するための複数のピンを形成しておき、
前記基板の３つ以上の辺についてそれら各辺を辺支持手段によって支持しつつ、前記各辺を支持した基板を更に同ピンにより支持した状態で前記位置合わせを行うことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記マスクはマスクフレームに固定され、前記辺支持手段は対応するマスクフレーム間より短く、前記辺支持手段が前記マスクフレームに接触しないように前記基板を載置することを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 基板とマスクとを位置合わせし、エレクトロルミネッセンス素子材料を前記マスクを介して前記基板に付着形成するエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記マスクはマスクフレームに固定され、
対応する前記基板の辺より短い辺を有する複数の支持部を有する辺支持手段によって、前記対応する基板の辺をそれぞれ支持しつつ、前記辺支持手段が前記マスクフレームに接触しないように前記基板を載置して前記位置合わせを行うことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記辺支持手段は対応する前記基板の辺を等分する点を支持する請求項３に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記辺支持手段は対応するマスクフレーム間より短いことを特徴とする請求項３または４に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記位置合わせ後は、前記辺支持手段を除去し、前記基板を前記マスク及び前記マスクを固定するマスクフレームの少なくとも一方にて支持した状態で前記エレクトロルミネッセンス素子材料の付着形成を行うことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記辺支持手段として、前記基板との接触部が各対向する辺間で対称性の保たれるものを用いる請求項１〜６のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 少なくとも前記位置合わせを真空容器内にて行う請求項１〜７のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記各辺を支持した基板の上面を更に静電吸着にて支持した状態で前記位置合わせを行う請求項１〜８記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001198927A JP4707271B2 (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| TW091112860A TW560223B (en) | 2001-06-29 | 2002-06-13 | Method for preparing electro luminescence display device |
| US10/185,534 US6827622B2 (en) | 2001-06-29 | 2002-06-28 | Method of manufacturing electroluminescence display apparatus |
| CNB021251681A CN1195392C (zh) | 2001-06-29 | 2002-06-28 | 电场发光显示装置的制造方法 |
| KR10-2002-0037540A KR100485300B1 (ko) | 2001-06-29 | 2002-06-29 | 일렉트로 루미네센스 표시 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001198927A JP4707271B2 (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003017258A JP2003017258A (ja) | 2003-01-17 |
| JP4707271B2 true JP4707271B2 (ja) | 2011-06-22 |
Family
ID=19036284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001198927A Expired - Lifetime JP4707271B2 (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6827622B2 (ja) |
| JP (1) | JP4707271B2 (ja) |
| KR (1) | KR100485300B1 (ja) |
| CN (1) | CN1195392C (ja) |
| TW (1) | TW560223B (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW490714B (en) * | 1999-12-27 | 2002-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and method for forming a film |
| US20020011205A1 (en) | 2000-05-02 | 2002-01-31 | Shunpei Yamazaki | Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device |
| US7517551B2 (en) * | 2000-05-12 | 2009-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light-emitting device |
| KR100778286B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2007-11-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전기발광소자의 제조 방법 |
| SG113448A1 (en) | 2002-02-25 | 2005-08-29 | Semiconductor Energy Lab | Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device |
| US7309269B2 (en) | 2002-04-15 | 2007-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device |
| US20030221620A1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Vapor deposition device |
| TWI252706B (en) * | 2002-09-05 | 2006-04-01 | Sanyo Electric Co | Manufacturing method of organic electroluminescent display device |
| US20040123804A1 (en) | 2002-09-20 | 2004-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication system and manufacturing method of light emitting device |
| JP2005126821A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-05-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 真空蒸着装置および真空蒸着の前処理方法 |
| KR100515955B1 (ko) * | 2003-11-18 | 2005-09-23 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 상부 커버를 개폐할 수 있는 개폐장치가 구비된평판표시소자 제조장치의 공정챔버 |
| KR101073204B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2011-10-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 구동방법 |
| KR100658762B1 (ko) * | 2005-11-30 | 2006-12-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 증착용 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 증착 방법 |
| KR100741092B1 (ko) * | 2005-12-07 | 2007-07-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 |
| US8304014B2 (en) * | 2006-02-09 | 2012-11-06 | Global Oled Technology Llc | Aligning OLED substrates to a shadow mask |
| KR100947425B1 (ko) | 2007-09-05 | 2010-03-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 증착장치 |
| JP2009170200A (ja) | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Sony Corp | 表示装置の製造方法 |
| EP2135970A1 (en) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Applied Materials, Inc. | Processing system and method for processing a substrate |
| US20090317562A1 (en) * | 2008-06-20 | 2009-12-24 | Applied Materials, Inc. | Processing system and method for processing a substrate |
| KR101232181B1 (ko) * | 2010-02-03 | 2013-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마스크 어셈블리 |
| JP5539154B2 (ja) * | 2010-10-27 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | アライメント方法、アライメント装置、及び有機ｅｌ素子製造装置 |
| CN103713466B (zh) * | 2013-12-30 | 2016-05-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制作方法 |
| EP3705600A4 (en) * | 2017-11-01 | 2021-07-14 | Dainippon Printing Co., Ltd. | VAPOR SEPARATION MASK DEVICE |
| CN113005397B (zh) * | 2019-12-20 | 2023-04-07 | 佳能特机株式会社 | 成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法 |
| KR102501615B1 (ko) * | 2019-12-20 | 2023-02-17 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법 |
| CN113005403B (zh) * | 2019-12-20 | 2023-06-20 | 佳能特机株式会社 | 成膜装置、使用其的成膜方法及电子器件的制造方法 |
| JP2021175824A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-11-04 | 大日本印刷株式会社 | 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57106758U (ja) * | 1980-12-19 | 1982-07-01 | ||
| JPH1021586A (ja) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Sony Corp | Ｄｃスパッタリング装置 |
| JPH10121241A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-12 | Nec Corp | 真空蒸着装置 |
| JPH1161379A (ja) * | 1997-08-20 | 1999-03-05 | Fujitsu Ltd | ガラス基板用蒸着装置 |
| JP2000133451A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Toray Ind Inc | 有機電界発光素子の製造方法 |
| JP2000160323A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-13 | Toyota Motor Corp | 薄膜形成方法 |
| JP2001160586A (ja) * | 2000-09-11 | 2001-06-12 | Hitachi Ltd | 基板保持装置 |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US76847A (en) * | 1868-04-14 | stover | ||
| US6827A (en) * | 1849-10-30 | Mill for grinding | ||
| US3601A (en) * | 1844-05-25 | X m mill-bush | ||
| US4143297A (en) * | 1976-03-08 | 1979-03-06 | Brown, Boveri & Cie Aktiengesellschaft | Information display panel with zinc sulfide powder electroluminescent layers |
| US4344988A (en) * | 1978-08-01 | 1982-08-17 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method for forming patterned coating |
| JPS57106758A (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-02 | Nitto Boseki Co Ltd | Glass fiber roving cloth |
| US4492180A (en) * | 1981-03-16 | 1985-01-08 | Applied Magnetics Corporation | Apparatus for indexing and registering a selected deposition mask to a substrate and method therefor |
| US4372248A (en) * | 1981-09-21 | 1983-02-08 | Applied Magnetics-Magnetic Head Division Corporation | Apparatus for accurately registering a member and a substrate in an interdependent relationship |
| US4469719A (en) * | 1981-12-21 | 1984-09-04 | Applied Magnetics-Magnetic Head Divison Corporation | Method for controlling the edge gradient of a layer of deposition material |
| US4915057A (en) * | 1985-10-23 | 1990-04-10 | Gte Products Corporation | Apparatus and method for registration of shadow masked thin-film patterns |
| JP2598353B2 (ja) * | 1991-12-04 | 1997-04-09 | アネルバ株式会社 | 基板処理装置、基板搬送装置及び基板交換方法 |
| JPH05290970A (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-05 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
| JPH0673541A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-03-15 | Kubota Corp | 蒸着装置用基板ホルダー |
| TW277139B (ja) * | 1993-09-16 | 1996-06-01 | Hitachi Seisakusyo Kk | |
| KR970000079B1 (ko) * | 1993-11-08 | 1997-01-04 | 엘지전자 주식회사 | 회로기판 동박인쇄장비의 스크린 마스크 평행도 및 스크린 마스크와 스테이지 사이의 간격조절장치 |
| KR970051901A (ko) * | 1995-12-28 | 1997-07-29 | 이우복 | 대면적 하드 마스크용 마스크 홀더 |
| US5817366A (en) * | 1996-07-29 | 1998-10-06 | Tdk Corporation | Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor |
| JPH1072668A (ja) * | 1996-09-02 | 1998-03-17 | Toray Ind Inc | 基板支持具ならびに該支持具を用いた薄膜の製造方法およびその製造装置 |
| JP3704883B2 (ja) * | 1997-05-01 | 2005-10-12 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| JPH10319870A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Nec Corp | シャドウマスク及びこれを用いたカラー薄膜ｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP4269195B2 (ja) * | 1998-09-25 | 2009-05-27 | ソニー株式会社 | 発光又は調光素子、及びその製造方法 |
| KR100618675B1 (ko) * | 1999-04-16 | 2006-09-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 엑스-선 마스크의 구조 및 그 제조방법 |
| US6469439B2 (en) * | 1999-06-15 | 2002-10-22 | Toray Industries, Inc. | Process for producing an organic electroluminescent device |
| JP2001023773A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-01-26 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 有機ｅｌ素子の製造方法と装置 |
| US6328807B1 (en) * | 1999-12-14 | 2001-12-11 | Corning Incorporated | Chuck heater for improved planar deposition process |
| TW490714B (en) * | 1999-12-27 | 2002-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and method for forming a film |
| TW451601B (en) * | 2000-08-07 | 2001-08-21 | Ind Tech Res Inst | The fabrication method of full color organic electroluminescent device |
| JP2002175878A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法 |
| JP4078813B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2008-04-23 | ソニー株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
| US6475287B1 (en) * | 2001-06-27 | 2002-11-05 | Eastman Kodak Company | Alignment device which facilitates deposition of organic material through a deposition mask |
| JP2003017254A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
| US6589382B2 (en) * | 2001-11-26 | 2003-07-08 | Eastman Kodak Company | Aligning mask segments to provide a stitched mask for producing OLED devices |
| US6935038B2 (en) * | 2002-02-14 | 2005-08-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gap gauge |
-
2001
- 2001-06-29 JP JP2001198927A patent/JP4707271B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-06-13 TW TW091112860A patent/TW560223B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-06-28 CN CNB021251681A patent/CN1195392C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-28 US US10/185,534 patent/US6827622B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-29 KR KR10-2002-0037540A patent/KR100485300B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57106758U (ja) * | 1980-12-19 | 1982-07-01 | ||
| JPH1021586A (ja) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Sony Corp | Ｄｃスパッタリング装置 |
| JPH10121241A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-12 | Nec Corp | 真空蒸着装置 |
| JPH1161379A (ja) * | 1997-08-20 | 1999-03-05 | Fujitsu Ltd | ガラス基板用蒸着装置 |
| JP2000133451A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Toray Ind Inc | 有機電界発光素子の製造方法 |
| JP2000160323A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-13 | Toyota Motor Corp | 薄膜形成方法 |
| JP2001160586A (ja) * | 2000-09-11 | 2001-06-12 | Hitachi Ltd | 基板保持装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1195392C (zh) | 2005-03-30 |
| JP2003017258A (ja) | 2003-01-17 |
| KR100485300B1 (ko) | 2005-04-27 |
| TW560223B (en) | 2003-11-01 |
| US6827622B2 (en) | 2004-12-07 |
| US20030017259A1 (en) | 2003-01-23 |
| CN1395453A (zh) | 2003-02-05 |
| KR20030003122A (ko) | 2003-01-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4707271B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| KR100603403B1 (ko) | 마스크 프레임 조립체, 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자의 제조방법 | |
| JP5677785B2 (ja) | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 | |
| EP1207557A2 (en) | Method of attaching layer material and forming layer in predetermined pattern on substrate using mask | |
| TWI553133B (zh) | 薄膜沉積裝置及利用其製造薄膜的方法 | |
| KR102474208B1 (ko) | 마스크 조립체, 이를 이용한 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR20030071651A (ko) | 증착 방법 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| TWI284006B (en) | Manufacturing method for electroluminescence display device | |
| KR20030078749A (ko) | 증착 방법 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| US20170148990A1 (en) | Mask assembly, method of manufacturing mask assembly, and method of manufacturing display apparatus | |
| KR100481346B1 (ko) | 일렉트로 루미네센스 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR100497088B1 (ko) | 일렉트로 루미네센스 표시 패널의 제조 방법 및 증착 마스크 | |
| JP6418440B2 (ja) | メタルマスク及びメタルマスクの製造方法並びにメタルマスクを用いた成膜方法 | |
| US20010009280A1 (en) | Organic electroluminescence display device | |
| JP2001134214A (ja) | 表示装置 | |
| US20160079569A1 (en) | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same | |
| JP5276716B2 (ja) | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| KR100603398B1 (ko) | 증착용 마스크 및 전계발광 디스플레이 장치 | |
| JP2004006282A (ja) | 蒸着方法及び表示装置の製造方法 | |
| JP2003017256A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 | |
| KR20040092529A (ko) | 박막 트랜지스터를 구비한 평판표시장치 | |
| JP2003157974A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法及び蒸着マスク |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20051226 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080610 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100629 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100827 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101109 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110105 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110215 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110315 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4707271 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |