KR20030078749A - 증착 방법 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

증착 방법 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

증착 공정에서, 샤도우 마스크에 의한 기판 표면의 손상을 억제한다. 마그네트(120)와 자성 재료로 이루어지는 샤도우 마스크(1)와의 사이에 유리 기판(130)을 삽입하고, 유리 기판(130)과 샤도우 마스크(1)를 밀착시킨다. 증착원(140)으로부터 샤도우 마스크(1)의 개구부(2)를 통해 유리 기판(130) 표면에 유기 EL 소자 재료의 증착을 행함으로써, 유기 EL 소자의 패턴 형성을 행한다. 샤도우 마스크(1)의 유리 기판(300) 표면에 대향하는 측의 표면에는 조면화 처리가 실시되어 있다.

Description

증착 방법 및 표시 장치의 제조 방법{DEPOSITION METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE}
본 발명은, 증착 방법 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 기판의 표면에 증착 마스크를 밀착시키고, 증착원을 상기 기판의 전체에 걸쳐 이동시키면서, 상기 증착 마스크에 형성된 복수의 개구부를 통해 상기 기판의 표면에 증착 재료를 증착시킴으로써 패턴 형성을 행하는 증착 방법 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 일렉트로 루미네센스(Electro Luminescence : 이하, 「EL」이라고 칭함) 소자를 이용한 EL 표시 장치가 CRT나 LCD 대신에 표시 장치로서 주목받고 있고, 예를 들면 그 EL 소자를 구동시키는 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, 「TFT」라고 칭함)를 구비한 EL 표시 장치의 연구 개발도 진행되고 있다.
도 10에 종래의 EL 표시 장치의 평면도를 도시하고, 도 11에 도 10의 B-B 선을 따라 취한 단면도를 도시한다. 게이트 전극(11)을 포함한 게이트 신호선(51)과, 드레인 신호선(52)과의 교점 부근에 TFT를 구비하고 있다. 그 TFT의 드레인은 드레인 신호선(52)에 접속되어 있고, 또한 게이트는 게이트 신호선(51)에 접속되어 있고, 또한 소스는 EL 소자의 양극(61)에 접속되어 있다.
표시 화소(110)는 유리나 합성 수지 등으로 이루어지는 기판 또는 도전성을갖는 기판 혹은 반도체 기판 등의 기판(10) 위에 TFT 및 유기 EL 소자를 순서로 적층 형성하여 이루어진다. 단, 기판(10)으로서 도전성을 갖는 기판 및 반도체 기판을 이용하는 경우에는 이들 기판(10) 위에 SiO2나 SiN 등의 절연막을 형성한 후에 TFT를 형성한다.
우선, 절연성 기판(10) 위에 크롬(Cr) 등의 고융점 금속으로 이루어지는 게이트 전극(11)을 형성하고, 그 위에 게이트 절연막(12), 및 p-Si 막으로 이루어지는 능동층(13)을 순서로 형성한다.
그 능동층(13)에는, 게이트 전극(11) 상방의 채널(13c)과, 이 채널(13c) 양측에, 채널(13c) 위의 스토퍼 절연막(14)을 마스크로 하여 이온 도핑하고 다시 게이트 전극(11)의 양측을 레지스트로써 커버하고 이온 도핑하여 게이트 전극(11)의 양측에 저농도 영역과 그 외측에 고농도 영역의 소스(13s) 및 드레인(13d)이 형성되어 있다. 즉, 소위 LDD(Lightly Doped Drain) 구조이다.
그리고, 게이트 절연막(12), 능동층(13) 및 스토퍼 절연막(14) 위의 전면에, SiO2막, SiN막 및 SiO2막의 순서로 적층된 층간 절연막(15)을 형성하고, 드레인(13d)에 대응하여 형성한 컨택트홀에 Al 등의 금속을 충전하여 드레인 전극(16)을 형성한다. 또한 전면에 예를 들면 유기 수지로 이루어지며 표면을 평탄하게 하는 평탄화 절연막(17)을 형성한다. 그리고, 그 평탄화 절연막(17)의 소스(13s)에 대응한 위치에 컨택트홀을 형성하고, 이 컨택트홀을 통해 소스(13s)와 컨택트한 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지는 소스 전극(18)을 겸한, EL 소자의양극(61)을 평탄화 절연막(17) 위에 형성한다. 그리고, 이 양극(61) 위에 EL 소자(60)를 형성한다.
유기 EL 소자(60)는 일반적인 구조로서, ITO(Indium Thin Oxide) 등의 투명 전극으로 이루어지는 양극(61), MTDATA(4, 4-bis(3-methylphenylphenylamino) biphenyl)로 이루어지는 제1 홀 수송층, TPD(4, 4, 4-tris(3-methylpheny lphenylamino)triphenylanine)로 이루어지는 제2 홀 수송층으로 이루어지는 홀 수송층(62), 퀴나크리돈(Quinacridone) 유도체를 포함하는 Bebq2(10-벤조〔h〕퀴놀리놀-베리륨 착체)로 이루어지는 발광층(63), 및 Bebq2로 이루어지는 전자 수송층(64), 마그네슘·인듐 합금 혹은 알루미늄, 혹은 알루미늄 합금으로 이루어지는 음극(65)이 이 순서로 적층 형성된 구조이다.
유기 EL 소자(60)는 양극(61)으로부터 주입된 홀과, 음극(65)으로부터 주입된 전자가 발광층의 내부에서 재결합하고, 발광층을 형성하는 유기 분자를 여기하여 여기자가 발생한다. 이 여기자가 방사하여 비활성화되는 과정에서 발광층으로부터 빛이 방출되고, 이 빛이 투명한 양극(61)으로부터 투명 절연 기판을 통해 외부로 방출되어 발광한다.
또, 상술한 기술은, 예를 들면 특개평11-283182호 공보에 기재되어 있다.
상술한 유기 EL 소자(60)의 홀 수송층(62), 발광층(63), 전자 수송층(64)에 이용되는 유기 EL 재료는 내용제성(耐溶劑性)이 낮고, 수분에도 약하다는 특성이 있기 때문에, 반도체 프로세스에서의 포토리소그래피 기술을 이용할 수 없다. 그래서, 소위 샤도우 마스크를 이용한 증착에 의해 유기 EL 소자(60)의 홀수송층(62), 발광층(63), 전자 수송층(64)의 패턴 형성을 행하고 있다.
이어서, 이러한 유기 EL 재료의 증착에 의한 패턴 형성 방법에 대하여 도 12∼도 15를 참조하면서 설명한다. 우선, 도 12에서, 참조 부호 100은 진공 증착 장치, 참조 부호 101은 진공 증착 장치(100)에 병설된 배기계, 참조 부호 109는 진공 증착 장치의 챔버 내에 설치된 지지대로서, 이 지지대(109) 위에 니켈(Ni)이나 인 바 합금(Fe64Ni36) 등의 자성 재료로 이루어지는 샤도우 마스크(증착 마스크 : 111)가 놓여진다. 샤도우 마스크(111)의 소정의 위치에는 개구부(112)가 복수개 형성되어 있다.
지지대(109) 위에 놓여지는 샤도우 마스크(111) 위에는 마그네트(120)가 상하 방향으로 이동 가능하게 배치되어 있다. 참조 부호 130은 마그네트(120)와 샤도우 마스크(111) 사이에 삽입되는, 마더글래스라고 하는 유리 기판이다. 참조 부호 140은 샤도우 마스크(111)의 하방에 배치되고, 샤도우 마스크(111)를 따라 좌우 방향으로 이동 가능한 증착원이다.
도 12에서, 지금 진공 증착 장치(100)의 챔버 내에는 배기계(101)에 의해 진공 상태로 유지되고 있는 것으로 한다. 그래서, 유리 기판(130)은 도시하지 않은 반송 기구에 의해 마그네트(120)와 샤도우 마스크(111) 사이에 삽입된다. 그리고, 도 13에 도시한 바와 같이, 유리 기판(130)은 반송 기구에 의해 샤도우 마스크(111) 위에 놓여진다.
이어서, 도 14에 도시한 바와 같이, 마그네트(120)를 유리 기판(130)의 상면과 접촉하는 위치까지 하측 방향으로 이동시킨다. 그 결과, 샤도우 마스크(111)는 마그네트(120)의 자력을 받아 유리 기판(130)의 하면, 즉 패턴 형성면에 밀착된다.
이어서, 도 15에 도시한 바와 같이, 증착원(140)을 도시하지 않은 이동 기구에 의해 유리 기판(130) 좌단으로부터 우단까지 수평 방향으로 이동시키면서, 샤도우 마스크(111)의 개구부(112)를 통해 유리 기판(130)의 표면에 상기 유기 EL 재료, 음극(65)의 재료(예를 들면 알루미늄)의 증착을 행한다. 여기서, 증착원(140)은 도 15의 지면의 수직 방향으로 가늘고 길게 연장된 도가니로 구성되고, 도가니 내에 수납된 증착 재료는 히터에 의해 가열되어 증발된다.
증착이 종료되면, 마그네트(120)는 상방으로 이동시킨다. 그리고, 유리 기판(130)은 반송 기구에 의해 샤도우 마스크(111)로부터 들어 올려지고, 다음 공정의 작업 위치까지 반송된다. 이에 의해, 유기 EL 소자(60)의 패턴 형성을 행할 수 있다.
그리고, ITO로 이루어지는 양극(61) 위에, 홀 수송층(62), 발광층(63), 전자 수송층(64)을 형성하는 경우에는, 멀티챔버 방식을 이용하여, 각 챔버 내에서 상술한 증착 방법에 의해 각 층의 패턴 형성을 행하고 있었다.
그러나, 상기 종래의 증착 방법에서는, 동일 챔버 내에서 유기 EL 소자(60)를 구성하는 홀 수송층(62), 발광층(63), 전자 수송층(64)을 연속으로 형성할 수 없었기 때문에, 예를 들면 각 층의 계면에 콘터미네이션이 부착되어, 유기 EL 소자(60)의 특성이 불안정해지거나, 열화하는 등의 문제가 있었다.
또한, 풀 컬러의 유기 EL 표시 장치에서는, R, G, B의 각 표시 화소를 구비하고 있지만, R, G, B의 각 화소마다 상기한 각 층의 두께나 재료를 조정할 수 없었다.
그래서 본 발명은 재료가 서로 다른 복수의 증착층을 연속하여 패턴 형성하는 것, 및 증착층의 두께, 재료를 최적화할 수 있는 증착 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 방법 및 유기 EL 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 도면.
도 2는 도 1의 진공 증착 장치를 상면으로부터 본 도면.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 방법 및 유기 EL 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 도면.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 방법 및 유기 EL 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 도면.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 방법 및 유기 EL 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 도면.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 방법 및 유기 EL 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 도면.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 방법에 의해 형성된 유기 EL 소자의 단면도.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 진공 증착 장치를 도시한 도면.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 진공 증착 방법에 의해 형성된 유기 EL소자의 단면도.
도 10은 종래의 EL 표시 장치의 평면도.
도 11은 도 10의 B-B선을 따라 취한 단면도.
도 12는 유기 EL 재료의 증착에 의한 패턴 형성 방법을 도시한 도면.
도 13은 유기 EL 재료의 증착에 의한 패턴 형성 방법을 도시한 도면.
도 14는 유기 EL 재료의 증착에 의한 패턴 형성 방법을 도시한 도면.
도 15는 유기 EL 재료의 증착에 의한 패턴 형성 방법을 도시한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 평탄화 절연막
2 : 양극
3 : 홀 수송층
4 : 발광층
5 : 제1 전자 수송층
6 : 제2 전자 수송층
10 : 절연성 기판
11 : 게이트 전극
12 : 게이트 절연막
13 : 능동층
13c : 채널
13d : 드레인
13s : 소스
본 발명의 증착 방법은, 기판의 표면에 증착 마스크를 밀착시키고, 증착원을 상기 기판의 전체에 걸쳐 이동시키면서, 상기 증착 마스크에 형성된 복수의 개구부를 통해 상기 기판의 표면에 증착 재료를 증착함으로써 패턴 형성을 행하는 증착 방법으로서, 각각 서로 다른 증착 재료를 포함한 복수의 증착원을 형성하고, 상기 복수의 증착원을 순서로 또는 동시에 이동시킴으로써, 복수의 증착층을 연속적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 표시 장치의 제조 방법은, 절연성 기판과 상기 증착 마스크를 밀착시키고, 증착원을 상기 기판의 전체에 걸쳐 이동시키면서, 상기 증착 마스크의 개구부를 통해 상기 절연성 기판의 표면에 유기 EL 소자 재료의 증착을 행함으로써, 유기 EL 소자의 패턴 형성을 행하는 표시 장치의 제조 방법으로서, 각각 서로 다른 증착 재료를 포함한 복수의 증착원을 형성하고, 상기 복수의 증착원을 순서로 또는 동시에 이동시킴으로써, 유기 EL 소자의 각 층을 연속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 것이다.
이어서, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 도 1∼도 7은 본 발명의 제1 실시예를 설명하는 도면이다. 또, 도 9∼도 13과 동일한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 있다.
도 1은 진공 증착 장치(100)의 챔버 내에, 유리 기판(130)이 마그네트(120)와 샤도우 마스크(111) 사이에 삽입된 상태를 도시하고 있다. 또한, 도 2는, 도 1의 진공 증착 장치(100)를 상면으로부터 본 모습을 도시하고 있다.
본 실시예에서는, 진공 증착 장치(100)의 챔버 내에 이동 기구(도시되지 않음)에 의해 유리 기판(130) 주면을 따라 수평 방향으로 이동 가능한, 2개의 증착원(140, 141)을 형성한 점이 특징이다. 증착원(140, 141)은 유리 기판(130)의 1변 방향으로 가늘고 길게 연장된, 「도가니」에 의해 구성되고, 그 「도가니」 내에 수납된 증착 재료는 히터에 의해 가열되어 증발되도록 구성되어 있다.
증착 개시 전에, 증착원(140)은 유리 기판(130)의 좌단의 위치에 대기하고 있으며, 증착원(141)은 유리 기판(130)의 우단의 위치에 대기하고 있다. 또, 증착원(140)에는 발광층 재료, 증착원(141)에는 전자 수송층 재료가 세트되어 있는 것으로 한다. 다른 구성에 대해서는, 도 12와 마찬가지이다. 또, 유리 기판(130)의 패턴 형성면에는 도시하지 않았지만, 도 11에 도시한 TFT, 층간 절연막(15), 평탄화 절연막(17), ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투명 전극으로 이루어지는 양극(61)이 미리 형성되어 있고, 또한 양극(61) 위에 홀 수송층이 종래예에서 설명한 증착 방법에 의해 이미 형성되어 있는 것으로 한다.
지금, 도 1에서 진공 증착 장치(100)의 챔버 내에는 배기계(101)에 의해 진공 상태로 유지되어 있는 것으로 한다. 그래서, 유리 기판(130)은 도시하지 않은 반송 기구에 의해 마그네트(120)와 샤도우 마스크(111) 사이에 삽입된다.
그리고, 도 3에 도시한 바와 같이, 유리 기판(130)은 반송 기구에 의해 샤도우 마스크(111) 위에 놓여진다.
이어서, 도 4에 도시한 바와 같이, 마그네트(120)를 유리 기판(130)의 상면과 접촉하는 위치까지 하측 방향으로 이동시킨다. 그 결과, 샤도우 마스크(111)는 마그네트(120)의 자력을 받아 유리 기판(130)의 하면, 즉 패턴 형성면에 밀착된다.
이어서, 도 5에 도시한 바와 같이, 증착원(140)을 도시하지 않은 이동 기구에 의해 유리 기판(130) 좌단으로부터 우단까지 수평 방향으로 이동시키면서 샤도우 마스크(111)의 개구부(112)를 통해 유리 기판(130) 표면에, 발광층 재료의 증착을 행한다. 이 경우, 실제로는 증착원(140)은 호스트와 도우펀트의 2개의 증착 소스로 이루어져 있다. 이에 의해, 유기 EL 소자의 발광층이 형성된다.
그리고 도 6에 도시한 바와 같이 증착원(140)은 유리 기판(130)의 우단에 정지시키고, 증착원(141)을 좌측 방향으로 수평 이동시키면서, 동일한 샤도우 마스크(111)의 개구부(112)를 통해 유리 기판(130)의 표면에, 전자 수송층 재료의 증착을 행한다. 증착원(141)이 유리 기판(130)의 우단에 도달하면 증착이 종료된다.
이와 같이, 본 실시예에 따르면, 2개의 증착원(140, 141)을 순차적으로 이동시켜 증착을 행함으로써, 발광층과 전자 수송층을 연속으로 형성하고 있다. 그리고 마그네트(120)는 상방으로 이동시킨다. 그리고, 유리 기판(130)은 반송 기구에의해 샤도우 마스크(111)로부터 들어 올려지고, 다음 공정의 작업 위치까지 반송된다.
도 7은, 상술한 증착 방법에 의해, 형성된 유기 EL 소자의 단면도이다. 참조 부호 1은 유리 기판 위에 형성된 평탄화 절연막, 참조 부호 2는 ITO로 이루어지는 양극, 참조 부호 3은 홀 수송층이다. 홀 수송층(3)은 모든 화소에 공통으로, 표시 영역의 전체에 형성되어 있고, 이 홀 수송층(3) 위에 화소마다, 발광층(4)과 제1 전자 수송층(5)이 연속으로 형성되어 있다. 또한, 제1 전자 수송층(5) 위에는 제2 전자 수송층(6)이 모든 화소에 공통으로, 표시 영역의 전체에 형성된다.
이와 같이, 본 실시예에 따르면, 발광층(4)과 제1 전자 수송층(5)이 연속으로 형성되어 있으므로, 유기 EL 소자의 발광 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 후술한 바와 같이, R, G, B의 화소마다 발광층 및 전자 수송층의 두께, 재료를 변경할 수 있으므로, R, G, B의 유기 EL 소자의 특성을 최적화할 수 있다는 이점도 있다.
이어서 제2 실시예에 대하여, 도 8 및 도 9를 참조하면서 설명한다. 도 8은멀티챔버 방식의 진공 증착 장치(300)를 도시한 도면이다. 이 진공 증착 장치(300)는 5개의 챔버(301, 302, 303, 304, 305)를 포함하고 있으며, 챔버(301)에서 유리 기판(130) 위에 홀 수송층(3)의 증착이 행해진다. 그 후 유리 기판(130)은 챔버(302)로 반송되고, R의 화소의 발광층 및 전자 수송층의 증착이 행해진다. 그 후 유리 기판(130)은 챔버(303)로 반송되고, G의 화소의 발광층 및 전자 수송층의 증착이 행해진다.
그 후 유리 기판(130)은 챔버(304)로 반송되고, B의 화소의 발광층 및 전자 수송층의 증착이 행해진다. 그리고, 유리 기판(130)은 챔버(305)로 반송되고, 또한 전자 수송층이 모든 화소에 공통으로 증착된다.
챔버(301, 305)에 대해서는, 각각 증착원(150, 157)이 비치되어 있고, R, G, B의 화소에 대응한 3개의 챔버(302, 303, 304)에 대해서는 각각 2개의 증착원(151, 152), (153, 154), (155, 156)이 비치되어 있고, 제1 실시예의 증착 방법과 마찬가지로, 2개의 증착원을 순차적으로 또는 동시에 이동시키면서, 각각의 화소의 발광층 및 전자 수송층의 증착이 행해진다.
도 9는 이러한 증착 방법에 의해 형성된 유기 EL 소자의 단면도이다. 도 9에서, 간단하게 하기 위해 R 화소, G 화소, B 화소의 유기 EL 소자(70, 80, 90)만을 도시하고 있으며, 구동용 TFT에 대해서는 도시를 생략하고 있다.
R 화소의 유기 EL 소자(70)는, 양극(71) 위에 공통된 홀 수송층(3)을 개재하여, 발광층(72) 및 전자 수송층(73)이 연속으로 형성되어 있고, 그 상층에 공통된 전자 수송층(6)이 형성되어 있다. 또한, G 화소의 유기 EL 소자(80)는 양극(81) 위에 공통된 홀 수송층(3)을 통해, 발광층(82) 및 전자 수송층(83)이 연속으로 형성되어 있고, 그 상층에 공통된 전자 수송층(6)이 형성되어 있다.
또한, B 화소의 유기 EL 소자(90)는, 양극(91) 위에 공통된 홀 수송층(3)을 개재하여, 발광층(92) 및 전자 수송층(93)이 연속으로 형성되어 있고, 그 상층에 공통된 전자 수송층(6)이 형성되어 있다.
따라서, 본 실시예에 따르면, R, G, B의 각 화소마다 발광층과 전자 수송층을 연속으로 형성하여, 발광 특성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 이들의 두께, 재료를 임의로 적절하게 변경하여, R, G, B의 각 화소에 최적의 조건으로 설정할 수 있다.
또, 상기 실시예에서는 2개의 증착원을 형성하고, 2층을 연속으로 형성하는 경우에 대해 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 3개 이상의 증착원을 형성하여, 3층 이상의 층을 연속으로 형성할 수도 있다.
본 발명의 증착 방법에 따르면, 복수의 증착원을 순차적으로 시동시키면서, 기판 위에 재료가 서로 다른 복수의 증착층을 연속하여 패턴 형성하고 있으므로, 증착층의 계면 상태를 안정화할 수 있다. 또한, 증착층의 두께, 재료를 최적화할 수 있다.
특히, 이 증착 방법을 유기 EL 소자의 제조에 적용함으로써, 발광 특성을 안정시킬 수 있다. 또한 유기 EL 소자를 구성하는 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층을 R, G, B의 각 화소마다 최적화할 수 있게 되어, EL 표시 장치의 품위를 향상시킬 수 있게 된다.

Claims (5)

  1. 기판의 표면에 증착 마스크를 밀착시키고, 증착원을 상기 기판의 전체에 걸쳐 이동시키면서, 상기 증착 마스크에 형성된 복수의 개구부를 통해 상기 기판의 표면에 증착 재료를 증착함으로써 패턴 형성을 행하는 증착 방법으로서,
    각각 서로 다른 증착 재료를 포함한 복수의 증착원을 형성하고, 상기 복수의 증착원을 순서로 또는 동시에 이동시킴으로써, 복수의 증착층을 연속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 증착 재료는 유기 EL 재료인 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  3. 절연성 기판과 증착 마스크를 밀착시키고, 증착원을 상기 기판의 전체에 걸쳐 이동시키면서, 상기 증착 마스크의 개구부를 통해 상기 절연성 기판의 표면에 유기 EL 소자 재료의 증착을 행함으로써, 유기 EL 소자의 패턴 형성을 행하는 표시 장치의 제조 방법으로서,
    각각 서로 다른 증착 재료를 포함한 복수의 증착원을 형성하고, 상기 복수의 증착원을 순서로 또는 동시에 이동시킴으로써, 유기 EL 소자의 각 층을 연속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 층은, 적어도 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  5. R, G, B에 대응한 유기 EL 소자의 패턴 형성을 행하기 위한 제1, 제2 및 제3 증착용 챔버를 준비하는 공정과,
    상기 제1 증착용 챔버에서, 절연성 기판과 제1 증착 마스크를 밀착시키고, 각각 서로 다른 유기 EL 재료를 구비한 복수의 증착원을 상기 기판의 전체에 걸쳐 순차적으로 또는 동시에 이동시키면서, 상기 제1 증착 마스크의 개구부를 통해 상기 절연성 기판의 표면에 증착을 행함으로써, R에 대응하는 유기 EL 소자의 패턴 형성을 행하는 공정과,
    상기 절연성 기판을 제2 증착용 챔버로 이동시키고, 상기 절연성 기판과 제2 증착 마스크를 밀착시키고, 각각 서로 다른 유기 EL 재료를 구비한 복수의 증착원을 상기 기판의 전체에 걸쳐 순차적으로 또는 동시에 이동시키면서, 상기 제2 증착 마스크의 개구부를 통해 상기 절연성 기판의 표면에 증착을 행함으로써, G에 대응하는 유기 EL 소자의 패턴 형성을 행하는 공정과,
    상기 절연성 기판을 제3 증착용 챔버로 이동시키고, 상기 절연성 기판과 제3 증착 마스크를 밀착시키고, 각각 서로 다른 유기 EL 재료를 구비한 복수의 증착원을 상기 기판의 전체에 걸쳐 순차적으로 또는 동시에 이동시키면서, 상기 제3 증착 마스크의 개구부를 통해 상기 절연성 기판의 표면에 증착을 행함으로써, B에 대응하는 유기 EL 소자의 패턴 형성을 행하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3877613B2 (ja) * 2002-03-05 2007-02-07 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP2005158571A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造装置及び有機エレクトロルミネッセンスパネル
JP4538650B2 (ja) * 2004-06-18 2010-09-08 京セラ株式会社 蒸着装置
US8227688B1 (en) 2005-10-17 2012-07-24 Solaria Corporation Method and resulting structure for assembling photovoltaic regions onto lead frame members for integration on concentrating elements for solar cells
US7910822B1 (en) 2005-10-17 2011-03-22 Solaria Corporation Fabrication process for photovoltaic cell
KR100700831B1 (ko) * 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의제조방법
KR100700836B1 (ko) * 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 레이저 열 전사법 그리고 이를이용한 유기 발광소자의 제조방법
JP5064810B2 (ja) * 2006-01-27 2012-10-31 キヤノン株式会社 蒸着装置および蒸着方法
US20070262326A1 (en) * 2006-05-10 2007-11-15 Touchtek Corporation LED multi-layer metals primary electrodes manufacturing process & installation
JP5051869B2 (ja) 2006-06-14 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 発光素子および発光素子の製造方法
KR101192798B1 (ko) * 2006-06-30 2012-10-18 엘지디스플레이 주식회사 섀도우 마스크 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조 방법
KR100836471B1 (ko) * 2006-10-27 2008-06-09 삼성에스디아이 주식회사 마스크 및 이를 이용한 증착 장치
US7910392B2 (en) 2007-04-02 2011-03-22 Solaria Corporation Method and system for assembling a solar cell package
US8119902B2 (en) 2007-05-21 2012-02-21 Solaria Corporation Concentrating module and method of manufacture for photovoltaic strips
US7910035B2 (en) 2007-12-12 2011-03-22 Solaria Corporation Method and system for manufacturing integrated molded concentrator photovoltaic device
DE102008037387A1 (de) * 2008-09-24 2010-03-25 Aixtron Ag Verfahren sowie Vorrichtung zum Abscheiden lateral strukturierter Schichten mittels einer magnetisch auf einem Substrathalter gehaltenen Schattenmaske
JP2011233510A (ja) * 2010-04-05 2011-11-17 Canon Inc 蒸着装置
CN102479891A (zh) * 2010-11-30 2012-05-30 比亚迪股份有限公司 一种发光二极管外延片、芯片及其制作方法
WO2012126016A2 (en) * 2011-03-17 2012-09-20 Kateeva, Inc. Apparatus and methods for depositing one or more organic materials on a substrate
USD699176S1 (en) 2011-06-02 2014-02-11 Solaria Corporation Fastener for solar modules
CN104233193A (zh) * 2013-06-06 2014-12-24 上海和辉光电有限公司 蒸镀装置及蒸镀方法
JP5455099B1 (ja) 2013-09-13 2014-03-26 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
JP5516816B1 (ja) * 2013-10-15 2014-06-11 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP5641462B1 (ja) 2014-05-13 2014-12-17 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
DE202016008840U1 (de) 2015-02-10 2020-02-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Metallblech
CN104928621B (zh) * 2015-05-15 2017-10-31 京东方科技集团股份有限公司 一种制作掩膜板时使用的张网装置及张网方法
CN106835023B (zh) * 2016-12-23 2019-10-01 上海天马微电子有限公司 蒸镀装置以及蒸镀方法
CN106868454A (zh) * 2017-03-10 2017-06-20 南京攀诺德自动化设备有限公司 一种减小蒸镀掩膜板变形的方法
CN110462095B (zh) * 2017-11-01 2021-10-01 京东方科技集团股份有限公司 在基板上沉积沉积材料的蒸镀板、蒸镀设备、以及在基板上沉积沉积材料的方法
CN109680245A (zh) * 2019-02-20 2019-04-26 湖畔光电科技(江苏)有限公司 一种新型蒸镀用金属掩模板及蒸镀装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4099483A (en) * 1976-04-07 1978-07-11 Shandon Southern Products Limited Tissue processing apparatus
DE4325885A1 (de) * 1993-08-02 1995-02-09 Basf Ag Elektrolumineszierende Anordnung
US5701055A (en) * 1994-03-13 1997-12-23 Pioneer Electronic Corporation Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same
US5902688A (en) * 1996-07-16 1999-05-11 Hewlett-Packard Company Electroluminescent display device
JP3999837B2 (ja) * 1997-02-10 2007-10-31 Tdk株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US6130001A (en) * 1997-07-15 2000-10-10 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with continuous organic medium
US6337102B1 (en) * 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
TW439387B (en) * 1998-12-01 2001-06-07 Sanyo Electric Co Display device
EP1096568A3 (en) * 1999-10-28 2007-10-24 Sony Corporation Display apparatus and method for fabricating the same
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
MY141175A (en) * 2000-09-08 2010-03-31 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus
US6637998B2 (en) * 2001-10-01 2003-10-28 Air Products And Chemicals, Inc. Self evacuating micro environment system

Also Published As

Publication number Publication date
TW200304761A (en) 2003-10-01
TW589919B (en) 2004-06-01
US20030228417A1 (en) 2003-12-11
KR100555262B1 (ko) 2006-03-03
CN100510158C (zh) 2009-07-08
CN1450197A (zh) 2003-10-22

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