KR100700831B1 - 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의제조방법 - Google Patents
레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의제조방법 Download PDFInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 202
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 134
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 claims description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 92
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N copper gold Chemical compound [Cu].[Au] QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000243 photosynthetic effect Effects 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 1
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B41M5/382—Contact thermal transfer or sublimation processes
- B41M5/38207—Contact thermal transfer or sublimation processes characterised by aspects not provided for in groups B41M5/385 - B41M5/395
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Abstract
본 발명은 레이저 열 전사법에 의해 도너필름과 억셉터기판을 라미네이션할 시에, 자성력에 의해 효과적으로 라미네이션시킬 수 있도록 한 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 레이저 열 전사법은 공정챔버 내의 기판스테이지 상에 적어도 일면에 자석층이 형성된 억셉터기판을 위치시키는 단계; 상기 억셉터기판 상에 자석층을 포함한 도너필름을 위치시키는 단계; 상기 도너필름에 형성된 자석층과 상기 억셉터기판의 자석층 사이에 작용하는 자기력에 의해 상기 도너필름과 상기 억셉터기판을 라미네이션하는 단계; 및 상기 도너필름 상에 레이저를 조사하여 전사층의 적어도 일영역을 억셉터기판 상에 전사시키는 단계를 포함한다. 이러한 구성에 의하여, 도너필름과 억셉터기판 사이의 밀착성이 향상될 뿐만 아니라 유기 발광소자의 수명, 수율 및 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
도너필름, 억셉터기판, 자석층, 라미네이션, 레이저 열 전사법
Description
도 1은 종래기술에 따른 레이저 열 전사 장치의 부분단면도.
도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 일측면에 따른 레이저 열 전사법을 설명하기 위한 공정의 단계별 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 레이저 전사용 도너필름의 제1 실시예를 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 레이저 전사용 도너필름의 제2 실시예를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 억셉터기판의 제1 실시예를 나타내는 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 억셉터기판의 제2 실시예를 나타내는 단면도.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 다른 측면에 따른 유기 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
♣ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣
280, 820 : 도너필름 270 : 억셉터기판
200a : 공정챔버 200b : 이송챔버
222 : 제1 장착홈 221 : 제2 장착홈
271, 330, 420 : 자석층
본 발명은 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 레이저 열 전사법을 이용하여 억셉터기판 상에 유기막층을 형성할 시, 자기력에 의해 도너필름과 억셉터기판을 라미네이션시킬 수 있는 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
유기 발광소자의 유기막층을 형성하는 방법 중, 증착법은 섀도우 마스크를 이용하여 유기발광물질을 진공증착하여 유기막층을 형성하는 방법으로, 마스크의 변형 등에 의해 고정세의 미세패턴을 형성하기 어렵고, 대면적 표시장치에 적용하기 어렵다.
증착법의 문제점을 해결하기 위하여, 직접 유기막층을 패터닝하는 잉크젯 방식이 제안되었다. 잉크젯 방식은 발광재료를 용매에 용해 또는 분산시켜 토출액으로써 잉크젯 프린트 장치의 헤드로부터 토출시켜 유기막층을 형성하는 방법이다. 잉크젯 방식은 공정이 비교적 간단하지만, 수율저하나 막두께의 불균일성이 발생되고, 대면적의 표시장치에 적용하기 어려운 문제점이 있다.
한편, 레이저 열 전사법을 이용하여 유기막층을 형성하는 방법이 제안되었다. 레이저 열 전사법은 기재기판, 광-열 변환층 및 전사층을 포함하는 도너필름 에 레이저를 조사시켜 기재기판을 통과한 레이저를 광-열 변환층에서 열로 변환시켜 광-열 변환층을 팽창시킴으로써, 인접한 전사층을 팽창시켜, 억셉터기판에 전사층이 접착되어 전사되게 하는 방법이다. 레이저 열 전사법은 레이저로 유도된 이미징 프로세스로 고해상도의 패턴 형성, 필름 두께의 균일성, 멀티레이어 적층 능력, 대형 마더글래스로의 확장성과 같은 고유한 이점을 가지고 있다.
종래에 레이저 열 전사법을 실시할 경우, 전사가 이루어지는 챔버 내부는 발광소자 형성시의 증착 공정과 동조되도록 하기 위하여 진공상태에서 이루어지는 것이 바람직하다. 그러나, 종래의 진공상태에서 레이저 열 전사를 행하는 경우, 도너필름과 억셉터기판 사이에 이물질이나 공간이 생기게 되어 전사층의 전사 특성이 좋지 않게 되는 문제점이 있다. 따라서, 레이저 열 전사법에 있어서, 도너필름과 억셉터기판을 라미네이션시키는 방법은 중요한 의미를 가지며, 이를 해결하기 위한 여러가지 방안이 연구되고 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 종래기술에 따른 레이저 열 전사법을 구체적으로 설명한다.
도 1은 종래기술에 따른 레이저 열 전사 장치의 부분단면도이다.
도 1을 참조하면, 레이저 열 전사 장치(100)는 챔버(110) 내부에 위치하는 기판스테이지(120) 및 챔버(110) 상부에 위치한 레이저 조사장치(130)를 포함하여 구성된다.
기판스테이지(120)는 챔버(110)로 도입되는 억셉터기판(140)과 도너필름(150)을 각각 순차적으로 위치시키기 위한 것으로서, 기판스테이지(120)에는 억셉 터기판(140)과 도너필름(150)을 각각 정렬되게 하기 위한 제1 장착홈(121) 및 제2 장착홈(123)이 형성되어 있다. 제1 장착홈(121)이 억셉터기판(140)의 둘레방향을 따라 형성되고, 제2 장착홈(123)은 도너필름(150)의 둘레방향을 따라 형성된다. 통상적으로, 억셉터기판(140)은 도너필름(150)보다 면적이 작으므로, 제2 장착홈(123)보다 제1 장착홈(121)을 작게 형성한다.
이 때, 억셉터기판(140)과 도너필름(150)의 사이에 이물질이나 공간없이 라미네이션시키기 위하여, 레이저 열 전사가 이루어지는 챔버(110) 내부를 진공으로 유지하지 않고, 제1 장착홈(121) 및 제2 장착홈(123)의 하부 일구간에 파이프(161, 163)를 연결하고, 진공펌프(P)로 흡입하여 억셉터기판(140)과 도너필름(150)을 합착시킨다.
그러나, 진공펌프에 의해서 억셉터기판과 도너필름을 밀착시키는 방법은 유기 발광소자를 제작하는 다른 공정이 진공상태를 유지하는 것과 달리 챔버내부의 진공상태를 유지하지 못하게 됨으로써, 제품의 신뢰성과 수명에 좋지 못한 영향을 미치는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 전술한 종래의 문제점들을 해결하기 위해 고안된 발명으로, 본 발명의 목적은 레이저 열 전사가 진공상태에서 이루어지면서도, 도너필름과 억셉터기판 사이에 이물질이나 공간이 생기지 않으며, 자기력에 의해 도너필름과 억셉터기판을 라미네이션하는 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의 제조방법을 제공하는데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 레이저 열 전사법은 공정챔버 내의 기판스테이지 상에 적어도 일면에 자석층이 형성된 억셉터기판을 위치시키는 단계와, 상기 억셉터기판 상에 자석층을 포함한 도너필름을 위치시키는 단계와, 상기 도너필름에 형성된 자석층과 상기 억셉터기판의 자석층 사이에 작용하는 자기력에 의해 상기 도너필름과 상기 억셉터기판을 라미네이션하는 단계 및 상기 도너필름 상에 레이저를 조사하여 전사층의 적어도 일영역을 억셉터기판 상에 전사시키는 단계를 포함한다.
바람직하게, 상기 도너필름은 기재기판과, 상기 기재기판 상에 형성되는 광-열 변환층과, 상기 광-열 변환층 상에 형성되는 전사층 및 상기 광-열 변환층의 적어도 어느 일면에 형성된 자석층을 포함한다. 또한, 상기 광-열 변환층과 상기 전사층 사이에 층간삽입층을 더 포함한다. 상기 자석층은 전자석층 또는 영구자석층이며, 적어도 하나의 막대 또는 원통 형상으로 형성된다. 상기 전자석층 또는 상기 영구자석층은 동심원 모형으로 배열되거나, 복수의 열 방향과 복수의 행 방향으로 나란하게 배열된다. 그리고, 상기 영구자석층은 영구자석 나노입자로 형성되며, 상기 영구자석 나노입자는 스핀코팅，E-Beam 증착，또는 잉크젯 방법 중 어느 하나를 이용하여 형성하고, 상기 전자석층에는 전압을 인가하기 위한 전기배선이 포함된다. 또한, 상기 공정챔버는 진공챔버이다.
또한, 본 발명에 따른 레이저 열 전사법에 의해 제1 전극과 제2 전극 사이에 발광층이 형성되는 유기 발광소자의 제조방법에 있어서, 기판스테이지 상에 화소 영역이 형성되고, 자석층을 포함하는 억셉터기판을 위치시키는 억셉터기판 이송단계와, 상기 억셉터기판 상에 자석층을 포함하고 발광층을 구비한 도너필름을 이송시키는 도너필름 이송단계와, 상기 억셉터기판에 형성된 상기 자석층과 상기 도너필름에 포함된 상기 자석층 사이의 자기력에 의해 상기 억셉터기판과 상기 도너필름을 접합하는 라미네이션 단계 및 상기 도너필름에 레이저를 조사하여 상기 억셉터기판의 상기 화소 영역에 상기 발광층을 전사하는 전사단계를 포함한다.
이하에서는 본 발명의 실시예를 도시한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의 제조방법을 구체적으로 설명한다.
도 2a 내지 도 2h를 참조하여, 본 발명에 따른 레이저 열 전사법의 일실시예를 설명한다. 본 발명에 따른 레이저 열 전사법을 진행하는 레이저 열 전사 장치는 공정챔버(200a, 200b), 기판스테이지(220), 레이저 발진기(210)를 포함하여 구성된다.
챔버는 통상의 레이저 열 전사 장치에서 사용되는 공정챔버(200a)를 사용할 수 있고, 공정챔버(200a) 외부에는 자석층(미도시)을 포함하는 도너필름(280) 또는 자석층(271)를 포함하는 억셉터기판(270)을 공정챔버(200a) 내부로 이송하기 위한 로봇팔(260) 및 엔드 이펙터(end-effector;261) 등을 포함하는 이송챔버(200b)가 구비된다. 공정챔버(200a)와 이송챔버(200b) 사이에는 게이트밸브(250)가 존재한다. 게이트밸브(250)는 공정챔버(200a)와 이송챔버(200b)를 차단시켜 주는 역할을 한다.
한편, 기판스테이지(220)는 이동되기 위한 구동수단(미도시)을 더 구비할 수 있다. 예컨데, 레이저가 세로방향으로 조사될 경우, 가로방향으로 기판스테이지(220)를 이동시키는 구동수단을 더 구비할 수 있다.
또한, 기판스테이지(220)는 억셉터기판(270) 및 도너필름(280)을 수납하여 장착시키는 각각의 장착수단을 구비할 수 있다. 장착수단은 이송챔버(200b) 내의 로봇팔(260) 및 엔드 이펙터(261)와 같은 이송수단에 의해 공정챔버(200a) 내로 이송된 억셉터기판(270)이 기판스테이지(220)의 정해진 위치에 정확히 장착되도록 한다.
본 실시예에서, 장착수단은 관통홀(미도시), 가이드바(231, 241), 이동플레이트(230, 240), 지지대(미도시) 및 장착홈(221, 222)을 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 가이드바(231, 241)는 이동플레이트(230, 240) 및 지지대와 동반하여 상승 또는 하강운동하는데, 가이드바(231, 241)가 관통홀을 통과하여 상승하면서 억셉터기판(270)을 수용하고, 하강하면서 억셉터기판(270)을 장착홈(221, 222)에 안착시키게 되는 구조이다. 이때, 억셉터기판(270) 및 도너필름(280)을 정확한 위치에 안착시키기 위해 장착홈(221, 222)은 벽면이 비스듬하게 형성되는 것이 바람직하다.
상기 관통홀은 도너필름(280) 및 억셉터기판(270)을 지지하는 가이드바(231, 241)가 상하로 이동가능하도록 기판스테이지(220)에 형성된 홀이다. 그리고, 지지대는 가이드바(231, 241)와 이동플레이트(230, 240)를 지지하면서 상하로 이동가능하도록 하는 역할을 하며, 별도의 모터(미도시)와 연결되어 있다.
레이저 발진기(210)는 공정챔버(200a)의 외부 또는 내부에 설치될 수 있으며, 레이저가 상부에서 비춰질 수 있도록 설치되는 것이 바람직하다.
유기 발광소자의 제작에 적용된 본 실시예에서 레이저 열 전사법은 억셉터기판(270) 이송단계, 도너필름(280) 이송단계, 라미네이션 단계 및 전사단계를 포함한다.
억셉터기판(270) 이송단계는 레이저 열 전사 장치의 공정챔버(200a) 내로 억셉터기판(200a)을 위치시키는 단계로써, 이때, 자석층(271)을 포함하는 억셉터기판(270)을 이송챔버(200a)의 이송수단인 엔드 이펙터(261) 상에 위치시킨다.(도 2a) 그리고, 로봇팔(260)에 의해 엔드 이펙터(261)를 공정챔버(200a) 내부로 진입시켜 기판스테이지(220) 상부에 위치시킨다.(도 2b) 공정챔버(200a) 내로 이송된 억셉터기판(270)은 관통홀을 통해 상승한 가이드바(231)에 의해 받쳐진다. 그리고 나서, 엔드 이펙터(261)는 공정챔버(200a)를 빠져나가 다시 이송챔버(200b)로 이동한다.(도 2c) 억셉터기판(270)을 받친 가이드바(231)는 다시 하강하면서, 억셉터기판(270)을 기판스테이지(220)의 제1 장착홈(222) 상에 정확하게 위치시킨다.(도 2d)
도너필름(280) 이송단계는 억셉터기판(270) 이송단계에서와 마찬가지로, 이송챔버(200b) 내에 위치한 로봇팔(260)에 부착된 엔드 이펙터(261) 등의 이송수단에 의해 공정챔버(200a) 내로 이송된다.(도 2e) 이때, 도너필름(280)은 이송시에 필름트레이(290)에 의해 이송되는 것이 바람직하다. 공정챔버(200a) 내로 이송된 도너필름(280)은 관통홀을 통해 상승한 가이드바(241)에 의해 받쳐진다. 도너필름 (280)이 가이드바(241)에 받쳐지면, 로봇팔(260)에 의해 엔드 이펙터(261)는 공정챔버(200a)를 빠져나가 다시 이송챔버(200b)로 이동한다.(도 2f) 도너필름(280)을 받친 가이드바(241)는 다시 하강하면서, 도너필름(280)을 기판스테이지(220)의 제2 장착홈(221) 상에 정확하게 위치시킨다.(도 2g)
라미네이션 단계는 억셉터기판(270)에 형성된 자석층(271)과 도너필름(280)에 형성된 자석층(미도시)에 형성된 전기배선에 전력을 인가시킴으로써, 상기 억셉터기판(270)과 상기 도너필름 사이에 형성되는 자기적 인력으로 억셉터기판(270)과 도너필름(280) 사이를 접합시키는 단계이다. 이때, 공정챔버(200a) 내부는 진공 상태를 유지하므로, 도너필름(280)과 억셉터기판(270) 사이에는 이물질이나 공간이 생기는 것이 극소화되어, 전사효율이 높아진다.
전사단계는 억셉터기판(270)과 라미네이션된 도너필름(280) 상에 레이저 조사장치(210)에서 레이저를 조사하여 도너필름(280)에 형성된 발광층을 억셉터기판(270)의 화소정의막의 일영역 및 개구부에 전사하는 단계이다. 레이저를 조사할 경우, 도너필름(280)의 광-열 변환층이 부풀어 오르게 되고, 이에 따라, 인접한 발광층도 억셉터기판(270) 방향으로 부풀어 오르게 되어 발광층이 억셉터기판(270)에 접촉하게 됨으로써 전사가 이루어진다(도 2h)
이하에서는 본 발명에 따른 자석층이 포함되는 레이저 열 전사 도너필름을 설명한다. 도너필름은 억셉터기판에 전사될 전사층이 구비된 필름으로, 순차적으로 적층된 기재기판, 광-열 변환층 및 전사층을 포함하여 구성된다. 이 때, 성능 향상을 위해 광-열 변환층과 전사층 상이에 버퍼층(미도시) 및 층간삽입층 등이 더 포함될 수 있다.
본 발명에 따른 레이저 열 전사 도너필름에는 자석층이 포함된다. 이 경우, 도너필름을 이루는 여러 층들 사이에 적어도 하나의 자석층이 형성된다.
도 3은 본 발명에 따른 레이저 전사용 도너필름의 제1 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 도너필름은 기재기판(310), 광-열 변환층(320), 자석층(330), 층간삽입층(340) 및 전사층(350)으로 구성된다.
기재기판(310)은 도너필름의 지지체 역할을 수행하는 기판으로서, 투명성 고분자로 이루어지며, 두께는 10㎛ 내지 500㎛가 바람직하다. 이때, 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리스티렌 등이 투명성 고분자로서 사용될 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
광-열 변환층(320)은 레이저광을 흡수하여 열로 변환시키는 광흡수성 물질로 이루어지는 층으로서, 광-열 변환층(320)의 두께는 사용되는 광흡수성 물질 및 형성방법에 따라 다르나 금속 또는 금속의 산화물 등으로 이루어지는 경우에는 진공증착법, 전자빔증착법, 또는 스퍼터링으로 100Å 내지 5000Å로 형성되며, 유기막으로 형성되는 경우에는 압출, 그래비아, 스핀, 나이프 코팅법으로 0.1㎛ 내지 2㎛로 형성되는 것이 바람직하다.
광-열 변환층(320)의 두께가 상기 범위보다 얇게 형성되는 경우에는 에너지 흡수율이 낮아 광에서 열로 변환되는 에너지 양이 적게 되어 팽창 압력이 낮아지게 되고, 상기 범위보다 두껍게 형성되는 경우에는 도너필름과 억셉터기판 사이에서 발생하는 단차에 의한 에지 오픈 불량이 발생할 수 있다.
금속 또는 금속의 산화물 등으로 이루어지는 광흡수성 물질로는 광학 농도가 0.1 내지 0.4인 것으로, 알루미늄, 은, 크롬, 텅스텐, 주석, 니켈, 티타늄, 코발트, 아연, 금 구리, 텅스텐, 몰리브덴, 납 및 그 산화물이 있다.
또한, 유기막으로 이루어지는 광합성 물질로는 카본블랙, 흑연 또는 적외선 염료가 첨가된 고분자가 있다. 이때, 고분자 결합수지를 형성하는 물질로는 예시적으로 아크릴 (메타)아크릴레이트 올리고머, 에스테르 (메타)아크릴레이트 올리고머, 에폭시 (메타)아크릴레이트 올리고머, 우레탄 (메타)아크릴레이트 올리고머 등과 같은 (메타)아크릴레이트 올리고머, 또는 상기 올리고머 (메타)아크릴레이트 모노머의 혼합물이 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
도너필름에 삽입된 자석층(330)은 후술할 억셉터기판에 삽입된 자석층과 서로 자기력을 형성하도록 하기 위해 삽입되는 층이다.
도면에는 도시되지 않았지만, 버퍼층은 전사층의 전사특성 향상 및 전사 후의 디바이스 수명 향상을 위해 자석층(330)과 전사층(350) 사이에 도입되는 층으로서, 금속산화물, 금속황화물 또는 비금속 무기화합물이나 고분자 또는 저분자 유기물이 사용될 수 있다.
층간삽입층(340)은 광-열 변환층(320)을 보호하기 위한 것으로써, 높은 열저항을 가지는 것이 바람직하며 유기 또는 무기막으로 구성될 수 있다.
전사층(350)은 도너필름으로부터 분리되어 억셉터기판에 전사되는 층으로서, 유기 발광소자 제작에 이용되는 경우 발광층을 형성하기 위해서는 고분자 또는 저 분자 유기발광물질로 이루어질 수 있다. 또한, 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL), 정공수송층(HTL), 정공주입층(HIL)을 형성하기 위해서는 각각에 적합한 재료로 이루어질 수 있다. 이때, 각 전사층의 재료는 한정적이지 않으며, 당업자가 용이하게 추구할 수 있는 어떠한 재료도 가능하며, 압출, 그래비아, 스핀, 나이프코팅, 진공증착, CVD등의 방법으로 형성가능하다.
전술한 바와 같이 자석층(330)을 도너필름에 삽입시킴으로써, 도너필름은 자성을 지니게 되어, 억셉터기판 상부에 위치될 때 자석층이 삽입된 억셉터기판과 상호 자기적 인력을 형성한다. 따라서, 도너필름과 억셉터기판을 자력에 의해 밀착되게 한다.
도 4는 본 발명에 따른 레이저 전사용 도너필름의 제2 실시예를 나타내는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 도 3에서 자석층(330)이 광-열 변환층(320)과 층간삽입층(340) 사이에 형성되는 것과 달리, 기재기판(410)과 광-열 변환층(430) 사이에 자석층(420)이 형성되어 있다. 각 층의 기능은 도 3과 동일하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 5는 본 발명에 따른 억셉터기판의 제1 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 5를 참조하여, 억셉터기판 상의 구조를 간단히 설명하면, 기판(500) 상에는 버퍼층(502)이 형성되고, 상기 버퍼층(502)이 형성된 면과 대향하는 기판(500)의 타면에 자석층(501)이 형성되어 있다.
상기 기판(500)에 형성된 상기 자석층(501)은 전자석층 또는 영구자석층이며, 적어도 하나의 막대 또는 원통 형상으로 형성된다. 상기 전자석층 또는 상기 영구자석층은 동심원 모형으로 배열되거나, 복수의 열 방향과 복수의 행 방향으로 나란하게 배열된다. 그리고, 상기 영구자석층은 영구자석 나노입자로 형성되며, 상기 영구자석 나노입자는 스핀코팅，E-Beam 증착，또는 잉크젯 방법 중 어느 하나를 이용하여 형성하고, 상기 전자석층에는 전압을 인가하기 위한 전기배선이 포함된다.
그리고, 상기 버퍼층(502)의 일영역 상에는 액티브 채널층(503a)과 오믹콘택층(503b) 사이에 LDD층(미도시)을 포함하는 반도체층이 형성된다. 상기 반도체층 상에는 게이트 절연막(504)과 게이트 전극(505)이 패터닝되어 순차적으로 형성된다. 상기 게이트 전극(505) 상에 형성되며, 상기 반도체층 중 오믹콘택층(503b)이 노출되도록 형성된 층간절연층(506)과, 노출된 상기 오믹콘택층(503b)에 접촉되도록 소스 및 드레인 전극(507a, 507b)이 상기 층간절연층(506)의 일영역 상에 형성된다.
또한, 층간절연층(506) 상에 평탄화막(508)을 형성하고, 상기 평탄화막(508) 상에는 상기 평탄화막(508)의 일영역을 에칭하여 상기 드레인 전극(507b)이 노출되도록 형성된 비어홀(미도시)을 통해, 상기 드레인 전극(507b)과 제1 전극층(509)이 전기적으로 연결된다. 상기 제1 전극층(509)은 상기 평탄화막(508)의 일영역에 형성되며, 상기 평탄화막(508) 상에 상기 제1 전극층(509)을 적어도 부분적으로 노출시키는 개구부(511)가 형성된 화소정의막(510)이 형성되어 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 억셉터기판의 다른 실시예를 나타내는 단면도로써, 도 5와 동일한 구성에 대한 설명은 생략한다.
도 6은 본 발명에 따른 억셉터기판의 제2 실시예를 나타내는 단면도이다. 도 6은 기판(600)과 버퍼층(602) 사이에 전자석층 또는 영구자석층이 형성되어 있으며, 적어도 하나의 막대 또는 원통 형상으로 형성된다. 또한, 상기 전자석층 또는 상기 영구자석층은 동심원 모형으로 배열되거나, 복수의 열 방향과 복수의 행 방향으로 나란하게 배열된다. 그리고, 상기 영구자석층은 영구자석 나노입자로 형성되며, 상기 영구자석 나노입자는 스핀코팅，E-Beam 증착，또는 잉크젯 방법 중 어느 하나를 이용하여 형성하고, 상기 전자석층에는 전압을 인가하기 위한 전기배선이 포함된다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명에 따른 유기 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 7a에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 레이저 열 전사법에 의해 발광층을 형성할 시에는, 먼저, 자석층(701)이 포함된 억셉터기판을 준비한다. 억셉터기판은 전술한 바와 같이, 기판(700) 상에 박막트랜지스터가 형성되고, 상기 박막트랜지스터와 대향하는 기판(800)의 타면에 자석층(701)이 형성되어 있다. 상기 자석층(701)은 영구자석층일 경우에 나노입자로 이루어질 수 있으며, 스핀코팅，E-Beam 증착，또는 잉크젯 방법 중 어느 하나를 이용하여 형성한다. 그리고, 상기 박막트랜지스터 상에 제1 전극층(709) 및 상기 제1 전극층(709)의 적어도 일영역이 노출된 개구부(710)를 구비하는 화소정의막(711)이 형성되어 있다.
그리고 나서, 도 7b에서 보는 바와 같이, 억셉터기판 상에 도너필름(720)을 라미네이션시킨다. 도너필름(720)과 기판 사이에 밀착 특성이 좋을수록 후속 전사공정에서의 전사효율이 향상되므로, 도너필름(720)의 자석층(722)과 억셉터기판의 자석층(701) 사이에 작용하는 자기력에 의해 밀착 특성이 좋아진다. 본 발명의 실 시예에 따른 도너필름(720)은 기재기판(721), 자석층(722), 광-열 변환층(723), 층간삽입층(724), 전사층(725)으로 구성되어 있으나, 자석층을 포함할 수 있는 도너필름의 다른 구조를 적용하여도 됨은 물론이다.
이후, 도 7c에서 보는 바와 같이, 억셉터기판과 도너필름(720)이 라미네이션된 상태에서, 도너필름(720) 상에서 발광층(725)이 전사될 영역에만 국부적으로 레이저를 조사한다. 레이저가 조사되면, 상기 광-열 변환층(723)이 억셉터기판 방향으로 팽창함에 따라 전사층(725)도 팽창되어, 레이저가 조사된 영역의 전사층(725)이 도너필름(720)으로부터 분리되면서 억셉터기판으로 전사된다.
그리고, 도 7d에서 보는 바와 같이, 억셉터기판 상에 전사층(725b)이 전사되면 도너필름(720)과 억셉터기판을 분리시킨다. 분리된 억셉터기판 상에는 화소정의막(711)의 적어도 일영역 및 개구부에 전사층(725b)이 형성되어 있으며, 도너필름(720) 상에는 레이저가 조사된 영역의 전사층(725b)만 전사되고 나머지 부분(725a)은 그대로 도너필름(720) 상에 남아있게 된다.
마지막으로, 도 7e에서 보는 바와 같이, 억셉터기판 상에 전사층(725b)이 전사된 뒤, 상기 전사층인 발광층(725b) 상에 제2 전극층(732)을 형성하고, 유기 발광소자를 보호할 수 있도록 봉지막(730)을 형성한다. 상기 봉지막(730) 내면에는 흡수부재(731)가 형성되어 있으며, 상기 흡수부재(731)는 유기 발광소자에 침투하는 수분 등을 흡수하는 역할을 한다. 이에 따라, 유기 발광소자의 발광층(725b)이 수분 등에 의해 손상 및 부식되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으 나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 레이저 열 전사법에 의해 도너필름과 억셉터기판을 라미네이션할 시에, 레이저 열 전사가 진공상태에서 이루어지면서도 도너필름과 억셉터기판 사이에 이물질 및 공간이 생기지 않게 함과 동시에, 도너필름에 형성된 자석층과, 억셉터기판에 형성된 자석층 사이에 발생하는 자기력에 의해 도너필름과 억셉터기판을 라미네이션함으로써, 밀착성 및 유기 발광소자의 수명, 수율 및 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
Claims (12)
- 공정챔버 내의 기판스테이지 상에 적어도 일면에 자석층이 형성된 억셉터기판을 위치시키는 단계;상기 억셉터기판 상에 자석층을 포함한 도너필름을 위치시키는 단계;상기 도너필름에 형성된 자석층과 상기 억셉터기판의 자석층 사이에 작용하는 자기력에 의해 상기 도너필름과 상기 억셉터기판을 라미네이션하는 단계; 및상기 도너필름 상에 레이저를 조사하여 전사층의 적어도 일영역을 억셉터기판 상에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사법.
- 제1항에 있어서, 상기 도너필름은,기재기판;상기 기재기판 상에 형성되는 광-열 변환층;상기 광-열 변환층 상에 형성되는 전사층; 및상기 광-열 변환층의 적어도 어느 일면에 형성된 자석층을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사법.
- 제2항에 있어서, 상기 광-열 변환층과 상기 전사층 사이에 층간삽입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사법.
- 제1항에 있어서, 상기 자석층은 적어도 하나의 막대 또는 원통 형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사법.
- 제1항에 있어서, 상기 자석층은 전자석층 또는 영구자석층인 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사법.
- 제5항에 있어서, 상기 전자석층 또는 상기 영구자석층은 동심원 모형으로 배열되는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사법.
- 제5항에 있어서, 상기 전자석층 또는 상기 영구자석층은 복수의 열 방향과 복수의 행 방향으로 나란하게 배열되는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사법.
- 제5항에 있어서, 상기 영구자석층은 영구자석 나노입자로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사법.
- 제8항에 있어서, 상기 영구자석 나노입자는 스핀코팅，E-Beam 증착，또는 잉크젯 방법 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사법.
- 제5항에 있어서, 상기 전자석층에는 전압을 인가하기 위한 전기배선이 포함되는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사법.
- 제1항에 있어서, 상기 공정챔버는 진공챔버인 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사법.
- 레이저 열 전사법에 의해 제1 전극과 제2 전극 사이에 발광층이 형성되는 유기 발광소자의 제조방법에 있어서,기판스테이지 상에 화소 영역이 형성되고, 자석층을 포함하는 억셉터기판을 위치시키는 억셉터기판 이송단계;상기 억셉터기판 상에 자석층을 포함하고 발광층을 구비한 도너필름을 이송시키는 도너필름 이송단계;상기 억셉터기판에 형성된 상기 자석층과 상기 도너필름에 포함된 상기 자석층 사이의 자기력에 의해 상기 억셉터기판과 상기 도너필름을 접합하는 라미네이션 단계; 및상기 도너필름에 레이저를 조사하여 상기 억셉터기판의 상기 화소 영역에 상기 발광층을 전사하는 전사단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사법을 이용한 유기 발광소자의 제조방법.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050109824A KR100700831B1 (ko) | 2005-11-16 | 2005-11-16 | 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의제조방법 |
| US11/508,162 US7666570B2 (en) | 2005-11-16 | 2006-08-23 | Laser induced thermal imaging method and fabricating method of organic light-emitting diode using the same |
| JP2006254730A JP4901391B2 (ja) | 2005-11-16 | 2006-09-20 | レーザ熱転写法及びレーザ熱転写法を利用した有機発光素子の製造方法 |
| TW095140398A TWI335682B (en) | 2005-11-16 | 2006-11-01 | Laser induced thermal imaging method and fabricating method of organic light-emitting diode using the same |
| CN2006101485503A CN1982076B (zh) | 2005-11-16 | 2006-11-16 | 激光诱导热成像法和采用其的有机发光二极管的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050109824A KR100700831B1 (ko) | 2005-11-16 | 2005-11-16 | 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100700831B1 true KR100700831B1 (ko) | 2007-03-28 |
Family
ID=38041255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050109824A KR100700831B1 (ko) | 2005-11-16 | 2005-11-16 | 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의제조방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7666570B2 (ko) |
| JP (1) | JP4901391B2 (ko) |
| KR (1) | KR100700831B1 (ko) |
| CN (1) | CN1982076B (ko) |
| TW (1) | TWI335682B (ko) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8268657B2 (en) * | 2005-08-30 | 2012-09-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Laser induced thermal imaging apparatus |
| KR100908726B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2009-07-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 레이저 패터닝 장치 |
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| TWI335682B (en) | 2011-01-01 |
| CN1982076B (zh) | 2011-05-18 |
| US20070111117A1 (en) | 2007-05-17 |
| TW200721567A (en) | 2007-06-01 |
| JP4901391B2 (ja) | 2012-03-21 |
| JP2007141816A (ja) | 2007-06-07 |
| US7666570B2 (en) | 2010-02-23 |
| CN1982076A (zh) | 2007-06-20 |
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Legal Events
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