JPH11158605A - 真空成膜装置、そのマスク着脱装置、及びマスク位置合わせ方法 - Google Patents

真空成膜装置、そのマスク着脱装置、及びマスク位置合わせ方法

Info

Publication number
JPH11158605A
JPH11158605A JP9343645A JP34364597A JPH11158605A JP H11158605 A JPH11158605 A JP H11158605A JP 9343645 A JP9343645 A JP 9343645A JP 34364597 A JP34364597 A JP 34364597A JP H11158605 A JPH11158605 A JP H11158605A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
substrate
film
adsorber
alignment mark
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9343645A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4058149B2 (ja
Inventor
Takeshi Yamazaki
猛 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Anelva Corp
Original Assignee
Anelva Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anelva Corp filed Critical Anelva Corp
Priority to JP34364597A priority Critical patent/JP4058149B2/ja
Publication of JPH11158605A publication Critical patent/JPH11158605A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4058149B2 publication Critical patent/JP4058149B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 位置合わせ後のマスクを磁気吸引力で基板表
面に密着固定することにより、薄いマスクであっても基
板表面に密着させて、マスクと基板表面の間に隙間が生
じないようにする。 【解決手段】 非磁性材料製の基板30の上方には磁石
保持体32があり、この磁石保持体32には4個の永久
磁石34が固定されている。基板30の下方には、磁性
材料製の薄板状のマスク36があり、このマスク36に
は多数の微小な開口部38が形成されている。マスク3
6の下方には、4個の電磁石42を内蔵したマスク吸着
体40がある。マスク吸着体40は、XYZ方向に移動
可能であり、かつ、θ回転可能である。電磁石42を励
磁してマスク36をマスク吸着体40に吸着した状態で
マスク36と基板30を位置合わせし、その後、電磁石
42を非励磁にして、永久磁石34でマスク36を基板
表面に吸着する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、真空成膜装置に
おいて、パターン形成用のマスクを基板上に着脱するた
めのマスク着脱装置に関し、また、そのようなマスク着
脱装置を備えた真空成膜装置に関する。さらに、パター
ン形成用のマスクを基板に対して位置合わせするマスク
位置合わせ方法に関する。
【0002】
【従来の技術】真空中で基板上に形成される薄膜は、多
くの場合、最終的には所定の線状あるいはドット状のパ
ターンになるようにしている。基板上の薄膜を微細なパ
ターンに形成する手段としてはドライエッチングがよく
用いられている。このドライエッチングは、真空中にお
いてプラズマ放電や高温加熱を伴うものである。
【0003】ところで、カラーの表示パネルを実現する
有望な技術として、有機エレクトロルミネセンス薄膜
(例えばアルミキノリノール)を用いた技術が知られて
いる。この有機エレクトロルミネセンス薄膜は、プラズ
マ放電や高温加熱などの環境に耐えられない(150℃
が限度)ので、上述のようなドライエッチングを用いて
パターンを形成することができない。そこで、薄膜形成
の段階で最初から所定のパターンとなるように成膜する
ことが求められている。
【0004】図9(A)は基板にマスクを取り付けて有
機エレクトロルミネセンス薄膜を所定パターンに成膜す
るようにした従来技術の正面断面図である。基板10の
表面にマスク12を密着させて取り付ける。マスク12
には多数の微小な開口部14が形成されている。この開
口部14を通して蒸着物16(有機エレクトロルミネセ
ンス物質)が基板10の表面に堆積する。
【0005】有機エレクトロルミネセンス薄膜をカラー
表示パネルとして使用する場合、そのピクセル(発光
粒)の大きさは数μm程度である。そして、赤・緑・青
の3色のピクセルは数十μmの間隔で規則正しく配列さ
れる。マスク12には、このようなピクセルに対応する
位置に開口部が形成されている。
【0006】ところで、ピクセルの大きさ(すなわち開
口部14の大きさ)は上述のように微小であるから、マ
スク12の厚さが比較的厚いもの(0.5〜1.0m
m)であると、図8(A)に示すように、開口部14内
の蒸着膜16の周縁部18は、マスク12の陰になっ
て、中央部よりも膜厚が薄くなる現象が生じる。
【0007】このような膜厚の不均一性を解消するため
に、図9(B)に示すように、薄いマスク20が使われ
た。この場合は、マスク20による陰の問題はなくな
り、開口部22での蒸着物24の厚さは均一になった。
マスク20の厚さが薄ければ薄いほど、マスク20によ
る陰の問題は生じなくなるので、マスク20はできるだ
け薄い方がよい。。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】図9(B)において、
マスク20を薄くしていくと、マスク20の弛みの問題
が生じてくる。表示パネルの基板10のサイズは、例え
ば、A4サイズや、300mm角サイズである。それ以
上のサイズになることもある。マスク20のサイズも基
板10とほぼ同じである。このような大きなサイズのマ
スク20を非常に薄い板で作ると、このマスク20を基
板10の表面に取り付けたときに、図9(C)に示すよ
うに、マスク20の中央付近でマスク20が下方に弛ん
で、マスク20と基板10の表面の間に隙間26ができ
る。300mm角程度の基板サイズでは基板の中央にお
いて5mm程度も隙間ができることがある。そして、こ
の隙間26に蒸着膜24が入り込んで、蒸着パターンの
周縁部に「にじみ」が生じる。このような「にじみ」が
エレクトロルミネセンス画像の解像度を低下させること
となる。
【0009】この発明は上述の問題点を解決するために
なされたものであり、その目的は、薄いマスクを使った
場合でもマスクの弛みが生じないようなマスク着脱装置
及びマスク位置合わせ方法を提供することにある。ま
た、この発明の別の目的は、有機エレクトロルミネセン
ス薄膜を高解像度でパターン成膜できる真空成膜装置を
提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】この発明のマスク着脱装
置は、多数の貫通孔が形成されている薄板状のマスクを
基板に対して位置合わせしてから、このマスクを基板表
面に取り付けるようにしたものである。磁性材料ででき
たマスクを、電磁石を内蔵したマスク吸着体で一時的に
磁気吸着した状態で、マスクと基板との位置合わせを実
行し、その後、非磁性材料製の基板の背面側に配置され
た背面磁石の磁気吸引力でマスクを基板表面に吸着固定
するようにしている。マスクと基板を位置合わせするに
は、マスクのアライメントマークと基板のアライメント
マークを撮像装置(例えばCCDカメラ)で観察して、
両者の位置ずれ量を検出し、この位置ずれ量がゼロにな
るようにマスク吸着体を基板に対して移動させている。
マスク吸着体は、基板表面に平行な平面内で移動でき
(これによりアライメントを実行する)、また、基板表
面に垂直な方向に移動できる(これによりマスク吸着体
と基板との距離を変更できる)。
【0011】位置合わせ後のマスクは磁気吸引力で基板
表面に密着固定されるので、薄いマスクであっても基板
表面に密着することになり、マスクと基板表面の間に隙
間が生じない。したがって、蒸着膜の「にじみ」がなく
なる。このマスク着脱装置を、有機エレクトロルミネセ
ンスの成膜に利用すれば、画像の解像度が向上する。
【0012】また、マスクが磁気吸引力で基板表面に密
着固定されるので、マスクセット基板をマスク着脱ゾー
ンから成膜ゾーンに移送するときにもマスクのずれが生
じない。
【0013】背面磁石は電磁石でも永久磁石でもよい
が、好ましくは永久磁石とする。この永久磁石は磁石保
持体で保持する。磁石保持体を熱伝導の良好な材料で形
成すると、成膜中に、基板の熱を磁石保持体を介して逃
がすことができ、基板の温度上昇を抑制できる。
【0014】
【発明の実施の形態】図1は、この発明のマスク着脱装
置の一実施形態を示す斜視図であり、図2はその正面断
面図である。基板30の上方(背面側)には磁石保持体
32があり、この磁石保持体32には細長い直方体の形
状をした4個の永久磁石34が固定されている。4個の
永久磁石34は、隣り合う永久磁石が互いに逆極性にな
るように配置されている(図2を参照)。この永久磁石
34は本願発明における背面磁石に該当する。基板30
の下方(表面側)には、薄板状のマスク36があり、こ
のマスク36には多数の微小な開口部38が形成されて
いて、これらの多数の開口部38は規則正しく配列され
ている。開口部38の寸法は数μmであり、隣り合う開
口部38の間隔は数十μmである。図1と図2では、図
面を分かりやすくするために、開口部38を拡大して図
示してある。
【0015】基板30は非磁性材料(例えばガラス)で
形成されている。マスク36は磁性材料(例えば鉄)で
形成されている。この実施形態では、マスク36の厚さ
は0.05mmと薄くなっている。磁石保持体32は熱
伝導の良好な金属材料、例えば銅やアルミニウム、で形
成されている。
【0016】マスク36の下方にはマスク吸着体40が
ある。マスク吸着体40は4個の電磁石42を内蔵して
いる。このうちの2個の電磁石は励磁すると上面にN極
が発生し、残りの2個の電磁石は励磁すると上面にS極
が発生するようになっている。マスク吸着体40は、基
板30に対して、上下方向すなわちZ方向(基板表面に
垂直な方向)に移動可能でり、かつ、水平面内での2次
元方向すなわちXY方向(基板表面に平行な平面内での
2次元方向)に移動可能である。さらに、マスク吸着体
40は、基板30に対して、基板表面に垂直な軸線回り
にθ回転できる。すなわち、図2に示すように、マスク
吸着体40はXY駆動ステージ84とZ駆動ステージ8
6とθ回転ステージ88の上に搭載されている。
【0017】次に、図3を参照して、カラー表示用の有
機エレクトロルミネセンス薄膜を成膜する場合における
マスク着脱装置の動作を説明する。図3(A)におい
て、マスク着脱ゾーンにはマスク吸着体40が配置され
ている。まず、基板30をマスク着脱ゾーンに搬入し
て、所定位置に停止させる。そして、基板30の背面側
に磁石保持体32を密着させて取り付ける。これで、基
板30と磁石保持体32は一体となり、成膜が完了する
まで、基板30と磁石保持体32を一体として取り扱う
ことができる。なお、基板30と磁石保持体32をあら
かじめ互いに固定しておいてから、これをマスク着脱ゾ
ーンに移送してもよい。磁石保持体32は例えば爪状の
部品やネジなどを用いて基板30に機械的に取り付け
る。
【0018】次に、赤色の発光粒を成膜するためのマス
ク36(1枚目のマスク)をマスク吸着体40と基板3
0の間に搬入する。マスク36は基板30から離れた状
態にあるので、基板30の背面側の永久磁石34にマス
ク36が吸引されることはない。そして、このときは、
マスク吸着体40の電磁石42はまだ非励磁状態にあ
る。
【0019】次に、マスク吸着体40の電磁石42を励
磁すると、図3(B)に示すように、磁性体のマスク3
6はマスク吸着体40の表面に磁気吸着される。
【0020】次に、図4(A)に示すように、マスク吸
着体40を上昇させて、マスク36を基板30に近づけ
る。近づけたときのマスク36と基板30との間隔は1
〜1.5mm程度が適当である。このとき、マスク36
は永久磁石34から磁気吸引力を受けるが、マスク吸着
体40による磁気吸引力の方が強いので、マスク36は
マスク吸着体40に吸着されたままである。マスク吸着
体40の磁気吸引力の大きさは実験的に決定することが
でき、磁気吸引力を調整するには電磁石42に流す電流
を調整すればよい。
【0021】この状態で、マスク36と基板30の位置
合わせをする。すなわち、2台のCCDカメラ44、4
6で、基板30の表面上の2個のアライメントマーク4
8、50と、マスク36上の2個のアライメントマーク
52、54を観察して、両者が一致するように、マスク
吸着体40をXY方向に移動させ、かつ、θ回転させ
る。これを詳しく説明すると、基板30のアライメント
マーク48、50とマスク36のアライメントマーク5
2、54をCCDカメラ44、46で画像として取り込
み、両者の位置ずれ量を検出して、この位置ずれ量がゼ
ロになるように、マスク吸着体40をXYθ方向に微調
整する。これらの位置合わせ作業はコンピュータにより
自動的に行われる。
【0022】基板30は透明なので、基板30の背面側
に配置されたCCDカメラ44、46を用いて、基板の
表面側のアライメントマーク48、50とマスク36上
のアライメントマーク52、54を見通すことができ
る。これらのアライメントマークの形状は特に限定され
ないが、例えば十字型のマークとすることができる。
【0023】このアライメント作業により、マスク36
と基板30は数μmの精度で位置決めされる。
【0024】マスク36の位置合わせが完了したら、マ
スク吸着体40の電磁石42を非励磁にする。すると、
図4(B)に示すように、マスク36は基板30の背面
側の永久磁石34に磁気吸引されて、基板30の表面上
に吸着される。これにより、基板30とマスク36と磁
石保持体32が一体化される(この一体化されたものを
マスクセット基板56と呼ぶことにする)。磁性体製の
薄いマスク36は磁気吸引力によって基板30の表面に
吸着されるので、マスク36は弛むことがなく、マスク
36と基板表面との間には隙間ができない。
【0025】次に、マスク吸着体40を下げてから、マ
スクセット基板56をマスク着脱ゾーンから成膜ゾーン
に移送する。マスクは基板表面にしっかりと磁気吸着さ
れているので、マスクセット基板56を移送するときに
も、マスク36がずれることがない。成膜ゾーンでは、
有機エレクトロルミネセンスの赤色の発光粒を基板上に
パターン成膜する。蒸着膜の厚さは100〜1000μ
mである。この発明では、マスク36が磁気吸着されて
いるので、マスク36と基板表面の間には隙間がなく、
蒸着膜の「にじみ」は生じない。
【0026】赤色の発光粒の成膜が完了したら、マスク
セット基板56をマスク着脱ゾーンに戻してから、次の
ようにして、赤色用のマスク36を基板30から取り外
す。図5(A)において、マスク着脱ゾーンに戻ったマ
スクセット基板56に対してマスク吸着体40を上昇さ
せて、マスク吸着体40の上面をマスク36の表面(下
面)に近づける。そして、マスク吸着体40の電磁石4
2を励磁する。これにより、マスク36がマスク吸着体
40に磁気吸着される。
【0027】次に、図5(B)に示すように、マスク吸
着体40を十分に下げてから、電磁石42を非励磁に
し、マスク吸着体40からマスク36を取り外す。
【0028】次に、図6(A)に示すように、緑色用の
マスク58(2番目のマスク)をマスク吸着体40に載
せて、電磁石42で磁気吸着する。その後、1番目のマ
スクと同様にして、2番目のマスク58についても図4
に示すような位置合わせ作業を行い、2番目のマスク5
8を備えたマスクセット基板を作る。この場合、基板上
には、すでに赤色用の薄膜パターンが形成されており、
この赤色とは別の位置に、マスク58の開口部(緑色
用)が位置することになる。緑色の発光粒の成膜が完了
したら、同様にして、3番目のマスクを用いて、青色の
発光粒を成膜する。このようにして、同一の基板に対し
て3種類のマスクを用いて赤・緑・青の3色の発光粒を
順に成膜することで、有機エレクトロルミネセンス薄膜
によるカラー表示パネルが出来上がる。
【0029】次に、マスクの位置合わせ方法の別の例、
すなわち、蒸着膜跡を利用したマスク位置合わせ方法を
説明する。3枚のマスクには、全く同じ位置に、アライ
メント用の1対の開口をそれぞれ形成しておく。基板に
はアライメントマークを形成しなくてもよい。まず、1
番目のマスクを基板にセットする。このとき、1番目の
マスクと基板との位置合わせはそれほど厳密にする必要
はない。1番目のマスクを利用して、赤色の発光粒を成
膜する。このとき、図7(A)に示すように、1番目の
マスクのアライメント用の1対の開口を通して、1対の
蒸着膜跡84が基板30上に形成される。次に、2番目
のマスク86を基板30に対して位置合わせするときに
は、1対のCCDカメラ44を用いて、2番目のマスク
86のアライメント用の1対の開口88と上述の1対の
蒸着膜跡84を観察する。図7(B)はCCDカメラで
蒸着膜跡84と開口88を見たところであり、図面では
両者の位置がずれている。このずれをなくすように、2
番目のマスクを搭載しているマスク吸着体を移動させ
る。これにより、基板に対して1番目のマスクと2番目
のマスクの位置が同じになる。2番目のマスクを用いて
緑色用の発光粒を成膜すると、図7(A)の蒸着膜跡8
4に重なって、2番目のマスクによる蒸着膜跡が同じ位
置に形成される。次に、3番目のマスクを位置合わせす
る場合にも同様にして、この蒸着膜跡を利用する。
【0030】図7はマスク着脱ゾーンと成膜ゾーンとを
備える有機エレクトロルミネセンス薄膜用の真空成膜装
置の概略の正面断面図である。マスク着脱ゾーン60は
マスク着脱室62の内部にあり、ここにはマスク吸着体
40が配置されている。成膜ゾーン64は成膜室66の
内部にあり、ここには蒸着源69と、その上方に基板ホ
ルダー70が配置されている。マスク着脱室62と成膜
室66はそれぞれ別個の排気系76、78で排気され
る。基板30とマスク36は別個の収納棚80、82か
ら取り出されて、マスク着脱ゾーンに移送される。マス
ク着脱ゾーン60でマスク36が位置合わせされてセッ
トされたマスクセット基板56は、ゲートバルブ72を
通過してから、成膜ゾーン64に移送される。このマス
クセット基板56は、成膜ゾーン60において基板ホル
ダー70の下面に密着して取り付けられる。すなわち、
磁石保持体32の上面が基板ホルダー70の下面に密着
して取り付けられる。基板ホルダー70の内部には冷却
水74が循環していて冷却されているので、成膜中は、
基板30は磁石保持体32を介して基板ホルダー70に
より冷却される。これにより、成膜中の基板30の温度
上昇を防ぐことができる。磁石保持体32は熱伝導の良
好な銅またはアルミニウムで形成されているために、基
板30の熱は磁石保持体32を介して基板ホルダー70
に効率良く逃げていく。マスクセット基板56は例えば
爪状の部品を上下動させることでこれをすくい上げて基
板ホルダー70の下面に取り付けることができる。
【0031】
【発明の効果】この発明のマスク着脱装置は、位置合わ
せ後のマスクが磁気吸引力で基板表面に密着固定される
ので、薄いマスクであっても基板表面に密着して、マス
クと基板表面の間には隙間が生じない。したがって、蒸
着膜の「にじみ」がなくなる。このマスク着脱装置を、
有機エレクトロルミネセンスの成膜に利用すれば、画像
の解像度が向上する。また、マスクが磁気吸引力で基板
表面に密着固定されるので、マスクセット基板をマスク
着脱ゾーンから成膜ゾーンに移送するときにもマスクの
ずれが生じない。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明のマスク着脱装置の一実施一形態の斜
視図である。
【図2】図1のマスク着脱装置の正面断面図である。
【図3】マスク着脱装置の動作を示す正面断面図であ
る。
【図4】マスク着脱装置の別の動作を示す正面断面図で
ある。
【図5】マスク着脱装置のさらに別の動作を示す正面断
面図である。
【図6】マスク着脱装置のさらに別の動作を示す正面断
面図である。
【図7】マスク位置合わせ方法の別の例を示す説明図で
ある。
【図8】真空成膜装置の概略の正面断面図である。
【図9】マスクを利用した従来のパターン成膜法の正面
断面図である。
【符号の説明】
30 基板 32 磁石保持体 34 永久磁石 36 マスク 38 開口部 40 マスク吸着体 42 電磁石 44、46 CCDカメラ 48、50 基板のアライメントマーク 52、54 マスクのアライメントマーク 56 マスクセット基板 60 マスク着脱ゾーン 64 成膜ゾーン

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 多数の貫通孔が形成されている薄板状の
    マスクを、成膜すべき基板に対して位置合わせしてか
    ら、このマスクを基板の表面に取り付けるようにした、
    真空成膜装置のマスク着脱装置において、次の(ア)〜
    (カ)を備えるマスク着脱装置。 (ア)磁性材料で形成されたマスク。 (イ)電磁石を内蔵していて、マスクを一時的に磁気吸
    着するマスク吸着体。 (ウ)非磁性材料で形成された基板の背面側に配置され
    て、磁気吸引力でマスクを基板表面に保持できる背面磁
    石。 (エ)マスク上のアライメントマークと基板上のアライ
    メントマークとを撮像して両者の位置合わせ状況を観察
    できる撮像装置。 (オ)基板に対してマスク吸着体を基板表面に平行な平
    面内で相対的に移動させることのできる位置合わせ用の
    駆動機構。 (カ)基板に対してマスク吸着体を基板表面に垂直な方
    向に移動させることのできる垂直駆動機構。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のマスク着脱装置におい
    て、前記背面磁石が永久磁石であることを特徴とするマ
    スク着脱装置。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載のマスク着脱装置におい
    て、前記永久磁石が、熱伝導の良好な磁石保持体に保持
    されていることを特徴とするマスク着脱装置。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載のマスク着脱装置を設け
    たマスク着脱ゾーンと、前記マスクを取り付けた基板上
    に有機エレクトロルミネセンス薄膜を成膜する成膜ゾー
    ンとを備えた真空成膜装置。
  5. 【請求項5】 多数の貫通孔が形成されている薄板状の
    マスクを、成膜すべき基板に対して位置合わせしてか
    ら、このマスクを基板の表面に取り付ける、真空成膜装
    置のマスク位置合わせ方法において、次の(ア)〜
    (オ)の段階を備えるマスク位置合わせ方法。 (ア)マスク吸着体に内蔵された電磁石を励磁して、磁
    性材料で形成されたマスクをマスク吸着体の表面上に一
    時的に磁気吸着する段階。 (イ)マスクを磁気吸着したマスク吸着体を非磁性材料
    で形成された基板の表面に近づける段階。 (ウ)マスク上のアライメントマークと基板上のアライ
    メントマークとを撮像装置で観察する段階。 (エ)マスク上のアライメントマークの位置と基板上の
    アライメントマークの位置とが一致するように、基板に
    対してマスク吸着体を基板表面に平行な平面内で相対的
    に移動する段階。 (オ)前記電磁石を非励磁にして、非磁性材料製の基板
    の背面側に配置された背面磁石の磁気吸引力で、マスク
    吸着体上のマスクを基板表面上に吸着して保持する段
    階。
  6. 【請求項6】 請求項5に記載のマスク位置合わせ方法
    において、同一の基板上に複数のマスクを用いて複数種
    類の成膜を順次実施する場合に、前記基板上のアライメ
    ントマークが、その前の段階の成膜で使用したマスクの
    アライメント用の開口部分を通して成膜された蒸着膜跡
    であることを特徴とするマスク位置合わせ方法。
JP34364597A 1997-12-01 1997-12-01 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法 Expired - Fee Related JP4058149B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34364597A JP4058149B2 (ja) 1997-12-01 1997-12-01 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34364597A JP4058149B2 (ja) 1997-12-01 1997-12-01 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11158605A true JPH11158605A (ja) 1999-06-15
JP4058149B2 JP4058149B2 (ja) 2008-03-05

Family

ID=18363138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34364597A Expired - Fee Related JP4058149B2 (ja) 1997-12-01 1997-12-01 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4058149B2 (ja)

Cited By (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1202329A2 (en) * 2000-10-31 2002-05-02 The Boc Group, Inc. Mask Restraining method and apparatus
JP2002158090A (ja) * 2000-09-08 2002-05-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置とその作製方法及び薄膜形成装置
EP1229144A2 (en) * 2001-01-31 2002-08-07 Toray Industries, Inc. Integrated mask and method and apparatus for manufacturing organic el device using the same
JP2003293122A (ja) * 1999-12-27 2003-10-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置の作製方法
EP1209522A3 (en) * 2000-11-28 2004-09-29 Lg Electronics Inc. Mask for fabricating display panel
WO2005071130A1 (de) * 2003-12-20 2005-08-04 Aixtron Ag Verfahren und vorrichtung zum handhaben eines dielektrischen substrates und einer dielektrischen maske
JP2006172930A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 真空蒸着方法及びelディスプレイ用パネル
KR100636501B1 (ko) 2005-08-30 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법
EP1715076A1 (de) * 2005-04-20 2006-10-25 Applied Films GmbH & Co. KG Verfahren und Vorrichtung zur Maskenpositionierung
JP2007066870A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法
KR100696554B1 (ko) * 2005-12-16 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 증착 장치
KR100700822B1 (ko) 2005-08-30 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조방법
KR100700823B1 (ko) 2005-08-30 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의제조방법
KR100700832B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 레이저 열 전사 방법 그리고 이를이용한 유기 발광 표시소자
KR100700834B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의제조방법
KR100700841B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법
KR100700831B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의제조방법
KR100700833B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법
KR100700830B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 레이저 열 전사 방법
KR100700835B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사법 및 도너필름을 이용한 유기 전계 발광소자의 제조방법
KR100700836B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 레이저 열 전사법 그리고 이를이용한 유기 발광소자의 제조방법
KR100700842B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 도너필름을 이용한 레이저 열전사법
KR100711888B1 (ko) 2005-11-04 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 장치
KR100711887B1 (ko) 2005-11-04 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 장치
KR100719681B1 (ko) 2005-08-30 2007-05-17 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기발광소자의제조방법
JP2007128845A (ja) * 2005-11-04 2007-05-24 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法
KR100745337B1 (ko) 2005-11-16 2007-08-02 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법
KR100745336B1 (ko) 2005-11-16 2007-08-02 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법
KR100777534B1 (ko) * 2005-04-20 2007-11-20 어플라이드 매터리얼스 게엠베하 운트 컴퍼니 카게 자석 마스크 홀더
JP2007311257A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Tokki Corp 有機el素子形成用マスク,有機el素子の形成方法並びに有機el素子形成装置
JP2008059757A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Canon Inc 有機発光表示装置の製造方法
JP2008107564A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Ntn Corp 液体容器着脱装置および欠陥修正装置
KR100838065B1 (ko) * 2002-05-31 2008-06-16 삼성에스디아이 주식회사 박막증착기용 고정장치와 이를 이용한 고정방법
JP2008287935A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Ulvac Japan Ltd 位置合わせ方法、薄膜形成方法
WO2009090839A1 (ja) * 2008-01-16 2009-07-23 Tokki Corporation 成膜装置
JP2009249706A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Sumco Corp 蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法
US7718341B2 (en) 2005-08-30 2010-05-18 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging apparatus and manufacturing method of organic light emitting diode using the same
US7817175B2 (en) 2005-08-30 2010-10-19 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging apparatus and fabricating method of organic light emitting diode using the same
US8017295B2 (en) 2005-11-04 2011-09-13 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method and organic light emitting display device using the same
WO2011114829A1 (ja) * 2010-03-19 2011-09-22 東京エレクトロン株式会社 マスク保持装置及び薄膜形成装置
JP2012503714A (ja) * 2008-09-24 2012-02-09 アイクストロン、エスイー 基板支持体上に磁気的に保持されるシャドーマスク
CN102668215A (zh) * 2009-10-27 2012-09-12 应用材料公司 阴影掩膜对准和管理系统
JP2013089586A (ja) * 2011-10-24 2013-05-13 V Technology Co Ltd 薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法並びに有機el表示装置
JP2013124372A (ja) * 2011-12-13 2013-06-24 V Technology Co Ltd 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
JP2013227680A (ja) * 2009-02-13 2013-11-07 Hitachi High-Technologies Corp 有機elデバイス製造装置及び成膜装置並びに有機elデバイス製造方法及び成膜方法
JP2016003386A (ja) * 2014-06-19 2016-01-12 株式会社システム技研 成膜ホルダ
WO2016007214A1 (en) * 2014-07-08 2016-01-14 Applied Materials, Inc. Magnetic chucking of mask with halbach array
KR101599205B1 (ko) * 2015-01-30 2016-03-03 주식회사 테스 트레이 어셈블리 및 이를 구비한 박막증착장치
US9334556B2 (en) 2011-09-16 2016-05-10 V Technology Co., Ltd. Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern
CN105695937A (zh) * 2014-11-28 2016-06-22 上海和辉光电有限公司 磁性装置、磁力调节装置及其磁力调节方法
JP2016172932A (ja) * 2016-05-19 2016-09-29 株式会社ブイ・テクノロジー マスクの製造方法、薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法
CN106906441A (zh) * 2015-11-25 2017-06-30 佳能特机株式会社 成膜系统、磁性体部以及膜的制造方法
KR20180004005A (ko) * 2016-07-01 2018-01-10 캐논 톡키 가부시키가이샤 마스크 흡착 장치
CN112176281A (zh) * 2019-07-05 2021-01-05 佳能特机株式会社 掩模保持机构、蒸镀装置以及电子器件的制造装置
US11024488B2 (en) 2017-03-08 2021-06-01 The Japan Steel Works, Ltd. Film-forming method, manufacturing method of electronic device, and plasma atomic layer deposition apparatus
US12009183B2 (en) 2017-03-08 2024-06-11 The Japan Steel Works, Ltd. Film-forming method, manufacturing method of electronic device, and plasma atomic layer deposition apparatus

Cited By (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8968823B2 (en) 1999-12-27 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light emitting device
JP2003293122A (ja) * 1999-12-27 2003-10-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置の作製方法
US9559302B2 (en) 1999-12-27 2017-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a display device
JP2011117083A (ja) * 1999-12-27 2011-06-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
JP2002158090A (ja) * 2000-09-08 2002-05-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置とその作製方法及び薄膜形成装置
EP1202329A3 (en) * 2000-10-31 2006-04-12 The Boc Group, Inc. Mask Restraining method and apparatus
EP1202329A2 (en) * 2000-10-31 2002-05-02 The Boc Group, Inc. Mask Restraining method and apparatus
EP1209522A3 (en) * 2000-11-28 2004-09-29 Lg Electronics Inc. Mask for fabricating display panel
EP1229144A2 (en) * 2001-01-31 2002-08-07 Toray Industries, Inc. Integrated mask and method and apparatus for manufacturing organic el device using the same
EP1229144A3 (en) * 2001-01-31 2004-03-17 Toray Industries, Inc. Integrated mask and method and apparatus for manufacturing organic el device using the same
CN1311570C (zh) * 2001-01-31 2007-04-18 东丽株式会社 组合掩模及制造设备和方法,有机el装置制造设备和方法
US7396558B2 (en) 2001-01-31 2008-07-08 Toray Industries, Inc. Integrated mask and method and apparatus for manufacturing organic EL device using the same
KR100838065B1 (ko) * 2002-05-31 2008-06-16 삼성에스디아이 주식회사 박막증착기용 고정장치와 이를 이용한 고정방법
US7695596B2 (en) 2002-05-31 2010-04-13 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Device for fixing substrate for thin film sputter and method of fixing substrate using the same
WO2005071130A1 (de) * 2003-12-20 2005-08-04 Aixtron Ag Verfahren und vorrichtung zum handhaben eines dielektrischen substrates und einer dielektrischen maske
JP2006172930A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 真空蒸着方法及びelディスプレイ用パネル
EP1715076A1 (de) * 2005-04-20 2006-10-25 Applied Films GmbH & Co. KG Verfahren und Vorrichtung zur Maskenpositionierung
KR100777534B1 (ko) * 2005-04-20 2007-11-20 어플라이드 매터리얼스 게엠베하 운트 컴퍼니 카게 자석 마스크 홀더
KR100800237B1 (ko) * 2005-04-20 2008-02-01 어플라이드 매터리얼스 게엠베하 운트 컴퍼니 카게 마스크 포지셔닝 장치 및 방법
JP2006302896A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Applied Films Gmbh & Co Kg マスク位置決め用の方法および装置
US8537185B2 (en) 2005-08-30 2013-09-17 Samsung Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging apparatus and fabricating method of organic light emitting diode using the same
US7718341B2 (en) 2005-08-30 2010-05-18 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging apparatus and manufacturing method of organic light emitting diode using the same
KR100636501B1 (ko) 2005-08-30 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법
JP2007066870A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法
US7817175B2 (en) 2005-08-30 2010-10-19 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging apparatus and fabricating method of organic light emitting diode using the same
US8623583B2 (en) 2005-08-30 2014-01-07 Samsung Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging apparatus and fabricating method of organic light emitting diode using the same
KR100700822B1 (ko) 2005-08-30 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조방법
KR100700823B1 (ko) 2005-08-30 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의제조방법
KR100719681B1 (ko) 2005-08-30 2007-05-17 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기발광소자의제조방법
US7704666B2 (en) 2005-08-30 2010-04-27 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method
US8017295B2 (en) 2005-11-04 2011-09-13 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method and organic light emitting display device using the same
JP2007128845A (ja) * 2005-11-04 2007-05-24 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法
KR100711887B1 (ko) 2005-11-04 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 장치
KR100711888B1 (ko) 2005-11-04 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 장치
US7960094B2 (en) 2005-11-04 2011-06-14 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method
US8153345B2 (en) 2005-11-04 2012-04-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method
KR100700833B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법
KR100700835B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사법 및 도너필름을 이용한 유기 전계 발광소자의 제조방법
KR100700832B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 레이저 열 전사 방법 그리고 이를이용한 유기 발광 표시소자
KR100700834B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의제조방법
KR100700841B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법
KR100700831B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의제조방법
KR100700830B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 레이저 열 전사 방법
KR100745336B1 (ko) 2005-11-16 2007-08-02 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법
KR100745337B1 (ko) 2005-11-16 2007-08-02 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법
KR100700842B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 도너필름을 이용한 레이저 열전사법
KR100700836B1 (ko) 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 레이저 열 전사법 그리고 이를이용한 유기 발광소자의 제조방법
KR100696554B1 (ko) * 2005-12-16 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 증착 장치
JP2007311257A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Tokki Corp 有機el素子形成用マスク,有機el素子の形成方法並びに有機el素子形成装置
JP2008059757A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Canon Inc 有機発光表示装置の製造方法
KR101122585B1 (ko) 2006-08-29 2012-03-16 캐논 가부시끼가이샤 유기발광 표시장치의 제조방법
JP2008107564A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Ntn Corp 液体容器着脱装置および欠陥修正装置
JP2008287935A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Ulvac Japan Ltd 位置合わせ方法、薄膜形成方法
WO2009090839A1 (ja) * 2008-01-16 2009-07-23 Tokki Corporation 成膜装置
US8359999B2 (en) 2008-01-16 2013-01-29 Tokki Corporation Film forming device
JP2009249706A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Sumco Corp 蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法
JP2012503714A (ja) * 2008-09-24 2012-02-09 アイクストロン、エスイー 基板支持体上に磁気的に保持されるシャドーマスク
JP2013227680A (ja) * 2009-02-13 2013-11-07 Hitachi High-Technologies Corp 有機elデバイス製造装置及び成膜装置並びに有機elデバイス製造方法及び成膜方法
US10199660B2 (en) 2009-10-27 2019-02-05 Applied Materials, Inc. Shadow mask alignment and management system
CN102668215A (zh) * 2009-10-27 2012-09-12 应用材料公司 阴影掩膜对准和管理系统
JP2013509002A (ja) * 2009-10-27 2013-03-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド シャドーマスクアラインメント及び管理システム
US9325007B2 (en) 2009-10-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Shadow mask alignment and management system
WO2011114829A1 (ja) * 2010-03-19 2011-09-22 東京エレクトロン株式会社 マスク保持装置及び薄膜形成装置
US9555434B2 (en) 2011-09-16 2017-01-31 V Technology Co., Ltd. Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern
US9586225B2 (en) 2011-09-16 2017-03-07 V Technology Co., Ltd. Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern
US9555433B2 (en) 2011-09-16 2017-01-31 V Technology Co., Ltd. Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern
US9334556B2 (en) 2011-09-16 2016-05-10 V Technology Co., Ltd. Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern
JP2013089586A (ja) * 2011-10-24 2013-05-13 V Technology Co Ltd 薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法並びに有機el表示装置
JP2013124372A (ja) * 2011-12-13 2013-06-24 V Technology Co Ltd 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
JP2016003386A (ja) * 2014-06-19 2016-01-12 株式会社システム技研 成膜ホルダ
WO2016007214A1 (en) * 2014-07-08 2016-01-14 Applied Materials, Inc. Magnetic chucking of mask with halbach array
CN106575633A (zh) * 2014-07-08 2017-04-19 应用材料公司 利用海尔贝克阵列对掩模的磁性夹持
CN105695937A (zh) * 2014-11-28 2016-06-22 上海和辉光电有限公司 磁性装置、磁力调节装置及其磁力调节方法
KR101599205B1 (ko) * 2015-01-30 2016-03-03 주식회사 테스 트레이 어셈블리 및 이를 구비한 박막증착장치
CN106906441A (zh) * 2015-11-25 2017-06-30 佳能特机株式会社 成膜系统、磁性体部以及膜的制造方法
JP2016172932A (ja) * 2016-05-19 2016-09-29 株式会社ブイ・テクノロジー マスクの製造方法、薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法
KR20180004005A (ko) * 2016-07-01 2018-01-10 캐논 톡키 가부시키가이샤 마스크 흡착 장치
US11024488B2 (en) 2017-03-08 2021-06-01 The Japan Steel Works, Ltd. Film-forming method, manufacturing method of electronic device, and plasma atomic layer deposition apparatus
US12009183B2 (en) 2017-03-08 2024-06-11 The Japan Steel Works, Ltd. Film-forming method, manufacturing method of electronic device, and plasma atomic layer deposition apparatus
CN112176281A (zh) * 2019-07-05 2021-01-05 佳能特机株式会社 掩模保持机构、蒸镀装置以及电子器件的制造装置
CN112176281B (zh) * 2019-07-05 2023-09-19 佳能特机株式会社 掩模保持机构、蒸镀装置以及电子器件的制造装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4058149B2 (ja) 2008-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4058149B2 (ja) 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法
US7771789B2 (en) Method of forming mask and mask
KR100800237B1 (ko) 마스크 포지셔닝 장치 및 방법
KR100777534B1 (ko) 자석 마스크 홀더
JP4377453B2 (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
US20100112194A1 (en) Mask fixing device in vacuum processing apparatus
KR101122585B1 (ko) 유기발광 표시장치의 제조방법
CN109072401B (zh) 蒸镀掩膜、蒸镀装置、蒸镀方法及有机el显示装置的制造方法
JP2002075638A (ja) マスク蒸着方法及び蒸着装置
TWI721170B (zh) 蔽蔭遮罩沉積系統及其方法
US20100273387A1 (en) Processing Apparatus and Method of Manufacturing Electron Emission Element and Organic EL Display
US20050130356A1 (en) Method of manufacturing organic electro luminescence panel, manufacturing apparatus of organic electro luminescence panel, and organic electro luminescence panel
CN109642308B (zh) 蔽荫掩模沉积系统及其方法
JP2010106359A (ja) 基板保持装置、基板処理装置、マスク、および画像表示装置の製造方法
KR101229020B1 (ko) 쉐도우 마스크의 자성제거 방법 및 그 장치
JP2002075639A (ja) パターン形成装置、パターン形成方法、有機電界発光素子ディスプレイの製造装置及び製造方法
JP2004152704A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2003073804A (ja) 成膜方法および成膜装置
KR20210053761A (ko) 성막 장치 및 성막 방법
WO2024095718A1 (ja) 成膜装置、成膜装置の駆動方法、及び成膜方法
JP6956244B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP2005187875A (ja) 蒸着装置、蒸着方法、有機el装置、および電子機器
WO2024053192A1 (ja) 成膜装置、成膜装置の駆動方法及び成膜方法
KR102197096B1 (ko) 증착시스템
TWI440730B (zh) 一種使用靜電板承載一金屬網板而進行蒸鍍的方法及其裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041201

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070615

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070626

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070827

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071217

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131221

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees