KR100700841B1 - 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법 - Google Patents

레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법 Download PDF

Info

Publication number
KR100700841B1
KR100700841B1 KR1020050109820A KR20050109820A KR100700841B1 KR 100700841 B1 KR100700841 B1 KR 100700841B1 KR 1020050109820 A KR1020050109820 A KR 1020050109820A KR 20050109820 A KR20050109820 A KR 20050109820A KR 100700841 B1 KR100700841 B1 KR 100700841B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser
donor film
substrate
acceptor substrate
thermal imaging
Prior art date
Application number
KR1020050109820A
Other languages
English (en)
Inventor
노석원
김무현
이성택
이상봉
김선호
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050109820A priority Critical patent/KR100700841B1/ko
Priority to JP2006081635A priority patent/JP2007141807A/ja
Priority to US11/511,111 priority patent/US20070063205A1/en
Priority to US11/511,205 priority patent/US20070045540A1/en
Priority to US11/511,021 priority patent/US7534545B2/en
Priority to US11/511,153 priority patent/US8613989B2/en
Priority to US11/510,997 priority patent/US8268657B2/en
Priority to TW095139699A priority patent/TW200721895A/zh
Priority to CNA2006101465567A priority patent/CN1967865A/zh
Application granted granted Critical
Publication of KR100700841B1 publication Critical patent/KR100700841B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/18Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/50Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

본 발명은 억셉터 기판과 도너필름의 전사층 사이의 밀착특성을 향상시킬 수 있는 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전법에 관한 것이다.
본 발명의 레이저 열 전사 장치는 레이저 발진기를 이용하여 도너필름의 전사층을 유기 전계 발광소자의 발광층으로 형성하는 레이저 열 전사 장치에 있어서, 상기 레이저 열 전사 장치 내에 자성체가 구비된 억셉터 기판이 삽입되며, 상기 억셉터 기판 상부와 소정간격 이격되어 자석을 포함하는 밀착 프레임이 구비된다.
이에 따라, 억셉터 기판과 도너필름의 전사층 사이의 밀착특성을 향상시킬 수 있으며, 유기 소자의 수명, 수율 및 신뢰성를 향상시킬 수 있다.
라미네이션, 도너필름, 자성체,기판, 밀착판, 전자석

Description

레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법{Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Method using the same}
도 1은 종래 기술에 따른 레이저 열 전사 장치의 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 레이저 열 전사 장치의 사시도.
도 3은 본 발명에 따른 레이저 발진기를 나타내는 구성도.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 레이저 열전사장치에 따른 레이저 열 전사법의 단계별 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 레이저 열 전사법을 도시하는 블럭도.
♣ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣
210 : 공정챔버 220 : 레이저 발진기
230: 밀착 프레임 트레이 240 : 도너필름 트레이
250 : 억셉터 기판 260 : 기판 스테이지
본 발명은 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 전자석이 구비된 기판 스테이지와, 자성체를 포함하는 밀 착 프레임을 구비함으로써, 억셉터 기판과 전사층의 밀착특성을 향상시킬 수 있는 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법이다.
일반적으로, 레이저 열 전사법(LITI: Laser Induced Thermal Imaging)을 수행하기 위해서는 적어도 레이저빔, 억셉터 기판 및 도너필름을 필요로 한다. 도너필름은 기재기판, 광-열 변환층 및 전사층을 포함한다.
레이저 열 전사 공정에 있어서는 전사층을 억셉터 기판에 대향 되도록 하여 도너필름을 억셉터 기판 상에 라미네이션한 후, 기재기판 상에 레이저빔을 조사한다. 기재기판 상에 조사된 레이저빔은 광-열 변환층에 흡수되어 열에너지로 변환되고, 열에너지에 의해 전사층은 억셉터 기판 상으로 전사된다.
이하에서는 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 레이저 열 전사법을 구체적으로 설명한다.
도 1은 종래 기술에 따른 레이저 열 전사 장치의 단면도이다.
도 1을 참고하면, 상기 챔버(100) 내의 하부에 스테이지(110)를 마련한다. 상기 스테이지(110)는 억셉터 기판(140)과 도너필름(160)을 각각 정렬되게 하기 위해 제1 정열홈(170)과 제2 정열홈(180)을 형성한다. 상기 제2 정렬홈(180)은 상기 제1 정열홈(170)과 단차를 이루며 형성된다. 상기 스테이지(110) 상에 형성된 제1 정렬홈(170)의 형상을 따라 상기 억셉터 기판(140)이 위치되고, 상기 스테이지(110) 상에 형성된 제2 정렬홈(180)의 형상을 따라 상기 도너필름(160)이 위치된다.
상기 억셉터 기판(140) 상에 상기 도너필름(160)이 라미네이션된 후, 레이저 발진기(190)를 이용하여 상기 도너필름(160)의 상부에 레이저를 조사하여, 상기 도너필름(160)의 전사층(미도시)을 상기 억셉터 기판(140) 상에 전사한다.
그러나 상기 도너필름(160)의 전사층(미도시)과 상기 억셉터 기판(140) 사이에 공극또는 이물질(150) 등이 포함될 수 있다. 따라서, 제1 정열홈(170) 및 제2 정렬홈(180) 하부영역의 일구간에 호스를 연결하여 진공펌프(130)로 산소 또는 이물질 등을 빨아들여야 한다.
또한, 이러한 종래기술은 유기 발광 소자를 제작하는 다른 공정이 진공챔버 내에서 진행되는 것과는 달리 대기 중에서 이루어짐으로써, 산소 및 수분 등에 의해 유기 발광 소자의 신뢰성, 수명 및 소자특성의 저하를 야기시킨다.
이러한 문제점들을 해소하고자, 유기 발광 소자의 전사 공정을 진공챔버 내에서 수행하도록 한다.
그러나, 유기 발광 소자의 전사 공정을 진공챔버 내에서 수행할 경우, 유기 발광 표시 소자의 신뢰성, 수명 및 소자특성이 향상될 수 있으나, 전사층과 억셉터 기판 사이에 미세한 공극(구멍) 또는 이물질 등이 발생되어도 진공펌프 또는 진공을 이용한 라미네이팅법을 이용하는 공정을 수행할 수가 없어, 전사층과 억셉터 기판 사이의 밀착특성은 더욱 저하되는 문제점을 갖는다.
따라서, 본 발명은 전술한 종래의 문제점들을 해소하기 위해 도출된 발명으로, 진공챔버 내에 자성체가 구비되는 억셉터 기판과 자석을 포함하는 밀착프레임을 구비함으로써 억셉터 기판과 도너필름의 전사층 사이의 밀착특성을 향상시킬 수 있는 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법을 제공함에 그 목적이 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 본 발명의 레이저 열 전사 장치는 레이저 발진기를 이용하여 도너필름의 전사층을 유기 전계 발광소자의 발광층으로 형성하는 레이저 열 전사 장치에 있어서, 상기 레이저 열 전사 장치 내에 자성체가 구비된 억셉터 기판이 삽입되며, 상기 억셉터 기판 상부와 소정간격 이격되어 자석을 포함하는 밀착 프레임이 구비된다.
바람직하게, 상기 자석과 상기 자성체 사이에는 자기력이 작용하며, 상기 자석은 상기 밀착 프레임의 상부, 상기 밀착 프레임의 하부 또는 상기 밀착 프레임의 내부 중 어느 한곳에 형성되거나, 상기 밀착 프레임은 상기 도너필름의 전사될 부분과 대응되는 패턴의 개구부가 형성된다.
상기 자석은 전자석 또는 영구자석으로 이루어진다. 상기 전자석은 전압을 인가하기 위한 전기배선이 포함된다. 상기 영구자석은 적어도 하나의 막대 또는 원통형상으로 형성된다.
이하, 본 발명에 따른 실시 예들을 도시한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 레이저 열 전사 장치의 사시도이다.
도 2를 참조하면, 레이저 열 전사 장치(200)는 레이저 발진기(220)를 이용하여 기판 스테이지(260) 상에 위치되는 억셉터 기판(250)과, 상기 억셉터 기판(250) 상부에 위치되는 도너필름(241)과 상기 도너필름(241) 상부에 위치되는 자석을 포함하는 밀착 프레임(232)을 포함한다. 이 때, 상기 억셉터 기판(250) 하부면에는 자성체(251)가 부착된다.
상기 레이저 열 전사 장치(200)의 공정챔버(210) 하부에는 기판 스테이지(260)가 구비된다. 상기 기판 스테이지(260)는 상기 공정챔버(210) 내로 도입되는 상기 억셉터 기판(250)과 상기 도너필름(241)을 각각 순차적으로 위치시키기 위한 스테이지로써, 공정챔버(210)의 저면에 위치한다.
상기 자성체(251)는 상기 억셉터 기판(250)의 상부면 및 하부면에 형성될 수 있으나, 본 실시예에서는 설명의 편의상 상기 자성체(251)를 상기 억셉터 기판(250)의 하부면에 형성하도록 한다. 상기 자성체(251)는 자석에 붙는 일반적인 물질로 이루어지며, 예컨데 철(Fe), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 및 이들의 합금(Fe3O4, CoFeO4, MnFeO4), 자석에 붙는 모든 무기·유기 물질 또는 자성 나노 입자 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
상기 억셉터 기판(250) 및 상기 억셉터 기판(250) 하부면에 형성된 상기 자성체(251)는 상기 기판 지지대(264) 상에 위치된다. 상기 억셉터 기판(250)은 상기 기판 스테이지(260) 내부에 형성된 소정수의 제1 정열홈(261)을 통해 상부 방향으로 상승된 상기 기판 지지대(264) 상에 안착된 후, 상기 억셉터 기판(250)이 안착된 기판 지지대(264)를 하부 방향으로 하강시켜 상기 억셉터 기판(250) 및 상기 자성체(251)를 상기 기판 스테이지(260) 상에 안착시킨다. 상기 기판 지지대(264) 는 상기 기판 스테이지(260) 내부에 형성된 제1 정열홈(261)을 통해 상부 또는 하부로 이동한다. 이때, 상기 억셉터 기판(250)은 서브픽셀 단위로 형성된 박막 트랜지스터(미도시)가 소정수 구비된다.
상기 도너필름(241)이 구비된 도너필름 트레이(240)를 상기 억셉터 기판(250) 상부에 위치시킨다. 상기 도너필름(241)이 구비된 도너필름 트레이(240)는 상기 기판 스테이지(260) 내부에 형성된 소정수의 제2 정열홈(262)을 통해 상부 방향으로 상승된 상기 도너필름 지지대(265) 상에 안착된 후, 상기 도너필름 지지대(265)를 하부 방향으로 하강시켜 상기 도너필름(241)이 구비된 도너필름 트레이(240)를 상기 기판 스테이지(260) 상에 안착시킨다. 상기 도너필름 트레이(240)의 중심에는 개구부가 형성되어 있고, 상기 개구부에는 상기 도너필름(241)이 개재되어있다. 상기 도너필름(241)은, 적어도 기재 기판, 광-열 변환층 및 전사층을 구비하며, 광-열 변환층과 전사층 사이에 중간층이 더 구비될 수 있다. 상기 도너필름(241)이 상기 억셉터 기판(250) 상에 위치될 때, 상기 도너필름의 전사층이 상기 억셉터 기판(250)과 대향되도록 위치시킨다.
상기 자석(234)을 포함하는 밀착프레임(232)은 상기 억셉터 기판(250) 하부면에 형성된 자성체(251)와 자기력을 형성하여 상기 억셉터 기판(250)과 상기 도너필름(241)을 강력하게 라미네이팅 시킨다. 상기 밀착프레임(232)에 포함되는 자석(234)은 전자석 또는 영구자석으로 이루어질 수 있으며, 상기 밀착 프레임(232)의 상부, 하부, 내부 또는 상기 자석(234) 자체가 상기 밀착 프레임(232) 전체로 형성될 수도 있다. 또한, 상기 자석(234)이 전자석으로 형성될 경우 상기 전자석 상에 전압을 인가해주기 위한 전기배선이 형성된다. 상기 밀착프레임(232)이 영구자석으로 형성될 경우, 상기 영구자석은 스핀코팅, E-Beam 증착 또는 잉크젯 공정 중 어느 하나를 이용하여 자성 나노 파티클로 형성될 수 있다.
또한, 상기 밀착프레임(232)은 레이저가 통과될 수 있는 개구홈(233)이 구비된다. 상기 개구홈(233)이 형성됨에 따라 상기 레이저 발진기(220)에서 조사되는 레이저가 상기 도너필름(241) 상에 조사된다. 상기 개구홈(233)은 상기 도너필름(241)의 전사될 영역에 대응하는 크기의 홈이 형성된다.
상기 밀착프레임 이동수단(231)은 상기 밀착 프레임(232)이 개재된 상기 밀착 프레임 트레이(230)를 상기 기판 스테이지(260) 방향으로 왕복 이동하게 하는 수단이다.
상기 레이저 발진기(220)는 상기 공정챔버(210) 상부에 위치된다. 상기 레이저 발진기(220)는 상기 공정챔버(210)의 외부 또는 내부에 설치될 수 있으며, 상기 레이저 발진기(220)에서 발생하는 레이저가 상기 도너필름(241) 상부에서 전사될 수 있도록 설치되는 것이 바람직하다.
도 3은 본 발명에 따른 레이저 발진기를 나타내는 구성도이다.
상기 레이저 발진기(220)는 상기 도너필름(241) 상부에 위치된다. 상기 레이저 발진기(220)는 챔버의 외부 또는 내부에 설치될 수 있으며, 상기 레이저 발진기(220)에서 발생하는 레이저가 도너필름 상부에서 비춰질 수 있도록 설치되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 레이저 발진기(220)의 개략적이 구성도인 도 3에 따르면, 본 실시 예에서 레이저 발진기는 CW ND:YAG 레이저(1604nm)를 사용하고, 2개의 갈바노미터 스캐너(221,222)를 구비하며, 스캔렌즈(223) 및 실린더렌즈(224)를 구비하나 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 레이저 발진기(220)에 의해 발생된 레이 저빔은 상기 프로젝션 렌즈(224)를 통과하여 상기 억셉터 기판(250) 상에 라미네이션된 상기 도너필름(241) 상부에서 조사된다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 레이저 열전사장치에 따른 레이저 열 전사법의 단계별 단면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 레이저 열 전사법을 도시하는 블럭도이다.
도 4a를 참조하면, 본 레이저 열 전사법을 설명하기 위해서는, 우선, 이송 챔버(400) 내에 로봇팔(420)과 엔드이펙트(end-effector:410)를 로딩한다. 상기 이송 챔버(400)는 진공 분위기를 유지하는 것이 바람직하다. 상기 이송챔버(400) 내에 로딩된 상기 엔드이펙트(end-effector:410) 상에 상기 자성체(251)가 부착된억셉터 기판(250)을 안착시킨다. (S1참조)
도 4b를 참조하면, 상기 엔드이펙트(end-effector:410) 상에 안착된 상기 억셉터 기판(250)) 및 상기 자성체(251)를 상기 공정챔버(210) 내로 이송시키기 위해, 상기 엔드이펙트(end-effector:410)를 상기 공정챔버(210) 내로 이송시킨다. 이 후, 상기 엔드이펙트(end-effector:410) 상에 안착 된 상기 억셉터 기판(250) 및 상기 자성체(251)를 상기 기판 스테이지(260) 내부에 형성된 소정수의 관통 홀을 통해 상부 방향으로 상승된 상기 기판 지지대(264) 상에 안착된다. 상기 기판 지지대(264)는 상기 기판 스테이지(260)의 관통 홀을 통해 상부 또는 하부로 이동할 수 있다. 이 후, 상기 억셉터 기판(250) 및 상기 자성체(251)를 상기 기판 스테이지(260) 상에 안착시키기 위해, 상기 기판 지지대(264)를 하부 방향으로 하강시켜 상기 억셉터 기판(250) 및 상기 자성체(251)를 상기 기판 스테이지(260) 상에 안착시킨다. 이때, 상기 공정챔버(210)는 진공 분위기를 유지하는 것이 바람직하다. (S2참조)
도 4c를 참조하면, 상기 엔드이펙트(end-effector:410) 상에 안착 된 상기 억셉터 기판(250) 및 상기 자성체(251)를 상기 기판 지지대(264) 상에 안착시킨 후, 상기 엔드이펙트(end-effector:410)를 상기 이송 챔버(400) 내로 이송시킨다. 이 후, 상기 엔드이펙트(end-effector:410) 상에 도너필름(241)이 개재된 도너필름 트레이(240)를 위치시킨다. 상기 도너필름(241)은 기재기판, 광-열 변환층, 중간층 및 전사층이 포함된다.
도 4d를 참조하면, 상기 엔드이펙트(end-effector:410) 상에 안착 된 상기 도너필름(241)이 개재된 도너필름 트레이(240)를 상기 공정챔버(210) 내로 이동시킨다. 상기 공정챔버(210) 내로 이동된 상기 도너필름 트레이(240)는 상기 도너필름 지지대(265) 상에 안착시킨다. 또한, 상기 도너필름(241)의 전사층은 상기 억셉터 기판(250) 상부에 대향되도록 위치시킨다. (S3참조)
도 4e를 참조하면, 상기 도너필름 트레이(240)를 상기 도너필름 지지대(265) 상에 안착시킨 후, 상기 엔드이펙트(end-effector:410)를 상기 이송 챔버(400) 내로 이송한다. 이 후, 상기 도너필름 지지대(265) 상에 안착된 상기 도너필름 트레이(240)의 도너필름(241)을 상기 억셉터 기판(250) 상에 라미네이션 하기 위해, 상기 밀착 프레임 이송수단(231)을 하부 방향으로 하강시켜 상기 도너필름(241)을 상기 억셉터 기판(250) 상에 라미네이션 시킨다. 이 때 상기 억셉터 기판(250) 하부면에 형성된 상기 자성체(251)와 상기 자석(234)을 포함하는 상기 밀착 프레임 (232) 사이에 자기력이 작용함으로써 상기 억셉터 기판(250)과 상기 도너필름(241)의 전사층 사이에 밀착특성은 더욱 향상된다.(S4참조)
도 4f를 참조하면, 상기 도너필름(241)의 전사층을 상기 억셉터 기판(250) 상에 전사시키기 위해 상기 이송 챔버(400)와 상기 공정챔버(210) 사이에 형성된 게이트 밸브(300)를 닫아준다. 이때, 상기 공정챔버(210) 내부 또는 외부에 형성된 레이저 발진기(220)가 작동되어 상기 도너필름(241) 상에 레이저를 조사시킨다. 상기 레이저 발진기(220)는 상기 전사층이 전사되는 라인(line)별로 이송 가능하다. 이에 따라, 상기 전사층은 상기 억셉터 기판(250) 상부에 전사되어, 유기 전계 발광소자의 발광층을 형성한다. (S5참조)
이상과 같이, 본 발명에 의하면, 진공하에서 자력을 이용하여 도너필름과 억셉터 기판을 라미네이팅 할 수 있게 되어 유기 발광소자의 이전 공정과 동일하게 진공상태를 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 도너필름과 억셉터 기판 사이에 이물질이나 공극이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 유기 발광 소자의 수명, 수율 및 신뢰성를 유지할 수 있다.

Claims (15)

  1. 레이저 발진기를 이용하여 도너필름의 전사층을 유기 전계 발광소자의 발광층으로 형성하는 레이저 열 전사 장치에 있어서,
    상기 레이저 열 전사 장치 내에 자성체가 구비된 억셉터 기판이 삽입되며, 상기 억셉터 기판 상부와 소정간격 이격되어 자석을 포함하는 밀착 프레임이 구비되는 레이저 열 전사 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 자석과 상기 자성체 사이에는 자기력이 작용하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 자석은 상기 밀착 프레임의 상부, 상기 밀착 프레임의 하부 또는 상기 밀착 프레임의 내부 중 어느 한곳에 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.
  4. 레이저 발진기를 이용하여 도너필름의 전사층을 유기 전계 발광소자의 발광층으로 형성하는 레이저 열 전사 장치에 있어서,
    상기 레이저 열 전사 장치 내에 자성체가 구비된 억셉터 기판이 삽입되며, 상기 억셉터 기판 상부와 소정간격 이격되어 자석으로 형성된 밀착 프레임이 구비되는 레이저 열 전사 장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 밀착 프레임은 상기 도너필름의 전사될 부분과 대응되는 패턴의 개구부가 형성되는 레이저 열 전사 장치.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 자석은 전자석 또는 영구자석으로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 전자석은 전압을 인가하기 위한 전기배선이 포함되는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.
  8. 제6 항에 있어서, 상기 영구자석은 적어도 하나의 막대 또는 원통형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.
  9. 제6 항에 있어서, 상기 영구자석은 자성 나노 파티클로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 자성 나노 파티클은 스핀 코팅, E-Beam 증착 또는 잉크젯 공정 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.
  11. 제1 항에 있어서, 상기 자성체는 철, 니켈, 크롬 또는 자성을 갖는 유기물, 자성을 갖는 무기물 및 자성 나노 입자 중 적어도 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.
  12. 제11 항에 있어서, 상기 자성체는 상기 억셉터 기판의 적어도 일면에 형성되 는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.
  13. 제1 항에 있어서, 상기 기판 스테이지는 소정수의 관통 홀을 통해 상기 기판 스테이지 상에 안착되는 억셉터 기판을 상부 또는 하부로 이동시키는 기판 지지대를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사장치.
  14. 챔버 내의 기판 스테이지 상에 적어도 일면에 자성체를 구비하는 억셉터 기판을 위치시키는 단계와,
    상기 억셉터 기판의 상부에 적어도 기재기판, 광-열 변환층 및 전사층이 구비된 도너필름을 위치시키는 단계와,
    상기 도너필름 상부에 자석이 구비된 밀착 프레임을 위치시키는 단계와,
    상기 도너필름을 상기 억셉터 기판 상에 라미네이션 하는 단계와,
    상기 도너필름 상에 레이저빔을 조사하여 상기 도너필름의 전사층 일부를 상기 억셉터 기판 상에 전사시키는 단계를 포함하는 레이저 열 전사 장치를 이용한 레이저 열 전사법.
  15. 제14 항에 있어서, 상기 챔버는 진공챔버인 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치를 이용한 레이저 열 전사법.
KR1020050109820A 2005-08-30 2005-11-16 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법 KR100700841B1 (ko)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050109820A KR100700841B1 (ko) 2005-11-16 2005-11-16 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법
JP2006081635A JP2007141807A (ja) 2005-11-16 2006-03-23 レーザ熱転写装置及びこれを利用したレーザ熱転写法
US11/511,111 US20070063205A1 (en) 2005-08-30 2006-08-28 Organic light emitting display device
US11/511,205 US20070045540A1 (en) 2005-08-30 2006-08-28 Laser induced thermal imaging apparatus with contact frame
US11/511,021 US7534545B2 (en) 2005-08-30 2006-08-28 Method of making an organic light emitting display device
US11/511,153 US8613989B2 (en) 2005-08-30 2006-08-28 Film donor device for laser induced thermal imaging
US11/510,997 US8268657B2 (en) 2005-08-30 2006-08-28 Laser induced thermal imaging apparatus
TW095139699A TW200721895A (en) 2005-11-16 2006-10-27 Organic light emitting display device
CNA2006101465567A CN1967865A (zh) 2005-11-16 2006-11-15 有机发光显示设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050109820A KR100700841B1 (ko) 2005-11-16 2005-11-16 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100700841B1 true KR100700841B1 (ko) 2007-03-28

Family

ID=38076504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050109820A KR100700841B1 (ko) 2005-08-30 2005-11-16 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2007141807A (ko)
KR (1) KR100700841B1 (ko)
CN (1) CN1967865A (ko)
TW (1) TW200721895A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101494713B1 (ko) * 2013-04-25 2015-03-02 주식회사 도일인텍 열전사 장치, 열전사 방법 및 그 방법으로 열전사한 금속장식재

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107403829A (zh) * 2017-08-07 2017-11-28 京东方科技集团股份有限公司 显示单元及其制备方法、显示面板
CN110416124B (zh) * 2019-07-05 2020-10-13 深超光电(深圳)有限公司 Led的转移方法及led显示面板的制备方法
CN110265341B (zh) * 2019-07-05 2021-04-02 深超光电(深圳)有限公司 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板
CN110416122B (zh) * 2019-07-05 2021-06-29 深超光电(深圳)有限公司 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11158605A (ja) 1997-12-01 1999-06-15 Anelva Corp 真空成膜装置、そのマスク着脱装置、及びマスク位置合わせ方法
US6695029B2 (en) 2001-12-12 2004-02-24 Eastman Kodak Company Apparatus for permitting transfer of organic material from a donor to form a layer in an OLED device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05138959A (ja) * 1991-11-15 1993-06-08 Konica Corp 熱転写記録装置
JPH08123000A (ja) * 1994-10-24 1996-05-17 Konica Corp 熱転写装置
JP4750979B2 (ja) * 2001-09-06 2011-08-17 パイオニア株式会社 表示パネル及び基板保持装置
US6695030B1 (en) * 2002-08-20 2004-02-24 Eastman Kodak Company Apparatus for permitting transfer of organic material from a donor web to form a layer in an OLED device
JP2005048250A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Dowa Mining Co Ltd 金属磁性粒子の集合体およびその製造法
JP2005085799A (ja) * 2003-09-04 2005-03-31 Seiko Epson Corp 成膜方法、配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
JP2007128844A (ja) * 2005-11-04 2007-05-24 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法そしてこれを利用した有機発光表示素子

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11158605A (ja) 1997-12-01 1999-06-15 Anelva Corp 真空成膜装置、そのマスク着脱装置、及びマスク位置合わせ方法
US6695029B2 (en) 2001-12-12 2004-02-24 Eastman Kodak Company Apparatus for permitting transfer of organic material from a donor to form a layer in an OLED device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101494713B1 (ko) * 2013-04-25 2015-03-02 주식회사 도일인텍 열전사 장치, 열전사 방법 및 그 방법으로 열전사한 금속장식재

Also Published As

Publication number Publication date
CN1967865A (zh) 2007-05-23
JP2007141807A (ja) 2007-06-07
TW200721895A (en) 2007-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8268657B2 (en) Laser induced thermal imaging apparatus
KR100700836B1 (ko) 레이저 열 전사 장치 및 레이저 열 전사법 그리고 이를이용한 유기 발광소자의 제조방법
KR100700841B1 (ko) 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법
US20070046770A1 (en) Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method
KR101145201B1 (ko) Oled 제조용 박막 증착 장치
US20130288415A1 (en) Laser induced thermal imaging apparatus and fabricating method of organic light emitting diode using the same
US8017295B2 (en) Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method and organic light emitting display device using the same
KR100700822B1 (ko) 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조방법
KR100745336B1 (ko) 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법
KR100745337B1 (ko) 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법
KR100700837B1 (ko) 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열 전사법
KR100636501B1 (ko) 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법
KR100700829B1 (ko) 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법
KR20070024824A (ko) 레이저 열전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의 제조방법
US7718341B2 (en) Laser induced thermal imaging apparatus and manufacturing method of organic light emitting diode using the same
JP4642684B2 (ja) レーザ熱転写装置及びその装置を利用したレーザ熱転写法
KR100700835B1 (ko) 레이저 열 전사법 및 도너필름을 이용한 유기 전계 발광소자의 제조방법
KR100700842B1 (ko) 레이저 열 전사 장치 및 도너필름을 이용한 레이저 열전사법
KR101000092B1 (ko) 유기박막 형성장치 및 방법
KR100700825B1 (ko) 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의제조방법
KR20070024820A (ko) 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기발광소자의제조방법
JP4637776B2 (ja) レーザ熱転写方法及びドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法
KR100700824B1 (ko) 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의제조방법
KR100700823B1 (ko) 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의제조방법
KR100711888B1 (ko) 레이저 열전사 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130228

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140303

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150227

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180302

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190304

Year of fee payment: 13