CN1967865A

CN1967865A - 有机发光显示设备

Info

Publication number: CN1967865A
Application number: CNA2006101465567A
Authority: CN
Inventors: 鲁硕原; 金茂显; 李城宅; 李相奉; 金善浩
Original assignee: Samsung SDI Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2005-11-16
Filing date: 2006-11-15
Publication date: 2007-05-23
Also published as: JP2007141807A; KR100700841B1; TW200721895A

Abstract

本发明公开了一种激光诱导热成像(LITI)装置和利用该装置制造电子设备的方法。所述LITI装置包括室、基底支撑物、晒版器件和激光源或振荡器。LITI装置将可转印层从膜供体装置转印到中间电子设备的表面上。LITI装置利用磁力来提供可转印层和中间设备的表面之间的紧密接触。通过在LITI装置中的插入可转印层和中间设备表面而分开的两个组件中形成的磁性材料来产生磁力。在LITI装置的两个下面的组件中形成磁体或者磁性材料：1)中间设备和膜供体装置；2)中间设备和晒版器件；3)基底支撑物和膜供体装置；或者4)基底支撑物和晒版器件。

Description

有机发光显示设备

技术领域

本发明涉及电子设备的生产，更具体地讲，本发明涉及利用激光诱导热成像(LITI)技术在电子设备中形成有机材料层。

背景技术

有些电子设备包括有机层。例如，有机发光设备(OLED)包括各种有机层。已经采用了各种方法来形成这种有机层。例如，这些方法包括沉积法、喷墨法和激光诱导热成像(LITI)法。

在LITI方法中，利用膜供体装置来提供可转印层。所述膜供体装置位于半成品电子设备(中间设备)上，使得可转印层接触中间设备的表面(接收表面)，可转印层将被转印到该表面上。接着，激光束被施加到供体装置的选择区域上，这使得在供体装置的选择区域中产生热。所述热导致可转印层的期望部分脱层。当去除供体装置时，可转印层的脱层部分保留在中间设备的表面上。

传统的LITI装置利用吸力使得在该工艺中可转印层接触并保持接触中间设备的表面。图1是LITI装置100的剖视图。LITI装置100包括室110、基底支撑物120和激光源或者振荡器130。基底支撑物120包括：中间设备容纳沟槽121，以将中间电子设备140容纳在其中；供体装置容纳沟槽123，以将膜供体装置150容纳在其中。

为了精确度高并且缺陷少地将有机材料部分转印到中间设备上，在可转印层和接收表面之间需要紧密接触。LITI装置100包括抽气装置，以形成这种紧密接触。抽气装置包括管161、163和真空泵P。通过管161的抽气使得并保持设置在沟槽121中的中间设备(未示出)向下。通过管163的抽气使得并保持设置在沟槽123中的供体装置(未示出)向下并且与中间设备接触。为了执行这些抽气过程，在室中需要空气或者其它气体介质。

然而，LITI工艺之前进行的工艺或者后续进行的工艺通常在真空气氛中完成。因此，利用上面所述的抽气的LITI工艺必须破坏前面和后续工艺之间的真空。

在这部分中的讨论是为了提供相关技术的背景信息，而不构成现有技术的陈述。

发明内容

本发明的一方面提供了一种包括显示器的电子设备。所述设备包括：基底；显示像素阵列，形成在所述基底上方，所述阵列包括有机材料层；磁层，包含磁体，其中，所述磁层位于所述基底和所述有机材料层之间，或者所述基底位于所述有机材料层和所述磁层之间。

所述磁体可包含从由电磁体和永磁体组成的组中选择的至少一种。所述显示像素阵列可包括位于所述有机材料层和所述基底之间的多个薄膜晶体管，所述磁层可位于所述多个薄膜晶体管和所述基底之间。所述磁层可与所述有机材料层基本平行。

所述磁层还可包含多个磁体，所述磁体基本分布在整个所述磁层中。所述多个磁体可基本均匀地分布在所述磁层中。所述磁层可与所述有机材料层的基本上整个部分叠置。所述磁体可包含从由螺线管和环形线圈组成的组中选择的电磁体。

所述基底可包括显示区和非显示区。所述阵列可形成在所述基底的所述显示区上。所述磁体可包含电磁体，所述设备还可包括从所述电磁体向所述非显示区的位置延伸的电连接。

所述磁体可包括从由铝镍钴磁体、铁氧体磁铁、稀土磁体、橡胶磁体、塑料磁体组成的组中选择的永磁体。所述磁体可包括从由板、片、棒和颗粒组成的组中选择的一种或一种以上形状。所述磁体可被构造用来感应穿过所述有机材料层的磁场。所述磁体可为足够的量，以产生从大约5mG(高斯)至大约50mG(高斯)的磁场。所述电子设备可包括有机发光显示设备。

本发明的另一方面提供了一种包括显示器的电子设备，所述设备包括：基底；显示像素阵列，形成在所述基底上方，所述阵列包括有机材料层；装置，用于感应穿过所述有机材料层的电场。

所述装置可包括由Fe、Ni、Cr、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoFe₂O₄以及两种或两种以上上述物质的合金组成的组中选择的一种或多种材料。所述装置可包括从由板、片、棒和颗粒组成的组中选择的一种或多种形状。所述装置可位于所述有机材料层和所述基底之间。所述装置可位于所述基底下面。所述电子设备可包括有机发光显示设备。

附图说明

从结合附图进行的下面的描述中，本发明的方面和优点将变得清楚和更容易理解。

图1示出了激光诱导热成像装置的示意性剖视图。

图2示出了根据本发明一个实施例的激光诱导热成像装置的示意性剖视图。

图3示出了根据本发明一个实施例的激光诱导热成像装置的示意性分解透视图。

图4A和图4B示出了根据本发明实施例的半成品电子设备的示意性剖视图。

图4C示出了根据本发明一个实施例的半成品电子设备的示意性俯视平面图。

图5A示出了根据本发明一个实施例的基底支撑物的示意性透视图。

图5B示出了沿着线I-I′截取的图5A的基底支撑物的示意性剖视图。

图6A至图6C示出了根据本发明实施例的供体装置的示意性局部剖视图。

图7示出了根据本发明一个实施例的晒版器件(contact frame)的示意性剖视图。

图8是根据本发明一个实施例的激光诱导热成像方法的流程图。

图9A至图9F示出了根据本发明一个实施例的激光诱导热成像方法。

图10A至图10D示出了根据本发明一个实施例的激光诱导热成像方法。

图11示出了根据本发明一个实施例的激光振荡器的示意性剖视图。

具体实施方式

将参照附图来详细描述本发明的各种实施例。在图中，相同的标号表示相同或者功能相似的部分或元件。

激光诱导热成像装置

在实施例中，LITI装置利用磁力来提供膜供体装置和中间设备之间的紧密接触。与图1中的LITI装置的抽气不同，磁力不需要室中的气体或者流体。在实施例中，利用磁力的膜供体装置和中间设备的接触可以在真空或者非真空中进行。

图2示出了根据一个实施例的LITI装置200。示出的LITI装置包括室210、基底支撑物260、晒版器件230和激光源或者振荡器220。室210提供用于用膜供体装置241处理中间(或者半成品)电子设备250的空间。构造基底支撑物260来支撑中间设备250和膜供体装置241。晒版器件230可移动地连接到室210，用来在膜供体装置241上方提供向下的重力。在一些实施例中，可省略晒版器件230。膜供体装置241包括可转印层(未示出)。通过激光，可转印层将被转印到中间设备上。激光振荡器220位于晒版器件230上方。构造激光振荡器220，以穿过晒版器件230向膜供体装置241上照射激光。

在一个实施例中，LITI装置200如下操作。首先，中间设备250被引入室210中并且放置在基底支撑物260上。接着，膜供体装置241被放置在中间设备250上方。膜供体装置241与中间设备250开始至少部分地接触。利用磁力，膜供体装置241压向中间设备250。在这个步骤期间，可转印层与中间设备紧密接触。激活激光振荡器220，以向膜供体装置241上照射激光。随后，可转印层从膜供体装置241被转印到中间设备250上。

图3示出了LITI装置200的示意性分解图。室210用虚线示出。在示出的实施例中，激光振荡器220、晒版器件230和基底支撑物260在垂直方向上对齐。在LITI工艺期间，中间设备250位于基底支撑物260上，膜供体装置241位于中间设备250上方。在其它实施例中，上述组件可具有不同的布置，例如，翻转的构造。在一些实施例中，基底支撑物可被构造为从顶部支持中间设备。这种基底支撑物可被表示为基底固定器。

室210提供LITI工艺所需的反应空间。室可为可以在其中完成LITI工艺的任何适合的封闭空间。室210容纳晒版器件230和基底支撑物260。室也包括用于引入或者移去中间设备250和膜供体装置241的通道。在一个实施例中，室210可被构造用来提供真空气氛。

在示出的实施例中，激光振荡器220在晒版器件230上方位于室210的顶部中心部分，但是不限于此。激光振荡器220被构造用来向膜供体装置241上照射激光束。图11示出了激光振荡器220的一个实施例。示出的激光振荡器220可为CW ND:YAG激光(1604nm)。激光振荡器220具有两个检流计扫描仪221、222。激光振荡器220还具有扫描透镜223和柱面透镜224。技术人员将理解的是，可以采用各种类型的激光振荡器来提供用于膜供体装置的激光。

在示出的实施例中，晒版器件230位于基底支撑物260的上方，但是不限于此。晒版器件230通过传动单元231可移动地连接到室210的顶部中心部分。晒版器件230具有被构造用来在膜供体装置241上方提供重力的接触板232。接触板232被图案化，以暴露下面的膜供体装置241的部分，同时阻挡其它部分。为了暴露部分膜供体装置241，接触板232包括多个开口233。开口233使得激光束被引导向部分膜供体装置241。这种结构使得部分可转印层转印到中间设备250上，如后面将详细描述。在一些实施例中，LITI装置可没有晒版器件。

在示出的实施例中，基底支撑物260位于反应室210的底部，但是不限于此。示出的基底支撑物260具有凹槽263，以容纳中间设备250。基底支撑物260还支撑膜供体装置241。另外，基底支撑物260容纳下面的基底提升件265和膜供体提升件266。基底支撑物260具有通孔261和262，通过通孔261和262，基底提升件265和膜供体提升件266在竖直方向上移动。

在LITI工艺期间，中间设备250位于基底支撑物260上。术语“中间设备”表示任何具有利用LITI工艺来形成有机材料的表面的设备。通常，这种设备是半成品电子设备。在一个实施例中，中间设备250是半成品有机发光设备。中间设备250包括可转印层将被转印到其上的表面。

在LITI工艺期间，膜供体装置241位于中间设备250上方。在一个实施例中，膜供体装置241包括底部基底、光热转换层和可转印层，这些将在后面作进一步描述。示出的膜供体装置241还包括围绕膜供体装置241的膜供体装置座240。在LITI工艺期间，可转印层被布置为面向中间层的表面。

图3中的LITI装置200利用磁力来提供膜供体装置241和中间设备250之间的紧密接触。所述磁力保持膜供体装置241和中间设备250以紧密接触，在膜供体装置241和中间设备250之间基本上没有气隙或气泡。

在一个实施例中，可通过两个或两个以上分开的磁性材料来产生磁力。所述磁性材料产生从大约5毫高斯至大约50毫高斯的磁场。在实施例中，磁性材料形成在LITI系统的可转印层和表面(可转印层将被转印到该表面上)位于其间的分开的两个组件中，即，一个磁性材料位于可转印层上方，另一个磁性材料位于表面下方。这里，术语“组件”表示在LITI工艺中使用的部件和装置，其包括中间设备250、膜供体装置241、晒版器件230和基底支撑物260。在实施例中，磁体或者磁性材料形成在LITI装置的两个下面的组件中，但是不限于：1)中间设备250和膜供体装置241；2)中间设备250和晒版器件230；3)基底支撑物260和膜供体装置241；或者4)基底支撑物260和晒版器件230。

可选地，磁性材料可设置在LITI装置的组件的下述组合之一中：5)基底支撑物260、中间设备250和晒版器件230；6)基底支撑物260、中间设备250和膜供体装置241；7)基底支撑物260、膜供体装置241和晒版器件230；或者8)中间设备250、膜供体装置241和晒版器件230。在又一实施例中，磁性材料可设置在9)基底支撑物260、中间设备250、膜供体装置241和晒版器件230中。技术人员将理解的是，根据LITI装置的设计，磁性材料可设置在一些其它组件中。

位于一对组件中的磁性材料被构造为彼此吸引，使得膜供体装置241和中间设备250在可转印层和表面之间形成紧密接触，其中，可转印层将被转印到该表面上。如这里使用的术语“磁性材料”表示磁体或者吸磁材料。除非另外指出，否则“磁体”可通常表示永磁体或者电磁体。如这里使用的术语“吸磁材料”表示不是磁体但是可以被磁体吸引的材料。在一些实施例中，两个LITI组件中的一个可包含磁体，而另一个可包含不是磁体的吸磁材料。在其它实施例中，两个LITI组件都可包含磁体。在一些实施例中，包含磁体的组件可以包含吸磁材料。在所有实施例中，所述组件包含大量的磁性材料，以产生足够的磁力来提供膜供体装置241和中间设备250之间的紧密接触。

与吸力不同，磁力可以在真空气氛中产生。因此，在一些实施例中，LITI工艺可以利用膜供体装置241和中间设备250之间的磁感应接触在真空中进行，而不破坏真空。另外，在其它实施例中，磁力装置也可以与抽气装置一起使用来改进LITI工艺。将在后面详细描述在每个组件中的磁体或者吸磁材料的位置和结构。

在一个实施例中，可转印层下面的磁性材料位于中间设备250中。图4A和图4B示出了中间设备400A和400B的实施例的剖视图。示出的中间设备400A和400B是半成品有机发光设备(OLED)。中间设备400A和400B中的每个包括基底401、缓冲层402、薄膜晶体管440、钝化层409、电极420和像素分隔墙430。薄膜晶体管440包括绝缘层403和404、半导体层405、源极406、漏极407和栅极408。像素分隔墙430形成在钝化层409和部分电极420的上方，暴露电极420的顶部表面的相当大的部分。电极420将作为有机发光二极管的阴极或者阳极。可转印层将形成在电极420的暴露的顶部表面上方。

在图4A中，磁层410a附于基底401的底部表面上。在图4B中示出的另一个实施例中，磁层410b位于基底401和缓冲层402之间。磁层410a和410b包括将在下面详细描述的磁性材料。在一个实施例中，磁层410a或者410b具有大约5,000和大约10,000之间的厚度。

在一些实施例中，根据设备的设计，中间设备可包含埋入电极420下面的任何组件中的磁性材料，例如，埋入基底401、缓冲层402、绝缘层403和404和/或钝化层409中的磁性材料。在任何情况下，中间设备包含的磁性材料的量足以使膜供体装置层和中间设备之间紧密接触。

在又一实施例中，中间设备可包含位于中间设备的特定区域中的磁性材料带。图4C示出了中间设备400C的一个实施例的俯视平面图。示出的设备是半成品有机发光设备400C。设备400C包括显示区460、数据驱动器430、扫描驱动器440和电源连接器415、420。显示区460包括矩阵形式的多个像素470。示出的设备400C包括磁性材料带450a和450b。在示出的实施例中，带450a位于显示区460外面的周围区域中。另外，带450b形成在显示区460中。带450b基本上彼此平行。在其它实施例中，磁性材料带形成在像素区中，而不在周围区域中。本领域技术人员将理解的是，可使用带的各种其它结构来提供磁力。

在一个实施例中，磁性材料可为包括永磁体或电磁体的磁体。永磁体可为铝镍钴磁体、铁氧体磁铁、稀土磁体、橡胶磁性或者塑料磁铁。永磁体可采用从板、块、片、棒和颗粒中选择的至少一种形式。在一个实施例中，永磁体可为纳米尺寸的磁性颗粒、板、块、片或者棒。利用旋涂、电子束沉积或者喷墨沉积，这种纳米尺寸的颗粒可被沉积在中间设备的组件的表面上。在其它实施例中，所述板、块、片、棒或者颗粒可大于纳米尺寸。

永磁体可基本均匀地分布在磁层410a或410b中。在其它实施例中，磁层410a或410b可仅在可转印层将被转印到其上的区域中具有永磁体部分。在又一实施例中，磁层可为由永磁体形成的单一板。

在另一实施例中，磁性材料可为电磁体。电磁体可具有从螺线管和环形线圈中选择的至少一种形式。螺线管表示形成直管形状的线圈。环形线圈表示形成环形形状的线圈。通常，环形线圈是弯曲成端部结合的螺线管。在一些实施例中，螺线管或者环形线圈可包括线圈中的顺磁体或者铁磁体材料(例如，铁)的磁芯。因为电磁体需要将被磁化的电流，所以电磁体通过导线被连接到外部电源。在一个实施例中，中间设备的非显示区可包括被电连接到指定给电磁体的一个或多个电极。构造电极，以接收来自外部电源的电源。另外，电极通过导线被连接到电磁体。在实施例中，电极可形成在包含电磁体的设备或者主体的外表面上，从而电连接到外部电源。在其它实施例中，电极可突出到包含电磁体的设备或者主体外。在由中间设备形成的成品电子设备中，电极可为无源的并且埋入介电材料中。与永磁体相似，根据中间设备的设计，电磁体可基本上均匀地或者不均匀地分布。

在又一实施例中，磁性材料可为吸磁材料，而不是磁体。吸磁材料的示例包括Fe、Ni、Cr、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoFe₂O₄、MnFeO₄、它们的合金以及两种或两种以上的上述材料的混合物，但是不限于此。吸磁材料的其它示例还可包括塑料磁性材料和陶瓷磁性材料。与永磁体相似，吸磁材料可为从板、块、片、棒和颗粒中选择的至少一种形式。这些可为纳米尺寸的颗粒或者更大的颗粒。吸磁材料可均匀地分布在磁层410中。在其它实施例中，磁层410可仅在可转印层将被转印到其上的区域中具有吸磁材料。在又一实施例中，磁层可为由吸磁材料形成的单一板。

在另一实施例中，可转印层下面的磁性材料可位于基底支撑物中。图5A和图5B示出了包含磁性材料的基底支撑物260的一个实施例。示出的基底支撑物260包含位于用来容纳中间设备的凹槽下面的区域263(用虚线表示)中的电磁体264。示出的电磁体264在竖直方向上排列。然而，根据基底支撑物的设计，电磁体可以以各种其它结构布置。电磁体还可以具有如上对于中间设备所述的各种形状和结构。在一些实施例中，磁性材料可为如上对于中间设备所述的永磁体或者吸磁材料。

在一个实施例中，可转印层上方的磁性材料可位于膜供体装置中。图6A至图6C是根据实施例的膜供体装置600A至600C的局部剖视图。膜供体装置600A至600C中的每个包括：底部基底601；光热转换层602，在底部基底601上面；中间层603，在光热转换层602上面；可转印层604，在中间层603上面。可选地，膜供体装置可包括中间层603和可转印层604之间的缓冲层(未示出)。

底部基底601用来提供具有膜结构的膜供体装置。底部基底601可由透明聚合物制成。透明聚合物的示例包括聚酯、对苯二甲酸盐、聚丙烯(polyacryl)、聚环氧树脂、聚乙烯和聚苯乙烯，但不限于此。底部基底601具有在大约10μm和大约500μm之间的厚度，可选地在大约100μm和大约400μm之间。

构造光热转换层602，以吸收激光并且将激光转换为热。转换层602包含吸光材料。吸光材料可以具有大约0.1至大约0.4的光密度。吸光材料可包括金属、金属氧化物和/或有机材料。金属/金属氧化物的示例包括铝、银、铬、钨、锡、镍、钛、钴、锌、金、铜、钼、铅和前述金属的氧化物，但是不限于此。有机材料可包括光合材料。有机材料的示例包括由(甲基)丙烯酸酯单体或者低聚物制成的聚合物，例如，由丙烯醛基(甲基)丙烯酸酯低聚物、酯(甲基)丙烯酸酯低聚物、环氧(甲基)丙烯酸酯低聚物、氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯低聚物等制成的聚合物，或者由两种或者两种以上的上述物质的混合物制成的聚合物。另外，转换层602还可包含比如碳黑、石墨或者红外染料等其它添加物。

光热转换层602的厚度可根据吸光材料和制造方法而改变。例如，当采用真空沉积法、激光束沉积法或者溅射法时，转换层可具有大约100至大约5000的厚度。在另一实施例中，当采用挤压涂覆法、照相凹板式涂敷法、旋涂法和刮涂法时，转换层可具有大约0.1μm至大约2μm的厚度。

中间层603起到保护光热转换层602的作用。在一个实施例中，中间层603具有高的耐热性。中间层603可由有机材料或者无机材料例如聚酰亚胺聚合物制成。中间层603具有在大约1μm和大约1.5μm之间的厚度。在一些实施例中，可省略中间设备。

可转印层604是将被转印到中间设备上的层。可转印层604可由有机材料形成。在电子设备为有机发光设备的一个实施例中，所述材料可为有机发光材料。然而，所述材料也可为用于形成有机发光设备的其它有机元件的其它有机材料。所述其它元件包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)，但是不限于此。在其它电子设备中，适于形成目标组件的任何材料都可用作可转印层的材料。可转印层604具有大约200至和大约1,000之间的厚度。可采用任何合适的方法，例如挤压涂覆法、照相凹板式涂敷法、旋涂法、刮涂法、真空沉积或者化学气相沉积(CVD)来形成可转印层604。

缓冲层(未示出)用来改进可转印层604的转印性质。缓冲层可包含金属氧化物、金属硫化物、非金属无机化合物和有机材料中的一种或者一种以上。无机化合物的示例包括Al和Au。有机材料的示例包括聚酰亚胺聚合物。

参照图6A，光热转换层602包含磁性材料。例如，光热转换层602可包含永磁体和/或电磁体。在其它实施例中，转换层602可包含吸磁材料。磁性材料可具有如上对于中间设备所述的各种结构。在其它实施例中，磁性材料可被埋入底部基底601或者中间层603中。在一些实施例中，磁性材料可被埋入底部基底601、光热转换层602和中间层603中的至少两个中。在其它实施例中，磁性材料可仅被埋入层601至603中的一个或多个中的特定部分中，而不是埋入整个层中。例如，层601至603中的一个或多个可仅在可转印层将被转印到中间设备的部分下面包含磁性材料。

参照图6B和图6C，膜供体装置600B和600C包括磁层605。磁层605包含磁性材料例如永磁体、电磁体和/或吸磁材料。磁性材料可具有如上对于中间设备所述的各种结构。

在图6B中，膜供体装置600B包括位于底部基底601和光热转换层602之间的磁层605。在图6C中，膜供体装置600C包括位于光热转换层602和中间层603之间的磁层605。在另一实施例中，膜供体装置可包括位于中间层603和可转印层604之间的磁层。在又一实施例中，膜供体装置可包括位于底部基底601的底部表面上的磁层，该磁层背离光转换层602。在一些实施例中，膜供体装置可具有位于层601至604中的两个连续层之间的两个或两个以上磁层。在这种实施例中，磁性材料还可埋入底部基底601、光热转换层602和中间层中的至少一个中。本领域技术人员将理解的是，磁层的结构和组合可根据膜供体装置的设计而改变。

在其它实施例中，可转印层上方的磁性材料可位于晒版器件中。图7示出了晒版器件230的一个实施例。示出的晒版器件230包含埋入晒版器件中的磁性材料。磁性材料可为如上对于中间设备所述的永磁体或者电磁体。在其它实施例中，磁性材料可为吸磁材料，如上所述。

在一些实施例中，晒版器件230可包括可分的磁层。磁层包含如上对于中间设备所述的磁性材料。磁层可附于晒版器件230的顶部表面和底部表面中的至少一个上。在其它实施例中，磁层可被埋入晒版器件230中。在该实施例中，所述层被图案化，以具有与晒版器件的开口对应的开口。晒版器件和磁层的开口使得激光束被引导到部分膜供体装置241。这种结构将可转印膜选择性地转印到中间设备250上。在其它实施例中，晒版器件本身可由磁性材料形成。在所有的前述实施例中，晒版器件包含足以提供用来将膜供体装置压在中间设备上的磁力的量的磁性材料。

激光诱导热成像工艺

根据实施例的激光诱导热成像(LITI)工艺采用磁力来提供膜供体装置和中间设备之间的紧密接触。图8是示出LITI工艺的一个实施例的流程图。

首先，在步骤810中，将中间设备250放置在基底支撑物260上。在该步骤期间，中间设备250可通过任何适合的移动装置(例如机器人装置)移动。接着，在步骤820中，将膜供体装置241放置在中间设备250上方。首先，膜供体装置241以其可转印层朝下的方式与中间设备250垂直排列。接着，膜供体装置241向下移动到中间设备250上。可转印层的至少一部分接触中间设备250。与步骤810相似，可通过移动装置来移动膜供体装置241。

在步骤830中，提供磁力以将膜供体装置241压在中间设备250上。可通过位于如上所述的LITI组件中的两个组件中的磁性材料来产生磁力：一个位于可转印层上方，另一个位于可转印层将要转印到其上的表面上。在一些实施例中，两个LITI组件中的一个可包含磁体，而另一个可包含不是磁体的吸磁材料。在其它实施例中，两个LITI组件均可包含磁体。磁体可包括永磁体和/或电磁体。在磁体包括电磁体的一个实施例中，可根据LITI工艺的需要选择时间来产生磁力。在一些实施例中，包含磁体的组件也可包含吸磁材料。

在该步骤中，磁力使得膜供体装置241推斥中间设备250，这使得可转印层更近地接触可转印层将转印到其上的表面。在该工艺中，可从膜供体装置241和中间设备250之间去除所有的或者至少一些气隙或者气泡。该步骤便于将可转印层转印到中间设备250上。

在步骤840中，激光被照射到膜供体装置241上。激光提供将可转印层转印到中间设备250上所需的热能。在该步骤中，激光振荡器220被激活，以将激光照射到膜供体装置241的顶部表面上。在采用具有开口的晒版器件230的一个实施例中，激光穿过开口，到达膜供体装置241的顶部表面。在这个工艺期间，激光被引导到膜供体装置241的选择区域上。激光穿过底部基底到达膜供体装置241的光热转换层。光热转换层将光能转换为热能，产生热。所述热被传递到可转印层的选择部分。采用这种工艺，从膜供体装置241释放了部分可转印层，并且这部分可转印层被转印到中间设备250。在不采用晒版器件的其它实施例中，激光选择性地照射在膜供体装置241的顶部表面的特定部分上。

随后，在步骤850中，从中间设备250上方去除膜供体装置241，将部分可转印层留在中间设备250的顶部表面上。可利用与在步骤820中使用的移动装置相同的装置去除膜供体装置241。

参照图9A至图9F，中间设备250被引导到可转印室900中。将中间设备250放置在可转印室900中的机器臂920的末端执行器910上。随后，中间设备250被运输到LITI室210中，如图9B中所示。接着，将中间设备250放置在基底支撑物260上，如图9C中所示。

接着，将膜供体装置241放置在末端执行器910上，如图9C中所示。随后，将膜供体装置241引入LITI室210中，如图9D中所示。膜供体装置241与中间设备250垂直排列。接着，将膜供体装置241向下移动到中间设备250上，如图9E中所示。然后从LITI室210去除末端执行器910。随后，关闭闸阀930，以提供封闭的反应室。在一个实施例中，在这些步骤的过程中，在整个可转印室和LITI室中，可保持真空气氛。

可选地，晒版器件可设置在膜供体装置上方。在图9F中，晒版器件230向下移动到膜供体装置241上方。晒版器件230在膜供体装置241上方提供重力。晒版器件230可使得膜供体装置241和中间设备250之间的紧密接触容易。在其它实施例中，可省略晒版器件。

接着，提供磁力，以使中间设备和膜供体装置之间紧密接触。可通过位于LITI装置组件中的两个组件中的磁性材料来产生磁力：一个磁性材料位于可转印层下面，另一个磁性材料位于可转印层上方，如上所述。本领域技术人员将理解的是，可根据LITI装置的设计来在一些其它组件中设置磁性材料。在所有的前述实施例中，在中间设备和膜供体装置之间施加足够强度的磁力，以使所述接触在中间设备和膜供体装置之间没有气隙或气泡。磁性材料的位置和结构的细节如上对于LITI装置所述。

图10A至图10D是示出可转印层是如何转印到中间设备上的剖视图。示出的中间设备是半成品的有机发光设备400。在示出的实施例中，磁性材料位于中间设备和膜供体装置中。在其它实施例中，磁性材料可设置在如上所述的LITI装置的其它组件中。

参照图10A，中间设备400包括薄膜晶体管(TFT)结构411、磁层410、电极420和像素分隔层430。电极420的一部分412通过像素分隔层430暴露。有机层将形成在暴露部分412上，从后面的描述中将更好地理解。

接着，如图10B中所示，将膜供体装置600放置在中间设备400上方。膜供体装置600包括底部基底601、磁层605、光热转换层602、中间层603和可转印层604，如相对于图6B所述。可转印层604至少部分地接触像素分隔层430的顶部表面，如图10B中所示，在这个步骤期间，在膜供体装置600和中间设备400之间施加磁力。

接着，激光照射到膜供体装置600的选择部分上。选择部分位于电极420的暴露部分412上方。激光穿过底部基底和磁层605，到达光热转换层602。光热转换层602将光能转换为热能，产生热。所述热通过中间层603被传递到可转印层604。

接着，基于接收的热，可转印层604的一部分从膜供体装置600脱层，并开始接触电极420的暴露部分412，如图10C中所示。在示出的实施例中，转换层602、中间层603和可转印层604的一部分与磁层605分开。在其它实施例中，可以仅仅可转印层604与膜供体装置600分开。

随后，如图10D中所示，从中间设备400上方去除膜供体装置600。这个步骤之后，仅一部分可转印层604a留在中间设备400上。

在上述实施例中，利用磁力来提供膜供体装置和中间设备之间的紧密接触。与抽气不同，这种结构不需要LITI室中的气压。因此，可以在真空气氛中执行LITI工艺。由于LITI工艺之前进行或随后进行的工艺通常也在真空气氛中完成，所以可以执行LITI工艺而在整个工艺中不破坏真空。可以从沉积空穴注入层(HIL)的工艺到沉积第二电极层(阴极层)的工艺中保持真空气氛。另外，LITI工艺减少了供体膜和中间设备之间的杂质或间隙的存在。这提高了所得电子设备的寿命、产量和可靠性。

尽管已经示出和描述了本发明的各种实施例，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求及其等同物限定的范围的本发明的原理和精神的情况下，可以对这些实施例作改变。

Claims

1、一种包括显示器的电子设备，所述设备包括：

基底；

显示像素阵列，形成在所述基底上方，所述阵列包括有机材料层；

磁层，包含磁体；

其中，所述磁层位于所述基底和所述有机材料层之间，或者所述基底位于所述有机材料层和所述磁层之间。

2、如权利要求1所述的设备，其中，所述磁体包含从由电磁体和永磁体组成的组中选择的至少一种。

3、如权利要求1所述的设备，其中，所述显示像素阵列包括位于所述有机材料层和所述基底之间的多个薄膜晶体管，其中，所述磁层位于所述多个薄膜晶体管和所述基底之间。

4、如权利要求1所述的设备，其中，所述磁层与所述有机材料层基本平行。

5、如权利要求1所述的设备，其中，所述磁层还包含多个磁体，所述磁体基本分布在整个所述磁层中。

6、如权利要求5所述的设备，其中，所述多个磁体基本均匀地分布在所述磁层中。

7、如权利要求1所述的设备，其中，所述磁层与所述有机材料层的基本上整个部分叠置。

8、如权利要求1所述的设备，其中，所述磁体包含从由螺线管和环形线圈组成的组中选择的电磁体。

9、如权利要求8所述的设备，其中，所述基底包括显示区和非显示区，其中，所述阵列形成在所述基底的所述显示区上，其中，所述磁体包含电磁体，其中，所述设备还包括从所述电磁体向所述非显示区的位置延伸的电连接。

10、如权利要求1所述的设备，其中，所述磁体包括从由铝镍钴磁体、铁氧体磁铁、稀土磁体、橡胶磁体、塑料磁体组成的组中选择的永磁体。

11、如权利要求1所述的设备，其中，所述磁体包括从由板、片、棒和颗粒组成的组中选择的一种或一种以上形状。

12、如权利要求1所述的设备，其中，构造所述磁体，以感应穿过所述有机材料层的磁场。

13、如权利要求1所述的设备，其中，所述磁体为足够的量，以产生从大约5毫高斯至大约50毫高斯的磁场。

14、如权利要求1所述的设备，其中，所述电子设备包括有机发光显示设备。

15、一种包括显示器的电子设备，所述设备包括：

基底；

装置，用于感应穿过所述有机材料层的电场。

16、如权利要求15所述的设备，其中，所述装置包括从由Fe、Ni、Cr、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoFe₂O₄、MnFeO₄以及两种或两种以上上述物质的合金组成的组中选择的一种或多种材料。

17、如权利要求15所述的设备，其中，所述装置包括从由板、片、棒和颗粒组成的组中选择的一种或多种形状。

18、如权利要求15所述的设备，其中，所述装置位于所述有机材料层和所述基底之间。

19、如权利要求15所述的设备，其中，所述装置位于所述基底下面。

20、如权利要求15所述的设备，其中，所述电子设备包括有机发光显示设备。