CN110416124A - Led的转移方法及led显示面板的制备方法 - Google Patents

Led的转移方法及led显示面板的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110416124A
CN110416124A CN201910604717.XA CN201910604717A CN110416124A CN 110416124 A CN110416124 A CN 110416124A CN 201910604717 A CN201910604717 A CN 201910604717A CN 110416124 A CN110416124 A CN 110416124A
Authority
CN
China
Prior art keywords
led
hole
electromagnetism plate
electromagnetism
magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910604717.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN110416124B (zh
Inventor
林永富
陈柏良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Century Technology Shenzhen Corp Ltd
Original Assignee
Century Technology Shenzhen Corp Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Century Technology Shenzhen Corp Ltd filed Critical Century Technology Shenzhen Corp Ltd
Priority to CN201910604717.XA priority Critical patent/CN110416124B/zh
Priority to TW108124584A priority patent/TWI721491B/zh
Publication of CN110416124A publication Critical patent/CN110416124A/zh
Priority to US16/703,008 priority patent/US11121283B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN110416124B publication Critical patent/CN110416124B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0095Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67709Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using magnetic elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757Means for aligning
    • H01L2224/75733Magnetic holding means
    • H01L2224/75735Magnetic holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/9512Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/95121Active alignment, i.e. by apparatus steering
    • H01L2224/95133Active alignment, i.e. by apparatus steering by applying an electromagnetic field
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种LED的转移方法,其包括以下步骤:提供一接收基板和多个LED,接收基板具有多个接收区域,每一接收区域用于对应接收一个LED,每一LED的相对两端分别设置有磁性相反的第一电极和第二电极或可供磁吸引材料;利用第一电磁平板磁性吸附多个LED,使每一LED均保持第一电极朝上或第二电极朝上后转移至一第一平台;利用一第二电磁平板磁性吸附第一平台上的多个LED,使其粗定位后转移至一第二平台上;以及利用一第三电磁平板吸附第二平台上的多个LED,使其细定位后对应转移至接收基板的接收区域。还提供一种LED显示面板的制备方法。

Description

LED的转移方法及LED显示面板的制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种发光二极管(Light Emitting Diode,LED)的转移方法及LED显示面板的制备方法。
背景技术
目前,LED的尺寸越来越趋向于微小化,这使得将大量微小的LED转移到一接收基板上的步骤在技术上很难实现。
发明内容
本发明提供一种LED的转移方法,其包括以下步骤:
步骤S11:提供一接收基板和多个LED,所述接收基板具有多个接收区域,每一接收区域用于对应接收一个所述LED,每一LED的相对两端分别设置有磁性相反的第一电极和第二电极或可供磁吸引材料;
步骤S12:提供一第一电磁平板,利用所述第一电磁平板磁性吸附所述多个LED,使每一LED均保持第一电极朝上或第二电极朝上后转移至一第一平台;
步骤S13:提供一第二电磁平板,所述第二电磁平板的表面上具有第一绝缘非磁性材料层,所述第一绝缘非磁性材料层上具有暴露所述第二电磁平板的表面的多个第一通孔,每一第一通孔的尺寸均大于每一LED的尺寸,所述多个第一通孔与所述多个接收区域为一一对应的,且所述第二电磁平板通电后对应每一个第一通孔的位置可吸附一个所述LED,其他位置不可吸附所述LED,利用所述第二电磁平板吸附所述第一平台上的所述多个LED,使其粗定位后转移至一第二平台上;以及
步骤S14:提供一第三电磁平板,所述第三电磁平板的表面上具有第二绝缘非磁性材料层,所述第二绝缘非磁性材料层上具有暴露所述第三电磁平板的表面的多个第二通孔,每一第二通孔的尺寸均大于每一LED的尺寸并小于每一第一通孔的尺寸,所述多个第二通孔与所述多个接收区域为一一对应的,所述第三电磁平板通电后对应每一个第二通孔的位置可吸附一个所述LED,其他位置不可吸附LED,利用所述第三电磁平板吸附所述第二平台上的所述多个LED,使其细定位后对应转移至所述接收基板的接收区域。
本发明实施例还提供一种LED显示面板的制备方法,所述LED显示面板定义有多个像素单元,每一像素单元包括多个发不同种颜色光的LED,所述LED显示面板的制备方法包括以下步骤:
步骤S21:提供一接收基板,所述接收基板具有多个接收区域,每一接收区域用于对应接收一个LED;
步骤S22:提供发所述不同种颜色光中的一种颜色光的多个LED,每一LED的相对两端分别设置有磁性相反的第一电极和第二电极或可供磁吸引材料;
步骤S23:提供一第一电磁平板,利用所述第一电磁平板磁性吸附所述步骤S22中提供的多个LED,使每一LED均保持第一电极朝上或第二电极朝上后转移至一第一平台;
步骤S24:提供一第二电磁平板,所述第二电磁平板的表面上具有第一绝缘非磁性材料层,所述第一绝缘非磁性材料层上具有暴露所述第二电磁平板的表面的多个第一通孔,每一第一通孔的尺寸均大于每一LED的尺寸,所述多个第一通孔与所述接收基板上用于接收所述步骤S22中提供的多个LED的多个接收区域为一一对应的,所述第二电磁平板通电后对应每一个第一通孔的位置可吸附一个所述LED,其他位置不可吸附所述LED,利用所述第二电磁平板吸附所述第一平台上的所述多个LED,使其粗定位后转移至一第二平台上;
步骤S25:提供一第三电磁平板,所述第三电磁平板的表面上具有第二绝缘非磁性材料层,所述第二绝缘非磁性材料层上具有暴露所述第三电磁平板的表面的多个第二通孔,每一第二通孔的尺寸均大于每一LED的尺寸并小于每一第一通孔的尺寸,所述多个第二通孔与所述接收基板上用于接收所述步骤S22中提供的多个LED的多个接收区域为一一对应的,所述第三电磁平板通电后对应每一个第二通孔的位置可吸附一个所述LED,其他位置不可吸附LED,利用所述第三电磁平板吸附所述第二平台上的所述多个LED,使其细定位后对应转移至所述接收基板的接收区域;以及
步骤S26:重复步骤S22至S25,分别将发所述不同种颜色光中的其他颜色光的LED对应转移至所述接收基板的接收区域。
本发明实施例的LED的转移方法,第一电磁平板、第二电磁平板以及第三电磁平板均可一次电性吸附大量的LED,可实现对LED晶粒的巨量转移。另外,该LED的转移方法中,由于每一LED在转移过程中,均分别经历了粗定位以及细定位两次定位,该转移过程的准确率高。
附图说明
图1为本发明实施例的LED的转移方法的接收基板的俯视示意图。
图2为本发明实施例的LED的转移方法的接收基板的剖面示意图。
图3为本发明实施例的LED的转移方法的步骤S11的示意图。
图4至图5为本发明实施例的LED的转移方法的步骤S12的示意图。
图6至图8为本发明实施例的LED的转移方法的步骤S13的示意图。
图9至图11为本发明实施例的LED的转移方法的步骤S14的示意图。
图12至图13为本发明实施例的形成第二电磁平板和第三电磁平板的各步骤的示意图。
图14为本发明实施例的LED显示面板的制备方法中形成一平坦化层的步骤的示意图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
本发明实施例提供一种发光二极管(Light Emitting Diode,LED)的转移方法,下面结合图1至图13对所述LED的转移方法的各步骤进行详细的说明。该转移方法包括以下步骤。
步骤S11:提供一接收基板10和多个LED20。
如图1所示,所述接收基板10具有多个接收区域14,每一接收区域14用于对应接收一个LED20。
如图2所示,接收基板10为一薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)基板,其包括基底11、位于基底11一侧的TFT阵列层12以及位于TFT阵列层12远离基底11一侧的绝缘层13。TFT阵列层12包括多个TFT(图未示),绝缘层13开设有多个暴露TFT阵列层12的接收孔16,每一接收孔16定义为一个接收区域14,以用于对应接收一个LED20。
于一实施例中,基底11的材料可以为玻璃、石英、硅片等,也可以为聚酰亚胺(polyimide,PI)或聚对苯二甲酸(Poly Ethylene Terephthalate,PET)等柔性材料。
如图3所示,多个LED20杂乱在放置在第一平台30上。每一所述LED20的相对两端分别设置有磁性相反的第一电极24和第二电极25。部分LED20的第一电极24朝上,部分LED20的第二电极25朝上。每一LED20包括依次层叠设置的P型掺杂的无机发光材料层21、活性层22、N型掺杂的无机发光材料层23。活性层22位于P型掺杂的无机发光材料层21和N型掺杂的无机发光材料层23之间。P型掺杂的无机发光材料层21电性连接第二电极25,N型掺杂的无机发光材料层23电性连接第一电极24。其中,第一电极24和第二电极25为磁性相反的异名磁极,例如,第一电极24的磁极为N极,第二电极25的磁极为S极,或者第一电极24的磁极为S极,第二电极25的磁极为N极。
于一实施例中,LED20可为传统的LED、miniLED或者microLED。其中,microLED又称微型发光二极管,意指晶粒尺寸小于100微米的LED。miniLED又称次毫米发光二极管,其尺寸介于传统的LED和microLED之间,一般意指晶粒尺寸大致在100到200微米的LED。
于一实施例中,第一电极24和第二电极25的材料可为铝镍钴系永磁合金、铁铬镍系永磁合金、永磁铁氧体、其他稀土永磁材料或者上述材料构成的复合永磁性材料。通过采用永磁材料,使得第一电极24和第二电极25的磁性稳定。
于另一实施例中,每一LED20的相对两端分别设置磁性相反的可供磁吸引材料,但该可供磁吸引材料不作为LED20的电极。其中,可供磁吸引材料可以为铝镍钴系永磁合金、铁铬镍系永磁合金、永磁铁氧体、其他稀土永磁材料或者上述材料构成的复合永磁性材料。
步骤S12:提供一第一电磁平板40,利用所述第一电磁平板40磁性吸附所述多个LED20,使每一LED20均保持第一电极24朝上或第二电极25朝上后转移至一第一平台30。
于一实施例中,第一电磁平板40包括控制电路(图未示)。可通过控制电路给第一电磁平板40施加电压或电流,以使第一电磁平板40具有磁性。
另外,还可通过调节控制电路给第一电磁平板40施加的电压或电流的大小来控制第一电磁平板40的磁性强弱。其中,为便于后续移转到接收基板10上的LED20保持发光面的方向朝向远离接收基板10的一侧,该步骤S12中,使每一LED20保持发光面的方向朝上后转移至第一平台30上。即,若每一LED20发射的光为从第一电极24的一侧射出,则每一LED20均保持第一电极24朝上后转移至一第一平台30。若每一LED20发射的光为从第二电极25的一侧射出,则每一LED20均保持第二电极25朝上后转移至一第一平台30。
可以理解的,若每一LED20均保持第一电极24朝上后转移至一第一平台30,则第一电磁平板40选择通电后能产生磁性与第一电极24的磁性相反的电磁平板;若每一LED20均保持第二电极25朝上后转移至一第一平台30,则第一电磁平板40选择通电后能产生的磁性与第二电极25的磁性相反的电磁平板。即,第一电磁平板40的类型可根据LED20的电极的磁性来选择。
于一实施例中,第一电磁平板40还可包括机械手臂(图未示),以带动第一电磁平板40作上下移动或左右移动。
如图4所示,当第一电磁平板40中的控制电路开启,第一电磁平板40被施加一电压或电流后,第一电磁平板40产生于第一电极24磁极相反的磁性。每一LED20的第一电极24与第一电磁平板40之间由于磁性相反而相互吸引,使得多个LED20被吸附到第一电磁平板40的表面。
如图5所示,当第一电磁平板40中的控制电路关闭,多个LED20在自身重力的作用下,均保持第一电极24朝上落在第一平台30上。如此,可实现多个LED20的定向排列。
步骤S13:提供一第二电磁平板50,所述第二电磁平板50的表面上具有第一绝缘非磁性材料层60,所述第一绝缘非磁性材料层60上具有暴露所述第二电磁平板50的表面的多个第一通孔61,每一第一通孔61的尺寸均大于每一LED20的尺寸,所述多个第一通孔61与所述多个接收区域14为一一对应的,所述第二电磁平板50通电后对应每一个第一通孔61的位置可吸附一个所述LED20,其他位置不可吸附所述LED20,利用所述第二电磁平板50吸附所述第一平台30上的所述多个LED20,使其粗定位后转移至一第二平台70上。
如图6所示,第一绝缘非磁性材料层60上开设的所述多个第一通孔61与所述多个接收区域14在数量和位置上为一一对应的。相邻的两个第一通孔61之间通过第一绝缘非磁性材料层60彼此绝缘。于一实施例中,所述第一绝缘非磁性材料层60可为聚酰亚胺基复合材料。
如图7所示,每一第一通孔61的尺寸均大于待吸附的一个LED20的尺寸,但每一第一通孔61的大小只能对应吸附一个LED20,且第二电磁平板50对应每一第一通孔61的位置吸附一个LED20后,该第一通孔61的孔壁的边缘与该LED20之间还具有一相对较大的间隙。
于一实施例中,第二电磁平板50的远离第一绝缘非磁性材料层60的一侧还可设置机械手臂(图未示),以带动第二电磁平板50作上下移动或左右移动。
于一实施例中,第二电磁平板50亦包括控制电路,可通过控制电路给第二电磁平板50施加电压或电流,以使第二电磁平板50具有磁性。另外,还可通过调节控制电路给第二电磁平板50施加的电压或电流的大小来控制第二电磁平板50的磁性强弱。
如图7所示,当第二电磁平板50中的控制电路开启,第二电磁平板50被施加一电压或电流后,第二电磁平板50产生与每一个LED20的第一电极24磁极相反的磁性,位于第一平台30上的LED20由于与第二电磁平板50之间磁力的作用,被吸附到第二电磁平板50的对应第一通孔61的位置。其中,第二电磁平板50对应每一个第一通孔61的位置可吸附一个所述LED20,第二电磁平板50对应其他位置由于第一绝缘非磁性材料层60的作用无法吸附LED20。
如图8所示,当第二电磁平板50的对应每一个第一通孔61的位置均吸附到一个LED20后,将第二电磁平板50移到一第二平台70上方,然后将第二电磁平板50中的控制电路关闭。如此,被第二电磁平板50磁性吸附的多个LED20在自身重力的作用下,均保持第一电极24朝上落在第二平台70上。其中,由于第二电磁平板50上的多个第一通孔61与所述多个接收区域14为一一对应的,因此,落在第二平台70上的多个LED20与接收基板10上的多个接收区域14也是一一对应的。如此,可实现多个LED20的初步粗定位。
步骤S14:提供一第三电磁平板80,所述第三电磁平板80的表面上具有第二绝缘非磁性材料层90,所述第二绝缘非磁性材料层90上具有暴露所述第三电磁平板80的表面的多个第二通孔91,每一第二通孔91的尺寸均大于每一LED20的尺寸并小于每一第一通孔61的尺寸,所述多个第二通孔91与所述多个接收区域14为一一对应的,所述第三电磁平板80通电后对应每一个第二通孔91的位置可吸附一个所述LED20,其他位置不可吸附LED20,利用所述第三电磁平板80吸附所述第二平台70上的所述多个LED20,使其细定位后对应转移至所述接收基板10的接收区域14。
如图9所示,第二绝缘非磁性材料层90上开设的所述多个第二通孔91与所述多个接收区域14在数量和位置上为一一对应的。相邻的两个第二通孔91之间通过第二绝缘非磁性材料层90彼此绝缘。请结合参阅图6,每一第二通孔91的尺寸小于每一第一通孔61的尺寸,以用于更进一步地使待吸附的LED20细定位。于一实施例中,所述第二绝缘非磁性材料层90的材料可为聚酰亚胺基复合材料。
如图10所示,每一第二通孔91的尺寸均大于待吸附的一个LED20的尺寸,但每一第二通孔91的大小仍只能对应吸附一个LED20。请结合参阅图6,相邻两个第二通孔91之间的距离大于相邻两个第一通孔61之间的距离。第三电磁平板80对应每一第二通孔91的位置吸附一个LED20后,该第二通孔91的孔壁的边缘与该LED20之间具有相对较小的间隙,以使每一LED20可被更加精确地定位。
于一实施例中,第三电磁平板80的远离第二绝缘非磁性材料层90的一侧还可设置机械手臂(图未示),以带动第三电磁平板80作上下移动或左右移动。
于一实施例中,第三电磁平板80包括控制电路(图未示),可通过控制电路给第三电磁平板80施加电压或电流,以使第三电磁平板80具有磁性。另外,还可通过调节控制电路给第三电磁平板80施加的电压或电流的大小来控制第二电磁平板50的磁性强弱。
如图1、图6和图9所示,多个第一通孔61与所述多个接收区域14在数量和位置上为一一对应的,多个第二通孔91与所述多个接收区域14在数量和位置上亦为一一对应。
如图10所示,将第三电磁平板80移动到第二平台70的上方,并使多个第二通孔91与位于第二平台70上的多个LED20一一对准。然后将第三电磁平板80中的控制电路开启,通过控制电路给第三电磁平板80施加一电压或电流,使第三电磁平板80产生与每一个LED20的第一电极24磁极相反的磁性,进而使位于第二平台70上的LED20由于与第三电磁平板80之间磁力的作用,被吸附到第三电磁平板80的对应第二通孔91的位置,而第三电磁平板80对应第二通孔91以外的位置,由于第二绝缘非磁性材料层90的作用无法吸附LED20。
由于每一第二通孔91的尺寸小于每一第一通孔61的尺寸,使得位于第二平台70上的LED20被第三电磁平板80吸附后位置得到进一步地修正。
如图11所示,当第三电磁平板80的对应每一第二通孔91的位置均吸附一个LED20后,将第三电磁平板80移动到接收基板10的上方,并使第三电磁平板80上吸附的每一LED20与接收基板10上对应的接收区域14一一对准,然后将第三电磁平板80的控制电路关闭。如此,被第三电磁平板80磁性吸附的多个LED20在自身重力的作用下,均保持第一电极24朝上落在对应的接收区域14上,即均保持发光面朝上落在对应的接收区域14上。由于位于第二平台70上的LED20被第三电磁平板80吸附后位置得到进一步地修正,使得落在对应的接收区域14上的LED20的对位更加精确。
于一实施例中,TFT阵列层12包括多个TFT(图未示)。每一LED20落在对应的接收区域14上后,其第二电极25可与TFT阵列层12中的一个TFT对应电性连接,其第一电极24可经导线连接至一驱动电路(图未示),以向LED20的第一电极24施加电压。当LED20的第一电极24和第二电极25之间存在一正向偏压时,该LED20在该正向偏压下发光。
需要说明的是,该LED20的转移方法中,不限定每一LED20的发光颜色。由于本发明实施例的LED20的转移方法,第一电磁平板40、第二电磁平板50以及第三电磁平板80均可一次电性吸附大量的LED20,该转移方法可实现对LED20晶粒的巨量转移。另外,该LED20的转移方法中,由于每一LED20在转移过程中,均分别经历了粗定位以及细定位两次定位,该转移过程的准确率高。
于一实施例中,所述LED20的转移方法还包括形成第一绝缘非磁性材料层60以及多个第一通孔61的步骤,以及形成第二绝缘非磁性材料层90以及多个第二通孔91的步骤。
具体地,如图12所示,提供一电磁平板,于所述电磁平板的一表面形成绝缘非磁性材料层。于一实施例中,该绝缘非磁性材料层的材料可为聚酰亚胺基复合材料,其可采用化学气相沉积的方法形成于所述电磁平板的一表面。其中,该电磁平板可以为第二电磁平板50或第三电磁平板80。该绝缘非磁性材料层以用于形成第一绝缘非磁性材料层60或第二绝缘非磁性材料层90。
如图13所示,采用激光剥离的方法对绝缘非磁性材料层进行图案化,使其形成多个暴露电磁平板的通孔。其中,第一绝缘非磁性材料层60经图案化后可形成多个暴露第二电磁平板50的多个第一通孔61。第二绝缘非磁性材料层90经图案化后可形成多个暴露第三电磁平板80的多个第二通孔91。
如图14所示,上述的LED20转移方法中,接收基板10上的接收孔16的尺寸大于所述LED20的尺寸,当多个LED20被转移至所述接收基板10的接收区域14后,还包括于所述TFT阵列层12远离所述基底11的一侧形成平坦化层15的步骤。所述平坦化层15至少填充所述LED20的周缘,以固定所述LED20。
于一实施例中,经过上述平坦化层15步骤后,还包括导线制备以及封装的步骤,进而可得到一LED显示面板。可以理解的,若步骤S11中,提供的多个LED20均为发同一种颜色光的LED,如均为发红光的LED、均为发绿光的LED、均为发蓝光的LED等,则该LED显示面板为一单色ELD显示面板。该单色ELD显示面板可用作广告标牌、指示灯显示等。
本发明实施例还提供一种彩色的LED显示面板的制备方法,所述彩色的LED显示面板定义有多个像素单元,每一像素单元包括多个子像素。每一像素单元中包括多个发不同种颜色光的LED20。于一实施例中,每一像素单元分别包括红色子像素、蓝色子像素以及绿色子像素。每一个红色子像素对应一个发红光的LED20,每一个蓝色子像素对应一个发蓝光的LED20,每一个绿色子像素对应一个发绿光的LED20。于其他实施例中,除去红色子像素、蓝色子像素以及绿色子像素以外,每一像素单元还可包括白色子像素,每一白色子像素对应一个发白光的LED20。
所述彩色LED显示面板的制备方法与上述的单色的LED显示面板的制备方法大致相同,其包括以下步骤。
步骤S21:提供一接收基板10,所述接收基板10具有多个接收区域14,每一接收区域14用于对应接收一个LED20。即,接收基板10的每一接收区域14对应一个子像素。
步骤S22:提供发所述不同种颜色光中的一种颜色光的多个LED20,每一LED20的相对两端分别设置有磁性相反的第一电极24和第二电极25或每一LED20的相对两端分别设置有磁性相反的可供磁吸引材料,但该可供磁吸引材料不作为LED20的电极。
步骤S23:提供一第一电磁平板40,利用所述第一电磁平板40磁性吸附所述步骤S22中提供的多个LED20,使每一LED20均保持第一电极24朝上或第二电极25朝上后转移至一第一平台30。
步骤S24:提供一第二电磁平板50,所述第二电磁平板50的表面上具有第一绝缘非磁性材料层60,所述第一绝缘非磁性材料层60上具有暴露所述第二电磁平板50的表面的多个第一通孔61,每一第一通孔61的尺寸均大于每一LED20的尺寸,所述多个第一通孔61与接收基板10上用于接收步骤S22中的LED20的多个接收区域14为一一对应的,且所述第二电磁平板50通电后对应每一个第一通孔61的位置可吸附一个所述LED20,其他位置不可吸附所述LED20,利用所述第二电磁平板50吸附所述第一平台30上的所述多个LED20,使其粗定位后转移至一第二平台70上。
步骤S25:提供一第三电磁平板80,所述第三电磁平板80的表面上具有第二绝缘非磁性材料层90,所述第二绝缘非磁性材料层90上具有暴露所述第三电磁平板80的表面的多个第二通孔91,每一第二通孔91的尺寸均大于每一LED20的尺寸并小于每一第一通孔61的尺寸,所述多个第二通孔91与接收基板10上用于接收步骤S22中的LED20的多个接收区域14为一一对应的,且所述第三电磁平板80通电后对应每一个第二通孔91的位置可吸附一个所述LED20,其他位置不可吸附LED20,利用所述第三电磁平板80吸附所述第二平台70上的所述多个LED20,使其细定位后对应转移至所述接收基板10的接收区域14。
其中,步骤S23至步骤S25分别与上述步骤S12至步骤S14相同,在此不再赘述。
步骤S26:重复实施以上步骤S22至S25,分别将发所述不同种颜色光中的其他颜色光的LED20对应转移至所述接收基板10的接收区域14。
所述接收孔16的尺寸大于所述LED20,所述步骤S26后,还包括于所述TFT阵列层12远离所述基底11的一侧形成平坦化层15,所述平坦化层15至少填充所述LED20的周缘,以固定所述LED20。可以理解的,形成平坦化层15后还可包括导线制备的步骤、以及封装的步骤,进而得到一彩色的LED显示面板。
本发明实施例的LED显示面板的制备方法中,第一电磁平板40、第二电磁平板50以及第三电磁平板80均可一次电性吸附大量的LED20,即该转移方法可实现对LED晶粒的巨量转移。另外,由于每一LED20在转移过程中,均分别经历了粗定位以及细定位两次定位,该转移过程的准确率高。
以上实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施方式对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种LED的转移方法,其包括以下步骤:
步骤S11:提供一接收基板和多个LED,所述接收基板具有多个接收区域,每一接收区域用于对应接收一个所述LED,每一LED的相对两端分别设置有磁性相反的第一电极和第二电极或可供磁吸引材料;
步骤S12:提供一第一电磁平板,利用所述第一电磁平板磁性吸附所述多个LED,使每一LED均保持第一电极朝上或第二电极朝上后转移至一第一平台;
步骤S13:提供一第二电磁平板,所述第二电磁平板的表面上具有第一绝缘非磁性材料层,所述第一绝缘非磁性材料层上具有暴露所述第二电磁平板的表面的多个第一通孔,每一第一通孔的尺寸均大于每一LED的尺寸,所述多个第一通孔与所述多个接收区域为一一对应的,且所述第二电磁平板通电后对应每一个第一通孔的位置可吸附一个所述LED,其他位置不可吸附所述LED,利用所述第二电磁平板吸附所述第一平台上的所述多个LED,使其粗定位后转移至一第二平台上;以及
步骤S14:提供一第三电磁平板,所述第三电磁平板的表面上具有第二绝缘非磁性材料层,所述第二绝缘非磁性材料层上具有暴露所述第三电磁平板的表面的多个第二通孔,每一第二通孔的尺寸均大于每一LED的尺寸并小于每一第一通孔的尺寸,所述多个第二通孔与所述多个接收区域为一一对应的,所述第三电磁平板通电后对应每一个第二通孔的位置可吸附一个所述LED,其他位置不可吸附LED,利用所述第三电磁平板吸附所述第二平台上的所述多个LED,使其细定位后对应转移至所述接收基板的接收区域。
2.如权利要求1所述的LED的转移方法,其特征在于,采用激光剥离的方法形成所述多个第一通孔和所述多个第二通孔。
3.如权利要求1所述的LED的转移方法,其特征在于,所述第一绝缘非磁性材料层和所述第二绝缘非磁性材料层的材料为聚酰亚胺基复合材料。
4.如权利要求3所述的LED的转移方法,其特征在于,采用化学气相沉积的方法形成所述第一绝缘非磁性材料层和所述第二绝缘非磁性材料层。
5.一种LED显示面板的制备方法,所述LED显示面板定义有多个像素单元,每一像素单元包括多个发不同种颜色光的LED,所述LED显示面板的制备方法包括以下步骤:
步骤S21:提供一接收基板,所述接收基板具有多个接收区域,每一接收区域用于对应接收一个LED;
步骤S22:提供发所述不同种颜色光中的一种颜色光的多个LED,每一LED的相对两端分别设置有磁性相反的第一电极和第二电极或可供磁吸引材料;
步骤S23:提供一第一电磁平板,利用所述第一电磁平板磁性吸附所述步骤S22中提供的多个LED,使每一LED均保持第一电极朝上或第二电极朝上后转移至一第一平台;
步骤S24:提供一第二电磁平板,所述第二电磁平板的表面上具有第一绝缘非磁性材料层,所述第一绝缘非磁性材料层上具有暴露所述第二电磁平板的表面的多个第一通孔,每一第一通孔的尺寸均大于每一LED的尺寸,所述多个第一通孔与所述接收基板上用于接收所述步骤S22中提供的多个LED的多个接收区域为一一对应的,所述第二电磁平板通电后对应每一个第一通孔的位置可吸附一个所述LED,其他位置不可吸附所述LED,利用所述第二电磁平板吸附所述第一平台上的所述多个LED,使其粗定位后转移至一第二平台上;
步骤S25:提供一第三电磁平板,所述第三电磁平板的表面上具有第二绝缘非磁性材料层,所述第二绝缘非磁性材料层上具有暴露所述第三电磁平板的表面的多个第二通孔,每一第二通孔的尺寸均大于每一LED的尺寸并小于每一第一通孔的尺寸,所述多个第二通孔与所述接收基板上用于接收所述步骤S22中提供的多个LED的多个接收区域为一一对应的,所述第三电磁平板通电后对应每一个第二通孔的位置可吸附一个所述LED,其他位置不可吸附LED,利用所述第三电磁平板吸附所述第二平台上的所述多个LED,使其细定位后对应转移至所述接收基板的接收区域;以及
步骤S26:重复步骤S22至S25,分别将发所述不同种颜色光中的其他颜色光的LED对应转移至所述接收基板的接收区域。
6.如权利要求5所述的LED显示面板的制备方法,其特征在于,所述接收基板包括基底、位于基底一侧的TFT阵列层以及位于TFT阵列层远离基底一侧的绝缘层,所述绝缘层开设有暴露TFT阵列层的多个接收孔,每一个所述接收孔定义为一个所述接收区域。
7.如权利要求6所述的LED显示面板的制备方法,其特征在于,所述接收孔的尺寸大于所述LED的尺寸,所述步骤S26后,还包括于所述TFT阵列层远离所述基底的一侧形成平坦化层,所述平坦化层至少填充所述LED的周缘。
8.如权利要求5所述的LED显示面板的制备方法,其特征在于,采用激光剥离的方法形成所述多个第一通孔和所述多个第二通孔。
9.如权利要求5所述的LED显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一绝缘非磁性材料层和所述第二绝缘非磁性材料层的材料为聚酰亚胺基复合材料。
10.如权利要求9所述的LED显示面板的制备方法,其特征在于,采用化学气相沉积的方法形成所述第一绝缘非磁性材料层和所述第二绝缘非磁性材料层。
CN201910604717.XA 2019-07-05 2019-07-05 Led的转移方法及led显示面板的制备方法 Active CN110416124B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910604717.XA CN110416124B (zh) 2019-07-05 2019-07-05 Led的转移方法及led显示面板的制备方法
TW108124584A TWI721491B (zh) 2019-07-05 2019-07-11 發光二極體的轉移方法及發光二極體顯示面板的製備方法
US16/703,008 US11121283B2 (en) 2019-07-05 2019-12-04 Method for transferring light emitting elements, and method for making display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910604717.XA CN110416124B (zh) 2019-07-05 2019-07-05 Led的转移方法及led显示面板的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110416124A true CN110416124A (zh) 2019-11-05
CN110416124B CN110416124B (zh) 2020-10-13

Family

ID=68360403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910604717.XA Active CN110416124B (zh) 2019-07-05 2019-07-05 Led的转移方法及led显示面板的制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11121283B2 (zh)
CN (1) CN110416124B (zh)
TW (1) TWI721491B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113053793A (zh) * 2021-03-19 2021-06-29 江西乾照光电有限公司 一种Micro LED阵列器件巨量转移装置及转移方法
CN113725253A (zh) * 2021-08-31 2021-11-30 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN118016611A (zh) * 2024-04-08 2024-05-10 惠科股份有限公司 显示面板和显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110416122B (zh) * 2019-07-05 2021-06-29 深超光电(深圳)有限公司 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板
KR20190104276A (ko) * 2019-08-20 2019-09-09 엘지전자 주식회사 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060223225A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-05 Symbol Technologies, Inc. Method, system, and apparatus for transfer of integrated circuit dies using an attractive force
CN1967865A (zh) * 2005-11-16 2007-05-23 三星Sdi株式会社 有机发光显示设备
JP2010045287A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Sony Corp 素子の移載方法
US20170062400A1 (en) * 2014-11-27 2017-03-02 Sct Technology, Ltd. Method for manufacturing a light emitted diode display
CN106571371A (zh) * 2015-10-09 2017-04-19 群创光电股份有限公司 阵列基板及其应用装置与组装方法
CN107680983A (zh) * 2017-10-30 2018-02-09 厦门乾照光电股份有限公司 Micro LED阵列器件、拾取装置及相关制作方法、转运方法
CN107808835A (zh) * 2017-10-20 2018-03-16 深圳市华星光电技术有限公司 导磁板及器件转移装置
CN109378370A (zh) * 2018-12-05 2019-02-22 合肥京东方光电科技有限公司 微型led的转移设备、显示基板的制造系统及制造方法
CN109599354A (zh) * 2018-12-07 2019-04-09 广东工业大学 一种Micro-LED巨量转移的结构及方法
CN109768128A (zh) * 2019-02-01 2019-05-17 南昌大学 一种面向Micro LED芯片的巨量拾取和贴装设备

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105789122B (zh) * 2014-12-12 2019-05-03 财团法人工业技术研究院 光电元件的转移方法
US9721931B2 (en) * 2015-01-15 2017-08-01 Industrial Technology Research Institute Semiconductor light emitting device and fabricating method thereof
TWI605536B (zh) * 2017-04-12 2017-11-11 財團法人工業技術研究院 磁性轉移模組及轉移電子元件的方法
FR3066317B1 (fr) * 2017-05-09 2020-02-28 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'un dispositif d'affichage emissif a led
KR102455784B1 (ko) * 2017-11-17 2022-10-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI668737B (zh) * 2018-09-14 2019-08-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 顯示裝置、顯示裝置的製程方法及顯示裝置的基板
KR102687815B1 (ko) * 2019-06-20 2024-07-24 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 및 반도체 발광소자의 자가조립 방법
CN110379760B (zh) * 2019-07-05 2021-04-02 深超光电(深圳)有限公司 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板
CN110416122B (zh) * 2019-07-05 2021-06-29 深超光电(深圳)有限公司 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板
CN110265341B (zh) * 2019-07-05 2021-04-02 深超光电(深圳)有限公司 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板
WO2021054550A1 (en) * 2019-09-19 2021-03-25 Lg Electronics Inc. Device for self-assembling semiconductor light-emitting diodes
WO2021054507A1 (ko) * 2019-09-19 2021-03-25 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자의 자가조립 장치
EP4071789A4 (en) * 2019-09-19 2024-02-14 LG Electronics Inc. SUBSTRATE CHUCK FOR SELF-ASSEMBLY OF LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DIODES
WO2021054548A1 (en) * 2019-09-19 2021-03-25 Lg Electronics Inc. Substrate chuck for self-assembling semiconductor light-emitting diodes

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060223225A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-05 Symbol Technologies, Inc. Method, system, and apparatus for transfer of integrated circuit dies using an attractive force
CN1967865A (zh) * 2005-11-16 2007-05-23 三星Sdi株式会社 有机发光显示设备
JP2010045287A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Sony Corp 素子の移載方法
US20170062400A1 (en) * 2014-11-27 2017-03-02 Sct Technology, Ltd. Method for manufacturing a light emitted diode display
CN106571371A (zh) * 2015-10-09 2017-04-19 群创光电股份有限公司 阵列基板及其应用装置与组装方法
CN107808835A (zh) * 2017-10-20 2018-03-16 深圳市华星光电技术有限公司 导磁板及器件转移装置
CN107680983A (zh) * 2017-10-30 2018-02-09 厦门乾照光电股份有限公司 Micro LED阵列器件、拾取装置及相关制作方法、转运方法
CN109378370A (zh) * 2018-12-05 2019-02-22 合肥京东方光电科技有限公司 微型led的转移设备、显示基板的制造系统及制造方法
CN109599354A (zh) * 2018-12-07 2019-04-09 广东工业大学 一种Micro-LED巨量转移的结构及方法
CN109768128A (zh) * 2019-02-01 2019-05-17 南昌大学 一种面向Micro LED芯片的巨量拾取和贴装设备

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113053793A (zh) * 2021-03-19 2021-06-29 江西乾照光电有限公司 一种Micro LED阵列器件巨量转移装置及转移方法
CN113053793B (zh) * 2021-03-19 2023-02-03 江西乾照光电有限公司 一种Micro LED阵列器件巨量转移装置及转移方法
CN113725253A (zh) * 2021-08-31 2021-11-30 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN113725253B (zh) * 2021-08-31 2024-05-10 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN118016611A (zh) * 2024-04-08 2024-05-10 惠科股份有限公司 显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202103356A (zh) 2021-01-16
TWI721491B (zh) 2021-03-11
US11121283B2 (en) 2021-09-14
CN110416124B (zh) 2020-10-13
US20210005776A1 (en) 2021-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110416124A (zh) Led的转移方法及led显示面板的制备方法
US20220216366A1 (en) Method for transferring light emitting elements, display panel, method for making display panel, and substrate
CN110265341B (zh) 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板
US20230119947A1 (en) A substrate for manufacturing display device and a manufacturing method using the same
CN110416122B (zh) 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板
US12057519B2 (en) Self-assembly apparatus and method for semiconductor light emitting device
CN107863316A (zh) Micro LED转运装置、转运方法及其制作方法
US20230048122A1 (en) Apparatus and method of manufacturing display using light emitting element
CN111508989B (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板及其制备方法
US20200403118A1 (en) Display device and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes
KR20200021966A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20200026693A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
US11621251B2 (en) Device for transfer of light emitting elements, method for transferring light emitting elements, and method of manufacturing the transfer device
US20230307598A1 (en) Display device using semiconductor light-emitting element
CN114361352B (zh) 半导体器件、显示面板及装置、光存储装置及其使用方法
US20230317669A1 (en) Display device using semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing same
US20230268214A1 (en) Method for manufacturing display device
CN111312761A (zh) Oled面板的制作方法及用于制作oled面板的基板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant