CN110265341A - 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板 - Google Patents

发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板 Download PDF

Info

Publication number
CN110265341A
CN110265341A CN201910605338.2A CN201910605338A CN110265341A CN 110265341 A CN110265341 A CN 110265341A CN 201910605338 A CN201910605338 A CN 201910605338A CN 110265341 A CN110265341 A CN 110265341A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
substrate
layer
emitting component
electromagnetism plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910605338.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110265341B (zh
Inventor
陈柏良
林永富
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Century Technology Shenzhen Corp Ltd
Original Assignee
Century Technology Shenzhen Corp Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Century Technology Shenzhen Corp Ltd filed Critical Century Technology Shenzhen Corp Ltd
Priority to CN201910605338.2A priority Critical patent/CN110265341B/zh
Priority to TW108124585A priority patent/TWI727368B/zh
Publication of CN110265341A publication Critical patent/CN110265341A/zh
Priority to US16/681,949 priority patent/US11088182B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN110265341B publication Critical patent/CN110265341B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G47/00—Article or material-handling devices associated with conveyors; Methods employing such devices
    • B65G47/74—Feeding, transfer, or discharging devices of particular kinds or types
    • B65G47/90—Devices for picking-up and depositing articles or materials
    • B65G47/92—Devices for picking-up and depositing articles or materials incorporating electrostatic or magnetic grippers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67775—Docking arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781—Batch transfer of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种发光元件的转移方法包括：提供多个发光元件，每一发光元件的一端设置有一磁性材料层；提供第一电磁平板，使第一电磁平板磁性吸附多个发光元件；提供一接收基板，接收基板包括基底、电磁线路层及结合层，电磁线路层包括线圈，结合层定义有多个接收区域，每一接收区域用于对应接收一个发光元件；使多个发光元件和多个接收区域一一对准；以及对所述线圈施加电流，对第一电磁平板断电，使每一发光元件对应转移至接收基板的接收区域。还提供一种基板、一种显示面板及一种显示面板的制备方法。

Description

发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光元件的转移方法、一种显示面板的制备方法、一种应用于显示面板的基板及一种显示面板。
背景技术
目前，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)等发光元件的尺寸越来越趋向于微小化，这使得将大量微小的发光元件转移到一接收基板的技术难度越来越高。
发明内容
本发明提供一种发光元件的转移方法，其包括以下步骤：
提供多个发光元件，每一所述发光元件的一端设置有一磁性材料层；
提供一第一电磁平板，所述第一电磁平板通电后将形成具有磁性的多个吸附位置，对所述第一电磁平板通电以使每一所述吸附位置磁性吸附所述发光元件上的磁性材料层从而吸附一个所述发光元件；
提供一接收基板，所述接收基板包括基底、设于所述基底一侧的电磁线路层、设于所述电磁线路层远离所述基底的一侧的结合层，所述电磁线路层包括线圈，所述结合层定义有多个接收区域，每一接收区域用于接收一个所述发光元件；
将所述第一电磁平板的吸附有多个所述发光元件的表面与所述接收基板的设置有多个所述接收区域的表面对置，且多个所述发光元件和多个所述接收区域为一一对准的；以及
对所述线圈施加电流以形成磁场，对所述第一电磁平板断电，以使每一所述发光元件在所述磁场的作用下脱离所述第一电磁平板，并对应转移至所述接收基板的所述接收区域。
本发明还提供一种显示面板的制备方法，其包括以下步骤：
提供多个发光元件，每一所述发光元件的一端设置有一磁性材料层；
提供一第一电磁平板，所述第一电磁平板通电后将形成具有磁性的多个吸附位置，对所述第一电磁平板通电以使每一所述吸附位置磁性吸附所述发光元件上的磁性材料层从而吸附一个所述发光元件；
提供一接收基板，所述接收基板包括基底、设于所述基底一侧的电磁线路层、设于所述电磁线路层远离所述基底的一侧的结合层，所述电磁线路层包括线圈，所述结合层定义有多个接收区域，每一接收区域用于接收一个所述发光元件；
将所述第一电磁平板的吸附有多个所述发光元件的表面与所述接收基板的设置有多个所述接收区域的表面对置，且多个所述发光元件和多个所述接收区域为一一对准的；以及
对所述线圈施加电流以形成磁场，对所述第一电磁平板断电，以使每一所述发光元件在所述磁场的作用下脱离所述第一电磁平板，并对应转移至所述接收基板的所述接收区域。
本发明还提供一种基板，应用于显示面板，所述基板包括：
基底；
电磁线路层，设于所述基底的一侧，所述电磁线路层包括线圈；以及
薄膜晶体管阵列层，设于所述电磁线路层远离所述基底的一侧。
本发明还提供一种显示面板，其包括上述的基板及安装在所述基板上并电性连接所述薄膜晶体管阵列层的发光元件。
本发明提供的发光元件的转移方法、显示面板的制备方法，对第一电磁平板通电后，其与多个接收区域对应的表面可一次磁性吸附大量的发光元件，可实现对发光元件的巨量转移。
另外，接收基板上设置电磁线路层，通过对电磁线路层中的线圈施加电流，使其产生磁场，当第一电磁平板断电后，每一发光元件除去自身重力外，还受到接收基板上与之对应的接收区域的线圈的磁力吸引，避免了每一发光元件在转移至对应的接收区域上出现偏移的问题，有利于提高发光元件在转移过程中的准确率。
附图说明
图1为本发明实施例的发光元件的转移方法的步骤S11提供的发光元件的示意图。
图2为本发明实施例的发光元件的转移方法的步骤S12提供的第一电磁平板的示意图。
图3为本发明实施例的发光元件的转移方法的步骤S13提供的接收基板的示意图。
图4为本发明实施例的发光元件的转移方法的接收基板的制备示意图。
图5为图4所示的接收基板的线圈的排布示意图。
图6为图4所示的线圈通电后的磁力线分布示意图。
图7为本发明一实施例的接收基板其电磁单元和接受区域在基底上的投影示意图。
图8为本发明另一实施例的接收基板其电磁单元和接受区域在基底上的投影示意图。
图9至图11为本发明实施例的发光元件的转移方法的步骤S14的示意图。
图12为本发明实施例的发光元件的转移方法的步骤S15的示意图。
图13至图14为本发明实施例的发光元件的转移方法的步骤S16的示意图。
图15为本发明实施例的显示面板的制备方法的步骤S27的示意图。
图16为本发明实施例的显示面板的制备方法的步骤S28的示意图。
图17为本发明实施例的显示面板的制备方法的步骤S29的示意图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
本发明实施例提供一种发光元件的转移方法，下面结合图1至图14对所述发光元件的转移方法的各步骤进行详细的说明。该转移方法包括以下步骤。
步骤S11：如图1所示，提供多个发光元件10。
如图1所示，多个发光元件10间隔排布在承载基板20上。每一发光元件10包括依次层叠设置的P型掺杂的无机发光材料层12、活性层13、N型掺杂的无机发光材料层14。活性层13位于P型掺杂的无机发光材料层12和N型掺杂的无机发光材料层14之间。
于一实施例中，承载基板20可以为多个发光元件10的生长衬底，如蓝宝石等。
于另一实施例中，承载基板20也可以为放置多个发光元件10的一平台。
于一实施例中，每一发光元件10的相对两端分别设置有第一电极11和第二电极15，其中第一电极11和第二电极15分别为一磁性材料层16，且二者的磁性相反。P型掺杂的无机发光材料层12电性连接第一电极11，N型掺杂的无机发光材料层14电性连接第二电极15。即，第一电极11和第二电极15为磁性相反的异名磁极，例如，第一电极11的磁极为N极，第二电极15的磁极为S极，或者第一电极11的磁极为S极，第二电极15的磁极为N极。
于另一实施例中，该磁性材料层16不作为发光元件10的电极。每一发光元件10的第一电极11和第二电极15上分别设置磁性材料层16，且二者的磁性相反。
于再一实施例中，每一发光元件10仅第一电极11或第二电极15上设置有磁性材料层16，每一发光元件10均保持设置有磁性材料层16的一端朝上有序地排布在承载基板20上。
于一实施例中，磁性材料层16为可供磁吸引材料，例如可以为铝镍钴系永磁合金、铁铬镍系永磁合金、永磁铁氧体、其他稀土永磁材料或者上述材料构成的复合永磁性材料。
于一实施例中，发光元件10可为传统的LED、miniLED或者microLED。其中，microLED又称微型发光二极管，意指晶粒尺寸小于100微米的LED。miniLED又称次毫米发光二极管，其尺寸介于传统的LED和microLED之间，一般意指晶粒尺寸大致在100到200微米的LED。
步骤S12：如图2所示，提供一第一电磁平板30。
第一电磁平板30为通电具有磁性的，不通电不具有磁性的材质。如图2所示，第一电磁平板30的一表面上设置有一绝缘非磁性材料层31。所述绝缘非磁性材料层31中开设有间隔设置的多个通孔33，通过通孔33暴露所述第一电磁平板30的表面。每一通孔33定义为一个吸附位置32。相邻的两个通孔33之间通过绝缘非磁性材料层31彼此间隔。
所述第一电磁平板30通电后对应每一个所述通孔33的位置(即露出的第一电磁平板30的部分)可磁性吸附发光元件10一端的磁性材料层16从而吸附一个所述发光元件10于一个通孔33中，其他位置不可磁性吸附所述发光元件10。即，所述第一电磁平板30通电后仅对应多个通孔33的位置具有磁性。每一通孔33的尺寸均稍大于待吸附的一个发光元件10的尺寸，但每一通孔33的大小只能对应吸附一个发光元件10。
于一实施例中，所述绝缘非磁性材料层31可为聚酰亚胺基复合材料。
于一实施例中，第一电磁平板30的远离绝缘非磁性材料层31的一侧还可设置机械手臂(图未示)，以抓住第一电磁平板30作上下移动或左右移动。
于一实施例中，对应第一电磁平板30设置有控制电路(图未示)，可通过控制电路给第一电磁平板30施加电压或电流，以使第一电磁平板30具有磁性。另外，还可通过调节控制电路给第一电磁平板30施加的电压或电流的大小来控制第一电磁平板30的磁性强弱。
步骤S13：如图3所示，提供一接收基板40。
如图3所示，所述接收基板40包括基底41、设于所述基底41一侧的电磁线路层43、设于所述电磁线路层43远离所述基底41的一侧的结合层45，所述结合层45定义有多个接收区域450，每一接收区域450用于接收一个所述发光元件10。
其中，图2中所示的第一电磁平板30，其绝缘非磁性材料层31上开设的多个所述通孔33与接收基板40上的多个所述接收区域450在数量和位置上为一一对应的。
于一实施例中，接收基板40为一薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基板。所述结合层45包括设于所述电磁线路层43远离所述基底41的一侧的薄膜晶体管阵列层451以及位于所述薄膜晶体管阵列层451远离所述基底41的一侧的像素定义层452。所述像素定义层452具有暴露所述薄膜晶体管阵列层451的多个接触孔453，每一接触孔453定义为一个所述接收区域450。
于一实施例中，基底41的材料可以为玻璃、石英、硅片等，也可以为聚酰亚胺(polyimide，PI)或聚对苯二甲酸(Poly Ethylene Terephthalate,PET)等柔性材料。
于一实施例中，所述接收基板40还包括位于所述电磁线路层43和所述薄膜晶体管阵列层451之间的绝缘层44，以电性绝缘电磁线路层43和薄膜晶体管阵列层451，避免发光元件10转移过程中薄膜晶体管阵列层451对电磁线路层43产生影响。绝缘层44可以由硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层形成。
于一实施例中，所述接收基板40还包括位于所述基底41和所述电磁线路层43之间的隔离层42(barrier layer)，以避免外界水汽等对电磁线路层43、薄膜晶体管阵列层451造成影响。隔离层42可以由硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层形成。
如图4所示，在制作TFT基板过程中，首先于基底41上依次形成隔离层42、电磁线路层43和绝缘层44。然后再依次制备薄膜晶体管阵列层451、像素定义层452。其中，薄膜晶体管阵列层451包括第一缓冲层51、第二缓冲层52、多个TFT53(图中仅示意性地画出一个)、第一层间介电层54、第二层间介电层55、覆盖层56以及接触电极57。
于一实施例中，第一缓冲层51、第二缓冲层52、第一层间介电层54、第二层间介电层55、覆盖层56的材料例如可以为硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层形成。接触电极57的材料例如可以为如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化锌(ZnO)之类的非磁性导电材料形成。
请继续参阅图4，TFT53包括栅极GE、半导体层AS、栅极绝缘层GI、源极SE以及漏极DE。覆盖层56具有暴露TFT53的漏极DE的过孔561。接触电极57通过过孔561电性连接TFT53的漏极DE。像素定义层452上定义的接触孔453(接收区域450)暴露出接触电极57，以用于电性连接一发光元件10。
于一实施例中，栅极GE、源极SE以及漏极DE可由钼(Mo)、铝(Al)、金(Au)、钛(Ti)、铜(Cu)之一或其组合形成。此外，栅极GE、源极SE以及漏极DE可以是由钼(Mo)、铝(Al)、金(Au)、钛(Ti)、钕(Nd)、铜(Cu)之一或其组合形成的多层。例如，可以为Mo/Al的双层。较佳的，栅极GE、源极SE以及漏极DE为非磁性导电材料形成。栅极绝缘层GI例如可以为硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层形成。半导体层AS可由硅半导体或氧化物半导体形成。
于一实施例中，TFT基板定义有多个像素单元，每一个像素单元包括多个子像素。每一个像素单元包括发不同种颜色光的发光元件10。
于一实施例中，每一像素单元分别包括红色子像素、蓝色子像素以及绿色子像素。每一个红色子像素对应一个发红光的发光元件10。每一个蓝色子像素对应一个发蓝光的发光元件10，每一个绿色子像素对应一个发绿光的发光元件10。
于其他实施例中，除去红色子像素、蓝色子像素以及绿色子像素以外，每一像素单元还可包括白色子像素，每一白色子像素对应一个发白光的发光元件10或多色子像素，每一多色子像素对应一个发多色的发光元件10。
电磁线路层43包括如图5所示的多个线圈4311。每一线圈4311通电后可产生磁场，并对位于其磁场范围内的磁体(如发光元件10的磁性材料层)产生相互吸引或相互排斥的磁力。
于一实施例中，位于接收区域450和电磁线路层43之间的各层，例如绝缘层44、第一缓冲层51、第二缓冲层52、第一层间介电层54、第二层间介电层55、多个TFT53、覆盖层56以及接触电极57的材料均选用非磁性材料，使得线圈4311通电后产生的磁场的磁力线，可以无阻挡地到达每一接收区域450。
于一实施例中，电磁线路层43还包括用于为多个线圈4311供电的电源(图未示)，多个线圈4311电性连接至该电源。当电源为线圈4311施加驱动电流后，线圈4311产生磁场。其中，通过设置流过线圈4311的电流方向，可以调节线圈4311产生的磁场的磁极方向，进而可以控制线圈4311与发光元件10的磁性材料层16之间产生的磁力的方向。另外，通过调整流过线圈4311的电流的大小，可以调节线圈4311与发光元件10的磁性材料层16之间产生的磁力的大小。
于另一实施例中，电磁线路层43也可以不包括电源，多个线圈4311电性连接至外部电源，通过该外部电源为线圈4311施加驱动电流。
如图6所示，多个线圈4311彼此间隔排布。每一线圈4311包括环形部4311a以及由所述环形部4311a的两端分别延伸的连接部4311b。其中每一线圈4311的连接部4311b可分别电性连接电磁线路层43的电源，或者分别电性连接至外部电源。
如图5所示，多个线圈4311的环形部4311a延伸可构成多个同心圆。多个线圈4311的环形部4311a的内径R1依次增大，并等间距排列。
于一实施例中，每一线圈4311的线宽D可以相同，例如为3.5微米。相邻线圈4311的线间距L也可以相同，例如为5微米。线圈4311的环形部4311a的内径R1最小为13微米，外径R2最大为50微米，或者，线圈4311的环形部4311a的内径R1最小为16微米，外径R2最大为90微米。可以理解的，线圈4311的线宽D、线间距L、内径R1、外径R2等都可以根据对磁场的强度需要进行调整。
另外，多个线圈4311的疏密也可以根据磁场的强度需要进行调整。即，根据实际使用情况的需要，线圈4311可以等间距排列，也可以不等间距排列。例如需要相对较强的磁场的位置，线圈4311的设置较密，相邻线圈4311的线间距L较小，如需要相对较弱的磁场的位置，线圈4311的设置较稀疏，相邻线圈4311的线间距L较大。
值得说明的是，电磁线路层43中，每一线圈4311均保持其环形部4311a所在的平面垂直于接收基板40的厚度的方向放置，以使得每一线圈4311通电后，其产生的磁场的方向大致为接收基板40的厚度方向。
如图5所示，当线圈4311(图中仅示意性地画出一个)被施加驱动电流后，其产生的磁场垂直于该线圈4311的环形部4311a所在的平面，即其产生的磁场方向大致为接收基板40的厚度方向。
于一实施例中，电磁线路层43为整面设置的，即，不仅对应接收区域450的位置设置有线圈4311，对应于每相邻的两个接收区域450之间的位置也设置有线圈4311，绝缘层44填充相邻线圈4311之间的间隙，以使各个线圈4311之间为电性绝缘的。
于另一实施例中，如图7和图8所示，所述电磁线路层43也可以为非整面设置的，其包括间隔设置的多个电磁单元431，每一所述电磁单元431包括如图4所示的多个线圈4311并正对至少一个所述接收区域450，绝缘层44填充每一电磁单元431中相邻两个线圈4311之间的间隙以及相邻的两个电磁单元431之间的间隙，以使各个线圈4311之间为电性绝缘的。
如图7所示，每一电磁单元431对应一个所述接收区域450。其中每一电磁单元431在基底41上的投影完全覆盖其对应的接收区域450在基底41上的投影。即每一电磁单元431对应一个子像素设置。
如图8所示，每一电磁单元431也可以对应相邻的三个所述接收区域450。其中每一电磁单元431在基底41上的投影完全覆盖其对应的三个接收区域450在基底41上的投影。即每一电磁单元431可以对应多个子像素设置。
可以理解地，每一电磁单元431的形状不限，例如，其可以为图6中示出的圆形，或图7示出的矩形。
步骤S14：如图9至图11所示，对所述第一电磁平板30通电，以使其每一吸附位置32磁性吸附来自承载基板20的一个发光元件10。
如图9所示，将第一电磁平板30移动到承载基板20的上方，并使多个通孔33与位于承载基板20上的多个发光元件10一一对准。
如图10所示，第一电磁平板30上的多个通孔33与位于承载基板20上的多个发光元件10一一对准后，将第一电磁平板30中的控制电路开启，通过控制电路给第一电磁平板30施加一电压或电流。当第一电磁平板30被施加一电压或电流后，第一电磁平板30产生与每一个发光元件10的第一电极11(磁性材料层16)磁极相反的磁性。
如图11所示，位于承载基板20上的发光元件10由于与第一电磁平板30之间磁力的作用，被吸附到第一电磁平板30的对应通孔33的位置。其中，第一电磁平板30对应每一个通孔33的位置可吸附一个所述发光元件10，第一电磁平板30对应其他位置由于绝缘非磁性材料层31的作用无法吸附发光元件10。
步骤S15：将所述第一电磁平板30的磁性吸附有多个所述发光元件10的表面与所述接收基板40的设置有多个所述接收区域450的表面对置，且使多个所述发光元件10和多个所述接收区域450为一一对准的。
如图12所示，当第一电磁平板30的对应每一通孔33的位置均吸附一个发光元件10后，保持第一电磁平板30通电，将第一电磁平板30移动到接收基板40的上方，并使第一电磁平板30上吸附的每一发光元件10与接收基板40上对应的接收区域450一一对准。
步骤S16：对所述线圈4311施加电流以形成磁场，对所述第一电磁平板30断电，以使每一所述发光元件10在所述磁场的作用下脱离所述第一电磁平板30，并对应转移至所述接收基板40的所述接收区域450。
如图13所示，将第一电磁平板30上吸附的每一发光元件10与接收基板40上对应的接收区域450一一对准后，将第一电磁平板30朝向接收基板40移动，使每一发光元件10抵持接触对应的接收区域450；与此同时，对电磁线路层43中的各个线圈4311施加电流，使每一线圈4311产生磁场；然后，如图14所示，对所述第一电磁平板30断电，每一所述发光元件10及其第一电极11、第二电极15在所述磁场的作用下脱离所述第一电磁平板30，而转移至对应的接收区域450上；然后，将第一电磁平板30及其绝缘非磁性材料层31移去。
值得说明的是，对电磁线路层43中的各个线圈4311施加电流后，每一线圈4311产生的磁场的磁极方向垂直于该线圈4311的环形部4311a所在的平面，亦即，该磁场的磁极方向由接收基板40指向第一电磁平板30，或由第一电磁平板30指向接收基板40。
具体地，可以通过设置流过线圈4311的电流方向，调节线圈4311产生的磁场的磁极方向，以使线圈4311与发光元件10的磁性材料层16之间产生的相互吸引的磁力；而且，还可以通过调整流过线圈4311的电流大小，调节线圈4311与发光元件10的磁性材料层16之间产生的磁力的大小。
另外，该发光元件10的转移方法中，不限定每一发光元件10的发光颜色。由于本发明实施例的发光元件的转移方法，对第一电磁平板30通电后，其与多个接收区域450对应的表面可一次磁性吸附大量的发光元件10，可实现对发光元件10的巨量转移。
另外，接收基板40上设置电磁线路层43，通过对电磁线路层43中的线圈4311施加电流，使其线圈4311产生磁场，从而对每一发光元件10的磁性材料层16产生磁力，使得对第一电磁平板30断电后，每一发光元件10除去自身重力外，还受到接收基板40上与之对应的接收区域450的线圈4311的磁力吸引，因此避免了每一发光元件10在转移至对应的接收区域450上出现偏移的问题，有利于提高发光元件10在转移过程中的准确率。
本发明实施例还提供一种显示面板100的制备方法，其包括以下步骤。
步骤S21：提供多个发光元件10。
步骤S22：提供一第一电磁平板30。
步骤S23：提供一接收基板40。
步骤S24：对所述第一电磁平板30通电，以使其每一吸附位置32磁性吸附一个发光元件10。
步骤S25：将所述第一电磁平板30的磁性吸附有多个所述发光元件10的表面与所述接收基板40的设置有多个所述接收区域450的表面对置，以使多个所述发光元件10和多个所述接收区域450为一一对准的。
步骤S26：对所述线圈4311施加电流以形成磁场，对所述第一电磁平板30断电，以使每一所述发光元件10在所述磁场的作用下脱离所述第一电磁平板30，并对应转移至所述接收基板40的所述接收区域450。
其中，步骤S21至步骤S26与上述步骤S11至步骤S16相同，在此不再赘述。
步骤S27：于所述像素定义层452远离所述基底41的一侧形成平坦化层60。
如图15所示，每一所述发光元件10的第一电极11通过接触电极57电性连接薄膜晶体管阵列层451，所述平坦化层60填充相邻发光元件10之间的间隙，并暴露出每一所述发光元件10的第一电极11。
步骤S28：于平坦化层60所述形成公共电极层70。
如图16所示，所述公共电极层70电性连接每一所述发光元件10的第一电极11。其中，公共电极层70可以通过导线等连接至驱动电路(图未示)，以向发光元件10的第一电极11施加电压。当发光元件10的第一电极11和第二电极15之间存在以正向偏压时，该发光元件10在该正向偏压下发光。
步骤S29：如图17所示，于公共电极层70远离平坦化层60的一侧形成封装层80，进而得到显示面板100。
可以理解的，若步骤S21中，提供的多个发光元件10均为发同一种颜色光的发光元件，如均为发红光的发光元件、均为发绿光的发光元件、均为发蓝光的发光元件等，则该显示面板100为一单色的显示面板。该单色的显示面板可用作广告标牌、指示灯显示等。
若步骤S21中，提供的多个发光元件10为发不同种颜色光的发光元件，则该显示面板100为一彩色的显示面板。该彩色的显示面板可应用于手机、平板电脑、智能手表等。
需要说明的是，电磁线路层43仅在发光元件10转移到接收基板40的过程中使用。在后续显示面板100进行显示时，电磁线路层43不工作，且电磁线路层43和薄膜晶体管阵列层451之间通过绝缘层44电性绝缘，电磁线路层43不会对发光元件10的发光造成影响。
本发明另一实施例还提供一种应用于显示面板的基板，该基板为上述的接收基板40，在此不再赘述。
本发明再一实施例还提供一种显示面板，该显示面板为上述的显示面板100，在此不再赘述。
以上实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施方式对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (12)

1.一种发光元件的转移方法，其包括以下步骤：
提供多个发光元件，每一所述发光元件的一端设置有一磁性材料层；
提供一第一电磁平板，所述第一电磁平板通电后将形成具有磁性的多个吸附位置，对所述第一电磁平板通电以使每一所述吸附位置磁性吸附所述发光元件上的磁性材料层从而吸附一个所述发光元件；
提供一接收基板，所述接收基板包括基底、设于所述基底一侧的电磁线路层、设于所述电磁线路层远离所述基底的一侧的结合层，所述电磁线路层包括线圈，所述结合层定义有多个接收区域，每一接收区域用于接收一个所述发光元件；
将所述第一电磁平板的吸附有多个所述发光元件的表面与所述接收基板的设置有多个所述接收区域的表面对置，且多个所述发光元件和多个所述接收区域为一一对准的；以及
对所述线圈施加电流以形成磁场，对所述第一电磁平板断电，以使每一所述发光元件在所述磁场的作用下脱离所述第一电磁平板，并对应转移至所述接收基板的所述接收区域。
2.如权利要求1所述的发光元件的转移方法，其特征在于，所述结合层包括设于所述电磁线路层远离所述基底的一侧的薄膜晶体管阵列层以及位于所述薄膜晶体管阵列层远离所述基底的一侧的像素定义层，所述像素定义层具有暴露所述薄膜晶体管阵列层的多个接触孔，每一接触孔定义为一个所述接收区域。
3.如权利要求1所述的发光元件的转移方法，其特征在于，所述第一电磁平板的表面上设置有一绝缘非磁性材料层，所述绝缘非磁性材料层具有暴露所述第一电磁平板的表面的多个通孔，每一所述通孔定义为一个所述吸附位置。
4.如权利要求1所述的发光元件的转移方法，其特征在于，所述线圈包括环形部以及由所述环形部的两端分别延伸的连接部，且所述环形部所在的平面垂直于所述接收基板的厚度方向。
5.一种显示面板的制备方法，其包括以下步骤：
提供多个发光元件，每一所述发光元件的一端设置有一磁性材料层；
提供一第一电磁平板，所述第一电磁平板通电后将形成多个磁性吸附位置，对所述第一电磁平板通电以使每一所述吸附位置磁性吸附所述发光元件上的磁性材料层从而吸附一个所述发光元件；
提供一接收基板，所述接收基板包括基底、设于所述基底一侧的电磁线路层、设于所述电磁线路层远离所述基底的一侧的结合层，所述电磁线路层包括线圈，所述结合层定义有多个接收区域，每一接收区域用于接收一个所述发光元件；
将所述第一电磁平板的吸附有多个所述发光元件的表面与所述接收基板的设置有多个所述接收区域的表面对置，且多个所述发光元件和多个所述接收区域为一一对准的；以及
对所述线圈施加电流以形成磁场，对所述第一电磁平板断电，以使每一所述发光元件在所述磁场的作用下脱离所述第一电磁平板，并对应转移至所述接收基板的所述接收区域。
6.如权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述结合层包括设于所述电磁线路层远离所述基底的一侧的薄膜晶体管阵列层以及位于所述薄膜晶体管阵列层远离所述基底的一侧的像素定义层，所述像素定义层具有暴露所述薄膜晶体管阵列层的多个接触孔，每一接触孔定义为一个所述接收区域。
7.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述接收基板还包括位于所述电磁线路层和所述薄膜晶体管阵列层之间的绝缘层。
8.如权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述线圈包括环形部以及由所述环形部的两端分别延伸的连接部，且所述环形部所在的平面垂直于所述接收基板的厚度方向。
9.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列层包括多个薄膜晶体管，每一所述发光元件的相对两端分别设置有第一电极和第二电极，每一所述发光元件的第一电极电性连接一个所述薄膜晶体管，将多个所述发光元件对应转移至所述接收基板的所述接收区域后，还包括于所述像素定义层远离所述基底的一侧形成平坦化层的步骤，所述平坦化层填充相邻发光元件之间的间隙，并暴露出每一所述发光元件的第二电极。
10.如权利要求9所述的显示面板的制备方法，其特征在于，还包括于平坦化层所述形成公共电极层的步骤，所述公共电极层电性连接每一所述发光元件的第二电极。
11.一种基板，应用于显示面板，其特征在于，所述基板包括：
基底；
电磁线路层，设于所述基底的一侧，所述电磁线路层包括线圈；以及
薄膜晶体管阵列层，设于所述电磁线路层远离所述基底的一侧。
12.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求11所述的基板及安装在所述基板上并电性连接所述薄膜晶体管阵列层的发光元件。
CN201910605338.2A 2019-07-05 2019-07-05 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板 Active CN110265341B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910605338.2A CN110265341B (zh) 2019-07-05 2019-07-05 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板
TW108124585A TWI727368B (zh) 2019-07-05 2019-07-11 發光元件的轉移方法、顯示面板及其製備方法、基板
US16/681,949 US11088182B2 (en) 2019-07-05 2019-11-13 Method for transferring light emitting elements, display panel, method for making display panel, and substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910605338.2A CN110265341B (zh) 2019-07-05 2019-07-05 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110265341A true CN110265341A (zh) 2019-09-20
CN110265341B CN110265341B (zh) 2021-04-02

Family

ID=67924688

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910605338.2A Active CN110265341B (zh) 2019-07-05 2019-07-05 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11088182B2 (zh)
CN (1) CN110265341B (zh)
TW (1) TWI727368B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111146136A (zh) * 2019-12-24 2020-05-12 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种微型器件转移头及其制造方法
CN112750741A (zh) * 2019-10-29 2021-05-04 成都辰显光电有限公司 一种微元件的转移基板及转移方法
CN112838082A (zh) * 2020-12-31 2021-05-25 深圳Tcl新技术有限公司 Led灯板制备方法、磁性led芯片及其制备方法、led显示屏
CN112885977A (zh) * 2021-01-20 2021-06-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示面板
WO2021134490A1 (zh) * 2019-12-31 2021-07-08 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种发光二极管的巨量转移系统以及巨量转移方法
CN113555307A (zh) * 2020-04-24 2021-10-26 刘台徽 自动对位晶粒排列方法及装置以及具磁性物质层的晶圆片
CN114946024A (zh) * 2019-12-26 2022-08-26 Lg电子株式会社 利用发光元件的显示器的制造装置及其制造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110416124B (zh) * 2019-07-05 2020-10-13 深超光电（深圳）有限公司 Led的转移方法及led显示面板的制备方法
CN110416122B (zh) * 2019-07-05 2021-06-29 深超光电（深圳）有限公司 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板
CN113496936B (zh) * 2020-04-08 2023-10-10 台湾爱司帝科技股份有限公司 发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法
KR20220053767A (ko) * 2020-10-22 2022-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN115312637B (zh) * 2022-10-11 2022-12-16 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 一种Micro-LED显示装置及其制造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1967865A (zh) * 2005-11-16 2007-05-23 三星Sdi株式会社 有机发光显示设备
WO2011072373A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Cooledge Lighting Inc. Method and magnetic transfer stamp for transferring semiconductor dice using magnetic transfer printing techniques
US20170062400A1 (en) * 2014-11-27 2017-03-02 Sct Technology, Ltd. Method for manufacturing a light emitted diode display
CN106571371A (zh) * 2015-10-09 2017-04-19 群创光电股份有限公司 阵列基板及其应用装置与组装方法
CN107808835A (zh) * 2017-10-20 2018-03-16 深圳市华星光电技术有限公司 导磁板及器件转移装置
CN109326548A (zh) * 2018-08-29 2019-02-12 华映科技（集团）股份有限公司 一种实现垂直结构mLED或uLED巨量转移的方法
CN109378370A (zh) * 2018-12-05 2019-02-22 合肥京东方光电科技有限公司 微型led的转移设备、显示基板的制造系统及制造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005055030A2 (en) * 2003-12-08 2005-06-16 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus
KR102046296B1 (ko) * 2013-04-26 2019-11-19 엘지디스플레이 주식회사 터치 타입 유기발광 디스플레이 장치
TWI572025B (zh) * 2015-01-15 2017-02-21 財團法人工業技術研究院 半導體發光元件及其製作方法
KR20190114372A (ko) * 2018-03-30 2019-10-10 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 전사 시스템
CN109755162B (zh) * 2019-01-15 2022-05-27 京东方科技集团股份有限公司 一种转移装置、Micro-LED晶粒及转移方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1967865A (zh) * 2005-11-16 2007-05-23 三星Sdi株式会社 有机发光显示设备
WO2011072373A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Cooledge Lighting Inc. Method and magnetic transfer stamp for transferring semiconductor dice using magnetic transfer printing techniques
US20170062400A1 (en) * 2014-11-27 2017-03-02 Sct Technology, Ltd. Method for manufacturing a light emitted diode display
CN106571371A (zh) * 2015-10-09 2017-04-19 群创光电股份有限公司 阵列基板及其应用装置与组装方法
CN107808835A (zh) * 2017-10-20 2018-03-16 深圳市华星光电技术有限公司 导磁板及器件转移装置
CN109326548A (zh) * 2018-08-29 2019-02-12 华映科技（集团）股份有限公司 一种实现垂直结构mLED或uLED巨量转移的方法
CN109378370A (zh) * 2018-12-05 2019-02-22 合肥京东方光电科技有限公司 微型led的转移设备、显示基板的制造系统及制造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112750741A (zh) * 2019-10-29 2021-05-04 成都辰显光电有限公司 一种微元件的转移基板及转移方法
CN112750741B (zh) * 2019-10-29 2023-01-03 成都辰显光电有限公司 一种微元件的转移基板及转移方法
CN111146136A (zh) * 2019-12-24 2020-05-12 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种微型器件转移头及其制造方法
CN114946024A (zh) * 2019-12-26 2022-08-26 Lg电子株式会社 利用发光元件的显示器的制造装置及其制造方法
WO2021134490A1 (zh) * 2019-12-31 2021-07-08 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种发光二极管的巨量转移系统以及巨量转移方法
CN113555307A (zh) * 2020-04-24 2021-10-26 刘台徽 自动对位晶粒排列方法及装置以及具磁性物质层的晶圆片
CN112838082A (zh) * 2020-12-31 2021-05-25 深圳Tcl新技术有限公司 Led灯板制备方法、磁性led芯片及其制备方法、led显示屏
CN112838082B (zh) * 2020-12-31 2024-06-04 深圳Tcl新技术有限公司 Led灯板制备方法、磁性led芯片及其制备方法、led显示屏
CN112885977A (zh) * 2021-01-20 2021-06-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
TWI727368B (zh) 2021-05-11
US11088182B2 (en) 2021-08-10
US20210005642A1 (en) 2021-01-07
CN110265341B (zh) 2021-04-02
TW202103132A (zh) 2021-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110265341A (zh) 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板
CN110379760A (zh) 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板
CN107509284B (zh) 像素结构和包括其的显示装置
CN110416122A (zh) 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板
US20220367774A1 (en) Display device using micro led, and manufacturing method therefor
TWI721491B (zh) 發光二極體的轉移方法及發光二極體顯示面板的製備方法
KR20200026683A (ko) 디스플레이 장치의 제조방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 기판
KR20200023316A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20200026679A (ko) 디스플레이 장치 및 반도체 발광소자의 자가조립 방법
CN107403829A (zh) 显示单元及其制备方法、显示面板
US11393799B2 (en) Device for transfer of light emitting elements, method for transferring light emitting elements, and method of manufacturing the transfer device
CN204289455U (zh) 有机发光二极管显示装置
KR20200023317A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20190069355A (ko) 픽셀 구조체 및 이를 포함하는 표시장치
CN104641726A (zh) 一种无机发光二极管显示装置及其制作方法
KR20230039103A (ko) 마이크로 엘이디 어셈블리 제조방법
KR101081539B1 (ko) Ｏｌｅｄ 조명등용 패널장치
KR20120010516A (ko) Ｏｌｅｄ 모듈, 베이스 패널, ｏｌｅｄ 모듈 제조 방법 및 베이스 패널의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant