KR20200026679A - 디스플레이 장치 및 반도체 발광소자의 자가조립 방법 - Google Patents

디스플레이 장치 및 반도체 발광소자의 자가조립 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200026679A
KR20200026679A KR1020190073654A KR20190073654A KR20200026679A KR 20200026679 A KR20200026679 A KR 20200026679A KR 1020190073654 A KR1020190073654 A KR 1020190073654A KR 20190073654 A KR20190073654 A KR 20190073654A KR 20200026679 A KR20200026679 A KR 20200026679A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
semiconductor light
emitting device
substrate
assembly
Prior art date
Application number
KR1020190073654A
Other languages
English (en)
Inventor
김정훈
조현우
허미희
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020190073654A priority Critical patent/KR20200026679A/ko
Publication of KR20200026679A publication Critical patent/KR20200026679A/ko
Priority to PCT/KR2020/004553 priority patent/WO2020122698A2/ko
Priority to EP20732459.1A priority patent/EP3989284A4/en
Priority to US16/858,167 priority patent/US11374150B2/en
Priority to US17/832,221 priority patent/US11715812B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L33/0079—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/025—Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
    • H01L2224/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/081—Disposition
    • H01L2224/0812—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/08151—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/08221—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/08225—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/80053—Bonding environment
    • H01L2224/80095—Temperature settings
    • H01L2224/80096—Transient conditions
    • H01L2224/80097—Heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/808—Bonding techniques
    • H01L2224/80894—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces
    • H01L2224/80896—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces between electrically insulating surfaces, e.g. oxide or nitride layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/95053—Bonding environment
    • H01L2224/95085—Bonding environment being a liquid, e.g. for fluidic self-assembly
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/9512—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/95121—Active alignment, i.e. by apparatus steering
    • H01L2224/95133—Active alignment, i.e. by apparatus steering by applying an electromagnetic field
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/9512—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/95136—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies involving guiding structures, e.g. shape matching, spacers or supporting members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
    • H01L24/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 복수의 반도체 발광소자들, 상기 반도체 발광소자들에 전기신호를 공급하도록 상기 반도체 발광소자들에서 각각 연장되는 제1배선전극 및 제2배선전극, 상기 기판 상에서 배치되며, 전류가 공급되면 전기장을 생성하는 제1전극 및 제2전극을 구비하는 복수의 페어 전극들 및 상기 페어 전극들을 덮도록 형성되는 유전체층을 포함하고, 상기 제1배선전극과 제2배선전극은 상기 반도체 발광소자들을 기준으로 상기 복수의 페어 전극들의 반대측에 형성되고, 상기 유전체층 및 상기 반도체 발광소자들 사이에 배치되며, 상기 유전체층 및 상기 반도체 발광소자들 각각과 공유결합을 형성하는 공유결합층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

디스플레이 장치 및 반도체 발광소자의 자가조립 방법{DISPLAY DEVICE AND SELF ASSEMBLY METHOD FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치 제조를 위한 반도체 발광소자의 자가 조립 방법에 관한 것으로 특히, 수㎛ 내지 수십㎛ 크기의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근에는 디스플레이 기술분야에서 대면적 디스플레이를 구현하기 위하여, 액정 디스플레이(LCD), 유기 발광 소자(OLED) 디스플레이, 그리고 마이크로 LED 디스플레이 등이 경쟁하고 있다.
그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 백라이트에 의해 생성된 광의 낮은 효율 등의 문제점이 존재하고, OLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않을 뿐 아니라 효율이 낮은 취약점이 존재한다.
이에 반해, 디스플레이에 100 마이크론 이하의 직경 또는 단면적을 가지는 반도체 발광소자(마이크로 LED (uLED))를 사용하면 디스플레이가 편광판 등을 사용하여 빛을 흡수하지 않기 때문에 매우 높은 효율을 제공할 수 있다. 그러나 대형 디스플레이에는 수백만 개의 반도체 발광소자들을 필요로 하기 때문에 다른 기술에 비해 소자들을 전사하는 것이 어려운 단점이 있다.
전사공정으로 현재 개발되고 있는 기술은 픽앤플레이스(pick & place), 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 자가조립 등이 있다. 이 중에서, 자가조립 방식은 유체내에서 반도체 발광소자가 스스로 위치를 찾아가는 방식으로서, 대화면의 디스플레이 장치의 구현에 가장 유리한 방식이다.
최근에는 미국등록특허 제9,825,202에서 자가조립에 적합한 마이크로 LED 구조를 제시한 바 있으나, 아직 마이크로 LED의 자가조립을 통하여 디스플레이를 제조하는 기술에 대한 연구가 미비한 실정이다. 이에, 본 발명에서는 마이크로 LED가 자가조립될 수 있는 새로운 형태의 제조방법과 제조장치를 제시한다.
본 발명의 일 목적은 마이크로 크기의 반도체 발광소자를 사용한 대화면 디스플레이에서, 높은 신뢰성을 가지는 새로운 제조공정을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 일 목적은 반도체 발광소자를 조립 기판으로 자가조립할 때에, 전사 정밀도를 향상시킬 수 있는 제조공정을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 일 목적은 반도체 발광소자의 자가조립 후 공정 시 반도체 발광소자가 기판으로부터 이탈하지 않도록 할 수 있는 구조 및 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 복수의 반도체 발광소자들, 상기 반도체 발광소자들에 전기신호를 공급하도록 상기 반도체 발광소자들에서 각각 연장되는 제1배선전극 및 제2배선전극, 상기 기판 상에서 배치되며, 전류가 공급되면 전기장을 생성하는 제1전극 및 제2전극을 구비하는 복수의 페어 전극들 및 상기 페어 전극들을 덮도록 형성되는 유전체층을 포함하고, 상기 제1배선전극과 제2배선전극은 상기 반도체 발광소자들을 기준으로 상기 복수의 페어 전극들의 반대측에 형성되고, 상기 유전체층 및 상기 반도체 발광소자들 사이에 배치되며, 상기 유전체층 및 상기 반도체 발광소자들 각각과 공유결합을 형성하는 공유결합층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치를 제공한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 유전체층과 상기 공유결합층 간에는 Si-O 결합이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 반도체 발광소자와 상기 공유결합층 간에는 에스테르 결합 및 아마이드 결합 중 어느 하나가 형성될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 공유 결합 층은 기판 및 반도체 발광소자 각각의 표면에 형성된 작용기와 하기 화학식 3에 따른 화합물의 반응 결과물이거나, 기판 및 반도체 발광소자 각각의 표면에 형성된 작용기와 하기 화학식 3 및 4에 따른 화합물의 혼합물의 반응 결과물일 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00001
[화학식 4]
Figure pat00002
또한, 본 발명은 표면 처리를 통해 자성체를 구비하는 복수의 반도체 발광소자들의 표면에 소정 작용기들을 형성하는 단계, 복수의 조립 전극을 구비하는 기판의 표면에 소정 화합물을 결합시키는 단계, 기판을 조립위치로 이송하고, 상기 반도체 발광소자들을 유체 챔버에 투입하는 단계, 상기 유체 챔버 내에서 상기 반도체 발광소자들이 일방향을 따라 이동하도록, 상기 반도체 발광소자들에 자기력을 가하는 단계, 상기 반도체 발광소자들이 이동하는 과정에서 상기 기설정된 위치에 안착되도록, 상기 기판에 배치된 복수의 조립 전극에 전압을 인가하여 상기 반도체 발광소자들을 상기 기설정된 위치로 유도하는 단계, 상기 소정 작용기와 상기 기판 표면에 결합된 상기 소정 화합물 간의 반응을 통해 공유 결합이 형성되도록, 상기 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자의 자가조립 방법을 제공한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 반도체 발광소자들에 자기력을 가하는 단계 및 상기 반도체 발광소자들을 상기 기설정된 위치로 유도하는 단계는, 상기 유체 챔버에 제1색을 발광하는 반도체 발광소자가 투입된 상태에서, 적어도 한 번씩 수행되고, 상기 유체 챔버에 상기 제1색과 다른 제2색을 발광하는 반도체 발광소자가 투입된 상태에서 적어도 한 번씩 수행될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1색을 발광하는 반도체 발광소자들을 상기 기설정된 위치로 유도하는 단계는, 상기 제1색을 발광하는 반도체 발광소자들이 기설정된 제1위치로 유도되도록, 상기 복수의 조립 전극 중 일부에 전압을 인가하여 수행되고, 상기 제2색을 발광하는 반도체 발광소자들을 상기 기설정된 위치로 유도하는 단계는, 상기 제2색을 발광하는 반도체 발광소자들이 기설정된 제2위치로 유도되도록, 상기 복수의 조립 전극 중 다른 일부에 전압을 인가하여 수행될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판을 열처리하는 단계는, 상기 제1색을 발광하는 반도체 발광소자가 상기 기설정된 제1위치에 안착된 상태에서 적어도 한 번씩 수행되고, 상기 제2색을 발광하는 반도체 발광소자가 상기 기설정된 제2위치에 안착된 상태에서 적어도 한 번씩 수행될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 본 발명은 상기 제1색을 발광하는 반도체 발광소자가 상기 기설정된 제1위치에 안착된 후, 상기 제2색을 발광하는 반도체 발광소자들을 상기 기설정된 제2위치로 유도하는 경우, 상기 복수의 조립 전극 중 일부에 인가되는 전압을 차단하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 소정 화합물은 하기 화학식 3에 따른 화합물이거나, 하기 화학식 3 및 4에 따른 화합물의 혼합물일 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00003
[화학식 4]
Figure pat00004
상기와 같은 구성의 본 발명에 의하면, 개별화소를 마이크로 발광 다이오드로 형성하는 디스플레이 장치에서, 다량의 반도체 발광소자를 한 번에 조립할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따르면 작은 크기의 웨이퍼 상에서 반도체 발광소자를 다량으로 화소화시킨 후 대면적 기판으로 전사시키는 것이 가능하게 된다. 이를 통하여, 저렴한 비용으로 대면적의 디스플레이 장치를 제작하는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 발명의 제조방법에 따르면, 용액 중에 자기장과 전기장을 이용하여 반도체 발광소자를 정위치에 동시 다발적으로 전사함으로, 부품의 크기나 개수, 전사 면적에 상관없이 저비용, 고효율, 고속 전사 구현이 가능하다.
나아가, 전기장에 의한 조립이기 때문에 별도의 추가적인 장치나 공정없이 선별적 전기적 인가를 통하여 선택적 조립이 가능하게 된다. 또한, 조립 기판을 챔버의 상측에 배치함으로 기판의 로딩 및 언로딩이 용이하며, loading, unloading을 용이하게 하고, 반도체 발광소자의 비특이적 결합이 방지될 수 있다.
본 발명에 따르면, 서로 다른 종류의 반도체 발광소자들을 순차적으로 자가조립 하는 경우, 어느 한 종류의 반도체 발광소자에 대한 자가 조립이 종료된 후, 다른 종류의 반도체 발광소자에 대한 자가 조립이 수행될 때, 어느 한 종류의 반도체 발광소자에 대응하는 조립 전극에 인가되는 전압을 차단할 수 있게 된다. 이를 통해, 본 발명은 서로 다른 종류의 반도체 발광소자들을 순차적으로 자가조립할 때, 어느 한 종류의 반도체 발광소자가 안착되어야 하는 위치에 다른 종류의 반도체 발광소자가 안착되는 것을 방지한다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 디스플레이 장치의 A 부분의 부분 확대도이다.
도 3은 도 2의 반도체 발광소자의 확대도이다.
도 4는 도 2의 반도체 발광소자의 다른 실시예를 나타내는 확대도이다.
도 5a 내지 도 5e는 전술한 반도체 발광 소자를 제작하는 새로운 공정을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 6은 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 자가조립 장치의 일 예를 나타내는 개념도이다.
도 7은 도 6의 자가조립 장치의 블록 다이어그램이다.
도 8a 내지 도 8e는 도 6의 자가조립 장치를 이용하여 반도체 발광소자를 자가조립하는 공정을 나타내는 개념도이다.
도 9는 도 8a 내지 도 8e의 반도체 발광소자를 설명하기 위한 개념도이다.
도 10은 반도체 발광소자에 대한 표면 처리 방법을 나타내는 개념도이다.
도 11은 기판에 대한 표면 처리 방법을 나타내는 개념도이다.
도 12 및 13은 에스테르 반응에 의한 공유결합층 형성을 나타내는 개념도이다.
도 14 및 15는 아마이드 반응에 의한 공유결합층 형성을 나타내는 개념도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 디지털 사이니지, 헤드 마운팅 디스플레이(HMD), 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이고, 도 2는 도 1의 디스플레이 장치의 A 부분의 부분 확대도이고, 도 3은 도 2의 반도체 발광소자의 확대도이며, 도 4는 도 2의 반도체 발광소자의 다른 실시예를 나타내는 확대도이다.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 디스플레이 모듈(140)에서 출력될 수 있다. 상기 디스플레이 모듈의 테두리를 감싸는 폐루프 형태의 케이스(101)가 상기 디스플레이 장치의 베젤을 형성할 수 있다.
상기 디스플레이 모듈(140)은 영상이 표시되는 패널(141)을 구비하고, 상기 패널(141)은 마이크로 크기의 반도체 발광소자(150)와 상기 반도체 발광소자(150)가 장착되는 배선기판(110)을 구비할 수 있다.
상기 배선기판(110)에는 배선이 형성되어, 상기 반도체 발광소자(150)의 n형 전극(152) 및 p형 전극(156)과 연결될 수 있다. 이를 통하여, 상기 반도체 발광소자(150)는 자발광하는 개별화소로서 상기 배선기판(110) 상에 구비될 수 있다.
상기 패널(141)에 표시되는 영상은 시각 정보로서, 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 상기 배선을 통하여 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다.
본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광소자(150)의 일 종류로서 마이크로 LED(Light Emitting Diode)를 예시한다. 상기 마이크로 LED는 100마이크로 이하의 작은 크기로 형성되는 발광 다이오드가 될 수 있다. 상기 반도체 발광소자(150)는 청색, 적색 및 녹색이 발광영역에 각각 구비되어 이들의 조합에 의하여 단위 화소가 구현될 수 있다. 즉, 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미하며, 상기 단위 화소 내에 적어도 3개의 마이크로 LED가 구비될 수 있다.
보다 구체적으로, 도 3을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 수직형 구조가 될 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.
이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156) 상에 형성된 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154)상에 형성된 n형 반도체층(153), 및 n형 반도체층(153) 상에 형성된 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(156)은 배선기판의 p전극과 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(152)은 반도체 발광소자의 상측에서 n전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(150)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
다른 예로서 도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
이러한 예로서, 상기 반도체 발광 소자(250)는 p형 전극(256), p형 전극(256)이 형성되는 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254) 상에 형성된 n형 반도체층(253), 및 n형 반도체층(253) 상에서 p형 전극(256)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(256)과 n형 전극(152)은 모두 반도체 발광소자의 하부에서 배선기판의 p전극 및 n전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 수직형 반도체 발광소자와 수평형 반도체 발광소자는 각각 녹색 반도체 발광소자, 청색 반도체 발광소자 또는 적색 반도체 발광소자가 될 수 있다. 녹색 반도체 발광소자와 청색 반도체 발광소자의 경우에 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 녹색이나 청색의 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다. 이러한 예로서, 상기 반도체 발광소자는 n-Gan, p-Gan, AlGaN, InGan 등 다양한 계층으로 형성되는 질화갈륨 박막이 될 수 있으며, 구체적으로 상기 p형 반도체층은 P-type GaN 이고, 상기 n형 반도체층은 N-type GaN 이 될 수 있다. 다만, 적색 반도체 발광소자의 경우에는, 상기 p형 반도체층은 P-type GaAs 이고, 상기 n형 반도체층은 N-type GaAs 가 될 수 있다.
또한, 상기 p형 반도체층은 p 전극 쪽은 Mg가 도핑된 P-type GaN 이고, n형 반도체층은 n 전극 쪽은 Si가 도핑된 N-type GaN 인 경우가 될 수 있다. 이 경우에, 전술한 반도체 발광소자들은 활성층이 없는 반도체 발광소자가 될 수 있다.
한편, 도 1 내지 도 4를 참조하면, 상기 발광 다이오드가 매우 작기 때문에 상기 디스플레이 패널은 자발광하는 단위화소가 고정세로 배열될 수 있으며, 이를 통하여 고화질의 디스플레이 장치가 구현될 수 있다.
상기에서 설명된 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에서는 웨이퍼 상에서 성장되어, 메사 및 아이솔레이션을 통하여 형성된 반도체 발광소자가 개별 화소로 이용된다. 이 경우에, 마이크로 크기의 반도체 발광소자(150)는 웨이퍼에 상기 디스플레이 패널의 기판 상의 기설정된 위치로 전사되어야 한다. 이러한 전사기술로 픽앤플레이스(pick and place)가 있으나, 성공률이 낮고 매우 많은 시간이 요구된다. 다른 예로서, 스탬프나 롤을 이용하여 한 번에 여러개의 소자를 전사하는 기술이 있으나, 수율에 한계가 있어 대화면의 디스플레이에는 적합하지 않다. 본 발명에서는 이러한 문제를 해결할 수 있는 디스플레이 장치의 새로운 제조방법 및 제조장치를 제시한다.
이를 위하여, 이하, 먼저 디스플레이 장치의 새로운 제조방법에 대하여 살펴본다. 도 5a 내지 도 5e는 전술한 반도체 발광 소자를 제작하는 새로운 공정을 설명하기 위한 개념도들이다.
본 명세서에서는, 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다. 또한, 수평형 반도체 발광소자를 자가조립하는 방식에 대하여 예시하나, 이는 수직형 반도체 발광소자를 자가조립하는 방식에도 적용가능하다.
먼저, 제조방법에 의하면, 성장기판(159)에 제1도전형 반도체층(153), 활성층(154), 제2 도전형 반도체층(155)을 각각 성장시킨다(도 5a).
제1도전형 반도체층(153)이 성장하면, 다음은, 상기 제1도전형 반도체층(153) 상에 활성층(154)을 성장시키고, 다음으로 상기 활성층(154) 상에 제2도전형 반도체층(155)을 성장시킨다. 이와 같이, 제1도전형 반도체층(153), 활성층(154) 및 제2도전형 반도체층(155)을 순차적으로 성장시키면, 도 5a에 도시된 것과 같이, 제1도전형 반도체층(153), 활성층(154) 및 제2도전형 반도체층(155)이 적층 구조를 형성한다.
이 경우에, 상기 제1도전형 반도체층(153)은 p형 반도체층이 될 수 있으며, 상기 제2도전형 반도체층(155)은 n형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다.
또한, 본 실시예에서는 상기 활성층이 존재하는 경우를 예시하나, 전술한 바와 같이 경우에 따라 상기 활성층이 없는 구조도 가능하다. 이러한 예로서, 상기 p형 반도체층은 Mg가 도핑된 P-type GaN 이고, n형 반도체층은 n 전극 쪽은 Si가 도핑된 N-type GaN 인 경우가 될 수 있다.
성장기판(159)(웨이퍼)은 광 투과적 성질을 가지는 재질, 예를 들어 사파이어(Al2O3), GaN, ZnO, AlO 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. 또한, 성장기판(1059)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하여 예를 들어, 사파이어(Al2O3) 기판에 비해 열전도성이 큰 SiC 기판 또는 Si, GaAs, GaP, InP, Ga2O3 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.
다음으로, 제1도전형 반도체층(153), 활성층(154) 및 제2 도전형 반도체층(155)의 적어도 일부를 제거하여 복수의 반도체 발광소자를 형성한다(도 5b).
보다 구체적으로, 복수의 발광소자들이 발광 소자 어레이를 형성하도록, 아이솔레이션(isolation)을 수행한다. 즉, 제1도전형 반도체층(153), 활성층(154) 및 제2 도전형 반도체층(155)을 수직방향으로 식각하여 복수의 반도체 발광소자를 형성한다.
만약, 수평형 반도체 발광소자를 형성하는 경우라면, 상기 활성층(154) 및 제2 도전형 반도체층(155)은 수직방향으로 일부가 제거되어, 상기 제1도전형 반도체층(153)이 외부로 노출되는 메사 공정과, 이후에 제1도전형 반도체층을 식각하여 복수의 반도체 발광소자 어레이를 형성하는 아이솔레이션(isolation)이 수행될 수 있다.
다음으로, 상기 제2도전형 반도체층(155)의 일면 상에 제2도전형 전극(156, 또는 p형 전극)를 각각 형성한다(도 5c). 상기 제2도전형 전극(156)은 스퍼터링 등의 증착 방법으로 형성될 수 있으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 다만, 상기 제1도전형 반도체층과 제2도전형 반도체층이 각각 n형 반도체층과 p형 반도체층인 경우에는, 상기 제2도전형 전극(156)은 n형 전극이 되는 것도 가능하다.
그 다음에, 상기 성장기판(159)을 제거하여 복수의 반도체 발광소자를 구비한다. 예를 들어, 성장기판(1059)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다(도 5d).
이후에, 유체가 채워진 챔버에서 반도체 발광소자들(150)이 기판에 안착되는 단계가 진행된다(도 5e).
예를 들어, 유체가 채워진 챔버 속에 상기 반도체 발광소자들(150) 및 기판을 넣고 유동, 중력, 표면 장력 등을 이용하여 상기 반도체 발광소자들이 상기 기판(1061)에 스스로 조립되도록 한다. 이 경우에, 상기 기판은 조립기판(161)이 될 수 있다.
다른 예로서, 상기 조립기판(161) 대신에 배선기판을 유체 챔버내에 넣어, 상기 반도체 발광소자들(150)이 배선기판에 바로 안착되는 것도 가능하다. 이 경우에, 상기 기판은 배선기판이 될 수 있다. 다만, 설명의 편의상, 본 발명에서는 기판이 조립기판(161)으로서 구비되어 반도체 발광소자들(1050)이 안착되는 것을 예시한다.
반도체 발광소자들(150)이 조립기판(161)에 안착하는 것이 용이하도록, 상기 조립기판(161)에는 상기 반도체 발광소자들(150)이 끼워지는 셀들(미도시)이 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 조립기판(161)에는 상기 반도체 발광소자들(150)이 배선전극에 얼라인되는 위치에 상기 반도체 발광소자들(150)이 안착되는 셀들이 형성된다. 상기 반도체 발광소자들(150)은 상기 유체 내에서 이동하다가, 상기 셀들에 조립된다.
상기 조립기판(161)에 복수의 반도체 발광소자들이 어레이된 후에, 상기 조립기판(161)의 반도체 발광소자들을 배선기판으로 전사하면, 대면적의 전사가 가능하게 된다. 따라서, 상기 조립기판(161)은 임시기판으로 지칭될 수 있다.
한편, 상기에서 설명된 자가조립 방법은 대화면 디스플레이의 제조에 적용하려면, 전사수율을 높여야만 한다. 본 발명에서는 전사수율을 높이기 위하여, 중력이나 마찰력의 영향을 최소화하고, 비특이적 결합을 막는 방법과 장치를 제안한다.
이 경우, 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 반도체 발광소자에 자성체를 배치시켜 자기력을 이용하여 반도체 발광소자를 이동시키고, 이동과정에서 전기장을 이용하여 상기 반도체 발광소자를 기설정된 위치에 안착시킨다. 이하에서는, 이러한 전사 방법과 장치에 대하여 첨부된 도면과 함께 보다 구체적으로 살펴본다.
도 6은 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 자가조립 장치의 일 예를 나타내는 개념도이고, 도 7은 도 6의 자가조립 장치의 블록 다이어그램이다. 또한, 도 8a 내지 도 8d는 도 6의 자가조립 장치를 이용하여 반도체 발광소자를 자가조립하는 공정을 나타내는 개념도이며, 도 9는 도 8a 내지 도 8d의 반도체 발광소자를 설명하기 위한 개념도이다.
도 6 및 도 7의 도시에 의하면, 본 발명의 자가조립 장치(160)는 유체 챔버(162), 자석(163) 및 위치 제어부(164)를 포함할 수 있다.
상기 유체 챔버(162)는 복수의 반도체 발광소자들을 수용하는 공간을 구비한다. 상기 공간에는 유체가 채워질 수 있으며, 상기 유체는 조립용액으로서 물 등을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 유체 챔버(162)는 수조가 될 수 있으며, 오픈형으로 구성될 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 유체 챔버(162)는 상기 공간이 닫힌 공간으로 이루어지는 클로즈형이 될 수 있다.
상기 유체 챔버(162)에는 기판(161)이 상기 반도체 발광소자들(150)이 조립되는 조립면이 아래를 향하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(161)은 이송부에 의하여 조립위치로 이송되며, 상기 이송부는 기판이 장착되는 스테이지(165)를 구비할 수 있다. 상기 스테이지(165)가 제어부에 의하여 위치조절되며, 이를 통하여 상기 기판(161)은 상기 조립위치로 이송될 수 있다.
이 때에, 상기 조립위치에서 상기 기판(161)의 조립면이 상기 유체 챔버(150)의 바닥을 향하게 된다. 도시에 의하면, 상기 기판(161)의 조립면은 상기 유체 챔버(162)내의 유체에 잠기도록 배치된다. 따라서, 상기 반도체 발광소자(150)는 상기 유체내에서 상기 조립면으로 이동하게 된다.
상기 기판(161)은 전기장 형성이 가능한 조립기판으로서, 베이스부(161a), 유전체층(161b) 및 복수의 전극들(161c)을 포함할 수 있다.
상기 베이스부(161a)는 절연성 있는 재질로 이루어지며, 상기 복수의 전극들(161c)은 상기 베이스부(161a)의 일면에 패턴된 박막 또는 후막 bi-planar 전극이 될 수 있다. 상기 전극(161c)은 예를 들어, Ti/Cu/Ti 의 적층, Ag 페이스트 및 ITO 등으로 형성될 수 있다.
상기 유전체층(161b)은, SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, HfO2 등의 무기 물질로 이루어질 있다. 이와 다르게, 유전체층(161b)은, 유기 절연체로서 단일층이거나 멀티층으로 구성될 수 있다. 유전체층(161b)의 두께는, 수십 nm~수μm의 두께로 이루어질 수 있다.
나아가, 본 발명에 따른 기판(161)은 격벽에 의하여 구획되는 복수의 셀들(161d)을 포함한다. 셀들(161d)은, 일방향을 따라 순차적으로 배치되며, 폴리머(polymer) 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 셀들(161d)을 이루는 격벽(161e)은, 이웃하는 셀들(161d)과 공유되도록 이루어진다. 상기 격벽(161e)은 상기 베이스부(161a)에서 돌출되며, 상기 격벽(161e)에 의하여 상기 셀들(161d)이 일방향을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 셀들(161d)은 열과 행 방향으로 각각 순차적으로 배치되며, 매트릭스 구조를 가질 수 있다.
셀들(161d)의 내부는, 도시와 같이, 반도체 발광소자(150)를 수용하는 홈을 구비하며, 상기 홈은 상기 격벽(161e)에 의하여 한정되는 공간이 될 수 있다. 상기 홈의 형상은 반도체 발광소자의 형상과 동일 또는 유사할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광소자가 사각형상인 경우, 홈은 사각형상일 수 있다. 또한, 비록 도시되지는 않았지만, 반도체 발광소자가 원형인 경우, 셀들 내부에 형성된 홈은, 원형으로 이루어질 수 있다. 나아가, 셀들 각각은, 단일의 반도체 발광소자를 수용하도록 이루어진다. 즉, 하나의 셀에는, 하나의 반도체 발광소자가 수용된다.
한편, 복수의 전극들(161c)은 각각의 셀들(161d)의 바닥에 배치되는 복수의 전극라인을 구비하며, 상기 복수의 전극라인은 이웃한 셀로 연장되도록 이루어질 수 있다.
상기 복수의 전극들(161c)은 상기 셀들(161d)의 하측에 배치되며, 서로 다른 극성이 각각 인가되어 상기 셀들(161d) 내에 전기장을 생성한다. 상기 전기장 형성을 위하여, 상기 복수의 전극들(161c)을 상기 유전체층이 덮으면서, 상기 유전체층이 상기 셀들(161d)의 바닥을 형성할 수 있다. 이런 구조에서, 각 셀들(161d)의 하측에서 한 쌍의 전극(161c)에 서로 다른 극성이 인가되면 전기장이 형성되고, 상기 전기장에 의하여 상기 셀들(161d) 내부로 상기 반도체 발광소자가 삽입될 수 있다.
상기 조립위치에서 상기 기판(161)의 전극들은 전원공급부(171)와 전기적으로 연결된다. 상기 전원공급부(171)는 상기 복수의 전극에 전원을 인가하여 상기 전기장을 생성하는 기능을 수행한다.
도시에 의하면, 상기 자가조립 장치는 상기 반도체 발광소자들에 자기력을 가하기 위한 자석(163)을 구비할 수 있다. 상기 자석(163)은 상기 유체 챔버(162)와 이격 배치되어 상기 반도체 발광소자들(150)에 자기력을 가하도록 이루어진다. 상기 자석(163)은 상기 기판(161)의 조립면의 반대면을 마주보도록 배치될 수 있으며, 상기 자석(163)과 연결되는 위치 제어부(164)에 의하여 상기 자석의 위치가 제어된다.
상기 자석(163)의 자기장에 의하여 상기 유체내에서 이동하도록, 상기 반도체 발광소자(1050)는 자성체를 구비할 수 있다.
도 9를 참조하면, 자성체를 구비하는 반도체 발광 소자는 제1도전형 전극(1052) 및 제2도전형 전극(1056), 상기 제1도전형 전극(1052)이 배치되는 제1도전형 반도체층(1053), 상기 제1도전형 반도체층(1052)과 오버랩되며, 상기 제2도전형 전극(1056)이 배치되는 제2도전형 반도체층(1055), 그리고 상기 제1 및 제2도전형 반도체층(1053, 1055) 사이에 배치되는 활성층(1054)을 포함할 수 있다.
여기에서, 제1도전형은 p형이고, 제2도전형은 n형으로 구성될 수 있으며, 그 반대로도 구성될 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이 상기 활성층이 없는 반도체 발광소자가 될 수 있다.
한편, 본 발명에서, 상기 제1도전형 전극(1052)는 반도체 발광소자의 자가조립 등에 의하여, 반도체 발광소자가 배선기판에 조립된 이후에 생성될 수 있다. 또한, 본 발명에서, 상기 제2도전형 전극(1056)은 상기 자성체를 포함할 수 있다. 자성체는 자성을 띄는 금속을 의미할 수 있다. 상기 자성체는 Ni, SmCo 등이 될 수 있으며, 다른 예로서 Gd 계, La계 및 Mn계 중 적어도 하나에 대응되는 물질을 포함할 수 있다.
자성체는 입자 형태로 상기 제2도전형 전극(1056)에 구비될 수 있다. 또한, 이와 다르게, 자성체를 포함한 도전형 전극은, 도전형 전극의 일 레이어가 자성체로 이루어질 수 있다. 이러한 예로서, 도 9에 도시된 것과 같이, 반도체 발광소자(1050)의 제2도전형 전극(1056)은, 제1층(1056a) 및 제2층(1056b)을 포함할 수 있다. 여기에서, 제1층(1056a)은 자성체를 포함하도록 이루어질 수 있고, 제2층(1056b)는 자성체가 아닌 금속소재를 포함할 수 있다.
도시와 같이, 본 예시에서는 자성체를 포함하는 제1층(1056a)이, 제2도전형 반도체층(1055)과 맞닿도록 배치될 수 있다. 이 경우, 제1층(1056a)은, 제2층(1056b)과 제2도전형 반도체층(1055) 사이에 배치된다. 상기 제2층(1056b)은 배선기판의 제2전극과 연결되는 컨택 메탈이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 자성체는 상기 제1도전형 반도체층의 일면에 배치될 수 있다.
다시 도 6 및 도 7을 참조하면, 보다 구체적으로, 상기 자가조립 장치는 상기 유체 챔버의 상부에 x,y,z 축으로 자동 또는 수동으로 움직일 수 있는 자석 핸들러를 구비하거나, 상기 자석(163)을 회전시킬 수 있는 모터를 구비할 수 있다. 상기 자석 핸들러 및 모터는 상기 위치 제어부(164)를 구성할 수 있다. 이를 통하여, 상기 자석(163)은 상기 기판(161)과 수평한 방향, 시계방향 또는 반시계방향으로 회전하게 된다.
한편, 상기 유체 챔버(162)에는 광투과성의 바닥판(166)이 형성되고, 상기 반도체 발광소자들은 상기 바닥판(166)과 상기 기판(161)의 사이에 배치될 수 있다. 상기 바닥판(166)을 통하여 상기 유체 챔버(162)의 내부를 모니터링하도록, 이미지 센서(167)가 상기 바닥판(166)을 바라보도록 배치될 수 있다. 상기 이미지 센서(167)는 제어부(172)에 의하여 제어되며, 기판(161)의 조립면을 관찰할 수 있도록 inverted type 렌즈 및 CCD 등을 구비할 수 있다.
상기에서 설명한 자가조립 장치는 자기장과 전기장을 조합하여 이용하도록 이루어지며, 이를 이용하면, 상기 반도체 발광소자들이 상기 자석의 위치변화에 의하여 이동하는 과정에서 전기장에 의하여 상기 기판의 기설정된 위치에 안착될 수 있다. 이하, 상기에서 설명한 자기조립 장치를 이용한 조립과정에 대하여 보다 상세히 설명한다.
먼저, 도 5a 내지 도 5c에서 설명한 과정을 통하여 자성체를 구비하는 복수의 반도체 발광소자들(1050)을 형성한다. 이 경우에, 도 5c의 제2도전형 전극을 형성하는 과정에서, 자성체를 상기 반도체 발광소자에 증착할 수 있다.
다음으로, 기판(161)을 조립위치로 이송하고, 상기 반도체 발광소자들(1050)을 유체 챔버(162)에 투입한다(도 8a).
전술한 바와 같이, 상기 기판(161)의 조립위치는 상기 기판(161)의 상기 반도체 발광소자들(1050)이 조립되는 조립면이 아래를 향하도록 상기 유체 챔버(162)에 배치되는 위치가 될 수 있다.
이 경우에, 상기 반도체 발광소자들(1050) 중 일부는 유체 챔버(162)의 바닥에 가라앉고 일부는 유체 내에 부유할 수 있다. 상기 유체 챔버(162)에 광투과성의 바닥판(166)이 구비되는 경우에, 상기 반도체 발광소자들(1050) 중 일부는 바닥판(166)에 가라앉을 수 있다.
다음으로, 상기 유체 챔버(162) 내에서 상기 반도체 발광소자들(1050)이 수직방향으로 떠오르도록 상기 반도체 발광소자들(1050)에 자기력을 가한다(도 8b).
상기 자가조립 장치의 자석(163)이 원위치에서 상기 기판(161)의 조립면의 반대면으로 이동하면, 상기 반도체 발광소자들(1050)은 상기 기판(161)을 향하여 상기 유체 내에서 떠오르게 된다. 상기 원위치는 상기 유체 챔버(162)로부터 벗어난 위치가 될 수 있다. 다른 예로서, 상기 자석(163)이 전자석으로 구성될 수 있다. 이 경우에는 전자석에 전기를 공급하여 초기 자기력을 생성하게 된다.
한편, 본 예시에서, 상기 자기력의 크기를 조절하면 상기 기판(161)의 조립면과 상기 반도체 발광소자들(1050)의 이격거리가 제어될 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 발광소자들(1050)의 무게, 부력 및 자기력을 이용하여 상기 이격거리를 제어한다. 상기 이격거리는 상기 기판의 최외각으로부터 수 밀리미터 내지 수십 마이크로미터가 될 수 있다.
다음으로, 상기 유체 챔버(162) 내에서 상기 반도체 발광소자들(1050)이 일방향을 따라 이동하도록, 상기 반도체 발광소자들(1050)에 자기력을 가한다. 예를 들어, 상기 자석(163)을 상기 기판과 수평한 방향, 시계방향 또는 반시계방향으로 이동한다(도 8c). 이 경우에, 상기 반도체 발광소자들(1050)은 상기 자기력에 의하여 상기 기판(161)과 이격된 위치에서 상기 기판(161)과 수평한 방향으로 따라 이동하게 된다.
다음으로, 상기 반도체 발광소자들(1050)이 이동하는 과정에서 상기 기판(161)의 기설정된 위치에 안착되도록, 전기장을 가하여 상기 반도체 발광소자들(1050)을 상기 기설정된 위치로 유도하는 단계가 진행된다(도 8c). 예를 들어, 상기 반도체 발광소자들(1050)이 상기 기판(161)과 수평한 방향으로 따라 이동하는 도중에 상기 전기장에 의하여 상기 기판(161)과 수직한 방향으로 이동하여 상기 기판(161)의 기설정된 위치에 안착된다.
보다 구체적으로, 기판(161)의 bi-planar 전극에 전원을 공급하여 전기장을 생성하고, 이를 이용하여 기설정된 위치에서만 조립이 되도록 유도한게 된다. 즉 선택적으로 생성한 전기장을 이용하여, 반도체 발광소자들(1050)이 상기 기판(161)의 조립위치에 스스로 조립되도록 한다. 이를 위하여, 상기 기판(161)에는 상기 반도체 발광소자들(1050)이 끼워지는 셀들이 구비될 수 있다.
이후에, 상기 기판(161)의 언로딩 과정이 진행되며, 조립 공정이 완료된다. 상기 기판(161)이 조립 기판인 경우에, 전술한 바와 같이 어레인된 반도체 발광소자들을 배선기판으로 전사하여 디스플레이 장치를 구현하기 위한 후공정이 진행될 수 있다.
한편, 상기 반도체 발광소자들(1050)을 상기 기설정된 위치로 유도한 후에, 상기 유체 챔버(162) 내에 남아있는 반도체 발광소자들(1050)이 상기 유체 챔버(162)의 바닥으로 떨어지도록 상기 자석(163)을 상기 기판(161)과 멀어지는 방향으로 이동시킬 수 있다(도 8d). 다른 예로서, 상기 자석(163)이 전자석인 경우에 전원공급을 중단하면, 상기 유체 챔버(162) 내에 남아있는 반도체 발광소자들(1050)이 상기 유체 챔버(162)의 바닥으로 떨어지게 된다.
이후에, 상기 유체 챔버(162)의 바닥에 있는 반도체 발광소자들(1050)을 회수하면, 상기 회수된 반도체 발광소자들(1050)의 재사용이 가능하게 된다.
상기에서 설명된 자가조립 장치 및 방법은 fluidic assembly에서 조립 수율을 높이기 위해 자기장을 이용하여 먼거리의 부품들을 미리 정해진 조립 사이트 근처에 집중시키고, 조립 사이트에 별도 전기장을 인가하여 조립 사이트에만 선택적으로 부품이 조립되도록 한다. 이때 조립기판을 수조 상부에 위치시키고 조립면이 아래로 향하도록 하여 부품의 무게에 의한 중력 영향을 최소화하면서 비특이적 결합을 막아 불량을 제거한다. 즉, 전사수율을 높이기 위해 조립 기판을 상부에 위치시켜 중력이나 마찰력 영향을 최소화하며, 비특이적 결합을 막는다.
이상에서 살펴본 것과 같이, 상기와 같은 구성의 본 발명에 의하면, 개별화소를 반도체 발광소자로 형성하는 디스플레이 장치에서, 다량의 반도체 발광소자를 한번에 조립할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따르면 작은 크기의 웨이퍼 상에서 반도체 발광소자를 다량으로 화소화 시킨 후 대면적 기판으로 전사시키는 것이 가능하게 된다. 이를 통하여, 저렴한 비용으로 대면적의 디스플레이 장치를 제작하는 것이 가능하게 된다.
한편, 도 8a 내지 8g에서 설명한 바와 같이, 상술한 자가 조립 방법에서는 서로 다른 색을 발광하는 반도체 발광소자들이 순차적으로 기판 상에 배치될 수 있다. 서로 다른 색을 발광하는 반도체 발광소자들을 하나의 기판에 배치하기 위해서는 반도체 발광소자의 종류 수 만큼 자가 조립 과정을 수행하여야 한다. 예를 들어, 청색, 적색, 녹색을 발광하는 반도체 발광소자를 하나의 기판에 배치하기 위해서는 적어도 세 번의 자가 조립 과정이 필요하다.
본 명세서에서는 세 종류의 색을 발광하는 반도체 발광소자들을 하나의 기판에 조립하는 실시 예에 대하여 설명하나, 하나의 조립 기판에 조립되는 반도체 발광소자의 종류는 이에 한정되지 않는다. 이하, 서로 다른 색을 발광하는 반도체 발광소자들을 제1 내지 제3반도체 발광소자로 구분하여 칭하기로 하며, 조립 기판에는 제1 내지 제3반도체 발광소자가 순차적으로 조립된다.
상기 유체 챔버에 투입된 반도체 발광소자의 종류에 따라, 전압이 인가되는 전극이 달라진다. 이하, 상술한 전극(161c)를 조립 전극이라 칭한다. 구체적으로, 복수의 조립 전극들(161c)은 세 그룹으로 나누어진다. 이하, 복수의 조립 전극들을 제1 내지 제3그룹으로 구분한다.
자가 조립 시 제1반도체 발광소자들은 상기 제1그룹에 속한 조립 전극 중 어느 하나와 오버랩된다. 제2반도체 발광소자들은 상기 제2그룹에 속한 조립 전극 중 어느 하나와 오버랩된다. 제3반도체 발광소자들은 상기 제3그룹에 속한 조립 전극 중 어느 하나와 오버랩된다.
상기 유체 챔버에 제1반도체 발광소자가 투입된 상태에서 자가 조립을 수행하는 경우, 상기 제1그룹에 속한 조립 전극에는 반드시 전압이 인가되어야 하며, 상기 유체 챔버에 제2반도체 발광소자가 투입된 상태에서 자가 조립을 수행하는 경우, 상기 제2그룹에 속한 조립 전극에는 반드시 전압이 인가되어야 하며, 상기 유체 챔버에 제3반도체 발광소자가 투입된 상태에서 자가 조립을 수행하는 경우, 상기 제3그룹에 속한 조립 전극에는 반드시 전압이 인가되어야 한다.
다만, 유체 챔버에 특정 반도체 발광소자가 투입된 상태에서 상기 특정 반도체 발광소자에 대응하는 그룹의 조립 전극에만 전압이 인가되어야 하는 것은 아니다. 구체적으로, 유체 챔버에 제2반도체 발광소자가 투입된 상태에서 자가 조립을 수행하는 경우, 제1반도체 발광소자는 이미 기판에 결합된 상태이다. 이때, 제1그룹에 속하는 조립 전극에 인가된 전압을 차단하는 경우, 제1반도체 발광소자가 기판으로부터 이탈될 수 있다. 이를 방지하기 위해, 제2반도체 발광소자가 투입된 상태에서 자가조립을 수행하는 경우, 제1 및 제2그룹에 모두 전압이 인가되어야 한다. 이러한 경우, 제1그룹에 속한 조립 전극들과 적색 반도체 발광소자간에 인력이 작용할 수 있으나, 제1반도체 발광소자들은 이미 지정된 위치에 배치된 상태이기 때문에, 제2반도체 발광소자는 제1그룹에 속한 조립 전극들과 오버랩되도록 배치되지 않는다.
한편, 상기 제3반도체 발광소자를 자가조립하는 경우, 제3반도체 발광소자가 유체 챔버에 투입된 상태에서는 제1 내지 제3그룹에 모두 전압이 인가되어야 한다.
하지만, 상술한 자가 조립 방식은 조립 시 기설정된 위치에 반도체 발광소자가 안착되지 않는 경우, 후속 자가 조립 공정에서 원하지 않는 반도체 발광소자가 상기 기설정된 위치에 안착되는 문제가 발생된다.
예를 들어, 제1반도체 발광소자에 대한 자가 조립을 완료하였을 때, 제1그룹에 속한 조립 전극들과 오버랩되는 일부 홈에 제1반도체 발광소자가 안착되지 않을 수 있다. 이 상태로, 제2반도체 발광소자에 대한 자가조립을 수행하는 경우, 제1 반도체 발광소자가 안착되어야 하는 위치에 제2반도체 발광소자가 안착될 수 있다. 이는, 제2반도체 발광소자에 대한 자가조립을 수행하는 중에도 제1그룹에 포함된 조립 전극에 전압이 인가되기 때문이다. 기조립된 제1반도체 발광소자들의 이탈을 막기 위해, 제2반도체 발광소자에 대한 자가조립을 수행하는 중에도 제1그룹에 포함된 조립 전극에 전압을 인가하는 것은 불가피하다. 하지만, 이로 인해 반도체 발광소자가 오조립되는 문제가 발생된다.
본 발명은 선행 자가 조립이 완료된 후 후속 자가 조립을 수행할 때, 선행 자가 조립 시 전기장을 형성하였던 조립 전극에 인가되는 전압을 차단할 수 있도록 하는 구조 및 방법을 제공한다.
이하, 본 발명에 따른 자가 조립 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 표면 처리를 통해 자성체를 구비하는 복수의 반도체 발광소자들의 표면에 소정 작용기들을 형성하는 단계가 진행된다.
구체적으로, 반도체 발광소자들을 성장 기판으로부터 분리시킨 상태에서 반도체 발광소자 표면에 작용기를 형성한다. 상기 반도체 발광소자의 표면에는 친수성 작용기가 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 발광소자들의 표면에는 하이드록실기, 아민기 중 적어도 하나가 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 상기 작용기는 축합 반응을 통해 공유 결합을 형성할 수 있는 모든 작용기 일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 도 10을 참조하면, 반도체 발광소자에 O2 플라즈마 처리(50W)를 약 2분간 수행하고, 80℃의 2% APTMS in EtOH(99.5%) 용액에서 8시간 동안 표면처리를 수행할 경우, 반도체 발광소자의 표면에는 아민기가 형성된다.
여기서, APTMS의 구조는 하기 화학식 1과 같다.
[화학식 1]
Figure pat00005
한편, 상기 반도체 발광소자의 표면 처리를 위한 화합물은 APTMS에 한정되지 않는다. 다른 실시 예로, 상기 반도체 발광소자의 표면은 하기 화학식 2에 따른 화합물(GPTMS)로 처리될 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00006
다른 일 실시 예에 있어서, 반도체 발광소자에 발광소자에 O2 플라즈마 처리(50W)를 약 2분간 수행할 경우, 반도체 발광소자의 표면에는 하이드록실기가 다량 생성된다.
상기 반도체 발광소자 표면에 형성되는 작용기는 후술할 화합물과의 공유결합을 형성하는데 활용된다.
다음으로, 복수의 조립 전극을 구비하는 기판의 표면에 소정 화합물을 결합시키는 단계가 진행된다. 상기 기판에는 상기 조립 전극 뿐 아니라 상기 조립 전극을 덮는 유전체층과 격벽이 형성될 수 있다. 상기 소정 화합물은 상기 조립 전극 표면에 결합되는 것이 아니라, 외부에 노출된 격벽의 표면과 유전체층 표면에 결합된다.
일 실시 예에 있어서, 도 11을 참조하면, 상기 기판을 THPP(하기 화학식 3 참조) 0.01~1.0M in EtOH(99.5%) 용액에 침지시킨 후, SATES(하기 화학식 4 참조) 0.01~1.0M in EtOH(99.5%) 용액에 침지시킨다. 이후, 상온 내지 80℃ 온도에 기판을 16시간 동안 노출시킨 후, EtOH(99.5%)으로 세척한다. 이 경우, 기판의 표면에 형성된 하이드록실기와 THPP에 포함된 실란기가 반응한 후, THPP의 말단에 형성된 하이드록실기와 SATES에 포함된 실란기가 반응한다. 기판과 상기 화합물 사이에는 Si-O 결합이 형성된다.
[화학식 3]
Figure pat00007
[화학식 4]
Figure pat00008
다른 일 실시 예에 있어서, SATES 0.01~1.0M in EtOH(99.5%) 용액에 침지시킨다. 이후, 상온 내지 80℃ 온도에 기판을 16시간 동안 노출시킨 후, EtOH(99.5%)으로 세척한다. 이 경우, 기판의 표면에 형성된 하이드록실기와 SATES에 포함된 실란기가 반응한다. 기판과 상기 화합물 사이에는 Si-O 결합이 형성된다.
다만, 상기 화합물은 SATES 및 THPP에 한정되지 않고, 기판과 Si-O 결합을 형성할 수 있는 실란기 및 후술할 열처리를 통해 반도체 발광소자에 형성된 작용기들과 공유 결합을 형성할 수 있는 작용기를 포함하는 화합물일 수 있다. 예를 들어, 상기 화합물은 Succinic Anhydride기와 실란기를 포함하는 화합물 일 수 있다.
상기 기판 표면에 결합된 소정 화합물은 형성되는 작용기는 반도체 발광소자와 공유결합을 형성하는데 활용된다. 상기 기판 표면에 형성된 작용기와 상기 소정 화합물의 반응함에 따라 상기 소정 화합물의 일부 구조가 변하지만, 설명의 편의를 위하여, 기판 표면에 결합된 상태의 소정 화합물 또한 소정 화합물이라 칭하기로 한다.
이후, 도 8a 내지 8g에서 설명한 자가 조립 단계가 수행된다. 이후, 상기 소정 작용기와 상기 기판 표면에 결합된 상기 소정 화합물 간의 반응을 통해 공유 결합이 형성되도록, 상기 기판을 열처리하는 단계가 진행된다. 상기 소정 화합물에 포함된 Succinic Anhydride기 간의 반응이 일어날 수 있다.
도 12와 같이, 상기 소정 작용기가 하이드록실기인 경우, 상기 열처리에 따라 에스테르 결합이 형성된다. 상기 소정 화합물에 형성된 Succinic Anhydride기와 하이드록실기는 도 13과 같은 화학 반응으로 에스테르 결합을 형성한다.
한편, 도 14와 같이, 상기 소정 작용기가 아민기인 경우, 상기 열처리에 따라 아마이드 결합이 형성된다. 상기 소정 화합물에 형성된 Succinic Anhydride기와 아민기는 도 15와 같은 화학 반응으로 아마이드 결합을 형성한다.
상기 열처리 온도는 상기 소정 작용기의 종류, 상기 소정 화합물의 종류에 따라 달라질 수 있으나, 250℃를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 250℃를 초과하는 온도에서 열처리를 수행할 경우, 반도체 발광소자가 파손될 수 있다.
상술한 열처리 결과, 상기 유전체층 및 상기 반도체 발광소자들 각각과 공유결합을 형성하는 공유결합층이 형성된다. 상기 공유결합층은 상기 반도체 발광소자들을 상기 유전체층에 강하게 결합시켜, 자가조립 후 상기 조립 전극에 인가되는 전압이 차단되더라도, 상기 반도체 발광소자들이 기판으로부터 이탈하는 것을 방지한다.
상술한 공유결합층을 활용하면, 서로 다른 종류의 반도체 발광소자들을 순차적으로 자가조립하는 경우, 반도체 발광소자들이 오조립되는 것을 방지할 수 있다. 이하, 서로 다른 종류의 반도체 발광소자들을 순차적으로 자가조립하는 경우 상기 공유결합층의 활용방법에 대하여 설명한다.
서로 다른 종류의 반도체 발광소자들을 순차적으로 자가조립하는 경우, 상기 반도체 발광소자들에 자기력을 가하는 단계 및 상기 반도체 발광소자들을 상기 기설정된 위치로 유도하는 단계는 조립하고자 하는 반도체 발광소자의 종류 수 이상으로 수행되어야 한다.
예를 들어, 상기 제1 내지 제3반도체 발광소자를 순차적으로 조립하는 경우, 상기 반도체 발광소자들에 자기력을 가하는 단계 및 상기 반도체 발광소자들을 상기 기설정된 위치로 유도하는 단계는 상기 유체 챔버에 제1반도체 발광소자가 투입된 상태에서 적어도 한 번씩 수행되고, 상기 유체 챔버에 상기 제2반도체 발광소자가 투입된 상태에서 적어도 한 번씩 수행되며, 상기 유체 챔버에 상기 제3반도체 발광소자가 투입된 상태에서 적어도 한 번씩 수행되어야 한다.
이때에, 유체 챔버에 투입된 반도체 발광소자의 종류에 따라 전압이 인가되어야 하는 조립 전극이 달라진다.
구체적으로, 상기 제1반도체 발광소자들을 상기 기설정된 위치로 유도하는 단계는 상기 제1반도체 발광소자들이 기설정된 제1위치로 유도되도록, 상기 복수의 조립 전극 중 일부(제1그룹에 포함된 조립 전극)에 전압을 인가하여 수행되고, 상기 제2반도체 발광소자들을 상기 기설정된 위치로 유도하는 단계는 상기 제2반도체 발광소자들이 기설정된 제2위치로 유도되도록, 상기 복수의 조립 전극 중 다른 일부(제2그룹에 포함된 조립 전극)에 전압을 인가하여 수행되며, 상기 제2반도체 발광소자들을 상기 기설정된 위치로 유도하는 단계는 상기 제2반도체 발광소자들이 기설정된 제2위치로 유도되도록, 상기 복수의 조립 전극 중 또 다른 일부(제3그룹에 포함된 조립 전극)에 전압을 인가하여 수행되어야 한다.
여기서, 상기 기판을 열처리하는 단계는 어느 한종류의 반도체 발광소자에 대한 자가조립이 완료될 때마다 수행된다.
구체적으로, 상기 기판을 열처리하는 단계는 상기 제1색을 발광하는 반도체 발광소자가 상기 기설정된 제1위치에 안착된 상태에서 적어도 한 번씩 수행되고, 상기 제2색을 발광하는 반도체 발광소자가 상기 기설정된 제2위치에 안착된 상태에서 적어도 한 번씩 수행되며, 상기 제3색을 발광하는 반도체 발광소자가 상기 기설정된 제3위치에 안착된 상태에서 적어도 한 번씩 수행되어야 한다.
마지막 순번의 자가조립이 종료된 후 열처리는 필수적인 것은 아니나, 후속 공정 진행 시 반도체 발광소자가 기판으로부터 이탈하는 것을 방지하기 위해, 마지막 순번의 자가조립 이후에도 열처리를 하는 것이 바람직하다.
한편, 어느 한 종류의 반도체 발광소자에 대한 자가 조립이 종료된 후, 다른 종류의 반도체 발광소자에 대한 자가 조립이 수행될 때, 상기 어느 한 종류의 반도체 발광소자에 대응하는 조립 전극에 인가되는 전압은 차단되어야 한다.
예를 들어, 상기 제1반도체 발광소자가 상기 기설정된 제1위치에 안착된 후, 상기 제2반도체 발광소자들을 상기 기설정된 제2위치로 유도하는 경우, 상기 복수의 조립 전극 중 일부(제1그룹에 포함된 조립 전극)에 인가되는 전압을 차단하는 단계가 진행될 수 있다. 이러한 전압 차단 단계는 상기 제2반도체 발광소자에 대한 자가 조립이 진행되기 전에 수행되어야 한다.
다른 예를 들어, 상기 제1 및 제2반도체 발광소자가 상기 기설정된 제1 및 2위치에 안착된 후, 상기 제3반도체 발광소자들을 상기 기설정된 제3위치로 유도하는 경우, 상기 복수의 조립 전극 중 다른 일부(제2그룹에 포함된 조립 전극)에 인가되는 전압을 차단하는 단계가 진행될 수 있다. 이때에 제1그룹에 포함된 조립 전극에 인가되는 전압은 이미 차단된 상태(제2반도체 발광소자 조립시에 차단)이어야 한다.
본 발명은 상술한 공유결합층을 이용하여, 어느 한 종류의 반도체 발광소자에 대한 자가 조립이 종료된 후, 다른 종류의 반도체 발광소자에 대한 자가 조립이 수행될 때, 상기 어느 한 종류의 반도체 발광소자에 대응하는 조립 전극에 인가되는 전압이 차단되더라도, 상기 어느 한 종류의 반도체 발광소자가 기판으로부터 이탈되지 않도록 한다.
하기 표 1은 상술한 열처리 단계의 효과를 나타낸 것이다. 구체적으로, 상술한 열처리 단계를 수행한 후, 조립 전극에 인가되는 전압을 차단한 상태로 기판을 1시간 동안 물속에서 보관하였다. 이후, 기판에 남아있는 반도체 발광소자의 수를 측정하였다.
SATES 농도 (M) Reference
: 표면처리 無		 0.01 0.05 0.10 1.00 1.00
THPP 농도 (M) - 0.50
고정 유지율 (%)
: 물속에 1회 입수 후 결과		 <10 59.6 85.8 94.2 97.8 99.5*
비 고 유전체층 물질 SiNx SiNx SiO2 SiO2 SiO2 SiNx
면적 6인치 조립기판 (22500 site)
표면처리 온도 - 상온 40도
상기 표 1을 참조하면, STATES와 THPP를 혼합 사용하여 열처리하였을 때, 반도체 발광소자의 고정율이 99% 이상인 것을 확인할 수 있다. 이를 통해, 상기 공유결합층을 이용하면, 어느 한 종류의 반도체 발광소자에 대한 자가 조립이 종료된 후, 다른 종류의 반도체 발광소자에 대한 자가 조립이 수행될 때, 어느 한 종류의 반도체 발광소자에 대응하는 조립 전극에 인가되는 전압을 차단할 수 있게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 서로 다른 종류의 반도체 발광소자들을 순차적으로 자가조립할 때, 어느 한 종류의 반도체 발광소자가 안착되어야 하는 위치에 다른 종류의 반도체 발광소자가 안착되는 것을 방지한다.

Claims (10)

  1. 복수의 반도체 발광소자들;
    상기 반도체 발광소자들에 전기신호를 공급하도록 상기 반도체 발광소자들에서 각각 연장되는 제1배선전극 및 제2배선전극;
    상기 기판 상에서 배치되며, 전류가 공급되면 전기장을 생성하는 제1전극 및 제2전극을 구비하는 복수의 페어 전극들; 및
    상기 페어 전극들을 덮도록 형성되는 유전체층을 포함하고,
    상기 제1배선전극과 제2배선전극은 상기 반도체 발광소자들을 기준으로 상기 복수의 페어 전극들의 반대측에 형성되고,
    상기 유전체층 및 상기 반도체 발광소자들 사이에 배치되며, 상기 유전체층 및 상기 반도체 발광소자들 각각과 공유결합을 형성하는 공유결합층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층과 상기 공유결합층 간에는 Si-O 결합이 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 반도체 발광소자와 상기 공유결합층 간에는 에스테르 결합 및 아마이드 결합 중 어느 하나가 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 공유 결합 층은,
    기판 및 반도체 발광소자 각각의 표면에 형성된 작용기와 하기 화학식 3에 따른 화합물의 반응 결과물이거나,
    기판 및 반도체 발광소자 각각의 표면에 형성된 작용기와 하기 화학식 3 및 4에 따른 화합물의 혼합물의 반응 결과물인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
    [화학식 3]
    Figure pat00009

    [화학식 4]
    Figure pat00010
  5. 표면 처리를 통해 자성체를 구비하는 복수의 반도체 발광소자들의 표면에 소정 작용기들을 형성하는 단계;
    복수의 조립 전극을 구비하는 기판의 표면에 소정 화합물을 결합시키는 단계;
    기판을 조립위치로 이송하고, 상기 반도체 발광소자들을 유체 챔버에 투입하는 단계;
    상기 유체 챔버 내에서 상기 반도체 발광소자들이 일방향을 따라 이동하도록, 상기 반도체 발광소자들에 자기력을 가하는 단계;
    상기 반도체 발광소자들이 이동하는 과정에서 상기 기설정된 위치에 안착되도록, 상기 기판에 배치된 복수의 조립 전극에 전압을 인가하여 상기 반도체 발광소자들을 상기 기설정된 위치로 유도하는 단계;
    상기 소정 작용기와 상기 기판 표면에 결합된 상기 소정 화합물 간의 반응을 통해 공유 결합이 형성되도록, 상기 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자의 자가조립 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 반도체 발광소자들에 자기력을 가하는 단계 및 상기 반도체 발광소자들을 상기 기설정된 위치로 유도하는 단계는,
    상기 유체 챔버에 제1색을 발광하는 반도체 발광소자가 투입된 상태에서, 적어도 한 번씩 수행되고,
    상기 유체 챔버에 상기 제1색과 다른 제2색을 발광하는 반도체 발광소자가 투입된 상태에서 적어도 한 번씩 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 자가조립 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1색을 발광하는 반도체 발광소자들을 상기 기설정된 위치로 유도하는 단계는,
    상기 제1색을 발광하는 반도체 발광소자들이 기설정된 제1위치로 유도되도록, 상기 복수의 조립 전극 중 일부에 전압을 인가하여 수행되고,
    상기 제2색을 발광하는 반도체 발광소자들을 상기 기설정된 위치로 유도하는 단계는,
    상기 제2색을 발광하는 반도체 발광소자들이 기설정된 제2위치로 유도되도록, 상기 복수의 조립 전극 중 다른 일부에 전압을 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 자가조립 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판을 열처리하는 단계는,
    상기 제1색을 발광하는 반도체 발광소자가 상기 기설정된 제1위치에 안착된 상태에서 적어도 한 번씩 수행되고,
    상기 제2색을 발광하는 반도체 발광소자가 상기 기설정된 제2위치에 안착된 상태에서 적어도 한 번씩 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 자가조립 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1색을 발광하는 반도체 발광소자가 상기 기설정된 제1위치에 안착된 후, 상기 제2색을 발광하는 반도체 발광소자들을 상기 기설정된 제2위치로 유도하는 경우, 상기 복수의 조립 전극 중 일부에 인가되는 전압을 차단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 자가조립 방법.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 소정 화합물은,
    하기 화학식 3에 따른 화합물이거나, 하기 화학식 3 및 4에 따른 화합물의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 자가조립 방법.
    [화학식 3]
    Figure pat00011

    [화학식 4]
    Figure pat00012
KR1020190073654A 2019-06-20 2019-06-20 디스플레이 장치 및 반도체 발광소자의 자가조립 방법 KR20200026679A (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190073654A KR20200026679A (ko) 2019-06-20 2019-06-20 디스플레이 장치 및 반도체 발광소자의 자가조립 방법
PCT/KR2020/004553 WO2020122698A2 (ko) 2019-06-20 2020-04-03 디스플레이 장치 및 반도체 발광소자의 자가조립 방법
EP20732459.1A EP3989284A4 (en) 2019-06-20 2020-04-03 DISPLAY DEVICE AND SELF-ASSEMBLY METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELECTROLUMINESCENT DEVICE
US16/858,167 US11374150B2 (en) 2019-06-20 2020-04-24 Display device and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes
US17/832,221 US11715812B2 (en) 2019-06-20 2022-06-03 Display device and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190073654A KR20200026679A (ko) 2019-06-20 2019-06-20 디스플레이 장치 및 반도체 발광소자의 자가조립 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200026679A true KR20200026679A (ko) 2020-03-11

Family

ID=69810019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190073654A KR20200026679A (ko) 2019-06-20 2019-06-20 디스플레이 장치 및 반도체 발광소자의 자가조립 방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11374150B2 (ko)
EP (1) EP3989284A4 (ko)
KR (1) KR20200026679A (ko)
WO (1) WO2020122698A2 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020122698A3 (ko) * 2019-06-20 2020-09-03 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 및 반도체 발광소자의 자가조립 방법
EP3913691A1 (en) * 2020-05-18 2021-11-24 Samsung Display Co., Ltd. A ligand for surface modification, light emitting element comprising the same, and method for manufacturing display device
CN113763818A (zh) * 2021-09-07 2021-12-07 武汉华星光电技术有限公司 显示装置
WO2023146000A1 (ko) * 2022-01-27 2023-08-03 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
WO2024080390A1 (ko) * 2022-10-11 2024-04-18 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110416124B (zh) * 2019-07-05 2020-10-13 深超光电（深圳）有限公司 Led的转移方法及led显示面板的制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101430587B1 (ko) * 2006-09-20 2014-08-14 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 전사가능한 반도체 구조들, 디바이스들 및 디바이스 컴포넌트들을 만들기 위한 릴리스 방안들
KR20100087932A (ko) * 2009-01-29 2010-08-06 삼성전기주식회사 자기 조립 단분자막을 이용한 다이 어태치 방법 및 자기 조립 단분자막을 이용하여 다이가 어태치된 패키지 기판
CN102656233B (zh) * 2009-05-01 2015-04-29 纳米系统公司 用于纳米结构体分散的官能化基质
WO2012018997A2 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 Semprius, Inc. Materials and processes for releasing printable compound semiconductor devices
CN106415803B (zh) * 2013-12-17 2019-01-29 东京毅力科创株式会社 在基底上旋涂自组装单分子层或周期性有机硅(酸盐)的系统和方法
US9825202B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 eLux, Inc. Display with surface mount emissive elements
US10543486B2 (en) * 2014-10-31 2020-01-28 eLux Inc. Microperturbation assembly system and method
US9711443B2 (en) * 2015-11-14 2017-07-18 Intel Corporation Magnetic alignment for flip chip microelectronic devices
CN107833525B (zh) * 2016-09-15 2020-10-27 伊乐视有限公司 发光显示器的流体组装的系统和方法
JP6837995B2 (ja) * 2016-11-14 2021-03-03 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 量子ドット発光ダイオードおよびその製造方法、並びに表示パネルおよび表示装置
KR102581666B1 (ko) * 2018-08-24 2023-09-22 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20200026679A (ko) * 2019-06-20 2020-03-11 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 및 반도체 발광소자의 자가조립 방법

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020122698A3 (ko) * 2019-06-20 2020-09-03 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 및 반도체 발광소자의 자가조립 방법
US11374150B2 (en) 2019-06-20 2022-06-28 Lg Electronics Inc. Display device and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes
US11715812B2 (en) 2019-06-20 2023-08-01 Lg Electronics Inc. Display device and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes
EP3913691A1 (en) * 2020-05-18 2021-11-24 Samsung Display Co., Ltd. A ligand for surface modification, light emitting element comprising the same, and method for manufacturing display device
US11672168B2 (en) 2020-05-18 2023-06-06 Samsung Display Co., Ltd. Ligand for surface modification, light emitting element including the same, and method for manufacturing display device
CN113763818A (zh) * 2021-09-07 2021-12-07 武汉华星光电技术有限公司 显示装置
CN113763818B (zh) * 2021-09-07 2023-06-02 武汉华星光电技术有限公司 显示装置
WO2023146000A1 (ko) * 2022-01-27 2023-08-03 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
WO2024080390A1 (ko) * 2022-10-11 2024-04-18 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP3989284A4 (en) 2023-07-19
US20200403118A1 (en) 2020-12-24
US11374150B2 (en) 2022-06-28
US20220302342A1 (en) 2022-09-22
US11715812B2 (en) 2023-08-01
WO2020122698A2 (ko) 2020-06-18
WO2020122698A3 (ko) 2020-09-03
EP3989284A2 (en) 2022-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP4095906A1 (en) Display apparatus using semiconductor light-emitting device
KR102162739B1 (ko) 반도체 발광소자의 자가조립 장치 및 방법
CN113228288B (zh) 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
KR20200026679A (ko) 디스플레이 장치 및 반도체 발광소자의 자가조립 방법
KR102173350B1 (ko) 디스플레이 장치의 제조방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 기판
KR20200026775A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20200026681A (ko) 디스플레이 장치 제조를 위한 기판 및 디스플레이 장치의 제조방법
KR102233158B1 (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
KR102145192B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20200023316A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20200014867A (ko) 반도체 발광소자의 자가조립 장치 및 방법
KR20200021966A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20200026669A (ko) 반도체 발광소자의 자가조립 장치 및 방법
KR20200026761A (ko) 반도체 발광소자의 자가조립 장치
KR20200026766A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
KR20200026673A (ko) 디스플레이 장치의 제조방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 기판
KR20200026770A (ko) 마이크로 엘이디를 이용한 디스플레이 장치
US20230005888A1 (en) Semiconductor light-emitting element supply device and supply method
US20220302351A1 (en) Display device using semiconductor light emitting diode
KR20200026714A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20200023327A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20200024177A (ko) 디스플레이 장치의 제조방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 기판
KR20200026838A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20200026781A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20200026777A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
G15R Request for early publication
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right