JP6837995B2 - 量子ドット発光ダイオードおよびその製造方法、並びに表示パネルおよび表示装置 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 37
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 30
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 28
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 24
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 24
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 13
- -1 halide anions Chemical class 0.000 claims description 10
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims description 8
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 8
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Description
本発明は、量子ドット発光ダイオード、該量子ドット発光ダイオードを具備する表示パネルおよび表示装置、並びに該量子ドット発光ダイオードの製造方法に関する。
量子ドット発光ダイオードは、一般的に、複数のセレン化カドミウムナノ結晶が含まれる発光層を備える。セレン化カドミウム層は、電子輸送層と正孔輸送層との間に挟まれる。量子ドット発光ダイオードに電界が印加されることで、電子および正孔をセレン化カドミウム層に移動させる。セレン化カドミウム層において、電子と正孔は量子ドットにトラップされて再結合し、光子を放出する。量子ドット発光ダイオードの発光スペクトルは、従来の有機発光ダイオードに比べて狭い。
一態様では、本発明は、ベース基板上に電子輸送材料と無機ペロブスカイト材料を共堆積させて、電子輸送材料と無機ペロブスカイト材料が含まれる複合層を形成する工程を含む、量子ドット発光ダイオードを製造する方法を提供する。
無機ペロブスカイト材料は、ＣｓＰｂＸ３を含んでもよく、ただし、Ｘ３はＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、またはそれらの任意の組み合わせから選ばれる３つのハロゲン化物アニオンである。
共堆積は、パルスレーザー堆積法によって実施されてもよい。
上記方法は、複合層を焼きなまして、複数の量子ドットが含まれる量子ドット発光層と電子輸送層を形成する工程をさらに含み、無機ペロブスカイト材料は、焼きなまし過程で複合層の表面上の複数の量子ドットに自己組織化されてもよい。
共堆積は、同一のパルスレーザー堆積室において別々に設置した電子輸送材料ターゲットと無機ペロブスカイト材料ターゲットをレーザー光源に露光させるステップを含んでもよい。
複合層における、電子輸送材料に対する無機ペロブスカイト材料の体積比は、約１：１００〜約１：１０であってもよい。
複合層における、電子輸送材料に対する無機ペロブスカイト材料の体積比は、約５：９５であってもよい。
共堆積は、約４５０℃〜約７００℃である堆積温度で実施されてもよい。
共堆積は、約５０ｍＴｏｒｒ〜約１５０ｍＴｏｒｒである堆積圧力下の酸素雰囲気において実施されてもよい。
共堆積は、約５Ｈｚ〜約２０Ｈｚであるレーザーパルス周波数で、および約１００ｍＪ／ｃｍ２〜約２７０ｍＪ／ｃｍ２であるレーザーエネルギー密度で実施されてもよい。
電子輸送材料は、無機金属酸化物を含んでもよい。
無機金属酸化物は、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＷＯ３、ＳｎＯ２からなる群から選ばれてもよい。
焼きなましは、約１０分間〜約５０分間で実施されてもよい。
電子輸送層は、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍである厚さを有し、複数の量子ドットは、約２ｎｍ〜約２０ｎｍである平均直径を有してもよい。
上記方法は、量子ドット発光層の電子輸送層から遠い側に正孔輸送材料が含まれる正孔輸送層を形成する工程をさらに含み、正孔輸送材料は、４，４’−シクロへキシレンビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−トリル）アニリン］（ＴＡＰＣ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）、およびそれらの任意の組み合わせからなる群から選ばれてもよい。
上記方法は、正孔輸送層の量子ドット発光層から遠い側に正孔注入材料が含まれる正孔注入層を形成する工程をさらに含み、正孔注入材料は、ＭｏＯ３、ＣｕＰｃ、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリスチレンスルホン酸塩（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）からなる群から選ばれてもよい。
上記方法は、正孔注入層の正孔輸送層から遠い側に第１電極層を形成する工程と、複合層を形成する前、ベース基板上に第２電極層を形成する工程と、をさらに含み、第２電極層は、複合層のベース基板に近い側に形成されてもよい。
別の態様では、本発明は、前述の方法で製造される量子ドット発光ダイオードを提供する。
別の態様では、本発明は、前述の量子ドット発光ダイオードを備える表示パネルを提供する。
別の態様では、本発明は、前述の表示パネルを備える表示装置を提供する。
以下の図面は、単なる開示された各実施形態を説明するための例であり、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。
以下、本発明について、いくつかの実施形態を参照しながらより具体的に説明する。なお、以下で説明される実施形態は、例示または説明を目的とするものに過ぎず、本発明の構成などについても網羅や限定することを意図しない。
半導体量子ドットは、調整可能な発光波長、狭い発光スペクトル、高い発光安定性などのいくつかの独自の特徴を持っているので、近年、研究開発の焦点となる。量子ドット発光を利用した表示パネルは、高い発光効率、より広い色の範囲、より忠実な色再現、より低いエネルギー消費などの長所を持っている。従来の半導体量子ドットは、主にカドミウムベースの半導体材料を利用し、コアシェル構造を有する。その材料および複雑な製造工程に伴う高い製造コストのために、半導体量子ドットを利用した表示パネルに関する工業生産には限界がある。有機・無機ペロブスカイト材料は、コストが低い、キャリア移動度が高い、吸収係数が高い、太陽電池への応用も見出されている。しかしながら、有機・無機ペロブスカイト材料は、その自然欠陥に起因して、非常に低い蛍光量子効率（例えば、２０％未満）および低い安定性を有する。しかも、従来の量子ドット構造は、一般的に、複雑な製造工程または非常に有毒な中間体副生成物を伴うホットインジェクション法によって形成されるので、環境に悪影響を及ぼし、製造コストが高くなる。
本発明には、無機ペロブスカイト材料を利用して量子ドット発光ダイオードを製造する可能性が検討される。本発明によれば、堆積をベースとする工程は、優れた特性を有する量子ドット発光層を形成するように用いられる。該工程は、量子ドット発光ダイオードの製造工程をよく簡単化させるとともに、環境への悪影響を軽減させる。従って、本発明は、特に、従来技術の制限や欠点による複数の問題を実質的に解決するように、量子ドット発光ダイオード、それを備えた表示パネルおよび表示装置、並びに、それらの製造方法を提供する。一態様によれば、本発明は、電子輸送材料と無機ペロブスカイト材料とが含まれる複合層を有する量子ドット発光ダイオードを提供する。いくつかの実施形態では、量子ドット発光ダイオードは、ベース基板上の電子輸送層と、電子輸送層のベース基板から遠い側にある量子ドット発光層と、を含む。量子ドット発光層は、無機ペロブスカイト材料を含有する。電子輸送層は、電子輸送材料を含有する。また、電子輸送材料は、無機金属酸化物を含んでもよい。無機金属酸化物は、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＷＯ３、ＳｎＯ２からなる群から選ばれてもよい。複合層における、電子輸送材料に対する無機ペロブスカイト材料の体積比は、約１：１００〜約１：１０、例えば、約１：１００〜約１：５０、約１：５０〜約１：２５、約１：２５〜約３：５０、約３：５０〜約１：１０などであってもよい。複合層における、電子輸送材料に対する無機ペロブスカイト材料の体積比は、約５：９５であってもよい。
本明細書で使用される「無機ペロブスカイト材料」という用語は、ペロブスカイト型結晶構造（例えば、カルシウム酸化チタンと同じ型の結晶構造）を有する任意の無機材料となり得る。該材料は、ペロブスカイト結晶相に実際にあるかどうかに関係なく、そのような結晶層に存在してもよい。無機ペロブスカイト材料は、一般的な化学量論ＡＭＸ３を有してもよく、ただし、「Ａ」および「Ｍ」がカチオンであり、「Ｘ」がアニオンである。カチオン「Ａ」および「Ｍ」は、様々な電荷を持つ。アニオンはそれと同一または異なる。ペロブスカイト材料は、同一または異なる３個または４個のアニオンと、２つまたは３つの正電荷を帯びている２個の金属原子とを有する構造を含んでもよい。無機ペロブスカイト材料は、ＣｓＰｂＸ３を含んでもよく、ただし、Ｘ３はＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、またはそれらの任意の組み合わせから選ばれる３つのハロゲン化物アニオンでる。
いくつかの実施形態では、量子ドット発光層は、電子輸送層上にある複数の量子ドットを含む。図１は、いくつかの実施形態における量子ドット発光ダイオードの構造を示す図である。図１に示すように、量子ドット発光層３における複数の量子ドットは、電子輸送層２の表面に均一に分布している。ホットインジェクション法によって製造されてきた従来の量子ドット発光ダイオードに比べると、本発明の量子ドット発光ダイオードは、優れた特性を持っている。例えば、本発明の量子ドット発光ダイオードにおける量子ドット発光層は、焼きなまし過程で、固固分離によって電子輸送層の表面上に自己組織化される。従って、量子ドットは、接触面積が大きく、電子輸送層との接触特性が良好であるので、電子輸送効率が高くなる。量子ドットは、約２ｎｍ〜約２０ｎｍ、例えば、約５ｎｍ〜約１０ｎｍである平均直径を有してもよい。電子輸送層は、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍ、例えば、６０ｎｍである厚さを有してもよい。
図１に示すように、本実施形態における量子ドット発光ダイオードは、量子ドット発光層３の電子輸送層２から遠い側にある正孔輸送層４と、
正孔輸送層４の量子ドット発光層３から遠い側にある正孔注入層５と、正孔注入層５の正孔輸送層４から遠い側にある第１電極層６と、電子輸送層２の量子ドット発光層３から遠い側にある第２電極層１と、を含む。
正孔輸送層４の量子ドット発光層３から遠い側にある正孔注入層５と、正孔注入層５の正孔輸送層４から遠い側にある第１電極層６と、電子輸送層２の量子ドット発光層３から遠い側にある第２電極層１と、を含む。
正孔輸送層を形成するには、種々の適切な正孔輸送材料が用いられる。適切な正孔輸送材料の例としては、４，４’−シクロへキシレンビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−トリル）アニリン］（ＴＡＰＣ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）、およびそれらの任意の組み合わせが挙げられるが、これらには限定されない。正孔輸送層は、任意の適切な厚さをすることができる。正孔輸送層は、ＴＣＴＡからなるとともに、厚さが約５ｎｍ〜約２０ｎｍ、例えば、約１０ｎｍであってもよい。また、正孔輸送層は、ＴＡＰＣからなるとともに、厚さが約２０ｎｍ〜約１００ｎｍ、例えば、約５０ｎｍであってもよい。また、正孔輸送層は、ＴＡＰＣサブレイヤとＴＣＴＡサブレイヤが含まれる積層体であってもよく、ただし、ＴＡＰＣサブレイヤの厚さが約２０ｎｍ〜約８０ｎｍ、例えば、約４０ｎｍであり、ＴＣＴＡサブレイヤの厚さが約５ｎｍ〜約２０ｎｍ、例えば、約１０ｎｍである。また、正孔輸送層は、ＮＰＢからなるとともに、厚さが約２０ｎｍ〜約１００ｎｍ、例えば、約５０ｎｍであってもよい。また、正孔輸送層は、ＮＰＢサブレイヤとＴＣＴＡサブレイヤが含まれる積層体であってもよく、ただし、ＮＰＢサブレイヤの厚さが約２０ｎｍ〜約８０ｎｍ、例えば、約４０ｎｍであり、ＴＣＴＡサブレイヤの厚さが約５ｎｍ〜約２０ｎｍ、例えば、約１０ｎｍである。また、正孔輸送層は、ＰＶＫからなるとともに、厚さが約１０ｎｍ〜約６０ｎｍ、例えば、約３０ｎｍであってもよい。
正孔注入層を形成するには、種々の適切な正孔注入材料が用いられる。適切な正孔注入材料の例としては、ＭｏＯ３、ＣｕＰｃ、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリスチレンスルホン酸塩（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）が挙げられるが、これらには限定されない。正孔注入層は、任意の適切な厚さをすることができる。正孔注入層は、ＭｏＯ３からなり、厚さが約２０ｎｍ〜約８０ｎｍ、例えば、約４０ｎｍであってもよい。
第１電極層および第２電極層を形成するには、種々の適切な電極材料が用いられる。適切な電極材料の例としては、インジウムスズ酸化物、フッ化リチウム、アルミニウムが挙げられるが、これらに限定されない。電極は、任意の適切な厚さをすることができる。電極層は、フッ化リチウムからなり、厚さが約０．５ｎｍ〜約２ｎｍ、例えば、約１ｎｍであってもよい。また、電極層は、アルミニウムからなり、厚さが約２０ｎｍ〜約２００ｎｍ、例えば、約１００ｎｍであってもよい。また、電極層は、インジウムスズ酸化物からなり、厚さが約４０ｎｍ〜約１５０ｎｍ、例えば、約７０ｎｍであってもよい。
本発明に係る量子ドット発光ダイオードは、優れた特性を実現するため、新たな方法によって製造される。いくつかの実施形態では、量子ドット発光ダイオードは、ベース基板上に電子輸送材料と無機ペロブスカイト材料を共堆積させて、電子輸送材料と無機ペロブスカイト材料が含まれる複合層を形成する工程を含む方法によって製造される。
電子輸送材料と無機ペロブスカイト材料を共堆積させるには、様々な適切な堆積方法が用いられる。適切な堆積方法の例としては、パルスレーザー堆積、電子ビーム堆積、陰極アーク堆積などが挙げられるが、これらには限定されない。
図２は、いくつかの実施形態における例示的なパルスレーザー堆積工程を示す図である。図２に示すように、パルスレーザー堆積装置は、回転軸受２３に、無機ペロブスカイト材料ターゲット２１（例えば、ＣｓＰｂＸ３ターゲット）と電子輸送材料ターゲット２２（例えば、ＺｎＯターゲット）が別々に設置された真空チャンバ２０を含む。ベース基板２４（例えば、ベース基板２４上に形成された酸化インジウムスズ電極層を有するベース基板）は、真空チャンバ２０中の加熱ステージ２５に設置される。入射するパルスレーザービーム２６は、レーザー出射口２７を介して真空チャンバ２０に導入される。無機ペロブスカイト材料ターゲット２１と電子輸送材料ターゲット２２とは、入射するパルスレーザービーム２６に曝される。ターゲットがレーザービームに曝されると、そのターゲットは、イオン化され、プラズマプルーム２８として放出される。プラズマプルーム２８がベース基板２４に到達すると、ターゲット材料はベース基板２４上に堆積される。
図２に示すように、無機ペロブスカイト材料ターゲット２１と電子輸送材料ターゲット２２とは、異なる露光期間でレーザービームに曝されるように、回転支持部材２３に配置される。いくつかの実施例では、無機ペロブスカイト材料ターゲットと電子輸送材料ターゲットとが略同じ堆積速度を維持すると、無機ペロブスカイト材料ターゲットの露光期間と電子輸送材料ターゲットの露光期間との比は、約１：１００〜約１：１０、例えば、約１：１００〜約１：５０、約１：５０〜約１：２５、約１：２５〜約３：５０、および約３：５０〜約１：１０に設定されてもよい。無機ペロブスカイト材料ターゲットと電子輸送材料ターゲットとの堆積速度は、例えば、ターゲットへのレーザーパルス周波数またはレーザーエネルギー密度の調整によって維持される。無機ペロブスカイト材料ターゲットと電子輸送材料ターゲットとの堆積速度が実質的同一の速度に維持されると、無機ペロブスカイト材料ターゲットの露光期間と電子輸送材料ターゲットの露光期間との比は、約５：９５であってもよい。無機ペロブスカイト材料ターゲットと電子輸送材料ターゲットの露光期間の違いによって、無機ペロブスカイト材料ターゲットと電子輸送材料ターゲットとのベース基板２４上に形成される複合層中の比率（例えば、体積百分率または重量百分率）は異なる。回転軸受２３の有りまたは無しにする状態での、異なるターゲットによる異なる露光期間を実現するように、多数の代替実施形態は実施可能である。
様々な堆積パラメータは、複合層の特定の厚さ、または２種類のターゲットの堆積比を実現するように調整される。これらのパラメータは、例えば、堆積温度、堆積圧力、レーザーパルス周波数、レーザーエネルギー密度、堆積期間などを含む。共堆積は、約３００℃〜約７００℃、例えば、約４５０℃〜約７００℃、約５００℃である堆積温度で実施されてもよい。共堆積は、約５０ｍＴｏｒｒ〜約１５０ｍＴｏｒｒ、例えば、約１００ｍＴｏｒｒである堆積圧力下の酸素雰囲気において実施されてもよい。共堆積は、約５Ｈｚ〜約２０Ｈｚ（例えば、約１０Ｈｚ）であるレーザーパルス周波数で、および約１００ｍＪ／ｃｍ２〜約２７０ｍＪ／ｃｍ２（例えば、約２６０ｍＪ／ｃｍ２）であるレーザーエネルギー密度で実施されてもよい。共堆積は、約５分間〜約４０分間、例えば、約２０分間である堆積期間で実施されてもよい。
複合層を形成するには、種々の適切な電極材料が用いられる。いくつかの実施形態では、無機ペロブスカイト材料は、ＣｓＰｂＸ３を含んでおり、ただし、Ｘ３はＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、またはそれらの任意の組み合わせから選ばれる３つのハロゲン化物アニオンである。いくつかの実施形態では、電子輸送材料は、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＷＯ３、ＳｎＯ２などのような無機金属酸化物を含む。ターゲット材料は、単結晶材料またはセラミック材料であってもよい。
図３〜７は、いくつかの実施形態における量子ドット発光ダイオードを製造するための製造工程を示す図である。図３に示すように、電子輸送材料と無機ペロブスカイト材料は、（予め堆積された第２電極層１を有する）ベース基板７上に共堆積されて、複合層２Ａを形成する。堆積は、上記のように、パルスレーザー堆積工程によって実施されてもよい。このようにして形成した複合層における、電子輸送材料に対する無機ペロブスカイト材料の体積比は、約１：１００〜約１：１０、例えば、約１：１００〜約１：５０、約１：５０〜約１：２５、約１：２５〜約３：５０、約３：５０〜約１：１０であってもよい。この複合層における、電子輸送材料に対する無機ペロブスカイト材料の体積比は、約５：９５であってもよい。複合層の厚さは、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍ、例えば、約６０ｎｍであってもよい。
図４に示すように、本実施形態における方法は、複合層２Ａを焼きなまして、複数の量子ドットが含まれる量子ドット発光層３を、電子輸送層２の第２電極層１から遠い側に形成する工程をさらに含む。焼きなまし処理過程において、無機ペロブスカイト材料と電子輸送材料との間には、異なる結晶格子エネルギーおよび２つの結晶の混合による不利な自由エネルギーに起因して相分離が発生する。その結果、複合層２Ａにおける無機ペロブスカイト材料は、例えば、相の固固分離によって、複合層２Ａの表面上の複数の量子ドットに自己組織化される。このようにして形成した量子ドット発光層３における量子ドットは、電子輸送層２との接触面積が大きくかつ接触特性が良好になるので、電子輸送効率が高くなる。このようにして形成した量子ドットは、約２ｎｍ〜約２０ｎｍ、例えば、約５ｎｍ〜約１０ｎｍである平均直径を有してもよい。このようにして形成した電子輸送層は、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍ、例えば、約６０ｎｍである厚さを有してもよい。
量子ドット発光層と電子輸送層の一定の特性を実現するには、種々の適切な焼きなましパラメータが設定される。焼きなましは、約３００℃〜約５００℃、例えば、約４００℃である焼きなまし温度で実施されてもよい。焼きなましは、約１０分間〜約５０分間、例えば、約３０分間である期間で実施されてもよい。焼きなましは、酸素雰囲気において実施されてもよい。
図５に示すように、本実施形態の方法は、量子ドット発光層３の電子輸送層２から遠い側に正孔輸送材料が含まれる正孔輸送層４を形成する工程をさらに含む。正孔輸送層を形成するには、種々の適切な正孔輸送材料が用いられる。適切な正孔輸送材料の例としては、４，４’−シクロへキシレンビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−トリル）アニリン］（ＴＡＰＣ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）、およびそれらの任意の組み合わせが挙げられるが、これらには限定されない。
図６に示すように、本実施形態の方法は、正孔輸送層４の量子ドット発光層３から遠い側に正孔注入材料が含まれる正孔注入層５を形成する工程をさらに含む。正孔注入層を形成するには、種々の適切な正孔注入材料が用いられる。適切な正孔注入材料の例としては、ＭｏＯ３、ＣｕＰｃ、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリスチレンスルホン酸塩（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）が挙げられるが、これらには限定されない。
図７に示すように、本実施形態の方法は、正孔注入層５の正孔輸送層４から遠い側に第１電極層６を形成する工程をさらに含む。いくつかの実施形態では、該方法は、複合層２Ａを形成する前、ベース基板７上に第２電極層１を形成する工程と、をさらに含む。第２電極層１は、複合層２Ａのベース基板７に近い側に形成される。第１電極層および第２電極層を形成するには、種々の適切な電極材料が用いられる。適切な電極材料の例としては、インジウムスズ酸化物、フッ化リチウム、アルミニウムが挙げられるが、これらに限定されない。
別の態様では、本発明は、前述の方法によって製造されてきた量子ドット発光ダイオードを提供する。別の態様では、本発明は、前述した、または前述の方法によって製造されてきた量子ドット発光ダイオードを有する表示パネルを提供する。別の態様では、本発明は、前述した表示パネルを有する表示装置を提供する。適切な表示装置の例としては、電子ペーパー、携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビジョン、モニタ、ノートパソコン、デジタルフォトアルバム、ＧＰＳなどが挙げられるが、これらに限定されない。
本発明の実施形態について前述した説明は、例示または説明するためのものである。前述した説明は、本発明を網羅すること、または、詳細な形態や例示的実施例に限定することを意図していない。従って、前述した説明は、限定ではなく例示とみなされるべきである。当業者であれば、様々な変形や変更が行えることは明らかであろう。実施形態は、本発明の原理または本発明を実行する最良の態様を説明する目的で提供されたものであり、それにより、当業者にとっては、実際的または意図的な適用に応じて、本発明が様々な実施形態および変更態様として実施することができることは明らかである。本発明の範囲は、添付した特許請求の範囲及びその均等物によって定義されることが意図されており、ここで使用されるすべての用語は特に説明しない限り、それらの最も広くて合理的な意味を表す。従って、「発明」、「本発明」などのような用語は、必ずしも請求の範囲を特定の実施形態に限定するものではない。本発明の実施形態に関する記載は、特に限定する意味ではなく、そのような限定も推測されるべきではない。本発明は、添付した特許請求の範囲の精神や範囲のみによって限定されるものである。また、これらの請求項は、名詞または構成要素が続く「第１」、「第２」などを使用する場合がある。数を特定しない限り、そのような用語は、名称と理解されるべき、構成要素の数量を制限するように解釈されるものではない。上記した利点および効果のいずれかは、すべての実施形態に適用されない場合がある。当業者であれば、特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲から逸脱することなしに、前述した実施形態に様々な変更を行うことができるのが好ましい。また、本開示における構成要素または部品は、クレームされているかどうかに関係なく、公衆に献呈されたとはいえない。
１ 第２電極層
２ 電子輸送層
３ 量子ドット発光層
４ 正孔輸送層
５ 正孔注入層
６ 第１電極層
７ ベース基板
２ 電子輸送層
３ 量子ドット発光層
４ 正孔輸送層
５ 正孔注入層
６ 第１電極層
７ ベース基板
Claims (19)
- 量子ドット発光ダイオードを製造する方法であって、
ベース基板上に電子輸送材料と無機ペロブスカイト材料を共堆積させて、電子輸送材料と無機ペロブスカイト材料が含まれる複合層を形成する工程を含み、
前記共堆積は、パルスレーザー堆積法によって実施される
方法。 - 前記無機ペロブスカイト材料は、ＣｓＰｂＸ３を含んでおり、ただし、Ｘ３はＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、またはそれらの任意の組み合わせから選ばれる３つのハロゲン化物アニオンである
請求項１に記載の方法。 - 前記複合層を焼きなまして、複数の量子ドットが含まれる量子ドット発光層と電子輸送層を形成する工程をさらに含み、
前記無機ペロブスカイト材料は、焼きなまし過程で前記複合層の表面上の前記複数の量子ドットに自己組織化される
請求項１に記載の方法。 - 前記共堆積は、同一のパルスレーザー堆積室において別々に設置した電子輸送材料ターゲットと無機ペロブスカイト材料ターゲットをレーザー光源に露光させるステップを含む
請求項１に記載の方法。 - 前記複合層における、前記電子輸送材料に対する前記無機ペロブスカイト材料の体積比は、１：１００〜１：１０である
請求項４に記載の方法。 - 前記複合層における、前記電子輸送材料に対する前記無機ペロブスカイト材料の体積比は、５：９５である
請求項４に記載の方法。 - 前記共堆積は、４５０℃〜７００℃である堆積温度で実施される
請求項４に記載の方法。 - 前記共堆積は、５０ｍＴｏｒｒ〜１５０ｍＴｏｒｒである堆積圧力下の酸素雰囲気において実施される
請求項４に記載の方法。 - 前記共堆積は、５Ｈｚ〜２０Ｈｚであるレーザーパルス周波数で、および１００ｍＪ／ｃｍ２ 〜２７０ｍＪ／ｃｍ２であるレーザーエネルギー密度で実施される
請求項４に記載の方法。 - 前記電子輸送材料は、無機金属酸化物を含む
請求項１に記載の方法。 - 前記無機金属酸化物は、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＷＯ３、ＳｎＯ２からなる群から選ばれる
請求項１０に記載の方法。 - 前記焼きなましは、１０分間〜５０分間で実施される
請求項３に記載の方法。 - 前記電子輸送層は、１０ｎｍ〜１００ｎｍである厚さを有し、
前記複数の量子ドットは、２ｎｍ〜２０ｎｍである平均直径を有する
請求項３に記載の方法。 - 前記量子ドット発光層の前記電子輸送層から遠い側に正孔輸送材料が含まれる正孔輸送層を形成する工程をさらに含み、
前記正孔輸送材料は、４，４’−シクロへキシレンビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−トリル）アニリン］（ＴＡＰＣ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）、およびそれらの任意の組み合わせからなる群から選ばれる
請求項３に記載の方法。 - 前記正孔輸送層の前記量子ドット発光層から遠い側に正孔注入材料が含まれる正孔注入層を形成する工程をさらに含み、
前記正孔注入材料は、ＭｏＯ３、ＣｕＰｃ、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリスチレンスルホン酸塩（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）からなる群から選ばれる
請求項１４に記載の方法。 - 前記正孔注入層の前記正孔輸送層から遠い側に第１電極層を形成する工程と、
前記複合層を形成する前、前記ベース基板上に第２電極層を形成する工程と、をさらに含み、
前記第２電極層は、前記複合層の前記ベース基板に近い側に形成される
請求項１５に記載の方法。 - 請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法で製造される量子ドット発光ダイオード。
- 請求項１７に記載の量子ドット発光ダイオードを備える表示パネル。
- 請求項１８に記載の表示パネルを備える表示装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2016/105693 WO2018086114A1 (en) | 2016-11-14 | 2016-11-14 | Quantum dots light emitting diode and fabricating method thereof, display panel and display apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020513639A JP2020513639A (ja) | 2020-05-14 |
| JP6837995B2 true JP6837995B2 (ja) | 2021-03-03 |
Family
ID=62110140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017557904A Active JP6837995B2 (ja) | 2016-11-14 | 2016-11-14 | 量子ドット発光ダイオードおよびその製造方法、並びに表示パネルおよび表示装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10276820B2 (ja) |
| EP (1) | EP3539166B1 (ja) |
| JP (1) | JP6837995B2 (ja) |
| KR (1) | KR102006800B1 (ja) |
| CN (1) | CN108886101B (ja) |
| WO (1) | WO2018086114A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100679231B1 (ko) * | 2006-04-13 | 2007-02-06 | 주식회사 나노엔텍 | 3 ｆｍ 정밀여과장치 |
| US20180182934A1 (en) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light Emitting Unit |
| KR20200044818A (ko) * | 2017-08-24 | 2020-04-29 | 고쿠리쓰다이가쿠호진 규슈다이가쿠 | 호스트 재료, 막 및 유기 발광 소자 |
| JP2021525959A (ja) * | 2018-05-31 | 2021-09-27 | アメリカ合衆国 | 局所的な相転移を用いて個々の量子ドット発光周波数を同調させる歪 |
| KR102144090B1 (ko) * | 2018-06-14 | 2020-08-13 | 서울대학교산학협력단 | 페로브스카이트-유기 저분자 호스트 혼합 발광층을 포함하는 발광 소자 및 이의 제조방법 |
| WO2020206044A1 (en) * | 2019-04-03 | 2020-10-08 | The Johns Hopkins University | Flexible transparent membrane light emitting diode array and systems containing the same |
| US20220115613A1 (en) * | 2019-04-12 | 2022-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting element, display device, and method of manufacturing light-emitting element |
| CN110112305B (zh) | 2019-05-24 | 2023-04-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | Qled器件及其制作方法、显示面板及显示装置 |
| KR102687815B1 (ko) | 2019-06-20 | 2024-07-24 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 장치 및 반도체 발광소자의 자가조립 방법 |
| WO2021002021A1 (ja) * | 2019-07-04 | 2021-01-07 | シャープ株式会社 | 発光素子、発光デバイス、発光素子の製造方法 |
| CN110783459A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 膜层制作方法及发光器件 |
| CN111403615B (zh) * | 2020-03-27 | 2022-07-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光器件及其制备方法 |
| KR20210149963A (ko) * | 2020-06-02 | 2021-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자, 이를 포함한 전자 장치 및 이의 제조 방법 |
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| FR3122037B1 (fr) * | 2021-04-20 | 2023-04-14 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique ou photovoltaïque, et dispositif réalisé par ce procédé |
| US11825672B2 (en) * | 2021-08-18 | 2023-11-21 | Sharp Display Technology Corporation | Quantum dot light-emitting apparatus for enhancing QD charge balance |
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| JP3704258B2 (ja) * | 1998-09-10 | 2005-10-12 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜形成方法 |
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| JP5263817B2 (ja) | 2008-03-31 | 2013-08-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ペロブスカイト構造酸化物の製造方法 |
| JP2010056454A (ja) | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Tdk Corp | 金属酸化物層の製造方法 |
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| KR20240129238A (ko) * | 2012-09-18 | 2024-08-27 | 옥스포드 유니버시티 이노베이션 리미티드 | 광전자 디바이스 |
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| WO2016124555A1 (en) * | 2015-02-02 | 2016-08-11 | Ludwig-Maximilians-Universität München | Light-emitting electrochemical cell based on perovskite nanoparticles or quantum dots |
| JP2018510456A (ja) * | 2015-02-04 | 2018-04-12 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ | 電子素子における半導体粒子 |
| CN107209419B (zh) * | 2015-02-04 | 2022-08-12 | 默克专利股份有限公司 | 电光切换元件和显示器件 |
| CN104681731B (zh) * | 2015-02-09 | 2018-03-06 | 南京工业大学 | 一种钙钛矿型电致发光器件及其制备方法 |
| EP3317905A1 (en) * | 2015-06-30 | 2018-05-09 | Cambridge Enterprise Limited | Luminescent device |
| CN105206718B (zh) | 2015-09-25 | 2017-10-13 | 南京理工大学 | 一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管 |
| CN105609651A (zh) * | 2016-01-07 | 2016-05-25 | 东南大学 | 自组装聚合物空穴传输层结构的高效量子点发光二极管 |
| CN105720204B (zh) * | 2016-02-01 | 2018-03-09 | 南京理工大学 | 一种反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管 |
| CN105870349B (zh) * | 2016-06-06 | 2017-09-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管及其制备方法、发光器件 |
| CN106098956A (zh) * | 2016-07-14 | 2016-11-09 | Tcl集团股份有限公司 | 一种qled及其制备方法 |
-
2016
- 2016-11-14 CN CN201680001418.1A patent/CN108886101B/zh active Active
- 2016-11-14 KR KR1020177030762A patent/KR102006800B1/ko active IP Right Grant
- 2016-11-14 EP EP16897473.1A patent/EP3539166B1/en active Active
- 2016-11-14 US US15/565,352 patent/US10276820B2/en active Active
- 2016-11-14 WO PCT/CN2016/105693 patent/WO2018086114A1/en active Application Filing
- 2016-11-14 JP JP2017557904A patent/JP6837995B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20180070506A (ko) | 2018-06-26 |
| EP3539166A4 (en) | 2020-06-17 |
| KR102006800B1 (ko) | 2019-08-02 |
| EP3539166A1 (en) | 2019-09-18 |
| US20180309078A1 (en) | 2018-10-25 |
| US10276820B2 (en) | 2019-04-30 |
| WO2018086114A1 (en) | 2018-05-17 |
| EP3539166B1 (en) | 2022-11-09 |
| CN108886101A (zh) | 2018-11-23 |
| CN108886101B (zh) | 2021-03-05 |
| JP2020513639A (ja) | 2020-05-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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