JP2007128845A - レーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気力を利用してドナーフィルムとアクセプト基板をラミネーティングする工程を施すレーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法を提供する。
【解決手段】有機発光素子の画素定義領域が形成されたアクセプト基板及び画素定義領域に転写される有機発光層を具備するドナーフィルムが順次移送されて積層され、電磁石を含む基板ステージと、ドナーフィルムにレーザを照射するレーザ発信器と、基板ステージとレーザ発信器の間に設置され、ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部を具備し、基板ステージと磁気力を形成する永久磁石を具備する密着フレームと、密着フレームを基板ステージの方向に移動させる密着フレーム移動手段とを含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、レーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法に関し、より詳細には、磁気力を利用してドナーフィルムとアクセプト基板をラミネーティングする工程を施すレーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法に関する。

本発明の適用分野は特定産業分野に限定されるのではなく、多様に適用することができるが、有機発光素子製作の時有機発光層等を形成するのに有用であると予想される。有機発光素子は、第１電極と第２電極間に発光層を形成し、電極の間に電圧を印加すれば、発光層で正孔と電子が合わせられることで自体発光する素子である。

以下では有機発光素子に用いられるレーザ熱転写装置を基準として本発明の従来の技術及び本発明の構成等が説明されるが本発明がこれに限定されるのではない。

レーザ熱転写法は、基材基板、光熱変換層、及び転写層を含むドナー基板にレーザを照射させて基材基板を通過したレーザを光熱変換層から熱に変化させて光熱変換層を変形膨脹させることで、隣接した転写層を変形膨脹させてアクセプタ基板に転写層が接着されて転写されるようにする方法である。

レーザ熱転写法を施す場合、発光層の転写が行われるチャンバ内部は、発光素子形成の時の他の蒸着工程と同調されるようにするために真空状態が行われることが好ましいが、従来の真空状態で主に行われる場合、ドナー基板とアクセプタ基板の間に異物や空間が生ずるようになって転写層の転写がよく行われないという問題点がある。よって、レーザ熱転写法において、ドナー基板とアクセプタ基板をラミネーティングさせる方法は重要な意味を持ち、これを解決するためのさまざまな方案が研究されている。

図６は、上述した問題点を解決するための従来の技術によるレーザ熱転写装置の部分断面図である。これによれば、レーザ熱転写装置１０は、チャンバ１１内部に位置する基板ステージ１２及びチャンバ１１上部に位置したレーザ照射装置１３を含んで構成される。

基板ステージ１２は、チャンバ１１に導入されるアクセプタ基板１４とドナーフィルム１５をそれぞれ順次位置させるためのステージである。

この時、アクセプタ基板１４とドナーフィルム１５の間に異物１や空間なしにラミネーティングされるために、レーザ熱転写が行われるチャンバ１１内部を真空で維持せず、基板ステージ１２下部にホース１６を連結して真空ポンプＰで吸いこみ、アクセプタ基板１４とドナーフィルム１５を合着させる。

しかし、このような従来の技術においては、アクセプタ基板１４とドナーフィルム１５の間の異物１と空間が発生することを完全に防止することができず、かつ、チャンバ１１内部の真空状態を維持することができなくなるため、製品の寿命および信頼性に良くない影響を及ぼすことが知られている。

一方、従来のレーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献１ないし３がある。
特開２００４−３５５９４９号公報 特開２００４−２９６２２４号公報 米国特開第４，３７７，３３９号明細書

本発明は、前記従来の技術の問題点を解決し、本出願人によって提案された技術的思想をより完全にするために案出されたもので、本発明の目的は、磁気力を利用して真空条件においてもアクセプト基板とドナーフィルムを完全にラミネーティングさせるレーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法を提供することである。

前記目的を達成するために、本発明の有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置は、有機発光素子の画素定義領域が形成されたアクセプト基板及び画素定義領域に転写される有機発光層を具備するドナーフィルムが順次移送されて積層され、電磁石を含む基板ステージと、ドナーフィルムにレーザを照射するレーザ発信器と、基板ステージとレーザ発信器の間に設置され、ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部を具備し、基板ステージと磁気力を形成する永久磁石を具備する密着フレームと、密着フレームを基板ステージの方向に移動させる密着フレーム移動手段とを含むことを要旨とする。

また、本発明の他の有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置は、有機発光素子の画素定義領域が形成されたアクセプト基板及び画素定義領域に転写される有機発光層を具備するドナーフィルムが順次移送されて積層され、永久磁石を含む基板ステージと、 ドナーフィルムにレーザを照射するレーザ発信器と、基板ステージとレーザ発信器の間に設置され、ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部を具備し、基板ステージと磁気力を形成する永久磁石を具備する密着フレームと、密着フレームを基板ステージ方向に移動させる密着フレーム移動手段とを含むことを要旨とする。

さらに、本発明の他の有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置は、有機発光素子の画素定義領域が形成されたアクセプト基板及び画素定義領域に転写される有機発光層を具備するドナーフィルムが順次移送されて積層され、永久磁石を含む基板ステージと、ドナーフィルムにレーザを照射するレーザ発信器と、基板ステージとレーザ発信器の間に設置され、ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部を具備し、基板ステージと磁気力を形成する電磁石を具備する密着フレームと、密着フレームを基板ステージ方向に移動させる密着フレーム移動手段とを含むことを要旨とする。

また、本発明のさらに他の有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置は、有機発光素子の画素定義領域が形成されたアクセプト基板及び画素定義領域に転写される有機発光層を具備するドナーフィルムが順次移送されて積層され、第１磁石を含む基板ステージと、ドナーフィルムにレーザを照射するレーザ発信器と、基板ステージとレーザ発信器の間に設置され、レーザを通過させる透明な材質の少なくとも一つの透過部を具備し、基板ステージと磁気力を形成する第２磁石１３７を具備する密着フレームと、密着フレームを基板ステージ方向に移動させる密着フレーム移動手段とを含むことを要旨とする。

さらに、本発明の別の有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置は、有機発光素子の画素定義領域が形成されたアクセプト基板及び画素定義領域に転写される有機発光層を具備するドナーフィルムが順次移送されて積層され、磁性体を含む基板ステージと、ドナーフィルムにレーザを照射するレーザ発信器と、基板ステージとレーザ発信器の間に設置され、レーザを通過させる透明な材質の少なくとも一つの透過部を具備し、基板ステージと磁気力を形成する第２磁石１３７を具備する密着フレームと、密着フレームを基板ステージ方向に移動させる密着フレーム移動手段とを含むことを要旨とする。

また、本発明のさらに別の有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置は、有機発光素子の画素定義領域が形成されたアクセプト基板及び画素定義領域に転写される有機発光層を具備するドナーフィルムが順次移送されて積層され、第１磁石を含む基板ステージと、ドナーフィルムにレーザを照射するレーザ発信器と、基板ステージとレーザ発信器の間に設置され、レーザを通過させる透明な材質の少なくとも一つの透過部を具備し、基板ステージと磁気力を形成する磁性体を具備する密着フレームと、密着フレームを基板ステージ方向に移動させる密着フレーム移動手段とを含むことを要旨とする。

本発明の有機発光素子の有機発光層を形成するレーザ熱転写方法は、有機発光素子の画素定義領域が形成されるアクセプト基板及び画素定義領域に転写される有機発光層を具備するドナーフィルムを順次移送し、電磁石を具備した密着フレームと永久磁石を具備した基板ステージの間に積層する段階と、密着フレームと基板ステージの間に形成された磁力によってアクセプト基板とドナーフィルムが密着される段階と、有機発光層に対応するドナーフィルムにレーザを照射してアクセプト基板にドナーフィルムの有機発光層が転写されるようにする段階とを含むことを要旨とする。

また、本発明の他の有機発光素子の有機発光層を形成するレーザ熱転写方法は、有機発光素子の画素定義領域が形成されるアクセプト基板及び画素定義領域に転写される有機発光層を具備するドナーフィルムを順次移送し、永久磁石を具備した密着フレームと永久磁石を具備した基板ステージの間に積層する段階と、密着フレームと基板ステージの間に形成された磁力によってアクセプト基板とドナーフィルムが密着される段階と、有機発光層に対応するドナーフィルムにレーザを照射してアクセプト基板にドナーフィルムの有機発光層が転写されるようにする段階とを含むことを要旨とする。

さらに、本発明の別の有機発光素子の有機発光層を形成するレーザ熱転写方法は、有機発光素子の画素定義領域が形成されるアクセプト基板及び画素定義領域に転写される有機発光層を具備するドナーフィルムを順次移送し、永久磁石を具備した密着フレームと電磁石を具備した基板ステージの間に積層する段階と、密着フレームと基板ステージの間に形成された磁力によってアクセプト基板とドナーフィルムが密着される段階と、有機発光層に対応するドナーフィルムにレーザを照射してアクセプト基板にドナーフィルムの有機発光層が転写されるようにする段階とを含むことを要旨とする。

本発明によるレーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法によれば、真空下で磁力を利用してドナー基板とアクセプト基板をラミネーティングできるようになって有機発光素子の以前工程と同じく真空状態を維持することができるだけでなく、ドナー基板とアクセプト基板の間に異物や空いた空間が生じないようにしながらラミネーティングして有機発光素子の発光層転写がより效率的に行われるようにする效果がある。

以下では本発明の好ましい実施例を添付図面を参照しながらより詳しく説明する。図１は、本発明の第１実施例ないし第６実施例によるレーザ熱転写装置の分解斜視図である。これによれば、レーザ熱転写装置１００は基板ステージ１１０、レーザ発信器１２０、密着フレーム１３０、密着フレーム移動手段１４０、及びチャンバ１５０を含んで構成される。

（第１実施例）
本発明の第１実施例では、電磁石を具備した基板ステージ１１０と所定パターンの開口部を具備して永久磁石を具備した密着フレーム１３０によるドナーフィルム２００とアクセプト基板３００の密着工程を示す。

まず、チャンバ１５０は通常のレーザ熱転写装置１００で用いられるチャンバ１５０を使うことができ、チャンバ１５０内部には少なくとも基板ステージ１１０及び密着フレーム１３０などが装着される。チャンバ１５０内にはドナーフィルム２００及びアクセプト基板３００が移送されて、このためにチャンバ１５０外部には、ドナーフィルム２００及びアクセプト基板３００をチャンバ１５０内部に移送するための移送手段（図示せず）が具備される。チャンバ１５０内部は真空状態を維持するのが有機発光素子製造工程上有利であるが、ここに制限されるのではない。

基板ステージ１１０は、チャンバ１５０の底面に位置し、本第１実施例において基板ステージ１１０には、少なくとも一つの電磁石（図示せず）が含まれている。好ましくは、基板ステージ１１０の内部に電磁石が含まれる。この時、電磁石は一つの平面に配置されうるが複数の電磁石を具備して同心円型、横及び縦の複数列で形成することが好ましい。

一方、基板ステージ１１０は、移動されるための駆動手段（図示せず）をさらに具備することができる。基板ステージ１１０が移動される場合、レーザ発信器１２０は一方向のみにレーザを照射するように構成されうる。例えば、レーザが縦方向に照射され、横長方向に基板ステージ１１０を移動させる駆動手段をさらに具備する場合、ドナーフィルム２００全面積に対してレーザが照射されうる。

また、基板ステージ１１０は、アクセプタ基板３００及びドナーフィルム２００を収納して装着させる装着手段を具備することができる。装着手段は、移送手段によってチャンバ１５０内に移送されて来たアクセプタ基板３００及びドナーフィルム２００が基板ステージの決まった位置に正確に装着されるようにする。

本実施例で、装着手段は貫通ホール４１０、５１０、ガイドバー４２０、５２０、移動フレームート４３０、５３０、支持台４４０、５４０、及び装着ホーム４５０、５５０を含んで構成することができる。この時、ガイドバー４２０は、移動フレームート４３０及び支持台４４０に伴って上昇または下降運動するが、ガイドバー４２０が貫通ホール４１０を通過して上昇しながらアクセプタ基板３００を収容し、下降しながらアクセプタ基板３００を基板ステージ１１０上に形成された装着ホーム４５０に安着させるようになる構造である。前記装着手段は、当業者によって多様に変形実施されうるので、これに対する詳細な説明は略する。

レーザ発信器１２０は、チャンバ１５０の外部または内部に設置することができ、レーザが上部から照らされるように設置されることが好ましい。レーザ発信器１２０の概略的な構成図である図３によれば、本実施例でレーザ発信器１２０は、ＣＷＮＤ：ＹＡＧレーザ１６０４ｎｍを使い、２個のガルバノメートルスキャナ１２１、１２３を具備してスキャンレンズ１２５及びシリンダレンズ１２７を具備するが、これに制限されるのではない。

密着フレーム１３０は、永久磁石を含んで構成され、基板ステージの電磁石と磁気力を形成して基板ステージ１１０と密着フレーム１３０間に位置するドナーフィルム２００とアクセプタ基板３００を力強くラミネーティングする。この時、密着フレーム１３０は、それ自体が永久磁石に形成されるか、密着フレーム１３０の上部または下部面に永久磁石が形成される。永久磁石は、永久磁石ナノ粒子で構成されることが好ましい。

一方、密着フレーム１３０は、レーザが通過することができる開口部（図示せず）を具備する。すなわち、ドナーフィルム２００の転写される部分に対応するパターンの開口部を具備して所望の面積のドナーフィルム２００をアクセプト基板３００上に転写することができる。これによって密着フレーム１３０は、レーザが所定位置のみに照射されうるマスクの役割を同時に遂行することもできる。

密着フレーム１３０は転写される有機発光層によって有機発光素子の各サーブ画素を形成する少なくとも一つの開口部が形成された密着フレーム１３０がお互いに交換されながら運転される。

密着フレーム移動手段１４０は、密着フレーム１３０を基板ステージ方向に往復移動させる手段であり、多様に製作されうるが、図５に図示された実施例によれば、据え置きホーム１４２を具備した据え置き台１４１とチャンバ１５０上面で据え置き台１４１に連結される連結バー１４３及び連結バー１４３とこれに連結された据え置き台１４１を上下駆動させる駆動手段（図示せず）を含む。この時、密着フレーム１３０は、図示されたように移動手段によって移動される場合、据え置き突部１３４を具備したトレイ１３５に装着されて移動される。

一方、第１密着フレームと第２密着フレームの交換は、ロボット腕等の交換手段が利用されうる。例えば、据え置き台１４１上に置かれている第１密着フレームで第１サブ画素及び第２サブ画素を形成した後、ロボット腕が第１密着フレームを据え置き台１４１から外部に移送させ、第２密着フレームを据え置き台１４１に位置させることで交換が行われる。

次に、図１及び図５を参照しながら、レーザ熱転写装置によって有機発光素子を形成する方法を説明する。有機発光素子の発光層を形成するにあたり、レーザ熱転写装置を利用する方法は、アクセプタ基板移送段階ＳＴ１００、ドナーフィルム移送段階ＳＴ２００、密着フレーム密着段階ＳＴ３００、有機層転写段階ＳＴ４００、密着フレーム分離段階ＳＴ５００を含む。

アクセプト基板移送段階ＳＴ１００は、第１磁石または磁性体を含む基板ステージ１１０上に有機発光層が形成されるアクセプト基板３００を位置する段階である。アクセプト基板３００にはドナーフィルム２００から転写される発光層が形成される画素領域が定義されている。

ドナーフィルム移送段階ＳＴ２００は、アクセプタ基板３００上に転写される発光層が具備されているドナーフィルム２００を移送する段階である。この時、発光層は、いずれか１色相で構成されうるし、例えば、Ｒである場合がある。

密着フレーム密着段階ＳＴ３００は、ドナーフィルム２００の有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口部が形成されて永久磁石を含む密着フレーム１３０を基板ステージ１１０に向けて磁気的引力で密着する段階である。これで、その間に位置するドナーフィルム２００とアクセプタ基板３００がラミネーティングされる。この時、密着フレームは、１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレーム１３０をアクセプト基板３００に向けて移動させて密着し、２次的により力強く磁気的引力で密着することが好ましい。

転写段階ＳＴ４００は、密着フレーム１３０の開口部を通じてドナーフィルム２００上にレーザを照射し、ドナーフィルム２００に具備された有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板３００の画素領域に転写する段階である。この時、開口部の中で画素領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲が調節される。

密着フレーム分離段階ＳＴ５００は、密着フレーム１３０をアクセプト基板３００から密着フレーム移動手段を使って分離する段階で、１次的に磁気的斥力で分離し、２次的には密着フレーム移動手段によってチャンバ上部に密着フレームを上昇させることが好ましい。

本発明は、第１実施例を基準にして主に説明されたが、発明の要旨と範囲を脱しないで多くの他の可能な修正と変形が可能である。例えば、密着板移動手段の構成変更、透過部の形状変更、開口部の形状変更、含まれる磁石の形態（磁性ナノ粒子等の使用）変更などは当業者が容易に導出することができる。

以下、第２実施例ないし第６実施例では図１を参照して第１実施例の構成と同じ構成に対して説明するが、基板ステージ１１０と密着フレーム１３０がそれぞれ異なるように応用されうる範囲を示す。よって、基板ステージと密着フレームを除いた残りの構成要素及び工程方法は第１実施例で説明した部分と同じく適用されるので、これに関する説明は略する。

（第２実施例）
本発明による第２実施例では、永久磁石を具備した基板ステージと所定パターンの開口部を具備して永久磁石を具備した密着フレーム１３０によるドナーフィルム２００とアクセプト基板３００の密着工程を示す。

基板ステージ１１０は、チャンバ１５０の底面に位置し、本第２実施例において基板ステージ１１０には、少なくとも一つの永久磁石（図示せず）が含まれている。好ましくは、基板ステージ１１０の内部に永久磁石が含まれる。

密着フレーム１３０は、永久磁石を含んで構成され、基板ステージ１１０の永久磁石と磁気力を形成して基板ステージ１１０と密着フレーム１３０間に位置するドナーフィルム２００とアクセプタ基板３００を力強くラミネーティングする。この時、密着フレーム１３０は、それ自体が永久磁石に形成されるか、密着フレーム１３０の上部面または下部面に永久磁石が形成される。基板ステージ１１０と密着フレーム１３０に形成される永久磁石は、永久磁石ナノ粒子で構成されうる。

一方、密着フレーム１３０は、レーザが通過することができる開口部（図示せず）を具備する。すなわち、ドナーフィルム２００の転写される部分に対応するパターンの開口部を具備して所望の面積のドナーフィルム２００をアクセプト基板３００上に転写することができる。これによって密着フレーム１３０は、レーザが所定位置のみに照射されうるマスクの役割を同時に遂行することもできる。

密着フレーム１３０は、転写される有機発光層によって有機発光素子の各サブ画素を形成する少なくとも一つの開口部が形成された密着フレーム１３０がお互いに交換されながら運転される。

（第３実施例）
本発明による第３実施例では、永久磁石を具備した基板ステージ１１０と所定パターンの開口部を具備して電磁石を具備した密着フレーム１３０によるドナーフィルム２００とアクセプト基板３００の密着工程を示す。

基板ステージ１１０は、チャンバ１５０の底面に位置し、本第３実施例において基板ステージ１１０には、少なくとも一つの永久磁石（図示せず）が含まれている。好ましくは、基板ステージ１１０の内部に永久磁石が含まれる。この時、永久磁石は、永久磁石ナノ粒子で構成されることが好ましい。

密着フレーム１３０は、電磁石を含んで構成され、基板ステージ１１０の永久磁石と磁気力を形成して基板ステージ１１０と密着フレーム１３０の間に位置するドナーフィルム２００とアクセプタ基板３００を力強くラミネーティングする。この時、電磁石は一つの平面に配置されうるが複数の電磁石を具備して同心円型、横及び縦の複数列で形成することが好ましい。

一方、密着フレーム１３０は、レーザが通過することができる開口部（図示せず）を具備する。すなわち、ドナーフィルム２００の転写される部分に対応するパターンの開口部を具備して所望の面積のドナーフィルム２００をアクセプト基板３００上に転写することができる。これによって密着フレーム１３０はレーザが所定位置のみに照射されうるマスクの役割を同時に遂行することもできる。

密着フレーム１３０は、転写される有機発光層によって有機発光素子の各サブ画素を形成する少なくとも一つの開口部が形成された密着フレーム１３０がお互いに交換されながら運転される。

（第４実施例）
本発明による第４実施例では、第１磁石を具備した基板ステージ１１０と透明な材質の透過部を具備して第２磁石１３７を具備した密着フレーム１３０によるドナーフィルム２００とアクセプト基板３００の密着工程を示す。

基板ステージ１１０は、チャンバ１５０の底面に位置し、本第４実施例において基板ステージ１１０には、少なくとも一つの第１磁石（図示せず）が含まれている。好ましくは、基板ステージ１１０の内部に第１磁石が含まれる。

密着フレーム１３０は、第２磁石１３７を含んで構成され、基板ステージ１１０の第１磁石と磁気力を形成して基板ステージ１１０と密着フレーム１３０の間に位置するドナーフィルム２００とアクセプタ基板３００を力強くラミネーティングする。この時、基板ステージ１１０が電磁石、密着フレーム１３０が永久磁石に形成されうるし、基板ステージ１１０が永久磁石、密着フレーム１３０が電磁石に形成されうるし、基板ステージ１１０と密着フレーム１３０両方ともに電磁石に形成されるか、または両方ともに永久磁石に形成されることも可能である。一方、永久磁石の場合には、永久磁石ナノ粒子で構成されることが好ましい。

一方、密着フレーム１３０は、レーザが通過することができる透過部１３３を具備する。図４は、透過部１３３の構成を図示した図１のＡ−Ａ’の断面図である。透過部１３３によって密着フレーム１３０は、レーザが所定の位置のみに照射されうるマスクの役割を同時に遂行することもできる。透過部１３３の透明材料には制限がないが硝子またはポリマが用いられることが好ましい。また、透過部１３３には第２磁石１３７が含まれないので、透過部１３３の面積は密着フレーム１３０全体面積の１％乃至５０％で制限して密着フレーム１３０の磁気力がドナーフィルム２００とアクセプト基板３００をラミネーティングする適正水準に維持させることが好ましい。

密着フレーム１３０は、転写される有機発光層によって有機発光素子の各サブ画素を形成する少なくとも一つの透過部１３３が形成された密着フレーム１３０がお互いに交換されながら運転される。

（第５実施例）
本発明による第５実施例では、磁性体を具備した基板ステージ１１０と透明な材質の透過部１３３を具備して第２磁石１３７を具備した密着フレーム１３０によるドナーフィルム２００とアクセプト基板３００の密着工程を示す。

基板ステージ１１０はチャンバ１５０の底面に位して、本第５実施例において、基板ステージ１１０には少なくとも一つの磁性体（図示せず）が含まれている。この時、磁性体とは、強磁性体と弱磁性体を含む概念であり、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、三酸化二鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）、四酸化三鉄（Ｆｅ_３Ｏ_４）、コバルト鉄酸化物（ＣｏＦｅ_２Ｏ_４）及びその混合物で構成されたグループから選択された一つで適用することができる。

密着フレーム１３０は、第２磁石１３７を含んで構成され、基板ステージ１１０の磁性体と磁気力を形成して基板ステージ１１０と密着フレーム１３０の間に位置するドナーフィルム２００とアクセプタ基板３００を力強くラミネーティングする。この時、基板ステージ１１０が磁性体、密着フレーム１３０が永久磁石に形成されうるし、基板ステージ１１０が磁性体、密着フレーム１３０が電磁石に形成されうる。

一方、密着フレーム１３０は、レーザが通過することができる透過部１３３を具備する。図４は、透過部１３３の構成を図示した図１のＡ−Ａ’の断面図である。透過部１３３によって密着フレーム１３０は、レーザが所定の位置のみに照射されうるマスクの役割を同時に遂行することもできる。透過部１３３の透明材料には制限がないが、硝子またはポリマが用いられることが好ましい。また、透過部１３３には、第２磁石１３７が含まれないので、透過部１３３の面積は密着フレーム１３０全体面積の１％乃至５０％に制限して密着フレーム１３０の磁気力がドナーフィルム２００とアクセプト基板３００をラミネーティングする適正水準に維持させることが好ましい。

密着フレーム１３０は、転写される有機発光層によって有機発光素子の各サーブ画素を形成する少なくとも一つの透過部１３３が形成された密着フレーム１３０がお互いに交換されながら運転される。

（第６実施例）
本発明による第６実施例では、第１磁石を具備した基板ステージ１１０と透明な材質の透過部１３３を具備して磁性体を具備した密着フレーム１３０によるドナーフィルム２００とアクセプト基板３００の密着工程を示す。

基板ステージ１１０は、チャンバ１５０の底面に位置し、本第６実施例において、基板ステージ１１０には、少なくとも一つの第１磁石（図示せず）が含まれている。この時、第１磁石は電磁石または永久磁石であることも可能で、永久磁石の場合、永久磁石ナノ粒子で構成されることが好ましい。

密着フレーム１３０は、磁性体を含んで構成され、基板ステージ１１０の第１磁石と磁気力を形成して基板ステージ１１０と密着フレーム１３０の間に位置するドナーフィルム２００とアクセプタ基板３００を力強くラミネーティングする。この時、磁性体とは、強磁性体と弱磁性体を含む概念であり、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、三酸化二鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）、四酸化三鉄（Ｆｅ_３Ｏ_４）、コバルト鉄酸化物（ＣｏＦｅ_２Ｏ_４）及びその混合物で構成されたグループから選択された一つで適用されうる。この時、基板ステージ１１０が永久磁石、密着フレーム１３０が磁性体に形成されうるし、基板ステージ１１０が電磁石、密着フレーム１３０が磁性体に形成されることもできる。

一方、密着フレーム１３０は、レーザが通過することができる透過部１３３を具備する。 図４は、透過部１３３の構成を図示した図１のＡ−Ａ’の断面図である。透過部１３３によって密着フレーム１３０は、レーザが所定の位置のみに照射されうるマスクの役割を同時に遂行することもできる。透過部１３３の透明材料には制限がないが、硝子またはポリマが用いられることが好ましい。また、透過部１３３には磁性体が含まれないので、透過部１３３の面積は、密着フレーム１３０全体面積の１％乃至５０％に制限して密着フレーム１３０の磁気力がドナーフィルム２００とアクセプト基板３００をラミネーティングする適正水準に維持させることが好ましい。

密着フレーム１３０は、転写される有機発光層によって有機発光素子の各サブ画素を形成する少なくとも一つの透過部が形成された密着フレーム１３０がお互いに交換されながら運転される。

以上添付した図面を参照して本発明について詳細に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということを理解することができる。

は、本発明の第１実施例ないし第６実施例によるレーザ熱転写装置の分解斜視図。 本発明に用いられるレーザ熱転写装置のレーザ発信器の実施例を示す構造図。 図１のＡ−Ａ’線による断面図。 本発明によるレーザ熱転写装置の密着板移送手段を示す斜視図。 本発明によるレーザ熱転写方法を説明する流れ図。 従来の技術によるレーザ熱転写装置を図示する断面図。

符号の説明

１ 異物
１０ レーザ熱転写装置
１１ チャンバ
１２ 基板ステージ
１３ レーザ照射装置
１４ アクセプタ基板
１５ ドナーフィルム
１６ ホース
１００ レーザ熱転写装置
１１０ 基板ステージ
１２０ レーザ発信器
１２１、１２３ ガルバノメートルスキャナ
１２５ スキャンレンズ
１２７ シリンダレンズ
１３０ 密着フレーム
１３３、１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ、１３３ｄ 透過部
１３４ 据え置き突部
１３５ トレイ
１３７ 第２磁石
１４０ 密着フレーム移動手段
１４１ 据え置き台
１４３ 連結バー
１５０ チャンバ
２００ ドナーフィルム
３００ アクセプタ基板
４１０、５１０ 貫通ホール
４２０、５２０ ガイドバー
４３０、５３０ 移動フレーム
４４０、５４０ 支持台
４５０、５５０ 装着ホーム

Claims (32)

1. 有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、
   前記有機発光素子の画素定義領域が形成されたアクセプト基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を具備するドナーフィルムが順次移送されて積層され、電磁石を含む基板ステージと、
   前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザ発信器と、
   前記基板ステージと前記レーザ発信器の間に設置され、前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部を具備し、前記基板ステージと磁気力を形成する永久磁石を具備する密着フレームと、
   前記密着フレームを前記基板ステージの方向に移動させる密着フレーム移動手段
   とを含むことを特徴とするレーザ熱転写装置。
2. 前記基板ステージと前記密着フレームを内部に含むチャンバをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
3. 前記密着フレーム自体が前記永久磁石で形成されるか、前記密着フレームの上部面及び下部面のいずれかに前記永久磁石が形成されることを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
4. 前記永久磁石は、永久磁石ナノ粒子で構成されることを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
5. 有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、
   前記有機発光素子の画素定義領域が形成されたアクセプト基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を具備するドナーフィルムが順次移送されて積層され、永久磁石を含む基板ステージと、
   前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザ発信器と、
   前記基板ステージと前記レーザ発信器の間に設置され、前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部を具備し、前記基板ステージと磁気力を形成する前記永久磁石を具備する密着フレームと、
   前記密着フレームを前記基板ステージ方向に移動させる密着フレーム移動手段
   とを含むことを特徴とするレーザ熱転写装置。
6. 前記基板ステージと前記密着フレームを内部に含むチャンバをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載のレーザ熱転写装置。
7. 前記密着フレーム自体が前記永久磁石で形成されるか、前記密着フレームの上部面及び下部面のいずれかに前記永久磁石が形成されることを特徴とする請求項５に記載のレーザ熱転写装置。
8. 前記永久磁石は、永久磁石ナノ粒子で構成されることを特徴とする請求項５に記載のレーザ熱転写装置。
9. 有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、
   前記有機発光素子の画素定義領域が形成されたアクセプト基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を具備するドナーフィルムが順次移送されて積層され、永久磁石を含む基板ステージと、
   前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザ発信器と、
   前記基板ステージと前記レーザ発信器の間に設置され、前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部を具備し、前記基板ステージと磁気力を形成する電磁石を具備する密着フレームと、
   前記密着フレームを前記基板ステージ方向に移動させる密着フレーム移動手段
   とを含むことを特徴とするレーザ熱転写装置。
10. 前記基板ステージと前記密着フレームを内部に含むチャンバをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載のレーザ熱転写装置。
11. 前記永久磁石は、永久磁石ナノ粒子で構成されることを特徴とする請求項９に記載のレーザ熱転写装置。
12. 有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、
    前記有機発光素子の画素定義領域が形成されたアクセプト基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を具備するドナーフィルムが順次移送されて積層され、第１磁石を含む基板ステージと、
    前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザ発信器と、
    前記基板ステージと前記レーザ発信器の間に設置され、レーザを通過させる透明な材質の少なくとも一つの透過部を具備し、前記基板ステージと磁気力を形成する第２磁石１３７を具備する密着フレームと、
    前記密着フレームを前記基板ステージ方向に移動させる密着フレーム移動手段
    とを含むことを特徴とするレーザ熱転写装置。
13. 前記基板ステージと前記密着フレームを内部に含むチャンバをさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載のレーザ熱転写装置。
14. 前記密着フレームの前記透過部の全体面積は、前記密着フレーム面積の１％乃至５０％であることを特徴とする請求項１２に記載のレーザ熱転写装置。
15. 前記密着フレームの前記透過部は、硝子及び透明ポリマのいずれかであることを特徴とする請求項１２に記載のレーザ熱転写装置。
16. 前記密着フレームに具備される前記第１磁石は、電磁石及び永久磁石のいずれかであることを特徴とする請求項１２に記載のレーザ熱転写装置。
17. 前記基板ステージに具備される前記第２磁石１３７は、電磁石及び永久磁石のいずれかであることを特徴とする請求項１２に記載のレーザ熱転写装置。
18. 有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、
    前記有機発光素子の画素定義領域が形成されたアクセプト基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を具備するドナーフィルムが順次移送されて積層され、磁性体を含む基板ステージと、
    前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザ発信器と、
    前記基板ステージと前記レーザ発信器の間に設置され、レーザを通過させる透明な材質の少なくとも一つの透過部を具備し、前記基板ステージと磁気力を形成する第２磁石１３７を具備する密着フレームと、
    前記密着フレームを前記基板ステージ方向に移動させる密着フレーム移動手段
    とを含むことを特徴とするレーザ熱転写装置。
19. 前記基板ステージと前記密着フレームを内部に含むチャンバをさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載のレーザ熱転写装置。
20. 前記密着フレームの前記透過部の全体面積は、前記密着フレーム面積の１％乃至５０％であることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ熱転写装置。
21. 前記密着フレームの前記透過部は、硝子及び透明ポリマのいずれかであることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ熱転写装置。
22. 前記密着フレームに具備される前記第２磁石１３７は、電磁石及び永久磁石のいずれかであることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ熱転写装置。
23. 前記磁性体は、鉄、ニッケル、クロム、三酸化二鉄、四酸化三鉄、コバルト鉄酸化物、及びその混合物で構成されるグループから選ばれるひとつであることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ熱転写装置。
24. 有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、
    前記有機発光素子の画素定義領域が形成されたアクセプト基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を具備するドナーフィルムが順次移送されて積層され、第１磁石を含む基板ステージと、
    前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザ発信器と、
    前記基板ステージと前記レーザ発信器の間に設置され、レーザを通過させる透明な材質の少なくとも一つの透過部を具備し、前記基板ステージと磁気力を形成する磁性体を具備する密着フレームと、
    前記密着フレームを前記基板ステージ方向に移動させる密着フレーム移動手段
    とを含むことを特徴とするレーザ熱転写装置。
25. 前記基板ステージと前記密着フレームを内部に含むチャンバをさらに含むことを特徴とする請求項２４に記載のレーザ熱転写装置。
26. 前記密着フレームの前記透過部の全体面積は、前記密着フレーム面積の１％乃至５０％であることを特徴とする請求項２４に記載のレーザ熱転写装置。
27. 前記密着フレームの前記透過部は、硝子及び透明ポリマのいずれかであることを特徴とする請求項２４に記載のレーザ熱転写装置。
28. 前記基板ステージに具備される前記第１磁石は、電磁石及び永久磁石のいずれかであることを特徴とする請求項２４に記載のレーザ熱転写装置。
29. 前記磁性体は、鉄、ニッケル、クロム、三酸化二鉄、四酸化三鉄、コバルト鉄酸化物、及びその混合物で構成されるグループから選ばれるひとつであることを特徴とする請求項２４に記載のレーザ熱転写装置。
30. 有機発光素子の有機発光層を形成するレーザ熱転写方法において、
    前記有機発光素子の画素定義領域が形成されるアクセプト基板及び前記画素定義領域に転写される前記有機発光層を具備するドナーフィルムを順次移送し、電磁石を具備した密着フレームと永久磁石を具備した基板ステージの間に積層する段階と、
    前記密着フレームと前記基板ステージの間に形成された磁力によって前記アクセプト基板と前記ドナーフィルムが密着される段階と、
    前記有機発光層に対応する前記ドナーフィルムにレーザを照射して前記アクセプト基板に前記ドナーフィルムの前記有機発光層が転写されるようにする段階
    とを含むことを特徴とするレーザ熱転写方法。
31. 有機発光素子の有機発光層を形成するレーザ熱転写方法において、
    前記有機発光素子の画素定義領域が形成されるアクセプト基板及び前記画素定義領域に転写される前記有機発光層を具備するドナーフィルムを順次移送し、永久磁石を具備した密着フレームと前記永久磁石を具備した基板ステージの間に積層する段階と、
    前記密着フレームと前記基板ステージの間に形成された磁力によって前記アクセプト基板と前記ドナーフィルムが密着される段階と、
    前記有機発光層に対応する前記ドナーフィルムにレーザを照射して前記アクセプト基板に前記ドナーフィルムの前記有機発光層が転写されるようにする段階
    とを含むことを特徴とするレーザ熱転写方法。
32. 有機発光素子の有機発光層を形成するレーザ熱転写方法において、
    前記有機発光素子の画素定義領域が形成されるアクセプト基板及び前記画素定義領域に転写される前記有機発光層を具備するドナーフィルムを順次移送し、永久磁石を具備した密着フレームと電磁石を具備した基板ステージの間に積層する段階と、
    前記密着フレームと前記基板ステージの間に形成された磁力によって前記アクセプト基板と前記ドナーフィルムが密着される段階と、
    前記有機発光層に対応する前記ドナーフィルムにレーザを照射して前記アクセプト基板に前記ドナーフィルムの前記有機発光層が転写されるようにする段階
    とを含むことを特徴とするレーザ熱転写方法。

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