JP2005081299A - 成膜方法、配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光照射又は加熱によりガスを発生させるガス発生材料を含むガス発生層8と転写層6とを基材5上にこの順に設ける。そして、転写層6と被処理材1とを対向させた状態で、基材5の所定領域に光照射又は加熱を行なって所定領域に応じた転写層6を被処理材1に転写することで、被処理材1上に所定の膜を形成する。この際、ガス発生層8を単分子膜又は累積膜からなる超薄膜とする。
【選択図】 図2
Description
また、マイクロコンタクトプリンティング法と呼ばれるPDMS(ポリジメチルシロキサン)でできたスタンプを用いた物質転写法があるが、この場合にも上記の3つの結合力が大きなポイントとなる。
ここで、累積膜とは、LB(Langmuir Blodgett)法等により単分子膜を複数層重ね合わせた超薄膜をいう。しかし、本発明では、累積膜の形成方法はLB法に限定されず、単分子膜を数層〜数十層程度の超薄膜に形成できる方法であればどのようなものでもよく、浸漬法や化学気相蒸着法、自己組織化法等、公知となっている種々の方法を用いることが可能である。
また、光照射によってガスを発生させる場合には、所定のパターンを有するマスクを介して、前記基材に光照射を行なってもよい。これにより、照射する光の光束径以下の微細な膜パターンを形成することができる。或いは、前記光に対して前記基材及び前記被処理材を相対移動させながら、光照射を行なってもよい。つまり、照射する光(レーザ光)と基材及び被処理材とを相対移動して膜パターンを描画するようにしてもよく、この構成によればマスクを製造する工程を省略できる。
このように転写層を有機材料にて形成した場合、被処理材に対する表面処理としては、エポキシ基、イソシアネート基等の反応性基、或いはヒドロキシル基やカルボキシル基、アミノ基等の極性基を、前記被処理材の最表面に配置させる表面処理を行うことが好ましい。この場合、反応性基と転写層を構成する有機材料(例えば有機材料が有する官能基)が反応して強固な結合が生じたり、極性基と有機材料(例えば有機材料が有する官能基)との間で水素結合等の化学的相互作用が生じて、該転写層の被処理材に対する密着性を一層向上させることが可能となる。
このように転写層を金属材料にて形成した場合、被処理材に対する表面処理としては、チオール基、アミノ基等の官能基を、前記被処理材の最表面に配置させる表面処理を行うことが好ましい。この場合、これらの官能基に対して転写層を構成する金属が結合あるいは配位するため、該転写層の被処理材に対する密着性を一層向上させることが可能となる。
前記基材、前記転写層、光熱変換層のそれぞれを互いに独立して形成する場合には、前記光熱変換層を、前記基材の前記転写層が設けられた一方の面側に設けることも可能であるし、前記基材の前記転写層が設けられていない他方の面側に設けることも可能である。いずれの場合であっても、照射した光の光エネルギーを熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーを転写層に供与することができる。
<成膜方法>
以下、図1〜図5を参照しながら、本発明の第1実施形態に係る成膜方法について説明する。図1は、本発明の成膜方法に用いられる成膜装置の一実施形態を示す概略構成図である。図1において、成膜装置10は、所定の波長を有するレーザ光束を射出するレーザ光源11と、被処理材1を支持するステージ12とを備えている。被処理材1の表面には表面処理が施され、いわゆる単分子膜(表面処理膜)2が形成されている。レーザ光源11及び被処理材1を支持するステージ12はチャンバ14内に配置されている。チャンバ14には、このチャンバ14内のガスを吸引可能な吸引装置13が接続されている。本実施形態では、レーザ光源11として近赤外半導体レーザ(波長830nm)が使用される。
基材5としては、レーザ光束を透過可能な例えばガラス基板や透明性高分子等を用いることができる。透明性高分子としては、ポリエチレンテレフタレートのようなポリエステル、ポリイミド、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリサルホン等が挙げられる。透明性高分子により基材5を形成した場合、その厚さは10〜500μmであることが好ましい。こうすることにより、例えば、基材5を帯状に形成してロール状に巻くことができ、回転ドラム等に保持させつつ搬送(移動)することもできる。
なお、図1では、ガス発生層8を光熱変換層4と転写層6との間に設けたが、この代わりに、ガス発生疎言う8を基材5と光熱変換層4との間に設けることも可能である。
そして、照射するレーザ光束に対してステージ12をXY平面に沿って移動することにより、そのステージ12の移動軌跡に応じた転写層6の一部が被処理材1に転写される。こうして、被処理材1の単分子膜2上に膜パターン(導電膜パターン)が形成されることとなる。転写層6が被処理材1側に転写された後、吸引装置13の駆動を解除し、前記減圧状態(負圧状態)を解除することで、図2(b)に示すように、ドナーシート7と被処理材1とが分離可能となる。
この際、本実施形態では光照射をするだけで所望のパターンを被処理材1上に形成でき、従来の現像処理やエッチング処理を必要としないため、生産性を向上することができる。
また、上記表面処理は被処理材1に対する親和性も考慮する必要がある。上述のように被処理材1を大気圧プラズマ処理した後には、例えば親水性基を備えた単分子膜等を形成することが好ましく、例えばカルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシル基、チオール基、カルボニル基、エポキシ基、イソシアネート基、またはアルコキシ基、ハロゲン元素、アルキル基、アミノ基を有する珪素基のいずれかを含むものが好ましい。このような官能基を含むものは、被処理材1がガラス等から構成される場合にも高い親和性を示すこととなる。なお、被処理材1を親液化するために本実施形態では大気圧プラズマ処理を行ったが、その他にも、紫外線処理、酸処理、又はアルカリ処理等によっても、被処理材1の表面を親液化することが可能である。
次に、図7を参照しながら、本発明の第2実施形態に係る成膜方法について説明する。なお、本実施形態において、上記第1実施形態と同様の部位又は部位については同じ符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態は、本発明の成膜方法をマイクロコンタクトプリンティング法に適用したものである。すなわち、本実施形態では、被処理材1に対して転写層6を有するスタンプ9を押し付けることで、被処理材1の上に上記転写層6からなる所定のパターンが形成される。
このように本実施形態でも、転写膜を被処理材側に確実に転写しつつ、転写膜の膜厚均一性も高めることができる。
[実施例1]
本実施例では、まず、PDMSスタンプを作製して、その表面に化学気相蒸着法により1−ブロモーヘキサデシルトリクロロシランを成膜し、これをアジ化ナトリウムのDMF溶液に2日間浸漬させて、アジド基を有する薄膜(ガス発生層)を形成した。さらに、その上に、転写させたい金属インクを塗布或いは蒸着した。このスタンプを目的とする基板上にスタンプして抑えているときに、スタンプに加熱又は紫外線照射(254nmの波長の紫外線をPDMS越しに露光)を行なうと、金属膜が目的の基板に確実に転写された。
本実施例では、ドナーシートとして、膜厚0.2mm程度のポリカーボネートフィルム(基材)上に、カーボンブラック(光熱変換材料)を混合した熱硬化型エポキシ樹脂を膜厚2μm程度にコーティングして硬化させたものを使用した。そして、その上に、化学気相蒸着法により6−アジドスルフォニルヘキシルトリエトキシシラン(96550−26−4)の膜を形成し、更にこの上に銀インクを塗布した。
そして、CTP用プレートセッター(CreoのTrendsetter)のドラム上に、転写したいPETのレシーバシートを巻き付け、その上に銀インクが上を向くように密着させて巻き付け、このドラムを回転速度50rpmで回転させながら、830nm、11Wの近赤外半導体レーザを所定の領域に照射した。この結果、レーザを照射した部分の銀インクがPET基板上に確実に転写された。
次に、本発明の配線パターンの形成方法について、その実施形態を説明する。上記実施形態で示した成膜方法により得られた金属材料からなる膜パターンを、そのまま配線パターンとして使用することもできるが、ここでは本発明の成膜方法を異なる態様で利用した配線パターンの形成方法を説明する。
次に、本発明の配線パターンの形成方法により形成された配線パターンを有する電気光学装置の一例として、プラズマディスプレイ(プラズマ表示装置)について図10を参照しながら説明する。図10は、アドレス電極511とバス電極512aとが製造されたプラズマディスプレイ500を示す分解斜視図である。このプラズマディスプレイ500は、互いに対向して配置されたガラス基板501とガラス基板502と、これらの間に形成された放電表示部510とから概略構成されている。
次に、本発明の半導体装置の製造方法の一例として、薄膜トランジスタを形成する手順について、図11を参照しながら説明する。図11(a)に示すように、ゲート電極402が形成された基板401上に、ゲート絶縁層403、ドープしていないアモルファスシリコンからなる活性半導体層であるa-Si層404、リン等を高濃度でドープしたシリコンからなるN+a-Si層405、ソース/ドレイン電極形成用金属層406が順次積層され、ソース/ドレイン電極形成用金属層406上の一部に、本発明に係る成膜方法により転写層407がパターニングされる。次いで、図11(b)に示すように、a-Si層404、N+a-Si層405、及びソース/ドレイン電極形成用金属層406がエッチングされ、図11(c)に示すように、転写層407がアッシングされる。次に、図11(d)に示すように、再び転写層407が本発明に係る成膜方法に基づいて設けられる。そして、図11(e)に示すように、薄膜トランジスタのチャネル部408に対応する部分のN+a-Si層405、及びソース/ドレイン電極形成用金属層406がエッチングされ、転写層407をアッシングすることで、図11(f)に示すように、チャネル部408、ソース電極409、及びドレイン電極410が形成される。そして、ドレイン電極410に接続する不図示の画素電極を形成することで薄膜トランジスタ(TFT)が形成される。
次に、上記薄膜トランジスタ(半導体装置)を有する電気光学装置の一例として、有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置について図12を参照しながら説明する。 図12において、有機EL表示装置601は、光を透過可能な基板(光透過層)602と、基板602の一方の面側に設けられ一対の電極(陽極604及び陰極607)に挟持された有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層(EL層)606と正孔注入/輸送層605とからなる有機EL素子(発光素子)603と、基板602の一方の面側に設けられ、陽極(画素電極)604に接続する薄膜トランジスタTFTと、封止基板612とを有している。発光層606は赤色(R)、緑色(G)、及び青色(B)の3色の発光層により構成されている。また、封止基板612と基板602とは接着層で接着されており、封止基板612及び接着層により有機EL素子603が封止されている。ここで、図12に示す有機EL表示装置601は発光層606からの発光を基板602側から装置外部に取り出す形態(ボトムエミッション型、基板側発光型)である。
以下、上記電気光学装置(有機EL表示装置、プラズマ表示装置等)を備えた電子機器の適用例について説明する。図13は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図13において、符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。図13に示す電子機器は、上記実施の形態の電気光学装置を備えているので、表示品位に優れ、信頼性の高い表示部を備えた電子機器を実現することができる。
Claims (30)
- 光照射又は加熱によりガスを発生させるガス発生材料を含む単分子膜又は累積膜からなるガス発生層と、転写層とを基材上にこの順に設け、
該転写層と被処理材とを対向させた状態で、前記基材の所定領域に光照射又は加熱を行なって、前記所定領域に応じた転写層を前記被処理材に転写することで、前記被処理材上に所定の膜を形成することを特徴とする、成膜方法。 - 前記基材に対して照射する光がレーザ光であることを特徴とする、請求項1記載の成膜方法。
- 所定のパターンを有するマスクを介して、前記基材に光照射を行なうことを特徴とする、請求項1又は2記載の成膜方法。
- 前記光に対して前記基材及び前記被処理材を相対移動させながら、基材に光照射を行なうことを特徴とする、請求項1〜3のいずれかの項に記載の成膜方法。
- 前記基材の前記転写層と前記被処理材とを密着させた状態で基材に光照射を行なうことを特徴とする、請求項1〜4のいずれかの項に記載の成膜方法。
- 前記基材の前記転写層と前記被処理材とを対向させた後、前記転写層と前記被処理材との間の空間を減圧することで密着させることを特徴とする、請求項5記載の成膜方法。
- 前記転写した後、前記減圧を解除することで前記基材と前記被処理材とを離すことを特徴とする、請求項6記載の成膜方法。
- 前記転写層と対向する被処理材の表面に対して、化学的相互作用により前記転写層の前記被処理材に対する密着性を向上させる表面処理を行なうことを特徴とする、請求項1〜7のいずれかの項に記載の成膜方法。
- 前記化学的相互作用が、水素結合、静電相互作用、酸塩基相互作用、疎水性相互作用、分子間力、共有結合、イオン結合の少なくともいずれかに基づくものであることを特徴とする、請求項8記載の成膜方法。
- 前記表面処理として、前記被処理材に対して有機薄膜を形成することを特徴とする、請求項8又は9記載の成膜方法。
- 前記有機薄膜が単分子膜又は高分子膜からなることを特徴とする、請求項10記載の成膜方法。
- 前記有機薄膜が、カルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシル基、チオール基、カルボニル基、エポキシ基、イソシアネート基、またはアルコキシ基、ハロゲン元素、アルキル基、アミノ基を有する珪素基のいずれかを含むことを特徴する、請求項10又は11記載の成膜方法。
- 前記有機薄膜を形成する前に、前記被処理材の表面を親液化処理する工程を含むことを特徴とする、請求項10〜12のいずれかの項に記載の成膜方法。
- 前記親液化処理は、紫外線或いは酸素プラズマ処理、酸処理、又はアルカリ処理のいずれかであることを特徴とする、請求項13記載の成膜方法。
- 前記転写層を有機材料にて形成するとともに、該有機材料に対して化学的相互作用により密着性が向上する前記表面処理を前記被処理材に対して施すことを特徴とする、請求項10〜14のいずれかの項に記載の成膜方法。
- 前記表面処理として、エポキシ基、イソシアネート基等の反応性基、或いはヒドロキシル基やカルボキシル基、アミノ基等の極性基を、前記被処理材の最表面に配置させることを特徴とする、請求項15記載の成膜方法。
- 前記転写層を金属材料にて形成するとともに、該金属材料に対して化学的相互作用により密着性が向上する前記表面処理を前記被処理材に対して施すことを特徴とする、請求項10〜14のいずれかの項に記載の成膜方法。
- 前記表面処理として、チオール基、アミノ基等の金属配位性基を、前記被処理材の最表面に配置させることを特徴とする、請求項17記載の成膜方法。
- 前記基材が、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含むことを特徴とする、請求項1〜18のいずれかの項に記載の成膜方法。
- 前記基材に対して、前記転写層、ガス発生層、及び光熱変換材料を含む光熱変換層のそれぞれが互いに独立して設けられていることを特徴とする請求項19記載の成膜方法。
- 前記光熱変換層は、前記基材の前記転写層が設けられていない他方の面側に設けられていることを特徴とする、請求項20記載の成膜方法。
- 前記基材に、前記光熱変換材料が混在されていることを特徴とする、請求項20又は21記載の成膜方法。
- 前記転写層に前記光熱変換材料が混在されていることを特徴とする、請求項20〜22のいずれかの項に記載の成膜方法。
- 前記基材が、マイクロプリンティング用のスタンプからなることを特徴とする、請求項1〜23のいずれかの項に記載の成膜方法。
- 請求項1〜24のいずれかの項に記載の成膜方法により、前記被処理材上に成膜された転写層を使って配線パターンを形成することを特徴とする、配線パターンの形成方法。
- 請求項1〜24のいずれかの項に記載の成膜方法により、前記被処理材上に成膜された転写層を使ってバンクを形成し、前記バンク間に配線パターン形成用材料を含む液滴を配置させて該被処理材上に配線パターンを形成することを特徴とする、配線パターンの形成方法。
- 請求項25又は26記載の方法により形成された配線パターンを用いて半導体素子を製造することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
- 請求項25又は26記載の方法により形成された配線パターンを有することを特徴とする、電気光学装置。
- 請求項27記載の方法により製造された半導体装置を有することを特徴とする、電気光学装置。
- 請求項28又は29記載の電気光学装置を有することを特徴とする、電子機器。
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