KR100662066B1 - 패턴의 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 디바이스의 제조방법, 도전막 배선, 전기 광학 장치, 및 전자 기기 - Google Patents

패턴의 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 디바이스의 제조방법, 도전막 배선, 전기 광학 장치, 및 전자 기기 Download PDF

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Abstract

본 발명은 복수의 막패턴을 형성할 때, 막패턴끼리의 선폭의 편차나 외관상의 불균일의 발생을 억제할 수 있는 패턴의 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 패턴 형성 방법은 액체 재료의 액적을 기판(11)상에 배치함으로써 막패턴(W1~W3)을 형성하는 패턴의 형성 방법으로서, 기판(11)상에 막패턴을 형성하는 패턴 형성 영역(R1~R3)을 복수 설정하는 공정과, 설정한 복수의 패턴 형성 영역(R1~R3)의 각각에 복수의 액적을 순차 배치하여 막패턴(W1~W3)을 형성하는 공정을 갖고, 액적을 순차 배치할 때, 복수의 패턴 형성 영역(R1~R3)의 각각에 대해 액적을 배치하는 배치 순서를 대략 동일하게 한 것을 특징으로 한다.
패턴의 형성 방법, 패턴 형성 장치, 디바이스의 제조 방법, 도전막 배선, 전기 광학 장치, 전자 기기

Description

패턴의 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 디바이스의 제조 방법, 도전막 배선, 전기 광학 장치, 및 전자 기기{METHOD OF FORMING PATTERN, PATTERN FORMING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING DEVICE, CONDUCTIVE FILM WIRING, ELECTRO-OPTICAL APPARATUS, AND ELECTRONIC EQUIPMENT}
도 1은 본 발명의 패턴의 형성 방법의 일실시 형태를 나타내는 플로차트 도.
도 2는 본 발명의 패턴의 형성 방법의 일실시 형태를 나타내는 모식도.
도 3은 본 발명의 패턴의 형성 방법의 일실시 형태를 나타내는 모식도.
도 4는 본 발명의 패턴의 형성 방법의 일실시 형태를 나타내는 모식도.
도 5는 본 발명의 패턴의 형성 방법의 일실시 형태를 나타내는 모식도.
도 6은 기판상에 설정된 비트 맵 데이터에 의하여 액적이 배치되는 모양을 나타내는 모식도.
도 7은 기판상에 설정된 비트 맵 데이터에 의하여 액적이 배치되는 모양을 나타내는 모식도.
도 8은 기판상에 설정된 비트 맵 데이터에 의하여 액적이 배치되는 모양을 나타내는 모식도.
도 9는 기판상에 설정된 비트 맵 데이터에 의하여 액적이 배치되는 모양을 나타내는 모식도.
도 10은 기판상에 설정된 비트 맵 데이터에 의하여 액적이 배치되는 모양을 나타내는 모식도.
도 11은 기판상에 설정된 비트 맵 데이터에 의하여 액적이 배치되는 모양을 나타내는 모식도.
도 12는 본 발명의 패턴 형성 장치의 일실시 형태를 나타내는 개략 사시도.
도 13은 본 발명의 전기 광학 장치의 일실시 형태를 나타내는 도면으로서 플라즈마형 표시 장치에 적용한 예를 나타내는 분해 사시도.
도 14는 본 발명의 전기 광학 장치의 일실시 형태를 나타내는 도면으로서 액정 장치에 적용한 예를 나타내는 평면도.
도 15는 액정 표시 장치의 다른 형태를 나타내는 도면.
도 16은 FED를 설명하기 위한 도면.
도 17은 본 발명의 전자 기기의 일실시 형태를 나타내는 도면.
부호의 설명
10 … 액적 토출 헤드(액적 토출 장치),
10A ~ 10J … 토출 노즐(토출부), 11 … 기판,
100 … 패턴 형성 장치(액적 토출 장치),
R1 ~ R7 … 패턴 형성 영역,
W1 ~ W7 … 막패턴(배선 패턴, 도전막 배선),
Wa … 제1 측부 패턴(일방측부),
Wb … 제2 측부 패턴(타방측부),
Wc … 중앙 패턴(중앙부)
본 발명은 액체 재료의 액적을 기판상에 배치함으로써 막패턴을 형성하는 패턴의 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 디바이스의 제조 방법, 도전막 배선, 전기 광학 장치, 및 전자 기기에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 집적 회로 등 미세한 배선 패턴(막패턴)을 갖는 디바이스의 제조 방법으로서, 포토리소그래피법이 많이 사용되고 있지만, 액적 토출법을 사용한 디바이스의 제조 방법이 주목되고 있다. 이 액적 토출법은 액체 재료의 소비에 낭비가 적고, 기판상에 배치하는 액체 재료의 양이나 위치의 제어를 행하기 쉽다는 이점이 있다. 하기 특허 문헌에는 액적 토출법에 관한 기술이 개시되어 있다.
특허 문헌 1
특개평 11-274671호 공보
특허 문헌 2
특개 2000-216330호 공보
그런데, 복수의 액적을 기판상에 배치함으로써 복수의 배선 패턴을 형성할 때, 각 배선 패턴에 대해서 액적의 배치가 서로 다르게 되면, 각 배선 패턴끼리의 사이에 외관상의 불균일이 발생하는 문제가 생긴다. 또한, 배선 패턴의 선폭을 광폭으로 할 때, 액적을 선폭 방향으로 나란히 배치하는 경우가 있지만, 예를 들어 선폭 방향 양단부를 형성하기 위한 액적을 배치한 후에 이 양단부의 사이를 보간(補間)하도록 중앙부를 형성하기 위한 액적을 배치한 경우와, 선폭 방향 중앙부를 형성한 후에 양단부를 형성하기 위한 액적을 배치한 경우는 선폭에 편차가 생기는 문제도 생긴다. 즉, 중앙부를 형성한 후에 양단부를 형성하기 위한 액적을 배치하면, 이 액적이 중앙부로 끌려 다가오는 현상이 생겨서, 양단부를 형성한 후에 중앙부를 형성하는 경우에 비해서 선폭이 좁아지는 경우가 있다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 행하여진 것으로서, 액체 재료의 액적을 기판상에 배치함으로써 복수의 막패턴을 형성할 때, 각 막패턴끼리의 사이에서의 선폭의 편차나 외관상의 불균일의 발생을 억제할 수 있는 패턴의 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 본 발명은 선폭의 편차가 억제된 도전막 배선, 이 도전막 배선을 갖는 전기 광학 장치, 및 이것을 사용한 전자 기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 패턴 형성 방법은 액체 재료의 액적을 기판상에 배치함으로써 막패턴을 형성하는 패턴의 형성 방법으로서, 상기 기판상에 상기 막패턴을 형성하는 패턴 형성 영역을 복수 설정하는 공정과, 상기 설정한 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 복수의 액적을 순차 배치하여 상기 막패턴을 형성하는 공정을 갖고, 상기 액적을 순차 배치할 때, 상기 복수의 패턴 형성 영역 의 각각에 대해 상기 액적을 배치하는 배치 순서를 대략 동일하게 하여 상기 액적을 배치하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 막패턴을 형성하기 위해서 복수의 액적을 순차 배치할 때, 배치 순서를 복수의 막패턴의 각각에 대해 대략 동일하게 되도록 설정했으므로, 막패턴끼리의 사이에서의 선폭의 편차나 외관상의 불균일의 발생을 억제할 수 있다.
이 경우, 상기 기판상에 상기 액적이 배치되는 격자 형상의 복수의 단위 영역을 설정하고, 상기 복수의 단위 영역 중 소정의 단위 영역에 대해서 상기 액적을 배치함으로써, 각 막패턴의 각각의 형상이나 액적 배치 순서를 원활히 대략 동일하게 할 수 있다.
본 발명의 패턴의 형성 방법에서, 상기 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 상기 액적을 거의 동시에 배치하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 액적을 동시에 배치하는 공정을 가지므로 스루푸트 향상을 도모할 수 있다.
본 발명의 패턴의 형성 방법에서, 상기 막패턴은 선형상 패턴이고, 그 막패턴의 선폭방향 측부를 형성한 후에 중앙부를 형성하는, 또는 그 막패턴의 선폭 방향 중앙부를 형성한 후에, 측부를 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 복수의 선형상 패턴 각각의 선폭을 대략 일치시킬 수 있다. 즉, 선형상 패턴의 중앙부를 형성한 후에 측부를 형성하기 위한 액적을 배치한 경우, 액적 배치를 대략 동일하게 함으로써 이 액적이 중앙부로 끌려 다가오는 현상이 생겨서 각 선형상 패턴의 선폭에 편차가 생기는 경우가 고려되지만, 양측의 측부를 형성한 후에 이 양측부의 사이를 매립하도록 중앙부를 형성하기 위한 액적을 배치함으로써, 각 선형상 패턴의 선폭의 편차의 발생을 억제할 수 있다.
본 발명의 패턴의 형성 방법에서, 상기 패턴 형성 영역을 소정 방향으로 복수 나란히 설정하는 동시에 그 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 대응하여 상기 액적을 배치하는 토출부를 복수 설치하고, 상기 패턴 형성 영역의 나란한 방향으로 상기 토출부를 이동하면서 상기 액적을 배치하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 복수 나란한 패턴 형성 영역의 각각에 대응하도록 토출부(토출 노즐)을 설치하고, 이 토출부를 이동하면서 액적을 배치하도록 하였으므로, 복수의 막패턴(배선 패턴)을 단시간에 형성할 수 있다.
본 발명의 패턴의 형성 방법에서, 상기 액체 재료는 도전성 미립자를 포함하는 액상체인 것을 특징으로 한다. 이것에 의해, 각 막패턴끼리의 사이에서의 선폭의 편차나 외관상의 불균일이 없는 도전막을 형성할 수 있다.
본 발명의 패턴의 형성 방법은 액체 재료의 액적을 기판상에 배치함으로써 선형상의 막패턴을 형성하는 패턴의 형성 방법으로서, 상기 기판상에 상기 막패턴을 형성하는 패턴 형성 영역을 복수 나란히 설정하는 공정과, 상기 설정한 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 복수의 액적을 그 일부를 서로 겹치도록 배치하여 상기 막패턴을 형성하는 공정을 갖고, 상기 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 대해 상기 액적의 배치를 대략 동일하게 한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 복수의 액적을 기판상에 배치하여 막패턴을 형성할 때, 액적끼리의 적어도 일부를 서로 겹치도록 배치했으므로, 막패턴의 불연속부의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 액적끼리의 일부를 서로 겹치도록 하여 배치할 때, 이 액적의 배치를 각 막패턴끼리 대략 동일하게 설정했으므로, 복수의 막패턴간에서의 외관상의 불균일의 발생을 억제할 수 있다.
본 발명의 패턴 형성 장치는 액체 재료의 액적을 기판상에 배치하는 액적 토출 장치를 구비하고, 상기 액적에 의해 막패턴을 형성하는 패턴 형성 장치로서, 상기 액적 토출 장치는 상기 기판상에 미리 복수 설정된 상기 막패턴을 형성하는 패턴 형성 영역의 각각에 복수의 액적을 순차 배치하고, 상기 액적을 순차 배치할 때, 상기 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 대해 상기 액적을 배치하는 배치 순서를 대략 동일하게 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 복수의 액적을 순차 배치하여 막패턴을 형성할 때, 배치 순서를 복수의 막패턴의 각각에 대해 대략 동일하게 되도록 설정했으므로, 선폭의 편차나 외관상의 불균일의 발생을 억제할 수 있다.
본 발명의 패턴 형성 장치는 액체 재료의 액적을 기판상에 배치하는 액적 토출 장치를 구비하고, 상기 액적에 의해 선형상의 막패턴을 형성하는 패턴 형성 장치로서, 상기 액적 토출 장치는 상기 기판상에 미리 복수 나란히 설정된 상기 막패턴을 형성하는 패턴 형성 영역의 각각에 복수의 액적을 그 일부를 서로 겹치도록 배치하고, 상기 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 대해 상기 액적의 배치를 대략 동일하게 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 막패턴을 형성할 때, 막패턴의 불연속부의 발생을 억제할 수 있는 동시에 복수의 막패턴간에서의 외관상의 불균일의 발생을 억제할 수 있다.
본 발명의 배선 패턴의 제조 방법은 배선 패턴을 갖는 디바이스의 제조 방법에서, 상기 기판상에 복수 설정된 상기 배선 패턴을 형성하는 패턴 형성 영역의 각각에 액체 재료의 액적을 배치함으로써 상기 배선 패턴을 형성하는 재료 배치 공정을 갖고, 상기 재료 배치 공정은 상기 설정한 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 복수의 액적을 순차 배치하여 상기 막패턴을 형성하는 공정을 갖고, 상기 액적을 순차 배치할 때, 상기 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 대해 상기 액적을 배치하는 배치 순서를 대략 동일하게 하여 상기 액적을 배치하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 배선 패턴을 형성하기 위해서 복수의 액적을 순차 배치할 때, 배치 순서를 복수의 배선 패턴의 각각에 대해 대략 동일하게 되도록 설정하였으므로, 선폭의 편차나 외관상의 불균일의 발생을 억제할 수 있다.
본 발명의 배선 패턴의 제조 방법은 배선 패턴을 갖는 디바이스의 제조 방법에서, 상기 기판상에 복수 설정된 상기 배선 패턴을 형성하는 패턴 형성 영역의 각각에 액체 재료의 액적을 배치함으로써 상기 배선 패턴을 형성하는 재료 배치 공정을 갖고, 상기 재료 배치 공정은 상기 설정한 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 복수의 액적을 그 일부를 서로 겹치도록 배치하여 상기 막패턴을 형성하는 공정을 갖고, 상기 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 대해 상기 액적의 배치를 대략 동일하게 한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 배선 패턴을 형성할 때, 이 배선 패턴의 불연속부의 발생을 억제할 수 있는 동시에 복수의 배선 패턴간에서의 외관상의 불균일의 발생을 억 제할 수 있다.
또한, 본 발명의 막패턴의 형성 방법이나 배선 패턴의 제조 방법을 예를 들어 플라즈마형 표시 장치의 표시부에 배치되는 배선(표시 전극 등)을 제조하는 경우에 적용함으로써, 외관상 불균일이 없는 배선 패턴을 형성할 수 있으므로 양호한 표시성 및 시인성을 얻을 수 있다.
또한, 예를 들어 박막 트랜지스터는 배선을 포함하는 복수의 기능층을 적층하여 구성되지만, 이 박막 트랜지스터의 각 기능층(배선)을 제조할 때에 본 발명을 적용함으로써, 소정층에서의 선폭의 편차, 또 막두께의 편차의 발생을 억제할 수 있으므로, 이 기능층을 복수 적층한 경우라도 박막 트랜지스터의 면방향에서의 막두께의 편차의 발생을 억제할 수 있다.
본 발명의 도전막 배선은 상기 기재의 패턴 형성 장치에 의해 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 균일한 선폭으로 외관상 불균일이 없는 도전막 배선을 제공할 수 있다.
본 발명의 도전막 배선은 기판상에 복수 나란한 배선 패턴으로 이루어지는 도전막 배선으로서, 그 복수의 배선 패턴의 각각은 그 일부를 서로 겹치도록 배치된 복수의 액적에 의해 형성되어 있고, 상기 복수의 액적의 배치가 상기 복수의 배선 패턴의 각각에 대해 대략 동일하게 설정되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 외관상 불균일이 없는 도전막 배선을 제공할 수 있다.
본 발명의 전기 광학 장치는 상기 기재의 도전막 배선을 구비하는 것을 특징 으로 한다. 또한, 본 발명의 전자 기기는 상기 기재의 전기 광학 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이들의 발명에 의하면, 균일한 선폭을 가져서 외관상 불균일이 없는 도전막 배선을 구비하므로 양호한 전기 특성 및 표시성을 얻을 수 있다.
여기서, 전기 광학 장치의 예로는 플라즈마형 표시 장치, 액정 표시 장치, 및 유기 전계 발광 표시 장치 등을 들 수 있다.
상기 액적 토출 장치(잉크젯 장치)의 토출 방식으로는 압전체 소자의 체적 변화에 의해 액체 재료를 배치시키는 피에조젯 방식이라도, 열의 인가에 의해 급격하게 증기가 발생함으로써 액체 재료의 액적을 토출시키는 방식이라도 좋다.
액체 재료란, 액적 토출 헤드(잉크젯 헤드)의 토출 노즐로부터 토출 가능한 점도를 구비한 매체를한다. 수성이거나 유성이거나 관계없다.
노즐 등으로부터 토출 가능한 유동성(점도)을 구비하고 있으면 충분하고, 고체 물질이 혼입되어 있어도 전체로서 유동체이면 좋다. 또한, 액체 재료에 포함되는 재료는 용매 중에 미립자로서 분산된 것 이외에, 융점 이상으로 가열되어 용해된 것이라도 좋고, 용매 외에 염료나 안료 기타의 기능성 재료를 첨가한 것이라도 좋다. 또한, 기판은 플랫 기판 외에, 곡면상의 기판이라도 좋다. 또한 패턴 형성면의 경도가 딱딱할 필요는 없고, 유리나 플라스틱, 금속 이외에, 필름, 종이 고무 등 가요성을 갖는 것의 표면이라도 좋다.
발명을 실시하기 위한 최량의 형태
＜패턴의 형성 방법＞
이하, 본 발명의 패턴의 형성 방법에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1은 본 발명의 패턴의 형성 방법의 일실시 형태를 나타내는 플로차트도이다.
여기서, 본 실시 형태에서는 기판상에 도전막 배선 패턴을 형성하는 경우를 예로 하여 설명한다.
도 1에서, 본 실시 형태에 의한 패턴의 형성 방법은 액체 재료의 액적이 배치되는 기판을 소정의 용매 등을 사용하여 세정하는 공정(스텝(S1))과, 기판의 표면 처리 공정의 일부를 구성하는 발액화 처리 공정(스텝(S2))과, 발액화 처리된 기판 표면의 발액성을 조정하는 표면 처리 공정의 일부를 구성하는 발액성 제어 처리 공정(스텝(S3))과, 표면 처리된 기판상에 액적 토출법에 의하여 도전막 배선 형성용 재료를 함유하는 액체 재료의 액적을 배치하여 막패턴을 묘화(형성)하는 재료 배치 공정(스텝(S4))과, 기판상에 배치된 액체 재료의 용매 성분의 적어도 일부를 제거하는 열·광처리를 포함하는 중간 건조 처리 공정(스텝(S5))과, 소정의 패턴이 묘화된 기판을 소성하는 소성 공정(스텝 S7)을 갖고 있다. 또한, 중간 건조 처리 공정의 후, 소정의 패턴 묘화가 종료되었는지 여부를 판단하고(스텝(S6)), 패턴 묘화가 종료했으면 소성 공정이 행하여지고, 한편, 패턴 묘화가 종료되지 않았다면 재료 배치 공정이 행하여진다.
다음에, 본 발명의 특징 부분인 액적 토출법에 의거하는 재료 배치 공정(스텝(S4))에 대해서 설명한다.
본 실시 형태의 재료 배치 공정은 도전막 배선 형성용 재료를 함유하는 액체 재료의 액적을 액적 토출 장치의 액적 토출 헤드로부터 기판상에 배치함으로써 기판상에 복수의 선형상의 막패턴(배선 패턴)을 나란히 형성하는 공정이다. 액체 재 료는 도전막 배선 형성용 재료인 금속 등의 도전성 미립자를 분산매에 분산 액상체이다. 이하의 설명에서는 기판(11)상에 3개의 제1, 제2, 및 제3 막패턴(선형상 패턴)(W1, W2, 및 W3)을 형성하는 경우에 대해서 설명한다.
도 2, 도 3, 및 도 4는 본 실시 형태에서의 기판(11)상에 액적을 배치하는 순서의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 이들 도면에서, 기판(11)상에는 액체 재료의 액적이 배치되는 격자 형상의 복수의 단위 영역인 픽셀을 갖는 비트 맵이 설정되어 있다. 여기서, 1개의 픽셀은 정사각형으로 설정되어 있다. 또한, 이들 복수의 픽셀내 소정의 픽셀에 대응하도록, 제1, 제2, 제3 막패턴(W1, W2, W3)을 형성하는 제1, 제2, 제3 패턴 형성 영역(R1, R2, R3)이 설정되어 있다. 이들 복수의 패턴 형성 영역(R1, R2, R3)은 X축 방향으로 나란히 설정되어 있다. 또한, 도 2~도 4에서, 패턴 형성 영역(R1, R2, R3)은 빗금으로 나타내는 영역이다.
또한, 기판(11)상의 제1 패턴 형성 영역(R1)에는 액적 토출 장치의 토출 헤드(10)에 설치된 복수의 토출 노즐 중 제1 토출 노즐(10A)로부터 토출된 액체 재료의 액적이 배치되도록 설정되어 있다. 마찬가지로, 기판(11)상의 제2 , 제3 패턴 형성 영역(R2, R3)에는 액적 토출 장치의 토출 헤드(10)에 설치된 복수의 토출 노즐 중 제2 , 제3 토출 노즐(10B, 10C)로부터 토출된 액체 재료의 액적이 배치되도록 설정되어 있다. 즉, 제1, 제2, 제3 패턴 형성 영역(R1, R2, R3)의 각각에 대응하도록 토출 노즐(토출부)(10A, 10B, 10C)이 설치되어 있는 구성으로 되어 있다. 또한, 액적 토출 헤드(10)는 설정한 복수의 패턴 형성 영역(R1, R2, R3)의 각각의 복수의 픽셀 위치에 복수의 액적을 순차 배치한다.
또한, 제1, 제2, 제3 패턴 형성 영역(R1, R2, R3)의 각각에는, 이들 패턴 형성 영역(R1, R2, R3)에 형성하는 제1, 제2, 제3 막패턴(W1, W2, W3)을, 선폭 방향에서의 일방측(-X측)인 제1 측부 패턴(Wa)으로부터 형성하고, 그 다음에 타방측(+X측)인 제2 측부 패턴(Wb)을 형성하고, 이 제1 , 제2 측부 패턴(Wa, Wb)을 형성한 후에 선폭 방향 중앙부인 중앙 패턴(Wc)을 형성하도록 설정되어 있다.
본 실시 형태에서는 각 막패턴(선형상 패턴)(W1~W3)의 각각, 또한 각 패턴 형성 영역(R1~R3)의 각각은 같은 선폭(L)을 갖고, 이 선폭(L)은 3개의 픽셀분 의 크기로 설정되어 있다. 또한, 각 패턴간의 스페이스부의 각각도 같은 폭(S)으로 설정되어 있고, 이 폭(S)도 3개의 픽셀분의 크기로 설정되어 있다. 또한, 토출 노즐(10A~10C)끼리의 간격인 노즐 피치는 6개의 픽셀분으로 설정되어 있다.
이하의 설명에서, 토출 노즐(10A, 10B, 10C)을 갖는 액적 토출 헤드(10)는 기판(11)에 대해서 Y축 방향으로 주사하면서 액적을 토출하는 것으로 한다. 또한, 도 2~도 4를 사용한 설명에서, 1회째의 주사시에 배치된 액적에는 "1"을 붙이고, 2회째, 3회째, …, n회째의 주사시에 배치된 액적에는 "2", "3" …, "n"를 붙인다.
도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, 1회째의 주사시에 있어서, 제1, 제2, 제3 패턴 형성 영역(R1, R2, R3)의 각각에 대해 제1 측부 패턴(Wa)을 형성하기 위해서 제1 측부 패턴 형성 예정 영역에 1개분의 픽셀을 비워두면서 제1, 제2, 제3 토출 노즐(10A, 10B, 10C)로부터 액적이 동시에 배치된다. 여기서, 기판(11)에 대해서 배치된 액적은 기판(11)에 착탄함으로써 기판(11)상에서 젖어 퍼진다. 즉, 도 2의 (a)에 원으로 나타내는 바와 같이, 기판(11)에 착탄한 액적은 1개의 픽셀의 크기보 다 큰 직경(c)을 갖도록 젖어 퍼진다. 여기서, 액적은 Y축 방향에서 소정 간격(1개분의 픽셀)을 비워두고 배치되어 있으므로, 기판(11)상에 배치된 액적끼리는 겹치지 않도록 설정되어 있다. 이렇게 함으로써 Y축 방향에서 기판(11)상에 액체 재료가 과잉으로 설치되는 것을 방지하여, 벌루지의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 도 2의 (a)에서는 기판(11)에 배치되었을 때의 액적끼리는 겹치지 않도록 배치되어 있지만, 약간 겹치도록 액적이 배치되어도 좋다. 또한, 여기에서는 1개분의 픽셀을 비워두고 액적이 배치되어 있지만, 2개 이상의 임의 수의 픽셀분만큼 간격을 두고 액적을 배치하여도 좋다. 이 경우, 기판(11)에 대한 액적 토출 헤드(10)의 주사 동작 및 배치 동작(토출 동작)을 늘려서 기판상의 액적끼리의 사이를 보간(補間)하면 좋다.
또한, 기판(11)의 표면은 스텝(S2) 및 스텝(S3)에 의해 소망의 발액성으로 미리 가공되어 있으므로, 기판(11)상에 배치한 액적의 과잉한 퍼짐이 억제된다. 그 때문에, 패턴 형상을 양호한 상태로 확실히 제어할 수 있는 동시에 후막화도 용이하다.
도 2의 (b)는 2회째의 주사에 의해 액적 토출 헤드(10)로부터 기판(11)에 액적을 배치했을 때의 모식도이다. 또한, 도 2의 (b)에서, 2회째의 주사시에 배치된 액적에는 "2"를 붙이고 있다. 2회째의 주사시에서는 1회째의 주사시에 배치된 액적 "1"의 사이를 보간하도록 각 토출 노즐(10A, 10B, 10C)로부터 액적이 동시에 배치된다. 또한, 1회째 및 2회째의 주사 및 배치 동작에서 액적끼리가 연속하여, 제1, 제2, 제3 패턴 형성 영역(R1, R2, R3)의 각각에 제1 측부 패턴(Wa)이 형성된 다. 여기서, 액적 "2"도 기판(11)에 착탄함으로써 젖어 퍼져서, 액적 "2"의 일부와 앞서 기판(11)에 배치되어 있는 액적 "1"의 일부가 서로 겹친다. 구체적으로는 액적 "1"의 위에 액적 "2"의 일부가 서로 겹친다.
여기서, 기판(11)상에 제1 측부 패턴(Wa)을 형성하기 위한 액적을 배치한 후, 분산매의 제거를 행하기 위해서 필요에 따라서 중간 건조 처리(스텝(S5))를 행할 수 있다.
중간 건조 처리는 예를 들어 핫 플레이트, 전기로, 및 열풍 발생기 등의 가열 장치를 사용한 일반적인 열처리 외에 램프 어닐을 사용한 광처리 라도 좋다.
다음에, 액적 토출 헤드(10)와 기판(11)이 2개의 픽셀의 크기만큼 X축 방향으로 상대 이동한다. 여기에서는 액적 토출 헤드(10)가 기판(11)에 대해서 +X방향으로 2개의 픽셀분만큼 스텝 이동한다. 이것에 수반하여 토출 노즐(10A, 10B, 10C)도 이동한다.
또한, 액적 토출 헤드(10)는 3회째의 주사를 행한다. 이것에 의해, 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 막패턴(W1, W2, W3) 각각의 일부를 구성하는 제2 측부 패턴(Wb)을 형성하기 위한 액적 "3"이 각 토출 노즐(10A, 10B, 10C)로부터 제1 측부 패턴(Wa)에 대해서 X축 방향으로 간격을 비워두고 기판(11)상에 동시에 배치된다. 여기에서도, 액적 "3"은 Y축 방향으로 1개분의 픽셀을 비워두고 배치된다.
도 3의 (b)는 4회째의 주사에 의해 액적 토출 헤드(10)로부터 기판(11)으로 액적을 배치했을 때의 모식도이다. 또한, 도 3의 (b)에서, 4회째의 주사시에 배치된 액적에는 "4"를 붙이고 있다. 4회째의 주사시에서는 3회째의 주사시에 배치된 액적 "3"의 사이를 보간하도록 각 토출 노즐(10A, 10B, 10C)로부터 액적이 동시에 배치된다. 또한, 3회째 및 4회째의 주사 및 배치 동작에서 액적끼리가 연속하여, 패턴 형성 영역(R1, R2, R3)의 각각에 제2 측부 패턴(Wb)이 형성된다. 여기에서는 액적 "4"의 일부와 앞서 기판(11)에 배치되어 있는 액적 "3"의 일부가 서로 겹친다. 구체적으로는 액적 "3"의 위에 액적 "4"의 일부가 서로 겹친다.
여기에서도 기판(11)상에 제2 측부 패턴(Wb)을 형성하기 위한 액적을 배치한 후, 분산매의 제거를 행하기 위해서 필요에 따라서 중간 건조 처리를 행할 수 있다.
다음에, 액적 토출 헤드(10)가 기판에 대해서 -X방향으로 1개의 픽셀분만큼 스텝 이동하고, 이것에 수반하여 토출 노즐(10A, 10B, 10C)도 -X방향으로 1개의 픽셀분만큼 이동한다. 또한, 액적 토출 헤드(10)는 5회째의 주사를 행한다. 이것에 의해, 도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이, 막패턴(W1, W2, W3) 각각의 일부를 구성하는 중앙 패턴(Wc)을 형성하기 위한 액적 "5"가 기판상에 동시에 배치된다. 여기에서도, 액적 "5"는 Y축 방향으로 1개분의 픽셀을 비워두고 배치된다. 여기서, 액적 "5"의 일부와 앞서 기판(11)에 배치되어 있는 액적 "1", "3"의 일부가 서로 겹친다. 구체적으로는 액적 "1", "3"의 위에 액적 "5"의 일부가 서로 겹친다.
도 4의 (b)는 6회째의 주사에 의해 액적 토출 헤드(10)로부터 기판(11)에 액적을 배치했을 때의 모식도이다. 또한, 도 4의 (b)에서, 6회째의 주사시에 배치된 액적에는 "6"을 붙이고 있다. 6회째의 주사시에서는 5회째의 주사시에 배치된 액적 "5"의 사이를 보간하도록 각 토출 노즐(10A, 10B, 10C)로부터 액적이 동시에 배 치된다. 또한, 5회째 및 6회째의 주사 및 배치 동작에서 액적끼리가 연속하여, 패턴 형성 영역(R1, R2, R3)의 각각에 중앙 패턴(Wc)이 형성된다. 여기에서는 액적 "6"의 일부와 앞서 기판(11)에 배치되어 있는 액적 "5"의 일부가 서로 겹친다. 구체적으로는 액적 "5"의 위에 액적 "6"의 일부가 서로 겹친다. 또한, 앞서 기판(11)에 배치되어 있는 액적 "2", "4"의 위에 액적 "6"의 일부가 서로 겹친다.
이상에 의해, 각 패턴 형성 영역(R1, R2, R3)의 각각에 막패턴(W1, W2, W3)이 형성된다.
이상 설명한 바와 같이, 패턴 형성 영역(R1, R2, R3)에 복수의 액적을 순차 배치하여 서로 거의 동일 형상의 막패턴(W1, W2, W3)을 형성할 때, 각 패턴 형성 영역(R1, R2, R3)의 각각의 복수의 픽셀에 대해서 액적을 배치하는 배치 순서를 동일하게 설정했으므로, 각 액적 "1"~"6"의 각각이 그 일부를 서로 겹치도록 배치된 경우라도, 그 겹친 형태는 각 막패턴(W1, W2, W3)에서 동일하므로, 각 막패턴(W1, W2, W3)의 외관을 동일하게 할 수 있다. 따라서, 각 막패턴(W1, W2, W3)끼리의 사이에서의 외관상의 불균일의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 액적의 배치 순서를 각 막패턴(W1, W2, W3)의 각각에 대해 동일하게 했으므로, 각 막패턴(W1, W2, W3)의 각각에 대해 액적의 배치(액적끼리의 겹친 형태)가 동일하게 되므로, 외관상의 불균일의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 막패턴(W1, W2, W3) 각각에서의 액적끼리의 겹친 상태가 동일하게 설정되어 있으므로, 막패턴 각각의 막두께 분포를 대략 동일하게 할 수 있다. 따라서, 이 막패턴이 기판의 면방향에서 반복되는 반복 패턴인 경우, 구체적인 예로는 표시 장치의 화소에 대응하여 복수 설치되어 있는 패턴인 경우, 각 화소의 각각은 동일한 막두께 분포를 갖게 된다. 따라서, 기판의 면방향의 각 위치에서 동일한 기능을 발휘할 수 있다.
또한, 제1 , 제2 측부 패턴(Wa, Wb)을 형성한 후 그 사이를 매립하도록 중앙 패턴(Wc)을 형성하기 위한 액적 "5", "6"을 배치하도록 했으므로, 각 막패턴(W1, W2, W3)의 선폭을 거의 균일하게 형성할 수 있다. 즉, 중앙 패턴(Wc)을 기판(11)상에 형성한 후에 측부 패턴(Wa, Wb)을 형성하기 위한 액적 "1", "2", "3", "4"를 배치한 경우, 이들 액적이 앞서 기판(11)에 형성되어 있는 중앙 패턴(Wc)으로 끌려 다가오는 현상이 생기기 때문에, 각 막패턴(W1, W2, W3)의 선폭 제어가 곤란하게 되는 경우가 있지만, 본 실시 형태와 같이 앞서 측부 패턴(Wa, Wb)을 기판(11)에 형성한 후 그 사이를 매립하도록 중앙 패턴(Wc)을 형성하기 위한 액적 "5", "6"을 배치하도록 했으므로, 각 막패턴(W1, W2, W3)의 선폭 제어를 정밀도 좋게 행할 수 있다.
또한, 중앙 패턴(Wc)을 형성한 후 측부 패턴(Wa, Wb)을 형성해도 좋다. 이 경우, 각 막패턴(W1~W3)의 각각에 대해 같은 액적 배치 순서로 함으로써, 각 패턴끼리의 사이에서의 외관상의 불균일의 발생을 억제할 수 있다.
본 실시 형태에서는 각 패턴 형성 영역(막패턴)의 각각에 대응하도록 토출 노즐을 배치하고, 이 토출 노즐로부터 토출된 액적에 의해 막패턴을 형성하는 구성이다. 그래서, 본 실시 형태와 같이 각 패턴 형성 영역의 각각에 대응하도록 토출 노즐이 배치되기 위해서는 패턴 형성 영역(막패턴)의 X축 방향의 픽셀수(또는 선 폭)를 S, 스페이스부의 X축 방향의 픽셀수(또는 선폭)를 L, 토출 노즐의 배치 간격인 노즐 피치를 Np로 한 경우, Np=S+(n×L)의 관계를 만족할 것이 필요하다.
도 5는 선형상의 측부 패턴(Wa, Wb), 및 중앙 패턴(Wc)을 형성하는 순서를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이, 액적 토출 헤드(10)로부터 토출한 액적(L1)이 소정의 간격을 비워두고 기판(11)상에 순차 배치된다. 즉, 액적 토출 헤드(10)는 기판(11)상에서 액적(L1)끼리가 겹치지 않도록 배치한다. 본 예에서는 액적(L1)의 배치 피치(P1)는 기판(11)상에 배치한 직후의 액적(L1)의 직경보다도 크게 되도록 설정되어 있다. 이것에 의해 기판(11)상에 배치된 직후의 액적(L1)끼리는 겹치지 않고(접촉하지 않고), 액적(L1)끼리가 합체하여 기판(11)상에서 젖어 퍼짐이 방지된다. 또한, 액적(L1)의 배치 피치(P1)는 기판(11)상에 배치한 직후의 액적(L1)의 직경의 2배 이하가 되도록 설정되어 있다.
여기서, 기판(11)상에 액적(L1)을 배치한 후, 분산매의 제거를 행하기 위해서 필요에 따라서 중간 건조 처리(스텝(S5))를 행할 수 있다. 중간 건조 처리는 예를 들어 핫 플레이트, 전기로, 및 열풍 발생기 등의 가열 장치를 사용한 일반적인 열처리 외에, 램프 어닐을 사용한 광처리 라도 좋다.
다음에, 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상술한 액적의 배치 동작이 반복된다. 즉 도 5의 (a)에 나타낸 전번과 마찬가지로, 액적 토출 헤드(10)로부터 액체 재료가 액적(L2)으로서 토출되고, 그 액적(L2)이 일정 거리마다 기판(11)에 배치된다. 이때, 액적(L2)의 체적(1개의 액적당 액체 재료의 양), 및 그 배치 피치(P2)는 전번의 액적(L1)과 같다. 또한, 액적(L2)의 배치 위치는 전번의 액적(L1)으로부터 1/2피치만큼 쉬프트되어, 기판(11)상에 배치되어 있는 전번의 액적(L1)끼리의 중간 위치에 이번의 액적(L2)이 배치된다.
상술한 바와 같이, 기판(11)상의 액적(L1)의 배치 피치(P1)는 기판(11)상에 배치한 직후의 액적(L1)의 직경보다도 크고, 또한, 그 직경의 2배 이하이다. 그 때문에, 액적(L1)의 중간 위치에 액적(L2)이 배치됨으로써, 액적(L1)에 액적(L2)이 일부 중첩하여, 액적(L1)끼리의 사이의 간극이 메워진다. 이때, 이번 액적(L2)과 전번의 액적(L1)이 접하지만, 전번의 액적(L1)은 이미 분산매가 완전히 또는 어느 정도 제거되어 있으므로, 양자가 합체하여 기판(11)상에서 퍼지는 경우는 적다.
또한, 도 5의 (b)에서는 액적(L2)의 배치를 개시하는 위치를 전번과 동일측(도 5의 (a)에 나타내는 좌측)으로 하고 있지만 역측(우측)으로 하여도 좋다. 왕복 동작의 각 방향으로의 이동시에, 액적의 배치를 행함으로써, 액적 토출 헤드(10)와 기판(11)의 상대 이동의 거리를 적게 할 수 있다.
액적(L2)을 기판(11)상에 배치한 후, 분산매의 제거를 행하기 위해서 전번과 마찬가지로 필요에 따라서 건조 처리를 행할 수 있다.
이러한 일련의 액적의 배치 동작을 복수회 반복함으로써, 기판(11)상에 배치되는 액적끼리의 간극이 메워져서, 도 5의 (c)에 나타내는 바와 같이, 선형상의 연속한 패턴인 중앙 패턴(Wc), 및 측부 패턴(Wa, Wb)이 기판(11)상에 형성된다. 이 경우, 액적의 배치 동작의 반복 회수를 늘림으로써 기판(11)상에 액적이 순차 겹쳐저서, 선형상의 패턴(Wa, Wb, Wc)의 막두께, 즉 기판(11)의 표면으로부터의 높이( 두께)가 증가한다.
패턴(Wa, Wb, Wc)의 높이(두께)는 최종적인 막패턴에 필요하다고 여겨지는 소망하는 막두께에 따라 설정되며, 이 설정한 막두께에 따라 상기 액적의 배치 동작의 반복 회수가 설정된다.
또한, 선형상 패턴의 형성 방법은 도 5의 (a)~의 (c)에 나타낸 것에 한정되지 않는다.
예를 들어, 액적의 배치 피치나 반복시의 쉬프트양 등은 임의로 설정 가능하여, 패턴(Wa, Wb, Wc)을 형성할 때의 액적의 기판(P)상에서의 배치 피치를 각각 다른 값으로 설정해도 좋다. 예를 들어, 중앙 패턴(Wc)을 형성할 때의 액적 피치가 P1인 경우, 측부 패턴(Wa, Wb)을 형성할 때의 액적 피치를 P1보다 넓은 피치로 하여도 좋다. 물론, P1보다 좁은 피치로 하여도 좋다. 또한, 패턴(Wa, Wb, Wc)을 형성할 때의 액적의 체적을 각각 다른 값으로 설정해도 좋다. 혹은 각 토출 동작에서 기판(11)이나 액적 토출 헤드(10)가 배치되는 분위기인 액적 토출 분위기(온도나 습도 등)를 서로 다른 조건으로 설정해도 좋다.
또한, 본 실시 형태에서는 각 선형상 패턴(Wa, Wb, Wc)은 1개씩 형성되지만 복수개 동시(예를 들어 패턴(Wb, Wc)의 2개 동시)에 형성되어도 좋다. 또한, 1개씩 복수의 패턴(Wa, Wb, Wc)을 형성하는 경우와 복수개 동시에 형성하는 경우에서는 건조 처리의 회수의 합계가 다를 가능성이 있기 때문에, 기판(11)의 발액성이 손상되지 않도록 건조 조건을 정하면 좋다.
다음에, 도 6~도 11을 참조하여 패턴의 형성 방법의 다른 실시예에 대해서 설명한다. 여기에서는 토출 노즐이 10A~10J의 10개 있는 것으로 하고, 노즐 피치는 4개의 픽셀분으로 설정되어 있다. 환언하면, 1개의 토출 노즐의 X축 방향에서의 해당 격자수(해당 픽셀수)는 4개이다. 즉, 기판상에서 1개의 토출 노즐이 액적을 배치 가능한 범위(즉 1개의 토출 노즐이 담당하는 패턴 형성 가능 영역)는 X축 방향에서 4픽셀분(4열분)이다. 예를 들어, 제1 토출 노즐(10A)은 도 6중, 제1열~제4열의 픽셀 범위에 대해서 액적을 배치 가능하고, 제2 토출 노즐(10B)은 제5열~제8열의 픽셀 범위에 대해서 액적을 배치 가능하다. 마찬가지로, 토출 노즐(10C)은 제9열~제12열, 토출 노즐(10D)은 제13열~제16열, …, 토출 노즐(10H)은 제29열~제32열, 토출 노즐(10I)은 제33열~제36열, 토출 노즐(10J)은 제37열~제40열에 대해서 액적을 배치 가능하다. 또한, 본 실시 형태에서는 설계치상에서 2개의 픽셀 분의 선폭을 갖는 배선 패턴(막패턴)(W1~W7)을 형성한다. 즉, 배선 패턴을 형성하는 패턴 형성 영역(R1~R7)이 도 6의 빗금으로 나타내는 영역으로 설정되어 있다.
또한, 도 6에 나타내는 바와 같이, 패턴 형성 영역(R1~R7)(즉 막패턴(W1~W7)) 각각의 사이의 스페이스부의 폭 중, 패턴 형성 영역(R1, R2)의 사이의 스페이스부의 폭은 4개의 픽셀분이고, 패턴 형성 영역(R2, R3)의 사이의 스페이스부의 폭은 4개의 픽셀분이다. 이하 마찬가지로, 패턴 형성 영역(R3, R4)의 사이는 5개분, 패턴 형성 영역(R4, R5)의 사이는 4개분, 패턴 형성 영역(R5, R6)의 사이는 3개분, 패턴 형성 영역(R6, R7)의 사이는 4개분이다. 이와 같이 본 실시 형태에서의 각 배선 패턴의 배치 간격인 배선 피치(즉 각 스페이스부)는 불균일하게 설정되어 있다.
또한, 본 실시 형태에서는 2개의 픽셀 분의 선폭을 갖는 각 막패턴의 각각에 대해, 일방측(-X측)의 제1 측부 패턴(Wa)을 형성한 후, 타방측(+X측)의 제2 측부 패턴(Wb)을 형성한다.
도 6에서, 패턴 형성 영역(R1)의 제1 측부 패턴 형성 예정 영역(즉 제1 열)에 대해서 토출 노즐(10A)이 위치 맞춤되어 있고, 패턴 형성 영역(R3)의 제1 측부 패턴 형성 예정 영역(제13열)에 대해서 토출 노즐(10D)이 위치 맞춤되어 있고, 패턴 형성 영역(R7)의 제1 측부 패턴 형성 예정 영역(제37열)에 대해서 토출 노즐(10J)이 위치 맞춤되어 있다. 따라서, 패턴 형성 영역(R1, R3, R7)에 관해서는 액적 배치 가능 상태이다. 한편, 패턴 형성 영역(R2, R5, R6)에 대해서 위치 맞춤된 토출 노즐은 없다. 따라서, 패턴 형성 영역(R2, R5, R6)에 관해서는 액적 배치 휴지 상태로 된다. 또한, 패턴 형성 영역(R4)에 관해서는 토출 노즐(10F)이 위치 맞춤되어 있지만, 이 토출 노즐(10F)은 제2 측부 패턴 형성 예정 영역(제21열)에 위치 맞춤되어 있고, 제1 측부 패턴 형성 예정 영역(제20열)에는 위치 맞춤되어 있지 않다. 따라서, 패턴 형성 영역(R4)에 관해서도 액적 배치 휴지 상태로 된다.
또한, 도 2~도 5를 참조하여 설명한 순서와 같은 순서로, 액적 토출 헤드(10)가 기판(11)에 대해서 주사하여, 토출 노즐(10A, 10D, 10J)로부터 액적이 동시에 토출된다. 또한, 제1 , 제2 회째의 주사에 의해, 도 6의 "1", "2"에 나타내는 바와 같이 액적이 패턴 형성 영역(R1, R3, R7)에 동시에 배치된다. 이것에 의해, 패턴 형성 영역(R1, R3, R7)에서 제1 측부 패턴(Wa)이 형성된다.
그 다음에, 도 7에 나타내는 바와 같이, 액적 토출 헤드(10)가 X축 방향으로 스텝 이동한다. 여기에서는 액적 토출 헤드(10)는 +X방향으로 2개의 픽셀분만큼 스텝 이동하는 것으로 한다. 또한, 액적 토출 헤드(10)의 이동에 수반하여 토출 노즐(10A~10J)도 이동한다.
도 7에서, 패턴 형성 영역(R2)의 제1 측부 패턴 형성 예정 영역(제7열)에 대해서 토출 노즐(10B)이 위치 맞춤되어 있고, 패턴 형성 영역(R6)의 제1 측부 패턴 형성 예정 영역(제31열)에 대해서 토출 노즐(10H)이 위치 맞춤되어 있다. 따라서, 패턴 형성 영역(R2, R6)에 관해서는 액적 배치 가능 상태이다. 한편, 패턴 형성 영역(R1, R3, R4, R7)에 대해서 위치 맞춤된 토출 노즐은 없다. 따라서, 패턴 형성 영역(R1, R3, R4, R7)에 관해서는 액적 배치 휴지 상태로 된다. 또한, 패턴 형성 영역(R5)에 관해서는 토출 노즐(10G)이 위치 맞춤되어 있지만, 이 토출 노즐(10G)은 제2 측부 패턴 형성 예정 영역(제27열)에 위치 맞춤 되어 있고, 제1 측부 패턴 형성 예정 영역(제26열)에는 위치 맞춤되어 있지 않다. 따라서, 패턴 형성 영역(R5)에 관해서도 액적 배치 휴지 상태로 된다.
또한, 액적 토출 헤드(10)가 기판(11)에 대해서 주사하여, 토출 노즐(10B, 10H)로부터 액적이 동시에 토출된다. 또한, 제3 , 제4회째의 주사에 의해, 도 7의 "3", "4"로 표시하는 바와 같이 액적이 패턴 형성 영역(R2, R6)에서 동시에 배치된다. 이것에 의해, 패턴 형성 영역(R2, R6)에서 제1 측부 패턴(Wa)이 형성된다.
그 다음에, 도 8에 나타내는 바와 같이, 액적 토출 헤드(10)가 X축 방향으로 스텝 이동한다. 여기에서는 액적 토출 헤드(10)는 -X방향으로 1개의 픽셀분만큼 스텝 이동하는 것으로 한다. 도 8에서, 패턴 형성 영역(R1)의 제2 측부 패턴 형성 예정 영역(제2 열)에 대해서 토출 노즐(10A)이 위치 맞춤되어 있고, 패턴 형성 영역(R3)의 제2 측부 패턴 형성 예정 영역(제14열)에 대해서 토출 노즐(10D)이 위치 맞춤되어 있고, 패턴 형성 영역(R5)의 제1 측부 패턴 형성 예정 영역(제26열)에 대해서 토출 노즐(10G)이 위치 맞춤되어 있고, 패턴 형성 영역(R7)의 제2 측부 패턴 형성 예정 영역(제3 8열)에 대해 토출 노즐(10J)이 위치 맞춤되어 있다. 한편, 패턴 형성 영역(R2, R4, R6)에 대해서 위치 맞춤된 토출 노즐은 없다. 따라서, 패턴 형성 영역(R2, R4, R6)에 관해서는 액적 배치 휴지 상태로 된다.
또한, 액적 토출 헤드(10)가 기판(11)에 대해서 주사하여, 토출 노즐(10A, 10D, 10G, 10J)로부터 액적이 동시에 토출된다. 또한, 제5, 제6회째의 주사에 의해, 도 8의 "5", "6"로 표시되는 바와 같이 액적이 패턴 형성 영역(R1, R3, R5, R7)에서 동시에 배치된다. 이것에 의해, 패턴 형성 영역(R1, R3, R7)에서 제2 측부 패턴(Wb)이 형성되는 동시에, 패턴 형성 영역(R5)에서 제1 측부 패턴(Wa)이 형성된다. 또한, 패턴 형성 영역(R1, R3, R7)의 각각에서 막패턴(W1, W3, W7)이 완성된다. 여기서, 완성된 막패턴(W1, W3, W7)에서는 제1 측부 패턴(Wa)이 형성된 후에 제2 측부 패턴(Wb)이 형성되는 구성으로서, 각 패턴 영역(R1, R3, R7)에서 액적의 배치 순서가 같다.
그 다음에, 도 9에 나타내는 바와 같이, 액적 토출 헤드(10)가 X축 방향으로 스텝 이동한다. 여기에서는 액적 토출 헤드(10)는 +X방향으로 2개의 픽셀분만큼 스텝 이동하는 것으로 한다. 도 9에서, 패턴 형성 영역(R2)의 제2 측부 패턴 형성 예정 영역(제 8열)에 대해서 토출 노즐(10B)이 위치 맞춤되어 있고, 패턴 형성 영역(R4)의 제1 측부 패턴 형성 예정 영역(제20열)에 대해서 토출 노즐(10E)이 위치 맞춤되어 있고, 패턴 형성 영역(R6)의 제2 측부 패턴 형성 예정 영역(제32열)에 대해서 토출 노즐(10H)이 위치 맞춤되어 있다. 한편, 패턴 형성 영역(R1, R3, R5, R7)에 대해서 위치 맞춤된 토출 노즐은 없다. 따라서, 패턴 형성 영역(R1, R3, R5, R7)에 관해서는 액적 배치 휴지 상태로 된다.
또한, 액적 토출 헤드(10)가 기판(11)에 대해서 주사하여, 토출 노즐(10B, 10E, 10H)로부터 액적이 동시에 토출된다. 또한, 제7, 제8회째의 주사에 의해, 도 9의 "7", "8"로 표시되는 바와 같이 액적이 패턴 형성 영역(R2, R4, R6)에서 동시에 배치된다. 이것에 의해, 패턴 형성 영역(R4)에서 제1 측부 패턴(Wa)이 형성되고, 패턴 형성 영역(R2, R6)에서 제2 측부 패턴(Wb)이 형성되고, 패턴 형성 영역(R2, R6)의 각각에서 막패턴(W2, W6)이 완성된다. 여기서, 완성된 막패턴(W2, W6)에서는 제1 측부 패턴(Wa)이 형성된 후에 제2 측부 패턴(Wb)이 형성되는 구성으로서, 각 막패턴(W2, W6)의 각각에 대해 액적의 배치 순서가 같은 동시에, 이미 형성되어 있는 막패턴(W1, W3, W7)에 대해서도 액적의 배치 순서가 같다.
그 다음에, 도 10에 나타내는 바와 같이, 액적 토출 헤드(10)가 X축 방향으로 스텝 이동한다. 여기에서는, 액적 토출 헤드(10)는 +X방향으로 1개의 픽셀분만큼 스텝 이동하는 것으로 한다. 도 10에서, 패턴 형성 영역(R4)의 제2 측부 패턴 형성 예정 영역(제21열)에 대해서 토출 노즐(10E)이 위치 맞춤되어 있다. 한편, 패턴 형성 영역(R1, R2, R5, R6)에 대해서 위치 맞춤된 토출 노즐은 없다. 따라 서, 패턴 형성 예정 영역(R1, R2, R5, R6)에 관해서는 액적 배치 휴지 상태로 된다. 또한, 패턴 형성 영역(R3 및 R7)의 제1 측부 패턴 형성 예정 영역(제20열 및 제37열)에는 토출 노즐(10C, 10I)이 위치 맞춤되어 있지만, 이들에는 이미 액적 "1", "2"가 배치되어 있기 때문에, 이 패턴 형성 영역(R3, R7)에 관해서도 액적 배치 휴지 상태이다.
또한, 액적 토출 헤드(10)가 기판(11)에 대해서 주사하여, 토출 노즐(10E)로부터 액적이 토출된다. 또한, 제9, 제10회째의 주사에 의해, 도 10의 "9", "10"로 표시되는 바와 같이 액적이 패턴 형성 영역(R4)에 배치된다. 이것에 의해, 패턴 형성 영역(R4)에서 제2 측부 패턴(Wb)이 형성되어 막패턴(W4)이 완성된다. 이 막패턴(W4)에 대해서도 제1 측부 패턴(Wa)이 형성된 후에 제2 측부 패턴(Wb)이 형성되는 구성으로서, 이미 형성되어 있는 막패턴(W1, W2, W3, W6, W7)에 대해서 액적의 배치 순서가 같다.
그 다음에, 도 11에 나타내는 바와 같이, 액적 토출 헤드(10)가 X축 방향으로 스텝 이동한다. 여기에서는 액적 토출 헤드(10)는 +X방향으로 1개의 픽셀분만큼 스텝 이동하는 것으로 한다. 도 11에서, 패턴 형성 영역(R5)의 제2 측부 패턴 형성 예정 영역(제27열)에 대해서 토출 노즐(10F)이 위치 맞춤되어 있다.
또한, 액적 토출 헤드(10)가 기판(11)에 대해서 주사하여, 토출 노즐(10F)로부터 액적이 토출된다. 또한, 제11, 제12회째의 주사에 의해, 도 11의 "11", "12"로 표시되는 바와 같이 액적이 패턴 형성 영역(R5)에 배치된다. 이것에 의해, 패턴 형성 영역(R5)에서 제2 측부 패턴(Wb)이 형성되어 막패턴(W5)이 완성된다. 이 막패턴(W5)에 대해서도 제1 측부 패턴(Wa)이 형성된 후에 제2 측부 패턴(Wb)이 형성되는 구성으로서, 이미 형성되어 있는 막패턴(W1, W2, W3, W4, W6, W7)에 대해서 액적의 배치 순서가 같다.
이상과 같이 하여, 제1~제7의 막패턴(W1~W7)이 형성된다. 또한, 본 실시 형태와 같이 노즐 피치와 배선 피치가 일치하지 않는 상태라도, 복수의 토출 노즐을 갖는 액적 토출 헤드(10)를 패턴 형성 영역(R1~R7)의 나란한 방향(X축 방향)으로 이동하면서 액적을 배치함으로써, 각 패턴 형성 영역(R1~R7)의 각각에 대해 액적을 배치하는 배치 순서를 동일하게 하면서 효율 좋게 패턴 형성할 수 있다.
또한, 도 6~도 9에 나타낸 패턴의 형성 방법에서는 이하에 설명하는 관계가 성립하는 경우에 액적을 배치한다. 여기서, 이하의 설명에서는 비트 맵상의 각 픽셀(열)에 관해서 미리 설정되어 있는 지령으로서,
"0" 지령의 경우: 액적을 배치하지 않음,
"1" 지령의 경우: 액적을 배치함,
으로 한다. 또한, 비트 맵의 각열의 번호 n(1~40)을 토출 노즐의 해당 픽셀수 4로 나누었을 때의 나머지가 1의 열(제1 , 제 5, …, 제37열)을 N1, 나머지가 2의 열(제2 , 제 6, …, 제38열)을 N2, 나머지가 3의 열(제3 , 제 7, …, 제39열)을 N3, 나머지가 0의 열(제 4, 제 8, …, 제40열)을 N0로 한다. 즉, 도 6에서는 토출 노즐은 N1열의 각각에 배치되어 있는 상태이고, 도 8에서는 토출 노즐은 N2열의 각각에 배치되어 있는 상태이고, 도 7에서는 토출 노즐은 N3열의 각각에 배치되어 있는 상태이고, 도 9에서는 토출 노즐은 N4열의 각각에 배치되어 있는 상태이다.
또한,
N1에서는 a(n-1)=0, a(n)=1,
N2에서는 a(n)=1, b(n)=1,
b(n-1)=0, b(n)=1
N3에서는 b(n)=1, c(n)=1,
c(n-1)=0, c(n)=1
N4에서는 c(n)=1, d(n)=1,
d(n-1)=0, d(n)=1,
의 관계가 성립한다. 여기서, a는 토출 노즐에 대해서의 4개의 당해 픽셀수중 제1 픽셀(열)에 관한 함수(액적을 토출하는지 여부의 출력 데이터)이고, b, c, 및 d는 제2 , 제3 , 및 제4 픽셀(열)에 관한 함수(액적을 토출하는지 여부의 출력 데이터)이다.
N1에 대해서 도 6을 참조하면서 설명하면, 예를 들어 n=13의 경우, a(13-1)=0, 즉 제12열에는 액적을 배치하지 않는 지령이 미리 비트 맵 데이터상에서 설정되어 있고, a(13)=1, 즉 제13열에는 액적을 배치하는 지령이 미리 설정되어 있지만, 이 때의 지령과 상기 관계가 일치함을 인식한 액적 토출 헤드(10)를 제어하는 후술하는 제어 장치는 토출 노즐(10D)를 통하여 제13열(즉 제1 측부 패턴(Wa)에 대응하는 열)에 액적을 배치한다. 한편, 예를 들어 n=21의 경우, a(20)=1, a(21)=1이고 이것은 상기 관계와 일치하지 않기 때문에, 제어 장치는 제21열에 액적을 배치하지 않는다. 마찬가지로, 예를 들어 n=9의 경우, a(8)=1, a(9)=0이고 상기 관 계와 일치하지 않기 때문에 제어 장치는 제9열에 액적을 배치하지 않는다.
N2에 대해서 도 8을 참조하면서 설명하면, 예를 들어 n=14의 경우, 과거 이력인 a(13)=1, 즉 제13열에 액적을 배치하는 지령이 미리 설정되고, b(14)=1, 즉 제14열에도 액적을 배치하는 지령이 미리 설정 되어 있고, 이 때의 지령과 상기 관계가 일치함을 인식한 제어 장치는 토출 노즐(10D)을 통하여 제14열(즉 제2 측부 패턴(Wb)에 대응하는 열)에 액적을 배치한다. 또한, n=26의 경우, b(25)=0, b(26)=1으로 이것도 상기 관계와 일치하기 때문에, 제어 장치는 토출 노즐(10G)을 통하여 제26열에 액적을 배치한다. 한편, 예를 들어 n=22의 경우, b(21)=1, b(22)=0으로 상기 관계를 만족하지 않기 때문에, 제어 장치는 제22열에 액적을 배치하지 않는다.
N3에 대해서 도 7을 참조하면서 설명하면, 예를 들어 n=7의 경우, c(6)=0, c(7)=1으로 상기 관계를 만족하기 때문에, 제어 장치는 토출 노즐(10B)을 통하여 제7열에 액적을 배치한다. 한편, 예를 들어 n=19의 경우, c(18)=0, c(19)=0으로 상기 관계를 만족하지 않기 때문에, 제어 장치는 제19열에 액적을 배치하지 않는다.
N4에 대해서 도 9를 참조하면서 설명하면, 예를 들어 n=8의 경우, 과거 이력인 c(7)=1, 즉 제7열에 액적을 배치하는 지령이 미리 설정되고, d(8)=1, 즉 제8열에도 액적을 배치하는 지령이 미리 설정 되어 있고, 이 때의 지령과 상기 관계가 일치함을 인식한 제어 장치는 토출 노즐(10B)을 통하여 제8열에 액적을 배치한다. 한편, n=20의 경우, c(19)=0, d(20)=1으로 이것도 상기 관계와 일치하기 때문에, 제어 장치는 토출 노즐(10E)을 통하여 제20열에 액적을 배치한다. 한편, 예를 들어 n=28의 경우, d(27)=1, d(28)=0으로 상기 관계를 만족하지 않기 때문에, 제어 장치는 제28열에 액적을 배치하지 않는다.
또한, 상기 실시 형태에서, 도전막 배선용의 기판으로는 유리, 석영 유리, Si 웨이퍼, 플라스틱 필름, 금속 판 등 각종의 것을 사용할 수 있다. 또한, 이들 각종의 소재 기판의 표면에 반도체막, 금속막, 유전체막, 유기막 등이 하지층으로서 형성된 것도 포함한다.
도전막 배선용의 액체 재료로서, 본 예에서는 도전성 미립자를 분산매에 분산시킨 분산액(액상체)이 사용되며, 이것은 수성이거나 유성이거나 상관없다. 여기서 사용되는 도전성 미립자는 금, 은, 동, 팔라듐, 및 니켈의 어느 하나를 함유하는 금속 미립자 외에, 도전성 중합체나 초전도체의 미립자 등이 사용된다. 이들의 도전성 미립자는 분산성을 향상시키기 위해서 표면에 유기물 등을 코팅하여 사용할 수도 있다. 도전성 미립자의 표면에 코팅하는 코팅재로는 예를 들어 크실렌, 톨루엔 등의 유기 용제나 구연산 등을 들 수 있다.
도전성 미립자의 입경은 5nm이상 0.1㎛이하인 것이 바람직하다. 0.1㎛보다 크면, 상기 액적 토출 헤드의 노즐에 막힘이 생길 우려가 있다. 또한, 5nm보다 작으면, 도전성 미립자에 대한 코팅제의 체적비가 커져서, 얻어지는 막 중의 유기물의 비율이 과다로 된다.
도전성 미립자를 함유하는 액체의 분산매로는 실온에서의 증기압이 0.001mmHg 이상 200mmHg 이하(약 0.133Pa 이상 26600 Pa이하)인 것이 바람직하다. 증기압이 200mmHg보다 높은 경우에는 배치 후에 분산매가 급격하게 증발하여, 양호한 막을 형성하기가 곤란해진다. 또한, 분산매의 증기압은 0.001mmHg 이상 50mmHg 이하(약 0.133Pa 이상 6650Pa 이하)인 것이 보다 바람직하다. 증기압이 50mmHg보다 높은 경우에는 잉크젯법으로 액적을 배치할 때에 건조에 의한 노즐 막힘 일어나기 쉽다. 한편, 실온에서의 증기압이 0.001mmHg보다 낮은 분산매의 경우, 건조가 늦어 막 중에 분산매가 잔류하기 쉬워서, 후속 공정의 열·광처리 후에 양질의 도전막이 얻어지기 어렵다.
상기 분산매로는, 상기의 도전성 미립자를 분산할 수 있는 것으로 응집을 일으키지 않는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 물 외에, 메탄올, 에탄올, 프로파놀, 부탄올 등의 알콜류, n-헵탄, n-옥탄, 데칸, 톨루엔, 크실렌, 시멘, 듀렌, 인덴, 디펜텐, 테트라하이드로나프탈렌, 데카하이드로나프탈렌, 시클로헥실벤젠 등의 탄화수소계 화합물, 또 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에틸렌글리콜 디에틸에테르, 에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 1,2-디메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸)에테르, p-디옥산 등의 에테르계 화합물, 또한 프로필렌 카보네이트, γ-부티로락톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭사이드, 시클로헥사논 등의 극성 화합물을 예시할 수 있다. 이들 중 미립자의 분산성과 분산액의 안정성, 또 잉크젯법으로의 적용의 용이함의 관점에서, 물, 알콜류, 탄화수소계 화합물, 에테르계 화합물이 바람직하고, 보다 바람직한 분산매로는 물, 탄화수소계 화합물을 들 수 있다. 이들 분산매는 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상의 혼합 물로서 사용하여도 좋다.
상기 도전성 미립자를 분산매에 분산하는 경우의 분산질 농도는 1질량% 이상 80질량% 이하이고, 소망하는 도전막의 막두께에 따라 조정하면 좋다. 또한, 80질량%을 넘으면 응집을 일으키기 쉬워, 균일한 막을 얻기 어렵다.
상기 도전성 미립자의 분산액의 표면장력은 0.02N/m 이상 0.07N/m 이하의 범위내인 것이 바람직하다. 잉크젯법으로 액체를 배치할 때, 표면장력이 0.02N/m 미만이면, 잉크 조성물의 노즐면에 대한 젖음성이 증대하기 때문에 비행 곡선이 발생하기 쉬워지고, 0.07N/m를 넘으면 노즐 선단에서의 메니스커스의 형상이 안정되지 않기 때문에 배치양이나, 배치 타이밍의 제어가 곤란하게 된다.
표면장력을 조정하기 위해, 상기 분산액에는 기판과의 접촉각을 크게 저하시키지 않는 범위로, 불소계, 실리콘계, 비이온계 등의 표면장력 조절제를 미량 첨가하면 좋다.
비이온계 표면장력 조절제는 액체의 기판에로의 젖음성을 향상시켜, 막의 레벨링성을 개량하여, 막의 미세한 요철의 발생 등의 방지에 도움이 되는 것이다. 상기 분산액은 필요에 따라서, 알콜, 에테르, 에스테르, 케톤 등의 유기 화합물을 함유해도 좋다.
상기 분산액의 점도는 1mPa·s 이상 50mPa·s 이하인 것이 바람직하다. 잉크젯법을 사용하여 액체 재료를 액적으로서 배치할 때, 점도가 1mPa·s보다 작은 경우에는 노즐 주변부가 잉크의 유출에 의해 오염되기 쉽고, 또 점도가 50mPa·s보다 큰 경우는 노즐 구멍에서의 막힘 빈도가 높아져서 원활한 액적의 배치가 곤란해 진다.
＜표면 처리 공정＞
다음에, 도 1에 나타낸 표면 처리 공정(S2, S3)에 대해서 설명한다. 표면 처리 공정에서는 도전막 배선을 형성할 기판의 표면을 액체 재료에 대해서 발액성으로 가공한다(스텝(S2)).
구체적으로는 도전성 미립자를 함유한 액체 재료에 대한 소정의 접촉각이 60[deg]이상, 바람직하게는 90[deg]이상 110[deg]이하가 되도록 기판에 대해서 표면 처리를 실시한다. 표면의 발액성(젖음성)을 제어하는 방법의 예로는 기판의 표면에 자기 조직화막을 형성하는 방법, 플라즈마 처리법 등을 채용할 수 있다.
자기 조직막 형성법에서는 도전막 배선을 형성할 기판의 표면에, 유기 분자막 등으로 되는 자기 조직화막을 형성한다. 기판 표면을 처리하기 위한 유기 분자막은 기판에 결합 가능한 관능기와, 그 반대측에 친액기 혹은 발액기라고 하는 기판의 표면성을 개질하는(표면 에너지를 제어하는) 관능기와, 이들의 관능기를 연결하는 탄소의 직쇄 혹은 일부 분기한 탄소쇄를 구비하고 있고, 기판에 결합하여 자기 조직화하여 분자막, 예를 들어 단분자막을 형성한다.
여기서, 자기 조직화막란, 기판의 하지층 등의 구성 원자와 반응 가능한 결합성 관능기와 그 이외의 직쇄 분자로 이루어지며, 직쇄 분자의 상호 작용에 의해 매우 높은 배향성을 갖는 화합물을 배향시켜 형성된 막이다. 이 자기 조직화막은 단분자를 배향시켜 형성되어 있으므로, 매우 막두께를 얇게할 수 있고, 또한 분자 레벨로 균일한 막으로 된다. 즉, 막의 표면에 같은 분자가 위치하기 때문에, 막의 표면에 균일하고 또한 우수한 발액성이나 친액성을 부여할 수 있다.
상기의 높은 배향성을 갖는 화합물로서, 예를 들어 플루오로 알킬실란을 사용함으로써, 막의 표면에 플루오로 알킬기가 위치하도록 각 화합물이 배향되어 자기 조직화막이 형성되어, 막의 표면에 균일한 발액성이 부여된다.
자기 조직화막을 형성하는 화합물로는 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실 트리에톡시실란, 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실 트리메톡시실란, 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실 트리클로로실란, 트리데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로옥틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로옥틸트리메톡시실란, 트리데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로옥틸트리클로로실란, 트리플루오로프로필 트리메톡시실란 등의 플루오로 알킬실란(이하 "FAS"라고 함)을 예시할 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다. 또한, FAS를 사용함으로써, 기판과의 밀착성과 양호한 발액성을 얻을 수 있다.
FAS는 일반적으로 구조식 RnSiX(4-n)로 표시된다. 여기서 n은 1이상 3이하의 정수를 나타내며, X는 메톡시기, 에톡시기, 할로겐 원자 등의 가수분해기이다. 또 R은 플루오로 알킬기이고, (CF3)(CF2)x(CH2)y의(여기서 x는 0이상 10이하의 정수를, y는 0이상 4이하의 정수를 나타냄) 구조를 갖고, 복수개의 R 또는 X가 Si에 결합되어 있는 경우에는 R 또는 X는 각각 모두 같아도 좋고, 달라도 좋다. X로 표시되는 가수분해기는 가수분해에 의해 실라놀을 형성하여, 기판(유리, 실리콘)의 하지의 하이드록실기와 반응하여 실록산 결합으로 기판과 결합한다. 한편, R은 표면에 (CF3) 등의 플루오로기를 갖기 때문에, 기판의 하지 표면이 젖지 않는(표면 에너지가 낮은) 표면으로 개질된다.
유기 분자막 등으로 이루어지는 자기 조직화막은, 상기의 원료 화합물과 기판을 동일한 밀폐 용기중에 넣어 두고, 실온에서 2~3일 정도 방치함으로써 기판상에 형성된다. 또한, 밀폐 용기 전체를 100℃로 유지함으로써, 3시간 정도에서 기판상에 형성된다. 이들은 기상으로부터의 형성법이지만, 액상으로부터도 자기 조직화막을 형성할 수 있다. 예를 들어, 원료 화합물을 함유하는 용액 중에 기판을 침지하고, 세정, 건조함으로써 기판상에 자기 조직화막이 형성된다. 또한, 자기 조직화막을 형성하기 앞서, 기판 표면에 자외광을 조사하거나, 용매에 의해 세정하거나 하여, 기판 표면의 전처리를 실시하는 것이 바람직하다.
FAS 처리를 실시한 후, 소망의 발액성으로 처리하는 발액성 제어 처리가 필요에 따라서 행하여진다(스텝(S3)). 즉, 발액화 처리로서 FAS 처리를 했을 때에, 발액성의 작용이 너무 강해서 기판과 이 기판상에 형성한 막패턴이 박리하기 쉬워지는 경우가 있다.
그래서, 발액성을 저하(제어)하는 처리가 행하여진다. 발액성을 저하하는 처리로는 파장 170~400nm정도의 자외선(UV) 조사 처리를 들 수 있다. 소정의 파워의 자외선을 소정 시간만큼 기판에 조사함으로써, FAS 처리된 기판의 발액성이 저 하되어, 기판은 소망하는 발액성을 가지게 된다. 혹은 기판을 오존 분위기에 노출함으로써 기판의 발액성을 제어할 수도 있다.
한편, 플라즈마 처리법에서는 상압 또는 진공 중에서 기판에 대해서 플라즈마 조사를 행한다. 플라즈마 처리에 사용하는 가스종은 도전막 배선을 형성하는 기판의 표면 재질 등을 고려하여 여러 가지로 선택할 수 있다. 처리 가스의 예로는 4불화 메탄, 퍼플루오로 헥산, 퍼플루오로 데칸 등을 예시할 수 있다.
또한, 기판 표면을 발액성으로 가공하는 처리는 소망의 발액성을 갖는 필름, 예를 들어 4불화 에틸렌으로 가공된 폴리이미드 필름 등을 기판 표면에 접착함으로써 행하여도 좋다. 또한, 발액성이 높은 폴리이미드 필름을 그대로 기판으로서 사용하여도 좋다.
＜중간 건조 공정＞
다음에, 도 1에 나타낸 중간 건조 공정(S5)에 대해서 설명한다. 중간 건조 공정(열·광처리 공정)에서는 기판상에 배치된 액적에 함유되는 분산매 혹은 코팅재를 제거한다. 즉, 기판상에 배치된 도전막 형성용의 액체 재료는 미립자간의 전기적 접촉을 양호하게 하기 위해서 분산매를 완전히 제거할 필요가 있다. 또한, 도전성 미립자의 표면에 분산성을 향상시키기 위해서 유기물 등의 코팅재가 코팅되어 있는 경우에는 이 코팅재도 제거할 필요가 있다.
열·광처리는 통상 대기중에서 행하여지지만, 필요에 따라서, 질소, 아르곤, 헬륨 등의 불활성 가스 분위기 중에서 행하여도 좋다. 열·광처리의 처리 온도는 분산매의 비점(증기압), 분위기 가스의 종류나 압력, 미립자의 분산성이나 산화성 등의 열적 거동, 코팅재의 유무나 양, 기재의 내열 온도 등을 고려하여 적절히 결정된다. 예를 들어 유기물로 되는 코팅재를 제거하기 위해서는 약 300℃에서 소성함이 필요하다. 또한, 플라스틱 등의 기판을 사용하는 경우에는 실온 이상 100℃ 이하에서 행함이 바람직하다.
열처리에는 예를 들어 핫 플레이트, 전기로 등의 가열 장치를 사용할 수 있다. 광처리에는 램프 어닐을 사용할 수 있다. 램프 어닐에 사용하는 광의 광원으로는 특별히 한정되지 않지만, 적외선 램프, 크세논램프, YAG 레이저, 아르곤 레이저, 탄산 가스 레이저, XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl 등의 엑시머 레이저 등을 사용할 수 있다. 이들 광원은 일반적으로는 출력 10W이상 5000W이하의 범위가 사용되지만, 본 실시 형태예에서는 100W이상 1000W이하의 범위에서 충분하다. 상기 열·광처리에 의해 미립자간의 전기적 접촉이 확보되어, 도전막으로 변환된다.
또한, 이 때, 분산매의 제거 뿐만 아니라, 분산액을 도전막으로 변환할 때까지, 가열이나 광조사의 정도를 높여도 지장이 없다. 단, 도전막의 변환은 모든 액체 재료의 배치가 종료된 후, 열처리·광처리 공정에서 모아서 행하면 좋기 때문에, 여기에서는 분산매를 어느 정도 제거할 수 있으면 충분하다. 예를 들어, 열처리의 경우는 통상 100℃정도의 가열을 수분간 행하면 좋다. 또한, 건조 처리는 액체 재료의 배치와 병행하여 동시에 진행시킬 수도 있다. 예를 들어, 기판을 미리 가열하여 두거나, 액적 토출 헤드의 냉각과 함께 비점이 낮은 분산매를 사용함으로써, 기판에 액적을 배치한 직후부터, 그 액적의 건조를 진행시킬 수 있다.
＜패턴 형성 장치＞
다음에, 본 발명의 패턴 형성 장치의 일례에 대해서 설명한다. 도 12는 본 실시 형태에 의한 패턴 형성 장치의 개략 사시도이다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 패턴 형성 장치(100)는 액적 토출 헤드(10), 액적 토출 헤드(10)를 X방향으로 구동하기 위한 X방향 가이드축(2), X방향 가이드축(2)을 회전시키는 X방향 구동 모터(3), 기판(11)을 올려 놓기 위한 재치대(4), 재치대(4)를 Y방향으로 구동하기 위한 Y방향 가이드축(5), Y방향 가이드축(5)을 회전시키는 Y방향 구동 모터(6), 클리닝 기구부(14), 히터(15), 및 이들을 통괄적으로 제어하는 제어 장치(8) 등을 구비하고 있다. X방향 가이드축(2) 및 Y방향 가이드축(5)은 각각, 기대(7)상에 고정되어 있다. 또한, 도 12에서는 액적 토출 헤드(10)는 기판(11)의 진행 방향에 대해 직각으로 배치되어 있지만, 액적 토출 헤드(10)의 각도를 조정하여, 기판(11)의 진행 방향에 대해서 교차시키도록 하여도 좋다. 이와 같이 하면, 액적 토출 헤드(10)의 각도를 조정함으로써, 노즐간의 피치를 조절할 수 있다. 또한, 기판(11)과 노즐면과의 거리를 임의로 조절할 수 있도록 하여도 좋다.
액적 토출 헤드(10)는 도전성 미립자를 함유하는 분산액으로 이루어지는 액체 재료를 토출 노즐로부터 토출하는 것이고, X방향 가이드축(2)에 고정되어 있다. X방향 구동 모터(3)는 스테핑 모터 등이고, 제어 장치(8)로부터 X축 방향의 구동 펄스 신호가 공급되면, X방향 가이드축(2)을 회전시킨다. X방향 가이드축(2)의 회전에 의해, 액적 토출 헤드(10)가 기대(7)에 대해서 X축 방향으로 이동한다.
액적 토출 방식으로는 압전체 소자인 피에조 소자를 사용하여 잉크를 토출시 키는 피에조 방식, 액체 재료를 가열하여 발생한 기포(버블)에 의해 액체 재료를 토출시키는 버블 방식 등, 공지의 다양한 기술을 적용할 수 있다. 이 중, 피에조 방식은 액체 재료에 열을 가하지 않기 때문에, 재료의 조성 등에 영향을 주지 않는 이점을 갖는다. 또한, 본 예에서는 액체 재료 선택의 자유도의 높음 및 액적의 제어성의 양호함의 관점에서 상기 피에조 방식을 사용한다.
재치대(4)는 Y방향 가이드축(5)에 고정되고, Y방향 가이드축(5)에는 Y방향 구동 모터(6, 16)가 접속되어 있다. Y방향 구동 모터(6, 16)는 스테핑 모터 등이고, 제어 장치(8)로부터 Y축 방향의 구동 펄스 신호가 공급되면, Y방향 가이드축(5)을 회전시킨다. Y방향 가이드축(5)의 회전에 의해, 재치대(4)가 기대(7)에 대해서 Y축 방향으로 이동한다. 클리닝 기구부(14)는 액적 토출 헤드(10)를 클리닝하여, 노즐의 막힘 등을 막는 것이다. 클리닝 기구부(14)는 상기 클리닝시에서, Y방향의 구동 모터(16)에 의해서 Y방향 가이드축(5)을 따라 이동한다. 히터(15)는 램프 어닐 등의 가열 수단을 사용하여 기판(11)을 열처리하는 것이고, 기판(11)상에 배치된 액체의 증발·건조를 행하는 동시에 도전막으로 변환하기 위한 열처리를 행한다.
본 실시 형태의 패턴 형성 장치(100)에서는 액적 토출 헤드(10)로부터 액체 재료를 토출하면서, X방향 구동 모터(3) 및 Y방향 구동 모터(6)를 통하여, 기판(11)과 액적 토출 헤드(10)를 상대 이동시킴으로써, 기판(11)상에 액체 재료를 배치한다. 액적 토출 헤드(10)의 각 노즐로부터의 액적의 토출양은 제어 장치(8)로부터 상기 피에조 소자에 공급되는 전압에 의해서 제어된다. 또한, 기판(11)상 에 배치되는 액적의 피치는 상기 상대 이동의 속도, 및 액적 토출 헤드(10)로부터의 배치 주파수(피에조 소자로의 구동 전압의 주파수)에 의해서 제어된다. 또한, 기판(11)상에 액적을 개시하는 위치는 상기 상대 이동의 방향, 및 상기 상대 이동시에서의 액적 토출 헤드(10)로부터의 액적의 배치 개시의 타이밍 제어 등에 의해서 제어된다. 이것에 의해, 기판(11)상에 상술한 배선용의 도전막 패턴이 형성된다.
＜전기 광학 장치＞
다음에, 본 발명의 전기 광학 장치의 일례로서 플라즈마형 표시 장치에 대해서 설명한다. 도 13은 본 실시 형태의 플라즈마형 표시 장치(500)의 분해 사시도를 나타내고 있다. 플라즈마형 표시 장치(500)는 서로 대향하여 배치된 기판(501, 502), 및 이들 사이에 형성되는 방전 표시부(510)를 포함하여 구성된다. 방전 표시부(510)는 복수의 방전실(516)이 집합된 것이다. 복수의 방전실(516) 내, 적색 방전실(516(R)), 녹색 방전실(516(G)), 청색 방전실(516(B))의 3개의 방전실(516)이 쌍으로 되어 1 화소를 구성하도록 배치되어 있다.
기판(501)의 상면에는 소정의 간격으로 스트라이프 형상으로 어드레스 전극(511)이 형성되고, 어드레스 전극(511)과 기판(501)의 상면을 덮도록 유전체층(519)이 형성되어 있다.
유전체층(519)상에는 어드레스 전극(511, 511) 간에 위치하고 또 각 어드레스 전극(511)을 따르도록 격벽(515)이 형성되어 있다. 격벽(515)은 어드레스 전극(511)의 폭방향 좌우 양측에 인접하는 격벽과, 어드레스 전극(511)과 직교하는 방향으로 뻗은 격벽을 포함한다. 또한, 격벽(515)에 의해서 나누어진 직사각형 형상의 영역에 대응하여 방전실(516)이 형성되어 있다. 또한, 격벽(515)에 의해서 구획되는 직사각형 형상의 영역의 내측에는 형광체(517)가 배치되어 있다. 형광체(517)는 적색, 녹색, 청색의 어느 하나의 형광을 발광하는 것으로, 적색 방전실(516(R))의 저부에는 적색 형광체(517(R))가, 녹색 방전실(516(G))의 저부에는 녹색 형광체(517(G))가, 청색 방전실(516(B))의 저부에는 청색 형광체(517(B))가 각각 배치되어 있다.
한편, 기판(502)에는, 앞의 어드레스 전극(511)과 직교하는 방향으로 복수의 표시 전극(512)이 스트라이프 형상으로 소정의 간격으로 형성되어 있다. 또한 이들을 덮도록 유전체층(513), 및 MgO 등으로 이루어지는 보호막(514)이 형성되어 있다. 기판(501)과 기판(502)은 상기 어드레스 전극(511…)과 표시 전극(512…)을 서로 직교시키도록 대향시켜 서로 접합되어 있다. 상기 어드레스 전극(511)과 표시 전극(512)은 도시 생략의 교류 전원에 접속되어 있다. 각 전극에 통전함으로써, 방전 표시부(510)에서 형광체(517)가 여기 발광하여, 컬러 표시가 가능해진다.
본 실시 형태에서는 상기 어드레스 전극(511), 및 표시 전극(512)이 각각, 앞의 도 12에 나타낸 패턴 형성 장치를 사용하고, 앞의 도 1~도 11에 나타낸 패턴의 형성 방법에 의하여 형성되어 있다. 그 때문에, 상기 각 배선류의 선폭을 균일하게 할 수 있고, 또한 각 배선간에서 외관상 불균일이 없는 양호한 시인성을 갖는 표시 장치를 제공할 수 있다.
다음에, 본 발명의 전기 광학 장치의 다른 예로서 액정 장치에 대해서 설명 한다. 도 14는 본 실시 형태에 의한 액정 장치의 제1 기판상의 신호 전극 등의 평면 레이아웃을 나타내는 것이다. 본 실시 형태에 의한 액정 장치는 이 제1 기판과, 주사 전극 등이 설치된 제2 기판(도시하지 않음)과, 제1 기판과 제2 기판 사이에 봉입된 액정(도시하지 않음)으로 개략 구성되어 있다.
도 14에 나타내는 바와 같이, 제1 기판(300)상의 화소 영역(303)에는 복수의 신호 전극(310…)이 다중 매트릭스상으로 설치되어 있다. 특히 각 신호 전극(310…)은 각 화소에 대응하여 설치된 복수의 화소 전극 부분(310a…)과 이들을 다중 매트릭스상으로 접속하는 신호 배선 부분(310b…)으로 구성 되어 있고, Y방향으로 뻗어 있다. 또한, 부호 350은 1칩 구조의 액정 구동 회로로써, 이 액정 구동 회로(350)와 신호 배선 부분(310b…)의 일단측(도면중 하측)이 제1 인회 배선(331…)을 통하여 접속되어 있다. 또한, 부호 340…은 상하 도통 단자이고, 이 상하 도통 단자(340…)와, 도시하지 않은 제2 기판상에 설치된 단자가 상하 도통재(341…)에 의해서 접속되어 있다. 또한, 상하 도통 단자(340…)와 액정 구동 회로(350)가 제2 인회 배선(332…)을 통하여 접속되어 있다.
본 실시 형태예에서는 상기 제1 기판(300)상에 설치된 신호 배선 부분(310b…), 제1 인회 배선(331…), 및 제2 인회 배선(332…)이 각각, 앞의 도 12에 나타낸 패턴 형성 장치를 사용하고, 앞의 도 1~도 11에 나타낸 패턴의 형성 방법에 의하여 형성되어 있다. 그 때문에, 균일한 선폭을 갖는 배선을 형성할 수 있다. 또한, 대형화한 액정용 기판의 제조에 적용한 경우에도, 배선용 재료를 효율적으로 사용할 수 있어, 저비용화를 도모할 수 있다. 또한, 본 발명을 적용할 수 있는 디 바이스는 이들 전기 광학 장치에 한정되지 않고, 예를 들어 도전막 배선이 형성되는 회로 기판이나, 반도체의 실장 배선 등, 다른 디바이스 제조에도 적용이 가능하다.
그 다음에, 본 발명의 전기 광학 장치인 액정 표시 장치의 다른 형태에 대해서 설명한다.
도 15에 나타내는 액정 표시 장치(전기 광학 장치)(901)은 대별하면 컬러의 액정 패널(전기 광학 패널)(902)과, 액정 패널(902)에 접속되는 회로 기판(903)을 구비하고 있다. 또한, 필요에 따라서, 백 라이트 등의 조명 장치, 기타 부대 기기가 액정 패널(902)에 부설되어 있다.
액정 패널(902)은 실링재(904)에 의해서 접착된 한쌍의 기판(905a) 및 기판(905b)을 갖고, 이들 기판(905a)과 기판(905b) 사이에 형성되는 간극, 소위 셀 갭에는 액정이 봉입되어 있다. 이들 기판(905a) 및 기판(905b)은 일반적으로는 투광성 재료, 예를 들어 유리, 합성 수지 등에 의해서 형성되어 있다. 기판(905a) 및 기판(905b)의 외측 표면에는 편광판(906a) 및 편광판(906b)이 접합되어 있다. 또한, 도 15에서는 편광판(906b)의 도시를 생략하고 있다.
또한, 기판(905a)의 내측 표면에는 전극(907a)이 형성되고, 기판(905b)의 내측 표면에는 전극(907b)이 형성되어 있다. 이들 전극(907a, 907b)은 스트라이프 형상 또는 문자, 숫자, 기타의 적당의 패턴상으로 형성되어 있다. 또한, 이들 전극(907a, 907b)은 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide: 인듐 주석 산화물) 등의 투광성 재료에 의해서 형성되어 있다. 기판(905a)은 기판(905b)에 대해서 장출(張出) 한 장출부를 갖고, 이 장출부에 복수의 단자(908)가 형성되어 있다. 이들 단자(908)는 기판(905a)상에 전극(907a)을 형성할 때에 전극(907a)과 동시에 형성된다. 따라서, 이들 단자(908)는 예를 들어 ITO에 의해서 형성되어 있다. 이들 단자(908)에는 전극(907a)으로부터 일체로 뻗는 것, 및 도전재(도시하지 않음)을 통하여 전극(907b)에 접속되는 것이 포함된다.
회로 기판(903)에는 배선 기판(909)상의 소정 위치에 액정 구동용 IC로서의 반도체 소자(900)가 실장되어 있다. 또한, 도시는 생략하고 있지만, 반도체 소자(900)가 실장되는 부위 이외의 부위의 소정 위치에는 저항, 콘덴서, 기타의 칩 부품이 실장되어도 좋다. 배선 기판(909)은 예를 들어 폴리이미드 등의 가요성을 갖는 베이스 기판(911)의 위에 형성된 Cu 등의 금속막을 패터닝 하여 배선 패턴(912)을 형성함으로써 제조되어 있다.
본 실시 형태에서는 액정 패널(902)에서의 전극(907a, 907b) 및 회로 기판(903)에서의 배선 패턴(912)이 상기 디바이스 제조 방법에 의해서 형성되어 있다.
본 실시 형태의 액정 표시 장치에 의하면, 전기 특성의 불균일이 해소된 고품질의 액정 표시 장치를 얻을 수 있다.
또한, 상술한 예는 패시브형의 액정 패널이지만, 액티브 매트릭스형의 액정 패널로서도 좋다. 즉, 일방의 기판에 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하고, 각 TFT에 대해 화소 전극을 형성한다. 또한, 각 TFT에 전기적으로 접속하는 배선(게이트 배선, 소스 배선)을 상기와 같이 잉크젯 기술을 사용하여 형성할 수 있다. 한편, 대 향하는 기판에는 대향 전극 등이 형성되어 있다. 이러한 액티브 매트릭스형의 액정 패널에도 본 발명을 적용할 수 있다.
다음에, 전기 광학 장치의 다른 실시 형태로서, 전계 방출 소자(전기 방출 소자)을 구비한 전계 방출 디스플레이(Field Emission Display, 이하 FED라 함)에 대해서 설명한다.
도 16은 FED를 설명하기 위한 도면으로서, 도 16의 (a)는 FED를 구성하는 캐소드 기판과 아노드 기판의 배치를 나타낸 개략 구성도, 도 16의 (b)는 FED중 캐소드 기판이 구비하는 구동 회로의 모식도, 도 16의 (c)는 캐소드 기판의 주요부를 나타낸 사시도이다.
도 16의 (a)에 나타내는 바와 같이 FED(전기 광학 장치)(200)는 캐소드 기판(200a)과 아노드 기판(200b)을 대향 배치한 구성으로 되어 있다. 캐소드 기판(200a)은 도 16의 (b)에 나타내는 바와 같이 게이트선(201)과, 이미터선(202)과, 이들 게이트선(201)과 이미터선(202)에 접속된 전계 방출 소자(203)를 구비하고 있고, 즉, 소위 단순 매트릭스 구동 회로로 되어 있다. 게이트선(201)에서는 게이트 신호(V1, V2, …, Vm)가 공급되도록 되어 있고, 이미터선(202)에서는 이미터 신호(W1, W2, …, Wn)가 공급되도록 되어 있다. 또한, 아노드 기판(200b)은 RGB로 이루어지는 형광체를 구비하고 있고, 당해 형광체는 전자가 부딪힘으로써 발광하는 성질을 갖는다.
도 16의 (c)에 나타내는 바와 같이, 전계 방출 소자(203)는 이미터선(202)에 접속된 이미터 전극(203a)과, 게이트선(201)에 접속된 게이트 전극(203b)을 구비한 구성으로 되어 있다. 또한 이미터 전극(203a)은 이미터 전극(203a)측으로부터 게이트 전극(203b)으로 향해 소경화하는 이미터팁(205)이라고 하는 돌기부를 구비하고 있고, 이 이미터팁(205)과 대응한 위치에 게이트 전극(203b)에 구멍부(204)가 형성되고, 구멍부(204) 내에 이미터팁(205)의 선단이 배치되어 있다.
이러한 FED(200)에서는, 게이트선(201)의 게이트 신호(V1, V2, …, Vm) 및 이미터선(202)의 이미터 신호(W1, W2, …, Wn)를 제어함으로써, 이미터 전극(203a)과 게이트 전극(203b) 사이에 전압이 공급되어, 전해의 작용에 의해서 이미터팁(205)으로부터 구멍부(204)로 향해 전자(210)가 이동하여, 이미터팁(205)의 선단으로부터 전자(210)가 방출된다. 여기서, 당해 전자(210)와 아노드 기판(200b)의 형광체가 부딪힘으로써 발광하므로, 소망의 FED(200)를 구동할 수 있게 된다.
이렇게 구성된 FED에서는 예를 들어 이미터 전극(203a)이나 이미터선(202), 또 게이트 전극(203b)이나 게이트선(201)이 상기 디바이스 제조 방법에 의해서 형성되어 있다.
본 실시 형태의 FED에 의하면, 전기 특성의 불균일이 해소된 고품질의 FED를 얻을 수 있다.
＜전자 기기＞
다음에, 본 발명의 전자 기기의 예에 대해서 설명한다. 도 17은 상술한 실시 형태에 의한 표시 장치를 구비한 모바일형의 퍼스널 컴퓨터(정보 처리 장치)의 구성을 나타내는 사시도이다. 동일 도면에서, 퍼스널 컴퓨터(1100)는 키보드(1102)를 구비한 본체부(1104)와, 상술한 전기 광학 장치(1106)를 구비한 표시 장치 유닛으로 구성되어 있다. 그 때문에, 발광 효율이 높아 밝은 표시부를 구비한 전자 기기를 제공할 수 있다.
또한, 상술한 예에 더하여, 다른 예로서, 휴대 전화, 손목 시계형 전자 기기, 액정 텔레비젼, 뷰파인더형이나 모니터 직시형의 비디오 테이프 레코더, 카내비게이션 장치, 페이져, 전자 수첩, 계산기, 워드 프로세서, 워크스테이션, 화상 전화, POS 단말, 전자 페이퍼, 터치 패널을 구비한 기기 등을 들 수 있다. 본 발명의 전기 광학 장치는 이러한 전자 기기의 표시부로서도 적용할 수 있다. 또한, 본 실시 형태의 전자 기기는 액정 장치를 구비하는 것, 유기 전계 발광 표시 장치, 플라즈마형 표시 장치 등, 다른 전기 광학 장치를 구비한 전자 기기로 할 수도 있다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명에 의한 적합한 실시 형태예에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않음은 말할 필요도 없다. 상술한 예에서 나타낸 각 구성부재의 제형상이나 조합 등은 일례로서, 본 발명의 주지로부터 일탈하지 않는 범위에서 설계 요구 등에 의하여 여러 가지로 변경 가능하다.
본 발명에 의하면, 액체 재료의 액적을 기판상에 배치함으로써 복수의 막패턴을 형성할 때, 각 막패턴끼리의 사이에서의 선폭의 편차나 외관상의 불균일의 발생을 억제할 수 있는 패턴의 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 디바이스의 제조 방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면 선폭의 편차가 억제된 도전막 배선, 이 도전막 배선을 갖는 전기 광학 장치, 및 이것을 사용한 전자 기기를 제공할 수 있다.

Claims (18)

  1. 액체 재료의 액적을 기판상에 배치함으로써 막패턴을 형성하는 패턴의 형성 방법으로서,
    상기 기판상에 상기 막패턴을 형성하는 패턴 형성 영역을 복수 설정하는 공정과,
    상기 설정한 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 복수의 액적을 순차 배치하여 상기 막패턴을 형성하는 공정을 갖고,
    상기 액적을 순차 배치할 때, 1회째에 배치하는 상기 액적끼리는 겹치지 않도록 배치하고, 2회째 이후에 배치하는 상기 액적은 전회 이전에 배치된 상기 액적 사이를 메우도록 배치하고, 2회째 이후에 배치되는 상기 액적은, 이전에 배치된 상기 액적 중 적어도 2개 이상의 액적의 일부와 겹치고,
    상기 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 대해 상기 액적을 배치하는 배치 순서를 동일하게 하여 상기 액적을 배치하는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판상에 상기 액적이 배치되는 격자 형상의 복수의 단위 영역을 설정하고, 상기 복수의 단위 영역 중 소정의 단위 영역에 대해서 상기 액적을 배치하는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 상기 액적을 동시에 배치하는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 막패턴은 선형상(線形狀) 패턴이고, 그 막패턴의 선폭방향 측부를 형성한 후에 중앙부를 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 패턴 형성 영역을 소정 방향으로 복수 나란히 설정하는 동시에 그 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 대응하여 상기 액적을 배치하는 토출부를 복수 설치하고,
    상기 패턴 형성 영역의 나란한 방향으로 상기 토출부를 이동하면서 상기 액적을 배치하는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 액체 재료는 도전성 미립자를 포함하는 액상체인 것을 특징으로 하는 패턴의 형성 방법.
  7. 삭제
  8. 액체 재료의 액적을 기판상에 배치하는 액적 토출 장치를 구비하고, 상기 액적에 의해 막패턴을 형성하는 패턴 형성 장치로서,
    상기 액적 토출 장치는 상기 기판상에 미리 복수 설정된 상기 막패턴을 형성하는 패턴 형성 영역의 각각에 복수의 액적을 순차 배치하고,
    상기 액적을 순차 배치할 때, 1회째에 배치하는 상기 액적끼리는 겹치지 않도록 배치하고, 2회째 이후에 배치하는 상기 액적은 전회 이전에 배치된 상기 액적 사이를 메우도록 배치하고, 2회째 이후에 배치되는 상기 액적은, 이전에 배치된 상기 액적 중 적어도 2개 이상의 액적의 일부와 겹치고,
    상기 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 대해 상기 액적을 배치하는 배치 순서를 동일하게 하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 장치.
  9. 삭제
  10. 배선 패턴을 갖는 디바이스의 제조 방법에 있어서,
    상기 기판상에 복수 설정된 상기 배선 패턴을 형성하는 패턴 형성 영역의 각각에 액체 재료의 액적을 배치함으로써 상기 배선 패턴을 형성하는 재료 배치 공정을 갖고,
    상기 재료 배치 공정은 상기 설정한 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 복수의 액적을 순차 배치하여 상기 막패턴을 형성하는 공정을 갖고,
    상기 액적을 순차 배치할 때, 1회째에 배치하는 상기 액적끼리는 겹치지 않도록 배치하고, 2회째 이후에 배치하는 상기 액적은 전회 이전에 배치된 상기 액적 사이를 메우도록 배치하고, 2회째 이후에 배치되는 상기 액적은, 이전에 배치된 상기 액적 중 적어도 2개 이상의 액적의 일부와 겹치고,
    상기 복수의 패턴 형성 영역의 각각에 대해 상기 액적을 배치하는 배치 순서를 동일하게 하여 상기 액적을 배치하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  11. 삭제
  12. 제8항 기재의 패턴 형성 장치에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 도전막 배선.
  13. 삭제
  14. 제12항 기재의 도전막 배선을 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  15. 제14항 기재의 전기 광학 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100822423B1 (ko) 2005-08-26 2008-04-16 세이코 엡슨 가부시키가이샤 층 형성 방법, 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법 및 다층배선 기판의 제조 방법

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4506118B2 (ja) * 2003-07-02 2010-07-21 セイコーエプソン株式会社 吐出装置、カラーフィルタ基板の製造装置、エレクトロルミネッセンス表示装置の製造装置、プラズマ表示装置の製造装置、配線製造装置、および塗布方法。
JP2006100401A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Seiko Epson Corp 配線パターン形成方法、配線パターン、電子機器
JP2006221059A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Future Vision:Kk 表示装置用基板およびこの表示装置用基板を用いた画像表示装置
CN100461335C (zh) * 2005-08-26 2009-02-11 精工爱普生株式会社 层形成方法、有源矩阵基板的制造方法及多层布线基板的制造方法
JP5049581B2 (ja) * 2006-12-21 2012-10-17 キヤノン株式会社 形成方法
JP5085965B2 (ja) * 2007-03-30 2012-11-28 富士フイルム株式会社 樹脂膜形成方法、樹脂膜形成装置、及び電子回路基板製造方法
KR100833110B1 (ko) * 2007-04-27 2008-05-28 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 제조방법
KR100862002B1 (ko) * 2007-05-03 2008-10-07 삼성전기주식회사 기판의 표면처리방법 및 기판의 제조방법
TWI475124B (zh) 2009-05-22 2015-03-01 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
JP5620146B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-05 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置
US8882920B2 (en) 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882921B2 (en) 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8802200B2 (en) 2009-06-09 2014-08-12 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
US9174250B2 (en) 2009-06-09 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
KR101074792B1 (ko) * 2009-06-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101097311B1 (ko) 2009-06-24 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하기 위한 유기막 증착 장치
KR101117719B1 (ko) * 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101117720B1 (ko) 2009-06-25 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법
KR20110014442A (ko) 2009-08-05 2011-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101127575B1 (ko) 2009-08-10 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
US20110033621A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including deposition blade
KR101127578B1 (ko) 2009-08-24 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP5676175B2 (ja) 2009-08-24 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8486737B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
JP5611718B2 (ja) * 2009-08-27 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8696815B2 (en) 2009-09-01 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101146982B1 (ko) 2009-11-20 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법
JP5394227B2 (ja) * 2009-12-29 2014-01-22 シャープ株式会社 パターン描画装置およびパターン描画方法
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101673017B1 (ko) 2010-07-30 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR101678056B1 (ko) 2010-09-16 2016-11-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120029166A (ko) 2010-09-16 2012-03-26 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
KR101923174B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 정전 척, 상기 정전 척을 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101857992B1 (ko) 2011-05-25 2018-05-16 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR20130004830A (ko) 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR20130010730A (ko) 2011-07-19 2013-01-29 삼성디스플레이 주식회사 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치
KR20130015144A (ko) 2011-08-02 2013-02-13 삼성디스플레이 주식회사 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법
KR20130069037A (ko) 2011-12-16 2013-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
DE112013001263T5 (de) 2012-03-02 2015-04-30 Pulse Electronics, Inc. Abgeschiedene Antennenvorrichtung und Verfahren dazu
KR102015872B1 (ko) 2012-06-22 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR102013315B1 (ko) 2012-07-10 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101959974B1 (ko) 2012-07-10 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
CN103545460B (zh) 2012-07-10 2017-04-12 三星显示有限公司 有机发光显示装置、有机发光显示设备及其制造方法
US9461277B2 (en) 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
KR101632298B1 (ko) 2012-07-16 2016-06-22 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시장치 및 그 제조방법
KR102013318B1 (ko) 2012-09-20 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101994838B1 (ko) 2012-09-24 2019-10-01 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140050994A (ko) 2012-10-22 2014-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102052069B1 (ko) 2012-11-09 2019-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR102075525B1 (ko) 2013-03-20 2020-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140118551A (ko) 2013-03-29 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102081284B1 (ko) 2013-04-18 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102037376B1 (ko) 2013-04-18 2019-10-29 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트, 이를 구비하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102107104B1 (ko) 2013-06-17 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102108361B1 (ko) 2013-06-24 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US10020561B2 (en) 2013-09-19 2018-07-10 Pulse Finland Oy Deposited three-dimensional antenna apparatus and methods
KR102162797B1 (ko) 2013-12-23 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
WO2015111731A1 (ja) * 2014-01-24 2015-07-30 コニカミノルタ株式会社 パターン形成方法、透明導電膜付き基材、デバイス及び電子機器
KR102123615B1 (ko) 2014-02-12 2020-06-17 펄스 핀랜드 오와이 전도성 부재 배치 및 형성을 위한 방법 및 장치
US9833802B2 (en) * 2014-06-27 2017-12-05 Pulse Finland Oy Methods and apparatus for conductive element deposition and formation

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990067996A (ko) * 1998-01-19 1999-08-25 야스카와 히데아키 패턴형성방법 및 기판제조방법
KR100229232B1 (ko) * 1994-12-16 1999-11-01 미다라이 후지오 전자 방출 소자, 전자 소스 기판, 전자 소스, 디스플레이패널및화상형성장치,및그제조방법
JP2002196127A (ja) * 2000-10-17 2002-07-10 Seiko Epson Corp インクジェット式記録装置および機能性液体付与基板の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3241613B2 (ja) * 1995-10-12 2001-12-25 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法
JP2001319567A (ja) * 2000-02-28 2001-11-16 Ricoh Co Ltd 電子源基板および該電子源基板を用いた画像表示装置
JP2003080694A (ja) * 2001-06-26 2003-03-19 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
JP3578162B2 (ja) * 2002-04-16 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 パターンの形成方法、パターン形成装置、導電膜配線、デバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100229232B1 (ko) * 1994-12-16 1999-11-01 미다라이 후지오 전자 방출 소자, 전자 소스 기판, 전자 소스, 디스플레이패널및화상형성장치,및그제조방법
KR19990067996A (ko) * 1998-01-19 1999-08-25 야스카와 히데아키 패턴형성방법 및 기판제조방법
JP2002196127A (ja) * 2000-10-17 2002-07-10 Seiko Epson Corp インクジェット式記録装置および機能性液体付与基板の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100822423B1 (ko) 2005-08-26 2008-04-16 세이코 엡슨 가부시키가이샤 층 형성 방법, 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법 및 다층배선 기판의 제조 방법

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