KR101074792B1 - 박막 증착 장치 - Google Patents

박막 증착 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101074792B1
KR101074792B1 KR1020090052357A KR20090052357A KR101074792B1 KR 101074792 B1 KR101074792 B1 KR 101074792B1 KR 1020090052357 A KR1020090052357 A KR 1020090052357A KR 20090052357 A KR20090052357 A KR 20090052357A KR 101074792 B1 KR101074792 B1 KR 101074792B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
deposition
nozzle
slits
thin film
distance
Prior art date
Application number
KR1020090052357A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100133677A (ko
Inventor
이충호
이정민
Original Assignee
삼성모바일디스플레이주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성모바일디스플레이주식회사 filed Critical 삼성모바일디스플레이주식회사
Priority to KR1020090052357A priority Critical patent/KR101074792B1/ko
Priority to US12/813,786 priority patent/US20100316801A1/en
Publication of KR20100133677A publication Critical patent/KR20100133677A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101074792B1 publication Critical patent/KR101074792B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/0445Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
    • H01L21/0455Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion
    • H01L21/046Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion using ion implantation
    • H01L21/0465Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion using ion implantation using masks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것으로, 상세하게는 대형 기판 양산 공정에 용이하게 적용될 수 있고, 제조 수율이 향상된 박막 증착 장치에 관한 것이다.
본 발명은 증착원; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 제1 슬릿들이 형성되는 제1 노즐; 상기 증착원과 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 제2 슬릿들이 형성되는 제2 노즐; 및 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이에 상기 제1 방향을 따라 배치되어, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 복수 개의 차단벽들을 구비하는 차단벽 어셈블리;를 포함하고, 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 서로 상이하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치를 제공한다.

Description

박막 증착 장치{Apparatus for thin layer deposition}
본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것으로, 상세하게는 대형 기판 양산 공정에 용이하게 적용될 수 있고, 제조 수율이 향상된 박막 증착 장치에 관한 것이다.
디스플레이 장치들 중, 유기 발광 디스플레이 장치는 시야각이 넓고 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로서 주목을 받고 있다.
일반적으로, 유기 발광 디스플레이 장치는 애노드와 캐소드에서 주입되는 정공과 전자가 발광층에서 재결합하여 발광하는 원리로 색상을 구현할 수 있도록, 애노드와 캐소드 사이에 발광층을 삽입한 적층형 구조를 가지고 있다. 그러나, 이러한 구조로는 고효율 발광을 얻기 어렵기 때문에, 각각의 전극과 발광층 사이에 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등의 중간층을 선택적으로 추가 삽입하여 사용하고 있다.
그러나, 발광층 및 중간층 등의 유기 박막의 미세 패턴을 형성하는 것이 실질적으로 매우 어렵고, 상기 층에 따라 적색, 녹색 및 청색의 발광 효율이 달라지기 때문에, 종래의 박막 증착 장치로는 대면적(5G 이상의 마더 글래스(mother- glass))에 대한 패터닝이 불가능하여 만족할 만한 수준의 구동 전압, 전류 밀도, 휘도, 색순도, 발광 효율 및 수명 등을 가지는 대형 유기 발광 디스플레이 장치를 제조할 수 없는 바, 이의 개선이 시급하다.
한편, 유기 발광 디스플레이 장치는 서로 대향된 제1 전극 및 제2 전극 사이에 발광층 및 이를 포함하는 중간층을 구비한다. 이때 상기 전극들 및 중간층은 여러 방법으로 형성될 수 있는데, 그 중 한 방법이 증착이다. 증착 방법을 이용하여 유기 발광 디스플레이 장치를 제작하기 위해서는, 박막 등이 형성될 기판 면에, 형성될 박막 등의 패턴과 동일한 패턴을 가지는 파인 메탈 마스크(fine metal mask: FMM)를 밀착시키고 박막 등의 재료를 증착하여 소정 패턴의 박막을 형성한다.
본 발명은 제조가 용이하고, 대형 기판 양산 공정에 용이하게 적용될 수 있으며, 제조 수율 및 증착 효율이 향상되고, 증착 물질의 재활용이 용이한 박막 증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 증착원; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 제1 슬릿들이 형성되는 제1 노즐; 상기 증착원과 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 제2 슬릿들이 형성되는 제2 노즐; 및 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이에 상기 제1 방향을 따라 배치되어, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 복수 개의 차단벽들을 구비하는 차단벽 어셈블리;를 포함하고, 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 서로 상이하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 각 증착 공간의 중심에서 멀어질수록, 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 가깝게 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 각 증착 공간 내에서, 상기 각 증착 공간에 배치된 상기 제1 슬릿과의 거리가 멀어질수록, 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 가깝게 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 각 증착 공간 내에서, 상기 제2 슬릿들이 상기 각 증착 공간 내에 등간격으로 배치될 때에 비하여, 상기 제2 슬릿들은 상기 각 증착 공간의 중심 쪽으로 일정 정도 이동하도록 형성될 수 있다.
여기서, 상기 각 증착 공간의 중심에서 멀어질수록, 상기 제2 슬릿들은 상기 각 증착 공간의 중심 쪽으로 더 이동하도록 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 복수 개의 차단벽들 각각은 상기 제1 방향과 실질적으로 수직인 제2 방향으로 형성되어, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 복수 개의 차단벽들은 등간격으로 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 차단벽들과 상기 제2 노즐은 소정 간격을 두고 이격되도록 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 차단벽 어셈블리는 상기 박막 증착 장치로부터 분리 가능하도록 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 차단벽 어셈블리는 복수 개의 제1 차단벽들을 구비하는 제1 차단벽 어셈블리와, 복수 개의 제2 차단벽들을 구비하는 제2 차단벽 어셈블리를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 복수 개의 제1 차단벽들 및 상기 복수 개의 제2 차단벽들 각각은 상기 제1 방향과 실질적으로 수직인 제2 방향으로 형성되어, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획할 수 있다.
여기서, 상기 복수 개의 제1 차단벽들 및 상기 복수 개의 제2 차단벽들 각각은 서로 대응되도록 배치될 수 있다.
여기서, 상기 서로 대응되는 제1 차단벽 및 제2 차단벽은 실질적으로 동일한 평면상에 위치하도록 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 각 증착 공간에는 하나의 상기 제1 슬릿과 복수 개의 상기 제2 슬릿들이 배치되며, 상기 제1 슬릿으로부터의 거리가 멀어질수록 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 가깝게 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제2 노즐은, 상기 증착원에서 기화된 증착 물질이 증착되는 피 증착체로부터 소정 간격을 두고 이격되도록 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 증착원, 상기 제1 노즐, 상기 제2 노즐 및 상기 차단벽 어셈블리는 피 증착체에 대하여 상대적으로 이동가능하도록 형성될 수 있다.
여기서, 상기 증착원, 상기 제1 노즐, 상기 제2 노즐 및 상기 차단벽 어셈블리는 상기 피 증착체에 대하여 상대적으로 이동하면서 상기 피 증착체에 증착 물질을 증착할 수 있다.
여기서, 상기 증착원, 상기 제1 노즐, 상기 제2 노즐 및 상기 차단벽 어셈블리는 상기 피 증착체와 평행한 면을 따라 상대적으로 이동할 수 있다.
다른 측면에 관한 본 발명은, 피 증착체 상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서, 증착원; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 제1 슬릿들이 형성되는 제1 노즐; 상기 증착원과 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 제2 슬릿들이 형성되는 제2 노즐; 및 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이에 배치되는 복수 개의 차단벽들을 구비하는 차단벽 어셈블리;를 포함하고, 상기 제2 노즐은 상기 피 증착체와 소정 간격을 두고 이격되도록 형성되고, 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리는 서로 상이하도록 형성되는 것을 특징 으로 하는 박막 증착 장치를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 복수 개의 차단벽들은 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이에 상기 제1 방향을 따라 배치되어, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획할 수 있다.
여기서, 상기 각 증착 공간의 중심에서 멀어질수록, 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 가깝게 형성될 수 있다.
여기서, 상기 각 증착 공간 내에서, 상기 각 증착 공간에 배치된 상기 제1 슬릿과의 거리가 멀어질수록, 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 가깝게 형성될 수 있다.
여기서, 상기 각 증착 공간 내에서, 상기 제2 슬릿들이 상기 각 증착 공간 내에 등간격으로 배치될 때에 비하여, 상기 제2 슬릿들은 상기 각 증착 공간의 중심 쪽으로 일정 정도 이동하도록 형성될 수 있다.
여기서, 상기 각 증착 공간의 중심에서 멀어질수록, 상기 제2 슬릿들은 상기 각 증착 공간의 중심 쪽으로 더 이동하도록 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 복수 개의 차단벽들은 등간격으로 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 차단벽들과 상기 제2 노즐은 소정 간격을 두고 이격되도록 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 차단벽 어셈블리는 상기 박막 증착 장치로부터 분리 가능하도록 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 차단벽 어셈블리는 복수 개의 제1 차단벽들을 구비 하는 제1 차단벽 어셈블리와, 복수 개의 제2 차단벽들을 구비하는 제2 차단벽 어셈블리를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 복수 개의 제1 차단벽들 및 상기 복수 개의 제2 차단벽들 각각은 상기 제1 방향과 실질적으로 수직인 제2 방향으로 형성되어, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획할 수 있다.
여기서, 상기 복수 개의 제1 차단벽들 및 상기 복수 개의 제2 차단벽들 각각은 서로 대응되도록 배치될 수 있다.
여기서, 상기 서로 대응되는 제1 차단벽 및 제2 차단벽은 실질적으로 동일한 평면상에 위치하도록 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 각 증착 공간에는 하나의 상기 제1 슬릿과 복수 개의 상기 제2 슬릿들이 배치되며, 상기 제1 슬릿으로부터의 거리가 멀어질수록 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 가깝게 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 증착원, 상기 제1 노즐, 상기 제2 노즐 및 상기 차단벽 어셈블리는 피 증착체에 대하여 상대적으로 이동가능하도록 형성될 수 있다.
여기서, 상기 증착원, 상기 제1 노즐, 상기 제2 노즐 및 상기 차단벽 어셈블리는 상기 피 증착체에 대하여 상대적으로 이동하면서 상기 피 증착체에 증착 물질을 증착할 수 있다.
여기서, 상기 증착원, 상기 제1 노즐, 상기 제2 노즐 및 상기 차단벽 어셈블리는 상기 피 증착체와 평행한 면을 따라 상대적으로 이동할 수 있다.
또 다른 측면에 따른 본 발명은, 기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서, 증착 물질을 방사하는 증착원; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 제1 슬릿들이 형성되는 제1 노즐; 및 상기 제1 노즐과 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향에 대해 수직인 제2 방향을 따라 복수 개의 제2 슬릿들이 형성되는 제2 노즐;을 포함하고, 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 서로 상이하도록 형성되고, 상기 기판은 상기 박막 증착 장치와 소정 정도 이격되도록 형성되어 상기 박막 증착 장치에 대하여 상대적으로 이동가능하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 각 증착 공간의 중심에서 멀어질수록, 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 가깝게 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 각 증착 공간 내에서, 상기 각 증착 공간에 배치된 상기 제1 슬릿과의 거리가 멀어질수록, 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 가깝게 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 각 증착 공간 내에서, 상기 제2 슬릿들이 상기 각 증착 공간 내에 등간격으로 배치될 때에 비하여, 상기 제2 슬릿들은 상기 각 증착 공간의 중심 쪽으로 일정 정도 이동하도록 형성될 수 있다.
여기서, 상기 각 증착 공간의 중심에서 멀어질수록, 상기 제2 슬릿들은 상기 각 증착 공간의 중심 쪽으로 더 이동하도록 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 박막 증착 장치의 상기 제2 노즐은 상기 기판보다 작게 형성될 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 박막 증착 장치에 따르면, 제조가 용이하고, 대형 기판 양산 공정에 용이하게 적용될 수 있으며, 제조 수율 및 증착 효율이 향상되고, 증착 물질의 재활용이 용이해지는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 패턴 간 간격이 균일하게 형성되어 제품 신뢰성이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 증착 장치의 개략적인 측면도이고, 도 3은 도 1의 증착 장치의 개략적인 평면도이다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)는 증착원(110), 제1 노즐(120), 차단벽 어셈블리(130), 제2 노즐(150), 제2 노즐 프레임(155) 및 기판(160)을 포함한다.
여기서, 도 1, 도 2 및 도 3에는 설명의 편의를 위해 챔버를 도시하지 않았지만, 도 1 내지 도 3의 모든 구성은 적절한 진공도가 유지되는 챔버 내에 배치되는 것이 바람직하다. 이는 증착 물질의 직진성을 확보하기 위함이다.
상세히, 증착원(110)에서 방출된 증착 물질(115)이 제1 노즐(120) 및 제2 노즐(150)을 통과하여 기판(160)에 원하는 패턴으로 증착되게 하려면, 기본적으로 챔버(미도시) 내부는 FMM 증착 방법과 동일한 고진공 상태를 유지해야 한다. 또한 차단벽(131) 및 제2 노즐(150)의 온도가 증착원(110) 온도보다 충분히 낮아야(약 100℃이하) 제1 노즐(120)과 제2 노즐(150) 사이의 공간을 고진공 상태로 유지할 수 있다. 이와 같이, 차단벽 어셈블리(130)와 제2 노즐(150)의 온도가 충분히 낮으면, 원하지 않는 방향으로 방사되는 증착 물질(115)은 모두 차단벽 어셈블리(130) 면에 흡착되어서 고진공을 유지할 수 있기 때문에, 증착 물질 간의 충돌이 발생하지 않아서 증착 물질의 직진성을 확보할 수 있게 되는 것이다. 이때 차단벽 어셈블리(130)는 고온의 증착원(110)을 향하고 있고, 증착원(110)과 가까운 곳은 최대 167℃ 가량 온도가 상승하기 때문에, 필요할 경우 부분 냉각 장치가 더 구비될 수 있다. 이를 위하여, 차단벽 어셈블리(130)에는 냉각 부재가 형성될 수 있다. 이에 대하여는 뒤에서 다시 설명한다.
이러한 챔버(미도시) 내에는 피 증착체인 기판(160)이 배치된다. 상기 기판(160)은 평판 표시장치용 기판이 될 수 있는 데, 다수의 평판 표시장치를 형성할 수 있는 마더 글라스(mother glass)와 같은 대면적 기판이 적용될 수 있다.
챔버 내에서 상기 기판(160)과 대향하는 측에는, 증착 물질(115)이 수납 및 가열되는 증착원(110)이 배치된다. 상기 증착원(110) 내에 수납되어 있는 증착 물질(115)이 기화됨에 따라 기판(160)에 증착이 이루어진다. 상세히, 증착원(110)은 그 내부에 증착 물질(115)이 채워지는 도가니(111)와, 도가니(111)를 가열시켜 도가니(111) 내부에 채워진 증착 물질(115)을 도가니(111)의 일 측, 상세하게는 제1 노즐(120) 측으로 증발시키기 위한 히터(112)를 포함한다.
증착원(110)의 일 측, 상세하게는 증착원(110)에서 기판(160)을 향하는 측에는 제1 노즐(120)이 배치된다. 그리고, 제1 노즐(120)에는, Y축 방향을 따라서 복 수 개의 제1 슬릿(121)들이 형성된다. 여기서, 상기 복수 개의 제1 슬릿들(121)은 등 간격으로 형성될 수 있다. 증착원(110) 내에서 기화된 증착 물질(115)은 이와 같은 제1 노즐(120)을 통과하여 피 증착체인 기판(160) 쪽으로 향하게 되는 것이다.
제1 노즐(120)의 일 측에는 차단벽 어셈블리(130)가 구비된다. 상기 차단벽 어셈블리(130)는 복수 개의 차단벽(131)들과, 차단벽(131)들 외측에 구비되는 차단벽 프레임(132)을 포함한다. 상기 복수 개의 차단벽(131)들은 Y축 방향을 따라서 서로 나란하게 구비될 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 차단벽(131)들은 등 간격으로 형성될 수 있다. 또한, 각각의 차단벽(131)들은 도면에서 보았을 때 XZ평면과 나란하도록, 다시 말하면 Y축 방향에 수직이 되도록 형성된다. 이와 같이 배치된 복수 개의 차단벽(131)들은 제1 노즐(120)과 후술할 제2 노즐(150) 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간(S)으로 구획하는 역할을 수행한다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)는 상기 차단벽(131)들에 의하여, 증착 물질이 분사되는 각각의 제1 슬릿(121) 별로 증착 공간(S)이 분리되는 것을 일 특징으로 한다.
여기서, 각각의 차단벽(131)들은 서로 이웃하고 있는 제1 슬릿(121)들 사이에 배치될 수 있다. 이는 다시 말하면, 서로 이웃하고 있는 차단벽(131)들 사이에 하나의 제1 슬릿(121)이 배치된다고 볼 수도 있다. 바람직하게, 제1 슬릿(121)은 서로 이웃하고 있는 차단벽(131) 사이의 정 중앙에 위치할 수 있다. 이와 같이, 차단벽(131)이 제1 노즐(120)과 후술할 제2 노즐(150) 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간(S)으로 구획함으로써, 하나의 제1 슬릿(121)으로 배출되는 증착 물질은 다른 제1 슬릿(121)에서 배출된 증착 물질들과 혼합되지 않고, 제2 슬릿(151)을 통과하여 기판(160)에 증착되는 것이다. 다시 말하면, 차단벽(131)들은 제1 슬릿(121)을 통해 배출되는 증착 물질이 분산되지 않도록 증착 물질의 Y축 방향의 이동 경로를 가이드 하는 역할을 수행한다.
한편, 상기 복수 개의 차단벽(131)들의 외측으로는 차단벽 프레임(132)이 더 구비될 수 있다. 차단벽 프레임(132)은, 복수 개의 차단벽(131)들의 상하면에 각각 구비되어, 복수 개의 차단벽(131)들의 위치를 지지하는 동시에, 제1 슬릿(121)을 통해 배출되는 증착 물질이 분산되지 않도록 증착 물질의 Z축 방향의 이동 경로를 가이드 하는 역할을 수행한다.
한편, 상기 차단벽 어셈블리(130)는 박막 증착 장치(100)로부터 분리 가능하도록 형성될 수 있다. 상세히, 종래의 FMM 증착 방법은 증착 효율이 낮다는 문제점이 존재하였다. 여기서 증착 효율이란 증착원에서 기화된 재료 중 실제로 기판에 증착된 재료의 비율을 의미하는 것으로, 종래의 FMM 증착 방법에서의 증착 효율은 대략 32% 정도이다. 더구나 종래의 FMM 증착 방법에서는 증착에 사용되지 아니한 대략 68% 정도의 유기물이 증착기 내부의 여기저기에 증착되기 때문에, 그 재활용이 용이하지 아니하다는 문제점이 존재하였다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)에서는 차단벽 어셈블리(130)를 이용하여 증착 공간을 외부 공간과 분리하였기 때문에, 기판(160)에 증착되지 않은 증착 물질은 대부분 차단벽 어셈블리(130) 내에 증착된다. 따라서, 장시간 증착 후, 차단벽 어셈블리(130)에 증착 물 질이 많이 쌓이게 되면, 차단벽 어셈블리(130)를 박막 증착 장치(100)로부터 분리한 후, 별도의 증착 물질 재활용 장치에 넣어서 증착 물질을 회수할 수 있다. 이와 같은 구성을 통하여, 증착 물질 재활용률을 높임으로써 증착 효율이 향상되고 제조 비용이 절감되는 효과를 얻을 수 있다.
증착원(110)과 기판(160) 사이에는 제2 노즐(150) 및 제2 노즐 프레임(155)이 더 구비된다. 제2 노즐 프레임(155)은 대략 창문 틀과 같은 격자 형태로 형성되며, 그 내측에 제2 노즐(150)이 결합된다. 그리고, 제2 노즐(150)에는 Y축 방향을 따라서 복수 개의 제2 슬릿(151)들이 형성된다. 증착원(110) 내에서 기화된 증착 물질(115)은 제1 노즐(120) 및 제2 노즐(150)을 통과하여 피 증착체인 기판(160) 쪽으로 향하게 되는 것이다.
여기서, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)는 제2 노즐(150)의 제2 슬릿(151)들 간의 간격이 일정하지 아니하도록, 상세하게는 중심부에서 멀어질수록 서로 이웃한 제2 슬릿(151)들 간의 간격이 가까워지도록 제2 노즐(150)이 형성되는 것을 일 특징으로 한다. 이와 같은 제2 노즐(150)의 구성에 관하여는 도 4 이하에서 상세히 설명한다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)는 제1 슬릿(121)들의 총 개수보다 제2 슬릿(151)들의 총 개수가 더 많게 형성된다. 또한, 서로 이웃하고 있는 두 개의 차단벽(131) 사이에 배치된 제1 슬릿(121)의 개수보다 제2 슬릿(151)들의 개수가 더 많게 형성된다.
즉, 서로 이웃하고 있는 두 개의 차단벽(131) 사이에는 하나 또는 그 이상 의 제1 슬릿(121)이 배치된다. 동시에, 서로 이웃하고 있는 두 개의 차단벽(131) 사이에는 복수 개의 제2 슬릿(151)들이 배치된다. 그리고, 서로 이웃하고 있는 두 개의 차단벽(131)에 의해서 제1 노즐(120)과 제2 노즐(150) 사이의 공간이 구획되어서, 각각의 제1 슬릿(121) 별로 증착 공간이 분리된다. 따라서, 하나의 제1 슬릿(121)에서 방사된 증착 물질은 대부분 동일한 증착 공간에 있는 제2 슬릿(151)들을 통과하여 기판(160)에 증착되게 되는 것이다.
한편, 상기 제2 노즐(150)은 종래의 파인 메탈 마스크(FMM) 특히 스트라이프 타입(stripe type)의 마스크의 제조 방법과 동일한 방법인 에칭을 통해 제작될 수 있다. 이 경우, 기존 FMM 증착 방법에서는 FMM 크기가 기판 크기와 동일하게 형성되어야 한다. 따라서, 기판 사이즈가 증가할수록 FMM도 대형화되어야 하며, 따라서 FMM 제작이 용이하지 않고, FMM을 인장하여 정밀한 패턴으로 얼라인(align) 하기도 용이하지 않다는 문제점이 존재하였다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)의 경우, 박막 증착 장치(100)가 챔버(미도시)내에서 Z축 방향으로 이동하면서 증착이 이루어진다. 다시 말하면, 박막 증착 장치(100)가 현재 위치에서 증착을 완료하였을 경우, 박막 증착 장치(100) 혹은 기판(160)을 Z축 방향으로 상대적으로 이동시켜서 연속적으로 증착을 수행하게 된다. 따라서, 본 발명의 박막 증착 장치(100)에서는 종래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 제2 노즐(150)을 만들 수 있다. 즉, 본 발명의 박막 증착 장치(100)의 경우, 제2 노즐(150)의 Y축 방향으로의 폭과 기판(160)의 Y축 방향으로의 폭만 동일하게 형성되면, 제2 노즐(150)의 Z축 방향의 길이는 기판(160)의 길이보다 작게 형성될 수 있는 것이다. 이와 같이, 종 래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 제2 노즐(150)을 만들 수 있기 때문에, 본 발명의 제2 노즐(150)은 그 제조가 용이하다. 즉, 제2 노즐(150)의 에칭 작업이나, 그 이후의 정밀 인장 및 용접 작업, 이동 및 세정 작업 등 모든 공정에서, 작은 크기의 제2 노즐(150)이 FMM 증착 방법에 비해 유리하다. 또한, 이는 디스플레이 장치가 대형화될수록 더욱 유리하게 된다.
한편, 상술한 차단벽 어셈블리(130)와 제2 노즐(150)은 서로 일정 정도 이격되도록 형성될 수 있다. 이와 같이 차단벽 어셈블리(130)와 제2 노즐(150)을 서로 이격시키는 이유는 다음과 같다.
먼저, 제2 노즐(150)과 제2 노즐 프레임(155)은 기판(160) 위에서 정밀한 위치와 갭(Gap)을 가지고 얼라인(align) 되어야 하는, 즉 고정밀 제어가 필요한 부분이다. 따라서, 고정밀도가 요구되는 부분의 무게를 가볍게 하여 제어가 용이하도록 하기 위하여, 정밀도 제어가 불필요하고 무게가 많이 나가는 증착원(110), 제1 노즐(120) 및 차단벽 어셈블리(130)를 제2 노즐(150) 및 제2 노즐 프레임(155)으로부터 분리하는 것이다. 다음으로, 고온 상태의 증착원(110)에 의해 차단벽 어셈블리(130)의 온도는 최대 100도 이상 상승하기 때문에, 상승된 차단벽 어셈블리(130)의 온도가 제2 노즐(150)로 전도되지 않도록 차단벽 어셈블리(130)와 제2 노즐(150)을 분리하는 것이다. 다음으로, 본 발명의 박막 증착 장치(100)에서는 차단벽 어셈블리(130)에 붙은 증착 물질을 주로 재활용하고, 제2 노즐(150)에 붙은 증착 물질은 재활용을 하지 않을 수 있다. 따라서, 차단벽 어셈블리(130)가 제2 노즐(150)과 분리되면 증착 물질의 재활용 작업이 용이해지는 효과도 얻을 수 있다. 더불어, 기판(160) 전체의 막 균일도를 확보하기 위해서 보정판(미도시)을 더 구비할 수 있는데, 차단벽(131)이 제2 노즐(150)과 분리되면 보정판(미도시)을 설치하기가 매우 용이하게 된다. 마지막으로, 하나의 기판을 증착하고 다음 기판을 증착하기 전 상태에서 증착 물질이 제2 노즐(150)에 증착되는 것을 방지하여 노즐 교체주기를 증가시키기 위해서는 칸막이(미도시)가 더 구비될 수 있다. 이때 칸막이(미도시)는 차단벽(131)과 제2 노즐(150) 사이에 설치하는 것이 용이하다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치에서 증착 물질이 증착되고 있는 상태를 개략적으로 나타내는 도면이며, 도 4b는 도 4a와 같이 차단벽에 의해 증착 공간이 분리된 상태에서 발생하는 음영(shadow)을 나타내는 도면이며, 도 4c는 증착 공간이 분리되지 아니한 상태에서 발생하는 음영(shadow)을 나타내는 도면이다.
도 4a를 참조하면, 증착원(110)에서 기화된 증착 물질은 제1 노즐(120) 및 제2 노즐(150)을 통과하여 기판(160)에 증착된다. 이때, 제1 노즐(120)과 제2 노즐(150) 사이의 공간은 차단벽(131)들에 의하여 복수 개의 증착 공간(S)으로 구획되어 있으므로, 차단벽(131)에 의해서 제1 노즐(120)의 각각의 제1 슬릿(121)에서 나온 증착 물질은 다른 제1 슬릿(121)에서 나온 증착 물질과 혼합되지 않는다.
제1 노즐(120)과 제2 노즐(150) 사이의 공간이 차단벽 어셈블리(130)에 의하여 구획되어 있을 경우, 도 4b에 도시된 바와 같이, 증착 물질들은 약 55°~ 90°의 각도로 제2 노즐(150)을 통과하여 기판(160)에 증착된다. 즉, 차단벽 어셈블 리(130) 바로 옆의 제2 슬릿(151)을 지나는 증착 물질의 입사 각도는 약 55°가 되고, 중앙 부분의 제2 슬릿(151)을 지나는 증착 물질의 입사 각도는 기판(160)에 거의 수직이 된다. 이때, 기판(160)에 생성되는 음영 영역의 폭(SH1)은 다음의 수학식 1에 의하여 결정된다.
SH1 = s * ds / h
한편, 제1 노즐과 제2 노즐 사이의 공간이 차단벽들에 의하여 구획되어 있지 않을 경우, 도 4c에 도시된 바와 같이, 증착 물질들은 도 4b에서보다 넓은 범위의 다양한 각도로 제2 노즐을 통과하게 된다. 즉, 이 경우 제2 슬릿의 직상방에 있는 제1 슬릿에서 방사된 증착 물질뿐 아니라, 다른 제1 슬릿으로부터 방사된 증착 물질들까지 제2 슬릿을 통해 기판(160)에 증착되므로, 기판(160)에 형성된 음영 영역(SH2)의 폭은 차단판을 구비한 경우에 비하여 매우 크게 된다. 이때, 기판(160)에 생성되는 음영 영역의 폭(SH2)은 다음의 수학식 2에 의하여 결정된다.
SH2 = s * 2d / h
상기 수학식 1과 수학식 2를 비교하여 보았을 때, ds(제1 슬릿의 폭)보다 d(이웃한 차단벽 간의 간격)가 수~수십 배 이상 월등히 크게 형성되므로, 제1 노즐(120)과 제2 노즐(150) 사이의 공간이 차단벽(131)들에 의하여 구획되어 있을 경 우, 음영이 훨씬 작게 형성됨을 알 수 있다. 여기서, 기판(160)에 생성되는 음영 영역의 폭(SH2)을 줄이기 위해서는, (1) 차단벽(131)이 설치되는 간격을 줄이거나(d 감소), (2) 제2 노즐(150)과 기판(160) 사이의 간격을 줄이거나(s 감소), (2) 차단벽(131)의 높이를 높여야 한다(h 증가).
이와 같이, 차단벽(131)을 구비함으로써, 기판(160)에 생성되는 음영(shadow)이 작아지게 되었고, 따라서 제2 노즐(150)을 기판(160)으로부터 이격시킬 수 있게 된 것이다.
상세히, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)에서는, 제2 노즐(150)은 기판(160)으로부터 일정 정도 이격되도록 형성된다. 다시 말하면, 종래의 FMM 증착 방법에서는 기판에 음영(shadow)이 생기지 않도록 하기 위하여 기판에 마스크를 밀착시켜서 증착 공정을 진행하였다. 그러나, 이와 같이 기판에 마스크를 밀착시킬 경우, 기판과 마스크 간의 접촉에 의한 불량 문제가 발생한다는 문제점이 존재하였다. 또한, 마스크를 기판에 대하여 이동시킬 수 없기 때문에, 마스크가 기판과 동일한 크기로 형성되어야 한다. 따라서, 디스플레이 장치가 대형화됨에 따라 마스크의 크기도 커져야 하는데, 이와 같은 대형 마스크를 형성하는 것이 용이하지 아니하다는 문제점이 존재하였다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)에서는 제2 노즐(150)이 피 증착체인 기판(160)과 소정 간격을 두고 이격되도록 배치되도록 한다. 이것은 차단벽(131)을 구비함으로써, 기판(160)에 생 성되는 음영(shadow)이 작아지게 됨으로써 실현 가능해진다.
이와 같은 본 발명에 의해서 마스크를 기판보다 작게 형성한 후, 마스크를 기판에 대하여 이동시키면서 증착을 수행할 수 있게 됨으로써, 마스크 제작이 용이해지는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 기판과 마스크 간의 접촉에 의한 불량을 방지하는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 공정에서 기판과 마스크를 밀착시키는 시간이 불필요해지기 때문에, 제조 속도가 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치의 제2 노즐에 형성된 제2 슬릿들의 구성에 대하여 상세히 설명한다.
도 5a는 박막 증착 장치에서 제2 노즐에 제2 슬릿들이 등 간격으로 형성되어 있는 모습을 나타내는 도면이고, 도 5b는 도 5a의 제2 노즐을 이용하여 기판상에 형성된 박막을 나타내는 도면이다. 그리고, 도 5c는 각 증착 공간(S)의 중심부로부터의 거리에 따른 패턴 쉬프트 량을 도시한 그래프이다. 여기서, 도 5a 및 도 5b는 서로 이웃한 두 개의 차단벽 사이에 배치되는 제2 노즐의 일 부분만을 도시한 것으로서, 다시 말하면 하나의 증착 공간(S) 내에 배치되는 제2 슬릿들을 도시한 것이다.
도 5a 및 도 5b에는 제2 슬릿(151)이 등간격으로 배치된 제2 노즐(150)이 도시되어 있다. 즉, 도 5a에서 l1 = l2 = l3 = l4의 관계가 성립한다.
이 경우, 제1 슬릿(미도시)의 직하방에 배치된 제2 슬릿(151a)을 지나는 증 착 물질의 입사 각도는 기판(160)에 거의 수직이 된다. 따라서 제2 슬릿(151a)을 통과한 증착 물질에 의하여 형성되는 박막은 정 위치에 형성되게 된다.
그러나, 제1 슬릿(미도시)으로부터 멀리 배치된 제2 슬릿을 지나는 증착 물질의 임계 입사 각도(θ)는 점점 커지게 되어서, 가장 끝 부분의 제2 슬릿(151e)을 지나는 증착 물질의 임계 입사 각도(θ)는 약 55°가 된다. 따라서, 증착 물질이 제2 슬릿(151e)에 대해 기울어져서 입사하게 되고, 제2 슬릿(151e)을 통과한 증착 물질에 의하여 형성된 박막은 제2 슬릿(151e)으로부터 왼쪽으로 일정 정도 쉬프트(shift) 된 부분에 형성되는 것이다.
이때, 증착 물질의 쉬프트 량은 다음의 수학식 3에 의하여 결정된다.
Max pattern shift = k * tanθ = k * (2x - ds) / 2h
(k= 제2 노즐과 기판 간의 거리, θ= 증착 물질의 임계 입사 각도,
x= 증착 공간의 중심으로부터의 거리, ds= 증착원 개구부의 폭 ,
h= 증착원과 제2 노즐 사이의 거리)
즉, 증착 물질의 임계 입사 각도(θ)가 커짐에 따라 패턴 쉬프트 량도 커지게 되며, 증착 물질의 임계 입사 각도(θ)는 증착 공간(S)의 중심부로부터 제2 슬릿까지의 거리가 멀수록 커지기 때문에, 증착 공간(S)의 중심부로부터 제2 슬릿까지의 거리가 멀수록 패턴 쉬프트 량도 커지게 되는 것이다. 증착 공간(S)의 중심부로부터 제2 슬릿까지의 거리와 패턴 쉬프트 량 사이의 관계가 도 5c에 도시되어 있 다. 여기서, 제2 노즐과 기판 간의 거리(k), 증착원 개구부의 폭 (ds) 및 증착원과 제2 노즐 사이의 거리(h)는 일정한 것으로 가정한다.
상술한 수학식 3 및 도 5c에 나타난 바와 같이, 제2 슬릿(151b)을 통과하는 증착 물질들은 θb의 임계 입사각으로 제2 슬릿(151b)을 통과하게 되고, 이 경우 제2 슬릿(151b)을 통과한 증착 물질에 의하여 형성된 박막은 왼쪽으로 PS1 만큼 쉬프트(shift) 된 부분에 형성된다. 마찬가지로, 제2 슬릿(151c)을 통과하는 증착 물질들은 θc의 임계 입사각으로 제2 슬릿(151c)을 통과하게 되고, 이 경우 제2 슬릿(151c)을 통과한 증착 물질에 의하여 형성된 박막은 왼쪽으로 PS2 만큼 쉬프트(shift) 된 부분에 형성된다. 마찬가지로, 제2 슬릿(151d)을 통과하는 증착 물질들은 θd의 임계 입사각으로 제2 슬릿(151d)을 통과하게 되고, 이 경우 제2 슬릿(151d)을 통과한 증착 물질에 의하여 형성된 박막은 왼쪽으로 PS3 만큼 쉬프트(shift) 된 부분에 형성된다. 마지막으로, 제2 슬릿(151e)을 통과하는 증착 물질들은 θe의 임계 입사각으로 제2 슬릿(151e)을 통과하게 되고, 이 경우 제2 슬릿(151e)을 통과한 증착 물질에 의하여 형성된 박막은 왼쪽으로 PS4 만큼 쉬프트(shift) 된 부분에 형성된다.
여기서, θb < θc < θd < θe의 관계가 성립하므로, 각각의 제2 슬릿들을 통과한 패턴들의 쉬프트 양 사이에는, PS1 < PS2 < PS3 < PS4 의 관계가 성립하게 된 다. 이처럼, 제2 노즐에 제2 슬릿들이 등 간격으로 형성될 경우, 중심부에서 주변부로 갈수록 패턴들의 쉬프트 양이 커져서 패턴 위치의 오차가 점점 더 크게 발생하게 된다는 문제점이 존재하였다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치에서는 중심부에서 멀어질수록 서로 이웃한 제2 슬릿들 간의 간격이 가깝게 형성되는 것을 일 특징으로 한다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치에서 중심부에서 멀어질수록 서로 이웃한 제2 슬릿들 간의 간격이 가깝게 형성된 모습을 나타내는 도면이고, 도 6b는 도 6a의 제2 노즐을 이용하여 기판상에 형성된 박막을 나타내는 도면이다. 여기서, 도 6a 및 도 6b는 서로 이웃한 두 개의 차단벽 사이에 배치되는 제2 노즐의 일 부분만을 도시한 것으로서, 다시 말하면 하나의 증착 공간(S) 내에 배치되는 제2 슬릿들을 도시한 것이다.
도 6a 및 도 6b에는 중심부에서 멀어질수록 서로 이웃한 제2 슬릿들 간의 간격이 좁게 형성된 제2 노즐(150')이 도시되어 있다. 즉, 도 6a에서는 l1' > l2' > l3' > l4'의 관계가 일반적으로 성립한다.
이를 더욱 상세히 설명하면, 제2 슬릿(151b')과 제2 슬릿(151c') 사이의 간격(l2')은 제2 슬릿(151a')과 제2 슬릿(151b') 사이의 간격(l1')보다 작게 형성되고, 제2 슬릿(151c')과 제2 슬릿(151d') 사이의 간격(l3')은 제2 슬릿(151b')과 제2 슬릿(151c') 사이의 간격(l2')보다 작게 형성되고, 제2 슬릿(151d')과 제2 슬릿(151e') 사이의 간격(l4')은 제2 슬릿(151c')과 제2 슬릿(151d') 사이의 간격(l3')보다 작게 형성된다.
이와 같이 서로 이웃한 제2 슬릿들 간의 간격이 중심부에서 멀어질수록 좁게 형성되는 이유는, 도 5a 및 도 5b에서 살펴본 바와 같이, 중심부에서 멀어질수록 패턴 쉬프트 량이 커지기 때문이다. 이와 같이 중심부에서 멀어질수록 커지는 패턴 쉬프트 량을 보정하기 위해서, 중심부에서 멀어질수록 서로 이웃한 제2 슬릿들 간의 간격을 좁게 형성한다.
여기서, 도 5a에서의 제2 슬릿(151a)과 제2 슬릿(151b) 사이의 간격(l1)보다 도 6a에서의 제2 슬릿(151a')과 제2 슬릿(151b') 사이의 간격(l1')이 더 작게 형성된다.(l1 >l1') 또한, 도 5a에서의 제2 슬릿(151b)과 제2 슬릿(151c) 사이의 간격(l2)보다 도 6a에서의 제2 슬릿(151b')과 제2 슬릿(151c') 사이의 간격(l2')이 더 작게 형성된다.(l2 >l2') 또한, 도 5a에서의 제2 슬릿(151c)과 제2 슬릿(151d) 사이의 간격(l3)보다 도 6a에서의 제2 슬릿(151c')과 제2 슬릿(151d') 사이의 간격(l3')이 더 작게 형성된다.(l3 >l3') 또한, 도 5a에서의 제2 슬릿(151d)과 제2 슬릿(151e) 사이의 간격(l4)보다 도 6a에서의 제2 슬릿(151d')과 제2 슬릿(151e') 사 이의 간격(l4')이 더 작게 형성된다.(l4 > l4')
다만, 상술한 도 5a에서의 제2 슬릿간 간격과 도 6a에서의 제2 슬릿간 간격 사이의 관계식은, 증착 공간의 중심으로부터의 거리(x)가 증착원 개구부의 폭(ds) 보다 큰 경우에만 성립할 것이다. 왜냐하면, 도 5c에 도시된 바와 같이, x=0 근처에서의 패턴 쉬프트 량은 아주 작게나마 음수 값을 갖기 때문에, x<ds 인 영역에서는 패턴 쉬프트가 반대 방향으로 이루어지기 때문이다.
이와 같이, 제2 슬릿들이 등간격으로 배치될 때와 비교하여, 모든 제2 슬릿들이 중심부 쪽으로 소정 정도 이동하는 동시에, 그 중에서도 중심부에서 멀어질수록 서로 이웃한 제2 슬릿들 간의 간격을 좁게 형성한다. 그 결과, 전체적인 패턴 쉬프트 량이 감소하게 되는 것이다. 즉, 도 5a에서의 제1 패턴 쉬프트 량(PS1)에 비해 도 6a에서의 제1 패턴 쉬프트 량(PS1')이 감소하였으며(PS1 > PS1'), 도 5a에서의 제1 패턴 쉬프트 량(PS2)에 비해 도 6a에서의 제1 패턴 쉬프트 량(PS2')이 감소하였으며(PS2 > PS2'), 도 6a에서의 제1 패턴 쉬프트 량(PS3)에 비해 도 6a에서의 제1 패턴 쉬프트 량(PS3')이 감소하였으며(PS3 > PS3'), 도 5a에서의 제1 패턴 쉬프트 량(PS4)에 비해 도 6a에서의 제1 패턴 쉬프트 량(PS4')이 감소한다(PS4 > PSl4').
이와 같이, 제2 노즐(150)의 제2 슬릿들(151)을 일정 정도씩 보정 함으로써, 패턴 쉬프트 현상이 제거될 수 있다. 그리고, 이와 같이 패턴 쉬프트 현상이 감소 하고 패턴을 일정 간격으로 정확하게 형성하는 것이 가능해짐으로써, 제품의 성능 및 신뢰성이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
한편, 도면에는 하나의 증착 공간(S) 내에서의 제2 슬릿(151)들의 배치에 대하여만 도시되어 있으나, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니한다. 즉, 도 6a와 같은 형상의 제2 노즐(150)이 각 증착 공간(S)마다 반복적으로 형성되는 것도 가능하다 할 것이다.
한편, 도면에는 차단벽이 동일한 간격으로 형성되어 있는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니한다. 즉, 차단벽은 서로 상이한 간격으로 배치될 수 있으며, 따라서 각각의 증착 공간(S)의 폭이 달라질 수 있다. 이 경우, 각각의 증착 공간(S) 내에서의 각 제2 슬릿들의 쉬프트 량이 각각의 증착 공간(S) 들마다 달라질 수도 있다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 관한 박막 증착 장치(200)는 증착원(210), 제1 노즐(220), 제1 차단벽 어셈블리(230), 제2 차단벽 어셈블리(240), 제2 노즐(250), 제2 노즐 프레임(255) 및 기판(260)을 포함한다.
여기서, 도 7에는 설명의 편의를 위해 챔버를 도시하지 않았지만, 도 7의 모든 구성은 적절한 진공도가 유지되는 챔버 내에 배치되는 것이 바람직하다. 이는 증착 물질의 직진성을 확보하기 위함이다.
이러한 챔버(미도시) 내에는 피 증착체인 기판(260)이 배치된다. 그리고, 챔버(미도시) 내에서 기판(260)과 대향하는 측에는, 증착 물질(215)이 수납 및 가열되는 증착원(210)이 배치된다. 증착원(210)은 도가니(211)와, 히터(212)를 포함한다.
증착원(210)의 일 측, 상세하게는 증착원(210)에서 기판(260)을 향하는 측에는 제1 노즐(220)이 배치된다. 그리고, 제1 노즐(220)에는, Y축 방향을 따라서 복수 개의 제1 슬릿(221)들이 형성된다.
제1 노즐(220)의 일 측에는 제1 차단벽 어셈블리(230)가 구비된다. 상기 제1 차단벽 어셈블리(230)는 복수 개의 제1 차단벽(231)들과, 제1 차단벽(231)들 외측에 구비되는 제1 차단벽 프레임(232)을 포함한다.
제1 차단벽 어셈블리(230)의 일 측에는 제2 차단벽 어셈블리(240)가 구비된다. 상기 제2 차단벽 어셈블리(240)는 복수 개의 제2 차단벽(241)들과, 제2 차단벽(241)들 외측에 구비되는 제2 차단벽 프레임(242)을 포함한다.
그리고, 증착원(210)과 기판(260) 사이에는 제2 노즐(250) 및 제2 노즐 프레임(255)이 더 구비된다. 제2 노즐 프레임(255)은 대략 창문 틀과 같은 격자 형태로 형성되며, 그 내측에 제2 노즐(250)이 결합된다. 그리고, 제2 노즐(250)에는 Y축 방향을 따라서 복수 개의 제2 슬릿(251)들이 형성된다.
여기서, 본 발명의 제2 실시예에 관한 박막 증착 장치(200)는 차단벽 어셈블리가 제1 차단벽 어셈블리(230)와 제2 차단벽 어셈블리(240)로 분리되어 있는 것을 일 특징으로 한다.
상세히, 상기 복수 개의 제1 차단벽(231)들은 Y축 방향을 따라서 서로 나란하게 구비될 수 있다. 그리고, 상기 복수 개의 제1 차단벽(231)들은 등 간격으로 형성될 수 있다. 또한, 각각의 제1 차단벽(231)은 도면에서 보았을 때 XZ평면과 나란하도록, 다시 말하면 Y축 방향에 수직이 되도록 형성된다.
또한, 상기 복수 개의 제2 차단벽(241)들은 Y축 방향을 따라서 서로 나란하게 구비될 수 있다. 그리고, 상기 복수 개의 제2 차단벽(241)들은 등 간격으로 형성될 수 있다. 또한, 각각의 제2 차단벽(241)은 도면에서 보았을 때 XZ평면과 나란하도록, 다시 말하면 Y축 방향에 수직이 되도록 형성된다.
이와 같이 배치된 복수 개의 제1 차단벽(231) 및 제2 차단벽(241)들은 제1 노즐(220)과 제2 노즐(250) 사이의 공간을 구획하는 역할을 수행한다. 여기서, 본 발명의 제2 실시예에 관한 박막 증착 장치(200)는 상기 제1 차단벽(231) 및 제2 차단벽(241)에 의하여, 증착 물질이 분사되는 각각의 제1 슬릿(221) 별로 증착 공간이 분리되는 것을 일 특징으로 한다.
여기서, 각각의 제2 차단벽(241)들은 각각의 제1 차단벽(231)들과 일대일 대응하도록 배치될 수 있다. 다시 말하면, 각각의 제2 차단벽(241)들은 각각의 제1 차단벽(231)들과 얼라인(align) 되어 서로 나란하게 배치될 수 있다. 즉, 서로 대응하는 제1 차단벽(231)과 제2 차단벽(241)은 서로 동일한 평면상에 위치하게 되는 것이다. 이와 같이, 서로 나란하게 배치된 제1 차단벽(231)들과 제2 차단벽(241)들에 의하여, 제1 노즐(220)과 후술할 제2 노즐(250) 사이의 공간이 구획됨으로써, 하나의 제1 슬릿(221)으로부터 배출되는 증착 물질은 다른 제1 슬릿(221)에서 배출 된 증착 물질들과 혼합되지 않고, 제2 슬릿(251)을 통과하여 기판(260)에 증착되는 것이다. 다시 말하면, 제1 차단벽(231)들 및 제2 차단벽(241)들은 제1 슬릿(221)을 통해 배출되는 증착 물질이 분산되지 않도록 증착 물질의 Y축 방향의 이동 경로를 가이드 하는 역할을 수행한다.
도면에는, 제1 차단벽(231)의 길이와 제2 차단벽(241)의 Y축 방향의 폭이 동일한 것으로 도시되어 있지만, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니한다. 즉, 제2 노즐(250)과의 정밀한 얼라인(align)이 요구되는 제2 차단벽(241)은 상대적으로 얇게 형성되는 반면, 정밀한 얼라인이 요구되지 않는 제1 차단벽(231)은 상대적으로 두껍게 형성되어, 그 제조가 용이하도록 하는 것도 가능하다 할 것이다.
한편, 도면에는 도시되지 않았지만, 본 발명에 제2 실시예에 관한 박막 증착 장치(200)는 중심부에서 멀어질수록 서로 이웃한 제2 슬릿들 간의 간격이 가깝게 형성되는 것을 일 특징으로 한다. 즉, 제2 슬릿들이 등간격으로 배치될 때와 비교하여, 모든 제2 슬릿들이 중심부 쪽으로 소정 정도 이동하는 동시에, 그 중에서도 중심부에서 멀어질수록 서로 이웃한 제2 슬릿들 간의 간격을 좁게 형성한다. 그 결과, 전체적인 패턴 쉬프트 량이 감소하게 되는 것이다. 이와 같은 제2 노즐의 제2 슬릿에 대하여는 제1 실시예에서 상세히 기술하였으므로, 본 실시예에서는 그 자세한 설명은 생략한다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균 등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 증착 장치의 개략적인 측면도이다.
도 3은 도 1의 증착 장치의 개략적인 평면도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치에서 증착 물질이 증착되고 있는 상태를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4b는 도 4a와 같이 차단벽에 의해 증착 공간이 분리된 상태에서 발생하는 음영(shadow)을 나타내는 도면이다.
도 4c는 증착 공간이 분리되지 아니한 상태에서 발생하는 음영(shadow)을 나타내는 도면이다.
도 5a는 박막 증착 장치에서 제2 노즐에 제2 슬릿들이 등 간격으로 형성되어 있는 모습을 나타내는 도면이다.
도 5b는 도 5a의 제2 노즐을 이용하여 기판상에 형성된 박막을 나타내는 도면이다.
도 5c는 각 증착 공간(S)의 중심부로부터의 거리에 따른 패턴 쉬프트 량을 도시한 그래프이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치에서 중심부에서 멀어질수록 서로 이웃한 제2 슬릿들 간의 간격이 가깝게 형성된 모습을 나타내는 도면이다.
도 6b는 도 6a의 제2 노즐을 이용하여 기판상에 형성된 박막을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 박막 증착 장치 110: 증착원
120: 제1 노즐 130: 차단벽 어셈블리
131: 차단벽 132: 차단벽 프레임
150: 제2 노즐 155: 제2 노즐 프레임
160: 기판

Claims (41)

  1. 증착원;
    상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 제1 슬릿들이 형성되는 제1 노즐;
    상기 증착원과 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 제2 슬릿들이 형성되는 제2 노즐; 및
    상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이에 상기 제1 방향을 따라 배치되어, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 복수 개의 차단벽들을 구비하는 차단벽 어셈블리;를 포함하고,
    인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 서로 상이하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 증착 공간의 중심에서 멀어질수록, 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 가깝게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 증착 공간 내에서, 상기 각 증착 공간에 배치된 상기 제1 슬릿과의 거리가 멀어질수록, 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 가깝게 형성되는 것을 특 징으로 하는 박막 증착 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 증착 공간 내에서, 상기 제2 슬릿들이 상기 각 증착 공간 내에 등간격으로 배치될 때에 비하여, 상기 제2 슬릿들은 상기 각 증착 공간의 중심 쪽으로 일정 정도 이동하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 각 증착 공간의 중심에서 멀어질수록, 상기 제2 슬릿들은 상기 각 증착 공간의 중심 쪽으로 더 이동하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수 개의 차단벽들 각각은 상기 제1 방향과 실질적으로 수직인 제2 방향으로 형성되어, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수 개의 차단벽들은 등간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 차단벽들과 상기 제2 노즐은 소정 간격을 두고 이격되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 차단벽 어셈블리는 상기 박막 증착 장치로부터 분리 가능하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 차단벽 어셈블리는 복수 개의 제1 차단벽들을 구비하는 제1 차단벽 어셈블리와, 복수 개의 제2 차단벽들을 구비하는 제2 차단벽 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 복수 개의 제1 차단벽들 및 상기 복수 개의 제2 차단벽들 각각은 상기 제1 방향과 실질적으로 수직인 제2 방향으로 형성되어, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 복수 개의 제1 차단벽들 및 상기 복수 개의 제2 차단벽들 각각은 서로 대응되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 서로 대응되는 제1 차단벽 및 제2 차단벽은 실질적으로 동일한 평면상에 위치하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 증착 공간에는 하나의 상기 제1 슬릿과 복수 개의 상기 제2 슬릿들이 배치되며, 상기 제1 슬릿으로부터의 거리가 멀어질수록 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 가깝게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 노즐은, 상기 증착원에서 기화된 증착 물질이 증착되는 피 증착체로부터 소정 간격을 두고 이격되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 증착원, 상기 제1 노즐, 상기 제2 노즐 및 상기 차단벽 어셈블리는 피 증착체에 대하여 상대적으로 이동가능하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증 착 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 증착원, 상기 제1 노즐, 상기 제2 노즐 및 상기 차단벽 어셈블리는 상기 피 증착체에 대하여 상대적으로 이동하면서 상기 피 증착체에 증착 물질을 증착하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 증착원, 상기 제1 노즐, 상기 제2 노즐 및 상기 차단벽 어셈블리는 상기 피 증착체와 평행한 면을 따라 상대적으로 이동하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  19. 피 증착체 상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서,
    증착원;
    상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 제1 슬릿들이 형성되는 제1 노즐;
    상기 증착원과 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 제2 슬릿들이 형성되는 제2 노즐; 및
    상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이에 배치되는 복수 개의 차단벽들을 구비하는 차단벽 어셈블리;를 포함하고,
    상기 제2 노즐은 상기 피 증착체와 소정 간격을 두고 이격되도록 형성되고,
    인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리는 서로 상이하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 복수 개의 차단벽들은 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이에 상기 제1 방향을 따라 배치되어, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 각 증착 공간의 중심에서 멀어질수록, 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 가깝게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 각 증착 공간 내에서, 상기 각 증착 공간에 배치된 상기 제1 슬릿과의 거리가 멀어질수록, 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 가깝게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  23. 제 20 항에 있어서,
    상기 각 증착 공간 내에서, 상기 제2 슬릿들이 상기 각 증착 공간 내에 등간격으로 배치될 때에 비하여, 상기 제2 슬릿들은 상기 각 증착 공간의 중심 쪽으로 일정 정도 이동하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 각 증착 공간의 중심에서 멀어질수록, 상기 제2 슬릿들은 상기 각 증착 공간의 중심 쪽으로 더 이동하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  25. 제 19 항에 있어서,
    상기 복수 개의 차단벽들은 등간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  26. 제 19 항에 있어서,
    상기 차단벽들과 상기 제2 노즐은 소정 간격을 두고 이격되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  27. 제 19 항에 있어서,
    상기 차단벽 어셈블리는 상기 박막 증착 장치로부터 분리 가능하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  28. 제 19 항에 있어서,
    상기 차단벽 어셈블리는 복수 개의 제1 차단벽들을 구비하는 제1 차단벽 어셈블리와, 복수 개의 제2 차단벽들을 구비하는 제2 차단벽 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 복수 개의 제1 차단벽들 및 상기 복수 개의 제2 차단벽들 각각은 상기 제1 방향과 실질적으로 수직인 제2 방향으로 형성되어, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 복수 개의 제1 차단벽들 및 상기 복수 개의 제2 차단벽들 각각은 서로 대응되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 서로 대응되는 제1 차단벽 및 제2 차단벽은 실질적으로 동일한 평면상에 위치하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  32. 제 20 항에 있어서,
    상기 각 증착 공간에는 하나의 상기 제1 슬릿과 복수 개의 상기 제2 슬릿들 이 배치되며, 상기 제1 슬릿으로부터의 거리가 멀어질수록 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 가깝게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  33. 제 19 항에 있어서,
    상기 증착원, 상기 제1 노즐, 상기 제2 노즐 및 상기 차단벽 어셈블리는 상기 피 증착체에 대하여 상대적으로 이동가능하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 증착원, 상기 제1 노즐, 상기 제2 노즐 및 상기 차단벽 어셈블리는 상기 피 증착체에 대하여 상대적으로 이동하면서 상기 피 증착체에 증착 물질을 증착하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  35. 제 33 항에 있어서,
    상기 증착원, 상기 제1 노즐, 상기 제2 노즐 및 상기 차단벽 어셈블리는 상기 피 증착체와 평행한 면을 따라 상대적으로 이동하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  36. 기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서,
    증착 물질을 방사하는 증착원;
    상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 제1 슬릿들이 형성되는 제1 노즐; 및
    상기 제1 노즐과 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향에 대해 수직인 제2 방향을 따라 복수 개의 제2 슬릿들이 형성되는 제2 노즐;을 포함하고,
    인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 서로 상이하도록 형성되고,
    상기 기판은 상기 박막 증착 장치와 소정 정도 이격되도록 형성되어 상기 박막 증착 장치에 대하여 상대적으로 이동가능하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  37. 제 36 항에 있어서,
    상기 각 증착 공간의 중심에서 멀어질수록, 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 가깝게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  38. 제 36 항에 있어서,
    상기 각 증착 공간 내에서, 상기 각 증착 공간에 배치된 상기 제1 슬릿과의 거리가 멀어질수록, 인접한 상기 제2 슬릿들 간의 거리가 가깝게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  39. 제 36 항에 있어서,
    상기 각 증착 공간 내에서, 상기 제2 슬릿들이 상기 각 증착 공간 내에 등간격으로 배치될 때에 비하여, 상기 제2 슬릿들은 상기 각 증착 공간의 중심 쪽으로 일정 정도 이동하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  40. 제 39 항에 있어서,
    상기 각 증착 공간의 중심에서 멀어질수록, 상기 제2 슬릿들은 상기 각 증착 공간의 중심 쪽으로 더 이동하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  41. 제 36 항에 있어서,
    상기 박막 증착 장치의 상기 제2 노즐은 상기 기판보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
KR1020090052357A 2009-06-12 2009-06-12 박막 증착 장치 KR101074792B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090052357A KR101074792B1 (ko) 2009-06-12 2009-06-12 박막 증착 장치
US12/813,786 US20100316801A1 (en) 2009-06-12 2010-06-11 Thin film deposition apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090052357A KR101074792B1 (ko) 2009-06-12 2009-06-12 박막 증착 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100133677A KR20100133677A (ko) 2010-12-22
KR101074792B1 true KR101074792B1 (ko) 2011-10-19

Family

ID=43306679

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090052357A KR101074792B1 (ko) 2009-06-12 2009-06-12 박막 증착 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20100316801A1 (ko)
KR (1) KR101074792B1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101146982B1 (ko) 2009-11-20 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101760897B1 (ko) * 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20130004830A (ko) 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102081284B1 (ko) 2013-04-18 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004103269A (ja) 2002-09-05 2004-04-02 Sanyo Electric Co Ltd 有機el表示装置の製造方法
KR100635903B1 (ko) 2004-01-29 2006-10-18 미쯔비시 히다찌 세이떼쯔 기까이 가부시끼가이샤 진공증착기
KR100697663B1 (ko) 2005-10-27 2007-03-20 세메스 주식회사 유기물 증착 장치

Family Cites Families (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6053745B2 (ja) * 1981-07-31 1985-11-27 アルバツク成膜株式会社 二元蒸着によつて不均質光学的薄膜を形成する方法
KR890002747B1 (ko) * 1983-11-07 1989-07-26 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 이온 빔에 의한 성막방법 및 그 장치
JPH0682642B2 (ja) * 1985-08-09 1994-10-19 株式会社日立製作所 表面処理装置
US4792378A (en) * 1987-12-15 1988-12-20 Texas Instruments Incorporated Gas dispersion disk for use in plasma enhanced chemical vapor deposition reactor
US6045671A (en) * 1994-10-18 2000-04-04 Symyx Technologies, Inc. Systems and methods for the combinatorial synthesis of novel materials
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
US6091195A (en) * 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6274198B1 (en) * 1997-02-24 2001-08-14 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Shadow mask deposition
US6280821B1 (en) * 1998-09-10 2001-08-28 Ppg Industries Ohio, Inc. Reusable mask and method for coating substrate
US6384529B2 (en) * 1998-11-18 2002-05-07 Eastman Kodak Company Full color active matrix organic electroluminescent display panel having an integrated shadow mask
EP1144121A1 (de) * 1999-01-26 2001-10-17 DBS Beschichtung und Systeme Technik GmbH Verfahren zur innenbeschichtung von rohren und beschichtungsanlage
US6469439B2 (en) * 1999-06-15 2002-10-22 Toray Industries, Inc. Process for producing an organic electroluminescent device
WO2001005194A1 (fr) * 1999-07-07 2001-01-18 Sony Corporation Procede et appareil de fabrication d'afficheur electroluminescent organique souple
TW474114B (en) * 1999-09-29 2002-01-21 Junji Kido Organic electroluminescent device, organic electroluminescent device assembly and method of controlling the emission spectrum in the device
AU3331700A (en) * 1999-10-29 2001-05-08 E. One Co., Ltd. Scent diffusion apparatus and method thereof
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
JP3754859B2 (ja) * 2000-02-16 2006-03-15 キヤノン株式会社 画像表示装置の製造法
US20030021886A1 (en) * 2000-02-23 2003-01-30 Baele Stephen James Method of printing and printing machine
JP3802309B2 (ja) * 2000-03-28 2006-07-26 株式会社アドテックエンジニアリング 多層回路基板製造における位置合わせ装置及び露光装置
JP4053209B2 (ja) * 2000-05-01 2008-02-27 三星エスディアイ株式会社 有機elディスプレイの製造方法
EP1167566B1 (en) * 2000-06-22 2011-01-26 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Apparatus for and method of vacuum vapor deposition
TW505942B (en) * 2000-06-29 2002-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for forming pattern onto panel substrate
TW451601B (en) * 2000-08-07 2001-08-21 Ind Tech Res Inst The fabrication method of full color organic electroluminescent device
JP2002099095A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Orc Mfg Co Ltd 自動両面露光装置およびその方法
JP2002175878A (ja) * 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法
TW594395B (en) * 2000-09-29 2004-06-21 Nippon Zeon Co Photoresist composition for insulating film, insulating film for organic electroluminescent element, and process for producing the same
US6558735B2 (en) * 2001-04-20 2003-05-06 Eastman Kodak Company Reusable mass-sensor in manufacture of organic light-emitting devices
KR100405080B1 (ko) * 2001-05-11 2003-11-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화방법.
JP4704605B2 (ja) * 2001-05-23 2011-06-15 淳二 城戸 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法
US20020197393A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-26 Hideaki Kuwabara Process of manufacturing luminescent device
TW591202B (en) * 2001-10-26 2004-06-11 Hermosa Thin Film Co Ltd Dynamic film thickness control device/method and ITS coating method
US20030101937A1 (en) * 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
KR100490534B1 (ko) * 2001-12-05 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
TW200305773A (en) * 2001-12-26 2003-11-01 Pentax Corp Projection Aligner
US7006202B2 (en) * 2002-02-21 2006-02-28 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Mask holder for irradiating UV-rays
US20030168013A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Eastman Kodak Company Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures for making an organic light-emitting device
US6749906B2 (en) * 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
US20030232563A1 (en) * 2002-05-09 2003-12-18 Isao Kamiyama Method and apparatus for manufacturing organic electroluminescence device, and system and method for manufacturing display unit using organic electroluminescence devices
JP4292777B2 (ja) * 2002-06-17 2009-07-08 ソニー株式会社 薄膜形成装置
JP4440563B2 (ja) * 2002-06-03 2010-03-24 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電子発光素子の薄膜蒸着用マスクフレーム組立体
US20030221620A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vapor deposition device
JP2004069414A (ja) * 2002-08-05 2004-03-04 Nec Corp プラズマディスプレイパネルにおけるマスクと基板との間のギャップの測定方法
TWI252706B (en) * 2002-09-05 2006-04-01 Sanyo Electric Co Manufacturing method of organic electroluminescent display device
US6911671B2 (en) * 2002-09-23 2005-06-28 Eastman Kodak Company Device for depositing patterned layers in OLED displays
US20040086639A1 (en) * 2002-09-24 2004-05-06 Grantham Daniel Harrison Patterned thin-film deposition using collimating heated mask asembly
JP2004143521A (ja) * 2002-10-24 2004-05-20 Sony Corp 薄膜形成装置
JP4072422B2 (ja) * 2002-11-22 2008-04-09 三星エスディアイ株式会社 蒸着用マスク構造体とその製造方法、及びこれを用いた有機el素子の製造方法
JP2004183044A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Seiko Epson Corp マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器
JP2004207142A (ja) * 2002-12-26 2004-07-22 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
KR100646160B1 (ko) * 2002-12-31 2006-11-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 순차측면결정화를 위한 마스크 및 이를 이용한 실리콘결정화 방법
US20040144321A1 (en) * 2003-01-28 2004-07-29 Eastman Kodak Company Method of designing a thermal physical vapor deposition system
US7211461B2 (en) * 2003-02-14 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP4230258B2 (ja) * 2003-03-19 2009-02-25 東北パイオニア株式会社 有機elパネル、有機elパネルの製造方法
JP3966292B2 (ja) * 2003-03-27 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器
KR100520305B1 (ko) * 2003-04-04 2005-10-13 한국전자통신연구원 레이저 변위 센서를 이용하여 마스크와 기판 사이의간격을 측정하는 간격 측정 장치 및 그 방법
KR101137901B1 (ko) * 2003-05-16 2012-05-02 에스브이티 어소시에이츠, 인코포레이티드 박막 증착 증발기
JP4124046B2 (ja) * 2003-07-10 2008-07-23 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ 金属酸化物被膜の成膜方法および蒸着装置
US6837939B1 (en) * 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
JP2005044592A (ja) * 2003-07-28 2005-02-17 Toyota Industries Corp 蒸着用マスク、この蒸着用マスクを用いた成膜方法及びこの蒸着用マスクを用いた成膜装置
US7339139B2 (en) * 2003-10-03 2008-03-04 Darly Custom Technology, Inc. Multi-layered radiant thermal evaporator and method of use
JP4547599B2 (ja) * 2003-10-15 2010-09-22 奇美電子股▲ふん▼有限公司 画像表示装置
CN1618716B (zh) * 2003-11-12 2011-03-16 周星工程股份有限公司 装载锁及使用其的装载锁腔室
JP2005206939A (ja) * 2003-12-26 2005-08-04 Seiko Epson Corp 薄膜形成方法、薄膜形成装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
JP4441282B2 (ja) * 2004-02-02 2010-03-31 富士フイルム株式会社 蒸着マスク及び有機el表示デバイスの製造方法
US7273526B2 (en) * 2004-04-15 2007-09-25 Asm Japan K.K. Thin-film deposition apparatus
JP4545504B2 (ja) * 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
US7449831B2 (en) * 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having inorganic material containing anode capping layer
WO2006027830A1 (ja) * 2004-09-08 2006-03-16 Toray Industries, Inc. 有機電界発光装置およびその製造方法
JP4940394B2 (ja) * 2004-09-30 2012-05-30 クック メディカル テクノロジーズ エルエルシー ループ状の先端を有する操舵可能なワイヤガイド
KR101121417B1 (ko) * 2004-10-28 2012-03-15 주성엔지니어링(주) 표시소자의 제조장치
JP2008521165A (ja) * 2004-11-16 2008-06-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 有機発光デバイス、それを製造するための方法、および複数の有機発光デバイスを備えるアレイ
KR100700013B1 (ko) * 2004-11-26 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법
KR100700641B1 (ko) * 2004-12-03 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 레이저 조사 장치, 패터닝 방법 및 그를 이용한 레이저열전사 패터닝 방법과 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조 방법
JP4384109B2 (ja) * 2005-01-05 2009-12-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸着システム用蒸着源の駆動軸及びこれを具備した蒸着システム
US7918940B2 (en) * 2005-02-07 2011-04-05 Semes Co., Ltd. Apparatus for processing substrate
KR100711885B1 (ko) * 2005-08-31 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 증착원 및 이의 가열원 제어방법
US20070148337A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Nichols Jonathan A Flame-perforated aperture masks
US7645483B2 (en) * 2006-01-17 2010-01-12 Eastman Kodak Company Two-dimensional aperture array for vapor deposition
JP4692290B2 (ja) * 2006-01-11 2011-06-01 セイコーエプソン株式会社 マスクおよび成膜方法
JP5064810B2 (ja) * 2006-01-27 2012-10-31 キヤノン株式会社 蒸着装置および蒸着方法
JP4948021B2 (ja) * 2006-04-13 2012-06-06 株式会社アルバック 触媒体化学気相成長装置
KR100980729B1 (ko) * 2006-07-03 2010-09-07 주식회사 야스 증착 공정용 다중 노즐 증발원
KR100739309B1 (ko) * 2006-10-13 2007-07-12 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기 전계발광표시장치
JP4809186B2 (ja) * 2006-10-26 2011-11-09 京セラ株式会社 有機elディスプレイおよびその製造方法
JP4768584B2 (ja) * 2006-11-16 2011-09-07 財団法人山形県産業技術振興機構 蒸発源およびこれを用いた真空蒸着装置
US20080131587A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 Boroson Michael L Depositing organic material onto an oled substrate
US8092601B2 (en) * 2006-12-13 2012-01-10 Ascentool, Inc. System and process for fabricating photovoltaic cell
US8222061B2 (en) * 2007-03-30 2012-07-17 The Penn State Research Foundation Mist fabrication of quantum dot devices
JP5081516B2 (ja) * 2007-07-12 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト 蒸着方法および蒸着装置
US9544440B2 (en) * 2007-12-28 2017-01-10 Arcsoft (Shanghai) Technology Company, Ltd Method to verify telephone number
KR100964224B1 (ko) * 2008-02-28 2010-06-17 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치 및 박막 형성 방법
KR100994114B1 (ko) * 2008-03-11 2010-11-12 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 형성 방법
KR20100026655A (ko) * 2008-09-01 2010-03-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기전계발광 소자의 제조방법
KR101117645B1 (ko) * 2009-02-05 2012-03-05 삼성모바일디스플레이주식회사 마스크 조립체 및 이를 이용한 평판표시장치용 증착 장치
US8202671B2 (en) * 2009-04-28 2012-06-19 Nikon Corporation Protective apparatus, mask, mask forming apparatus, mask forming method, exposure apparatus, device fabricating method, and foreign matter detecting apparatus
TWI472639B (zh) * 2009-05-22 2015-02-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
JP5676175B2 (ja) * 2009-08-24 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
KR101174879B1 (ko) * 2010-03-09 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 그 조립방법
KR101182448B1 (ko) * 2010-07-12 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004103269A (ja) 2002-09-05 2004-04-02 Sanyo Electric Co Ltd 有機el表示装置の製造方法
KR100635903B1 (ko) 2004-01-29 2006-10-18 미쯔비시 히다찌 세이떼쯔 기까이 가부시끼가이샤 진공증착기
KR100697663B1 (ko) 2005-10-27 2007-03-20 세메스 주식회사 유기물 증착 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20100316801A1 (en) 2010-12-16
KR20100133677A (ko) 2010-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101074792B1 (ko) 박막 증착 장치
KR101074790B1 (ko) 박막 증착 장치
KR101084168B1 (ko) 박막 증착 장치
KR101127575B1 (ko) 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
KR101723506B1 (ko) 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
JP4909152B2 (ja) 蒸着装置及び蒸着方法
US20110033621A1 (en) Thin film deposition apparatus including deposition blade
US9172064B2 (en) Mask for deposition and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same
KR101146997B1 (ko) 패터닝 슬릿 시트 인장 장치
US20100310768A1 (en) Thin film deposition apparatus
US8882920B2 (en) Thin film deposition apparatus
US8906731B2 (en) Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
KR101074793B1 (ko) 박막 증착 장치
KR101193191B1 (ko) 박막 증착 장치
KR101084194B1 (ko) 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
KR101243921B1 (ko) 박막 증착 장치 및 박막 증착 장치 제조 방법
KR101127576B1 (ko) 박막 증착 장치
KR101074791B1 (ko) 박막 증착 장치
KR101074789B1 (ko) 박막 증착 장치
KR101117717B1 (ko) 박막 증착 장치
KR101074794B1 (ko) 박막 증착 장치
KR101117718B1 (ko) 박막 증착 장치
KR101117716B1 (ko) 박막 증착 장치
KR101193188B1 (ko) 박막 증착 장치
KR101193187B1 (ko) 박막 증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141001

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150930

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170928

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181001

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191001

Year of fee payment: 9