JP3754859B2 - 画像表示装置の製造法 - Google Patents
画像表示装置の製造法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3754859B2 JP3754859B2 JP2000038603A JP2000038603A JP3754859B2 JP 3754859 B2 JP3754859 B2 JP 3754859B2 JP 2000038603 A JP2000038603 A JP 2000038603A JP 2000038603 A JP2000038603 A JP 2000038603A JP 3754859 B2 JP3754859 B2 JP 3754859B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing chamber
- chamber
- getter
- image display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G07—CHECKING-DEVICES
- G07F—COIN-FREED OR LIKE APPARATUS
- G07F11/00—Coin-freed apparatus for dispensing, or the like, discrete articles
- G07F11/02—Coin-freed apparatus for dispensing, or the like, discrete articles from non-movable magazines
- G07F11/04—Coin-freed apparatus for dispensing, or the like, discrete articles from non-movable magazines in which magazines the articles are stored one vertically above the other
- G07F11/16—Delivery means
- G07F11/24—Rotary or oscillatory members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/46—Machines having sequentially arranged operating stations
-
- G—PHYSICS
- G07—CHECKING-DEVICES
- G07F—COIN-FREED OR LIKE APPARATUS
- G07F5/00—Coin-actuated mechanisms; Interlocks
- G07F5/02—Coin-actuated mechanisms; Interlocks actuated mechanically by coins, e.g. by a single coin
-
- G—PHYSICS
- G07—CHECKING-DEVICES
- G07F—COIN-FREED OR LIKE APPARATUS
- G07F9/00—Details other than those peculiar to special kinds or types of apparatus
- G07F9/10—Casings or parts thereof, e.g. with means for heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/18—Assembling together the component parts of electrode systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/38—Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/46—Machines having sequentially arranged operating stations
- H01J9/48—Machines having sequentially arranged operating stations with automatic transfer of workpieces between operating stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Spinning Or Twisting Of Yarns (AREA)
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、電子放出素子をマトリクス配置した画像表示装置、特に第１の画像形成部材としてマトリクス配置した電子放出素子を設けたリヤープレート（ＲＰ）と第２の画像形成部材として蛍光体を設けたフェースプレート（ＦＰ）とを対向配置した表示パネルを有する画像表示装置の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、電子放出素子としては、大別して熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子の２種類のものが知られている。冷陰極電子放出素子には、電界放出型（以下、ＦＥ型という）、金属／絶縁層／金属型（以下、ＭＩＭ型という）、表面伝導型電子放出素子などがある。
【０００３】
ＦＥ型の例としては、Ｗ．Ｐ．Ｄｙｋｅ ＆ Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，”Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）、あるいはＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，”ＰＨＹＳＩＣＡＬ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ ｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４７，５２４８（１９７６）などに開示されたものが知られている。
【０００４】
ＭＩＭ型の例としては、Ｃ．Ａ．Ｍｅａｄ，”Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｔｕｎｎｅｌ−Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２，６４６（１９６１）などに開示されたものが知られている。
【０００５】
表面伝導型電子放出素子型の例としては、Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０（１９６５）などに開示されたものがある。
【０００６】
表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等によるＳｎＯ2薄膜を用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：”Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｓ Ｆｉｌｍｓ，”９，３１７（１９７２）］、Ｉｎ2Ｏ3／ＳｎＯ2薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ＥＤ Ｃｏｎｆ．”，５１９（１９７５）］、カーボン薄膜によるもの［荒木久他：真空、第２６巻、第１号、２２頁（１９８３）］などが報告されている。
【０００７】
上記のような電子放出素子を用いた画像表示装置の製造には、これら電子放出素子をマトリクス配置した電子源基板をＲＰとして用意すると共に、電子線の励起を受けて発光する蛍光体を設けたＦＰとなる蛍光体基板を用意し、電子放出素子と蛍光体とが内側となるようにして、且つ、間に真空シール構造を提供する外囲器及び耐大気圧構造を提供するスペーサを配置して、これらＦＰとＲＰとを対向配置してから、フリットガラスやインジウムなどの低融点物質を封着材として用いて内部をシールし、予め設けておいた真空排気管から内部を真空排気した後、真空排気管を封止して表示パネルとする製造工程が用いられている。
【０００８】
上記した従来技術による製造法は、１枚の表示パネルを製造するのに、非常に長時間を必要とし、また、例えば、内部を真空度１０-6Ｐａ以上とするような表示パネルの製造には適していないものであった。
【０００９】
この従来技術の問題点は、例えば、特開平１１−１３５０１８号公報に記載された方法によって解消された。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記特開平１１−１３５０１８号公報に記載された方法は、単一の真空室内で、ＦＰとＲＰとを位置合わせした後、この２枚の基板を封着する工程のみが用いられているので、上記した表示パネルを作成する上で必要な他の工程であるベーク処理、ゲッタ処理や電子線クリーニング処理などの工程は、やはり各々単一の真空室での処理を施すことが必要となり、ＦＰ及びＲＰの各真空室間の移動は、大気を破って行われるため、ＦＰ及びＲＰの搬入毎に各真空室を真空排気することから、製造工程時間が長くなっていたため、製造工程時間の大幅な短縮が求められていたのと同時に、短時間で、最終製造工程での表示パネル内を真空度１０-6Ｐａ以上のような高真空を達成することも求められていた。
【００１１】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、画像表示装置の製造における真空排気時間の短縮及び高真空度化を容易に行えるようにし、もって製造効率を向上させることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明（参考）は、第１に、
画像表示装置の製造法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰囲気下に用意する工程、
ｂ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を、真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうちの一方又は両方の基板をゲッタ処理する工程、並びに、
ｃ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
を有する画像表示装置の製造法に特徴がある。
【００１３】
本発明（参考）は、第２に、
画像表示装置の製造法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰囲気下に用意する工程、
ｂ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気のベーク処理室に真空雰囲気下で搬入し、該両方の基板を所定温度でベーク処理する工程、並びに、
ｃ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
を有する画像表示装置の製造法に特徴がある。
【００１４】
本発明は、第３に、
画像表示装置の製造法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰囲気下に用意する工程、
ｂ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気のベーク処理室に真空雰囲気下で搬入し、該両方の基板を所定温度でベーク処理する工程、
ｃ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうちの一方又は両方の基板をゲッタ処理する工程、並びに、
ｄ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
を有する画像表示装置の製造法に特徴がある。
【００１５】
本発明は、第４に、
画像表示装置の製造法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰囲気下に用意する工程、
ｂ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気のベーク処理室に真空雰囲気下で搬入し、該両方の基板を所定温度でベーク処理する工程、
ｃ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気の第１ゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうちの一方又は両方の基板を第１ゲッタ処理する工程、
ｄ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気の電子線クリーニング処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうちの一方又は両方の基板を電子線照射による電子線クリーニング処理する工程、
ｅ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気の第２ゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうちの一方又は両方の基板を第２ゲッタ処理する工程、
ｆ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
を有する画像表示装置の製造法に特徴がある。
【００１６】
本発明（参考）は、第５に、
画像表示装置の製造装置において、
ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、
ｃ：上記第１の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有するゲッタ付与手段、
ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第２の真空室、
ｅ：上記第２の真空室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｆ：上記第２の真空室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。
【００１７】
本発明（参考）は、第６に、
画像表示装置の製造装置において、
ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、
ｃ：上記第１の真空室内に配置した、搬入された第１基板及び第２基板を加熱し、該第１基板と第２基板をベーク処理するベーク手段、
ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第２の真空室、
ｅ：上記第２の真空室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｆ：上記第２の真空室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。
【００１８】
本発明（参考）は、第７に、
画像表示装置の製造装置において、
ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、
ｃ：上記第１の真空室内に配置した、搬入された第１基板及び第２基板を加熱し、該第１基板と第２基板をベーク処理するベーク手段、
ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第２の真空室、
ｅ：上記第２の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有するゲッタ付与手段、
ｆ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第３の真空室、
ｇ：上記第３の真空室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｈ：上記第３の真空室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。
【００１９】
本発明（参考）は、第８に、
画像表示装置の製造装置において、
ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、
ｃ：上記第１の真空室内に配置した、搬入された第１基板及び第２基板を加熱し、該第１基板と第２基板をベーク処理するベーク手段、
ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第２の真空室、
ｅ：上記第２の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第１のゲッタ付与手段、
ｆ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第３の真空室、
ｇ：上記第３の真空室に配置した、電子線を照射することによって電子線クリーニング処理を施す電子線クリーニング手段、
ｈ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第４の真空室、
ｉ：上記第４の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第２のゲッタ付与手段、
ｊ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第５の真空室、
ｋ：上記第５の真空室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｌ：上記第５真空室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。
【００２０】
本発明（参考）は、第９に、
ａ．第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ．減圧状態を維持したまま上記搬送手段によって搬入されてきた第１基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第１の真空室、
ｃ．上記第１の減圧室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有するゲッタ付与手段、
ｄ．ゲッタが付与された第１の基板及び上記第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第２の減圧室、
ｅ．上記第２の減圧室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｆ．上記第２の減圧室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱し、第１基板と第２基板とを封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。
【００２１】
本発明（参考）は、第１０に、
ａ．第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ．減圧状態を維持したまま上記搬送手段によって搬入されてきた第１基板及び第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第１の減圧室、
ｃ．上記第１の減圧室内に搬入したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有するゲッタ付与手段、並びに
ｄ．第１の減圧室内の第１基板及び第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第２の減圧室、
ｅ．上記第２の減圧室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｆ．上記第２の減圧室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱し、第１基板と第２基板とを封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。
【００２２】
本発明（参考）は、第１１に、
ａ．第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ．減圧状態を維持したまま上記搬送手段によって搬入されてきた第１基板及び第２の基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第１の真空室、
ｃ．上記第１の減圧室内に配置した、搬入してきた第１基板及び第２基板に加熱を付与し、該第１基板と第２基板とをベーク処理するベーク手段、
ｄ．上記第１の減圧室又は該第１の減圧室から第１基板又は第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした別の第２の減圧室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第１のゲッタ付与手段、
ｅ．上記第１の減圧室又は第２の減圧室から大気に曝すことなく第１の基板又は第２基板を搬入可能とした第３の真空室、
ｆ．上記第３の減圧室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｇ．上記第３の減圧室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱し、第１基板と第２基板とを封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。
【００２３】
本発明（参考）は、第１２に、
ａ．第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ．減圧状態を維持したまま上記搬送手段によって搬入されてきた第１基板及び第２の基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第１の減圧室、
ｃ．上記第１の減圧室内に配置した、搬入してきた第１基板及び第２基板に加熱を付与し、該第１基板と第２基板とをベーク処理するベーク手段、
ｄ．上記第１の減圧室又は該第１の減圧室から第１基板又は第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした別の第２の減圧室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第１のゲッタ付与手段、
ｅ．上記第１の減圧室又は第２の減圧室から第１基板又は第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第３の真空室、
ｆ．上記第３の減圧室に配置した、第１基板又は第２基板に対して電子線を照射することによって第１基板又は第２基板をクリーニングする電子線クリーニング手段、
ｇ．上記第３の減圧室から第１基板又は第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第４の減圧室、
ｈ．上記第４の減圧室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第２のゲッタ付与手段、
ｉ．上記第４の減圧室から第１基板又は第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第５の真空室、
ｊ．上記第５の減圧室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｋ．上記第５の減圧室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱し、第１基板と第２基板とを封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に、特徴がある。
【００２４】
また、本発明は、
上記第１及び第２の特徴において、工程ａ、ｂ及びｃは、一ライン上に設定された工程であって、上記ゲッタ処理室と封着処理室との間に反射性金属などによって形成された熱遮蔽部材が配置されていること、
上記第１及び第２の特徴において、工程ａ、ｂ及びｃは、一ライン上に設定された工程であって、上記ゲッタ処理室と封着処理室との間にロードロックが配置されていること、
上記第１及び第２の特徴において、工程ａ、ｂ及びｃは、スター配置上に設定され、上記ゲッタ処理室と封着処理室とは独立の部屋によって仕切られていること、
上記第３の特徴において、工程ａ、ｂ、ｃ及びｄは、一ライン上に設定された工程であって、上記ベーク室とゲッタ処理室の間、ゲッタ処理室と封着処理室との間、又はベーク室とゲッタ処理室と封着処理室とのそれぞれの間に反射性金属などによって形成した熱遮蔽部材が配置されていること、
上記第３の特徴において、工程ａ、ｂ、ｃ及びｄは、一ライン上に設定された工程であって、上記ベーク処理室とゲッタ処理室との間、ゲッタ処理室と封着処理室との間、又はベーク室とゲッタ処理室と封着室とのそれぞれとの間にロードロックが配置されていること、
上記第３の特徴において、工程ａ、ｂ、ｃ及びｄは、スター配置上に設定され、上記ベーク処理室とゲッタ処理室と封着処理室とは独立の部屋によって仕切らていること、
上記第４の特徴において、工程ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、一ライン上に設定された工程であって、上記ベーク室と第１ゲッタ処理室の間、第１ゲッタ処理室と電子線クリーニング処理室との間、電子線クリーニング処理室と第２ゲッタ処理室との間、又は第２ゲッタ処理室と封着処理室との間に反射性金属などによって形成されている熱遮蔽部材が配置されていること、
上記第４の特徴において、工程ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、一ライン上に設定された工程であって、上記ベーク処理室と第１ゲッタ処理室との間、第１ゲッタ処理室と電子線クリーニング処理室との間、電子線クリーニング処理室と第２ゲッタ処理室との間、又は第２ゲッタ処理室と封着処理室との間にロードロックが配置されていること、
上記第４の特徴において、工程ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、スター配置上に設定され、上記ベーク処理室と、第１ゲッタ処理室と、電子線クリーニング処理室と、第２ゲッタ処理室と、封着処理室とは独立の部屋によって仕切られていること、
上記第５及び第６の特徴において、第１の真空室と第２の真空室とは、一ライン上に配置されていること、
上記第５及び第６の特徴において、第１の真空室と第２の真空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、反射性金属などによって形成されている熱遮蔽部材で仕切られていること、
上記第５及び第６の特徴において、第１の真空室と第２の真空室とは、スター配置上に設けられてなり、各部屋は、独立した部屋で仕切られていること、
上記第７の特徴において、第１の真空室、第２の真空室と第３の真空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、反射性金属などによって形成されている熱遮蔽部材で仕切られていること、
上記第７の特徴において、第１の真空室、第２の真空室と第３の真空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、ロードロックで仕切られていること、
上記第７の特徴において、第１の真空室、第２の真空室と第３の真空室とは、スター配置上に設けられてなり、各部屋は、独立した部屋で仕切られていること、
上記第８の特徴において、第１の真空室と、第２の真空室と、第３の真空室と、第４の真空室と、第５の真空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、反射性金属などによって形成されている熱遮蔽部材で仕切られていること、
上記第８の特徴において、第１の真空室と、第２の真空室と、第３の真空室と、第４の真空室と、第５の真空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、ロードロックで仕切られていること、
上記第８の特徴において、第１の真空室と、第２の真空室と、第３の真空室と、第４の真空室と、第５の真空室とは、スター配置上に設けられてなり、各部屋は、独立した部屋で仕切られていること、
をその好ましい態様として含むものである。
【００２５】
更に上記特徴第９〜１２において、第１の減圧室〜第５の減圧室は、アルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有する。また、上記特徴第９〜１２において、第１の画像表示装置用部材は、プラズマ発生素子であり、第２の画像表示装置用部材は、蛍光体又はカラーフィルタである。
【００２６】
【発明の実施の形態】
図１（ａ）は本発明に係る製造装置を模式的に示した図、図１（ｂ）は横軸時間に対する縦軸をプロセス温度とした温度プロファイル、図１（ｃ）は横軸時間に対する縦軸を真空度とした真空度プロファイルである。以下、これらに基づいて本発明に係る製造方法と製造装置の一例を説明する。
【００２７】
図１（ａ）に図示した装置は、前室１０１、ベーク処理室１０２、第１段目ゲッタ処理室１０３、電子線クリーニング処理室１０４、第２段目ゲッタ処理室１０５、封着処理室１０６及び冷却室１０７が順次搬送方向（図中の矢印１２７）に従って配列され、ＲＰ１１０とＦＰ１１２は、搬送ローラ１０９及び搬送ベルト１０８の駆動によって、順次、矢印１２７方向に各部屋を通過し、この通過中に各種の処理が施される。つまり、前室１０１における真空雰囲気下での用意、ベーク処理室１０２におけるベーク処理、第１段目ゲッタ処理室における第１のゲッタ処理、電子線クリーニング処理室１０４における電子線照射によるクリーニング、第２段目ゲッタ処理室１０５における第２のゲッタ処理、封着処理室１０６における加熱封着及び冷却室１０７における冷却処理の各工程が直列された一ライン上で行われるものとなっている。
【００２８】
上記各部屋間には、例えばアルミニウム、クロム、ステンレスなどの反射性金属によって形成した熱遮蔽部材１２８（板形状、フィルム形状など）が配置されているのが好ましい。この熱遮蔽部材１２８は、図１（ｂ）に図示する温度プロファイルの温度が相違する部屋間、例えば、ベーク処理室１０２と第１段目ゲッタ処理室１０３との間と、第２段目ゲッタ処理室１０５と封着処理室１０６との間のいずれか一方、最適には両者に配置するのが好ましいが、各部屋間毎に配置してもよい。また、上記熱遮蔽部材１２８は、搬送ベルト１０８上に載置したＦＰ１１２と昇降器１１７に固定したＲＰ１１０とが各室間の移動する際に、障害を与えないように設置される。
【００２９】
図１（ａ）に図示した装置の前室１０１とベーク処理室１０２との間にはロードロック１２９が配置されている。ロードロック１２９は前室１０１とベーク処理室１０２間を開閉するものである。また、前室１０１には真空排気系１３０が接続されており、ベーク処理室１０２には真空排気系１３１が接続されている。
【００３０】
ＲＰ１１０とＦＰ１１２とを前室１０１に搬入した後、搬入口１１０を遮蔽し、同時にロードロック１２９を遮蔽し、この前室１０１の内部を真空排気系１３０によって真空排気する。この間、ベーク処理室１０２、第１段目ゲッタ処理室１０３、電子線クリーニング処理室１０４、第２段目ゲッタ処理室１０５、封着処理室１０６及び冷却室１０７の全内部を真空排気系１３１によって真空排気して真空排気状態とする。
【００３１】
上記前室１０１と、その後の各部屋が真空排気状態に達したとき、ロードロック１２９を開放し、ＲＰ１１０とＦＰ１１２とを前室１０１から搬出してベーク処理室１０２に搬入し、この搬入終了後にロードロック１２９を遮断してから搬入口１１０を開けて、再度別のＲＰ１１０とＦＰ１１２とを前室１０１に搬入し、前室１０１の内部を真空排気系１３０によって真空排気する工程を繰り返す。
【００３２】
本発明においては、上記したロードロック１２９と同じロードロック（図示せず）を各部屋間に配置しておくことが好ましい。このロードロックは、各部屋間毎であってもよいが、このロードロックを図１（ｃ）に図示する真空度プロファイルの真空度が相違する部屋間毎、例えば、ベーク処理室１０２と第１段目ゲッタ処理室１０３との間と、電子線クリーニング室１０４と第２段目ゲッタ処理室１０５との間のいずれか一方、最適には両者に配置するのが好ましい。
【００３３】
本発明では、前室１０１に搬入する前のＲＰ１１１に、予め、真空構造をシールする外囲器１１３及び耐大気圧構造を形成するスペーサ１１５を固定設置しておくことが好ましい。ＦＰ１１２の上記外囲器１１３に対応した位置には、フリットガラスなどの低融点物質やインジウムなどの低融点金属又はその合金を用いた封着材１１４を設けることができる。また、図示するとおり、上記封着材１１４を外囲器１１３に設けることも可能である。
【００３４】
大気に曝されることなくベーク処理室１０２に搬入されてきたＲＰ１１１とＦＰ１１２とには、このベーク処理室１０２内で、加熱プレート１１６の加熱処理（ベーク処理）が施される。このベーク処理によって、ＲＰ１１１とＦＰ１１２に含有されている水素ガス、水蒸気、酸素などの不純物ガスを排出させることができる。このときのベーク温度は、一般的に、３００℃〜４００℃、好ましくは３５０℃〜３８０℃である。このときの真空度は約１０-4Ｐａである。
【００３５】
ベーク処理を終了したＲＰ１１１とＦＰ１１２とを第１段目ゲッタ処理室１０３に搬入させ、ＲＰ１１１をホルダー１１８に固定し、昇降器１１７によって部屋１０３の上部へ移動させ、ＦＰ１１２に対してゲッタフラッシュ装置１１９内に内蔵させていた蒸発可能ゲッタ材（例えば、バリウムなどのゲッタ材）のゲッタ材フラッシュ１２０を生じさせ、ＦＰ１１２表面にバリウム膜などからなるゲッタ膜（図示せず）を付着せしめる。この際の第１段目ゲッタの膜厚は、一般的に５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍ、より好ましくは、２０ｎｍ〜２００ｎｍである。また、本発明では、上記ゲッタ材のほかに、ＲＰ１１１又はＦＰ１１２上に、予め、チタン材やＮＥＧ材などからなるゲッタ膜又はゲッタ部材を設けておいてもよい。
【００３６】
上記ホルダー１１８は、ＲＰ１１１が脱落することなく十分な力で固定することができる機材、例えば、静電チャック方式や真空着チャック方式を利用した機材を用いることができる。
【００３７】
ホルダー１１８に固定されたＲＰ１１１は、昇降器１１７によって、搬送ベルト１０８上のＦＰ１１２から十分に離れた位置まで上昇させる。この際のＲＰ１１１とＦＰ１１２との間隔は、用いた真空室のサイズにもよるが、両基板間のコンダクタンスを十分小さくするに十分な間隔とするのがよい。この際の両基板間の間隔は、一般的には、５ｃｍ以上とすれば十分である。
【００３８】
また、上記工程において、バリウムゲッタを用いた場合では、第１段目ゲッタ処理室１０３のプロセス温度は、約１００℃に設定される。このときの真空度は、１０-5Ｐａである。
【００３９】
図においてゲッタフラッシュ１２０を照射しているのはＦＰ１１２のみとなっているが、本発明では、ＲＰ１１１のみもしくはＲＰ１１１とＦＰ１１２の両者に対して上記同様のゲッタフラッシュ１２０を照射してゲッタを付与することも可能である。また、第１のゲッタフラッシュは、前記ベーク処理室１０２におけるベーク処理又は処理後の真空雰囲気の真空度を高めるために、前記ベーク処理室１０２内で行うこともできる。
【００４０】
続いて、ＲＰ１１１とＦＰ１１２とを、電子線クリーニング処理室１０４に大気に曝すことなく搬入し、この電子線クリーニング処理室１０４でＲＰ１１１及び／又はＦＰ１１２に対して電子線発振器１２１より電子線１２２を走査し、特にＦＰ１１２の蛍光体（図示せず）中の不純物ガスを放出させる上記搬入の際、昇降器１１７に保持したＲＰ１１１と搬送ベルト１０８に保持したＦＰ１１２との間隔は、前の第１段目ゲッタ処理工程での間隔をそのまま維持するのがよい。
【００４１】
図において電子線クリーニング処理を行っているのはＦＰ１１２のみとなっているが、本発明では、ＲＰ１１１のみもしくはＲＰ１１１とＦＰ１１２の両者に対して上記同様の電子線クリーニング処理を施すことも可能である。
【００４２】
上記電子線クリーニング処理の後、ＲＰ１１１とＦＰ１１２を大気に曝すことなく第２段目ゲッタ処理室１０５に搬入し、そこで前記第１段目ゲッタ処理室１０３と同様の方法で、ゲッタフラッシュ装置１２３からゲッタフラッシュ１２４を生じさせ、ＦＰ１１２に対してゲッタを付与する。この際の第２段目ゲッタの膜厚は、一般的に５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍ、より好ましくは、２０ｎｍ〜２００ｎｍである。上記搬入の際、昇降器１１７に保持したＲＰ１１１と搬送ベルト１０８に保持したＦＰ１１２との間隔は、前の第１段目ゲッタ処理工程での間隔をそのまま維持するのがよい。また、第２段目ゲッタは第１段目ゲッタと同様にＲＰ１１１にのみ付与したり、ＦＰ１１２とＲＰ１１１の両者に付与することもができる。
【００４３】
上記第２段目のゲッタが付与されたＦＰ１１２と昇降器１１７によって第２段目ゲッタ室１０５の上部に位置していたＲＰ１１１を下降させ、大気に曝すことなく次の封着処理室１０６に搬入させる。この際、ＲＰ１１１とＦＰ１１２とをそれぞれの基板上に設けているマトリクス配置した電子線放出素子と蛍光体とを内側に向けた状態で、スペーサ１１５及び外囲器１１３が互いに接するまで対向配置するよう、昇降器１１７を動作させる。
【００４４】
封着処理室１０６内の相対向配置したＲＰ１１１とＦＰ１１２とに対して加熱プレート１２５を作用させ、予め設けておいた封着材１１４がインジウムのような低融点金属の場合では、低融点金属が溶融するまで加熱し、また封着材１１４がフリットガラスのような非金属の低融点物質の場合には、低融点物質が感化し接着性を帯びる温度まで加熱する。図１（ｂ）では、封着材１１４としてインジウムを用いた例として、１８０℃の温度に設定されている。
【００４５】
上記封着処理室１０６の真空度を１０-6Ｐａ以上の高真空度に設定することができる。このためＲＰ１１１とＦＰ１１２と外囲器１１３とで密封された表示パネル内部の真空度についても、１０-6Ｐａ以上の高真空度に設定することができる。
【００４６】
上記封着処理室１０６にて作成した表示パネルは、次の冷却室１０７に搬出され、ゆっくり冷却される。
【００４７】
本発明の装置は、上記封着室１０６と冷却室１０７との間に、上記ロードロック２９と同様のロードロック（図示せず）を設け、該ロードロック開放時に封着処理室１０６から表示パネルを搬出させ、冷却室１０７に搬入後、該ロードロックを遮蔽し、ここで徐冷後、搬出口１２６を開放し、表示パネルを冷却室１０７から搬出させ、最後に該搬出口１２６を遮蔽して、全工程を終了する。また、次の工程の開始前に、冷却室１０７の内部を独立配置した真空排気系（図示せず）によって、真空状態に設定しておくのがよい。
【００４８】
また、本発明は、上記各室及１０１〜１０７をアルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有させることができる。
【００４９】
上記の例はベストモードであるが、第１の変形例として、前室１０１における真空雰囲気下での用意、第１段目ゲッタ処理室における第１のゲッタ処理、封着処理室１０６における加熱封着、冷却室１０７における冷却処理の順に工程を進めるように各部屋を直列させる例が挙げられる。
【００５０】
第２の変形例としては、前室１０１における真空雰囲気下での用意、ベーク処理室１０２におけるベーク処理、封着処理室１０６における加熱封着、冷却室１０７における冷却処理の順に工程を進めるように各部屋を直列させる例が挙げられる。
【００５１】
第３の変形例としては、前室１０１における真空雰囲気下での用意、ベーク処理室１０２におけるベーク処理、第１段目ゲッタ処理室における第１のゲッタ処理、封着処理室１０６における加熱封着及び冷却室１０７における冷却処理の順に工程を進めるように各部屋を直列させる例が挙げられる。
【００５２】
第４の変形例としては、ＲＰ１１１とＦＰ１１２を別々の搬送手段で搬送できるようにすることが挙げられる。
【００５３】
図２は、前室２０１、ベーク処理室２０２、第１段目ゲッタ処理室２０３、電子線クリーニング処理室２０４、第２段目ゲッタ処理室２０５、封着処理室２０６及び冷却室２０７を中心真空室２０８の周りにスター配置上に設けた装置の模式平面図である。各部屋２０１〜２０７は、各々独立の部屋で仕切られている。
【００５４】
図２の装置において、前室２０１と中心真空室２０８との間に、ロードロック２０９が設けられているが、他の部屋２０２〜２０７にも同様のロードロックを用い、全室２０１〜２０７と中心真空室２０８との間をロードロックで仕切ることができる。また、ベーク処理室２０２と中心真空室２０８との間に設けたロードロックに変えて、熱遮蔽部材２１０を用いることもできる。また、同様に、他の部屋２０３〜２０７と中心真空室２０８との間に設けたロードロックに変えて、熱遮蔽部材２１０を用いることもできる。
【００５５】
中心真空室２０８には、搬送ハンド２１１が設置され、その両端部に、ＲＰ１１１とＦＰ１１２とを静電チャック方式又は真空チャック方式によって固定可能とした搬送ハンド２１３が設置されている。この搬送ハンド２１３は、回転軸２１２を中心にそれぞれ矢印２１４の方向に回転可能とした搬送棒２１１に設置されている。
【００５６】
搬送ハンド２１３の動作によって、ＲＰ１１１とＦＰ１１２を各部屋２０１〜２０７毎に搬入及び搬出を繰り返すことによって、各部屋ごとで、各処理工程が施される。この際、ＲＰ１１１とＦＰ１１２の両基板ごとに全処理工程を施してもよいが、好ましくは、ＲＰ１１１とＦＰ１１２の両基板のうち、一方の基板の基板のみを所定の工程のみを処理するのがよい。例えば、ＲＰ１１１とＦＰ１１２の両基板を上記の如く全工程を処理するのに変えて、ＦＰ１１２のみを第１段目ゲッタ処理室２０３及び第２段目ゲッタ処理室２０５に搬入せしめ、そこで、ＦＰ１１２についてのみゲッタ処理を施し、この間、ＲＰ１１１は、中心真空室２０８内に待機させ、ＲＰ１１１に対するゲッタ処理を省略することも可能である。
【００５７】
また、本発明は、上記各室及２０１〜２０７及び中心真空室２０８内をアルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有させることができる。
【００５８】
図３は、本発明の装置及び方法を用いて作成した画像表示装置の断面図である。図４は、その斜視図である。
【００５９】
図中、図１及び図２と同一符号は、同一部材である。上記装置及び方法によって作成した画像表示装置は、ＲＰ１１１とＦＰ１１２と外囲器１１３とによって真空容器又は減圧容器が形成されている。上記減圧容器内には、アルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有することができる。
【００６０】
また、真空容器の場合には、１０-5Ｐａ以上、好ましくは、１０-6Ｐａ以上の高真空に設定することができる。
【００６１】
上記真空容器又は減圧容器内には、スペーサ１１５が配置さて耐大気圧構造を形成している。本発明で用いたスペーサ１１５は、無アルカリガラスなどの無アルカリ絶縁物質からなる本体３１１と、該本体３１１の表面を覆って配置した高抵抗物質で成膜された高抵抗膜３０９と両端に設けた金属（タングステン、銅、銀、金、モリブデンやこれらの合金など）膜３０８及び３１０とを有し、配線３０６上に導電性接着剤を介して電気的に接続接着されている。スペーサ１１５は、上記前室１０１又は２０１に搬入する際には、前もってＲＰ１１１にフリットガラスなどの低融点接着剤３０７によって接着固定され、封着処理室１０６又は２０６において処理が終了した時点で、上記スペーサ１１５のもう一方の端部とＦＰ１２とは電気的に接続されて接して配置される。
【００６２】
ＲＰ１１１は、ガラスなどの透明基板３０４と、ナトリウムなどのアルカリの侵入を防止するための下地膜（ＳｉＯ2、ＳｎＯ2など）３０５と、ＸＹマトリクス配列した複数の電子線放出素子３１２とが配置されている。配線３０６は、電子線放出素子と接続したカソード側ＸＹマトリクス配線の一方のカソード側配線を構成する。
【００６３】
本発明は、蛍光体励起手段又は画像表示素子部材として用いた電子線放出素子３１２に変えて、プラズマ発生素子を用いることができる。この際、容器内には、アルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有させる。
【００６４】
ＦＰ１１２は、ガラスなどの透明基板３０１と蛍光体層３０２とアノード源（図示せず）に接続したアノード金属（アルミニウム、銀、銅など）膜３０３とが配置されている。
【００６５】
また、本発明は、上記プラズマ発生素子を用いた際には、画像表示用部材として用いた蛍光体に変えて、カラーフィルターを用いることができる。
【００６６】
外囲器１１３は、上記前室１０１又は２０１に搬入する際には、前もってＲＰ１１１にフリットガラスなどの低融点接着剤３１３によって接着固定しておき、上記封着処理室１０６又は２０６における処理工程で、インジウムやフリットガラスを用いた封着材１１４によって固定接着されている。
【００６７】
【発明の効果】
本発明によれば、上記電子放出素子やプラズマ発生素子をＸＹ方向に１００万画素以上のように大容量で設け、且つこの大容量画素を対角サイズ３０インチ以上の大画面に設けた画像表示装置を製造するに当たって、製造工程時間を大幅に短縮することができたのと同時に、画像表示装置を構成する真空容器を１０-6Ｐａ以上のような高真空に達成させることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一例に係る第１の装置の模式的断面図である。
【図２】本発明の他の例に係る第２の装置の模式的平面図である。
【図３】本発明の装置及び方法によって製造された画像表示装置の断面図である。
【符号の説明】
１０１ 前室
１０２ ベーク処理室
１０３ 第１段目ゲッタ処理室
１０４ 電子線クリーニング処理室
１０５ 第２段目ゲッタ処理室
１０６ 封着処理室
１０７ 冷却室
１０８ 搬送ベルト
１０９ 搬送ローラ
１１０ 搬入口
１１１ リヤープレート（ＲＰ）
１１２ フェースプレート（ＦＰ）
１１３ 外囲器
１１４ 封着材
１１５ スペーサ
１１６ 加熱プレート
１１７ 昇降器
１１８ ホルダー
１１９ ゲッタフラッシュ装置
１２０ ゲッタフラッシュ
１２１ 電子線発振器
１２２ 電子線
１２３ ゲッタフラッシュ装置
１２４ ゲッタフラッシュ
１２５ 加熱プレート
１２６ 搬出口
１２７ 進行方向矢印
１２８ 熱遮蔽部材
１２９ ロードロック
１３０ 真空排気系
１３１ 真空排気系
２０１ 前室
２０２ ベーク処理室
２０３ 第１段目ゲッタ処理室
２０４ 電子線クリーニング処理室
２０５ 第２段目ゲッタ処理室
２０６ 封着処理室
２０７ 冷却室
２０８ 中心真空室
２０９ ロードロック
２１０ 熱遮蔽部材
２１１ 回転棒
２１２ 回転軸
２１３ 搬送ハンド
２１４ 回転方向矢印
【発明が属する技術分野】
本発明は、電子放出素子をマトリクス配置した画像表示装置、特に第１の画像形成部材としてマトリクス配置した電子放出素子を設けたリヤープレート（ＲＰ）と第２の画像形成部材として蛍光体を設けたフェースプレート（ＦＰ）とを対向配置した表示パネルを有する画像表示装置の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、電子放出素子としては、大別して熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子の２種類のものが知られている。冷陰極電子放出素子には、電界放出型（以下、ＦＥ型という）、金属／絶縁層／金属型（以下、ＭＩＭ型という）、表面伝導型電子放出素子などがある。
【０００３】
ＦＥ型の例としては、Ｗ．Ｐ．Ｄｙｋｅ ＆ Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，”Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）、あるいはＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，”ＰＨＹＳＩＣＡＬ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ ｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４７，５２４８（１９７６）などに開示されたものが知られている。
【０００４】
ＭＩＭ型の例としては、Ｃ．Ａ．Ｍｅａｄ，”Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｔｕｎｎｅｌ−Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２，６４６（１９６１）などに開示されたものが知られている。
【０００５】
表面伝導型電子放出素子型の例としては、Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０（１９６５）などに開示されたものがある。
【０００６】
表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等によるＳｎＯ2薄膜を用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：”Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｓ Ｆｉｌｍｓ，”９，３１７（１９７２）］、Ｉｎ2Ｏ3／ＳｎＯ2薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ＥＤ Ｃｏｎｆ．”，５１９（１９７５）］、カーボン薄膜によるもの［荒木久他：真空、第２６巻、第１号、２２頁（１９８３）］などが報告されている。
【０００７】
上記のような電子放出素子を用いた画像表示装置の製造には、これら電子放出素子をマトリクス配置した電子源基板をＲＰとして用意すると共に、電子線の励起を受けて発光する蛍光体を設けたＦＰとなる蛍光体基板を用意し、電子放出素子と蛍光体とが内側となるようにして、且つ、間に真空シール構造を提供する外囲器及び耐大気圧構造を提供するスペーサを配置して、これらＦＰとＲＰとを対向配置してから、フリットガラスやインジウムなどの低融点物質を封着材として用いて内部をシールし、予め設けておいた真空排気管から内部を真空排気した後、真空排気管を封止して表示パネルとする製造工程が用いられている。
【０００８】
上記した従来技術による製造法は、１枚の表示パネルを製造するのに、非常に長時間を必要とし、また、例えば、内部を真空度１０-6Ｐａ以上とするような表示パネルの製造には適していないものであった。
【０００９】
この従来技術の問題点は、例えば、特開平１１−１３５０１８号公報に記載された方法によって解消された。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記特開平１１−１３５０１８号公報に記載された方法は、単一の真空室内で、ＦＰとＲＰとを位置合わせした後、この２枚の基板を封着する工程のみが用いられているので、上記した表示パネルを作成する上で必要な他の工程であるベーク処理、ゲッタ処理や電子線クリーニング処理などの工程は、やはり各々単一の真空室での処理を施すことが必要となり、ＦＰ及びＲＰの各真空室間の移動は、大気を破って行われるため、ＦＰ及びＲＰの搬入毎に各真空室を真空排気することから、製造工程時間が長くなっていたため、製造工程時間の大幅な短縮が求められていたのと同時に、短時間で、最終製造工程での表示パネル内を真空度１０-6Ｐａ以上のような高真空を達成することも求められていた。
【００１１】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、画像表示装置の製造における真空排気時間の短縮及び高真空度化を容易に行えるようにし、もって製造効率を向上させることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明（参考）は、第１に、
画像表示装置の製造法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰囲気下に用意する工程、
ｂ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を、真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうちの一方又は両方の基板をゲッタ処理する工程、並びに、
ｃ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
を有する画像表示装置の製造法に特徴がある。
【００１３】
本発明（参考）は、第２に、
画像表示装置の製造法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰囲気下に用意する工程、
ｂ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気のベーク処理室に真空雰囲気下で搬入し、該両方の基板を所定温度でベーク処理する工程、並びに、
ｃ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
を有する画像表示装置の製造法に特徴がある。
【００１４】
本発明は、第３に、
画像表示装置の製造法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰囲気下に用意する工程、
ｂ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気のベーク処理室に真空雰囲気下で搬入し、該両方の基板を所定温度でベーク処理する工程、
ｃ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうちの一方又は両方の基板をゲッタ処理する工程、並びに、
ｄ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
を有する画像表示装置の製造法に特徴がある。
【００１５】
本発明は、第４に、
画像表示装置の製造法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰囲気下に用意する工程、
ｂ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気のベーク処理室に真空雰囲気下で搬入し、該両方の基板を所定温度でベーク処理する工程、
ｃ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気の第１ゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうちの一方又は両方の基板を第１ゲッタ処理する工程、
ｄ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気の電子線クリーニング処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうちの一方又は両方の基板を電子線照射による電子線クリーニング処理する工程、
ｅ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気の第２ゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうちの一方又は両方の基板を第２ゲッタ処理する工程、
ｆ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
を有する画像表示装置の製造法に特徴がある。
【００１６】
本発明（参考）は、第５に、
画像表示装置の製造装置において、
ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、
ｃ：上記第１の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有するゲッタ付与手段、
ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第２の真空室、
ｅ：上記第２の真空室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｆ：上記第２の真空室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。
【００１７】
本発明（参考）は、第６に、
画像表示装置の製造装置において、
ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、
ｃ：上記第１の真空室内に配置した、搬入された第１基板及び第２基板を加熱し、該第１基板と第２基板をベーク処理するベーク手段、
ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第２の真空室、
ｅ：上記第２の真空室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｆ：上記第２の真空室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。
【００１８】
本発明（参考）は、第７に、
画像表示装置の製造装置において、
ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、
ｃ：上記第１の真空室内に配置した、搬入された第１基板及び第２基板を加熱し、該第１基板と第２基板をベーク処理するベーク手段、
ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第２の真空室、
ｅ：上記第２の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有するゲッタ付与手段、
ｆ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第３の真空室、
ｇ：上記第３の真空室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｈ：上記第３の真空室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。
【００１９】
本発明（参考）は、第８に、
画像表示装置の製造装置において、
ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、
ｃ：上記第１の真空室内に配置した、搬入された第１基板及び第２基板を加熱し、該第１基板と第２基板をベーク処理するベーク手段、
ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第２の真空室、
ｅ：上記第２の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第１のゲッタ付与手段、
ｆ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第３の真空室、
ｇ：上記第３の真空室に配置した、電子線を照射することによって電子線クリーニング処理を施す電子線クリーニング手段、
ｈ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第４の真空室、
ｉ：上記第４の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第２のゲッタ付与手段、
ｊ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第５の真空室、
ｋ：上記第５の真空室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｌ：上記第５真空室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。
【００２０】
本発明（参考）は、第９に、
ａ．第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ．減圧状態を維持したまま上記搬送手段によって搬入されてきた第１基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第１の真空室、
ｃ．上記第１の減圧室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有するゲッタ付与手段、
ｄ．ゲッタが付与された第１の基板及び上記第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第２の減圧室、
ｅ．上記第２の減圧室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｆ．上記第２の減圧室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱し、第１基板と第２基板とを封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。
【００２１】
本発明（参考）は、第１０に、
ａ．第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ．減圧状態を維持したまま上記搬送手段によって搬入されてきた第１基板及び第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第１の減圧室、
ｃ．上記第１の減圧室内に搬入したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有するゲッタ付与手段、並びに
ｄ．第１の減圧室内の第１基板及び第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第２の減圧室、
ｅ．上記第２の減圧室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｆ．上記第２の減圧室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱し、第１基板と第２基板とを封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。
【００２２】
本発明（参考）は、第１１に、
ａ．第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ．減圧状態を維持したまま上記搬送手段によって搬入されてきた第１基板及び第２の基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第１の真空室、
ｃ．上記第１の減圧室内に配置した、搬入してきた第１基板及び第２基板に加熱を付与し、該第１基板と第２基板とをベーク処理するベーク手段、
ｄ．上記第１の減圧室又は該第１の減圧室から第１基板又は第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした別の第２の減圧室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第１のゲッタ付与手段、
ｅ．上記第１の減圧室又は第２の減圧室から大気に曝すことなく第１の基板又は第２基板を搬入可能とした第３の真空室、
ｆ．上記第３の減圧室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｇ．上記第３の減圧室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱し、第１基板と第２基板とを封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。
【００２３】
本発明（参考）は、第１２に、
ａ．第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ．減圧状態を維持したまま上記搬送手段によって搬入されてきた第１基板及び第２の基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第１の減圧室、
ｃ．上記第１の減圧室内に配置した、搬入してきた第１基板及び第２基板に加熱を付与し、該第１基板と第２基板とをベーク処理するベーク手段、
ｄ．上記第１の減圧室又は該第１の減圧室から第１基板又は第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした別の第２の減圧室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第１のゲッタ付与手段、
ｅ．上記第１の減圧室又は第２の減圧室から第１基板又は第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第３の真空室、
ｆ．上記第３の減圧室に配置した、第１基板又は第２基板に対して電子線を照射することによって第１基板又は第２基板をクリーニングする電子線クリーニング手段、
ｇ．上記第３の減圧室から第１基板又は第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第４の減圧室、
ｈ．上記第４の減圧室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第２のゲッタ付与手段、
ｉ．上記第４の減圧室から第１基板又は第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第５の真空室、
ｊ．上記第５の減圧室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｋ．上記第５の減圧室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱し、第１基板と第２基板とを封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に、特徴がある。
【００２４】
また、本発明は、
上記第１及び第２の特徴において、工程ａ、ｂ及びｃは、一ライン上に設定された工程であって、上記ゲッタ処理室と封着処理室との間に反射性金属などによって形成された熱遮蔽部材が配置されていること、
上記第１及び第２の特徴において、工程ａ、ｂ及びｃは、一ライン上に設定された工程であって、上記ゲッタ処理室と封着処理室との間にロードロックが配置されていること、
上記第１及び第２の特徴において、工程ａ、ｂ及びｃは、スター配置上に設定され、上記ゲッタ処理室と封着処理室とは独立の部屋によって仕切られていること、
上記第３の特徴において、工程ａ、ｂ、ｃ及びｄは、一ライン上に設定された工程であって、上記ベーク室とゲッタ処理室の間、ゲッタ処理室と封着処理室との間、又はベーク室とゲッタ処理室と封着処理室とのそれぞれの間に反射性金属などによって形成した熱遮蔽部材が配置されていること、
上記第３の特徴において、工程ａ、ｂ、ｃ及びｄは、一ライン上に設定された工程であって、上記ベーク処理室とゲッタ処理室との間、ゲッタ処理室と封着処理室との間、又はベーク室とゲッタ処理室と封着室とのそれぞれとの間にロードロックが配置されていること、
上記第３の特徴において、工程ａ、ｂ、ｃ及びｄは、スター配置上に設定され、上記ベーク処理室とゲッタ処理室と封着処理室とは独立の部屋によって仕切らていること、
上記第４の特徴において、工程ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、一ライン上に設定された工程であって、上記ベーク室と第１ゲッタ処理室の間、第１ゲッタ処理室と電子線クリーニング処理室との間、電子線クリーニング処理室と第２ゲッタ処理室との間、又は第２ゲッタ処理室と封着処理室との間に反射性金属などによって形成されている熱遮蔽部材が配置されていること、
上記第４の特徴において、工程ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、一ライン上に設定された工程であって、上記ベーク処理室と第１ゲッタ処理室との間、第１ゲッタ処理室と電子線クリーニング処理室との間、電子線クリーニング処理室と第２ゲッタ処理室との間、又は第２ゲッタ処理室と封着処理室との間にロードロックが配置されていること、
上記第４の特徴において、工程ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、スター配置上に設定され、上記ベーク処理室と、第１ゲッタ処理室と、電子線クリーニング処理室と、第２ゲッタ処理室と、封着処理室とは独立の部屋によって仕切られていること、
上記第５及び第６の特徴において、第１の真空室と第２の真空室とは、一ライン上に配置されていること、
上記第５及び第６の特徴において、第１の真空室と第２の真空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、反射性金属などによって形成されている熱遮蔽部材で仕切られていること、
上記第５及び第６の特徴において、第１の真空室と第２の真空室とは、スター配置上に設けられてなり、各部屋は、独立した部屋で仕切られていること、
上記第７の特徴において、第１の真空室、第２の真空室と第３の真空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、反射性金属などによって形成されている熱遮蔽部材で仕切られていること、
上記第７の特徴において、第１の真空室、第２の真空室と第３の真空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、ロードロックで仕切られていること、
上記第７の特徴において、第１の真空室、第２の真空室と第３の真空室とは、スター配置上に設けられてなり、各部屋は、独立した部屋で仕切られていること、
上記第８の特徴において、第１の真空室と、第２の真空室と、第３の真空室と、第４の真空室と、第５の真空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、反射性金属などによって形成されている熱遮蔽部材で仕切られていること、
上記第８の特徴において、第１の真空室と、第２の真空室と、第３の真空室と、第４の真空室と、第５の真空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、ロードロックで仕切られていること、
上記第８の特徴において、第１の真空室と、第２の真空室と、第３の真空室と、第４の真空室と、第５の真空室とは、スター配置上に設けられてなり、各部屋は、独立した部屋で仕切られていること、
をその好ましい態様として含むものである。
【００２５】
更に上記特徴第９〜１２において、第１の減圧室〜第５の減圧室は、アルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有する。また、上記特徴第９〜１２において、第１の画像表示装置用部材は、プラズマ発生素子であり、第２の画像表示装置用部材は、蛍光体又はカラーフィルタである。
【００２６】
【発明の実施の形態】
図１（ａ）は本発明に係る製造装置を模式的に示した図、図１（ｂ）は横軸時間に対する縦軸をプロセス温度とした温度プロファイル、図１（ｃ）は横軸時間に対する縦軸を真空度とした真空度プロファイルである。以下、これらに基づいて本発明に係る製造方法と製造装置の一例を説明する。
【００２７】
図１（ａ）に図示した装置は、前室１０１、ベーク処理室１０２、第１段目ゲッタ処理室１０３、電子線クリーニング処理室１０４、第２段目ゲッタ処理室１０５、封着処理室１０６及び冷却室１０７が順次搬送方向（図中の矢印１２７）に従って配列され、ＲＰ１１０とＦＰ１１２は、搬送ローラ１０９及び搬送ベルト１０８の駆動によって、順次、矢印１２７方向に各部屋を通過し、この通過中に各種の処理が施される。つまり、前室１０１における真空雰囲気下での用意、ベーク処理室１０２におけるベーク処理、第１段目ゲッタ処理室における第１のゲッタ処理、電子線クリーニング処理室１０４における電子線照射によるクリーニング、第２段目ゲッタ処理室１０５における第２のゲッタ処理、封着処理室１０６における加熱封着及び冷却室１０７における冷却処理の各工程が直列された一ライン上で行われるものとなっている。
【００２８】
上記各部屋間には、例えばアルミニウム、クロム、ステンレスなどの反射性金属によって形成した熱遮蔽部材１２８（板形状、フィルム形状など）が配置されているのが好ましい。この熱遮蔽部材１２８は、図１（ｂ）に図示する温度プロファイルの温度が相違する部屋間、例えば、ベーク処理室１０２と第１段目ゲッタ処理室１０３との間と、第２段目ゲッタ処理室１０５と封着処理室１０６との間のいずれか一方、最適には両者に配置するのが好ましいが、各部屋間毎に配置してもよい。また、上記熱遮蔽部材１２８は、搬送ベルト１０８上に載置したＦＰ１１２と昇降器１１７に固定したＲＰ１１０とが各室間の移動する際に、障害を与えないように設置される。
【００２９】
図１（ａ）に図示した装置の前室１０１とベーク処理室１０２との間にはロードロック１２９が配置されている。ロードロック１２９は前室１０１とベーク処理室１０２間を開閉するものである。また、前室１０１には真空排気系１３０が接続されており、ベーク処理室１０２には真空排気系１３１が接続されている。
【００３０】
ＲＰ１１０とＦＰ１１２とを前室１０１に搬入した後、搬入口１１０を遮蔽し、同時にロードロック１２９を遮蔽し、この前室１０１の内部を真空排気系１３０によって真空排気する。この間、ベーク処理室１０２、第１段目ゲッタ処理室１０３、電子線クリーニング処理室１０４、第２段目ゲッタ処理室１０５、封着処理室１０６及び冷却室１０７の全内部を真空排気系１３１によって真空排気して真空排気状態とする。
【００３１】
上記前室１０１と、その後の各部屋が真空排気状態に達したとき、ロードロック１２９を開放し、ＲＰ１１０とＦＰ１１２とを前室１０１から搬出してベーク処理室１０２に搬入し、この搬入終了後にロードロック１２９を遮断してから搬入口１１０を開けて、再度別のＲＰ１１０とＦＰ１１２とを前室１０１に搬入し、前室１０１の内部を真空排気系１３０によって真空排気する工程を繰り返す。
【００３２】
本発明においては、上記したロードロック１２９と同じロードロック（図示せず）を各部屋間に配置しておくことが好ましい。このロードロックは、各部屋間毎であってもよいが、このロードロックを図１（ｃ）に図示する真空度プロファイルの真空度が相違する部屋間毎、例えば、ベーク処理室１０２と第１段目ゲッタ処理室１０３との間と、電子線クリーニング室１０４と第２段目ゲッタ処理室１０５との間のいずれか一方、最適には両者に配置するのが好ましい。
【００３３】
本発明では、前室１０１に搬入する前のＲＰ１１１に、予め、真空構造をシールする外囲器１１３及び耐大気圧構造を形成するスペーサ１１５を固定設置しておくことが好ましい。ＦＰ１１２の上記外囲器１１３に対応した位置には、フリットガラスなどの低融点物質やインジウムなどの低融点金属又はその合金を用いた封着材１１４を設けることができる。また、図示するとおり、上記封着材１１４を外囲器１１３に設けることも可能である。
【００３４】
大気に曝されることなくベーク処理室１０２に搬入されてきたＲＰ１１１とＦＰ１１２とには、このベーク処理室１０２内で、加熱プレート１１６の加熱処理（ベーク処理）が施される。このベーク処理によって、ＲＰ１１１とＦＰ１１２に含有されている水素ガス、水蒸気、酸素などの不純物ガスを排出させることができる。このときのベーク温度は、一般的に、３００℃〜４００℃、好ましくは３５０℃〜３８０℃である。このときの真空度は約１０-4Ｐａである。
【００３５】
ベーク処理を終了したＲＰ１１１とＦＰ１１２とを第１段目ゲッタ処理室１０３に搬入させ、ＲＰ１１１をホルダー１１８に固定し、昇降器１１７によって部屋１０３の上部へ移動させ、ＦＰ１１２に対してゲッタフラッシュ装置１１９内に内蔵させていた蒸発可能ゲッタ材（例えば、バリウムなどのゲッタ材）のゲッタ材フラッシュ１２０を生じさせ、ＦＰ１１２表面にバリウム膜などからなるゲッタ膜（図示せず）を付着せしめる。この際の第１段目ゲッタの膜厚は、一般的に５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍ、より好ましくは、２０ｎｍ〜２００ｎｍである。また、本発明では、上記ゲッタ材のほかに、ＲＰ１１１又はＦＰ１１２上に、予め、チタン材やＮＥＧ材などからなるゲッタ膜又はゲッタ部材を設けておいてもよい。
【００３６】
上記ホルダー１１８は、ＲＰ１１１が脱落することなく十分な力で固定することができる機材、例えば、静電チャック方式や真空着チャック方式を利用した機材を用いることができる。
【００３７】
ホルダー１１８に固定されたＲＰ１１１は、昇降器１１７によって、搬送ベルト１０８上のＦＰ１１２から十分に離れた位置まで上昇させる。この際のＲＰ１１１とＦＰ１１２との間隔は、用いた真空室のサイズにもよるが、両基板間のコンダクタンスを十分小さくするに十分な間隔とするのがよい。この際の両基板間の間隔は、一般的には、５ｃｍ以上とすれば十分である。
【００３８】
また、上記工程において、バリウムゲッタを用いた場合では、第１段目ゲッタ処理室１０３のプロセス温度は、約１００℃に設定される。このときの真空度は、１０-5Ｐａである。
【００３９】
図においてゲッタフラッシュ１２０を照射しているのはＦＰ１１２のみとなっているが、本発明では、ＲＰ１１１のみもしくはＲＰ１１１とＦＰ１１２の両者に対して上記同様のゲッタフラッシュ１２０を照射してゲッタを付与することも可能である。また、第１のゲッタフラッシュは、前記ベーク処理室１０２におけるベーク処理又は処理後の真空雰囲気の真空度を高めるために、前記ベーク処理室１０２内で行うこともできる。
【００４０】
続いて、ＲＰ１１１とＦＰ１１２とを、電子線クリーニング処理室１０４に大気に曝すことなく搬入し、この電子線クリーニング処理室１０４でＲＰ１１１及び／又はＦＰ１１２に対して電子線発振器１２１より電子線１２２を走査し、特にＦＰ１１２の蛍光体（図示せず）中の不純物ガスを放出させる上記搬入の際、昇降器１１７に保持したＲＰ１１１と搬送ベルト１０８に保持したＦＰ１１２との間隔は、前の第１段目ゲッタ処理工程での間隔をそのまま維持するのがよい。
【００４１】
図において電子線クリーニング処理を行っているのはＦＰ１１２のみとなっているが、本発明では、ＲＰ１１１のみもしくはＲＰ１１１とＦＰ１１２の両者に対して上記同様の電子線クリーニング処理を施すことも可能である。
【００４２】
上記電子線クリーニング処理の後、ＲＰ１１１とＦＰ１１２を大気に曝すことなく第２段目ゲッタ処理室１０５に搬入し、そこで前記第１段目ゲッタ処理室１０３と同様の方法で、ゲッタフラッシュ装置１２３からゲッタフラッシュ１２４を生じさせ、ＦＰ１１２に対してゲッタを付与する。この際の第２段目ゲッタの膜厚は、一般的に５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍ、より好ましくは、２０ｎｍ〜２００ｎｍである。上記搬入の際、昇降器１１７に保持したＲＰ１１１と搬送ベルト１０８に保持したＦＰ１１２との間隔は、前の第１段目ゲッタ処理工程での間隔をそのまま維持するのがよい。また、第２段目ゲッタは第１段目ゲッタと同様にＲＰ１１１にのみ付与したり、ＦＰ１１２とＲＰ１１１の両者に付与することもができる。
【００４３】
上記第２段目のゲッタが付与されたＦＰ１１２と昇降器１１７によって第２段目ゲッタ室１０５の上部に位置していたＲＰ１１１を下降させ、大気に曝すことなく次の封着処理室１０６に搬入させる。この際、ＲＰ１１１とＦＰ１１２とをそれぞれの基板上に設けているマトリクス配置した電子線放出素子と蛍光体とを内側に向けた状態で、スペーサ１１５及び外囲器１１３が互いに接するまで対向配置するよう、昇降器１１７を動作させる。
【００４４】
封着処理室１０６内の相対向配置したＲＰ１１１とＦＰ１１２とに対して加熱プレート１２５を作用させ、予め設けておいた封着材１１４がインジウムのような低融点金属の場合では、低融点金属が溶融するまで加熱し、また封着材１１４がフリットガラスのような非金属の低融点物質の場合には、低融点物質が感化し接着性を帯びる温度まで加熱する。図１（ｂ）では、封着材１１４としてインジウムを用いた例として、１８０℃の温度に設定されている。
【００４５】
上記封着処理室１０６の真空度を１０-6Ｐａ以上の高真空度に設定することができる。このためＲＰ１１１とＦＰ１１２と外囲器１１３とで密封された表示パネル内部の真空度についても、１０-6Ｐａ以上の高真空度に設定することができる。
【００４６】
上記封着処理室１０６にて作成した表示パネルは、次の冷却室１０７に搬出され、ゆっくり冷却される。
【００４７】
本発明の装置は、上記封着室１０６と冷却室１０７との間に、上記ロードロック２９と同様のロードロック（図示せず）を設け、該ロードロック開放時に封着処理室１０６から表示パネルを搬出させ、冷却室１０７に搬入後、該ロードロックを遮蔽し、ここで徐冷後、搬出口１２６を開放し、表示パネルを冷却室１０７から搬出させ、最後に該搬出口１２６を遮蔽して、全工程を終了する。また、次の工程の開始前に、冷却室１０７の内部を独立配置した真空排気系（図示せず）によって、真空状態に設定しておくのがよい。
【００４８】
また、本発明は、上記各室及１０１〜１０７をアルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有させることができる。
【００４９】
上記の例はベストモードであるが、第１の変形例として、前室１０１における真空雰囲気下での用意、第１段目ゲッタ処理室における第１のゲッタ処理、封着処理室１０６における加熱封着、冷却室１０７における冷却処理の順に工程を進めるように各部屋を直列させる例が挙げられる。
【００５０】
第２の変形例としては、前室１０１における真空雰囲気下での用意、ベーク処理室１０２におけるベーク処理、封着処理室１０６における加熱封着、冷却室１０７における冷却処理の順に工程を進めるように各部屋を直列させる例が挙げられる。
【００５１】
第３の変形例としては、前室１０１における真空雰囲気下での用意、ベーク処理室１０２におけるベーク処理、第１段目ゲッタ処理室における第１のゲッタ処理、封着処理室１０６における加熱封着及び冷却室１０７における冷却処理の順に工程を進めるように各部屋を直列させる例が挙げられる。
【００５２】
第４の変形例としては、ＲＰ１１１とＦＰ１１２を別々の搬送手段で搬送できるようにすることが挙げられる。
【００５３】
図２は、前室２０１、ベーク処理室２０２、第１段目ゲッタ処理室２０３、電子線クリーニング処理室２０４、第２段目ゲッタ処理室２０５、封着処理室２０６及び冷却室２０７を中心真空室２０８の周りにスター配置上に設けた装置の模式平面図である。各部屋２０１〜２０７は、各々独立の部屋で仕切られている。
【００５４】
図２の装置において、前室２０１と中心真空室２０８との間に、ロードロック２０９が設けられているが、他の部屋２０２〜２０７にも同様のロードロックを用い、全室２０１〜２０７と中心真空室２０８との間をロードロックで仕切ることができる。また、ベーク処理室２０２と中心真空室２０８との間に設けたロードロックに変えて、熱遮蔽部材２１０を用いることもできる。また、同様に、他の部屋２０３〜２０７と中心真空室２０８との間に設けたロードロックに変えて、熱遮蔽部材２１０を用いることもできる。
【００５５】
中心真空室２０８には、搬送ハンド２１１が設置され、その両端部に、ＲＰ１１１とＦＰ１１２とを静電チャック方式又は真空チャック方式によって固定可能とした搬送ハンド２１３が設置されている。この搬送ハンド２１３は、回転軸２１２を中心にそれぞれ矢印２１４の方向に回転可能とした搬送棒２１１に設置されている。
【００５６】
搬送ハンド２１３の動作によって、ＲＰ１１１とＦＰ１１２を各部屋２０１〜２０７毎に搬入及び搬出を繰り返すことによって、各部屋ごとで、各処理工程が施される。この際、ＲＰ１１１とＦＰ１１２の両基板ごとに全処理工程を施してもよいが、好ましくは、ＲＰ１１１とＦＰ１１２の両基板のうち、一方の基板の基板のみを所定の工程のみを処理するのがよい。例えば、ＲＰ１１１とＦＰ１１２の両基板を上記の如く全工程を処理するのに変えて、ＦＰ１１２のみを第１段目ゲッタ処理室２０３及び第２段目ゲッタ処理室２０５に搬入せしめ、そこで、ＦＰ１１２についてのみゲッタ処理を施し、この間、ＲＰ１１１は、中心真空室２０８内に待機させ、ＲＰ１１１に対するゲッタ処理を省略することも可能である。
【００５７】
また、本発明は、上記各室及２０１〜２０７及び中心真空室２０８内をアルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有させることができる。
【００５８】
図３は、本発明の装置及び方法を用いて作成した画像表示装置の断面図である。図４は、その斜視図である。
【００５９】
図中、図１及び図２と同一符号は、同一部材である。上記装置及び方法によって作成した画像表示装置は、ＲＰ１１１とＦＰ１１２と外囲器１１３とによって真空容器又は減圧容器が形成されている。上記減圧容器内には、アルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有することができる。
【００６０】
また、真空容器の場合には、１０-5Ｐａ以上、好ましくは、１０-6Ｐａ以上の高真空に設定することができる。
【００６１】
上記真空容器又は減圧容器内には、スペーサ１１５が配置さて耐大気圧構造を形成している。本発明で用いたスペーサ１１５は、無アルカリガラスなどの無アルカリ絶縁物質からなる本体３１１と、該本体３１１の表面を覆って配置した高抵抗物質で成膜された高抵抗膜３０９と両端に設けた金属（タングステン、銅、銀、金、モリブデンやこれらの合金など）膜３０８及び３１０とを有し、配線３０６上に導電性接着剤を介して電気的に接続接着されている。スペーサ１１５は、上記前室１０１又は２０１に搬入する際には、前もってＲＰ１１１にフリットガラスなどの低融点接着剤３０７によって接着固定され、封着処理室１０６又は２０６において処理が終了した時点で、上記スペーサ１１５のもう一方の端部とＦＰ１２とは電気的に接続されて接して配置される。
【００６２】
ＲＰ１１１は、ガラスなどの透明基板３０４と、ナトリウムなどのアルカリの侵入を防止するための下地膜（ＳｉＯ2、ＳｎＯ2など）３０５と、ＸＹマトリクス配列した複数の電子線放出素子３１２とが配置されている。配線３０６は、電子線放出素子と接続したカソード側ＸＹマトリクス配線の一方のカソード側配線を構成する。
【００６３】
本発明は、蛍光体励起手段又は画像表示素子部材として用いた電子線放出素子３１２に変えて、プラズマ発生素子を用いることができる。この際、容器内には、アルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有させる。
【００６４】
ＦＰ１１２は、ガラスなどの透明基板３０１と蛍光体層３０２とアノード源（図示せず）に接続したアノード金属（アルミニウム、銀、銅など）膜３０３とが配置されている。
【００６５】
また、本発明は、上記プラズマ発生素子を用いた際には、画像表示用部材として用いた蛍光体に変えて、カラーフィルターを用いることができる。
【００６６】
外囲器１１３は、上記前室１０１又は２０１に搬入する際には、前もってＲＰ１１１にフリットガラスなどの低融点接着剤３１３によって接着固定しておき、上記封着処理室１０６又は２０６における処理工程で、インジウムやフリットガラスを用いた封着材１１４によって固定接着されている。
【００６７】
【発明の効果】
本発明によれば、上記電子放出素子やプラズマ発生素子をＸＹ方向に１００万画素以上のように大容量で設け、且つこの大容量画素を対角サイズ３０インチ以上の大画面に設けた画像表示装置を製造するに当たって、製造工程時間を大幅に短縮することができたのと同時に、画像表示装置を構成する真空容器を１０-6Ｐａ以上のような高真空に達成させることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一例に係る第１の装置の模式的断面図である。
【図２】本発明の他の例に係る第２の装置の模式的平面図である。
【図３】本発明の装置及び方法によって製造された画像表示装置の断面図である。
【符号の説明】
１０１ 前室
１０２ ベーク処理室
１０３ 第１段目ゲッタ処理室
１０４ 電子線クリーニング処理室
１０５ 第２段目ゲッタ処理室
１０６ 封着処理室
１０７ 冷却室
１０８ 搬送ベルト
１０９ 搬送ローラ
１１０ 搬入口
１１１ リヤープレート（ＲＰ）
１１２ フェースプレート（ＦＰ）
１１３ 外囲器
１１４ 封着材
１１５ スペーサ
１１６ 加熱プレート
１１７ 昇降器
１１８ ホルダー
１１９ ゲッタフラッシュ装置
１２０ ゲッタフラッシュ
１２１ 電子線発振器
１２２ 電子線
１２３ ゲッタフラッシュ装置
１２４ ゲッタフラッシュ
１２５ 加熱プレート
１２６ 搬出口
１２７ 進行方向矢印
１２８ 熱遮蔽部材
１２９ ロードロック
１３０ 真空排気系
１３１ 真空排気系
２０１ 前室
２０２ ベーク処理室
２０３ 第１段目ゲッタ処理室
２０４ 電子線クリーニング処理室
２０５ 第２段目ゲッタ処理室
２０６ 封着処理室
２０７ 冷却室
２０８ 中心真空室
２０９ ロードロック
２１０ 熱遮蔽部材
２１１ 回転棒
２１２ 回転軸
２１３ 搬送ハンド
２１４ 回転方向矢印
Claims (12)
- 画像表示装置の製造法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰囲気下に用意する工程、
ｂ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気のベーク処理室に真空雰囲気下で搬入し、該両方の基板を所定温度でベーク処理する工程、
ｃ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうちの一方又は両方の基板をゲッタ処理する工程、並びに、
ｄ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
を有することを特徴とする画像表示装置の製造法。 - 上記工程ａ、ｂ、ｃ及びｄは、一ライン上に設定された工程であることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置の製造法。
- 上記工程ａ、ｂ、ｃ及びｄは、一ライン上に設定された工程であって、上記ベーク室とゲッタ処理室の間、ゲッタ処理室と封着処理室との間、又はベーク室とゲッタ処理室と封着処理室とのそれぞれの間に熱遮蔽部材が配置されていることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置の製造法。
- 上記工程ａ、ｂ、ｃ及びｄは、一ライン上に設定された工程であって、上記ベーク処理室とゲッタ処理室との間、ゲッタ処理室と封着処理室との間、又はベーク室とゲッタ処理室と封着室とのそれぞれとの間にロードロックが配置されていることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置の製造法。
- 画像表示装置の製造法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰囲気下に用意する工程、
ｂ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気のベーク処理室に真空雰囲気下で搬入し、該両方の基板を所定温度でベーク処理する工程、
ｃ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気の第１ゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうちの一方又は両方の基板を第１ゲッタ処理する工程、
ｄ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気の電子線クリーニング処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうちの一方又は両方の基板を電子線照射による電子線クリーニング処理する工程、
ｅ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気の第２ゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうちの一方又は両方の基板を第２ゲッタ処理する工程、
ｆ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
を有することを特徴とする画像表示装置の製造法。 - 上記工程ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、一ライン上に設定された工程であることを特徴とする請求項５記載の画像表示装置の製造法。
- 上記工程ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、一ライン上に設定された工程であって、上記ベーク室と第１ゲッタ処理室の間、第１ゲッタ処理室と電子線クリーニング処理室との間、電子線クリーニング処理室と第２ゲッタ処理室との間、又は第２ゲッタ処理室と封着処理室との間に熱遮蔽部材が配置されていることを特徴とする請求項５記載の画像表示装置の製造法。
- 上記工程ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、一ライン上に設定された工程であって、上記ベーク処理室と第１ゲッタ処理室との間、第１ゲッタ処理室と電子線クリーニング処理室との間、電子線クリーニング処理室と第２ゲッタ処理室との間、又は第２ゲッタ処理室と封着処理室との間にロードロックが配置されていることを特徴とする請求 項５記載の画像表示装置の製造法。
- 上記蛍光体励起手段は、電子線放出手段を有することを特徴とする請求項１または５記載の画像表示装置の製造法。
- 上記第１基板は、予め内側に固定配置したスペーサを有することを特徴とする請求項１または５記載の画像表示装置の製造法。
- 上記第２基板は、予め内側に固定配置したスペーサを有することを特徴とする請求項１または５記載の画像表示装置の製造法。
- 上記真空雰囲気のゲッタ処理室には、上記第１基板と上記第２基板の両方の基板が搬入されることを特徴とする請求項１または５記載の画像表示装置の製造法。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000038603A JP3754859B2 (ja) | 2000-02-16 | 2000-02-16 | 画像表示装置の製造法 |
| US09/781,305 US6905384B2 (en) | 2000-02-16 | 2001-02-13 | Method and apparatus for manufacturing image displaying apparatus |
| TW090103292A TW514960B (en) | 2000-02-16 | 2001-02-14 | Method and apparatus for manufacturing image displaying apparatus |
| DE60139358T DE60139358D1 (de) | 2000-02-16 | 2001-02-15 | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Bildanzeigevorrichtung |
| EP01301315A EP1126496B1 (en) | 2000-02-16 | 2001-02-15 | Method and apparatus for manufacturing image displaying apparatus |
| AT01301315T ATE438195T1 (de) | 2000-02-16 | 2001-02-15 | Verfahren und vorrichtung zum herstellen einer bildanzeigevorrichtung |
| CNB011168730A CN100430981C (zh) | 2000-02-16 | 2001-02-16 | 制作图象显示装置的方法和设备 |
| KR10-2001-0007695A KR100442214B1 (ko) | 2000-02-16 | 2001-02-16 | 화상표시장치의 제조법 및 제조장치 |
| KR10-2004-0019042A KR100441388B1 (ko) | 2000-02-16 | 2004-03-19 | 화상표시장치의 제조법 및 제조장치 |
| US11/101,506 US7226335B2 (en) | 2000-02-16 | 2005-04-08 | Method and apparatus for manufacturing image displaying apparatus |
| US11/620,819 US7628670B2 (en) | 2000-02-16 | 2007-01-08 | Method and apparatus for manufacturing image displaying apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000038603A JP3754859B2 (ja) | 2000-02-16 | 2000-02-16 | 画像表示装置の製造法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005315794A Division JP4235640B2 (ja) | 2005-10-31 | 2005-10-31 | 画像表示装置の製造装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001229828A JP2001229828A (ja) | 2001-08-24 |
| JP2001229828A5 JP2001229828A5 (ja) | 2005-03-17 |
| JP3754859B2 true JP3754859B2 (ja) | 2006-03-15 |
Family
ID=18562315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000038603A Expired - Fee Related JP3754859B2 (ja) | 2000-02-16 | 2000-02-16 | 画像表示装置の製造法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6905384B2 (ja) |
| EP (1) | EP1126496B1 (ja) |
| JP (1) | JP3754859B2 (ja) |
| KR (2) | KR100442214B1 (ja) |
| CN (1) | CN100430981C (ja) |
| AT (1) | ATE438195T1 (ja) |
| DE (1) | DE60139358D1 (ja) |
| TW (1) | TW514960B (ja) |
Families Citing this family (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3754859B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2006-03-15 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置の製造法 |
| KR100448663B1 (ko) * | 2000-03-16 | 2004-09-13 | 캐논 가부시끼가이샤 | 화상표시장치의 제조방법 및 제조장치 |
| JP3754883B2 (ja) * | 2000-03-23 | 2006-03-15 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置の製造法 |
| US7052354B2 (en) * | 2002-08-01 | 2006-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing spacer and spacer |
| JP5068924B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2012-11-07 | 中外炉工業株式会社 | ガラスパネル組立体の連続封着処理炉および封着処理方法 |
| US7271529B2 (en) | 2004-04-13 | 2007-09-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emitting devices having metal-based film formed over an electro-conductive film element |
| JP4393257B2 (ja) * | 2004-04-15 | 2010-01-06 | キヤノン株式会社 | 外囲器の製造方法および画像形成装置 |
| JP2006085933A (ja) | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置の製造方法及び製造装置 |
| US20060269656A1 (en) * | 2005-05-26 | 2006-11-30 | Eastman Kodak Company | Reducing contamination in OLED processing systems |
| JP2007027018A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Hitachi Ltd | ディスプレイパネルの製造方法及びアノードパネル |
| US7710035B2 (en) | 2006-08-10 | 2010-05-04 | Lg Electronics Inc. | Plasma display apparatus omitting an exhaust unit |
| JP2010086947A (ja) | 2008-09-02 | 2010-04-15 | Canon Inc | 真空気密容器の製造方法 |
| JP2010135312A (ja) | 2008-11-04 | 2010-06-17 | Canon Inc | 気密容器の製造方法 |
| TWI475124B (zh) * | 2009-05-22 | 2015-03-01 | Samsung Display Co Ltd | 薄膜沉積設備 |
| TWI472639B (zh) | 2009-05-22 | 2015-02-11 | Samsung Display Co Ltd | 薄膜沉積設備 |
| KR101074792B1 (ko) * | 2009-06-12 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
| KR101117719B1 (ko) | 2009-06-24 | 2012-03-08 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
| JP5328726B2 (ja) * | 2009-08-25 | 2013-10-30 | 三星ディスプレイ株式會社 | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
| JP5677785B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2015-02-25 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
| JP5611718B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2014-10-22 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
| US20110052795A1 (en) * | 2009-09-01 | 2011-03-03 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8876975B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-11-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| KR101084184B1 (ko) | 2010-01-11 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
| US20110262625A1 (en) * | 2010-01-11 | 2011-10-27 | Hyun-Sook Park | Thin film deposition apparatus |
| KR101174875B1 (ko) * | 2010-01-14 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR101193186B1 (ko) | 2010-02-01 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR101156441B1 (ko) * | 2010-03-11 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
| KR101202348B1 (ko) | 2010-04-06 | 2012-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| US8894458B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| KR101223723B1 (ko) | 2010-07-07 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR101723506B1 (ko) | 2010-10-22 | 2017-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| KR101738531B1 (ko) | 2010-10-22 | 2017-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR20120045865A (ko) | 2010-11-01 | 2012-05-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기층 증착 장치 |
| CN102117893B (zh) * | 2010-12-01 | 2012-07-04 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 真空加热除气处理设备 |
| KR20120065789A (ko) | 2010-12-13 | 2012-06-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기층 증착 장치 |
| JP2012133993A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Kochi Fel Kk | 電界放出型光源の製造方法及び電界放出型光源 |
| KR101760897B1 (ko) | 2011-01-12 | 2017-07-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치 |
| KR101852517B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| KR101840654B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| KR101857249B1 (ko) | 2011-05-27 | 2018-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
| KR20130004830A (ko) | 2011-07-04 | 2013-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR101826068B1 (ko) | 2011-07-04 | 2018-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 |
| KR102015872B1 (ko) | 2012-06-22 | 2019-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR102081284B1 (ko) | 2013-04-18 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
| EP3542687A1 (en) * | 2018-03-22 | 2019-09-25 | Koninklijke Philips N.V. | A food processing apparatus |
| CN116105466A (zh) * | 2023-02-24 | 2023-05-12 | 湖北亿纬动力有限公司 | 锂离子电池的干燥方法 |
Family Cites Families (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2876260A (en) * | 1956-08-27 | 1959-03-03 | Dow Chemical Co | Preparation of symmetrical disubstituted ureas |
| US4018490A (en) * | 1975-07-07 | 1977-04-19 | International Business Machines Corporation | Gas discharge display panel fabrication |
| US4607593A (en) | 1983-12-23 | 1986-08-26 | U.S. Philips Corporation | Apparatus for processing articles in a controlled environment |
| JPS6171533A (ja) | 1984-09-12 | 1986-04-12 | Futaba Corp | 表示管の製造方法 |
| US5749763A (en) | 1987-07-15 | 1998-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulted from electrodes |
| DE3853744T2 (de) | 1987-07-15 | 1996-01-25 | Canon Kk | Elektronenemittierende Vorrichtung. |
| US5415024A (en) * | 1992-12-16 | 1995-05-16 | Marathon Oil Company | Composition analyzer for determining composition of multiphase multicomponent fluid mixture |
| FR2705163B1 (fr) | 1993-05-12 | 1995-07-28 | Pixel Int Sa | Procede de mise en vide et de scellement d'ecrans plats de visualisation. |
| US5433639A (en) * | 1993-08-18 | 1995-07-18 | Santa Barbara Research Center | Processing of vacuum-sealed dewar assembly |
| CA2137721C (en) | 1993-12-14 | 2000-10-17 | Hidetoshi Suzuki | Electron source and production thereof, and image-forming apparatus and production thereof |
| JP2903998B2 (ja) | 1994-03-25 | 1999-06-14 | 双葉電子工業株式会社 | 表示管の製造装置 |
| JP2832510B2 (ja) * | 1994-05-10 | 1998-12-09 | 双葉電子工業株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| JP3241935B2 (ja) | 1994-07-07 | 2001-12-25 | 富士通株式会社 | フラット形表示装置 |
| US5876260A (en) | 1994-11-09 | 1999-03-02 | Pixtech Sa | Method for assembling a flat display screen |
| KR960019424A (ko) * | 1994-11-28 | 1996-06-17 | 윌리엄 이. 힐러 | 전계 방출 디바이스 어셈블리의 복사 냉각 장치 및 방법 |
| JP3423511B2 (ja) | 1994-12-14 | 2003-07-07 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置及びゲッタ材の活性化方法 |
| US5618216C1 (en) | 1995-06-02 | 2001-06-26 | Advanced Vision Tech Inc | Fabrication process for lateral-emitter field-emission device with simplified anode |
| US5653836A (en) * | 1995-07-28 | 1997-08-05 | Rohr, Inc. | Method of repairing sound attenuation structure used for aircraft applications |
| US5653838A (en) * | 1995-08-24 | 1997-08-05 | Texas Instruments Incorporated | Glass heating and sealing system |
| JPH0992184A (ja) | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Ise Electronics Corp | 蛍光表示管およびその製造方法 |
| US5697825A (en) | 1995-09-29 | 1997-12-16 | Micron Display Technology, Inc. | Method for evacuating and sealing field emission displays |
| EP0782169A1 (en) | 1995-12-29 | 1997-07-02 | STMicroelectronics, Inc. | A field emission display |
| US5813893A (en) * | 1995-12-29 | 1998-09-29 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Field emission display fabrication method |
| US5827102A (en) | 1996-05-13 | 1998-10-27 | Micron Technology, Inc. | Low temperature method for evacuating and sealing field emission displays |
| JPH10254374A (ja) | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Canon Inc | 画像形成装置とその製造方法 |
| JPH1154038A (ja) | 1997-08-05 | 1999-02-26 | Canon Inc | 電子放出素子、電子源及び画像形成装置の製造方法 |
| JPH11135018A (ja) | 1997-08-29 | 1999-05-21 | Canon Inc | 画像形成装置の製造方法、製造装置および画像形成装置 |
| GB2346008B (en) | 1997-10-01 | 2002-04-10 | Complete Multilayer Solutions | Visual display |
| KR19990053755A (ko) | 1997-12-24 | 1999-07-15 | 김영환 | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조장치 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 |
| DE60044482D1 (de) | 1999-03-05 | 2010-07-15 | Canon Kk | Bilderzeugungsvorrichtung |
| EP1168410A4 (en) | 1999-03-31 | 2006-08-02 | Toshiba Kk | METHOD OF MANUFACTURING A FLAT IMAGE DISPLAY AND FLAT IMPRINTING DEVICE |
| US6049168A (en) * | 1999-06-04 | 2000-04-11 | Litton Systems, Inc. | Method and system for manufacturing microchannel plates |
| JP3754859B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2006-03-15 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置の製造法 |
| KR100448663B1 (ko) | 2000-03-16 | 2004-09-13 | 캐논 가부시끼가이샤 | 화상표시장치의 제조방법 및 제조장치 |
| JP3754883B2 (ja) | 2000-03-23 | 2006-03-15 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置の製造法 |
| US6479944B2 (en) * | 2000-07-25 | 2002-11-12 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel, fabrication apparatus for the same, and fabrication process thereof |
| JP3733308B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2006-01-11 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置の製造方法 |
| JP3754882B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2006-03-15 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置の製造法 |
-
2000
- 2000-02-16 JP JP2000038603A patent/JP3754859B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-02-13 US US09/781,305 patent/US6905384B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-14 TW TW090103292A patent/TW514960B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-02-15 EP EP01301315A patent/EP1126496B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-15 DE DE60139358T patent/DE60139358D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-15 AT AT01301315T patent/ATE438195T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-02-16 CN CNB011168730A patent/CN100430981C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-16 KR KR10-2001-0007695A patent/KR100442214B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-03-19 KR KR10-2004-0019042A patent/KR100441388B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-04-08 US US11/101,506 patent/US7226335B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-08 US US11/620,819 patent/US7628670B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050181698A1 (en) | 2005-08-18 |
| KR20040030768A (ko) | 2004-04-09 |
| US7226335B2 (en) | 2007-06-05 |
| US7628670B2 (en) | 2009-12-08 |
| KR100442214B1 (ko) | 2004-07-30 |
| DE60139358D1 (de) | 2009-09-10 |
| KR20010088336A (ko) | 2001-09-26 |
| ATE438195T1 (de) | 2009-08-15 |
| US20070111629A1 (en) | 2007-05-17 |
| EP1126496A2 (en) | 2001-08-22 |
| CN1312536A (zh) | 2001-09-12 |
| KR100441388B1 (ko) | 2004-07-23 |
| EP1126496A3 (en) | 2004-03-17 |
| EP1126496B1 (en) | 2009-07-29 |
| JP2001229828A (ja) | 2001-08-24 |
| US6905384B2 (en) | 2005-06-14 |
| US20010034175A1 (en) | 2001-10-25 |
| TW514960B (en) | 2002-12-21 |
| CN100430981C (zh) | 2008-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3754859B2 (ja) | 画像表示装置の製造法 | |
| JP3733308B2 (ja) | 画像表示装置の製造方法 | |
| JP3754883B2 (ja) | 画像表示装置の製造法 | |
| JP3754882B2 (ja) | 画像表示装置の製造法 | |
| JP4235640B2 (ja) | 画像表示装置の製造装置 | |
| JP2000040469A (ja) | 気密容器の製造方法および該気密容器を用いる画像形成装置の製造方法 | |
| JP4280743B2 (ja) | 画像表示装置の製造装置 | |
| JP4574081B2 (ja) | 画像表示装置の製造方法 | |
| JP4408110B2 (ja) | 画像表示装置の製造方法 | |
| JP2000143262A (ja) | 発熱体、フリット焼成体及びこれを用いたガラス外囲器の製造方法 | |
| JP2003059403A (ja) | 画像表示装置の製造装置および製造方法 | |
| JP2000251720A (ja) | 画像形成装置の封着方法及び製造装置 | |
| JP2000251721A (ja) | 画像表示装置の製造方法及び製造装置 | |
| JP2003059405A (ja) | 画像表示パネルの製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040423 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040423 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050810 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050830 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051031 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051206 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051219 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081222 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111222 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121222 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131222 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |