TW514960B - Method and apparatus for manufacturing image displaying apparatus - Google Patents

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TW514960B TW090103292A TW90103292A TW514960B TW 514960 B TW514960 B TW 514960B TW 090103292 A TW090103292 A TW 090103292A TW 90103292 A TW90103292 A TW 90103292A TW 514960 B TW514960 B TW 514960B
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manufacturing
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TW090103292A
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Toshihiko Miyazaki
Kohei Nakata
Tetsuya Kaneko
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Canon Kk
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Description

514960 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(1) 發明背景: 發明領域: 本發明是關於電子射出以矩陣建構之影像顯示設備, 更特別地對製造具以矩陣建構之電子射出裝置設置之背面 板(R P )上與磷被建構在相對位置設置之正面板(F P )分別地當作第一影像形成構件與當作第二構件之顯示面 板之影像顯示設備之設備以及方法。 習知地,電子射出裝置被粗略地分成兩已知型式,即 ’熱電子射出裝置與冷電子射出裝置。冷電子射出裝置包 括場射出式(下文稱爲F E式),金屬/絕緣層/金屬式 (下文稱爲MIMS),表面導電式電子射出裝置,與其 類似。 一在 W. P. Dyke & W· W· Dolan,、、場射出,,,電子 物理進階 ’ 8,8 9 ( 1 9 5 6 ) ,C. A. spindt, '、具鉬 錐體之薄膜場射出陰極的物理特性〃 ,JL Appl. Phys., 4 7,5 2 4 8 ( 1 9 7 6 ),或其類似公開之電子射出 裝置是已知當作F E式的範例。 C. A· Mead ’ ''遂道射出裝置的操作",Appl. Phys.,3 2,6 4 6 ( 1 9 6 1 )或其類似公開之電子射 出裝置是已知當作Μ I Μ式的範例。 Μ. I. Elinson,Radio Eng. Electron Phys.,1 〇, 1 2 9 0 ( 1 9 6 5 )或其類似公開之電子射出裝置是已 知當作表面導電式電子射出裝置式的範例。 表面導電式電子射出裝置將利用由電子流流至具與膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------II---------線一 ^- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 4 - 514960 A7 B7 五、發明說明(2) 的表面平行在基底上形成之小區之薄膜而產生電子射出之 現象 使用由上述之Elinson等之S η〇2薄膜 使用 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A u 薄膜〔G· Dittmer :薄固膜,〃 9 ’ 3 1 7 ( 1 9 7 2 )],一使用 1112〇3/311〇2薄膜〔]\/1· Hratwell 與 C. G. Fonstad:"IEEE Trans. ED Conf.",5 1 9 (1 9 7 5 )〕,一使用碳薄膜〔Araki Hisashi 等:Shinku, Vol. 2 6,N ο · 1,page 2 2 ( 1 9 8 3 )〕與其 類似是已知當作表面導電式電子射出裝置。 對使用上述電子射出裝置之影像顯示設備的製造,被 使用製造顯示面板之處理包含步驟:製造以矩陣建構在這 樣的電子射出裝置上當作R P之電子源基底與製造做爲由 於由電子光束激發而發光之磷設置之F P之磷基底;由配 置提供外殼之間隔與抗大氣壓力結構而使電子射出元件與 磷將在內部而配置F P與R P在相對位置以及、由使用如 熔塊玻璃,銦或其類似之低熔點材料當作密封材料而密封 內部;與在自真空排氣管之內部排氣之真空後預先設置真 空排氣管。 根據上述之習知技藝之製造方法需要相當長時間製造 一顯示面板,因此不適於製造需要1 X 1 〇- 6P a或更多 的真空程度的顯示面板內部。 r ^ ^ 此習知技藝的缺點是由,例如,日本專利公開案號 No · 1 1 — 135018描述之方法解決。曰本專利公開案號Ν ο · 1 i〜1 3 5 1 8描述之 方法中’因爲在單一真空室中定位F p與R]p之後僅密封 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •農衣 ^14 n n 兮口 丨線一 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -5- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514960 A7 B7_ 五、發明說明(3) 兩基底的步驟被使用,對製造需要被應用分別地在單一真 空室中之顯示面板而言,如烘烤製程,吸收劑製程,電子 光束淸除製程與其類似之上述其它步驟是需要的。此外, 因爲真空室間之F P與R P的移動根據鬆散排空狀態變成 非真空狀態而執行,當F P與R P被運送在其中,各真空 室每次被排空。由於這些理由,製造處理時間冗長。所以 ,製造處理時間的大量減少已是需要的,且同時,在短時 間內在最後製造步驟期間顯示面板中達成1 X 1 0 _ 6 P a 或更多高真空程度已是需要的。 發明的節要 本發明的目的是在製造影像顯示設備中能夠輕易地達 成真空排氣時間的減少與高真空程度。由此改進製造的效 率。 ‘ 根據本發明的一觀點,製造影像顯示設備的方法包含 的步驟: a :製造配置磷光體激發機構於其上之第一基底與在 真空氣壓下藉由磷光體激發機構配置磷光體發光於其上之 第二基底; b :在真空氣壓下運送其中之一或兩第一與第二基底 進入真空氣壓之吸收劑製程室,且提交吸收劑製程一運送 之基底或其中之一或兩運送之基底;以及 c:在真空氣壓下真空氣壓之密封製程室中運送第一 與第二基底,且以相對的狀態提供熱密封該基底。 !.2---------·衣--------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -6- 514960 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -----------------B7_______ 五、發明說明(4) 根據本發明的另一觀點,製造影像顯示設備的方法包 含的步驟· a :製造配置磷光體激發機構於其上之第一基底與在 真空氣壓下藉由磷光體激發機構配置磷光體發光於其上之 第二基底; b :在真空氣壓下運送第一與第二基底/進入真空氣壓 之烘烤製程室,且在預定的溫度提交兩基底至烘烤製程; 以及 c :在真空氣壓下真空氣壓之密封製程室中運送第一 與第二基底’且以相對的狀態提供熱密封該基底。 根據本發明尙有另一觀點,製造影像顯示設備之設備 包含: a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之第一基底與 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬ί機構; b :其中之一或兩第一與第二基底可以由搬運機構在 真空氣壓下而運送之第一真空室; c :建構在第一真空室中具吸收劑先驅(precursor ) 與活化吸收劑先驅之吸收劑活化機構之吸收劑給予機構; d :第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下而 運送之第二真空室; e :向內部建構在第二真空室中,由向內部導向影像 顯示設備之第一與第二構件而建構第一與第二基底於彼此 相對位置之基底建構機構;以及 f :建構在第二真空室中,在預定溫度中由基底建構 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 」· —V-----------------訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 514960 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(5) 機構在相對位置建構之第一與第二基底提供熱密封之密封 機構。 根據本發明進一步的觀點,製造影像顯示設備之設備 包含: a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之第一基底與 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬運機構; b :第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下而 運送之第一真空室; c :建構在第一真空室中,由加熱第一與第二基底烘 烤處理該經運送的第一與第二基底之烘烤機構; d :第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下而 運送之第二真空室; e :建構在第二真空室中,由向內部導向影像顯示設 備之第一與第二構件而建構第一與第二基底於‘彼此相對位 置之基底建構機構;以及 ί :建構在第二真空室中,在預定溫度中由基底建構 機構在相對位置建構之第一與第二基底提供熱密封之密封 機構。 圖形的簡要描述 圖1 A,1 Β與1 C是根據本發明的一範例之設備的 槪要的橫截面圖; 圖2是根據本發明的一範例之設備的槪要的計畫圖; 以及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) — IU----I----詹衣--------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -8 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514960 A7 B7_ 五、發明說明(6) 圖3是根據本發明的方法與設備製造之影像顯示設備 的橫截面圖。 主要元件對照表 10 1 前室 102 烘烤製程室 10 3 第一步驟吸收劑製程室 104 電子光束淸除製程室 10 5 第二吸收劑製程室 106 密封製程室 107 冷卻室 111 背面板 112 正面板 _ 1 2 7 箭頭 ‘ 128 熱屏障構件 129 負載鎖 13 0 真空排氣系統 13 1 真空排氣系統 11〇 運入埠 113 外殼 114 密封材料 116 加熱板 一 118 支架 12 0 吸收劑閃光 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------丨線- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514960 A7 __B7 五、發明說明(7) 117 提升裝置 119 吸收劑閃光設備 115 間隔 123 吸收劑閃光設備 12 4 吸收劑閃光 121 電子光束振動器 1 2 6 運出埠 ^ 2 0 1 前室 202 烘烤製程室 203 第一步驟吸收劑製程室 2 0 4 電子光束淸除製程室' 205 第二吸收劑製程室 206 密封製程室 207 冷卻室 208 中央真空室 209 負載鎖 210 熱屏障材料 211 運送桿 213 運送頻帶 2 14 箭頭 3 11 主體 308 金屬膜 309 高阻抗膜 3 10 金屬膜 ---?----------»衣--------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -10- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514960 A7 ___B7_ 五、發明說明(8) 3 0 6 接線 307 低熔點黏劑 3 0 4 透通基底 305 襯底膜 312 電子光束射出裝置 301 透通基底 302 磷光體層 ' 303 金屬膜 較佳實施例的詳細描述 首先,本發明是製造影像顯示設備的方法,其特徵包 含的步驟: a :製造配置磷光體激發機構於其上之第一基底與在 真空氣壓下藉由磷光體激發機構配置磷光體發""光於其上之 第二基底; ' b :在真空氣壓下運送其中之一或兩第一與第二基底 進入真空氣壓之吸收劑製程室,且提交吸收劑製程一運送 之基底或其中之一或兩運送之基底;以及 c :在真空氣壓下真空氣壓之密封製程室中運送第一 與第二基底,且以相對的狀態熱密封該基底。 第二,本發明是製造影像顯示設備的方法,其特徵包 含的步驟: a :製造配置磷光體激發機構於其上之第一基底與在 真空氣壓下藉由磷光體激發機構配置磷光體發光於其上之
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)‘ ~y\Z ---ί-----------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514960 A7 B7_ 五、發明說明(9) 第二基底; b:在真空氣壓下運送第一與第二基底進入真空氣壓 之烘烤製程室,且在預定的溫度提交兩基底至烘烤製程; 以及 c :在真空氣壓下真空氣壓之密封製程室中運送第一 與第二基底,且以相對的狀態熱密封該基底。 第三,本發明是製造影像顯示設備的方法,其特徵包 含的步驟: a :製造配置磷光體激發機構於其上之第一基底與在 真空氣壓下藉由磷光體激發機構配置磷光體發光於其上之 第二基底; b:在真空氣壓下運送第一與第二基底進入真空氣壓 之烘烤製程室,且在預定的溫度提交烘烤製程兩基底; c :在真空氣壓下運送第一與第二基底進"X真空氣壓 之吸收劑製程室,與提交吸收劑製程該一運送之基底或其 中之一或兩該運送之基底; d :在真空氣壓下運送該第一與第二基底進入真空氣 壓之密封製程室中,且熱密封該基底在相對的狀態。 第四,本發明是製造影像顯示設備的方法,其特徵包 含的步驟: a :製造配置磷光體激發機構於其上之第一基底與在 真空氣壓下藉由磷光體激發機構配置磷光體發光於其上之 第二基底; b :在真空氣壓下運送第一與第二基底進入真空氣壓 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線‘ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514960 A7 B7_ 五、發明說明(Θ 之烘烤製程室,且在預定的溫度提交烘烤製程兩基底; C :在真空氣壓下運送其中之一或兩第一與第二基底 進入真空氣壓之第一吸收劑製程室,且第一吸收劑製程該 一運送之基底或其中之一或兩該運送之基底; d:在真空氣壓下運送其中之一或兩第一與第二基底 進入真空氣壓之電子光束淸除製程室,且電子光束淸除製 程該一運送之基底或其中之一或兩該運送之基底; e:在真空氣壓下運送其中之一或兩第一與第二基底 進入真空氣壓之第二吸收劑製程室,且第二吸收劑製程該 一運送之基底或其中之一或兩該運送之基底;以及 f :在真空氣壓下運送第一與第二基底進入真空氣壓 之密封製程室,且以相對的狀態熱密封該基底。 第五,本發明是製造影像顯示設備之設備,其特徵包 含: 7 a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之第一基底與 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬運機構; b :其中之一或兩第一與第二基底可以由搬運機構在 真空氣壓下運送之第一真空室; c :建構在具吸收劑先驅與活化吸收劑先驅之吸收劑 活化機構之第一真空室中之吸收劑給予機構; d :第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下運 送之第二真空室; e :建構在該第二真空室中,由向內部導向影像顯示 設備之該第一與第二構件以彼此相對位置建構第一與第二 — IU----I----#--------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)_ -13- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514960 A7 B7 五、發明說明(1) 基底之基底建構機構;以及 f :建構在第二真空室中,在預定溫度中熱密封由基 底建構機構在相對位置建構之弟一與弟一'基底之密封機構 〇 第六,本發明是製造影像顯示設備之設備’其特徵包 含: a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之第一基底與 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬運機構; b :第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下而 運送之第一真空室; c :建構在第一真空室中,由加熱第一與第二基底烘 烤處理該經運送的第一與第二基底之烘烤機構; d :第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下而 運送之第二真空室; ‘ e :建構在第二真空室中,由向內部導向影像顯示設 備之第一與第二構件而建構第一與第二基底於彼此相對位 置之基底建構機構,以及 f :建構在第二真空室中,在預定溫度中熱密封由基 底建構機構在相對位置建構之第一與第二基底之密封機構 〇 第七,本發明是製造影像顯示設備之設備,其特徵包 含: a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之第一基底與 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬運機構; ---?-----------------訂---------線 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公爱) -14: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514960 A7 B7___ 五、發明說明(θ b :第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下而 運送之第一真空室; C :建構在第一真空室中,由加熱第一與第二基底烘 烤處理該經運送的第一與第二基底之烘烤機構; d :第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下而 運送之第二真空室; e :建構在具吸收劑先驅與活化吸收劑先驅之吸收劑 活化機構之第二真空室中之吸收劑給予機構; f :第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下而 運送之第三真空室; g :建構在第三真空室中,由向內部導向影像顯示設 備之第一與第二構件而建構第一與第二基底於彼此相對位 置之基底建構機構;以及 h :建構在第三真空室中,在預定溫度中7熱密封由基 底建構機構在相對位置建構之第一與第二基底之密封機構 〇 第八,本發明是製造影像顯示設備之設備,其特徵包 含·· a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之第一基底與 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬運機構; b :第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下而 運送之第一真空室; c :建構在第一真空室中,由加熱第一與第二基底烘 烤處理該經運送的第一與第•基底之供烤機構, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -15- —LW-----------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 514960 A7 B7 五、發明說明(Θ d:第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下而 運送之第二真空室; e :建構在具吸收劑先驅與活化吸收劑先驅之吸收劑 活化機構之第二真空室中之吸收劑給予機構; f :其中之一或兩第一與第二基底可以由搬運機構在 真空氣壓下而運送之第三真空室; g:建構在第三真空室中由放射電子光束應用電子光 束淸除製程之電子光束淸除機.構; h :其中之一或兩第一與第二基底可以由搬運機構在 真空氣壓下而運送之第四真空室; 1 :建構在具吸收劑先驅與活化吸收劑先驅之吸收劑 活化機構之第四真空室中之第二吸收劑給予機構; j :其中之一或兩第一與第二基底可以由搬運機構在 真空氣壓下而運送之第五真空室; / k :建構在第五真空室中,由向內部導向影像顯示設 備之第一與第二構件以彼此相對位置建構第一與第二基底 之基底建構機構;以及 1 :建構在第五真空室中,在預定溫度中熱密封由基 底建構機構在相對位置建構之第一與第二基底之密封機構 〇 第九,本發明是製造影像顯示設備之設備.,其特徵包 含·· a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之第一基底與 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬運機構; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514960 A7 B7 ___ 五、發明說明(Μ b·由搬運機構運送之第一基底可以被運送不需被曝 光至大氣同時維持解壓的狀態之第一解壓室; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) c :建構在具吸收劑先驅與活化吸收劑先驅之吸收劑 活化機構之第一解壓室中之吸收劑給予機構; d:第一與第二基底可以被運送不需被曝光至大氣而 給予吸收劑之第二解壓室; e :建構在第二解壓室中 '由向內部導向影像顯示設 備之第一與第二構件以彼此相對位置建構第一與第二基底 之基底建構機構;以及 ί :建構在第二解壓室中,在預定溫度中密封由加熱 第一與第二基底由基底建構機構在相對位置建構之第一與 第二基底之密封機構。 第十,本發明是製造影像顯示設備之設備,其特徵包 含: 7 a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之第一基底與 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬運機構; b :由搬運機構運送之第一與第二基底可以被運送不 需被曝光至大氣同時維持解壓的狀態之第一解壓室; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 c :建構在具吸收劑先驅與活化吸收劑先驅之吸收劑 活化機構之第一解壓室中之吸收劑給予機構; d :第一解壓室之第一與第二基底可以被運送不需被 曝光至大氣之第二解壓室; e :建構在第二解壓室中,由向內部導向影像顯示設 備之第一與第二構件以彼此相對位置建構第一與第二基底 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514960 A7 B7 ___ 五、發明說明(4 之基底建構機構;以及 f :建構在第二解壓室中,在預定溫度中密封由加熱 第一與第二基底之基底建構機構以相對位置建構之第一與 第二基底之密封機構。 第十一,本發明是製造影像顯示設備之設備,其特徵 包含: a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之第一基底與 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬運機構; b :由搬運機構運送之第一與第二基底可以被運送不 需被曝光至大氣同時維持解壓的狀態之第一解壓室; c :建構在第一解壓室中,由加熱該基底烘烤處理經 運送的第一與第二基底之烘烤機構; d :建構在第一與第二基底可自第一解壓室運送不需 被曝光至大氣之第一解壓室或第二解壓室中,‘具吸收劑先 驅與活化吸收劑先驅之吸收劑活化機構之第一吸收劑給予 機構; e :第一與第二基底可自第一或第二解壓室運送不需 被曝光至大氣之第三解壓室; ί :建構在第三解壓室中,由向內部導向影像顯示設 備之第一與第二構件而建構第一與第二基底於彼此相對位 置之基底建構機構;以及 g :建構在第三解壓室中,密封在預定溫度中由加熱 第一與第二基底由基底建構機構在相對位置建構之第一與 第二基底之密封機構。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線* 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -18- 514960 A7 B7 五、發明說明(1今 第十二,本發明是製造影像顯示設備之設備,其特徵 包含: a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之第一基底與 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬運機構; b :由搬運機構運送之第一與第二基底可以被運送不 需被曝光至大氣同時維持解壓的狀態之第一解壓室; c :建構在第一解壓室中,由加熱該基底烘烤處理經 運送的第一與第二基底之烘烤機構; d :建構在第一與第二基底可自第一解壓室運送不需 被曝光至大氣之第一解壓室或第二解壓室中,具吸收劑先 驅與活化吸收劑先驅之吸收劑活化機構之第一吸收劑給予 機構; e :第一與第二基底可自第一或第二解壓室運送不需 被曝光至大氣之第三解壓室; ί :建構在第三解壓室中,由放射電子光束至第一與 第二基底淸除第一與第二基底之電子光束淸除機構; g :第一與第二基底可自第三解壓室運送不需被曝光 至大氣中之第四解壓室; h :建構在第二解壓室中,具吸收劑先驅與活化吸收 劑先驅之吸收劑活化機構之第二吸收劑給予機構; i :第一與第二基底可自第四解壓室運送不需被曝光 至大氣中之第五解壓室; j :建構在第五解壓室中,由向內部導向影像顯示設 備之第一與第二構件而建構第一與第二基底於彼此相對位 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -19 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨衣 1T--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514960 A7 B7 五、發明說明(1 置之基底建構機構;以及 k :建構在第五解壓室中,密封在預定溫度中由加熱 第一與第二基底之基底建構機構在相對位置建構之第一與 第二基底之密封機構。 此外,本發明包括下列特性當作它的較佳的觀點: 在上述的第一與第二觀點,步驟a ,b ,與c是在一 線上之步驟組,且反射屬或其類似形成的熱屏障構件被配 置在吸收劑製程室與密封製程室之間; 在上述的第一與第二觀點,步驟a ,b ,與c是在一 線上之步驟組,且負載鎖被配置在吸收劑製程室與密封製 程室之間; 在上述的第一與第二觀點,步驟a ,b ,與c是在星 狀建構上之步驟組,且吸收劑製程室與密封製程室由獨立 的室分開; 在上述的第三觀點,步驟a ,b,與c是在一線上之 步驟組,且反射屬或其類似形成的熱屏障構件分別地被配 置在烘烤製程室與吸收劑製程室之間,在烘烤製程室與密 封製程室之間,或烘烤製程室,吸收劑製程室與密封製程 室之間; 在上述的第三觀點,步驟a ,b,與c是在一線上之 步驟組,且負載鎖分別地被配置在烘烤製程室.與吸收劑製 程室之間,在烘烤製程室與密封製程室之間,或烘烤製程 室,吸收劑製程室與密封製程室之間; 在上述的第三觀點,步驟a ,b,c與d被建構在星 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n ίβ m n i 一口、I n I m Bn n _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514960 A7 B7_ 五、發明說明(β 狀建構上,且烘烤製程室,吸收劑製程室與密封製程室由 獨立的室分開; 在上述的第四觀點,步驟a ,b ,c ,d,e與f是 在一線上之步驟組,且反射屬或其類似形成的熱屏障構件 被配置在烘烤製程室與第一吸收劑製程室之間,在第一吸 收劑製程室與電子光束淸除製程室之間,在第二吸收劑製 程室之間,或在第二吸收劑製程室與密封製程室之間; 在上述的第四觀點,步驟a ,b ,c ,d,e與f是 在一線上之步驟組,且負載鎖被配置在烘烤製程室與第一 吸收劑製程室之間,在第一吸收劑製程室與電子光束淸除 製程室之間,在第二吸收劑製程室之間,或在第二吸收劑 製程室與密封製程室之間; 在上述的第五觀點,步驟a ,b,c ,d,e與f被 設在星狀建構上,且烘烤製程室,第一吸收劑製程室,電 子光束淸除製程室,第二吸收劑製程室與密封製程室由獨 立的室分開; 在上述第五與第六觀點中,第一真空室與第二真空室 被建構在一線上; 在上述第五與第六觀點中,第一真空室與第二真空室 被建構在一線上,且各室由反射金屬形成的熱屏障構件分 開; 在上述第七觀點中,第一真空室,第一真空室與第三 真空室被建構在一線上,且各室由反射金屬或其類似形成 的熱屏障構件分開; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣 — — — — — — ·1!11111- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -21 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514960 A7 ___B7__ 五、發明說明(1 在上述第七觀點中,第一真空室,第一真空室與第三 真空室被建構在一線上,且各室由負載鎖分開; 在上述第七觀點中,第一真空室,第一真空室與第三 真空室被設在星狀建構上,且各室由獨立的室分開; 在上述第八觀點中,第一真空室,第二真空室,第三 真空室,第四真空室與第五真空室被建構在一線上,且各 室由反射金屬或其類似形成的熱屏障構件分開; 在上述第八觀點中,第一真空室,第二真空室,第三 真空室,第四真空室與第五真空室被建構在一線上,且各 室由負載鎖分開;以及 在上述第八觀點中,第一真空室,第二真空室,第三 真空室,第四真空室與第五真空室被設在星狀建構上,且 各室由獨立的室分開。 因此,在上述第九至第十二觀點中,第一至第五解壓 室包含如氬氣體,氖氣體或其類似之惰性氣體,或在解壓 下之氫氣體。此外,在上述第九至第十二觀點中,影像顯 示設備之第一構件是電漿生成裝置,且影像顯示設備之第 二構件是磷光體或彩色濾光器。 圖1 A槪要地舉例說明根據本發明之製造設備,圖 1 B顯示處理溫度被標示在垂直軸上與關於水平軸之時間 之溫度履歷,且圖1 C顯示真空程度被標示在垂直軸上與 關於水平軸之時間之真空程度履歷。根據本發明之製造方 法與製造設備的範例將參考下文這些圖形而描述。 圖1 A舉例說明之設備,一前室1 0 1 ,一烘烤製程 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂·-------- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -22- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514960 A7 __B7__ 五、發明說明( 室1 0 2,第一步驟吸收劑製程室1 〇 3,一電子光束淸 除製程室1 0 4,一第二吸收劑製程室1 〇 5 ,一密封製 程室1 0 6與冷卻室1 〇 7被連續地以運送方向(圖Ια 箭頭127)而建構’且RR 111與FP 112由 驅動運送滾筒1 0 9與運送帶1 0 8以箭頭1 2 7方向連 續地通過各室且在通過期間被應用各種製程。也就是,在 前室1 0 1在真空大氣下之製造的步驟,烘烤製程室 1 0 2中之烘烤製程’第一吸收劑製程室1 0 3中之第一 吸收劑製程,在電子光束淸除製程室1 0 5中由電子光束 放射淸除,第二步驟吸收劑製程室1 0 5中之第二吸收劑 製程,密封製程室1 〇 6中之熱密封與冷卻室1 〇 7中之 冷卻製程分別地在一連續的線上執行。 最好是,如鋁,鉻與不銹鋼之反射幅射熱與之紅外線 之反射金屬形成的熱屏障構件1 2 8 (以板型式,膜型式 等)被配置在各室之間。熱屏障構件1 2 8也許被配置在 具不同溫度履歷之室之間,例如,不是在烘烤製程室 1〇2與第一步驟吸收劑製程室1 〇 3之間就是在第二吸 收劑製程室1 0 5與密封製程室1 0 6之間或最理想是兩 者,但也許被配置在各室間。此外,當它們在各室間移動 時,熱屏障構件1 2 8被配置而使它不妨礙裝配在運送帶 108上之FP 112與固定在高層裝置上之RP 111° 負載鎖1 2 9被配置在前室1 0 1與圖1 A舉例說明 之烘烤製程室1 0 2之間。負載鎖1 2 9將在前室1 0 1 -------------^^衣--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -23- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514960 A7 ________^B7___ 五、發明說明(2!> 與烘烤製程室1 〇 2之間開啓且關閉。此外,真空排氣系 統1 3 0被連接至前室1 0 1與如果連接至烘烤製程室 102時之真空排氣室131。 在運送前室1〇1之RP 111與FP 112之 後,運入埠1 1 0被屏障且,同時,負載鎖1 2 9被屏障 ,由於在前室1 0 1內部由真空排氣系統1 3 0真空排氣 。在此操作期間,所有烘烤製程室1 0 2的內部,第一步 驟吸收劑製程室1 0 3,電子光束淸除製程室1 〇 4,第 二步驟吸收劑製程室1 0 5,密封製程室1 0 6與冷卻室 1〇7由真空排氣系統1 3 1真空排氣以在真空排氣狀態 中帶出它們。 當前室1 0 1與其它前室1 0 1隨後之室已達到真空 排氣狀態時,負載鎖1 2 9被打開,R P 1 1 1與F P 1 1 2被運出前室1 0 1之外且運入烘烤製程室1 0 2 ,負載鎖129在完成運入RP 111與FP 112 之後被屏障,然後運入埠1 1 〇被打開,且另一 r P 1 1 1與FP 1 12被運入前室101 ,由此由真空排 氣系統1 3 0重覆真空排氣前室1 0 1的內部。 在本發明中,最好是配置與負載1 2 9 —致之負載鎖 (未顯示)。啷筒(排氣系統)以各由負載鎖分開之室而 建構。負載鎖也許被配置在個別的室中,但最.好是配置負 載鎖在與圖1 C所示之真空程度履歷不同的真空程度之室 之間,例如,不是在烘烤製程室1 0 2與第一步驟吸收劑 製程室1 0 3之間就是在電子光束淸除製程室1 〇 4與第 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A^規格(210 X 297公釐) 7^ " " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣 訂------- 514960 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(2? 二步驟吸收劑製程室1 0 5之間或最理想是兩者皆是。 在本發明中,最好是固定地提供外殼密封一真空結構 與在前室1 0 1中運送間隔之前預先在RP 1 1 1上形 成抗大氣結構之間隔1 1 5。在對應於F P 1 1 2的外 殼1 1 3之位置,使用如熔塊玻璃之低熔點材料或如銦之 低ί谷點材料之密封材料1 1 4,或其合金也許被提供。此 外’如舉例說明,密封材料1 1 4也許被設在外殼1 1 3 中〇 在烘烤製程室1 1 2中由加熱板1 1 6之熱製程(烘 烤製程)被應用至在烘烤製程室1 〇 2運送之RP 1 1 1與F Ρ 1 1 2不需被曝露至大氣。由此烘烤製程 ,如氫氣體之雜質氣體,在RP 111與FP 1 1 2 -中所含之蒸氣與氧可以被取代。在此點烘烤製程溫度通常 是300 °C至40〇°C ,最好是3 5〇°C至3‘80°C。在 此點真空程度接近1 X 1 〇 - 4 p a。 完成烘烤製程之RP 111與FP 112被運入 第一步驟吸收劑製程室1 〇 3,RP 1 1 1被固定在支 架上且移動室1 0 3的較上部,有關F Ρ 1 1 2之在吸 收劑閃光設備1 1 9中所含之可蒸發的吸收劑材料的吸收 劑閃光1 2 0 (如,鋇等製成的吸收劑材料)被產生且活 化’由此配置鋇膜或其類似在F Ρ 1 1 2的表面上組成 吸收劑膜(未顯示)。在此點第一步驟吸收劑的膜厚度通 常是5 nm至5〇〇nm ,最好是1〇nm至1〇〇nm ,2 0 n m至5 0 n m更佳。此外,在本發明中,吸收劑 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ir----一----0^--------訂---------S. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -25- 514960 A7 B7 五、發明說明(2弓 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 膜或鈦材料組成的吸收劑材料,N E G材料或其類似也許 預先被設在R P 1 1 1或F P 1 1 2而非上述的吸收 劑材料。 例如,可以由外力充分地固定R p 1 1 1而不掉落 之器具,利用靜電夾盤法或機械夾盤法也許被使用做支架 118。 固定在支架1 18之RP 1 1 1由提升裝置1 17 在運送滾筒1 0 8上被提升至離FP 1 1 2相當遠之位 置。在提升RP 111中,在RP 111與FP 1 1 2間之間距最好是足以加大兩基底間之導電性之間距 ,雖然它根據使用的真空室的大小而定。如果間距是5 〇 n m或更大,兩基底間之間距通常是足夠的。 此外,在上述的步驟中,如果鋇吸收劑被使用,第一 步驟吸收劑製程室的處理溫度被設定接近1 〇 ‘〇 〇c。然後 真空程度是1x10— 5Pa。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 雖然僅F P 1 1 2被顯示當作被舉例說明之圖1 a 之吸收劑閃光’在本發明中,由放射類似上述之吸收劑閃 光僅供吸收劑僅至R P 1 1 1或至R p 1 1 1與F P 1 1 2兩者也是可能的。此外,第一吸收劑閃光也許在 烘烤製程室1 0 2內執行以增加烘烤製程室丄〇 2中在烘 烤製程期間與之後真空大氣的真空程度。 隨後’當RP 111與FP 112被運入電子光 束淸除製程室1 04中不需被曝光至大氣,Rp χ χ 與/或FP 1 12在電子光束淸除製程室1〇4中由電 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514960 A7 B7__ 五、發明說明(2今 子光束振動器1 2 1以電子光束1 2 2被掃描,特別是當 在FP 1 1 2的磷光體(未顯示)之雜質氣體在運入 R P 111與FP 112中而被取代時,當作留在提 升裝置1 1 7上之RP 1 1 1與留在運送帶1 08上之 F P 1 1 2間之間距,在前面的第一步驟吸收劑製程步 驟中之間距最好是保持不需改變。 雖然僅F P 1 1 2被顯示當作被應用電子光束淸除 製程,應用類似上述電子光束淸除製程之電子光束淸除製 程僅至RP 111或至RP 111與FP 112兩 者也是可能的。 在上述電子光束淸除製程之後,R P 1 1 1與F P 1 1 2被運入第二步驟吸收劑製程室1 0 5不需被曝光 至大氣,由此由類似第一步驟吸收劑製程室1 0 3的方法 之方法自吸收劑閃光設備1 2 3產生吸收劑閃光1 2 4且 供吸收劑至F P 1 1 2。在供吸收劑至F P 1 1 2中 ,第二步驟吸收劑的膜厚度通常是5 n m至5 0 0 n m, 最好是l〇nm至l〇〇nm,2〇nm至50nm更佳 。在運入RP 111與FP 112中,當作留在提升 裝置1 17上之RP 1 1 1與留在運送帶108上之 F P 1 1 2間之間距,在前面的第一步驟吸收劑製程步 驟中之間距最好是保持不需改變。此外,第二吸收劑也許 以類似方式僅被供至R P 1 1 1或也許被供至F P 1 1 2與RP 1 1 1兩者當作第一步驟吸收劑。 供至第二步驟吸收劑之F P 1 1 2與位於第二步驟 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) „ 27^ " ' " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) an a··— n n n m n 一口,I 1· n· n n I— n· n· I 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514960 A7 _-__ B7 _ 五、發明說明(2弓 吸收劑製程室1 〇 5之RP 1 1 1由提升裝置1 1 7降 低’由此運送FP 112與RP 111在下一密封製 程室1 06不需被曝光至大氣。在運入FP 1 1 2與 R P 1 1 1中,提升裝置1 1 7被操作而使間隔1 1 5 與外殼1 1 3被建構在相對位置直至間隔1 1 5與外殼 1 1 3彼此接觸,同時導電子光束射出裝置且以矩陣建構 在個別基底上之磷光體之PR 111與FP 112向 內部。 加熱板1 2 5在建構在密封製程室1 0 6之相對位置 之RP 111與FP 112上起作用,且如果預先設 置之密封材料1 1 4由如銦之低熔點金屬製成,密封材料 1 1 4被加熱直到低熔點金屬熔化,或如果密封材料 1 1 4由如熔塊玻璃之非金屬低熔點材料製成,密封材料 1 1 4被加熱至低熔點材料被影響之溫度且附在黏膠劑上 。在圖1 B中,溫度被設在1 8 0 °C當作銦被使用作密封 材料1 1 4之範例。 密封製程室1 0 6之真空程度也許被設在1 X 1 0— 6 或更多之高點。因此,由R P 1 1 1密封之顯示面板的 真空程度,FP 1 1 2與外殼1 1 3也許也被設在1 X 1〇/ 6或更多之高點。 在密封製程室1 0 6產生之顯示面板被運送至下一冷 卻室1 0 7之外且慢慢地冷卻。 本發明的設備設有類似於密封室1 〇 6與冷卻室 1〇7間之負載鎖1 2 9之負載鎖(未顯示)’且當負載 ---------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -28 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 514960 A7 B7___ 五、發明說明(% 鎖被打開時,顯示面板被運出密封製程室1 0 6之外,負 載鎖在運入冷卻室1 0 7之後被屏障,載出埠1 2 6在緩 冷卻後被打開,顯示面板自冷卻室1 0 7運出,且最後運 出埠1 2 6被屏障以完成所有製程。此外,在開始下一製 程之前,冷卻室1 0 7的內部最好是由無關地配置之真空 排氣系統設在真空狀態。 進一步,根據本發明,如氬氣體或氖氣體之惰性氣體 ,或氫氣體也許在經解壓的條件下透過1 〇 7被包含在各 室1〇1中。 雖然上述範例是最佳模式,在使室被連載以致於處理 在前室10 1,第一步驟吸收劑製程室之第一吸收劑製程 ’密封製程室1 0 6之熱密封與冷卻室1 〇 7之冷卻製程 中真空大氣下以製造的順序而進行之範例中當作第一變化 (variation ) 〇 在使室被連載以致於處理在前室1 〇 1 ,烘烤製程室 1 0 2之烘烤製程,密封製程室1 〇 6之熱密封,與冷卻 室1 0 7之冷卻製程中真空大氣下以製造的順序而進行之 範例中當作第二變化。 在使室被連載以致於處理在前室1 〇 1 ,烘烤製程室 1 0< 2之烘烤製程,第一步驟吸收劑製程室之第一吸收劑 製程,密封製程室1 〇 6之熱密封,與冷卻室1 0 7之冷 卻製程中真空大氣下以製造的順序而進行之範例中當作第 三變化。 在RP 111與FP 112由個別的運送機構運 IL---------•裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -29- 514960 A7 -------B7 _ 五、發明說明( 送之範例中當作第四變化。 圖2是前室2 0 1 ,烘烤製程室2 0 2,第一步驟吸 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 收劑製程室203,電子光束淸除製程室204,第二步 驟吸收劑製程室2 0 5,密封製程室2 0 6與冷卻室 2 0 7圍者中央真空室2 0 8以星狀建構而設置之設備的 槪要計畫圖。該室2 0 1至2 0 7由個自獨立的室分開。 圖2的設備中,雖然負載鎖2 0 9被設在前室2 0 1 與中央真空室2 0 8之間,類似的負載鎖也許被使用作爲 其它室2 0 2至2 0 7以致於所有室2 0 1至2〇7與中 央真空室2 0 8可以由負載鎖分開。此外,取代設在烘烤 製程室2 0 2與中央真空室2 0 8間之負載鎖,熱屏障材 料2 1 0也許也被使用。進一步,類似地,分別地取代設 在其它室2 0 3至2 0 7與中央真空室2 0 8間之負載鎖 ,熱屏障材料2 1 0也許也被使用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在中央真空室2 0 8中,運送桿2 1 1被設置,在其 兩端上,有由靜電夾盤法或機械夾盤法使RP 1 1 1與 FP 1 12固定之運送頻帶213。運送頻帶213分 別地以箭頭2 1 4的方向被設在可使R P 1 1 1與F P 1 1 2旋轉之運送桿2 1 1上。 /根據運送頻帶2 1 3的移動由重覆對各室2 0 1至 2〇72RP ill與FP 112的運入與運出,各 製程步驟被應用。在應用各製程步驟中,雖然所有製程步 驟也許對RP 111與FP 112上之兩基底而應用 ,最好是對RP 111與FP 112上之兩基底其中 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) _ 3〇 - 514960
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(2今 之一處理預定的步驟。例如,取代所有如上述R p 1 1 1與1?]? 1 12上之兩基底之步驟之製程,僅運入 第一步驟吸收劑製程室2 0 3與第二吸收劑製程室2 〇 5 之F P 1 1 2也是可能的,吸收劑製程僅對f p 1 1 2應用之處,與在製程期間,使r p 1 1 1在中央 真空室2 0 8中等待,且省略R p 1 1 1之吸收劑製程 〇 此外’根據本發明,如氬氣體或氖氣體之惰性氣體, 或氫氣體也許在經解壓的條件下被包含在各室2 0 i至 2〇7與中央真空室208中。 Η 3疋使用本發明的設備與方法產生之影像顯示設備 的橫截面圖。 圖中’那些與圖1 Α與2相同的符號爲相同的零件。 在根據設備與方法產生之影像顯示設備中,真空容器與解 壓容器由RP 111 ,FP 112與外殼113形成 °如氬氣體或氖氣體之惰性氣體,或氫氣體也許在經解壓 的條件下被包含在解壓容器中。 此外’在真空容器的案例中,真空程度也許被設在1 X 1 0— 5P a或更多之高點,最好是1 X 1 〇-5p a或更 多。 在真i谷益與解壓容器中,間隔1 1 5被設置以形成 抗大氣結構。在本發明使用之間隔1 1 5有如非鹼玻璃, 設在由配置高阻抗材料形成之高阻抗膜3 〇 9的兩側上之 金屬(鎢’銅,銀,金,組,這些金屬的合金或其類似) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑵〇 X 297公爱) ~ 讎 " --.------------------訂---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 514960 A7 ______B7^_ 五、發明說明(θ 膜3 0 8與3 1 0之非驗絕緣材料覆蓋主體3 1 1的表面 製成的主體3 1 1 ’且經由導電的黏劑係電子連接且黏至 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接線3〇6 。如果間隔1 1 5被運入前室1〇1或2〇1 ’間隔1 1 5在它的一末端上預先由如熔塊玻璃之低熔點 黏劑3 0 7而黏附地固定至R P 1 1 1 ,且當製程在密 封製程室1 0 6或2 0 6中完成時,間隔1 1 5的其它末 端與FP 112係電子連接且接觸地配置。 在RP 1 1 1中,玻璃或其類似製成的透通基底 3 0 4 ,避免如鈉之鹼入侵之襯底膜(S i〇2,S η〇2 等),與多個以χγ矩陣建構之電子光束射出裝置3 12 。接線3 0 6在與電子光束射出裝置連接之陰極側上之 X Υ矩陣接線的一陰極側上形成接線。 在本發明中,取代使用作磷光體激發機構或影像顯示 裝置構件之電子光束射出裝置3 1 2,電漿生成裝置也許 被使用。在使用電漿生成裝置中,如氬氣體或氖氣體之惰 性氣體,或氫氣體在解壓條件下被包含在容器中。 在F Ρ 1 1 1中,玻璃或其類似製成的透通基底 30 1 ,磷光體層302與連接至陽極源(未顯示)之陽 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 極金屬(鋁,銀,銅等)膜3 0 3被配置。 此外,在本發明中,當電漿生成裝置被使用時,彩色 濾光器可以被使用取代當作影像顯示構成使用之磷光體。 當運送外殻1 1 3入前室1 〇 1或20 1時’外殻 1 1 3由如熔塊玻璃之低熔點黏劑3 0 _ 3預先黏附地固定 至RP 1 1 1 ,且在密封製程室106或206之製程 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 514960 A7 B7 五、發明說明( 步驟中由使用銦或熔塊玻璃之密封材料 貼。 根據本發明,當在X γ方向以如1億像素或 量而提供電子射出裝置或電漿生成裝置,且製造 被設在具3 0吋或更大的對角尺寸之大螢幕上之 設備時,製造處理時間可以被實質地縮短且,同 1 0 - 6 P a或更高的高真空程度可以在形成影像 之真空容器中達成。 因此,製造影像顯示設備之方法與設備被提 的。熟知此技藝之人將體會本發明可以由除了爲 明而非限制的目的而呈現之較佳實施例實行’且 限於以下申請專利範圍。 4而固定地黏 更多之大 大量像素 影像顯示 時,1 X 顯不設備 供是可見 了舉例說 本發明僅 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) II裝 1T---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公爱) -33-

Claims (1)

  1. 514960 8 8 8 8 ABCD 六、申請專利範圍 1 . 一種製造影像顯示設備的方法,包含的步驟: a :製造配置磷光體激發機構於其上之第一基底與在 真空氣壓下藉由該磷光體激發機構配置磷光體發光於其上 之第二基底; b:在真空氣壓下運送其中之一或兩該第一與第二基 底進入真空氣壓之吸收劑製程室,且提交吸收劑製程該一 運送之基底,或其中之一或兩該運送之基底;以及 c:在真空氣壓下運送該第一與第二基底進入真空氣 壓之密封製程室中,且以相對的狀態熱密封該基底。 2 .根據申請專利範圍第1項製造影像顯示設備的方 法,其中該步驟a,b與c是:一線上之步驟組。 3 .根據申請專利範圍第1項製造影像顯示設備的方 法,其中該步驟a ,b與c是一線上之步驟組,且熱屏障 構件被配置在該吸收劑製程室與該密封製程室之7間。 4 .根據申請專利範圍第3項製造影像顯示設備的方 法,其中該熱屏障構件是反射金屬形成的。 5 .根據申請專利範圍第1項製造影像顯示設備的方 法,其中該步驟a ,b與c是一線上之步驟組,且負載鎖 被配置在該吸收劑製程室與該密封製程室之間。 6 .根據申請專利範圍第1項製造影像顯示設備的方 法,其中該步驟a,b與c是星狀建構上之步驟組。 7 .根據申請專利範圍第1項製造影像顯示設備的方 法,其中該步驟a ,b與c是星狀建構上之步驟組,且該 吸收劑製程室與該密封製程室由獨立的室分開。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先閱讀背νιίυ之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -34 - 514960 Λ 8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 8 ·根據申請專利範圍第1項製造影像顯示設備的方 法’其中該磷光體激發機構有電子光束發射機構。 (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 9 ·根據申請專利範圍第1項製造影像顯示設備的方 法’其中該第一基底有預先繞著該第一基底固定地配置之 外殼。 1 0 ·根據申請專利範圍第1項製造影像顯示設備的 方法’其中該第一基底有預先在該第一基底內部固定地配 置之間隔。 1 1 ·根據申請專利範圍第1項製造影像顯示設備的 方法’其中該第一基底有預先繞著該第一基底固定地配置 之外殼與在該第一基底內部固定地配置之間隔。 1 2 ·根據申請專利範圍第1項製造影像顯示設備的 方法’其中該第二基底有預先繞著該第二基底固定地配置 之外殼.。 7 1 3 ·根據申請專利範圍第1項製造影像顯示設備的 方法’其中該第二基底有預先在該第二基底內部固定地配 置之間隔。 經濟部智慧財.4局員工消費合作社印製 1 4 ·根據申請專利範圍第1項製造影像顯示設備的 方法,其中該第二基底有預先繞著該第二基底固定地配置 之外殼與在該第一基底內部固定地配置之間隔。 1 5 ·根據申請專利範圍第1項製造影像顯示設備的 方法,其中該在步驟b使用之吸收劑是蒸發式吸收劑。 1 6 ·根據申請專利範圍第1項製造影像顯示設備的 方法,其中該蒸發式吸收劑是鋇吸收劑。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) -35- 514960 Λ 8 Β8 C8 D8 i '~1 I六、申請專利範圍 i * 1 7 .根據申請專利範圍第1項製造影像顯示設備的 |方法,其中該在步驟c使用之密封材料是低熔點材料。 * (請先間讀背而之注意事項再填寫本頁) j 1 8 ·根據申請專利範圍第1項製造影像顯示設備的 |方法,其中該低熔點材料是低熔點金屬或這種金屬的合金 ! i I 〇 1 9 .根據申請專利範圍第1 8項製造影像顯示設備 的方法,其中該低熔點金屬是銦或銦的合金。 2 0 .根據申請專利範圍第1 7項製造影像顯示設備 的方法,其中該低熔點材料是熔塊玻璃。 2 1 . —種製造影像顯示設備的方法,包含的步驟: a :製造配置磷光體激發機構於其上之第一基底與在 真空氣壓下藉由該磷光體激發機構配置磷光體發光於其上 之第二基底; b :在真空氣壓下運送其中之一或兩該第‘一與第二基 底進入真空氣壓之烘烤製程室,且以預定的溫度提交烘烤 製程兩該基底;以及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 c :在真空氣壓下運送該第一與第二基底進入真空氣 壓之密封製程室中,且以相對的狀態熱密封該基底。 2 2 .根據申請專利範圍第2 1項製造影像顯示設備 的方法,其中該步驟a,b與c是一線上之步驟組。 2 3 .根據申請專利範圍第2 1項製造影像顯示設備 的方法,其中該步驟a ,b與c是一線上之步驟組,且熱 屏障構件被配置在該烘烤製程室與該密封製程室之間。 2 4 .根據申請專利範圍第2 3項製造影像顯示設備 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -36 - 514960 Vo 8 S 8 ABC D 六、甲請專利範圍 的方法,其中該熱屏障構件是反射金屬形成的。 (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 2 5 .根據申請專利範圍第2 1項製造影像顯示設備 的方法,其中該步驟a ,b與c是一線上之步驟組,且負 載鎖被配置在該烘烤製程室與該密封製程室之間。 2 6 .根據申請專利範圍第2 1項製造影像顯示設備 的方法,其中該步驟a,b與c是星狀建構上之步驟組。 2 7 .根據申請專利範圍第2 1項製造影像顯示設備 的方法,其中該步驟a ,b與c是星狀建構上之步驟組, 且該烘烤製程室與該密封製程室由獨立的室分開。 2 8 .根據申請專利範圍第2 1項製造影像顯示設備 的方法,其中該磷光體激發機構有電子光束發射機構。 2 9 .根據申請專利範圍第2 1項製造影像顯示設備 的方法,其中該第一基底有預先繞著該第一基底固定地配 置之外殼。 7 3 0 .根據申請專利範圍第2 1項製造影像顯示設備 的方法,其中該第一基底有預先在該第一基底內部固定地 配置之間隔。 經濟部智慧財.4局員工消費合作社印製 3 1 .根據申請專利範圍第2 1項製造影像顯示設備 的方法,其中該第一基底有預先繞著該第一基底固定地配 置之外殼與在該第一基底內部固定地配置之間隔。 3 2 .根據申請專利範圍第2 1項製造影像顯示設備 的方法,其中該第二基底有預先繞著該第二基底固定地配 置之外殼。 3 3 .根據申請專利範圍第2 1項製造影像顯示設備 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210XZ97公釐) -37- 514960 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 的方法,其中該第二基底有預先在該第二基底內部向 丨固定地 配置之間隔。 3 4 ·根據申請專利範圍第2 1項製造影像顯系% 一 a爪§又備 r請先間讀背而之a意事項再填寫本頁j 的方法,其中該第二基底有預先繞著該第二基底固 疋地配 置之外殼與在該第一基底內部固定地配置之間隔。 3 5 ·根據申請專利範圍第2 1項製造影像顯系& 的方法,其中該在步驟c使用之密封材料是低熔點衬料。® 3 6 ·根據申請專利範圍第3 5項製造影像顯齐1 • 、不設備 的方法,其中該低熔點材料是低熔點金屬或這種金屬的^ 金。 3 7 ·根據申g靑專利範圍第3 6項製造影像顯示設^ 的方法,其中該低熔點金屬是銦或銦的合金。 3 8 ·根據申請專利範圍第3 5項製造影像顯示設_ 的方法,其中該低熔點材料是熔塊玻璃。 / 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 3 9 · —種製造影像顯示設備的方法,包含的步驟: a :製造配置磷光體激發機構於其上之第一基底與在 真空氣壓下藉由該磷光體激發機構配置磷光體發光於其上 之第二基底; b :在真空氣壓下運送該第一與第二基底進入真空氣 壓之烘烤製程室且以預定的溫度提交烘烤製程兩該基底; c :在真空氣壓下運送其中之一或兩該第一與第二基 底進入真空氣壓之吸收劑製程室,與提交吸收劑製程該一 運迭之基底或其中之一或雨該運送之基底, d :在真空氣壓下運送該第一與第二基底進入真空氣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -38- 514960 ABC D 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 壓之密封製程室中,且以相對的狀態熱密封該基底。 4 ◦.根據申請專利範圍第3 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該步驟a,b,c與d是一線上之步驟組。 4 1 ·根據申請專利範圍第3 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該步驟a ,b ,c與d是一線上之步驟組, 且熱屏障構件分別地被配置在該烘烤製程室與該吸收劑製 程室之間,在該烘烤製程室與義密封製程室之間,或在該 烘烤製程室,該吸收劑製程室與該密封製程室之間。 4 2 ·根據申請專利範圍第4 1項製造影像顯示設備 的方法,其中該熱屏障構件是反射金屬形成的。 4 3 ·根據申請專利範圍第3 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該步驟a ,b,c與d是一線上之步驟組, 且負載鎖分別地被配置在該烘烤製程室與該吸收劑製程室 之間,在該烘烤製程室與該密封製程室之間,在該烘烤 製程室,該吸收劑製程室與該密封製程室之間。 4 4 ·根據申請專利範圍第3 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該步驟a ,b,c與d是星狀建構上之步驟 組。 4 5 ·根據申請專利範圍第3 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該步驟a ,b,c與d是星狀建構上之步驟 組,且該烘烤製程室,該吸收劑製程室與該密封製程室由 獨立的室分開。 4 6 ·根據申請專利範圍第3 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該磷光體激發機構有電子光束發射機構。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (諸先¾讀背1¾之注意事項再填寫本頁)
    -39- 514960 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Ab B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 7 ·根據申請專利範圍第3 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該第一基底有預先繞著該第一基底固定地配 置之外殼。 4 8 ·根據申請專利範圍第3 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該第一基底有預先在該第一基底內部固定地 配置之間隔。 4 9 ·根據申請專利範圍第3 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該第一基底有預先繞著該第一基底固定地配 置之外殼與在該第一基底內部固定地配置之間隔。 5 0 ·根據申請專利範圍第3 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該第二基底有預先繞著該第二基底固定地配 置之外殼。 5 1 ·根據申請專利範圍第3 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該第二基底有預先在該第二基底τ内部固定地 配置之間隔。 5 2 .根據申請專利範圍第3 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該第二基底有預先繞著該第二基底固定地配 置之外殼與在該第一基底內部固定地配置之間隔。 5 3 ·根據申請專利範圍第3 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該在步驟b使用之吸收劑是蒸發式吸收劑。 5 4 根據申請專利範圍第3 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該蒸發式吸收劑是鋇吸收劑。 5 5 ·根據申請專利範圍第3 9項製造影像顯示設備 的方法’其中該在步驟c使用之密封材料是低熔點材 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    -40- 514960 Λ B c D 六、申請專利範圍 5 6 .根據申請專利範圍第5 5項製造影像顯示設備 的方法,其中該低熔點材料是低熔點金屬或這種金屬的合 (請先間讀背西之注意事項再填寫本頁) 金。 5 7 ·根據申請專利範圍第5 6項製造影像顯示設備 的方法,其中該低熔點金屬是銦或銦的合金。 5 8 .根據申請專利範圍第5 5項製造影像顯示設備 的方法,其中該低熔點材料是熔塊玻璃。 5 9 . —種製造影像顯示設備的方法,包含的步驟: a :製造配置磷光體激發機構於其上之第一基底與在 真空氣壓下藉由磷光體激發機構配置磷光體發光於其上之 第二基底; b:在真空氣壓下運送該第一與第二基底進入真空氣 壓之烘烤製程室,且以預定的溫度提交烘烤製程兩該基底 . 7 J C :在真空氣壓下運送其中之一或兩該第一與第二基 底進入真空氣壓之第一吸收劑製程室,且第一吸收劑製程 該一運送之基底或其中之一或兩該運送之基底; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 d:在真空氣壓下運送其中之一或兩該第一與第二基 底進入真空氣壓之電子光束淸除製程室,且電子光束淸除 製程該一運送之基底或其中之一或兩該運送之基底; e :在真空氣壓下運送其中之一或兩第一與第二基底 進入真空氣壓之第二吸收劑製程室,且第二吸收劑製程該 一運送之基底或其中之一或兩該運送之基底;以及 f :在真空氣壓下運送該第一與第二基底進入真空氣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) -41 - 514960 A BCD 申請專利範圍 壓之密封製程室,且以相對的狀態熱密封該基底。 (請先闆讀背西之注意事項再填寫本頁) 6 0 .根據申請專利範圍第5 9項製造影像顯示設備 的方法,其中步驟a ,b ,c ,d ,e與f是一線上之步 驟組。 6 1 .根據申請專利範圍第5 9項製造影像顯示設備 的方法,其中步驟a ,b ,c ,d ,e與f是一線上之步 驟組,且熱屏障構件被配置在該烘烤製程室與該第一吸收 劑製程室之間,在該第一吸收劑製程室與該電子光束淸除 製程室之間,在該電子光束淸除製程室與第二吸收劑製程 室之間,或在該第二吸收劑製程室與該密封製程室之間。 6 2 .根據申請專利範圍第6 1項製造影像顯示設備 的方法,其中該熱屏障構件是反射金屬形成的。 經濟部智慧財.4局員工消費合作社印製 6 3 .根據申請專利範圍第5 9項製造影像顯示設備 的方法,其中步驟a ,b,c ,d,e與f是‘一線上之步 驟組,且負載鎖被配置在該烘烤製程室與該第一吸收劑製 程室之間,在該第一吸收劑製程室與該電子光束淸除製程 室之間,在該電子光束淸除製程室與第二吸收劑製程室之 間,或在該第二吸收劑製程室與該密封製程室之間。 6 4 .根據申請專利範圍第5 9項製造影像顯示設備 的方法,其中步驟a ,b,c ,d,e與f是星狀建構上 之步驟組。 6 5 .根據申請專利範圍第5 9項製造影像顯示設備 的方法,其中步驟a ,b,c ,d,e與f是星狀建構上 之步驟組,且該烘烤製程室,該第一吸收劑製程室,該電 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21 OX 297公釐) -42- 514960 Λ B c D 經濟部智慧財.4局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 子光束淸除製程室,該第二吸收劑製程室由獨立的室分開 〇 6 6 ·根據申請專利範圍第5 9項製造影像顯示設備 的方法’其中該磷光體激發機構有電子光束發射機構。 6 7 ·根據申請專利範圍第5 9項製造影像顯示設備 的方法’其中該第一基底有預先繞著該第一基底固定地配 置之外殼。 1 6 8 ·根據申請專利範圍第5 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該第一基底有預先在該第一基底內部固定地 配置之間隔。 6 9 ·根據申請專利範圍第5 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該第一基底有預先繞著該第一基底固定地配 置之外殼與在該第一基底內部固定地配置之間隔。 7 0 ·根據申請專利範圍第5 9項製造影i顯示設備 的方法,其中該第二基底有預先繞著該第二基底固定地配 置之外殼。 7 1 ·根據申請專利範圍第5 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該第二基底有預先在該第二基底內部固定地 配置之間隔。 7 2 ·根據申請專利範圍第5 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該第二基底有預先繞著該第二基底固定地配 置之外殼與在該第一基底內部固定地配置之間隔。 7 3 .根據申請專利範製造影像顯示設備 的方法,其中該在步驟b與d使^劑是蒸發式吸收 請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言· T 峄. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公瘦) -43- 514960 Λ BCD 六'申請專利範圍 劑。 7 4 ·根據申請專利範圍第5 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該蒸發式吸收劑是鋇吸收劑。 7 5 .根據申請專利範圍第5 9項製造影像顯示設備 的方法,其中該在步驟e使用之密封材料是低熔點材料。 7 6 ·根據申請專利範圍第7 5項製造影像顯示設備 的方法,其中該低熔點材料是低熔點金屬或這種金屬的合 金。 7 7 ·根據申請專利範圍第7 6項製造影像顯示設備 的方法,其中該低熔點金屬是銦或銦的合金。 7 8 ·根據申請專利範圍第7 5項製造影像顯示設備 的方法,其中該低熔點材料是熔塊玻璃。 7 9 · 一種製造影像顯示設備之設備,包含: a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之‘第一基底與 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬運機構; b :其中之一或雨該第一與第二基底可以由搬運機構 在真空氣壓下運送之第一真空室; c :建構在具該吸收劑先驅與活化該吸收劑先驅之吸 收劑活化機構之該第一真空室中之吸收劑給予機構; d :該第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下 運送之第二真空室; e :建構在該第二真空室中,由向內部導向影像顯示 設備之該第一與第二構件以彼此相對位置建構第一與第二 基底之基底建構機構;以及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) --訂---- 4. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -44- 514960 X- 8 8 8 Λ BCD 六、申請專利範圍 (請先閱讀背1¾之注意事項再填寫本頁) f :建構在該第二真空室中,在預定溫度中熱密封由 該基底建構機構在相對位置建構之該第一與第二基底之密 封機構。 8 0 .根據申請專利範圍第7 9項之製造設備,其中 該第一真空室與該第二真空室被建構在一線上。 8 1 .根據申請專利範圍第7 9項之製造設備,其中 該第一真空室與該第二真空室被建構在一線上,且各室由 熱屏障構件分開。 8 2 .根據申請專利範圍第7 9項之製造設備,其中 該第一真空室與該第二真空室被建構在一線上,且各室由 負載鎖分開。 8 3 .根據申請專利範圍第7 9項之製造設備,其中 該第一真空室與該第二真空室被建構在星狀建構上,且各 室由獨立的室分開。 1 8 4 · —種製造影像顯示設備之設備,包含: a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之第一基底與 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬運機構; 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 b :該第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下 運送之第一真空室; c :建構在該第一真空室中,由加熱該第一與第二基 底烘烤製程該經運送的第一與第二基底之烘烤機構; d :該第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下 運送之第二真空室; e :建構在該第二真空室中,由向內部導向影像顯示 本纸張尺度適用中國國家標準( CNS ) Α4規格(210X 297公釐) -45- 514960 A BCD 六、申請專利範圍 設備之該第一與第二構件以於彼此相對位置建構該第一與 第二基底之基底建構機構;以及 (請先闊讀背而之注意事項再填寫本頁) f :建構在該第二真空室中,在預定溫度中熱密封由 基底建構機構在相對位置建構之該第一與第二基底之密封 機構。 8 5 .根據申請專利範圍第8 4項之製造設備,其中 該第一真空室與該第二真空室被建構在一線上。 8 6 ·根據申請專利範圍第8 5項之製造設備,其中 該第一真空室與該第二真空室被建構在一線上,且各室由 熱屏障構件分開。 8 7 ·根據申請專利範圍第8 5項之製造設備,其中 該第一真空室與該第二真空室被建構在一線上,且各室由 負載鎖分開。 8 8 ·根據申請專利範圍第8 5項之製造_備,其中 該第一真空室與該第二真空室被建構在星狀建構上,且各 室由獨立的室分開。 經濟部智慧財.4局員工消費合作社印製 8 9 · —種製造影像顯示設備之設備,包含: a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之第一基底與 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬運機構; b:該第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下 運送之第一真空室; c :建構在該第一真空室中,由加熱第一與第二基底 烘烤處理該經運送的第一與第二基底之烘烤機構; d:該第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -46- 514960 AS B8 C:8 D8 六、申請專利範圍 運送之第二真空室; e :建構在具吸收劑先驅與活化該吸收劑先驅之吸收 劑活化機構之該第二真空室中之吸收劑給予機構; f :該第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下 運送之第三真空室; g :建構在該第三真空室中,由向內部導向影像顯示 設備之該第一與第二構件以彼此相對位置建構該第一與第 二基底之基底建構機構;以及 h :建構在該第三真空室中,在預定溫度中熱密封由 基底建構機構在相對位置建構之該第一與第二基底之密封 機構。 9〇·根據申請專利範圍第8 9項之製造設備,其中 該第一真空室,該第二真空室與該第三真空室被建構在一 線上。 了 9 1 .根據申請專利範圍第8 9項之製造設備,其中 該第一真空室,該第二真空室與該第三真空室被建構在一 線上,且各室由熱屏障構件分開。 9 2 ·根據申請專利範圍第8 9項之製造設備,其中 該第一真空室,該第二真空室與該第三真空室被建構在一 線上,且各室由負載鎖分開。 9 3 .根據申請專利範圍第8 9項之製造設備,其中 該第一真空室,該第二真空室與該第三真空室被建構在一 線上,且各室由獨立的室分開。 9 4 . 一種製造影像顯示設備之設備,包含: 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 蟬· 經濟部智慧財.4局員工消費合作社印製 -47- 514960 Λ 8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之第一基底與 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬運機構; b:該第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下 而運送之第一真空室; c :建構在該第一真空室中,由加熱該第一與第二基 底烘烤製程該經運送的第一與第二基底之烘烤機構; d:該第一與第二基底可以由搬運機構在真空氣壓下 運送之第二真空室; e :建構在具吸收劑先驅與活化該吸收劑先驅之吸收 劑活化機構之該第二真空室中之吸收劑給予機構; f :其中之一或兩該第一與第二基底可以由搬運機構 在真空氣壓下運送之第三真空室; g :建構在該第三真空室中,由放射電子光束應用電 子光束淸除製程之電子光束淸除機構; 7 h:其中之一或兩該第一與第二基底可以由搬運機構 在真空氣壓下運送之第四真空室; 1 :建構在具吸收劑先驅與活化該吸收劑先驅之吸收 劑活化機構之該第四真空室中之第二吸收劑給予機構; j :其中之一或兩該第一與第二基底可以由搬運機構 在真空氣壓下運送之第五真空室; k :建構在該第五真空室中,由向內部導向影像顯示 設備之該第一與第二構件以彼此相對位置建構該第一與第 二基底之基底建構機構;以及 1 :建構在第該五真空室中,在預定溫度中熱密封由 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公犛) (請先閱讀背InJ之注意事項再填寫本頁) 訂 蟬. 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 -48- 514960 ABCD 申請專利範圍 基底建構機構以相對位置建構之該第一與第二基底之密封 機構。 9 5 .根據申請專利範圍第9 4項 該第一真空室,該第二真空室,該第三 空室與該第五真空室被建構在一線上。 之製造設備,其中 真空室,該第四真 根據申請專利範圍第9 4項之製造設備,其中 真空室,該第四真 且各室由熱屏障構 該第一真空室,該第二真空室,該第三 空室與該第五真空室被建構在一線上, 件分開 該第 空室 開。 該第 空室 分開 9 7 .根據申請專利範圍第9 4項之製造設備,其中 一真空室,該第二真空室,該第三真空室,該第四真 與該第五真空室被建構在一線上,且各室由負載鎖分 9 8 .根據申請專利範圍第9 4項 一真空室,該第二真空室,該第三 與該第五真空室被建構在一線上, (請先間讀背而之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
    申請專利範圍第7 之製造設備,其中 真空室,該第四真 且各室由獨立的室 9 , 8 4 , 8 9 與 :¾¾¾¾備,其中影像顯示設備之該第一構件是電 束射出裝置,且影像顯示設備之該第二構件是磷光體 1 0 0 · —種製造影像顯示設備之設備,包含: a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之第一基底與 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬運機構; 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -49- 514960 A 8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 b:由該搬運機構運入之該第一基底可以被運送不需 被曝光至大氣同時維持解壓的狀態之第一解壓室; c ··建構在具吸收劑先驅與活化該吸收劑先驅之吸收 劑活化機構之該第一解壓室中之吸收劑給予機構; d:該第一與第二基底可以被運送不需被曝光至大氣 而給予吸收劑之第二解壓室; e :建構在該第二解壓室中,由向內部導向影像顯示 設備之該第一與第二構件以彼此相對位置建構該第一與第 二基底之基底建構機構;以及 f :建携在該第二解壓室中,在預定溫度中密封由加 熱該第一與第二基底之基底建構機構以相對位置建構之該 第一與第二基底之密封機構。 1 0 1 · —種製造影像顯示設備之設備,包含: a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之餐一基底與 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬運機構; b:由搬運機構運入之該第一與第二基底可以被運送 不需被曝光至大氣同時維持解壓的狀態之第一解壓室; c :建構在具吸收劑先驅與活化該吸收劑先驅之吸收 劑活化機構之該第一解壓室中之吸收劑給予機構; d:該第一解壓室之該第一與第二基底可以被運送不 需被曝光至大氣之第二解壓室; e :建構在該第二解壓室中,由向內部導向影像顯示 設備之該第一與第二構件以彼此相對位置建構該第一與第 二基底之基底建構機構;以及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 「先間讀背面之注意事項再填寫本頁) ______丁___ 4. 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 -50- 514960 Λ 8 B8 C8 DS 六、申請專利範圍 (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) f :建構在該第二解壓室中,在預定溫度中密封由加 熱該第一與第二基底之該基底建構機構以相對位置建構之 該第一與第二基底之密封機構。 1 〇 2 · —種製造影像顯示設備之設備,包含: a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之第一基底與 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬運機構; b:由該搬運機構運入之会第一與第二基底可以被運 送不需被曝光至大氣同時維持解壓的狀態之第一解壓室; c :建構在該第一解壓室中,由加熱該基底烘烤處理 經運送的該第一與第二基底之烘烤機構·, d:建構在該第一與第二基底可自該第一解壓室運送 不需被曝光至大氣之該第一解壓室或第二解壓室中,具吸 收劑先驅與活化該吸收劑先驅之吸收劑活化機構之第一吸 收劑給予機構; 7 e:該第一與第二基底可自該第一或第二解壓室運送 不需被曝光至大氣之第三解壓室; 經濟部智慧財.4局員工消費合作社印製 f :建構在該第三解壓室中,由向內部導向影像顯示 設備之該第一與第二構件以彼此相對位置建構該第一與第 二基底之基底建構機構;以及 g :建構在該第三解壓室中,在預定溫度中密封由加 熱該第一與第二基底之基底建構機構以相對位置建構之該 第一與第二基底之密封機構。 1〇3 · —種製造影像顯示設備之設備,包含: a :搬運影像顯示設備之第一構件設置之第一基底與 本紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格(210X297公釐) -51 - 514960 A 8 Βδ C8 D8 六、申請專利範圍 影像顯示設備之第二構件設置之第二基底之搬運機構; b:由搬運機構運入之該第一與第二基底可以被運送 不需被曝光至大氣同時維持解壓的狀態之第一解壓室; c :建構在該第一解壓室中,由加熱該基底烘烤處理 經運送的該第一與第二基底之烘烤機構; d:建構在該第一與第二基底可自該第一解壓室運送 不需被曝光至大氣之該第一解壓室或第二解壓室中,具吸 收劑先驅與活化該吸收劑先驅之吸收劑活化機構之第一吸 收劑給予機構; e:該第一與第二基底可自該第一或第二解壓室運送 不需被曝光至大氣之第三解壓室; f :建構在該第三解壓室中,由放射電子光束至該第 一與第二基底淸除該第一與該第二基底之電子光束淸除機 構; 7 g :該第一與第二基底可自該第三解壓室運送不需被 曝光至大氣中之第四解壓室; h :建構在該第二解壓室中,具吸收劑先驅與活化該 吸收劑先驅之吸收劑活化機構之第二吸收劑給予機構; 1 :該第一與第二基底可自該第四解壓室運送不需被 曝光至大氣中之第五解壓室; j :建構在該第五解壓室中’由向內部導向影像顯示 設備之該第一與第二構件以彼此相對位置建構該第一與第 二基底之基底建構機構;以及 k:建構在該第五解壓室中’在預定溫度中密封由加 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇乂297公瘦) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 辦· 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 -52- 514960 ABCD 六、申請專利範圍 ^ f亥帛—與第二基底之基底建構機構以相對位置建構之第 一與第二基底之密封機構。 V : V\:義 1〇4 製造設備 i _氣體。,·Α 1 〇=sl 乏製造設備 氫氣體。 0 6 t製造設備 圈 g氣體。 1 〇 7 f製造設備 氫氣體。 〇8 製造設備
    替 經 11® 犧氣體 麵; 金i 1 根據 其中
    申請專利範圍第1 〇 〇至1 〇 3項 解壓室在解壓下包含惰性氣體或 根據申請專利範圍第1 0 0至1 0 3項 其中該第二解壓室在解壓下包含惰性氣體或 根據_ $ _胃 其中三解壓 利範圍第1〇0至1 0 3項 室在解壓下包含惰性氣體或 P^D| mm 根據 &申請專利範圍第1 〇 〇至1 〇 3項 其中該第四解壓室在解壓下包含惰性氣體或 部 智 慧 財 消 費 合 社 印 製
    10 9 製造設備 根據申請專 其中五解壓 麵 丨_ 根據_申請專 其中影像顯示設 裝置,且影像顯不設備之,該桌 器二、 利範圍第1〇0至1〇3項 室在解壓下包含惰性氣體或 利範圍第1 0 0至1 0 3項 備之該第一構件是電漿生成 二構件是磷光體或彩色濾光 請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T. 瓣. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -53-
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