JP2001229828A - 画像表示装置の製造法及び製造装置 - Google Patents

画像表示装置の製造法及び製造装置

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JP2001229828A JP2000038603A JP2000038603A JP2001229828A JP 2001229828 A JP2001229828 A JP 2001229828A JP 2000038603 A JP2000038603 A JP 2000038603A JP 2000038603 A JP2000038603 A JP 2000038603A JP 2001229828 A JP2001229828 A JP 2001229828A
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俊彦 宮崎
Kohei Nakada
耕平 中田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 画像表示装置の製造における真空排気時間の
短縮及び高真空度化を容易に行えるようにし、もって製
造効率を向上させることを目的とする。 【解決手段】蛍光体励起手段を配置した第１基板１１１
及び蛍光体励起手段により発光する蛍光体を配置した第
２基板１１２を、真空雰囲気を維持しながら、ベーク処
理室１０２、第１段目ゲッタ処理室１０３、電子線クリ
ーニング処理室１０４、第２段目ゲッタ処理室１０５、
封着処理室１０６へと順次移動させて各処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、電子放出素子をマ
トリクス配置した画像表示装置、特に第１の画像形成部
材としてマトリクス配置した電子放出素子を設けたリヤ
ープレート（ＲＰ）と第２の画像形成部材として蛍光体
を設けたフェースプレート（ＦＰ）とを対向配置した表
示パネルを有する画像表示装置の製造法及びその製造装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電子放出素子としては、大別
して熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子の２種類のも
のが知られている。冷陰極電子放出素子には、電界放出
型（以下、ＦＥ型という）、金属／絶縁層／金属型（以
下、ＭＩＭ型という）、表面伝導型電子放出素子などが
ある。
【０００３】ＦＥ型の例としては、Ｗ．Ｐ．Ｄｙｋｅ
＆ Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，”Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉ
ｏｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）、あるいはＣ．
Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，”ＰＨＹＳＩＣＡＬ Ｐｒｏｐｅｒ
ｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ ｅ
ｍｉｓｓｉｏｎ ｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ｍｏｌ
ｙｂｄｅｎｕｍ ｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．，４７，５２４８（１９７６）などに開示されたも
のが知られている。
【０００４】ＭＩＭ型の例としては、Ｃ．Ａ．Ｍｅａ
ｄ，”Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｔｕｎｎｅｌ−Ｅｍ
ｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．，３２，６４６（１９６１）などに開示されたも
のが知られている。
【０００５】表面伝導型電子放出素子型の例としては、
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ．Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０（１９６５）
などに開示されたものがある。
【０００６】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことに
より電子放出が生ずる現象を利用するものである。この
表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等に
よるＳｎＯ2薄膜を用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの
［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：”Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｓ Ｆｉ
ｌｍｓ，”９，３１７（１９７２）］、Ｉｎ2Ｏ3／Ｓｎ
Ｏ2薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ
Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｅ
Ｄ Ｃｏｎｆ．”，５１９（１９７５）］、カーボン薄
膜によるもの［荒木久他：真空、第２６巻、第１号、２
２頁（１９８３）］などが報告されている。
【０００７】上記のような電子放出素子を用いた画像表
示装置の製造には、これら電子放出素子をマトリクス配
置した電子源基板をＲＰとして用意すると共に、電子線
の励起を受けて発光する蛍光体を設けたＦＰとなる蛍光
体基板を用意し、電子放出素子と蛍光体とが内側となる
ようにして、且つ、間に真空シール構造を提供する外囲
器及び耐大気圧構造を提供するスペーサを配置して、こ
れらＦＰとＲＰとを対向配置してから、フリットガラス
やインジウムなどの低融点物質を封着材として用いて内
部をシールし、予め設けておいた真空排気管から内部を
真空排気した後、真空排気管を封止して表示パネルとす
る製造工程が用いられている。
【０００８】上記した従来技術による製造法は、１枚の
表示パネルを製造するのに、非常に長時間を必要とし、
また、例えば、内部を真空度１０-6Ｐａ以上とするよう
な表示パネルの製造には適していないものであった。
【０００９】この従来技術の問題点は、例えば、特開平
１１−１３５０１８号公報に記載された方法によって解
消された。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平１１−１３
５０１８号公報に記載された方法は、単一の真空室内
で、ＦＰとＲＰとを位置合わせした後、この２枚の基板
を封着する工程のみが用いられているので、上記した表
示パネルを作成する上で必要な他の工程であるベーク処
理、ゲッタ処理や電子線クリーニング処理などの工程
は、やはり各々単一の真空室での処理を施すことが必要
となり、ＦＰ及びＲＰの各真空室間の移動は、大気を破
って行われるため、ＦＰ及びＲＰの搬入毎に各真空室を
真空排気することから、製造工程時間が長くなっていた
ため、製造工程時間の大幅な短縮が求められていたのと
同時に、短時間で、最終製造工程での表示パネル内を真
空度１０ -6Ｐａ以上のような高真空を達成することも求
められていた。
【００１１】本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたもので、画像表示装置の製造における真空排気時間
の短縮及び高真空度化を容易に行えるようにし、もって
製造効率を向上させることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１に、画像
表示装置の製造法において、 ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起
手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰
囲気下に用意する工程、 ｂ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基
板を、真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入
し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうち
の一方又は両方の基板をゲッタ処理する工程、並びに、 ｃ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室
に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
を有する画像表示装置の製造法に特徴がある。
【００１３】本発明は、第２に、画像表示装置の製造法
において、 ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起
手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰
囲気下に用意する工程、 ｂ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気のベーク処理
室に真空雰囲気下で搬入し、該両方の基板を所定温度で
ベーク処理する工程、並びに、 ｃ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室
に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
を有する画像表示装置の製造法に特徴がある。
【００１４】本発明は、第３に、画像表示装置の製造法
において、 ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起
手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰
囲気下に用意する工程、 ｂ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気のベーク処理
室に真空雰囲気下で搬入し、該両方の基板を所定温度で
ベーク処理する工程、 ｃ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基
板を真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入
し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうち
の一方又は両方の基板をゲッタ処理する工程、並びに、 ｄ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室
に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
を有する画像表示装置の製造法に特徴がある。
【００１５】本発明は、第４に、画像表示装置の製造法
において、 ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起
手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰
囲気下に用意する工程、 ｂ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気のベーク処理
室に真空雰囲気下で搬入し、該両方の基板を所定温度で
ベーク処理する工程、 ｃ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基
板を真空雰囲気の第１ゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬
入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のう
ちの一方又は両方の基板を第１ゲッタ処理する工程、 ｄ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基
板を真空雰囲気の電子線クリーニング処理室に真空雰囲
気下で搬入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の
基板のうちの一方又は両方の基板を電子線照射による電
子線クリーニング処理する工程、 ｅ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基
板を真空雰囲気の第２ゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬
入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のう
ちの一方又は両方の基板を第２ゲッタ処理する工程、 ｆ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室
に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
を有する画像表示装置の製造法に特徴がある。
【００１６】本発明は、第５に、画像表示装置の製造装
置において、 ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第
２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬
送手段、 ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板の
うちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な
第１の真空室、 ｃ：上記第１の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該
ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する
ゲッタ付与手段、 ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を
真空雰囲気下で搬入可能な第２の真空室、 ｅ：上記第２の真空室内に配置した、第１の画像表示装
置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側
に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させ
る基板配置手段、並びに ｆ：上記第２の真空室内に配置した、上記基板配置手段
によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温
度で加熱封着する封着手段を有する画像表示装置の製造
装置に特徴がある。
【００１７】本発明は、第６に、画像表示装置の製造装
置において、 ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第
２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬
送手段、 ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を
真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、 ｃ：上記第１の真空室内に配置した、搬入された第１基
板及び第２基板を加熱し、該第１基板と第２基板をベー
ク処理するベーク手段、 ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を
真空雰囲気下で搬入可能な第２の真空室、 ｅ：上記第２の真空室内に配置した、第１の画像表示装
置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側
に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させ
る基板配置手段、並びに ｆ：上記第２の真空室内に配置した、上記基板配置手段
によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温
度で加熱封着する封着手段を有する画像表示装置の製造
装置に特徴がある。
【００１８】本発明は、第７に、画像表示装置の製造装
置において、 ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第
２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬
送手段、 ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を
真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、 ｃ：上記第１の真空室内に配置した、搬入された第１基
板及び第２基板を加熱し、該第１基板と第２基板をベー
ク処理するベーク手段、 ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板の
うちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な
第２の真空室、 ｅ：上記第２の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該
ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する
ゲッタ付与手段、 ｆ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を
真空雰囲気下で搬入可能な第３の真空室、 ｇ：上記第３の真空室内に配置した、第１の画像表示装
置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側
に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させ
る基板配置手段、並びに ｈ：上記第３の真空室内に配置した、上記基板配置手段
によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温
度で加熱封着する封着手段を有する画像表示装置の製造
装置に特徴がある。
【００１９】本発明は、第８に、画像表示装置の製造装
置において、 ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第
２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬
送手段、 ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を
真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、 ｃ：上記第１の真空室内に配置した、搬入された第１基
板及び第２基板を加熱し、該第１基板と第２基板をベー
ク処理するベーク手段、 ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板の
うちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な
第２の真空室、 ｅ：上記第２の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該
ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する
第１のゲッタ付与手段、 ｆ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板の
うちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な
第３の真空室、 ｇ：上記第３の真空室に配置した、電子線を照射するこ
とによって電子線クリーニング処理を施す電子線クリー
ニング手段、 ｈ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板の
うちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な
第４の真空室、 ｉ：上記第４の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該
ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する
第２のゲッタ付与手段、 ｊ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を
真空雰囲気下で搬入可能な第５の真空室、 ｋ：上記第５の真空室内に配置した、第１の画像表示装
置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側
に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させ
る基板配置手段、並びに ｌ：上記第５真空室内に配置した、上記基板配置手段に
よって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度
で加熱封着する封着手段を有する画像表示装置の製造装
置に特徴がある。
【００２０】本発明は、第９に、 ａ．第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第
２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬
送手段、 ｂ．減圧状態を維持したまま上記搬送手段によって搬入
されてきた第１基板を大気に曝すことなく搬入可能とし
た第１の真空室、 ｃ．上記第１の減圧室内に配置したゲッタ前駆体及び該
ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する
ゲッタ付与手段、 ｄ.ゲッタが付与された第１の基板及び上記第２基板を
大気に曝すことなく搬入可能とした第２の減圧室、 ｅ．上記第２の減圧室内に配置した、第１の画像表示装
置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側
に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させ
る基板配置手段、並びに ｆ．上記第２の減圧室内に配置した、上記基板配置手段
によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温
度で加熱し、第１基板と第２基板とを封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。
【００２１】本発明は、第１０に、 ａ．第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第
２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬
送手段、 ｂ．減圧状態を維持したまま上記搬送手段によって搬入
されてきた第１基板及び第２基板を大気に曝すことなく
搬入可能とした第１の減圧室、 ｃ．上記第１の減圧室内に搬入したゲッタ前駆体及び該
ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する
ゲッタ付与手段、並びに ｄ．第１の減圧室内の第１基板及び第２基板を大気に曝
すことなく搬入可能とした第２の減圧室、 ｅ．上記第２の減圧室内に配置した、第１の画像表示装
置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側
に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させ
る基板配置手段、並びに ｆ．上記第２の減圧室内に配置した、上記基板配置手段
によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温
度で加熱し、第１基板と第２基板とを封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。
【００２２】本発明は、第１１に、 ａ．第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第
２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬
送手段、 ｂ．減圧状態を維持したまま上記搬送手段によって搬入
されてきた第１基板及び第２の基板を大気に曝すことな
く搬入可能とした第１の真空室、 ｃ．上記第１の減圧室内に配置した、搬入してきた第１
基板及び第２基板に加熱を付与し、該第１基板と第２基
板とをベーク処理するベーク手段、 ｄ．上記第１の減圧室又は該第１の減圧室から第１基板
又は第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした別の
第２の減圧室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前
駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第１のゲ
ッタ付与手段、 ｅ.上記第１の減圧室又は第２の減圧室から大気に曝す
ことなく第１の基板又は第２基板を搬入可能とした第３
の真空室、 ｆ．上記第３の減圧室内に配置した、第１の画像表示装
置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側
に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させ
る基板配置手段、並びに ｇ．上記第３の減圧室内に配置した、上記基板配置手段
によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温
度で加熱し、第１基板と第２基板とを封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。
【００２３】本発明は、第１２に、 ａ．第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第
２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬
送手段、 ｂ．減圧状態を維持したまま上記搬送手段によって搬入
されてきた第１基板及び第２の基板を大気に曝すことな
く搬入可能とした第１の減圧室、 ｃ．上記第１の減圧室内に配置した、搬入してきた第１
基板及び第２基板に加熱を付与し、該第１基板と第２基
板とをベーク処理するベーク手段、 ｄ．上記第１の減圧室又は該第１の減圧室から第１基板
又は第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした別の
第２の減圧室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前
駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第１のゲ
ッタ付与手段、 ｅ．上記第１の減圧室又は第２の減圧室から第１基板又
は第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第３の
真空室、 ｆ．上記第３の減圧室に配置した、第１基板又は第２基
板に対して電子線を照射することによって第１基板又は
第２基板をクリーニングする電子線クリーニング手段、 ｇ．上記第３の減圧室から第１基板又は第２基板を大気
に曝すことなく搬入可能とした第４の減圧室、 ｈ．上記第４の減圧室内に配置したゲッタ前駆体及び該
ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する
第２のゲッタ付与手段、 ｉ．上記第４の減圧室から第１基板又は第２基板を大気
に曝すことなく搬入可能とした第５の真空室、 ｊ．上記第５の減圧室内に配置した、第１の画像表示装
置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側
に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させ
る基板配置手段、並びに ｋ．上記第５の減圧室内に配置した、上記基板配置手段
によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温
度で加熱し、第１基板と第２基板とを封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に、特徴がある。
【００２４】また、本発明は、上記第１及び第２の特徴
において、工程ａ、ｂ及びｃは、一ライン上に設定され
た工程であって、上記ゲッタ処理室と封着処理室との間
に反射性金属などによって形成された熱遮蔽部材が配置
されていること、上記第１及び第２の特徴において、工
程ａ、ｂ及びｃは、一ライン上に設定された工程であっ
て、上記ゲッタ処理室と封着処理室との間にロードロッ
クが配置されていること、上記第１及び第２の特徴にお
いて、工程ａ、ｂ及びｃは、スター配置上に設定され、
上記ゲッタ処理室と封着処理室とは独立の部屋によって
仕切られていること、上記第３の特徴において、工程
ａ、ｂ、ｃ及びｄは、一ライン上に設定された工程であ
って、上記ベーク室とゲッタ処理室の間、ゲッタ処理室
と封着処理室との間、又はベーク室とゲッタ処理室と封
着処理室とのそれぞれの間に反射性金属などによって形
成した熱遮蔽部材が配置されていること、上記第３の特
徴において、工程ａ、ｂ、ｃ及びｄは、一ライン上に設
定された工程であって、上記ベーク処理室とゲッタ処理
室との間、ゲッタ処理室と封着処理室との間、又はベー
ク室とゲッタ処理室と封着室とのそれぞれとの間にロー
ドロックが配置されていること、上記第３の特徴におい
て、工程ａ、ｂ、ｃ及びｄは、スター配置上に設定さ
れ、上記ベーク処理室とゲッタ処理室と封着処理室とは
独立の部屋によって仕切らていること、上記第４の特徴
において、工程ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、一ライン
上に設定された工程であって、上記ベーク室と第１ゲッ
タ処理室の間、第１ゲッタ処理室と電子線クリーニング
処理室との間、電子線クリーニング処理室と第２ゲッタ
処理室との間、又は第２ゲッタ処理室と封着処理室との
間に反射性金属などによって形成されている熱遮蔽部材
が配置されていること、上記第４の特徴において、工程
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、一ライン上に設定された
工程であって、上記ベーク処理室と第１ゲッタ処理室と
の間、第１ゲッタ処理室と電子線クリーニング処理室と
の間、電子線クリーニング処理室と第２ゲッタ処理室と
の間、又は第２ゲッタ処理室と封着処理室との間にロー
ドロックが配置されていること、上記第４の特徴におい
て、工程ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、スター配置上に
設定され、上記ベーク処理室と、第１ゲッタ処理室と、
電子線クリーニング処理室と、第２ゲッタ処理室と、封
着処理室とは独立の部屋によって仕切られていること、
上記第５及び第６の特徴において、第１の真空室と第２
の真空室とは、一ライン上に配置されていること、上記
第５及び第６の特徴において、第１の真空室と第２の真
空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、反射性金
属などによって形成されている熱遮蔽部材で仕切られて
いること、上記第５及び第６の特徴において、第１の真
空室と第２の真空室とは、スター配置上に設けられてな
り、各部屋は、独立した部屋で仕切られていること、上
記第７の特徴において、第１の真空室、第２の真空室と
第３の真空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、
反射性金属などによって形成されている熱遮蔽部材で仕
切られていること、上記第７の特徴において、第１の真
空室、第２の真空室と第３の真空室とは、一ライン上に
配置され、各部屋は、ロードロックで仕切られているこ
と、上記第７の特徴において、第１の真空室、第２の真
空室と第３の真空室とは、スター配置上に設けられてな
り、各部屋は、独立した部屋で仕切られていること、上
記第８の特徴において、第１の真空室と、第２の真空室
と、第３の真空室と、第４の真空室と、第５の真空室と
は、一ライン上に配置され、各部屋は、反射性金属など
によって形成されている熱遮蔽部材で仕切られているこ
と、上記第８の特徴において、第１の真空室と、第２の
真空室と、第３の真空室と、第４の真空室と、第５の真
空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、ロードロ
ックで仕切られていること、上記第８の特徴において、
第１の真空室と、第２の真空室と、第３の真空室と、第
４の真空室と、第５の真空室とは、スター配置上に設け
られてなり、各部屋は、独立した部屋で仕切られている
こと、をその好ましい態様として含むものである。
【００２５】更に上記特徴第９〜１２において、第１の
減圧室〜第５の減圧室は、アルゴンガス、ネオンガスな
どの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有する。ま
た、上記特徴第９〜１２において、第１の画像表示装置
用部材は、プラズマ発生素子であり、第２の画像表示装
置用部材は、蛍光体又はカラーフィルタである。
【００２６】
【発明の実施の形態】図１（ａ）は本発明に係る製造装
置を模式的に示した図、図１（ｂ）は横軸時間に対する
縦軸をプロセス温度とした温度プロファイル、図１
（ｃ）は横軸時間に対する縦軸を真空度とした真空度プ
ロファイルである。以下、これらに基づいて本発明に係
る製造方法と製造装置の一例を説明する。
【００２７】図１（ａ）に図示した装置は、前室１０
１、ベーク処理室１０２、第１段目ゲッタ処理室１０
３、電子線クリーニング処理室１０４、第２段目ゲッタ
処理室１０５、封着処理室１０６及び冷却室１０７が順
次搬送方向（図中の矢印１２７）に従って配列され、Ｒ
Ｐ１１０とＦＰ１１２は、搬送ローラ１０９及び搬送ベ
ルト１０８の駆動によって、順次、矢印１２７方向に各
部屋を通過し、この通過中に各種の処理が施される。つ
まり、前室１０１における真空雰囲気下での用意、ベー
ク処理室１０２におけるベーク処理、第１段目ゲッタ処
理室における第１のゲッタ処理、電子線クリーニング処
理室１０４における電子線照射によるクリーニング、第
２段目ゲッタ処理室１０５における第２のゲッタ処理、
封着処理室１０６における加熱封着及び冷却室１０７に
おける冷却処理の各工程が直列された一ライン上で行わ
れるものとなっている。
【００２８】上記各部屋間には、例えばアルミニウム、
クロム、ステンレスなどの反射性金属によって形成した
熱遮蔽部材１２８（板形状、フィルム形状など）が配置
されているのが好ましい。この熱遮蔽部材１２８は、図
１（ｂ）に図示する温度プロファイルの温度が相違する
部屋間、例えば、ベーク処理室１０２と第１段目ゲッタ
処理室１０３との間と、第２段目ゲッタ処理室１０５と
封着処理室１０６との間のいずれか一方、最適には両者
に配置するのが好ましいが、各部屋間毎に配置してもよ
い。また、上記熱遮蔽部材１２８は、搬送ベルト１０８
上に載置したＦＰ１１２と昇降器１１７に固定したＲＰ
１１０とが各室間の移動する際に、障害を与えないよう
に設置される。
【００２９】図１（ａ）に図示した装置の前室１０１と
ベーク処理室１０２との間にはロードロック１２９が配
置されている。ロードロック１２９は前室１０１とベー
ク処理室１０２間を開閉するものである。また、前室１
０１には真空排気系１３０が接続されており、ベーク処
理室１０２には真空排気系１３１が接続されている。
【００３０】ＲＰ１１０とＦＰ１１２とを前室１０１に
搬入した後、搬入口１１０を遮蔽し、同時にロードロッ
ク１２９を遮蔽し、この前室１０１の内部を真空排気系
１３０によって真空排気する。この間、ベーク処理室１
０２、第１段目ゲッタ処理室１０３、電子線クリーニン
グ処理室１０４、第２段目ゲッタ処理室１０５、封着処
理室１０６及び冷却室１０７の全内部を真空排気系１３
１によって真空排気して真空排気状態とする。
【００３１】上記前室１０１と、その後の各部屋が真空
排気状態に達したとき、ロードロック１２９を開放し、
ＲＰ１１０とＦＰ１１２とを前室１０１から搬出してベ
ーク処理室１０２に搬入し、この搬入終了後にロードロ
ック１２９を遮断してから搬入口１１０を開けて、再度
別のＲＰ１１０とＦＰ１１２とを前室１０１に搬入し、
前室１０１の内部を真空排気系１３０によって真空排気
する工程を繰り返す。
【００３２】本発明においては、上記したロードロック
１２９と同じロードロック（図示せず）を各部屋間に配
置しておくことが好ましい。このロードロックは、各部
屋間毎であってもよいが、このロードロックを図１
（ｃ）に図示する真空度プロファイルの真空度が相違す
る部屋間毎、例えば、ベーク処理室１０２と第１段目ゲ
ッタ処理室１０３との間と、電子線クリーニング室１０
４と第２段目ゲッタ処理室１０５との間のいずれか一
方、最適には両者に配置するのが好ましい。
【００３３】本発明では、前室１０１に搬入する前のＲ
Ｐ１１１に、予め、真空構造をシールする外囲器１１３
及び耐大気圧構造を形成するスペーサ１１５を固定設置
しておくことが好ましい。ＦＰ１１２の上記外囲器１１
３に対応した位置には、フリットガラスなどの低融点物
質やインジウムなどの低融点金属又はその合金を用いた
封着材１１４を設けることができる。また、図示すると
おり、上記封着材１１４を外囲器１１３に設けることも
可能である。
【００３４】大気に曝されることなくベーク処理室１０
２に搬入されてきたＲＰ１１１とＦＰ１１２とには、こ
のベーク処理室１０２内で、加熱プレート１１６の加熱
処理（ベーク処理）が施される。このベーク処理によっ
て、ＲＰ１１１とＦＰ１１２に含有されている水素ガ
ス、水蒸気、酸素などの不純物ガスを排出させることが
できる。このときのベーク温度は、一般的に、３００℃
〜４００℃、好ましくは３５０℃〜３８０℃である。こ
のときの真空度は約１０-4Ｐａである。
【００３５】ベーク処理を終了したＲＰ１１１とＦＰ１
１２とを第１段目ゲッタ処理室１０３に搬入させ、ＲＰ
１１１をホルダー１１８に固定し、昇降器１１７によっ
て部屋１０３の上部へ移動させ、ＦＰ１１２に対してゲ
ッタフラッシュ装置１１９内に内蔵させていた蒸発可能
ゲッタ材（例えば、バリウムなどのゲッタ材）のゲッタ
材フラッシュ１２０を生じさせ、ＦＰ１１２表面にバリ
ウム膜などからなるゲッタ膜（図示せず）を付着せしめ
る。この際の第１段目ゲッタの膜厚は、一般的に５ｎｍ
〜５００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍ、より
好ましくは、２０ｎｍ〜２００ｎｍである。また、本発
明では、上記ゲッタ材のほかに、ＲＰ１１１又はＦＰ１
１２上に、予め、チタン材やＮＥＧ材などからなるゲッ
タ膜又はゲッタ部材を設けておいてもよい。
【００３６】上記ホルダー１１８は、ＲＰ１１１が脱落
することなく十分な力で固定することができる機材、例
えば、静電チャック方式や真空着チャック方式を利用し
た機材を用いることができる。
【００３７】ホルダー１１８に固定されたＲＰ１１１
は、昇降器１１７によって、搬送ベルト１０８上のＦＰ
１１２から十分に離れた位置まで上昇させる。この際の
ＲＰ１１１とＦＰ１１２との間隔は、用いた真空室のサ
イズにもよるが、両基板間のコンダクタンスを十分小さ
くするに十分な間隔とするのがよい。この際の両基板間
の間隔は、一般的には、５ｃｍ以上とすれば十分であ
る。
【００３８】また、上記工程において、バリウムゲッタ
を用いた場合では、第１段目ゲッタ処理室１０３のプロ
セス温度は、約１００℃に設定される。このときの真空
度は、１０-5Ｐａである。
【００３９】図においてゲッタフラッシュ１２０を照射
しているのはＦＰ１１２のみとなっているが、本発明で
は、ＲＰ１１１のみもしくはＲＰ１１１とＦＰ１１２の
両者に対して上記同様のゲッタフラッシュ１２０を照射
してゲッタを付与することも可能である。また、第１の
ゲッタフラッシュは、前記ベーク処理室１０２における
ベーク処理又は処理後の真空雰囲気の真空度を高めるた
めに、前記ベーク処理室１０２内で行うこともできる。
【００４０】続いて、ＲＰ１１１とＦＰ１１２とを、電
子線クリーニング処理室１０４に大気に曝すことなく搬
入し、この電子線クリーニング処理室１０４でＲＰ１１
１及び／又はＦＰ１１２に対して電子線発振器１２１よ
り電子線１２２を走査し、特にＦＰ１１２の蛍光体（図
示せず）中の不純物ガスを放出させる上記搬入の際、昇
降器１１７に保持したＲＰ１１１と搬送ベルト１０８に
保持したＦＰ１１２との間隔は、前の第１段目ゲッタ処
理工程での間隔をそのまま維持するのがよい。
【００４１】図において電子線クリーニング処理を行っ
ているのはＦＰ１１２のみとなっているが、本発明で
は、ＲＰ１１１のみもしくはＲＰ１１１とＦＰ１１２の
両者に対して上記同様の電子線クリーニング処理を施す
ことも可能である。
【００４２】上記電子線クリーニング処理の後、ＲＰ１
１１とＦＰ１１２を大気に曝すことなく第２段目ゲッタ
処理室１０５に搬入し、そこで前記第１段目ゲッタ処理
室１０３と同様の方法で、ゲッタフラッシュ装置１２３
からゲッタフラッシュ１２４を生じさせ、ＦＰ１１２に
対してゲッタを付与する。この際の第２段目ゲッタの膜
厚は、一般的に５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは１０ｎ
ｍ〜１００ｎｍ、より好ましくは、２０ｎｍ〜２００ｎ
ｍである。上記搬入の際、昇降器１１７に保持したＲＰ
１１１と搬送ベルト１０８に保持したＦＰ１１２との間
隔は、前の第１段目ゲッタ処理工程での間隔をそのまま
維持するのがよい。また、第２段目ゲッタは第１段目ゲ
ッタと同様にＲＰ１１１にのみ付与したり、ＦＰ１１２
とＲＰ１１１の両者に付与することもができる。
【００４３】上記第２段目のゲッタが付与されたＦＰ１
１２と昇降器１１７によって第２段目ゲッタ室１０５の
上部に位置していたＲＰ１１１を下降させ、大気に曝す
ことなく次の封着処理室１０６に搬入させる。この際、
ＲＰ１１１とＦＰ１１２とをそれぞれの基板上に設けて
いるマトリクス配置した電子線放出素子と蛍光体とを内
側に向けた状態で、スペーサ１１５及び外囲器１１３が
互いに接するまで対向配置するよう、昇降器１１７を動
作させる。
【００４４】封着処理室１０６内の相対向配置したＲＰ
１１１とＦＰ１１２とに対して加熱プレート１２５を作
用させ、予め設けておいた封着材１１４がインジウムの
ような低融点金属の場合では、低融点金属が溶融するま
で加熱し、また封着材１１４がフリットガラスのような
非金属の低融点物質の場合には、低融点物質が感化し接
着性を帯びる温度まで加熱する。図１（ｂ）では、封着
材１１４としてインジウムを用いた例として、１８０℃
の温度に設定されている。
【００４５】上記封着処理室１０６の真空度を１０-6Ｐ
ａ以上の高真空度に設定することができる。このためＲ
Ｐ１１１とＦＰ１１２と外囲器１１３とで密封された表
示パネル内部の真空度についても、１０-6Ｐａ以上の高
真空度に設定することができる。
【００４６】上記封着処理室１０６にて作成した表示パ
ネルは、次の冷却室１０７に搬出され、ゆっくり冷却さ
れる。
【００４７】本発明の装置は、上記封着室１０６と冷却
室１０７との間に、上記ロードロック２９と同様のロー
ドロック（図示せず）を設け、該ロードロック開放時に
封着処理室１０６から表示パネルを搬出させ、冷却室１
０７に搬入後、該ロードロックを遮蔽し、ここで徐冷
後、搬出口１２６を開放し、表示パネルを冷却室１０７
から搬出させ、最後に該搬出口１２６を遮蔽して、全工
程を終了する。また、次の工程の開始前に、冷却室１０
７の内部を独立配置した真空排気系（図示せず）によっ
て、真空状態に設定しておくのがよい。
【００４８】また、本発明は、上記各室及１０１〜１０
７をアルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水
素ガスを減圧下で含有させることができる。
【００４９】上記の例はベストモードであるが、第１の
変形例として、前室１０１における真空雰囲気下での用
意、第１段目ゲッタ処理室における第１のゲッタ処理、
封着処理室１０６における加熱封着、冷却室１０７にお
ける冷却処理の順に工程を進めるように各部屋を直列さ
せる例が挙げられる。
【００５０】第２の変形例としては、前室１０１におけ
る真空雰囲気下での用意、ベーク処理室１０２における
ベーク処理、封着処理室１０６における加熱封着、冷却
室１０７における冷却処理の順に工程を進めるように各
部屋を直列させる例が挙げられる。
【００５１】第３の変形例としては、前室１０１におけ
る真空雰囲気下での用意、ベーク処理室１０２における
ベーク処理、第１段目ゲッタ処理室における第１のゲッ
タ処理、封着処理室１０６における加熱封着及び冷却室
１０７における冷却処理の順に工程を進めるように各部
屋を直列させる例が挙げられる。
【００５２】第４の変形例としては、ＲＰ１１１とＦＰ
１１２を別々の搬送手段で搬送できるようにすることが
挙げられる。
【００５３】図２は、前室２０１、ベーク処理室２０
２、第１段目ゲッタ処理室２０３、電子線クリーニング
処理室２０４、第２段目ゲッタ処理室２０５、封着処理
室２０６及び冷却室２０７を中心真空室２０８の周りに
スター配置上に設けた装置の模式平面図である。各部屋
２０１〜２０７は、各々独立の部屋で仕切られている。
【００５４】図２の装置において、前室２０１と中心真
空室２０８との間に、ロードロック２０９が設けられて
いるが、他の部屋２０２〜２０７にも同様のロードロッ
クを用い、全室２０１〜２０７と中心真空室２０８との
間をロードロックで仕切ることができる。また、ベーク
処理室２０２と中心真空室２０８との間に設けたロード
ロックに変えて、熱遮蔽部材２１０を用いることもでき
る。また、同様に、他の部屋２０３〜２０７と中心真空
室２０８との間に設けたロードロックに変えて、熱遮蔽
部材２１０を用いることもできる。
【００５５】中心真空室２０８には、搬送ハンド２１１
が設置され、その両端部に、ＲＰ１１１とＦＰ１１２と
を静電チャック方式又は真空チャック方式によって固定
可能とした搬送ハンド２１３が設置されている。この搬
送ハンド２１３は、回転軸２１２を中心にそれぞれ矢印
２１４の方向に回転可能とした搬送棒２１１に設置され
ている。
【００５６】搬送ハンド２１３の動作によって、ＲＰ１
１１とＦＰ１１２を各部屋２０１〜２０７毎に搬入及び
搬出を繰り返すことによって、各部屋ごとで、各処理工
程が施される。この際、ＲＰ１１１とＦＰ１１２の両基
板ごとに全処理工程を施してもよいが、好ましくは、Ｒ
Ｐ１１１とＦＰ１１２の両基板のうち、一方の基板の基
板のみを所定の工程のみを処理するのがよい。例えば、
ＲＰ１１１とＦＰ１１２の両基板を上記の如く全工程を
処理するのに変えて、ＦＰ１１２のみを第１段目ゲッタ
処理室２０３及び第２段目ゲッタ処理室２０５に搬入せ
しめ、そこで、ＦＰ１１２についてのみゲッタ処理を施
し、この間、ＲＰ１１１は、中心真空室２０８内に待機
させ、ＲＰ１１１に対するゲッタ処理を省略することも
可能である。
【００５７】また、本発明は、上記各室及２０１〜２０
７及び中心真空室２０８内をアルゴンガス、ネオンガス
などの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有させるこ
とができる。
【００５８】図３は、本発明の装置及び方法を用いて作
成した画像表示装置の断面図である。図４は、その斜視
図である。
【００５９】図中、図１及び図２と同一符号は、同一部
材である。上記装置及び方法によって作成した画像表示
装置は、ＲＰ１１１とＦＰ１１２と外囲器１１３とによ
って真空容器又は減圧容器が形成されている。上記減圧
容器内には、アルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガ
ス又は水素ガスを減圧下で含有することができる。
【００６０】また、真空容器の場合には、１０-5Ｐａ以
上、好ましくは、１０-6Ｐａ以上の高真空に設定するこ
とができる。
【００６１】上記真空容器又は減圧容器内には、スペー
サ１１５が配置さて耐大気圧構造を形成している。本発
明で用いたスペーサ１１５は、無アルカリガラスなどの
無アルカリ絶縁物質からなる本体３１１と、該本体３１
１の表面を覆って配置した高抵抗物質で成膜された高抵
抗膜３０９と両端に設けた金属（タングステン、銅、
銀、金、モリブデンやこれらの合金など）膜３０８及び
３１０とを有し、配線３０６上に導電性接着剤を介して
電気的に接続接着されている。スペーサ１１５は、上記
前室１０１又は２０１に搬入する際には、前もってＲＰ
１１１にフリットガラスなどの低融点接着剤３０７によ
って接着固定され、封着処理室１０６又は２０６におい
て処理が終了した時点で、上記スペーサ１１５のもう一
方の端部とＦＰ１２とは電気的に接続されて接して配置
される。
【００６２】ＲＰ１１１は、ガラスなどの透明基板３０
４と、ナトリウムなどのアルカリの侵入を防止するため
の下地膜（ＳｉＯ2、ＳｎＯ2など）３０５と、ＸＹマト
リクス配列した複数の電子線放出素子３１２とが配置さ
れている。配線３０６は、電子線放出素子と接続したカ
ソード側ＸＹマトリクス配線の一方のカソード側配線を
構成する。
【００６３】本発明は、蛍光体励起手段又は画像表示素
子部材として用いた電子線放出素子３１２に変えて、プ
ラズマ発生素子を用いることができる。この際、容器内
には、アルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は
水素ガスを減圧下で含有させる。
【００６４】ＦＰ１１２は、ガラスなどの透明基板３０
１と蛍光体層３０２とアノード源（図示せず）に接続し
たアノード金属（アルミニウム、銀、銅など）膜３０３
とが配置されている。
【００６５】また、本発明は、上記プラズマ発生素子を
用いた際には、画像表示用部材として用いた蛍光体に変
えて、カラーフィルターを用いることができる。
【００６６】外囲器１１３は、上記前室１０１又は２０
１に搬入する際には、前もってＲＰ１１１にフリットガ
ラスなどの低融点接着剤３１３によって接着固定してお
き、上記封着処理室１０６又は２０６における処理工程
で、インジウムやフリットガラスを用いた封着材１１４
によって固定接着されている。
【００６７】
【発明の効果】本発明によれば、上記電子放出素子やプ
ラズマ発生素子をＸＹ方向に１００万画素以上のように
大容量で設け、且つこの大容量画素を対角サイズ３０イ
ンチ以上の大画面に設けた画像表示装置を製造するに当
たって、製造工程時間を大幅に短縮することができたの
と同時に、画像表示装置を構成する真空容器を１０-6Ｐ
ａ以上のような高真空に達成させることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一例に係る第１の装置の模式的断面図
である。
【図２】本発明の他の例に係る第２の装置の模式的平面
図である。
【図３】本発明の装置及び方法によって製造された画像
表示装置の断面図である。
【符号の説明】
１０１ 前室 １０２ ベーク処理室 １０３ 第１段目ゲッタ処理室 １０４ 電子線クリーニング処理室 １０５ 第２段目ゲッタ処理室 １０６ 封着処理室 １０７ 冷却室 １０８ 搬送ベルト １０９ 搬送ローラ １１０ 搬入口 １１１ リヤープレート（ＲＰ） １１２ フェースプレート（ＦＰ） １１３ 外囲器 １１４ 封着材 １１５ スペーサ １１６ 加熱プレート １１７ 昇降器 １１８ ホルダー １１９ ゲッタフラッシュ装置 １２０ ゲッタフラッシュ １２１ 電子線発振器 １２２ 電子線 １２３ ゲッタフラッシュ装置 １２４ ゲッタフラッシュ １２５ 加熱プレート １２６ 搬出口 １２７ 進行方向矢印 １２８ 熱遮蔽部材 １２９ ロードロック １３０ 真空排気系 １３１ 真空排気系 ２０１ 前室 ２０２ ベーク処理室 ２０３ 第１段目ゲッタ処理室 ２０４ 電子線クリーニング処理室 ２０５ 第２段目ゲッタ処理室 ２０６ 封着処理室 ２０７ 冷却室 ２０８ 中心真空室 ２０９ ロードロック ２１０ 熱遮蔽部材 ２１１ 回転棒 ２１２ 回転軸 ２１３ 搬送ハンド ２１４ 回転方向矢印
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 哲也 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 5C012 AA05 BC04

Claims (109)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】画像表示装置の製造法において、 ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起
    手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰
    囲気下に用意する工程、 ｂ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基
    板を、真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入
    し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうち
    の一方又は両方の基板をゲッタ処理する工程、並びに、 ｃ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室
    に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
    を有することを特徴とする画像表示装置の製造法。
  2. 【請求項２】上記工程ａ、ｂ及びｃは、一ライン上に設
    定された工程であることを特徴とする請求項１記載の画
    像表示装置の製造法。
  3. 【請求項３】上記工程ａ、ｂ及びｃは、一ライン上に設
    定された工程であって、上記ゲッタ処理室と封着処理室
    との間に熱遮蔽部材が配置されていることを特徴とする
    請求項１記載の画像表示装置の製造法。
  4. 【請求項４】上記熱遮蔽部材は、反射性金属によって形
    成されていることを特徴とする請求項３記載の画像表示
    装置の製造法。
  5. 【請求項５】上記工程ａ、ｂ及びｃは、一ライン上に設
    定された工程であって、上記ゲッタ処理室と封着処理室
    との間にロードロックが配置されていることを特徴とす
    る請求項１記載の画像表示装置の製造法。
  6. 【請求項６】上記工程ａ、ｂ及びｃは、スター配置上に
    設定された工程であることを特徴とする請求項１記載の
    画像表示装置の製造法。
  7. 【請求項７】上記工程ａ、ｂ及びｃは、スター配置上に
    設定され、上記ゲッタ処理室と封着処理室とは独立の部
    屋によって仕切られていることを特徴とする請求項１記
    載の画像表示装置の製造法。
  8. 【請求項８】上記蛍光体励起手段は、電子線放出手段を
    有することを特徴とする請求項１記載の画像表示装置の
    製造法。
  9. 【請求項９】上記第１基板は、予め周囲に固定配置した
    外囲器を有することを特徴とする請求項１記載の画像表
    示装置の製造法。
  10. 【請求項１０】上記第１基板は、予め内側に固定配置し
    たスペーサを有することを特徴とする請求項１記載の画
    像表示装置の製造法。
  11. 【請求項１１】上記第１基板は、予め周囲に固定配置し
    た外囲器及び内側に固定配置したスペーサを有すること
    を特徴とする請求項１記載の画像表示装置の製造法。
  12. 【請求項１２】上記第２基板は、予め周囲に固定配置し
    た外囲器を有することを特徴とする請求項１記載の画像
    表示装置の製造法。
  13. 【請求項１３】上記第２基板は、予め内側に固定配置し
    たスペーサを有することを特徴とする請求項１記載の画
    像表示装置の製造法。
  14. 【請求項１４】上記第２基板は、予め周囲に固定配置し
    た外囲器及び内側に固定配置したスペーサを有すること
    を特徴とする請求項１記載の画像表示装置の製造法。
  15. 【請求項１５】上記工程ｂで用いたゲッタは、蒸発型ゲ
    ッタである請求項１記載の画像表示装置の製造法。
  16. 【請求項１６】上記蒸発型ゲッタは、バリウムゲッタで
    ある請求項１記載の画像表示装置の製造法。
  17. 【請求項１７】上記工程ｃで用いた封着材は、低融点物
    質である請求項１記載の画像表示装置の製造法。
  18. 【請求項１８】上記低融点物質は、低融点金属又はその
    合金である請求項１７記載の画像表示装置の製造法。
  19. 【請求項１９】上記低融点金属は、インジウム又はその
    合金である請求項１８記載の画像表示装置の製造法。
  20. 【請求項２０】上記低融点物質は、フリットガラスであ
    る請求項１７記載の画像表示装置の製造法。
  21. 【請求項２１】画像表示装置の製造法において、 ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起
    手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰
    囲気下に用意する工程、 ｂ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気のベーク処理
    室に真空雰囲気下で搬入し、該両方の基板を所定温度で
    ベーク処理する工程、並びに、 ｃ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室
    に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
    を有することを特徴とする画像表示装置の製造法。
  22. 【請求項２２】上記工程ａ、ｂ及びｃは、一ライン上に
    設定された工程であることを特徴とする請求項２１記載
    の画像表示装置の製造法。
  23. 【請求項２３】上記工程ａ、ｂ及びｃは、一ライン上に
    設定された工程であって、上記ベーク処理室と封着処理
    室との間に熱遮蔽部材が配置されていることを特徴とす
    る請求項２１記載の画像表示装置の製造法。
  24. 【請求項２４】上記熱遮蔽部材は、反射性金属によって
    形成されていることを特徴とする請求項２３記載の画像
    表示装置の製造法。
  25. 【請求項２５】上記工程ａ、ｂ及びｃは、一ライン上に
    設定された工程であって、上記ベーク処理室と封着処理
    室との間にロードロックが配置されていることを特徴と
    する請求項２１記載の画像表示装置の製造法。
  26. 【請求項２６】上記工程ａ、ｂ及びｃは、スター配置上
    に設定された工程であることを特徴とする請求項２１記
    載の画像表示装置の製造法。
  27. 【請求項２７】上記工程ａ、ｂ及びｃは、スター配置上
    に設定され、上記ベーク処理室と封着処理室とは独立の
    部屋によって仕切られていることを特徴とする請求項２
    １記載の画像表示装置の製造法。
  28. 【請求項２８】上記蛍光体励起手段は、電子線放出手段
    を有することを特徴とする請求項２１記載の画像表示装
    置の製造法。
  29. 【請求項２９】上記第１基板は、予め周囲に固定配置し
    た外囲器を有することを特徴とする請求項２１記載の画
    像表示装置の製造法。
  30. 【請求項３０】上記第１基板は、予め内側に固定配置し
    たスペーサを有することを特徴とする請求項２１記載の
    画像表示装置の製造法。
  31. 【請求項３１】上記第１基板は、予め周囲に固定配置し
    た外囲器及び内側に固定配置したスペーサを有すること
    を特徴とする請求項２１記載の画像表示装置の製造法。
  32. 【請求項３２】上記第２基板は、予め周囲に固定配置し
    た外囲器を有することを特徴とする請求項２１記載の画
    像表示装置の製造法。
  33. 【請求項３３】上記第２基板は、予め内側に固定配置し
    たスペーサを有することを特徴とする請求項２１記載の
    画像表示装置の製造法。
  34. 【請求項３４】上記第２基板は、予め周囲に固定配置し
    た外囲器及び内側に固定配置したスペーサを有すること
    を特徴とする請求項２１記載の画像表示装置の製造法。
  35. 【請求項３５】上記工程ｃで用いた封着材は、低融点物
    質である請求項２１記載の画像表示装置の製造法。
  36. 【請求項３６】上記低融点物質は、低融点金属又はその
    合金である請求項３５記載の画像表示装置の製造法。
  37. 【請求項３７】上記低融点金属は、インジウム又はその
    合金である請求項３６記載の画像表示装置の製造法。
  38. 【請求項３８】上記低融点物質は、フリットガラスであ
    る請求項３５記載の画像表示装置の製造法。
  39. 【請求項３９】画像表示装置の製造法において、 ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起
    手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰
    囲気下に用意する工程、 ｂ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気のベーク処理
    室に真空雰囲気下で搬入し、該両方の基板を所定温度で
    ベーク処理する工程、 ｃ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基
    板を真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入
    し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のうち
    の一方又は両方の基板をゲッタ処理する工程、並びに、 ｄ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室
    に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
    を有することを特徴とする画像表示装置の製造法。
  40. 【請求項４０】上記工程ａ、ｂ、ｃ及びｄは、一ライン
    上に設定された工程であることを特徴とする請求項３９
    記載の画像表示装置の製造法。
  41. 【請求項４１】上記工程ａ、ｂ、ｃ及びｄは、一ライン
    上に設定された工程であって、上記ベーク室とゲッタ処
    理室の間、ゲッタ処理室と封着処理室との間、又はベー
    ク室とゲッタ処理室と封着処理室とのそれぞれの間に熱
    遮蔽部材が配置されていることを特徴とする請求項３９
    記載の画像表示装置の製造法。
  42. 【請求項４２】上記熱遮蔽部材は、反射性金属によって
    形成されていることを特徴とする請求項４１記載の画像
    表示装置の製造法。
  43. 【請求項４３】上記工程ａ、ｂ、ｃ及びｄは、一ライン
    上に設定された工程であって、上記ベーク処理室とゲッ
    タ処理室との間、ゲッタ処理室と封着処理室との間、又
    はベーク室とゲッタ処理室と封着室とのそれぞれとの間
    にロードロックが配置されていることを特徴とする請求
    項３９記載の画像表示装置の製造法。
  44. 【請求項４４】上記工程ａ、ｂ、ｃ及びｄは、スター配
    置上に設定された工程であることを特徴とする請求項３
    ９記載の画像表示装置の製造法。
  45. 【請求項４５】上記工程ａ、ｂ、ｃ及びｄは、スター配
    置上に設定され、上記ベーク処理室とゲッタ処理室と封
    着処理室とは独立の部屋によって仕切られていることを
    特徴とする請求項３９記載の画像表示装置の製造法。
  46. 【請求項４６】上記蛍光体励起手段は、電子線放出手段
    を有することを特徴とする請求項３９記載の画像表示装
    置の製造法。
  47. 【請求項４７】上記第１基板は、予め周囲に固定配置し
    た外囲器を有することを特徴とする請求項３９記載の画
    像表示装置の製造法。
  48. 【請求項４８】上記第１基板は、予め内側に固定配置し
    たスペーサを有することを特徴とする請求項３９記載の
    画像表示装置の製造法。
  49. 【請求項４９】上記第１基板は、予め周囲に固定配置し
    た外囲器及び内側に固定配置したスペーサを有すること
    を特徴とする請求項３９記載の画像表示装置の製造法。
  50. 【請求項５０】上記第２基板は、予め周囲に固定配置し
    た外囲器を有することを特徴とする請求項３９記載の画
    像表示装置の製造法。
  51. 【請求項５１】上記第２基板は、予め内側に固定配置し
    たスペーサを有することを特徴とする請求項３９記載の
    画像表示装置の製造法。
  52. 【請求項５２】上記第２基板は、予め周囲に固定配置し
    た外囲器及び内側に固定配置したスペーサを有すること
    を特徴とする請求項３９記載の画像表示装置の製造法。
  53. 【請求項５３】上記工程ｂで用いたゲッタは、蒸発型ゲ
    ッタである請求項３９記載の画像表示装置の製造法。
  54. 【請求項５４】上記蒸発型ゲッタは、バリウムゲッタで
    ある請求項３９記載の画像表示装置の製造法。
  55. 【請求項５５】上記工程ｃで用いた封着材は、低融点物
    質である請求項３９記載の画像表示装置の製造法。
  56. 【請求項５６】上記低融点物質は、低融点金属又はその
    合金である請求項５５記載の画像表示装置の製造法。
  57. 【請求項５７】上記低融点金属は、インジウム又はその
    合金である請求項５６記載の画像表示装置の製造法。
  58. 【請求項５８】上記低融点物質は、フリットガラスであ
    る請求項５５記載の画像表示装置の製造法。
  59. 【請求項５９】画像表示装置の製造法において、 ａ：蛍光体励起手段を配置した第１基板及び蛍光体励起
    手段により発光する蛍光体を配置した第２基板を真空雰
    囲気下に用意する工程、 ｂ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気のベーク処理
    室に真空雰囲気下で搬入し、該両方の基板を所定温度で
    ベーク処理する工程、 ｃ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基
    板を真空雰囲気の第１ゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬
    入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のう
    ちの一方又は両方の基板を第１ゲッタ処理する工程、 ｄ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基
    板を真空雰囲気の電子線クリーニング処理室に真空雰囲
    気下で搬入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の
    基板のうちの一方又は両方の基板を電子線照射による電
    子線クリーニング処理する工程、 ｅ：上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基
    板を真空雰囲気の第２ゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬
    入し、搬入した一方の基板又は搬入した両方の基板のう
    ちの一方又は両方の基板を第２ゲッタ処理する工程、 ｆ：上記第１基板と第２基板を真空雰囲気の封着処理室
    に真空雰囲気下で搬入して対向状態で加熱封着する工程
    を有することを特徴とする画像表示装置の製造法。
  60. 【請求項６０】上記工程ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、
    一ライン上に設定された工程であることを特徴とする請
    求項３９記載の画像表示装置の製造法。
  61. 【請求項６１】上記工程ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、
    一ライン上に設定された工程であって、上記ベーク室と
    第１ゲッタ処理室の間、第１ゲッタ処理室と電子線クリ
    ーニング処理室との間、電子線クリーニング処理室と第
    ２ゲッタ処理室との間、又は第２ゲッタ処理室と封着処
    理室との間に熱遮蔽部材が配置されていることを特徴と
    する請求５９記載の画像表示装置の製造法。
  62. 【請求項６２】上記熱遮蔽部材は、反射性金属によって
    形成されていることを特徴とする請求項６１記載の画像
    表示装置の製造法。
  63. 【請求項６３】上記工程ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、
    一ライン上に設定された工程であって、上記ベーク処理
    室と第１ゲッタ処理室との間、第１ゲッタ処理室と電子
    線クリーニング処理室との間、電子線クリーニング処理
    室と第２ゲッタ処理室との間、又は第２ゲッタ処理室と
    封着処理室との間にロードロックが配置されていること
    を特徴とする請求項５９記載の画像表示装置の製造法。
  64. 【請求項６４】上記工程ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、
    スター配置上に設定された工程であることを特徴とする
    請求項５９記載の画像表示装置の製造法。
  65. 【請求項６５】上記工程ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、
    スター配置上に設定され、上記ベーク処理室と、第１ゲ
    ッタ処理室と、電子線クリーニング処理室と、第２ゲッ
    タ処理室と、封着処理室とは独立の部屋によって仕切ら
    れていることを特徴とする請求項５９記載の画像表示装
    置の製造法。
  66. 【請求項６６】上記蛍光体励起手段は、電子線放出手段
    を有することを特徴とする請求項５９記載の画像表示装
    置の製造法。
  67. 【請求項６７】上記第１基板は、予め周囲に固定配置し
    た外囲器を有することを特徴とする請求項５９記載の画
    像表示装置の製造法。
  68. 【請求項６８】上記第１基板は、予め内側に固定配置し
    たスペーサを有することを特徴とする請求項５９記載の
    画像表示装置の製造法。
  69. 【請求項６９】上記第１基板は、予め周囲に固定配置し
    た外囲器及び内側に固定配置したスペーサを有すること
    を特徴とする請求項５９記載の画像表示装置の製造法。
  70. 【請求項７０】上記第２基板は、予め周囲に固定配置し
    た外囲器を有することを特徴とする請求項５９記載の画
    像表示装置の製造法。
  71. 【請求項７１】上記第２基板は、予め内側に固定配置し
    たスペーサを有することを特徴とする請求項５９記載の
    画像表示装置の製造法。
  72. 【請求項７２】上記第２基板は、予め周囲に固定配置し
    た外囲器及び内側に固定配置したスペーサを有すること
    を特徴とする請求項５９記載の画像表示装置の製造法。
  73. 【請求項７３】上記工程b及びｄで用いたゲッタは、蒸
    発型ゲッタである請求項５９記載の画像表示装置の製造
    法。
  74. 【請求項７４】上記蒸発型ゲッタは、バリウムゲッタで
    ある請求項７３記載の画像表示装置の製造法。
  75. 【請求項７５】上記工程ｅで用いた封着材は、低融点物
    質である請求項５９記載の画像表示装置の製造法。
  76. 【請求項７６】上記低融点物質は、低融点金属又はその
    合金である請求項７５記載の画像表示装置の製造法。
  77. 【請求項７７】上記低融点金属は、インジウム又はその
    合金である請求項７６記載の画像表示装置の製造法。
  78. 【請求項７８】上記低融点物質は、フリットガラスであ
    る請求項７５記載の画像表示装置の製造法。
  79. 【請求項７９】画像表示装置の製造装置において、 ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第
    ２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬
    送手段、 ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板の
    うちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な
    第１の真空室、 ｃ：上記第１の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該
    ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する
    ゲッタ付与手段、 ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を
    真空雰囲気下で搬入可能な第２の真空室、 ｅ：上記第２の真空室内に配置した、第１の画像表示装
    置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側
    に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させ
    る基板配置手段、並びに ｆ：上記第２の真空室内に配置した、上記基板配置手段
    によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温
    度で加熱封着する封着手段を有する画像表示装置の製造
    装置。
  80. 【請求項８０】上記第１の真空室と第２の真空室とは、
    一ライン上に配置されてなることを特徴とする請求項７
    ９記載の製造装置。
  81. 【請求項８１】上記第１の真空室と第２の真空室とは、
    一ライン上に配置され、各部屋は、熱遮蔽部材で仕切ら
    れていることを特徴とする請求項７９記載の製造装置。
  82. 【請求項８２】上記第１の真空室と第２の真空室とは、
    一ライン上に配置され、各部屋は、ロードロックで仕切
    られていることを特徴とする請求項７９記載の製造装
    置。
  83. 【請求項８３】上記第１の真空室と第２の真空室とは、
    スター配置上に設けられてなり、各部屋は、独立した部
    屋で仕切られていることを特徴とする請求項７９記載の
    製造装置。
  84. 【請求項８４】画像表示装置の製造装置において、 ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第
    ２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬
    送手段、 ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を
    真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、 ｃ：上記第１の真空室内に配置した、搬入された第１基
    板及び第２基板を加熱し、該第１基板と第２基板をベー
    ク処理するベーク手段、 ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を
    真空雰囲気下で搬入可能な第２の真空室、 ｅ：上記第２の真空室内に配置した、第１の画像表示装
    置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側
    に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させ
    る基板配置手段、並びに ｆ：上記第２の真空室内に配置した、上記基板配置手段
    によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温
    度で加熱封着する封着手段を有する画像表示装置の製造
    装置。
  85. 【請求項８５】上記第１の真空室と第２の真空室とは、
    一ライン上に配置されてなることを特徴とする請求項８
    ４記載の製造装置。
  86. 【請求項８６】上記第１の真空室と第２の真空室とは、
    一ライン上に配置され、各部屋は、熱遮蔽部材で仕切ら
    れていることを特徴とする請求項８５記載の製造装置。
  87. 【請求項８７】上記第１の真空室と第２の真空室とは、
    一ライン上に配置され、各部屋は、ロードロックで仕切
    られていることを特徴とする請求項８５記載の製造装
    置。
  88. 【請求項８８】上記第１の真空室と第２の真空室とは、
    スター配置上に設けられてなり、各部屋は、独立した部
    屋で仕切られていることを特徴とする請求項８５記載の
    製造装置。
  89. 【請求項８９】画像表示装置の製造装置において、 ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第
    ２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬
    送手段、 ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を
    真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、 ｃ：上記第１の真空室内に配置した、搬入された第１基
    板及び第２基板を加熱し、該第１基板と第２基板をベー
    ク処理するベーク手段、 ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板の
    うちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な
    第２の真空室、 ｅ：上記第２の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該
    ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する
    ゲッタ付与手段、 ｆ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を
    真空雰囲気下で搬入可能な第３の真空室、 ｇ：上記第３の真空室内に配置した、第１の画像表示装
    置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側
    に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させ
    る基板配置手段、並びに ｈ：上記第３の真空室内に配置した、上記基板配置手段
    によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温
    度で加熱封着する封着手段を有する画像表示装置の製造
    装置。
  90. 【請求項９０】上記第１の真空室、第２の真空室と第３
    の真空室は、一ライン上に配置されてなることを特徴と
    する請求項８９記載の製造装置。
  91. 【請求項９１】上記第１の真空室、第２の真空室と第３
    の真空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、熱遮
    蔽部材で仕切られていることを特徴とする請求項８９記
    載の製造装置。
  92. 【請求項９２】上記第１の真空室、第２の真空室と第３
    の真空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、ロー
    ドロックで仕切られていることを特徴とする請求項８９
    記載の製造装置。
  93. 【請求項９３】上記第１の真空室、第２の真空室と第３
    の真空室とは、スター配置上に設けられてなり、各部屋
    は、独立した部屋で仕切られていることを特徴とする請
    求項８９記載の製造装置。
  94. 【請求項９４】画像表示装置の製造装置において、 ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第
    ２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬
    送手段、 ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を
    真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、 ｃ：上記第１の真空室内に配置した、搬入された第１基
    板及び第２基板を加熱し、該第１基板と第２基板をベー
    ク処理するベーク手段、 ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板の
    うちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な
    第２の真空室、 ｅ：上記第２の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該
    ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する
    第１のゲッタ付与手段、 ｆ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板の
    うちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な
    第３の真空室、 ｇ：上記第３の真空室に配置した、電子線を照射するこ
    とによって電子線クリーニング処理を施す電子線クリー
    ニング手段、 ｈ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板の
    うちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な
    第４の真空室、 ｉ：上記第４の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該
    ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する
    第２のゲッタ付与手段、 ｊ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を
    真空雰囲気下で搬入可能な第５の真空室、 ｋ：上記第５の真空室内に配置した、第１の画像表示装
    置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側
    に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させ
    る基板配置手段、並びに ｌ：上記第５真空室内に配置した、上記基板配置手段に
    よって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度
    で加熱封着する封着手段を有する画像表示装置の製造装
    置。
  95. 【請求項９５】上記第１の真空室と、第２の真空室と、
    第３の真空室と、第４の真空室と、第５の真空室とは、
    一ライン上に配置されてなることを特徴とする請求項９
    ４記載の製造装置。
  96. 【請求項９６】上記第１の真空室と、第２の真空室と、
    第３の真空室と、第４の真空室と、第５の真空室とは、
    一ライン上に配置され、各部屋は、熱遮蔽部材で仕切ら
    れていることを特徴とする請求項９４記載の製造装置。
  97. 【請求項９７】上記第１の真空室と、第２の真空室と、
    第３の真空室と、第４の真空室と、第５の真空室とは、
    一ライン上に配置され、各部屋は、ロードロックで仕切
    られていることを特徴とする請求項９４記載の製造装
    置。
  98. 【請求項９８】上記第１の真空室と、第２の真空室と、
    第３の真空室と、第４の真空室と、第５の真空室とは、
    スター配置上に設けられてなり、各部屋は、独立した部
    屋で仕切られていることを特徴とする請求項９４記載の
    製造装置。
  99. 【請求項９９】上記第１の画像表示装置用部材は、電子
    線放出素子であり、上記第２の画像表示装置用部材は、
    蛍光体である請求項７９、８４、８９又は９４記載の製
    造装置。
  100. 【請求項１００】ａ．第１の画像表示装置用部材を設け
    た第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２
    基板を搬送する搬送手段、 ｂ．減圧状態を維持したまま上記搬送手段によって搬入
    されてきた第１基板を大気に曝すことなく搬入可能とし
    た第１の真空室、 ｃ．上記第１の減圧室内に配置したゲッタ前駆体及び該
    ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する
    ゲッタ付与手段、 ｄ.ゲッタが付与された第１の基板及び上記第２基板を
    大気に曝すことなく搬入可能とした第２の減圧室、 ｅ．上記第２の減圧室内に配置した、第１の画像表示装
    置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側
    に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させ
    る基板配置手段、並びに ｆ．上記第２の減圧室内に配置した、上記基板配置手段
    によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温
    度で加熱し、第１基板と第２基板とを封着する封着手段
    を有する画像表示装置の製造装置。
  101. 【請求項１０１】ａ．第１の画像表示装置用部材を設け
    た第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２
    基板を搬送する搬送手段、 ｂ．減圧状態を維持したまま上記搬送手段によって搬入
    されてきた第１基板及び第２基板を大気に曝すことなく
    搬入可能とした第１の減圧室、 ｃ．上記第１の減圧室内に搬入したゲッタ前駆体及び該
    ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する
    ゲッタ付与手段、並びに ｄ．第１の減圧室内の第１基板及び第２基板を大気に曝
    すことなく搬入可能とした第２の減圧室、 ｅ．上記第２の減圧室内に配置した、第１の画像表示装
    置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側
    に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させ
    る基板配置手段、並びに ｆ．上記第２の減圧室内に配置した、上記基板配置手段
    によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温
    度で加熱し、第１基板と第２基板とを封着する封着手段
    を有する画像表示装置の製造装置。
  102. 【請求項１０２】ａ．第１の画像表示装置用部材を設け
    た第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２
    基板を搬送する搬送手段、 b．減圧状態を維持したまま上記搬送手段によって搬入
    されてきた第１基板及び第２の基板を大気に曝すことな
    く搬入可能とした第１の真空室、 ｃ．上記第１の減圧室内に配置した、搬入してきた第１
    基板及び第２基板に加熱を付与し、該第１基板と第２基
    板とをベーク処理するベーク手段、 ｄ．上記第１の減圧室又は該第１の減圧室から第１基板
    又は第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした別の
    第２の減圧室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前
    駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第１のゲ
    ッタ付与手段、 ｅ．上記第１の減圧室又は第２の減圧室から大気に曝す
    ことなく第１の基板又は第２基板を搬入可能とした第３
    の真空室、 ｆ．上記第３の減圧室内に配置した、第１の画像表示装
    置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側
    に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させ
    る基板配置手段、並びに ｇ．上記第３の減圧室内に配置した、上記基板配置手段
    によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温
    度で加熱し、第１基板と第２基板とを封着する封着手段
    を有する画像表示装置の製造装置。
  103. 【請求項１０３】ａ．第１の画像表示装置用部材を設け
    た第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２
    基板を搬送する搬送手段、 ｂ．減圧状態を維持したまま上記搬送手段によって搬入
    されてきた第１基板及び第２の基板を大気に曝すことな
    く搬入可能とした第１の減圧室、 ｃ．上記第１の減圧室内に配置した、搬入してきた第１
    基板及び第２基板に加熱を付与し、該第１基板と第２基
    板とをベーク処理するベーク手段、 ｄ．上記第１の減圧室又は該第１の減圧室から第１基板
    又は第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした別の
    第２の減圧室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前
    駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第１のゲ
    ッタ付与手段、 ｅ.上記第１の減圧室又は第２の減圧室から第１基板又
    は第２基板を大気に曝すことなく搬入可能とした第３の
    真空室、 ｆ．上記第３の減圧室に配置した、第１基板又は第２基
    板に対して電子線を照射することによって第１基板又は
    第２基板をクリーニングする電子線クリーニング手段、 ｇ．上記第３の減圧室から第１基板又は第２基板を大気
    に曝すことなく搬入可能とした第4の減圧室、 ｈ．上記第４の減圧室内に配置したゲッタ前駆体及び該
    ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する
    第２のゲッタ付与手段、 ｉ．上記第4の減圧室から第１基板又は第２基板を大気
    に曝すことなく搬入可能とした第５の真空室、 ｊ．上記第５の減圧室内に配置した、第１の画像表示装
    置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側
    に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させ
    る基板配置手段、並びに ｋ．上記第５の減圧室内に配置した、上記基板配置手段
    によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温
    度で加熱し、第１基板と第２基板とを封着する封着手段
    を有する画像表示装置の製造装置。
  104. 【請求項１０４】上記第１の減圧室は、不活性ガス又は
    水素ガスを減圧下で含有することを特徴とする請求項１
    ００〜１０３のいずれか記載の製造装置。
  105. 【請求項１０５】上記第２の減圧室は、不活性ガス又は
    水素ガスを減圧下で含有することを特徴とする請求項１
    ００〜１０３のいずれか記載の製造装置。
  106. 【請求項１０６】上記第３の減圧室は、不活性ガス又は
    水素ガスを減圧下で含有することを特徴とする請求項１
    ００〜１０３のいずれか記載の製造装置。
  107. 【請求項１０７】上記第４の減圧室は、不活性ガス又は
    水素ガスを減圧下で含有することを特徴とする請求項１
    ００〜１０３のいずれか記載の製造装置。
  108. 【請求項１０８】上記第５の減圧室は、不活性ガス又は
    水素ガスを減圧下で含有することを特徴とする請求項１
    ００〜１０３のいずれか記載の製造装置。
  109. 【請求項１０９】第１の画像表示装置用部材は、プラズ
    マ発生素子であり、第２の画像表示装置用部材は、蛍光
    体又はカラーフィルタである請求項１００〜１０３のい
    ずれか記載の製造装置。
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