JP4280743B2 - 画像表示装置の製造装置 - Google Patents
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Description
本発明は画像表示装置、特に表示パネルの表示面を構成するフェースプレートと、該フェースプレートと間隔をおいて対向配置されて該表示パネルの背面を構成するリアプレートとを、封着することにより形成される表示パネルを有する画像表示装置の製造装置に関する。
従来より、電子放出素子としては、大別して熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子の２種類のものが知られている。冷陰極電子放出素子には、電界放出型（以下、ＦＥ型という）、金属／絶縁層／金属型（以下、ＭＩＭ型という）、表面伝導型電子放出素子などがある。
ＦＥ型の例としては、Ｗ．Ｐ．Ｄｙｋｅ ＆ Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，”Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）、あるいはＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，”ＰＨＹＳＩＣＡＬ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ ｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４７，５２４８（１９７６）などに開示されたものが知られている。
ＭＩＭ型の例としては、Ｃ．Ａ．Ｍｅａｄ，”Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｔｕｎｎｅｌ−Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２，６４６（１９６１）などに開示されたものが知られている。
表面伝導型電子放出素子型の例としては、Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０（１９６５）などに開示されたものがある。
表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等によるＳｎＯ2薄膜を用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：”Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｓ Ｆｉｌｍｓ，”９，３１７（１９７２）］、Ｉｎ2Ｏ3／ＳｎＯ2薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ＥＤ Ｃｏｎｆ．”，５１９（１９７５）］、カーボン薄膜によるもの［荒木久他：真空、第２６巻、第１号、２２頁（１９８３）］などが報告されている。
上記のような電子放出素子を用いた画像表示装置の製造には、これら電子放出素子をマトリクス配置した電子源基板（リアプレート）を用意すると共に、電子線の励起を受けて発光する蛍光体を設けた蛍光体基板（フェースプレート）を用意し、電子放出素子と蛍光体とが内側となるようにして、且つ、間に真空シール構造を提供する外囲器及び耐大気圧構造を提供するスペーサを配置して、これらフェースプレートとリアプレートとを対向配置してから、フリットガラスなどの低融点物質を封着材として用いて内部をシールし、予め設けておいた真空排気管から内部を真空排気した後、真空排気管を封止して表示パネルとする製造工程が用いられている。
上記した従来技術による製造法は、１枚の表示パネルを製造するのに、非常に長時間を必要とし、また、例えば、内部を１０-6Ｐａ以下の圧力とするような表示パネルの製造には適していないものであった。
この従来技術の問題点は、例えば、特開平１１−１３５０１８号公報に記載された方法によって解消された。
上記特開平１１−１３５０１８号公報に記載された方法は、単一の真空室内で、ＦＰとＲＰとを位置合わせした後、この２枚の基板を封着する工程のみが用いられているので、上記した表示パネルを作成する上で必要な他の工程であるベーク処理、ゲッタ処理や電子線クリーニング処理などの工程は、やはり各々単一の真空室での処理を施すことが必要となる。このため製造工程時間が長くなっていたため、製造工程時間の大幅な短縮が求められていた。
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、画像表示装置の製造における各工程時間の短縮化を図り、もって製造効率を向上させることを目的とする。
まず、第１の本発明（参考発明）は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
また、第２の本発明（参考発明）は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
上記第２の本発明においては、前記ゲッタ処理室において、更に、ゲッタ処理室内のゲッタ処理が行われること、あるいは、
前記複数の処理室は、前記ベーク処理室でのベーク処理後、前記ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、
が好ましい。
前記複数の処理室は、前記ベーク処理室でのベーク処理後、前記ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、
が好ましい。
また、第３の本発明（参考発明）は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材の表面を浄化する表面浄化処理室と、前記表面浄化処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材の表面を浄化する表面浄化処理室と、前記表面浄化処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
また、上記第３の本発明においては、前記ゲッタ処理室において、更に、ゲッタ処理室内のゲッタ処理が行われること、あるいは、
前記複数の処理室は、前記ベーク処理室でのベーク処理後、前記ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、あるいは、
前記複数の処理室は、前記表面浄化処理室での表面浄化処理後、前記ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、あるいは、
前記表面浄化処理室は、前記ゲッタ処理室と隣接しており、前記表面浄化処理室及び前記ゲッタ処理室は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、
が好ましい。
前記複数の処理室は、前記ベーク処理室でのベーク処理後、前記ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、あるいは、
前記複数の処理室は、前記表面浄化処理室での表面浄化処理後、前記ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、あるいは、
前記表面浄化処理室は、前記ゲッタ処理室と隣接しており、前記表面浄化処理室及び前記ゲッタ処理室は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、
が好ましい。
また、第４の本発明（参考発明）は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材の表面を浄化する表面浄化処理室と、前記表面浄化処理の後、前記パネル部材が搬送され、当該処理室内のゲッタ処理が行われる予備ゲッタ処理室と、前記予備ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材の表面を浄化する表面浄化処理室と、前記表面浄化処理の後、前記パネル部材が搬送され、当該処理室内のゲッタ処理が行われる予備ゲッタ処理室と、前記予備ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
また、上記第４の本発明においては、前記複数の処理室は、前記表面浄化処理室での表面浄化処理後、前記予備ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記予備ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内、予備ゲッタ処理室内及びゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、あるいは、
前記表面浄化処理室は、前記予備ゲッタ処理室と隣接しており、前記表面浄化処理室内、前記予備ゲッタ処理室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、
が好ましい。
前記表面浄化処理室は、前記予備ゲッタ処理室と隣接しており、前記表面浄化処理室内、前記予備ゲッタ処理室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、
が好ましい。
また、上記第３〜第４の本発明においては、前記表面浄化処理は、前記パネル部材の表面に電子線を照射して前記パネル部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、前記パネル部材の表面にイオンを照射して前記パネル部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、前記パネル部材の表面に紫外線を照射して前記パネル部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、前記パネル部材の表面にプラズマを照射して前記パネル部材の表面を浄化する処理であること、
が好ましい。
前記表面浄化処理は、前記パネル部材の表面にイオンを照射して前記パネル部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、前記パネル部材の表面に紫外線を照射して前記パネル部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、前記パネル部材の表面にプラズマを照射して前記パネル部材の表面を浄化する処理であること、
が好ましい。
また、第５の本発明（参考発明）は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、当該処理室内のゲッタ処理が行われる予備ゲッタ処理室と、前記予備ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、当該処理室内のゲッタ処理が行われる予備ゲッタ処理室と、前記予備ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
また、上記第５の本発明においては、前記複数の処理室は、前記ベーク処理室でのベーク処理後、前記予備ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記予備ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内、予備ゲッタ処理室内及びゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、が好ましい。
また、上記第１〜第５の本発明においては、前記封着処理室における前記パネル部材の封着処理の温度は、前記ベーク処理室におけるパネル部材のベーク処理の温度よりも低い温度に設定して行われること、あるいは、
前記ゲッタ処理室における前記パネル部材のゲッタ処理の温度は、前記ベーク処理室におけるパネル部材のベーク処理の温度よりも低い温度に設定して行われること、
が好ましい。
前記ゲッタ処理室における前記パネル部材のゲッタ処理の温度は、前記ベーク処理室におけるパネル部材のベーク処理の温度よりも低い温度に設定して行われること、
が好ましい。
また、第６の本発明（参考発明）は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
また、第７の本発明（参考発明）は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
また、上記第７の本発明においては、前記ゲッタ処理室において、更に、ゲッタ処理室内のゲッタ処理が行われること、あるいは、
前記複数の処理室は、前記冷却処理室での冷却処理後、前記ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、あるいは、
前記冷却室は、前記ゲッタ処理室と隣接しており、前記冷却処理室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、あるいは、
前記冷却処理室において、更に、冷却処理室内のゲッタ処理が行われること、あるいは、
前記冷却処理室において、更に、前記パネル部材の表面浄化処理が行われること、
が好ましい。
前記複数の処理室は、前記冷却処理室での冷却処理後、前記ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、あるいは、
前記冷却室は、前記ゲッタ処理室と隣接しており、前記冷却処理室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、あるいは、
前記冷却処理室において、更に、冷却処理室内のゲッタ処理が行われること、あるいは、
前記冷却処理室において、更に、前記パネル部材の表面浄化処理が行われること、
が好ましい。
また、第８の本発明（参考発明）は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材の表面を浄化する表面浄化処理室と、前記表面浄化処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材の表面を浄化する表面浄化処理室と、前記表面浄化処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
また、上記第８の本発明においては、前記複数の処理室は、前記表面浄化処理室での表面浄化処理後、前記ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、あるいは、
前記表面浄化処理室は、前記ゲッタ処理室と隣接しており、前記表面浄化処理室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、あるいは、
前記ゲッタ処理室において、更に、ゲッタ処理室内のゲッタ処理が行われること、
が好ましい。
前記表面浄化処理室は、前記ゲッタ処理室と隣接しており、前記表面浄化処理室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、あるいは、
前記ゲッタ処理室において、更に、ゲッタ処理室内のゲッタ処理が行われること、
が好ましい。
また、第９の本発明（参考発明）は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材の表面を浄化する表面浄化処理室と、前記表面浄化処理の後、前記パネル部材が搬送され、当該処理室内のゲッタ処理が行われる予備ゲッタ処理室と、前記予備ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材の表面を浄化する表面浄化処理室と、前記表面浄化処理の後、前記パネル部材が搬送され、当該処理室内のゲッタ処理が行われる予備ゲッタ処理室と、前記予備ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
また、上記第９の本発明においては、前記複数の処理室は、前記表面浄化処理室での表面浄化処理後、前記予備ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記予備ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内、予備ゲッタ処理室内及びゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、あるいは、
前記表面浄化処理室は、前記予備ゲッタ処理室と隣接しており、前記表面浄化処理室内、前記予備ゲッタ処理室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、
が好ましい。
前記表面浄化処理室は、前記予備ゲッタ処理室と隣接しており、前記表面浄化処理室内、前記予備ゲッタ処理室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、
が好ましい。
また、上記第８〜第９の本発明においては、前記表面浄化処理は、前記パネル部材の表面に電子線を照射して前記パネル部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、前記パネル部材の表面にイオンを照射して前記パネル部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、前記パネル部材の表面に紫外線を照射して前記パネル部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、前記パネル部材の表面にプラズマを照射して前記パネル部材の表面を浄化する処理であること、
が好ましい。
前記表面浄化処理は、前記パネル部材の表面にイオンを照射して前記パネル部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、前記パネル部材の表面に紫外線を照射して前記パネル部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、前記パネル部材の表面にプラズマを照射して前記パネル部材の表面を浄化する処理であること、
が好ましい。
また、第１０の本発明（参考発明）は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理の後に、前記パネル部材が搬送され、当該処理室内のゲッタ処理が行われる予備ゲッタ処理室と、前記予備ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理の後に、前記パネル部材が搬送され、当該処理室内のゲッタ処理が行われる予備ゲッタ処理室と、前記予備ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、前記複数の処理室における各処理は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
また、上記第１０の本発明においては、前記複数の処理室は、前記冷却処理室でのベ冷却処理の後、前記予備ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記予備ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内、予備ゲッタ処理室内及びゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、あるいは、
前記冷却処理室は、前記予備ゲッタ処理室と隣接しており、前記冷却処理室内、前記予備ゲッタ処理室内及びゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、が好ましい。
前記冷却処理室は、前記予備ゲッタ処理室と隣接しており、前記冷却処理室内、前記予備ゲッタ処理室内及びゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されていること、が好ましい。
また、上記第１〜第１０の本発明においては、前記パネル部材の封着に用いられる封着材は、前記搬送過程において、前記封着処理室の前の処理室での前記パネル部材の温度以下の融点を有する封着材であること、あるいは、
前記封着材は、ガリウム−インジウム系合金、ガリウム−錫系合金、アルミニウム−ガリウム系合金のいずれかであること、
が好ましい。
前記封着材は、ガリウム−インジウム系合金、ガリウム−錫系合金、アルミニウム−ガリウム系合金のいずれかであること、
が好ましい。
また、上記第１〜第１０の本発明においては、前記パネル部材は、前記パネルの表示面を構成するフェースプレートを有し、該フェースプレートと間隔をおいて対向配置されて前記パネルの背面を構成するリアプレートと封着されること、あるいは、
前記リアプレート側には、前記パネル部材との封着をなす第１の封着材が設けられていること、あるいは、
前記リアプレート側には、第２の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠と、該外枠に配置された前記パネル部材との封着をなす第１の封着材とが設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
前記リアプレート側には、前記パネル部材との封着をなす第１の封着材が設けられていること、あるいは、
前記リアプレート側には、第２の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠と、該外枠に配置された前記パネル部材との封着をなす第１の封着材とが設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
また、上記第１〜第１０の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記フェースプレートに配置された第１の封着材を有し、前記リアプレートと前記第１の封着材で封着されること、あるいは、
前記リアプレート側には、第２の封着材で固定され前記パネルの側面を構成する外枠が設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、
が好ましい。
前記リアプレート側には、第２の封着材で固定され前記パネルの側面を構成する外枠が設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、
が好ましい。
また、上記第１〜第１０の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記フェースプレートに第２の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠を有し、前記リアプレートと封着されること、あるいは、
前記リアプレート側には、前記パネル部材との封着をなす第１の封着材が設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
前記リアプレート側には、前記パネル部材との封着をなす第１の封着材が設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
また、上記第１〜第１０の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記フェースプレートに第２の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠と、該外枠に配置された第１の封着材とを有し、前記リアプレートと前記第１の封着材で封着されること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
また、上記第１〜第１０の本発明においては、前記パネル部材は、前記パネルの表示面を構成するフェースプレートと間隔をおいて対向配置されて前記パネルの背面を構成するリアプレートを有し、前記フェースプレートと封着されること、あるいは、
前記フェースプレート側には、前記パネル部材との封着をなす第１の封着材が設けられていること、あるいは、
前記フェースプレート側には、第２の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠と、該外枠に配置された前記パネル部材との封着をなす第１の封着材とが設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
前記フェースプレート側には、前記パネル部材との封着をなす第１の封着材が設けられていること、あるいは、
前記フェースプレート側には、第２の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠と、該外枠に配置された前記パネル部材との封着をなす第１の封着材とが設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
また、上記第１〜第１０の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記リアプレートに配置された第１の封着材を有し、前記フェースプレートと前記第１の封着材で封着されること、あるいは、
前記フェースプレート側には、第２の封着材で固定され前記パネルの側面を構成する外枠が設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
前記フェースプレート側には、第２の封着材で固定され前記パネルの側面を構成する外枠が設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
また、上記第１〜第１０の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記リアプレートに第２の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠を有すること、あるいは、
前記フェースプレート側には、前記パネル部材との封着をなす第１の封着材が設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
前記フェースプレート側には、前記パネル部材との封着をなす第１の封着材が設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
また、上記第１〜第１０の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記リアプレートに第２の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠と、該外枠に配置された第１の封着材とを有し、前記フェースプレートと前記第１の封着材で封着されること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
また、上記第１〜第１０の本発明においては、前記フェースプレートは、蛍光体を有すること、あるいは、
前記フェースプレートは、蛍光体とメタルバックとを有すること、あるいは、
前記リアプレートは、蛍光体励起手段を有すること、あるいは、
前記蛍光体励起手段は、電子放出素子を有すること、
が好ましい。
前記フェースプレートは、蛍光体とメタルバックとを有すること、あるいは、
前記リアプレートは、蛍光体励起手段を有すること、あるいは、
前記蛍光体励起手段は、電子放出素子を有すること、
が好ましい。
本発明の製造装置は、画像表示装置のパネルを形成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施して画像表示装置を製造する画像表示装置の製造装置であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、
前記べーク処理室から前記封着処理室までの搬送過程における、前記べーク処理室と封着処理室とを含む各処理室の温度制御手段は、当該各処理室における前記パネル部材の温度を、直前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定する手段であることを特徴とする。
また、本発明の他の製造装置は、画像表示装置のパネルを形成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施して画像表示装置を製造する画像表示装置の製造装置であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、
前記各処理室の温度制御手段は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定する手段であることを特徴とする。
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、
前記べーク処理室から前記封着処理室までの搬送過程における、前記べーク処理室と封着処理室とを含む各処理室の温度制御手段は、当該各処理室における前記パネル部材の温度を、直前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定する手段であることを特徴とする。
また、本発明の他の製造装置は、画像表示装置のパネルを形成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施して画像表示装置を製造する画像表示装置の製造装置であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、
前記各処理室の温度制御手段は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定する手段であることを特徴とする。
また、上記本発明の製造装置においては、前記封着処理室で用いられる封着材は、ガリウム−インジウム系合金、ガリウム−錫系合金、アルミニウム−ガリウム系合金のいずれかであること、あるいは、
前記各処理室間には熱遮蔽部材が設けられていること、あるいは、
前記熱遮蔽部材は、反射性金属により形成されていること、あるいは、
画像表示装置のパネルを形成するパネル部材は、蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１のパネル部材と、蛍光体を配置した基板を含む第２のパネル部材との２個の構成部材であること、あるいは、
前記第１のパネル部材は、蛍光体励起手段を配置した基板と外枠とを有すること、あるいは、
前記第１のパネル部材は、蛍光体励起手段を配置した基板とスペーサとを有すること、あるいは、
前記第１のパネル部材は、蛍光体励起手段を配置した基板と、外枠と、スペーサとを有すること、あるいは、
前記第２のパネル部材は、蛍光体を配置した基板と外枠とを有すること、あるいは、
前記第２のパネル部材は、蛍光体を配置した基板とスペーサとを有すること、あるいは、
前記第２のパネル部材は、蛍光体を配置した基板と、外枠と、スペーサとを有すること、あるいは、
前記蛍光体励起手段は、電子線放出素子を有すること、
が好ましい。
前記各処理室間には熱遮蔽部材が設けられていること、あるいは、
前記熱遮蔽部材は、反射性金属により形成されていること、あるいは、
画像表示装置のパネルを形成するパネル部材は、蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１のパネル部材と、蛍光体を配置した基板を含む第２のパネル部材との２個の構成部材であること、あるいは、
前記第１のパネル部材は、蛍光体励起手段を配置した基板と外枠とを有すること、あるいは、
前記第１のパネル部材は、蛍光体励起手段を配置した基板とスペーサとを有すること、あるいは、
前記第１のパネル部材は、蛍光体励起手段を配置した基板と、外枠と、スペーサとを有すること、あるいは、
前記第２のパネル部材は、蛍光体を配置した基板と外枠とを有すること、あるいは、
前記第２のパネル部材は、蛍光体を配置した基板とスペーサとを有すること、あるいは、
前記第２のパネル部材は、蛍光体を配置した基板と、外枠と、スペーサとを有すること、あるいは、
前記蛍光体励起手段は、電子線放出素子を有すること、
が好ましい。
以上述べた本発明においては、複数の異なる処理を連続して行う画像表示装置の製造方法および製造装置において、各処理室におけるパネル部材の温度を、搬送過程における前の処理室における当該パネル部材の温度以下に設定するため、温度制御、とりわけ昇温に要する時間が短縮され、製造工程時間を短縮することができる。
また、以上述べた本発明においては、極端な再昇温、とりわけ、封着処理時の再昇温などにより、パネル部材からガスが再放出され、雰囲気の真空度を低下させるといった不都合を解消することができる。
また、以上述べた本発明において、ゲッタ処理されるパネル部材の温度が、ベーク処理されるパネル部材の温度よりも低い温度に設定されてゲッタ処理されることは、前記パネル部材に形成されるゲッタ膜の熱による劣化を大幅に低減することができる。
また、以上述べた本発明において、ゲッタ処理室と隣接した、前室内あるいは前の処理室内が、１０-4Ｐａ以下、更に好ましくは、１０-5Ｐａ以下の減圧状態に設定されることは、ゲッタ処理室へ部材を搬送した際のゲッタ処理室内の真空度の極端な低減を防ぐことができ、ゲッタ処理室へ部材を搬送してからゲッタ処理までの待機時間を短縮することができる。
また、以上述べた本発明において、封着工程時における加熱温度が、ゲッタ処理されるパネル部材の温度以下にて封着処理されることは、前記パネル部材に形成されたゲッタ膜の熱による劣化を大幅に低減することができる。
また、以上述べた本発明において、冷却処理がなされる処理室内で、第１または第２の部材の表面浄化処理を行うことは、ベーク処理工程などの前の工程における余熱を前記部材の表面浄化に利用することができ、表面浄化処理をより効率的に行うことができる。
また、以上述べた本発明において、冷却処理、あるいは、冷却処理室を有することは、パネル部材の極端な降温による破損を防げるほか、ベーク処理工程とゲッタ処理工程の間に設けることで、前記部材に形成されるゲッタ膜の熱による劣化を大幅に低減することができる。
また、以上述べた本発明において、ベーク処理室とゲッタ処理室との間に熱遮蔽部材を設けることは、ゲッタ膜の熱による劣化を大幅に低減することができる。
また、以上述べた本発明において、各処理室間に熱遮蔽部材を設けることは、各処理室間の熱の移動を最小限にし、各処理室の温度制御に要する時間が大幅に短縮され、製造工程時間を大幅に短縮することができる。
また、以上述べた本発明において、フェースプレートあるはリアプレートに外枠を、高融点の第２の封着材を用いて固定しておくことは、封着処理室における第１の封着材の封着処理温度での前記第２の封着材の軟化による前記プレートと外枠との位置ずれを防ぐことができる。
本発明によれば、電子線放出素子やプラズマ発生素子をＸＹ方向に１００万画素以上のように大容量で設け、且つこの大容量画素を対角サイズ３０インチ以上の大画面に設けた画像表示装置を製造するに当たって、製造工程時間を大幅に短縮することができた。
また、画像表示装置を構成する真空容器を１０-6Ｐａ以上のような高真空に達成させることができた。
図１（ａ）は本発明に係る製造装置を模式的に示した図、図１（ｂ）は画像表示装置のパネル部材、即ち、画像表示装置のパネルを形成する部材の温度を示す温度プロファイル、図１（ｃ）は製造装置内の圧力を示す圧力プロファイルである。以下、これらに基づいて本発明に係る製造方法と製造装置について、とりわけ、複数の電子放出素子がマトリクス配線された電子源とかかる電子源からの電子の照射により発光する蛍光体とをパネル内に具備する電子線画像表示装置を例に挙げ説明する。
図１（ａ）において、１０１はパネル部材であるところのリアプレート（以後ＲＰと表記する）であり、蛍光体励起手段として、複数の電子放出素子がマトリクス配線された電子源が形成されている。１０２はパネル部材であるところのフェィスプレート（以後ＦＰと表記する）であり、蛍光体、メタルバックなどが形成されている。１０３はパネル部材であるところの外枠でありＲＰ１０１とＦＰ１０２の間に配置され、ＲＰ１０１及びＦＰ１０２とともに気密容器であるパネルを構成する。１０４はスペーサであり、ＲＰ１０１とＦＰ１０２との間隔を維持するものである。本実施形態では外枠１０３とスペーサ１０４は事前にＲＰ１０１上に配置固定されている場合を図示している。
１０５は前室、１０６はベーク処理室、１０７は表面浄化処理室、１０８は予備ゲッタ処理室（チャンバーゲッタ処理室）、１０９はゲッタ処理室（パネルゲッタ処理室）、１１０は封着処理室、１１１は冷却室であり、順次搬送方向（図中の矢印１４５）に従って配列接続され、それぞれ不図示の真空ポンプで排気されて、真空雰囲気が形成されている。
ここで、上記表面浄化処理室１０７は、ＲＰ、ＦＰ、あるいは外枠、スペーサなどの部材の表面に電子線、イオン、紫外線、あるいは、プラズマを照射することでかかる部材表面を浄化する処理室であり、本実施形態においてこの表面浄化処理室１０７は、電子線照射手段が設けられたエレクトロン・ビーム照射処理室（以後ＥＢ照射処理室と表記）となっている。
また、上記予備ゲッタ処理室（チャンバーゲッタ処理室）１０８は、処理室内に配置されたパネル構成部材以外の部材に対してゲッタ膜を形成する処理室であって、処理室内の真空度を上げ、次のゲッタ処理室１０９にパネル部材が搬入される際にかかるゲッタ処理室内の真空度の低下を防ぐ目的で設けられている。また、ゲッタ処理室（パネルゲッタ処理室）１０９は、パネル部材の封着後、パネル容器内の真空度を維持する目的で、パネルを構成する部材自体にゲッタ膜を形成する処理室である。
また、大気および、各処理室間はゲートバルブ１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９で隔てられており、パネル部材であるＲＰ１０１、ＦＰ１０２、外枠１０３、スペーサ１０４は、まず、ゲートバルブ１１２の開閉により前室１０５に搬入され、順次、処理室へ各ゲートバルブの開閉によって移動する。１２０はパネル部材の各処理室への移動用のための搬送ローラーである。
また、１２１、１２３、１２７、１３２、１３６はＲＰ１０１および、これに固定された外枠１０３とスペーサ１０４の温度を制御するためのホットプレートである。一方、１２２、１２４、１２８、１３３、１３７はＦＰ１０２の温度を制御するためのホットプレートである。
１２５はＥＢ照射処理室１０７内でＥＢ照射するための電子銃、１２６は電子銃１２５から照射されたエレクトロン・ビームである。
チャンバーゲッタ処理室１０８内において、１２９はチャンバーゲッタフラッシュ装置、１３０はチャンバーゲッタフラッシュ装置から発生されるチャンバーゲッタフラッシュであり、Ｂａなどの材料を瞬間的に蒸発させたものである。１３１はチャンバーゲッタ板であり、チャンバーゲッタフラッシュ１３０が被着し、チャンバーゲッタとして排気作用を行う、即ち、チャンバーゲッタ処理室１０８内の真空度を上げることができる。
パネルゲッタ処理室１０９において、１３４はパネルゲッタフラッシュ装置、１３５はパネルゲッタフラッシュ装置１３４から発生されるパネルゲッタフラッシュであり、Ｂａなどの材料を瞬間的に蒸発させたものであり、ＦＰ１０２に被着される。
１３８、１３９、１４０、１４１、１４２は昇降機であり、それぞれ、ホットプレート１２１、１２３、１２７、１３２、１３６を支持しており、ＲＰ１０１を各処理工程に必要な高さに昇降させる機能を有する。
図１（ｂ）はその横軸が、図１（ａ）の製造装置における各処理室での工程を示し、縦軸が各処理室での工程におけるパネル部材の温度である。この温度プロファイルは、ＲＰ１０１、ＦＰ１０２の温度状態を示すものである。また、図１（ｃ）はその横軸が、図１（ａ）の製造装置における各処理室での工程を示し、縦軸が各処理室内の圧力である。
ＲＰ１０１とＦＰ１０２、外枠１０３、スペーサ１０４は、搬送手段である搬送ローラ１２０の駆動によって、順次、矢印１４５方向に各処理室を通過し、この通過中に各種の処理が施される。
本実施形態においては、まず、前室１０５の真空雰囲気下に、電子源が配置されたＲＰ１０１、外枠１０３、及び、スペーサ１０４からなる第１の部材と、蛍光体及びメタルバックが配置されたＦＰ１０２からなる第２の部材とが用意され、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、ＥＢ照射処理室１０７における電子線照射、チャンバーゲッタ処理室１０８におけるチャンバーゲッタ処理による高真空到達、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理によるパネルへのゲッタフラッシュ、封着処理室１１０における加熱封着及び冷却室１１１における冷却処理の各工程が直列された一ライン上で行われ、かかるライン上に画像表示装置のパネルを形成する部材の複数が順次、搬入、搬送、搬出されることにより画像表示装置を製造するものとなっている。
図１（ａ）に図示した製造装置の各処理室間には、前述の通り、ゲートバルブ１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９が配置されており、各処理室は不図示の真空排気系で真空排気される。本実施形態においては、ゲートバルブ１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９を各処理室間毎に配置したが、このゲートバルブ配置は図１（ｃ）に図示する圧力プロファイルの圧力が相違する処理室間および装置外大気間のみでよく、例えば、チャンバーゲッタ処理室１０８、パネルゲッタ処理室１０９、封着室１１０の間のゲートバルブ１１６、１１７は省略することも可能である。
上記のように隣接した処理室間にゲートバルブがなく、しかも各処理工程におけるパネル部材の温度が異なる場合は、該処理工程間には、例えばアルミニウム、クロム、ステンレスなどの反射性金属によって形成した熱遮蔽部材（板形状、フィルム形状など）が配置されていることが好ましい。この熱遮蔽部材は、図１（ｂ）に図示するパネル部材の温度プロファイルの温度が相違する処理室間、例えば、ベーク処理室１０６とパネルゲッタ処理室１０９との間の何処かに配置するのが好ましい。また、該熱遮蔽部材は各処理室間毎に配置してもよい。上記熱遮蔽部材は、上に載置したＦＰ１０２とＲＰ１０１とが各処理室間を移動する際には、障害を与えないように設置される。
また、本実施形態では、前室１０５に搬入する前のＲＰ１０１に、予め、真空構造をシールする外枠１０３及び耐大気圧構造を形成するスペーサ１０４を固定設置してあるがこれに限るものではない。例えば、外枠１０３にスペーサ１０４を事前に固定し（例えば外枠１０３内を横切る板状スペーサ１０４として、その両端を外枠１０３に固定。）、これを単独の構成部材としてＲＰ１０１やＦＰ１０２とは別に本装置内に投入し、各処理工程を行い、最終的に封着処理工程でパネルの構成部材として、所望の位置に配置固定することも、また、外枠１０３をＦＰ１０２側に予め固定設置しておくものであっても良い。
尚、ＲＰ１０１側あるいはＦＰ１０２側に外枠１０３を予め固定設置しておく場合には、その固定を後述する封着材１４３よりもより高い融点をもつ封着材を用いて行うことが好ましい。例えば、後述する封着材１４３がインジウムなどの低融点金属又はその合金であれば、フリットガラスを用いて外枠１０３をＲＰ１０１あるいはＦＰ１０２に予め固定しておくことが好ましい。
図１（ａ）において１４３は前述の如く封着材であり、ＲＰ１０１に配置された外枠１０３のＦＰ１０２側端部に事前に設けることができるが、封着材１４３の配置はこれに限るものではなく、外枠１０３が接触固定されるＦＰ１０２上の部分に配置しておいても良い。さらには、外枠１０３を単独の構成部材として独立して、本装置内に投入する場合は、外枠１０３のＲＰ１０１側端部及びＦＰ１０２側端部に封着材１４３を設けても良い。また、封着材１４３は、外枠１０３が接触固定されるＲＰ１０１およびＦＰ１０２上の部分に配置されても良い。上記封着材１４３を設ける部分は、外枠１０３の端部と、この外枠１０３の端部が接触固定されるＲＰ１０１およびＦＰ１０２上の部分の少なくともいずれか一方に設けてあれば良い。
ここで、本実施形態において用いられる封着材１４３は、１００℃程度の比較的低温にて溶融、封着が可能な、ガリウム−インジウム系合金、あるいは、ガリウム−錫系合金、アルミニウム−ガリウム系合金などの封着材である。これらの封着材は、上記２元素の混合比率を変えることにより、その融点を調整することが可能である。
上記のように構成された装置において、パネルを真空排気して封着する工程を以下に示す。尚、以下の工程は１枚のパネルを封着する場合を示す場合であるが、連続して複数のパネルを連続的に処理して封着する場合は、各処理工程の処理時間が異なる場合があり、処理時間の長い工程については他の処理工程時間と調整するように、処理工程を複数の処理室に分割すること、あるいは同一の処理室に処理のための構成要素を、例えば、ホットプレート等を複数配置して、同時に処理を行うことよって可能となる。
まず、外枠１０３およびスペーサ１０４が事前に固定され、封着材１４３も事前に配置されたＲＰ１０１と、ＦＰ１０２を前室１０５に搬入する。ここで、外枠１０３およびスペーサ１０４はＲＰ１０１にフリットガラスを用いて固定されており、封着材１４３としてはＧａ−Ｉｎ合金が用いられる。搬入に際しては搬送用の治具に上記のＲＰ１０１とＦＰ１０２とを配置し、構造上、両者の基板に間隔が形成されるようにしてある。尚、搬入、搬送は治具を用いることに限るものではなく、ＲＰ１０１、ＦＰ１０２の基板をそのまま、装置本体側の支持搬送ユニットで搬送することも可能である。
搬入が終了したら、搬入口であるゲートバルブ１１２を遮蔽し、この前室１０５の内部を真空排気する。この間、ベーク処理室１０６以降の処理室は各々の真空度と温度プロファイルに設定されている。以降、ＲＰ１０１、ＦＰ１０２の基板の搬送に際して、対応する処理室間のゲートバルブ１１３〜１１９を順次、開放、遮断する。
上記前室１０５が１０-5Ｐａ台の圧力状態に達したとき、ゲートバルブ１１３を開放し、ＲＰ１０１とＦＰ１０２とを前室１０５から搬出してベーク処理室１０６に移動し、この移動終了後にゲートバルブ１１３を遮断する。
大気に曝されることなくベーク処理室１０６に移動されてきたＲＰ１０１とＦＰ１０２は、このベーク処理室１０６内で、ホットプレート１２１、１２２による加熱処理（ベーク処理）が施される。このベーク処理によって、ＲＰ１０１とＦＰ１０２に含有、吸着されている水素、酸素、水などの不純物をガス排出させることができる。このベーク処理は、ベーク処理室１０６の温度制御手段であるホットプレート１２１、１２２によりパネル部材の温度を３００℃〜４００℃、好ましくは３５０℃〜３８０℃に設定して行われ、本実施形態においてはパネル部材が３８０℃となるよう上記ホットプレート１２１、１２２の温度が設定される。また、このときのベーク処理室内の圧力は約１０-4Ｐａである。
ベーク処理を終了したＲＰ１０１とＦＰ１０２とをＥＢ照射処理室１０７に移動させ、ＲＰ１０１をホットプレート１２３に固定し、昇降機１３９によってＥＢ照射処理室１０７の上部へ移動させる。この間、一時的にＲＰ１０１とＦＰ１０２は加熱源であるベーク処理室１０６のホットプレート１２１、１２２から離れることになるが、急激な温度低下を発生しないようにしてＥＢ照射処理室１０７のホットプレート１２３、１２４に固定し、加熱することで、穏やかに降温を行う。この降温状態の基板温度域において、電子銃１２５からＥＢ１２６を任意の領域へ放出してＥＢ照射処理を行う。このＥＢ照射処理は、ＥＢ照射処理室１０７に配置された温度制御手段であるホットプレート１２３、１２４によりパネル部材の温度を、前の処理室であるベーク処理処理室１０６におけるパネル部材の設定温度以下、好ましくは、さらに以降の各処理室におけるパネル部材の設定温度以上の温度範囲に設定して行われる。また、この時のＥＢ照射処理室内の圧力は約１０-4Ｐａから１０-5Ｐａになる。ここで、ＥＢ照射処理室１０７のようなパネル部材の表面浄化処理室内は１０-4Ｐａ以下、より好ましくは、１０-5Ｐａ以下の真空状態となるように設定されていることが好ましい。
ＥＢ照射処理はＲＰ１０１、ＦＰ１０２への照射による吸着不純物のガス脱離による基板クリーニング等の効果がある。また、上述の通り、この際、ベーク処理工程での余熱を利用することができるので上記クリーニング効果は一層向上する。また、ＥＢ照射はＲＰ１０１、ＦＰ１０２の両方、または、いずれか一方のみの処理でも良い。
また、ＥＢ照射はＲＰ１０１、ＦＰ１０２に限らず、ＥＢ照射工程チャンバー内の任意の領域に照射しても良い。ＥＢ照射処理は、基板クリーニング以外に、チャンバー空間にＥＢ照射することにより、ベーキング、ＥＢ照射基板クリーニングによって脱離したガスをＥＢ照射によりイオン化し、後工程のゲッタフラッシュ処理工程で、よりゲッタへの吸着を促進することができる効果もある。
また、以上述べたＥＢ照射処理室１０７、あるいは、このＥＢ照射処理室１０７と後述する予備ゲッタ処理室１０８（チャンバーゲッタ処理室）とは、ベーク処理を終了したＲＰ１０１及びＦＰ１０２の降温を行う、冷却処理室としての機能をも果たすものであるが、ベーク処理室１０６とＥＢ照射処理室１０７との間に別個、冷却処理室を設けることも好ましい形態の一つである。
このような冷却処理室においては、ベーク処理時のパネル部材温度からの急激な温度低下を発生しないように、ＲＰ１０１及びＦＰ１０２のパネル部材はそれぞれホットプレートに固定され、穏やかに降温を行う。この時のパネル部材の温度域は、以降の処理室におけるパネル部材の設定温度以上であって、且つ、前の処理室であるベーク処理室におけるパネル部材の設定温度よりも低い温度の範囲で設定される。また、この時の冷却処理室内の圧力は１０-4Ｐａ以下、より好ましくは、１０-5Ｐａ以下となるように設定される。
ＥＢ照射処理が終了した後、昇降機１３９を降下させ、ホットプレート１２３からＲＰ１０１を取り外し、ＦＰ１０２と共に、チャンバーゲッタ処理室１０８へ移動する。このとき、ＲＰ１０１とＦＰ１０２は、チャンバーゲッタ処理室１０８に大気に曝すことなく移動される。チャンバーゲッタ処理室１０８内の真空状態は１０-5Ｐａ以下となるように設定されている。このチャンバーゲッタ処理室では、チャンバーゲッタフラッシュ装置１２９内に内蔵させていた蒸発型ゲッタ材（例えば、バリウムなどのゲッタ材）を抵抗加熱などの方法で加熱蒸発させてチャンバーゲッタフラッシュ１３０を生じさせ、パネル部材以外のチャンバー内に配置されたチャンバーゲッタ板１３１の表面にバリウム膜などからなるゲッタ膜（図示せず）を被着せしめる。この際のパネルゲッタの膜厚は、一般的に５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍ、より好ましくは、２０ｎｍ〜２００ｎｍである。このチャンバーゲッタ処理工程により、チャンバーゲッタ板１３１に被着したゲッタ膜がチャンバー内のガスを吸着排気して、チャンバーゲッタ処理室内の圧力は１０-6Ｐａ台に到達する。このチャンバーゲッタ処理室１０８のＲＰ１０１、ＦＰ１０２の温度調節手段であるホットプレート１２７、１２８は、これらのパネル部材の温度を、ベーク処理室１０６におけるパネル部材の設定温度よりも低く、前の処理室であるＥＢ照射処理室１０７におけるパネル部材の設定温度以下であって、且つ、以降の各処理室におけるパネル部材の設定温度以上の温度範囲に設定されて行われ、本実施形態においては、パネル部材の温度が１００℃となるようにホットプレート１２７、１２８の温度が設定されて当該処理が行われる。なお、チャンバーゲッタフラッシュ１３０によって、ゲッタ材が蒸発するため、一時的にチャンバー内の真空度は低下するが、真空排気により、高真空へと移行する。尚、以上述べたチャンバーゲッタ処理は、本実施の形態のようにチャンバーゲッタ処理室を独立して設けて行うに限らず、チャンバーゲッタ処理室を特に設けずに、以降述べるパネルゲッタ処理室内で行われるものであっても良い。
次に、ＲＰ１０１とＦＰ１０２とをパネルゲッタ処理室１０９に移動させ、ＲＰ１０１をホットプレート１３２に固定し、昇降機１４１によってパネルゲッタ処理室１０９の上部へ移動させる。パネルゲッタ処理室は事前に１０-6Ｐａ台に真空排気されている。この真空度に到達するためには、一般的な真空排気ポンプの他に、上記、蒸発型ゲッタ材のフラッシュによる排気、非蒸発ゲッタ材の加熱活性化による排気などによる補助排気手段を用いることもできる。上記１０-6Ｐａ台に真空排気方法は、以下に述べる封着処理室１１０、冷却処理室１１１にも用いることができる。
パネルゲッタ処理室１０９ではパネルゲッタフラッシュ装置１３４内に内蔵させている蒸発型ゲッタ材（例えば、バリウムなどのゲッタ材）を抵抗加熱などの方法で加熱蒸発させてパネルゲッタフラッシュ１３５を生じさせ、ＦＰの表面にバリウム膜などからなるゲッタ膜（図示せず）を被着せしめる。この際のパネルゲッタの膜厚は、一般的に５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍ、より好ましくは、２０ｎｍ〜２００ｎｍである。ここで、ゲッタ膜が被着されるパネル部材の温度が、ベーク時におけるパネル部材の温度よりも低い温度とされることは、パネル部材に被着されるゲッタ膜の熱による劣化を大幅に低減することができる。よって、パネルゲッタ処理室にはＲＰ１０１、ＦＰ１０２の温度制御手段であるホットプレート１３２、１３３が配置されており、このホットプレート１３２、１３３によりパネル部材の温度を、ベーク処理室におけるパネル部材の設定温度よりも低く、前の処理室であるチャンバーゲッタ処理室１０８におけるパネル部材の設定温度以下であって、且つ、以降の各処理室におけるパネル部材の設定温度以上の温度範囲に設定して、かかるパネルゲッタ処理がなされる。本実施形態においては、パネル部材の温度が１００℃となるようにホットプレート１３２、１３３の温度が設定されて当該処理が行われる。また、成膜された蒸発型ゲッタは、当該処理工程のチャンバーが１０-6Ｐａの高真空であるためにガス吸着による劣化は小さく、十分にゲッタ真空排気能力を維持したまま、次の封着処理工程へ移される。
図１（ａ）ではＦＰ１０２上にゲッタ膜を被着、形成したが、形成する部材はこれに限るものではなく、ＲＰ１０１等に形成することも可能である。ただし、ゲッタ材は一般に導電性であるため、封着されたパネルの画像表示駆動時に大きなリーク電流の発生や、駆動電圧の耐圧が維持できないなどの問題が発生する場合がある。例えば、図１（ａ）のＲＰ１０１にパネルゲッタフラッシュを行うと、外枠１０３、スペーサ１０４にも導電性のゲッタ膜が成膜されるために、駆動時の電気的な問題が発生する場合がある。この様な場合には、ゲッタ膜を被着成膜してはならない部分をメタル薄板の成膜マスクで覆い、ゲッタ膜が被着形成されないようにしながらＲＰ１０１の必要な部分にのみゲッタ膜を成膜させることができる。なお、パネルゲッタフラッシュによって、ゲッタ材が蒸発するため、一時的にチャンバー内の真空度は低下するが、真空排気により、高真空へと移行する。
パネルゲッタ処理工程が終了した後、昇降機１４１を降下させた後、ホットプレート１３２からＲＰ１０１を取り外し、ＦＰ１０２と共に、封着処理室１１０へ移動する。
ＲＰ１０１、ＦＰ１０２を事前に１０-6Ｐａ台まで真空排気した封着処理室１１０へ移動させ、ＲＰ１０１、ＦＰ１０２を各々ホットプレート１３６、１３７に固定する。この時、ＲＰ１０１に配置固定された枠１０３上の封着材１４３とスペーサ１０４はＦＰ１０２と接触せず、わずかに間隔を有して固定される。またこの固定時にＲＰ１０１とＦＰ１０２のパネル封着時の相対位置が決定される。相対位置の決定は突き当てピンによる端面基準で行うことができるがこれに限るものではない。
この後、昇降機１４２を下降させて、ＲＰ１０１に配置固定された外枠１０３をＦＰ１０２に接触、押圧させながら、図１（ｂ）の温度プロファイルに示すように、封着処理室１１０におけるパネル部材の温度を、前の処理室であるパネルゲッタ処理室１０９におけるパネル部材の設定温度よりも上げることなく、ＲＰ、ＦＰ両基板を加熱して、封着材１４３が軟化、または溶解状態でピーク温度で１０分間保持し、その後、基板温度を降温させて、封着材料が接着固定される。これにより外枠１０３に形成された封着材１４３により外枠１０３とＦＰ１０２が接着された後、封着材１４３が硬化して固定される。このとき封着処理室内の圧力は１０-6Ｐａ台を維持しており、本工程で封着されたパネル内も１０-6Ｐａ台の真空度となる。ここで、本実施形態においては、上記封着処理時のパネル部材の温度が１００℃となるようホットプレート１３２及び１３３の温度を設定した。
本実施形態のように、１００℃程度の比較的低温にてパネル部材の封着を可能ならしめるためには、封着材１４３として、例えば、ガリウム−インジウム系合金、ガリウム−錫系合金、アルミニウム−ガリウム系合金などの比較的低温にて溶融可能な封着材を用いれば良い。
本実施形態においては、Ｇａ−Ｉｎ合金（Ｇａ：Ｉｎ＝２６：７４（重量比））を封着材１４３として用いた。Ｇａ−Ｉｎ合金は融点が８０℃であり、接着固定温度は、加熱ピーク温度を１００℃、硬化固定温度を８０〜７０℃に設定とした。
封着材の硬化固定温度以下に温度が下がった時点で、封着処理が終了し、この後、ホットプレート１３６からＲＰ１０１部を取り外し、昇降機１４２を上昇さる。ホットプレート１３７からＦＰ１０２部を取り外しＲＰ１０１、ＦＰ１０２外枠１０３、スペーサ１０４で構成された封着パネル１４４を、冷却処理室１１１へ移動する。この時、冷却処理室１１１は封着処理室の真空度を維持するために、１０-6Ｐａ台に真空排気されている。封着パネル１４４は封着材の硬化固定温度でホットプレートから取りはずされ、冷却処理室１１１で冷却される。冷却手段（温度制御手段）としては、水冷による温度制御機能を有する冷却プレートなどが用いられるがこれに限るものではなく、封着パネル１４４の急激な温度降下による基板損傷などが発生しなければ、冷却処理室１１１内で自然冷却を行っても良い。
封着パネル１４４の温度が室温、あるいは室温に近い温度まで降下した段階で、冷却処理室１１１の真空リークを行い処理室を大気圧にする。その後、装置外大気側のゲートバルブ１１９を開放し、封着パネル１４４を装置外へ搬出する。
本実施形態の製造装置は、上記封着処理室１１０と冷却室１１１との間に、ゲートバルブ１１８とを設け、該ゲートバルブの開放時に封着処理室１１０から表示パネルを搬出させ、冷却室１１１に搬入後、該ゲートバルブを遮蔽し、ここで冷却後、搬出口１１９を開放し、表示パネルを冷却室１１１から搬出させ、最後に該搬出口１１９を遮蔽して、全工程を終了する。また、次の工程の開始前に、冷却室１１１の内部を独立配置した真空排気系（図示せず）によって、真空状態に設定しておくのがよい。
本実施形態では、上述した、蒸発型ゲッタ材のほかに、ＲＰ１０１又はＦＰ１０２上に、予め、チタン材などからなる非蒸発型ゲッタ膜又は非蒸発型ゲッタ部材を設けておいてもよい。
また、上述のホットプレート１２１、１２３、１２７、１３２、１３６は、ＲＰ１０１が脱落することなく十分な力で固定することができる機材、例えば、機械的に基板周辺をつかむツメによるチャック方式、静電チャック方式や真空着チャック方式を利用した機材を用いることができる。
上記の例は各処理工程の組み合わせの一例であるが、各処理工程の組み合わせによって、幾つかの処理室の変形例を挙げることができる。
すなわち、とりわけ、ベーク処理から封着処理までの過程においては、
第１の変形例として、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。
第１の変形例として、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。
第２の変形例としては、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。
第３の変形例としては、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、ＥＢ照射処理室１０７におけるＥＢ照射処理などの表面浄化処理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。
第４の変形例としては、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、ＥＢ照射処理室１０７におけるＥＢ照射処理、チャンバーゲッタ処理室１０８におけるチャンバーゲッタ処理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各部屋を直列させる例が挙げられる。
第５の変形例としては、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、チャンバーゲッタ処理室１０８におけるチャンバーゲッタ処理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各部屋を直列させる例が挙げられる。
第６の変形例としては、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、冷却処理室におけるパネル部材の冷却処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。
第７の変形例としては、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、冷却処理室におけるパネル部材の冷却処理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。
第８の変形例としては、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、冷却処理室におけるパネル部材の冷却処理、ＥＢ照射処理室１０７におけるＥＢ照射処理などの表面浄化処理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。
第９の変形例としては、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、冷却処理室におけるパネル部材の冷却処理、チャンバーゲッタ処理室１０８におけるチャンバーゲッタ処理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。
第１０の変形例としては、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、冷却処理室におけるパネル部材の冷却処理、ＥＢ照射処理室１０７におけるＥＢ照射処理などの表面浄化処理、チャンバーゲッタ処理室１０８におけるチャンバーゲッタ処理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。
次に構成部材であるＲＰ１０１、ＦＰ１０２、外枠１０３、スペーサ１０４の搬送と装置導入の変形例として、
第１の変形例としては、ＲＰ１０１と、ＦＰ１０２と、外枠１０３へ固定配置したスペーサ１０４との３個の構成部材として本装置内に投入することもできる。この場合、外枠１０３の本装置内での封着処理による封着面はＲＰ１０１、ＦＰ１０２側両面となるために、それぞれの封着面に対して封着材を事前に形成しておくことが必要である。
第１の変形例としては、ＲＰ１０１と、ＦＰ１０２と、外枠１０３へ固定配置したスペーサ１０４との３個の構成部材として本装置内に投入することもできる。この場合、外枠１０３の本装置内での封着処理による封着面はＲＰ１０１、ＦＰ１０２側両面となるために、それぞれの封着面に対して封着材を事前に形成しておくことが必要である。
第２の変形例としては、ＲＰ１０１と、ＦＰ１０２へ外枠１０３を、あるいは外枠１０３とスペーサ１０４とを接着固定配置した２個の構成部材として本装置に投入することもできる。この場合、外枠１０３の本装置内での封着処理による封着面はＲＰ１０１側面となるために、封着面に対して封着材を事前に形成しておくことが必要である。
次に上記構成部材の変形例に対して、個々の構成部材ごとに装置の処理室を個別に一列のライン状に並べて、封着処理工程ですべての構成部材がひとつの処理室に合流して封着処理が行われる装置構成の変形例として、
第１の変形例としては、ＲＰ１０１と、ＦＰ１０２と、外枠１０３へ固定配置したスペーサ１０４との３個の構成部材として、前室１０５以降、パネルゲッタラッシュ処理室１０９までの各処理室を３ライン並べ、上記３個の構成部材を別々に各々の装置へ投入し、３つのパネルゲッタ処理室がひとつの封着処理室に合流するように接続され、該封着処理室で３個の構成部材を封着処理を行い、冷却処理を行う装置構成が挙げられる。
第１の変形例としては、ＲＰ１０１と、ＦＰ１０２と、外枠１０３へ固定配置したスペーサ１０４との３個の構成部材として、前室１０５以降、パネルゲッタラッシュ処理室１０９までの各処理室を３ライン並べ、上記３個の構成部材を別々に各々の装置へ投入し、３つのパネルゲッタ処理室がひとつの封着処理室に合流するように接続され、該封着処理室で３個の構成部材を封着処理を行い、冷却処理を行う装置構成が挙げられる。
第２の変形例としては、ＦＰ１０２とＲＰ１０１へ接着固定した外枠１０３、あるいは、ＦＰ１０２とＲＰ１０１に接着固定したスペーサ１０４及び外枠１０３の２個の構成部材、あるいは、ＲＰ１０１とＦＰ１０２へ接着固定した外枠１０３、あるいは、ＲＰ１０１とＦＰ１０２へ接着固定した外枠１０３及びスペーサ１０４の２個の構成部材として、前室１０５以降、パネルゲッタラッシュ処理室１０９までの各処理室を２ライン並べ、上記２個の構成部材を別々に装置へ投入し、２つのパネルゲッタ処理室がひとつの封着処理室に合流するように接続され、該封着処理室で２個の構成部材の封着処理を行い、冷却処理を行う装置構成が挙げられる。尚以上の第１及び第２の変形例においては、ゲッタ処理は３個あるいは２個の構成部材のうちのいずれか一つになされれば良い場合をも含んでいる。
更に上述の実施態様の説明ではパネルの封着時の真空度を１０-6Ｐａ台に設定していたが、本発明はこの数値に限るものではない。すなわち、パネル封着時の真空度を一般の真空排気ポンプで到達可能な１０-5Ｐａ台に設定することもできる。この場合、処理室内の到達真空度を上げるために行われるチャンバーゲッタ処理室１４０と当該ゲッタ処理工程の省略が可能である。また１０-6Ｐａ台に到達するための補助的なゲッタポンプによる真空排気も省略することができる。
以上の処理工程を行った封着パネル１４４は、Ｂａなどの蒸発型ゲッタ材が、例えばＦＰ上に成膜形成されているにも関わらず、従来の封着パネルで存在していた蒸発型ゲッタ材の蒸発源である主に高周波加熱によってゲッタフラッシュを行うゲッタリングや主に抵抗加熱でゲッタフラッシュするゲッタラインが封着パネル内に残留しないという構成上の特徴を有している。
また、以上の処理工程と装置は、パネルゲッタフラッシュ処理工程と連続した封着工程が異なった処理室で構成されているという特徴を有している。
図２は、本実施形態の製造装置及び製造方法を用いて作成した画像表示装置の一部を示す断面図である。
図中、図１と同一符号は、同一部材である。上記装置及び方法によって作成した画像表示装置は、ＲＰ１０１とＦＰ１０２と外枠１０３とによって真空容器又は減圧容器が形成されている。上記減圧容器内には、アルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有することができる。
また、真空容器の場合には、１０-5Ｐａ以上、好ましくは、１０-6Ｐａ以上の高真空に設定することができる。
上記真空容器又は減圧容器内には、スペーサ１０４が配置されて耐大気圧構造を形成している。本発明で用いたスペーサ１０４は、無アルカリガラスなどの無アルカリ絶縁物質からなる本体３１１と、該本体３１１の表面を覆って配置した高抵抗物質で成膜された高抵抗膜３０９と両端に設けた金属（タングステン、銅、銀、金、モリブデンやこれらの合金など）膜３１０とを有し、配線３０６上に導電性接着剤３０８を介して電気的に接続接着されている。スペーサ１０４は、上記前室１０５に搬入する際には、前もってＲＰ１０１に接着剤３０８によって接着固定され、封着処理室１１０において処理が終了した時点で、上記スペーサ１０４のもう一方の端部とＦＰ１０２とは電気的に接続されて接して配置される。
ＲＰ１０１は、ガラスなどの透明基板３０４と、ナトリウムなどのアルカリの侵入を防止するための下地膜（ＳｉＯ2、ＳｎＯ2など）３０５と、ＸＹマトリクス配列した複数の電子線放出素子３１２とが配置されている。配線３０６は、電子線放出素子と接続したカソード側ＸＹマトリクス配線の一方のカソード側配線を構成する。
本発明は、蛍光体励起手段又は画像表示素子部材として用いた電子線放出素子３１２に変えて、プラズマ発生素子を用いることができる。この際、容器内には、アルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有させる。
ＦＰ１０２は、ガラスなどの透明基板３０１と蛍光体層３０２とアノード源（図示せず）に接続したアノード金属（アルミニウム、銀、銅など）膜３０３とが配置されている。
また、本発明は、上記プラズマ発生素子を用いた際には、画像表示用部材として用いた蛍光体に変えて、カラーフィルターを用いることができる。
外枠１０３は、上記前室１０５に搬入する際には、前もってＲＰ１０１にフリットガラスなどの低融点接着剤３０７によって接着固定しておき、上記封着処理室１１０における処理工程で、より低融点の封着材１４３によって固定接着されている。
１０１ リアプレート（ＲＰ）
１０２ フェィスプレート（ＦＰ）
１０３ 外枠
１０４ スペーサ
１０５ 前室
１０６ ベーク処理室
１０７ 表面浄化処理室（ＥＢ照射処理室）
１０８ 予備ゲッタ処理室（チャンバーゲッタ処理室）
１０９ ゲッタ処理室（パネルゲッタ処理室）
１１０ 封着処理室
１１１ 冷却室
１１２〜１１９ ゲートバルブ
１２０ 搬送ローラー
１２１，１２３，１２７，１３２，１３６ ホットプレート（ＲＰ用）
１２２，１２４，１２８，１３３，１３７ ホットプレート（ＦＰ用）
１２５ 電子銃
１２６ エレクトロン・ビーム（ＥＢ）
１２９ チャンバーゲッタフラッシュ装置
１３０ チャンバーゲッタフラッシュ
１３１ チャンバーゲッタ板
１３４ パネルゲッタフラッシュ装置
１３５ パネルゲッタフラッシュ
１３８〜１４２ 昇降機
１４３ 封着材
１４４ 封着パネル
１４５ 搬送方向を示す矢印
３０１ 透明基板
３０２ 蛍光体層
３０３ アノード金属膜
３０４ 透明基板
３０５ 下地膜
３０６ 配線
３０７ 低融点接着剤
３０８ 金属膜
３０９ 高抵抗膜
３１０ 金属膜
３１１ 本体
３１２ 電子線放出素子
１０２ フェィスプレート（ＦＰ）
１０３ 外枠
１０４ スペーサ
１０５ 前室
１０６ ベーク処理室
１０７ 表面浄化処理室（ＥＢ照射処理室）
１０８ 予備ゲッタ処理室（チャンバーゲッタ処理室）
１０９ ゲッタ処理室（パネルゲッタ処理室）
１１０ 封着処理室
１１１ 冷却室
１１２〜１１９ ゲートバルブ
１２０ 搬送ローラー
１２１，１２３，１２７，１３２，１３６ ホットプレート（ＲＰ用）
１２２，１２４，１２８，１３３，１３７ ホットプレート（ＦＰ用）
１２５ 電子銃
１２６ エレクトロン・ビーム（ＥＢ）
１２９ チャンバーゲッタフラッシュ装置
１３０ チャンバーゲッタフラッシュ
１３１ チャンバーゲッタ板
１３４ パネルゲッタフラッシュ装置
１３５ パネルゲッタフラッシュ
１３８〜１４２ 昇降機
１４３ 封着材
１４４ 封着パネル
１４５ 搬送方向を示す矢印
３０１ 透明基板
３０２ 蛍光体層
３０３ アノード金属膜
３０４ 透明基板
３０５ 下地膜
３０６ 配線
３０７ 低融点接着剤
３０８ 金属膜
３０９ 高抵抗膜
３１０ 金属膜
３１１ 本体
３１２ 電子線放出素子
Claims (2)
- 画像表示装置のパネルを形成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施して画像表示装置を製造する画像表示装置の製造装置であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、
前記べーク処理室から前記封着処理室までの搬送過程における、前記べーク処理室と封着処理室とを含む各処理室の温度制御手段は、当該各処理室における前記パネル部材の温度を、直前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定する手段であることを特徴とする画像表示装置の製造装置。 - 画像表示装置のパネルを形成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施して画像表示装置を製造する画像表示装置の製造装置であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベークするベーク処理室と、前記ベーク処理の後、前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理の後、前記パネル部材が搬送され、封着される封着処理室とを含み、
前記各処理室の温度制御手段は、当該処理室における前記パネル部材の温度を、前記搬送過程における前の処理室での当該パネル部材の温度以下に設定する手段であることを特徴とする画像表示装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005315795A JP4280743B2 (ja) | 2005-10-31 | 2005-10-31 | 画像表示装置の製造装置 |
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| JP2005315795A JP4280743B2 (ja) | 2005-10-31 | 2005-10-31 | 画像表示装置の製造装置 |
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| JP2006054202A JP2006054202A (ja) | 2006-02-23 |
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| JP4574081B2 (ja) * | 2001-08-09 | 2010-11-04 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置の製造方法 |
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- 2005-10-31 JP JP2005315795A patent/JP4280743B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2006054202A (ja) | 2006-02-23 |
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