JP4235640B2

JP4235640B2 - 画像表示装置の製造装置

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Publication number: JP4235640B2
Application number: JP2005315794A
Authority: JP
Inventors: 俊彦宮崎; 耕平中田; 哲也金子
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2005-10-31
Filing date: 2005-10-31
Publication date: 2009-03-11
Anticipated expiration: 2020-02-16
Also published as: JP2006054201A

Description

本発明は、電子放出素子をマトリクス配置した画像表示装置、特に第１の画像形成部材としてマトリクス配置した電子放出素子を設けたリヤープレート（ＲＰ）と第２の画像形成部材として蛍光体を設けたフェースプレート（ＦＰ）とを対向配置した表示パネルを有する画像表示装置の製造方法及びその製造装置に関する。

従来より、電子放出素子としては、大別して熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子の２種類のものが知られている。冷陰極電子放出素子には、電界放出型（以下、ＦＥ型という）、金属／絶縁層／金属型（以下、ＭＩＭ型という）、表面伝導型電子放出素子などがある。

ＦＥ型の例としては、Ｗ．Ｐ．Ｄｙｋｅ＆Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，”ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎ”，ＡｄｖａｎｃｅｉｎＥｌｅｃｔｒｏｎＰｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）、あるいはＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，”ＰＨＹＳＩＣＡＬＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｔｈｉｎ−ｆｉｌｍｆｉｅｌｄｅｍｉｓｓｉｏｎｃａｔｈｏｄｅｓｗｉｔｈｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４７，５２４８（１９７６）などに開示されたものが知られている。

ＭＩＭ型の例としては、Ｃ．Ａ．Ｍｅａｄ，”ＯｐｅｒａｔｉｏｎｏｆＴｕｎｎｅｌ−ＥｍｉｓｓｉｏｎＤｅｖｉｃｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２，６４６（１９６１）などに開示されたものが知られている。

表面伝導型電子放出素子型の例としては、Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，ＲａｄｉｏＥｎｇ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＰｈｙｓ．，１０，１２９０（１９６５）などに開示されたものがある。

表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等によるＳｎＯ₂薄膜を用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：”ＴｈｉｎＳｏｌｉｓＦｉｌｍｓ，”９，３１７（１９７２）］、Ｉｎ₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂薄膜によるもの［Ｍ．ＨａｒｔｗｅｌｌａｎｄＣ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：”ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥＤＣｏｎｆ．”，５１９（１９７５）］、カーボン薄膜によるもの［荒木久他：真空、第２６巻、第１号、２２頁（１９８３）］などが報告されている。

上記のような電子放出素子を用いた画像表示装置の製造には、これら電子放出素子をマトリクス配置した電子源基板をＲＰとして用意すると共に、電子線の励起を受けて発光する蛍光体を設けたＦＰとなる蛍光体基板を用意し、電子放出素子と蛍光体とが内側となるようにして、且つ、間に真空シール構造を提供する外囲器及び耐大気圧構造を提供するスペーサを配置して、これらＦＰとＲＰとを対向配置してから、フリットガラスやインジウムなどの低融点物質を封着材として用いて内部をシールし、予め設けておいた真空排気管から内部を真空排気した後、真空排気管を封止して表示パネルとする製造工程が用いられている。

上記した従来技術による製造法は、１枚の表示パネルを製造するのに、非常に長時間を必要とし、また、例えば、内部を真空度１０^-6Ｐａ以上とするような表示パネルの製造には適していないものであった。

この従来技術の問題点は、例えば、特開平１１−１３５０１８号公報に記載された方法によって解消された。

上記特開平１１−１３５０１８号公報に記載された方法は、単一の真空室内で、ＦＰとＲＰとを位置合わせした後、この２枚の基板を封着する工程のみが用いられているので、上記した表示パネルを作成する上で必要な他の工程であるベーク処理、ゲッタ処理や電子線クリーニング処理などの工程は、やはり各々単一の真空室での処理を施すことが必要となり、ＦＰ及びＲＰの各真空室間の移動は、大気を破って行われるため、ＦＰ及びＲＰの搬入毎に各真空室を真空排気することから、製造工程時間が長くなっていたため、製造工程時間の大幅な短縮が求められていたのと同時に、短時間で、最終製造工程での表示パネル内を真空度１０^-6Ｐａ以上のような高真空を達成することも求められていた。

本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、画像表示装置の製造における真空排気時間の短縮及び高真空度化を容易に行えるようにし、もって製造効率を向上させることを目的とする。

本発明は、第１に、
画像表示装置の製造装置において、
ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、
ｃ：上記第１の真空室内に配置した、搬入された第１基板及び第２基板を加熱し、該第１基板と第２基板の両方をベーク処理するベーク手段、
ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第２の真空室、
ｅ：上記第２の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有するゲッタ付与手段、
ｆ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第３の真空室、
ｇ：上記第３の真空室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｈ：上記第３の真空室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。

本発明は、第２に、
画像表示装置の製造装置において、
ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、
ｃ：上記第１の真空室内に配置した、搬入された第１基板及び第２基板を加熱し、該第１基板と第２基板の両方をベーク処理するベーク手段、
ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第２の真空室、
ｅ：上記第２の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第１のゲッタ付与手段、
ｆ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第３の真空室、
ｇ：上記第３の真空室に配置した、電子線を照射することによって電子線クリーニング処理を施す電子線クリーニング手段、
ｈ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第４の真空室、
ｉ：上記第４の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第２のゲッタ付与手段、
ｊ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第５の真空室、
ｋ：上記第５の真空室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｌ：上記第５真空室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置に特徴がある。

また、本発明は、
上記第１の特徴において、第１の真空室、第２の真空室と第３の真空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、反射性金属などによって形成されている熱遮蔽部材で仕切られていること、
上記第１の特徴において、第１の真空室、第２の真空室と第３の真空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、ロードロックで仕切られていること、
上記第１の特徴において、第１の真空室、第２の真空室と第３の真空室とは、スター配置上に設けられてなり、各部屋は、独立した部屋で仕切られていること、
上記第２の特徴において、第１の真空室と、第２の真空室と、第３の真空室と、第４の真空室と、第５の真空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、反射性金属などによって形成されている熱遮蔽部材で仕切られていること、
上記第２の特徴において、第１の真空室と、第２の真空室と、第３の真空室と、第４の真空室と、第５の真空室とは、一ライン上に配置され、各部屋は、ロードロックで仕切られていること、
上記第２の特徴において、第１の真空室と、第２の真空室と、第３の真空室と、第４の真空室と、第５の真空室とは、スター配置上に設けられてなり、各部屋は、独立した部屋で仕切られていること、
をその好ましい態様として含むものである。

本発明によれば、上記電子放出素子やプラズマ発生素子をＸＹ方向に１００万画素以上のように大容量で設け、且つこの大容量画素を対角サイズ３０インチ以上の大画面に設けた画像表示装置を製造するに当たって、製造工程時間を大幅に短縮することができたのと同時に、画像表示装置を構成する真空容器を１０^-6Ｐａ以上のような高真空に達成させることができた。

図１（ａ）は本発明に係る製造装置を模式的に示した図、図１（ｂ）は横軸時間に対する縦軸をプロセス温度とした温度プロファイル、図１（ｃ）は横軸時間に対する縦軸を真空度とした真空度プロファイルである。以下、これらに基づいて本発明に係る製造方法と製造装置の一例を説明する。

図１（ａ）に図示した装置は、前室１０１、ベーク処理室１０２、第１段目ゲッタ処理室１０３、電子線クリーニング処理室１０４、第２段目ゲッタ処理室１０５、封着処理室１０６及び冷却室１０７が順次搬送方向（図中の矢印１２７）に従って配列され、ＲＰ１１０とＦＰ１１２は、搬送ローラ１０９及び搬送ベルト１０８の駆動によって、順次、矢印１２７方向に各部屋を通過し、この通過中に各種の処理が施される。つまり、前室１０１における真空雰囲気下での用意、ベーク処理室１０２におけるベーク処理、第１段目ゲッタ処理室における第１のゲッタ処理、電子線クリーニング処理室１０４における電子線照射によるクリーニング、第２段目ゲッタ処理室１０５における第２のゲッタ処理、封着処理室１０６における加熱封着及び冷却室１０７における冷却処理の各工程が直列された一ライン上で行われるものとなっている。

上記各部屋間には、例えばアルミニウム、クロム、ステンレスなどの反射性金属によって形成した熱遮蔽部材１２８（板形状、フィルム形状など）が配置されているのが好ましい。この熱遮蔽部材１２８は、図１（ｂ）に図示する温度プロファイルの温度が相違する部屋間、例えば、ベーク処理室１０２と第１段目ゲッタ処理室１０３との間と、第２段目ゲッタ処理室１０５と封着処理室１０６との間のいずれか一方、最適には両者に配置するのが好ましいが、各部屋間毎に配置してもよい。また、上記熱遮蔽部材１２８は、搬送ベルト１０８上に載置したＦＰ１１２と昇降器１１７に固定したＲＰ１１０とが各室間の移動する際に、障害を与えないように設置される。

図１（ａ）に図示した装置の前室１０１とベーク処理室１０２との間にはロードロック１２９が配置されている。ロードロック１２９は前室１０１とベーク処理室１０２間を開閉するものである。また、前室１０１には真空排気系１３０が接続されており、ベーク処理室１０２には真空排気系１３１が接続されている。

ＲＰ１１０とＦＰ１１２とを前室１０１に搬入した後、搬入口１１０を遮蔽し、同時にロードロック１２９を遮蔽し、この前室１０１の内部を真空排気系１３０によって真空排気する。この間、ベーク処理室１０２、第１段目ゲッタ処理室１０３、電子線クリーニング処理室１０４、第２段目ゲッタ処理室１０５、封着処理室１０６及び冷却室１０７の全内部を真空排気系１３１によって真空排気して真空排気状態とする。

上記前室１０１と、その後の各部屋が真空排気状態に達したとき、ロードロック１２９を開放し、ＲＰ１１０とＦＰ１１２とを前室１０１から搬出してベーク処理室１０２に搬入し、この搬入終了後にロードロック１２９を遮断してから搬入口１１０を開けて、再度別のＲＰ１１０とＦＰ１１２とを前室１０１に搬入し、前室１０１の内部を真空排気系１３０によって真空排気する工程を繰り返す。

本発明においては、上記したロードロック１２９と同じロードロック（図示せず）を各部屋間に配置しておくことが好ましい。このロードロックは、各部屋間毎であってもよいが、このロードロックを図１（ｃ）に図示する真空度プロファイルの真空度が相違する部屋間毎、例えば、ベーク処理室１０２と第１段目ゲッタ処理室１０３との間と、電子線クリーニング室１０４と第２段目ゲッタ処理室１０５との間のいずれか一方、最適には両者に配置するのが好ましい。

本発明では、前室１０１に搬入する前のＲＰ１１１に、予め、真空構造をシールする外囲器１１３及び耐大気圧構造を形成するスペーサ１１５を固定設置しておくことが好ましい。ＦＰ１１２の上記外囲器１１３に対応した位置には、フリットガラスなどの低融点物質やインジウムなどの低融点金属又はその合金を用いた封着材１１４を設けることができる。また、図示するとおり、上記封着材１１４を外囲器１１３に設けることも可能である。

大気に曝されることなくベーク処理室１０２に搬入されてきたＲＰ１１１とＦＰ１１２とには、このベーク処理室１０２内で、加熱プレート１１６の加熱処理（ベーク処理）が施される。このベーク処理によって、ＲＰ１１１とＦＰ１１２に含有されている水素ガス、水蒸気、酸素などの不純物ガスを排出させることができる。このときのベーク温度は、一般的に、３００℃〜４００℃、好ましくは３５０℃〜３８０℃である。このときの真空度は約１０^-4Ｐａである。

ベーク処理を終了したＲＰ１１１とＦＰ１１２とを第１段目ゲッタ処理室１０３に搬入させ、ＲＰ１１１をホルダー１１８に固定し、昇降器１１７によって部屋１０３の上部へ移動させ、ＦＰ１１２に対してゲッタフラッシュ装置１１９内に内蔵させていた蒸発可能ゲッタ材（例えば、バリウムなどのゲッタ材）のゲッタ材フラッシュ１２０を生じさせ、ＦＰ１１２表面にバリウム膜などからなるゲッタ膜（図示せず）を付着せしめる。この際の第１段目ゲッタの膜厚は、一般的に５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍ、より好ましくは、２０ｎｍ〜２００ｎｍである。また、本発明では、上記ゲッタ材のほかに、ＲＰ１１１又はＦＰ１１２上に、予め、チタン材やＮＥＧ材などからなるゲッタ膜又はゲッタ部材を設けておいてもよい。

上記ホルダー１１８は、ＲＰ１１１が脱落することなく十分な力で固定することができる機材、例えば、静電チャック方式や真空着チャック方式を利用した機材を用いることができる。

ホルダー１１８に固定されたＲＰ１１１は、昇降器１１７によって、搬送ベルト１０８上のＦＰ１１２から十分に離れた位置まで上昇させる。この際のＲＰ１１１とＦＰ１１２との間隔は、用いた真空室のサイズにもよるが、両基板間のコンダクタンスを十分小さくするに十分な間隔とするのがよい。この際の両基板間の間隔は、一般的には、５ｃｍ以上とすれば十分である。

また、上記工程において、バリウムゲッタを用いた場合では、第１段目ゲッタ処理室１０３のプロセス温度は、約１００℃に設定される。このときの真空度は、１０^-5Ｐａである。

図においてゲッタフラッシュ１２０を照射しているのはＦＰ１１２のみとなっているが、本発明では、ＲＰ１１１のみもしくはＲＰ１１１とＦＰ１１２の両者に対して上記同様のゲッタフラッシュ１２０を照射してゲッタを付与することも可能である。また、第１のゲッタフラッシュは、前記ベーク処理室１０２におけるベーク処理又は処理後の真空雰囲気の真空度を高めるために、前記ベーク処理室１０２内で行うこともできる。

続いて、ＲＰ１１１とＦＰ１１２とを、電子線クリーニング処理室１０４に大気に曝すことなく搬入し、この電子線クリーニング処理室１０４でＲＰ１１１及び／又はＦＰ１１２に対して電子線発振器１２１より電子線１２２を走査し、特にＦＰ１１２の蛍光体（図示せず）中の不純物ガスを放出させる上記搬入の際、昇降器１１７に保持したＲＰ１１１と搬送ベルト１０８に保持したＦＰ１１２との間隔は、前の第１段目ゲッタ処理工程での間隔をそのまま維持するのがよい。

図において電子線クリーニング処理を行っているのはＦＰ１１２のみとなっているが、本発明では、ＲＰ１１１のみもしくはＲＰ１１１とＦＰ１１２の両者に対して上記同様の電子線クリーニング処理を施すことも可能である。

上記電子線クリーニング処理の後、ＲＰ１１１とＦＰ１１２を大気に曝すことなく第２段目ゲッタ処理室１０５に搬入し、そこで前記第１段目ゲッタ処理室１０３と同様の方法で、ゲッタフラッシュ装置１２３からゲッタフラッシュ１２４を生じさせ、ＦＰ１１２に対してゲッタを付与する。この際の第２段目ゲッタの膜厚は、一般的に５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍ、より好ましくは、２０ｎｍ〜２００ｎｍである。上記搬入の際、昇降器１１７に保持したＲＰ１１１と搬送ベルト１０８に保持したＦＰ１１２との間隔は、前の第１段目ゲッタ処理工程での間隔をそのまま維持するのがよい。また、第２段目ゲッタは第１段目ゲッタと同様にＲＰ１１１にのみ付与したり、ＦＰ１１２とＲＰ１１１の両者に付与することもができる。

上記第２段目のゲッタが付与されたＦＰ１１２と昇降器１１７によって第２段目ゲッタ室１０５の上部に位置していたＲＰ１１１を下降させ、大気に曝すことなく次の封着処理室１０６に搬入させる。この際、ＲＰ１１１とＦＰ１１２とをそれぞれの基板上に設けているマトリクス配置した電子線放出素子と蛍光体とを内側に向けた状態で、スペーサ１１５及び外囲器１１３が互いに接するまで対向配置するよう、昇降器１１７を動作させる。

封着処理室１０６内の相対向配置したＲＰ１１１とＦＰ１１２とに対して加熱プレート１２５を作用させ、予め設けておいた封着材１１４がインジウムのような低融点金属の場合では、低融点金属が溶融するまで加熱し、また封着材１１４がフリットガラスのような非金属の低融点物質の場合には、低融点物質が感化し接着性を帯びる温度まで加熱する。図１（ｂ）では、封着材１１４としてインジウムを用いた例として、１８０℃の温度に設定されている。

上記封着処理室１０６の真空度を１０^-6Ｐａ以上の高真空度に設定することができる。このためＲＰ１１１とＦＰ１１２と外囲器１１３とで密封された表示パネル内部の真空度についても、１０^-6Ｐａ以上の高真空度に設定することができる。

上記封着処理室１０６にて作成した表示パネルは、次の冷却室１０７に搬出され、ゆっくり冷却される。

本発明の装置は、上記封着室１０６と冷却室１０７との間に、上記ロードロック２９と同様のロードロック（図示せず）を設け、該ロードロック開放時に封着処理室１０６から表示パネルを搬出させ、冷却室１０７に搬入後、該ロードロックを遮蔽し、ここで徐冷後、搬出口１２６を開放し、表示パネルを冷却室１０７から搬出させ、最後に該搬出口１２６を遮蔽して、全工程を終了する。また、次の工程の開始前に、冷却室１０７の内部を独立配置した真空排気系（図示せず）によって、真空状態に設定しておくのがよい。

また、本発明は、上記各室及１０１〜１０７をアルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有させることができる。

上記の例はベストモードであるが、第１の変形例として、前室１０１における真空雰囲気下での用意、第１段目ゲッタ処理室における第１のゲッタ処理、封着処理室１０６における加熱封着、冷却室１０７における冷却処理の順に工程を進めるように各部屋を直列させる例が挙げられる。

第２の変形例としては、前室１０１における真空雰囲気下での用意、ベーク処理室１０２におけるベーク処理、封着処理室１０６における加熱封着、冷却室１０７における冷却処理の順に工程を進めるように各部屋を直列させる例が挙げられる。

第３の変形例としては、前室１０１における真空雰囲気下での用意、ベーク処理室１０２におけるベーク処理、第１段目ゲッタ処理室における第１のゲッタ処理、封着処理室１０６における加熱封着及び冷却室１０７における冷却処理の順に工程を進めるように各部屋を直列させる例が挙げられる。

第４の変形例としては、ＲＰ１１１とＦＰ１１２を別々の搬送手段で搬送できるようにすることが挙げられる。

図２は、前室２０１、ベーク処理室２０２、第１段目ゲッタ処理室２０３、電子線クリーニング処理室２０４、第２段目ゲッタ処理室２０５、封着処理室２０６及び冷却室２０７を中心真空室２０８の周りにスター配置上に設けた装置の模式平面図である。各部屋２０１〜２０７は、各々独立の部屋で仕切られている。

図２の装置において、前室２０１と中心真空室２０８との間に、ロードロック２０９が設けられているが、他の部屋２０２〜２０７にも同様のロードロックを用い、全室２０１〜２０７と中心真空室２０８との間をロードロックで仕切ることができる。また、ベーク処理室２０２と中心真空室２０８との間に設けたロードロックに変えて、熱遮蔽部材２１０を用いることもできる。また、同様に、他の部屋２０３〜２０７と中心真空室２０８との間に設けたロードロックに変えて、熱遮蔽部材２１０を用いることもできる。

中心真空室２０８には、搬送ハンド２１１が設置され、その両端部に、ＲＰ１１１とＦＰ１１２とを静電チャック方式又は真空チャック方式によって固定可能とした搬送ハンド２１３が設置されている。この搬送ハンド２１３は、回転軸２１２を中心にそれぞれ矢印２１４の方向に回転可能とした搬送棒２１１に設置されている。

搬送ハンド２１３の動作によって、ＲＰ１１１とＦＰ１１２を各部屋２０１〜２０７毎に搬入及び搬出を繰り返すことによって、各部屋ごとで、各処理工程が施される。この際、ＲＰ１１１とＦＰ１１２の両基板ごとに全処理工程を施してもよいが、好ましくは、ＲＰ１１１とＦＰ１１２の両基板のうち、一方の基板の基板のみを所定の工程のみを処理するのがよい。例えば、ＲＰ１１１とＦＰ１１２の両基板を上記の如く全工程を処理するのに変えて、ＦＰ１１２のみを第１段目ゲッタ処理室２０３及び第２段目ゲッタ処理室２０５に搬入せしめ、そこで、ＦＰ１１２についてのみゲッタ処理を施し、この間、ＲＰ１１１は、中心真空室２０８内に待機させ、ＲＰ１１１に対するゲッタ処理を省略することも可能である。

また、本発明は、上記各室及２０１〜２０７及び中心真空室２０８内をアルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有させることができる。

図３は、本発明の装置及び方法を用いて作成した画像表示装置の断面図である。図４は、その斜視図である。

図中、図１及び図２と同一符号は、同一部材である。上記装置及び方法によって作成した画像表示装置は、ＲＰ１１１とＦＰ１１２と外囲器１１３とによって真空容器又は減圧容器が形成されている。上記減圧容器内には、アルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有することができる。

また、真空容器の場合には、１０^-5Ｐａ以上、好ましくは、１０^-6Ｐａ以上の高真空に設定することができる。

上記真空容器又は減圧容器内には、スペーサ１１５が配置さて耐大気圧構造を形成している。本発明で用いたスペーサ１１５は、無アルカリガラスなどの無アルカリ絶縁物質からなる本体３１１と、該本体３１１の表面を覆って配置した高抵抗物質で成膜された高抵抗膜３０９と両端に設けた金属（タングステン、銅、銀、金、モリブデンやこれらの合金など）膜３０８及び３１０とを有し、配線３０６上に導電性接着剤を介して電気的に接続接着されている。スペーサ１１５は、上記前室１０１又は２０１に搬入する際には、前もってＲＰ１１１にフリットガラスなどの低融点接着剤３０７によって接着固定され、封着処理室１０６又は２０６において処理が終了した時点で、上記スペーサ１１５のもう一方の端部とＦＰ１２とは電気的に接続されて接して配置される。

ＲＰ１１１は、ガラスなどの透明基板３０４と、ナトリウムなどのアルカリの侵入を防止するための下地膜（ＳｉＯ₂、ＳｎＯ₂など）３０５と、ＸＹマトリクス配列した複数の電子線放出素子３１２とが配置されている。配線３０６は、電子線放出素子と接続したカソード側ＸＹマトリクス配線の一方のカソード側配線を構成する。

本発明は、蛍光体励起手段又は画像表示素子部材として用いた電子線放出素子３１２に変えて、プラズマ発生素子を用いることができる。この際、容器内には、アルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有させる。

ＦＰ１１２は、ガラスなどの透明基板３０１と蛍光体層３０２とアノード源（図示せず）に接続したアノード金属（アルミニウム、銀、銅など）膜３０３とが配置されている。

また、本発明は、上記プラズマ発生素子を用いた際には、画像表示用部材として用いた蛍光体に変えて、カラーフィルターを用いることができる。

外囲器１１３は、上記前室１０１又は２０１に搬入する際には、前もってＲＰ１１１にフリットガラスなどの低融点接着剤３１３によって接着固定しておき、上記封着処理室１０６又は２０６における処理工程で、インジウムやフリットガラスを用いた封着材１１４によって固定接着されている。

本発明の一例に係る第１の装置の模式的断面図である。本発明の他の例に係る第２の装置の模式的平面図である。本発明の装置及び方法によって製造された画像表示装置の断面図である。

符号の説明

１０１前室
１０２ベーク処理室
１０３第１段目ゲッタ処理室
１０４電子線クリーニング処理室
１０５第２段目ゲッタ処理室
１０６封着処理室
１０７冷却室
１０８搬送ベルト
１０９搬送ローラ
１１０搬入口
１１１リヤープレート（ＲＰ）
１１２フェースプレート（ＦＰ）
１１３外囲器
１１４封着材
１１５スペーサ
１１６加熱プレート
１１７昇降器
１１８ホルダー
１１９ゲッタフラッシュ装置
１２０ゲッタフラッシュ
１２１電子線発振器
１２２電子線
１２３ゲッタフラッシュ装置
１２４ゲッタフラッシュ
１２５加熱プレート
１２６搬出口
１２７進行方向矢印
１２８熱遮蔽部材
１２９ロードロック
１３０真空排気系
１３１真空排気系
２０１前室
２０２ベーク処理室
２０３第１段目ゲッタ処理室
２０４電子線クリーニング処理室
２０５第２段目ゲッタ処理室
２０６封着処理室
２０７冷却室
２０８中心真空室
２０９ロードロック
２１０熱遮蔽部材
２１１回転棒
２１２回転軸
２１３搬送ハンド
２１４回転方向矢印

Claims

画像表示装置の製造装置において、
ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、
ｃ：上記第１の真空室内に配置した、搬入された第１基板及び第２基板を加熱し、該第１基板と第２基板の両方をベーク処理するベーク手段、
ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第２の真空室、
ｅ：上記第２の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有するゲッタ付与手段、
ｆ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第３の真空室、
ｇ：上記第３の真空室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｈ：上記第３の真空室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置。
画像表示装置の製造装置において、
ａ：第１の画像表示装置用部材を設けた第１基板及び第２の画像表示装置用部材を設けた第２基板を搬送する搬送手段、
ｂ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第１の真空室、
ｃ：上記第１の真空室内に配置した、搬入された第１基板及び第２基板を加熱し、該第１基板と第２基板の両方をベーク処理するベーク手段、
ｄ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第２の真空室、
ｅ：上記第２の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第１のゲッタ付与手段、
ｆ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第３の真空室、
ｇ：上記第３の真空室に配置した、電子線を照射することによって電子線クリーニング処理を施す電子線クリーニング手段、
ｈ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板のうちの一方又は両方の基板を真空雰囲気下で搬入可能な第４の真空室、
ｉ：上記第４の真空室内に配置したゲッタ前駆体及び該ゲッタ前駆体を活性化させるゲッタ活性化手段を有する第２のゲッタ付与手段、
ｊ：上記搬送手段によって、上記第１基板と第２基板を真空雰囲気下で搬入可能な第５の真空室、
ｋ：上記第５の真空室内に配置した、第１の画像表示装置用部材と第２の画像表示装置用部材とをそれぞれ内側に向けて、第１基板と第２基板とを互いに対向配置させる基板配置手段、並びに
ｌ：上記第５真空室内に配置した、上記基板配置手段によって対向配置させた第１基板と第２基板とを所定温度で加熱封着する封着手段
を有する画像表示装置の製造装置。