JP2000195424A - 画像形成装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 長時間安定に動作する電子放出素子をもった
画像表示装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 電子放出素子と、画像形成部材と、非蒸
発型ゲッタとを有する気密容器を備えた画像形成装置の
製造方法であって、前記気密容器を封止する工程の後
に、前記非蒸発型ゲッタを活性化するステップと、前記
気密容器を再度ベーキングをするステップとを有してい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子を用
いた画像形成装置の製造方法に関し、特に、気密容器の
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子放出素子としては大別して熱
電子放出素子と冷陰極電子放出素子とを用いた２種類の
ものが知られている。冷陰極電子放出素子には電界放出
型（以下、「ＦＥ型」という。）、金属／絶縁層／金属
型（以下、「ＭＩＭ型」という。）および表面伝導型電
子放出素子等がある。

【０００３】ＦＥ型の例としてはW.P.Dyke&W.W.Dolan,
“Field emission",Advance in Electoron Physics,8,8
9(1956)、あるいはC.A.Spindt,“PHYSICAL Properties
of thin-film field emission cathodes with molybden
ium cones",J.Appl.Phys.,47,5248(1976)等に開示され
たものが知られている。

【０００４】ＭＩＭ型の例としてはC.A.Mead,“Operati
on of Tunnel-Emission Devices",J.Apply.Phys.,32,64
6(1961)等に開示されたものが知られている。

【０００５】表面伝導型電子放出素子型の例としては、
M.I.Elinson,Recio Eng.Electron Phys.,10,1290,(196
5)等に開示されたものがある。

【０００６】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことに
より、電子放出が生ずる現象を利用するものである。こ
の表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等
によるＳｎＯ₂薄膜を用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの
[G.Dittmer:“Thin Solid Films",9,317(1972)]、Ｉｎ₂
Ｏ₃／ＳｎＯ₂薄膜によるもの[M.Hartwell and C.G.Fons
tak:“IEEE Trans.EDConf."519(1975)]、カーボン薄膜
によるもの［荒木久 他：真空、第２６巻、第１号、２
２頁（１９８３）］等が報告されている。

【０００７】これら冷陰極電子放出素子から発生した電
子ビームにより蛍光体を発光させるフラットパネルの表
示装置の開発が行われている。この表示装置は、冷陰極
電子放出素子を安定に長時間動作させるために、超高真
空を必要とするため、複数の電子放出素子を有する基板
とこれに対向する位置に蛍光体を有する基板とを枠を挟
んで後述する方法で封着して真空気密容器を形成したも
のである。

【０００８】実際に、前述したように電子放出素子を気
密容器内に作成し、画像表示装置として維持するために
は、気密容器内を気密容器に接続されている排気管を介
して、真空排気装置によって、真空に排気し、気密容器
内の電子源を形成する処理、あるいは活性化処理を施し
た後、気密容器を３００℃〜３５０℃の高温で数時間以
上保持するベーキング工程により、気密容器内の脱ガス
処理を十分に行う。

【０００９】その後、前記気密容器を室温迄降温し、気
密容器内の画像表示領域外に配置されたＢａを主成分と
する蒸発型ゲッタを高周波あるいは通電加熱することに
より、Ｂａ材を蒸発させゲッタ膜を形成する（以下、ゲ
ッタフラッシュと称する）。

【００１０】その後、排気管を加熱溶融することにより
封止し、排気装置と気密容器とを分離する。気密容器内
の真空は、ゲッタ膜により維持されている。

【００１１】さらに、真空気密容器内を超高真空に維持
するための製造方法が、特開平７−３０２５４５号公報
に提案されている。この公報に示されている製造方法
は、真空排気した後に前記表示装置内をベーキングしな
がら、前記表示装置内にガスを導入しホールドする工程
と、つづいて前記表示装置内を真空排気する工程とを数
回繰り返して行うことにより、内部に吸着されたガスを
外部に放出することが可能となり、表示装置内に吸着さ
れたガスを低減することができ、表示装置内を超高真空
に維持しようとしたものである。

【００１２】また、従来用いられている、蒸発型ゲッタ
の活性化は、気密容器を封止する以前に行っているが、
封止時にリークが発生するとゲッタとしてのＢａが酸化
されて白色の酸化バリウムになってしまうため、使用不
能になる。こうなると、排気管をつなげなおして再生す
ることは不可能になる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来、上記の
ような蒸発型ゲッタによって真空を維持させるための真
空プロセスには以下の問題点が発生する。

【００１４】気密容器内の圧力Ｐは、真空表面の放出ガ
スの量をＱとし、ガスの実効排気速度をＳとすると、Ｐ
＝Ｑ／Ｓで表される。ここで、実効排気速度Ｓは、気密
容器の形とゲッタの位置およびゲッタの排気速度で決定
される。つまり、気密容器の形とゲッタの位置およびゲ
ッタの排気速度が決まっている場合には、気密容器内の
真空をできるだけ低減するためには、気密容器内の放出
ガス量Ｑを減少させる必要がある。

【００１５】さらに、蒸発型ゲッタを活性化するとき
に、気密容器内を一時的に汚してしまうため、蒸発型ゲ
ッタを活性化した後にベーキングすることが有効であ
る。

【００１６】ところが、従来のＢａを主成分とする蒸発
型ゲッタでは、１５０℃以上でベーキングすると、実効
排気速度Ｓが遅くなり、気密容器内の真空を低く維持す
ることが困難になるという問題点がある。

【００１７】また、電界放出型電子源を利用した平板型
画像表示では、電子源の電子放出特性を安定に動作する
ために、水、酸素、ＣＯ等の不純物をできるだけ低減す
る必要がある。そのため、気密容器の封止工程で発生し
た不純物によって、電子源の電子放出特性が安定に動作
せず、電子放出素子が経時変化を起こすことにより寿命
が低下するという問題点がある。

【００１８】さらに、封止前に蒸発型ゲッタを活性化す
ると、封止時にリークが発生した場合、ゲッタ材として
のＢａが酸化されて白色の酸化バリウムになってしまい
使用不能になる。こうなると、排気管をつなげなおして
再生することは不可能となるという問題点がある。

【００１９】（発明の目的）本発明は、長時間安定に動
作する電子放出素子をもった画像表示装置の製造方法を
提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の手段として、本発明の画像形成装置の製造方法は、電
子放出素子と、画像形成部材と、非蒸発型ゲッタとを有
する気密容器を備えた画像形成装置の製造方法であっ
て、前記気密容器を封止する工程の後に、前記非蒸発型
ゲッタを活性化するステップと、前記気密容器を再度ベ
ーキングをするステップとを有している。

【００２１】また、本発明は、電子放出素子と、画像形
成部材と、非蒸発型ゲッタと、蒸発型ゲッタとを有する
気密容器を備えた画像形成装置の製造方法であって、前
記気密容器を封止する工程の後に、前記非蒸発型ゲッタ
を活性化するステップと、前記蒸発型ゲッタを蒸発させ
て活性化するステップと、前記気密容器をベーキングす
るステップとを有している。

【００２２】さらに、本発明は、電子放出素子と、画像
形成部材と、非蒸発型ゲッタとを有する気密容器を備え
た画像形成装置の製造方法であって、前記気密容器をベ
ーキングする工程と、前記気密容器を封止する工程の後
に、前記非蒸発型ゲッタを活性化するステップと、前記
気密容器を再度ベーキングするステップとを有してい
る。

【００２３】（作用）本発明の画像形成装置の製造方法
は、気密容器を封止した後にベーキングを行うことによ
り、真空表面の放出ガス量を小さくし、気密容器内の圧
力を下げる。このため、速やかに、高真空に達し、高真
空が維持される。

【００２４】通常、排気管を封止する際に、排気管を構
成する材料が軟化点を超えると水、酸素等が発生して気
密容器に吸着される。本発明によれば、この吸着したも
のを、封止後にベーキングすることにより放出させ、そ
の放出されたガスを、活性化した非蒸発型ゲッタによっ
て吸着することにより、さらに、効果的に高真空が達成
される。

【００２５】また、蒸発型ゲッタを蒸発活性化する際に
気密容器内を再汚染することを抑制するために、封止後
のべーキングの後のステップで蒸発型ゲッタを活性化し
た後に、１５０℃以下の温度で気密容器を加熱すること
により、さらに効果的に高真空が達成される。

【００２６】さらに、蒸発型ゲッタを蒸発活性化した後
にも、非蒸発型ゲッタを再度活性化することにより、高
真空の維持が容易となる。

【００２７】また、気密容器と排気管を介して接続され
た排気装置によって、排気する工程が終了後、封止工程
が終了した後に、非蒸発型ゲッタを活性化するステップ
と、ベーキングするステップとを有する本発明の画像形
成装置の製造方法によれば、気密容器内が高真空に維持
されるため、電子放出素子、蛍光体ともに寿命を延ばす
ことができ、長寿命の画像形成装置を提供することがで
きる。

【００２８】

【実施例】［実施例１］本発明の画像表示装置を図２を
用いて説明し、次にその製造方法を図１を参照しながら
説明する。

【００２９】図２は、本実施例に用いた画像表示装置の
模式的斜視図であり、内部構造を示すためにパネルの一
部を切り欠いている。図２中、２５はリアプレート、２
６は支持枠、２７はフェイスプレートであり、２５〜２
７により表示パネルの内部を真空に維持するための気密
容器１００を形成している。気密容器１００を組み立て
るにあたっては各部材の接合に十分な強度と気密性を保
持させるため封着する。

【００３０】また、１１，１２は気密容器内を真空に排
気するときに真空排気装置に接続するための排気管であ
る。これらの排気管は、プロセス工程中に発生する活性
化工程での活性化ガスのガス導入管としても利用され
る。本実施例では、後述するように、本実施例の有効性
をパネル内の圧力で評価するため、排気管１１の先端に
図示しないミニチュアゲージ（全圧計）を取り付けた。

【００３１】さらに、１は気密容器内の真空排気を補助
するためと、排気管を封止した後の気密容器内の真空を
維持するための非蒸発型ゲッタである。図中２，３は非
蒸発型ゲッタに通電するための電流導入端子である。

【００３２】本実施例では、Ｔｉを主成分とし、Ｚｒ，
ＶおよびＦｅからなる非蒸発型ゲッタを用いたが、Ｚｒ
を主成分とする非蒸発型ゲッタを用いても構わない。

【００３３】なお、本実施例で使用したＴｉを主成分と
し、Ｚｒ、ＶおよびＦｅからなる非蒸発型ゲッタのＨ₂
Ｏ吸着特性を図４に示す。縦軸は排気速度、横軸は吸着
量（排気量）である。測定はスループット法にて行っ
た。非蒸発型ゲッタの温度を、室温、１５０℃、３００
℃としたときの特性を示した。これによると、非蒸発型
ゲッタは、高温になるほど吸着速度および吸着量とも増
加しているのがわかる。つまり、本実施例で採用した非
蒸発型ゲッタは、高温での排気特性が良好であることが
確認された。

【００３４】また、非蒸発型ゲッタは、３００℃で１５
時間ベーク後に、再度、７５０℃で再活性化を行ったと
ころ、室温での排気特性が初期と同等の特性を示した。

【００３５】また、図２において、リアプレート２５上
には、表面伝導型電子放出素子２２が、Ｎ×Ｍ個形成さ
れている。ここで、Ｎ，Ｍは２以上の正の整数で、目的
とする表示画素数に応じ適宜設定される。これらの表面
伝導型電子放出素子は、Ｍ本の行方向配線２３（下配線
とも呼ぶ）とＮ本の列方向配線２４（上配線とも呼ぶ）
とにより単純マトリクス配線されている。

【００３６】つづいて、表面伝導型電子放出素子の構成
について図３を用いて説明する。図３は、表面伝導型電
子放出素子２２の構成を示す模式図であり、図３（ａ）
は平面図、図３（ｂ）は断面図である。図３において２
５はリアプレート、３２と３３は素子電極、３４は導電
性薄膜、３５は電子放出部である。

【００３７】この表面伝導型電子放出素子の形成方法
は、まず、気密容器を排気管１１を通して真空に排気し
ながら、素子電極３２，３３を通じて、導電性薄膜３４
にフォーミング処理を施すことによって、導電性薄膜を
局所的に破壊、変形もしくは変質する。そして、電気的
に高抵抗な状態にした電子放出部３５を形成する。

【００３８】さらに、気密容器内の内圧が１×１０^-3Ｐ
ａ以下になったら、気密容器内に排気管１１を通して活
性化ガスとしてアセトンを１Ｐａ程度導入する。放出電
流を著しく改善する活性化工程を行う。すなわち素子電
極３２，３３に電圧を印加し、素子に電流を流して、上
述の電子放出部３５の活性化を行う。

【００３９】また、フェイスプレート２７の下面には、
画像形成部材として、蛍光体２８が形成されている。カ
ラー表示装置の場合には、蛍光膜２８の部分にＣＲＴの
分野で用いられている赤、緑、青の３原色の蛍光体２８
が塗り分けられる。

【００４０】また、蛍光膜２８のリアプレート側の面に
は、ＣＲＴの分野では公知のメタルバック２９を設けて
ある。メタルバック２９を設けた目的は、蛍光膜２８が
発する光の一部を鏡面反射させて光効率を向上させるこ
とや、負イオンの衝突から蛍光膜２８を保護すること
や、電子ビーム加速電圧を印加するための電極として用
いることや、蛍光膜２８を励起した電子の導電路として
作用させること等である。

【００４１】メタルバック２９は、蛍光膜２８をフェイ
スプレート基板２７上に形成した後、蛍光膜２８を平滑
化処理し、その上にＡｌを真空蒸着する方法により形成
した。なお、蛍光膜２８には低電圧用の蛍光膜２８を用
いた場合には、メタルバック２９は用いなくてもよい。

【００４２】また、本実施例では用いなかったが、加速
電圧の印加方法や蛍光膜の導電性向上を目的として、フ
ェイスプレート基板２７と蛍光膜２８の間に、例えばＩ
ＴＯ等の透明導電膜を設けてもよい。

【００４３】また、Ｄｏｘ１〜ＤｏｘｍおよびＤｏｙ１
〜ＤｏｙｎならびにＨｖは、当該表示パネルと不図示の
電気回路とを電気的に接続するために設けられた気密容
器の電気接続用端子である。Ｄｏｘ１〜Ｄｏｘｍはマル
チ電子ビーム源の行方向配線２３と、Ｄｏｙ１〜Ｄｏｙ
ｎはマルチ電子ビーム源の列方向配線２４と、Ｈｖはフ
ェイスプレートのメタルバック２９と、それぞれ電気的
に接続されている。

【００４４】以上、本発明の製造方法を適用した画像表
示装置を説明した。

【００４５】つぎに、図１を用いて本発明の画像表示装
置の製造方法について説明する。なお、図２、図３にお
いて説明した構成部材と同一番号を用いて説明する。

【００４６】（リアプレートの作成）まず、表面伝導型
電子放出素子の作成工程について説明する。

【００４７】（Ｒ−１）．青板ガラスを洗浄し、シリコ
ン酸化膜をスパッタ法で形成したリアプレート２５上に
下配線２３をスクリーン印刷で形成した。つぎに、下配
線２３と上配線２４間に層間絶縁膜を形成した。そし
て、上配線２４を形成した。つぎに、下配線２３と上配
線２４とに接続された素子電極３２、３３を形成した。

【００４８】（Ｒ−２）．表面伝導型電子放出素子２２
は、素子電極３２、３３を形成した後にＰｄＯからなる
導電性薄膜３４をスパッタ法で形成した後、パターニン
グし、所望の形態とした。

【００４９】（Ｒ−３）．支持枠２６を固定するための
フリットガラス（図示せず）を印刷法によって所望の位
置に形成した。

【００５０】以上の工程により、単純マトリクス配線し
た表面伝導型電子放出素子、支持枠２６用の接着材等が
形成されたリアプレート２５を作成した。

【００５１】（フェイスプレートの作成）つづいて、フ
ェイスプレートの作成工程について説明する。

【００５２】（Ｆ−１）．青板ガラス基板に蛍光体２
８、黒色導電体を印刷法により形成した。そして形成さ
れた蛍光膜２８の内面側表面の平滑性処理を行い、その
後Ａｌを真空蒸着法等を用いて堆積させメタルバック２
９を形成した。

【００５３】（Ｆ−２）．支持枠２６に非蒸発型ゲッタ
の電流導入端子と非蒸発型ゲッタ１を取り付けた後、支
持枠２６を固定するためのフリットガラスを印刷法によ
り所望の位置に形成した。

【００５４】以上の工程により、３原色の蛍光体がスト
ライプ状に配設された蛍光体２８、および支持枠２６用
の接着材等をフェイスプレート２７に形成した。

【００５５】（リアプレートおよびフェイスプレート封
着による気密容器作成）つぎに、リアプレートおよびフ
ェイスプレート封着による気密容器作成工程について説
明する。

【００５６】（ＦＲ−１） リアプレート２５を図示し
ないＸ，Ｙ，θの調整ステージ上のホットプレート上に
保持し、フェイスプレート２７の位置合わせを行いなが
ら封着温度までリアプレート２５およびフェイスプレー
ト２７を昇温させる。封着温度はフリットガラスによっ
て決定されるが本実施例では、封着温度は４１０℃であ
った。

【００５７】封着温度まで昇温させた段階で、Ｘ，Ｙ，
θの調整ステージにより、リアプレート２５とフェイス
プレート２７の位置合わせを行いながら支持枠２６を接
触させ、加圧しながら１０分間保持した後、毎分３℃で
温度を下げていき、封着温度から１００℃下げたところ
で位置合わせを中止して、ステージをフリーにし、室温
まで下げた。

【００５８】（真空プロセスによる電子放出素子の作
成）真空プロセスによる電子放出素子の作成工程につい
て説明する。

【００５９】（Ｓ−１）．前述したように作成された気
密容器のフェイスプレート２７上にある排気管１１を，
図示しない真空排気装置に接続し、気密容器内を真空に
排気する。このとき、排気管１２に全圧計（図示せず）
を取り付けておく。

【００６０】（Ｓ−２）．気密容器内の圧力が０．１Ｐ
ａ以下になったら、容器外端子Ｄｏｘ１〜ＤｏｘｍとＤ
ｏｙ１〜Ｄｏｙｎを通じ電子放出素子２２に電圧を印加
し、導電性薄膜３４にフォーミング工程を行った。

【００６１】（Ｓ−３）．つづいて、気密容器内の圧力
が１×１０^-3Ｐａ以下になったら、活性化ガスとしてア
セトンを排気管１１を通して気密容器内に１Ｐａ導入
し、容器外端子Ｄｏｘ１〜ＤｏｘｍとＤｏｙ１〜Ｄｏｙ
ｎを通じ電子放出素子２２に電圧を印加し活性化処理を
行った。

【００６２】（気密容器内の脱ガス工程）気密容器内の
脱ガス工程について、図１に示すフローチャートを用い
て説明する。

【００６３】（Ｄ−１）．気密容器加熱装置をセットし
て、気密容器のベーキング脱ガス処理を行った。ベーキ
ング温度は３００℃とした。昇温速度は毎分２℃とし
た。

【００６４】（Ｄ−２） 気密容器の温度が３００℃に
なった後、１０時間保持し、ベーキングを行った。

【００６５】（Ｄ−３）．ベーキング終了後、気密容器
を毎分２℃で降温し、室温まで冷却した。

【００６６】（Ｄ−４）．気密容器加熱装置をはずし
て、排気管１１の一部を加熱溶融して、封止を行った。

【００６７】（Ｄ−５）．活性化ガスを十分に排気した
後、非蒸発型ゲッタ１の通電用導入端子２および３に電
流を流し、非蒸発型ゲッタの脱ガス処理および活性化を
行った。非蒸発型ゲッタの活性化温度は非蒸発型ゲッタ
によって決定されるが本実施例では、７５０℃で１５分
間通電加熱処理を行った。

【００６８】（Ｄ−６）．気密容器加熱装置をセットし
て、気密容器のベーキング脱ガス処理を行った。ベーキ
ング温度は３００℃とした。昇温速度は毎分２℃とし
た。

【００６９】（Ｄ−７）．気密容器の温度が３００℃に
なった後、４時間保持し、ベーキングを行った。

【００７０】（Ｄ−８）．ベーキング終了後、気密容器
を毎分２℃で降温し、室温まで冷却した。

【００７１】以上のように作成した画像表示装置内の圧
力を封止工程以降測定した。その結果を図５に示す。ま
た、比較例として、気密容器内の脱ガス工程以降測定し
た気密容器内の圧力の測定結果を図５に示す。

【００７２】また、比較例として、気密容器内の脱ガス
工程を以下の手順で行った場合の脱ガス工程のフローチ
ャートを図６に示す。

【００７３】（比較例１）（気密容器内の脱ガス工程） 従来の気密容器内の脱ガス工程のフローチャートを図６
に示す。

【００７４】（Ｄ−１） 気密容器のベーキング脱ガス
処理を行った。ベーキング温度が３００℃とした。昇温
温度は毎分２℃とした。

【００７５】（Ｄ−２） 気密容器の温度を３００℃に
１０時間保持し、ベーキングを行った。

【００７６】（Ｄ−３） ベーキング終了後、気密容器
を毎分２℃で降温し、室温まで冷却した。

【００７７】（Ｄ−４） 気密容器加熱装置をはずし
て、排気管１１の一部を加熱溶解して、封止を行った。

【００７８】（Ｄ−５） 非蒸発型ゲッタの通電用導入
端子２および３に電流を流し、非蒸発型ゲッタの活性化
を行った。非蒸発型ゲッタの活性化温度が本実施例では
７５０℃、１５分間通電か熱処理を行った。

【００７９】図５より、本実施例の気密容器の真空度
が、初期状態から低真空でしかも長時間安定して低真空
状態を維持していることがわかる。

【００８０】本実施例では、ベーキング工程、封止工
程、非蒸発型ゲッタ活性化工程、ベーキング工程の順番
で画像表示装置を形成する。すなわち、非蒸発型ゲッタ
活性化工程によって、非蒸発型ゲッタが不純物を吸収し
やすい状態で、再度ベーキング工程を行う。そのため、
気密容器内が高真空になる。

【００８１】［実施例２］つぎに、図２および図３を参
照して表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置の
実施例について説明する。まず、図２を用いて本発明の
画像表示装置の製造方法について説明する。

【００８２】（リアプレートの作成） （Ｒ−１）．青板ガラスを洗浄し、シリコン酸化膜をス
パッタ法で形成したリアプレート上に下配線２３をスク
リーン印刷で形成した。つぎに、下配線２３と上配線２
４間に層間絶縁膜を形成した。さらに、上配線２４を形
成した。つぎに、下配線２３と上配線２４とに接続され
た素子電極３２，３３を形成した。

【００８３】（Ｒ−２）．次いで、ＰｄＯからなる導電
性薄膜３４をスパッタ法で形成した後、パターニング
し、所望の形態とした。

【００８４】（Ｒ−３）．支持枠を固定するためのフリ
ットガラスを印刷によって所望の位置に形成した。

【００８５】以上の工程により、単純マトリクス配線し
た表面伝導型放出素子、支持枠用の接着材等が形成され
たリアプレートを作成した。

【００８６】（フェイスプレートの作成） （Ｆ−１）．青板ガラス基板に蛍光体２８、黒色導電体
を印刷法により形成した。蛍光膜の内面側表面の平滑性
処理を行い、その後Ａｌを真空蒸着法等を用いて堆積さ
せメタルバック２９を形成した。

【００８７】（Ｆ−２）．支持枠２６に非蒸発型ゲッタ
の電流導入端子と非蒸発型ゲッタを取り付けた後、支持
枠２６を固定するためのフリットガラスを印刷法により
所望の位置に形成した。

【００８８】以上の工程により、３原色の蛍光体２８が
ストライプ状に配設された蛍光体２８、および支持枠用
の接着材等をフェイスプレートに形成した。

【００８９】（リアプレートおよびフェイスプレート封
着による気密容器作成） （ＦＲ−１）リアプレートをＸ，Ｙ，θの調整ステージ
上のホットプレート上に保持し、フェイスプレートの位
置合わせを行いながら封着温度までリアプレートおよび
フェイスプレートを昇温させる。封着温度はフリットガ
ラスによって決定されるが本実施例では、封着温度は４
１０℃であった。封着温度まで昇温させた段階で、Ｘ，
Ｙ，θの調整ステージにより、リアプレートとフェイス
プレートの位置合わせを行いながら支持枠を接触させ、
加圧させながら１０分間保持した後、毎分３℃で温度を
下げていき、封着温度から１００℃下げたところで位置
合わせを中止して、ステージをフリーにし、室温まで下
げた。

【００９０】（真空プロセスによる電子放出素子の作
成） （Ｓ−１） 前述したように作成された気密容器のフェ
イスプレート上にある排気管１１および１２を真空排気
装置に接続し、気密容器内を真空に排気した。

【００９１】（Ｓ−２） 気密容器内の圧力が０．１Ｐ
ａ以下になったら、容器外端子Ｄｏｘ１〜ＤｏｘｍとＤ
ｏｙ１〜Ｄｏｙｎを通じ電子放出素子に電圧を印加し、
導電性薄膜３４にフォーミング工程を行った。

【００９２】（Ｓ−３） つづいて、気密容器内の圧力
が１×１０^-3Ｐａ以下になったら、活性化ガスとしてア
セトンを排気管１１を通して気密容器内に１Ｐａ導入
し、容器外端子Ｄｏｘ１〜ＤｏｘｍとＤｏｙ１〜Ｄｏｙ
ｎを通じ電子放出素子に電圧を印加し活性化処理を行っ
た。

【００９３】（気密容器内の脱ガス工程）気密容器内の
脱ガス工程のフローチャートを図１に示す。

【００９４】（Ｄ−１）．活性化ガスを十分に排気した
後、気密容器のベーキング脱ガス処理を行った。ベーキ
ング温度は３００℃とした。昇温速度は毎分２℃とし
た。

【００９５】（Ｄ−２）．気密容器の温度を３００℃で
１０時間保持し、ベーキングを行った。

【００９６】（Ｄ−３）．気密容器を毎分２℃で降温
し、室温まで冷却した。

【００９７】（Ｄ−４）．気密容器加熱装置をはずし
て、排気管１１および１２の一部を加熱溶融して、封止
を行った。

【００９８】（Ｄ−５）．非蒸発型ゲッタ１の通電用導
入端子２および３に電流を流し、非蒸発型ゲッタの活性
化を行った。非蒸発型ゲッタの活性化温度は本実施例で
は、７５０℃で１５分間通電加熱処理を行った。

【００９９】（Ｄ−１）〜（Ｄ−５）の工程は、実施例
１と同様の工程により気密容器内のガスを排気してい
る。さらに、本実施例においては、以下の工程を行う。

【０１００】（Ｄ−６）．再度、気密容器のベーキング
脱ガス処理を行った。ベーキング温度は３００℃とし
た。昇温速度は毎分２℃とした。

【０１０１】（Ｄ−７）．気密容器の温度を３００℃で
４時間保持し、ベーキングを行った。

【０１０２】（Ｄ−８）．ベーキング後に、気密容器を
毎分２℃で降温し、室温まで冷却した。

【０１０３】以上のように、作成した画像表示装置内の
電子放出特性の経時変化を測定した。その結果を図７に
示す。なお、電子放出素子間には電圧１５Ｖのパルス波
形を印加し、フェイスプレート２７には、Ｖａ＝５ｋＶ
高圧を印加した。そのときに、フェイスプレート２７に
流れる電流をＩｅとする。但し、Ｉｅ₀は、フェイスプ
レート２７に素子から流れた電流、すなわち初期のエミ
ッション電流である。電圧印加直後の電流値で規格化し
た値をプロットしている。

【０１０４】（比較例２）（気密容器内の脱ガス工程） 従来の気密容器内の脱ガス工程のフローチャートを図６
に示す。

【０１０５】（Ｄ−１） 気密容器のベーキング脱ガス
処理を行った。ベーキング温度が３００℃とした。昇温
温度は毎分２℃とした。

【０１０６】（Ｄ−２） 気密容器の温度を３００℃に
１０時間保持し、ベーキングを行った。

【０１０７】（Ｄ−３） ベーキング終了後、気密容器
を毎分２℃で降温し、室温まで冷却した。

【０１０８】（Ｄ−４） 気密容器加熱装置をはずし
て、排気管１１の一部を加熱溶解して、封止を行った。

【０１０９】（Ｄ−５） 非蒸発型ゲッタの通電用導入
端子２および３に電流を流し、非蒸発型ゲッタの活性化
を行った。非蒸発型ゲッタの活性化温度が本実施例では
７５０℃、１５分間通電加熱処理を行った。

【０１１０】以上のように作成した画像表示装置内の電
子放出特性の経時変化を測定した。その結果を図７に示
す。

【０１１１】図７によると、蛍光体の輝度を決定するＩ
ｅ／Ｉｅ₀が、本実施例では比較例に比べ安定している
ことがわかる。

【０１１２】本実施例では、従来技術において気密容器
のベーキング脱ガス処理を行った後に、再度、気密容器
のベーキング脱ガス処理行う。そのため、気密容器をさ
らに高真空にすることができる。

【０１１３】［実施例３］本発明の第３の実施例は、気
密容器内の脱ガス工程以外は実施例１と同様にパネル内
の圧力で評価するため、排気管１１の先端にミニチュア
ゲージ（全圧計）（不図示）を取り付けた画像表示装置
を作成した。リアプレートの作成から、真空プロセスの
作成までの工程は実施例１と同様であるため、重複する
説明を省略する。

【０１１４】気密容器内の脱ガス工程のフローチャート
を図８に示す。

【０１１５】（Ｄ−１）．気密容器加熱装置をセットし
て、気密容器のベーキング脱ガス処理を行った。ベーキ
ング温度は３００℃とした。昇温速度は毎分２℃とし
た。

【０１１６】（Ｄ−２）．気密容器の温度が３００℃に
なった後、１０時間保持し、ベーキングを行った。

【０１１７】（Ｄ−３）．ベーキング後、気密容器を毎
分２℃で降温し、室温まで冷却した。

【０１１８】（Ｄ−４）．気密容器加熱装置をはずし
て、排気管１１の一部を加熱溶融して、封止を行った。

【０１１９】（Ｄ−５）．非蒸発型ゲッタの通電用導入
端子２および３に電流を流し、非蒸発型ゲッタの脱ガス
処理および活性化を行った。非蒸発型ゲッタの活性化温
度は非蒸発型ゲッタによって決定されるが本実施例で
は、７５０℃で１５分間通電加熱処理を行った。

【０１２０】（Ｄ−６）．気密容器加熱装置をセットし
て、気密容器のベーキング脱ガス処理を行った。ベーキ
ング温度は３００℃とした。昇温速度は毎分２℃とし
た。

【０１２１】（Ｄ−７）．気密容器の温度が３００℃に
なった後、４時間保持し、ベーキングを行った。

【０１２２】（Ｄ−８）．気密容器を毎分２℃で降温
し、室温まで冷却した。

【０１２３】（Ｄ−９）．再度、非蒸発型ゲッタの通電
用導入端子２および３に電流を流し、非蒸発型ゲッタの
脱ガス処理および活性化を行った。非蒸発型ゲッタの活
性化温度は７５０℃で１５分間通電加熱処理を行った。

【０１２４】封止完了後、２４時間経過した後の気密容
器内の圧力は、本実施例で作成された気密容器の方が、
実施例１の気密容器内の圧力より、２０％ほど低くなっ
た。すなわち、２度目の非蒸発型ゲッタの活性化によ
り、気密容器内の排気速度が上昇して、さらに気密容器
内の真空度が向上したことになる。

【０１２５】本実施例では、ベーキング工程、封止工
程、非蒸発型ゲッタ活性化工程、ベーキング工程、非蒸
発型ゲッタ活性化工程の順番で画像表示装置を形成す
る。すなわち、非蒸発型ゲッタ活性化工程によって、非
蒸発型ゲッタが不純物を吸収しやすい状態で、再度ベー
キング工程を行う。そのため、気密容器内が高真空にな
る。

【０１２６】さらに、再度ベーキングを行った後に、も
う１度、非蒸発型ゲッタ活性化工程を行う。そのため、
再度行うベーキング工程によって、発生した不純物を活
性化された非蒸発型ゲッタによって、吸収することがで
きる。よって、実施例１において説明した製造工程より
も、さらに気密容器内が高真空になる。

【０１２７】［実施例４］実施例１から実施例３まで
は、ベーキング工程後に封止工程を経て、さらに、ベー
キング工程を行って画像表示装置を作成している。しか
し、気密容器が３００℃になった後、１０時間保持し、
ベーキングを行った後に冷却して封止後に再度ベーキン
グを行っているため、降温と昇温に時間を要する。

【０１２８】一方、高温状態で封止するためには排気管
を気密容器加熱装置から露出させて封止する必要があっ
た。また、１５０℃以上の高温で封止する場合には、封
止に失敗してリークが発生すると電子源が酸化し、表面
伝導型放出素子として機能しなくなる。

【０１２９】そこで、本実施例では、活性化ガスの排気
直後のベーキングの降温時に、劣化ガスが気密容器内に
入り込んでも電子源が劣化しない程度である２００℃以
下の温度で封止を行った。具体的には、気密容器の温度
を１５０℃まで降温したところで封止を行なった。な
お、気密容器内の脱ガス工程以外は実施例１と同様にパ
ネル内の圧力で評価するため、排気管１１の先端に図示
しないミニチュアゲージ（全圧計）を取り付けた画像表
示装置を作成した。

【０１３０】気密容器内の脱ガス工程のフローチャート
を図９に示す。

【０１３１】（Ｄ−１）．活性化ガスを十分に排気した
後、気密容器のベーキング脱ガス処理を行った。ベーキ
ング温度は３００℃とした。昇温速度は毎分２℃とし
た。

【０１３２】（Ｄ−２）．気密容器の温度が３００℃で
１０時間保持し、ベーキングを行った。

【０１３３】（Ｄ−３’）．気密容器を毎分２℃で降温
し、１５０℃まで冷却した。

【０１３４】（Ｄ−４）．気密容器加熱装置をはずし
て、排気管１１の一部を加熱溶融して、封止を行った。

【０１３５】（Ｄ−５）．非蒸発型ゲッタの通電用導入
端子２および３に電流を流し、非蒸発型ゲッタの活性化
を行った。非蒸発型ゲッタの活性化温度は本実施例で
は、７５０℃で１５分間通電加熱処理を行った。

【０１３６】（Ｄ−６）．再度、気密容器のベーキング
脱ガス処理を行った。ベーキング温度は３００℃とし
た。昇温速度は毎分２℃とした。

【０１３７】（Ｄ−７）．気密容器の温度を３００℃で
４時間保持し、ベーキングを行った。

【０１３８】（Ｄ−８）．気密容器を毎分２℃で降温
し、室温まで冷却した。

【０１３９】封止完了後に２４時間経過した後の気密容
器内の圧力は、本実施例で作成した気密容器の方が、実
施例１の気密容器内の圧力より１０％ほど低くなった。

【０１４０】本実施例において説明した製造工程は、ベ
ーキング工程において、降温時の温度を劣化しない温度
で、さらに、電子源に影響が及ばない温度のときに気密
容器を封止する。そのため、実施例３において説明した
製造工程よりも、製造時間をかけずに、同様の装置を製
造することができる。

【０１４１】［実施例５］本発明の第５の実施例は、非
蒸発型ゲッタ工程と蒸発型ゲッタ工程とによって気密容
器内を真空にする。気密容器内の脱ガス工程以外は、実
施例１と同様にパネル内の圧力で工程を行うため、排気
管１１の先端に図示しないミニチュアゲージ（全圧計）
を取り付けた画像表示装置を作成した。

【０１４２】非蒸発型ゲッタとしては、Ｔｉを主成分と
し、Ｚｒ、ＶおよびＦｅからなる合金を用いて、蒸発型
ゲッタとしては、Ｂａを用いた。

【０１４３】気密容器内の脱ガス工程のフローチャート
を図１０に示す。

【０１４４】（Ｄ−１）．気密容器加熱装置をセットし
て、気密容器のベーキング脱ガス処理を行った。ベーキ
ング温度は３００℃とした。昇温速度は毎分２℃とし
た。

【０１４５】（Ｄ−２）．気密容器の温度が３００℃に
なった後、１０時間保持し、ベーキングを行った。

【０１４６】（Ｄ−３）．気密容器を毎分２℃で降温
し、室温まで冷却した。

【０１４７】（Ｄ−４）．気密容器加熱装置をはずし
て、排気管１１の一部を加熱溶融して、封止を行った。

【０１４８】（Ｄ−５）．非蒸発型ゲッタの通電用導入
端子２および３に電流を流し、非蒸発型ゲッタの脱ガス
処理および活性化を行った。非蒸発型ゲッタの活性化温
度は非蒸発型ゲッタによって決定されるが本実施例で
は、７５０℃で１５分間通電加熱処理を行った。

【０１４９】（Ｄ−５１）．蒸発型ゲッタを誘導加熱に
より加熱し、Ｂａを蒸発活性化させた。

【０１５０】（Ｄ−６）．気密容器加熱装置をセットし
て、気密容器のベーキング脱ガス処理を行った。ベーキ
ング温度は１５０℃とした。昇温速度は毎分２℃とし
た。

【０１５１】（Ｄ−７）．気密容器の温度が１５０℃に
なった後、８時間保持し、ベーキングを行った。

【０１５２】（Ｄ−８）．気密容器を毎分２℃で降温
し、室温まで冷却した。

【０１５３】以上のように作成した画像表示装置内の圧
力を封止工程以降測定した。その結果を比較例とともに
図１１に示す。また、比較例は、気密容器内の脱ガス工
程を以下の手順で行った場合のものである。

【０１５４】（比較例５）（気密容器内の脱ガス工程） （Ｄ−１） 気密容器のベーキング脱ガス処理を行っ
た。ベーキング温度が３００℃とした。昇温温度は毎分
２℃とした。

【０１５５】（Ｄ−２） 気密容器の温度を３００℃に
１０時間保持し、ベーキングを行った。

【０１５６】（Ｄ−３） ベーキング終了後、気密容器
を毎分２℃で降温し、室温まで冷却した。

【０１５７】（Ｄ−４） 気密容器加熱装置をはずし
て、排気管１１の一部を加熱溶解して、封止を行った。

【０１５８】（Ｄ−５） 非蒸発型ゲッタの通電用導入
端子２および３に電流を流し、非蒸発型ゲッタの活性化
を行った。非蒸発型ゲッタの活性化温度が本実施例では
７５０℃、１５分間通電か熱処理を行った。

【０１５９】本実施例における装置の製造工程は、実施
例１において説明した２度目のベーキング工程の前に蒸
発型ゲッタの活性化工程を行う。そのため、２度目のベ
ーク温度が低くても実施例１と同様の効果が得られるた
め、装置の製造時間を短縮することができる。

【０１６０】［実施例６］本発明の第６の実施例は、非
蒸発型ゲッタ工程と蒸発型ゲッタ工程とによって気密容
器内を真空にし、気密容器内の脱ガス工程以外は実施例
２と同様に表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装
置を作成した。

【０１６１】非蒸発型ゲッタとしては、Ｔｉを主成分と
し、Ｚｒ、ＶおよびＦｅからなる合金を用いて、蒸発型
ゲッタとしては、Ｂａを用いた。

【０１６２】気密容器内の脱ガス工程のフローチャート
を図１２に示す。

【０１６３】（Ｄ−１）．気密容器加熱装置をセットし
て、気密容器のベーキング脱ガス処理を行った。ベーキ
ング温度は３００℃とした。昇温速度は毎分２℃とし
た。

【０１６４】（Ｄ−２）．気密容器の温度が３００℃に
なった後、１０時間保持し、ベーキングを行った。

【０１６５】（Ｄ−３）．気密容器を毎分２℃で降温
し、室温まで冷却した。

【０１６６】（Ｄ−４）．気密容器加熱装置をはずし
て、排気管１１および排気管１２の一部を加熱溶融し
て、封止を行った。

【０１６７】（Ｄ−５）．非蒸発型ゲッタの通電用導入
端子２および３に電流を流し、非蒸発型ゲッタの脱ガス
処理および活性化を行った。非蒸発型ゲッタの活性化温
度は非蒸発型ゲッタによって決定されるが本実施例で
は、７５０℃で１５分間通電加熱処理を行った。

【０１６８】（Ｄ−６）．気密容器加熱装置をセットし
て、気密容器のベーキング脱ガス処理を行った。ベーキ
ング温度は３００℃とした。昇温速度は毎分２℃とし
た。

【０１６９】（Ｄ−７）．気密容器の温度が３００℃に
なった後、４時間保持し、ベーキングを行った。

【０１７０】（Ｄ−８）．気密容器を毎分２℃で降温
し、室温まで冷却した。

【０１７１】（Ｄ−９）．蒸発型ゲッタを誘導加熱によ
り加熱し、Ｂａを蒸発活性化させた。

【０１７２】（Ｄ−１０）．再度、非蒸発型ゲッタの通
電用導入端子２および３に電流を流し、非蒸発型ゲッタ
の脱ガス処理および活性化を行った。非蒸発型ゲッタの
活性化温度は本実施例では、７５０℃で１５分間通電加
熱処理を行った。

【０１７３】以上のように作成した画像表示装置内の電
子放出特性の経時変化を測定した。その結果を比較例と
共に図１３に示す。図１３において、縦軸はＩｅ／Ｉｅ
₀を示し、横軸は駆動時間を示す。

【０１７４】比較例は、気密容器内の脱ガス工程を以下
の手順で行ったものである。

【０１７５】（比較例６）（気密容器内の脱ガス工程） （Ｄ−１） 気密容器のベーキング脱ガス処理を行っ
た。ベーキング温度が３００℃とした。昇温温度は毎分
２℃とした。

【０１７６】（Ｄ−２） 気密容器の温度を３００℃に
１０時間保持し、ベーキングを行った。

【０１７７】（Ｄ−３） ベーキング終了後、気密容器
を毎分２℃で降温し、室温まで冷却した。

【０１７８】（Ｄ−４） 気密容器加熱装置をはずし
て、排気管１１の一部を加熱溶解して、封止を行った。

【０１７９】（Ｄ−５） 非蒸発型ゲッタの通電用導入
端子２および３に電流を流し、非蒸発型ゲッタの活性化
を行った。非蒸発型ゲッタの活性化温度が本実施例では
７５０℃、１５分間通電か熱処理を行った。

【０１８０】図１３より、蛍光体２８の輝度を決定する
Ｉｅ／Ｉｅ₀が本実施例で作成された画像表示装置の方
が比較例に比べ安定していることがわかる。

【０１８１】本実施例では、実施例２において説明した
製造方法に、さらに、２度目のベーキング工程の後に蒸
発型ゲッタの活性化工程を行う。したがって、実施例５
と同様に、実施例２の製造工程によって製造した装置よ
りも高真空な気密容器を備えた画像表示装置を実現でき
る。

【０１８２】［実施例７］本発明の第７の実施例とし
て、図１４に示す構成の画像表示装置を作成した。本実
施例では、冷陰極電子放出素子である電界放出素子を電
子放出素子として、複数個リアプレートに形成し、さら
にフェイスプレートやリアプレートの厚みを減じて軽量
化を図るために大気圧支持部材としてスペーサ１１６を
設置した。フェイスプレートには、蛍光体を設置し、有
効表示エリアを対角１０インチとする縦と横の比が３：
４のカラー画像表示装置を作成した。

【０１８３】図１４において、１１１はリアプレート、
１１２はフェイスプレート、１１３は陰極、１１４はゲ
ート電極、１１５はゲート／陰極間の絶縁層である。

【０１８４】図１５は電界放出型電子放出素子を利用し
た画像表示装置の構成図である。図１５において、１１
６はスペーサ、１２８、１２９は排気管，１３１は非蒸
発型ゲッタ、１３４は蒸発型ゲッタである。なお、フェ
イスプレート１１２、リアプレート１１１間の間隙は
１．５ｍｍである。１３１は非蒸発型ゲッタ、１３４は
蒸発型ゲッタである。

【０１８５】非蒸発型ゲッタとしては、Ｔｉを主成分と
し、Ｚｒ、ＶおよびＦｅからなる合金を用いて、蒸発型
ゲッタとしては、Ｂａを用いた。

【０１８６】つぎに、図１４を用いて本発明の画像表示
装置の製造方法について説明する。本実施例では、実施
例６において説明した製造工程を用いて画像表示装置を
製造した。なお、符号は、図１４、図１５において説明
したものと同一のものを用いて説明する。

【０１８７】（リアプレートの作成） （Ｒ−１）．青板ガラスを洗浄し、公知の方法によっ
て、図１４に示す陰極（エミッタ）１１３、ゲート電極
１１４、配線等を作成した。なお、陰極材料はＭｏとし
た。

【０１８８】（Ｒ−２）．支持枠１１６を固定するため
のフリットガラスを印刷によって所望の位置に形成し
た。

【０１８９】以上の工程により、単純マトリクス配線し
た電界放出型電子放出素子１１３、支持枠１１６用の接
着材等が形成されたリアプレート１１１を作成した。

【０１９０】（フェイスプレートの作成） （Ｆ−１）．青板ガラス基板に蛍光体、黒色導電体を印
刷法により形成した。蛍光膜の内面側表面の平滑性処理
を行い、その後Ａｌを真空蒸着法等を用いて堆積させメ
タルバックを形成した。

【０１９１】（Ｆ−２）．支持枠１１６を固定するため
のフリットガラスを印刷法により所望の位置に形成し
た。

【０１９２】以上の工程により、３原色の蛍光体がスト
ライプ状に配設された蛍光体、および支持枠用の接着材
等をフェイスプレート１１２に形成した。

【０１９３】（リアプレートおよびフェイスプレート封
着による気密容器１００の作成） （ＦＲ−１）．リアプレート１１１をＸ，Ｙ，θの調整
ステージ上のホットプレート上に保持し、フェイスプレ
ート１１２の位置合わせを行いながら封着温度までリア
プレート１１１およびフェイスプレート１１２を昇温さ
せた。

【０１９４】封着温度は、フリットガラスによって決定
されるが、本実施例では、封着温度は４６０℃であっ
た。封着温度まで昇温させた段階で、Ｘ，Ｙ，θの調整
ステージにより、リアプレート１１１とフェイスプレー
ト１１２の位置合わせを行いながら支持枠１１６を接触
させ、加圧しながら１０分間保持した後、毎分３℃で温
度を下げていき、封着温度から１００℃下げたところで
位置合わせを中止して、ステージをフリーにし、室温ま
で下げた。

【０１９５】（真空プロセス） （Ｓ−１）．前述したように作成された気密容器１００
のフェイスプレート１１２上にある排気管１２９に全圧
計を設置し、かつ排気管１２８を真空排気装置（不図
示）に接続し、気密容器内を真空に排気した。

【０１９６】（気密容器内の脱ガス工程）気密容器内の
脱ガス工程のフローチャートを図１６に示す。

【０１９７】（Ｄ−１）．図示しない気密容器加熱装置
をセットして、気密容器のベーキング脱ガス処理を行っ
た。ベーキング温度は３００℃とした。昇温速度は毎分
２℃とした。

【０１９８】（Ｄ−２）．気密容器の温度が３００℃に
なった後、１０時間保持し、ベーキングを行った。

【０１９９】（Ｄ−３）．気密容器を毎分２℃で降温
し、室温まで冷却した。

【０２００】（Ｄ−４）．気密容器加熱装置をはずし
て、排気管１２８および排気管１２９の一部を加熱溶融
して、封止を行った。

【０２０１】（Ｄ−５）．非蒸発型ゲッタ１３１の通電
用導入端子（図示せず）に電流を流し、非蒸発型ゲッタ
１３１の脱ガス処理および活性化を行った。非蒸発型ゲ
ッタ１３１の活性化温度は、非蒸発型ゲッタ１３１によ
って決定されるが本実施例では、７５０℃で１５分間通
電加熱処理を行った。

【０２０２】（Ｄ−６）．気密容器加熱装置をセットし
て、気密容器のベーキング脱ガス処理を行った。ベーキ
ング温度は３００℃とした。昇温速度は毎分２℃とし
た。

【０２０３】（Ｄ−７）．気密容器の温度が３００℃に
なった後、４時間保持し、ベーキングを行った。

【０２０４】（Ｄ−８）．気密容器を毎分２℃で降温
し、室温まで冷却した。

【０２０５】（Ｄ−９）．蒸発型ゲッタ１３４を誘導加
熱により加熱し、Ｂａを蒸発活性化させた。

【０２０６】（Ｄ−１０）．再度、非蒸発型ゲッタ１３
１の通電用導入端子（図示せず）に電流を流し、非蒸発
型ゲッタの活性化を行った。非蒸発型ゲッタの活性化温
度は本実施例では、７５０℃で１５分間通電加熱処理を
行った。

【０２０７】以上のように作成した画像表示装置内の圧
力を封止工程以降測定した。その結果を図１７に示し
た。また、比較例として、気密容器内の脱ガス工程を以
下の手順で行った場合の気密容器内の圧力の測定結果を
図１７に示す。

【０２０８】（比較例７）（気密容器内の脱ガス工程） 非蒸発型ゲッタのみ用いた場合の気密容器内の脱ガス工
程のフローチャートを図１８に示す。

【０２０９】（Ｄ−１） 気密容器加熱層とをセットし
て、気密容器のベーキング脱ガス処理を行った。ベーキ
ング温度が３００℃とした。昇温温度は毎分２℃とし
た。

【０２１０】（Ｄ−２） 気密容器の温度を３００℃に
１０時間保持し、ベーキングを行った。

【０２１１】（Ｄ−３） ベーキング終了後、気密容器
を毎分２℃で降温し、室温まで冷却した。

【０２１２】（Ｄ−４） 気密容器加熱装置をはずし
て、排気管１２８および排気管１２９の一部を加熱溶解
して、封止を行った。

【０２１３】（Ｄ−５） 非蒸発型ゲッタ１３１の通電
用導入端子に電流を流し、非蒸発型ゲッタの活性化を行
った。非蒸発型ゲッタの活性化温度が本実施例では７５
０℃、１５分間通電加熱処理を行った。

【０２１４】図１７より、本実施例の気密容器の真空度
が初期状態から低真空でしかも長時間安定で低真空状態
を維持していることがわかる。比較例では、ある時間か
ら圧力が急激に上昇してしまう。これは、従来での気密
容器内の放出ガスレートが本実施例に比べて大きいた
め、非蒸発型ゲッタの寿命がきたためと考えられる。

【０２１５】

【発明の効果】電子放出素子は、気密容器内の真空雰囲
気によって安定性が左右される。そのため、素子の安定
性を阻害するガス種である水、酸素等のガスを極力少な
くする必要がある。

【０２１６】本発明では、気密容器の封止後に、気密容
器内の非蒸発型ゲッタを活性化して、気密容器内のベー
キングを行うことにより、真空表面の放出ガス量Ｑが小
さくなり、気密容器内の圧力Ｐを下げることができるた
め、速やかに高真空に達し、かつ高真空が維持される。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１、２のプロセスのフローチャート

【図２】表面伝導型電子放出素子を利用した画像表示装
置の斜視図

【図３】表面伝導型電子放出素子の構成を示す概略図

【図４】実施例１、２の非蒸発型ゲッタの温度依存によ
る吸着特性を示すグラフ

【図５】実施例１、２および比較例で作成された電界放
出型電子放出素子を用いた気密容器内の圧力の経時変化
を示す図

【図６】比較例のプロセスのフローチャート

【図７】実施例２および比較例での電子放出特性の経時
変化を示す図

【図８】実施例３のプロセスのフローチャート

【図９】実施例４のプロセスのフローチャート

【図１０】実施例５のプロセスのフローチャート

【図１１】実施例５および比較例で作成された電界放出
型電子放出素子を用いた気密容器内の圧力の経時変化を
示す図

【図１２】実施例６のプロセスのフローチャート

【図１３】実施例６および比較例で作成された電子放出
素子を用いた気密容器内の圧力の経時変化を示す図

【図１４】電界放出型電子放出素子の構成を示す概略図

【図１５】実施例７の電界放出型電子放出素子を利用し
た画像表示装置の構成を示す概略図

【図１６】実施例７のプロセスのフローチャート

【図１７】実施例７および比較例で作成された電界放出
型電子放出素子を用いた気密容器内の圧力の経時変化を
示す図

【図１８】従来例のプロセスのフローチャート

【符号の説明】

１，１３１ 非蒸発型ゲッタ ２，３ 電流導入端子 ４，１３４ 蒸発型ゲッタ ２２ 表面伝導型電子放出素子 ２３ 行方向配線（上配線） ２４ 列方向配線（下配線） ２５，１１１ リアプレート ２６ 支持枠 ２７，１１２ フェイスプレート ３２，３３ 素子電極 ３４ 導電性薄膜 ３５ 電子放出部 １１３ 陰極 １１４ ゲート電極 １１５ 絶縁層 １２７ スペーサ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子放出素子と、画像形成部材と、非蒸
   発型ゲッタとを有する気密容器を備えた画像形成装置の
   製造方法であって、 前記気密容器を封止する工程の後に、 前記非蒸発型ゲッタを活性化するステップと、 前記気密容器を再度ベーキングするステップとを有する
   ことを特徴とする画像形成装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の画像形成装置の製造方法
   であって、 前記気密容器をベーキングするステップの前と後とに、
   前記非蒸発型ゲッタを活性化するステップを有すること
   を特徴とする画像形成装置の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の画像形成装置の製
   造方法であって、 前記封止する工程は、劣化ガスが入っても劣化しない温
   度で封止することを特徴とする画像形成装置の製造方
   法。
4. 【請求項４】 電子放出素子と、画像形成部材と、非蒸
   発型ゲッタと、蒸発型ゲッタとを有する気密容器を備え
   た画像形成装置の製造方法であって、 前記気密容器を封止する工程の後に、 前記非蒸発型ゲッタを活性化するステップと、 前記蒸発型ゲッタを蒸発させて活性化するステップと、 前記気密容器をベーキングするステップとを有すること
   を特徴とする画像形成装置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項４記載の画像形成装置の製造方法
   であって、 前記気密容器を封止する工程の後に、 前記非蒸発型ゲッタを活性化するステップと、 前記気密容器をベーキングするステップと、 前記蒸発型ゲッタを蒸発させて活性化するステップと、 再度、前記非蒸発型ゲッタを活性化するステップとを有
   することを特徴とする画像形成装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の画
   像形成装置の製造方法であって、 前記電子放出素子を冷陰極型電子放出素子とすることを
   特徴とする画像形成装置の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の画
   像形成装置の製造方法であって、 前記電子放出素子を電界放出型電子放出素子とすること
   を特徴とする画像形成装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の画
   像形成装置の製造方法であって、 前記電子放出素子を表面伝導型電子放出素子とすること
   を特徴とする画像形成装置の製造方法。
9. 【請求項９】 電子放出素子と、画像形成部材と、非蒸
   発型ゲッタとを有する気密容器を備えた画像形成装置の
   製造方法であって、 前記気密容器をベーキングする工程と、 前記気密容器を封止する工程の後に、 前記非蒸発型ゲッタを活性化するステップと、 前記気密容器を再度ベーキングするステップとを有する
   ことを特徴とする画像形成装置の製造方法。