JP2002260921A - ＦｅＣｏＮｉＮ系軟磁性薄膜合金組成物 - Google Patents
ＦｅＣｏＮｉＮ系軟磁性薄膜合金組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 追加的な熱処理工程などを経ることなくスパ
ッタリング法により高飽和磁束密度及び高周波領域にて
優れた軟磁気特性を有し、また優れた腐食抵抗特性を有
する超微細結晶構造の新たなＦｅＣｏＮｉＮ系軟磁性薄
膜合金組成物を提供する。 【解決手段】 一般式ＦｅxＣｏyＮｉzＮvで表され、
ｘ，ｙ，ｚ，ｖはそれぞれ原子％で、４１≦ｘ≦５５、
１８≦ｙ≦２７、１９≦ｚ≦３２、０＜ｖ≦５（但し、
ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＝１００）で示される高飽和磁束密度と
高透磁率のＦｅＣｏＮｉＮ系超微細結晶軟磁性薄膜合金
に関し、本発明による鉄系超微細結晶軟磁性薄膜合金は
既存の軟磁性薄膜合金より製造方法が簡単で高周波軟磁
気特性が遥かに優れている。
ッタリング法により高飽和磁束密度及び高周波領域にて
優れた軟磁気特性を有し、また優れた腐食抵抗特性を有
する超微細結晶構造の新たなＦｅＣｏＮｉＮ系軟磁性薄
膜合金組成物を提供する。 【解決手段】 一般式ＦｅxＣｏyＮｉzＮvで表され、
ｘ，ｙ，ｚ，ｖはそれぞれ原子％で、４１≦ｘ≦５５、
１８≦ｙ≦２７、１９≦ｚ≦３２、０＜ｖ≦５（但し、
ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＝１００）で示される高飽和磁束密度と
高透磁率のＦｅＣｏＮｉＮ系超微細結晶軟磁性薄膜合金
に関し、本発明による鉄系超微細結晶軟磁性薄膜合金は
既存の軟磁性薄膜合金より製造方法が簡単で高周波軟磁
気特性が遥かに優れている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は鉄系軟磁性薄膜合金
組成物に係り、より詳しくはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの３元系
を基本組成とする軟磁性薄膜に反応性スパッタリングを
用いて窒素を添加したものであって、特に数百ＭＨｚ帯
域までの優れた高周波特性と腐食抵抗特性を示すＦｅＣ
ｏＮｉＮ系軟磁性薄膜合金組成物に関する。
組成物に係り、より詳しくはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの３元系
を基本組成とする軟磁性薄膜に反応性スパッタリングを
用いて窒素を添加したものであって、特に数百ＭＨｚ帯
域までの優れた高周波特性と腐食抵抗特性を示すＦｅＣ
ｏＮｉＮ系軟磁性薄膜合金組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、情報産業機器の高周波化及び高集
積化の趨勢に従ってそれに用いられる各種の電子部品の
小型化及び表面実装化が持続的に為されているが、コン
ピューターなどの各種の情報記録機器に用いられている
磁気ヘッドは、磁気コアとして用いられる軟磁性材料の
磁気的特性の限界のため、高機能化及び高周波化に多く
の制約が伴う。特に各種の電子部品に用いられる変圧
器、インダクタなどの磁気素子は現在に至るまでも殆ど
が容積の大きいコア形態が用いられおり当該技術の発展
において大きな障害となっているのが実状である。従っ
て、高周波特性の優れた軟磁性薄膜材料の開発はこのよ
うな磁気素子の軽薄短小化のために必ず必要である。
積化の趨勢に従ってそれに用いられる各種の電子部品の
小型化及び表面実装化が持続的に為されているが、コン
ピューターなどの各種の情報記録機器に用いられている
磁気ヘッドは、磁気コアとして用いられる軟磁性材料の
磁気的特性の限界のため、高機能化及び高周波化に多く
の制約が伴う。特に各種の電子部品に用いられる変圧
器、インダクタなどの磁気素子は現在に至るまでも殆ど
が容積の大きいコア形態が用いられおり当該技術の発展
において大きな障害となっているのが実状である。従っ
て、高周波特性の優れた軟磁性薄膜材料の開発はこのよ
うな磁気素子の軽薄短小化のために必ず必要である。
【０００３】従来用いられていた代表的な軟磁性材料と
してはＦｅＡｌＳｉ系のセンダスト合金、ＮｉＦｅ系の
パーマロイ合金及びＣｏ系の非晶質合金などがある。し
かし、これらの材料は飽和磁束密度が低く高周波特性が
良くないため高周波用薄膜磁気素子への応用には限界が
ある。従って、最近超微細結晶のＦｅ系軟磁性薄膜を中
心とした様々な種類の軟磁性薄膜が開発されているが、
それらは大体において飽和磁束密度は高いが高周波特性
及び腐食特性が良くないため実際応用するにおいて多く
の問題点を有する。
してはＦｅＡｌＳｉ系のセンダスト合金、ＮｉＦｅ系の
パーマロイ合金及びＣｏ系の非晶質合金などがある。し
かし、これらの材料は飽和磁束密度が低く高周波特性が
良くないため高周波用薄膜磁気素子への応用には限界が
ある。従って、最近超微細結晶のＦｅ系軟磁性薄膜を中
心とした様々な種類の軟磁性薄膜が開発されているが、
それらは大体において飽和磁束密度は高いが高周波特性
及び腐食特性が良くないため実際応用するにおいて多く
の問題点を有する。
【０００４】本発明者らは１００ＭＨｚ帯域まで高周波
特性を維持しながら１９〜２１ｋＧの高い飽和磁束密度
を有し、また優れた軟磁気特性を有するスパッタリング
法で作製したＦｅＣｏＮｉ系薄膜について研究した。し
かし、前記薄膜は比抵抗と磁気異方性値が相当低く１０
０ＭＨｚ以上の領域では透磁率値が急激に低下する問題
を惹起した。
特性を維持しながら１９〜２１ｋＧの高い飽和磁束密度
を有し、また優れた軟磁気特性を有するスパッタリング
法で作製したＦｅＣｏＮｉ系薄膜について研究した。し
かし、前記薄膜は比抵抗と磁気異方性値が相当低く１０
０ＭＨｚ以上の領域では透磁率値が急激に低下する問題
を惹起した。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記従来の技
術の問題点を改善するために案出されたものであり、追
加的な熱処理工程などを経ることなくスパッタリング法
により直接１６ｋＧ以上の高い飽和磁束密度及び１００
ＭＨｚ以上の高周波領域にて優れた軟磁気特性を有し、
また優れた腐食抵抗特性を有する超微細結晶構造の新た
なＦｅＣｏＮｉＮ系軟磁性薄膜合金組成物を提供するこ
とにその目的がある。
術の問題点を改善するために案出されたものであり、追
加的な熱処理工程などを経ることなくスパッタリング法
により直接１６ｋＧ以上の高い飽和磁束密度及び１００
ＭＨｚ以上の高周波領域にて優れた軟磁気特性を有し、
また優れた腐食抵抗特性を有する超微細結晶構造の新た
なＦｅＣｏＮｉＮ系軟磁性薄膜合金組成物を提供するこ
とにその目的がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記の如くの目的を達成
するために、本発明によると、一般式ＦｅxＣｏyＮｉ z
Ｎv（ここで、ｘ，ｙ，ｚ，ｖはそれぞれ原子％で、４
１≦ｘ≦５５、１８≦ｙ≦２７、１９≦ｚ≦３２、０＜
ｖ≦５（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＝１００））で表される
ことを特徴とするＦｅＣｏＮｉＮ系軟磁性薄膜合金組成
物を提供する。
するために、本発明によると、一般式ＦｅxＣｏyＮｉ z
Ｎv（ここで、ｘ，ｙ，ｚ，ｖはそれぞれ原子％で、４
１≦ｘ≦５５、１８≦ｙ≦２７、１９≦ｚ≦３２、０＜
ｖ≦５（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＝１００））で表される
ことを特徴とするＦｅＣｏＮｉＮ系軟磁性薄膜合金組成
物を提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の合金組成物において、Ｆ
ｅ，Ｃｏ及びＮｉが前記の組成範囲外になると軟磁気特
性や高周波特性が劣るため望ましくない。
ｅ，Ｃｏ及びＮｉが前記の組成範囲外になると軟磁気特
性や高周波特性が劣るため望ましくない。
【０００８】本発明においては、ＦｅＣｏＮｉ系軟磁性
合金の腐食特性と結晶粒微細化のために添加される窒素
の量を、合金組成物の全体を基準として５原子％以下に
制限したが、これを超過すると飽和磁束密度と実効透磁
率などのような軟磁気特性が劣るため望ましくない。
合金の腐食特性と結晶粒微細化のために添加される窒素
の量を、合金組成物の全体を基準として５原子％以下に
制限したが、これを超過すると飽和磁束密度と実効透磁
率などのような軟磁気特性が劣るため望ましくない。
【０００９】本発明のＦｅＣｏＮｉＮ系軟磁性薄膜合金
はスパッタリング法やそれ以外の物理的気相蒸着法によ
り製造される。スパッタリング法による製造工程を概略
的に説明すると次のとおりである。
はスパッタリング法やそれ以外の物理的気相蒸着法によ
り製造される。スパッタリング法による製造工程を概略
的に説明すると次のとおりである。
【００１０】スパッタリング装置内部のＦｅターゲット
上にＣｏ及びＮｉの小片を円形に配置し、不活性スパッ
タリングガス（アルゴンガス）中にＮ2ガスを全投入ガ
ス量の１〜１０％の範囲で含むガス雰囲気下にてスパッ
タリングすることにより薄膜が形成される。このように
スパッタリングして得られた薄膜について、別途の熱処
理過程を経ることなしに、磁気的特性と高周波特性、お
よび腐食抵抗特性を調査した。スパッタリングにより製
造されたこの薄膜は、蒸着状態でα−ＦｅＣｏ，α−Ｃ
ｏなどの構造がナノサイズの結晶粒で形成され、優れた
軟磁気特性を示していることを確認した。また、形成さ
れた微細組織はＮ2の添加による比抵抗の急激な増加及
びα−Ｃｏなどのｈｃｐ構造の形成による磁気異方性エ
ネルギーの増加により、遷移元素を添加した同一サイズ
の結晶粒組織を有する他の軟磁性合金より遥かに優れた
高周波透磁率を示した。本発明にて行ったスパッタリン
グ条件の例を表１に示した。
上にＣｏ及びＮｉの小片を円形に配置し、不活性スパッ
タリングガス（アルゴンガス）中にＮ2ガスを全投入ガ
ス量の１〜１０％の範囲で含むガス雰囲気下にてスパッ
タリングすることにより薄膜が形成される。このように
スパッタリングして得られた薄膜について、別途の熱処
理過程を経ることなしに、磁気的特性と高周波特性、お
よび腐食抵抗特性を調査した。スパッタリングにより製
造されたこの薄膜は、蒸着状態でα−ＦｅＣｏ，α−Ｃ
ｏなどの構造がナノサイズの結晶粒で形成され、優れた
軟磁気特性を示していることを確認した。また、形成さ
れた微細組織はＮ2の添加による比抵抗の急激な増加及
びα−Ｃｏなどのｈｃｐ構造の形成による磁気異方性エ
ネルギーの増加により、遷移元素を添加した同一サイズ
の結晶粒組織を有する他の軟磁性合金より遥かに優れた
高周波透磁率を示した。本発明にて行ったスパッタリン
グ条件の例を表１に示した。
【００１１】
【表１】 以下に本発明を実施の形態を通して具体的に説明する。
【００１２】＜実施例＞高周波２極マグネトロンスパッ
タリング装置により各種の組成のＦｅＣｏＮｉＮ系薄膜
を厚さ５００ｎｍ〜６００ｎｍに形成した。薄膜の組成
を変化させるためにＦｅターゲット上にＣｏとＮｉの小
片をピンホール形に配置し、各小片の数を変化させＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉの組成比を調節した。Ｎ2の量はＡｒガ
スに混合されるＮ2の流量比を調節し、反応性スパッタ
リングを実施した。
タリング装置により各種の組成のＦｅＣｏＮｉＮ系薄膜
を厚さ５００ｎｍ〜６００ｎｍに形成した。薄膜の組成
を変化させるためにＦｅターゲット上にＣｏとＮｉの小
片をピンホール形に配置し、各小片の数を変化させＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉの組成比を調節した。Ｎ2の量はＡｒガ
スに混合されるＮ2の流量比を調節し、反応性スパッタ
リングを実施した。
【００１３】この時、投入される電力量と混合ガス中の
Ｎ2量を調節し蒸着状態でナノサイズの超微細結晶粒構
造を有する薄膜を製造し、この時形成された超微細結晶
粒組織により薄膜は優れた軟磁気特性を示した。蒸着時
に投入された電力量は４５０Ｗで、Ｎ2分圧は１〜１０
％であった。製造された薄膜試片の組成と磁気的特性を
表２に示した。保磁力（Ｈｃ）と飽和磁束密度（Ｍｓ）
は振動試料型磁束計（ＶＳＭ）で測定し、透磁率（μ
eff）はネットワーク分析器とｓ−媒介変数を使用して
７００ＭＨｚまで測定可能な高周波透磁率測定装置を用
いて測定した。比抵抗値は４端子法を用いて測定し、薄
膜試片の組成は電子プローブ微量分析器を用いて調査し
た。
Ｎ2量を調節し蒸着状態でナノサイズの超微細結晶粒構
造を有する薄膜を製造し、この時形成された超微細結晶
粒組織により薄膜は優れた軟磁気特性を示した。蒸着時
に投入された電力量は４５０Ｗで、Ｎ2分圧は１〜１０
％であった。製造された薄膜試片の組成と磁気的特性を
表２に示した。保磁力（Ｈｃ）と飽和磁束密度（Ｍｓ）
は振動試料型磁束計（ＶＳＭ）で測定し、透磁率（μ
eff）はネットワーク分析器とｓ−媒介変数を使用して
７００ＭＨｚまで測定可能な高周波透磁率測定装置を用
いて測定した。比抵抗値は４端子法を用いて測定し、薄
膜試片の組成は電子プローブ微量分析器を用いて調査し
た。
【００１４】その結果、総ガス投入量の内、窒素の分圧
が２〜５％の範囲にて優れた軟磁気特性と高周波特性を
示した。
が２〜５％の範囲にて優れた軟磁気特性と高周波特性を
示した。
【００１５】窒素の分圧による飽和磁束密度と保磁力と
の変化を図１及び図２に示した。飽和磁束密度は窒素分
圧が増加するにつれてだんだんと減少し、保磁力は窒素
分圧が増加するにつれてだんだんと減少し窒素分圧が４
％の時に最小値を示した後、それ以上の窒素分圧では再
び増加することを確認することができる。
の変化を図１及び図２に示した。飽和磁束密度は窒素分
圧が増加するにつれてだんだんと減少し、保磁力は窒素
分圧が増加するにつれてだんだんと減少し窒素分圧が４
％の時に最小値を示した後、それ以上の窒素分圧では再
び増加することを確認することができる。
【００１６】図３は窒素分圧による比抵抗値の変化を示
す。窒素分圧の増加によって比抵抗値が急激に増加す
る。
す。窒素分圧の増加によって比抵抗値が急激に増加す
る。
【００１７】また、窒素分圧が４％の時のＦｅＣｏＮｉ
Ｎ系薄膜とＦｅＣｏＮｉ系薄膜との実効透磁率値の高周
波特性を比べて図４に示した。ここでμeffはμeff＝
μ’−ｊμ”として示される実効透磁率を意味し、μ”
は実効透磁率の磁気的損失を意味する。図４を見ると、
ＦｅＣｏＮｉＮ系薄膜の実効透磁率値は１００ＭＨｚ以
下の周波数では多少小さいが、２００ＭＨｚ以上の周波
数ではずっと大きいことが示されている。
Ｎ系薄膜とＦｅＣｏＮｉ系薄膜との実効透磁率値の高周
波特性を比べて図４に示した。ここでμeffはμeff＝
μ’−ｊμ”として示される実効透磁率を意味し、μ”
は実効透磁率の磁気的損失を意味する。図４を見ると、
ＦｅＣｏＮｉＮ系薄膜の実効透磁率値は１００ＭＨｚ以
下の周波数では多少小さいが、２００ＭＨｚ以上の周波
数ではずっと大きいことが示されている。
【００１８】また、図５には窒素分圧による薄膜試片の
腐食抵抗の特性変化を示した。ここで、Ｅ ｖｓ ＳＣ
Ｅは腐食抵抗測定の時に使用される基準電極である飽和
カロメル電極に対する電位を意味する。図５から分かる
ように、窒素分圧が増加するにつれて腐食抵抗特性が向
上している。
腐食抵抗の特性変化を示した。ここで、Ｅ ｖｓ ＳＣ
Ｅは腐食抵抗測定の時に使用される基準電極である飽和
カロメル電極に対する電位を意味する。図５から分かる
ように、窒素分圧が増加するにつれて腐食抵抗特性が向
上している。
【００１９】図６は窒素分圧がそれぞれ２％、４％の時
の薄膜の超微細結晶構造を透過電子顕微鏡で観察したも
のである。ＢＦは明視野像（ｂｒｉｇｈｔ ｆｉｅｌｄ
ｉｍａｇｅ）を、そしてＤＦは暗視野像（ｄａｒｋ
ｆｉｅｌｄ ｉｍａｇｅ）を意味する。そして、ＳＡＤ
は制限視野回折像（ｓｅｌｅｃｔｅｄ ａｒｅａ ｄｉ
ｆｆｒａｃｔｉｏｎ ｉｍａｇｅ）で、情報を得ようと
する試料の特定な領域だけを拡大して得た像である。本
発明の薄膜合金の微細組織はα−Ｃｏ，α−ＦｅＣｏ及
びＮｉＦｅの結晶構造からなっており、結晶粒サイズが
１０−２０ｎｍ程であり、特に窒素分圧が４％の時に更
に微細な結晶粒を示していることが分かる。
の薄膜の超微細結晶構造を透過電子顕微鏡で観察したも
のである。ＢＦは明視野像（ｂｒｉｇｈｔ ｆｉｅｌｄ
ｉｍａｇｅ）を、そしてＤＦは暗視野像（ｄａｒｋ
ｆｉｅｌｄ ｉｍａｇｅ）を意味する。そして、ＳＡＤ
は制限視野回折像（ｓｅｌｅｃｔｅｄ ａｒｅａ ｄｉ
ｆｆｒａｃｔｉｏｎ ｉｍａｇｅ）で、情報を得ようと
する試料の特定な領域だけを拡大して得た像である。本
発明の薄膜合金の微細組織はα−Ｃｏ，α−ＦｅＣｏ及
びＮｉＦｅの結晶構造からなっており、結晶粒サイズが
１０−２０ｎｍ程であり、特に窒素分圧が４％の時に更
に微細な結晶粒を示していることが分かる。
【００２０】
【表２】 ＜比較例１＞Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉを基本組成とし添加剤と
して微量のＳを添加し電気めっき法を用いてＦｅＣｏＮ
ｉ系薄膜を堆積して、良好な磁気的特性を有する薄膜を
製造した。磁気的特性は表３の通りである。
して微量のＳを添加し電気めっき法を用いてＦｅＣｏＮ
ｉ系薄膜を堆積して、良好な磁気的特性を有する薄膜を
製造した。磁気的特性は表３の通りである。
【００２１】
【表３】 ＜比較例２＞Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの３元系と電気めっき法
とを用いてＦｅＣｏＮｉ系薄膜を堆積して、良好な磁気
的特性を有する薄膜を製造した。磁気的特性は表４の通
りである。
とを用いてＦｅＣｏＮｉ系薄膜を堆積して、良好な磁気
的特性を有する薄膜を製造した。磁気的特性は表４の通
りである。
【００２２】
【表４】 以上の実施例及び比較例を通して見ると、従来のＦｅＣ
ｏＮｉ系薄膜は１０ＭＨｚ以下の周波数領域でのみ実効
透磁率が維持され、それ以上の周波数領域では軟磁性特
性が非常に低下する。
ｏＮｉ系薄膜は１０ＭＨｚ以下の周波数領域でのみ実効
透磁率が維持され、それ以上の周波数領域では軟磁性特
性が非常に低下する。
【００２３】それと比べて本発明のＦｅＣｏＮｉＮ系薄
膜は約１６〜１９ｋＧ程の値を有しながら保磁力が１．
５〜３Ｏｅ程の低い値を有する優れた軟磁気特性を示
し、６００ＭＨｚまでの高い周波数でも４００〜９００
以上の実効透磁率値を有する非常に優れた高周波特性を
示した。また、これらＦｅＣｏＮｉＮ系薄膜はＮ含量が
増加するにつれて既存のＦｅＣｏＮｉ系薄膜と比べて腐
食抵抗特性が非常に優れていることが示され、素子の製
造工程上信頼性を向上させることができることが分かっ
た。
膜は約１６〜１９ｋＧ程の値を有しながら保磁力が１．
５〜３Ｏｅ程の低い値を有する優れた軟磁気特性を示
し、６００ＭＨｚまでの高い周波数でも４００〜９００
以上の実効透磁率値を有する非常に優れた高周波特性を
示した。また、これらＦｅＣｏＮｉＮ系薄膜はＮ含量が
増加するにつれて既存のＦｅＣｏＮｉ系薄膜と比べて腐
食抵抗特性が非常に優れていることが示され、素子の製
造工程上信頼性を向上させることができることが分かっ
た。
【００２４】本発明は前記実施の形態により具体的に記
述したが、本発明がこれら実施の形態により制限され解
釈されるのではなく、特許請求の範囲に記載の薄膜材料
の組成にてナノサイズの超微細結晶粒を有する様々な製
造方法を変形及び変化させることができる。
述したが、本発明がこれら実施の形態により制限され解
釈されるのではなく、特許請求の範囲に記載の薄膜材料
の組成にてナノサイズの超微細結晶粒を有する様々な製
造方法を変形及び変化させることができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によるＦｅＣｏＮｉＮ系軟磁性薄
膜は高周波磁気特性及び腐食特性が非常に優れているた
めコンピュータＨＤＤの記録用磁気ヘッドコア材料を始
めとする薄膜インダクタなど各種の高周波薄膜磁気素子
のコア材料として広く用いられる。
膜は高周波磁気特性及び腐食特性が非常に優れているた
めコンピュータＨＤＤの記録用磁気ヘッドコア材料を始
めとする薄膜インダクタなど各種の高周波薄膜磁気素子
のコア材料として広く用いられる。
【図１】本発明のＦｅＣｏＮｉＮ系のＮ2分圧による飽
和磁束密度の変化を示すグラフである。
和磁束密度の変化を示すグラフである。
【図２】本発明のＦｅＣｏＮｉＮ系のＮ2分圧による保
磁力の変化を示すグラフである。
磁力の変化を示すグラフである。
【図３】本発明のＦｅＣｏＮｉＮ系のＮ2分圧による比
抵抗の変化を示すグラフである。
抵抗の変化を示すグラフである。
【図４】本発明のＦｅＣｏＮｉＮ系にてＮ2分圧が４％
の時の薄膜の実効透磁率値の高周波特性を示すグラフで
ある。
の時の薄膜の実効透磁率値の高周波特性を示すグラフで
ある。
【図５】本発明のＦｅＣｏＮｉＮ系のＮ2分圧による腐
食抵抗特性の変化を示すグラフである。
食抵抗特性の変化を示すグラフである。
【図６】本発明のＦｅＣｏＮｉＮ系にてＮ2分圧が２
％、４％の時の薄膜の超微細結晶構造を透過電子顕微鏡
で観察した写真である。
％、４％の時の薄膜の超微細結晶構造を透過電子顕微鏡
で観察した写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スク・ヒー・ハン 大韓民国、ソウル、ノウォン−ク、ジュン ゲ １−ドン、コンユン・サード・アパー トメント 310−1504 (72)発明者 キ・ヒョン・キム 大韓民国、ソウル、マポ−ク、ドーワ １ −ドン、ヒュンダイ・アパートメント 101−1305 (72)発明者 ユン・ミュン・キム 大韓民国、ソウル、ノウォン−ク、ジュン ゲ １−ドン、シナン・アパートメント 101−906 Ｆターム(参考） 4K029 AA06 BA26 BC06 BD00 CA06 DC15 DC35 DC39 5E049 AA04 BA12 GC01
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式ＦｅxＣｏyＮｉzＮvで表され、
ｘ，ｙ，ｚ，ｖはそれぞれ原子％で、４１≦ｘ≦５５、
１８≦ｙ≦２７、１９≦ｚ≦３２、０＜ｖ≦５（但し、
ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＝１００）であることを特徴とするＦｅ
ＣｏＮｉＮ系軟磁性薄膜合金組成物。 - 【請求項２】 前記合金組成物の微細組織はα−Ｃｏ、
α−ＦｅＣｏ及びＮｉＦｅの構造を有するナノサイズの
結晶粒で形成されることを特徴とする請求項１に記載の
ＦｅＣｏＮｉＮ系軟磁性薄膜合金組成物。
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