JPH1154275A - 薄膜トランジスタ配列基板上のフルカラー有機エレクトロルミネセンス表示配列にパターン化された有機層 - Google Patents

薄膜トランジスタ配列基板上のフルカラー有機エレクトロルミネセンス表示配列にパターン化された有機層

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JPH1154275A
JPH1154275A JP14905598A JP14905598A JPH1154275A JP H1154275 A JPH1154275 A JP H1154275A JP 14905598 A JP14905598 A JP 14905598A JP 14905598 A JP14905598 A JP 14905598A JP H1154275 A JPH1154275 A JP H1154275A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 二次元薄膜トランジスタ配列基板にフルカラ
ーエレクトロルミネセンス（ＥＬ）表示器の高精度パタ
ーン化有機層を形成する方法を提供する。 【解決手段】 基板は副画素を有し、各副画素は隆起面
部分と底部電極を露出する一つの凹陥面部分を有する。
赤色、緑色、青色のカラー形成有機ＥＬ層は選択された
カラーパターンにより指定された副画素で形成される。
この方法は有機ＥＬ材料の転写可能なコーティングでコ
ーディングとされたドナー支持体を用いる。ドナー支持
体は有機ＥＬ材料が指定された副画素のカラー化された
ＥＬ媒体を形成するために基板の指定された凹陥面部分
に転写するよう加熱される。光マスクあるいは開口マス
クが赤、緑、青の有機ＥＬ媒体を指定されたカラーＥＬ
副画素に選択的に蒸着するよう用いられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】関連する出願の相互参照本発明はＬｉｔｔ
ｍａｎ等による１９９６年４月１６日出願の米国特許出
願０８／６４８７７２、”Ｆｏｒｍｉｎｇ ａｎ Ｏｒ
ｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ
Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ”、Ｔａｎｇ等による１９
９７年１月２４日出願の米国特許出願０８／７８８５３
７、”Ｍｅｔｈｏｄｏｆ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｎｇ Ｏｒ
ｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ ＥｍｉｔｔｉｎｇＤｅｖｉｃ
ｅｓ”、Ｔａｎｇ等による１９９４年１２月１４日出願
の米国特許出願０８／３５５７４２、”ＴＦＴ−ＥＬ
Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ Ｕｓｉｎｇ Ｏｒｇａｎ
ｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｍｅｄ
ｉａ”の開示をここに参考として引用する。
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は画素及び副画素の二
次元薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）能動マトリックスから
なる基板上のフルカラーエレクトロルミネセンス（Ｅ
Ｌ）有機表示器にパターン化された有機層を形成する方
法に関する。
【０００３】
【従来の技術】Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ等による米国特許第５
５５００６６号に開示されているようにＴＦＴ配列基板
上の単色ＥＬ層を堆積されたＥＬ媒体としての有機材料
の使用は液晶表示器（ＬＣＤ）について多くの利点を有
し、これはまたＴＦＴ能動マトリックス配列の使用によ
り一般になされ、又は選択的に可能となる。ＴＦＴ能動
マトリックス配列の製造中にＴａｎｇ等は上面に有機エ
レクトロルミネセンス層の形成の前のＴＦＴ画素を示す
図４、５、６、７に特に示されるようなＴＦＴ配列の多
層設計による実質的にトポロジー的な表面特徴の発明を
なした。単色ＥＬ有機層８２はＴＦＴ画素の表面全体に
沿って均一な厚さで延在するように、上記米国特許第５
５５００６６号の図３、８、９に示され、層として画素
のトポロジー的な特徴と一致する。従来の真空蒸着はＥ
Ｌ有機層を形成する物理的な蒸着方法として用いられ
た。この単色ＥＬ層はパターン化される必要はなかっ
た。何故ならばこの層はそれが透明（ＩＴＯ）陽極底部
電極及び上部電極８４の両方に電気的に接触する画素の
領域でのみ光を出射する。斯くして画素内のＩＴＯ透明
陽極底部電極７２の側方位置はこの単色（モノクロー
ム）デバイスに対して自己パターン化特徴を効果的に提
供する。各画素はまた透明陽極底部電極である隆起表面
部分を有する。そのような画素の二次元配列では各画素
の表面領域全体にわたり等写（コンフォーマル）ＥＬ層
を形成する単一の色を堆積することは製造の簡単化の点
からは利点である。何故ならばそのような単色形成ＥＬ
層はパターン化される必要はないからである。
【０００４】しかしながらフルカラー表示器に対しては
ＥＬ表示器の各画素を赤色、緑色、又は青色を形成可能
な三色の副画素にパターン化する適切な方法を提供する
ことが必要となる。本発明はフルカラー有機ＥＬ表示器
を形成するためにＴＦＴのトポロジー的な表面の特徴の
利点を用いたパターン化のそのような方法を提供する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はフルカ
ラー有機ＥＬ表示器を形成する方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一つの特徴に於
いて、この目的は ａ） 複数の画素を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
の配列を含むエレクトロルミネセンス（ＥＬ）表示器用
の基板を設け； ｂ） 赤色、緑色、青色のカラーＥＬ副画素として指定
された副画素を有する各画素を形成し； ｃ） ＥＬ要素と少なくとも一つのＴＦＴを有する各カ
ラーＥＬ副画素を形成し； ｄ） 基板上に底部電極と、有機ＥＬ媒体と、上部電極
とを有する各ＥＬ素子を形成し； ｅ） カラーＥＬ副画素の凹陥部分に底部電極を配置
し； ｆ） 基板に接触し、又はそれに近接して保持された開
口マスクを通して各カラーＥＬ副画素に対する有機ＥＬ
媒体を蒸着により堆積する各段階からなるフルカラー有
機ＥＬ表示器を製造する方法により達成される。
【０００７】
【発明の実施の形態】図は一定の比率で拡大されておら
ず、説明を明確にするように示されている。「表示器」
又は「表示パネル」という用語はビデオ画像又はテキス
トを電子的に表示可能なスクリーンを表すために用いら
れている。「画素」という用語は他の領域と独立に光を
出射するために励起されうる表示パネルの領域を表すた
めにこの技術分野で用いられている。「マルチカラー」
という用語は異なる領域で異なる色相の光の出射が可能
な表示パネルを示すために用いられる。とくにこれは異
なるカラーの画像を表示可能な表示パネルを示すために
用いられる。これらの領域は連続である必要はない。
「フルカラー」という用語は可視スペクトルの赤、緑、
青の領域を出射し、色相のいかなる組合せの画像も表示
することが可能なマルチカラー表示パネルを示すために
用いられる。赤、緑、青の色は三原色を構成し、これか
ら他の全ての色がこれらの三原色の適切な混合により生
成可能である。「色相」という用語は可視的なスペクト
ルでの光放射の強度プロファイルを称し、異なる色相は
色の視覚的に識別可能な差を示す。画素又は副画素は表
示パネルのアドレス可能な最小ユニットを示すために用
いられる。単色表示器に対して画素と副画素の間に差は
ない。「副画素」という用語はマルチカラー表示パネル
で用いられ、特定の色を出射するために独立してアドレ
ス可能な画素のいかなる部分をも示すために用いられ
る。例えば青の副画素は青い光を出射するようアドレス
可能な画素の部分である。フルカラー表示器では画素は
一般に三原色の副画素、即ち青、緑、赤からなる。「ピ
ッチ」という用語は表示パネルの２つの画素又は副画素
の離れている距離を示すために用いられる。斯くして副
画素のピッチは２つの副画素間の分離を意味する。
【０００８】図１を参照するに本発明による方法の実施
に対する好ましい配置の一例を示す。ポンプポート１２
２を有する減圧室１２１に配置されたＴＦＴ能動マトリ
ックス配列基板２０が例えば上記米国特許第５５５００
６６号の図９に示されるＴＦＴ画素の隆起及び凹陥表面
部分を表すような断面図として示される。要約するとそ
のような画素は絶縁透明基板４１及びその上に堆積され
た複数の層からなる。これらの層には２つのＴＦＴ４４
及び４８と絶縁層５２と、上部電極６２と、透明陽極底
部電極７２と、不動化層７４とを含む。ＴＦＴ能動マト
リックス配列基板２０の各画素又は副画素のこの多層構
造は各副画素の隆起表面部分９２（明確にわかるように
最も高く隆起した部分のみを図に示した）及び底部電極
７２を露出する凹陥面部分９４を含む。
【０００９】開口マスク１１２は開口１１３と基板２０
の指定された凹陥表面部分９４との間で方向付けられた
関係を有するようＴＦＴ基板２０の画素又は副画素９０
の隆起表面部分９２上に又はそれに近接して配置され
る。開口マスク１１２の開口１１３と基板２０の指定さ
れた凹陥表面部分９４との間の方向付けられた関係は図
３と関連してより容易に理解でき、ここで方向付けマー
ク１５２（整列ターゲットとも称される）はＴＦＴ基板
２０上の適合方向付けマーク（図示せず）に関して開口
マスク１１２を方向付けるために用いられるよう示され
る。例えば開口マスク１１２は開口１１３が基板上の指
定されたカラー副画素部分９４にわたる第一のカラー
（例えば赤色有機ＥＬ媒体）マスク部分に配置されるよ
うにＴＦＴ基板に関して方向付けされる。ＴＦＴ副画素
の２次元配列で副画素９０は行と直交する列に配置さ
れ、開口マスク１１２上の１１３は図３の座標ｘ，ｙに
より示されるように行及び列に同様に配置され、それに
よりｘ，ｙ方向の両方で副画素のピッチは副画素の間の
距離を示す。２次元ＴＦＴ配列の特定の設計及びレイア
ウトに依存して一方向の副画素ピッチと直交する第二の
方向の副画素ピッチとの間の比は１から３の範囲の値を
有しうる。
【００１０】図１と併せて図３を参照するに、開口マス
ク１１２は開口１１３と対応する指定された凹陥表面部
分９４との間で方向付けられた関係で第二のカラー（例
えば緑色有機ＥＬ媒体）マスク位置で第二のカラー（例
えば緑色）有機ＥＬ層が緑の副画素の指定された凹陥電
極に堆積されるようにＴＦＴ能動マトリックス配列基板
２０の隆起表面部分９２に配置される。同様に開口１１
３を第三のカラー（例えば青色有機ＥＬ媒体）マスク位
置に再位置決めすることは第三のカラー（例えば青）有
機ＥＬ層をＴＦＴ配列副画素の指定された青の凹陥表面
位置に堆積することを許容する。図３で複数の開口１１
３はここで説明のために対角線カラーパターンとして示
されるフルカラーＥＬ表示器配列で達成され選択された
所望のカラーパターンに関する副画素９０の対応する凹
陥表面位置にわたり第一の色（例えば赤）マスク位置に
対応する実線のアウトラインと、第二の色（例えば緑）
マスク位置に対応する破線のアウトラインと、第三の色
（例えば青）マスク位置に対応する点線のアウトライン
とで表される。
【００１１】図１を再び参照するに開口マスク１１２に
向かい合う面上のコーティング１２３を有するドナー支
持体１２４は開口マスクから距離Ｄ離間され、これは支
持体１２４上のコーティング１２３と複数の開口１１３
を有する開口マスク１１２との間の転写可能な関係の位
置を確実にする距離を示すよう意図されている。コーテ
ィング１２３は特定の色の有機ＥＬ媒体を含むドナーコ
ーティングとして指定される。
【００１２】複数の加熱要素１２５は減圧された環境で
ドナーコーティング１２３のＥＬ有機材料が点線の蒸気
を示す矢印１２３ｖにより示されるよう蒸発する温度に
ドナー支持体１２４を加熱するよう配置され、それによ
り堆積されたエレクトロルミネセンス有機層１２３ｄを
開口マスク１１２上に、及び開口マスク１１２のそれぞ
れの複数の開口１１３を通してＴＦＴ基板副画素９０の
指定された凹陥面部分９４に形成する。
【００１３】ドナーコーティング１２３をその上に有す
るドナー支持体１２４は適切に設計されたポート（図示
せず）を通して室１２１に入り、それから出る。開口マ
スク１１２は基板に関して再位置決めされ、正確な機械
的位置整列器（図示せず）を通して第一のカラーマスク
位置から第二、又は第三のカラーマスク位置に転送され
る。
【００１４】開口マスクは基板に接触し、又は非常に接
近するよう保持され、ここで非常に接近するとは開口マ
スクと副画素の隆起表面部分９２との間が２５０マイク
ロメートル以下の間隔となることである。加熱要素１２
５を作動させる前に室１２１は減圧された環境にされて
いることが好ましい。本発明の実施では減圧された環境
は加熱段階中に１トール以下の圧力値であることが好ま
しく、それによりドナー支持体から転写される有機材料
はＴＦＴ基板２０の副画素９０の指定された凹陥面部分
９４に均一な層を形成する。
【００１５】実際、ドナー支持体１２４はドナーコーテ
ィング１２３を形成する適切なプロセスにより有機ＥＬ
ドナー媒体上に転写可能なコーティングを供給すること
によりまず準備される。支持体をコーティングする適切
な方法の例は媒体コーティング、メニスカスコーティン
グ、ディップコーティング、スプレー、スクリーンプリ
ンティング、真空室内での蒸着コーティングを含む。こ
れらの方法はシート、ガラスのような固形の支持体、
箔、又は可撓性ウェブであるドナー支持体上に正確な厚
さの均一なコーティングを製造するよう特に設計されて
いる。これらの方法のいずれかを用いて所望の転写可能
なＥＬ有機ドナー媒体を所定の厚さにコートされた支持
体は容易に大量に調製されうる。可撓性ドナー支持体の
調製のための好ましい方法は例えばドナーウェブは支持
体上のコーティング厚さ及び均一性が数パーセントより
正確に制御される故にロール毎に真空コーティングされ
る。
【００１６】ドナー支持体１２４は以下の要求に少なく
とも適合する幾つかの材料のいずれかにより作られる。
ドナー支持体は熱誘導転写段階中に構造的一体性を維持
することを可能にしなければならない。付加的にドナー
支持体は一面にＥＬ有機ドナー媒体の比較的薄いコーテ
ィングを受容し、コーティングされた支持体の予想され
る貯蔵期間中劣化しないようにこのコーティングを維持
可能でなければならない。この要求に適合する支持材料
は例えば金属箔、Ｋａｐｔｏｎ（商標）のような高いガ
ラス転移温度を有するある種のプラスティック箔を含
む。適切な支持材料の選択が知られている工学的方法に
よる一方で選択された支持材料のある特徴は本発明の実
施で有用なドナー支持体として構成されるときに更に考
慮するに値する。例えば支持体は転写可能なＥＬ有機媒
体でプレコーティングする前に多段階清掃及び表面調製
プロセスを必要とする。支持材料が放射透過材料である
場合にはドナー支持体１２４上の放射吸収材料の含有は
熱吸収を増強し、故にドナー支持体１２４からＴＦＴ基
板２０の凹陥面部分９４へドナーコーティング１２３を
転写する上で利点である。
【００１７】ドナー支持体１２４からＴＦＴ基板２０の
凹陥面部分９４へのＥＬ有機ドナー媒体１２３の転写は
また加熱される支持体面に近接して及びそれに沿って熱
源又は光源を移動又はスキャンすることによりなされう
る。熱源のスキャンニングは副画素９０の指定された凹
陥面部分９４で層を形成する全体の時間を増加する一方
で熱源のスキャンニングは基板表面の過剰な熱及び基板
の副画素凹部に形成された好ましくない結晶化又は凝集
の出現を好ましく減少する。
【００１８】開口マスク１１２は当業者によく知られて
いる微細機械加工方法により金属箔又はシートから容易
に製造される。このような微細機械加工方法は寸法で数
マイクロメートルの大きさであり、開口マスク１１２が
複数の近接して離間された開口を含む場合には隣接する
開口間の距離はまた数マイクロメートルの大きさであ
る。
【００１９】開口マスク１１２の方向付けマーク１５２
（図３を参照）は光の方向付けられたビームが通過し、
又は見かけが不透明な開口である。いずれにせよ開口マ
スク１１２上の方向付けマーク１５２は開口マスクを空
間的に適合又は一致する方向付けマーク（図示せず）の
組を有するＴＦＴ基板２０と方向付けられた関係で位置
決めするよう用いられる。開口の特定の選択されたカラ
ーパターンを画成する開口マスクは選択された特定のカ
ラーパターンに対応する画素の指定された凹陥面部分で
フルカラー有機ＥＬ層を形成する本発明の実施例で好ま
しく用いられる。
【００２０】本発明による有機層を形成する方法で用い
られる有機ＥＬ媒体は例えばＴａｎｇ等による米国特許
第４３５６４２９号、ＶａｎＳｌｙｋｅ等による米国特
許第４５３８５０７号、ＶａｎＳｌｙｋｅ等による米国
特許第４７２０４３２号、Ｔａｎｇ等による米国特許第
４８８５２１１号、Ｔａｎｇ等による米国特許第４７６
９２９２号、Ｌｉｔｔｍａｎ等による米国特許第５０５
９８６１号、ＶａｎＳｌｙｋｅ等による米国特許第５０
４７６８７号、ＶａｎＳｌｙｋｅ等による米国特許第５
０５９８６２号、ＶａｎＳｌｙｋｅ等による米国特許第
５０６１６１７号、Ｔａｎｇ等による米国特許第５２９
４８７０号に開示されるいかなる形をも取りうる。これ
らの開示はここに参考として引用する。
【００２１】上記のＴａｎｇ等による米国特許第５２９
４８７０号に開示されているようにＥＬ媒体と共に使用
される複数の有機層は効果的に有機エレクトロルミネセ
ンスデバイスを形成することが知られている。例えば効
果的なＥＬ層はホール注入層、ホール移動層、ルミネセ
ンス層、電子注入層を順次堆積することにより底部電極
７２上に形成される。
【００２２】上記引用例に開示された種々の有機材料は
本発明による基板の凹陥表面部分にこれらの有機ＥＬ層
を形成するために有用である。特定の有機ＥＬ媒体の選
択はドナー支持体上に均一な転写可能なドナーコーティ
ングを提供可能なことにより、及びドナー支持体上のコ
ーティングの調製とそれの熱転写段階での展開との間の
貯蔵期間中に転写可能な特性を維持する能力によりとり
わけ影響される。
【００２３】ＴＦＴ基板上のフルカラー有機ＥＬ表示器
のパターン化された有機層に関して各層の光出射特性は
ドナーコーティング１２３、それによりエレクトロルミ
ネセンス有機ホスト材料及び少なくとも一つの高度な蛍
光有機材料との組合せである堆積された層１２３ｄへ含
まれることにより可視スペクトルの特定のスペクトル領
域にわたる光出射を提供するよう調製される。異なる転
写可能な有機ＥＬコーティングはフルカラー有機ＥＬ表
示器で得られる原色（赤、緑、青）のそれぞれに対する
ドナー支持体にプレコートされる。例えば指定された赤
の副画素が可視スペクトルの赤色スペクトル領域で光の
励起を提供する場合に有機ＥＬホスト材料はマルチカラ
ー有機ＥＬ表示器のそのような赤い光を励起する副画素
が特定の副画素に対応する少なくとも一つのＴＦＴ４
４、４８により作動されるときに赤い光を出射するよう
調整された高度な蛍光有機染料と結合される。同様に出
射された光の第二の選択されたカラーが緑色スペクトル
領域で出射される場合には有機ＥＬ材料と青の光を出射
する高度な蛍光染料との組合せからなるドナーコーティ
ングはドナー支持体上に調製される。ホール注入層と、
ホール移動層と、電子移動層とは電荷移動機能を共にな
し、これらはパターンニングを必要とせず、故に従来の
蒸着法により堆積されうる。
【００２４】図２を参照するに、図１を参照して記載さ
れた基板と同一のＴＦＴ能動マトリックス配列基板２０
の概略が示される。同じ符号は同じ部品又は機能を示
す。二次元ＴＦＴ基板上にフルカラーＥＬ表示器のパタ
ーン化された有機層を形成する方法は図１を参照して前
に記載された方法と識別され、ここでカラー形成ＥＬド
ナー材料の転写可能なコーティング１２３は吸収体１２
６のパターンからなる光学的マスクの一面にプレコート
される。パターン化された吸収体は熱透過性又は光透過
性光学的マスク支持体１２９上に形成され、それを通し
て放射（熱、光）１３０は入来する。入射した放射１３
０はパターン化された熱吸収体１２６により好ましくは
吸収され、それによりコーティング１２３のＥＬ媒体は
選択的に加熱され、斯くして光学的マスクから指定され
たカラーＥＬ副画素の底面電極７２へ蒸気１２３ｖとし
て転写される。
【００２５】放射１３０が熱源から入射したときにパタ
ーン化された吸収体１２６は熱吸収体として機能する。
放射１３０が光源から入射したときにパターン化された
吸収体１２６は光吸収体である。光マスク上の転写可能
なコーティング１２３は蒸着転写段階中に基板に接触又
は近接するよう保持される。近接はコーティング１２３
と副画素の隆起面部分９２との間が２５０マイクロメー
トル以下の間隔のことを言う。
【００２６】ＴＦＴ基板上にフルカラー有機ＥＬ表示器
を形成する図２の方法はカラーＥＬ副画素のそれぞれに
対してＥＬ媒体のパターン選択転写及び堆積中に減圧さ
れた環境で好ましくは実施される。表示を簡単にするた
めに図１の減圧室１２１は図２では示されていない。光
マスク支持体１２９は入射した放射１３０を透過し、光
マスクの使用の条件下で構造的な一体性を提供するいか
なる材料でもよい。ガラス、石英、サファイアが好まし
い光マスク支持材料の例である。
【００２７】吸収体１２６のパターンは原理的にはマス
ク支持体１２３に関して好ましくは放射（熱又は光）を
吸収可能な材料である。本発明の方法の実施で、少なく
とも以下の考察は好ましい吸収材料の選択に影響する：
光マスクは再使用可能で、従ってＥＬドナー材料を形成
するカラーの転写可能なコーティングで再コーティング
する前に容易に清掃可能でなければならない：パターン
化された吸収体は蒸気のマスク支持材料に高度な付着性
を有し、光マスクの繰り返しの使用中に高温に曝される
条件下でもなお高度に付着性を有さなければならない。
【００２８】上記の考察は吸収体のパターンを形成する
好ましい材料の例は炭素、クロムのような薄層金属、ク
ロム／ゲルマニウムのような金属／半導体合金層、「ブ
ラッククローム」として従来技術で知られた材料のパタ
ーンを含む。矢印１３０で示された入射した放射はパル
ス幅が数十ミリ秒からナノ秒の範囲のパルス光でありう
る。あるいはレーザー光源を含む合焦されたスキャン光
源は本発明の方法の実施で好ましく用いられる。スキャ
ン光源の使用で光源は小さな範囲（例えば１ｍｍｘ１ｍ
ｍ）に合焦され、光マスクの表面を横切ってスイープさ
れる。スキャンモードで光源は連続又はパルスのいずれ
も可能である。
【００２９】図４を参照するにカラー形成ＥＬ層をＴＦ
Ｔ基板の指定された副画素に堆積するために有用な他の
光マスク方法の側面図を示す。図４の光マスクは図２の
光マスクと識別され、それは熱絶縁層１２８が放射透過
光マスク支持体１２９の基板２０に隣接する表面を均一
に覆うように示されることである。熱絶縁層１２８の表
面はＥＬ媒体を形成する一つのカラーに対する副画素パ
ターンを形成する吸収体１２６を堆積される。カラー形
成ＥＬドナー材料の転写可能なコーティング１２３は熱
絶縁層１２８及びパターン化された吸収体１２６にわた
り供給される。
【００３０】光マスク上の転写可能なコーティング１２
３は上記で図２を参照して記載されたように蒸着転写段
階中に基板と接触し、又はそれと近接して保持される。
熱絶縁層は熱吸収体１２６から光マスク支持体１２９へ
の熱の損失を最小化し、それにより矢印１３０により示
されるように入射した放射の与えられたレベルで蒸発体
の路１２３ｖの蒸着を増強する。
【００３１】適切な熱絶縁層１２８の例は例えばポリカ
ーボネート、ポリイミド、光架橋樹脂、低密度シリカゲ
ル、一般にマスク支持体１２９の熱容量より低い熱容量
の非吸収材料のような高温ポリマーを含む。熱絶縁層は
光マスク支持体１２９と吸収体１２６と同様に物理的一
体性の上記と同じ考察に従う。図５を参照するにカラー
形成有機ＥＬ層をＴＦＴ基板の指定された副画素に蒸着
するのに有用な他の光マスク方法の側面図を示す。図２
を参照して記載された光マスクと対照的に図５の光マス
クはＴＦＴ基板２０に隣接するマスク支持体１２９の表
面上で吸収体１２６のパターンのみならず、表面上に堆
積された反射体１２７も有する。反射体１２７は吸収体
１２６間のマスク支持体表面の領域を覆う。
【００３２】カラー形成有機ＥＬ媒体のドナーコーティ
ング１２３は吸収体１２６と反射体１２７にわたり形成
される。光マスク上の転写可能なコーティング１２３は
図２を参照した上記のような蒸着転写段階中に基板と接
触し、又はそれに近接して保持される。反射体１２７は
放射透過マスク支持体１２９を通してその上に入射する
放射１３０を反射し、それにより吸収体１２６のパター
ンにより画成された領域を除く全てのコーティング領域
でドナーＥＬコーティング１２３の温度上昇を最小にす
る。
【００３３】反射体１２７は好ましくは例えば当業者に
「ブライトクローム」と称される反射性のクロムの薄膜
のような反射金属の薄膜から作られ、これは上記光マス
ク支持材料に高度に付着し、摩耗耐久性であることが知
られている。明確に示すために図５には示されていない
が図５に示されるフルカラー有機ＥＬ表示器を形成する
光マスク方法はカラーＥＬ副画素のそれぞれに対してＥ
Ｌ媒体の堆積中に減圧された環境で好ましくは実施され
る。
【００３４】図６を参照するにカラー形成有機ＥＬ層を
ＴＦＴ基板の指定された副画素に蒸着する他の光マスク
方法が示される。ここで放射透過マスク支持体１２９の
ＴＦＴ基板２０に隣接した表面に、順次熱絶縁層１２
８、その間に反射体１２７を有する吸収体１２６のパタ
ーン、カラー形成有機ＥＬ媒体のドナーコーティング１
２３を有する。斯くして図６の方法は図２、図４、図５
の光マスク蒸着方法を参照した上記の特徴と機能を結合
したものである。
【００３５】一つの特定のＴＦＴ配列の構成及び製造、
及び単一カラー有機ＥＬ層のその上への堆積はＴａｎｇ
等による米国特許第５５５００６６号に記載される一方
で、本発明はＴＦＴ基板を提供することは石英基板上に
選択されたポリシリコンＴＦＴ配列、ガラス基板上にア
モルファスシリコンＴＦＴ配列、又は結晶シリコン基板
上にＴＦＴ配列を含むことを意図する。
【００３６】更にまた上部電極８４を通してＥＬ出射さ
れた光を供給するためにＴＦＴ基板上に形成されたフル
カラー有機ＥＬ表示器のある応用が望ましい。従って、
本発明は上部電極８４が透明導電体であるＴＦＴ基板上
に有機ＥＬ表示器配列を提供することを予期している。
あるいは他の応用のためにＴＦＴ基板の透明導電体とし
て底部電極７２を設けることが望ましい。
【００３７】本発明は好ましい実施例を特に参照して詳
細に説明されてきたが、変更及び改良は本発明の精神及
び範囲内で有効である。
【００３８】
【発明の効果】本発明の方法の主な利点はＥＬドナーコ
ーティングから優秀な有機ＥＬ材料の歩留まりで、大き
なＴＦＴ基板領域にわたり堆積された層の優秀な均一性
で、指定された副画素に形成された各層の厚さを正確に
制御して指定された副画素の凹陥した表面部分に堆積さ
れた赤色、緑色、又は青色形成層をぞれぞれ有する高精
度有機ＥＬ層を形成可能なことにある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による開口マスク法によりＴＦＴ配列基
板の副画素の指定された凹陥表面部分にカラー形成有機
ＥＬ層を堆積する配置の部分断面図を示す。
【図２】本発明による光学的マスク方法によりＴＦＴ配
列基板の副画素の指定された凹陥表面部分にカラー形成
有機ＥＬ層を堆積する配置の側面図を示す。
【図３】図１による配列により有機ＥＬ層を形成する方
法で好ましく用いられる開口マスクの平面図を示す。
【図４】本発明によるＴＦＴ配列基板の指定された副画
素にカラー形成有機ＥＬ層を堆積するのに好ましく用い
られる他の光学的マスク法の側面図を示す。
【図５】本発明によるＴＦＴ配列基板の指定された副画
素にカラー形成有機ＥＬ層を堆積する他の光学的マスク
法の側面図を示す。
【図６】本発明によるＴＦＴ配列基板の指定された副画
素にカラー形成有機ＥＬ層を堆積する更に他の光学的マ
スク法の側面図を示す。
【符号の説明】 ２０ ＴＦＴ基板 ４４、４８ ＴＦＴ ５２ 絶縁層 ６２ 上部電極 ７２ 底部電極 ７４ 不動化層 ８４ 上部電極 ９０ 副画素 ９２ 隆起表面部分 ９４ 凹陥面部分 １１２ 開口マスク １１３ 開口 １２１ 減圧室 １２２ ポンプポート １２４ ドナー支持体 １２３ コーティング １２３ｖ 蒸気 １２３ｄ エレクトロルミネセンス有機層 １２５ 加熱要素 １２６ 吸収体 １２８ 熱絶縁層 １２９ 透過性光学的マスク支持体 １３０ 放射 １５２ 方向付けマーク

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ａ） 複数の画素を有する薄膜トランジス
    タ（ＴＦＴ）の配列を含むエレクトロルミネセンス（Ｅ
    Ｌ）表示器用の基板を設け； ｂ） 赤色、緑色、青色のカラーＥＬ副画素として指定
    された副画素を有する各画素を形成し； ｃ） ＥＬ要素と少なくとも一つのＴＦＴを有する各カ
    ラーＥＬ副画素を形成し； ｄ） 基板上に底部電極と、有機ＥＬ媒体と、上部電極
    とを有する各ＥＬ素子を形成し； ｅ） カラーＥＬ副画素の凹陥部分に底部電極を配置
    し； ｆ） 基板に接触し、又はそれに近接して保持された開
    口マスクを通して各カラーＥＬ副画素に対する有機ＥＬ
    媒体を蒸着により堆積する各段階からなるフルカラー有
    機ＥＬ表示器を製造する方法。
  2. 【請求項２】ａ） 複数の画素を有する薄膜トランジス
    タ（ＴＦＴ）の配列を含むエレクトロルミネセンス（Ｅ
    Ｌ）表示器用の基板を設け； ｂ） 赤色、緑色、青色のカラーＥＬ副画素として指定
    された副画素を有する各画素を形成し； ｃ） ＥＬ要素と少なくとも一つのＴＦＴを有する各カ
    ラーＥＬ副画素を形成し； ｄ） 基板上に底部電極と、有機ＥＬ媒体と、上部電極
    とを有する各ＥＬ素子を形成し； ｅ） カラーＥＬ副画素の凹陥部分に底部電極を配置
    し； ｆ） 基板に接触し、又はそれに近接して保持された開
    口マスクを通して各カラーＥＬ副画素に対する有機ＥＬ
    媒体を蒸着により堆積し、ここで ｉ） 基板に隣接する光マスクのマスク支持表面に吸収
    体のパターンと、該表面上に均一にプレコートされた赤
    色、緑色、又は青色の有機ＥＬ媒体の層とを設け、 ｉｉ） 光マスクから指定されたカラーＥＬ副画素の底
    部電極に有機ＥＬ媒体を選択的に転写する各段階からな
    るフルカラー有機ＥＬ表示器を製造する方法。
  3. 【請求項３】ａ） 複数の画素を有する薄膜トランジス
    タ（ＴＦＴ）の配列を含むエレクトロルミネセンス（Ｅ
    Ｌ）表示器用の基板を設け； ｂ） 赤色、緑色、青色のカラーＥＬ副画素として指定
    された副画素を有する各画素を形成し； ｃ） ＥＬ要素と少なくとも一つのＴＦＴを有する各カ
    ラーＥＬ副画素を形成し； ｄ） 基板上に底部電極と、有機ＥＬ媒体と、上部電極
    とを有する各ＥＬ素子を形成し； ｅ） カラーＥＬ副画素の凹陥部分に底部電極を配置
    し； ｆ） 基板に接触し、又はそれに近接して保持された開
    口マスクを通して各カラーＥＬ副画素に対する有機ＥＬ
    媒体を蒸着により堆積し；ここで ｉ） 基板に隣接する光マスクのマスク支持表面にその
    上に吸収体の副画素パターンを堆積された均一な熱絶縁
    層と、絶縁層及び吸収体上に均一にプレコートされた赤
    色、緑色、又は青色の有機ＥＬ媒体の層とを形成し； ｉｉ） 光マスクから指定されたカラーＥＬ副画素の底
    部電極に有機ＥＬ媒体を選択的に転写する各段階からな
    るフルカラー有機ＥＬ表示器を製造する方法。
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