JP4699098B2 - 有機ｅｌ素子、およびこれを用いた有機ｅｌ表示装置 - Google Patents
有機ｅｌ素子、およびこれを用いた有機ｅｌ表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4699098B2 JP4699098B2 JP2005169212A JP2005169212A JP4699098B2 JP 4699098 B2 JP4699098 B2 JP 4699098B2 JP 2005169212 A JP2005169212 A JP 2005169212A JP 2005169212 A JP2005169212 A JP 2005169212A JP 4699098 B2 JP4699098 B2 JP 4699098B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- concentration
- cathode
- uniform
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 153
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 47
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/157—Hole transporting layers between the light-emitting layer and the cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/167—Electron transporting layers between the light-emitting layer and the anode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
Description
本発明は、一対の電極間に有機層を介在させ、この有機層に電界を与えることにより発光させる有機ＥＬ素子、これを用いた有機ＥＬ表示装置に関する。
従来の有機ＥＬ素子としては、図１４に示すものがある（たとえば、特許文献１参照）。同図に示された有機ＥＬ素子Ｘは、透明基板９１上に金属反射膜９２と陽極としての多層透明電極９３とを備えている。多層透明電極９３と陰極としての透明電極９５との間には、有機層９４が介在している。有機層９４は、正孔注入層９４ａ、正孔輸送層９４ｂ、発光層９４ｃ、電子輸送層９４ｄ、および電子注入層９４ｅからなる。多層透明電極９３および透明電極９５の間に電界を与えると、発光層９４ｃが発光する。この光のうち図中上方に向かうものは、透明電極９５を透過して有機ＥＬ素子Ｘから図中上方に出射される。一方、図中下方に向かう光は、多層透明電極９３を透過して金属反射膜９２により反射される。反射された光は、多層透明電極９３、有機層９４、および透明電極９５を透過して有機ＥＬ素子Ｘから図中上方へと出射される。このように、有機ＥＬ素子Ｘは、透明基板９１とは反対側へと光を出射する、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ素子として構成されている。
しかしながら、透明電極９５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）からなり、スパッタ法、分子線エピタキシー法（以下ＭＢＥ法）、またはイオンプレーティング法などを用いて形成される。これらの手法においては、有機層９４をたとえば１００度以下の比較的低温状態としておくことが、困難である。これにより、有機層９４が化学的な損傷を受ける場合があった。また、上述した手法においては、ＩＴＯやＩＺＯを形成するための原子や分子またはこれらのイオンが有機層９４に衝突させられる。このため、有機層９４が物理的な損傷を受けることが避けられない。したがって、有機ＥＬ素子Ｘの消費電力が大きくなったり、輝度が低下してしまうなどの問題があった。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、製造工程における有機層の損傷を抑制し、高輝度化および省電力化を図ることが可能な有機ＥＬ素子、これを用いた有機ＥＬ表示装置を提供することをその課題とする。
上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。
本発明の第１の側面によって提供される有機ＥＬ素子は、 互いに対向配置された陽極および陰極と、上記陽極および陰極の間に介在し、かつ発光層を含む有機層と、を備える有機ＥＬ素子であって、上記陰極は、ＭｇＡｇ合金からなり、かつその厚さが４０〜１００Åであり、Ａｇ濃度が２５〜７０atomic％であるとともに、その厚さ方向においてＡｇ濃度が均一である均一濃度層と、上記均一濃度層を挟んで上記有機層とは反対側に位置し、かつその厚さ方向においてＡｇ濃度が不均一である不均一濃度層と、からなり、上記均一濃度層は、Ａｇ濃度が２５〜７０atomic％であり、かつその厚さが２０Å以上であり、上記不均一濃度層は、上記均一濃度層側に最も近接する部分のＡｇ濃度よりも、上記均一濃度層から最も離間した部分のＡｇ濃度の方が大であることを特徴としている。
このような構成によれば、上記陰極の仕事関数をたとえばＩＴＯからなる陰極よりも小さくすることができる。したがって、上記陰極から上記有機層への電子注入効率を高めることが可能であり、上記有機ＥＬ素子の省電力化を図ることができる。また、２００Å以下程度の厚さであれば、上記発光層からの光を上記陰極を透過させることが可能であり、上記有機ＥＬ素子の高輝度化を図ることができる。さらに、上記陰極は、ＭｇおよびＡｇを蒸着源とした共蒸着により形成することが可能であり、上記有機層への損傷を回避するのに適している。また、このような構成によれば、上記陰極の光透過率を高めつつ、上記陰極のシート抵抗を小さくすることが可能である。したがって、上記有機ＥＬ素子の高輝度化と省電力化とを図ることができる。また、上記陰極の仕事関数を、３．７ｅＶ以下程度とすることが可能であり、省電力化に好ましい。また、このような構成によれば、上記均一濃度層のＡｇ濃度を、仕事関数を小さくするのに適した濃度としつつ、上記不均一濃度層のうち上記均一濃度層とは反対側の部分のＡｇ濃度を大きくすることができる。ＭｇＡｇ合金中のＡｇ濃度が高いほど、雰囲気による浸食などを抑制するのに適している。したがって、上記有機ＥＬ素子の省電力化を図りつつ、耐環境性を向上させることができる。また、上記有機ＥＬ素子の省電力化に好ましい。また、このような構成によれば、上記陰極から上記有機層への電子注入効率の向上効果を適切に発揮させることができる。また、上記有機ＥＬ素子の省電力化を図りつつ、耐環境性を向上させるのに適している。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記不均一濃度層は、上記均一濃度層から最も離間した部分のＡｇ濃度が、１００atomic％である。このような構成によれば、上記陰極が雰囲気などに浸食されることを抑制するのに好適である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記不均一濃度層は、第１ＭｇＡｇ合金層と、上記第１ＭｇＡｇ合金層を挟んで上記均一濃度層とは反対側に位置し、かつそのＡｇ濃度が上記第１ＭｇＡｇ合金層よりも大である第２ＭｇＡｇ合金層と、を含んでいる。このような構成によっても、上記有機ＥＬ素子の省電力化を図りつつ、耐環境性を向上させることができる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記陰極を挟んで上記有機層と反対側に位置するＡｕ層がさらに設けられており、かつ上記陰極の厚さと上記Ａｕ層の厚さとの合計が、２００Å以下である。このような構成によれば、上記陰極が雰囲気などにより浸食されることを回避するのに有利である。また、上記陰極と上記Ａｕ層とにより上記発光層からの光が不当に減衰されることを防止可能である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記陰極と上記有機層との間に、Ｌｉを含む層がさらに介在している。このような構成によれば、上記陰極から上記有機層への電子注入効率をさらに高めることができる。
本発明の第２の側面によって提供される有機ＥＬ表示装置は、基板と、上記基板に支持された複数の本発明の第１の側面によって提供される有機ＥＬ素子と、上記複数の有機ＥＬ素子を発光駆動するためのアクティブマトリクス回路と、を備えることを特徴としている。このような構成によれば、上記有機ＥＬ表示装置の省電力化を図りつつ、画質を向上させることができる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板は、シリコン基板であり、上記アクティブマトリクス回路は、上記基板上に形成された複数のトランジスタを具備して構成されている。このような構成によれば、上記有機ＥＬ素子の配置について、高密度化を図ることが可能であり、上記有機ＥＬ表示装置の高精細化を図ることができる。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図１は、本発明に係る有機ＥＬ素子の第１実施形態を示している。この有機ＥＬ素子Ａ１は、反射層５、陽極２、有機層３、陰極４を備えており、基板１上に形成されている。後述するように有機ＥＬ素子Ａ１は、図中上方に向けて光Ｌを出射するいわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ素子として構成されている。
基板１は、絶縁基板であり、有機ＥＬ素子Ａ１を支持するためのものである。
反射層５は、基板１上に形成されており、陽極２を透過してきた光Ｌを図中上方へと反射するためのものである。反射層５は、たとえばＡｌからなり、反射率が比較的高い層とされている。
陽極２は、有機層３に電界を与えて、正孔を注入するためのものであり、電源Ｐの＋極と導通している。本実施形態においては、陽極２は、いわゆる透明電極として構成されており、たとえばＩＴＯからなる。なお、陽極２の材質としては、ＩＴＯに変えてＩＺＯを用いてもよい。陽極２の厚さは、たとえば１０００Å程度とされる。
有機層３は、正孔輸送層３ａおよび発光層３ｂが積層されたものであり、陽極２と陰極４とに挟まれている。
正孔輸送層３ａは、陽極２から注入された正孔を発光層３ｂへと輸送するための層である。本実施形態においては、正孔輸送層３ａは、N,N'-ビス(1-ナフチル)-N,N'-ジフェニル-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミン（α−ＮＰＤ）により形成されており、その厚さが５００Å程度とされている。なお、正孔輸送層３ａの材質としては、α−ＮＰＤに代えてトリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）やフェニルアミンの４量体（ＴＰＴＥ）を用いてもよい。
発光層３ｂは、正孔輸送層３ａ上に形成されており、陽極２から注入された正孔と陰極４から注入された電子とが再結合することにより発光する部分である。発光層３ｂは、たとえばオキシンを３配位したアルミニウム錯体（以下Ａｌｑ3）からなり、その厚さが５００Å程度とされている。
なお、有機層３は、発光層３ｂの材質として、比較的電子輸送能力が大きいＡｌｑ3が採用されており、正孔と電子との注入バランスを向上させるために正孔輸送層３ａと発光層３ｂとからなる二層構造が選択されているが、これは本発明で言う有機層の一構成例にすぎない。本実施形態と異なり、正孔注入層、電子輸送層、および電子注入層などを備える構成であってもよい。
陰極４は、有機層３に電界をあたえて、電子を注入するためのものであり、電源Ｐの−極に導通している。陰極４は、ＭｇＡｇ合金からなり、ＬｉＦ層４１を介して、有機層３の発光層３ｂ上に形成されている。ＬｉＦ層４１および陰極４は、それぞれの厚さが５Åおよび８０Å程度とされている。
図２に示すように、陰極４は、均一濃度層４ａと不均一濃度層４ｂとが積層された構造とされている。均一濃度層４ａは、その厚さ方向においてＡｇ濃度が均一な層であり、その厚さｔａが３０Å程度とされている。図３は、陰極４の厚さ方向におけるＡｇ濃度分布を示している。本図に示すように、均一濃度層４ａのＡｇ濃度は、５０atomic％程度とされている。不均一濃度層４ｂは、その厚さ方向においてＡｇ濃度が不均一な層であり、その厚さｔｂが５０Å程度とされている。図３に示すように、不均一濃度層４ｂのＡｇ濃度は、均一濃度層４ａから離間するほど単調増加する線形分布となっている。不均一濃度層４ｂのうち均一濃度層４ａと接する部分のＡｇ濃度は、５０atomic％程度であり、均一濃度層とほぼ同じである。一方、不均一濃度層４ｂのうち、均一濃度層４ａから最も離間した部分のＡｇ濃度は、ほぼ１００atomic％とされている。
図１に示すように、陰極４上には、Ａｕ層４２が形成されている。Ａｕ層４２は、陰極４を雰囲気などによる浸食から保護するためのものであり、その厚さがたとえば１０Å程度とされている。
図４は、有機ＥＬ素子Ａ１が用いられた有機ＥＬ表示装置の一例を示している。同図に示された有機ＥＬ表示装置Ｂ１は、基板１と、アクティブマトリクス回路Ｃと、複数の有機ＥＬ素子Ａ１とを備えている。有機ＥＬ表示装置Ｂ１においては、複数の有機ＥＬ素子Ａ１がマトリクス状に配置されており、図中上方に向けて画像などを表示可能に構成されている。
基板１は、たとえば単結晶シリコン基板である。基板１上には、アクティブマトリクス回路Ｃが形成されている。
アクティブマトリクス回路Ｃは、複数の有機ＥＬ素子Ａ１を発光駆動するためのものであり、複数のトランジスタ７、ゲート配線７８、データ配線７９、およびその他の配線（図示略）を備えている。
複数のトランジスタ７は、複数の有機ＥＬ素子Ａ１のスイッチングを行うためのものであり、ゲート電極７１、ソース電極７２、ドレイン電極７３、Ｎ+ソース領域７４、Ｎ+ドレイン領域７５、チャネル領域７６を備えたいわゆるＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型トランジスタとして構成されている。
Ｎ+ソース領域７４、Ｎ+ドレイン領域７５、チャネル領域７６は、トランジスタ７の
スイッチング機能を実現するための部位である。ゲート電極７１は、ゲート配線７８に導通しており、チャネル領域７６に作用させる電界を発生させるためのものであり、絶縁層８１を介してチャネル領域７６の図中上方に設けられている。ゲート電極７１が高電位または低電位の状態とされることにより、トランジスタ７がＯＮ状態またはＯＦＦ状態とされ、有機ＥＬ素子Ａ１に対するスイッチングがなされる。ソース電極７２は、有機ＥＬ素子Ａ１の反射層５を介して陽極２に導通している。ドレイン電極７３は、データ配線７９に導通している。トランジスタ７がＯＮ状態とされると、ソース電極７２とドレイン電極７３との間に電流が流れる。これにより、有機ＥＬ素子Ａ１に対して電界が与えられ、有機ＥＬ素子Ａ１が発光する。複数のトランジスタ７は、絶縁層８１により覆われている。隣り合うトランジスタ７どうしは、フィールド酸化膜７７により絶縁されている。
スイッチング機能を実現するための部位である。ゲート電極７１は、ゲート配線７８に導通しており、チャネル領域７６に作用させる電界を発生させるためのものであり、絶縁層８１を介してチャネル領域７６の図中上方に設けられている。ゲート電極７１が高電位または低電位の状態とされることにより、トランジスタ７がＯＮ状態またはＯＦＦ状態とされ、有機ＥＬ素子Ａ１に対するスイッチングがなされる。ソース電極７２は、有機ＥＬ素子Ａ１の反射層５を介して陽極２に導通している。ドレイン電極７３は、データ配線７９に導通している。トランジスタ７がＯＮ状態とされると、ソース電極７２とドレイン電極７３との間に電流が流れる。これにより、有機ＥＬ素子Ａ１に対して電界が与えられ、有機ＥＬ素子Ａ１が発光する。複数のトランジスタ７は、絶縁層８１により覆われている。隣り合うトランジスタ７どうしは、フィールド酸化膜７７により絶縁されている。
絶縁層８１上には、複数の有機ＥＬ素子Ａ１がマトリクス状に形成されている。これらの有機ＥＬ素子Ａ１は、図１を参照して説明した構成とされている。陰極４は、有機ＥＬ表示装置Ｂ１における共通電極となっている。
保護層８２は、複数の有機ＥＬ素子Ａ１を覆うように形成されている。保護層８２は、たとえば乾燥剤を混入したガラスと、これを封止する紫外線硬化性樹脂とが積層されたものであり、光透過率が比較的大きい。
次に、有機ＥＬ表示装置Ｂ１の製造方法の一例を図５〜図８を参照して以下に説明する。この製造方法には、有機ＥＬ素子Ａ１の製造方法の一例が含まれる。
まず、図５に示すように、単結晶シリコンからなる基板１を準備し、この基板１上に複数のトランジスタ７を具備するアクティブマトリクス回路Ｃを形成する。
次に、図６に示すように、反射層５および陽極２を形成する。反射層５および陽極２を形成するには、まず、絶縁層８１に複数のコンタクトホール８１ａを形成する。これらのコンタクトホール８１ａは、トランジスタ７のソース電極７２に達するものとしておく。複数のコンタクトホール８１ａを形成した後は、絶縁層８１上にたとえばＡｌを用いたスパッタ処理を施すことにより、Ａｌの薄膜を形成する。次いで、このＡｌの薄膜上に、スパッタ法、ＭＢＥ法、またはイオンプレーティング法などを用いて１０００Å程度の厚さのＩＴＯの薄膜を形成する。そして、これらの薄膜に対してたとえばフォトリソグラフィの手法を用いたパターニングを施すことにより反射層５および陽極２を形成する。このパターニングは、各反射層２がコンタクトホール８１ａに進入する部分を有するように行う。これにより、各陽極２を各ソース電極７２と導通させることができる。
陽極２を形成した後は、図７に示すように、有機層３を形成する。まず、α−ＮＰＤを用いた真空蒸着法により、複数の陽極２および絶縁層８１を覆うように正孔輸送層３ａを形成する。正孔輸送層３ａの厚さは、５００Å程度とする。正孔輸送層３ａの材質としては、α―ＮＰＤに代えてＴＰＤやＴＰＴＥを用いてもよい。次いで、Ａｌｑ3を用いた真空蒸着法により、正孔輸送層３ａ上に発光層３ｂを形成する。発光層３ｂの厚さは、５００Å程度とする。
有機層３を形成した後は、図８に示すように、ＬｉＦ層４１、陰極４およびＡｕ層４２を形成する。ＬｉＦ層４１の形成は、たとえば真空蒸着法を用いて行い、その厚さを５Åとする。陰極４の形成は、たとえば蒸着源としてＭｇおよびＡｇを用いた共蒸着により行う。この共蒸着においては、まずＭｇおよびＡｇの蒸着速度の比を１：１とした状態で共蒸着を開始する。この状態で共蒸着を継続し、図２および図３に示したようにＡｇ濃度が５０atomic％程度の均一濃度層４ａを形成する。均一濃度層４ａの厚さは、３０Å程度とする。次いで、ＭｇおよびＡｇの蒸着速度の比を上述した１：１から０：１へと徐々に変化させながら共蒸着を行う。この蒸着速度の比を変化させるには、たとえば、Ａｇの蒸着速度を一定とした状態で、Ｍｇの蒸着速度を時間の経過とともに０に向けて線形的に減少させればよい。これにより、図２および図３に示したようにＡｇ濃度がその厚さ方向において５０atomic％から１００atomic％まで線形分布する不均一濃度層４ｂが得られる。不均一濃度層４ｂの厚さは、たとえば５０Å程度とする。また、上記共蒸着における蒸着速度としては、０．１〜１．０Å程度が好ましい。陰極４を形成した後は、たとえば真空蒸着法を用いてＡｕ層４２を形成する。Ａｕ層４２の厚さは、たとえば１０Å程度とする。
Ａｕ層４２を形成した後は、乾燥剤を混入したガラスによりＡｕ層４２を覆い、このガラスを紫外線硬化性樹脂を用いて封止する。これにより、図４に示す保護層８２が形成され、複数の有機ＥＬ素子Ａ１が用いられた有機ＥＬ表示装置Ｂ１が得られる。
次に、有機ＥＬ素子Ａ１およびこれを用いた有機ＥＬ表示装置Ｂ１の作用について説明する。
本実施形態によれば、陰極４を蒸着法を用いて形成することにより、有機層３への物理的または化学的損傷を回避することができる。これにより、有機層３への電子注入効率を適切に行うことが可能となる。また、発光層３ｂにおける発光が不当に低下させられることもない。したがって、有機ＥＬ素子Ａ１の省電力化および高輝度化を図ることができる。また、有機ＥＬ表示装置Ｂ１としても、省電力化や画質の向上を図ることができる。特に、陰極４を形成する際の蒸着速度を０．１〜１．０Å／ｓｅｃ程度とすれば、有機層３の損傷を回避するのに適している。
図９は、陰極４の材質であるＭｇＡｇ合金の厚さと光透過率との関係を示している。図中のプロットは、それぞれ波長が４５０ｎｍ，５５０ｎｍ，６００ｎｍの光に対する光透過率を示している。本図から理解されるように、陰極４の厚さが８０Å程度の場合、陰極４の光透過率は５５％程度である。この程度の光透過率を有していれば、発光層４ｂからの光Ｌを図１における図中上方へと適切に透過させることが可能である。したがって、トップエミッション型の有機ＥＬ素子Ａ１の高輝度化、および有機ＥＬ表示装置Ｂ１の画質の向上に有利である。なお、発明者らの研究によれば、陰極４の光透過率としては、少なくとも１５％程度、好ましくは４０％程度以上であることが、有機ＥＬ素子Ａ１の高輝度化、および有機ＥＬ表示装置Ｂ１の画質の向上に必要であることが分かった。この点において、陰極４の厚さは、２００Å以下とすれば、有機ＥＬ素子Ａ１の発光機能を発揮させることが可能であり、１００Å以下であればより好ましい。
図１０は、ＭｇＡｇ合金の厚さとシート抵抗との関係を示している。本図から理解されるように、陰極４の厚さが８０Å程度の場合、陰極４のシート抵抗は１８Ω／□程度である。このシート抵抗が小さいほど、陰極４から有機層３への電子注入効率を高めることができる。本実施形態の陰極４のシート抵抗は、一般的なＩＴＯからなる陰極のシート抵抗と同程度かそれ以下である。したがって、有機ＥＬ素子Ａ１および有機ＥＬ表示装置Ｂ１の省電力化に有利である。なお、発明者らの研究によれば、陰極４としては、シート抵抗を少なくとも４０Ω／□以下に抑えることが、有機ＥＬ素子Ａ１および有機ＥＬ表示装置Ｂ１の省電力化に必要であるという知見が得られた。この点において、陰極４の厚さは、４０Å以上であることが好ましい。
以上より、陰極４の厚さを４０〜１００Å程度とすれば、高輝度化と省電力化とを両立させるのに好ましい。
図１１は、ＭｇＡｇ合金のＡｇ濃度と仕事関数の関係を示している。本図から理解されるように、ＭｇＡｇ合金中のＡｇ濃度を０atomic％から大きくしていくと、仕事関数は３．８ｅＶ程度から徐々に小さくなる。この仕事関数は、Ａｇ濃度が７０atomic％程度において最小値である３．６ｅＶ程度となる。Ａｇ濃度をさらに大きくすると、８０atomic％程度を境界として、仕事関数は極端に大きくなる。陰極４の材質としてＡｇＭｇ合金を用いる場合には、有機層３への電子注入効率を高める観点から、仕事関数が小さい方が好ましい。本実施形態においては、有機層３側に位置する均一濃度層４ａのＡｇ濃度が５０atomic％程度であるため、均一濃度層４ａの仕事関数は、３．６５ｅＶ程度と比較的小さい。したがって、有機層３への電子注入効率を高めることが可能であり、有機ＥＬ素子Ａ１および有機ＥＬ表示装置Ｂ１の省電力化を図るのに好適である。なお、陰極４から有機層３への電子注入効率を高める観点からは、陰極４のうち少なくとも有機層３側の部分のＡｇ濃度を、２５〜７５atomic％とすることが好ましい。これにより、陰極４の有機層３側の部分の仕事関数を、概ね３．７ｅＶ以下とすることが可能だからである。なお、均一濃度層４ａの厚さとしては、２０Å以上とすることが好ましい。
また、図２および図３に示したように、陰極４のうちＡｕ層４２と接する部分においては、Ａｇ濃度が１００atomic％であることにより、たとえば有機ＥＬ素子Ａ１の製造工程において雰囲気によって浸食されにくいものとなっている。したがって、陰極４の耐環境性を向上させて、有機ＥＬ素子Ａ１および有機ＥＬ表示装置Ｂ１の製造工程における劣化や使用による経年変化を抑制することができる。陰極４を均一濃度層４ａと不均一濃度層４ｂとの積層構造としておけば、電子注入効率の向上と、耐環境性の向上とを両立させるのに適している。なお、陰極４のうちＡｕ層４２と接する部分のＡｇ濃度は、１００atomic％であることが望ましいが、少なくとも均一濃度層４ａのＡｇ濃度よりも大とすれば、耐環境性の向上を図ることができる。
陰極４を覆うようにＡｕ層４２が設けられていることにより、陰極４が雰囲気などにより浸食されることを回避するのに有利である。また、Ａｕ層４２の厚さと陰極４の厚さとの合計を２００Å以下としておけば、Ａｕ層４２と陰極４とをあわせた層の光透過率を１５％程度とすることが可能であり、有機ＥＬ素子Ａ１の発光機能を発揮させることができる。
有機層３と陰極４との間にＬｉを含むＬｉＦ層を介在させておけば、このＬｉＦ層がいわゆるバッファ層としての機能を果たす。したがって、陰極４から有機層３への電子注入効率を高めるのに有利である。
図１２および図１３は、本発明に係る有機ＥＬ素子の第２実施形態を示している。なお、これらの図においては、上記実施形態と類似の要素については、同一の符号を付しており、適宜説明を省略する。
有機ＥＬ素子Ａ２においては、陰極４の不均一濃度層４ｂが複数のＭｇＡｇ合金層からなる点が上述した実施形態と異なっており、その他の構成要素は、図１に示された有機ＥＬ素子Ａ１と同じである。図１２に示すように、不均一濃度層４ｂは、ＭｇＡｇ合金層４ｂ１，４ｂ２，４ｂ３，４ｂ４からなる積層構造を有している。これらのＭｇＡｇ合金層４ｂ１，４ｂ２，４ｂ３，４ｂ４の厚さは、ほぼ同一とされている。図１３に示すように、不均一濃度層４ｂのＡｇ濃度は、その厚さ方向において均一濃度層４ａから離間するほど段階的に大きくなっている。このような不均一濃度層４ｂは、たとえばＭｇとＡｇとの共蒸着により形成することができる。この共蒸着においては、Ａｇの蒸着速度を一定とした状態で、Ｍｇの蒸着濃度を時間の経過とともに段階的に小さくすれば、図１３に示すＡｇ濃度分布とされた不均一濃度層４ｂが得られる。
このような実施形態によっても、均一濃度層４ａにより電子注入効率を高めるとともに、陰極４の耐環境性を向上させることができる。
本発明に係る有機ＥＬ素子、有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ素子の製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る有機ＥＬ素子および有機ＥＬ表示装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。また、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法に含まれる各処理は、種々に変更自在である。
陰極としては、均一濃度層と不均一濃度層とが積層された構造とすることが好ましいが、たとえば陰極全体においてＡｇ濃度が均一であってもよい。このような構成においても、Ａｇ濃度を２５〜７０atomic％とすることが、電子注入効率の向上に好ましい。また、陰極のＡｇ濃度が陰極全体において不均一であってもよい。このような構成においても、陰極のうち有機層側の部分におけるＡｇ濃度を２５〜７０atomic％とする一方、有機層から最も離間した部分のＡｇ濃度を１００atomic％とすることが好ましい。
Ａ１，Ａ２ 有機ＥＬ素子
Ｂ１ 有機ＥＬ表示装置
Ｃ アクティブマトリクス回路
Ｌ 光
Ｐ 電源
１ 基板
２ 陽極
３ 有機層
３ａ 正孔輸送層
３ｂ 発光層
４ 陰極
４ａ 均一濃度層
４ｂ 不均一濃度層
４ｂ１，４ｂ２，４ｂ３，４ｂ４ ＭｇＡｇ合金層
５ 反射層
７ トランジスタ
４１ ＬｉＦ層
４２ Ａｕ層
７１ ゲート電極
７２ ソース電極
７３ ドレイン電極
７４ Ｎ+ソース領域
７５ Ｎ+ドレイン領域
７６ チャネル領域
７７ フィールド酸化膜
７８ ゲート配線
７９ データ配線
８１ 絶縁層
８２ 保護層
Ｂ１ 有機ＥＬ表示装置
Ｃ アクティブマトリクス回路
Ｌ 光
Ｐ 電源
１ 基板
２ 陽極
３ 有機層
３ａ 正孔輸送層
３ｂ 発光層
４ 陰極
４ａ 均一濃度層
４ｂ 不均一濃度層
４ｂ１，４ｂ２，４ｂ３，４ｂ４ ＭｇＡｇ合金層
５ 反射層
７ トランジスタ
４１ ＬｉＦ層
４２ Ａｕ層
７１ ゲート電極
７２ ソース電極
７３ ドレイン電極
７４ Ｎ+ソース領域
７５ Ｎ+ドレイン領域
７６ チャネル領域
７７ フィールド酸化膜
７８ ゲート配線
７９ データ配線
８１ 絶縁層
８２ 保護層
Claims (7)
- 互いに対向配置された陽極および陰極と、
上記陽極および陰極の間に介在し、かつ発光層を含む有機層と、
を備える有機ＥＬ素子であって、
上記陰極は、ＭｇＡｇ合金からなり、かつその厚さが４０〜１００Åであり、Ａｇ濃度が２５〜７０atomic％であるとともに、その厚さ方向においてＡｇ濃度が均一である均一濃度層と、上記均一濃度層を挟んで上記有機層とは反対側に位置し、かつその厚さ方向においてＡｇ濃度が不均一である不均一濃度層と、からなり、
上記均一濃度層は、Ａｇ濃度が２５〜７０atomic％であり、かつその厚さが２０Å以上であり、
上記不均一濃度層は、上記均一濃度層側に最も近接する部分のＡｇ濃度よりも、上記均一濃度層から最も離間した部分のＡｇ濃度の方が大であることを特徴とする、有機ＥＬ発光素子。 - 上記不均一濃度層は、上記均一濃度層から最も離間した部分のＡｇ濃度が、１００atomic％である、請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
- 上記不均一濃度層は、
第１ＭｇＡｇ合金層と、
上記第１ＭｇＡｇ合金層を挟んで上記均一濃度層とは反対側に位置し、かつそのＡｇ濃度が上記第１ＭｇＡｇ合金層よりも大である第２ＭｇＡｇ合金層と、
を含んでいる、請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子。 - 上記陰極を挟んで上記有機層と反対側に位置するＡｕ層がさらに設けられており、かつ
上記陰極の厚さと上記Ａｕ層の厚さとの合計が、２００Å以下である、請求項１ないし３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。 - 上記陰極と上記有機層との間に、Ｌｉを含む層がさらに介在している、請求項１ないし４のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
- 基板と、
上記基板に支持された複数の請求項１ないし５のいずれかに記載の有機ＥＬ素子と、
上記複数の有機ＥＬ素子を発光駆動するためのアクティブマトリクス回路と、を備えることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。 - 上記基板は、シリコン基板であり、
上記アクティブマトリクス回路は、上記基板上に形成された複数のトランジスタを具備して構成されている、請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005169212A JP4699098B2 (ja) | 2005-06-09 | 2005-06-09 | 有機ｅｌ素子、およびこれを用いた有機ｅｌ表示装置 |
| PCT/JP2006/311295 WO2006132226A1 (ja) | 2005-06-09 | 2006-06-06 | 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ表示装置、および有機ｅｌ素子の製造方法 |
| CNA2006800202897A CN101194378A (zh) | 2005-06-09 | 2006-06-06 | 有机el元件、有机el显示装置和有机el元件的制造方法 |
| US11/921,802 US8018137B2 (en) | 2005-06-09 | 2006-06-06 | Organic el element, organic el display device, and process for producing organic el element |
| KR1020077028584A KR20080010455A (ko) | 2005-06-09 | 2006-06-06 | 유기 ｅｌ 소자, 유기 ｅｌ 표시 장치 및 유기 ｅｌ 소자의제조 방법 |
| TW095120697A TW200708195A (en) | 2005-06-09 | 2006-06-09 | Organic el element, organic el display device, and process for producing organic el element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005169212A JP4699098B2 (ja) | 2005-06-09 | 2005-06-09 | 有機ｅｌ素子、およびこれを用いた有機ｅｌ表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006344497A JP2006344497A (ja) | 2006-12-21 |
| JP4699098B2 true JP4699098B2 (ja) | 2011-06-08 |
Family
ID=37498427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005169212A Expired - Fee Related JP4699098B2 (ja) | 2005-06-09 | 2005-06-09 | 有機ｅｌ素子、およびこれを用いた有機ｅｌ表示装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8018137B2 (ja) |
| JP (1) | JP4699098B2 (ja) |
| KR (1) | KR20080010455A (ja) |
| CN (1) | CN101194378A (ja) |
| TW (1) | TW200708195A (ja) |
| WO (1) | WO2006132226A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190070959A (ko) | 2016-12-19 | 2019-06-21 | 코니카 미놀타 가부시키가이샤 | 투명 전극 및 전자 디바이스 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2197059A4 (en) * | 2007-10-02 | 2012-08-08 | Ulvac Inc | ORGANIC EL ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD FOR ORGANIC EL ELEMENT |
| GB2459895B (en) * | 2008-05-09 | 2011-04-27 | Cambridge Display Technology Limited | Organic light emissive device |
| US20100051973A1 (en) * | 2008-08-28 | 2010-03-04 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device |
| JP5411469B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2014-02-12 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器、発光装置の製造方法 |
| JP2010092772A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP5453952B2 (ja) * | 2009-06-23 | 2014-03-26 | ソニー株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、並びに表示装置およびその製造方法 |
| US20120119199A1 (en) * | 2009-07-29 | 2012-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent display device |
| JP2011065897A (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | 有機ｅｌ装置 |
| KR101127767B1 (ko) | 2009-12-09 | 2012-03-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 장치 |
| JP2011165653A (ja) | 2010-01-14 | 2011-08-25 | Canon Inc | 有機ｅｌ素子およびそれを用いた発光装置 |
| WO2011105141A1 (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-01 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| KR101608234B1 (ko) | 2010-11-09 | 2016-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| WO2012133507A1 (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | 東海ゴム工業株式会社 | 有機半導体デバイスおよび電極膜 |
| KR101846410B1 (ko) | 2011-07-29 | 2018-04-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101918712B1 (ko) * | 2012-08-02 | 2018-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 |
| JP6031652B2 (ja) * | 2012-08-31 | 2016-11-24 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置及び電子機器 |
| JP6432124B2 (ja) * | 2012-10-22 | 2018-12-05 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、電子デバイスおよび有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| CN104769149B (zh) | 2012-11-06 | 2018-05-22 | Oti领英有限公司 | 用于在表面上沉积导电覆层的方法 |
| WO2014133141A1 (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-04 | 日本放送協会 | 有機電界発光素子 |
| KR102090290B1 (ko) | 2013-08-14 | 2020-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US9257672B2 (en) | 2013-09-09 | 2016-02-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
| KR102230699B1 (ko) * | 2014-08-20 | 2021-03-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US11152587B2 (en) | 2016-08-15 | 2021-10-19 | Oti Lumionics Inc. | Light transmissive electrode for light emitting devices |
| KR102623557B1 (ko) * | 2016-08-18 | 2024-01-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| CN106373989B (zh) * | 2016-11-24 | 2019-10-22 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板、电子设备以及制作方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0215595A (ja) * | 1987-02-11 | 1990-01-19 | Eastman Kodak Co | カソードを改善した電界発光デバイス |
| JPH11111467A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| JP2001148291A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2003045673A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Victor Co Of Japan Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2004079422A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP2004303724A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2004310069A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜集積回路装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69012892T2 (de) * | 1989-07-04 | 1995-05-11 | Mitsubishi Chem Ind | Organische elektrolumineszente Vorrichtung. |
| US5652067A (en) * | 1992-09-10 | 1997-07-29 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US5937272A (en) * | 1997-06-06 | 1999-08-10 | Eastman Kodak Company | Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate |
| TWI301124B (ja) * | 2001-07-04 | 2008-09-21 | Tdk Corp | |
| JP2004247106A (ja) | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法 |
| WO2004089042A1 (ja) | 2003-03-12 | 2004-10-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP4300176B2 (ja) * | 2003-11-13 | 2009-07-22 | ローム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
-
2005
- 2005-06-09 JP JP2005169212A patent/JP4699098B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-06 CN CNA2006800202897A patent/CN101194378A/zh active Pending
- 2006-06-06 KR KR1020077028584A patent/KR20080010455A/ko active IP Right Grant
- 2006-06-06 WO PCT/JP2006/311295 patent/WO2006132226A1/ja active Application Filing
- 2006-06-06 US US11/921,802 patent/US8018137B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-09 TW TW095120697A patent/TW200708195A/zh unknown
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0215595A (ja) * | 1987-02-11 | 1990-01-19 | Eastman Kodak Co | カソードを改善した電界発光デバイス |
| JPH11111467A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| JP2001148291A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2003045673A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Victor Co Of Japan Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2004079422A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP2004303724A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2004310069A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜集積回路装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190070959A (ko) | 2016-12-19 | 2019-06-21 | 코니카 미놀타 가부시키가이샤 | 투명 전극 및 전자 디바이스 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101194378A (zh) | 2008-06-04 |
| WO2006132226A1 (ja) | 2006-12-14 |
| US20090102358A1 (en) | 2009-04-23 |
| TW200708195A (en) | 2007-02-16 |
| US8018137B2 (en) | 2011-09-13 |
| JP2006344497A (ja) | 2006-12-21 |
| KR20080010455A (ko) | 2008-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4699098B2 (ja) | 有機ｅｌ素子、およびこれを用いた有機ｅｌ表示装置 | |
| JP5969450B2 (ja) | 有機発光ディスプレイ装置および有機発光ディスプレイ装置の製造方法 | |
| US9312316B2 (en) | Organic light emitting diode display and manufacturing method of the same | |
| US7687986B2 (en) | Organic EL device having hole-injection layer doped with metallic oxide | |
| US7247984B2 (en) | Electroluminescence element and electroluminescence panel | |
| JP3859155B2 (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JP2004031324A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2007533104A (ja) | 短絡が減少したｏｌｅｄデバイス | |
| JP2006344774A (ja) | 有機ｅｌ素子、これを用いた有機ｅｌ表示装置、および有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| KR20120111798A (ko) | 유기전계 발광소자 | |
| WO2004062321A1 (ja) | 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌディスプレイ | |
| KR101708421B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101587822B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR101680705B1 (ko) | 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| US7009749B2 (en) | Optical element and manufacturing method therefor | |
| KR100556369B1 (ko) | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법 | |
| US11910627B2 (en) | Organic light emitting device and organic light emitting display device using the same | |
| KR101457681B1 (ko) | 전계발광소자 | |
| KR100609717B1 (ko) | 전면 방출형 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JP4752457B2 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| KR101606871B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| TW587187B (en) | Method for producing an organic light emitting device and a concerning device | |
| JP2011146536A (ja) | 有機ｅｌ装置 | |
| Han et al. | Dual‐plate OLED display (DOD) based on amorphous‐silicon (a‐Si) TFT backplane | |
| JP2006100749A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080606 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101004 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110301 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110302 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4699098 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |