KR100699993B1 - 레이저 열전사 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레이저 열전사 방법에 대한 것으로써, 보다 상세하게는 장치 내의 기체 분위기를 조절하고, 전사층을 어닐링하는 것을 포함하는 레이저 열전사 방법에 대한 것이다. 도너 기판 및 기판을 구비하는 단계; 및 상기 전사용 도너 기판의 전사층을 상기 기판과 대향하도록 상기 기판 상에 전사층을 패터닝하는 단계를 포함하며, 상기 단계들은 진공의 상태에서 이루어지며, 상기 진공 또는 불활성 기체의 분위기에서 수행하는 것은 상기 진공 또는 불활성 기체 내에서 수증기 농도를 10ppm 이하 또는 산소 농도를 50ppm 이하로 조절하여 수행하는 것인 레이저 열전사 방법을 제공한다.
저분자 발광층, 어닐링, 레이저 열전사 방법

Description

레이저 열전사 방법{Method of laser induced thermal imaging}
도 1은 본발명의 실시예에 따른 레이저 열전사 방법을 나타낸 공정도,
도 2는 도너 기판을 나타낸 단면도,
도 3은 기판 상에 소정의 층을 형성한 기판의 단위 화소를 나타낸 단면도,
도 4는 레이저 열전사 공정을 나타낸 단위 화소에 대한 단면도,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 특성을 나타낸 그래프이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 도면 부호의 설명 *
100 : 도너 기판, 200 : 하부 기판,
140, 140a : 전사층, 290 : 화소 전극,
본 발명은 레이저 열전사 방법에 대한 것으로써, 보다 상세하게는 장치 내의 기체 분위기를 조절하고, 전사층을 어닐링하는 것을 포함하는 레이저 열전사 방법에 대한 것이다.
본 발명은 레이저 열전사 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기전계 발광표시장치의 제조를 위한 레이저 열전사법에 대한 것이다.
평판 표시 장치 중 유기전계발광표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어서, 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
상기 유기전계발광표시장치는 유기전계발광소자로 사용하는 재료와 공정에 따라 습식공정을 사용하는 고분자형 소자와 증착공정을 사용하는 저분자형 소자로 크게 나눌 수 있다.
상기 고분자 또는 저분자 발광층의 패터닝 방법 중 잉크젯 프린팅 방법의 경우 발광층 이외의 유기층들의 재료가 제한적이고, 기판 상에 잉크젯 프린팅을 위한 구조를 형성해야하는 번거로움이 있다. 또한 증착 공정에 의한 발광층의 패터닝 경우 금속 마스크의 사용으로 인해 대형 소자의 제작에 어려움이 있다.
위와 같은 패터닝의 방법을 대체할 수 있는 기술로 레이저 열전사법(LITI : Laser Induced Thermal Imaging)이 최근 개발되고 있다.
레이저 열전사법이란 광원에서 나오는 레이저를 열에너지로 변환하고, 이 열 에너지에 의해 패턴 형성 물질을 대상 기판으로 전사시켜 패턴을 형성하는 방법으로, 이와 같은 방법을 위해서는 전사층이 형성된 도너 기판과 광원, 피사체인 기판이 필요하다. 상기 열전사법은 도너 필름이 억셉터인 상기 기판을 덮고 있는 형태를 가지고, 상기 도너 필름과 기판은 스테이지 상에서 고정된다.
일반적으로 상기 전사층은 유기층으로써, 산소와 수증기에 대해 매우 민감한 특성을 가진다. 즉, 산소 또는 수증기에 상기 유기층이 노출될 경우 상기 유기층은 수명이 저하되거나, 상기 유기층이 발광층을 포함할 경우 발광 효율 및 수명은 저하되는 문제를 가진다. 따라서, 유기전계발광표시장치의 수명과 발광효율 특성에 악영향을 끼칠 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 레이저 열전사 공정 중 장치 내의 기체 분위기를 조절함으로써 유기전계발광표시장치의 수명 및 발광효율 특성을 향상시키는 레이저 열전사 방법을 제공하는 것에 목적이 있다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 전사된 유기층을 어닐링함으로써 유기전계발광표시장치의 수명 및 발광효율 특성을 더욱 향상시키는 레이저 열전사방법을 제공하는 것에 목적이 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 도너 기판 및 기판을 구비하는 단계; 및 상기 전사용 도너 기판의 전사층을 상기 기판과 대향하도록 상기 기판 상에 전사층을 패터닝하는 단계를 포함하며, 상기 단계들은 진공의 상태에서 이루어지며, 상기 패터닝하는 단계 후 상기 패터닝된 전사층을 진공 또는 불활성 기체 분위기에서 어닐링하는 단계를 포함하며, 상기 진공 또는 불활성 기체의 분위기에서 수행하는 것은 상기 진공 또는 불활성 기체 내에서 수증기 농도를 10ppm 이하 또는 산소 농도를 50ppm 이하로 조절하여 수행하는 것인 레이저 열전사 방법을 제공한다.
또한, 상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 도너 기판 및 기판을 구비하는 단계; 상기 전사용 도너 기판의 전사층을 상기 기판과 대향하도록 하여 상기 기판 상에 전사층을 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 기판의 전사층을 진공 또는 불활성 기체의 분위기에서 어닐링을 하는 것을 포함하며, 상기 패터닝 된 기판의 전사층을 진공 또는 불활성 기체의 분위기에서 어닐링하는 것은 상기 진공 또는 불활성 기체 내에서 수증기 농도를 10ppm 이하 또는 산소 농도를 50ppm 이하로 조절하여 수행하는 것인 레이저 열전사 방법을 제공한다.
또한, 상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 도너 기판 및 기판을 구비하는 단계; 불활성 기체의 분위기에서 상기 전사용 도너 기판의 전사층을 상기 기판과 대향하도록 하여 상기 기판 상에 전사층을 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 기판의 전사층을 진공 또는 불활성 기체의 분위기에서 어닐링하는 것을 포함하며, 상기 패터닝 된 기판의 전사층을 진공 또는 불활성 기체의 분위기에서 어닐링하는 것은 상기 진공 또는 불활성 기체 내에서 수증기 농도를 10ppm 이하 또는 산소 농도를 50ppm 이하로 조절하여 수행하는 것인 레이저 열전사 방법을 제공한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본발명의 실시예에 따른 레이저 열전사 방법을 나타낸 공정도이다.
도면을 참조하면, 전사층을 형성한 도너 기판 (a) 및 소정의 층이 형성된 기판(b)을 준비한다. 상기 전사용 도너 기판의 전사층과 상기 기판의 소정의 층을 대향하도록 하여 레이저 조사장치 내에서 전사층을 패터닝하여 레이저 열전사 공정(c)을 수행한다. 상기 패터닝 후 전사층이 형성된 기판 상에 도너 기판을 제거하고, 상기 기판을 어닐링(d)한다. 상기 어닐링 공정 후 전사층이 형성된 기판 상부로 유기층 또는 대향 전극을 형성한 후 봉지하여 유기전계발광표시장치를 완성한 다.
도 2 내지 도 4은 상기의 공정 과정에 대한 각 단계를 나타낸 단면도들로써, 상기 도면들을 인용하여 본 발명을 구체적으로 설명한다.
도 2는 도너 기판을 나타낸 단면도로써, 상기 도 1의 a를 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, 상기 도너 기판(100)은 베이스 기판(110) 상에 다수 개의 층이 형성된 구조로써, 베이스 기판(110), 상기 베이스 기판(110) 상에 위치한 광열변환층(120), 상기 광열변환층 상에 위치한 전사층(140)을 구비한다.
상기 베이스 기판(110)은 프레이밍이 된 것일 수 있으며, 유연성이 있는 재질 또는 단단한 재질을 가질 수 있다. 상기 베이스 기판(110)은 너무 얇으면 핸들링하기 어렵고, 또 너무 두꺼우면 무거워서 도너 필름의 이송에 문제가 발생할 수 있으므로, 상기 베이스 기판(110)의 두께는 20 내지 200㎛인 것이 바람직하다.
상기 베이스 기판 상에 광열변환층(120)을 형성하고, 상기 광열변환층(120) 상에는 전사층(140)을 형성한다.
상기 광열변환층(120)은 상기 레이저 조사장치에서 조사된 레이저를 열에너지로 변환시키는 역할을 수행하고, 상기 열에너지는 상기 전사층(140)과 상기 광열변환층(120) 사이의 접착력을 변화시킴으로써 상기 전사층을 리셉터인 하부 기판 상으로 전사하는 역할을 한다.
전사물질의 손상을 방지하고, 상기 전사층(140)과 상기 도너 필름의 접착력을 효과적으로 조절하기 위해 상기 광열변환층(120)과 상기 전사층(140) 사이에 버퍼층(130)을 개재할 수 있다.
상기 전사층(140)은 유기전계발광소자의 발광층일 수 있다. 또한 상기 전사층(140)은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 것을 더욱 포함하여 형성된 것일 수 있다.
또한 상기 전사층(140)은 저분자 유기막일 수 있다.
도 3은 기판 상에 소정의 층을 형성한 기판의 단위 화소를 나타낸 단면도로써, 도 1의 b를 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, 상기 기판(210) 상에 소정의 층을 형성하는 것은 게이트 전극(250), 소스 전극(270a), 및 드레인 전극(270b)을 포함한 박막 트랜지스터(E)를 형성하고, 상기 박막 트랜지스터(E)와 연결되는 화소전극층(290)을 형성하고, 화소 정의막(295)을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
세부적으로 설명하면, 기판(210) 상에 반도체층(230)을 형성한다. 상기 기판(210) 상에 존재하는 불순물의 반도체층(230) 유입을 방지하기 위해 상기 기판(210)과 반도체층(230) 사이에 버퍼층(220)을 형성할 수 있다. 상기 반도체층(230) 상에 게이트 절연막(240)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(240) 상에 게이트 전극(250)을 형성한다. 상기 게이트 전극(250) 상에 통상적인 물질을 사용하여 층간 절연막(260)을 형성하고, 상기 층간 절연막(125) 내에 상기 반도체층(230)의 소스 영역 및 드레인 영역들을 각각 노출시키는 콘택홀을 형성한다. 상기 층간 절연막(260) 상에 도전막을 적층하고 패터닝함으로써 상기 노출된 소스 영역 및 드레인 영역들과 각각 접하는 소스 전극(270a) 및 드레인 전극(270b)을 형성한다.
상기 소스 전극 및 드레인 전극(270a, 270b)을 형성한 기판의 상부에 평탄화층(280)을 형성하고, 상기 평탄화층(280)에 비아홀을 형성하여, 하부의 드레인 전극(270b)이 노출되도록 한다. 또한, 상기 평탄화층(280)을 형성하기 전에, 외부의 습기, 불순물, 및 공정 과정 중 식각 공정 시 하부층의 보호를 위하여 무기 보호층을 형성할 수 있다. 상기 비아홀이 형성된 평탄화층(280) 상에 도전막을 적층하고 패터닝함으로써 화소전극(290)을 형성한다. 상기 화소전극(290) 상에 상기 화소전극을 노출하는 화소정의막(295)을 형성하여, 단위 화소 내의 유기층이 형성될 영역을 정의한다.
도 4는 레이저 전사 공정을 나타낸 단위 화소에 대한 단면도로써, 도 1의 c 를 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, 상기 기판(200)과 도너 기판(100) 상에 패터닝하고자 하는 영역에 레이저(600)를 조사한다.
상기 레이저 전사 공정을 수행하기 전에, 상기 도너 기판(100)과 기판(200)을 라미네이션 공정을 수행할 수 있다. 상기 라미네이션으로 인해, 상기 도너 기판(100)과 상기 기판(200)이 고정되고, 라미네이션을 위한 가압의 공정을 거침으로써, 상기 도너 기판(100)과 기판(200) 사이의 버블을 제거할 수 있으므로, 라미네이션 공정을 수행하는 것이 바람직하다.
상기 레이저(600)의 조사 후, 상기 레이저(600)가 조사된 영역은 상기 서로 밀착된 상기 전사층(140a)과 상기 화소전극(290) 간의 접착력이 상기 버퍼층(130)과 상기 전사층(140)간의 접착력에 비해 커지게 되어, 상기 레이저가 조사된 영역 의 전사층(140a)은 상기 버퍼층(130)으로부터 박리가 되고, 상기 화소전극(290) 상에는 전사층(140a)이 패터닝된다. 상기 패터닝된 전사층(140a)은 단위화소의 형태에 따라 스트라이프형이나 델타형으로 패터닝될 수 있다.
상기 기판 상에 전사층을 패터닝 하는 것은 10-2 Torr 이하의 진공 중에서 수행할 수 있다. 상기 전사층(140a)은 저분자 유기층일 수 있다.
진공 상태에서 패터닝을 수행함으로써, 패터닝 과정 중 상기 기판 상의 화소 전극 및 유기층에 외부 오염물의 원인을 차단할 수 있고, 그로 인해 발광층을 포함한 유기층의 수명이 개선될 수 있다.
상기 패터닝 과정을 거친 후, 상기 기판(200)을 상기 도너필름(100)으로부터 제거한다.
상기 패터닝 된 기판의 전사층을 어닐링할 수 있다.
상기 어닐링은 불활성 기체의 분위기에서 수행할 수 있다.
상기 불활성 기체의 분위기에서 수행하는 것은 상기 불활성 기체 내에서 수증기 농도를 10ppm 이하로 조절하여 수행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 불활성 기체의 분위기에서 수행하는 것은 불활성 기체 내에서 산소 농도를 50ppm 이하로 조절하여 수행하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 상기 어닐링 공정이 수행되는 장치가 불활성 기체의 분위기를 가진다고 할지라도 외부에서 유입되는 산소와 수증기를 완벽히 차단하기는 어려우므로, 어닐링 공정이 수행되는 장치 내에서의 상기의 수증기 또는 산소의 유입량을 상기와 같이 조절하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 다른 실시예로써 상기 기판 상에 전사층을 패터닝하는 공정 동안의 분위기에 상관없이, 상기 패터닝 된 기판의 전사층을 불활성 기체의 분위기의 분위기에서 어닐링을 수행할 수 있다. 상기 전사층(140a)은 저분자 유기층일 수 있다.
상기 불활성 기체의 분위기에서 어닐링하는 것은 상기 불활성 기체 내에서 수증기 농도를 10ppm 이하로 조절하여 수행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 불활성 기체의 분위기에서 어닐링하는 것은 불활성 기체 내에서 산소 농도를 50ppm 이하로 조절하여 수행하는 것이 바람직하다.
따라서, 상기 어닐링으로 인해, 상기 전사된 유기층에 잔존해 있던 아르곤 및 질소와 같은 불활성 기체들을 제거하게 된다. 또한, 상기 어닐링 과정 중 산소와 수증기의 분압을 조절함으로써 상기 유기층의 특성을 더욱 향상시킬 수 있다. 이로 인하여, 유기층의 수명이 개선되고, 유기전계발광표시장치의 수명 특성이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예로써, 상기 기판 상에 전사층을 패터닝 하는 것은 불활성 기체의 분위기에서 수행할 수 있다. 상기 전사층(140a)은 저분자 유기층일 수 있다.
상기 불활성 기체의 분위기에서 패터닝하는 것은 상기 불활성 기체 내에서 수증기 농도를 10ppm 이하로 조절하여 수행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 불활성 기체의 분위기에서 패터닝 하는 것은 불활성 기체 내에서 산소 농도를 50ppm 이하로 조절하여 수행하는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 불활성 기체 분위기에서 산소 및 수증기의 분압을 조절함으로써, 패터닝 과정 중 상기 기판 상의 화소 전극 및 유기층을 보호할 수 있으며, 그로 인해 발광층을 포함한 유기층의 수명이 개선될 수 있다.
상기 패터닝 과정을 거친 후, 상기 기판(200)을 상기 도너필름(100)으로부터 제거한다.
그리고 나서, 전사층(140a)이 형성된 상기 상기 기판(200)을 불활성 기체의 분위기에서 어닐링할 수 있다.
상기 불활성 기체의 분위기에서 어닐링하는 것은 상기 불활성 기체 내에서 수증기 농도를 10ppm 이하로 조절하여 수행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 불활성 기체의 분위기에서 어닐링하는 것은 불활성 기체 내에서 산소 농도를 50ppm 이하로 조절하여 수행하는 것이 바람직하다.
따라서, 상기 어닐링으로 인해, 상기 전사된 유기층에 잔존해 있던 아르곤 및 질소와 같은 불활성 기체들을 제거하게 된다. 또한, 상기 어닐링 과정 중 산소와 수증기의 분압을 조절함으로써 상기 유기층의 특성을 더욱 향상시킬 수 있다. 이로 인하여, 유기층의 수명이 개선되고, 유기전계발광표시장치의 수명 특성이 향상될 수 있다.
또한, 상기의 세가지 실시예 모두, 상기 전사층의 보호를 위해, 상기 패터닝 된 기판의 전사층을 불활성 기체의 분위기에서 어닐링을 하는 것은 유리전이 온도 이하인 온도 범위에서 수행하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 패터닝된 유기막 상에 대향 전극을 형성하고, 봉지를 한 후 유 기전계발광표시장치를 완성한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 특성을 나타낸 그래프로써, 시간에 따른 휘도의 변화율을 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, 1은 N2 분위기에서 발광층의 패터닝 후 어닐링을 수행한 후 휘도의 변화를 나타낸 것이고, 2는 진공 상태에서 발광층의 패터닝 후 어닐링을 수행한 후 휘도의 변화를 나타낸 것이며, 3은 일반 공기의 분위기에서 발광층의 패터닝 후 어닐링을 수행한 후 휘도의 변화를 나타낸 것이다. 또한, 4 및 5는 어닐링을 수행하지 않은 것으로, 4는 일반 공기중의 분위기에서 발광층을 패터닝한 것이다.
발광층의 패터닝 후 어닐링을 수행한 유기전계발광표시장치들의 휘도 특성(1, 2, 3)을 보면 발광층의 패터닝 시 분위기에 상관없이, 1000 시간이 지나도 초기 휘도의 50% 이상이 유지됨을 알 수 있다. 즉, 어닐링을 수행한 발광층은 어닐링을 수행하지 않은 발광층보다 수명특성이 더욱 향상됨을 알 수 있다.
또한, N2 분위기에서 패터닝 후 어닐링은 수행한 것은 진공상태에서 패터닝을 수행한 것과 거의 비슷한 수명특성을 나타낸다. 따라서, 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 종래의 유기전계발광표시장치보다 수명 특성이 향상됨을 알 수 있다.
본발명에 따른 레이저 열전사 방법은 진공의 기체 분위기에서 패터닝을 수행함으로써, 외부에서 장치 내로 유입되는 기체로부터 기판 상의 화소 전극 및 전사 되는 유기층을 보호할 수 있으며, 그로 인해 레이저 열전사 방법으로 제조하는 유기전계발광표시장치의 발광층을 포함한 유기층의 수명이 개선될 수 있다.
또한 패터닝 시의 분위기에 관계없이 전사된 유기층을 어닐링함으로써, 상기 전사된 유기층에 잔존해 있던 기체들을 제거하게 되고, 상기 어닐링 과정 중 산소와 수증기의 분압을 조절함으로써 상기 유기층의 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 패터닝 과정 및 어닐링 공정의 전과정을 불활성 기체 분위기로 수행하고 산소 및 수증기의 분압을 조절함으로써, 상기 유기층의 수명 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
이로 인하여, 유기전계발광표시장치의 수명 특성은 더욱 향상될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (19)

  1. 도너 기판 및 기판을 구비하는 단계; 및
    상기 전사용 도너 기판의 전사층을 상기 기판과 대향하도록 상기 기판 상에 전사층을 패터닝하는 단계를 포함하며,
    상기 단계들은 진공의 상태에서 이루어지며, 상기 패터닝하는 단계 후 상기 패터닝된 전사층을 진공 또는 불활성 기체 분위기에서 어닐링하는 단계를 포함하며,
    상기 진공 또는 불활성 기체의 분위기에서 수행하는 것은 상기 진공 또는 불활성 기체 내에서 수증기 농도를 10ppm 이하 또는 산소 농도를 50ppm 이하로 조절하여 수행하는 것인 레이저 열전사 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기의 진공 상태는 10-2 Torr 이하의 진공도를 가지는 레이저 열전사 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전사층은 저분자 유기층인 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 도너 기판 및 기판을 구비하는 단계;
    상기 전사용 도너 기판의 전사층을 상기 기판과 대향하도록 하여 상기 기판 상에 전사층을 패터닝하는 단계; 및
    상기 패터닝된 기판의 전사층을 진공 또는 불활성 기체의 분위기에서 어닐링을 하는 것을 포함하며,
    상기 패터닝 된 기판의 전사층을 진공 또는 불활성 기체의 분위기에서 어닐링하는 것은 상기 진공 또는 불활성 기체 내에서 수증기 농도를 10ppm 이하 또는 산소 농도를 50ppm 이하로 조절하여 수행하는 것인 레이저 열전사 방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 도너 기판 및 기판을 구비하는 단계;
    불활성 기체의 분위기에서 상기 전사용 도너 기판의 전사층을 상기 기판과 대향하도록 하여 상기 기판 상에 전사층을 패터닝하는 단계; 및
    상기 패터닝된 기판의 전사층을 진공 또는 불활성 기체의 분위기에서 어닐링하는 것을 포함하며,
    상기 패터닝 된 기판의 전사층을 진공 또는 불활성 기체의 분위기에서 어닐링하는 것은 상기 진공 또는 불활성 기체 내에서 수증기 농도를 10ppm 이하 또는 산소 농도를 50ppm 이하로 조절하여 수행하는 것인 레이저 열전사 방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제 1항, 제 8 항, 및 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패터닝 된 기판의 전사층을 불활성 기체의 분위기에서 어닐링하는 것은 상기 전사층의 유리전이온도 이하인 온도 범위에서 수행하는 것인 레이저 열전사 방법.
  15. 제 1 항, 제 8 항, 및 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 전사용 도너 기판은 프레이밍된 것인 레이저 열전사 방법.
  16. 제 1 항. 제 8 항, 및 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전사층을 패터닝하기 전에 상기 도너 기판과 상기 기판을 라미네이션하는 단계를 더욱 포함하는 레이저 열전사 방법.
  17. 제 1 항, 제 8 항, 및 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전사층은 유기전계발광소자의 발광층인 레이저 열전사 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 전사층은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자 주입층으로 이 루어진 군에서 선택된 하나 이상의 층을 더욱 포함하는 것인 레이저 열전사 방법.
  19. 제 1 항, 제 8 항, 및 제 11항 중 어느 한 항의 레이저 열전사 방법에 의해 제조된 유기전계발광 표시장치.
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JP2004378032A JP2006066375A (ja) 2004-08-30 2004-12-27 有機電界発光表示装置の製造方法、及びそれに用いるレーザ熱転写方法
US11/020,672 US8809084B2 (en) 2004-08-30 2004-12-27 Laser induced thermal imaging method and a method of fabricating organic light emitting display
CNA2004100942199A CN1744777A (zh) 2004-08-30 2004-12-31 激光诱导热成像的方法和制造有机发光显示器的方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100951778B1 (ko) * 2008-05-28 2010-04-08 연세대학교 산학협력단 레이저 프린팅에 의한 박막 패터닝 방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070054429A1 (en) * 2005-08-25 2007-03-08 Tsuan-Lun Lung Back panel manufacturing process
JP2008034280A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Sony Corp 表示装置の製造方法
US7670450B2 (en) * 2006-07-31 2010-03-02 3M Innovative Properties Company Patterning and treatment methods for organic light emitting diode devices
KR20150007837A (ko) * 2013-07-12 2015-01-21 삼성디스플레이 주식회사 도너 기판 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조방법
KR102260809B1 (ko) * 2014-11-21 2021-06-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980070584A (ko) * 1997-01-22 1998-10-26 가따오까마사따까 칼라필터의 제조방법 및 액정표시장치
KR100330130B1 (ko) * 1993-07-03 2002-08-27 동경 엘렉트론 주식회사 열처리 방법 및 그 장치
JP2003077658A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Sharp Corp 有機ｅｌ素子製造用ドナーフィルムおよび有機ｅｌ素子用基板
JP2003229259A (ja) * 2002-01-30 2003-08-15 Eastman Kodak Co 有機電場発光表示装置の製造方法
KR20040054474A (ko) * 2002-12-17 2004-06-25 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사법을 사용하는 저분자 풀칼라 유기 전계 발광소자용 도너 필름 및 그 필름을 사용하는 저분자 풀칼라유기 전계 발광 소자의 제조 방법

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US883190A (en) * 1907-08-12 1908-03-31 Gibbs Mfg Company Phonograph-stop.
US1401033A (en) * 1919-09-18 1921-12-20 Blache Hans Henrik Regulating device for fuel-oil pumps
US5937272A (en) * 1997-06-06 1999-08-10 Eastman Kodak Company Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate
GB9803764D0 (en) * 1998-02-23 1998-04-15 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
JP3838614B2 (ja) * 1999-11-10 2006-10-25 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
US6734623B1 (en) * 2000-07-31 2004-05-11 Xerox Corporation Annealed organic light emitting devices and method of annealing organic light emitting devices
JP2002222694A (ja) * 2001-01-25 2002-08-09 Sharp Corp レーザー加工装置及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
JP2003017264A (ja) * 2001-04-27 2003-01-17 Canon Inc 電界発光素子及び画像表示装置
US6485884B2 (en) * 2001-04-27 2002-11-26 3M Innovative Properties Company Method for patterning oriented materials for organic electronic displays and devices
JP4004255B2 (ja) * 2001-09-05 2007-11-07 シャープ株式会社 有機ｌｅｄ表示パネルの製造方法
JP2003168559A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Sharp Corp 有機ｌｅｄ用ドナーフィルムと基板、及び、それらを用いた有機ｌｅｄ表示パネルとその製造方法
SG114589A1 (en) * 2001-12-12 2005-09-28 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
US6695029B2 (en) * 2001-12-12 2004-02-24 Eastman Kodak Company Apparatus for permitting transfer of organic material from a donor to form a layer in an OLED device
US6555284B1 (en) * 2001-12-27 2003-04-29 Eastman Kodak Company In situ vacuum method for making OLED devices
US6566032B1 (en) * 2002-05-08 2003-05-20 Eastman Kodak Company In-situ method for making OLED devices that are moisture or oxygen-sensitive
TWI336905B (en) 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
US20040004433A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-08 3M Innovative Properties Company Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use
JP2004079317A (ja) * 2002-08-15 2004-03-11 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子の製造方法及び有機電界発光素子
KR100490539B1 (ko) * 2002-09-19 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광소자 및 그 제조방법
DE10246425A1 (de) * 2002-10-04 2004-04-15 Technische Universität Braunschweig Verfahren zur Mikrostrukturierung mittels ortsselektiver Sublimation
GB0223510D0 (en) * 2002-10-10 2002-11-13 Cambridge Display Tech Ltd Optical device
US6918982B2 (en) * 2002-12-09 2005-07-19 International Business Machines Corporation System and method of transfer printing an organic semiconductor
JP4187149B2 (ja) * 2002-12-12 2008-11-26 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子の製造方法及び有機電界発光素子
EP1597416A1 (en) * 2003-02-28 2005-11-23 Saint-Gobain Ceramics and Plastics, Inc. Annealing method for halide crystal
US20040206307A1 (en) * 2003-04-16 2004-10-21 Eastman Kodak Company Method and system having at least one thermal transfer station for making OLED displays
CN1826186B (zh) * 2003-06-25 2010-12-22 普林斯顿大学理事会 有机光敏器件及其制造方法
US7132140B2 (en) * 2004-05-27 2006-11-07 Eastman Kodak Company Plural metallic layers in OLED donor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100330130B1 (ko) * 1993-07-03 2002-08-27 동경 엘렉트론 주식회사 열처리 방법 및 그 장치
KR19980070584A (ko) * 1997-01-22 1998-10-26 가따오까마사따까 칼라필터의 제조방법 및 액정표시장치
JP2003077658A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Sharp Corp 有機ｅｌ素子製造用ドナーフィルムおよび有機ｅｌ素子用基板
JP2003229259A (ja) * 2002-01-30 2003-08-15 Eastman Kodak Co 有機電場発光表示装置の製造方法
KR20040054474A (ko) * 2002-12-17 2004-06-25 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사법을 사용하는 저분자 풀칼라 유기 전계 발광소자용 도너 필름 및 그 필름을 사용하는 저분자 풀칼라유기 전계 발광 소자의 제조 방법

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1003301300000
1019980070584
1020040054474
15077658
15229259

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100951778B1 (ko) * 2008-05-28 2010-04-08 연세대학교 산학협력단 레이저 프린팅에 의한 박막 패터닝 방법

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US8809084B2 (en) 2014-08-19
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