JP2008034280A - 表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】陽極となる下部電極3を基板1上の各画素に形成する。次に各画素のうちの一部の画素における下部電極3の上方に、正孔輸送性の赤色発光層11rを転写法によってパターン形成する。次いで、基板1を加熱処理する。その後、各画素のうちの他の画素における下部電極3の上方の加熱処理された面上に、電子輸送性の緑色発光層および青色発光層を、転写法によって順次パターン形成する。下部電極3との間に、赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層を狭持する状態で、陰極となる上部電極を形成する。
【選択図】図1
Description
表示装置を構成する各色発光素子21r,21g,21bを、本発明に基づいて以下のように個別に作製した(図1〜図3参照)。
(a)先ず、素子作製用基板となるガラス基板1の上に、銀合金層であるAPC(Ag-Pd-Cu)層(膜厚120nm)、ITOからなる透明導電層(膜厚10nm)をこの順に形成した2層構造の下部電極3を陽極としてパターン形成した。次に下部電極3の周縁を覆う状態で酸化シリコンの絶縁膜5をスパッタリング法により約2μmの厚さで成膜し、リソグラフィー法により下部電極3を露出させ、画素領域とした。その表面の上に、正孔注入層7として、m−MTDATAを10nmの膜厚で蒸着した。次に、正孔輸送層9として、α−NPDを35nmの膜厚で蒸着した。
上記(b)で用意する転写用基板39gとして、正孔輸送性の赤色転写層35rを電子輸送性の緑色転写層35gに換えたものを用意した。つまり(b)転写用基板30gの作製においては、ガラス基板31の上に成膜した光熱変換層33上に酸化保護層34を成膜したその上に、ADNからなるホスト材料に、クマリン6からなる緑色発光性のゲスト材料を5重量%の割合で混合した電子輸送性の緑色転写層35gを、真空蒸着により成膜した。
上記(b)で用意する転写用基板39bとして、正孔輸送性の赤色転写層35rを電子輸送性の青色転写層35bに換えたものを用意した。つまり(b)転写用基板30bの作製においては、ガラス基板31の上に成膜した光熱変換層33上に酸化保護層34を成膜したその上に、ADNからなるホスト材料に、DPAVBiからなる青色発光性のゲスト材料を2.5重量%の割合で混合した電子輸送性の青色転写層35bを、真空蒸着により成膜した。
表示装置を構成する各色発光素子を、上述した実施例に於ける加熱処理の手順のみを変えて個別に作製した。
以上のようにして作製した実施例の各色発光素子および比較例の各色発光素子について、10mA/cm2の定電流密度を印加した状態で、分光放射輝度計を用いて色度(CIE-x,CIE-y)および発光効率を測定した。また、実施例と比較例で同色の発光素子が同輝度で発光するように電流印加を設定した状態で寿命試験を行い、100時間経過後の輝度減少率を測定した。これらの結果を下記表1に示す。
Claims (6)
- 第1電荷を供給する下部電極を基板上の各画素に形成する工程と、
前記各画素のうちの一部の画素における前記下部電極の上方に、第1電荷輸送性の第1発光層をパターン形成する工程と、
前記第1発光層が形成された前記基板を加熱処理する工程と、
前記各画素のうちの他の画素における前記下部電極上方の加熱処理された面上に、第2電荷輸送性の第2発光層をパターン形成する工程と、
前記下部電極との間に前記第1発光層および第2発光層を狭持する状態で、第2電荷を供給する上部電極を形成する工程を行う
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1記載の表示装置の製造方法において、
前記第1発光層のパターン形成および第2発光のパターン形成は、転写法によって行われる
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1記載の表示装置の製造方法において、
前記加熱処理は、前記第1発光層を構成する有機材料の融点より低いガラス転移点付近の温度で行われる
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1記載の表示装置の製造方法において、
前記下部電極を形成した後、前記第1発光層をパターン形成する前に、前記下部電極上に第1電荷輸送層を形成する工程を行うと共に、
前記加熱処理は、前記第1電荷輸送層を構成する有機材料の融点よりも低い温度で行われる
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1記載の表示装置の製造方法において、
前記第2発光層を形成した後、前記上部電極を形成する前に、前記第1発光層および当該第2発光層上に第2電荷輸送層を形成する工程を行う
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1記載の表示装置の製造方法において、
前記第1電荷は正電荷であって前記下部電極を陽極として形成し、
前記第2電荷は負電荷であって前記上部電極を陰極として形成する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009206041A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Sony Corp | 有機発光装置およびその製造方法 |
JP2010153051A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Sony Corp | 転写用基板および表示装置の製造方法 |
WO2013018661A1 (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (8)
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---|---|---|---|---|
JP2010114428A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-05-20 | Canon Inc | 有機el表示装置 |
JP5471937B2 (ja) * | 2010-07-27 | 2014-04-16 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、表示装置および電子機器 |
KR101962565B1 (ko) * | 2011-06-21 | 2019-03-26 | 카티바, 인크. | Oled 마이크로 공동 및 버퍼 층을 위한 물질과 그 생산 방법 |
KR20130081531A (ko) * | 2012-01-09 | 2013-07-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 도너 필름 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치 |
KR102040896B1 (ko) | 2013-02-18 | 2019-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치의 제조방법 |
KR20150012530A (ko) * | 2013-07-25 | 2015-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전사용 도너 기판 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102299891B1 (ko) * | 2014-07-28 | 2021-09-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자의 제조 방법 |
CN109300811A (zh) * | 2018-09-29 | 2019-02-01 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种显示面板的制作装置及制作方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003187972A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機el素子の製造方法および有機el転写体と被転写体 |
JP2005005149A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el素子及びその製造方法 |
JP2005222853A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Canon Inc | 有機el素子アレイ |
JP2006066375A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置の製造方法、及びそれに用いるレーザ熱転写方法 |
Family Cites Families (3)
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---|---|---|---|---|
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US6610455B1 (en) * | 2002-01-30 | 2003-08-26 | Eastman Kodak Company | Making electroluminscent display devices |
US8569948B2 (en) * | 2004-12-28 | 2013-10-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including an optical spacer |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003187972A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機el素子の製造方法および有機el転写体と被転写体 |
JP2005005149A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el素子及びその製造方法 |
JP2005222853A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Canon Inc | 有機el素子アレイ |
JP2006066375A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置の製造方法、及びそれに用いるレーザ熱転写方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009206041A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Sony Corp | 有機発光装置およびその製造方法 |
JP2010153051A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Sony Corp | 転写用基板および表示装置の製造方法 |
WO2013018661A1 (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
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