KR101569406B1 - 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 형성된 유기 발광 소자 층과, 상기 유기 발광 소자 층 상에 형성되고, 적층된 다층막을 포함하고, 상하에 위치한 막 간의 굴절율이 서로 다른 봉지층 및 상기 봉지층 상에 형성되어 수분 침투를 막는 투습층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다.
이와 같이 굴절율이 서로 다른 물질막을 다층으로 적층하여 유기 발광 소자 층을 보호하는 봉지층을 형성하여 면 발광하는 유기 발광 소자의 측면으로 방출되는 광을 전면으로 방출시켜 광 방사 효율을 증대시킬 수 있다.
유기 발광 소자, 발광층, 굴절율, 보호막, 봉지층, 발광 효율
Description
본 발명은 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 소자의 봉지기능을 향상시키고, 광방사 효율을 증가시킬 수 있는 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
종래의 자체 발광하는 소자인 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diodes; OLED)의 발광면에는 굴절율이 다른 계면이 존재함으로 인해 반사, 흡수, 산란 및 굴절 등이 발생하고 이로인해 광의 방사 효율이 낮아지는 단점이 있다. 즉, 예를 들어 후면 발광 OLED 소자의 경우, 발광층에서 발광하는 빛의 대부분은 발광층과 기판과의 계면 및 기판과 대기와의 계면에서의 굴절율 차이에 의해 반사, 흡수, 산란 등에 의해 많은 양이 소실되어 실제적으로 발광되는 빛의 일부만이 발광면을 통해 방출된다.
그리고, OLED 소자는 면 발광 소자이다. 따라서, 실질적으로 OLED 소자의 광 손실의 상당 부분은 발광면의 측면을 통해 발생하고 있다. 즉, OLED 소자의 발광층에서 발광된 광의 상당 부분이 발광층의 측부(즉, 측면)을 통해 방출된다.
이와 같이 소자의 측면으로 광(즉, 빛)이 나가는 것을 막기 위해 미세한 렌즈 모양을 기판에 부착하여 광이 측면으로 새는 것을 방지하였다. 또한 다른 방안으로는 굴절율 차이가 작은 이종 이상의 유기물을 기하학적 구조로 제작하였다. 하지만, 이는 공정이 복잡하고 제조 비용이 증가하게 되는 문제가 있다.
상술한 바와 같은 문제를 해결하기 위해 굴절율차가 큰 물질막을 다층으로 적층하여 광 방사 효율을 증대시키고, 다층막 구조의 봉지막을 통해 소자의 봉지성능을 향상시킬 뿐만 아니라 제조 공정을 단순화하고 제작 비용을 줄일 수 있는 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 기판과, 상기 기판 상에 형성된 유기 발광 소자 층과, 상기 유기 발광 소자 층 상에 형성되고, 적층된 다층막을 포함하고, 상하에 위치한 막 간의 굴절율이 서로 다른 봉지층 및 상기 봉지층 상에 형성되어 수분 침투를 막는 투습층을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
상기 봉지층은 제 1 굴절율을 갖는 적어도 하나의 제 1 막과, 상기 제 1 굴절율과 다른 제 2 굴절율을 갖는 적어도 하나의 제 2 막을 포함하고, 상기 제 2 굴절율은 상기 제 1 굴절율 보다 1.5 내지 4배 큰 것이 효과적이다.
상기 제 1 굴절율은 1.4 내지 2.2 이고, 상기 제 2 굴절율은 3.5 내지 4.5 인 것이 바람직하다.
상기 봉지층의 막은 PECVD 공정으로 증착 가능한 실리콘 계 물질로 형성될 수 있다.
상기 제 1 막은 SiOx막, SiON막 및 SiNx막 중 적어도 어느 하나의 막이고, 상기 제 2 막은 수소 원자가 함유된 Si막인 것이 바람직하다.
상기 봉지층은 적층된 다수의 제 1 막들 사이에 상기 제 2 막이 배치된 구조 또는, 제 1 막과 제 2 막이 순차로 적층된 구조를 갖는 것이 가능하다.
상기 제 1 막의 두께는 100nm 내지 10000nm이고, 상기 제 2 막의 두께는 1nm 내지 90nm인 것이 효과적이다.
상기 상하에 위치한 막 간의 계면 특성이 서로 다른 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판 상에 유기 발광 소자 층을 형성하는 단계 및 상기 유기 발광 소자 층을 포함하는 상기 기판 상에 굴절율이 다른 적어도 2개의 막이 적층된 봉지층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
상기 봉지층을 형성하는 단계는, 상기 기판 전면에 SiOx막, SiON막 및 SiNx막 중 적어도 어느 하나를 포함하는 제 1 보호막을 형성하는 단계와, 상기 제 1 보호막 상에 Si막을 포함하는 제 2 보호막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 보호막은 300도 이하의 저온에서 PECVD법을 통해 제작될 수 있다.
상기 제 2 보호막 상에 SiOx막, SiON막 및 SiNx막 중 적어도 어느 하나를 포함하는 제 3 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 가능하다.
상술한 바와 같이 본 발명은 굴절율이 서로 다른 물질막을 다층으로 적층하여 유기 발광 소자 층을 보호하는 봉지층을 형성하여 면 발광하는 유기 발광 소자의 측면으로 방출되는 광을 전면으로 방출시켜 광 방사 효율을 증대시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 다층막 구조의 봉지막을 통해 유기 발광 소자 층에 대한 봉지 성능을 향상시킬 수 있고, 제조 공정을 단순화하고 제작 비용을 줄일 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조를 위해 먼저 도 1에 도시된 바와 같이 기판(110) 상에 하부 전극(120)을 형성한다.
이때, 상기 기판(110)으로 유리 또는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 투광성을 갖는 얇은 실리콘 기판 또는 사파이어 기판을 사용할 수도 있다. 본 실시예에서는 기판(110)으로 투광성의 유리 기판을 사용한다.
이어서, 하부 전극(120)을 형성하기 위해 기판(110) 상에 전도성막을 형성한다. 그리고, 이러한 전도성막을 패터닝(즉, 마스크를 이용한 식각)하여 하부 전극(120)을 형성한다. 이때, 전도성막으로는 소자의 발광 특성에 따라 다양한 물질막이 사용될 수 있다. 예를 들어 전면 발광 소자의 경우 상기 전도성막으로는 금속 물질을 사용한다. 이때, 금속 물질로는 반사율이 우수한 금속 물질을 사용한다. 또한, 투명 소자의 경우 상기 전도성막으로 투명 전도성물질을 사용한다.
전도성막으로 Al, Au, Pd, Pt, Rh, Ru, Ir, Ag, Cu 및 이들의 합금 금속 중 적어도 어느 하나를 사용하거나, ITO, IZO, ZnO, SnO 및 In2O3 중 어느 하나를 사용할 수 있다. 그리고, 전도성막의 패터닝은 감광막 마스크를 이용한 식각 방법 또는 레이져를 이용한 스크라이빙 방법을 사용할 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 증착시 쉐도우 마스크와 같은 막을 이용하여 원하는 패턴의 하부 전극(120)을 제작할 수도 있다. 상기와 같이 하부 전극(120)을 형성한 다음 하부 전극(120)의 측면 영역을 감싸는 절연막을 더 형성할 수도 있다.
이어서, 도 2에 도시된 바와 같이 하부 전극(120) 상에 유기 발광층(130)을 형성하고, 유기 발광층(130) 상에 상부 전극(140)을 형성하여 유기 발광 소자 층(A)을 형성한다.
이를 위해 먼저 기판(110) 상에 정공주입층(Hole Injection Layer; HIL)(131), 정공수송층(Hole Transport Layer; HTL)(132), 발광층(Emitting Layer; EML)(133), 전자수송층(Electron Transport Layer; ETL)(134) 및 전자 주입 층(Electron Injection Layer; EIL)(135)을 순차적으로 형성하여 유기 발광층(130)을 형성한다.
즉, 하부 전극(120) 상에 CuPc 또는 MTDATA 등의 유기막을 형성하여 정공 주입층(131)을 형성한다. 정공 주입층(131) 상에 NPB 또는 TPD 등의 유기막을 형성하여 정공 수송층(132)을 형성한다. 정공 수송층(132) 상에 발광층(133)을 형성한다. 이때, 발광층(133)은 Alq3 또는 Alq3:C545T 등으로 구성된 녹색 발광층, Alq3:DCJTB 등으로 구성된 적색 발광층, SAlq 또는DPVBi등으로 구성된 청색 발광층 및 이들로 구성된 그룹 중 어느 하나일 수 있다. 상기 발광층(133) 상에 Alq3 등의 물질층을 형성하여 전자 수송층(134)을 형성한다. 전자 수송층(134) 상에 LiF, BCP:Cs 등의 물질층을 형성하여 전자 주입층(135)을 형성한다. 물론 상기 각 층을 구성하는 물질은 상술한 설명에 한정되지 않고, 현재 공개되어 있는 다양한 물질층이 사용될 수 있다. 또한, 소자 구조와 특징에 따라 상기 5개 층 중 적어도 하나의 층이 삭제될 수 있고, 필요에 따라 다른 구조의 층이 삽입될 수 있다. 그리고, 상기 각 층들은 단일 막으로 제작되거나 다층막으로 제작될 수 있다.
상기와 같이 기판(110) 상에 유기 발광층(130)을 형성한 다음 유기 발광층(130) 상에 상부 전극(140)을 형성한다.
이를 위해 상부 전극(140)으로 사용될 전도성막을 유기 발광층(130) 상에 증착한다. 이때, 상기 전도성막으로는 투광성이 50% 이상인 투명 전도성막을 사용한다. 따라서, 상부 전극(140)으로 ITO, IZO, ZnO, SnO 및 In2O3 중 어느 하나를 사용 할 수 있다.
이때, 상기 투명 전도성막을 기판(110) 상에 증착한 다음 패터닝 공정을 수행하여 상부 전극(140)을 형성하는 것이 바람직하다. 이때, 패터닝 공정은 감광막 마스크를 이용한 식각 공정을 수행할 수도 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 증착시 쉐도우 마스크와 같은 막을 이용하여 원하는 패턴의 상부 전극(140)을 제작할 수도 있다.
이어서, 도 3에 도시된 바와 같이 유기 발광 소자 층(A)을 보호하기위한 봉지층(150)을 형성한다. 이때, 봉지층(150)으로 굴절율 차가 큰 다수의 보호막(151, 152, 153)을 적층하여 사용한다. 즉, 제 1 굴절율의 제 1 막과 제 2 굴절율의 제 2 막을 교번으로 적층하여 사용한다. 이때, 제 1 및 제 2 막의 적층 횟수는 소자의 발광 효율에 따라 다양하게 변화될 수 있다. 바람직하게는 인접하는 상하에 위치한 보호막의 굴절율이 서로 다른 것이 효과적이다.
본 실시예에서는 도 3에 도시된 바와 같이 제 1 내지 제 3 보호막(151, 152, 153)을 순차적으로 형성하여 봉지층(150)을 제작한다.
이때, 제 1 내지 제 3 보호막(151, 152, 153) 중 어느 하나의 보호막이 다른 보호막에 비하여 그 굴절율이 1.5 내지 4배 큰 것이 효과적이다. 이와 같이 보호막간의 굴절율 차로 인해 보호막들 간의 계면에서 광의 굴절이 발생한다. 이를 통해 두 막의 계면(즉, 서로 다른 매질 경계면)에서의 전반사 각도가 줄어들게 된다. 따라서, 매질 사이 영역에서의 광이 확산 및 난반사 되는 것을 줄일 수 있다. 이에, 본 실시예에서는 이러한 굴절율을 이용하여 면 광원인 유기 발광 소자 층(A)의 발 광층(133)에서 발광된 광 중 소자의 측면 방향으로 방출되는 광이 상측 방향으로 방출되도록 할 수 있다. 또한, 매질 내에서 난반사 되는 광을 줄여 소자의 발광 효율을 증대시킬 수 있다.
이에 굴절율의 차이가 상기 범위보다 작을 경우에는 소자 측면으로 방출되는 광 중 상측 방향으로 방출되는 광량이 작게 되어 발광 효율 증대가 저하된다. 또한, 상기 범위보다 클 경우에는 보호막 사이에서 광이 크게 굴절하게 되어 측면으로 방출되는 광이 상측 중앙 방향으로 집중되어 광방출이 불균일하거나, 소자의 상측 방향으로 방출되는 광이 크게 굴절하여 측면 방향으로 방출하게 되어 소자의 발광 효율이 오히려 저하되는 문제가 발생한다.
여기서, 봉지층(150)을 구성하는 보호막(151, 152, 153)은 저온에서 증착하여야 한다. 이는 그 하부에 증착된 유기 발광층(130)은 열에 의해 쉽게 열화되기 때문이다. 따라서, 약 300도 이하의 저온에서 막을 형성하여야 한다. 이러한 특성을 만족하기 위해 상기 봉지층(150)으로 유기 물질막을 사용하거나 저온 증착된 무기 물질막을 사용할 수 있다. 물론 유기 물질막과 저온 증착된 무기 물질막을 적층하여 봉지층(150)을 형성할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 제 1 내지 제 3 보호막(151, 152, 153)으로 저온 증착된 무기 물질막을 사용한다. 이때, 무기 물질막의 저온 증착을 위해 화학 기상 증착법(예를 들어 PECVD)을 사용하거나 스퍼터링법을 사용할 수 있다.
본 실시예에서는 제 1 내지 제 3 보호막(151, 152, 153)으로 실리콘을 포함하는 막을 사용한다. 그리고, 제 1 및 제 3 보호막(151, 153)의 굴절율에 비하여 제 2 보호막(152)의 굴절율이 더 큰 것이 효과적이다. 이때, 제 1 및 제 3 보호막(151, 153)의 굴절율은 같거나 유사(약 ±20%범위 내에서 동일함)한 것이 효과적이다. 즉, 제 1 굴절율의 제 1 막과 제 2 굴절율의 제 2 막을 순차적으로 적층하되, 제 1 막들 사이에 제 2 막이 위치하도록 한다. 이를 통해 소자의 발광 효율이 증대될 수 있다.
따라서, 상기 제 1 및 제 3 보호막(151, 153)으로 실리콘 함유 절연막을 사용한다. 즉, 제 1 및 제 3 보호막(151, 153)으로 SiOx막, SiON막 및 SiNx막 중 적어도 어느 하나를 사용한다. 그리고, 제 2 보호막(152)으로 Si막을 사용한다.
상기의 실리콘 함유 절연막의 경우 그 굴절율이 1.4 내지 2.2이다. 이에 반하여 제 2 보호막(152)으로 사용되는 Si막의 경우 그 굴절율이 3.5 내지 4.5가 될 수 있다. 여기서, Si막은 그 증착 조건에 따라 굴절율을 상기 범위내에서 조절할 수 있다. 이때, Si막은 PECVD법을 통해 증착하는 것이 효과적이다. 이를 통해 PECVD 증착 시 증착 조건을 변화시키거나 반응 가스를 첨가하면 Si막의 굴절율이 변화하게 된다. 따라서, 제 2 보호막(152)의 굴절율을 상기 범위내에서 조절할 수 있다. 예를 들어 증착 조건과 반응 가스를 조절하여 Si막 내의 수소 원자의 잔류량을 조절하여 Si막의 굴절율을 변화시킬 수 있다.
물론 상기 제 1 및 제 3 보호막(151, 153) 또한 PECVD법을 통해 제작하는 것이 가능하다. 이를 통해 제 1 내지 제 3 보호막(151, 152, 153)이 단일 증착 장치 내에서 인시츄로 제작될 수 있음을 의미한다.
이는 유기 발광 소자 층(A)이 형성된 기판(110)을 PECVD 챔버에 로딩시킨다. 이어서, 실리콘 소스 원료와 절연성 원료(즉, 산소 함유 물질 및/또는 질소 함유 물질)을 PECVD 챔버에 공급하여 유기 발광 소자 층(A)이 형성된 기판(110)의 표면 단차를 따라 제 1 보호막(151)(예를 들어 SiOx막)을 형성한다. 이어서, 절연성 원료의 공급을 차단하거나 미량(전단계의 2 내지 10%)만 공급하며, 실리콘 소스 원료만을 계속적으로 공급하여 제 1 보호막(151) 상에 제 2 보호막(152)(예를 들어 Si막)을 형성한다. 이어서, 다시 절연성 원료를 공급하여 제 2 보호막(152) 상에 제 3 보호막(153)(예를 들어 SiOx막)을 형성한다. 이를 통해 유기 발광 소자 층(A)상에 SiOx막/Si막/SiOx막 구조의 봉지층(150)을 형성한다.
물론 이에 한정되지 않고, 상기 제 3 보호막(153) 형성시 상기 제 1 보호막(151) 증착을 위한 절연성 원료와 다른 원료 물질을 PECVD 챔버에 공급할 수 있다. 이를 통해 제 1 보호막(151)과 다른 제 3 보호막(153)(예를 들어 SiNx 또는 SiON)을 형성할 수 있다. 이를 통해 유기 발광 소자 층(A) 상에 SiOx막/Si막/SiNx막 또는 SiOx막/Si막/SiONx막 구조의 봉지층(150)을 형성할 수 있다. 물론 상기 제 1 보호막(151)의 물질과 제 3 보호막(153)의 물질층이 서로 반대 물질로 제작될 수도 있다.
상술한 바와 같이 PECVD 법을 통해 3개의 막층을 순차적으로 증착함으로 인해 저온 증착에 의한 박막의 결함을 최소화할 수 있다.
즉, 저온에서 제 1 내지 제 3 보호막(151, 152, 153)을 증착하기 때문에 각 보호막에는 다수의 결함(defect)이나 핀홀(pinhole)이 존재하게 된다. 이러한 결합이나 핀홀은 결합 영역에 지속적으로 결합이 발생하여 박막의 두께를 두껍게 하더라도 소멸되지 않는다. 하지만, 본 실시예에서와 같이 그 표면 에너지가 다른 물질막을 적층하여 증착함으로 인해 결함이 있던 영역에 다시 결함이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 3차원적인 결함의 형성을 막을 수 있게 되고, 이를 통해 봉지층(150)의 봉지 효과도 개선시킬 수 있다.
표면 에너지는 물질의 표면이 가지고 있는 에너지를 지칭한 것으로 표면 에너지가 다른 물질막은 두 물질막 표면 간의 계면 특성 또는 표면 특성이 다름을 지칭한다. 즉, 표면 에너지는 물질의 표면상태에 따라 값이 다르다. 그러나, 전혀 다른 물질은 표면 상태가 비슷하더라도 그 값이 다르다.
여기서, 상기 제 1 및 제 3 보호막(151, 153)으로 사용하는 SiOx막, SiON막 및 SiNx막의 경우 광투과율이 우수하다. 하지만, 제 2 보호막(152)으로 사용하는 수소화된(즉, 수소 원자가 함유된) Si막의 경우 색을 띠고 있기 때문에 광 투과율이 제 1 및 제 3 보호막(151, 153)에 비하여 낮다. 이에 본 실시예에서는 제 2 보호막(152)의 두께를 제 1 및 제 3 보호막(151, 153)에 비하여 얇게 제작한다. 즉, 제 2 보호막(152)을 광 투과율을 저하하지 않는 1nm 내지 90nm 두께로 형성한다. 물론 상기 제 1 및 제 3 보호막(151, 153)은 봉지 효과를 위해 100nm 내지 10000nm 두께로 증착하는 것이 효과적이다. 물론 본 발명에서는 제 1 굴절율의 제 1 막(즉, 제 1 및 제 3 보호막(151, 153))과 제 2 굴절율의 제 2 막(즉, 제 2 보호막(152))는 다수번 적층될 수 있다. 따라서, 이들 박막의 적층 횟수와 목표하는 전체 봉지층(150)의 두께에 따라 이들 박막의 두께는 상기 범위내에서 다양하게 가변될 수 있다.
이어서, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 봉지층(150) 상에 투습층(160)을 형성한다. 그리고, 투습층(160)이 형성된 기판(110)에 커버(170)를 합착시켜 유기 발광 소자를 제작한다.
이때, 투습층(160)은 수분 침투를 막을 수 있는 막층을 지칭한다. 이와 같이 본 실시예의 봉지층(150)은 광의 굴절율 차이로 인한 난반사를 방지하는 역활을 수행하지만, 수분 침투에 취약한 단점이 있다. 따라서, 본 실시예에서는 이러한 수분 침투에 의해 봉지층(150) 하부의 유기 발광층(130)이 손상되는 현상을 방지하기 위해, 봉지층(150) 상부에 투습층(160)을 형성한다. 이때, 봉지층(150)을 투습층(160) 하부(즉, 투습층(160)과 유기 발광층(130) 사이)에 위치시킴으로 인해, 유기 발광층(130)에서 발광된 광의 투과율을 높일 수 있다. 만일 유기 발광층(130) 바로 상부에 투습층(160)이 형성되고, 그 상부에 본 실시예의 봉지층(150)이 형성되는 경우, 다수의 광이 투습층(160) 내부와 그 계면(즉, 투습층(160)과 유기 발광층(130)의 계면과, 투습층(160)과 봉지층(150) 사이의 계면)에서 난반사되어 그 발광 효율이 저하되는 문제가 발생한다.
따라서, 본 실시예에서는 발광 효율을 높이면서, 수분 침투에 의한 유기막들의 열화를 방지하기 위해 봉지층(150) 상부에 투습층(160)을 형성한다. 이때, 상기 투습층(160)은 수분 투과 특성이 10-100 내지 10-3 g/m2/day 혹은 cc/m2/day인 것이 효과적이다. 그리고, 본 실시예의 투습층(160)으로 CaO, BaO 중 어느 하나를 사용한다.
또한, 본 실시예에서는 상기 투습층(160) 상부에 커버(170)를 더 형성할 수 있다. 이때, 상기 커버(170)로 투광성의 절연판을 사용하는 것이 효과적이다. 물론 상기 커버(170)로 수분 침투를 막을 수 있는 캡 형태의 판을 사용하는 것이 바람직하다. 이에 본 실시예에서는 상기 커버(170)로 유리 또는 투명 플라스틱 판을 사용한다. 즉, 유리 판으로 상기 기판(110)의 상측 영역을 덮음으로 인해 유기 발광 소자 층(A)을 보호한다.
본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고, 도 5의 변형예에서와 같이 봉지층(150)이 제 1 내지 제 5 보호막(151, 152, 153, 154, 155)으로 구성되고, 이때, 제 1, 제 3 및 제 5 보호막(151, 153, 155)의 굴절율보다 제 2 및 제 4 보호막(152, 154)의 굴절율이 더 큰 것이 효과적이다. 이와 같이 굴절율이 상이한 막들 다층으로 적층하여 소자 측면으로 방출되는 광의 발광 효율을 증대시킬 수 있다.
또한, 커버(170)로 유리 판이 아닌 유기물층을 사용할 수 있다. 즉, 유기물층을 봉지층(150) 상에 형성하여 수분 및 불순물의 침투를 막는 커버(170)로 사용할 수 있다. 또한, 상기 커버(170)를 형성하지 않을 수도 있다.
물론 본 발명의 기술 즉, 굴절율이 다른 다층막이 적층된 봉지층을 형성하여 면발광을 하는 다양한 전기 광학 소자가 적용될 수 있다.
본 발명은 상기에서 서술된 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 즉, 상기의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 4는 절연성 페이스트 물질 특성을 설명하기 위한 도 2의 A 영역의 확대 도면.
도 5는 절연막 형성 방법을 설명하기 위한 흐름도.
<도면의 주요 부호에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 110 : 투명 전극
120 : 절연막 130 : 유기 발광층
140 : 상부 전극 150 : 봉지층
160 : 투습층
Claims (11)
- 기판;상기 기판 상에 형성된 유기 발광 소자 층;상기 유기 발광 소자 층 상에 형성되고, 적층된 다층막을 포함하고, 상하에 위치한 막 간의 굴절율이 서로 다른 봉지층; 및상기 봉지층 상에 형성되어 수분 침투를 막는 투습층을 포함하며,상기 봉지층은 제 1 굴절율을 갖는 적어도 하나의 제 1 막과, 상기 제 1 굴절율과 다른 제 2 굴절율을 갖는 적어도 하나의 제 2 막을 포함하고,상기 제 1 막은 SiOx막, SiON막 및 SiNx막 중 적어도 어느 하나의 막이고, 상기 제 2 막은 수소 원자가 함유된 Si막인 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 제 2 굴절율은 상기 제 1 굴절율 보다 1.5 내지 4배 큰 유기 발광 소자.
- 청구항 2에 있어서,상기 제 1 굴절율은 1.4 내지 2.2 이고, 상기 제 2 굴절율은 3.5 내지 4.5 인 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 봉지층의 막은 PECVD 공정으로 증착된 유기 발광 소자.
- 삭제
- 청구항 2에 있어서,상기 봉지층은 적층된 다수의 제 1 막들 사이에 상기 제 2 막이 배치된 구조 또는, 제 1 막과 제 2 막이 순차로 적층된 구조를 갖는 유기 발광 소자.
- 청구항 2에 있어서,상기 제 1 막의 두께는 100nm 내지 10000nm이고, 상기 제 2 막의 두께는 1nm 내지 90nm인 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 상하에 위치한 막 간의 계면 특성이 서로 다른 유기 발광 소자.
- 기판을 마련하는 단계;상기 기판 상에 유기 발광 소자 층을 형성하는 단계; 및상기 유기 발광 소자 층을 포함하는 상기 기판 상에 굴절율이 다른 적어도 2개의 막이 적층된 봉지층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 봉지층은 1.4 내지 2.2의 굴절율을 갖는 적어도 하나의 제 1 막과, 3.5 내지 4.5의 굴절율을 갖는 적어도 하나의 제 2 막을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
- 청구항 9에 있어서, 상기 봉지층을 형성하는 단계는,상기 기판 전면에 SiOx막, SiON막 및 SiNx막 중 적어도 어느 하나를 포함하는 제 1 보호막을 형성하는 단계;상기 제 1 보호막 상에 Si막을 포함하는 제 2 보호막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제 1 및 제 2 보호막은 300도 이하의 저온에서 PECVD법을 통해 제작된 유기 발광 소자의 제조 방법.
- 청구항 10에 있어서,상기 제 2 보호막 상에 SiOx막, SiON막 및 SiNx막 중 적어도 어느 하나를 포함하는 제 3 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
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